JP2003006930A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
- Publication number
- JP2003006930A JP2003006930A JP2001183728A JP2001183728A JP2003006930A JP 2003006930 A JP2003006930 A JP 2003006930A JP 2001183728 A JP2001183728 A JP 2001183728A JP 2001183728 A JP2001183728 A JP 2001183728A JP 2003006930 A JP2003006930 A JP 2003006930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- optical recording
- dielectric layer
- protective layer
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 170
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 171
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 3
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 3
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 3
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 102100031829 Myosin light polypeptide 6 Human genes 0.000 description 1
- 101710101143 Myosin light polypeptide 6 Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】新たな問題を生じさせずに、光源を短波長化し
てもデータの記録時に発生する熱による光透過性の保護
層の破壊を抑制し、信頼性を高めて書き換え可能な回数
の増加を可能とする光学記録媒体を提供する。 【解決手段】基板１５と、基板１５上に形成された光学
記録積層体１６と、光学記録積層体１６の上層に形成さ
れた光透過性の保護層１７とを有し、光学記録積層体１
６は、少なくとも、相変化型光学記録層１６ＲＬと、相
変化型光学記録層１６ＲＬの保護層１７側に形成された
第１誘電体層１６Ｉａと、第１誘電体層１６Ｉａの保護
層１７側に形成され、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓ
ｉ、ＧｅまたはＳｎのそれぞれの窒化物または酸化物な
ど、第１誘電体層１６Ｉａよりも高い熱伝導性を有する
冷却層１６ＣＬとを含む構成とする。
てもデータの記録時に発生する熱による光透過性の保護
層の破壊を抑制し、信頼性を高めて書き換え可能な回数
の増加を可能とする光学記録媒体を提供する。 【解決手段】基板１５と、基板１５上に形成された光学
記録積層体１６と、光学記録積層体１６の上層に形成さ
れた光透過性の保護層１７とを有し、光学記録積層体１
６は、少なくとも、相変化型光学記録層１６ＲＬと、相
変化型光学記録層１６ＲＬの保護層１７側に形成された
第１誘電体層１６Ｉａと、第１誘電体層１６Ｉａの保護
層１７側に形成され、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓ
ｉ、ＧｅまたはＳｎのそれぞれの窒化物または酸化物な
ど、第１誘電体層１６Ｉａよりも高い熱伝導性を有する
冷却層１６ＣＬとを含む構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学記録媒体に関
し、特に、相変化型光学記録層を有する光学記録媒体に
関する。
し、特に、相変化型光学記録層を有する光学記録媒体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、データをデジタルに記録する技術
の発展に伴い、動画および静止画などのビデオデータ
や、オーディオデータなどの扱われる各種データは益々
大容量化してきている。上記の大容量の各種データを記
録する情報記録媒体としては、光学的に情報を記録する
光学記録媒体や、磁気記録媒体などが広く用いられてい
る。上記の情報記録媒体としては、エンボスピットやグ
ルーブによって情報信号を凹凸形状として記録する読み
出し専用（ＲＯＭ：ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒ
ｙ）型の光学記録媒体や、相変化型の光学記録層などを
用いた書き込み可能型の光学記録媒体、磁気光学効果を
利用した光磁気記録媒体などがある。
の発展に伴い、動画および静止画などのビデオデータ
や、オーディオデータなどの扱われる各種データは益々
大容量化してきている。上記の大容量の各種データを記
録する情報記録媒体としては、光学的に情報を記録する
光学記録媒体や、磁気記録媒体などが広く用いられてい
る。上記の情報記録媒体としては、エンボスピットやグ
ルーブによって情報信号を凹凸形状として記録する読み
出し専用（ＲＯＭ：ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒ
ｙ）型の光学記録媒体や、相変化型の光学記録層などを
用いた書き込み可能型の光学記録媒体、磁気光学効果を
利用した光磁気記録媒体などがある。
【０００３】上記の光学記録媒体や光磁気記録媒体など
（以降光ディスクともいう）を記録媒体とする光ディス
ク装置としては、例えばＣＤ（コンパクトディスク）や
ＤＶＤ（デジタル多用途ディスク）などの光ディスク装
置が広く用いられている。上記の光ディスク装置の大容
量化は、使用するレーザ光の短波長化、対物レンズの高
開口数（ＮＡ）化により実現される。また、この対物レ
ンズの高開口数化に伴い、光ディスク装置におけるディ
スク傾き許容度が減少するため、コマ収差を許容範囲内
とするために、光学記録層の上層の光を透過させる層の
厚さを薄膜化する必要がある。
（以降光ディスクともいう）を記録媒体とする光ディス
ク装置としては、例えばＣＤ（コンパクトディスク）や
ＤＶＤ（デジタル多用途ディスク）などの光ディスク装
置が広く用いられている。上記の光ディスク装置の大容
量化は、使用するレーザ光の短波長化、対物レンズの高
開口数（ＮＡ）化により実現される。また、この対物レ
ンズの高開口数化に伴い、光ディスク装置におけるディ
スク傾き許容度が減少するため、コマ収差を許容範囲内
とするために、光学記録層の上層の光を透過させる層の
厚さを薄膜化する必要がある。
【０００４】例えば、ＣＤなどにおいては、レーザ光波
長が７８０ｎｍ帯、対物レンズ開口数が０．５であり、
光学記録層の上層の光透過性のディスク基板の厚さが
１．２ｍｍであり、ＤＶＤなどにおいては、レーザ光波
長が６３０〜６８０ｎｍ帯、対物レンズ開口数が０．６
であり、光学記録層の上層の光透過性のディスク基板の
厚さが０．６ｍｍであり、例えばこのディスク基板を２
枚貼り合わせて１．２ｍｍ厚の基板として用いられてい
る。
長が７８０ｎｍ帯、対物レンズ開口数が０．５であり、
光学記録層の上層の光透過性のディスク基板の厚さが
１．２ｍｍであり、ＤＶＤなどにおいては、レーザ光波
長が６３０〜６８０ｎｍ帯、対物レンズ開口数が０．６
であり、光学記録層の上層の光透過性のディスク基板の
厚さが０．６ｍｍであり、例えばこのディスク基板を２
枚貼り合わせて１．２ｍｍ厚の基板として用いられてい
る。
【０００５】また、さらなる大容量化に対応可能な次世
代光ディスク装置として、レーザ光波長が青〜青紫色の
領域（例えば３８０〜４２０ｎｍ帯）にまで短波長化さ
れ、対物レンズの開口数が０．８以上（例えば０．８
５）まで高開口数化され、これに対応して光学記録層の
上層の光を透過させる保護層の厚さを０．１ｍｍ程度に
まで薄くした光学記録媒体を用いる光ディスク装置が提
案されている。上記の光ディスクでは、０．１ｍｍの光
透過層は剛性が不足するので、光学記録層の下層に１．
１ｍｍ程度のディスク基板が用いられる。
代光ディスク装置として、レーザ光波長が青〜青紫色の
領域（例えば３８０〜４２０ｎｍ帯）にまで短波長化さ
れ、対物レンズの開口数が０．８以上（例えば０．８
