JP2002340979A - Method of operating measuring instrument - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ内に
形成された半導体チップや、個々の半導体チップをパッ
ケージ封止した半導体装置の電気的特性を測定する測定
装置の運転方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of operating a measuring device for measuring electrical characteristics of a semiconductor chip formed in a semiconductor wafer or a semiconductor device in which individual semiconductor chips are packaged.
【0002】[0002]
【従来の技術】例えば、半導体ウエハの状態の半導体チ
ップをテスト(ウエハプローブテスト)する際に用いら
れる測定装置は、半導体チップの電極の個数に対応する
複数のプローブ針を備えたプローブカードと、このプロ
ーブカードを介して半導体チップと電気信号を送受信
し、半導体チップの電気的特性を測定するテスタと、半
導体ウエハを搬送し、プローブカードのプローブ針を半
導体チップの電極に接触させるとともに、テスタでの測
定結果に基づいて不良半導体チップへのマーキングを行
うプローバとから構成される。2. Description of the Related Art For example, a measuring device used for testing a semiconductor chip in a state of a semiconductor wafer (wafer probe test) includes a probe card having a plurality of probe needles corresponding to the number of electrodes of the semiconductor chip; A tester that transmits and receives electrical signals to and from the semiconductor chip via this probe card and measures the electrical characteristics of the semiconductor chip, transports the semiconductor wafer, contacts the probe needles of the probe card with the electrodes of the semiconductor chip, and uses the tester And a prober for marking a defective semiconductor chip based on the measurement result.
【0003】ウエハプローブテストを行うに際しては、
テスタの指示に従って、プローバでは、測定対象の半導
体チップの電極とプローブカードのプローブ針とが高精
度に位置合わせされて接触される。テスタは、プローブ
カードを介して、テストパターンに従ってテスト信号を
半導体チップに送信し、半導体チップは、このテスト信
号に応じて動作する。そして、半導体チップの出力信号
は、プローブカードを介してテスタに受信され、その電
気的特性が測定される。When performing a wafer probe test,
In accordance with the instructions of the tester, the prober accurately aligns and contacts the electrodes of the semiconductor chip to be measured with the probe needles of the probe card. The tester transmits a test signal to the semiconductor chip according to the test pattern via the probe card, and the semiconductor chip operates according to the test signal. Then, the output signal of the semiconductor chip is received by the tester via the probe card, and its electrical characteristics are measured.
【0004】また、テスタでは、半導体チップの出力信
号とテストパターンの出力期待値とが比較され、そのテ
スト結果(パス(良)またはフェイル(不良))はプロ
ーバに送信される。プローバは、このテスト結果に基づ
いて、マーカーにより不良半導体チップにマーキングを
行うと共に、測定結果のデータを集計する。なお、測定
装置では、半導体ウエハに形成された複数の半導体チッ
プのそれぞれについて、前述の動作が連続的に、かつ自
動的に行われる。In a tester, an output signal of a semiconductor chip is compared with an expected output value of a test pattern, and the test result (pass (good) or fail (bad)) is transmitted to a prober. The prober marks the defective semiconductor chip with a marker based on the test result, and totalizes the data of the measurement result. In the measuring device, the above-described operation is continuously and automatically performed for each of the plurality of semiconductor chips formed on the semiconductor wafer.
【0005】ところで、プローバは、通常、テスタによ
る測定結果が一定数以上連続してフェイル(不良)した
場合に自動停止する機能を備えている。しかし逆に、測
定結果が常にパス(良)である場合には、その判定結果
が正しいことを検証する機能は備えていない。したがっ
て、自動運転中に、ウエハプローブ用プログラムの不具
合やテスタとの通信系統の故障等の測定装置の異常によ
り、測定結果が常にパスとなっても、その判定結果が正
しいのかどうかの判断は不可能である。[0005] Incidentally, the prober usually has a function of automatically stopping when a measurement result by the tester fails continuously for a certain number or more (defective). However, conversely, when the measurement result is always a pass (good), there is no function for verifying that the determination result is correct. Therefore, even if the measurement result always passes due to an abnormality in the measurement device such as a defect in the program for the wafer probe or a failure in the communication system with the tester during the automatic operation, it is not possible to determine whether the determination result is correct. It is possible.
