JP2003055577A

JP2003055577A - 改質無機フィラー

Info

Publication number: JP2003055577A
Application number: JP2001251888A
Authority: JP
Inventors: Kazuyoshi Kawasaki; 一良川崎; Tatsuya Morikawa; 達也森川; Takafumi Yamasoto; 隆文山外; Hirofumi Nishibayashi; 浩文西林; Katsuhiko Tono; 克彦東野; Takeshi Noguchi; 剛野口; Mitsuru Kishine; 充岸根
Original assignee: Daikin Industries Ltd
Current assignee: Daikin Industries Ltd
Priority date: 2001-08-22
Filing date: 2001-08-22
Publication date: 2003-02-26

Abstract

(57)【要約】【課題】２３０℃以上の高温での使用に耐えうる含フ
ッ素エラストマー成形品を提供する。【解決手段】一次平均粒子径が０．５μｍ以下の無機
フィラー（ただしカーボンフィラーは除く）であって、
その表面活性を低減化する処理がなされた改質無機フィ
ラー、架橋性基を有する含フッ素エラストマーおよび架
橋剤および／または架橋促進剤からなる架橋用含フッ素
エラストマー組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、加工性（ゴム練
性）や架橋性を維持したまま良好なシール性および２３
０℃を超える高温での使用に耐えうる含フッ素エラスト
マー成形品を与える架橋用含フッ素エラストマー組成
物、およびそれに用いる改質無機フィラーに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造の分野では、その製造工程で
パーティクルと称される微粒子状の異物の混入を避ける
ことが最重要課題の１つである。この課題は、たとえば
半導体製造装置のシールに使用されるＯ−リングなどの
シール材にも要求される。そこでシール材を構成してい
るエラストマー成形品に配合されているフィラーも超微
粒（一次平均粒子径０．００５〜０．０５μｍ）を使用
するときは、たとえプラズマ照射などの処理によってシ
ール材から外部に飛散したとしても、半導体に形成され
る微細パターンの線間距離（通常０．２μｍ以上）より
も小さく線間を埋めて結線を起こすことがないことか
ら、フィラーの微粒子化が検討されている。

【０００３】また、半導体製造装置の分野では、耐プラ
ズマ性（プラズマ照射環境下で重量減少やパーティクル
の発生が少ない性質）が良好なことから、常用されてい
るカーボンブラックよりも酸化アルミニウムフィラーや
二酸化チタンフィラーが採用され始めている（たとえば
ＷＯ０１／３２７８２号パンフレット）。

【０００４】以上の点とは別に、半導体製造に用いる装
置に対して最近２３０〜３００℃という高温での加工処
理が要求されてきている。そうした高温での耐熱性を与
えるエラストマー成形品として、シラン系化合物で処理
された金属酸化物などの無機フィラーを配合した架橋用
エラストマー組成物が提案されている（特開２０００−
２９０４５４公報）。しかし、この公報には無機フィラ
ーの重要性に関する記載はなく、また用途についても記
載はない。

【０００５】また特表２０００−５０２１２２公報に
は、二酸化チタンなどをフィラーとした組成物が提案さ
れているが、使用するフィラーの粒子径に関する記載は
ない。

【０００６】さらにまた、ＷＯ０１／３２７８２号パン
フレットに微粒子状（一次平均粒子径０．００５〜０．
０５μｍ程度）の無機フィラーを配合した架橋用エラス
トマー組成物が記載されているが、２３０℃以上での特
性は評価されていない。

【０００７】一般に架橋用のエラストマー組成物におい
て、配合する無機フィラーの粒子径が小さくなればなる
ほどその表面活性が強くなり、高温で使用した場合エラ
ストマーを劣化させてしまう。したがって、ＷＯ０１／
３２７８２号パンフレットに記載の架橋用エラストマー
組成物では２３０℃以上の高温環境下においてエラスト
マーが劣化し始め、圧縮永久歪みなどが大きくなり、シ
ール能力が低下してしまう（後述する比較例１および２
参照）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、２３０℃以
上の高温環境下での使用に耐え、かつパーティクルの発
生原因とならない無機フィラー（カーボンフィラーを除
く）、それを配合した架橋用エラストマー組成物、およ
びエラストマー成形品に関する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、一次平均粒子
径が０．５μｍ以下、さらには０．０５μｍ以下の無機
フィラー（ただしカーボンフィラーは除く）であって、
その表面活性を低減化する処理がなされた改質無機フィ
ラーに関する。

【００１０】表面活性低減化処理としては、たとえば無
機フィラーをフッ素化合物と接触させるフッ素化処理が
あげられる。

【００１１】原料となる無機フィラーとしては、カーボ
ンブラックを除く無機フィラー、特に金属酸化物フィラ
ー、さらには酸化アルミニウムフィラーが好適である。

【００１２】かかる改質無機フィラーのうち、下記条件
（１）で実施した酸素プラズマ照射およびＮＦ₃プラズ
マ照射において、それぞれのプラズマ照射の前後におけ
る重量減少または増加が１％以下、特に０．１％以下お
よび２０％以下、特に２％以下、さらには１％以下のも
のが好ましい。記流量：１６sccm 圧力：２０ミリトールＲＦ電力：８００Ｗ照射時間：３０分間周波数：１３．５６ＭＨｚ

【００１３】本発明の改質無機フィラーは、架橋用エラ
ストマー組成物、特に半導体製造装置用シール材の製造
用エラストマー組成物に配合されるときに、とりわけ有
用である。

【００１４】本発明はまた、前記改質無機フィラー、架
橋性基を有する含フッ素エラストマー（以下、「架橋性
エラストマー」という）および架橋剤および／または架
橋促進剤からなる架橋用含フッ素エラストマー組成物に
関する。

【００１５】架橋性含フッ素エラストマーとしては、架
橋性基を有するパーフルオロエラストマーが好適にあげ
られ、また、架橋性基を有する含フッ素エラストマーの
架橋性基としてはＣＮ基またはＣＯＯＨ基が好ましい。

【００１６】前記架橋剤としては、式（１）：

【００１７】

【化１１】

【００１８】（式中、Ｒ¹は−ＳＯ₂−、−Ｏ−、−Ｃ
（＝Ｏ）−、

【００１９】

【化１２】

【００２０】炭素数１〜１０のアルキリデン基、炭素数
１〜１０のパーフルオロアルキリデン基または単結合
手；Ｘ¹は−ＯＨ、−ＮＨ₂、−ＳＨ、−ＮＨＲ（Ｒは炭
素数１〜６の置換されていてもよい直鎖状もしくは分岐
鎖状のアルキル基）または−ＮＨＡｒ（Ａｒは置換され
ていてもよいフェニル基またはナフチル基））で示され
る化合物、式（２）：