５）まで高開口数化され、これに対応して光学記録層の
上層の光を透過させる保護層の厚さを０．１ｍｍ程度に
まで薄くした光学記録媒体を用いる光ディスク装置が提
案されている。上記の光ディスクでは、０．１ｍｍの光
透過層は剛性が不足するので、光学記録層の下層に１．
１ｍｍ程度のディスク基板が用いられる。
【０００６】上記の光透過層（光透過性の保護層）の厚
さを０．１ｍｍ程度にまで薄くした光ディスクの例とし
て、相変化型の光ディスクについて説明する。図１０
（ａ）は、上記の光ディスクの光の照射の様子を示す模
式斜視図である。光ディスクＤＣは、中心部にセンター
ホールＣＨが開口された略円盤形状をしており、ドライ
ブ方向ＤＲに回転駆動される。情報を記録または再生す
るときには、光ディスクＤＣ中の光学記録層に対して、
例えば開口数が０．８以上の対物レンズＯＬにより、青
〜青紫色の領域のレーザ光などの光ＬＴが照射される。
さを０．１ｍｍ程度にまで薄くした光ディスクの例とし
て、相変化型の光ディスクについて説明する。図１０
（ａ）は、上記の光ディスクの光の照射の様子を示す模
式斜視図である。光ディスクＤＣは、中心部にセンター
ホールＣＨが開口された略円盤形状をしており、ドライ
ブ方向ＤＲに回転駆動される。情報を記録または再生す
るときには、光ディスクＤＣ中の光学記録層に対して、
例えば開口数が０．８以上の対物レンズＯＬにより、青
〜青紫色の領域のレーザ光などの光ＬＴが照射される。
【０００７】図１０（ｂ）は模式断面図であり、図１０
（ｃ）は図１０（ｂ）の模式断面図の要部を拡大した断
面図である。厚さが約１．１ｍｍのポリカーボネートな
どからなるディスク基板１５の一方の表面に、トラック
領域を区分する溝１５ａが設けられており、この面上
に、光学記録積層体１６が形成されている。光学記録積
層体１６は、上層側から例えば第１誘電体層１６Ｉａ、
相変化型の光学記録層１６ＲＬ、第２誘電体層１６Ｉ
ｂ、および反射膜１６ＲＦがこの順番で積層されてい
る。光学記録積層体１６の層構成および層数は、記録材
料の種類や設計によって異なる。さらに、光学記録積層
体１６の上層に０．１ｍｍの膜厚の光透過性の保護層１
７が形成されている。保護層１７は、例えば紫外線硬化
樹脂などからなる。
（ｃ）は図１０（ｂ）の模式断面図の要部を拡大した断
面図である。厚さが約１．１ｍｍのポリカーボネートな
どからなるディスク基板１５の一方の表面に、トラック
領域を区分する溝１５ａが設けられており、この面上
に、光学記録積層体１６が形成されている。光学記録積
層体１６は、上層側から例えば第１誘電体層１６Ｉａ、
相変化型の光学記録層１６ＲＬ、第２誘電体層１６Ｉ
ｂ、および反射膜１６ＲＦがこの順番で積層されてい
る。光学記録積層体１６の層構成および層数は、記録材
料の種類や設計によって異なる。さらに、光学記録積層
体１６の上層に０．１ｍｍの膜厚の光透過性の保護層１
７が形成されている。保護層１７は、例えば紫外線硬化
樹脂などからなる。
【０００８】上記の光ディスクを記録あるいは再生する
場合には、対物レンズＯＬにより、レーザ光などの光Ｌ
Ｔを保護層１７側から光学記録積層体１６に対して照射
する。光ディスクの再生時においては、光学記録積層体
１６で反射された戻り光が受光素子で受光され、信号処
理回路により所定の信号を生成して、再生信号が取り出
される。
場合には、対物レンズＯＬにより、レーザ光などの光Ｌ
Ｔを保護層１７側から光学記録積層体１６に対して照射
する。光ディスクの再生時においては、光学記録積層体
１６で反射された戻り光が受光素子で受光され、信号処
理回路により所定の信号を生成して、再生信号が取り出
される。
【０００９】上記のような光ディスクにおいて、ディス
ク基板１５の一方の表面に設けられた溝１５ａに応じて
光学記録積層体１６も凹凸形状を有しており、この溝１
５ａによりトラック領域が区分されている。ディスク基
板１５から見て保護層１７側に凸に突出している領域は
ランド、凹部領域はグルーブと呼ばれ、ランドとグルー
ブの両者に情報を記録するランド・グルーブ記録方式を
適用することが可能である。また、ランドとグルーブの
いずれか一方のみを記録領域とすることも可能である。
ク基板１５の一方の表面に設けられた溝１５ａに応じて
光学記録積層体１６も凹凸形状を有しており、この溝１
５ａによりトラック領域が区分されている。ディスク基
板１５から見て保護層１７側に凸に突出している領域は
ランド、凹部領域はグルーブと呼ばれ、ランドとグルー
ブの両者に情報を記録するランド・グルーブ記録方式を
適用することが可能である。また、ランドとグルーブの
いずれか一方のみを記録領域とすることも可能である。
【００１０】上記の構成の相変化型の光ディスクは、相
変化型の光学記録層が結晶状態とアモルファス状態のい
ずれかであるかによってデータを記録するものであり、
記録データのコントラストとして、用いる光源の波長に
おいて、光学記録層がアモルファス状態であるときの光
ディスクとしての反射率（Ｒａ）に対する、光学記録層
が結晶状態であるときの光ディスクとしての反射率（Ｒ
ｃ）の比率（Ｒｃ／Ｒａ）が大きくなるように、上記の
層構成などが設計される。上記の用いる光源の波長は、
上述のように７８０ｎｍ帯や６３０〜６８０ｎｍ帯など
から、３８０〜４２０ｎｍ帯へと短波長化してきてお
り、これに伴って上記の比率（Ｒｃ／Ｒａ）が最適とな
るように、第１誘電体層１６Ｉａの膜厚を適切な値に設
定することが重要である。
変化型の光学記録層が結晶状態とアモルファス状態のい
ずれかであるかによってデータを記録するものであり、
記録データのコントラストとして、用いる光源の波長に
おいて、光学記録層がアモルファス状態であるときの光
ディスクとしての反射率（Ｒａ）に対する、光学記録層
が結晶状態であるときの光ディスクとしての反射率（Ｒ
ｃ）の比率（Ｒｃ／Ｒａ）が大きくなるように、上記の
層構成などが設計される。上記の用いる光源の波長は、
上述のように７８０ｎｍ帯や６３０〜６８０ｎｍ帯など
から、３８０〜４２０ｎｍ帯へと短波長化してきてお
り、これに伴って上記の比率（Ｒｃ／Ｒａ）が最適とな
るように、第１誘電体層１６Ｉａの膜厚を適切な値に設
定することが重要である。
【００１１】上記の第１誘電体層１６Ｉａの膜厚につい
てシミュレーションを行うと、上記の光ディスクの反射
率（ＲａおよびＲｃ）は、第１誘電体層１６Ｉａの膜厚
に対して周期的に変化し、膜厚が例えば３５ｎｍのとき
に記録データのコントラストとなる比率（Ｒｃ／Ｒａ）
が極大となる。従って、例えば第１誘電体層１６Ｉａの
膜厚は３５ｎｍ程度に設定されている。
てシミュレーションを行うと、上記の光ディスクの反射
率（ＲａおよびＲｃ）は、第１誘電体層１６Ｉａの膜厚
に対して周期的に変化し、膜厚が例えば３５ｎｍのとき
に記録データのコントラストとなる比率（Ｒｃ／Ｒａ）
が極大となる。従って、例えば第１誘電体層１６Ｉａの
膜厚は３５ｎｍ程度に設定されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
構成の相変化型の光ディスクにおいては、下記の理由に
より保護層１７が破壊されるという不具合が生じること
があった。上記の保護層１７の破壊は、上記のような使
用するレーザ光の短波長化、対物レンズの高開口数（Ｎ
Ａ）化により、レーザ光の光スポット径が小さくなり、
光ディスク上における光スポットのエネルギ密度が高ま
って、データの記録時においては相変化型光学記録層で
局所的に１０００℃を越える高温となる領域が生じ、こ
の熱が薄い第１誘電体層を介して、耐熱性が低い紫外線
硬化樹脂などからなる保護層に拡散することに起因する
と考えられる。上記のように保護層が破壊されると、光
ディスクの信頼性が低下し、書き換え可能な回数が少な
くなってしまう。
構成の相変化型の光ディスクにおいては、下記の理由に
より保護層１７が破壊されるという不具合が生じること
があった。上記の保護層１７の破壊は、上記のような使
用するレーザ光の短波長化、対物レンズの高開口数（Ｎ
Ａ）化により、レーザ光の光スポット径が小さくなり、
光ディスク上における光スポットのエネルギ密度が高ま
って、データの記録時においては相変化型光学記録層で
局所的に１０００℃を越える高温となる領域が生じ、こ
の熱が薄い第１誘電体層を介して、耐熱性が低い紫外線
硬化樹脂などからなる保護層に拡散することに起因する
と考えられる。上記のように保護層が破壊されると、光
ディスクの信頼性が低下し、書き換え可能な回数が少な
くなってしまう。
【００１３】光ディスクの反射率（ＲａおよびＲｃ）は
