JP2003100759A - エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エピタキシャルシリコンウェーハ基板の初期
酸素濃度が低い場合、デバイスプロセス中にＢＭＤの形
成が不十分なためにゲッタリング能力が不足する。加え
て近年のプロセスの低温化で一層その傾向が顕著になっ
ているため、低酸素濃度の基板を用いたｐ／ｐ＋型のエ
ピタキシャルウェーハにおいて、デバイスプロセス中の
温度に左右されることなく、十分なゲッタリング効果を
有するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提
供する。 【解決手段】 格子間酸素濃度が１３×１０17（ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ3）以下、比抵抗が０．００５〜０．０５Ω
・ｃｍのいわゆる中〜低酸素濃度の低抵抗率ｐ／ｐ＋型
シリコンウェーハにエピタキシャル層を形成させたの
ち、このものを非酸化性雰囲気内、好ましくはアルゴン
ガスなどの不活性ガスの存在下で１１５０℃以上に昇温
し、同温度で数秒間保持後、降温速度２０℃／秒以上で
９００℃まで冷却する処理に付し、所望により酸素析出
のための加熱処理をすることにより達成した。
酸素濃度が低い場合、デバイスプロセス中にＢＭＤの形
成が不十分なためにゲッタリング能力が不足する。加え
て近年のプロセスの低温化で一層その傾向が顕著になっ
ているため、低酸素濃度の基板を用いたｐ／ｐ＋型のエ
ピタキシャルウェーハにおいて、デバイスプロセス中の
温度に左右されることなく、十分なゲッタリング効果を
有するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提
供する。 【解決手段】 格子間酸素濃度が１３×１０17（ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ3）以下、比抵抗が０．００５〜０．０５Ω
・ｃｍのいわゆる中〜低酸素濃度の低抵抗率ｐ／ｐ＋型
シリコンウェーハにエピタキシャル層を形成させたの
ち、このものを非酸化性雰囲気内、好ましくはアルゴン
ガスなどの不活性ガスの存在下で１１５０℃以上に昇温
し、同温度で数秒間保持後、降温速度２０℃／秒以上で
９００℃まで冷却する処理に付し、所望により酸素析出
のための加熱処理をすることにより達成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、格子間酸素濃度
が１３×１０17（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3）以下のいわゆる
中〜低酸素濃度品の基盤シリコンウェーハ（以下サブス
トレートウェーハという。）を用いたエピタキシャルウ
ェーハにおいて、デバイスプロセス中に遭遇する様々な
温度領域においても十分なゲッタリング効果を有するエ
ピタキシャルシリコンウェーハの製造方法に関する。
が１３×１０17（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3）以下のいわゆる
中〜低酸素濃度品の基盤シリコンウェーハ（以下サブス
トレートウェーハという。）を用いたエピタキシャルウ
ェーハにおいて、デバイスプロセス中に遭遇する様々な
温度領域においても十分なゲッタリング効果を有するエ
ピタキシャルシリコンウェーハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】 シリコンウェーハのゲッタリング効果
を向上させる方法としては、数多くの方法が提案されて
いる。例えば、あらかじめ１１００℃以上の高温熱処理
を施し、シリコン半導体基板の表層格子間酸素を外方拡
散させ無欠陥層を形成させたのち、比較的低温条件で熱
処理することにより内部に残存した過飽和の酸素の析出
核を形成させ、成長させることで基板内部に欠陥（Ｂｕ
ｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ：以下ＢＭＤという。）
を形成させたウェーハを得る方法が知られている。
を向上させる方法としては、数多くの方法が提案されて
いる。例えば、あらかじめ１１００℃以上の高温熱処理
を施し、シリコン半導体基板の表層格子間酸素を外方拡