【0006】このウエハプローブテストは、半導体ウエ
ハに形成されている複数の半導体チップのそれぞれの良
否を半導体ウエハの状態で判定する重要な工程である。
これにより、不良半導体チップのパッケージ組立やファ
イナルテストを未然に防止できる。したがって、何らか
の不具合により、測定結果が常にパスと判定された場
合、不良の半導体チップが後工程に流出し、パッケージ
の組立やテストコストに大きく響くという問題があっ
た。The wafer probe test is an important step of judging the quality of each of a plurality of semiconductor chips formed on a semiconductor wafer based on the state of the semiconductor wafer.
As a result, package assembly and a final test of the defective semiconductor chip can be prevented. Therefore, if the measurement result is always determined to be a pass due to some problem, there is a problem that a defective semiconductor chip flows out to a subsequent process, which greatly affects package assembly and test costs.
【0007】また、それぞれの半導体チップをパッケー
ジ封止した半導体装置を順次ICソケット(IC(半導
体装置)を装着するためのソケット)に装着して電気的
測定を行い、半導体装置それぞれの良、不良を判断する
ファイナルテストにおいても、ファイナルテスト用プロ
グラムの不具合や、テスタとハンドラとの間の通信系統
等の不具合により、測定装置の異常が発生して測定結果
が常にパスと判定された場合、不良の半導体装置が市場
に流出するという問題があった。In addition, semiconductor devices in which respective semiconductor chips are packaged are sequentially mounted in IC sockets (sockets for mounting ICs (semiconductor devices)), and electrical measurements are made. In the final test that determines whether the measurement result is always pass, the failure of the measuring device occurs due to the failure of the final test program or the failure of the communication system between the tester and the handler. There is a problem that the semiconductor device of this kind leaks to the market.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術に基づく問題点を解消し、テスト用プログラム
の不具合や、テスタとプローバやハンドラとの間の通信
系統等の故障を早期に発見することができる測定装置の
運転方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems in the prior art and to quickly solve the problem of a test program and the failure of a communication system between a tester and a prober or a handler. An object of the present invention is to provide a method of operating a measuring device that can be found.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体ウエハ内に形成された複数の半導
体チップのそれぞれに対してプローブカードを順次接触
させて電気的測定を行い、該複数の半導体チップそれぞ
れの良、不良を判断する測定装置の運転方法であって、
設定数以上の連続した良判断が得られた場合に、前記測
定装置のテストを実施することを特徴とする測定装置の
運転方法を提供するものである。In order to achieve the above object, the present invention provides an electric measurement by sequentially contacting a probe card with each of a plurality of semiconductor chips formed in a semiconductor wafer, A method of operating a measuring device for determining good or bad of each of the plurality of semiconductor chips,
It is an object of the present invention to provide a method of operating a measuring device, wherein a test of the measuring device is performed when a continuous good judgment equal to or more than a set number is obtained.
【0010】ここで、前記測定装置のテストを、前記半
導体ウエハ内の有効な半導体チップ以外の領域に前記プ
ローブカードを接触させるか、もしくは、前記プローブ
カードが前記半導体ウエハに非接触の状態で前記電気的
測定を行うことによって実施するのが好ましい。Here, the test of the measuring device is performed by bringing the probe card into contact with a region other than an effective semiconductor chip in the semiconductor wafer, or in a state where the probe card is not in contact with the semiconductor wafer. Preferably, it is performed by performing an electrical measurement.
【0011】また、本発明は、パッケージ封止された半
導体装置を順次ICソケットに装着して電気的測定を行
い、該半導体装置それぞれの良、不良を判断する測定装
置の運転方法であって、設定数以上の連続した良判断が
得られた場合に、前記測定装置のテストを実施すること
を特徴とする測定装置の運転方法を提供する。The present invention also provides a method of operating a measuring device for sequentially mounting semiconductor devices sealed in a package into an IC socket and performing electrical measurements to determine whether each of the semiconductor devices is good or bad. A method of operating a measuring device, characterized in that a test of the measuring device is performed when a continuous good judgment equal to or greater than a set number is obtained.