周期的に変化していることから、比率（Ｒｃ／Ｒａ）が
極大となる次の周期の膜厚である１３５ｎｍ程度に厚膜
化して、相変化型光学記録層で発生する熱の保護層への
拡散を抑制し、上記の問題を回避する方法が考えられて
いる。しかし、この場合には、第１誘電体層の厚膜化に
伴う製造コストの増加、熱が相変化型光学記録層にこも
りやすくなることによるクロスライトの悪化、および、
膜厚精度を保つことが困難であるという新たな問題が生
じることになる。
周期的に変化していることから、比率（Ｒｃ／Ｒａ）が
極大となる次の周期の膜厚である１３５ｎｍ程度に厚膜
化して、相変化型光学記録層で発生する熱の保護層への
拡散を抑制し、上記の問題を回避する方法が考えられて
いる。しかし、この場合には、第１誘電体層の厚膜化に
伴う製造コストの増加、熱が相変化型光学記録層にこも
りやすくなることによるクロスライトの悪化、および、
膜厚精度を保つことが困難であるという新たな問題が生
じることになる。
【００１４】本発明は上記の状況に鑑みてなされたもの
であり、従って本発明の目的は、新たな問題を生じさせ
ずに、光源を短波長化してもデータの記録時に発生する
熱による保護層の破壊を抑制し、信頼性を高めて書き換
え可能な回数を増加することが可能となる光学記録媒体
を提供することである。
であり、従って本発明の目的は、新たな問題を生じさせ
ずに、光源を短波長化してもデータの記録時に発生する
熱による保護層の破壊を抑制し、信頼性を高めて書き換
え可能な回数を増加することが可能となる光学記録媒体
を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の光学記録媒体は、基板と、上記基板上に
形成された光学記録積層体と、上記光学記録積層体の上
層に形成された光透過性の保護層とを有し、上記光学記
録積層体は、少なくとも、相変化型光学記録層と、当該
相変化型光学記録層の上記保護層側に形成された第１誘
電体層と、当該第１誘電体層の上記保護層側に形成さ
れ、当該第１誘電体層よりも高い熱伝導性を有する冷却
層とを含む。
めに、本発明の光学記録媒体は、基板と、上記基板上に
形成された光学記録積層体と、上記光学記録積層体の上
層に形成された光透過性の保護層とを有し、上記光学記
録積層体は、少なくとも、相変化型光学記録層と、当該
相変化型光学記録層の上記保護層側に形成された第１誘
電体層と、当該第１誘電体層の上記保護層側に形成さ
れ、当該第１誘電体層よりも高い熱伝導性を有する冷却
層とを含む。
【００１６】上記の本発明の光学記録媒体は、好適に
は、上記光学記録積層体は、上記相変化型光学記録層の
上記基板側に形成された第２誘電体層と、当該第２誘電
体層の上記基板側に形成された反射膜とをさらに含む。
さらに好適には、上記光学記録積層体は、上記反射膜と
上記第２誘電体層の間に形成された反射膜保護層をさら
に含む。
は、上記光学記録積層体は、上記相変化型光学記録層の
上記基板側に形成された第２誘電体層と、当該第２誘電
体層の上記基板側に形成された反射膜とをさらに含む。
さらに好適には、上記光学記録積層体は、上記反射膜と
上記第２誘電体層の間に形成された反射膜保護層をさら
に含む。
【００１７】上記の本発明の光学記録媒体は、好適に
は、上記冷却層は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓｉ、
ＧｅまたはＳｎのそれぞれの窒化物または酸化物あるい
はそれらの混合物からなるグループから選択された少な
くとも１種類の材料を含む。
は、上記冷却層は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓｉ、
ＧｅまたはＳｎのそれぞれの窒化物または酸化物あるい
はそれらの混合物からなるグループから選択された少な
くとも１種類の材料を含む。
【００１８】上記の本発明の光学記録媒体は、好適に
は、上記第１誘電体層と上記冷却層の膜厚の合計が３０
〜８０ｎｍである。
は、上記第１誘電体層と上記冷却層の膜厚の合計が３０
〜８０ｎｍである。
【００１９】上記の本発明の光学記録媒体は、好適に
は、上記相変化型光学記録層が、下記式（１）に示す合
金からなる。
は、上記相変化型光学記録層が、下記式（１）に示す合
金からなる。
【００２０】
【化３】
Ｇｅa Ｓｂx Ｔｅy …（１）
ただし、１−ａ＝ｘ＋ｙ、０．０２≦ａ≦０．１０、
２．２０≦ｘ／ｙ≦５．００である。
２．２０≦ｘ／ｙ≦５．００である。
【００２１】上記の本発明の光学記録媒体は、好適に
は、上記相変化型光学記録層が、下記式（２）に示す合
金からなる。
は、上記相変化型光学記録層が、下記式（２）に示す合
金からなる。
【００２２】
【化４】
Ｇｅa Ｉｎb Ｓｂx Ｔｅy …（２）
ただし、１−（ａ＋ｂ）＝ｘ＋ｙ、０．０２≦ａ＋ｂ≦
０．１０、２．２０≦ｘ／ｙ≦５．００である。
０．１０、２．２０≦ｘ／ｙ≦５．００である。
【００２３】上記の本発明の光学記録媒体は、相変化型
光学記録層の光透過性の保護層側に形成された第１誘電
体層のさらに保護層側に、第１誘電体層よりも高い熱伝
導性を有する冷却層が形成されているため、記録時に発
生する熱が速やかに拡散され、これによって、光源を短
波長化してもデータの記録時に発生する熱による保護層
の破壊を抑制し、信頼性を高めて書き換え可能な回数を
増加することが可能となる。このとき、第１誘電体層と
冷却層を合わせても、膜厚の合計を３０〜８０ｎｍ程度
に薄くできるので、上述のようなクロスライトの悪化な
どの新たな問題を生じさせない。
光学記録層の光透過性の保護層側に形成された第１誘電
体層のさらに保護層側に、第１誘電体層よりも高い熱伝
導性を有する冷却層が形成されているため、記録時に発
生する熱が速やかに拡散され、これによって、光源を短
波長化してもデータの記録時に発生する熱による保護層
の破壊を抑制し、信頼性を高めて書き換え可能な回数を
増加することが可能となる。このとき、第１誘電体層と
冷却層を合わせても、膜厚の合計を３０〜８０ｎｍ程度
に薄くできるので、上述のようなクロスライトの悪化な
どの新たな問題を生じさせない。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて詳しく説明する。
て図面を用いて詳しく説明する。
【００２５】第１実施形態
図１（ａ）は本実施形態に係る相変化型の書き換え可能
な光ディスクの光の照射の様子を示す模式斜視図であ
る。光ディスクＤＣは、中心部にセンターホールＣＨが
開口された略円盤形状をしており、ドライブ方向ＤＲに
回転駆動される。情報を記録または再生するときには、
光ディスクＤＣ中の光学記録層に対して、例えば開口数
が０．８以上の対物レンズＯＬにより、青〜青紫色の領
域のレーザ光などの光ＬＴが照射される。
な光ディスクの光の照射の様子を示す模式斜視図であ
る。光ディスクＤＣは、中心部にセンターホールＣＨが
開口された略円盤形状をしており、ドライブ方向ＤＲに
回転駆動される。情報を記録または再生するときには、
光ディスクＤＣ中の光学記録層に対して、例えば開口数
が０．８以上の対物レンズＯＬにより、青〜青紫色の領
域のレーザ光などの光ＬＴが照射される。
【００２６】図１（ｂ）は模式断面図であり、図１
（ｃ）は図１（ｂ）の模式断面図の要部を拡大した断面
図である。厚さが約１．１ｍｍのポリカーボネートなど
からなるディスク基板１５の一方の表面に、トラック領
域を区分する溝１５ａが設けられており、この面上に、
光学記録積層体１６が形成されている。さらに、光学記
録積層体１６の上層に０．１ｍｍの膜厚の光透過性の保
護層１７が形成されている。保護層１７は、例えば紫外
線硬化樹脂などからなる。
（ｃ）は図１（ｂ）の模式断面図の要部を拡大した断面
図である。厚さが約１．１ｍｍのポリカーボネートなど
からなるディスク基板１５の一方の表面に、トラック領
域を区分する溝１５ａが設けられており、この面上に、
光学記録積層体１６が形成されている。さらに、光学記
録積層体１６の上層に０．１ｍｍの膜厚の光透過性の保
護層１７が形成されている。保護層１７は、例えば紫外
線硬化樹脂などからなる。
【００２７】上記の光ディスクを記録あるいは再生する
場合には、対物レンズＯＬにより、レーザ光などの光Ｌ
Ｔを保護層１７側から光学記録積層体１６に対して照射
する。光ディスクの再生時においては、光学記録積層体
１６で反射された戻り光が受光素子で受光され、信号処
理回路により所定の信号を生成して、再生信号が取り出
される。
場合には、対物レンズＯＬにより、レーザ光などの光Ｌ