散させ無欠陥層を形成させたのち、比較的低温条件で熱
処理することにより内部に残存した過飽和の酸素の析出
核を形成させ、成長させることで基板内部に欠陥（Ｂｕ
ｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ：以下ＢＭＤという。）
を形成させたウェーハを得る方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】 近年の半導体デバイ
スでは、一層の微細化によりセルサイズや配線幅が微小
化すると同時に接合深さも浅くなってきた。このため、
プロセスの最高温度は従来１２００℃前後あったもの
が、１０５０℃程度にまで下がってきており、熱処理時
間も短くなっている。このような低温・短時間プロセス
下では、ＢＭＤが成長しにくく、ゲッタリング能力低下
が問題となっている。
スでは、一層の微細化によりセルサイズや配線幅が微小
化すると同時に接合深さも浅くなってきた。このため、
プロセスの最高温度は従来１２００℃前後あったもの
が、１０５０℃程度にまで下がってきており、熱処理時
間も短くなっている。このような低温・短時間プロセス
下では、ＢＭＤが成長しにくく、ゲッタリング能力低下
が問題となっている。
【０００４】 また、これまで、数ミリ〜数百ミリΩ・
ｃｍという低抵抗率のウェーハ基盤に数〜数十Ωといっ
た抵抗率のエピタキシャル層を積層したいわゆるｐ／ｐ
＋エピウェーハが広く用いられてきた。このタイプのウ
ェーハはサブストレート中の高濃度の硼素がＦｅと化合
物を作ることから、ゲッタリング能力が強いとされてき
た。ところが、最近の研究で、Ｆｅ以外の金属不純物、
特にＮｉやＣｕなどには、この効果はないことがわかっ
てきた。このような金属不純物をゲッターするために
は、ｐ／ｐ＋においても、酸素析出をコントロールし
て、ＢＭＤが持つひずみ場のゲッタリングを確保する必
要がある。
ｃｍという低抵抗率のウェーハ基盤に数〜数十Ωといっ
た抵抗率のエピタキシャル層を積層したいわゆるｐ／ｐ
＋エピウェーハが広く用いられてきた。このタイプのウ
ェーハはサブストレート中の高濃度の硼素がＦｅと化合
物を作ることから、ゲッタリング能力が強いとされてき
た。ところが、最近の研究で、Ｆｅ以外の金属不純物、
特にＮｉやＣｕなどには、この効果はないことがわかっ
てきた。このような金属不純物をゲッターするために
は、ｐ／ｐ＋においても、酸素析出をコントロールし
て、ＢＭＤが持つひずみ場のゲッタリングを確保する必
要がある。
【０００５】 通常、エピウェーハにおけるＢＭＤ形成
は格子間酸素濃度とプロセス熱処理条件で決まる。プロ
セス条件はデバイス構造の要求から決まり、変更できな
いため、結晶の酸素濃度をコントロールし、析出核形成
および成長をプロセス中に自然に起こさせるいわゆるナ
チュラルイントリンシックゲッタリング（以下、Ｎ−Ｉ
Ｇという。）が用いられる。ＢＭＤの量が酸素濃度に依
存し、少なすぎればゲッタリング能力不足となり、多す
ぎるとウェーハ強度の低下やスリップ発生の原因となる
ため、プロセス毎にチューニングしたターゲットでかつ
狭い範囲の酸素濃度の結晶を引き上げる必要がある。結
晶の頭部や尾部は酸素濃度のコントロールが難しく、結
晶収率を犠牲にするか、あるいはデバイス側で理想ウェ
ーハからのずれを吸収せざるを得ない状況にある。
は格子間酸素濃度とプロセス熱処理条件で決まる。プロ
セス条件はデバイス構造の要求から決まり、変更できな
いため、結晶の酸素濃度をコントロールし、析出核形成
および成長をプロセス中に自然に起こさせるいわゆるナ
チュラルイントリンシックゲッタリング（以下、Ｎ−Ｉ
Ｇという。）が用いられる。ＢＭＤの量が酸素濃度に依
存し、少なすぎればゲッタリング能力不足となり、多す
ぎるとウェーハ強度の低下やスリップ発生の原因となる
ため、プロセス毎にチューニングしたターゲットでかつ
狭い範囲の酸素濃度の結晶を引き上げる必要がある。結
晶の頭部や尾部は酸素濃度のコントロールが難しく、結
晶収率を犠牲にするか、あるいはデバイス側で理想ウェ
ーハからのずれを吸収せざるを得ない状況にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明者
は、上記の目的を達成するために種々検討の結果、格子
間酸素濃度が１３×１０17（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3）以下
