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JP2003008141A - 発光デバイス、光モジュール、及びファイバスタブ部品 - Google Patents

発光デバイス、光モジュール、及びファイバスタブ部品

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Publication number
JP2003008141A
JP2003008141A JP2001193108A JP2001193108A JP2003008141A JP 2003008141 A JP2003008141 A JP 2003008141A JP 2001193108 A JP2001193108 A JP 2001193108A JP 2001193108 A JP2001193108 A JP 2001193108A JP 2003008141 A JP2003008141 A JP 2003008141A
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JP
Japan
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fiber
light emitting
ferrule
optical
emitting device
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001193108A
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English (en)
Inventor
Naoyuki Yamabayashi
直之 山林
Hiromi Nakanishi
裕美 中西
Miki Kuhara
美樹 工原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2001193108A priority Critical patent/JP2003008141A/ja
Priority to US10/173,412 priority patent/US6895031B2/en
Publication of JP2003008141A publication Critical patent/JP2003008141A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路基板上に搭載の際、ピッグテールファイ
バの配置領域を縮小可能な構造を有する発光デバイスを
提供する。 【解決手段】 発光デバイス１は、ファイバスタブ部品
２、半導体光増幅素子３、フォトダイオード４、及び搭
載部材５を主要部として有する。ファイバスタブ部品２
は、フェルール２２とグレーティングファイバ２１とか
ら構成される。ファイバスタブ部品２と半導体光増幅素
子３とは搭載部材５上に搭載され、互いに光学的に結合
している。そして、半導体光増幅素子３の光反射面とグ
レーティングファイバ２１が有する回折格子２３とから
光共振器が構成される。このような構成により、発光デ
バイス１は、ピッグテール光ファイバを使用することな
く、所望の波長を有するレーザ光を提供することができ
る。また、発光デバイス１は、ピッグテール光ファイバ
を用いた光ファイバに比べ、小型化され得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光デバイス、光モ
ジュール、及びファイバスタブ部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムの光伝送路を構成する光
ファイバに入力する信号光を発生させるため、発光モジ
ュールが広く用いられている。発光モジュールは、一般
に、光信号を発生する半導体レーザ素子と、信号光を光
ファイバへ導くレンズを含む光学系とを有する。半導体
レーザ素子としては、ファブリペロー型半導体レーザ素
子、又はＤＦＢ型半導体レーザ素子が用いられる。ま
た、外部共振器型半導体レーザ装置が使用される発光モ
ジュールもある。外部共振器型半導体レーザ装置では、
半導体光素子とブラッグ回折格子とにより光共振器が構
成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】外部共振器型半導体レ
ーザ装置を有する発光デバイスの例は、例えば、文献１
(「Electronics Letters 20th June 1991 vol.27 No.1
3, pp.1115-1116」)、文献２(特開平６−５９６１号公
報)、文献３(ＷＯ９４／２２１８７号公報)、及び文献
４(特開２０００−５８９７５号公報)に記載されてい
る。
【０００４】特に、文献１に記載された発光デバイスに
おいては、グレーティングファイバ部品と半導体光素子
とを備える。このグレーティングファイバ部品は、着脱
可能なコネクタを有し、これを介してパッケージに結合
される。この構成の発光デバイスによれば、波長の異な
る光を生成する発光デバイスを容易に得ることができ
る。まず、反射波長が異なる回折格子を設けた数種類の
グレーティングファイバ部品を予め用意する。これらの
中から、所望の反射波長を有するグレーティングファイ
バ部品を選択し、これをパッケージに取り付ける。これ
により、光モジュールは所望の波長の光を放出する。
【０００５】しかし、上記グレーティングファイバ部品
はある程度の長さが必要であるので、取り扱いが不便と
なることが多い。特に、グレーティングファイバ部品を
収納するための領域が必要となるため、例えばこのよう
な発光デバイスを用いた光送信器は小型化され難いとい
った問題がある。また、本発明者の知見によれば、同文
献に記載されるタイプのパッケージは、大型になる傾向
にあるため、光送信器を小型化する上で好ましくない。
さらに、所定の長さの光ファイバに回折格子を１つずつ
形成するため、量産性が低いという問題もある。
【０００６】また、文献２にも外部共振器型半導体レー
ザ装置を採用した光モジュールが開示されている。この
光モジュールでは、ある程度の長さのピッグテール光フ
ァイバが光モジュールのパッケージから延在している。
これらの発光デバイスが回路基板上に搭載される場合、