Ｔを保護層１７側から光学記録積層体１６に対して照射
する。光ディスクの再生時においては、光学記録積層体
１６で反射された戻り光が受光素子で受光され、信号処
理回路により所定の信号を生成して、再生信号が取り出
される。
【００２８】上記のような光ディスクにおいて、ディス
ク基板１５の一方の表面に設けられた溝１５ａに応じて
光学記録積層体１６も凹凸形状を有しており、この溝１
５ａによりトラック領域が区分されている。ディスク基
板１５から見て保護層１７側に凸に突出している領域は
ランド、凹部領域はグルーブと呼ばれ、ランドとグルー
ブの両者に情報を記録するランド・グルーブ記録方式を
適用することが可能である。また、ランドとグルーブの
一方のみ記録領域とすることも可能である。
ク基板１５の一方の表面に設けられた溝１５ａに応じて
光学記録積層体１６も凹凸形状を有しており、この溝１
５ａによりトラック領域が区分されている。ディスク基
板１５から見て保護層１７側に凸に突出している領域は
ランド、凹部領域はグルーブと呼ばれ、ランドとグルー
ブの両者に情報を記録するランド・グルーブ記録方式を
適用することが可能である。また、ランドとグルーブの
一方のみ記録領域とすることも可能である。
【００２９】光学記録積層体１６は、例えば上層側か
ら、冷却層１６ＣＬ、第１誘電体層１６Ｉａ、相変化型
の光学記録層１６ＲＬ、第２誘電体層１６Ｉｂ、および
反射膜１６ＲＦがこの順番で積層されている。光学記録
積層体１６の層構成および層数は、記録材料の種類や設
計によって異なる。
ら、冷却層１６ＣＬ、第１誘電体層１６Ｉａ、相変化型
の光学記録層１６ＲＬ、第２誘電体層１６Ｉｂ、および
反射膜１６ＲＦがこの順番で積層されている。光学記録
積層体１６の層構成および層数は、記録材料の種類や設
計によって異なる。
【００３０】光学記録層１６ＲＬは、例えばＧｅＳｂＴ
ｅなどの相変化材料からなる。例えば、下記式（１）あ
るいは（２）に示す合金を好ましく用いることができ
る。
ｅなどの相変化材料からなる。例えば、下記式（１）あ
るいは（２）に示す合金を好ましく用いることができ
る。
【００３１】
【化５】
Ｇｅa Ｓｂx Ｔｅy …（１）
ただし、１−ａ＝ｘ＋ｙ、０．０２≦ａ≦０．１０、
２．２０≦ｘ／ｙ≦５．００である。
２．２０≦ｘ／ｙ≦５．００である。
【００３２】
【化６】
Ｇｅa Ｉｎb Ｓｂx Ｔｅy …（２）
ただし、１−（ａ＋ｂ）＝ｘ＋ｙ、０．０２≦ａ＋ｂ≦
０．１０、２．２０≦ｘ／ｙ≦５．００である。
０．１０、２．２０≦ｘ／ｙ≦５．００である。
【００３３】反射膜１６ＲＦは、ヒートシンクとしても
機能をし、例えばアルミニウム合金あるいはＡｇ合金か
らなる。誘電体層（１６Ｉａ，１６Ｉｂ）は、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 などの誘電体あるいはそれらの積層体からな
る。
機能をし、例えばアルミニウム合金あるいはＡｇ合金か
らなる。誘電体層（１６Ｉａ，１６Ｉｂ）は、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 などの誘電体あるいはそれらの積層体からな
る。
【００３４】また、上記の冷却層１６ＣＬは、第１誘電
体層１６Ｉａよりも高い熱伝導性を有しており、例え
ば、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓｉ、ＧｅまたはＳｎ
のそれぞれの窒化物または酸化物あるいはそれらの混合
物からなるグループから選択された少なくとも１種類の
材料を含む。第１誘電体層１６ＩａがＺｎＳ−ＳｉＯ2
膜である場合には、冷却層１６ＣＬとしては窒化シリコ
ン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）膜などを好ましく用いることができ
る。
体層１６Ｉａよりも高い熱伝導性を有しており、例え
ば、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓｉ、ＧｅまたはＳｎ
のそれぞれの窒化物または酸化物あるいはそれらの混合
物からなるグループから選択された少なくとも１種類の
材料を含む。第１誘電体層１６ＩａがＺｎＳ−ＳｉＯ2
膜である場合には、冷却層１６ＣＬとしては窒化シリコ
ン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）膜などを好ましく用いることができ
る。
【００３５】上記の層構成を有する相変化型の光ディス
クにおいて、記録時においては、再生時よりも強度の強
い光を記録マークを形成すべき領域の光学記録層１６Ｒ
Ｌに照射する。このとき、光を受けた光学記録層１６Ｒ
Ｌは、アモルファス状態に相変化して記録マークとな
る。一方、再生時においては、再生用の光を光学記録層
１６ＲＬに照射する。このとき、光学記録層１６ＲＬが
結晶状態である場合とアモルファス状態である場合とで
は、光ディスクとしての反射率が異なることから、再生
光の反射率を検出することにより、記録されたデータを
再生することができる。
クにおいて、記録時においては、再生時よりも強度の強
い光を記録マークを形成すべき領域の光学記録層１６Ｒ
Ｌに照射する。このとき、光を受けた光学記録層１６Ｒ
Ｌは、アモルファス状態に相変化して記録マークとな
る。一方、再生時においては、再生用の光を光学記録層
１６ＲＬに照射する。このとき、光学記録層１６ＲＬが
結晶状態である場合とアモルファス状態である場合とで
は、光ディスクとしての反射率が異なることから、再生
光の反射率を検出することにより、記録されたデータを
再生することができる。
【００３６】従来、上記の記録時の強い光を照射したと
きに光学記録層１６ＲＬに発生する熱により光透過性の
保護層１７が破壊されて、光ディスクの信頼性が低下
し、書き換え可能な回数が少なくなってしまっていた
が、上記の本実施形態に係る光ディスクは、相変化型の
光学記録層１６ＲＬの光透過性の保護層１７側に形成さ
れた第１誘電体層１６Ｉａのさらに保護層１７側に、第
１誘電体層１６Ｉａよりも高い熱伝導性を有する冷却層
１６ＣＬが形成されているため、記録時に発生する熱が
速やかに拡散され、これによって、光源を短波長化して
もデータの記録時に発生する熱による保護層１７の破壊
を抑制し、信頼性を高めて書き換え可能な回数を増加す
ることが可能となる。これにより、光ディスクの大容量
化に伴うレーザ光の短波長化、対物レンズの高開口数
（ＮＡ）化にも対応した光ディスクを実現可能である。
きに光学記録層１６ＲＬに発生する熱により光透過性の
保護層１７が破壊されて、光ディスクの信頼性が低下
し、書き換え可能な回数が少なくなってしまっていた
が、上記の本実施形態に係る光ディスクは、相変化型の
光学記録層１６ＲＬの光透過性の保護層１７側に形成さ
れた第１誘電体層１６Ｉａのさらに保護層１７側に、第
１誘電体層１６Ｉａよりも高い熱伝導性を有する冷却層
１６ＣＬが形成されているため、記録時に発生する熱が
速やかに拡散され、これによって、光源を短波長化して
もデータの記録時に発生する熱による保護層１７の破壊
を抑制し、信頼性を高めて書き換え可能な回数を増加す
ることが可能となる。これにより、光ディスクの大容量
化に伴うレーザ光の短波長化、対物レンズの高開口数
（ＮＡ）化にも対応した光ディスクを実現可能である。
【００３７】第１および第２誘電体層（１６Ｉａ，１６
Ｉｂ）は、位相あるいは熱伝導率を調整するため、さら
には、拡散を防止するなどの理由により形成されている
が、光学記録層１６ＲＬと保護層１７の間の層は冷却層
１６ＣＬと第１誘電体層１６Ｉａの積層体として位相あ
るいは熱伝導率などが所定の値となるように設計され
る。例えば、第１誘電体層１６Ｉａと冷却層１６ＣＬの
膜厚の合計が３０〜８０ｎｍとなるようにする。冷却層
１６ＣＬを設けることによって熱を十分に拡散しても保
護層の破壊を防止できるため、第１誘電体層１６Ｉａと
冷却層１６ＣＬの膜厚の合計を薄膜化することが可能と
なったもので、これにより、第１誘電体層１６Ｉａを厚
膜化したときに生じる製造コストの増加、クロスライト
の悪化、および、膜厚精度を保つことの困難さなどを回
避することができる。
Ｉｂ）は、位相あるいは熱伝導率を調整するため、さら
には、拡散を防止するなどの理由により形成されている
が、光学記録層１６ＲＬと保護層１７の間の層は冷却層
１６ＣＬと第１誘電体層１６Ｉａの積層体として位相あ
るいは熱伝導率などが所定の値となるように設計され
る。例えば、第１誘電体層１６Ｉａと冷却層１６ＣＬの
