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JP2003117818A - 基板の研削方法および研削装置 - Google Patents

基板の研削方法および研削装置

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Publication number
JP2003117818A
JP2003117818A JP2001312925A JP2001312925A JP2003117818A JP 2003117818 A JP2003117818 A JP 2003117818A JP 2001312925 A JP2001312925 A JP 2001312925A JP 2001312925 A JP2001312925 A JP 2001312925A JP 2003117818 A JP2003117818 A JP 2003117818A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grinding
substrate
wheel type
cup wheel
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001312925A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Ide
悟 井出
Hiroaki Kida
浩章 喜田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Okamoto Machine Tool Works Ltd
Original Assignee
Okamoto Machine Tool Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Okamoto Machine Tool Works Ltd filed Critical Okamoto Machine Tool Works Ltd
Priority to JP2001312925A priority Critical patent/JP2003117818A/ja
Publication of JP2003117818A publication Critical patent/JP2003117818A/ja
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  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 直径が300mm以上と大きい基板の研削時
に、研削屑がフィルムとデバイスパタ−ン面間に研削液
とともに浸透して基板が破損することがあるので、該破
損が生じないように基板を研削する方法の提供。 【解決手段】 カップホイ−ル型砥石50と、研削液供
給機構59を備える研削装置を用い、カップホイ−ル型
砥石を基板面上で摺動させて基板裏面を研削する際、基
板面より離れたカップホイ−ル型砥石の刃先55をチャ
ック4外に設けた液切り堰90の溝内を通過させて刃先
に付着した液体を除去する。刃先に付着した研削屑が液
切り堰90で除かれるので、研削系において研削屑がフ
ィルムとデバイスパタ−ン面間に存在する機会がなくな
り、基板の破損が防止される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエハ、
ゲルマニウムウエハ、アルミニウムウエハ、ガラス基板
等の半導体基板を研削するのに適した平面研削装置およ
び半導体基板表面の研削方法に関する。
【従来の技術】半導体基板の研削には、基板のチャック
機構とスピンドルに軸承されたカップホイ−ル型砥石お
よび研削液供給機構を備える平面研削装置が使用されて
いる(特開平2−274462号、同3−154773
号、同11−254318号、特開2000−9434
2号公報)。
【0002】かかる平面研削装置の一例として、例え
ば、図6に示す平面研削装置が挙げられる(特開平11
−254318号公報)。図中、1は平面研削装置、A
は本体基台、2は回転軸、3はウエハ(基板)、4はチ
ャック、5はカップホイ−ル型砥石、6は本体ケ−シン
グ、7は昇降装置、8はスピンドル、9は軸受、10は
スピンドルケ−シング、11はカップホイ−ル型砥石を
取り付けるヘッド、12はスピンドルケ−シングを昇降
機構に据え付ける取付部材、13は後述する傾斜調整ボ
ルト駆動用モ−タ−、14はスピンドル軸を回転駆動さ
せるビルド・イン・モ−タ−、15はX軸方向の傾斜調
整ボルト、15aは皿バネ、15'はY軸方向の傾斜調
