JP2003050326A - 光導波路部品 - Google Patents
光導波路部品Info
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度によらず光透過中心波長が一定の光導波
路部品を提供する。 【解決手段】 温度に依存して光透過特性が変化する光
導波路回路を基板1上に形成した光導波路チップ9と、
該光導波路チップ9の温度調節部品8とを設け、温度調
節部品8と光導波路チップ9とを重ね合わせる。光導波
路チップ9の接合面と温度調節部品8の接合面間に介設
した接合剤7により光導波路チップ9と温度調節部品8
を直接接合する。接合剤7は例えば熱伝導性が高い接合
剤とする。
路部品を提供する。 【解決手段】 温度に依存して光透過特性が変化する光
導波路回路を基板1上に形成した光導波路チップ9と、
該光導波路チップ9の温度調節部品8とを設け、温度調
節部品8と光導波路チップ9とを重ね合わせる。光導波
路チップ9の接合面と温度調節部品8の接合面間に介設
した接合剤7により光導波路チップ9と温度調節部品8
を直接接合する。接合剤7は例えば熱伝導性が高い接合
剤とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長多重光通信用
等の光通信に用いられる温度調節機能付きの光導波路部
品に関するものである。
等の光通信に用いられる温度調節機能付きの光導波路部
品に関するものである。
【0002】
【背景技術】近年、光通信においては、その伝送容量を
飛躍的に増加させる方法として、光波長多重通信の研究
開発が盛んに行なわれ、実用化が進んでいる。光波長多
重通信は、例えば互いに異なる波長を有する複数の光を
多重して伝送させるものであり、その多重数を増やすこ
とで1つの光ファイバの伝送容量を効率的に増加させる
ことが可能である。最近では100以上の波長を使用し
た波長多重通信システムが製品化されている。
飛躍的に増加させる方法として、光波長多重通信の研究
開発が盛んに行なわれ、実用化が進んでいる。光波長多
重通信は、例えば互いに異なる波長を有する複数の光を
多重して伝送させるものであり、その多重数を増やすこ
とで1つの光ファイバの伝送容量を効率的に増加させる
ことが可能である。最近では100以上の波長を使用し
た波長多重通信システムが製品化されている。
【0003】この波長多重通信において重要な役割を担
う光部品の1つに光波長合分波器がある。光波長合分波
器は光波長合波器と光波長分波器を総称したもので、多
くの光波長合波器と光波長分波器はもう一方の機能を併
せ持っている。
う光部品の1つに光波長合分波器がある。光波長合分波
器は光波長合波器と光波長分波器を総称したもので、多
くの光波長合波器と光波長分波器はもう一方の機能を併
せ持っている。
【0004】この光波長合分波器として実用化が進んで
いるものに、アレイ導波路型回折格子(AWG;Arr
ayed Waveguide Grating)があ
る。図6には、基板1上にアレイ導波路型回折格子の光
導波路回路を形成したアレイ導波路型回折格子チップの
例が示されている。なお、本明細書において、基板上に
光導波路回路が形成されている構成を光導波路チップと
呼び、この光導波路チップのうち、基板上にアレイ導波
路型回折格子の光導波路回路が形成されている構成をア
レイ導波路型回折格子チップと呼ぶ。
いるものに、アレイ導波路型回折格子(AWG;Arr
ayed Waveguide Grating)があ
る。図6には、基板1上にアレイ導波路型回折格子の光
導波路回路を形成したアレイ導波路型回折格子チップの
例が示されている。なお、本明細書において、基板上に
光導波路回路が形成されている構成を光導波路チップと
呼び、この光導波路チップのうち、基板上にアレイ導波
路型回折格子の光導波路回路が形成されている構成をア
レイ導波路型回折格子チップと呼ぶ。
【0005】アレイ導波路型回折格子の光導波路回路
は、1本以上の光入力導波路2と、該光入力導波路2の
出射側に接続された第1のスラブ導波路3と、該第1の
スラブ導波路3の出射側に接続されたアレイ導波路4
と、該アレイ導波路4の出射側に接続された第2のスラ
ブ導波路5と、該第2のスラブ導波路5の出射側に接続
されて複数並設された光出力導波路6を有している。
は、1本以上の光入力導波路2と、該光入力導波路2の
出射側に接続された第1のスラブ導波路3と、該第1の
スラブ導波路3の出射側に接続されたアレイ導波路4
と、該アレイ導波路4の出射側に接続された第2のスラ
ブ導波路5と、該第2のスラブ導波路5の出射側に接続
されて複数並設された光出力導波路6を有している。
【0006】前記アレイ導波路4は、第1のスラブ導波
路3から導出された光を伝搬するものであり、複数のチ
ャンネル導波路4aを並設して形成されており、隣り合
うチャンネル導波路4aの長さは互いに設定量(ΔL)
異なっている。上記光導波路回路を有する導波路形成領
域10は石英系ガラス材料により形成されている。
路3から導出された光を伝搬するものであり、複数のチ
ャンネル導波路4aを並設して形成されており、隣り合
うチャンネル導波路4aの長さは互いに設定量(ΔL)
異なっている。上記光導波路回路を有する導波路形成領
域10は石英系ガラス材料により形成されている。
【0007】なお、光出力導波路6は、例えばアレイ導
波路型回折格子によって分波あるいは合波される互いに
異なる波長の信号光の数に対応させて設けられるもので
あり、アレイ導波路4を構成するチャンネル導波路4a
は、通常、例えば100本といったように多数設けられ
るが、同図においては、図の簡略化のために、これらの
チャンネル導波路4a、光出力導波路6および光入力導
波路2の各々の本数を簡略的に示してある。
波路型回折格子によって分波あるいは合波される互いに
異なる波長の信号光の数に対応させて設けられるもので
あり、アレイ導波路4を構成するチャンネル導波路4a
は、通常、例えば100本といったように多数設けられ
るが、同図においては、図の簡略化のために、これらの
チャンネル導波路4a、光出力導波路6および光入力導
波路2の各々の本数を簡略的に示してある。
【0008】光入力導波路2には、例えば送信側の光フ
ァイバ(図示せず)が接続されて、波長多重光が導入さ
れるようになっており、光入力導波路2を通って第1の
スラブ導波路3に導入された光は、その回折効果によっ
て広がってアレイ導波路4に入射し、アレイ導波路4を
伝搬する。
ァイバ(図示せず)が接続されて、波長多重光が導入さ
れるようになっており、光入力導波路2を通って第1の
スラブ導波路3に導入された光は、その回折効果によっ
て広がってアレイ導波路4に入射し、アレイ導波路4を
伝搬する。
【0009】このアレイ導波路4を伝搬した光は、第2
のスラブ導波路5に達し、さらに、光出力導波路6に集
光されて出力されるが、アレイ導波路4の全てのチャン
ネル導波路4aの長さが互いに異なることから、アレイ
導波路4を伝搬した後に個々の光の位相にずれが生じ、
このずれ量に応じて集束光の波面が傾き、この傾き角度
により集光する位置が決まる。
のスラブ導波路5に達し、さらに、光出力導波路6に集
光されて出力されるが、アレイ導波路4の全てのチャン
ネル導波路4aの長さが互いに異なることから、アレイ
導波路4を伝搬した後に個々の光の位相にずれが生じ、
このずれ量に応じて集束光の波面が傾き、この傾き角度
により集光する位置が決まる。
【0010】なお、アレイ導波路型回折格子において、
アレイ導波路から第2のスラブ導波路に光が入射する際
に、光が集光する角度(回折角)をφとすると、この角
度φと集光する光の波長(光透過中心波長)λとの間に