のいわゆる中〜低酸素濃度で、比抵抗率が０．００５〜
０．０５Ω・ｃｍのサブストレートウェーハにエピタキ
シャル層を形成させたのち、このものを非酸化性雰囲気
内、好ましくはアルゴンガスなどの不活性ガスの存在下
で１１５０℃以上に昇温し、同温度で数秒間保持後、降
温速度２０℃／秒以上で９００℃まで冷却する処理に付
することにより、強力なゲッタリング効果を有するエピ
タキシャルウェーハが得られることを見出して、本発明
を完成させたものである。
は、上記の目的を達成するために種々検討の結果、格子
間酸素濃度が１３×１０17（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3）以下
のいわゆる中〜低酸素濃度で、比抵抗率が０．００５〜
０．０５Ω・ｃｍのサブストレートウェーハにエピタキ
シャル層を形成させたのち、このものを非酸化性雰囲気
内、好ましくはアルゴンガスなどの不活性ガスの存在下
で１１５０℃以上に昇温し、同温度で数秒間保持後、降
温速度２０℃／秒以上で９００℃まで冷却する処理に付
することにより、強力なゲッタリング効果を有するエピ
タキシャルウェーハが得られることを見出して、本発明
を完成させたものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】 本発明において、使用されるサ
ブストレートウェーハは、Ｎ−ＩＧをゲッタリングサイ
トとするエピタキシャルウェーハでは不適当とされる１
３×１０17（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3）以下の低〜中酸素濃
度品であって、比抵抗率が０．００５〜０．０５Ω・ｃ
ｍの基板である。この様な酸素濃度のものであっても、
上記の条件下での熱処理を施すことにより、強力なゲッ
タリング効果を発揮する。
ブストレートウェーハは、Ｎ−ＩＧをゲッタリングサイ
トとするエピタキシャルウェーハでは不適当とされる１
３×１０17（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3）以下の低〜中酸素濃
度品であって、比抵抗率が０．００５〜０．０５Ω・ｃ
ｍの基板である。この様な酸素濃度のものであっても、
上記の条件下での熱処理を施すことにより、強力なゲッ
タリング効果を発揮する。
【０００８】 以下に、この発明による製造方法につい
て説明する。本発明に係る製造方法は、エピタキシャル
層をサブストレートウェーハ上に形成後、非酸化性雰囲
気内、好ましくは、アルゴン雰囲気下で行うことが好ま
しい。なお、この際同雰囲気下での酸素の濃度は、厳密
に管理されることが好ましく、１００００ｐｐｍａ以
下、より好ましくは、５０００ｐｐｍａ以下、さらに好
ましくは１０００ｐｐｍａ以下である。昇温速度は、必
ずしも限界的ではなく、通常市販の急速加熱アニール炉
を使用することにより、達成できる程度の速度であれば
十分である。温度は、通常１１５０℃以上であればよ
く、必ずしも、１２００℃を大幅に超えることは必要で
はない。好ましくは、１１５０℃以上〜１２００℃未満
である。所望とする温度、例えば、１１５０℃に到達し
たら、同温度で数秒間、好ましくは、３秒以上〜５秒未
満の間保持する。保持時間は、どんな場合でも、１０秒
を超える必要はない。
て説明する。本発明に係る製造方法は、エピタキシャル
層をサブストレートウェーハ上に形成後、非酸化性雰囲
気内、好ましくは、アルゴン雰囲気下で行うことが好ま
しい。なお、この際同雰囲気下での酸素の濃度は、厳密
に管理されることが好ましく、１００００ｐｐｍａ以
下、より好ましくは、５０００ｐｐｍａ以下、さらに好
ましくは１０００ｐｐｍａ以下である。昇温速度は、必
ずしも限界的ではなく、通常市販の急速加熱アニール炉
を使用することにより、達成できる程度の速度であれば
十分である。温度は、通常１１５０℃以上であればよ
く、必ずしも、１２００℃を大幅に超えることは必要で
はない。好ましくは、１１５０℃以上〜１２００℃未満
である。所望とする温度、例えば、１１５０℃に到達し
たら、同温度で数秒間、好ましくは、３秒以上〜５秒未
満の間保持する。保持時間は、どんな場合でも、１０秒
を超える必要はない。
【０００９】 同温度に保持した後、直ちに、炉内温度