膜厚の合計が３０〜８０ｎｍとなるようにする。冷却層
１６ＣＬを設けることによって熱を十分に拡散しても保
護層の破壊を防止できるため、第１誘電体層１６Ｉａと
冷却層１６ＣＬの膜厚の合計を薄膜化することが可能と
なったもので、これにより、第１誘電体層１６Ｉａを厚
膜化したときに生じる製造コストの増加、クロスライト
の悪化、および、膜厚精度を保つことの困難さなどを回
避することができる。
【００３８】また、第１誘電体層１６Ｉａと冷却層１６
ＣＬの複合膜として、記録データのコントラストが大き
くなるようにその膜厚が選択される。図２は、上記構成
の光ディスクにおいて、光源波長を４００ｎｍ帯とした
ときにおける光学記録層がアモルファス状態であるとき
の光ディスクとしての反射率（Ｒａ）と、光学記録層が
結晶状態であるときの光ディスクとしての反射率（Ｒ
ｃ）を、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜に換算した第１誘電体層１
６Ｉａと冷却層１６ＣＬの複合膜厚ｔ1 に対してシミュ
レーションのより求めた結果を示す図である。光ディス
クの反射率（ＲａおよびＲｃ）は、複合膜厚ｔ1 に対し
て周期的に変化し、膜厚が例えば３５ｎｍのときに記録
データのコントラストとなる比率（Ｒｃ／Ｒａ）が極大
となる。従って、複合膜厚ｔ1 が３５ｎｍ程度となるよ
うに設定することが好ましい。
ＣＬの複合膜として、記録データのコントラストが大き
くなるようにその膜厚が選択される。図２は、上記構成
の光ディスクにおいて、光源波長を４００ｎｍ帯とした
ときにおける光学記録層がアモルファス状態であるとき
の光ディスクとしての反射率（Ｒａ）と、光学記録層が
結晶状態であるときの光ディスクとしての反射率（Ｒ
ｃ）を、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜に換算した第１誘電体層１
６Ｉａと冷却層１６ＣＬの複合膜厚ｔ1 に対してシミュ
レーションのより求めた結果を示す図である。光ディス
クの反射率（ＲａおよびＲｃ）は、複合膜厚ｔ1 に対し
て周期的に変化し、膜厚が例えば３５ｎｍのときに記録
データのコントラストとなる比率（Ｒｃ／Ｒａ）が極大
となる。従って、複合膜厚ｔ1 が３５ｎｍ程度となるよ
うに設定することが好ましい。
【００３９】例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜である第１誘
電体層１６Ｉａを２５ｎｍ、Ｓｉ3Ｎ4 膜である冷却層
１６ＣＬを２５ｎｍとする。このように設定した結果
は、上記の複合膜厚の好ましい条件を満たす他、第１誘
電体層１６Ｉａと冷却層１６ＣＬの膜厚の合計が５０ｎ
ｍとなり、上述の第１誘電体層１６Ｉａと冷却層１６Ｃ
Ｌの膜厚の合計に関する好ましい条件を満たす。
電体層１６Ｉａを２５ｎｍ、Ｓｉ3Ｎ4 膜である冷却層
１６ＣＬを２５ｎｍとする。このように設定した結果
は、上記の複合膜厚の好ましい条件を満たす他、第１誘
電体層１６Ｉａと冷却層１６ＣＬの膜厚の合計が５０ｎ
ｍとなり、上述の第１誘電体層１６Ｉａと冷却層１６Ｃ
Ｌの膜厚の合計に関する好ましい条件を満たす。
【００４０】上記の本実施形態の光ディスクの製造方法
について説明する。まず、図３（ａ）に示すように、ガ
ラス基板１０上にレジスト膜１１が成膜されたディスク
原盤を準備する。
について説明する。まず、図３（ａ）に示すように、ガ
ラス基板１０上にレジスト膜１１が成膜されたディスク
原盤を準備する。
【００４１】次に、図３（ｂ）に示すように、レーザビ
ームあるいは電子ビームなどにより、例えばディスク基
板の溝となる領域を感光させるパターンでレジスト膜１
１の露光を行い、現像処理を施して、ディスク基板の溝
となる領域を開口するパターンのレジスト膜１１ａとす
る。
ームあるいは電子ビームなどにより、例えばディスク基
板の溝となる領域を感光させるパターンでレジスト膜１
１の露光を行い、現像処理を施して、ディスク基板の溝
となる領域を開口するパターンのレジスト膜１１ａとす
る。
【００４２】次に、図４（ｃ）に示すように、例えば銀
メッキ処理やその他の成膜処理などを用いて、上記ガラ
ス基板１０上のレジスト膜１１ａ上にメタルマスタ１２
を形成する。メタルマスタ１２の表面には、ガラス基板
１０およびレジスト膜１１ａにより構成されるパターン
の凹凸と逆パターンの凹凸が転写される。
メッキ処理やその他の成膜処理などを用いて、上記ガラ
ス基板１０上のレジスト膜１１ａ上にメタルマスタ１２
を形成する。メタルマスタ１２の表面には、ガラス基板
１０およびレジスト膜１１ａにより構成されるパターン
の凹凸と逆パターンの凹凸が転写される。
【００４３】次に、図４（ｄ）に示すように、上記メタ
ルマスタ１２上にマザー１３を形成する。マザー１３の
表面には、メタルマスタ１２の表面の凹凸と逆パターン
の凹凸が転写される。図面上、メタルマスタ１２を下方
とし、図４（ｃ）に対して上下を逆転して描いている。
ルマスタ１２上にマザー１３を形成する。マザー１３の
表面には、メタルマスタ１２の表面の凹凸と逆パターン
の凹凸が転写される。図面上、メタルマスタ１２を下方
とし、図４（ｃ）に対して上下を逆転して描いている。
【００４４】次に、図５（ｅ）に示すように、上記マザ
ー１３上にスタンパ１４を形成する。スタンパ１４の表
面には、マザー１３の表面の凹凸と逆パターンの凹凸が
転写される。図面上、マザー１３を下方とし、図４
（ｄ）に対して上下を逆転して描いている。
ー１３上にスタンパ１４を形成する。スタンパ１４の表
面には、マザー１３の表面の凹凸と逆パターンの凹凸が
転写される。図面上、マザー１３を下方とし、図４
（ｄ）に対して上下を逆転して描いている。
【００４５】次に、図５（ｆ）に示すように、例えば射
出成形法、圧縮成形法、あるいは２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ Ｐ
ｏｌｙｍａｒｉｚａｔｉｏｎ）法などにより、上記スタ
ンパ１４の凹凸パターン上にポリカーボネートなどの樹
脂製基板であるディスク基板１５を形成する。ディスク
基板１５には、スタンパ１４の表面の凹凸と逆パターン
の凹凸となる溝１５ｃが転写される。ここで、スタンパ
１４の表面の凹凸と逆パターンの凹凸となる溝１５ｃが
転写される。図面上、スタンパ１４を下方とし、図５
（ｅ）に対して上下を逆転して描いている。
出成形法、圧縮成形法、あるいは２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ Ｐ
ｏｌｙｍａｒｉｚａｔｉｏｎ）法などにより、上記スタ
ンパ１４の凹凸パターン上にポリカーボネートなどの樹
脂製基板であるディスク基板１５を形成する。ディスク
基板１５には、スタンパ１４の表面の凹凸と逆パターン
の凹凸となる溝１５ｃが転写される。ここで、スタンパ
１４の表面の凹凸と逆パターンの凹凸となる溝１５ｃが
転写される。図面上、スタンパ１４を下方とし、図５
（ｅ）に対して上下を逆転して描いている。
【００４６】次に、図６（ｇ）に示すように、ディスク
基板１５の表面に、例えばスパッタリング法などによ
り、例えば反射膜１６ＲＦ、誘電体層１６Ｉｂ、光学記
録層１６ＲＬ、誘電体層１６Ｉａ、冷却層１６ＣＬの積
層体をこの順序で成膜し、光学記録積層体１６とする。
基板１５の表面に、例えばスパッタリング法などによ
り、例えば反射膜１６ＲＦ、誘電体層１６Ｉｂ、光学記
録層１６ＲＬ、誘電体層１６Ｉａ、冷却層１６ＣＬの積
層体をこの順序で成膜し、光学記録積層体１６とする。
【００４７】次に、図６（ｈ）に示すように、光学記録
積層体１６の上層に、例えば紫外線硬化樹脂を成膜し、
光透過性の保護層１７を形成する。以上で、図１に示す
構造の光ディスクを製造することができる。
積層体１６の上層に、例えば紫外線硬化樹脂を成膜し、
光透過性の保護層１７を形成する。以上で、図１に示す
構造の光ディスクを製造することができる。
【００４８】上記の本実施形態に係る光ディスクの製造
方法によれば、相変化型の光学記録層１６ＲＬの光透過
性の保護層１７側に形成された第１誘電体層１６Ｉａの
さらに保護層１７側に、第１誘電体層１６Ｉａよりも高
い熱伝導性を有する冷却層１６ＣＬを形成しており、記
録時に発生する熱が速やかに拡散され、これによって、
光源を短波長化してもデータの記録時に発生する熱によ
る保護層１７の破壊を抑制し、信頼性を高めて書き換え
可能な回数を増加することが可能となる光ディスクを製
造することができる。
方法によれば、相変化型の光学記録層１６ＲＬの光透過