ピッグテール光ファイバは、巻き回され、回路基板上に
載置される。すなわち、回路基板上には巻き回されたピ
ッグテール光ファイバを載置する領域が必要となる。例
えば、ＬＡＮ(Local Area Network)といった光通信シス
テムにおいては、回路基板の小型化が重要であり、上記
の載置領域を小さくすることが望まれる分野もある。
【０００７】そこで、本発明の第１の目的は、回路基板
上に搭載の際、ピッグテールファイバの配置領域を縮小
可能な構造を有する発光デバイスを提供することにあ
る。また、本発明の第２の目的は、様々な反射波長を有
するファイバスタブ部品を量産性良く得られるように
し、発振波長が様々に異なる発光デバイスを量産性良く
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る発光デバイ
スは、(ａ)一端、他端および回折格子を有するグレーテ
ィングファイバと、一対の端面を有するフェルールとを
有するファイバスタブ部品と、(ｂ)グレーティングファ
イバの一端に光学的に結合される光放出面と光反射面と
を有する半導体光増幅素子と、(ｃ)所定の軸に沿って配
置された第１、第２および第３の領域を有する搭載部材
とを備える。上記グレーティングファイバはその一端お
よび他端の間に設けられた第１および第２の部分を有す
る。フェルールは上記の第１の部分に配置される。ま
た、グレーティングファイバの他端は、フェルールの一
対の端面の一方に現れている。搭載部材の第１の領域
は、所定の軸に沿って伸びフェルールを支持するフェル
ール支持部を有する。第２の領域は、所定の軸に沿って
伸びグレーティングファイバを支持する光ファイバ支持
部を有する。第３の領域は、半導体光増幅素子を搭載し
ている素子支持部を有する。
【０００９】上記の発光デバイスにおいては、ファイバ
スタブ部品は、フェルールとグレーティングファイバと
から構成される。また、ファイバスタブ部品と半導体光
増幅素子とは同一搭載部材上に搭載される。したがっ
て、ピッグテール光ファイバを使用することなく、光モ
ジュールが提供される。
【００１０】また、本発明による発光デバイスにおい
て、搭載部材は、所定の軸に交差するように上記第２の
領域と上記第３の領域との間に設けられた突き当て面を
有している。グレーティングファイバの一端は突き当て
面に接している。これにより、ファイバスタブ部品は容
易に位置決めされる。搭載部材は精度良く形成され得る
ため、突き当て面及び半導体光増幅素子の相対的位置は
容易に決定される。したがって、ファイバスタブ部品が
突き当て面により位置決めされれば、ファイバスタブ部
品と半導体光増幅素子との相対的位置が容易且つ精度良
く確定される。したがって、光共振器の共振器長を確実
且つ容易に所定の値とすることができる。
【００１１】さらに、本発明の発光デバイスにおいて、
ファイバスタブ部品が有するフェルールは第１の部分に
配置され、回折格子は第２の部分に設けられていると好
適である。この形態のファイバスタブ部品は、回折格子
がまだ形成されていない光ファイバとフェルールとを組
立てた後に、当該光ファイバに所望のスペクトルを有す
る回折格子を形成できる構造を有する。
【００１２】また、本発明の発光デバイスにおいて、フ
ァイバスタブ部品はフェルールおよび回折格子を第１の
部分に含むような形態を備えても良い。ファイバスタブ
部品をこの形態としても、半導体光増幅素子とファイバ
スタブ部品とを光学的に結合させることにより、外部共
振器型半導体レーザ装置を構成できる。
【００１３】搭載部材はセラミックスからなると好まし
い。また、搭載部材はシリコンからなると尚好ましい。
これらの材料から搭載部材を作製すれば、搭載部材が有
する第１〜３の領域、フェルール支持部、光ファイバ支
持部、及び素子支持部といった構成を精度良く形成し得
る。
【００１４】本発明に係るファイバスタブ部品は、一
端、他端および回折格子を有するグレーティングファイ
バと、一対の端面を有するフェルールとを備える。グレ
ーティングファイバは一端および他端の間に設けられた
第１および第２の部分を有し、フェルールは第１の部分
に配置され、回折格子は第２の部分に設けられており、
グレーティングファイバの他端は、フェルールの一対の
端面の一方に現れている。
【００１５】また、本発明によるファイバスタブ部品
は、一端、他端および回折格子を有するグレーティング
ファイバと、一対の端面を有するフェルールとを備え
る。グレーティングファイバは一端および他端の間に設
けられた第１および第２の部分を有し、フェルールおよ
び回折格子は第１の部分に配置され、グレーティングフ
ァイバの他端は、フェルールの一対の端面の一方に現れ
ている。
【００１６】本発明に係る光モジュールは、上記発光デ
バイスと、発光デバイスを収容するハウジングとを備え
る。フェルールの第１の端面は、ハウジングの外に位置
している。これにより、上記の光デバイスがハウジング
内に収容される。また、光モジュールに接続されるべき
外部の光ファイバと光モジュールと、が確実に光学的に
結合される。
【００１７】本発明による光モジュールは、上記発光デ
バイスと、発光デバイスを搭載すると共に複数のリード
端子を有するリードフレームと、フェルールの第１の端
面が外に位置し、且つ上記複数のリード端子が突出する
ように、発光デバイスおよびリードフレームを封止する
樹脂体とを備える。これにより、外部回路から出力され
る電気信号を簡便且つ確実に光モジュールへと提供でき
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明に係る発光デバイスの実施
形態について図面を参照しながら説明する。以下では、
同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略
する。
【００１９】（第１の実施形態）図１は、第１の実施形
態による発光デバイスの構成を示す斜視図である。図１
を参照すると、発光デバイス１は、ファイバスタブ部品
２、半導体光増幅素子３、フォトダイオード４、及び搭
載部材５を主要部として有する。ファイバスタブ部品２
は、半導体光増幅素子３と光学的に結合している。フォ
トダイオード４は、半導体光増幅素子３と光学的に結合
している。
【００２０】先ず、ファイバスタブ部品２について図２
を参照しながら説明する。ファイバスタブ部品２は、グ