【0012】ここで、前記測定装置のテストを、前記半
導体装置を前記ICソケットに未装着の状態で前記電気
的測定を行うことによって実施するのが好ましい。Here, it is preferable that the test of the measuring device is performed by performing the electrical measurement in a state where the semiconductor device is not mounted on the IC socket.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下に、添付の図面に示す好適実
施例に基づいて、本発明の測定装置の運転方法を詳細に
説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for operating a measuring apparatus according to the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
【0014】図1は、本発明を適用する測定装置の一実
施例の構成概略図である。同図に示す測定装置10は、
半導体ウエハに形成された複数の半導体チップのそれぞ
れに対してプローブカード18を順次接触させて電気的
測定を行い、これら複数の半導体チップそれぞれの良、
不良を判断するプローブテストの際に使用されるもの
で、ウエハプローバ12と、テストヘッド14と、テス
トステーション(テスタ本体)16とを備えている。FIG. 1 is a schematic view showing the configuration of an embodiment of a measuring apparatus to which the present invention is applied. The measuring device 10 shown in FIG.
The probe card 18 is sequentially brought into contact with each of the plurality of semiconductor chips formed on the semiconductor wafer to perform an electrical measurement.
It is used at the time of a probe test for determining a defect, and includes a wafer prober 12, a test head 14, and a test station (tester main body) 16.
【0015】ここで、ウエハプローバ12は、その内部
に、半導体ウエハを載置するためのウエハステージ(図
示省略)を備えている。このウエハステージにより、同
図に示すように、半導体ウエハをXYZの各方向に移動
可能である。また、ウエハプローバ12のヘッドプレー
ト(ウエハプローバ12本体の上部面)には、半導体チ
ップの各々の電極に対応する複数のプローブ針(半導体
チップの電極に接触する針)を備えるプローブカード1
8が取り付けられ(固定され)ている。Here, the wafer prober 12 has a wafer stage (not shown) for mounting a semiconductor wafer therein. With this wafer stage, the semiconductor wafer can be moved in each of the XYZ directions as shown in FIG. A probe card 1 having a plurality of probe needles (needles that contact the electrodes of the semiconductor chip) corresponding to the respective electrodes of the semiconductor chip is provided on the head plate of the wafer prober 12 (the upper surface of the body of the wafer prober 12).
8 is attached (fixed).
【0016】また、ウエハプローバ12は、テスタIF
(インタフェース)またはGP−IB(General Purpos
e Interface Bus )等のインタフェースを介してテスト
ステーション16に接続されている。ウエハプローバ1
2のヘッドプレートにはテスタのテストヘッド14が搭
載されている。このテストヘッド14の一方の端子はプ
ローブカード18に接続され、その他方の端子は、テス
トヘッドケーブルを介してテストステーション16に接
続されている。The wafer prober 12 has a tester IF.
(Interface) or GP-IB (General Purpos
e Interface Bus) is connected to the test station 16 via an interface such as e. Wafer prober 1
The test head 14 of the tester is mounted on the second head plate. One terminal of the test head 14 is connected to the probe card 18 and the other terminal is connected to the test station 16 via a test head cable.
【0017】ウエハプローバ12は、テスタIFまたは
GP−IB等のインタフェースを介して与えられるテス
トステーション16の指示に従って、半導体ウエハ上に
形成されている複数の半導体チップに、プローブカード
のプローブ針を連続的に順次接触させる。The wafer prober 12 continuously connects a probe needle of a probe card to a plurality of semiconductor chips formed on a semiconductor wafer in accordance with an instruction of a test station 16 provided through an interface such as a tester IF or GP-IB. Contact sequentially.
【0018】この時、ウエハプローバ12では、測定対
象の半導体ウエハが自動搬送され、図示していないウエ
ハステージの上に載置される。ウエハプローバ12に
は、測定対象の半導体ウエハおよび半導体チップの情報
やプローブカード18の情報が品種別のパラメータとし
てあらかじめ記憶されている。これにより、ウエハステ
ージがXYZの各方向に移動され、測定対象の半導体チ
ップの電極とプローブカード18のプローブ針とが高精
度に位置合わせされて接触される。At this time, in the wafer prober 12, the semiconductor wafer to be measured is automatically transferred and placed on a wafer stage (not shown). In the wafer prober 12, information on the semiconductor wafer and the semiconductor chip to be measured and information on the probe card 18 are stored in advance as parameters for each type. As a result, the wafer stage is moved in each of the X, Y, and Z directions, and the electrodes of the semiconductor chip to be measured and the probe needles of the probe card 18 are positioned and contacted with high accuracy.