整ボルト、16は昇降装置を垂直方向に昇降可能とする
凹状溝を有するレ−ル、18はスピンドル軸ケ−シング
に設けられた半球状凸部、19は昇降装置の前面に前記
半球状凸部と若干の隙間を持って嵌合できるように形成
された半球状凹部、21はロッド、22は空気軸受であ
る。
【0003】研削テ−ブル4上に載せられたウエハ3の
表面にスピンドル8を昇降装置により下降させてカップ
ホイ−ル型砥石をウエハ面に圧接し、両スピンドル軸
2,8を同一方向または逆方向に回転させることにより
ウエハ表面に砥石を摺動させてウエハ表面を研削する。
【0004】カップホイ−ル型砥石5としては、図7に
示す環状の周壁5aと、その一端に設けられた底壁5b
とを備えたカップ状台金の前記周壁の底壁とは反対面の
上面に扇状の砥石小片(刃先)5dを環状に接着剤で隣
接する砥石小片5d,5d間に研削液の流通するスリッ
ト5fを形成させるようにして固定したカップホイ−ル
型砥石(実開昭61−144959号、同61−144
961号、同61−144962号、特開昭62−18
1875号公報)が使用されている。前記砥石小片は、
高さが3〜7mm、幅が3〜10mm、長さが3〜7m
mの環状扇体であるのが一般である。
【0005】また、特開2000−94342号公報に
開示されるように、環状の周壁と、その一端に設けられ
た底壁とを備えたカップ状台金の前記周壁の底壁とは反
対面の上面に環状砥石を固定したカップホイ−ル型砥石
であって、前記台金は底壁の外面に周壁と同心に設けら
れた環状溝(a)と該環状溝内に供給される研削液を周
壁の内側へ導入するために該環状溝の底面から前記底壁
を貫通して設けられ、該周壁の他端側へ向かう程度外周
側へ傾斜して、かつ、周壁に同心に多数等間隔に設けら
れた研削液導入孔(b)を有し、底壁とは反対面の周壁
の上面に固定された環状の砥石は周壁の頂面より突出し
ている部分において周壁および環状溝が共有する軸心と
該軸心に直交する環状砥石の起立面に対し、軸心側から
砥石外側に向かって30〜60度傾斜した研削液排出用
スリット(c)が多数等間隔に設けられているカップホ
イ−ル型砥石も使用されている。
【0006】このカップホイ−ル型砥石において、スリ
ットの高さが3〜10mmであり、砥石幅2〜7mm、
スリットで区分けされた砥石刃の長さが10〜50mm
である。研削液導入孔の径は2〜6mm、周壁高さは2
5〜45mmである。
【0007】図5に示す研削装置は、後者のカップホイ
−ル型砥石を備えた研削装置1の砥石ヘッド構造を示す
ものである。
【0008】図5に示す平面研削装置のヘッド構造にお
いて、6は本体ケ−シング、8はスピンドル軸、9は軸
受、11はカップホイ−ル型砥石の取付板、12はスピ
ンドル軸ケ−シング取付部材、13は傾斜調整ボルト駆
動用モ−タ−、14はスピンドル軸を回転駆動させるビ
ルド・イン・モ−タ−、22は空気軸受、23は空気供
給管、24は取付板11とスピンドル軸を軸承する固定
板25との連結軸、26はスピンドル軸ケ−シング10
冷却液供給管、27は空気軸受22と該空気軸受の周壁
下に設けた囲板(砥石カバ−)28とからなるヘッドH
内に設けられた空間部、50はカップホイ−ル型砥石、
51は周壁、52は底壁、53はカップ状台金、55は
砥石、56は環状溝、57は研削液導入孔、59は研削
液供給ノズル、60は研削液供給管、61は研削液取入
口であり、この研削液供給管は図示されていないが、昇
降機構の取付部材に固定されており、研削液タンクと可
撓性ホ−スで接続されている。
【0009】カップホイ−ル型砥石50は、ビルド・イ
ン・モ−タ−14の回転駆動をスピンドル軸8、固定板
25、連結軸24、取付板11を経て伝達し、回転させ
る。ヘッドは取付部材12に固定されているので砥石5
0が回転しても、ヘッド自信は回転駆動しない。従っ
て、研削液供給ノズル59と研削液供給タンクを連結す
る可撓性ホ−スが捻れて破損することはない。研削液供
給ノズル59より砥石50の環状溝56に供給された研
削液は、導入孔57,57…を経て砥石周壁内56面に
導かれ、さらにスリット50fを通過して砥石の周壁外
側へ排出される。
【0010】カップホイ−ル型砥石50の刃先55群の
直径rは基板の半径より4/3〜2倍と大きく、カップ
ホイ−ル型砥石の刃先が前記基板の略中心点を通過する
ようにスピンドル8を回転させる。基板の研削は、前記
チャック4に保持された基板を水平方向に回転させつ
つ、研削液を基板表面に供給しつつカップホイ−ル型砥
石を該砥石の刃先55が前記基板の略中心点oを通過す
るようにスピンドルを回転させてカップホイ−ル型砥石
を基板面上で摺動させて基板表面を研削する。
【0011】図4に示すように、直径が300mm、4
00mm、表面にデバイスパタ−ン3aが設けられ、こ