レーティングファイバ２１及びフェルール２２を有す
る。グレーティングファイバ２１の長手方向に沿った長
さは、例えば８〜１１ｍｍ程度である。また、グレーテ
ィングファイバ２１の外径は、例えば１２５μｍ程度で
あり、コア径は１０μｍ程度である。フェルール２２
は、所定の軸に沿って伸びる略管状の部材であり、例え
ばジルコニアといったセラミックス材料又はプラスチッ
ク材料から作製され得る。フェルール２２には、所定の
軸に沿ってグレーティングファイバ２１が挿入される。
フェルール２２の所定の軸に沿った長さは、、例えば５
〜７ｍｍ程度である。
【００２１】図２を参照すると、ファイバスタブ部品２
は、第１の部分２ａと第２の部分２ｂとを有する。第１
の部分２ａでは、グレーティングファイバ２１の側面が
フェルール２２で覆われている。第２の部分２ｂでは、
グレーティングファイバ２１がフェルールに覆われるこ
となく露出している。また、グレーティングファイバ２
１の端面２１ａは、フェルール２２の端面２２ａに現れ
ている。そのため、グレーティングファイバ２１の端面
２１ａと、発光デバイス１からの信号光が入射されるべ
き外部の光ファイバとの光学的な結合が容易に実現され
る。
【００２２】また、グレーティングファイバ２１の端面
２１ｂは、グレーティングファイバの光軸に対して８２
°以上８６°以下といった角度で傾斜していると好まし
い。端面２１ｂは、後述の通り、半導体光増幅素子３と
光学的に結合される。このとき、半導体光増幅素子に光
学的に結合する端面がグレーティングファイバの光軸に
対して９０°であると、半導体光増幅素子から放出され
た光が当該端面で反射され、反射光が半導体光増幅素子
へと戻る。そのため、半導体光増幅素子は、例えば発光
強度の低下或いは光雑音の発生といった現象が生じる可
能性がある。本実施形態においては、グレーティングフ
ァイバ２１の端面２１ｂは、当該グレーティングファイ
バ２１の光軸に対して傾斜しているので、この端面２１
ｂで反射した光が半導体光増幅素子３に入射するのを防
ぐことができる。よって、上述の現象の発生が抑制され
る。また、切断時に端面２１ｂと光軸とのなす角を９０
°とし、端面２１ｂに反射防止膜を設けるようにしても
よい。このようにすれば、端面２１ｂでの光の反射を低
減できるため、反射光が半導体光増幅素子３に戻ること
もまた低減される。
【００２３】上記の構成を有するファイバスタブ部品２
は、例えば以下のように作製される。その作製方法を図
３(ａ)〜(ｆ)を参照して説明する。先ず、所定の軸に沿
って伸びるフェルール２２が用意される(図３(ａ))。こ
のフェルール２２は、ジルコニアといったセラミックス
を管状に成形することにより作製され得る。フェルール
２２の中心軸の方向に沿った長さは、５〜７ｍｍ程度で
あってよい。また、フェルール２２は、その中心軸に沿
って貫通孔が設けられている。貫通孔の直径は、この貫
通孔に挿入されるグレーティングファイバ２１の外径に
従って適宜選択される。
【００２４】グレーティングファイバ２１は、コア領域
にＧｅＯ2が添加された石英ガラス製光ファイバ２１０
から作製される。この光ファイバ２１０に対して、その
強度が空間的に変化する紫外域光Ｒを照射することによ
り、光ファイバに回折格子２３が形成される(図３
(ｂ))。典型的な値を例示すれば、回折格子２３のピッ
チは０．５３μｍ程度でよく、また、回折格子２３の全
長は１．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下とすることができ
る。上述のピッチを有する回折格子２３の反射波長は、
例えば１５５０ｎｍ帯といった波長帯となり得る。回折
格子２３の形成後、光ファイバ２１０を所定の長さに切
断し、回折格子２３が設けられた光ファイバ２１１を得
る(図３(ｃ))。なお、所定の長さとは、ファイバスタブ
部品２完成後のグレーティングファイバ２１が有すべき
長さにほぼ等しい。
【００２５】なお、回折格子は、光ファイバの複数の位
置に形成できる。特に、紫外域光の照射後、光ファイバ
を長手方向に所定の距離だけ移動させ、再び紫外域光を
照射するといった作業を順次繰り返せば、回折格子を短
時間に多量に生産することができる。また、回折格子の
形成に際して、ピッチ又は長さの異なる複数種類の回折
格子を形成するようにしてもよい。このようにして、様
々な反射スペクトルを有する回折格子を形成しておく
と、波長が種々異なる光を放出する発光デバイスの作製
が可能となる。
【００２６】次に、フェルール２２の貫通孔に所定の熱
硬化性接着剤を流し込み(図３(ｄ))、光ファイバ２１１
をフェルール２２の貫通孔に挿入する(図３(ｅ))。ここ
で、光ファイバ２１１の端部がフェルール２２の端面２
２ａから０．５ｍｍ程度突き出るようにすると好まし
い。フェルール２２の端面２２ｂからは、残りの光ファ
イバ２１１が延在している。
【００２７】その後、フェルール２２を所定の温度に加
熱することにより接着剤を硬化させる。次に、フェルー
ル２２の端面２２ａを研磨する。この研磨の際には、フ
ェルール２２の貫通孔から突き出していた光ファイバ２
１１の端部もまた研磨される。この研磨により、グレー
ティングファイバ２１の端面２１ａは、フェルール２２
の端面２２ａとほぼ同一位置又は僅かに突出するように
なる。つまり、ファイバスタブ部品２においては、フェ
ルール２２の端面２２ａにはグレーティングファイバ２
１の端面２１ａが現れるようになる。このようにすれ
ば、発光デバイス１からの光が入射されるべき外部の光
ファイバとグレーティングファイバ２１の端面２１ａと
の接触が確実に実現される。また、端面２１ａがレンズ
化端部を有すると尚好ましい。これにより、外部の光フ
ァイバとの接触がより確実に実現される。
【００２８】上記の研磨終了後、フェルール２２の端面
２２ｂから延在する部分のグレーティングファイバ２１
が、例えば２〜４ｍｍといった長さを有するように当該
グレーティングファイバ２１を切断する(図３(ｆ))。こ
のとき、上述の通り、グレーティングファイバ２１の端
面２１ｂがグレーティングファイバ２１の光軸に対し
て、８２°以上８６°以下といった角度に傾斜される。
以上により、フェルール２２とグレーティングファイバ
２１とからなるファイバスタブ部品２が完成する。
【００２９】なお、ファイバスタブ部品２は、回折格子