【００２１】

【化１３】

【００２２】（式中、Ｒ²は置換されていてもよい直鎖
状もしくは分岐鎖状のアルキリデン基、置換されていて
もよいアリーレン基、

【００２３】

【化１４】

【００２４】（Ｒ³は−ＳＯ₂−、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）
−、

【００２５】

【化１５】

【００２６】または単結合手）で示される化合物、式
（３）：

【００２７】

【化１６】

【００２８】（式中、ｍは１〜１０の整数）で示される
化合物、式（４）：

【００２９】

【化１７】

【００３０】（式中、Ｘ²は同じかまたは異なり、いず
れもＨまたはＮＨ₂；ｐは１〜１０の整数）で示される
化合物、および／または式（５）：

【００３１】

【化１８】

【００３２】（式中、Ｘ³は同じかまたは異なり、いず
れもＨまたはＮＨ₂；Ｙは同じかまたは異なり、いずれ
もＨまたはＯＨ）で示される化合物が、高温においても
架橋構造が切れず耐熱性に優れることから、好適に使用
できる。

【００３３】特に、前記式（１）において、Ｒ¹が

【００３４】

【化１９】

【００３５】であり、Ｘ¹が

【００３６】

【化２０】

【００３７】である架橋剤が好ましい。

【００３８】また、架橋促進剤としては有機スズ化合物
が好適に採用される。

【００３９】本発明はさらに、前記架橋用含フッ素エラ
ストマー組成物を架橋して得られる架橋含フッ素エラス
トマー成形品、特に半導体の製造装置のシールに用いる
成形品にも関する。

【００４０】さらにまた、本発明は、前記成形品が組み
込まれた半導体製造装置にも関する。

【００４１】

【発明の実施の形態】本発明の改質無機フィラーは、一
次平均粒子径が０．５μｍ以下、特に０．０５μｍ（５
０ｎｍ）以下の微粒子無機フィラーの表面活性を低減化
したものである。半導体製造装置に使用するシール材な
どの成形品用としては、パーティクルの低減化の観点か
ら、より小さいものが好ましい。粒子径の下限は特に限
定されないが、製造上の理由から０．００５μｍ（５ｎ
ｍ）以上である。

【００４２】原料となる無機フィラーとしては、カーボ
ンブラックを除く各種の無機フィラーがあげられる。カ
ーボンブラックはＯ₂プラズマおよびＮＦ₃プラズマなど
に対する重量減少が大きく、プラズマ照射処理を行なう
分野、特に半導体製造の分野での使用は回避すべきであ
る。

【００４３】具体例としてはつぎのフィラーがあげられ
るが、これらに限定されるものではない。

【００４４】金属酸化物フィラー：二酸化チタン、酸化
ケイ素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛など硫酸塩フィラー：硫酸バリウム、硫酸アルミニウムなど炭酸塩フィラー：炭酸バリウムなど金属水酸化物フィラー：水酸化アルミニウムなど

【００４５】これらのうち、半導体製造装置用のシール
材用途には金属酸化物フィラー、特に高密度プラズマ照
射の耐性が優れる点から酸化アルミニウムが好ましい。

【００４６】これらの無機フィラーは、微粒子であるが
故に大粒径の粒子よりも表面活性が高められている。問
題となり得る表面活性としては、たとえば各種触媒活
性、吸着活性などがあげられる。

【００４７】本発明ではこれらの表面活性を低減化する
ことによって、２３０℃以上の高温において使用しても
マトリックスであるエラストマーなどを劣化することを
抑制できる。表面活性を低減化する処理（表面活性低減
化処理）としては、たとえばフッ素化合物と無機微粒子
フィラーとを接触させてフッ素化処理する方法があげら
れる。

【００４８】無機微粒子フィラーをフッ素化合物と接触
させるとフィラーの表面活性が低減化されるメカニズム
は明らかではないが、フッ素化合物によりフィラー表面
の活性点がフッ素化されるため、あるいはフッ素化合物
が熱分解して生じたカーボンが活性点に吸着されるため
と推察される。

【００４９】このフッ素化処理の条件は、使用するフッ
素化合物や対象となる無機フィラーの種類によって適宜
選定すればよい。また、フッ素化の程度も無機フィラー
の種類、使用目的、エラストマー組成物の加工性などを
考慮して決定すればよく、２３０℃以上の高温で無機微
粒子フィラーの表面活性が問題とならない程度でよい。
最低限、無機微粒子フィラーの表面活性点がフッ素化に
よりブロックされていればよく、フッ素化処理後に改質
無機フィラー中のフッ素原子含有量が測定限界以下とい
う場合もあり得る。フッ素化処理の効果は、後述する架
橋用エアストマー組成物から成形された成形品を２３０
℃以上の高温に曝した場合に、フッ素化処理していない
無機微粒子フィラーに比して劣化が生じていないことか
ら明確に判定できる。

【００５０】また、場合によってはフッ素化が進行し過
ぎても別の問題が生じることがある。たとえば酸化アル
ミニウムフィラーの場合、フッ素化が進み過ぎると架橋
が阻害されることがあるので注意を要する。

【００５１】使用するフッ素化合物としては、無機系の
フッ素化合物でも有機系のフッ素化合物でもよい。

【００５２】無機系フッ素化合物としては、たとえばフ
ッ素ガス、フッ化水素、フッ化硫黄（たとえば四フッ化
硫黄、六フッ化硫黄など）、フッ化スルフリル、フッ化
チオニル、フッ化アンモニウム（たとえば酸性フッ化ア
ンモニウム、中性フッ化アンモニウムなど）があげら
る。

【００５３】有機系フッ素化合物としては、フッ素化炭
化水素、含窒素または含酸素フッ素化炭化水素などがあ
げられる。

【００５４】フッ素化炭化水素としては、たとえば炭素
数８以下、好ましくは４以下の飽和または不飽和炭化水
素であって、１個または２個以上の水素原子がフッ素原
子に置換されているものがあげられる。具体例として
は、たとえばＣＦ₄、ＣＨＦ₃、ＣＦ₃ＣＦ₃、ＣＨＦ₂Ｃ
Ｆ₃、ＣＨＦ₂ＣＨＦ₂などのフルオロアルカン類；ＣＦ₂
＝ＣＦ₂（テトラフルオロエチレン）、ＣＦ₃ＣＦ＝ＣＦ
₂（ヘキサフルオロプロピレン）などのフルオロアルカ
ン類があげられる。これらのうち、反応が容易に生じる
点から、ＣＦ₄などのパーフルオロアルカン類、ヘキサ
フルオロプロパン（ＨＦＰ）などのパーフルオロアルケ
ン類が好ましい。

【００５５】含窒素または含酸素フッ素化炭化水素とし
ては、たとえば式（１）：Ｃ_nＦ_aＨ_bＸ（１）（式中、Ｘは酸素原子または窒素原子、ｎは１〜８、特
に１〜４の整数、ａは１〜２ｎ＋ｍの整数、ｂは０〜２
ｎ＋ｍ−１（ただし、ｍはＸが酸素原子のときは２、窒
素原子のときは３）で示される化合物があげられる。具
体例としては、たとえばヘキサフルオロアセトン、ヘキ
サフルオロ−１，２−エポキシエタン、デカフルオロエ
ーテル、トリ（トリフルオロメチル）アミン、テトラフ
ルオロエチルメチルエーテルなどがあげられる。