のデバイスパタ−ンにダイサ−切り込み溝3bが設けら
れた半導体基板の裏面研削は、デバイスパタ−ン表面を
保護フィルム(粘着テ−プ)80で覆い、保護フィルム
80がチャック面に接するように、かつ、基板裏面3c
がカップホイ−ル型砥石55(5)に対向するように半
導体基板3をチャック4上に載置し、カップホイ−ル型
砥石による基板の裏面研削が行なわれる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】ベアシリコンの研削
や、直径が200mm以下の半導体基板では、研削に問
題がなかったが、基板径が300mm以上と拡径した半
導体基板では、保護フィルム80と半導体基板3のデバ
イスパタ−ン3a間に研削屑を含んだ研削液が浸入し、
研削屑が悪さを働いて裏面研削時に、または研削後の基
板搬送時に半導体基板3が割れてしまう現象が稀に生じ
ることが判明した。
【0013】この割れの原因は、半導体基板の端部(エ
ッジ部)3dが丸みを帯びた尖りを有しており、研削時
に保護フィルム80の端部が基板のデバイスパタ−ン3
a面より剥離し、保護フィルム80と半導体基板3のデ
バイスパタ−ン3a間に研削屑を含んだ研削液が浸入
し、ダイサ−溝3bを通って研削液が浸透し、特に、研
削屑がデバイスパタ−ンのダイサ−溝3bに留まった際
は、ヘッドHより半導体基板にかかる圧力が研削屑に集
中し、基板の強度の弱いダイサ−溝3b部に外部応力が
作用するため、半導体基板の割れに繋がるものと思われ
る。
【0014】本発明は、径が大きい半導体基板の裏面研
削であっても、かかる基板の割れを生じることが無い基
板の研削方法およびそれに用いる研削装置の提供を目的
とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1は、基
板を保持するチャックと、スピンドルに軸承された基板
の半径よりも大きい直径を有するカップホイ−ル型砥石
と、研削液供給機構を備える研削装置を用い、前記チャ
ックに保持された基板を水平方向に回転させつつ、研削
液を基板表面に供給しつつカップホイ−ル型砥石を該砥
石の刃先が前記基板の略中心点を通過するようにスピン
ドルを回転させてカップホイ−ル型砥石を基板面上で摺
動させて基板表面を研削する方法において、基板面より
離れたカップホイ−ル型砥石の刃先をチャック外に設け
た液切り堰の溝内を通過させて刃先に付着した液体を除
去することを特徴とする、基板の研削方法を提供するも
のである。
【0016】液切り堰の溝内をカップホイ−ル型砥石の
刃先が通過する際、高速で回転している刃先に付着して
いる研削液等の液体は、液切り堰の溝と刃先の隙間が狭
いので液切りされるとともに、研削液中に含有された研
削屑は液切り堰に当接して飛ばされるので、再び刃先が
研削系に戻る際には刃先には研削屑が付着していない。
よって、保護フィルム80と半導体基板3のデバイスパ
タ−ン3a間に研削屑が浸透する機会が失なわれるの
で、半導体基板3が割れることはない。
【0017】本発明の請求項2は、前記の基板の研削方
法において、液切り堰の溝は、該溝の側壁がカップホイ
−ル型砥石の刃先の側面より10〜1000μm、溝の
底部が刃先の下面より10〜1000μm離れている寸
法であることを特徴とする。
【0018】液の表面張力と、カップホイ−ル型砥石の
回転数から考慮して、研削屑が液切り堰の溝を通過しな
い溝と刃先との隙間距離である。
【0019】本発明の請求項3は、基板を保持するチャ
ック、該チャックの回転機構、スピンドルに軸承された
基板の半径よりも大きい直径を有するカップホイ−ル型
砥石、該スピンドルの回転機構ならびに昇降機構、研削
液供給機構、およびカップホイ−ル型砥石の刃先に付着
した液体を除去する液切り堰を備える研削装置を提供す
るものである。
【0020】スピンドルに軸承された基板の半径よりも
大きい直径を有するカップホイ−ル型砥石を用いるの
で、液切り堰をチャックの外側に設けることができる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明をさら
に詳細に説明する。図1は、砥石カバ−に設けた支持部
材に液切り堰を設けた研削装置の部分正面図、図2は、
研削装置のカップホイ−ル型砥石の刃先回転方向と、基
板の回転方向と研削液供給位置と、液切り堰の位置の相
対関係を示す平面図、図3は、液切り堰の斜視図、図4
は、チャック上に載置された半導体基板とカップホイ−
ル型砥石と、液切り堰と、研削液供給機構の位置関係を
示す部分正面図である。
【0022】カップホイ−ル型砥石:カップホイ−ル型
砥石は、前述の実開昭61−144959号、同61−
144961号、同61−144962号、特開昭62
