JP2002333554A - Semiconductor laser module - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信分野に用い
られる半導体レーザモジュールに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser module used in the field of optical communication.
【0002】[0002]
【背景技術】近年、半導体レーザ(レーザダイオード)
は、光通信において信号用光源や光ファイバ増幅器の励
起用光源として大量に用いられるようになってきた。半
導体レーザが光通信において信号用光源や励起用光源と
して用いられる場合には、半導体レーザからのレーザ光
を光ファイバに光学的に結合させたデバイスである半導
体レーザモジュールとして使用される場合が多い。BACKGROUND ART In recent years, semiconductor lasers (laser diodes)
2. Description of the Related Art is widely used as a signal light source or an excitation light source for an optical fiber amplifier in optical communication. When a semiconductor laser is used as a signal light source or an excitation light source in optical communication, it is often used as a semiconductor laser module that is a device in which laser light from a semiconductor laser is optically coupled to an optical fiber.
【0003】図15の(a)には、従来の半導体レーザ
モジュールの構成例が示されている。この図に示す半導
体レーザモジュールは、レーザ光を出射するレーザダイ
オード(半導体レーザ)1を有し、該レーザダイオード
1のレーザ光出射端面31に対向させて、ファイバレン
ズのレンズ部14を有する光ファイバ4が設けられ、光
ファイバ4は金属製のスリーブ3に収容されている。光
ファイバ4は、前記レーザダイオード1から出射される
光を、レンズ部14を介して受光して伝送する。レンズ
部14は例えば楔型を呈したファイバレンズである。FIG. 15A shows a configuration example of a conventional semiconductor laser module. The semiconductor laser module shown in FIG. 1 includes a laser diode (semiconductor laser) 1 for emitting laser light, and an optical fiber having a lens portion 14 of a fiber lens opposed to a laser light emitting end face 31 of the laser diode 1. The optical fiber 4 is accommodated in a metal sleeve 3. The optical fiber 4 receives the light emitted from the laser diode 1 via the lens unit 14 and transmits the light. The lens unit 14 is, for example, a wedge-shaped fiber lens.
【0004】前記スリーブ3は固定部材6,7に支持さ
れてベース2上に搭載され、固定されている。固定部材
6,7は互いに光ファイバ4の長手方向に間隔を介した
位置で光ファイバ4を支持する態様と成している。前記
レーザダイオード1はヒートシンク22を介してベース
2上のLDボンディング部21上に搭載され、固定され
ている。また、ベース2上にはモニタフォトダイオード
固定部品39を介してモニタフォトダイオード9が搭載
されており、レーザダイオード1の出力をモニタする構
成と成している。ベース2はサーモモジュール25に搭
載されている。The sleeve 3 is mounted on the base 2 while being supported by fixing members 6 and 7, and is fixed. The fixing members 6 and 7 support the optical fiber 4 at positions spaced from each other in the longitudinal direction of the optical fiber 4. The laser diode 1 is mounted and fixed on an LD bonding portion 21 on the base 2 via a heat sink 22. Further, a monitor photodiode 9 is mounted on the base 2 via a monitor photodiode fixing component 39, and is configured to monitor the output of the laser diode 1. The base 2 is mounted on a thermo module 25.
【0005】このサーモモジュール25、前記ベース
2、前記レーザダイオード1、前記光ファイバ4、前記
固定部材6,7はパッケージ27に収容されており、該
パッケージ27の底板26に前記サーモモジュール25
が搭載されている。サーモモジュール25は、ベース側
板材17と、底板側板材18と、これら板材17,18
に狭着されるペルチェ素子19とを有している。The thermo module 25, the base 2, the laser diode 1, the optical fiber 4, and the fixing members 6, 7 are accommodated in a package 27, and the thermo module 25 is mounted on a bottom plate 26 of the package 27.
Is installed. The thermo module 25 includes a base plate 17, a bottom plate 18, and these plates 17, 18.
And a Peltier element 19 tightly attached to the Peltier device.
【0006】前記固定部材6,7と前記ベース2とは、
YAG溶接(周知のYAGレーザによる溶接)等により
第1のレーザ溶接部10でレーザ溶接されている。同様
に、固定部材6,7と前記スリーブ3とは第2のレーザ
溶接部11でレーザ溶接されている。第2のレーザ溶接
部11は第1のレーザ溶接部10よりも図のY方向(パ
ッケージ底板26に対し垂直な方向であり、前記光ファ
イバ4の光軸Z方向に対し垂直な方向)の高さが高い位
置に形成されている。The fixing members 6 and 7 and the base 2 are
Laser welding is performed at the first laser welded portion 10 by YAG welding (welding using a well-known YAG laser) or the like. Similarly, the fixing members 6, 7 and the sleeve 3 are laser-welded at a second laser-welded portion 11. The second laser welded portion 11 is higher than the first laser welded portion 10 in the Y direction in the drawing (the direction perpendicular to the package bottom plate 26 and the direction perpendicular to the optical axis Z direction of the optical fiber 4). Is formed at a high position.
【0007】なお、上記のようにスリーブ3と固定部材
6,7とベース2をレーザ溶接により固定するので、ベ
ース2や固定部材6,7を熱伝導率が低く、レーザ溶接
性に富む金属製にする必要がある。また、ベース2上に
は固定部材6,7を介して光ファイバ4を搭載すること
から、ベース2および固定部材6,7の材質は、光ファ
イバ4と線膨張係数が近い材質であることが好ましい。
そのため、従来の半導体レーザモジュールにおいて、ベ
ース2と固定部材6,7はFe−Ni−Co合金である
コバール(商標)により形成されている。Since the sleeve 3, the fixing members 6, 7 and the base 2 are fixed by laser welding as described above, the base 2 and the fixing members 6, 7 have low thermal conductivity and are made of metal which is rich in laser weldability. Need to be Further, since the optical fiber 4 is mounted on the base 2 via the fixing members 6 and 7, the material of the base 2 and the fixing members 6 and 7 may be a material having a linear expansion coefficient close to that of the optical fiber 4. preferable.
Therefore, in the conventional semiconductor laser module, the base 2 and the fixing members 6 and 7 are formed of Kovar (trademark) which is an Fe—Ni—Co alloy.
【0008】また、例えば前記パッケージ27の底板2
6はCu−W合金のCuW20(重量比はCuが20
%、Wが80%)により形成されており、サーモモジュ
ール25のベース側板材17と底板側板材18は共にA
l2O3により形成されている。Also, for example, the bottom plate 2 of the package 27
6 is CuW20 of Cu-W alloy (the weight ratio is
% And W is 80%), and the base plate 17 and the bottom plate 18 of the thermo module 25 are both A
It is formed of l 2 O 3 .
【0009】上記半導体レーザモジュールにおいて、レ
ーザダイオード1と光ファイバ4とは調心されている。
レーザダイオード1から出射されたレーザ光を光ファイ
バ4で受光して光ファイバ4内を伝送し、所望の用途に
供される。In the semiconductor laser module, the laser diode 1 and the optical fiber 4 are aligned.
The laser light emitted from the laser diode 1 is received by the optical fiber 4 and transmitted through the optical fiber 4 to be used for a desired application.
【0010】また、半導体レーザモジュールにおいて、
レーザダイオード1を駆動するために電流を流すと、発
熱によりレーザダイオード1の温度が上昇する。この温
度上昇はレーザダイオード1の発振波長と光出力の変化
を引き起こす原因となるため、半導体レーザモジュール
の使用時には、レーザダイオード1の近傍に固定された
サーミスタ(図示せず)によりレーザダイオード1の温
度を測定する。そして、この測定値に基づいてサーモモ
ジュール25を作動させ、サーモモジュール25に流す
電流を制御することによってレーザダイオード1の温度
を一定に保つ制御が行われる。Further, in the semiconductor laser module,
When a current flows to drive the laser diode 1, the temperature of the laser diode 1 rises due to heat generation. Since this rise in temperature causes a change in the oscillation wavelength and optical output of the laser diode 1, when the semiconductor laser module is used, the temperature of the laser diode 1 is fixed by a thermistor (not shown) fixed near the laser diode 1. Is measured. Then, the thermo module 25 is operated based on the measured value, and the current flowing through the thermo module 25 is controlled to control the temperature of the laser diode 1 to be constant.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体レーザモジュールにおいては、種々の要因に
より、ベース2が撓むことがあった。例えば、図15に
示す例では、ベース2をコバールにより形成し、サーモ
モジュールのベース側板材17をAl2O3により形成
している。そのため、両者の線膨張係数が大きく異なる
ことから、半導体レーザモジュール使用時のサーモモジ
ュール25の作動に伴って、例えば図15の(b)に示
すようにベース2が撓む。そのため、レーザダイオード
1とレンズ部14との位置が調心位置からずれ、レーザ
ダイオード1と光ファイバ4との光結合効率が低下して
しまうといった問題が生じた。However, in the above-described conventional semiconductor laser module, the base 2 may be bent due to various factors. For example, in the example shown in FIG. 15, the base 2 is formed of Kovar, and the base side plate 17 of the thermo module is formed of Al 2 O 3 . For this reason, since the linear expansion coefficients of the two greatly differ, the base 2 bends, for example, as shown in FIG. 15B with the operation of the thermomodule 25 when the semiconductor laser module is used. Therefore, the position of the laser diode 1 and the lens unit 14 is shifted from the centering position, and the optical coupling efficiency between the laser diode 1 and the optical fiber 4 is reduced.
【0012】また、例えば半導体レーザモジュールを使
用せずに40〜50℃の高温環境下で放置したときに
も、上記ベース2とサーモモジュール25のベース側板
材17との線膨張係数の違いによって同様にベース2が
撓む。そして、レーザダイオード1とレンズ部14との
光結合がずれる。そのため、半導体レーザモジュールを
使用しようとしたときに、完全に元の状態に戻らずに光
結合のずれが残ったままとなってしまうといった問題も
あった。Also, for example, even when the semiconductor laser module is left in a high temperature environment of 40 to 50 ° C. without using the semiconductor laser module, the same applies due to the difference in linear expansion coefficient between the base 2 and the base side plate 17 of the thermo module 25. The base 2 is bent. Then, the optical coupling between the laser diode 1 and the lens unit 14 is shifted. Therefore, when the semiconductor laser module is used, there is also a problem that the shift of the optical coupling remains without completely returning to the original state.
【0013】特に、従来の半導体レーザモジュールにお
いては、スリーブ3と固定部材6,7との固定部である
第2のレーザ溶接部11は、固定部材6,7とベース2
とのレーザ固定部である第1のレーザ溶接部10よりも
図のY方向の高さが約1600μm程度高い位置に形成
されている。そのために、ベース2の撓みが生じたとき
に第1のレーザ溶接部10を支点としてスリーブ3が大
きく位置ずれし、レーザダイオード1と光ファイバ4と
の光結合効率の低下の割合が大きかった。In particular, in the conventional semiconductor laser module, the second laser welding portion 11 which is a fixing portion between the sleeve 3 and the fixing members 6 and 7 is composed of the fixing members 6 and 7 and the base 2.
The height is approximately 1600 μm higher in the Y direction in the figure than the first laser welded portion 10 as the laser fixing portion. Therefore, when the base 2 was bent, the sleeve 3 was largely displaced with the first laser welded portion 10 as a fulcrum, and the rate of reduction in the optical coupling efficiency between the laser diode 1 and the optical fiber 4 was large.