【００５６】限定されるものではないが、半導体製造装
置のシール材用途に特に好ましいフッ素化処理酸化アル
ミニウムフィラーを得る処理方法を例示する。

【００５７】フッ素化合物としてフッ化水素、フッ化ア
ンモニウムを使用する場合は、酸化アルミニウム微粒子
を２０〜４５０℃にてフッ素化合物と接触させればよ
い。

【００５８】フッ素化合物としてフッ化硫黄、フッ化フ
ルフリル、フッ化チオニルを使用する場合は、接触温度
として３００〜５００℃が採用される。

【００５９】ＨＦＰなどの有機フッ素化合物を使用する
場合は、１００〜６００℃、好ましくは１５０〜４５０
℃で酸化アルミニウム微粒子と接触させればよい。

【００６０】他の表面活性低減化処理法としては、たと
えば無機フィラーを１５０〜６００℃の温度で炭化水素
化合物と接触させる方法、シランカップリング剤などで
無機フィラーを表面処理する方法などがあげられる。た
だ、シランカップリング剤で表面処理する方法は、高温
下またはプラズマ照射雰囲気下で使用するとシランカッ
プリング剤に由来するアウトガスが発生するため、高度
のクリーン化が要求される半導体製造装置の分野での使
用には不向きである。

【００６１】かくして得られる本発明の改質無機フィラ
ーは、前述のとおり、酸素プラズマ照射およびＮＦ₃プ
ラズマ照射によっても重量変化が小さく、耐プラズマ性
に優れたものである。

【００６２】本発明はまた、本発明の改質無機フィラー
(A)と架橋性含フッ素エラストマー(B)と架橋剤（C）お
よび／または架橋促進剤（D）とからなる架橋用エラス
トマー組成物に関する。

【００６３】改質無機フィラー（A）の配合量は、架橋
性含フッ素エラストマー（B）１００重量部に対して１
〜１５０重量部、好ましくは１〜５０重量部である。少
なすぎると無機フィラーの添加効果が奏されず、多すぎ
ると成形品のシール性が低下し、硬度も大きくなってし
まう。

【００６４】含フッ素エラストマー（B）の架橋性基と
してはカルボキシル（ＣＯＯＨ）基、アルコキシカルボ
ニル（ＣＯＯＲ）基、ニトリル（ＣＮ）基、ヨウ素原子
または臭素原子などがあげられるが、架橋時に耐熱架橋
構造を取り得るＣＯＯＨ基、ＣＯＯＲ基またはＣＮ基が
好ましく、特に耐熱性に優れた架橋構造を与えるＣＯＯ
Ｈ基またはＣＮ基が好適である。

【００６５】含フッ素エラストマーの具体例としては、
式（I）：Ｘ¹−［Ａ−（Ｙ）_p］_q−Ｘ² （I）または式（II）：Ｘ¹−［Ａ−（Ｙ¹）_p］_q−［Ｂ−（Ｙ²）_r］_s−Ｘ² （II）（式中、Ｘ¹およびＸ²は重合時の開始剤や連鎖移動剤を
変えることにより、また末端基を修飾することにより任
意に変えることができ、特に限定されるものではない
が、たとえば、同じかまたは異なり、いずれもカルボキ
シル基、アルコキシカルボニル基、ニトリル基、ヨウ素
原子、臭素原子またはスルホン酸基などがあげられる。
Ｙ、Ｙ¹およびＹ²は同じかまたは異なり、いずれも側鎖
にカルボキシル基、アルコキシカルボニル基またはニト
リル基を有する２価の有機基、Ａはエラストマー性含フ
ッ素ポリマー鎖セグメント（以下、「エラストマー性セ
グメントＡ」という）、Ｂは非エラストマー性含フッ素
ポリマー鎖セグメント（以下、「非エラストマー性セグ
メントＢ」という）、ｐは０〜５０の整数、ｑは１〜５
の整数、ｒは０〜１０の整数、ｓは１〜３の整数であ
る、ただしＸ¹、Ｘ²、Ｙ、Ｙ¹またはＹ²のいずれか一つ
はニトリル基、カルボキシル基またはアルコキシカルボ
ニル基であり、Ｙ、Ｙ¹およびＹ²はＡまたはＢのセグメ
ント中にランダムに入っていてもよい）で示され、架橋
部位としてカルボキシル基、ニトリル基および／または
アルコキシカルボニル基を主鎖の末端および／または分
岐鎖に有する架橋可能な含フッ素エラストマーが好まし
い。

【００６６】エラストマー性セグメントＡとしては、た
とえば式（III）：

【００６７】

【化２１】

【００６８】（式中、ｍ／ｎ＝９５〜５０／５〜５０
（モル％）、Ｒ_fは炭素数１〜２０のフルオロポリオキ
シアルキル基または炭素数１〜８のパーフルオロアルキ
ル基）で示される２元共重合体ゴム、もしくは式（I
V）：

【００６９】

【化２２】

【００７０】（式中、ｌ／ｍ／ｎ＝９５〜３５／０〜３
０／５〜３５（モル％）、Ｒ_fは炭素数１〜２０のフル
オロポリオキシアルキル基または炭素数１〜８のパーフ
ルオロアルキル基）で示される３元共重合体ゴムなどの
パーフルオロエラストマーセグメント、または式
（V）：

【００７１】

【化２３】

【００７２】（式中、ｍ／ｎ＝８５〜６０／１５〜４０
（モル％））で示される２元共重合体ゴム、式（VI）：

【００７３】

【化２４】

【００７４】（式中、ｌ／ｍ／ｎ＝８５〜２０／０〜４
０／１５〜４０（モル％））で示される３元共重合体ゴ
ム、式（VII）：

【００７５】

【化２５】

【００７６】（式中、ｌ／ｍ／ｎ＝９５〜４５／０〜１
０／５〜４５（モル％）、Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³はそれぞ
れ独立してフッ素原子または水素原子、Ｒ_fは炭素数１
〜２０のフルオロポリオキシアルキル基または炭素数１
〜８のパーフルオロアルキル基）で示される３元共重合
体ゴム、もしくは

【００７７】

【化２６】

【００７８】（ｌ／ｍ／ｎ＝１〜８０／０〜８０／１０
〜５０（モル％）、Ｒ_fは前記と同じ）などの非パーフ
ルオロエラストマーセグメントであってもよい。

【００７９】また、分岐鎖に架橋点を導入するための
Ｙ、Ｙ¹、Ｙ²としては、たとえば

【００８０】

【化２７】

【００８１】で示されるニトリル基含有単量体、カルボ
キシル基含有単量体、アルコキシカルボニル基含有単量
体などがあげられ、通常、ニトリル基含有単量体、カル
ボキシル基含有単量体などが好適である。

【００８２】非エラストマー性セグメントＢとしては、
フッ素原子を含み前記エラストマー性を有していなけれ
ば基本的には限定されず、非エラストマー性セグメント
Ｂをブロック共重合することによりえようとする特性・
機能に合わせて選択すればよい。なかでも、機械的物性
を付与するためには結晶融点が１５０℃以上である結晶
性ポリマー鎖セグメントであることが好ましい。