は、次式(1)に示すような関係がある。
アレイ導波路から第2のスラブ導波路に光が入射する際
に、光が集光する角度(回折角)をφとすると、この角
度φと集光する光の波長(光透過中心波長)λとの間に
は、次式(1)に示すような関係がある。
【0011】
ns・d・sinφ+nc・ΔL=m・λ・・・・・(1)
【0012】nsは第1、第2のスラブ導波路の等価屈
折率、dはチャンネル導波路同士の、第1、第2のスラ
ブ導波路側の端部間隔、φは回折角、ncはアレイ導波
路の等価屈折率、ΔLは隣り合うアレイ導波路の長さの
差、mは回折次数をそれぞれ示す。
折率、dはチャンネル導波路同士の、第1、第2のスラ
ブ導波路側の端部間隔、φは回折角、ncはアレイ導波
路の等価屈折率、ΔLは隣り合うアレイ導波路の長さの
差、mは回折次数をそれぞれ示す。
【0013】ところで、一般に、石英等のガラス材料
は、温度によって屈折率が変化することから、温度によ
って導波路の屈折率ns、ncが変化し、式(1)にお
けるλとφの関係が変化する。そのため、温度が変化す
るとアレイ導波路型回折格子の合分波波長が変化する。
は、温度によって屈折率が変化することから、温度によ
って導波路の屈折率ns、ncが変化し、式(1)にお
けるλとφの関係が変化する。そのため、温度が変化す
るとアレイ導波路型回折格子の合分波波長が変化する。
【0014】この変化量はアレイ導波路型回折格子のよ
うに石英系の材料を用いた回路の場合、約0.01nm
/℃であり、通常、光通信に求められる動作温度範囲で
ある0℃〜70℃の温度範囲では、0.7nm以上の変
化量となることから、実用上無視できない大きさであ
る。
うに石英系の材料を用いた回路の場合、約0.01nm
/℃であり、通常、光通信に求められる動作温度範囲で
ある0℃〜70℃の温度範囲では、0.7nm以上の変
化量となることから、実用上無視できない大きさであ
る。
【0015】このため、アレイ導波路型回折格子を使用
する際には、光導波路チップとしてのアレイ導波路型回
折格子チップに温度調節部品を設けてアレイ導波路型回
折格子の温度を制御するようにしている。つまり、図7
に示すように、温度調節部品8とアレイ導波路型回折格
子チップの光導波路チップ9とを重ね合わせ、さらに、
光導波路チップ9の接合面と温度調節部品8の接合面間
に均熱板12を設けて光導波路部品を形成している。こ
の光導波路部品は、図8に示すように、パッケージ20
内に収容され、モジュール化される。
する際には、光導波路チップとしてのアレイ導波路型回
折格子チップに温度調節部品を設けてアレイ導波路型回
折格子の温度を制御するようにしている。つまり、図7
に示すように、温度調節部品8とアレイ導波路型回折格
子チップの光導波路チップ9とを重ね合わせ、さらに、
光導波路チップ9の接合面と温度調節部品8の接合面間
に均熱板12を設けて光導波路部品を形成している。こ
の光導波路部品は、図8に示すように、パッケージ20
内に収容され、モジュール化される。
【0016】上記温度調節部品8は、少なくとも発熱ま
たは吸熱の機能を有しており、図7、図8に示す例で
は、複数のペルチェ素子25を有するペルチェモジュー
ルにより形成されている。
たは吸熱の機能を有しており、図7、図8に示す例で
は、複数のペルチェ素子25を有するペルチェモジュー
ルにより形成されている。
【0017】ペルチェモジュールは、上基板23と下基
板24との間に、ペルチェ素子25を複数配列してい
る。上基板23と下基板24は一般にセラミック基板に
より形成されている。ペルチェ素子25は、P型および
N型の半導体から成り、これらのP型半導体とN型半導
体とが電気的に交互に接続されるように配列されてい
る。温度コントローラ(図示せず)によって、リード線
26を介してペルチェモジュールに通電を行なうと、P
型半導体とN型半導体に電流が流れ、吸熱および発熱反
応が得られる。
板24との間に、ペルチェ素子25を複数配列してい
る。上基板23と下基板24は一般にセラミック基板に
より形成されている。ペルチェ素子25は、P型および
N型の半導体から成り、これらのP型半導体とN型半導
体とが電気的に交互に接続されるように配列されてい
る。温度コントローラ(図示せず)によって、リード線
26を介してペルチェモジュールに通電を行なうと、P
型半導体とN型半導体に電流が流れ、吸熱および発熱反
応が得られる。
【0018】また、均熱板12は、銅やアルミニウムと
いった高熱伝導性を有する材料を主材料として作製され
た板であり、通常、熱伝導性の優れたシリコーンオイル
コンパウンド(シリコーングリース)等によって、均熱
板12と光導波路チップ9と温度調節部品8とが接合さ
れている。シリコーングリースの例としては、例えば東
レ・ダウコーニング(株)社製の製品名SC102等が
適用されている。
いった高熱伝導性を有する材料を主材料として作製され
た板であり、通常、熱伝導性の優れたシリコーンオイル
コンパウンド(シリコーングリース)等によって、均熱
板12と光導波路チップ9と温度調節部品8とが接合さ
れている。シリコーングリースの例としては、例えば東
レ・ダウコーニング(株)社製の製品名SC102等が
適用されている。
【0019】なお、光導波路チップ9の上面には、その
端部側にチップ上板19が接合され、端面研磨されてお
り、端面研磨された光ファイバアレイ21が光導波路チ
ップ9に接続されている。この接続により、光導波路チ
ップ9の光導波路(この場合、光入力導波路2と光出力
導波路6)が、それぞれ、光ファイバアレイ21の光フ
ァイバと光接続されている。
端部側にチップ上板19が接合され、端面研磨されてお
り、端面研磨された光ファイバアレイ21が光導波路チ
ップ9に接続されている。この接続により、光導波路チ
ップ9の光導波路(この場合、光入力導波路2と光出力
導波路6)が、それぞれ、光ファイバアレイ21の光フ
ァイバと光接続されている。
【0020】温度調節部品8は、図示されていないサー
ミスタや抵抗温度検出素子等の温度検出素子によって検
出される温度が予め定めた設定温度となるように、前記
温度コントローラにより調節を行なう。そうすると、均
熱板12による熱拡散によって、光導波路チップ9の温
度が全体に均一、かつ、一定になるように構成されてい
る。
ミスタや抵抗温度検出素子等の温度検出素子によって検
出される温度が予め定めた設定温度となるように、前記
温度コントローラにより調節を行なう。そうすると、均
熱板12による熱拡散によって、光導波路チップ9の温
度が全体に均一、かつ、一定になるように構成されてい
る。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、光導波路チップ9と温度調節部品8との間に均
熱板12を設ける構成は、温度調節部品8によって光導
波路チップ9と均熱板12の温度の両方を制御すること
になり、温度コントロールの際の消費電力が大きくなる
といった問題があった。
ように、光導波路チップ9と温度調節部品8との間に均
熱板12を設ける構成は、温度調節部品8によって光導
波路チップ9と均熱板12の温度の両方を制御すること
になり、温度コントロールの際の消費電力が大きくなる
といった問題があった。
【0022】また、一般に、アレイ導波路型回折格子等
の光導波路チップ9を筐体内に収容して成る光導波路モ
ジュールは、小型であることが要求され、特に、厚み方
向の大きさが小さいことが望まれているが、均熱板12
を用いると光導波路モジュールの厚みが大きくなってし
まうといった問題があった。例えば、光通信システム装
置に組み込まれる光導波路モジュールには、その厚み
(図8に示すA)を8.5mm以下とすることが要求さ