２３が第２の部分２ｂ(グレーティングファイバ２１の
露出部)に設けられるよう作製されてもよい。この場合
には、ファイバスタブ部品２は以下のように作製され得
る。この作製方法を図４(ａ)〜(ｆ)を参照しながら説明
する。先ず、フェルール２２が用意される(図４(ａ))。
次に、コア領域にＧｅＯ2が添加された石英ガラス製光
ファイバを切断して、所定の長さの光ファイバ２２１を
得る(図４(ａ))。ここで、所定の長さとは、ファイバス
タブ部品２完成後のグレーティングファイバ２１が有す
べき長さ、切断代、及び研磨代を含む長さである。次
に、フェルール２２の貫通孔に接着剤を流し込み(図４
(ｃ))、光ファイバ２２１をフェルール２２の貫通孔に
挿入する。ここで、フェルール２２の端面２２ａから
は、光ファイバ２２１の端部が０．５ｍｍ程度突出して
いる。続いて、接着剤を硬化させることにより光ファイ
バ２２１とフェルール２２とを互いに固定する(図４
(ｄ))。その後、フェルール２２の端面２２ａを研磨す
る。次に、光ファイバ２２１の延在部に紫外域光Ｒを照
射することにより回折格子２３が形成される(図４
(ｅ))。最後に、回折格子２３を有する光ファイバ２２
１をグレーティングファイバ２１が有すべき長さに切断
すると、ファイバスタブ部品２が完成する(図４(ｆ))。
なお、グレーティングファイバ２１の長さは、半導体光
増幅素子３の光反射面と回折格子２３との長さが所定値
となるように製造上管理されており、すなわち、光共振
器長が所定の値となるよう決定される。
【００３０】この形態のファイバスタブ部品２は、以下
の利点を有する。光ファイバ２２１とフェルール２２と
が互いに固定された部材２２２を多数個併置した上で一
時に紫外域光を照射すれば、ファイバスタブ部品２を効
率良く作製できる。また、部材２２２を多数作製してお
き、部材２２２に所望の反射スペクトルを有する回折格
子を形成すれば、必要に応じて、所定の反射波長を有す
るファイバスタブ部品２を作製できる。よって、所定の
波長を有する光を放出する発光デバイスを必要に応じて
提供し得る。
【００３１】次に、半導体光増幅素子３について説明す
る。半導体光増幅素子３は、例えば、ＩｎＰ基板上に作
製されＩｎＧａＡｓＰを活性層とする多重量子井戸構造
を有し、波長が１５５０ｎｍ程度といった光を放出す
る。このような半導体光増幅素子３は、高さ３００μ
ｍ、幅３００μｍ、及び高さ１２０μｍといった大きさ
を有することができる。また、半導体光増幅素子３は、
図１に示す通り、光放出面３ａ及び光反射面３ｂを有す
る。光放出面３ａは、光反射面３ｂと対向している。光
放出面３ａを形成するように、反射率が０．５％以下、
好ましくは０．１％以下といった低い値となるよう光透
過膜が設けられている。これにより、光放出面３ａにお
ける反射率を低下させることができる。半導体光増幅素
子３の光反射面３ｂは、３０％以上９５％以下、好まし
くは６０％以上８０％以下である反射率の反射防止膜を
有する。これら光透過膜及び反射防止膜は、ＳｉＯ2、
ＴｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、及びＭｇＦ2といった誘電
体を積層した多層誘電体膜とすることができる。上述の
光透過膜及び反射防止膜は、各誘電体膜の材料及び膜厚
を適宜選定することにより得られる。
【００３２】フォトダイオード４としては、例えば、受
光部としてＩｎＧａＡｓＰを有する端面入射型フォトダ
イオードを用いることができる。フォトダイオード４
は、例えば、長さ４５０μｍ、幅４５０μｍ、及び高さ
２００μｍといった大きさを有することができる。フォ
トダイオード４は、その受光面が光学的に結合するよう
に半導体光増幅素子３の光反射面３ｂに対面している。
このため、フォトダイオード４は、半導体光増幅素子３
の出射光の強度を検知するためのモニタ用フォトダイオ
ードとして作動する。また、フォトダイオード４の受光
面は半導体光増幅素子３の光反射面３ｂに対して所定の
角度で傾斜するよう配置される。この配置により、フォ
トダイオード４からの反射光が半導体光増幅素子３へ戻
ることを防止できる。
【００３３】続いて、図５を参照しながら、搭載部材５
について説明する。搭載部材５は、例えばシリコン(Ｓ
ｉ)やセラミックから作製されると好ましい。また、搭
載部材５は、例えば、長さ７ｍｍ程度、幅３ｍｍ程度、
及び高さ１．２ｍｍ程度といった大きさを有することが
できる。搭載部材５には、所定の軸５０に沿って第１の
領域５ａ、第２の領域５ｂ、及び第３の領域５ｃが設け
られている。第１の領域５ａと第２の領域５ｂとの境界
には段差が設けられており、この段差により、第１の領
域５ａに面する側面５５が形成される。第１の領域５ａ
には、所定の軸５０に沿って延びるフェルール支持部５
１が設けられている。フェルール支持部５１は、２つの
支持面５１ａ，５１ｂを有する。これら支持面５１ａ，
５１ｂにより、フェルール支持部５１の延在方向と直交
する断面は略Ｖ字形となる。これらの支持面５１ａ，５
１ｂは、図１に示す通り、ファイバスタブ部品２の第１
の部分２ａ、すなわち、フェルール２２の側面を支持す
る。
【００３４】搭載部材５の第２の領域５ｂには、所定の
軸５０に沿って延びる光ファイバ支持部５２が設けられ
ている。光ファイバ支持部５２は２つの支持面５２ａ，
５２ｂを有する。光ファイバ支持部５２の延在方向と直
交する断面は略Ｖ字形である。これら支持面５２ａ，５
２ｂは、図１に示す通り、ファイバスタブ部品２の第２
の部分２ｂ、すなわち、グレーティングファイバ２１の
露出部を支持する。フェルール支持部５１及び光ファイ
バ支持部５２は、所定の軸５０に沿って互いに連続して
いる。
【００３５】さらに、搭載部材５には、搭載部材５の第
２の領域５ｂと第３の領域５ｃとを分離するよう溝５３
が設けられている。溝５３は、所定の軸５０と直交する
よう延在している。また、溝５３の断面は、２つの側面
５３ａ，５３ｂと底面５３ｃとを有する矩形状となる。
また、溝５３は、光ファイバ支持部５２より深く形成さ
れている。
【００３６】搭載部材５の第３の領域５ｃは素子搭載部
５４を有する。素子搭載部５４には、半導体光増幅素子
３及びフォトダイオード４が搭載される。素子搭載部５
４は、半導体光増幅素子３に対して駆動信号を供給する
ための配線５４ａ，５４ｂを有する。また、素子搭載部