【００８３】非エラストマー性セグメントＢを構成しう
る単量体のうち含フッ素単量体としては、たとえばＴＦ
Ｅ、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）、パーフ
ルオロ（アルキルビニルエーテル）（ＰＡＶＥ）、ヘキ
サフルオロプロピレン（ＨＦＰ）、ＣＦ₂＝ＣＦ（Ｃ
Ｆ₂）_pＸ（ｐは１〜１０の整数、ＸはＦまたはＣｌ）、
パーフルオロ−２−ブテンなどのパーハロオレフィン
類；フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、トリフルオロエ
チレン、

【００８４】

【化２８】

【００８５】（Ｘ⁵およびＸ⁶はＨまたはＦ、ｑは１〜１
０の整数）、ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＦ₃）₂などの部分フッ素化
オレフィン類の１種または２種以上があげられる。ま
た、これらと共重合可能な単量体、たとえばエチレン、
プロピレン、塩化ビニル、ビニルエーテル類、カルボン
酸ビニルエステル類、アクリル類の１種または２種以上
も共重合成分として使用できる。

【００８６】これらのうち、耐薬品性、耐熱性の点か
ら、主成分に用いる単量体としては含フッ素オレフィン
単独または含フッ素オレフィン同士の組合せ、エチレン
とＴＦＥの組合せ、エチレンとＣＴＦＥの組合せが好ま
しく、特にパーハロオレフィンの単独またはパーハロオ
レフィン同士の組合せが好ましい。

【００８７】具体的には、（１）ＶｄＦ／ＴＦＥ（０〜１００／１００〜０）、特
にＶｄＦ／ＴＦＥ（７０〜９９／３０〜１）、ＰＴＦＥ
またはＰＶｄＦ；（２）エチレン／ＴＦＥ／ＨＦＰ（６〜６０／４０〜８
１／１〜３０）、３，３，３−トリフルオロプロピレン
−１，２−トリフルオロメチル−３，３，３−トリフル
オロプロピレン−１／ＰＡＶＥ（４０〜６０／６０〜４
０）；（３）ＴＦＥ／ＣＦ₂＝ＣＦ−Ｒ_f ³（非エラストマー性
を示す組成範囲、すなわち、ＣＦ₂＝ＣＦ−Ｒ_f ³が１５
モル％以下。Ｒ_f ³は１個以上のエーテル型酸素原子を有
していてもよい直鎖状または分岐鎖状のフルオロ−もし
くはパーフルオロアルキル基、またはフルオロ−もしく
はパーフルオロオキシアルキル基である。）；（４）ＶｄＦ／ＴＦＥ／ＣＴＦＥ（５０〜９９／３０〜
０／２０〜１）；（５）ＶｄＦ／ＴＦＥ／ＨＦＰ（６０〜９９／３０〜０
／１０〜１）；（６）エチレン／ＴＦＥ（３０〜６０／７０〜４０）；（７）ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦ
Ｅ）；（８）エチレン／ＣＴＦＥ（３０〜６０／７０〜４０）
などがあげられる。なお、カッコ内はモル％を示す。こ
れらのうち、耐薬品性と耐熱性の点から、特にＰＴＦＥ
およびＴＦＥ／ＣＦ₂＝ＣＦ−Ｒ_f ³（Ｒ_f ³は前記と同
じ）の非エラストマー性の共重合体が好ましい。

【００８８】また、非エラストマー性セグメントＢを構
成しうる単量体として、各種架橋のために前記した硬化
部位を与える単位Ｙ²を５モル％以下、好ましくは２モ
ル％以下導入してもよい。

【００８９】非エラストマー性セグメントＢのブロック
共重合は、たとえばエラストマー性セグメントＡの乳化
重合に引き続き、単量体を非エラストマー性セグメント
Ｂ用に変えることにより行なうことができる。

【００９０】非エラストマー性セグメントＢの平均分子
量は、１，０００〜１，２００，０００、好ましくは
３，０００〜４００，０００と広い幅で調整できる。

【００９１】また、エラストマー性セグメントＡの構成
単位の９０モル％以上、特に９５モル％以上をパーハロ
オレフィン単位とすることによりエラストマー性セグメ
ントＡに確実に非エラストマー性セグメントＢをブロッ
ク共重合でき、しかも非エラストマー性セグメントＢの
分子量（重合度）を大きくすることができる。

【００９２】エラストマーの末端基であるＸ¹、Ｘ²とし
ては、前記のとおり特に限定されないが、カルボキシル
基、アルコキシカルボニル基またはニトリル基であるこ
とが好ましく、末端基にカルボキシル基を導入する方法
としては、後述する酸処理法があげられる。

【００９３】前記含フッ素エラストマーは、乳化重合
法、懸濁重合法、溶液重合法などの重合法により製造す
ることができる。

【００９４】重合開始剤としては、好ましくはカルボキ
シル基またはカルボキシル基を生成し得る基（たとえば
酸フルオライド、酸クロライド、ＣＦ₂ＯＨ。これらは
いずれも水の存在下にカルボキシル基を生ずる）をエラ
ストマー末端に存在させ得るものが用いられる。具体例
としては、たとえば過硫酸アンモニウム（ＡＰＳ）、過
硫酸カリウム（ＫＰＳ）などがあげられる。

【００９５】また、分子量の調整に通常使用される連鎖
移動剤を使用してもよいが、末端に導入されるカルボキ
シル基を生成し得る基の割合が低下するため、できるだ
け使用しない方がよい。ただし、連鎖移動剤が前記基を
エラストマー末端に存在させ得るものであれば、この限
りではない。連鎖移動剤を使用しない場合、分子量は重
合を低圧、たとえば２ＭＰａ・Ｇ未満、好ましくは１Ｍ
Ｐａ・Ｇ以下で行なうことにより調整すればよい。その
他の重合条件は、特に制限されないが、カルボキシル基
を末端および／または分岐鎖に有する重合生成物を後述
する酸処理を経ずに得るためには、重合系のｐＨを３以
下の強酸性とするのが好ましい。

【００９６】かくして得られた重合生成物は重合条件に
よっては遊離のカルボキシル基が含まれていないものも
あるが、それらもつぎの酸処理を施すことにより、遊離
のカルボキシル基に変換することができる。

【００９７】本発明で用いる含フッ素エラストマーは、
重合生成物を酸処理することにより、重合生成物に存在
しているカルボン酸の金属塩やアンモニウム塩などの基
をカルボキシル基に変換することが好ましい。酸処理法
としては、たとえば塩酸、硫酸、硝酸などにより洗浄す
るか、これらの酸で重合反応後の混合物の系をｐＨ３以
下にする方法が適当である。

【００９８】この酸処理は、重合反応混合物から重合生
成物を凝析により単離する際の凝析手段として適用する
のが、工程の簡略化の点から好ましい。または、重合混
合物を酸処理し、その後凍結乾燥などの手段で重合生成
物を単離してもよい。さらに超音波などによる凝析や機
械力による凝析などの方法も採用できる。

【００９９】また、ヨウ素や臭素を含有する含フッ素エ
ラストマーを発煙硫酸により酸化してカルボキシル基を
導入することもできる。

【０１００】含フッ素エラストマー（B）に導入する架
橋性基がＣＯＯＨ基またはＣＮ基である場合、架橋性基
の量は架橋密度を適正にする点から０．１モル％以上、
好ましくは０．３〜５モル％、さらに好ましくは０．３
〜３モル％である。