れているが、均熱板12を有する上記構成においてこの
厚みを満足させることは非常に困難である。
の光導波路チップ9を筐体内に収容して成る光導波路モ
ジュールは、小型であることが要求され、特に、厚み方
向の大きさが小さいことが望まれているが、均熱板12
を用いると光導波路モジュールの厚みが大きくなってし
まうといった問題があった。例えば、光通信システム装
置に組み込まれる光導波路モジュールには、その厚み
(図8に示すA)を8.5mm以下とすることが要求さ
れているが、均熱板12を有する上記構成においてこの
厚みを満足させることは非常に困難である。
【0023】さらに、均熱板12には高熱伝導性が要求
されることから、均熱板12を銅により形成することが
望ましいが、銅を用いた均熱板12は高価である。ま
た、銅の酸化を防止するためにニッケル等でメッキをす
る必要があることから、銅製の均熱板12を用いて形成
する光導波路モジュールは、その価格が高くなってしま
う。
されることから、均熱板12を銅により形成することが
望ましいが、銅を用いた均熱板12は高価である。ま
た、銅の酸化を防止するためにニッケル等でメッキをす
る必要があることから、銅製の均熱板12を用いて形成
する光導波路モジュールは、その価格が高くなってしま
う。
【0024】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、均熱板を用いずに、アレ
イ導波路型回折格子等の光導波路チップの温度制御を安
定して行なうことができる光導波路部品を提供すること
にある。
れたものであり、その目的は、均熱板を用いずに、アレ
イ導波路型回折格子等の光導波路チップの温度制御を安
定して行なうことができる光導波路部品を提供すること
にある。
【0025】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は次のような構成をもって課題を解決するた
めの手段としている。すなわち、第1の発明は、温度に
依存して光透過特性が変化する光導波路回路を基板上に
形成した光導波路チップと、該光導波路チップの温度調
節部品とを有し、該温度調節部品と前記光導波路チップ
とを重ね合わせて、前記光導波路チップの接合面と前記
温度調節部品の接合面間に介設した接合剤により前記光
導波路チップと前記温度調節部品を直接接合した構成を
もって課題を解決する手段としている。
に、本発明は次のような構成をもって課題を解決するた
めの手段としている。すなわち、第1の発明は、温度に
依存して光透過特性が変化する光導波路回路を基板上に
形成した光導波路チップと、該光導波路チップの温度調
節部品とを有し、該温度調節部品と前記光導波路チップ
とを重ね合わせて、前記光導波路チップの接合面と前記
温度調節部品の接合面間に介設した接合剤により前記光
導波路チップと前記温度調節部品を直接接合した構成を
もって課題を解決する手段としている。
【0026】また、第2の発明は、上記第1の発明の構
成に加え、前記接合剤は熱伝導率が0.4W/(m・
K)以上である構成をもって課題を解決する手段として
いる。
成に加え、前記接合剤は熱伝導率が0.4W/(m・
K)以上である構成をもって課題を解決する手段として
いる。
【0027】さらに、第3の発明は、上記第1または第
2の発明の構成に加え、前記接合剤はヤング率が2.0
×107Pa以下である構成をもって課題を解決する手
段としている。
2の発明の構成に加え、前記接合剤はヤング率が2.0
×107Pa以下である構成をもって課題を解決する手
段としている。
【0028】さらに、第4の発明は、上記第1または第
2または第3の発明の構成に加え、前記接合剤はシリコ
ーンを主成分とする接着剤である構成をもって課題を解
決する手段としている。
2または第3の発明の構成に加え、前記接合剤はシリコ
ーンを主成分とする接着剤である構成をもって課題を解
決する手段としている。
【0029】さらに、第5の発明は、上記第1乃至第4
のいずれか一つの発明の構成に加え、前記接合剤は厚み
の平均が0.1mm以上である構成をもって課題を解決
する手段としている。
のいずれか一つの発明の構成に加え、前記接合剤は厚み
の平均が0.1mm以上である構成をもって課題を解決
する手段としている。
【0030】さらに、第6の発明は、上記第1乃至第5
のいずれか一つの発明の構成に加え、前記温度調節部品
はペルチェ素子またはヒーター素子を有して形成されて
いる構成をもって課題を解決する手段としている。
のいずれか一つの発明の構成に加え、前記温度調節部品
はペルチェ素子またはヒーター素子を有して形成されて
いる構成をもって課題を解決する手段としている。
【0031】さらに、第7の発明は、上記第1乃至第6
のいずれか一つの発明の構成に加え、前記光導波路チッ
プの基板は熱伝導率が50W/(m・K)以上の材質に
より形成されている構成をもって課題を解決する手段と
している。
のいずれか一つの発明の構成に加え、前記光導波路チッ
プの基板は熱伝導率が50W/(m・K)以上の材質に
より形成されている構成をもって課題を解決する手段と
している。
【0032】さらに、第8の発明は、上記第7の発明の
構成に加え、前記光導波路チップの基板はシリコンであ
る構成をもって課題を解決する手段としている。
構成に加え、前記光導波路チップの基板はシリコンであ
る構成をもって課題を解決する手段としている。
【0033】さらに、第9の発明は、上記第1乃至第8
のいずれか一つの発明の構成に加え、前記光導波路チッ
プの光導波回路は、1本以上の光入力導波路と、該光入
力導波路の出射側に接続された第1のスラブ導波路と、
該第1のスラブ導波路の出射側に接続され、互いに設定
量異なる長さの複数並設されたチャネル導波路から成る
アレイ導波路と、該アレイ導波路の出射側に接続された
第2のスラブ導波路と、該第2のスラブ導波路の出射側
に複数並設接続された光出力導波路とを有するアレイ導
波路型回折格子の光導波回路である構成をもって課題を
解決する手段としている。
のいずれか一つの発明の構成に加え、前記光導波路チッ
プの光導波回路は、1本以上の光入力導波路と、該光入
力導波路の出射側に接続された第1のスラブ導波路と、
該第1のスラブ導波路の出射側に接続され、互いに設定
量異なる長さの複数並設されたチャネル導波路から成る
アレイ導波路と、該アレイ導波路の出射側に接続された
第2のスラブ導波路と、該第2のスラブ導波路の出射側
に複数並設接続された光出力導波路とを有するアレイ導
波路型回折格子の光導波回路である構成をもって課題を
解決する手段としている。
【0034】上記構成の本発明において、光導波路チッ
プと温度調節部品とは、接合剤を介して(均熱板を設け
ずに)直接接合されているので、均熱板を介して光導波
路チップと温度調節部品とを接合する場合のように、光
導波路部品の厚みが厚くなったり、温度コントロールの
際の消費電力が大きくなったり、光導波路部品が高価に
なったりすることを抑制できる。
プと温度調節部品とは、接合剤を介して(均熱板を設け
ずに)直接接合されているので、均熱板を介して光導波
路チップと温度調節部品とを接合する場合のように、光
導波路部品の厚みが厚くなったり、温度コントロールの
際の消費電力が大きくなったり、光導波路部品が高価に
なったりすることを抑制できる。
【0035】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。なお、本実施形態例の説明におい
て、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重
複説明は省略する。図1には、本発明に係る光導波路部
品の一実施形態例の要部構成が断面図により示されてい