性の保護層１７側に形成された第１誘電体層１６Ｉａの
さらに保護層１７側に、第１誘電体層１６Ｉａよりも高
い熱伝導性を有する冷却層１６ＣＬを形成しており、記
録時に発生する熱が速やかに拡散され、これによって、
光源を短波長化してもデータの記録時に発生する熱によ
る保護層１７の破壊を抑制し、信頼性を高めて書き換え
可能な回数を増加することが可能となる光ディスクを製
造することができる。
【００４９】第２実施形態
図７は、本実施形態に係る相変化型の書き換え可能な光
ディスクの要部を拡大した断面図である。本実施形態に
係る相変化型の光ディスクは、実質的に第１実施形態に
係る光ディスクと同様の構成であるが、第２誘電体層１
６Ｉｂと反射膜１６ＲＦの間に、反射膜保護層１６ＰＴ
が形成されていることが異なる。例えば、反射膜１６Ｒ
ＦがＡｇなどからなり、第２誘電体層１６ＩｂがＺｎＳ
−ＳｉＯ2 膜などからなる場合、第２誘電体層１６Ｉｂ
と反射膜１６ＲＦが拡散により反応してしまう場合があ
るが、この境界部分に、反射膜保護層１６ＰＴとして、
例えばＳｉ3 Ｎ4 膜などの拡散を抑制する膜を形成する
ことにより、反射膜を保護することができる。上記以外
の構成は、第１実施形態と同様の構成とすることができ
る。
ディスクの要部を拡大した断面図である。本実施形態に
係る相変化型の光ディスクは、実質的に第１実施形態に
係る光ディスクと同様の構成であるが、第２誘電体層１
６Ｉｂと反射膜１６ＲＦの間に、反射膜保護層１６ＰＴ
が形成されていることが異なる。例えば、反射膜１６Ｒ
ＦがＡｇなどからなり、第２誘電体層１６ＩｂがＺｎＳ
−ＳｉＯ2 膜などからなる場合、第２誘電体層１６Ｉｂ
と反射膜１６ＲＦが拡散により反応してしまう場合があ
るが、この境界部分に、反射膜保護層１６ＰＴとして、
例えばＳｉ3 Ｎ4 膜などの拡散を抑制する膜を形成する
ことにより、反射膜を保護することができる。上記以外
の構成は、第１実施形態と同様の構成とすることができ
る。
【００５０】上記の本実施形態に係る光ディスクは、第
１実施形態と同様に、相変化型の光学記録層１６ＲＬの
光透過性の保護層１７側に形成された第１誘電体層１６
Ｉａのさらに保護層１７側に、第１誘電体層１６Ｉａよ
りも高い熱伝導性を有する冷却層１６ＣＬが形成されて
いるため、記録時に発生する熱が速やかに拡散され、こ
れによって、光源を短波長化してもデータの記録時に発
生する熱による保護層１７の破壊を抑制し、信頼性を高
めて書き換え可能な回数を増加することが可能となる。
１実施形態と同様に、相変化型の光学記録層１６ＲＬの
光透過性の保護層１７側に形成された第１誘電体層１６
Ｉａのさらに保護層１７側に、第１誘電体層１６Ｉａよ
りも高い熱伝導性を有する冷却層１６ＣＬが形成されて
いるため、記録時に発生する熱が速やかに拡散され、こ
れによって、光源を短波長化してもデータの記録時に発
生する熱による保護層１７の破壊を抑制し、信頼性を高
めて書き換え可能な回数を増加することが可能となる。
【００５１】（実施例）本実施例においては、図７に示
す層構成の光学記録積層体を有する相変化型の光ディス
クを作成した。即ち、厚さが約１．１ｍｍのポリカーボ
ネートなどからなり、ランドおよびグルーブを区分する
溝を形成した基板１５上に、Ａｇ合金からなる膜厚１０
０ｎｍの反射膜１６ＲＦ、Ｓｉ3 Ｎ4 膜からなる膜厚１
０ｎｍの反射膜保護層１６ＰＴ、ＺｎＳ（８０モル％）
−ＳｉＯ2 （２０モル％）からなる膜厚５ｎｍの混合誘
電体層１６Ｉｂ、Ｇｅ0.040 Ｓｂ0.714 Ｔｅ0.246 合金
からなる膜厚１０ｎｍの相変化型の光学記録層１６Ｒ
Ｌ、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ2 （２０モル％）か
らなる膜厚２５ｎｍの混合誘電体層１６Ｉａ、および、
Ｓｉ3 Ｎ4 膜からなる膜厚２５ｎｍの冷却層１６ＣＬ
を、順にスパッタリング法により積層させ、相変化型の
光学記録積層体１６を形成した。次に、光学記録積層体
１６の上層に、スピンコート法により紫外線硬化樹脂か
らなる膜厚が約０．１ｍｍの光透過性の保護層１７を形
成した。
す層構成の光学記録積層体を有する相変化型の光ディス
クを作成した。即ち、厚さが約１．１ｍｍのポリカーボ
ネートなどからなり、ランドおよびグルーブを区分する
溝を形成した基板１５上に、Ａｇ合金からなる膜厚１０
０ｎｍの反射膜１６ＲＦ、Ｓｉ3 Ｎ4 膜からなる膜厚１
０ｎｍの反射膜保護層１６ＰＴ、ＺｎＳ（８０モル％）
−ＳｉＯ2 （２０モル％）からなる膜厚５ｎｍの混合誘
電体層１６Ｉｂ、Ｇｅ0.040 Ｓｂ0.714 Ｔｅ0.246 合金
からなる膜厚１０ｎｍの相変化型の光学記録層１６Ｒ
Ｌ、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ2 （２０モル％）か
らなる膜厚２５ｎｍの混合誘電体層１６Ｉａ、および、
Ｓｉ3 Ｎ4 膜からなる膜厚２５ｎｍの冷却層１６ＣＬ
を、順にスパッタリング法により積層させ、相変化型の
光学記録積層体１６を形成した。次に、光学記録積層体
１６の上層に、スピンコート法により紫外線硬化樹脂か
らなる膜厚が約０．１ｍｍの光透過性の保護層１７を形
成した。
【００５２】上記のようにして作成した相変化型の光デ
ィスクに、ビット長０．１３μｍ、線速５．４２ｍ／秒
で信号を記録し、書き換え特性（ジッターの書き換え回
数依存性）をランドとグルーブのそれぞれについて調べ
た。結果を図８に示す。
ィスクに、ビット長０．１３μｍ、線速５．４２ｍ／秒
で信号を記録し、書き換え特性（ジッターの書き換え回
数依存性）をランドとグルーブのそれぞれについて調べ
た。結果を図８に示す。
【００５３】（比較例）本実施例においては、図１０に
示す層構成において、さらに第２誘電体層１６Ｉｂと反
射膜１６ＲＦの間に、反射膜保護層が形成されている光
学記録積層体を有する相変化型の光ディスクを作成し
た。即ち、厚さが約１．１ｍｍのポリカーボネートなど
からなり、ランドおよびグルーブを区分する溝を形成し
た基板１５上に、Ａｇ合金からなる膜厚１００ｎｍの反
射膜１６ＲＦ、Ｓｉ3 Ｎ4 膜からなる膜厚１０ｎｍの反
射膜保護層、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ2 （２０モ
ル％）からなる膜厚５ｎｍの混合誘電体層１６Ｉｂ、Ｇ
ｅ0.040 Ｓｂ0.714 Ｔｅ0.246 合金からなる膜厚１０ｎ
ｍの相変化型の光学記録層１６ＲＬ、および、ＺｎＳ
（８０モル％）−ＳｉＯ2 （２０モル％）からなる膜厚
４０ｎｍの混合誘電体層１６Ｉａを、順にスパッタリン
グ法により積層させ、相変化型の光学記録積層体１６を
形成した。次に、光学記録積層体１６の上層に、スピン
コート法により紫外線硬化樹脂からなる膜厚が約０．１
ｍｍの光透過性の保護層１７を形成した。
示す層構成において、さらに第２誘電体層１６Ｉｂと反
射膜１６ＲＦの間に、反射膜保護層が形成されている光
学記録積層体を有する相変化型の光ディスクを作成し
た。即ち、厚さが約１．１ｍｍのポリカーボネートなど
からなり、ランドおよびグルーブを区分する溝を形成し
た基板１５上に、Ａｇ合金からなる膜厚１００ｎｍの反
射膜１６ＲＦ、Ｓｉ3 Ｎ4 膜からなる膜厚１０ｎｍの反
射膜保護層、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ2 （２０モ
ル％）からなる膜厚５ｎｍの混合誘電体層１６Ｉｂ、Ｇ
ｅ0.040 Ｓｂ0.714 Ｔｅ0.246 合金からなる膜厚１０ｎ
ｍの相変化型の光学記録層１６ＲＬ、および、ＺｎＳ
（８０モル％）−ＳｉＯ2 （２０モル％）からなる膜厚
４０ｎｍの混合誘電体層１６Ｉａを、順にスパッタリン
グ法により積層させ、相変化型の光学記録積層体１６を
形成した。次に、光学記録積層体１６の上層に、スピン
コート法により紫外線硬化樹脂からなる膜厚が約０．１
ｍｍの光透過性の保護層１７を形成した。
【００５４】上記のようにして作成した相変化型の光デ
ィスクに、ビット長０．１３μｍ、線速５．４２ｍ／秒
で信号を記録し、書き換え特性（ジッターの書き換え回
数依存性）をランドとグルーブのそれぞれについて調べ
た。結果を図９に示す。
ィスクに、ビット長０．１３μｍ、線速５．４２ｍ／秒
で信号を記録し、書き換え特性（ジッターの書き換え回
数依存性）をランドとグルーブのそれぞれについて調べ
た。結果を図９に示す。
【００５５】図９から、比較例の光ディスクは書き換え
回数が数１００回のオーダーでジッターが増加し始めて