５４は、フォトダイオード４からの出力信号を取り出す
ための配線５４ｃ，５４ｄを有する。さらに、素子搭載
部５４は、半導体光増幅素子３の搭載位置を決定するた
めの位置決めマーク５４ｓ、及びフォトダイオード４の
搭載位置を決定するための位置決めマーク５４ｔを有す
る。
【００３７】搭載部材５は、(１００)を主面とするＳｉ
基板を用いて作製されると特に好ましい。このようなＳ
ｉ基板を用いれば、フォトリソグラフィによってマスク
パターンを形成し、エッチングを行なうことにより、上
記のフェルール支持部５１、光ファイバ５２、及び溝５
３は容易に且つ精度良く形成される。また、例えばＫＯ
Ｈ溶液といったエッチング速度に異方性を有するエッチ
ング液を使用すると好適である。このようなエッチング
液を用い、上記の軸５０の方向を所定の結晶方位と一致
させれば、ＫＯＨ溶液によるエッチングの速度が遅い
（１１１）面又は（１１１）面と等価な結晶面により、
支持面５１ａ，５１ｂ及び５２ａ，５２ｂが形成され得
る。すなわち、Ｖ字状断面の溝をフェルール支持部５１
及び光ファイバ支持部５２のために形成できる。ここ
で、エッチング時間とマスクパターンの開口幅とを適宜
変更することによって、図５に示すように、それぞれ幅
の異なるフェルール支持部５１及び光ファイバ支持部５
２を形成できる。また、溝５３として、ダイシング加工
により、［１００］方向に沿う矩形状断面の溝を形成で
きる。なお、(１００)を主面とするＳｉ基板から搭載部
材５を作製する場合、第１の領域５ａと第２の領域５ｂ
との境界に段差を設けなくとも良い。この段差がなけれ
ば、フォトリソグラフィの際に所定のレジスト膜を略均
一に塗布できるようになるので、フェルール支持部５１
及び光ファイバ支持部５２の位置精度をより高くでき
る。また、段差を設けない場合には、段差を設ける場合
に比べフェルール支持部５１をより深く形成する必要が
ある。フェルール支持部５１をより深く形成する場合に
は、フェルール支持部５１の断面を略台形状とすること
ができる。
【００３８】また、半導体光増幅素子３及びフォトダイ
オード４の所定の位置決めマーク５４ｓ，５４ｔもまた
フェルール支持部５１、光ファイバ支持部５２、及び溝
５３と同時に形成できる。このため、これら支持部５
１，５２及び溝５３と位置決めマーク５４ｓ，５４ｔと
の相対位置の精度を高くすることができる。配線５４ａ
〜５４ｄは、所定のフォトリソグラフィ及び蒸着又はス
パッタリングといった金属膜堆積法を利用することによ
り形成され得る。
【００３９】図６(ａ)及び(ｂ)は、搭載部材５上に半導
体光増幅素子３及びフォトダイオード４を固定する工程
を説明する図である。半導体光増幅素子３は、位置決め
マーク５４ｓと画像認識とを利用した位置合せが行われ
た後、素子搭載部５４上に自動ボンディングされる(図
６(ａ))。自動ボンディングにおいては、ＡｕＳｎやＳ
ｎＰｂといったハンダを用いることにより半導体光増幅
素子３の裏面電極と配線５４ｂとが電気的に接続され
る。この後、金線といったボンディングワイヤにより、
半導体光増幅素子３の表面電極と配線５４ａとが結線さ
れる(図６(ｂ))。これにより、半導体光増幅素子３の素
子搭載部５４上への搭載が終了する。フォトダイオード
４に対しても、半導体光増幅素子３と同時に略同一の工
程が実施され、フォトダイオード４が素子搭載部５４上
に搭載される。
【００４０】図７(ａ)，(ｂ)及び図８(ａ)，(ｂ)は、フ
ァイバスタブ部品２を搭載部材５に固定する工程を説明
する図である。図７(ａ)に示すように、ファイバスタブ
部品２を載置する。この載置により、ファイバスタブ部
品２のフェルール２２がフェルール支持部５１に支持さ
れ、露出したグレーティングファイバ２１が光ファイバ
支持部５２に支持される。図７(ｂ)は、図７(ａ)のＩ−
Ｉ線に沿った断面の要部を示す図である。グレーティン
グファイバ２１は、その端面２１ｂが溝５３の側面５３
ａと接するように載置される。つまり、側面５３ａは、
ファイバスタブ部品２の突き当て面として利用される。
これにより、ファイバスタブ部品２の回折格子２３と半
導体光増幅素子３の光反射面３ｂとの距離、つまり共振
器長が決定される。なお、グレーティングファイバ２１
の端面２２ｂと半導体光増幅素子との間の距離は、例え
ば２０〜７０μｍ程度になる。また、光ファイバ支持部
５２の所定の軸５０に沿う長さは、ファイバスタブ部品
２の第２の部分２ｂ(グレーティングファイバ２１の露
出部)の同方向に沿う長さよりも短い。
【００４１】図８(ａ)を参照すると、グレーティングフ
ァイバを固定する工程が示されている。光ファイバ支持
部５２を避けるように搭載部材５の第２の領域に接着剤
として紫外線硬化樹脂５６を滴下し、固定部材２５でグ
レーティングファイバ２１を上から覆う。その後、紫外
域光を照射することにより紫外線硬化樹脂５６を硬化す
ると、固定部材２５が搭載部材５に対して固定される。
これにより、ファイバスタブ部品２のグレーティングフ
ァイバ２１が固定される。固定部材２５は、紫外域光を
透過する材料から成り、例えば石英ガラス製である。ま
た、固定部材２５には、グレーティングファイバ２１を
収容する溝２５ａが設けられていると好ましい。これに
より、グレーティングファイバ２１は確実に固定され
る。
【００４２】続いて、図８(ｂ)に示すように、ファイバ
スタブ部品２のフェルール２２と、搭載部材５の第１の
領域とに紫外線硬化樹脂５７を塗布する。この後、紫外
線硬化樹脂に紫外域光を照射して当該樹脂を硬化する。
これにより、ファイバスタブ部品２のフェルール２２が
搭載部材５に対して固定される。さらに、グレーティン
グファイバ２１の端面２１ｂ及び半導体光増幅素子３の
間に、保護材として例えばシリコーン系の光透過性樹脂
５８をポッティングする。この光透過性樹脂５８は、半
導体光増幅素子３及びグレーティングファイバ２１の間
を往復する光が双方へ入射されるのを妨げないような屈
折率を有している必要がある。以上の工程により、第１
の実施形態の発光デバイス１が完成する。
【００４３】発光デバイス１は以下の通り動作する。発
光デバイス１において、配線５４ａ，５４ｂを介して半
導体光増幅素子３に所定の信号を含んだ電流を流すと、
その光放出面３ａから光が放出される。この光は、ファ
イバスタブ部品２の端面２１ｂを透過してファイバスタ
ブ部品２内に入射する。その後、ファイバスタブ部品２
