JP2003117818A - 基板の研削方法および研削装置 - Google Patents
基板の研削方法および研削装置Info
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Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 直径が300mm以上と大きい基板の研削時
に、研削屑がフィルムとデバイスパタ−ン面間に研削液
とともに浸透して基板が破損することがあるので、該破
損が生じないように基板を研削する方法の提供。 【解決手段】 カップホイ−ル型砥石50と、研削液供
給機構59を備える研削装置を用い、カップホイ−ル型
砥石を基板面上で摺動させて基板裏面を研削する際、基
板面より離れたカップホイ−ル型砥石の刃先55をチャ
ック4外に設けた液切り堰90の溝内を通過させて刃先
に付着した液体を除去する。刃先に付着した研削屑が液
切り堰90で除かれるので、研削系において研削屑がフ
ィルムとデバイスパタ−ン面間に存在する機会がなくな
り、基板の破損が防止される。
に、研削屑がフィルムとデバイスパタ−ン面間に研削液
とともに浸透して基板が破損することがあるので、該破
損が生じないように基板を研削する方法の提供。 【解決手段】 カップホイ−ル型砥石50と、研削液供
給機構59を備える研削装置を用い、カップホイ−ル型
砥石を基板面上で摺動させて基板裏面を研削する際、基
板面より離れたカップホイ−ル型砥石の刃先55をチャ
ック4外に設けた液切り堰90の溝内を通過させて刃先
に付着した液体を除去する。刃先に付着した研削屑が液
切り堰90で除かれるので、研削系において研削屑がフ
ィルムとデバイスパタ−ン面間に存在する機会がなくな
り、基板の破損が防止される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエハ、
ゲルマニウムウエハ、アルミニウムウエハ、ガラス基板
等の半導体基板を研削するのに適した平面研削装置およ
び半導体基板表面の研削方法に関する。
ゲルマニウムウエハ、アルミニウムウエハ、ガラス基板
等の半導体基板を研削するのに適した平面研削装置およ
び半導体基板表面の研削方法に関する。
【従来の技術】半導体基板の研削には、基板のチャック
機構とスピンドルに軸承されたカップホイ−ル型砥石お
よび研削液供給機構を備える平面研削装置が使用されて
いる(特開平2−274462号、同3−154773
号、同11−254318号、特開2000−9434
2号公報)。
機構とスピンドルに軸承されたカップホイ−ル型砥石お
よび研削液供給機構を備える平面研削装置が使用されて
いる(特開平2−274462号、同3−154773
号、同11−254318号、特開2000−9434
2号公報)。
【0002】かかる平面研削装置の一例として、例え
ば、図6に示す平面研削装置が挙げられる(特開平11
−254318号公報)。図中、1は平面研削装置、A
は本体基台、2は回転軸、3はウエハ(基板)、4はチ
ャック、5はカップホイ−ル型砥石、6は本体ケ−シン
グ、7は昇降装置、8はスピンドル、9は軸受、10は
スピンドルケ−シング、11はカップホイ−ル型砥石を
取り付けるヘッド、12はスピンドルケ−シングを昇降
機構に据え付ける取付部材、13は後述する傾斜調整ボ
ルト駆動用モ−タ−、14はスピンドル軸を回転駆動さ
せるビルド・イン・モ−タ−、15はX軸方向の傾斜調
整ボルト、15aは皿バネ、15'はY軸方向の傾斜調
整ボルト、16は昇降装置を垂直方向に昇降可能とする
凹状溝を有するレ−ル、18はスピンドル軸ケ−シング
に設けられた半球状凸部、19は昇降装置の前面に前記
半球状凸部と若干の隙間を持って嵌合できるように形成
された半球状凹部、21はロッド、22は空気軸受であ
る。
ば、図6に示す平面研削装置が挙げられる(特開平11
−254318号公報)。図中、1は平面研削装置、A
は本体基台、2は回転軸、3はウエハ(基板)、4はチ
ャック、5はカップホイ−ル型砥石、6は本体ケ−シン
グ、7は昇降装置、8はスピンドル、9は軸受、10は
スピンドルケ−シング、11はカップホイ−ル型砥石を
取り付けるヘッド、12はスピンドルケ−シングを昇降
機構に据え付ける取付部材、13は後述する傾斜調整ボ
ルト駆動用モ−タ−、14はスピンドル軸を回転駆動さ
せるビルド・イン・モ−タ−、15はX軸方向の傾斜調
整ボルト、15aは皿バネ、15'はY軸方向の傾斜調
整ボルト、16は昇降装置を垂直方向に昇降可能とする
凹状溝を有するレ−ル、18はスピンドル軸ケ−シング
に設けられた半球状凸部、19は昇降装置の前面に前記
半球状凸部と若干の隙間を持って嵌合できるように形成
された半球状凹部、21はロッド、22は空気軸受であ
る。
【0003】研削テ−ブル4上に載せられたウエハ3の
表面にスピンドル8を昇降装置により下降させてカップ