【0014】上記のように、半導体レーザモジュールの
使用時および放置時の使用環境温度変化に応じてレーザ
ダイオード1と光ファイバ4との光結合効率が低下する
と、光ファイバ4によって受光伝送する光の強度が小さ
くなる。そのため、半導体レーザモジュールを適用した
光通信システム等を適切に動作できなくなってしまい、
問題であった。As described above, when the optical coupling efficiency between the laser diode 1 and the optical fiber 4 is reduced in accordance with a change in the use environment temperature when the semiconductor laser module is used or left unattended, the light received and transmitted by the optical fiber 4 is reduced. Strength is reduced. Therefore, it becomes impossible to properly operate an optical communication system or the like to which the semiconductor laser module is applied,
It was a problem.
【0015】本発明は上記従来の課題を解決するために
成されたものである。本発明の目的は、使用環境温度変
化によらず、レーザダイオードと、その光ビームを光フ
ァイバに導くレンズ部とを、高精度で光結合することが
できる信頼性の高い半導体レーザモジュールを提供する
ことにある。The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems. An object of the present invention is to provide a highly reliable semiconductor laser module capable of optically coupling a laser diode and a lens unit for guiding a light beam of the laser diode to an optical fiber with high accuracy regardless of a change in a use environment temperature. It is in.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は次のような構成をもって課題を解決するた
めの手段としている。すなわち、第1の発明は、レーザ
ダイオードと、該レーザダイオードから出射される光を
レンズ部を介して受光して伝送する光ファイバと、前記
レンズ部を支持する固定部材と、該固定部材と前記レー
ザダイオードを直接又は間接に搭載するベースと、前記
レーザダイオード、前記レンズ部、前記固定部材、前記
ベースを収容するパッケージとを有し、該パッケージの
底板に前記ベースが直接的に又はサーモモジュールを介
して搭載されている半導体レーザモジュールであって、
前記ベースには少なくとも前記レーザダイオードと前記
レンズ部との光結合部分の両側に撓み防止手段が形成さ
れている構成をもって課題を解決する手段としている。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention has the following structure to solve the problem. That is, the first invention provides a laser diode, an optical fiber that receives and transmits light emitted from the laser diode via a lens unit, a fixing member that supports the lens unit, A base for directly or indirectly mounting a laser diode, the laser diode, the lens portion, the fixing member, a package for accommodating the base, the base directly on the bottom plate of the package or a thermo module. A semiconductor laser module mounted via
Means for solving the problem is that the base has a structure in which deflection preventing means is formed at least on both sides of an optical coupling portion between the laser diode and the lens portion.
【0017】また、第2の発明は、上記第1の発明の構
成に加え、前記撓み防止手段は、少なくともレーザダイ
オードとレンズ部との光結合部分を囲うように前記レー
ザダイオードの光軸に直交する断面でのベースの断面形
状を略U字状に形成した構成を含むことを特徴としてい
る。According to a second aspect of the present invention, in addition to the configuration of the first aspect, the deflection preventing means is orthogonal to an optical axis of the laser diode so as to surround at least an optical coupling portion between the laser diode and the lens portion. It is characterized by including a configuration in which the cross-sectional shape of the base in the cross section to be formed is substantially U-shaped.
【0018】さらに、第3の発明は、上記第1又は第2
の発明の構成に加え、前記撓み防止手段は、レーザダイ
オードとレンズ部との間の光結合部分の両側に形成され
た壁部を含む構成をもって課題を解決する手段としてい
る。Further, the third invention is directed to the first or second embodiment.
In addition to the configuration of the invention described above, the deflection preventing means is a means for solving the problem by a structure including walls formed on both sides of an optical coupling portion between the laser diode and the lens part.
【0019】さらに、第4の発明は、レーザダイオード
と、該レーザダイオードから出射される光をレンズ部を
介して受光して伝送する光ファイバと、前記レンズ部を
支持する固定部材と、該固定部材と前記レーザダイオー
ドを直接又は間接に搭載するベースと、前記レーザダイ
オード、前記レンズ部、前記固定部材、前記ベースを収
容するパッケージとを有する半導体レーザモジュールで
あって、前記ベースは前記レーザダイオードを搭載する
レーザダイオード搭載部材と、該レーザダイオード搭載
部材のレーザダイオード搭載領域を避けた位置に配置さ
れて前記固定部材を搭載する固定部材搭載部材とを有す
る構成をもって課題を解決する手段としている。Furthermore, a fourth invention provides a laser diode, an optical fiber for receiving and transmitting light emitted from the laser diode via a lens unit, a fixing member for supporting the lens unit, A semiconductor laser module including a member and a base for directly or indirectly mounting the laser diode, and the laser diode, the lens portion, the fixing member, and a package for housing the base, wherein the base includes the laser diode. Means for solving the problem is a configuration having a laser diode mounting member to be mounted and a fixing member mounting member that is disposed at a position avoiding the laser diode mounting region of the laser diode mounting member and mounts the fixing member.
【0020】また、第5の発明は上記第4の発明の構成
に加え、前記ベースを搭載するサーモモジュールを有
し、該サーモモジュールはパッケージの底板に搭載され
ており、前記サーモモジュールは、ベース側板材と、底
板側板材と、これら板材に狭着されるペルチェ素子とを
有し、ベースのレーザダイオード搭載部材は前記サーモ
モジュール上に接触させて配置されており、前記レーザ
ダイオード搭載部材は前記ベースの固定部材搭載部材の
線膨張係数と前記サーモモジュールのベース側板材の線
膨張係数との間の範囲内の線膨張係数を有する材質によ
り形成されている構成をもって課題を解決する手段とし
ている。According to a fifth aspect of the present invention, in addition to the configuration of the fourth aspect, the fifth aspect further includes a thermo module on which the base is mounted, wherein the thermo module is mounted on a bottom plate of a package. A side plate member, a bottom plate side plate member, and a Peltier element tightly attached to these plate members, a laser diode mounting member of the base is arranged in contact with the thermo module, and the laser diode mounting member is Means for solving the problem is to solve the problem by a structure formed of a material having a linear expansion coefficient within a range between the linear expansion coefficient of the fixing member mounting member of the base and the linear expansion coefficient of the base side plate of the thermo module.
【0021】さらに、第6の発明は、上記第4又は第5
の発明の構成に加え、前記レーザダイオード搭載部材は
固定部材搭載部材よりも高い熱伝導率を有している構成
をもって課題を解決する手段としている。Further, the sixth invention is directed to the fourth or fifth embodiment.
In addition to the configuration of the invention described above, the laser diode mounting member is configured to have a higher thermal conductivity than the fixing member mounting member to achieve the object.
【0022】さらに、第7の発明は、レーザダイオード
と、該レーザダイオードから出射される光をレンズ部を
介して受光して伝送する光ファイバと、前記レンズ部を
支持する固定部材と、該固定部材と前記レーザダイオー
ドを直接又は間接に搭載するベースと、該ベースを搭載
するサーモモジュールと、前記レーザダイオード、前記
レンズ部、前記固定部材、前記ベース、前記サーモモジ
ュールを収容するパッケージとを有する半導体レーザモ
ジュールであって、前記ベースは前記サーモモジュール
上に接触させて配置されて前記レーザダイオードを搭載
するレーザダイオード搭載部材と、該レーザダイオード
搭載部材のレーザダイオード搭載領域を避けた位置に配
置されて前記固定部材を搭載する固定部材搭載部材とを
有して構成され、前記パッケージの底板は前記ベースの
レーザダイオード搭載部材と略同一の線膨張係数を有す
る材質で形成されている構成をもって課題を解決する手
段としている。Further, a seventh invention provides a laser diode, an optical fiber for receiving and transmitting light emitted from the laser diode via a lens section, a fixing member for supporting the lens section, A semiconductor having a base for directly or indirectly mounting a member and the laser diode, a thermo module for mounting the base, and a package for housing the laser diode, the lens unit, the fixing member, the base, and the thermo module. A laser module, wherein the base is disposed in contact with the thermo module, and a laser diode mounting member for mounting the laser diode; and a laser diode mounting member is disposed at a position avoiding a laser diode mounting area. And a fixing member mounting member for mounting the fixing member, The bottom plate of the serial package is a means for solving the problems with the configuration that is formed of a material having a laser diode mounting member and the coefficient of linear expansion substantially the same of the base.
【0023】さらに、第8の発明は、レーザダイオード
と、該レーザダイオードから出射される光をレンズ部を
介して受光して伝送する光ファイバと、前記レンズ部を
支持する固定部材と、該固定部材と前記レーザダイオー
ドを直接又は間接に搭載するベースと、前記レーザダイ
オード、前記レンズ部、前記固定部材、前記ベースを収
容するパッケージとを有し、該パッケージの底板に前記
ベースが直接的に又はサーモモジュールを介して搭載さ
れている半導体レーザモジュールであって、前記ベース
には前記固定部材を搭載する固定部材搭載部が形成さ
れ、該固定部材搭載部と前記固定部材とをレーザ溶接し
てなる第1のレーザ溶接部と、前記固定部材と前記レン
ズ部側とをレーザ溶接してなる第2のレーザ溶接部と
は、前記パッケージ底板に対し垂直な方向の高さが略同
じ高さである構成をもって課題を解決する手段としてい
る。Further, an eighth invention provides a laser diode, an optical fiber for receiving and transmitting light emitted from the laser diode via a lens portion, a fixing member for supporting the lens portion, A base for directly or indirectly mounting the member and the laser diode, and a package for housing the laser diode, the lens portion, the fixing member, and the base, wherein the base is directly or directly on a bottom plate of the package; A semiconductor laser module mounted via a thermo module, wherein a fixed member mounting portion for mounting the fixed member is formed on the base, and the fixed member mounting portion and the fixed member are laser-welded. A first laser welded portion, and a second laser welded portion formed by laser welding the fixing member and the lens portion side, wherein the first laser welded portion is formed on the package bottom. And a means for solving the problems with a substantially same height as the height of the perpendicular arrangement relative.
【0024】さらに、第9の発明は、上記第8の発明の
構成に加え、前記第1のレーザ溶接部と第2のレーザ溶
接部のパッケージ底板に対する高さは、レーザダイオー
ドからレンズ部を透過するレーザビームの光軸の高さと
同じ高さである構成をもって課題を解決する手段として
いる。According to a ninth aspect of the present invention, in addition to the configuration of the eighth aspect, the height of the first laser welded portion and the second laser welded portion with respect to the package bottom plate is transmitted from the laser diode through the lens portion. The height of the optical axis of the laser beam is the same as that of the laser beam.
【0025】[0025]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。なお、本実施形態例の説明におい
て、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重
複説明は省略又は簡略化する。図1には、本発明に係る
半導体レーザモジュールの第1実施形態例の要部構成が
断面図により示されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the description of the present embodiment, the same reference numerals are given to the same parts as those in the conventional example, and the overlapping description is omitted or simplified. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a main part of a first embodiment of a semiconductor laser module according to the present invention.
【0026】図1に示すように、本実施形態例の半導体
レーザモジュールは、レーザダイオード1と、レンズ部
14を有する光ファイバ4と、レンズ部14を収容する
レンズ部固定部材としてのスリーブ3と、スリーブ3の
支持固定を介して光ファイバ4とその先端のレンズ部1
4を支持する固定部材6,7(7a,7b)と、該固定
部材6,7とレーザダイオード1を直接又は間接に搭載
するベース2と、サーモモジュール25をパッケージ2
7内に収容して形成されている。As shown in FIG. 1, the semiconductor laser module of the present embodiment comprises a laser diode 1, an optical fiber 4 having a lens portion 14, and a sleeve 3 as a lens portion fixing member for accommodating the lens portion 14. The optical fiber 4 and the lens portion 1 at the tip of the
The fixing members 6, 7 (7a, 7b) for supporting the laser diode 4, the base 2 on which the fixing members 6, 7 and the laser diode 1 are directly or indirectly mounted, and the thermo module 25 as a package 2
7 and is formed.