【０１０１】本発明の含フッ素エラストマーは架橋剤を
使用しない架橋方法、たとえば電子線照射法、放射線照
射法、紫外線照射法などの高エネルギー線照射法で架橋
することもできるが、加工性や成形品の耐熱性を向上さ
せる点からＣＮ基、ＣＯＯＨ基などの架橋性基と反応可
能な架橋剤を配合する。

【０１０２】ＣＯＯＨ基またはＣＮ基、さらにはＣＯＯ
Ｒ基と反応可能な具体的な架橋剤としては、式（１）〜
（５）として前述した架橋剤が好ましくあげられる。

【０１０３】式（１）の架橋剤の具体例としては、たと
えば２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン（一般名：ビス（アミノフ
ェノール）ＡＦ）、２，２−ビス（３−アミノ−４−メ
ルカプトフェニル）ヘキサフルオロプロパン、テトラア
ミノベンゼン、ビス−３，４−ジアミノフェニルメタ
ン、ビス−３，４−ジアミノフェニルエーテル、２，２
−ビス（３，４−ジアミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス［３−アミノ−４（Ｎ−メチルア
ミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビ
ス［３−アミノ−４（Ｎ−フェニルアミノ）フェニル］
ヘキサフルオロプロパン２，２−ビス［３−アミノ−４
（Ｎ−メチルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス［３−アミノ−４（Ｎ−フェニルアミ
ノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパンなどがあげられ
る。

【０１０４】式（２）の架橋剤の具体例としては、たと
えば２，２−ビス［Ｎ−（２−アミノフェニル）−（３
−アミノフェニル）］ヘキサフルオロプロパン、２，２
−ビス［Ｎ−（２−アミノフェニル）−（４−アミノフ
ェニル）］ヘキサフルオロプロパンなどがあげられる。

【０１０５】式（３）の架橋剤の具体例としては、たと
えば

【０１０６】

【化２９】

【０１０７】などがあげられる。

【０１０８】式（４）の架橋剤の具体例としては、たと
えばパーフルオロアジピン酸ビスアミドラゾン、パーフ
ルオロスベリン酸ビスアミドラゾンなどがあげられる。

【０１０９】式（５）の架橋剤の具体例としては、たと
えば

【０１１０】

【化３０】

【０１１１】などがあげられる。

【０１１２】これらのうち、成形品の耐熱性、耐薬品性
を向上させる点から式（１）および（２）の架橋剤、と
りわけ２，２−ビス［３−アミノ−４（Ｎ−フェニルア
ミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビ
ス［Ｎ−（２−アミノフェニル）−（３−アミノフェニ
ル）］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［Ｎ−
（２−アミノフェニル）−（４−アミノフェニル）］ヘ
キサフルオロプロパンが好ましい。

【０１１３】架橋剤（C）の配合量は、好ましくはエラ
ストマー１００重量部に対して０．１〜１０重量部、好
ましくは０．５〜５重量部である。

【０１１４】さらに要すれば、架橋剤（C）に代えて、
または加えて架橋促進剤（D）を配合してもよい。架橋
促進剤（D）としては、たとえば有機スズ化合物や１５
０〜２００℃でアンモニアガスを発生させる有機および
／または無機のアンモニウム塩などがあげられ、特に耐
熱性を有する架橋構造を与える点から有機スズ化合物が
好ましい。

【０１１５】架橋促進剤の配合量は、好ましくはエラス
トマー１００重量部に対して０．１〜１０重量部、好ま
しくは０．５〜５重量部である。

【０１１６】また、架橋系として前記のほかにトリアリ
ルイソシアヌレート類を用いたトリアジン架橋系、パー
オキサイド架橋系、ポリオール架橋系なども採用でき
る。なかでも、トリアリルイソシアヌレートの３個のア
リル基中の水素原子をフッ素原子に置換したフッ素化ト
リアリルイソシアヌレート（US4,320,216他）は耐熱性
に優れた成形品を与える点から好ましい。

【０１１７】本発明の組成物において、必要に応じて架
橋用含フッ素エラストマー組成物に配合される通常の添
加物、たとえば充填剤、加工助剤、可塑剤、着色剤など
を配合することができ、前記のものとは異なる常用の架
橋剤や架橋促進剤を１種またはそれ以上配合してもよ
い。また、本発明の効果を損なわない範囲において、公
知のフッ素ゴムを混合してもよい。

【０１１８】本発明の組成物は、上記の各成分を、通常
のゴム用加工機械、たとえば、オープンロール、バンバ
リーミキサー、ニーダーなどを用いて混合することによ
り調製することができる。この他、密閉式混合機を用い
る方法やエマルジョン混合から共凝析する方法によって
も調製することができる。

【０１１９】上記組成物から予備成形体を得る方法は通
常の方法でよく、金型にて加熱圧縮する方法、加熱され
た金型に圧入する方法、押出機で押出す方法など公知の
方法で行なうことができる。ホースや電線などの押出製
品の場合は押出後も形を保持することが可能なので、架
橋剤を使用せずに押出した予備成形体をそのまま用いる
ことができる。もちろん架橋剤を使用してスチームなど
による加熱架橋を施した予備成形体を用いることも可能
である。またＯ−リングなどの型物製品で未架橋状態で
は離型後も形を保持することが困難な場合は、架橋剤を
使用してあらかじめ架橋した予備成形体を用いることに
より実施可能となる。

【０１２０】本発明はかくして得られる架橋物（成形
品）にも関する。

【０１２１】本発明の成形品は高い機械的強度や耐熱性
を有している。それ以上に、驚くべきことに特にシール
材として不可欠なシール性を評価する基準である圧縮永
久歪みが２３０℃以上という高温時においても小さくな
っている。

【０１２２】本発明の成形品を、たとえばＷＯ９９／４
９９９７号パンフレット記載の特殊な洗浄法、すなわち
超純水により洗浄する方法、洗浄温度で液状のクリーン
な有機化合物や無機水溶液により洗浄する方法、乾式エ
ッチング洗浄する方法、抽出洗浄する方法にしたがって
処理することにより極めて高度にクリーン化され、しか
もアウトガス量が少なく耐プラズマ性に優れた半導体製
造装置用の成形品が得られる。

【０１２３】たとえば上記洗浄後、窒素ガス気流下で２
００℃にて２４時間加熱した成形品（Ｏ−リング：ＡＳ
−５６８Ａ−２１４）を前記の照射条件（１）で酸素
（Ｏ₂）プラズマおよびＮＦ₃プラズマを照射したときの
重量変化がいずれも５％以下、好ましくは３％以下とす
ることができる。

【０１２４】さらに、酸素プラズマ照射後のＯ−リング
をつぎの条件（２）で測定したときのＯ−リング（ＡＳ
−５６８Ａ−２１４）１個あたりの発生パーティクル数
が５０×１０¹⁴個以下、好ましくは３０×１０¹⁴個以下
というクリーンな成形品を提供できる。