る。
に基づいて説明する。なお、本実施形態例の説明におい
て、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重
複説明は省略する。図1には、本発明に係る光導波路部
品の一実施形態例の要部構成が断面図により示されてい
る。
【0036】本実施形態例の光導波路部品も、図7、図
8に示した従来の光導波路部品と同様に、アレイ導波路
型回折格子の光導波路回路を有する光導波路チップ9と
ペルチェモジュールの温度調節部品8を有している。本
実施形態例は、光導波路チップ9と温度調節部品8とを
重ね合わせて、光導波路チップ9の接合面と温度調節部
品8の接合面間に介設した接合剤7により光導波路チッ
プ9と温度調節部品8を直接接合したことを特徴として
いる。
8に示した従来の光導波路部品と同様に、アレイ導波路
型回折格子の光導波路回路を有する光導波路チップ9と
ペルチェモジュールの温度調節部品8を有している。本
実施形態例は、光導波路チップ9と温度調節部品8とを
重ね合わせて、光導波路チップ9の接合面と温度調節部
品8の接合面間に介設した接合剤7により光導波路チッ
プ9と温度調節部品8を直接接合したことを特徴として
いる。
【0037】なお、本実施形態例においても、図1に示
す構成は、必要に応じて、適宜のパッケージに収容さ
れ、モジュール化される。また、本実施形態例におい
て、温度調節部品8は従来例と同様のペルチェモジュー
ルである。光導波路チップ9の基板1は、熱伝導率が5
0W/(m・K)以上の材質である単結晶のシリコンに
より形成されており、基板1の厚みは1mmである。
す構成は、必要に応じて、適宜のパッケージに収容さ
れ、モジュール化される。また、本実施形態例におい
て、温度調節部品8は従来例と同様のペルチェモジュー
ルである。光導波路チップ9の基板1は、熱伝導率が5
0W/(m・K)以上の材質である単結晶のシリコンに
より形成されており、基板1の厚みは1mmである。
【0038】なお、シリコンの熱伝導率は125.6m
W/(m・K)であり、この値は、ガラスの熱伝導率の
値1.2W/(m・K)に比べて100倍以上と非常に
高く、鉄の熱伝導率の値355.9mW/(m・K)や
半田の熱伝導率の値33.5mW/(m・K)よりも高
い。
W/(m・K)であり、この値は、ガラスの熱伝導率の
値1.2W/(m・K)に比べて100倍以上と非常に
高く、鉄の熱伝導率の値355.9mW/(m・K)や
半田の熱伝導率の値33.5mW/(m・K)よりも高
い。
【0039】また、シリコンの熱伝導率の値は、均熱板
12として使用される銅の熱伝導率の値335.9mW
/(m・K)やアルミニウムの熱伝導率234.5mW
/(m・K)と比べても、2〜3分の1程度である。こ
のように、シリコンの熱伝導率は非常に良好であるの
で、シリコンを基板1として用いることは光導波路チッ
プ9の温度をほぼ均一に保つために有効である。
12として使用される銅の熱伝導率の値335.9mW
/(m・K)やアルミニウムの熱伝導率234.5mW
/(m・K)と比べても、2〜3分の1程度である。こ
のように、シリコンの熱伝導率は非常に良好であるの
で、シリコンを基板1として用いることは光導波路チッ
プ9の温度をほぼ均一に保つために有効である。
【0040】前記接合剤7は、熱伝導性に優れたシリコ
ーンを主成分とし、かつ、弾性を有する接着剤のシリコ
ーンRTV(シリコーン室温加硫ゴム)である。接合剤
7は、東レ・ダウコーニング(株)の製品名SE448
6としており、この接合剤7の熱伝導率は0.84W/
(m・K)、ヤング率は0.6×107Paである。ま
た、本実施形態例において、接合剤7の厚みの平均は
0.33mmであり、接合剤7は、温度調節部品8の上
面のほぼ全領域に設けられている。
ーンを主成分とし、かつ、弾性を有する接着剤のシリコ
ーンRTV(シリコーン室温加硫ゴム)である。接合剤
7は、東レ・ダウコーニング(株)の製品名SE448
6としており、この接合剤7の熱伝導率は0.84W/
(m・K)、ヤング率は0.6×107Paである。ま
た、本実施形態例において、接合剤7の厚みの平均は
0.33mmであり、接合剤7は、温度調節部品8の上
面のほぼ全領域に設けられている。
【0041】接合剤7の適用例として、この他に、例え
ば東レ・ダウコーニング(株)のSEシリーズ(SE4
400、SE4410、SE4420、SE4422、
SE4440、SE4450、SE9184)等の熱伝
導性シリコーンRTVがある。これらの熱伝導性RTV
の熱伝導率は、いずれも、0.75W/(m・K)〜
1.05W/(m・K)であり、一般的なシリコーンR
TVの熱伝導率(0.17W/(m・K)〜0.33W
/(m・K))の数倍である。
ば東レ・ダウコーニング(株)のSEシリーズ(SE4
400、SE4410、SE4420、SE4422、
SE4440、SE4450、SE9184)等の熱伝
導性シリコーンRTVがある。これらの熱伝導性RTV
の熱伝導率は、いずれも、0.75W/(m・K)〜
1.05W/(m・K)であり、一般的なシリコーンR
TVの熱伝導率(0.17W/(m・K)〜0.33W
/(m・K))の数倍である。
【0042】ところで、本実施形態例の光導波路部品に
適用している温度調節部品8はペルチェモジュールであ
り、ペルチェモジュールは、前記の如く、該ペルチェモ
ジュールへの通電により、吸熱反応および発熱反応を得
るものである。ペルチェモジュールはその動作時に、上
基板23と下基板24のいずれか一方が吸熱面となり、
その反対の基板が発熱面となる。
適用している温度調節部品8はペルチェモジュールであ
り、ペルチェモジュールは、前記の如く、該ペルチェモ
ジュールへの通電により、吸熱反応および発熱反応を得
るものである。ペルチェモジュールはその動作時に、上
基板23と下基板24のいずれか一方が吸熱面となり、
その反対の基板が発熱面となる。
【0043】したがって、ペルチェモジュールを動作さ
せると、上基板23と下基板24の温度差が大きく変化
し、上基板23と下基板24は、その熱収縮により反り
が生じる。また、その反り量は、上基板23と下基板2
4の温度差により変化する。
せると、上基板23と下基板24の温度差が大きく変化
し、上基板23と下基板24は、その熱収縮により反り
が生じる。また、その反り量は、上基板23と下基板2
4の温度差により変化する。
【0044】例えば、図5には、ペルチェモジュールの
反りの温度依存性が示されている。同図は、ペルチェモ
ジュールを放熱フィンの上に配置し、上基板23の表面
温度が設定温度となるように温度コントローラにより通
電したときの、ペルチェモジュールの反りを表面粗さ計
により測定した結果である。同図の(a)、(b)、
(c)は、上記設定温度を、それぞれ、0℃、20℃、
70℃としたときの測定結果であり、測定長さはいずれ
も14mmである。
反りの温度依存性が示されている。同図は、ペルチェモ
ジュールを放熱フィンの上に配置し、上基板23の表面
温度が設定温度となるように温度コントローラにより通
電したときの、ペルチェモジュールの反りを表面粗さ計
により測定した結果である。同図の(a)、(b)、
(c)は、上記設定温度を、それぞれ、0℃、20℃、
70℃としたときの測定結果であり、測定長さはいずれ
も14mmである。
【0045】図5の(a)に示すように、上基板23の
表面温度が0℃の時には凹型に約2μm反っており、同
図の(c)に示すように、上基板23の表面温度が70
℃の時には凸型に約1μm反っていることが分かる。
表面温度が0℃の時には凹型に約2μm反っており、同
図の(c)に示すように、上基板23の表面温度が70