−181875号、特開2000−94342号公報に
記載のカップホイ−ル型砥石を含め、公知のカップホイ
−ル型砥石を用いることができる。カップホイ−ル型砥
石は、株式会社 岡本工作機械製作所、旭ダイアモンド
株式会社、三菱マテリアル株式会社から入手できる。
【0023】カップホイ−ル型砥石の刃先55は、ダイ
ヤモンド砥粒、CBN砥粒をフェノ−ル樹脂、エポキシ
樹脂等の接着剤で環状扇体に成型したものである。環状
扇体(砥石刃先)55の寸法は、高さが3〜7mm、幅
が3〜10mm、スリットで区分けされた砥石刃の長さ
が10〜50mmであるのが一般である。スリット幅は
1〜3mmである。カップホイ−ル型砥石の刃先55群
が形成する直径は、研削される基板の半径の4/3〜
2.2倍であり、好ましくは2倍である。カップホイ−
ル型砥石を該砥石の刃先が前記基板の略中心点を通過す
るようにスピンドルを回転させてカップホイ−ル型砥石
を基板面上で摺動させて基板表面を研削するので、液切
り堰90をチャック4外に設けることができる(図1、
図2参照)。
【0024】研削装置:研削装置は、前述の図5に示し
た研削装置は勿論、市販の裏面研削装置、例えば株式会
社 岡本工作機械製作所のGNX(商品名)シリ−ズ、
GNX−P(商品名)シリ−ズ(特開平11−3074
89号、株式会社東京精密のPG(商品名)シリ−ズも
使用できる。これら裏面研削装置の砥石カバ−28に、
図1に示すように支持部材91を設け、この支持部材に
液切り堰90をボルト92で固定する。砥石カバ−28
は、その一部材をスライド可能に設け、カップホイ−ル
型砥石50の刃先55の磨耗状態を観察できるようにす
るのが好ましい。
【0025】液切り堰90は、図3で示すように断面凹
状の溝90aを有し、この溝の寸法は、該溝の側壁がカ
ップホイ−ル型砥石の刃先の側面より10〜1000μ
m、好ましくは30〜100μm、溝の底部が刃先の下
面より10〜1000μm、好ましくは30〜600μ
m離れる寸法とする。液切り堰90の溝幅wは10〜3
0mmで充分である。
【0026】液切り堰90の素材としては、セラミック
の素焼き、ポリ(テトラフルオロエチレン)、ポリ(ジ
クロロジフロロエチレン)、ポリアセタ−ル等の樹脂成
形品が挙げられる。
【0027】液切り堰90の取り付け位置は、カップホ
イ−ル型砥石の刃先が基板を研削し、チャックから離れ
る位置に近いチャック外位置であり、研削液供給位置よ
り遠い位置である。
【0028】基板の裏面研削は、基板3の裏面を上向き
としてポ−ラスセラミックチャック4を軸承する中空ス
ピンドル2を減圧して基板をチャック4に保持し、中空
スピンドル2をモ−タ2aで水平方向に回転させること
により前記チャック2に保持された基板を水平方向に回
転させつつ、研削液1〜15リットル/分を研削液供給
管59より基板表面に供給しつつカップホイ−ル型砥石
50を該砥石の刃先55が前記基板の略中心点を通過す
るようにスピンドル8を回転させてカップホイ−ル型砥
石を基板面上で摺動させて基板表面を研削する。なお、
研削液は、図5に示すように砥石50の環状溝56を経
由して基板3上に供給してもよいし、図2に示すように
直接基板上に供給してもよい。
【0029】中空スピンドル2の回転数は、30〜30
0rpm、スピンドル8の回転数は1000〜4000
rpmである。
【0030】
【実施例】実施例1 半導体基板として、厚みが約700μm、直径が300
mmのシリコンウエハ表面に、縦20mm、横20mm
角のデバイスパタ−ン複数をダイサ−幅200μm、ダ
イサ−溝深さ10μmで格子状に仕切ったデバイスパタ
−ンを有する半導体基板の前記デバイスパタ−ン面に保
護フィルムを貼着したものを用いた。
【0031】裏面研削盤として、株式会社 岡本工作機
械製作所の裏面研削盤GNX300(商品名)の砥石カ
バ−に取り付けた支持部材にアルミナ粒子素焼きのセラ
ミック製液切り堰をボルトで固定した研削装置を用い
た。液切り堰の弧状溝の寸法は、裏面研削当初、該溝の
側壁がカップホイ−ル型砥石の刃先の側面より100μ
m、溝の底部が刃先の下面より200μm離れている寸
法で、弧状溝幅は15mmである。半導体基板の裏面シ
リコン層の取り代は、100μmと設定した。
【0032】前記半導体基板を、該保護フィルムがポ−
ラスセラミックチャック面に当接するように半導体基板
をチャック上に載せ、中空スピンドルを減圧して半導体
基板をチャックに固定した。ついで、中空スピンドルを
100rpmで回転させることにより半導体基板を水平
方向に回転させ、直径300mm径のカップホイ−ル型
砥石を軸承するスピンドルを3000rpmで回転させ
つつ、下降させてカップホイ−ル型砥石の刃先が半導体
基板の中心点を通過する位置で半導体基板のシリコン基
板に当接させ、半導体基板表面に研削液を6リットル/
分の割合で供給しつつ、液切り堰で刃先に付着した液を
切りながら基板の裏面研削を行なった。
【0033】約100μm厚のシリコン層剥離の裏面研
削が終了したら、スピンドルを上昇させてカップホイ−
ル砥石を半導体基板面より遠ざけ、ついで、中空スピン
ドルの回転ならびに減圧を止め、中空スピンドルに圧空
を供給して半導体基板のチャック離れを容易とした。
【0034】チャック上の半導体基板を搬送パッドに吸
着し、洗浄機構に搬送し、洗浄機構でスピン洗浄、スピ
ン乾燥し、ついで搬送ロボットで収納カセット内に裏面
研削された半導体基板を搬送した。
【0035】上記の半導体基板200枚の裏面研削を同
様にして200枚連続して行なったが、半導体基板が破
損したものは皆無であった。
【0036】
【発明の効果】本発明の液切り堰を設けた研削装置は、
カップホイ−ル型砥石を用いて半導体基板を裏面研削す
る際、裏面研削により生じた研削屑を含有する研削液が
カップホイ−ル型砥石の刃先に付着しても、再び刃先が
研削系に戻る際に液切り堰により刃先に付着した研削屑
が除去されるので、研削屑が保護フィルムと基板のデバ
イスパタ−ン面の間に浸透する機会が失われ、よって、
研削時および基板搬送時に半導体基板が破損することが
ない。
【図面の簡単な説明】
【図1】砥石カバ−に設けた支持部材に液切り堰を設け
た研削装置の部分正面図である。
【図2】研削装置のカップホイ−ル型砥石の刃先回転方
向と、基板の回転方向と研削液供給位置と、液切り堰の
位置の相対関係を示す平面図である。
【図3】液切り堰の斜視図である。
【図4】チャック上に載置された半導体基板とカップホ
イ−ル型砥石と、液切り堰と、研削液供給機構の位置関
係を示す部分正面図である。
【図5】裏面研削装置のヘッド部分を示す正面図であ
る。(公知)
【図6】裏面研削装置の正面図である。(公知)
【図7】カップホイ−ル型砥石の斜視図である。(公
知)
【符号の説明】
1 研削装置 2 中空スピンドル 3 基板 3a デバイスパタ−ン 3b ダイサ−溝 4 チャック 5,50 カップホイ−ル型砥石 55 刃先 8 スピンドル 14 ビルト・イン・モ−タ− 28 砥石カバ− 59 研削液供給ノズル 80 保護フィルム 90 液切り堰 91 取付部材

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を保持するチャックと、スピンドル
    に軸承された基板の半径よりも大きい直径を有するカッ
    プホイ−ル型砥石と、研削液供給機構を備える研削装置
    を用い、前記チャックに保持された基板を水平方向に回
    転させつつ、研削液を基板表面に供給しつつカップホイ
    −ル型砥石を該砥石の刃先が前記基板の略中心点を通過
    するようにスピンドルを回転させてカップホイ−ル型砥
    石を基板面上で摺動させて基板表面を研削する方法にお
    いて、 基板面より離れたカップホイ−ル型砥石の刃先をチャッ
    ク外に設けた液切り堰の溝内を通過させて刃先に付着し
    た液体を除去することを特徴とする、基板の研削方法。
  2. 【請求項2】 液切り堰の溝は、該溝の側壁がカップホ
    イ−ル型砥石の刃先の側面より10〜1000μm、溝
    の底部が刃先の下面より10〜1000μm離れている
    寸法であることを特徴とする、請求項1に記載の基板の
    研削方法。
  3. 【請求項3】 基板を保持するチャック、該チャックの
    回転機構、スピンドルに軸承された基板の半径よりも大
    きい直径を有するカップホイ−ル型砥石、該スピンドル
    の回転機構ならびに昇降機構、研削液供給機構、および
    カップホイ−ル型砥石の刃先に付着した液体を除去する
    液切り堰を備える研削装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008258554A (ja) * 2007-03-12 2008-10-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研削加工装置
JP2012169487A (ja) * 2011-02-15 2012-09-06 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
CN116276337A (zh) * 2023-04-23 2023-06-23 南京茂莱光学科技股份有限公司 一种高平整度平面玻璃加工方法及加工装置

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