【0027】光ファイバ4のレンズ部14はファイバレ
ンズであり、具体的には例えば図7に示す構成の楔型の
アナモルフィック(回転非対称)レンズである。この楔
型ファイバレンズからなるレンズ部14の先端側は、図
2、図3、図7に示すように、先端の稜線14aがレー
ザダイオード1の活性層(図示せず)と同一平面に配置
されるように、該レーザダイオード1のレーザ光出射端
面31に対向している。稜線14aは図では直線状に示
されているが、光ファイバ4のコアに光を効率良く入射
できるよう、実際には拡大すると曲面状に形成されてい
る。The lens portion 14 of the optical fiber 4 is a fiber lens, specifically, for example, a wedge-shaped anamorphic (rotationally asymmetric) lens having the configuration shown in FIG. As shown in FIG. 2, FIG. 3, and FIG. 7, the distal end side of the lens portion 14 composed of the wedge-shaped fiber lens has a ridge line 14a at the distal end located on the same plane as the active layer (not shown) of the laser diode 1. Thus, the laser diode 1 faces the laser light emitting end face 31 of the laser diode 1. Although the ridge 14a is shown in a straight line in the figure, it is actually formed into a curved surface when enlarged so that light can be efficiently incident on the core of the optical fiber 4.
【0028】本実施形態例では、ベース2は、レーザダ
イオード1を搭載するレーザダイオード搭載部材8と、
固定部材6,7を搭載する固定部材搭載部材5の2部品
から構成されている。In this embodiment, the base 2 includes a laser diode mounting member 8 on which the laser diode 1 is mounted,
It is composed of two parts, a fixing member mounting member 5 on which the fixing members 6 and 7 are mounted.
【0029】レーザダイオード搭載部材8はサーモモジ
ュール25上にサーモモジュール25と接触して配置さ
れている。図1、図2、図4に示すように、レーザダイ
オード搭載部材8の上部側には該レーザダイオード搭載
部材8と一体部材で構成されるLDボンディング部21
が設けられてレーザダイオード搭載領域を形成してい
る。前記固定部材搭載部材5はレーザダイオード搭載部
材8のレーザダイオード搭載領域を避けた位置に配置さ
れている。The laser diode mounting member 8 is disposed on the thermo module 25 in contact with the thermo module 25. As shown in FIGS. 1, 2, and 4, an LD bonding portion 21 formed integrally with the laser diode mounting member 8 is provided above the laser diode mounting member 8.
Are provided to form a laser diode mounting area. The fixing member mounting member 5 is arranged at a position avoiding the laser diode mounting region of the laser diode mounting member 8.
【0030】図4は、ベース2を分解状態で示す斜視図
である。図4にハッチングを付して示す銀ロウ接合部4
6により、固定部材搭載部材5がレーザダイオード搭載
部材8上に固定されている。FIG. 4 is a perspective view showing the base 2 in an exploded state. Silver solder joint 4 shown by hatching in FIG.
6, the fixing member mounting member 5 is fixed on the laser diode mounting member 8.
【0031】レーザダイオード搭載部材8は、前記固定
部材搭載部材5の線膨張係数と前記サーモモジュール2
5のベース側板材17の線膨張係数との間の範囲内の線
膨張係数を有する材質により形成される。The laser diode mounting member 8 is provided with the linear expansion coefficient of the fixing member mounting member 5 and the thermo module 2.
5 is formed of a material having a coefficient of linear expansion within a range between the coefficient of linear expansion of the base-side plate member 17 of No. 5.
【0032】具体的には、本実施形態例において、固定
部材搭載部材5はコバールにより形成し、レーザダイオ
ード搭載部材8はCu−W合金のCuW10(重量比は
Cuが10%、Wが90%)により形成している。Cu
W10の線膨張係数は6.5×10−6/K、Al2O
3の線膨張係数は6.7×10−6/Kである。More specifically, in this embodiment, the fixing member mounting member 5 is formed of Kovar, and the laser diode mounting member 8 is made of CuW10 of Cu—W alloy (weight ratio of Cu is 10%, W is 90%). ). Cu
The coefficient of linear expansion of W10 is 6.5 × 10 −6 / K, Al 2 O
The coefficient of linear expansion of 3 is 6.7 × 10 −6 / K.
【0033】CuW10は、熱伝導率が180〜200
(W/m・K)であり、コバールの熱伝導率である17
〜18(W/m・K)の約10倍の熱伝導率を有してい
る。CuW10 has a thermal conductivity of 180 to 200.
(W / m · K), which is the thermal conductivity of Kovar 17
It has a thermal conductivity about 10 times that of 1818 (W / m · K).
【0034】パッケージ27の底板26はベース2のレ
ーザダイオード搭載部材8と同一材質であるCuW10
により形成し、それにより、底板26の線膨張係数とレ
ーザダイオード搭載部材8の線膨張係数が同一と成され
ている。The bottom plate 26 of the package 27 is made of CuW 10 made of the same material as the laser diode mounting member 8 of the base 2.
Accordingly, the linear expansion coefficient of the bottom plate 26 and the linear expansion coefficient of the laser diode mounting member 8 are the same.
【0035】図1〜図3に示すように、固定部材搭載部
としての固定部材搭載部材5と光ファイバ4およびスリ
ーブ3の固定部材6,7とをレーザ溶接してなる第1の
レーザ溶接部10が形成されている。前記固定部材6,
7と前記スリーブ3とをレーザ溶接してなる第2のレー
ザ溶接部11(11a,11b)が形成されている。第
1のレーザ溶接部10と第2のレーザ溶接部11とは前
記パッケージ底板26に対し垂直な方向において略同じ
高さ(高さの差が±500μm以内、好ましくは±50
μm以内)に形成されている。As shown in FIGS. 1 to 3, a first laser welding portion formed by laser welding a fixing member mounting member 5 as a fixing member mounting portion and fixing members 6 and 7 of the optical fiber 4 and the sleeve 3. 10 are formed. The fixing member 6,
A second laser welded portion 11 (11a, 11b) formed by laser welding the sleeve 7 and the sleeve 3 is formed. The first laser welded portion 10 and the second laser welded portion 11 have substantially the same height in a direction perpendicular to the package bottom plate 26 (the difference in height is within ± 500 μm, preferably ± 50 μm).
(within μm).
【0036】また、固定部材6側の第1、第2のレーザ
溶接部10,11の高さは光ファイバ4の中心(ここで
は稜線14a)と同じ高さになっている。The heights of the first and second laser welds 10 and 11 on the fixing member 6 side are the same as the center of the optical fiber 4 (here, the ridge 14a).
【0037】ここで、固定部材搭載部材5と固定部材
6,7をレーザ溶接する際、該固定部材搭載部材5の上
面と固定部材6,7の上面とが面一(±100μm以
内)となるようにすれば、製品ごとにレーザ溶接部10
の高さを容易に均一にすることができるので好ましい。Here, when the fixing member mounting member 5 and the fixing members 6, 7 are laser-welded, the upper surfaces of the fixing member mounting member 5 and the fixing members 6, 7 are flush (within ± 100 μm). In this way, the laser weld 10
It is preferable because the height of the base can be easily made uniform.
【0038】ベース2には、少なくとも前記レーザダイ
オード1と前記光ファイバ4との光結合部分両側に撓み
防止手段が形成されている。この撓み防止手段は、図
3、図4に示すように、前記光ファイバ4の側部両側の
ベース領域に、光ビームの進行方向、ここでは光ファイ
バ4の長手方向に沿って形成された壁部15を有してい
る。The base 2 has bending preventing means formed at least on both sides of the optical coupling portion between the laser diode 1 and the optical fiber 4. As shown in FIGS. 3 and 4, the deflection preventing means is provided in a base region on both sides of the optical fiber 4 with a wall formed along the traveling direction of the light beam, here, the longitudinal direction of the optical fiber 4. It has a part 15.
【0039】図23は、壁部15を備えた撓み防止手段
の基本構成を示す概念図である。壁部15は、図23に
示すように、少なくともレーザダイオード1におけるレ
ーザ光の出射端面31とレンズ部14の受光端32を結
ぶ軸線部33の側部両側に設けられる。従って、レーザ
ダイオード1と光ファイバ4との間の撓みが防止され、
光結合率の低下が防止される。FIG. 23 is a conceptual diagram showing the basic structure of the deflection preventing means provided with the wall portion 15. As shown in FIG. 23, the wall portions 15 are provided on both sides of the axis portion 33 that connects at least the laser light emitting end surface 31 of the laser diode 1 and the light receiving end 32 of the lens portion 14. Therefore, bending between the laser diode 1 and the optical fiber 4 is prevented,
A decrease in the optical coupling ratio is prevented.
【0040】本実施形態例では、壁部15は、図3に示
すように、固定部材搭載部材5の長手方向全領域(同図
の破線枠B内の領域)に設けられている。In this embodiment, as shown in FIG. 3, the wall portion 15 is provided in the entire region in the longitudinal direction of the fixing member mounting member 5 (the region within the broken line frame B in FIG. 3).
【0041】また、本実施形態例において、壁部15は
固定部材搭載部材5と一体部材により形成されている。
図5に示すように、壁部15は固定部材搭載部材5の底
部16から少なくとも上側に立設されている。そして、
固定部材搭載部材5は前記光結合部分である軸線部33
を囲うように、レーザダイオード1の光軸に直交する断
面での断面形状が略U字形状に形成されている。このよ
うな断面略U字のベース構成は、本実施形態例において
は撓み防止手段の一部を構成しており、長手方向の撓み
に対して非常に強い。In this embodiment, the wall 15 is formed integrally with the fixed member mounting member 5.
As shown in FIG. 5, the wall portion 15 stands at least above the bottom portion 16 of the fixed member mounting member 5. And
The fixing member mounting member 5 includes an axis portion 33 serving as the optical coupling portion.
Is formed in a substantially U-shaped cross section in a cross section orthogonal to the optical axis of the laser diode 1. Such a base configuration having a substantially U-shaped cross section constitutes a part of the bending prevention means in the present embodiment, and is extremely strong against bending in the longitudinal direction.
【0042】また、図4に示すように、壁部15の一端
部はアーム部5eを成し、固定部材搭載部材5の底部1
6の端部よりも突出形成されて、レーザダイオード搭載
部材8のLDボンディング部21の配設領域まで伸設さ
れている。本実施形態例では、このようにアーム部5e
を形成することにより、銀ロウ接合部46の接触面積を
増やしている。このアーム部5eとレーザダイオード搭
載部材8の接続構成が、レーザダイオード1の光軸に直
交する断面での断面形状が略U字状となっており、本実
施形態例における撓み防止手段の一部を形成している。As shown in FIG. 4, one end of the wall portion 15 forms an arm portion 5e, and the bottom portion 1 of the fixing member mounting member 5
The laser diode mounting member 8 protrudes from the end of the laser diode mounting member 6 and extends to the area where the LD bonding portion 21 is provided. In the present embodiment, the arm 5e
Is formed, the contact area of the silver brazing portion 46 is increased. The connection configuration between the arm portion 5e and the laser diode mounting member 8 has a substantially U-shaped cross section in a cross section orthogonal to the optical axis of the laser diode 1, and is a part of the deflection preventing means in this embodiment. Is formed.