を降下させる。炉内温度の降下速度は２０℃／ｓｅｃ以
上、好ましくは、５０℃／ｓｅｃ以上、より好ましくは
１００℃／ｓｅｃ以上である。降下させて炉内温度が９
００℃に到達して時点で、急速冷却操作は停止させ、後
は自然冷却によればよい。
を降下させる。炉内温度の降下速度は２０℃／ｓｅｃ以
上、好ましくは、５０℃／ｓｅｃ以上、より好ましくは
１００℃／ｓｅｃ以上である。降下させて炉内温度が９
００℃に到達して時点で、急速冷却操作は停止させ、後
は自然冷却によればよい。
【００１０】 なお、デバイスプロセス初期からゲッタ
リング能力を所望する場合は、上記熱処理後、酸素析出
物を安定化させる熱処理を加えてもよい。例えば、７０
０℃〜８００℃で少なくとも２時間＋９００℃〜１００
０℃で少なくとも２時間の２段階熱処理を行うことで、
ＢＭＤまで成長し、強力なゲッタリング作用を発揮させ
ることができる。なお、低温と高温の各温度の組み合わ
せ、各処理時間については、格子間酸素濃度を考慮し定
めればよく、必要に応じて、予備試験をした上で定めれ
ばよい。これによりその後のデバイス加工工程での熱遍
歴に左右されることのないエピタキシャルウェーハが得
られる。
リング能力を所望する場合は、上記熱処理後、酸素析出
物を安定化させる熱処理を加えてもよい。例えば、７０
０℃〜８００℃で少なくとも２時間＋９００℃〜１００
０℃で少なくとも２時間の２段階熱処理を行うことで、
ＢＭＤまで成長し、強力なゲッタリング作用を発揮させ
ることができる。なお、低温と高温の各温度の組み合わ
せ、各処理時間については、格子間酸素濃度を考慮し定
めればよく、必要に応じて、予備試験をした上で定めれ
ばよい。これによりその後のデバイス加工工程での熱遍
歴に左右されることのないエピタキシャルウェーハが得
られる。
【００１１】
【実施例】 以下本発明について、実施例を挙げて説明
するが、勿論、本発明はこの実施例により何ら制限され
るものではない。
するが、勿論、本発明はこの実施例により何ら制限され
るものではない。
【００１２】 ＣＺ法により育成された面方位（１０
０）、格子間酸素濃度が約１０．９０×１０17（ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ3）、比抵抗が０．００７Ω・ｃｍの２００
ｍｍ外径のシリコンウェーハをサブストレートウェーハ
として使用し、定法によりエピタキシャル層を形成した
のち、毎葉式の急速加熱アニール炉内の雰囲気をアルゴ
ン雰囲気とし、かつ、同炉内の酸素濃度を３０００ｐｐ
ｍａとして、１２００℃まで昇温し、約３秒保持したの
ち、降温速度１００℃／秒で９００℃まで冷却する熱処
理を施した。また、同熱処理を施さないものを効果の確
認用の比較例として準備した。
０）、格子間酸素濃度が約１０．９０×１０17（ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ3）、比抵抗が０．００７Ω・ｃｍの２００
ｍｍ外径のシリコンウェーハをサブストレートウェーハ
として使用し、定法によりエピタキシャル層を形成した
のち、毎葉式の急速加熱アニール炉内の雰囲気をアルゴ
ン雰囲気とし、かつ、同炉内の酸素濃度を３０００ｐｐ
ｍａとして、１２００℃まで昇温し、約３秒保持したの
ち、降温速度１００℃／秒で９００℃まで冷却する熱処
理を施した。また、同熱処理を施さないものを効果の確
認用の比較例として準備した。
【００１３】（ゲッタリング能力評価１）上記の実施例
で得られた急速加熱／冷却熱処理付きエピタキシャルシ
リコンウェーハを用いて、表１に示す低温デバイスプロ
セスを含む種々の模擬プロセス熱処理を施した後、ウェ
ーハをへき開し、ライト液等の選択エッチングを用いて
ＢＭＤを顕在化させ、微分干渉顕微鏡を用いてその密度
を求めた。
で得られた急速加熱／冷却熱処理付きエピタキシャルシ
リコンウェーハを用いて、表１に示す低温デバイスプロ
セスを含む種々の模擬プロセス熱処理を施した後、ウェ
ーハをへき開し、ライト液等の選択エッチングを用いて
ＢＭＤを顕在化させ、微分干渉顕微鏡を用いてその密度
を求めた。
【００１４】（ゲッタリング能力評価２）実際に金属を
故意汚染させて、プロセス時のゲッタリング能力を評価
した。 ゲッタリング能力試験法 （被験試料）：実施例で得られた急速加熱／冷却熱処理
に付したエピタキシャルシリコンウェーハに、表１に示