【0019】テストステーション16は、前述のよう
に、ウエハプローバ12に指示を与えると共に、テスト
ヘッドケーブル、テストヘッド14およびプローブカー
ド18を介して、テストパターンに従ってテスト信号を
半導体チップに送信する。半導体チップは、このテスト
信号に応じて動作し、その出力信号は、同じくプローブ
カード18、テストヘッド14およびテストヘッドケー
ブルを介してテストステーション16に受信され、その
電気的特性が測定される。As described above, the test station 16 gives an instruction to the wafer prober 12, and transmits a test signal to the semiconductor chip according to a test pattern via the test head cable, the test head 14, and the probe card 18. The semiconductor chip operates in response to the test signal, and the output signal is also received by the test station 16 via the probe card 18, the test head 14, and the test head cable, and its electrical characteristics are measured.
【0020】また、テストステーション16は、半導体
チップの出力信号とテストパターンの出力期待値とを比
較し、テスタIFまたはGP−IB等のインタフェース
を介して、そのテスト結果(パス(良)またはフェイル
(不良))をウエハプローバ12に送信する。ウエハプ
ローバ12は、このテスト結果に基づいて、マーカー
(図示省略)により不良の半導体チップにマーキングを
行うと共に、測定結果のデータを集計する。The test station 16 compares the output signal of the semiconductor chip with the expected output value of the test pattern, and outputs the test result (pass (good) or fail) via an interface such as a tester IF or GP-IB. (Defective)) to the wafer prober 12. The wafer prober 12 marks the defective semiconductor chip with a marker (not shown) based on the test result, and totalizes the data of the measurement result.
【0021】ここで、ウエハプローバ12は、テストス
テーション16から送信されるテスト結果(パスまたは
フェイル)をカウントするカウンタ(図示省略)を備え
ている。このカウンタにより、連続してテストをパスし
た半導体チップの個数をカウントし、設定数以上の連続
した良判断が得られた場合に、測定装置10のテストを
実施する。なお、前述の設定数は、例えば品種別のパラ
メータ内にあらかじめ設定されている。同様のカウンタ
をテストステーション16に設けることも可能である。Here, the wafer prober 12 has a counter (not shown) for counting a test result (pass or fail) transmitted from the test station 16. The counter counts the number of semiconductor chips that have passed the test continuously, and when the number of continuous good judgments equal to or greater than the set number is obtained, the test of the measuring device 10 is performed. The set number is set in advance in, for example, parameters for each product type. A similar counter can be provided at the test station 16.
【0022】この時、測定装置10のテストは、前述の
ように、測定対象の半導体チップの電気的特性を測定す
る際に使用した同じテストパターン(テストプログラ
ム)を使用して、半導体ウエハ内の有効な半導体チップ
以外の領域、例えば半導体ウエハ周辺部の無効な半導体
チップの上にプローブカード18を接触させるか、もし
くは、プローブカード18が半導体ウエハと非接触の状
態で電気的測定を行うことによって実施するのが好まし
い。At this time, the test of the measuring apparatus 10 is performed by using the same test pattern (test program) used for measuring the electrical characteristics of the semiconductor chip to be measured, as described above. The probe card 18 is brought into contact with a region other than the valid semiconductor chip, for example, on the invalid semiconductor chip around the semiconductor wafer, or by performing an electrical measurement in a state where the probe card 18 is not in contact with the semiconductor wafer. It is preferred to carry out.
【0023】ここで、テスト結果がフェイルになれば、
テストプログラムやウエハプローバ12とテストステー
ション16との間の通信系統等には不具合はない、すな
わち、測定装置10は正常であると判断できるので、中
断した続きから半導体チップの測定を再開する。これに
対し、テスト結果がパスすれば、測定装置10に異常が
あると判断できるので、ウエハプローバ12はエラーを
発生して、その動作を停止する。Here, if the test result is failed,
There is no problem in the test program, the communication system between the wafer prober 12 and the test station 16, and the like. That is, since it can be determined that the measurement device 10 is normal, the measurement of the semiconductor chip is resumed after the interruption. On the other hand, if the test result passes, it can be determined that there is an abnormality in the measuring apparatus 10, so that the wafer prober 12 generates an error and stops its operation.
【0024】なお、連続した良判断が得られた場合に、
測定装置10のテストを実施するためのカウンタの設定
数は、例えばデバイスの種類、製造プロセスの種類、半
導体チップのダイサイズ等に基づいて、過去の実績や実
験のデータから適宜決定するのが好ましい。また、上記
実施例では、本発明をプローブテストに適用する場合の
一例を説明したが、これに限定されず、例えばファイナ
ルテストに適用することも可能である。When continuous good judgments are obtained,
The set number of the counter for performing the test of the measuring apparatus 10 is preferably determined as appropriate from past results and experimental data based on, for example, the type of device, the type of manufacturing process, the die size of the semiconductor chip, and the like. . In the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to a probe test has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be applied to a final test.
【0025】図2は、本発明を適用する測定装置の別の
実施例の構成概念図である。同図に示す測定装置20
は、パッケージ封止された半導体装置30を順次ICソ
ケット(IC(半導体装置)を装着するためのソケッ
ト)32に装着して電気的測定を行い、半導体装置30
それぞれの良、不良を判断するファイナルテストの際に
使用されるもので、ハンドラ22と、テストヘッド24
と、テストステーション(テスタ本体)26とを備えて
いる。FIG. 2 is a conceptual diagram showing the configuration of another embodiment of the measuring apparatus to which the present invention is applied. Measurement device 20 shown in FIG.
The semiconductor device 30 is mounted in the IC socket (socket for mounting an IC (semiconductor device)) 32 in order, and the electrical measurement is performed.
The handler 22 and the test head 24 are used at the time of a final test for judging good or bad.
And a test station (tester main body) 26.
【0026】ここで、ハンドラ22は、半導体装置(デ
バイス)32を吸着して搬送するためのデバイス搬送部
28を備えている。このデバイス搬送部28は、同図に
示すように、垂直方向に移動可能である。テストヘッド
24は、ハンドラ22のデバイス搬送部28の直下部分
に配置され、このテストヘッド24のヘッドプレートに
は、半導体装置32の各々のピン(端子)に対応する個
数のピン溝を持つICソケット32が取り付けられ(固
定され)ている。Here, the handler 22 has a device transport section 28 for sucking and transporting the semiconductor device (device) 32. The device transport unit 28 is movable in the vertical direction as shown in FIG. The test head 24 is disposed directly below the device transport section 28 of the handler 22. The head plate of the test head 24 has an IC socket having a number of pin grooves corresponding to each pin (terminal) of the semiconductor device 32. 32 is attached (fixed).
【0027】また、ハンドラ22は、テスタIF(イン
タフェース)等のインタフェースを介してテストステー
ション26に接続されている。一方、テストヘッド14
に取り付けられたICソケット32の各々の端子は、テ
ストヘッドケーブルを介してテストステーション26に
接続されている。The handler 22 is connected to a test station 26 via an interface such as a tester IF (interface). On the other hand, the test head 14
Each terminal of the IC socket 32 attached to the test station 26 is connected to the test station 26 via a test head cable.
【0028】ハンドラ22は、テスタIF等のインタフ
ェースを介して与えられるテストステーション26の指
示に従って、パッケージ封止された半導体装置30をI
Cソケット32に連続的に順次装着する。The handler 22 removes the packaged semiconductor device 30 from the package according to the instruction of the test station 26 given through an interface such as a tester IF.
It is sequentially and sequentially mounted on the C socket 32.
【0029】この時、ハンドラ22では、測定対象の半
導体装置30が自動搬送され、ICソケット32に装着
される。ハンドラ22には、測定対象の半導体装置の情
報やICソケット32の情報が品種別のパラメータとし
てあらかじめ記憶されている。これにより、デバイス搬
送部28が移動され、測定対象の半導体装置30のピン
とICソケット32のピン溝とが高精度に位置合わせさ
れ、半導体装置30はICソケット32に装着される。At this time, in the handler 22, the semiconductor device 30 to be measured is automatically conveyed and mounted on the IC socket 32. In the handler 22, information on the semiconductor device to be measured and information on the IC socket 32 are stored in advance as parameters for each type. As a result, the device transport section 28 is moved, the pins of the semiconductor device 30 to be measured and the pin grooves of the IC socket 32 are aligned with high precision, and the semiconductor device 30 is mounted on the IC socket 32.
【0030】なお、これ以後の動作は、ウエハプローバ
12がハンドラ22である点、テストヘッド14および
テストステーション16がそれぞれテストヘッド24お
よびテストステーション26である点、プローブカード
18がICソケット32である点、半導体ウエハが半導
体装置30である点を除いて、図1に示すウエハプロー
ブテスト用の測定装置10の場合と全く同じであるか
ら、その詳細な説明は省略する。The operation thereafter is that the wafer prober 12 is the handler 22, the test head 14 and the test station 16 are the test head 24 and the test station 26, respectively, and the probe card 18 is the IC socket 32. Except for the point and the point that the semiconductor wafer is the semiconductor device 30, it is completely the same as the case of the measuring device 10 for the wafer probe test shown in FIG. 1, and the detailed description thereof is omitted.
【0031】すなわち、テストステーション26から半
導体装置30へテスト信号が送信され、これに応じて動
作した半導体装置30の出力信号がテストステーション
26に受信され、その電気的特性が測定される。また、
テストステーション26は、半導体装置30の出力信号
とテストパターンの出力期待値とを比較し、半導体装置
30の良、不良を判断する。そのテスト結果に基づい
て、ハンドラ22では、測定済の半導体装置30を良
品、不良品のそれぞれのマガジン(図示省略)に収納す
る。That is, a test signal is transmitted from the test station 26 to the semiconductor device 30, and an output signal of the semiconductor device 30 operated in response thereto is received by the test station 26, and its electrical characteristics are measured. Also,
The test station 26 compares the output signal of the semiconductor device 30 with the expected output value of the test pattern to determine whether the semiconductor device 30 is good or bad. On the basis of the test results, the handler 22 stores the measured semiconductor device 30 in a magazine (not shown) for each of a good product and a defective product.
【0032】ここで、ハンドラ22は、設定数以上の連
続した良判断が得られた場合に、測定装置20のテスト
の実施を指示するカウンタを有する、もしくは、テスト
ステーション26に同様のカウンタを設けることも可能
である。この時、測定装置20のテストは、測定対象の
半導体装置30の電気的特性を測定する際に使用した同
じテストパターン(テストプログラム)を使用して、半
導体装置30をICソケット32に未装着の状態で電気
的測定を行うことによって実施するのが好ましい。Here, the handler 22 has a counter for instructing the execution of the test of the measuring device 20 when the number of continuous good judgments equal to or more than the set number is obtained, or a similar counter is provided in the test station 26. It is also possible. At this time, the test of the measuring device 20 is performed by using the same test pattern (test program) used when measuring the electrical characteristics of the semiconductor device 30 to be measured, by attaching the semiconductor device 30 to the IC socket 32 without mounting. It is preferred to carry out the electrical measurement in the state.
【0033】本発明の測定装置の運転方法は、基本的に
以上のようなものである。以上、本発明の測定装置の運
転方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施例
に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲におい
て、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんであ
る。The operating method of the measuring device according to the present invention is basically as described above. As described above, the operation method of the measuring device of the present invention has been described in detail. However, the present invention is not limited to the above embodiment, and various improvements and changes may be made without departing from the gist of the present invention. Of course.
【0034】[0034]
【発明の効果】以上詳細に説明した様に、本発明の測定
装置の運転方法は、半導体ウエハ内に形成された複数の
半導体チップのそれぞれに対してプローブカードを順次
接触させて電気的測定を行い、複数の半導体チップそれ
ぞれの良、不良を判断する、または、パッケージ封止さ
れた半導体装置を順次ICソケットに装着して電気的測
定を行い、半導体装置それぞれの良、不良を判断するに
際し、設定数以上の連続した良判断が得られた場合に、
測定装置のテストを実施するようにしたものである。こ
れにより、本発明の測定装置の運転方法によれば、テス
トプログラムの不具合や、テスタとプローバやハンドラ
との間の通信系統等の故障を早期に発見することがで
き、不良品に係るパッケージ組立のコストやテストコス
トを削減することができるし、不良半導体装置の市場へ
の流出を未然に防止することができるという効果があ
る。As described above in detail, the operating method of the measuring apparatus according to the present invention performs electrical measurement by sequentially contacting a probe card with each of a plurality of semiconductor chips formed in a semiconductor wafer. In order to judge whether each semiconductor device is good or bad, determine whether each semiconductor device is good or bad, or mount the packaged semiconductor devices sequentially in an IC socket and perform electrical measurement. If you get more than the set number of consecutive good judgments,
The test of the measuring device is performed. Thus, according to the operating method of the measuring device of the present invention, it is possible to early find a failure of the test program or a failure of the communication system between the tester and the prober or the handler, and to assemble the package relating to the defective product. In addition, the cost and test cost of the semiconductor device can be reduced, and the outflow of defective semiconductor devices to the market can be prevented.
【図1】 本発明を適用する測定装置の一実施例の構成
概略図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an embodiment of a measuring apparatus to which the present invention is applied.
【図2】 本発明を適用する測定装置の別の実施例の構
成概念図である。FIG. 2 is a conceptual diagram showing the configuration of another embodiment of the measuring apparatus to which the present invention is applied.
10,20 測定装置 12 ウエハプローバ 14,24 テストヘッド 16,26 テストステーション(テスタ本体) 18 プローブカード 22 ハンドラ 28 デバイス搬送部 30 半導体装置 32 ICソケット 10, 20 Measuring apparatus 12 Wafer prober 14, 24 Test head 16, 26 Test station (tester main body) 18 Probe card 22 Handler 28 Device transport section 30 Semiconductor device 32 IC socket
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/66 G01R 31/28 H F K Fターム(参考) 2G003 AA07 AA10 AB01 AF06 AG01 AG04 AG11 AG20 AH02 AH06 2G011 AA17 AC06 AE03 AE22 AF02 2G132 AA00 AB01 AE01 AE04 AE14 AE23 AE29 AF02 AG02 4M106 AA01 BA01 DD10 DD13 DD30 DJ17 DJ18 DJ20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/66 G01R 31/28 HF K F Term (Reference) 2G003 AA07 AA10 AB01 AF06 AG01 AG04 AG11 AG20 AH02 AH06 2G011 AA17 AC06 AE03 AE22 AF02 2G132 AA00 AB01 AE01 AE04 AE14 AE23 AE29 AF02 AG02 4M106 AA01 BA01 DD10 DD13 DD30 DJ17 DJ18 DJ20
Claims (4)
チップのそれぞれに対してプローブカードを順次接触さ
せて電気的測定を行い、該複数の半導体チップそれぞれ
の良、不良を判断する測定装置の運転方法であって、 設定数以上の連続した良判断が得られた場合に、前記測
定装置のテストを実施することを特徴とする測定装置の
運転方法。1. A measuring apparatus for making electrical measurements by sequentially contacting a probe card with each of a plurality of semiconductor chips formed in a semiconductor wafer and determining whether each of the plurality of semiconductor chips is good or defective. A method of operating a measuring device, wherein a test of the measuring device is performed when a predetermined number or more of good judgments are obtained.
ハ内の有効な半導体チップ以外の領域に前記プローブカ
ードを接触させるか、もしくは、前記プローブカードが
前記半導体ウエハに非接触の状態で前記電気的測定を行
うことによって実施することを特徴とする請求項1に記
載の測定装置の運転方法。2. The test of the measuring device is performed by contacting the probe card with a region other than an effective semiconductor chip in the semiconductor wafer, or by performing the electric test while the probe card is not in contact with the semiconductor wafer. The method according to claim 1, wherein the method is performed by performing dynamic measurement.
Cソケットに装着して電気的測定を行い、該半導体装置
それぞれの良、不良を判断する測定装置の運転方法であ
って、 設定数以上の連続した良判断が得られた場合に、前記測
定装置のテストを実施することを特徴とする測定装置の
運転方法。3. A semiconductor device sealed in a package is
A method of operating a measuring device which is mounted on a C socket and performs electrical measurement to determine whether each of the semiconductor devices is good or bad. A method for operating a measuring apparatus, characterized by performing a test.
を前記ICソケットに未装着の状態で前記電気的測定を
行うことによって実施することを特徴とする請求項3に
記載の測定装置の運転方法。4. The operation of the measuring device according to claim 3, wherein the test of the measuring device is performed by performing the electrical measurement in a state where the semiconductor device is not mounted on the IC socket. Method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001141429A JP2002340979A (en) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | Method of operating measuring instrument |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2001141429A JP2002340979A (en) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | Method of operating measuring instrument |
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JP2002340979A true JP2002340979A (en) | 2002-11-27 |
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Country | Link |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011163821A (en) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Tokyo Electron Ltd | Head plate open-close alleviation mechanism and open-close lock mechanism |
-
2001
- 2001-05-11 JP JP2001141429A patent/JP2002340979A/en not_active Withdrawn
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