いるが、図８から、本実施形態の実施例の光ディスクで
ジッターが増加し始めるのは数１００００回のオーダー
であり、比較例に対して２桁書き換え可能な回数を増加
できることが確認された。
回数が数１００回のオーダーでジッターが増加し始めて
いるが、図８から、本実施形態の実施例の光ディスクで
ジッターが増加し始めるのは数１００００回のオーダー
であり、比較例に対して２桁書き換え可能な回数を増加
できることが確認された。
【００５６】本発明は、上記の実施の形態に限定されな
い。例えば、光学記録積層体の層構成および各層の材料
は上記で例示したものに限定されず、上記特性を実現可
能な層構成および各層の材料を適宜用いることが可能で
ある。その他、本発明の要旨を変更しない範囲で種々の
変更をすることができる。
い。例えば、光学記録積層体の層構成および各層の材料
は上記で例示したものに限定されず、上記特性を実現可
能な層構成および各層の材料を適宜用いることが可能で
ある。その他、本発明の要旨を変更しない範囲で種々の
変更をすることができる。
【００５７】
【発明の効果】本発明の光学記録媒体によれば、相変化
型の光学記録層の光透過性の保護層側に形成された第１
誘電体層のさらに保護層側に、第１誘電体層よりも高い
熱伝導性を有する冷却層が形成されているため、記録時
に発生する熱が速やかに拡散され、これによって、光源
を短波長化してもデータの記録時に発生する熱による保
護層の破壊を抑制し、信頼性を高めて書き換え可能な回
数を増加することが可能となる。
型の光学記録層の光透過性の保護層側に形成された第１
誘電体層のさらに保護層側に、第１誘電体層よりも高い
熱伝導性を有する冷却層が形成されているため、記録時
に発生する熱が速やかに拡散され、これによって、光源
を短波長化してもデータの記録時に発生する熱による保
護層の破壊を抑制し、信頼性を高めて書き換え可能な回
数を増加することが可能となる。
【図１】図１（ａ）は、第１実施形態に係る光ディスク
の光の照射の様子を示す模式斜視図であり、図１（ｂ）
は模式断面図であり、図１（ｃ）は図１（ｂ）の模式断
面図の要部を拡大した断面図である。
の光の照射の様子を示す模式斜視図であり、図１（ｂ）
は模式断面図であり、図１（ｃ）は図１（ｂ）の模式断
面図の要部を拡大した断面図である。
【図２】図２は、第１実施形態の光ディスク光学記録層
がアモルファス状態であるときの光ディスクとしての反
射率（Ｒａ）と光学記録層が結晶状態であるときの光デ
ィスクとしての反射率（Ｒｃ）をシミュレーションのよ
り求めた結果を示す図である。
がアモルファス状態であるときの光ディスクとしての反
射率（Ｒａ）と光学記録層が結晶状態であるときの光デ
ィスクとしての反射率（Ｒｃ）をシミュレーションのよ
り求めた結果を示す図である。
【図３】図３は、第１実施形態に係る光ディスクの製造
方法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）はディスク
原盤を形成する工程まで、（ｂ）は露光および現像工程
までを示す。
方法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）はディスク
原盤を形成する工程まで、（ｂ）は露光および現像工程
までを示す。
【図４】図４は、図３の続きの工程を示し、（ｃ）はメ
タルマスタを形成する工程まで、（ｄ）はマザーを形成
する工程までを示す。
タルマスタを形成する工程まで、（ｄ）はマザーを形成
する工程までを示す。
【図５】図５は、図４の続きの工程を示し、（ｅ）はス
タンパを形成する工程まで、（ｆ）はディスク基板を形
成する工程までを示す。
タンパを形成する工程まで、（ｆ）はディスク基板を形
成する工程までを示す。
【図６】図６は、図５の続きの工程を示し、（ｇ）は光
学記録積層体を形成する工程まで、（ｈ）は保護層を形
成する工程までを示す。
学記録積層体を形成する工程まで、（ｈ）は保護層を形
成する工程までを示す。
【図７】図７は、第２実施形態に係る光ディスクの要部
を拡大した断面図を示す。
を拡大した断面図を示す。
【図８】図８は、実施例に係る光ディスクの書き換え特
性を示す図である。
性を示す図である。
【図９】図９は、比較例に係る光ディスクの書き換え特
性を示す図である。
性を示す図である。
【図１０】図１０（ａ）は、従来例に係る光ディスクの
光の照射の様子を示す模式斜視図であり、図１０（ｂ）
は模式断面図であり、図１０（ｃ）は図１０（ｂ）の模
式断面図の要部を拡大した断面図である。
光の照射の様子を示す模式斜視図であり、図１０（ｂ）
は模式断面図であり、図１０（ｃ）は図１０（ｂ）の模
式断面図の要部を拡大した断面図である。
１０…基板、１１，１１ａ…レジスト膜、１２…メタル
マスタ、１３…マザー、１４…スタンパ、１５…ディス
ク基板、１５ａ…溝、１６…光学記録積層体、１６ＲＬ
…光学記録層、１６ＣＬ…冷却層、１６ＲＦ…反射層、
１６Ｉａ，１６Ｉｂ…誘電体層、１６ＰＴ…反射膜保護
層、１７…保護層、ＣＨ…センターホール、ＤＣ…光デ
ィスク、ＤＲ…ドライブ方向、ＬＴ…光、ＯＬ…対物レ
ンズ。
マスタ、１３…マザー、１４…スタンパ、１５…ディス
ク基板、１５ａ…溝、１６…光学記録積層体、１６ＲＬ
…光学記録層、１６ＣＬ…冷却層、１６ＲＦ…反射層、
１６Ｉａ，１６Ｉｂ…誘電体層、１６ＰＴ…反射膜保護
層、１７…保護層、ＣＨ…センターホール、ＤＣ…光デ
ィスク、ＤＲ…ドライブ方向、ＬＴ…光、ＯＬ…対物レ
ンズ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ
(72)発明者 瀬尾 勝弘
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
(72)発明者 黒田 裕児
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
Ｆターム(参考） 2H111 EA23 FA01 FA14 FA21 FA23
5D029 HA05 HA06 HA07 JA01 JB18
LA12 LB07 LC17 MA27
Claims (7)
- 【請求項１】基板と、 上記基板上に形成された光学記録積層体と、 上記光学記録積層体の上層に形成された光透過性の保護
層とを有し、 上記光学記録積層体は、少なくとも、相変化型光学記録
層と、当該相変化型光学記録層の上記保護層側に形成さ
れた第１誘電体層と、当該第１誘電体層の上記保護層側
に形成され、当該第１誘電体層よりも高い熱伝導性を有
する冷却層とを含む光学記録媒体。 - 【請求項２】上記光学記録積層体は、上記相変化型光学
記録層の上記基板側に形成された第２誘電体層と、当該
第２誘電体層の上記基板側に形成された反射膜とをさら
に含む請求項１に記載の光学記録媒体。 - 【請求項３】上記光学記録積層体は、上記反射膜と上記
第２誘電体層の間に形成された反射膜保護層をさらに含
む請求項２に記載の光学記録媒体。 - 【請求項４】上記冷却層は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｃ、Ｓｉ、ＧｅまたはＳｎのそれぞれの窒化物または酸
化物あるいはそれらの混合物からなるグループから選択
された少なくとも１種類の材料を含む請求項１に記載の
光学記録媒体。 - 【請求項５】上記第１誘電体層と上記冷却層の膜厚の合
計が３０〜８０ｎｍである請求項１に記載の光学記録媒
体。 - 【請求項６】上記相変化型光学記録層が、下記式（１）
に示す合金からなる請求項１に記載の光学記録媒体。 【化１】 Ｇｅa Ｓｂx Ｔｅy …（１） ただし、１−ａ＝ｘ＋ｙ、０．０２≦ａ≦０．１０、
２．２０≦ｘ／ｙ≦５．００である。 - 【請求項７】上記相変化型光学記録層が、下記式（２）
に示す合金からなる請求項１に記載の光学記録媒体。 【化２】 Ｇｅa Ｉｎb Ｓｂx Ｔｅy …（２） ただし、１−（ａ＋ｂ）＝ｘ＋ｙ、０．０２≦ａ＋ｂ≦
０．１０、２．２０≦ｘ／ｙ≦５．００である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001183728A JP4345246B2 (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001183728A JP4345246B2 (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003006930A true JP2003006930A (ja) | 2003-01-10 |