す低温デバイスプロセスを含む種々の模擬プロセス熱処
理を施したものを用いた。 （使用金属）：使用金属としては硼素との化合物を形成
しないＮｉを使用した。Ｎｉを各試料の裏面に次の濃度
で図１のように塗布した。 （Ｎｉ濃度）：１×１０12、１×１０13、１×１０14、
および１×１０15（各ａｔｏｍｓ／ｃｍ2）。 （拡散処理条件）：試料を９５０℃で１０分間加熱し、
裏面からウェーハの内部にＮｉを拡散させた。 （ゲッタリング効果の判定）：加熱処理後の各試料を希
塩酸とアンモニア水＋過酸化水素水＋超純粋混合液とで
それぞれ洗浄してゴミを除いた後、ウェーハ内のＢＭＤ
にゲッタリングされずに裏から表側に拡散したＮｉを、
パーティクルカウンターＬＳ６０００（日立デコ社製）
を用いてヘイズとして測定した。
故意汚染させて、プロセス時のゲッタリング能力を評価
した。 ゲッタリング能力試験法 （被験試料）：実施例で得られた急速加熱／冷却熱処理
に付したエピタキシャルシリコンウェーハに、表１に示
す低温デバイスプロセスを含む種々の模擬プロセス熱処
理を施したものを用いた。 （使用金属）：使用金属としては硼素との化合物を形成
しないＮｉを使用した。Ｎｉを各試料の裏面に次の濃度
で図１のように塗布した。 （Ｎｉ濃度）：１×１０12、１×１０13、１×１０14、
および１×１０15（各ａｔｏｍｓ／ｃｍ2）。 （拡散処理条件）：試料を９５０℃で１０分間加熱し、
裏面からウェーハの内部にＮｉを拡散させた。 （ゲッタリング効果の判定）：加熱処理後の各試料を希
塩酸とアンモニア水＋過酸化水素水＋超純粋混合液とで
それぞれ洗浄してゴミを除いた後、ウェーハ内のＢＭＤ
にゲッタリングされずに裏から表側に拡散したＮｉを、
パーティクルカウンターＬＳ６０００（日立デコ社製）
を用いてヘイズとして測定した。
【００１５】
【表１】
【００１６】 以下に能力評価１のＢＭＤ密度の測定結
果を表２に示す。なお、能力評価２のＮｉゲッタリング
効果についても、良好なものは〇で、不良なものは×で
示した。また、良好と判断したものの例を図２に、不良
と判断したものの例を図３にそれぞれ示した。
果を表２に示す。なお、能力評価２のＮｉゲッタリング
効果についても、良好なものは〇で、不良なものは×で
示した。また、良好と判断したものの例を図２に、不良
と判断したものの例を図３にそれぞれ示した。
【００１７】
【表２】
【００１８】 シリコン半導体基板の格子間酸素濃度が
いわゆる低〜中濃度品である１３×１０17（ａｔｏｍｓ
／ｃｍ3）以下のものであっても、急速加熱／冷却熱処
理を施すことにより、上記のような低温・短時間デバイ
スプロセス熱処理でも、シリコン基板内部に３．０×１
０7〜７．６×１０7（個／ｃｍ-3）のＢＭＤが得られ
た。また、ＢＭＤ密度とＮｉのゲッタリング能力に一貫
した相関が見られた。
いわゆる低〜中濃度品である１３×１０17（ａｔｏｍｓ
／ｃｍ3）以下のものであっても、急速加熱／冷却熱処
理を施すことにより、上記のような低温・短時間デバイ
スプロセス熱処理でも、シリコン基板内部に３．０×１
０7〜７．６×１０7（個／ｃｍ-3）のＢＭＤが得られ
た。また、ＢＭＤ密度とＮｉのゲッタリング能力に一貫
した相関が見られた。
【００１９】
【発明の効果】 この発明によれば、シリコン半導体基
板上にエピタキシャル層を形成したのち、非酸化性雰囲
気内で急速加熱および急速冷却の高温短時間熱処理を施
し、さらに、必要に応じ酸素析出のための加熱処理をす
ることにより、強力なゲッタリング効果を有するエピタ
キシャルシリコンウェーハを製造できる。
板上にエピタキシャル層を形成したのち、非酸化性雰囲
気内で急速加熱および急速冷却の高温短時間熱処理を施
し、さらに、必要に応じ酸素析出のための加熱処理をす
ることにより、強力なゲッタリング効果を有するエピタ
キシャルシリコンウェーハを製造できる。
【図１】 Ｎｉ故意汚染の位置と濃度を示す模式図であ
る。
る。
【図２】 ゲッタリング能力評価２に従い、本発明の方
法による処理を施したエピタキシャルウェーハに、表１
のプロセス模擬熱処理を加え、さらにＮｉで故意に汚染
したウェーハのうち、ゲッタリング効果があったものの
表面状態を示すヘイズマップを示す写真である。
法による処理を施したエピタキシャルウェーハに、表１
のプロセス模擬熱処理を加え、さらにＮｉで故意に汚染
したウェーハのうち、ゲッタリング効果があったものの
表面状態を示すヘイズマップを示す写真である。
【図３】 ゲッタリング能力評価２に従い、本発明の方
法による処理を施したエピタキシャルウェーハに、表１
のプロセス模擬熱処理を加え、さらにＮｉで故意に汚染
したウェーハのうち、ゲッタリング効果がなかったもの
の表面状態を示すヘイズマップを示す写真である。
法による処理を施したエピタキシャルウェーハに、表１
のプロセス模擬熱処理を加え、さらにＮｉで故意に汚染
したウェーハのうち、ゲッタリング効果がなかったもの
の表面状態を示すヘイズマップを示す写真である。
Claims (4)
- 【請求項１】 エピタキシャルシリコンウェーハを、非
酸化性雰囲気下で１１５０℃以上に昇温し、同温度で数
秒保持した後、降温速度１０℃／秒以上で９００℃まで
冷却することを特徴とするゲッタリング能力の高いエピ
タキシャルシリコンウェーハの製造方法。 - 【請求項２】 上記エピタキシャルシリコンウェーハ製
造に用いる基盤シリコンウェーハに含まれる酸素濃度が
１３×１０17（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ＡＳＴＭ Ｆ１２１
−７６規格）以下の、いわゆる中〜低酸素濃度であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項３】 非酸化雰囲気がアルゴン雰囲気であるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。 - 【請求項４】 非酸化雰囲気下での酸素の濃度が１００
００ｐｐｍａ以下であることを特徴とする請求項１〜３
のいずれか１項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001287392A JP2003100759A (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001287392A JP2003100759A (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003100759A true JP2003100759A (ja) | 2003-04-04 |
Family
ID=19110211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001287392A Withdrawn JP2003100759A (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003100759A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142063A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハ、これを用いたデバイスの製造方法、並びにそのシリコン単結晶ウエーハの製造方法及び評価方法 |
| JP2021174783A (ja) * | 2020-04-17 | 2021-11-01 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの評価方法 |
-
2001
- 2001-09-20 JP JP2001287392A patent/JP2003100759A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142063A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハ、これを用いたデバイスの製造方法、並びにそのシリコン単結晶ウエーハの製造方法及び評価方法 |
| JP2021174783A (ja) * | 2020-04-17 | 2021-11-01 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの評価方法 |
| JP7279682B2 (ja) | 2020-04-17 | 2023-05-23 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの評価方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20081202 |