に設けられた回折格子２３と半導体光増幅素子３の光反
射面３ｂとの間でレーザ発振が生じる。レーザ発振によ
り発生したレーザ光は、ファイバグレーティング２１を
透過し、端面２１ａから外部へ放出される。そして、フ
ァイバスタブ部品２と光学的に結合されるよう外部の光
ファイバが配置されると、この光ファイバにレーザ光が
導入される。
【００４４】以上のように、発光デバイス１において
は、ファイバスタブ部品２が用いられ、ファイバスタブ
部品２に設けられた回折格子２３と半導体光増幅素子３
の光反射面３ｂとにより光共振器が構成される。ファイ
バスタブ部品２は、ピッグテール光ファイバに比べて小
さく、しかも、ファイバスタブ部品２の第２の部分２ｂ
(グレーティングファイバ２１の露出部)は搭載部材５上
に配置される。故に、ピッグテール光ファイバを有する
発光デバイスに比べ、発光デバイス１は容易に小型化さ
れる。
【００４５】また、ファイバスタブ部品２に設けられる
回折格子２３は、光ファイバに紫外域光を照射すること
により容易に且つ量産性良く作製される。ファイバスタ
ブ部品２は、回折格子２３を有するグレーティングファ
イバ２１をフェルール２２の貫通孔に挿入した後に、フ
ェルール２２の端面２２ａを研磨することによりファイ
バスタブ部品２が製造されるので、量産性良く作製され
得る。
【００４６】また、ファイバスタブ部品２、半導体光増
幅素子３、及びフォトダイオード４は搭載部材５の一面
上に表面実装されるので、これらの搭載には、画像認識
及び自動ボンディングといった作業方法を採用できる。
そのため、製造工程が簡素化される。
【００４７】さらに、搭載部材５には、フェルール支持
部５１、光ファイバ支持部５２、溝５３、位置決めマー
ク５４ｓ，５４ｔ、及び配線５４ａ〜５４ｄが精度良く
形成される。そのため、搭載部材５上には、ファイバス
タブ部品２、半導体光増幅素子３、及びフォトダイオー
ド４を相対的位置精度が高い状態で搭載できる。つま
り、これらを搭載する際、光軸合せといった工程を行な
う必要がなく、その結果、製造工程が簡略化される。
【００４８】さらにまた、発光デバイス１においては、
ファイバスタブ部品２と半導体光増幅素子３との間隔を
２０〜７０μｍ程度とすることができるため、集光レン
ズを使用することなく、この双方を光学的に結合でき
る。そのため、集光レンズに要するコスト及びその工程
を削減できる。工程が削減される例を挙げると、集光レ
ンズを金属製キャップといった部品を介して搭載する場
合は、光軸合せ工程を実施した後、キャップを所定の搭
載部材に溶接する工程が必要であった。しかし、光デバ
イス１の製造においては、光軸合せ工程も溶接工程も必
要ない。
【００４９】さらに、発光デバイス１は、ファブリペロ
ー型半導体レーザ素子、又はＤＦＢ型半導体レーザ素子
を用いた従来の発光デバイスに比して、以下の利点を有
する。従来の発光デバイスでは、駆動状態の変化により
これらの半導体レーザ素子の温度が変化した場合、半導
体レーザ素子に備わる光共振器長が変化するため、発光
デバイスから放出される光の波長が変化してしまう。そ
のため、半導体レーザ素子の温度が一定化されるよう温
度制御装置が使用されていた。しかしながら、第１の実
施形態による発光デバイスにおいては、グレーティング
ファイバに形成される回折格子と半導体光増幅素子の光
反射面とにより光共振器が構成される。そのため、グレ
ーティングファイバは半導体光増幅素子の温度変化の影
響を受けることが殆どない。よって、発光デバイス１で
は、温度変化に伴う発振波長変化は低減され得る。
【００５０】（第２の実施形態）上記の第１の実施形態
において説明した発光デバイス１は、例えば、回路基板
上に搭載されて使用され得るが、パッケージに収容され
光モジュールとして使用される。第２の実施形態では、
第１の実施形態による発光デバイス１が適用された光モ
ジュールについて説明する。
【００５１】図９は、光モジュールの構成を示す一部破
断斜視図である。同図に示す通り、光モジュール１０
は、発光デバイス１、発光デバイス１を収納する樹脂体
３５、光デバイス１と外部回路とを電気的に接続する端
子１０ａを有する。また、樹脂体３５は嵌合部３６を有
する。さらに、樹脂体３５からは、ファイバスタブ部品
２のフェルール２２が突出している。以下に、光モジュ
ール１０の作製工程について説明する。
【００５２】図１０(ａ)，(ｂ)及び図１１(ａ)，(ｂ)
は、光モジュールを作製する工程を説明する図である。
図１０(ａ)に示す通り、先ず、発光デバイス１はリード
フレーム部品３０に搭載される。リードフレーム部品３
０は、発光デバイス１が搭載されるダイパッド３１、光
モジュールの端子となるべき複数のリード３２、及び外
枠３３を有する。このリードフレーム部品３０に発光デ
バイス１が固定される。すなわち、ダイパッド３１に銀
ペーストが塗布され、発光デバイス１とリードフレーム
部品３０との位置合わせが行われた後、ダイパッド３１
に発光デバイス１が載置される。これにより、発光デバ
イス１がリードフレーム部品３０に対して固定される。
【００５３】次に、金線といったボンディングワイヤを
用いて、発光デバイス１の配線５４ａ〜５４ｄと各リー
ド３２とを電気的に接続する(図１０(ｂ))。その後、フ
ァイバスタブ部品２、固定部材２５、半導体光増幅素子
３、フォトダイオード４、及び配線５４ａ〜５４ｄが覆
われるようにシリコーン系の樹脂３８が塗布される(図
１１(ａ))。そして、発光デバイス１とリード３２の一
部とがトランスファモールドにより形成されたエポキシ
系の樹脂体３５によって封止される。この後、各リード
３２をリードフレーム部品３０の外枠３３から切り離し
てリードフレームを形成する。これにより、図１１(ｂ)
にその概観を示すように、所謂ガルウィング型の光モジ
ュール１０が完成する。なお、光モジュール１０は、例
えば、長さ１３ｍｍ程度、幅６ｍｍ程度、及び厚さ４ｍ
ｍ程度といったサイズを有することができる。
【００５４】光モジュール１０は、外部の光ファイバに
対して以下のように接続される。すなわち、図１２に示
すように、光モジュール１０は、光コネクタ７３と接続
される。光コネクタ７３は光ファイバ７０の一端に設け
られている。この接続は、光ジュール１０の嵌合部３６
を光コネクタ７３の嵌合部７２に嵌めあわせることによ
り可能となる。これにより、グレーティングファイバの