| JP4345246B2 JP4345246B2 (ja) | 2009-10-14 |
Family
ID=19023626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001183728A Expired - Fee Related JP4345246B2 (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4345246B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004070717A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Sony Corporation | 光記録媒体およびその製造方法 |
| WO2005045818A1 (ja) * | 2003-11-07 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | 光情報記録媒体、光情報記録媒体の記録再生方法および記録再生装置 |
| EP1575043B1 (en) * | 2004-03-10 | 2008-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
-
2001
- 2001-06-18 JP JP2001183728A patent/JP4345246B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004070717A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Sony Corporation | 光記録媒体およびその製造方法 |
| EP1592003A4 (en) * | 2003-02-06 | 2006-02-08 | Sony Corp | OPTICAL RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| CN100372009C (zh) * | 2003-02-06 | 2008-02-27 | 索尼株式会社 | 光记录介质及其制造方法 |
| US7787353B2 (en) | 2003-02-06 | 2010-08-31 | Sony Corporation | Optical recording medium and method for manufacturing same |
| WO2005045818A1 (ja) * | 2003-11-07 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | 光情報記録媒体、光情報記録媒体の記録再生方法および記録再生装置 |
| JPWO2005045818A1 (ja) * | 2003-11-07 | 2008-06-12 | 松下電器産業株式会社 | 光情報記録媒体、光情報記録媒体の記録再生方法および記録再生装置 |
| CN100449624C (zh) * | 2003-11-07 | 2009-01-07 | 松下电器产业株式会社 | 光信息记录介质及其记录再现方法以及记录再现装置 |
| EP1575043B1 (en) * | 2004-03-10 | 2008-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4345246B2 (ja) | 2009-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6221455B1 (en) | Multi-layer optical disc and recording/reproducing apparatus | |
| JP3250989B2 (ja) | 光学情報記録媒体、その記録再生方法、その製造法及び光学情報記録再生装置 | |
| KR100528555B1 (ko) | 광학기록매체와광학디스크장치 | |
| JP4059714B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2001273672A (ja) | 光学記録媒体 | |
| KR100796327B1 (ko) | 광학기록매체 및 광디스크장치 | |
| JPH09326136A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3852408B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| KR100342640B1 (ko) | 광학적 정보 기록 매체 및 광학적 정보 기록 매체 상의정보를 기록, 재생, 및 소거하는 방법 | |
| JP2002216391A (ja) | 片面２層ディスクおよび２面４層ディスク | |
| US7534480B2 (en) | Multi-layer super resolution optical disc | |
| US20090290476A1 (en) | Optical information recording medium, optical information recording/reproducing apparatus, and method of manufacturing optical information recording medium | |
| JP4345246B2 (ja) | 光学記録媒体 | |
| US6839318B2 (en) | Optical information recording medium having ultraviolet-curing resin and adhesive layers and method of manufacturing same | |
| KR100332054B1 (ko) | 다층광기록매체와그제조방법 | |
| US20020187424A1 (en) | Optical information recording medium | |
| JPH117658A (ja) | 光学記録媒体及び光学ディスク装置 | |
| CN100407298C (zh) | 光学信息记录介质以及光学信息记录再现系统 | |
| JP2003006919A (ja) | 光記録媒体、および光記録媒体製造方法 | |
| JP5321175B2 (ja) | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3852420B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2002117578A (ja) | 光記録媒体とその製造方法及び記録再生方法 | |
| JP2003123311A (ja) | 光学記録媒体およびその製造方法と記録再生方法 | |
| US6324156B1 (en) | Optical recording medium having concave and convex portions of different reflection | |
| JP4161537B2 (ja) | 光記録媒体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080201 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090126 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090203 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090403 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090623 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090706 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120724 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130724 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |