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JP2002533967A - 線形化増幅器コア - Google Patents

線形化増幅器コア

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JP2002533967A
JP2002533967A JP2000590289A JP2000590289A JP2002533967A JP 2002533967 A JP2002533967 A JP 2002533967A JP 2000590289 A JP2000590289 A JP 2000590289A JP 2000590289 A JP2000590289 A JP 2000590289A JP 2002533967 A JP2002533967 A JP 2002533967A
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Abstract

(57)【要約】 差動増幅器コア回路の入出力特性を線形化するための回路が記述されている。差動増幅器コア回路は、入力段と出力段とを備えている。入力段は、共通エミッタ接地構成に接続された入力トランジスタを含んでおり、該入力トランジスタのベースは、入力端子に結合されている。入力段はさらに、入力トランジスタと電源端子との間に結合された負荷回路を含んでいる。出力段は、共通エミッタ接地構成に接続された出力トランジスタを含んでおり、該出力トランジスタのコレクタに出力端子が結合されている。第1および第2の抵抗が、対応する出力トランジスタのコレクタと電源端子との間に結合されている。バッファ段は、入力段と出力段との間に結合されたバッファ回路を含んでいる。バッファ回路は、第1のトランジスタ対を含んでおり、該第1のトランジスタ対のベースは、対応する入力トランジスタのコレクタにそれぞれ結合されている。また、該第1のトランジスタ対のコレクタは電源端子にそれぞれ結合されており、そのエミッタは、対応する出力トランジスタのベースにそれぞれ結合されている。バッファ回路はさらに、共通エミッタ接地構成に接続された第2のトランジスタ対を含んでいる。該第2のトランジスタ対のベースは入力端子にそれぞれ結合され、そのコレクタは、対応する第1のトランジスタのエミッタにそれぞれ結合されている。第1のトランジスタを流れる差動電流は、出力トランジスタを流れる差動電流に等しく、それにより、出力段によってもたらされる、あらゆる非線形性を相殺している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 (発明の背景) 1.発明の分野 本発明は、一般にアナログ回路に関し、より詳細には、差動増幅器コアの出力
を線形化するための回路に関する。
【0002】 2.背景情報 図1は、従来技術による差動対増幅器回路の回路図を示したものである。差動
増幅器回路は、トランジスタQ1、Q2、エミッタ・デジェネレーション抵抗R E1 、RE2、負荷抵抗RC1、RC2、電流源Iを含んでいる。差動入力Vi+とVi-
、トランジスタQ1、Q2のベースにそれぞれ印加され、差動出力Vo+とVo-
、トランジスタQ1、Q2のコレクタにそれぞれ供給されている。抵抗RE1、R E2 中を流れる電流IE1、IE2は、それぞれ IE1=((Vi+−VBE1)−VE)/RE1、 IE2=((Vi-−VBE2)−VE)/RE2 となる。 ここで、VBE1は、トランジスタQ1のベース−エミッタ電圧であり、VBE2 は、トランジスタQ2のベース−エミッタ電圧である。
【0003】 Vi+=Vi-であるコモンモードでは、電流Iの半分がトランジスタQ1を流れ
(IE1)、電流の半分がトランジスタQ2を流れる(IE2)ように回路が平衡化
される。Vi+とVi-が異なる差動モードでは、電流に応じてVBE1とVBE2
非線形に変化するため、図1の増幅器回路は非線形になる。トランジスタQ1、
Q2のベース−エミッタ電圧の差(VBE1−VBE2)はコレクタ電流の比に比
例し、 ΔVBE=(KT/g)*1n(IC1/IC2) となる。 ここで、 K=ボルツマンの定数 T=絶対温度 q=電子電荷 であり、 入力Vi+−Vi-の場合、デジェネレーション抵抗RE1、RE2の両端間の電圧VE1 −VE2は VE1−VE2=(Vi+−VBE1)−(Vi-−VBE2)、すなわち VE1−VE2=(Vi+−Vi-)−ΔVBE となる。 RE1=RE2=RE、RC1=RC2=RCの場合、出力Vo+−Vo-は Vo+−Vo-=−(RC/RE)((Vi+−Vi-)−ΔVBE) となる。
【0004】 したがって、デジェネレーション抵抗RE1、RE2の両端間の信号が、Vi+−V i- ではなく、((Vi+−Vi-)−ΔVBE)であるため、出力は、(Vi+−Vi- )に対して非線形である。
【0005】 図2は、図1の差動増幅器回路の特性を線形化するための、従来技術による技
法を示したものである。図に示すように、ダイオード接続トランジスタQ3、Q
4が、正の電源端子VCCと、負荷抵抗RC1、RC2との間の負荷回路にそれぞれ
設けられている。RE1=RC1=RE2=RC2(すなわち、利得が1)と仮定すると
、ダイオード接続トランジスタQ3、Q4の効果は、差動入力トランジスタQ1
、Q2による非線形性をオフセットすることである。したがって、Vi+−Vi-
変化による、RC1を流れる電流の変化、および関連するトランジスタQ3のVB
Eの変化が、RE1を流れる電流の変化、およびトランジスタQ1のVBEの変化
と同じになり、それにより、出力電圧の非線形性を相殺している。この技法は、
ダイオード線形化と呼ばれている。
【0006】 図2に示すダイオード線形化技法には欠点がある。Xが1より大きい正の整数
である利得X(すなわち、RC=X*RE)を必要とする場合、X個のダイオード
接続トランジスタが負荷に必要である。これは、多数のVBEを回路に付加し、
出力部のヘッドルームを減少させる(すなわち、出力電圧の揺れを小さくする)
。したがって、このような差動増幅器の特性を線形化する方法および装置のため
の技法が必要である。
【0007】 (発明の概要) 本発明は、入力端子と出力端子を有する差動増幅器コア回路の入出力特性を線
形化するための回路を含む。一実施態様では、その回路は、入力段、バッファ段
、出力段を含んでいる。入力段は、共通エミッタ接地構成に接続され、かつ入力
端子に結合された入力トランジスタを含んでいる。入力段はさらに、電源端子と
入力トランジスタとの間に結合された負荷回路を含んでいる。入力段は、線形入
出力特性をもたらしている。出力段は、共通エミッタ接地構成に接続された出力
トランジスタを含んでおり、その出力端子が出力トランジスタに結合されている
。出力段は、非線形入出力特性をもたらしている。バッファ段は、入力段と出力
段との間に結合され、出力段の非線形性に等しく、かつ反対の非線形性をもたら
している。したがって、入力端子から出力端子への伝達曲線は線形である。
【0008】 (詳細説明) 本発明は、差動増幅器コア回路の入出力特性を線形化するための回路を含む。
差動増幅器コア回路は、入力段、バッファ段、出力段を備えている。入力段は、
共通エミッタ接地構成に接続された入力トランジスタ対を含んでおり、その入力
トランジスタのベースは、入力端子に結合されている。入力段はさらに負荷回路
を含んでいる。負荷回路の各々は、ダイオード接続トランジスタ、対応する入力
トランジスタのコレクタと第1電源端子との間に結合された直列抵抗を含んでい
る。入力段は、出力特性に対して線形入力をもたらしている。出力段は、共通エ
ミッタ接地構成に接続された出力トランジスタ対を含んでおり、その出力トラン
ジスタのコレクタに出力端子が結合されている。一対の抵抗が、対応する出力ト
ランジスタのコレクタと第1電源端子との間に結合されている。出力段は、その
入力信号に対して、出力信号に非線形性をもたらしている。
【0009】 出力段によってもたらされる非線形性を相殺するために、入力段と出力段の間
にバッファ段が結合されている。バッファ段は、第1トランジスタ対を含んでい
る。第1トランジスタ対のベースは、対応する入力トランジスタのコレクタにそ
れぞれ結合されており、また、第1トランジスタ対のコレクタは電源端子にそれ
ぞれ接続され、そのエミッタは、対応する出力トランジスタのベースにそれぞれ
結合されている。バッファ段はさらに、共通エミッタ接地構成に接続された第2
トランジスタ対を含んでいる。第2トランジスタ対のベースは、対応する入力端
子にそれぞれ結合されており、また、そのコレクタは、対応する第1トランジス
タのエミッタにそれぞれ結合されている。第2トランジスタ対のエミッタは、抵
抗対の対応する抵抗を介して共通端子に結合されている。
【0010】 バッファ段の第1トランジスタ対を流れる差動電流は、出力トランジスタ対を
流れる差動電流に等しくされ、それにより、出力段によってもたらされるあらゆ
る非線形性を相殺している。したがって、入力信号の変化として反応するバッフ
ァ段のΔVBEの変化が出力段のΔVBEの変化をオフセットしている。
【0011】 図3は、本発明の一実施形態による差動増幅器コア回路の回路図を示したもの
である。図3を参照すると、増幅器コア回路は、入力段、出力段、バッファ段の
3つの段を備えている。入力段は差動対トランジスタQ1、Q2を含んでいる。
トランジスタQ1は、エミッタ・デジェネレーション抵抗R1と、ダイオード接
続トランジスタQ3、抵抗R3からなる対応負荷を有し、トランジスタQ2は、
エミッタ・デジェネレーション抵抗R2および、ダイオード接続トランジスタQ
4、抵抗R4からなる対応負荷を有している。出力段は、差動トランジスタQ9
、Q10を含んでいる。トランジスタQ9は、エミッタ・デジェネレーション抵
抗R9と負荷抵抗R7を有し、トランジスタQ10は、エミッタ・デジェネレー
ション抵抗R10と負荷抵抗R8を有している。
【0012】 バッファ段は、入力段と出力段の間に結合されたエミッタフォロワ・トランジ
スタQ7、Q8、差動トランジスタQ5、Q6、エミッタ・デジェネレーション
抵抗R5、R6を含んでいる。エミッタフォロワ・トランジスタQ7、Q8は、
入力段と出力段の間をバッファリングし、差動トランジスタQ5、Q6は、トラ
ンジスタQ7、Q8にバイアス電流を供給している。差動入力トランジスタQ1
、Q2のテール電流源はI1であり、差動対トランジスタQ5、Q6のテール電
流源はI2である。また、差動出力トランジスタQ9、Q10のテール電流源は
I3である。差動入力電圧Vi+−Vi-は、トランジスタ対Q1とQ2、、Q5と
Q6の各ベースに印加される。差動出力電圧(Vo+−Vo-)は、それぞれトラン
ジスタQ9、Q10のコレクタの両端間で測定される。
【0013】 以下の考察では、トランジスタはすべて同じサイズであり、また、抵抗はすべ
て同じ抵抗の値R(ただし、R7、R8を除く)とする。抵抗R7、R8は、他
の抵抗の値のN倍であるものとして任意の抵抗値を取ることができる。また、電
流源I1、I2、I3はすべて同等である。本発明の説明を分かり易くするため
に、トランジスタのコレクタ電流ICがエミッタ電流IEに等しくなるように、ベ
ース電流は無視されている。
【0014】 Vi+=Vi-の時、電流I1の半分が、それぞれトランジスタQ1、Q2を流れ
、電流I2の半分が、それぞれトランジスタQ5、Q6を流れ、また、電流I3
の半分が、それぞれトランジスタQ9、Q10を流れるように、回路が平衡化さ
れる。
【0015】 差動入力トランジスタQ1、Q2、ダイオード接続入力トランジスタQ3、Q
4、エミッタデジェネレーション抵抗R1、Q2、ならびに負荷抵抗R3、R4は、
入力Vi+、Vi-から、エミッタ接地トランジスタQ7、Q8の対応するベースへ
の電圧利得が1(180゜位相外れ)になるように結合されている。説明したよ
うに、負荷回路(Q3とR3、Q4とR4)と、エミッタ回路(Q1とR1、Q
2とR2)には同数のp−n接合と同じ抵抗が存在するため、伝達特性は線形で
ある。(図2とその説明参照)。したがって、トランジスタQ7のベース(ノー
ドA1)と、トランジスタQ8のベース(ノードA2)との間の差動電圧(VA1 −VA2)は VA1−VA2=−(Vi+−Vi-) となる。
【0016】 ノードC1、C2の電圧は VC1=VA1−VBE7−VBE9C2=VA2−VBE8−VBE10 となる。
【0017】 ノードC1とC2間の電圧差(VC1−VC2)は VC1−VC2=(VA1−VBE7−VBE9)− (VA2−VBE8−VBE10) すなわち VC1−VC2=(VA1−VA2)−(VBE7−VBE8) +(VBE10−VBE9) となる。 しかし、 VA1−VA2=−(Vi+−Vi-) であるため、 VC1−VC2=−((Vi+−Vi-)+(VBE7−VBE8) −(VBE10−VBE9)) となる。
【0018】 VBE7=VBE8、かつVBE9=VBE10であれば、あるいは、(VBE7
VBE8)=(VBE10−VBE9)であれば、 VC1−VC2=−(Vi+−Vi-) となる。
【0019】 差動入力がゼロ(Vi+=Vi-)の場合、トランジスタを流れる電流はすべて等
しく、したがってVBEもすべて等しくなる。この場合のVBEを、以下VBE 0 で表す。正の差動入力(Vi+>Vi-)が増幅器コアに供給されると、トランジ
スタQ1、Q5、Q7、Q10を流れる電流が増加し、トランジスタQ2、Q6
、Q8、Q9を流れる電流が減少する。トランジスタQ7のVBEは、トランジ
スタQ7を流れる電流が増加するため、大きくなり、したがってVBE7は VBE7=VBE0+ΔVBE7 となる。
【0020】 トランジスタQ8のVBEは、トランジスタQ8を流れる電流が減少するため
小さくなり、したがってVBE8は VBE8=VBE0−ΔVBE8 となる。
【0021】 ノードB1とB2間の差動電圧(VB1−VB2)は VB1−VB2=VA1−(VBE0−ΔVBE7) −VA2+(VBE0−ΔVBE8) すなわち VB1−VB2=−(Vi+−Vi-)−(ΔVBE7−ΔVBE8) となる。
【0022】 トランジスタQ9のVBEは、トランジスタQ9を流れる電流が減少するため
、小さくなり、したがってVBE9は VBE9=VBE0−ΔVBE9 となる。
【0023】 トランジスタQ10のVBEは、トランジスタQ10を流れる電流が増加する
ため、大きくなり、したがってVBE10は VBE10=VBE0−ΔVBE10 となる。
【0024】 ノードC1とC2間の差動電圧(VC1−VC2)は VC1−VC2=VB1−(VBE0−ΔVBE9) −VB2+(VBE0−ΔVBE10) すなわち VC1−VC2=−(Vi+−Vi-)−(ΔVBE7+ΔVBE8) +(ΔVBE9+ΔVBE10) となる。
【0025】 図3の差動増幅器回路の入出力特性を線形化するために、量(ΔVBE7+Δ
VBE8)が、量(ΔVBE9+ΔVBE10)に等しくされる。これは、トランジ
スタQ5、Q6の電流(IQ5−IQ6)を、(Vi+-i-)を用いて、トラン
ジスタQ10、Q9の所望出力電流(IQ10−IQ9)に等しくなるように設
定することによって達成される。つまり、電流IQ5、IQ6が、エミッタフォ
ロワ・トランジスタQ8、Q7をそれぞれバイアスするため、トランジスタQ9
、Q10におけるΔVBEに等しく、かつ反対のΔVBEが生成される。トラン
ジスタQ8、Q7のエミッタの差動電圧は、VIN+ΔVBEであり、トランジ
スタQ10、Q9のエミッタの差動電圧は、(VIN+ΔVBE)−ΔVBE=
VINである。この補正の効果は、トランジスタQ9、Q10のエミッタの差動
信号を、エミッタフォロワ・トランジスタQ7、Q8のベースの電圧に等しくし
、それによりΔVBEの非線形の影響を取り除くことである。
【0026】 したがって、増幅器コア回路の出力 V0+−V0-=N(Vi+−Vi-)+(ΔVBE7+ΔVBE8) −(ΔVBE9+ΔVBE10) を V0+−V0-=N(Vi+−Vi-) に低減させることができる。 ここで、Nは整数である必要はなく、単一P−N接合電圧降下があったとしても
、増幅器出力のヘッドルームを制限することなく、実質的に1を超える所望の値
を取ることができる。
【0027】 本明細書における上述の実施形態では、トランジスタはすべて同じサイズであ
り、R7、R8を除くすべての抵抗も同じサイズであるが、本発明はそれに制限
されない。例えば、トランジスタQ9、Q10のサイズを、任意選択で、トラン
ジスタQ7、Q8の2倍のサイズにし、かつ電流源I3に、電流源I1とI2の
2倍の電流を供給させることにより、抵抗R9、R10、R7、R8の抵抗の値
を従来技術による実施形態の値の半分にし、それにより増幅器の出力インピーダ
ンスを小さくすることができる。
【0028】 高速信号および線形化補正信号は、トランジスタQ7、Q8のベースとエミッ
タに同時に到達するため、本発明による補正技法を用いた帯域幅の損失がない。
【0029】 重要なことは、エミッタフォロワ・トランジスタQ7、Q8を、ベースの負の
高速スリュー化信号にエミッタが追従できるように、十分なプルダウン電流でバ
イアスしなければならないことである。差動対トランジスタQ5、Q6は、より
多くの電流をエミッタフォロワ・トランジスタに流し込んで電圧を降下させ(必
要に応じて)、また、エミッタフォロワ・トランジスタを流れる電流を低減し、
電圧を上昇させる。これにより、デジェネレートされた差動対トランジスタQ5
、Q6のテール電流を固定プルダウン電流でエミッタフォロワ・トランジスタQ
7、Q8をバイアスするために必要な総電流より少なくすることができるため、
電流を著しく節約することができる。また、図3に示す差動増幅器コア回路は、
n−p−nトランジスタを用いて示され、かつ説明されているが、p−n−pト
ランジスタを用いても同じ結果が得られることを指摘しておく。
【0030】 特定の例示的実施形態について説明し、かつ添付の図面に示したが、これらの
実施形態は、単に説明目的のためのものであり、広範な本発明を制限するもので
はないことを理解しなければならない。また、当分野の技術者には、他の様々な
改変を加えることが可能であるため、本発明は、本明細書において示し、説明し
た特定の構造および配列に制限されないことを理解しなければならない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来技術による差動対増幅器回路の回路図である。
【図2】 図1の差動対増幅器回路の特性を線形化するための、従来技術による技法を示
す図である。
【図3】 本発明の一実施形態による差動増幅器コア回路の回路図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J066 AA01 AA12 CA21 CA74 FA20 HA02 HA19 HA25 KA03 KA05 MA01 MA08 MA22 ND01 ND05 ND11 ND23 ND25 PD02 5J090 AA01 AA12 CA21 CA74 FA20 GN02 HA02 HA19 HA25 KA03 KA05 MA01 MA08 MA22 【要約の続き】 タ接地構成に接続された第2のトランジスタ対を含んで いる。該第2のトランジスタ対のベースは入力端子にそ れぞれ結合され、そのコレクタは、対応する第1のトラ ンジスタのエミッタにそれぞれ結合されている。第1の トランジスタを流れる差動電流は、出力トランジスタを 流れる差動電流に等しく、それにより、出力段によって もたらされる、あらゆる非線形性を相殺している。

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力端子と負荷回路とに結合された入力トランジスタと、出
    力端子に結合された出力トランジスタとを有する差動増幅器回路における回路で
    あって、 コレクタ、対応する入力端子に結合されたベース、さらに第1抵抗対の抵抗を
    介して共通端子に結合されたエミッタをそれぞれ有する第1トランジスタの対と
    、 対応する入力トランジスタのコレクタに結合されたベース、電源端子に結合さ
    れたコレクタ、対応する出力トランジスタのベースに結合され、かつ第1トラン
    ジスタの対応するコレクタに結合されたエミッタをそれぞれ有する第2トランジ
    スタの対と を備える差動増幅器回路における回路。
  2. 【請求項2】 第1抵抗対の各抵抗の値が等しい請求項1に記載の回路。
  3. 【請求項3】 第1トランジスタの対と第2トランジスタの対のトランジス
    タが第1導電型のトランジスタである請求項1に記載の回路。
  4. 【請求項4】 第1トランジスタの対と第2トランジスタの対のトランジス
    タがn−p−nトランジスタである請求項1に記載の回路。
  5. 【請求項5】 第2トランジスタの対を流れる差動電流が出力を流れる差動
    電流に等しい請求項1に記載の回路。
  6. 【請求項6】 さらに、 ベース、それぞれのベースと電源端子に結合されたコレクタ、第2抵抗対の対
    応する抵抗を介して第2トランジスタの対応するベースに結合されたエミッタを
    それぞれ有する第3トランジスタの対 を備える請求項1に記載の回路。
  7. 【請求項7】 入力端子と出力端子とを有する差動増幅器コア回路であって
    、 対応する入力端子に結合されたベース、コレクタ、第1抵抗対の対応する抵抗
    を介して共通端子に結合されたエミッタをそれぞれ有する入力トランジスタの対
    と、 それぞれ入力トランジスタのコレクタと電源端子との間に結合された負荷回路
    対と、 入力トランジスタの対応するコレクタに結合されたベース、電源端子に結合さ
    れたコレクタ、エミッタをそれぞれ有する第2トランジスタの対と、 対応する入力端子に結合されたベース、第2トランジスタの対応するエミッタ
    に結合されたコレクタ、第2抵抗対の対応する抵抗を介して共通端子に結合され
    たエミッタをそれぞれ有する第3トランジスタの対と、 第2トランジスタの対応するエミッタに結合されたベース、対応する出力端子
    に結合され、かつ第3抵抗対の対応する抵抗を介して電源端子に結合されたコレ
    クタ、第4抵抗対の対応する抵抗を介して共通端子に結合されたエミッタをそれ
    ぞれ有する出力トランジスタの対と を備える差動増幅器コア回路。
  8. 【請求項8】 負荷回路が、 ベース、それぞれのベースと電源端子に結合されたコレクタ、第5抵抗対の対
    応する抵抗を介して入力トランジスタの対応するコレクタに結合されたエミッタ
    をそれぞれ有する第5トランジスタの対 を備える請求項7に記載の差動増幅器回路。
  9. 【請求項9】 第1抵抗対、第2抵抗対、第3抵抗対、第4抵抗対、第5抵
    抗対の各抵抗の値が等しい請求項8に記載の差動増幅器回路。
  10. 【請求項10】 第1抵抗対、第2抵抗対、第4抵抗対、第5抵抗対の各抵
    抗の値が等しい請求項8に記載の差動増幅器回路。
  11. 【請求項11】 第3抵抗対の各抵抗の値が、第1抵抗対、第2抵抗対、第
    4抵抗対、第5抵抗対の各抵抗の値よりも所定の倍数だけ大きい請求項8に記載
    の差動増幅器回路。
  12. 【請求項12】 入力トランジスタ、第2トランジスタ、第3トランジスタ
    、出力トランジスタ、第5トランジスタの対のトランジスタが、第1導電型のト
    ランジスタである請求項8に記載の差動増幅器回路。
  13. 【請求項13】 入力トランジスタの対、第2トランジスタの対、第3トラ
    ンジスタの対、出力トランジスタの対、第5トランジスタの対のトランジスタが
    n−p−nトランジスタである請求項8に記載の差動増幅器回路。
  14. 【請求項14】 第2トランジスタの対を流れる第1差動電流が、出力トラ
    ンジスタの対を流れる第2差動電流に等しい請求項7に記載の差動増幅器回路。
  15. 【請求項15】 第1電流源が第1抵抗対と共通端子との間に結合され、第
    2電流源が第2抵抗対と共通端子との間に結合され、第3電流源が第4抵抗対と
    共通端子との間に結合されている請求項7に記載の差動増幅器回路。
  16. 【請求項16】 差動増幅器回路であって、 対応する入力端子の1つに結合されたベース、対応する負荷回路の1つを介し
    て電源端子に結合されたコレクタ、第2電源端子に結合されたエミッタをそれぞ
    れ有する入力トランジスタの対を含む入力段と、 ベース、対応する出力端子の1つに結合され、かつ第1抵抗対の対応する1つ
    を介して電源端子に結合されたコレクタ、第2抵抗対の対応する1つを介して第
    2電源端子に結合されたエミッタをそれぞれ有する出力トランジスタを含む出力