ホイ−ル型砥石をウエハ面に圧接し、両スピンドル軸
2,8を同一方向または逆方向に回転させることにより
ウエハ表面に砥石を摺動させてウエハ表面を研削する。
表面にスピンドル8を昇降装置により下降させてカップ
ホイ−ル型砥石をウエハ面に圧接し、両スピンドル軸
2,8を同一方向または逆方向に回転させることにより
ウエハ表面に砥石を摺動させてウエハ表面を研削する。
【0004】カップホイ−ル型砥石5としては、図7に
示す環状の周壁5aと、その一端に設けられた底壁5b
とを備えたカップ状台金の前記周壁の底壁とは反対面の
上面に扇状の砥石小片(刃先)5dを環状に接着剤で隣
接する砥石小片5d,5d間に研削液の流通するスリッ
ト5fを形成させるようにして固定したカップホイ−ル
型砥石(実開昭61−144959号、同61−144
961号、同61−144962号、特開昭62−18
1875号公報)が使用されている。前記砥石小片は、
高さが3〜7mm、幅が3〜10mm、長さが3〜7m
mの環状扇体であるのが一般である。
示す環状の周壁5aと、その一端に設けられた底壁5b
とを備えたカップ状台金の前記周壁の底壁とは反対面の
上面に扇状の砥石小片(刃先)5dを環状に接着剤で隣
接する砥石小片5d,5d間に研削液の流通するスリッ
ト5fを形成させるようにして固定したカップホイ−ル
型砥石(実開昭61−144959号、同61−144
961号、同61−144962号、特開昭62−18
1875号公報)が使用されている。前記砥石小片は、
高さが3〜7mm、幅が3〜10mm、長さが3〜7m
mの環状扇体であるのが一般である。
【0005】また、特開2000−94342号公報に
開示されるように、環状の周壁と、その一端に設けられ
た底壁とを備えたカップ状台金の前記周壁の底壁とは反
対面の上面に環状砥石を固定したカップホイ−ル型砥石
であって、前記台金は底壁の外面に周壁と同心に設けら
れた環状溝(a)と該環状溝内に供給される研削液を周
壁の内側へ導入するために該環状溝の底面から前記底壁
を貫通して設けられ、該周壁の他端側へ向かう程度外周
側へ傾斜して、かつ、周壁に同心に多数等間隔に設けら
れた研削液導入孔(b)を有し、底壁とは反対面の周壁
の上面に固定された環状の砥石は周壁の頂面より突出し
ている部分において周壁および環状溝が共有する軸心と
該軸心に直交する環状砥石の起立面に対し、軸心側から
砥石外側に向かって30〜60度傾斜した研削液排出用
スリット(c)が多数等間隔に設けられているカップホ
イ−ル型砥石も使用されている。
開示されるように、環状の周壁と、その一端に設けられ
た底壁とを備えたカップ状台金の前記周壁の底壁とは反
対面の上面に環状砥石を固定したカップホイ−ル型砥石
であって、前記台金は底壁の外面に周壁と同心に設けら
れた環状溝(a)と該環状溝内に供給される研削液を周
壁の内側へ導入するために該環状溝の底面から前記底壁
を貫通して設けられ、該周壁の他端側へ向かう程度外周
側へ傾斜して、かつ、周壁に同心に多数等間隔に設けら
れた研削液導入孔(b)を有し、底壁とは反対面の周壁
の上面に固定された環状の砥石は周壁の頂面より突出し
ている部分において周壁および環状溝が共有する軸心と
該軸心に直交する環状砥石の起立面に対し、軸心側から
砥石外側に向かって30〜60度傾斜した研削液排出用
スリット(c)が多数等間隔に設けられているカップホ
イ−ル型砥石も使用されている。
【0006】このカップホイ−ル型砥石において、スリ
ットの高さが3〜10mmであり、砥石幅2〜7mm、
スリットで区分けされた砥石刃の長さが10〜50mm
である。研削液導入孔の径は2〜6mm、周壁高さは2
5〜45mmである。
ットの高さが3〜10mmであり、砥石幅2〜7mm、
スリットで区分けされた砥石刃の長さが10〜50mm
である。研削液導入孔の径は2〜6mm、周壁高さは2
5〜45mmである。
【0007】図5に示す研削装置は、後者のカップホイ
−ル型砥石を備えた研削装置1の砥石ヘッド構造を示す
ものである。
−ル型砥石を備えた研削装置1の砥石ヘッド構造を示す
ものである。
【0008】図5に示す平面研削装置のヘッド構造にお
いて、6は本体ケ−シング、8はスピンドル軸、9は軸
受、11はカップホイ−ル型砥石の取付板、12はスピ
ンドル軸ケ−シング取付部材、13は傾斜調整ボルト駆
動用モ−タ−、14はスピンドル軸を回転駆動させるビ
ルド・イン・モ−タ−、22は空気軸受、23は空気供
給管、24は取付板11とスピンドル軸を軸承する固定
板25との連結軸、26はスピンドル軸ケ−シング10
冷却液供給管、27は空気軸受22と該空気軸受の周壁
下に設けた囲板(砥石カバ−)28とからなるヘッドH
内に設けられた空間部、50はカップホイ−ル型砥石、
51は周壁、52は底壁、53はカップ状台金、55は
砥石、56は環状溝、57は研削液導入孔、59は研削