【０１２５】（条件（２））前記の照射条件（１）で酸
素プラズマを照射して得られた被験Ｏ−リング（ＡＳ−
５６８Ａ−２１４）を超純水中に入れ、２５℃にて１時
間超音波を当ててパーティクルを超純水中に遊離させ、
この超純水中に遊離した粒子径が０．２μｍ以上の粒子
（パーティクル）の数を微粒子測定器法により調べる。

【０１２６】本発明の架橋性エラストマー組成物は半導
体製造装置用の成形品、特に高度なクリーンさが要求さ
れる半導体製造装置、特に高密度プラズマ照射が行なわ
れる半導体製造装置の封止用のシール材の製造に好適に
使用できる。シール材としてはＯ−リング、角−リン
グ、ガスケット、パッキン、オイルシール、ベアリング
シール、リップシールなどがあげられる。

【０１２７】そのほか、半導体製造装置に使用される各
種のエラストマー製品、たとえばダイヤフラム、チュー
ブ、ホース、各種ゴムロールなどとしても使用できる。
また、コーティング用材料、ライニング用材料としても
使用できる。

【０１２８】なお、本発明でいう半導体製造装置は、特
に半導体を製造するための装置に限られるものではな
く、広く、液晶パネルやプラズマパネルを製造するため
の装置など、高度なクリーン度が要求される半導体分野
において用いられる製造装置全般を含むものである。

【０１２９】具体的には、次のような半導体製造装置が
例示される。

【０１３０】（１）エッチング装置ドライエッチング装置プラズマエッチング装置反応性イオンエッチング装置反応性イオンビームエッチング装置スパッタエッチング装置イオンビームエッチング装置ウェットエッチング装置アッシング装置

【０１３１】（２）洗浄装置乾式エッチング洗浄装置ＵＶ／Ｏ₃洗浄装置イオンビーム洗浄装置レーザービーム洗浄装置プラズマ洗浄装置ガスエッチング洗浄装置抽出洗浄装置ソックスレー抽出洗浄装置高温高圧抽出洗浄装置マイクロウェーブ抽出洗浄装置超臨界抽出洗浄装置

【０１３２】（３）露光装置ステッパーコータ・デベロッパー

【０１３３】（４）研磨装置ＣＭＰ装置

【０１３４】（５）成膜装置ＣＶＤ装置スパッタリング装置

【０１３５】（６）拡散・イオン注入装置酸化拡散装置イオン注入装置

【０１３６】

【実施例】つぎに本発明を実施例をあげて説明するが、
本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。

【０１３７】製造例１（ＣＮ基含有含フッ素エラストマ
ーの製造）着火源をもたない内容積６リットルのステンレススチー
ル製オートクレーブに、純水２リットルおよび乳化剤と
して

【０１３８】

【化３１】

【０１３９】２０ｇ、ｐＨ調整剤としてリン酸水素二ナ
トリウム・１２水塩０．１８ｇを仕込み、系内を窒素ガ
スで充分に置換し脱気したのち、６００ｒｐｍで撹拌し
ながら、５０℃に昇温し、テトラフルオロエチレン（Ｔ
ＦＥ）とパーフルオロ（メチルビニルエーテル）（ＰＭ
ＶＥ）の混合ガス（ＴＦＥ／ＰＭＶＥ＝２５／７５モル
比）を、内圧が０．７８ＭＰａ・Ｇになるように仕込ん
だ。ついで、過硫酸アンモニウム（ＡＰＳ）の５２７ｍ
ｇ／ｍｌの濃度の水溶液２０ｍｌを窒素圧で圧入して反
応を開始した。

【０１４０】重合の進行により内圧が、０．６９ＭＰａ
・Ｇまで降下した時点で、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ₂ＣＦ（Ｃ
Ｆ₃）ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＮ（ＣＮＶＥ）４．６ｇを窒素圧
にて圧入した。ついで圧力が０．７８ＭＰａ・Ｇになる
ように、ＴＦＥを９．４ｇおよびＰＭＶＥ１０．６ｇを
それぞれ自圧にて圧入した。以後、反応の進行にともな
い同様にＴＦＥ、ＰＭＶＥを圧入し、０．６９〜０．７
８ＭＰａ・Ｇのあいだで、昇圧、降圧を繰り返すと共
に、ＴＦＥとＰＭＶＥの合計量が１４０ｇ、２６０ｇ、
３８０ｇ、および５００ｇとなった時点でそれぞれＣＮ
ＶＥ４．６ｇを窒素圧で圧入した。

【０１４１】重合反応の開始から２０時間後、ＴＦＥお
よびＰＭＶＥの合計仕込み量が６００ｇになった時点
で、オートクレーブを冷却し、未反応モノマーを放出し
て固形分濃度２１．２重量％の水性分散体２６５０ｇを
得た。

【０１４２】この水性分散体のうち２４００ｇを水７２
００ｇで希釈し、３．５重量％塩酸水溶液５６００ｇ中
に、撹拌しながらゆっくりと添加した。添加後５分間撹
拌した後、凝析物をろ別し、得られたポリマーをさらに
４ｋｇのＨＣＦＣ−１４１ｂ中にあけ、５分間撹拌し、
再びろ別した。この後このＨＣＦＣ−１４１ｂによる洗
浄、ろ別の操作をさらに４回繰り返したのち、６０℃で
７２時間真空乾燥させ、５００ｇのＣＮ基含有含フッ素
エラストマー凝析物を得た。

【０１４３】¹⁹Ｆ−ＮＭＲ分析の結果、このエラストマ
ーのモノマー単位組成は、ＴＦＥ／ＰＭＶＥ／ＣＮＶＥ
（異性体混合物）＝５９．２／４０．０／０．８モル％
であった。

【０１４４】実施例１（フッ素化処理酸化アルミニウム
フィラーの製造）酸化アルミニウムフィラー（住友化学工業（株）製のＡ
ＫＰ−Ｇ００８、比表面積：８０ｍ²／ｇ、一次平均粒
子径：０．０２μｍ、結晶型：θ型単斜晶系）６０ｇを
１リットルの四つ口フラスコに入れ、ポリテトラフルオ
ロエチレン製の攪拌翼で攪拌しながら２５０℃にて１時
間窒素ガスを２０ｍｌ／ｍｉｎの流量で流して窒素雰囲
気とした。ついでガスをヘキサフルオロプロピレンに変
え、２５０℃にて２０ｍｌ／ｍｉｎの流量で流して酸化
アルミニウムフィラーと接触させた。１５分後、再びガ
スを窒素ガスに戻し、室温まで降温してフッ素化処理さ
れた酸化アルミニウムフィラー（Ａｌ−１）を製造し
た。

【０１４５】実施例２（フッ素化処理酸化アルミニウム
フィラーの製造）ヘキサフルオロプロピレンと酸化アルミニウムフィラー
との接触時間を７時間としたほかは実施例１と同様にし
てフッ素化処理された酸化アルミニウムフィラー（Ａｌ
−２）を製造した。

【０１４６】実施例３（フッ素化処理された二酸化チタ
ンフィラーの製造）二酸化チタンフィラー（日本アエロジル（株）製のＰ２
５、比表面積：５０ｍ ²／ｇ、一次平均粒子径：０．０
２１μｍ）６０ｇを１リットルの四つ口フラスコに入
れ、ポリテトラフルオロエチレン製の攪拌翼で攪拌しな
がら２５０℃にて１時間窒素ガスを２０ｍｌ／ｍｉｎの
流量で流して窒素雰囲気とした。ついでガスをヘキサフ
ルオロプロピレンに変え、２５０℃にて２０ｍｌ／ｍｉ
ｎの流量で流して酸化アルミニウムフィラーと接触させ
た。７時間後、再びガスを窒素ガスに戻し、室温まで降
温してフッ素化処理された酸化アルミニウムフィラー
（Ａｌ−１）を製造した。

【０１４７】実施例４〜５および比較例１製造例１で得られた末端にカルボキシル基を有するＣＮ
基含有含フッ素エラストマーと前記ジャーナル・オブ・
ポリマー・サイエンスのポリマー・ケミストリー編、Vo
l.２０、２３８１〜２３９３頁（１９８２）に記載の方
法で合成した架橋剤である２，２−ビス［３−アミノ−
４−（Ｎ−フェニルアミノ）フェニル）ヘキサフルオロ
プロパンと充填材として表１に示すフッ素化処理酸化ア
ルミニウムフィラー（Ａｌ−１およびＡｌ−２）または
未処理酸化アルミニウムフィラー（ＡＫＰ−Ｇ００８）
とを重量比１００／４．２５／１５で混合し、オープン
ロールにて混練して架橋可能なフッ素ゴム組成物を調製
した。

【０１４８】このフッ素ゴム組成物を１８０℃で表１に
記載の条件でプレスして架橋を行なったのち、さらにオ
ーブン中で２９０℃で１８時間のオーブン架橋を施し、
厚さ２ｍｍの架橋物およびＯ−リング（ＡＳ−５６８Ａ
−２１４）の被験サンプルを作製した。この架橋物の架
橋性、常態物性および圧縮永久歪みについて測定した。
結果を表１に示す。

【０１４９】（架橋性）各架橋用組成物についてＪＳＲ
型キュラストメーターII型により、表１に記載の温度に
て加硫曲線を求め、最低粘度（νｍｉｎ）、最高粘度
（νｍａｘ）、誘導時間（Ｔ₁₀）および最適加硫時間
（Ｔ₉₀）を求める、

【０１５０】（常態物性）ＪＩＳＫ６３０１に準じて
厚さ２ｍｍの架橋物の常態（２５℃）での１００％モジ
ュラス、引張強度、引張伸びおよび硬度（Ｓｈｏｒｅ
Ａ硬度）を測定する。

【０１５１】（圧縮永久歪み）ＪＩＳＫ６３０１に準
じてＯ−リング（ＡＳ−５６８Ａ−２１４）の２３０
℃、２７５℃および３００℃における７０時間後の圧縮
永久歪みを測定する。

【０１５２】

【表１】

【０１５３】実施例６および比較例２製造例１で得られた末端にカルボキシル基を有するＣＮ
基含有含フッ素エラストマーと前記ジャーナル・オブ・
ポリマー・サイエンスのポリマー・ケミストリー編、Vo
l.２０、２３８１〜２３９３頁（１９８２）に記載の方
法で合成した架橋剤である２，２−ビス［３−アミノ−
４−（Ｎ−フェニルアミノ）フェニル）ヘキサフルオロ
プロパンと充填材として表２に示すフッ素化処理二酸化
チタンフィラー（Ｔｉ−１）または未処理二酸化チタン
フィラー（Ｐ２５）とを重量比１００／４．０５／３０
で混合し、オープンロールにて混練して架橋可能なフッ
素ゴム組成物を調製した。

【０１５４】このフッ素ゴム組成物を１８０℃で表２に
記載の条件でプレスして架橋を行なったのち、さらにオ
ーブン中で２９０℃で１８時間のオーブン架橋を施し、
厚さ２ｍｍの架橋物およびＯ−リング（ＡＳ−５６８Ａ
−２１４）の被験サンプルを作製した。この架橋物の架
橋性、常態物性および圧縮永久歪みについて実施例４と
同様にして測定した。結果を表２に示す。

【０１５５】

【表２】

【０１５６】実施例７（プラズマ照射前後におけるフィ
ラーの重量変化の測定）実施例１〜２で製造したフッ素化処理酸化アルミニウム
フィラー（Ａｌ−２）、未処理の酸化アルミニウムフィ
ラー（ＡＫＰ−Ｇ００８）および未処理の酸化アルミニ
ウムフィラー（（株）龍森製のAdoma Fine AO-802、
比表面積：６〜８ｍ²／ｇ、平均粒子径：０．７μｍ、
結晶型：α型）について、アルミニウム製の容器に入れ
つぎに示す条件でプラズマ照射（酸素プラズマおよびＮ
Ｆ₃プラズマ）に供し、照射前後の重量変化を調べた。
結果を表３に示す。

【０１５７】照射条件使用ガス：Ｏ₂、ＮＦ₃ ガス流量：１６ｓｃｃｍＲＦ出力：８００Ｗ圧力：２０ミリトール照射時間：３０分間周波数：１３．５６ＭＨｚ

【０１５８】照射操作プラズマ照射装置のチャンバー内の雰囲気を安定させる
ために、チャンバー前処理として５分間かけて実ガス空
放電を行なう。ついでサンプルを入れたアルミニウム製
の容器をＲＦ電極の中心部に配置し、上記の条件下でプ
ラズマを照射する。

【０１５９】重量測定ザートリウス（Sertorious）・ＧＭＢＨ製の電子分析天
秤２００６ＭＰＥ（商品名）を使用し、０．０１ｍｇま
で測定し０．０１ｍｇの桁を四捨五入する。

【０１６０】

【表３】

【０１６１】この結果から、フッ素化処理をしても酸化
アルミニウムフィラーの特徴である酸素（Ｏ₂）および
ＮＦ₃の両プラズマに対する遮蔽効果が維持できること
が分かる。

【０１６２】比較例３フィラーとして未処理の酸化アルミニウムフィラー（Ａ
Ｏ−８０２）を使用したほかは実施例４と同様にしてＯ
−リングを作製した。

【０１６３】実施例８（Ｏ−リングのプラズマ照射試験
における重量変化）実施例５で製造したＯ−リング（フッ素化処理酸化アル
ミニウムＡｌ−２使用）を充分に多量のＨ₂ＳＯ₄／Ｈ₂
Ｏ₂（６／４重量比）混合液中で１００℃にて１５分間
攪拌下で洗浄し、ついで５％ＨＦにより２５℃にて１５
分間洗浄し、さらに純水により１００℃にて２時間煮沸
洗浄したのち、窒素ガス気流下で２００℃にて２４時間
乾燥して、被験サンプルを作製した。

【０１６４】この被験サンプルについて、実施例７と同
じ照射条件でプラズマ照射して照射前後の重量変化を調
べた。

【０１６５】比較のために、比較例１（未処理酸化アル
ミニウムＡＫＰ−Ｇ００８使用）および比較例３（未処
理酸化アルミニウムＡＯ−８０２使用）で製造したＯ−
リングを上記と同様に洗浄乾燥処理した被験サンプルに
ついても、プラズマ照射前後の重量変化を調べた。結果
を表４に示す。

【０１６６】

【表４】

【０１６７】実施例９（Ｏ−リングのプラズマ照射試験
後におけるパーティクル発生数）実施例８でプラズマ照射された各被験サンプルを超純水
中に入れ、２５℃にて１時間超音波を当ててパーティク
ルを超純水中に遊離させた。この超純水中に遊離した粒
子径が０．２μｍ以上の粒子（パーティクル）の数を以
下に示す微粒子測定器法により調べた。結果を表５に示
す。表５中のパーティクル数はＯ−リング１個当たりの
パーティクル数である。

【０１６８】（微粒子測定器法）センサー部に流入させ
たパーティクルを含む超純水に光を当て、液中パーティ
クルカウンター（リオン（株）製のＫＬ−２２）により
その透過光や散乱光の量を電気的に計測する方法であ
る。

【０１６９】

【表５】

【０１７０】

【発明の効果】本発明によれば、２３０℃以上の高温で
の使用に耐えうる含フッ素エラストマー成形品を提供す
ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０８Ｊ 5/00 ＣＥＷＣ０８Ｊ 5/00 ＣＥＷ４Ｊ００２Ｃ０８Ｋ 5/00 Ｃ０８Ｋ 5/00 ４Ｊ０３７ 9/04 9/04 Ｃ０８Ｌ 101/04 Ｃ０８Ｌ 101/04 Ｃ０９Ｃ 1/00 Ｃ０９Ｃ 1/00 1/40 1/40 3/08 3/08 Ｃ０９Ｋ 3/10 Ｃ０９Ｋ 3/10 Ｍ (72)発明者山外隆文大阪府摂津市西一津屋１番１号ダイキン工業株式会社淀川製作所内 (72)発明者西林浩文大阪府摂津市西一津屋１番１号ダイキン工業株式会社淀川製作所内 (72)発明者東野克彦大阪府摂津市西一津屋１番１号ダイキン工業株式会社淀川製作所内 (72)発明者野口剛大阪府摂津市西一津屋１番１号ダイキン工業株式会社淀川製作所内 (72)発明者岸根充大阪府摂津市西一津屋１番１号ダイキン工業株式会社淀川製作所内Ｆターム(参考） 4F071 AA10 AA26 AA26X AA27 AA27X AA75 AB18 AC12 AE02 AE17 AG05 AG16 AH12 4G042 DA03 DB33 DC03 DD04 DE04 DE12 4G047 CA01 CB04 CB08 CC03 CD04 4G076 AA02 AB02 AB11 BF06 CA02 CA26 DA02 4H017 AA03 AA24 AB12 AC03 AD01 AE00 AE05 4J002 BD121 BD151 BP031 DE006 DE146 EN077 ER007 EZ018 FB046 FB086 FD016 FD147 FD158 GQ01 GQ05 4J037 AA08 AA11 AA18 AA22 AA24 AA25 CA05 CB01 DD05 EE02 EE28 EE44 FF21

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一次平均粒子径が０．５μｍ以下の無機
フィラー（ただしカーボンフィラーは除く）であって、
その表面活性を低減化する処理がなされた改質無機フィ
ラー。
【請求項２】表面活性低減化処理が、無機フィラーを
フッ素化合物と接触させる処理である請求項１記載の改
質無機フィラー。
【請求項３】無機フィラーが金属酸化物フィラーであ
る請求項１または２記載のフッ素化処理フィラー。
【請求項４】金属酸化物フィラーが酸化アルミニウム
フィラーである請求項３記載のフッ素化処理フィラー。
【請求項５】無機フィラーの一次平均粒子径が０．０
５μｍ以下である請求項１〜４のいずれかに記載の改質
無機フィラー。
【請求項６】下記条件（１）で実施した酸素プラズマ
照射およびＮＦ₃プラズマ照射において、それぞれのプ
ラズマ照射の前後における重量減少または増加が１％以
下および２０％以下である請求項１〜５のいずれかに記
載の改質無機フィラー。記流量：１６sccm 圧力：２０ミリトールＲＦ電力：８００Ｗ照射時間：３０分間周波数：１３．５６ＭＨｚ
【請求項７】架橋用エラストマー組成物に配合される
請求項１〜６のいずれかに記載の改質無機フィラー。
【請求項８】請求項１〜７のいずれかに記載の改質無
機フィラー、架橋性基を有する含フッ素エラストマーお
よび架橋剤および／または架橋促進剤からなる架橋用含
フッ素エラストマー組成物。
【請求項９】架橋性基を有する含フッ素エラストマー
が、架橋性基を有するパーフルオロエラストマーである
請求項８記載の組成物。
【請求項１０】架橋性基を有する含フッ素エラストマ
ーの架橋性基がＣＮ基またはＣＯＯＨ基である請求項８
または９記載の組成物。
【請求項１１】前記架橋剤が、式（１）：【化１】（式中、Ｒ¹は−ＳＯ₂−、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、【化２】炭素数１〜１０のアルキリデン基、炭素数１〜１０のパ
ーフルオロアルキリデン基または単結合手；Ｘ¹は−Ｏ
Ｈ、−ＮＨ₂、−ＳＨ、−ＮＨＲ（Ｒは炭素数１〜６の
置換されていてもよい直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキ
ル基）または−ＮＨＡｒ（Ａｒは置換されていてもよい
フェニル基またはナフチル基））で示される化合物、式
（２）：【化３】（式中、Ｒ²は置換されていてもよい直鎖状もしくは分
岐鎖状のアルキリデン基、置換されていてもよいアリー
レン基、【化４】（Ｒ³は−ＳＯ₂−、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、【化５】または単結合手）で示される化合物、式（３）：【化６】（式中、ｍは１〜１０の整数）で示される化合物、式
（４）：【化７】（式中、Ｘ²は同じかまたは異なり、いずれもＨまたは
ＮＨ₂；ｐは１〜１０の整数）で示される化合物、およ
び／または式（５）：【化８】（式中、Ｘ³は同じかまたは異なり、いずれもＨまたは
ＮＨ₂；Ｙは同じかまたは異なり、いずれもＨまたはＯ
Ｈ）で示される化合物である請求項８〜１０のいずれか
に記載の組成物。
【請求項１２】架橋剤が、前記式（１）において、Ｒ
¹が【化９】であり、Ｘ¹が【化１０】である架橋剤である請求項１１記載の組成物。
【請求項１３】架橋促進剤が有機スズ化合物である請
求項８〜１２のいずれかに記載の組成物。
【請求項１４】請求項８〜１３のいずれかに記載の架
橋用含フッ素エラストマー組成物を架橋して得られる架
橋含フッ素エラストマー成形品。
【請求項１５】半導体の製造装置のシールに用いる請
求項１４記載の成形品。
【請求項１６】請求項１５記載の成形品が組み込まれ
た半導体製造装置。