    段と、 入力段の入力トランジスタのコレクタと、出力段の出力トランジスタのベース
    との間に結合されたバッファ段と を備える差動増幅器回路。
  17. 【請求項17】 バッファ段が、 対応する入力端子に結合されたベース、コレクタ、第3抵抗対の対応する1つ
    を介して第2電源端子に結合されたエミッタをそれぞれ有する第1トランジスタ
    の対と、 対応する入力トランジスタのコレクタに結合されたベース、電源端子に結合さ
    れたコレクタ、対応する出力トランジスタのベースに結合され、かつ対応する第
    1トランジスタのコレクタに結合されたエミッタをそれぞれ有する第2トランジ
    スタの対と を備える請求項16に記載の差動増幅器回路。
  18. 【請求項18】 第2トランジスタの対中を流れる第1差動電流が出力トラ
    ンジスタ中を流れる第2差動電流に等しい請求項17に記載の回路。
  19. 【請求項19】 第1端子と第2端子を有し、ベース、コレクタ、エミッタ
    をそれぞれ有する第1、第2、第3トランジスタの対を有し、かつ入力端子に結
    合された入力トランジスタと、出力端子に結合された出力トランジスタとを有す
    る差動増幅器回路の入出力特性を線形化する方法であって、 前記トランジスタの対の各トランジスタに対して、 第1トランジスタのベースとコレクタを纏めて第1端子に結合し、 第1トランジスタのエミッタを、第1抵抗対の対応する抵抗を介して、対応す
    る入力トランジスタに結合し、 第2トランジスタのベースを対応する入力トランジスタに結合し、 第2トランジスタのコレクタを第1端子に結合し、 第2トランジスタのエミッタを対応する出力トランジスタと第3トランジスタ
    のコレクタに結合し、 第3トランジスタのベースを対応する入力端子に結合し、 第3トランジスタのエミッタを、第2抵抗対の対応する抵抗を介して第2端子
    に結合する ことを含む、差動増幅器回路の入出力特性を線形化する方法。
  20. 【請求項20】 さらに、第2トランジスタの対を流れる第1差動電流を出
    力トランジスタ中を流れる第2差動電流に等しくなるように設定する請求項19
    に記載の方法。
  21. 【請求項21】 共通端子と第2電源端子との間に電流源が結合されている
    請求項1に記載の回路。
  22. 【請求項22】 第1トランジスタの対と第2トランジスタの対が出力段に
    よって生じる非線形性をオフセットする請求項1に記載の回路。
  23. 【請求項23】 バッファ段が出力段によって生じるあらゆる非線形性を低
    減する請求項16に記載の差動増幅器回路。
  24. 【請求項24】 トランジスタがn−p−nトランジスタである請求項17
    に記載の差動増幅器回路。
  25. 【請求項25】 第1抵抗対、第2抵抗対、第3抵抗対の各抵抗の値が等し
    い請求項17に記載の差動増幅器回路。
  26. 【請求項26】 第1抵抗対の各抵抗の値が、第2抵抗対の各抵抗の値より
    も所定の倍数だけ大きい請求項17に記載の差動増幅器回路。
  27. 【請求項27】 入力トランジスタの対の各エミッタが、第4抵抗対の対応
    する1つを介して第2電源端子に結合されている請求項17に記載の差動増幅器
    回路。
  28. 【請求項28】 負荷回路が、ベース、それぞれのベースと電源端子に結合
    されたコレクタ、第5抵抗対の対応する1つを介して、対応する第2トランジス
    タのベースに結合されたエミッタをそれぞれ有する第3トランジスタの対を備え
    る請求項27に記載の差動増幅器回路。
  29. 【請求項29】 第1電流源が、第2抵抗対の第1共通接続部と第2電源端
    子との間に結合され、第2電流源が、第3抵抗対の第2共通接続部と第2電源端
    子との間に結合され、第3電流源が、第4抵抗対の第3共通接続部と第2電源端
    子との間に結合されている請求項27に記載の差動増幅器回路。
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