液供給ノズル、60は研削液供給管、61は研削液取入
口であり、この研削液供給管は図示されていないが、昇
降機構の取付部材に固定されており、研削液タンクと可
撓性ホ−スで接続されている。
いて、6は本体ケ−シング、8はスピンドル軸、9は軸
受、11はカップホイ−ル型砥石の取付板、12はスピ
ンドル軸ケ−シング取付部材、13は傾斜調整ボルト駆
動用モ−タ−、14はスピンドル軸を回転駆動させるビ
ルド・イン・モ−タ−、22は空気軸受、23は空気供
給管、24は取付板11とスピンドル軸を軸承する固定
板25との連結軸、26はスピンドル軸ケ−シング10
冷却液供給管、27は空気軸受22と該空気軸受の周壁
下に設けた囲板(砥石カバ−)28とからなるヘッドH
内に設けられた空間部、50はカップホイ−ル型砥石、
51は周壁、52は底壁、53はカップ状台金、55は
砥石、56は環状溝、57は研削液導入孔、59は研削
液供給ノズル、60は研削液供給管、61は研削液取入
口であり、この研削液供給管は図示されていないが、昇
降機構の取付部材に固定されており、研削液タンクと可
撓性ホ−スで接続されている。
【0009】カップホイ−ル型砥石50は、ビルド・イ
ン・モ−タ−14の回転駆動をスピンドル軸8、固定板
25、連結軸24、取付板11を経て伝達し、回転させ
る。ヘッドは取付部材12に固定されているので砥石5
0が回転しても、ヘッド自信は回転駆動しない。従っ
て、研削液供給ノズル59と研削液供給タンクを連結す
る可撓性ホ−スが捻れて破損することはない。研削液供
給ノズル59より砥石50の環状溝56に供給された研
削液は、導入孔57,57…を経て砥石周壁内56面に
導かれ、さらにスリット50fを通過して砥石の周壁外
側へ排出される。
ン・モ−タ−14の回転駆動をスピンドル軸8、固定板
25、連結軸24、取付板11を経て伝達し、回転させ
る。ヘッドは取付部材12に固定されているので砥石5
0が回転しても、ヘッド自信は回転駆動しない。従っ
て、研削液供給ノズル59と研削液供給タンクを連結す
る可撓性ホ−スが捻れて破損することはない。研削液供
給ノズル59より砥石50の環状溝56に供給された研
削液は、導入孔57,57…を経て砥石周壁内56面に
導かれ、さらにスリット50fを通過して砥石の周壁外
側へ排出される。
【0010】カップホイ−ル型砥石50の刃先55群の
直径rは基板の半径より4/3〜2倍と大きく、カップ
ホイ−ル型砥石の刃先が前記基板の略中心点を通過する
ようにスピンドル8を回転させる。基板の研削は、前記
チャック4に保持された基板を水平方向に回転させつ
つ、研削液を基板表面に供給しつつカップホイ−ル型砥
石を該砥石の刃先55が前記基板の略中心点oを通過す
るようにスピンドルを回転させてカップホイ−ル型砥石
を基板面上で摺動させて基板表面を研削する。
直径rは基板の半径より4/3〜2倍と大きく、カップ
ホイ−ル型砥石の刃先が前記基板の略中心点を通過する
ようにスピンドル8を回転させる。基板の研削は、前記
チャック4に保持された基板を水平方向に回転させつ
つ、研削液を基板表面に供給しつつカップホイ−ル型砥
石を該砥石の刃先55が前記基板の略中心点oを通過す
るようにスピンドルを回転させてカップホイ−ル型砥石
を基板面上で摺動させて基板表面を研削する。
【0011】図4に示すように、直径が300mm、4
00mm、表面にデバイスパタ−ン3aが設けられ、こ
のデバイスパタ−ンにダイサ−切り込み溝3bが設けら
れた半導体基板の裏面研削は、デバイスパタ−ン表面を
保護フィルム(粘着テ−プ)80で覆い、保護フィルム
80がチャック面に接するように、かつ、基板裏面3c
がカップホイ−ル型砥石55(5)に対向するように半
導体基板3をチャック4上に載置し、カップホイ−ル型
砥石による基板の裏面研削が行なわれる。
00mm、表面にデバイスパタ−ン3aが設けられ、こ
のデバイスパタ−ンにダイサ−切り込み溝3bが設けら
れた半導体基板の裏面研削は、デバイスパタ−ン表面を
保護フィルム(粘着テ−プ)80で覆い、保護フィルム
80がチャック面に接するように、かつ、基板裏面3c
がカップホイ−ル型砥石55(5)に対向するように半
導体基板3をチャック4上に載置し、カップホイ−ル型
砥石による基板の裏面研削が行なわれる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】ベアシリコンの研削
や、直径が200mm以下の半導体基板では、研削に問
題がなかったが、基板径が300mm以上と拡径した半
導体基板では、保護フィルム80と半導体基板3のデバ
イスパタ−ン3a間に研削屑を含んだ研削液が浸入し、
研削屑が悪さを働いて裏面研削時に、または研削後の基
板搬送時に半導体基板3が割れてしまう現象が稀に生じ
ることが判明した。
や、直径が200mm以下の半導体基板では、研削に問
題がなかったが、基板径が300mm以上と拡径した半
導体基板では、保護フィルム80と半導体基板3のデバ
イスパタ−ン3a間に研削屑を含んだ研削液が浸入し、
研削屑が悪さを働いて裏面研削時に、または研削後の基
板搬送時に半導体基板3が割れてしまう現象が稀に生じ
ることが判明した。
【0013】この割れの原因は、半導体基板の端部(エ
ッジ部)3dが丸みを帯びた尖りを有しており、研削時
に保護フィルム80の端部が基板のデバイスパタ−ン3
a面より剥離し、保護フィルム80と半導体基板3のデ
バイスパタ−ン3a間に研削屑を含んだ研削液が浸入
し、ダイサ−溝3bを通って研削液が浸透し、特に、研
削屑がデバイスパタ−ンのダイサ−溝3bに留まった際
は、ヘッドHより半導体基板にかかる圧力が研削屑に集
中し、基板の強度の弱いダイサ−溝3b部に外部応力が
作用するため、半導体基板の割れに繋がるものと思われ
る。
ッジ部)3dが丸みを帯びた尖りを有しており、研削時
に保護フィルム80の端部が基板のデバイスパタ−ン3
a面より剥離し、保護フィルム80と半導体基板3のデ
バイスパタ−ン3a間に研削屑を含んだ研削液が浸入
し、ダイサ−溝3bを通って研削液が浸透し、特に、研
削屑がデバイスパタ−ンのダイサ−溝3bに留まった際
は、ヘッドHより半導体基板にかかる圧力が研削屑に集
中し、基板の強度の弱いダイサ−溝3b部に外部応力が
作用するため、半導体基板の割れに繋がるものと思われ
る。
【0014】本発明は、径が大きい半導体基板の裏面研
削であっても、かかる基板の割れを生じることが無い基
板の研削方法およびそれに用いる研削装置の提供を目的
とする。
削であっても、かかる基板の割れを生じることが無い基
板の研削方法およびそれに用いる研削装置の提供を目的
とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1は、基
板を保持するチャックと、スピンドルに軸承された基板
の半径よりも大きい直径を有するカップホイ−ル型砥石
と、研削液供給機構を備える研削装置を用い、前記チャ
ックに保持された基板を水平方向に回転させつつ、研削
液を基板表面に供給しつつカップホイ−ル型砥石を該砥
石の刃先が前記基板の略中心点を通過するようにスピン
ドルを回転させてカップホイ−ル型砥石を基板面上で摺
動させて基板表面を研削する方法において、基板面より
離れたカップホイ−ル型砥石の刃先をチャック外に設け
た液切り堰の溝内を通過させて刃先に付着した液体を除
去することを特徴とする、基板の研削方法を提供するも
のである。
板を保持するチャックと、スピンドルに軸承された基板
の半径よりも大きい直径を有するカップホイ−ル型砥石
と、研削液供給機構を備える研削装置を用い、前記チャ
ックに保持された基板を水平方向に回転させつつ、研削
液を基板表面に供給しつつカップホイ−ル型砥石を該砥
石の刃先が前記基板の略中心点を通過するようにスピン
ドルを回転させてカップホイ−ル型砥石を基板面上で摺
動させて基板表面を研削する方法において、基板面より
離れたカップホイ−ル型砥石の刃先をチャック外に設け
た液切り堰の溝内を通過させて刃先に付着した液体を除
去することを特徴とする、基板の研削方法を提供するも
のである。
【0016】液切り堰の溝内をカップホイ−ル型砥石の
刃先が通過する際、高速で回転している刃先に付着して
いる研削液等の液体は、液切り堰の溝と刃先の隙間が狭
いので液切りされるとともに、研削液中に含有された研
削屑は液切り堰に当接して飛ばされるので、再び刃先が
研削系に戻る際には刃先には研削屑が付着していない。
よって、保護フィルム80と半導体基板3のデバイスパ
タ−ン3a間に研削屑が浸透する機会が失なわれるの
で、半導体基板3が割れることはない。
刃先が通過する際、高速で回転している刃先に付着して
いる研削液等の液体は、液切り堰の溝と刃先の隙間が狭
いので液切りされるとともに、研削液中に含有された研
削屑は液切り堰に当接して飛ばされるので、再び刃先が
研削系に戻る際には刃先には研削屑が付着していない。
よって、保護フィルム80と半導体基板3のデバイスパ
タ−ン3a間に研削屑が浸透する機会が失なわれるの
で、半導体基板3が割れることはない。
【0017】本発明の請求項2は、前記の基板の研削方
法において、液切り堰の溝は、該溝の側壁がカップホイ
−ル型砥石の刃先の側面より10〜1000μm、溝の
底部が刃先の下面より10〜1000μm離れている寸
法であることを特徴とする。
法において、液切り堰の溝は、該溝の側壁がカップホイ
−ル型砥石の刃先の側面より10〜1000μm、溝の
底部が刃先の下面より10〜1000μm離れている寸
法であることを特徴とする。
【0018】液の表面張力と、カップホイ−ル型砥石の
回転数から考慮して、研削屑が液切り堰の溝を通過しな
い溝と刃先との隙間距離である。
回転数から考慮して、研削屑が液切り堰の溝を通過しな
い溝と刃先との隙間距離である。
【0019】本発明の請求項3は、基板を保持するチャ
ック、該チャックの回転機構、スピンドルに軸承された
基板の半径よりも大きい直径を有するカップホイ−ル型
砥石、該スピンドルの回転機構ならびに昇降機構、研削
液供給機構、およびカップホイ−ル型砥石の刃先に付着
した液体を除去する液切り堰を備える研削装置を提供す
るものである。
ック、該チャックの回転機構、スピンドルに軸承された
基板の半径よりも大きい直径を有するカップホイ−ル型
砥石、該スピンドルの回転機構ならびに昇降機構、研削
液供給機構、およびカップホイ−ル型砥石の刃先に付着
した液体を除去する液切り堰を備える研削装置を提供す
るものである。
【0020】スピンドルに軸承された基板の半径よりも
大きい直径を有するカップホイ−ル型砥石を用いるの
で、液切り堰をチャックの外側に設けることができる。
大きい直径を有するカップホイ−ル型砥石を用いるの
で、液切り堰をチャックの外側に設けることができる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明をさら
に詳細に説明する。図1は、砥石カバ−に設けた支持部
材に液切り堰を設けた研削装置の部分正面図、図2は、
研削装置のカップホイ−ル型砥石の刃先回転方向と、基
板の回転方向と研削液供給位置と、液切り堰の位置の相
対関係を示す平面図、図3は、液切り堰の斜視図、図4
は、チャック上に載置された半導体基板とカップホイ−
ル型砥石と、液切り堰と、研削液供給機構の位置関係を
示す部分正面図である。
に詳細に説明する。図1は、砥石カバ−に設けた支持部
材に液切り堰を設けた研削装置の部分正面図、図2は、
研削装置のカップホイ−ル型砥石の刃先回転方向と、基
板の回転方向と研削液供給位置と、液切り堰の位置の相
対関係を示す平面図、図3は、液切り堰の斜視図、図4
は、チャック上に載置された半導体基板とカップホイ−
ル型砥石と、液切り堰と、研削液供給機構の位置関係を
示す部分正面図である。
【0022】カップホイ−ル型砥石:カップホイ−ル型
砥石は、前述の実開昭61−144959号、同61−
144961号、同61−144962号、特開昭62
−181875号、特開2000−94342号公報に
記載のカップホイ−ル型砥石を含め、公知のカップホイ
−ル型砥石を用いることができる。カップホイ−ル型砥
石は、株式会社 岡本工作機械製作所、旭ダイアモンド
株式会社、三菱マテリアル株式会社から入手できる。
砥石は、前述の実開昭61−144959号、同61−
144961号、同61−144962号、特開昭62
−181875号、特開2000−94342号公報に
記載のカップホイ−ル型砥石を含め、公知のカップホイ
−ル型砥石を用いることができる。カップホイ−ル型砥
石は、株式会社 岡本工作機械製作所、旭ダイアモンド
株式会社、三菱マテリアル株式会社から入手できる。
【0023】カップホイ−ル型砥石の刃先55は、ダイ
ヤモンド砥粒、CBN砥粒をフェノ−ル樹脂、エポキシ
樹脂等の接着剤で環状扇体に成型したものである。環状
扇体(砥石刃先)55の寸法は、高さが3〜7mm、幅
が3〜10mm、スリットで区分けされた砥石刃の長さ
が10〜50mmであるのが一般である。スリット幅は
1〜3mmである。カップホイ−ル型砥石の刃先55群
が形成する直径は、研削される基板の半径の4/3〜
2.2倍であり、好ましくは2倍である。カップホイ−
ル型砥石を該砥石の刃先が前記基板の略中心点を通過す
るようにスピンドルを回転させてカップホイ−ル型砥石
を基板面上で摺動させて基板表面を研削するので、液切
り堰90をチャック4外に設けることができる(図1、
図2参照)。
ヤモンド砥粒、CBN砥粒をフェノ−ル樹脂、エポキシ
樹脂等の接着剤で環状扇体に成型したものである。環状
扇体(砥石刃先)55の寸法は、高さが3〜7mm、幅
が3〜10mm、スリットで区分けされた砥石刃の長さ
が10〜50mmであるのが一般である。スリット幅は
1〜3mmである。カップホイ−ル型砥石の刃先55群
が形成する直径は、研削される基板の半径の4/3〜
2.2倍であり、好ましくは2倍である。カップホイ−
ル型砥石を該砥石の刃先が前記基板の略中心点を通過す
るようにスピンドルを回転させてカップホイ−ル型砥石
を基板面上で摺動させて基板表面を研削するので、液切
り堰90をチャック4外に設けることができる(図1、
図2参照)。
【0024】研削装置:研削装置は、前述の図5に示し
た研削装置は勿論、市販の裏面研削装置、例えば株式会
社 岡本工作機械製作所のGNX(商品名)シリ−ズ、
GNX−P(商品名)シリ−ズ(特開平11−3074
89号、株式会社東京精密のPG(商品名)シリ−ズも
使用できる。これら裏面研削装置の砥石カバ−28に、
図1に示すように支持部材91を設け、この支持部材に
液切り堰90をボルト92で固定する。砥石カバ−28
は、その一部材をスライド可能に設け、カップホイ−ル
型砥石50の刃先55の磨耗状態を観察できるようにす
るのが好ましい。
た研削装置は勿論、市販の裏面研削装置、例えば株式会
社 岡本工作機械製作所のGNX(商品名)シリ−ズ、
GNX−P(商品名)シリ−ズ(特開平11−3074
89号、株式会社東京精密のPG(商品名)シリ−ズも
使用できる。これら裏面研削装置の砥石カバ−28に、
図1に示すように支持部材91を設け、この支持部材に
液切り堰90をボルト92で固定する。砥石カバ−28
は、その一部材をスライド可能に設け、カップホイ−ル
型砥石50の刃先55の磨耗状態を観察できるようにす
るのが好ましい。
【0025】液切り堰90は、図3で示すように断面凹
状の溝90aを有し、この溝の寸法は、該溝の側壁がカ
ップホイ−ル型砥石の刃先の側面より10〜1000μ
m、好ましくは30〜100μm、溝の底部が刃先の下
面より10〜1000μm、好ましくは30〜600μ
m離れる寸法とする。液切り堰90の溝幅wは10〜3
0mmで充分である。
状の溝90aを有し、この溝の寸法は、該溝の側壁がカ
ップホイ−ル型砥石の刃先の側面より10〜1000μ
m、好ましくは30〜100μm、溝の底部が刃先の下
面より10〜1000μm、好ましくは30〜600μ
m離れる寸法とする。液切り堰90の溝幅wは10〜3
0mmで充分である。
【0026】液切り堰90の素材としては、セラミック
の素焼き、ポリ(テトラフルオロエチレン)、ポリ(ジ
クロロジフロロエチレン)、ポリアセタ−ル等の樹脂成
形品が挙げられる。
の素焼き、ポリ(テトラフルオロエチレン)、ポリ(ジ
クロロジフロロエチレン)、ポリアセタ−ル等の樹脂成
形品が挙げられる。
【0027】液切り堰90の取り付け位置は、カップホ
イ−ル型砥石の刃先が基板を研削し、チャックから離れ
る位置に近いチャック外位置であり、研削液供給位置よ
り遠い位置である。
イ−ル型砥石の刃先が基板を研削し、チャックから離れ
る位置に近いチャック外位置であり、研削液供給位置よ
り遠い位置である。
【0028】基板の裏面研削は、基板3の裏面を上向き
としてポ−ラスセラミックチャック4を軸承する中空ス
ピンドル2を減圧して基板をチャック4に保持し、中空
スピンドル2をモ−タ2aで水平方向に回転させること
により前記チャック2に保持された基板を水平方向に回
転させつつ、研削液1〜15リットル/分を研削液供給
管59より基板表面に供給しつつカップホイ−ル型砥石
50を該砥石の刃先55が前記基板の略中心点を通過す
るようにスピンドル8を回転させてカップホイ−ル型砥
石を基板面上で摺動させて基板表面を研削する。なお、
研削液は、図5に示すように砥石50の環状溝56を経
由して基板3上に供給してもよいし、図2に示すように
直接基板上に供給してもよい。
としてポ−ラスセラミックチャック4を軸承する中空ス
ピンドル2を減圧して基板をチャック4に保持し、中空
スピンドル2をモ−タ2aで水平方向に回転させること
により前記チャック2に保持された基板を水平方向に回
転させつつ、研削液1〜15リットル/分を研削液供給
管59より基板表面に供給しつつカップホイ−ル型砥石
50を該砥石の刃先55が前記基板の略中心点を通過す
るようにスピンドル8を回転させてカップホイ−ル型砥
石を基板面上で摺動させて基板表面を研削する。なお、
研削液は、図5に示すように砥石50の環状溝56を経
由して基板3上に供給してもよいし、図2に示すように
直接基板上に供給してもよい。
【0029】中空スピンドル2の回転数は、30〜30
0rpm、スピンドル8の回転数は1000〜4000
rpmである。
0rpm、スピンドル8の回転数は1000〜4000
rpmである。
【0030】
【実施例】実施例1
半導体基板として、厚みが約700μm、直径が300
mmのシリコンウエハ表面に、縦20mm、横20mm
角のデバイスパタ−ン複数をダイサ−幅200μm、ダ
イサ−溝深さ10μmで格子状に仕切ったデバイスパタ
−ンを有する半導体基板の前記デバイスパタ−ン面に保
護フィルムを貼着したものを用いた。
mmのシリコンウエハ表面に、縦20mm、横20mm
角のデバイスパタ−ン複数をダイサ−幅200μm、ダ
イサ−溝深さ10μmで格子状に仕切ったデバイスパタ
−ンを有する半導体基板の前記デバイスパタ−ン面に保
護フィルムを貼着したものを用いた。
【0031】裏面研削盤として、株式会社 岡本工作機
械製作所の裏面研削盤GNX300(商品名)の砥石カ
バ−に取り付けた支持部材にアルミナ粒子素焼きのセラ
ミック製液切り堰をボルトで固定した研削装置を用い
た。液切り堰の弧状溝の寸法は、裏面研削当初、該溝の
側壁がカップホイ−ル型砥石の刃先の側面より100μ
m、溝の底部が刃先の下面より200μm離れている寸
法で、弧状溝幅は15mmである。半導体基板の裏面シ
リコン層の取り代は、100μmと設定した。
械製作所の裏面研削盤GNX300(商品名)の砥石カ
バ−に取り付けた支持部材にアルミナ粒子素焼きのセラ
ミック製液切り堰をボルトで固定した研削装置を用い
た。液切り堰の弧状溝の寸法は、裏面研削当初、該溝の
側壁がカップホイ−ル型砥石の刃先の側面より100μ
m、溝の底部が刃先の下面より200μm離れている寸
法で、弧状溝幅は15mmである。半導体基板の裏面シ
リコン層の取り代は、100μmと設定した。
【0032】前記半導体基板を、該保護フィルムがポ−
ラスセラミックチャック面に当接するように半導体基板
をチャック上に載せ、中空スピンドルを減圧して半導体
基板をチャックに固定した。ついで、中空スピンドルを
100rpmで回転させることにより半導体基板を水平
方向に回転させ、直径300mm径のカップホイ−ル型
砥石を軸承するスピンドルを3000rpmで回転させ
つつ、下降させてカップホイ−ル型砥石の刃先が半導体
基板の中心点を通過する位置で半導体基板のシリコン基
板に当接させ、半導体基板表面に研削液を6リットル/
分の割合で供給しつつ、液切り堰で刃先に付着した液を
切りながら基板の裏面研削を行なった。
ラスセラミックチャック面に当接するように半導体基板
をチャック上に載せ、中空スピンドルを減圧して半導体
基板をチャックに固定した。ついで、中空スピンドルを
100rpmで回転させることにより半導体基板を水平
方向に回転させ、直径300mm径のカップホイ−ル型
砥石を軸承するスピンドルを3000rpmで回転させ
つつ、下降させてカップホイ−ル型砥石の刃先が半導体
基板の中心点を通過する位置で半導体基板のシリコン基
板に当接させ、半導体基板表面に研削液を6リットル/
分の割合で供給しつつ、液切り堰で刃先に付着した液を
切りながら基板の裏面研削を行なった。
【0033】約100μm厚のシリコン層剥離の裏面研
削が終了したら、スピンドルを上昇させてカップホイ−
ル砥石を半導体基板面より遠ざけ、ついで、中空スピン
ドルの回転ならびに減圧を止め、中空スピンドルに圧空
を供給して半導体基板のチャック離れを容易とした。
削が終了したら、スピンドルを上昇させてカップホイ−
ル砥石を半導体基板面より遠ざけ、ついで、中空スピン
ドルの回転ならびに減圧を止め、中空スピンドルに圧空
を供給して半導体基板のチャック離れを容易とした。
【0034】チャック上の半導体基板を搬送パッドに吸
着し、洗浄機構に搬送し、洗浄機構でスピン洗浄、スピ
ン乾燥し、ついで搬送ロボットで収納カセット内に裏面
研削された半導体基板を搬送した。
着し、洗浄機構に搬送し、洗浄機構でスピン洗浄、スピ
ン乾燥し、ついで搬送ロボットで収納カセット内に裏面
研削された半導体基板を搬送した。
【0035】上記の半導体基板200枚の裏面研削を同
様にして200枚連続して行なったが、半導体基板が破
損したものは皆無であった。
様にして200枚連続して行なったが、半導体基板が破
損したものは皆無であった。
【0036】
【発明の効果】本発明の液切り堰を設けた研削装置は、
カップホイ−ル型砥石を用いて半導体基板を裏面研削す
る際、裏面研削により生じた研削屑を含有する研削液が
カップホイ−ル型砥石の刃先に付着しても、再び刃先が
研削系に戻る際に液切り堰により刃先に付着した研削屑
が除去されるので、研削屑が保護フィルムと基板のデバ
イスパタ−ン面の間に浸透する機会が失われ、よって、
研削時および基板搬送時に半導体基板が破損することが
ない。
カップホイ−ル型砥石を用いて半導体基板を裏面研削す
る際、裏面研削により生じた研削屑を含有する研削液が
カップホイ−ル型砥石の刃先に付着しても、再び刃先が
研削系に戻る際に液切り堰により刃先に付着した研削屑
が除去されるので、研削屑が保護フィルムと基板のデバ
イスパタ−ン面の間に浸透する機会が失われ、よって、
研削時および基板搬送時に半導体基板が破損することが
ない。
【図面の簡単な説明】
【図1】砥石カバ−に設けた支持部材に液切り堰を設け
た研削装置の部分正面図である。
た研削装置の部分正面図である。
【図2】研削装置のカップホイ−ル型砥石の刃先回転方
向と、基板の回転方向と研削液供給位置と、液切り堰の
位置の相対関係を示す平面図である。
向と、基板の回転方向と研削液供給位置と、液切り堰の
位置の相対関係を示す平面図である。
【図3】液切り堰の斜視図である。
【図4】チャック上に載置された半導体基板とカップホ
イ−ル型砥石と、液切り堰と、研削液供給機構の位置関
係を示す部分正面図である。
イ−ル型砥石と、液切り堰と、研削液供給機構の位置関
係を示す部分正面図である。
【図5】裏面研削装置のヘッド部分を示す正面図であ
る。(公知)
る。(公知)
【図6】裏面研削装置の正面図である。(公知)
【図7】カップホイ−ル型砥石の斜視図である。(公
知)
知)
1 研削装置
2 中空スピンドル
3 基板
3a デバイスパタ−ン
3b ダイサ−溝
4 チャック
5,50 カップホイ−ル型砥石
55 刃先
8 スピンドル
14 ビルト・イン・モ−タ−
28 砥石カバ−
59 研削液供給ノズル
80 保護フィルム
90 液切り堰
91 取付部材
Claims (3)
- 【請求項1】 基板を保持するチャックと、スピンドル
に軸承された基板の半径よりも大きい直径を有するカッ
プホイ−ル型砥石と、研削液供給機構を備える研削装置
を用い、前記チャックに保持された基板を水平方向に回
転させつつ、研削液を基板表面に供給しつつカップホイ
−ル型砥石を該砥石の刃先が前記基板の略中心点を通過
するようにスピンドルを回転させてカップホイ−ル型砥
石を基板面上で摺動させて基板表面を研削する方法にお
いて、 基板面より離れたカップホイ−ル型砥石の刃先をチャッ
ク外に設けた液切り堰の溝内を通過させて刃先に付着し
た液体を除去することを特徴とする、基板の研削方法。 - 【請求項2】 液切り堰の溝は、該溝の側壁がカップホ
イ−ル型砥石の刃先の側面より10〜1000μm、溝
の底部が刃先の下面より10〜1000μm離れている
寸法であることを特徴とする、請求項1に記載の基板の
研削方法。 - 【請求項3】 基板を保持するチャック、該チャックの
回転機構、スピンドルに軸承された基板の半径よりも大
きい直径を有するカップホイ−ル型砥石、該スピンドル
の回転機構ならびに昇降機構、研削液供給機構、および
カップホイ−ル型砥石の刃先に付着した液体を除去する
液切り堰を備える研削装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001312925A JP2003117818A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 基板の研削方法および研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001312925A JP2003117818A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 基板の研削方法および研削装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003117818A true JP2003117818A (ja) | 2003-04-23 |
Family
ID=19131494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001312925A Pending JP2003117818A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 基板の研削方法および研削装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003117818A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008258554A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-10-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研削加工装置 |
JP2012169487A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
CN116276337A (zh) * | 2023-04-23 | 2023-06-23 | 南京茂莱光学科技股份有限公司 | 一种高平整度平面玻璃加工方法及加工装置 |
-
2001
- 2001-10-10 JP JP2001312925A patent/JP2003117818A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008258554A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-10-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研削加工装置 |
JP2012169487A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
CN116276337A (zh) * | 2023-04-23 | 2023-06-23 | 南京茂莱光学科技股份有限公司 | 一种高平整度平面玻璃加工方法及加工装置 |
CN116276337B (zh) * | 2023-04-23 | 2023-11-07 | 南京茂莱光学科技股份有限公司 | 一种高平整度平面玻璃加工方法及加工装置 |
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