℃の時には凸型に約1μm反っていることが分かる。
【0046】これは、上基板23の表面温度が0℃の時
には下基板24が高温になるため、熱収縮の関係で、上
基板23が縮み、下基板24が伸びるため、凹型に反
り、また、上基板23の表面温度が70℃の時には下基
板24が低温になるため、熱収縮の関係で、上基板23
が伸び、下基板24が縮むため凸型に反るということを
意味している。また、0℃と70℃との反りの差は約3
μmとなる。
には下基板24が高温になるため、熱収縮の関係で、上
基板23が縮み、下基板24が伸びるため、凹型に反
り、また、上基板23の表面温度が70℃の時には下基
板24が低温になるため、熱収縮の関係で、上基板23
が伸び、下基板24が縮むため凸型に反るということを
意味している。また、0℃と70℃との反りの差は約3
μmとなる。
【0047】この反りの変化については、外部雰囲気を
一定(例えば室温)にした状態で、ペルチェモジュール
の表面温度を変化させたときの反りの変化にも当てはま
る。すなわち、例えばペルチェモジュールの上基板23
の表面温度を40℃と一定にした状態で、外部の温度が
70℃となると、ペルチェモジュールの上基板23の表
面は吸熱面となることから、発熱面となる下基板24よ
り温度が下がり、凹型に反りが生じる。
一定(例えば室温)にした状態で、ペルチェモジュール
の表面温度を変化させたときの反りの変化にも当てはま
る。すなわち、例えばペルチェモジュールの上基板23
の表面温度を40℃と一定にした状態で、外部の温度が
70℃となると、ペルチェモジュールの上基板23の表
面は吸熱面となることから、発熱面となる下基板24よ
り温度が下がり、凹型に反りが生じる。
【0048】また、その逆に、例えばペルチェモジュー
ルの上基板23の表面温度を40℃と一定にした状態
で、外部の温度が0℃となると、ペルチェモジュールの
上基板23の表面は発熱面となることから、吸熱面とな
る下基板24より温度が上がり、凸型に反りが生じる。
ルの上基板23の表面温度を40℃と一定にした状態
で、外部の温度が0℃となると、ペルチェモジュールの
上基板23の表面は発熱面となることから、吸熱面とな
る下基板24より温度が上がり、凸型に反りが生じる。
【0049】そして、ペルチェモジュールに光導波路チ
ップ9が貼り付けられていると、上記のようにペルチェ
モジュールが反れば、その反りが光導波路チップ9に伝
わり、光導波路チップ9にも反りが生じることになる。
ップ9が貼り付けられていると、上記のようにペルチェ
モジュールが反れば、その反りが光導波路チップ9に伝
わり、光導波路チップ9にも反りが生じることになる。
【0050】なお、温度調節部品8として、ヒーター素
子を有するものを適用した場合も、温度調節部品8と光
導波路チップ9との熱膨張係数の差に起因してバイメタ
ル効果が生じ、反りが生じる。
子を有するものを適用した場合も、温度調節部品8と光
導波路チップ9との熱膨張係数の差に起因してバイメタ
ル効果が生じ、反りが生じる。
【0051】光導波路の屈折率は、光導波路に加えられ
る応力によっても変化するため、光導波路チップ9に反
りが生じると、光導波路チップ9の温度をせっかく一定
に保っても、次式(2)に示す屈折率nが変化して、前
記式(1)に示した波長λが変化する。そうなると、光
導波路チップ9の形成されているアレイ導波路型回折格
子等の光導波路回路において、各光出力導波路6から出
力される光の光透過中心波長が変化してしまう。
る応力によっても変化するため、光導波路チップ9に反
りが生じると、光導波路チップ9の温度をせっかく一定
に保っても、次式(2)に示す屈折率nが変化して、前
記式(1)に示した波長λが変化する。そうなると、光
導波路チップ9の形成されているアレイ導波路型回折格
子等の光導波路回路において、各光出力導波路6から出
力される光の光透過中心波長が変化してしまう。
【0052】n=C・σ・・・・・(2)
【0053】なお、式(2)において、nは光導波路の
屈折率、Cは光導波路の光弾性定数、σは光導波路に与
えられる応力である。ここで、光導波路に与えられる応
力が圧縮応力の場合、σの値は+(プラス)となり、光
導波路に与えられる応力が引っ張り応力の場合、σの値
は−(マイナス)となる。また、石英系ガラス材料から
成る光導波路の光弾性定数Cの値はマイナスの値とな
る。
屈折率、Cは光導波路の光弾性定数、σは光導波路に与
えられる応力である。ここで、光導波路に与えられる応
力が圧縮応力の場合、σの値は+(プラス)となり、光
導波路に与えられる応力が引っ張り応力の場合、σの値
は−(マイナス)となる。また、石英系ガラス材料から
成る光導波路の光弾性定数Cの値はマイナスの値とな
る。
【0054】したがって、光導波路に圧縮応力が加えら
れると、式(2)に示す関係から光導波路の屈折率は小
さくなり、式光透過中心波長は、式(1)に示す関係か
ら短波長側にシフトする。また、その逆に、光導波路に
引っ張り応力が加えられると、式(2)に示す関係から
光導波路の屈折率は大きくなり、式光透過中心波長は、
式(1)に示す関係から長波長側にシフトする。
れると、式(2)に示す関係から光導波路の屈折率は小
さくなり、式光透過中心波長は、式(1)に示す関係か
ら短波長側にシフトする。また、その逆に、光導波路に
引っ張り応力が加えられると、式(2)に示す関係から
光導波路の屈折率は大きくなり、式光透過中心波長は、
式(1)に示す関係から長波長側にシフトする。
【0055】このように、温度調節部品8の反りの影響
を受けて光導波路チップ9の光透過中心波長が変化する
ことは、実用上問題となるので、この反りを抑制するた
めに、本発明者は、熱伝導性シリコーンRTVの接合剤
7のゴムとしての性質に着目した。
を受けて光導波路チップ9の光透過中心波長が変化する
ことは、実用上問題となるので、この反りを抑制するた
めに、本発明者は、熱伝導性シリコーンRTVの接合剤
7のゴムとしての性質に着目した。
【0056】そして、100GHz間隔の16dhで光
を合分波する機能を有するアレイ導波路型回折格子の光
導波路回路を光導波路チップ9に形成し、図1に示す接
合剤7の厚みtを、図3に示すように、0から0.5m
mまで変化させたときのアレイ導波路型回折格子の光透
過中心波長変動を求めた。この検討は、光導波路チップ
9の温度を40℃に制御しながら環境温度が20℃から
70℃に変化させて行なった。なお、図3の特性線aは
実験結果から予想される回帰曲線、特性線aを挟む両側
の破線は、そのばらつきの範囲を示す。
を合分波する機能を有するアレイ導波路型回折格子の光
導波路回路を光導波路チップ9に形成し、図1に示す接
合剤7の厚みtを、図3に示すように、0から0.5m
mまで変化させたときのアレイ導波路型回折格子の光透
過中心波長変動を求めた。この検討は、光導波路チップ
9の温度を40℃に制御しながら環境温度が20℃から
70℃に変化させて行なった。なお、図3の特性線aは
実験結果から予想される回帰曲線、特性線aを挟む両側
の破線は、そのばらつきの範囲を示す。
【0057】その結果、図3に示すように、接合剤7の
厚みが厚くなるにしたがって、光透過中心波長の変動量
の絶対値が減少し、接合剤7の厚みが0.33mmの時
に光透過中心波長変動量が0となった。そこで、本実施
形態例では、上記のように、接合剤7の厚みを0.33
mmとした。
厚みが厚くなるにしたがって、光透過中心波長の変動量
の絶対値が減少し、接合剤7の厚みが0.33mmの時
に光透過中心波長変動量が0となった。そこで、本実施
形態例では、上記のように、接合剤7の厚みを0.33
mmとした。
【0058】なお、接合剤7の厚みを大きくしすぎる
と、温度調節部品8から光導波路チップ9への熱伝導性
が劣化し、光導波路チップ9の温度を所望の温度に制御
できなくなり、それにより、光透過中心波長が長波長側
にシフトしてしまうと考えられる。
と、温度調節部品8から光導波路チップ9への熱伝導性
が劣化し、光導波路チップ9の温度を所望の温度に制御
できなくなり、それにより、光透過中心波長が長波長側
にシフトしてしまうと考えられる。
【0059】本実施形態例は以上のように構成されてお
り、光導波路チップ9と温度調節部品8とは、接合剤7
を介して、均熱板12を設けずに直接接合されているの
で、均熱板を介して光導波路チップ9と温度調節部品8
とを接合する従来例のように、光導波路部品の厚みが厚
くなることを抑制できし、温度コントロールの際の消費
電力が大きくなったり、光導波路部品が高価になったり
することを抑制でき、温度調節部品8によって光導波路
チップ9の温度を正確に制御することができる。
り、光導波路チップ9と温度調節部品8とは、接合剤7
を介して、均熱板12を設けずに直接接合されているの
で、均熱板を介して光導波路チップ9と温度調節部品8
とを接合する従来例のように、光導波路部品の厚みが厚
くなることを抑制できし、温度コントロールの際の消費
電力が大きくなったり、光導波路部品が高価になったり
することを抑制でき、温度調節部品8によって光導波路
チップ9の温度を正確に制御することができる。
【0060】なお、本実施形態例の光導波路部品を図8
に示すようなパッケージ20内に収容してモジュール化
した場合、その厚み(図8のAに対応する部分の厚み)
は8.5mm以下となる。
に示すようなパッケージ20内に収容してモジュール化
した場合、その厚み(図8のAに対応する部分の厚み)
は8.5mm以下となる。
【0061】また、本実施形態例では、接合剤7を高弾
性の熱伝導性シリコーンRTVにより形成し、その厚み
を図3に示した検討結果に基づいて的確に定めたもので
あるから、光導波路チップ9が温度調節部品8の反りの
影響を受けることを抑制し、光導波路チップ9の光透過
中心波長を設定波長にすることができる。
性の熱伝導性シリコーンRTVにより形成し、その厚み
を図3に示した検討結果に基づいて的確に定めたもので
あるから、光導波路チップ9が温度調節部品8の反りの
影響を受けることを抑制し、光導波路チップ9の光透過
中心波長を設定波長にすることができる。
【0062】さらに、本実施形態例では、接合剤7を熱
伝導性シリコーンRTVの接着剤により形成しているの
で、従来のようにシリコーンオイルコンパウンドによっ
て、光導波路チップ9と均熱板12と温度調節部品8を
接合していた場合のように、光導波路チップ9と温度調
節部品8とがはがれたり位置ずれしたりすることを抑制
でき、安定した動作を実現することができる。
伝導性シリコーンRTVの接着剤により形成しているの
で、従来のようにシリコーンオイルコンパウンドによっ
て、光導波路チップ9と均熱板12と温度調節部品8を
接合していた場合のように、光導波路チップ9と温度調
節部品8とがはがれたり位置ずれしたりすることを抑制
でき、安定した動作を実現することができる。
【0063】なお、本発明は上記実施形態例に限定され
るものでなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、
上記実施形態例では、接合剤7は、東レ・ダウコーニン
グ(株)のSE4486としたが、接合剤7は上記した
東レ・ダウコーニング(株)のSEシリーズ等の様々な
シリコーンRTVを適用することができる。
るものでなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、
上記実施形態例では、接合剤7は、東レ・ダウコーニン
グ(株)のSE4486としたが、接合剤7は上記した
東レ・ダウコーニング(株)のSEシリーズ等の様々な
シリコーンRTVを適用することができる。
【0064】また、接合剤7は、シリコーンRTV以外
の接合剤としてもよく、例えば熱伝導率が0.4W/
(m・K)以上の接合剤を用いることにより、温度調節
部品8による光導波路チップ9の温度制御を良好に行な
うことができる。また、接合剤7は、ヤング率が2.0
×107Pa以下である構成を有していれば、上記実施
形態例のように、接合剤7の厚みを適宜設定することに
より、温度調節部品8の反りの影響を抑制できるので、
好適である。
の接合剤としてもよく、例えば熱伝導率が0.4W/
(m・K)以上の接合剤を用いることにより、温度調節
部品8による光導波路チップ9の温度制御を良好に行な
うことができる。また、接合剤7は、ヤング率が2.0
×107Pa以下である構成を有していれば、上記実施
形態例のように、接合剤7の厚みを適宜設定することに
より、温度調節部品8の反りの影響を抑制できるので、
好適である。
【0065】また、接合剤7は、シリコーンを主成分と
する接着剤である構成とすると、光導波路チップ9と温
度調節部品8との位置ずれやはがれ等を抑制することが
でき、好適である。
する接着剤である構成とすると、光導波路チップ9と温
度調節部品8との位置ずれやはがれ等を抑制することが
でき、好適である。
【0066】さらに、上記実施形態例では、接合剤7は
厚みの平均が約0.33mmとなるようにしたが、接合
剤7の厚みの平均は必ずしも約0.33mmとするとは
限らない。例えば上記実施形態例に適用した接合剤7を
適用し、接合剤7の厚みの平均を0.1mm以上とする
ことにより、アレイ導波路型回折格子の光透過中心波長
の変動量を0.05nm以下にできる。このように、接
合剤7の厚みは適宜設定されるものである。
厚みの平均が約0.33mmとなるようにしたが、接合
剤7の厚みの平均は必ずしも約0.33mmとするとは
限らない。例えば上記実施形態例に適用した接合剤7を
適用し、接合剤7の厚みの平均を0.1mm以上とする
ことにより、アレイ導波路型回折格子の光透過中心波長
の変動量を0.05nm以下にできる。このように、接
合剤7の厚みは適宜設定されるものである。
【0067】さらに、上記実施形態例では、接合剤7は
温度調節部品8の上面のほぼ全領域に設けたが、接合剤
7の配設領域は温度調節部品8の上面の面積より小さく
てもよいし、大きくてもよく、光導波路チップ9の基板
1側全領域に設けてもよい。
温度調節部品8の上面のほぼ全領域に設けたが、接合剤
7の配設領域は温度調節部品8の上面の面積より小さく
てもよいし、大きくてもよく、光導波路チップ9の基板
1側全領域に設けてもよい。
【0068】さらに、接合剤7は、シリコーンコンパウ
ンドとしてもよい。接合剤7をシリコーンコンパウンド
とする場合は、例えば図4の(a)に示すように、光導
波路チップ9と温度調節部品8の固定用の接着剤27を
設けると、光導波路チップ9と温度調節部品8の位置を
固定することができ、安定した動作を実現できる。
ンドとしてもよい。接合剤7をシリコーンコンパウンド
とする場合は、例えば図4の(a)に示すように、光導
波路チップ9と温度調節部品8の固定用の接着剤27を
設けると、光導波路チップ9と温度調節部品8の位置を
固定することができ、安定した動作を実現できる。
【0069】また、この場合、固定用の接着剤27を、
上記実施形態例で適用した接合剤7のような弾性を有す
る接着剤とすることにより、温度調節部品8の反りが光
導波路チップ9に伝達することを抑制でき、上記実施形
態例と同様の効果を奏することができる。
上記実施形態例で適用した接合剤7のような弾性を有す
る接着剤とすることにより、温度調節部品8の反りが光
導波路チップ9に伝達することを抑制でき、上記実施形
態例と同様の効果を奏することができる。