第１の端面２１ａと光ファイバ７０の端面７０ａとが光
学的に結合される。以上のようにして、光ファイバ７０
は光モジュール１０に対して容易且つ確実に接続され
る。光モジュール１０においては、樹脂体３５に設けら
れた嵌合部３６と樹脂体３５から延在するフェルール２
２とにより、外部の光ファイバを接続する接続手段が構
成されている。
【００５５】光モジュール１０は、リード３２から形成
された端子１０ａを有している。そのため、端子１０ａ
を用いることにより、光モジュール１０を回路基板へ表
面実装することも可能である。
【００５６】（第３の実施形態）次に、光モジュール１
０が好適に適用された多波長光通信システムについて説
明する。図１３は、多波長光通信システムの構成を示す
概略図である。多波長光通信システム１００は、光送信
器１１１〜１１８と、合波器１２０と、分波器１３０
と、光受信器１４１〜１４８とを有する。また、多波長
光通信システム１００は、光送信器１１１〜１１８と合
波器１２０とを接続する光ファイバ１１１ｆ〜１１８ｆ
と、合波器１２０と分波器１３０とを繋ぐ光伝送路１５
０と、分波器１３０と光受信器１４１〜１４８とを接続
する光ファイバ１４１ｆ〜１４８ｆとを備える。また、
光送信器１１１〜１１８には、図示しない出力装置がそ
れぞれ接続され、各出力装置から電気信号が光送信器１
１１〜１１８へと出力される。
【００５７】光送信器１１１〜１１８は、それぞれ発振
波長が異なる光モジュール１６１〜１６８を備える。光
モジュール１６１〜１６８は、発振光の波長が異なる点
を除いて、光モジュール１０と同一の構成を有する。故
に、光モジュール１６１〜１６８は、反射波長がλ1〜
λ8である回折格子２３を有するファイバスタブ部品２
を有している。そのため、光モジュール１６１〜１６８
は波長がλ1〜λ8であるレーザ光を放出する。これらの
波長を例示的に示せば、λ1＝１５３６．６ｎｍであ
り、λi+1＝λi＋３．２ｎｍ(ｉは７以下の自然数)とい
った関係とすることができる。
【００５８】光モジュール１６１〜１６８から放出され
るレーザ光は、１５００ｎｍ帯の波長に限らず、１３０
０ｎｍ帯又は１４８０ｎｍ帯の波長を有することもでき
る。さらに、例えば、１３００ｎｍ帯において異なる４
つの波長をそれぞれ有する４つの光モジュールと、１５
００ｎｍ帯において異なる４つの波長をそれぞれ有する
４つの光モジュールと、を組み合わせて用いるようにし
てもよい。
【００５９】以下、多波長光通信システム１００の動作
について説明する。光送信器１１１〜１１８は各出力装
置から出力された電気信号を受ける。光送信器１１１〜
１１８において、光モジュール１６１〜１６８によって
電気信号が光信号に変換される。これらの波長λ1〜λ8
の信号光は、光モジュール１６１〜１６８から光ファイ
バ１１１ｆ〜１１８ｆへ入射される。波長λ1〜λ8のレ
ーザ光は、光ファイバ１１１ｆ〜１１８ｆを通って合波
器１２０に到達した後、合波器１２０において合波され
波長多重信号光になる。波長多重信号光は、光伝送路１
５０を通して分波器１６０に到達する。分波器１６０に
おいては、波長多重信号光が波長λ1〜λ8の信号光へと
分波され、分波された信号光はそれぞれ光ファイバ１４
１ｆ〜１４８ｆを通って光受信器１４１〜１４８に至
る。光受信器１４１〜１４８は、波長λ1〜λ8の信号光
を電気信号へと変換して外部の回路へ出力する。
【００６０】このような多波長光通信システム１００に
おいては、光送信器１１１〜１１８に光モジュール１０
と同一形態の小型の光モジュールが使用されているた
め、光送信器１１１〜１１８自体をも小型化できる。ま
た、発振波長がλ1〜λ8である複数個の発光デバイス
は、反射波長が異なるグレーティングファイバを備える
ファイバスタブを用いることにより容易に製造される。
したがって、光モジュール１０によれば、多波長光通信
システムが容易に実現でき、しかもシステムを小型化で
きる。
【００６１】以上、幾つかの実施形態を用いて本発明に
係る発光デバイス及び光モジュールについて説明した
が、本発明は、これらの実施形態に限られることなく、
様々な変形が可能である。
【００６２】上記発光デバイス１の搭載部材５は、Ｓｉ
基板を用いて作製されたが、アルミナ(Ａｌ2Ｏ3)といっ
たセラミックスを用いて作製されて良い。セラミックス
を用いる場合には、フェルール支持部５１、光ファイバ
支持部５２、及び溝５３は機械加工により形成すること
ができる。特に、溝５３の形成にはダイシングといった
機械加工を採用できる。
【００６３】第２の実施形態において、発光デバイス１
を樹脂体により封止しガルウィング型の光モジュールを
構成する場合を説明したが、本発明に係る発光デバイス
に対しては種々の収容方法を採用できる。また、第２の
実施形態による光モジュール１０の嵌合部は、図８(ｅ)
に示した型式に限られることなく、光コネクタに合せて
選択されてよい。
【００６４】第３の実施形態においては、光送信器１１
１〜１１８は、光モジュール１０と略同一の構成を有す
る光モジュールを備えているが、第１の実施形態による
発光デバイス１を備えるようにしてもよい。この形態に
おいては、発光デバイス１を光送信器１１１〜１１８内
の回路基板上に搭載するとともに、光ファイバ１１１ｆ
〜１１８ｆは発光デバイス１と光学的に結合される。
【００６５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光デバ
イスによれば、回路基板上に搭載の際、ピッグテールフ
ァイバの配置領域を縮小可能な構造を有する発光デバイ
スが提供される。また、本発明の発光デバイス及び光モ
ジュールによれば、様々なブラッグ反射波長を有するフ
ァイバスタブ部品を量産性良く、得られるようにし、発
振波長が様々に異なる発光デバイスを量産性良く、提供
される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、第１の実施形態による発光デバイスの
構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、ファイバスタブ部品の構成を示す斜視
図である。
【図３】図３(ａ)〜(ｆ)は、一の形態のファイバスタブ
部品の作製方法を説明する図である。
【図４】図４(ａ)〜(ｆ)は、他の形態のファイバスタブ
部品の作製方法を説明する図である。
【図５】図５は、発光デバイスが有する搭載部材の構成
を示す斜視図である。
【図６】図６(ａ)，(ｂ)は、搭載部材上に半導体光増幅
素子及びフォトダイオード(ＰＤ)を固定する工程を説明
する図である。
【図７】図７(ａ)は、ファイバスタブ部品を搭載部材に
固定する工程を説明する図である。図７(ｂ)は、図７
(ａ)のI−I線に沿った断面の要部を示す図である。
【図８】図８(ａ)，(ｂ)は、ファイバスタブ部品を搭載
部材に固定する工程を説明する図である。
【図９】図９は、光モジュールの構成を示す一部破断斜
視図である。
【図１０】図１０(ａ)，(ｂ)は、光モジュールを作製す
る工程を説明する図である。
【図１１】図１１(ａ)，(ｂ)は、光モジュールを作製す
る工程を説明する図である。
【図１２】図１２は、光ファイバと光モジュールとの接
続方法の一例を説明する図である。
【図１３】図１３は、多波長光通信システムの構成を示
す概略図である。
【符号の説明】
１…発光デバイス、２…ファイバスタブ部品、３…半導
体光増幅素子、４…フォトダイオード、５…搭載部材、
５ａ，５ｂ，５ｃ…領域、１０…光モジュール、２１…
グレーティングファイバ、２２…フェルール、２３…回
折格子、２５…固定部材、３０…リードフレーム部品、
３１…ダイパッド、３２…リード、３３…外枠、３５…
樹脂体、３６…嵌合部、５１…フェルール支持部、５２
…光ファイバ支持部、５３…溝、５４…素子搭載部、５
４ｓ，５４ｔ…位置決めマーク、５４ａ〜５４ｄ…配
線、１００…多波長光通信システム、１１１…光送信
器、１２０…合波器、１３０…分波器、１４１…光受信
器、１５０…光伝送路、１６０…分波器、１６１…光モ
ジュール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 工原 美樹 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA04 CA05 CA33 DA03 DA04 DA12 2H050 AC84 5F073 AB25 AB28 AB29 BA01 BA02 EA03 FA02 FA07 FA13 FA28 FA29

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一端、他端および回折格子を有するグレ
    ーティングファイバと、一対の端面を有するフェルール
    とを有するファイバスタブ部品と、 前記グレーティングファイバの一端に光学的に結合され
    る光放出面と光反射面とを有する半導体光増幅素子と、 所定の軸に沿って配置された第１、第２および第３の領
    域を有する搭載部材とを備え、 前記グレーティングファイバは前記一端および前記他端
    の間に設けられた第１および第２の部分を有し、前記フ
    ェルールは前記第１の部分に配置され、前記グレーティ
    ングファイバの他端は、前記フェルールの前記一対の端
    面の一方に現れており、 前記搭載部材の前記第１の領域は、前記所定の軸に沿っ
    て伸び前記フェルールを支持するフェルール支持部を有
    し、前記第２の領域は、前記所定の軸に沿って伸び前記
    グレーティングファイバを支持する光ファイバ支持部を
    有し、前記第３の領域は、前記半導体光増幅素子を搭載
    している素子支持部を有する、発光デバイス。
  2. 【請求項２】 前記搭載部材は、前記所定の軸に交差す
    るように前記第２の領域と前記第３の領域との間に設け
    られた突き当て面を有し、 前記グレーティングファイバの一端は前記突き当て面に
    接している、請求項１記載の発光デバイス。
  3. 【請求項３】 前記フェルールは前記第１の部分に配置
    され、前記回折格子は前記第２の部分に設けられてい
    る、請求項１又は２に記載の発光デバイス。
  4. 【請求項４】 前記フェルールおよび前記回折格子は前
    記第１の部分に配置されている、請求項１〜３のいずれ
    か一項に記載の発光デバイス。
  5. 【請求項５】 前記搭載部材はセラミックスからなる、
    請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  6. 【請求項６】 前記搭載部材はシリコンからなる、請求
    項１〜４のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  7. 【請求項７】 一端、他端および回折格子を有するグレ
    ーティングファイバと、 一対の端面を有するフェルールと、を備え、 前記グレーティングファイバは前記一端および前記他端
    の間に設けられた第１および第２の部分を有し、前記フ
    ェルールは前記第１の部分に配置され、前記回折格子は
    前記第２の部分に設けられており、前記グレーティング
    ファイバの他端は、前記フェルールの前記一対の端面の
    一方に現れている、ファイバスタブ部品。
  8. 【請求項８】 一端、他端および回折格子を有するグレ
    ーティングファイバと、 一対の端面を有するフェルールと、を備え、 前記グレーティングファイバは前記一端および前記他端
    の間に設けられた第１および第２の部分を有し、前記フ
    ェルールおよび前記回折格子は前記第１の部分に配置さ
    れ、前記グレーティングファイバの他端は、前記フェル
    ールの前記一対の端面の一方に現れている、ファイバス
    タブ部品。
  9. 【請求項９】 請求項１から請求項６のいずれか一項に
    記載の発光デバイスと、 前記発光デバイスを収容するハウジングとを備え、 前記フェルールの第１の端面は、前記ハウジングの外に
    位置している、光モジュール。
  10. 【請求項１０】 請求項１から請求項６のいずれか一項
    に記載の発光デバイスと、 前記発光デバイスを搭載すると共に複数のリード端子を
    有するリードフレームと、 前記フェルールの第１の端面が外に位置し、且つ前記複
    数のリード端子が突出するように、前記発光デバイスお
    よび前記リードフレームを封止する樹脂体とを備える、
    光モジュール。
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