【0070】さらに、上記実施形態例では、光導波路チ
ップ9をアレイ導波路型回折格子チップとしたが、光導
波路チップ9はアレイ導波路型回折格子チップに限定さ
れるものではなく適宜設定されるものであり、本発明
は、例えば周知のマッハツェンダ回路を用いた光導波路
回路等、温度に依存して光透過特性が変化する光導波路
回路を有する光導波路チップ9を適用して形成すること
ができる。
ップ9をアレイ導波路型回折格子チップとしたが、光導
波路チップ9はアレイ導波路型回折格子チップに限定さ
れるものではなく適宜設定されるものであり、本発明
は、例えば周知のマッハツェンダ回路を用いた光導波路
回路等、温度に依存して光透過特性が変化する光導波路
回路を有する光導波路チップ9を適用して形成すること
ができる。
【0071】なお、図4の(b)には、上記マッハツェ
ンダ回路の一例が平面図により示されており、この図に
示すように、マッハツェンダ回路は、例えば2本の光導
波路14,15を並設し、光導波路14,15を近接さ
せた複数の方向性結合部16,17を光導波路14,1
5の長手方向に間隔を介して形成される。
ンダ回路の一例が平面図により示されており、この図に
示すように、マッハツェンダ回路は、例えば2本の光導
波路14,15を並設し、光導波路14,15を近接さ
せた複数の方向性結合部16,17を光導波路14,1
5の長手方向に間隔を介して形成される。
【0072】さらに、上記実施形態例では、光導波路チ
ップ9の基板1側に温度調節部品8を接合したが、光導
波路チップ9の光導波路回路形成領域側に温度調節部品
8を接合してもよい。
ップ9の基板1側に温度調節部品8を接合したが、光導
波路チップ9の光導波路回路形成領域側に温度調節部品
8を接合してもよい。
【0073】さらに、上記実施形態例では、光導波路チ
ップ9の基板1をシリコンとしたが、光導波路チップ9
の基板1は、シリコン以外の基板としてもよい。ただ
し、基板1をシリコン等、熱伝導率が50W/(m・
K)以上の材質により形成すると、上記実施形態例のよ
うに基板1側に温度調節部品8を設ける場合に、温度調
節部品8による光導波路チップ9の温度制御をより一層
良好に行なうことができる。
ップ9の基板1をシリコンとしたが、光導波路チップ9
の基板1は、シリコン以外の基板としてもよい。ただ
し、基板1をシリコン等、熱伝導率が50W/(m・
K)以上の材質により形成すると、上記実施形態例のよ
うに基板1側に温度調節部品8を設ける場合に、温度調
節部品8による光導波路チップ9の温度制御をより一層
良好に行なうことができる。
【0074】さらに、上記実施形態例では、温度調節部
品8をペルチェモジュールとしたが、本発明に適用する
温度調節部品8は特に限定されるものでなく適宜設定さ
れるものであり、ヒーター素子等を有する構成としても
よい。
品8をペルチェモジュールとしたが、本発明に適用する
温度調節部品8は特に限定されるものでなく適宜設定さ
れるものであり、ヒーター素子等を有する構成としても
よい。
【0075】
【発明の効果】本発明によれば、光導波路チップと温度
調節部品とを、接合剤を介して直接接合したので、均熱
板を介して光導波路チップと温度調節部品とを接合する
場合のように、光導波路部品の厚みが厚くなったり、温
度コントロールの際の消費電力が大きくなったり、光導
波路部品が高価になったりすることを抑制できる。
調節部品とを、接合剤を介して直接接合したので、均熱
板を介して光導波路チップと温度調節部品とを接合する
場合のように、光導波路部品の厚みが厚くなったり、温
度コントロールの際の消費電力が大きくなったり、光導
波路部品が高価になったりすることを抑制できる。
【0076】また、本発明において、接合剤は熱伝導率
が0.4W/(m・K)以上である構成によれば、温度
調節部品と光導波路チップとの熱伝導を良好にできるの
で、温度調節部品による光導波路チップの温度制御を非
常に良好に行なうことができる。
が0.4W/(m・K)以上である構成によれば、温度
調節部品と光導波路チップとの熱伝導を良好にできるの
で、温度調節部品による光導波路チップの温度制御を非
常に良好に行なうことができる。
【0077】さらに、本発明において、接合剤はヤング
率が2.0×107Pa以下である構成によれば、たと
え温度調節部品が動作時に反ったとしても、その反りが
光導波路チップに影響を与えることを抑制できる。
率が2.0×107Pa以下である構成によれば、たと
え温度調節部品が動作時に反ったとしても、その反りが
光導波路チップに影響を与えることを抑制できる。
【0078】さらに、本発明において、接合剤はシリコ
ーンを主成分とする接着剤である構成によれば、温度調
節部品と光導波路チップとの位置ずれを抑制でき、か
つ、温度調節部品と光導波路チップとの熱伝導を良好に
できるので、温度調節部品による光導波路チップの温度
制御をより一層良好に行なうことができる。
ーンを主成分とする接着剤である構成によれば、温度調
節部品と光導波路チップとの位置ずれを抑制でき、か
つ、温度調節部品と光導波路チップとの熱伝導を良好に
できるので、温度調節部品による光導波路チップの温度
制御をより一層良好に行なうことができる。
【0079】さらに、本発明において、接合剤は厚みの
平均が0.1mm以上である構成によれば、たとえ温度
調節部品が動作時に反ったとしても、その反りが光導波
路チップに影響を与えることをより一層確実に抑制で
き、光導波路チップの光導波路回路の比価値は変動を抑
制できる。
平均が0.1mm以上である構成によれば、たとえ温度
調節部品が動作時に反ったとしても、その反りが光導波
路チップに影響を与えることをより一層確実に抑制で
き、光導波路チップの光導波路回路の比価値は変動を抑
制できる。
【0080】さらに、本発明において、温度調節部品は
ペルチェ素子またはヒーター素子を有して形成されてい
る構成によれば、小型の素子を用いて温度調節部品を構
成でき、良好な温度調節動作を行なうことができる。
ペルチェ素子またはヒーター素子を有して形成されてい
る構成によれば、小型の素子を用いて温度調節部品を構
成でき、良好な温度調節動作を行なうことができる。
【0081】さらに、本発明において、光導波路チップ
の基板は熱伝導率が50W/(m・K)以上の材質によ
り形成されている構成によれば、光導波路チップの基板
側に温度調節部品を設けることにより、温度調節部品と
光導波路チップとの熱伝導を良好に行なうことができ
る。
の基板は熱伝導率が50W/(m・K)以上の材質によ
り形成されている構成によれば、光導波路チップの基板
側に温度調節部品を設けることにより、温度調節部品と
光導波路チップとの熱伝導を良好に行なうことができ
る。
【0082】さらに、本発明において、光導波路チップ
の基板はシリコンである構成によれば、光導波路チップ
の基板側に温度調節部品を設けることにより、温度調節
部品と光導波路チップとの熱伝導を良好に行なうことが
できるし、シリコン基板を用いて容易に光導波路チップ
を形成することができる。
の基板はシリコンである構成によれば、光導波路チップ
の基板側に温度調節部品を設けることにより、温度調節
部品と光導波路チップとの熱伝導を良好に行なうことが
できるし、シリコン基板を用いて容易に光導波路チップ
を形成することができる。
【0083】さらに、本発明において、光導波路チップ
の光導波回路はアレイ導波路型回折格子の光導波回路で
ある構成によれば、アレイ導波路型回折格子の光透過中
心波長を温度によらず一定に保つことができ、波長分割
多重伝送用に好適な光導波路部品を実現することができ
る。
の光導波回路はアレイ導波路型回折格子の光導波回路で
ある構成によれば、アレイ導波路型回折格子の光透過中
心波長を温度によらず一定に保つことができ、波長分割
多重伝送用に好適な光導波路部品を実現することができ
る。
【図1】本発明に係る光導波路部品の一実施形態例を示
す要部構成図である。
す要部構成図である。
【図2】上記実施形態例の作製方法を模式的に示す説明
図である。
図である。
【図3】光導波路チップと温度調節部品との間に介設す
る接合剤の厚みと光導波路チップの光透過中心波長変動
との関係を示すグラフである。
る接合剤の厚みと光導波路チップの光透過中心波長変動
との関係を示すグラフである。
【図4】本発明に係る光導波路部品の他の実施形態例を
示す要部構成図(a)と、発明に係る光導波路部品の他
の実施形態例に適用される光導波路回路例を示す平面説
明図(b)である。
示す要部構成図(a)と、発明に係る光導波路部品の他
の実施形態例に適用される光導波路回路例を示す平面説
明図(b)である。
【図5】ペルチェモジュールの温度に依存した反り状態
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図6】アレイ導波路型回折格子を示す説明図である。
【図7】従来の光導波路部品を分解状態で示す説明図で
ある。
ある。
【図8】従来の光導波路部品を示す断面図である。
1 基板
2 光入力導波路
3 第1のスラブ導波路
4 アレイ導波路
4a チャンネル導波路
5 第2のスラブ導波路
6 光出力導波路
7 接合剤
8 温度調節部品
9 光導波路チップ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 渡辺 智浩
東京都千代田区丸の内2丁目6番1号 古
河電気工業株式会社内
(72)発明者 太田 寿彦
東京都千代田区丸の内2丁目6番1号 古
河電気工業株式会社内
Fターム(参考) 2H047 KA03 KA12 LA19 MA05 QA07
TA11
Claims (9)
- 【請求項1】 温度に依存して光透過特性が変化する光
導波路回路を基板上に形成した光導波路チップと、該光
導波路チップの温度調節部品とを有し、該温度調節部品
と前記光導波路チップとを重ね合わせて、前記光導波路
チップの接合面と前記温度調節部品の接合面間に介設し
た接合剤により前記光導波路チップと前記温度調節部品
を直接接合したことを特徴とする光導波路部品。 - 【請求項2】 接合剤は熱伝導率が0.4W/(m・
K)以上であることを特徴とする請求項1記載の光導波
路部品。 - 【請求項3】 接合剤はヤング率が2.0×107Pa
以下であることを特徴とする請求項1または請求項2記
載の光導波路部品。 - 【請求項4】 接合剤はシリコーンを主成分とする接着
剤であることを特徴とする請求項1または請求項2また
は請求項3記載の光導波路部品。 - 【請求項5】 接合剤は厚みの平均が0.1mm以上で
あることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか
一つに記載の光導波路部品。 - 【請求項6】 温度調節部品はペルチェ素子またはヒー
ター素子を有して形成されていることを特徴とする請求
項1乃至請求項5のいずれか一つに記載の光導波路部
品。 - 【請求項7】 光導波路チップの基板は熱伝導率が50
W/(m・K)以上の材質により形成されていることを
特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一つに記載
の光導波路部品。 - 【請求項8】 光導波路チップの基板はシリコンである
ことを特徴とする請求項7記載の光導波路部品。 - 【請求項9】 光導波路チップの光導波回路は、1本以
上の光入力導波路と、該光入力導波路の出射側に接続さ
れた第1のスラブ導波路と、該第1のスラブ導波路の出
射側に接続され、互いに設定量異なる長さの複数並設さ
れたチャネル導波路から成るアレイ導波路と、該アレイ
導波路の出射側に接続された第2のスラブ導波路と、該
第2のスラブ導波路の出射側に複数並設接続された光出
力導波路とを有するアレイ導波路型回折格子の光導波回
路であることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいず
れか一つに記載の光導波路部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001239338A JP2003050326A (ja) | 2001-08-07 | 2001-08-07 | 光導波路部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001239338A JP2003050326A (ja) | 2001-08-07 | 2001-08-07 | 光導波路部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003050326A true JP2003050326A (ja) | 2003-02-21 |
Family
ID=19070108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001239338A Pending JP2003050326A (ja) | 2001-08-07 | 2001-08-07 | 光導波路部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003050326A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010224176A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Nec Corp | 光モジュール |
WO2012160686A1 (ja) * | 2011-05-25 | 2012-11-29 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光モジュール |
KR20140068756A (ko) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광 전기 혼재 기판 및 그 제조 방법 |
-
2001
- 2001-08-07 JP JP2001239338A patent/JP2003050326A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010224176A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Nec Corp | 光モジュール |
WO2012160686A1 (ja) * | 2011-05-25 | 2012-11-29 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光モジュール |
KR20140068756A (ko) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광 전기 혼재 기판 및 그 제조 방법 |
KR102036928B1 (ko) | 2012-11-27 | 2019-10-25 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광 전기 혼재 기판 및 그 제조 방법 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040113 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040210 |