【0043】さらに、図3、図4に示すように、固定部
材搭載部材5において、壁部15と、該壁部15の直交
方向に形成された壁部35によって嵌合凹部37が形成
されている。固定部材6,7は嵌合凹部37に嵌合収納
された状態で、第1のレーザ溶接部10により溶接固定
されている。Further, as shown in FIGS. 3 and 4, in the fixing member mounting member 5, a fitting recess 37 is formed by the wall portion 15 and the wall portion 35 formed in a direction perpendicular to the wall portion 15. I have. The fixing members 6 and 7 are welded and fixed by the first laser welding portion 10 in a state of being fitted and housed in the fitting recess 37.
【0044】なお、本実施形態例において、固定部材搭
載部材5を形成する際に、図4に示すように、例えば固
定部材6,7の嵌合凹部37とスリーブ3の挿入部38
を刳り貫いた形状に成形することにより、壁部15と固
定部材固定用壁部35を一体的に形成した固定部材搭載
部材5を得ることができる。In this embodiment, when the fixing member mounting member 5 is formed, as shown in FIG. 4, for example, the fitting recesses 37 of the fixing members 6 and 7 and the insertion portion 38 of the sleeve 3 are used.
By molding into a hollow shape, the fixing member mounting member 5 in which the wall portion 15 and the fixing member fixing wall portion 35 are integrally formed can be obtained.
【0045】図2、図3に示すように、固定部材6,7
は互いに光ファイバ4の長手方向に間隔を介した位置で
光ファイバ4を支持している。レーザダイオード1に最
も近い側に位置する固定部材6は、図6の(a)、
(b)に示すように、光ファイバ4を両側部から挟持す
る挟持部28を備えた一体部品により形成されている。As shown in FIGS. 2 and 3, the fixing members 6, 7
Support the optical fibers 4 at positions spaced from each other in the longitudinal direction of the optical fibers 4. The fixing member 6 located on the side closest to the laser diode 1 is shown in FIG.
As shown in (b), the optical fiber 4 is formed of an integral component having a holding portion 28 for holding the optical fiber 4 from both sides.
【0046】なお、固定部材6の形状は図6の(b)に
示すように挟持部28をアーム状に形成すると、レーザ
溶接部11bを固定する前にレーザ溶接部11aを支点
としてスリーブ3ごと光ファイバ4を回動させた際に
(この回動はレーザダイオード1とレンズ部14の調心
のために行われる)、レーザ溶接部11aに加わる応力
が、挟持部28のアームの変形応力に分散され、応力集
中を防止できる。As shown in FIG. 6B, when the holding member 28 is formed in an arm shape as shown in FIG. 6B, before fixing the laser welded portion 11b, the fixing member 6 is fixed with the laser welded portion 11a as a fulcrum. When the optical fiber 4 is rotated (this rotation is performed to align the laser diode 1 and the lens portion 14), the stress applied to the laser welded portion 11a causes the deformation stress of the arm of the holding portion 28 to be changed. It is dispersed and stress concentration can be prevented.
【0047】ベース2の固定部材搭載部材5はサーモモ
ジュール25における光ファイバ搭載側端部(図1の右
側端部)より光ファイバ長手方向に突出して設けられて
いる。さらに、前記固定部材搭載部材5はレーザダイオ
ード搭載部材8における光ファイバ搭載側端部よりも光
ファイバ長手方向に突出して設けられていることであ
る。また、本実施形態例において、前記スリーブ3はサ
ーモモジュール25における光ファイバ搭載側端部から
突出した固定部材搭載部材5に固定されている。The fixing member mounting member 5 of the base 2 is provided so as to protrude in the longitudinal direction of the optical fiber from the optical fiber mounting side end (the right end in FIG. 1) of the thermomodule 25. Furthermore, the fixing member mounting member 5 is provided so as to protrude in the longitudinal direction of the optical fiber from an end portion of the laser diode mounting member 8 on the optical fiber mounting side. In the present embodiment, the sleeve 3 is fixed to a fixing member mounting member 5 protruding from the optical fiber mounting side end of the thermo module 25.
【0048】図2に示すように、レーザダイオード搭載
部材8は、レーザダイオード1に近い側に位置する固定
部材6の下部側を、固定部材搭載部材5を介して支持す
る補強部20を有しており、該補強部20の下面はサー
モモジュール25に接触していない。本実施形態例にお
いて、補強部20は直方体形状に形成されている。As shown in FIG. 2, the laser diode mounting member 8 has a reinforcing portion 20 for supporting the lower side of the fixing member 6 located near the laser diode 1 via the fixing member mounting member 5. The lower surface of the reinforcing portion 20 is not in contact with the thermo module 25. In the present embodiment, the reinforcing portion 20 is formed in a rectangular parallelepiped shape.
【0049】なお、本実施形態例において、図8の
(a)に示すように、前記レーザダイオード1はAuS
n等の半田材40によってヒートシンク22上に固定さ
れている。そして、ヒートシンク22はAuSn等の半
田材41によってレーザダイオード搭載部材8上に固定
されている。ヒートシンク22はAlN、SiCやダイ
ヤモンド等の高熱伝導性材料により形成されている。In this embodiment, as shown in FIG. 8A, the laser diode 1 is AuS
It is fixed on the heat sink 22 by a solder material 40 such as n. The heat sink 22 is fixed on the laser diode mounting member 8 by a solder material 41 such as AuSn. The heat sink 22 is formed of a high thermal conductive material such as AlN, SiC, diamond and the like.
【0050】また、図8の(b)に示すように、モニタ
フォトダイオード固定部39は半田材43によりベース
2のレーザダイオード搭載部材8上に固定されている。
モニタフォトダイオード固定部39は主にアルミナによ
り形成されている。モニタフォトダイオード固定部39
の表面にはAuメッキパターン50が形成され、このメ
ッキパターン上にフォトダイオード9がAuSn、Au
Si等の半田材44により固定されている。As shown in FIG. 8B, the monitor photodiode fixing portion 39 is fixed on the laser diode mounting member 8 of the base 2 by a solder material 43.
The monitor photodiode fixing portion 39 is mainly formed of alumina. Monitor photodiode fixing part 39
An Au plating pattern 50 is formed on the surface of the substrate, and the photodiode 9 has AuSn and Au on the plating pattern.
It is fixed by a solder material 44 such as Si.
【0051】本実施形態例は以上のように構成されてお
り、本実施形態例においても従来例と同様に、半導体レ
ーザモジュールの使用時には、レーザダイオード1から
出射する光を光ファイバ4に受光させ、伝送させること
が行なわれる。The present embodiment is configured as described above. In this embodiment, similarly to the conventional example, when the semiconductor laser module is used, light emitted from the laser diode 1 is received by the optical fiber 4. , Transmission.
【0052】また、このとき、本実施形態例でも従来例
と同様にサーモモジュール25によるレーザダイオード
1の温度制御が行なわれる。At this time, also in this embodiment, the temperature of the laser diode 1 is controlled by the thermo module 25 as in the conventional example.
【0053】本実施形態例では、ベース2はレーザダイ
オード搭載部材8と固定部材搭載部材5の、2部品から
構成されており、熱膨張特性と熱伝導特性の観点から最
適化されている。具体的には、サーモモジュール25の
ベース側板部材17に接触するベース2のレーザダイオ
ード搭載部材8は、その上側に設けられている固定部材
搭載部材5の線膨張係数とサーモモジュール25のベー
ス側板材17の線膨張係数との間の範囲内の線膨張係数
を有する材質(言い換えればコバールとAl2O3の間
の線膨張係数を有するCuW10)により形成されてい
る。そのために、従来例のようにコバールにより形成し
たベース2をAl2O3からなるベース側板材17上に
直接接触して設ける場合に比べ、使用環境温度変化によ
って生じるベース2の撓みが緩和される。In this embodiment, the base 2 is composed of two parts, the laser diode mounting member 8 and the fixing member mounting member 5, and is optimized from the viewpoint of thermal expansion characteristics and heat conduction characteristics. Specifically, the laser diode mounting member 8 of the base 2 that contacts the base side plate member 17 of the thermo module 25 is formed by the linear expansion coefficient of the fixed member mounting member 5 provided on the upper side thereof and the base side plate material of the thermo module 25. It is formed of a material having a coefficient of linear expansion within a range between the coefficient of linear expansion of No. 17 (in other words, CuW10 having a coefficient of linear expansion between Kovar and Al 2 O 3 ). Therefore, the deflection of the base 2 caused by a change in the use environment temperature is reduced as compared with the case where the base 2 formed of Kovar is provided in direct contact with the base side plate 17 made of Al 2 O 3 as in the conventional example. .
【0054】したがって、本実施形態例によれば、使用
環境温度変化に起因したレーザダイオード1と光ファイ
バ4との光結合効率低下を抑制することができる。Therefore, according to the present embodiment, it is possible to suppress a decrease in the optical coupling efficiency between the laser diode 1 and the optical fiber 4 due to a change in the use environment temperature.
【0055】固定部材搭載部材5はコバールにより形成
されており、コバールは光ファイバ4と線膨張係数がほ
ぼ同一である。そのため、光ファイバ4との線膨張係数
の違いによって光ファイバ4に悪影響を及ぼすことを抑
制できる。The fixing member mounting member 5 is formed of Kovar, and Kovar has substantially the same linear expansion coefficient as the optical fiber 4. Therefore, adverse effects on the optical fiber 4 due to a difference in linear expansion coefficient from the optical fiber 4 can be suppressed.
【0056】レーザダイオード搭載部材8は、熱伝導性
が良好で、コバールの熱伝導率の約10倍の熱伝導率を
有するCuW10により形成されている。そのために、
レーザダイオード1で発生した熱を、ヒートシンク2
2、レーザダイオード搭載部材8を介して効率的にサー
モモジュール25側に伝え、サーモモジュール25によ
ってレーザダイオード1を効率的に冷却することができ
る。The laser diode mounting member 8 is made of CuW10 having good thermal conductivity and having a thermal conductivity about 10 times that of Kovar. for that reason,
The heat generated by the laser diode 1 is transferred to a heat sink 2
2. The laser module 1 can be efficiently cooled by the thermo module 25 through the laser module mounting member 8 for efficient transmission to the thermo module 25 side.
【0057】そのため、本実施形態例によれば、レーザ
ダイオード1およびサーモモジュール25の消費電力を
小さくでき、消費電力の小さい半導体レーザモジュール
とすることができるし、サーモモジュール25の撓み量
を小さくすることができる。Therefore, according to the present embodiment, the power consumption of the laser diode 1 and the thermo module 25 can be reduced, the semiconductor laser module can be reduced in power consumption, and the bending amount of the thermo module 25 can be reduced. be able to.
【0058】また、本実施形態例によれば、レーザダイ
オード搭載部材8とパッケージ27の底板26の線膨張
係数を同一としているので、半導体レーザモジュールの
使用環境温度変化が生じたときにサーモモジュール25
の上下両側に同じ応力が加わり、サーモモジュール25
の撓みが相殺される。したがって、本実施形態例によれ
ば、使用環境温度変化に起因したレーザダイオード1と
光ファイバ4との光結合効率低下をより一層効率的に抑
制することができる。Further, according to the present embodiment, since the coefficient of linear expansion of the laser diode mounting member 8 and the bottom plate 26 of the package 27 are the same, when the temperature of the operating environment of the semiconductor laser module is changed, the thermo module 25 is changed.
The same stress is applied to the upper and lower sides of the
Is canceled out. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to more efficiently suppress a decrease in the optical coupling efficiency between the laser diode 1 and the optical fiber 4 due to a change in the use environment temperature.
【0059】また、本実施形態例では、固定部材搭載部
材5が熱伝導率の低いコバールで形成されているため
に、固定部材搭載部材5におけるスリーブ3のレーザ溶
接性が良好である。Further, in this embodiment, since the fixing member mounting member 5 is formed of Kovar having a low thermal conductivity, the laser weldability of the sleeve 3 in the fixing member mounting member 5 is good.
【0060】さらに、本実施形態例によれば、ベース2
の固定部材搭載部材5と光ファイバ収容用のスリーブ3
の固定部材6,7とをレーザ溶接してなる第1のレーザ
溶接部10と、固定部材6,7とスリーブ3とをレーザ
溶接してなる第2のレーザ溶接部11とは、パッケージ
底板26に対し垂直な方向の高さが略同じ高さに形成さ
れている。そのために、たとえ多少ベース2の撓みが生
じても、この撓みによってスリーブ3が第1のレーザ溶
接部10を支点に大きく位置ずれすることを防止でき
る。Further, according to the present embodiment, the base 2
Fixing member mounting member 5 and sleeve 3 for housing optical fiber
A first laser welded portion 10 formed by laser welding the fixing members 6, 7 and a second laser welded portion 11 formed by laser welding the fixing members 6, 7 and the sleeve 3 are formed by a package bottom plate 26. Are formed at substantially the same height in the direction perpendicular to. Therefore, even if the base 2 is slightly bent, it is possible to prevent the sleeve 3 from being largely displaced about the first laser welded portion 10 as a fulcrum due to the bending.
【0061】したがって、本実施形態例の半導体レーザ
モジュールは、レーザダイオード1と光ファイバ4との
光結合効率の低下をさらにより一層効率的に抑制するこ
とができる。Therefore, in the semiconductor laser module of the present embodiment, a decrease in the optical coupling efficiency between the laser diode 1 and the optical fiber 4 can be suppressed even more efficiently.
【0062】さらに、本実施形態例によれば、ベース2
の固定部材搭載部材5に、光ファイバ4の長手方向に沿
って壁部15を形成することにより、ベース2の撓みを
防止する撓み防止手段を形成しているので、光ファイバ
長手方向に沿ったベース2の撓みを抑制できる。Further, according to the present embodiment, the base 2
By forming the wall portion 15 on the fixing member mounting member 5 along the longitudinal direction of the optical fiber 4 to form a bending prevention means for preventing the base 2 from bending, The deflection of the base 2 can be suppressed.
【0063】なお、本実施形態例の半導体レーザモジュ
ールに適用している光ファイバ4は、先端の稜線14a
がX−Z平面に平行な楔型のレンズ部14を有するもの
である。この種のレンズ部14を有する光ファイバ4と
レーザダイオード1との光結合は、特に前記Y方向の位
置ずれの影響を受けやすい。そのため、ベース2が光フ
ァイバ4の長手方向に沿って撓むと、レーザダイオード
1と光ファイバ4との光結合効率低下が顕著に起こりや
すい。The optical fiber 4 applied to the semiconductor laser module of this embodiment has a ridge 14a at the tip.
Has a wedge-shaped lens portion 14 parallel to the XZ plane. The optical coupling between the optical fiber 4 having this kind of lens portion 14 and the laser diode 1 is particularly susceptible to the displacement in the Y direction. Therefore, when the base 2 bends along the longitudinal direction of the optical fiber 4, the optical coupling efficiency between the laser diode 1 and the optical fiber 4 is apt to decrease significantly.
【0064】しかしながら、本実施形態例では、上記の
ように、撓み防止手段によってベース2の光ファイバ長
手方向に沿った撓みを抑制できるので、レーザダイオー
ド1と光ファイバ4との光結合効率の低下を非常に効率
的に抑制することができる。However, in the present embodiment, the bending of the base 2 in the longitudinal direction of the optical fiber can be suppressed by the bending preventing means as described above, so that the optical coupling efficiency between the laser diode 1 and the optical fiber 4 is reduced. Can be suppressed very efficiently.
【0065】特に、本実施形態例の半導体レーザモジュ
ールにおいて、レーザダイオード1から出射される光
は、光ファイバ4の先端側から光ファイバ4に入射する
ので、レーザダイオード1と光ファイバ4との光結合に
際し、レーザダイオード1と光ファイバ4のレーザ光受
光端32との位置ずれを抑制することは極めて重要であ
る。したがって、上記軸線部33におけるベース2の撓
みを抑制することは極めて重要である。In particular, in the semiconductor laser module of the present embodiment, the light emitted from the laser diode 1 enters the optical fiber 4 from the tip end of the optical fiber 4, so that the light between the laser diode 1 and the optical fiber 4 At the time of coupling, it is extremely important to suppress the displacement between the laser diode 1 and the laser light receiving end 32 of the optical fiber 4. Therefore, it is extremely important to suppress the deflection of the base 2 at the axis portion 33.
【0066】また、同様に、固定部材6によるスリーブ
3の固定位置がずれると、例えば固定部材6よりもレー
ザダイオード1から遠い固定部材7によるスリーブ3の
固定位置がずれる場合に比べ、レーザダイオード1と光
ファイバ4との光結合効率低下が大きい。このことか
ら、固定部材6の配設領域におけるベース2の撓みを抑
制することは極めて重要である。Similarly, when the fixing position of the sleeve 3 by the fixing member 6 shifts, the fixing position of the sleeve 3 by the fixing member 7 farther from the laser diode 1 than the fixing member 6 shifts, for example. The optical coupling efficiency between the optical fiber 4 and the optical fiber 4 is greatly reduced. For this reason, it is extremely important to suppress the bending of the base 2 in the area where the fixing member 6 is provided.
【0067】そこで、本実施形態例では、壁部15を、
レーザダイオード1におけるレーザ光の出射端面31と
光ファイバ4におけるレーザ光の受光端32を結ぶ軸線
部33の側部両側とした。そして、レーザダイオード1
に近い側に位置する固定部材6の側部両側を含む固定部
材搭載部材5の光ファイバ長手方向に沿った領域に設け
た。それにより、上記軸線部33および固定部材6の配
設領域におけるベース2の光ファイバ長手方向の撓みを
抑制している。Therefore, in the present embodiment, the wall 15 is
Both sides of the axis portion 33 connecting the laser light emitting end face 31 of the laser diode 1 and the laser light receiving end 32 of the optical fiber 4 are provided. And the laser diode 1
The fixing member 6 is provided in an area along the longitudinal direction of the optical fiber of the fixing member mounting member 5 including both sides of the fixing member 6 located on the side closer to the optical fiber. Thereby, the bending of the base 2 in the optical fiber longitudinal direction in the area where the axis portion 33 and the fixing member 6 are provided is suppressed.
【0068】さらに、本実施形態例では、壁部15を固
定部材搭載部材5の底部16から上側に立設し、撓み防
止手段が上記軸線部33を囲うようにレーザダイオード
1の光軸に直交する断面でのベース2の断面形状を略U
字状に形成した構成を有している。それゆえ、軸線部3
3におけるレーザダイオードの光軸に直交する方向(図
3のX方向)の撓みも抑制できる。Further, in the present embodiment, the wall portion 15 is provided upright from the bottom portion 16 of the fixing member mounting member 5, and the deflection preventing means is orthogonal to the optical axis of the laser diode 1 so as to surround the axis portion 33. The cross-sectional shape of the base 2 at the cross section
It has a configuration formed in the shape of a letter. Therefore, the axis 3
3 can also be suppressed in the direction perpendicular to the optical axis of the laser diode (X direction in FIG. 3).
【0069】そのため、本実施形態例の半導体レーザモ
ジュールは、半導体レーザモジュールの使用環境温度変
化に応じたベース2の撓みを効果的に抑制でき、レーザ
ダイオード1と光ファイバ4との光結合効率低下を非常
に効率的に抑制することができる。Therefore, in the semiconductor laser module of this embodiment, the deflection of the base 2 in accordance with a change in the operating temperature of the semiconductor laser module can be effectively suppressed, and the optical coupling efficiency between the laser diode 1 and the optical fiber 4 decreases. Can be suppressed very efficiently.
【0070】さらに、本実施形態例では、壁部15を固
定部材搭載部材5と一体部材により形成している。その
ために、壁部15を固定部材搭載部材5と別部品により
構成し、これらを接着するときのように壁部15と固定
部材搭載部材5との接続による強度低下が生じることが
防止されている。そのため、簡単な構成の撓み防止手段
により、ベース2の撓みを効果的に抑制することができ
る。Further, in this embodiment, the wall 15 is formed integrally with the fixing member mounting member 5. For this reason, the wall portion 15 is formed of a separate component from the fixing member mounting member 5, and a decrease in strength due to the connection between the wall portion 15 and the fixing member mounting member 5, unlike when these are bonded, is prevented. . Therefore, the flexure of the base 2 can be effectively suppressed by the flexure prevention means having a simple configuration.
【0071】さらに、本実施形態例によれば、レーザダ
イオード1に近い側で光ファイバ4を支持固定する固定
部材6は、光ファイバ4を両側部から挟持する挟持部2
8を備えた一体部品により形成している。そのために、
光ファイバ4を片側ずつ支持する固定部品により固定部
材5を形成する場合に比べ、挟持部28の両側を光ファ
イバ4の下方において連結する連結部49があるので、
図3、図6のX方向のベース2の撓みを抑制することが
できる。したがって、本実施形態例によれば、レーザダ
イオード1と光ファイバ4との光結合効率低下をさらに
より一層効率的に抑制することができる。Further, according to the present embodiment, the fixing member 6 for supporting and fixing the optical fiber 4 on the side close to the laser diode 1 comprises the holding section 2 for holding the optical fiber 4 from both sides.
8 is formed by an integral part. for that reason,
Compared to the case where the fixing member 5 is formed by fixing parts supporting the optical fiber 4 one by one, there is a connecting portion 49 for connecting both sides of the holding portion 28 below the optical fiber 4,
The bending of the base 2 in the X direction in FIGS. 3 and 6 can be suppressed. Therefore, according to the present embodiment, a decrease in the optical coupling efficiency between the laser diode 1 and the optical fiber 4 can be suppressed even more efficiently.
【0072】さらに、本実施形態例によれば、ベース2
の固定部材搭載部材5をサーモモジュール25における
光ファイバ搭載側端部より光ファイバ長手方向に突出し
て設けている。そのために、サーモモジュール25に接
触していない部分(突出部分)はサーモモジュール25
の撓みの影響を受けることはない。なお、固定部材搭載
部材5の突出長L(図1参照)が長すぎると、該突出長
Lの突出部の重みでレーザダイオード搭載部材8に対す
る接着強度が不足するため、該突出部が外的衝撃等によ
り振動を受けた場合に接着が剥がれてしまう可能性があ
るので、L≦5mmとすることが好ましい。Further, according to the present embodiment, the base 2
The fixing member mounting member 5 is provided so as to protrude in the longitudinal direction of the optical fiber from the end of the thermo module 25 on the optical fiber mounting side. Therefore, the portion (projecting portion) not in contact with the thermo module 25 is
Is not affected. If the protruding length L of the fixing member mounting member 5 (see FIG. 1) is too long, the adhesive strength of the protruding portion L to the laser diode mounting member 8 is insufficient due to the weight of the protruding portion. Since there is a possibility that the adhesive may be peeled off when subjected to vibration due to impact or the like, it is preferable that L ≦ 5 mm.
【0073】そして、本実施形態例において、スリーブ
3はサーモモジュール25における光ファイバ搭載側端
部から突出した固定部材搭載部材5に固定されているた
めに、スリーブ3がサーモモジュール25の撓みの影響
を非常に受け難くなる。そのため、レーザダイオード1
と光ファイバ4との光結合効率低下をさらにより一層効
率的に抑制することができる。In this embodiment, since the sleeve 3 is fixed to the fixing member mounting member 5 protruding from the optical fiber mounting side end of the thermo module 25, the sleeve 3 is affected by the bending of the thermo module 25. Very difficult to receive. Therefore, the laser diode 1
The decrease in the optical coupling efficiency between the optical fiber 4 and the optical fiber 4 can be suppressed even more efficiently.
【0074】さらに、本実施形態例によれば、固定部材
搭載部材5をレーザダイオード搭載部材8における光フ
ァイバ搭載側端部よりも光ファイバ長手方向に突出して
設けている。そのために、この突出部分に搭載されてい
る固定部材6,7やスリーブ3、光ファイバ4がレーザ
ダイオード搭載部材8の撓みの影響を受けることを抑制
し得る。このことによって、レーザダイオード1と光フ
ァイバ4との光結合効率低下をさらにより一層効率的に
抑制することができる。Further, according to this embodiment, the fixing member mounting member 5 is provided so as to protrude in the longitudinal direction of the optical fiber from the end of the laser diode mounting member 8 on the optical fiber mounting side. Therefore, it is possible to prevent the fixing members 6 and 7, the sleeve 3, and the optical fiber 4 mounted on the projecting portion from being affected by the bending of the laser diode mounting member 8. As a result, a decrease in the optical coupling efficiency between the laser diode 1 and the optical fiber 4 can be suppressed even more efficiently.
【0075】さらに、本実施形態例によれば、レーザダ
イオード搭載部材8はレーザダイオード1に近い側に位
置する固定部材6の下部側に形成された補強部20を有
している。そのために、たとえ固定部材搭載部材5に前
記Y方向の振動が加えられたとしても、この振動の支点
を固定部材6よりもレーザダイオード1から遠い側にす
ることができ、レーザダイオード1と光ファイバ4との
光結合効率低下を抑制することができる。Further, according to the present embodiment, the laser diode mounting member 8 has the reinforcing portion 20 formed on the lower side of the fixing member 6 located closer to the laser diode 1. Therefore, even if the vibration in the Y direction is applied to the fixing member mounting member 5, the fulcrum of the vibration can be located farther from the laser diode 1 than the fixing member 6, and the laser diode 1 and the optical fiber 4 can be prevented from lowering in optical coupling efficiency.
【0076】また、本実施形態例によれば、補強部20
を設けることによりレーザダイオード搭載部材8と固定
部材搭載部材5の接触面積を広く取ることができるの
で、両者を機械的に強固に固定できる。なお、前記補強
部20の下面はサーモモジュール25に接触していない
ために、補強部20がサーモモジュール25の撓みの影
響を受けることはない。Further, according to the present embodiment, the reinforcing portion 20
Is provided, the contact area between the laser diode mounting member 8 and the fixing member mounting member 5 can be increased, so that both can be mechanically and firmly fixed. Since the lower surface of the reinforcing portion 20 is not in contact with the thermo module 25, the reinforcing portion 20 is not affected by the bending of the thermo module 25.
【0077】従来のように、使用環境温度変化によっ
て、例えば図16の(a)に示すようにベース2が撓む
と、同図の(b)に示すように、図の鎖線で示す位置に
調心されている光ファイバ4が、図の実線で示す位置に
ずれる。このずれにより、光ファイバ4のレーザ光受光
端32とレーザダイオード1の距離がAからBに変化す
る。そうすると、図9の特性線bに示すように、光ファ
イバ4のレーザ光受光端32とレーザダイオード1の出
射端面31との距離に依存するモニタートラッキングエ
ラーΔImが、半導体レーザモジュールの使用環境温度
変化に伴って大きく変化する。ここでモニタートラッキ
ングエラーΔImは以下の通り定義付けされている。As in the prior art, when the base 2 is bent as shown in FIG. 16A due to a change in the use environment temperature, for example, as shown in FIG. 16B, the base 2 is adjusted to the position shown by the chain line in the figure. The centered optical fiber 4 is shifted to the position shown by the solid line in the figure. Due to this shift, the distance between the laser light receiving end 32 of the optical fiber 4 and the laser diode 1 changes from A to B. Then, as shown by the characteristic line b in FIG. 9, the monitor tracking error ΔIm depending on the distance between the laser light receiving end 32 of the optical fiber 4 and the emission end face 31 of the laser diode 1 changes due to the temperature change in the operating environment of the semiconductor laser module. It changes greatly with. Here, the monitor tracking error ΔIm is defined as follows.
【0078】ΔIm=(Im(T)−Im(25°))
/Im(25°) なお、Im(T)はT(℃)におけるモニタ電流値、I
m(25°)は25℃におけるモニタ電流値である。ΔIm = (Im (T) −Im (25 °))
/ Im (25 °) where Im (T) is the monitor current value at T (° C.)
m (25 °) is a monitor current value at 25 ° C.
【0079】例えば、従来の半導体レーザモジュールに
おいて、半導体レーザモジュールの周囲温度が25℃か
ら85℃まで変化すると、上記特性線bに示すように、
モニタートラッキングエラーはsinカーブ1周期分変
化し、その変化量も大きい。For example, in the conventional semiconductor laser module, when the ambient temperature of the semiconductor laser module changes from 25 ° C. to 85 ° C., as shown by the characteristic line b,
The monitor tracking error changes by one cycle of the sin curve, and the amount of change is large.
【0080】それに対し、本実施形態例によれば、図9
の特性線aに示すように、モニタートラッキングエラー
は0からほとんど変化しておらず、周囲温度が75℃に
なっても、その値は特性線bに示した従来例の変化量の
8分の1程度である。つまり、本実施形態例において
は、使用環境温度が変化しても、レーザダイオード1の
出射端面31と光ファイバ4のレーザ光の受光端32と
の距離が大きく変化していないと考えられ、ベース2の
撓みが効果的に防止されたことが分かる。On the other hand, according to this embodiment, FIG.
As shown by the characteristic line a, the monitor tracking error hardly changed from 0, and even when the ambient temperature reached 75 ° C., the value was 分 の of the change amount of the conventional example shown by the characteristic line b. It is about 1. That is, in the present embodiment, it is considered that the distance between the emission end face 31 of the laser diode 1 and the light receiving end 32 of the laser light of the optical fiber 4 does not greatly change even if the use environment temperature changes. It can be seen that the bending of No. 2 was effectively prevented.
【0081】図10には、本発明に係る半導体レーザモ
ジュールの第2実施形態例の要部構成が、サーモモジュ
ール25およびパッケージ27を省略して斜視図により
示されている。また、図11には半導体レーザモジュー
ルの平面図がパッケージ27を省略して示されており、
図12には、第2の実施形態例におけるベース2の構成
が分解図により示されている。FIG. 10 is a perspective view showing a main part of a semiconductor laser module according to a second embodiment of the present invention, in which the thermo module 25 and the package 27 are omitted. FIG. 11 is a plan view of the semiconductor laser module with the package 27 omitted, and FIG.
FIG. 12 is an exploded view showing the configuration of the base 2 according to the second embodiment.
【0082】本第2実施形態例は上記第1実施形態例と
ほぼ同様に構成されており、本第2実施形態例が上記第
1実施形態例と異なる特徴的なことは、ベース2を構成
する固定部材搭載部材5とレーザダイオード搭載部材8
の形状を、図10〜図12に示す構成としたことであ
る。The second embodiment is substantially the same as the first embodiment. The difference between the second embodiment and the first embodiment is that the base 2 has a structure similar to that of the first embodiment. Fixing member 5 and laser diode mounting member 8
Is configured as shown in FIGS. 10 to 12.
【0083】すなわち、本第2実施形態例では、ベース
2の撓み防止手段を、固定部材搭載部材5とレーザダイ
オード搭載部材8の両方により形成している。本第2実
施形態例において、レーザダイオード1におけるレーザ
光の出射端面31と光ファイバ4におけるレーザ光の受
光端32を結ぶ軸線部33の側部両側に設けた壁部15
と、レーザダイオード1に近い側に位置する固定部材6
の側部両側に設けた壁部15は、レーザダイオード搭載
部材8と一体部材により構成している。That is, in the second embodiment, the means for preventing the base 2 from bending is formed by both the fixing member mounting member 5 and the laser diode mounting member 8. In the second embodiment, the wall portions 15 provided on both sides of the axis portion 33 connecting the laser light emitting end face 31 of the laser diode 1 and the laser light receiving end 32 of the optical fiber 4.
And a fixing member 6 located on the side closer to the laser diode 1.
The wall portions 15 provided on both sides of the side portion are formed integrally with the laser diode mounting member 8.
【0084】本第2実施形態例は以上のように構成され
ており、本第2実施形態例も上記第1実施形態例とほぼ
同様の効果を奏することができる。The second embodiment is configured as described above, and the second embodiment can also provide substantially the same effects as the first embodiment.
【0085】なお、レンズ部14をファイバレンズで構
成したタイプの本発明の半導体レーザモジュールは上記
各実施形態例に限定されることはなく、様々な実施の態
様を採り得る。例えば、撓み防止手段を光ファイバ4の
支持部の片側に設ける場合、互いに光ファイバ4の長手
方向に間隔を介した位置で光ファイバ4を支持する態様
の固定部材(上記各実施形態例では固定部材6,7)の
うち、少なくともレーザダイオード1に最も近い側に位
置する固定部材の側部に撓み防止手段を設けると、光フ
ァイバ4のレーザダイオード1に近い側の支持位置のず
れを抑制できる。そのために、ベース2の撓みによるレ
ーザダイオード1と光ファイバ4との光結合効率低下を
効率的に抑制できる。このことから、撓み防止手段を少
なくともレーザダイオード1に最も近い側に位置する固
定部材の側部に設けることが好ましい。The semiconductor laser module of the present invention of the type in which the lens portion 14 is constituted by a fiber lens is not limited to the above embodiments, but can take various embodiments. For example, when the deflection preventing means is provided on one side of the supporting portion of the optical fiber 4, a fixing member that supports the optical fibers 4 at positions spaced from each other in the longitudinal direction of the optical fibers 4 (the fixing member in each of the above embodiments) If the bending prevention means is provided at least on the side of the fixing member located closest to the laser diode 1 among the members 6, 7), it is possible to suppress the displacement of the support position of the optical fiber 4 on the side close to the laser diode 1. . Therefore, it is possible to efficiently suppress a decrease in optical coupling efficiency between the laser diode 1 and the optical fiber 4 due to the bending of the base 2. For this reason, it is preferable to provide the deflection preventing means at least on the side of the fixing member located closest to the laser diode 1.
【0086】また、上記各実施形態例では、レーザダイ
オード1から最も遠い側に位置する固定部材7は、スリ
ーブ3を挟む両側に1つずつ配置された固定部材7a,
7bを有する構成としたが、固定部材7は、図13の
(a)、(b)、(c)に示すように、光ファイバ4を
両側部から挟持する挟持部61を備えた一体部品により
形成してもよい。In each of the above embodiments, the fixing members 7 located farthest from the laser diode 1 are fixed to the fixing members 7a,
However, as shown in FIGS. 13 (a), 13 (b) and 13 (c), the fixing member 7 is an integrated component having a holding portion 61 for holding the optical fiber 4 from both sides. It may be formed.
【0087】スリーブ3を挟む2つの固定部材7a,7
bを設けた場合、スリーブ3をしっかりと挟着固定でき
る反面、例えば図14に示すように、光ファイバ4の光
軸に対する固定部材7a,7bの傾きが互いに異なって
しまったり、固定部材7aとスリーブ3との隙間と、固
定部材7bとスリーブ3との隙間とを略等距離にする作
業が難しくなる可能性がある。これに対し、上記のよう
に、固定部材7を一体部品により形成すると、光ファイ
バ4の光軸に対する固定部材7a,7bの傾きは互いに
等しくなり、また、上記隙間を等距離に調節しやすい。Two fixing members 7a, 7 sandwiching the sleeve 3
When b is provided, while the sleeve 3 can be firmly clamped and fixed, for example, as shown in FIG. 14, the inclination of the fixing members 7a and 7b with respect to the optical axis of the optical fiber 4 is different from each other, or the fixing member 7a and There is a possibility that it is difficult to make the gap between the sleeve 3 and the gap between the fixing member 7b and the sleeve 3 substantially equidistant. On the other hand, when the fixing member 7 is formed as an integral component as described above, the inclinations of the fixing members 7a and 7b with respect to the optical axis of the optical fiber 4 become equal to each other, and the gap can be easily adjusted to the same distance.
【0088】したがって、固定部材7を一体部品により
形成すると、スリーブ3と固定部材7をYAG溶接など
により溶接固定する際の、固定強度のばらつきを抑制す
ることができる。Therefore, when the fixing member 7 is formed as an integral part, it is possible to suppress a variation in fixing strength when the sleeve 3 and the fixing member 7 are fixed by welding by YAG welding or the like.
【0089】なお、固定部材7とスリーブ3との接触部
分は、溶接用のレーザ照射が行われるだけなので、固定
部材7とスリーブ3との接触部分は小さい方が好まし
く、固定部材7の形状は図13の(a)、(b)に示す
ように、挟持部61をアーム状に形成することが好まし
い。Since the contact portion between the fixing member 7 and the sleeve 3 is only subjected to laser irradiation for welding, it is preferable that the contact portion between the fixing member 7 and the sleeve 3 is small. As shown in FIGS. 13A and 13B, it is preferable that the holding portion 61 is formed in an arm shape.
【0090】さらに、上記各実施形態例では、ベース2
は固定部材搭載部材5とレーザダイオード搭載部材8と
の2つの部材を結合して構成したが、ベース2は固定部
材6,7を搭載する固定部材搭載部と、レーザダイオー
ド1の搭載部が1枚の板に形成された1つの部材により
形成してもよい。この場合でも、壁部材を設けたり、上
記固定部材搭載部と固定部材6,7とをレーザ溶接して
なる第1のレーザ溶接部10と、固定部材6とスリーブ
3とをレーザ溶接してなる第2のレーザ溶接部11と
を、パッケージ底板26に対し垂直な方向の高さが略同
じ高さになるようにすることにより、ベース2が撓んだ
ときに生じるスリーブ3の位置ずれを従来の半導体レー
ザモジュールに比べて小さくすることができる。そし
て、レーザダイオード1と光ファイバ4との光結合効率
低下を抑制することができる。Further, in each of the above embodiments, the base 2
The base 2 has a fixed member mounting portion for mounting the fixing members 6 and 7 and a mounting portion for the laser diode 1. It may be formed by one member formed on one plate. Also in this case, a wall member is provided, or the first laser welded portion 10 formed by laser welding the fixed member mounting portion and the fixed members 6 and 7 is welded to the fixed member 6 and the sleeve 3 by laser welding. By making the height of the second laser welded portion 11 in the direction perpendicular to the package bottom plate 26 substantially the same, displacement of the sleeve 3 caused when the base 2 is bent can be reduced. Can be made smaller than the semiconductor laser module. Then, it is possible to suppress a decrease in the optical coupling efficiency between the laser diode 1 and the optical fiber 4.
【0091】さらに、上記各実施形態例では、光ファイ
バ4は楔型のレンズ部14を有する構成としたが、光フ
ァイバ4は楔型以外のアナモルフィックレンズのレンズ
部14を有する構成としてもよいし、例えば、図24
(a)、(b)に示すように、全体が円錐状に形成さ
れ、先端が球面状に形成された先球レンズ等、アナモル
フィックレンズ以外のファイバレンズのレンズ部14を
有する構成としてもよい。Furthermore, in each of the above embodiments, the optical fiber 4 has the configuration having the wedge-shaped lens portion 14, but the optical fiber 4 may have the configuration having the lens portion 14 of an anamorphic lens other than the wedge-shaped lens. OK, for example, FIG.
As shown in (a) and (b), a structure having a lens portion 14 of a fiber lens other than an anamorphic lens, such as a spherical lens whose entire end is formed in a conical shape and whose tip is formed in a spherical shape, may be used. Good.
【0092】さらに、上記第1,第2の各実施形態例で
は、レーザダイオード搭載部材8はレーザダイオード1
に最も近い側に位置する固定部材6の下部側に補強部2
0を形成したものとしたが、補強部20は省略すること
もできる。ただし、補強部20を設けることにより、固
定部材搭載部材5の図のY方向の振動を抑制できるた
め、補強部20を設けることが好ましい。なお、補強部
20の形状は特に限定されるものでなく適宜設定される
ものであり、例えば図2の斜線Aに示すようなテーパ面
を有する構成としてもよい。Further, in each of the first and second embodiments, the laser diode mounting member 8 is
The reinforcing portion 2 is provided on the lower side of the fixing member 6 located on the side closest to
Although 0 is formed, the reinforcing portion 20 can be omitted. However, since the provision of the reinforcing portion 20 can suppress the vibration of the fixed member mounting member 5 in the Y direction in the drawing, it is preferable to provide the reinforcing portion 20. The shape of the reinforcing portion 20 is not particularly limited and may be appropriately set. For example, the reinforcing portion 20 may have a tapered surface as shown by oblique lines A in FIG.
【0093】さらに、上記第1,第2の各実施形態例で
は、レーザダイオード1に最も近い側に位置する固定部
材6は図6に示したような挟持部28を備えた一体部品
により形成したが、固定部材6の構成は特に限定される
ものでなく適宜設定されるものである。ただし、固定部
材6を上記各実施形態例のように構成すると、ベース2
のX方向の撓みを抑制することができる。Further, in each of the first and second embodiments, the fixing member 6 located on the side closest to the laser diode 1 is formed by an integral part having a holding portion 28 as shown in FIG. However, the configuration of the fixing member 6 is not particularly limited and is appropriately set. However, if the fixing member 6 is configured as in each of the above embodiments, the base 2
In the X direction can be suppressed.
【0094】次に、レンズ部14をディスクリート・レ
ンズとしたタイプの、本発明の半導体レーザモジュール
の各実施形態例を以下に説明する。Next, each embodiment of the semiconductor laser module of the present invention, in which the lens portion 14 is a discrete lens, will be described below.
【0095】本発明に係る半導体レーザモジュールの第
3実施形態例の要部構成は、図18の断面図により示さ
れており、本第3実施形態例の半導体レーザモジュール
におけるベース周辺構成が図17に斜視図により示され
ている。FIG. 18 is a cross-sectional view of a main part of a semiconductor laser module according to a third embodiment of the present invention. FIG. 17 is a cross-sectional view of the semiconductor laser module according to the third embodiment. Is shown in a perspective view.
【0096】図17、図18に示すように、第3実施形
態例の半導体レーザモジュールは、レーザダイオード1
と、該レーザダイオード1に光結合するレンズ部として
のディスクリート・レンズ(第1のレンズ)14を有し
ている。ディスクリート・レンズ14とレーザダイオー
ド1は、ベース2上に搭載されており、ベース2は、発
光素子搭載部としてのレーザダイオード搭載部材8と、
ディスクリート・レンズ14およびその固定部材として
のレンズホルダ24を搭載する固定手段搭載部材5とを
有している。As shown in FIGS. 17 and 18, the semiconductor laser module of the third embodiment
And a discrete lens (first lens) 14 as a lens unit optically coupled to the laser diode 1. The discrete lens 14 and the laser diode 1 are mounted on a base 2, and the base 2 includes a laser diode mounting member 8 as a light emitting element mounting portion,
It has a discrete lens 14 and a fixing means mounting member 5 for mounting a lens holder 24 as a fixing member thereof.
【0097】ベース2とレーザダイオード1とディスク
リート・レンズ14はパッケージ27内に収容されてい
る。ベース2はパッケージ27の底板26上に直接固定
されており、レーザダイオード搭載部材8がパッケージ
底板26と接触して配置されている。The base 2, the laser diode 1, and the discrete lens 14 are housed in a package 27. The base 2 is directly fixed on the bottom plate 26 of the package 27, and the laser diode mounting member 8 is arranged in contact with the package bottom plate 26.
【0098】レーザダイオード搭載部材8の上部側には
該レーザダイオード搭載部材8と一体部材で構成される
LDボンディング部21が設けられてレーザダイオード
搭載領域と成している。前記レーザダイオード1はLD
ボンディング部21上にヒートシンク22を介して固定
されている。また、LDボンディング部21上に設けら
れた固定部48上にサーミスタ29が固定されている。On the upper side of the laser diode mounting member 8, there is provided an LD bonding portion 21 formed integrally with the laser diode mounting member 8 to form a laser diode mounting area. The laser diode 1 is an LD
It is fixed on the bonding part 21 via a heat sink 22. The thermistor 29 is fixed on a fixing part 48 provided on the LD bonding part 21.
【0099】この第3実施形態例において、レーザダイ
オード搭載部材8は、レーザダイオード1から発生する
熱の放熱性の観点から、熱伝導率が150W/mK以上
の高熱伝導率を有するCu−W合金のCuW20(重量
比はCuが20%、Wが80%)により形成されてい
る。したがって、第3実施形態例においても、レーザダ
イオード1から発生する熱を効率良く放熱することがで
きる。In the third embodiment, the laser diode mounting member 8 is made of a Cu—W alloy having a high thermal conductivity of 150 W / mK or more from the viewpoint of heat radiation of the heat generated from the laser diode 1. (Weight ratio of Cu is 20% and W is 80%). Therefore, also in the third embodiment, the heat generated from the laser diode 1 can be efficiently radiated.
【0100】レーザダイオード搭載部材8のLDボンデ
ィング部21の後方側には、レーザダイオード1の出力
をモニタするため、モニタ用のフォトダイオード9が取
り付けられたモニタフォトダイオード固定部39が図1
7のハッチングで示す位置47に配置されている。ま
た、前記固定手段搭載部材5はレーザダイオード搭載部
材8のLDボンディング部21の前方側に配置されてい
る。固定手段搭載部材5は、図19にハッチングを付し
て示す銀ロウ接合部46によりレーザダイオード搭載部
材8上に固定されている。On the rear side of the LD bonding portion 21 of the laser diode mounting member 8, a monitor photodiode fixing portion 39 to which a monitoring photodiode 9 is attached for monitoring the output of the laser diode 1 is shown in FIG.
7 is located at a position 47 indicated by hatching. The fixing means mounting member 5 is arranged on the laser diode mounting member 8 in front of the LD bonding portion 21. The fixing means mounting member 5 is fixed on the laser diode mounting member 8 by a silver solder joint 46 shown by hatching in FIG.
【0101】固定手段搭載部材5は基部5aの両側に光
軸方向(レーザダイオード1の光軸方向)に延びる壁部
5bが立設形成されることにより、レーザダイオード1
の光軸に直交する断面での断面形状が略U字形状に形成
されている。また、固定手段搭載部材5には側壁部5b
の後端部から光軸方向後方側にアーム部5eが突出形成
されており、銀ロウ接合部46の接触面積を増やすと共
に、ベース2の反りを防止している。このアーム部5e
とレーザダイオード搭載部材8の接続構成も、レーザダ
イオード1の光軸に直交する断面での断面形状が略U字
状となる。The fixing means mounting member 5 has a wall 5b extending in the optical axis direction (the optical axis direction of the laser diode 1) on both sides of the base 5a.
The cross-sectional shape in a cross section orthogonal to the optical axis is substantially U-shaped. The fixing means mounting member 5 has a side wall 5b.
An arm portion 5e is formed so as to protrude rearward from the rear end in the optical axis direction, thereby increasing the contact area of the silver brazing portion 46 and preventing the base 2 from warping. This arm 5e
The connection configuration between the laser diode mounting member 8 and the laser diode mounting member 8 also has a substantially U-shaped cross section in a cross section orthogonal to the optical axis of the laser diode 1.
【0102】このように、ベース2は、少なくともレー
ザダイオード1とディスクリート・レンズ14との光結
合部分を囲うようにレーザダイオード1の光軸に直交す
る断面での断面形状が略U字状に形成されている。この
ような壁部5bを含む断面略U字のベース構成は、撓み
に対して非常に強く、少なくともレーザダイオード1と
ディスクリート・レンズ14との光結合部分のベース2
の撓みを防止する撓み防止手段を構成している。As described above, the base 2 is formed to have a substantially U-shaped cross section perpendicular to the optical axis of the laser diode 1 so as to surround at least the optical coupling portion between the laser diode 1 and the discrete lens 14. Have been. The base configuration having a substantially U-shaped cross section including such a wall portion 5b is very strong against bending, and at least the base 2 of the optical coupling portion between the laser diode 1 and the discrete lens 14 is provided.
This constitutes a flexure prevention means for preventing flexure.
【0103】図17に示すように、前記ディスクリート
・レンズ14はレンズホルダ24に固定され、該レンズ
ホルダ24は固定手段としての固定部材(レンズホルダ
スリーブ)6を介して前記ベース2の固定手段搭載部材
5に固定されている。レンズホルダ24および固定部材
6は、ディスクリート・レンズ14を形成するガラス材
料と線膨張係数が近く、かつ、レーザ溶接性が良好なF
e−Ni−Co合金のコバール(商標)により形成され
ている。As shown in FIG. 17, the discrete lens 14 is fixed to a lens holder 24, and the lens holder 24 is mounted on a fixing means of the base 2 via a fixing member (lens holder sleeve) 6 as fixing means. It is fixed to the member 5. The lens holder 24 and the fixing member 6 have an F coefficient close to that of the glass material forming the discrete lens 14 and a good laser weldability.
It is made of Kovar (trademark) of an e-Ni-Co alloy.
【0104】ベース2の固定手段搭載部材5と固定部材
6とをレーザ溶接してなる第1のレーザ溶接部10と、
固定部材6とレンズホルダ14とをレーザ溶接してなる
第2のレーザ溶接部11とは、パッケージ27の底板2
6に対し垂直な方向の高さが略同じ高さに形成されてい
る。A first laser welding portion 10 formed by laser welding the fixing means mounting member 5 and the fixing member 6 of the base 2;
The second laser welded portion 11 formed by laser welding the fixing member 6 and the lens holder 14 is connected to the bottom plate 2 of the package 27.
The height in the direction perpendicular to 6 is substantially the same.
【0105】また、固定手段搭載部材5上には、ディス
クリート・レンズ14を通過した光を通過させると共
に、レーザダイオード1側に戻る光を遮断する光アイソ
レータ30が配置されている。該光アイソレータ30と
固定手段搭載部材5とをレーザ溶接してなる第3のレー
ザ溶接部12は、パッケージ27の底板26に対して垂
直な方向の高さが前記第1および第2のレーザ溶接部1
0,11と略同じ高さに形成されている。An optical isolator 30 is disposed on the fixing means mounting member 5 for transmitting light passing through the discrete lens 14 and blocking light returning to the laser diode 1 side. The third laser welded portion 12 formed by laser welding the optical isolator 30 and the fixing means mounting member 5 has a height in a direction perpendicular to the bottom plate 26 of the package 27, the height of the first and second laser welds. Part 1
It is formed at substantially the same height as 0,11.
【0106】なお、本第3実施形態例においては、前記
U字形状は、レーザダイオード1とディスクリート・レ
ンズ14との光結合部分から光アイソレータ30が搭載
される側の端部にかけて形成されている。In the third embodiment, the U-shape is formed from the optical coupling portion between the laser diode 1 and the discrete lens 14 to the end on the side where the optical isolator 30 is mounted. .
【0107】また、固定手段搭載部材5には側壁部5b
から突出壁部5c,5dがレーザダイオード1の光軸方
向に直交する方向に突出形成されており、これら突出壁
部5c,5dの間に固定部材6を挿入する構成となって
いる。The fixing means mounting member 5 has a side wall 5b.
The protruding wall portions 5c and 5d are formed so as to protrude in a direction orthogonal to the optical axis direction of the laser diode 1, and the fixing member 6 is inserted between the protruding wall portions 5c and 5d.
【0108】図22は、図17中のB−B’線における
固定手段搭載部材5と固定部材6と光アイソレータ30
の位置関係を示している。図22に示すように、モジュ
ールがα方向(光軸方向両端が上に変位する方向)に反
る場合であっても、突出壁部5dが固定部材6と光アイ
ソレータ30との間に介在しているので、このα方向の
固定手段搭載部材5の反りを抑制することができる。FIG. 22 shows the fixing means mounting member 5, the fixing member 6, and the optical isolator 30 along the line BB 'in FIG.
Indicates the positional relationship. As shown in FIG. 22, even when the module is warped in the α direction (the direction in which both ends in the optical axis direction are displaced upward), the protruding wall 5 d is interposed between the fixing member 6 and the optical isolator 30. Therefore, the warpage of the fixing means mounting member 5 in the α direction can be suppressed.
【0109】また、逆に、モジュールがβ方向(光軸方
向両端が下に変位する方向)に反る場合であっても、固
定部材6が光軸方向両側において突出壁部5c,5dと
レーザ溶接により固定され、光アイソレータ30が壁部
5bと固定されていることで、β方向の反りを抑制する
ことができる。On the other hand, even when the module is warped in the β direction (direction in which both ends in the optical axis direction are displaced downward), the fixing member 6 is not in contact with the projecting wall portions 5c and 5d on both sides in the optical axis direction. Since the optical isolator 30 is fixed to the wall 5b by welding, warpage in the β direction can be suppressed.
【0110】とくに、固定部材6と突出壁部5c,5d
とは、光軸方向に対して垂直方向に形成された面同士で
レーザ溶接されているので、α方向、β方向の反りに対
し、引っ張り応力、または圧縮応力が加わるだけで、剪
断応力が加わらない。したがって、レーザ溶接点の破断
の発生をより効果的に防止することができる。この観点
から、図22中の符号10’で示した点において光アイ
ソレータ30と突出壁部5dとをレーザ溶接する構成と
することもできる。In particular, the fixing member 6 and the protruding walls 5c, 5d
Means that laser welding is performed between surfaces formed in the direction perpendicular to the optical axis direction, so that only tensile stress or compressive stress is applied to warpage in the α and β directions, but shear stress is applied. Absent. Therefore, the occurrence of breakage of the laser welding point can be more effectively prevented. From this viewpoint, it is also possible to adopt a configuration in which the optical isolator 30 and the protruding wall portion 5d are laser-welded at a point indicated by reference numeral 10 'in FIG.
【0111】また、固定手段搭載部材5の壁部5bの上
面45の高さはレーザダイオード1の光軸の高さと略一
致している。したがって、前記第1、第2、第3のレー
ザ溶接部10,11,12の高さはいずれもレーザダイ
オード1の光軸の高さと略一致している。そのため、デ
ィスクリート・レンズ14と光アイソレータ30の光軸
はこの高さを基準に位置決めされることになり、パッケ
ージやベース2の反りによる位置ずれを抑制することが
できる。The height of the upper surface 45 of the wall 5b of the fixing means mounting member 5 is substantially equal to the height of the optical axis of the laser diode 1. Therefore, the heights of the first, second, and third laser welds 10, 11, and 12 are substantially the same as the height of the optical axis of the laser diode 1. Therefore, the optical axes of the discrete lens 14 and the optical isolator 30 are positioned on the basis of this height, and it is possible to suppress the displacement due to the warpage of the package and the base 2.
【0112】固定手段搭載部材5は、固定手段搭載部材
5と固定部品とのレーザ溶接性の観点から、熱伝導率が
50W/mK以下であることが好ましい。また、固定手
段搭載部材5は、上記撓み防止の観点から、ヤング率を
15×103kg/mm2以上とすることが好ましい。
さらに、固定手段搭載部材5は、光アイソレータを搭載
することから、光アイソレータの磁性を損なわないよう
に磁性が小さい(好ましくは磁性のない)部材であるこ
とが好ましい。The fixing means mounting member 5 preferably has a thermal conductivity of 50 W / mK or less from the viewpoint of laser weldability between the fixing means mounting member 5 and the fixing part. In addition, the fixing means mounting member 5 preferably has a Young's modulus of 15 × 10 3 kg / mm 2 or more from the viewpoint of preventing the bending.
Further, since the fixing means mounting member 5 mounts an optical isolator, it is preferable that the fixing means mounting member 5 be a member having low magnetism (preferably no magnetism) so as not to impair the magnetism of the optical isolator.
【0113】第3実施形態例では、固定手段搭載部材5
をSUS430により形成している。SUS430は、
熱伝導率が26.4W/mKであり、ヤング率が20.
4×103kg/mm2であり、磁性も小さいので、固
定手段搭載部材5として非常に適している。In the third embodiment, the fixing means mounting member 5
Is formed by SUS430. SUS430 is
Thermal conductivity is 26.4 W / mK and Young's modulus is 20.
Since it is 4 × 10 3 kg / mm 2 and has low magnetism, it is very suitable as the fixing means mounting member 5.
【0114】図18に示すように、前記パッケージ27
の側壁には、貫通孔51が形成され、この貫通孔51に
はパッケージ封止用の光透過板52が固定されている。
また、貫通孔51には第2のレンズ53を固定したホル
ダ54が挿入固定され、このホルダ54の一端側(図の
右側)に、フェルールホルダ55が固定されている。フ
ェルールホルダ55にはフェルール56が固定されてお
り、フェルール56には光ファイバ(シングルモード光
ファイバ)57が挿通固定されている。As shown in FIG.
A through hole 51 is formed in a side wall of the light emitting device, and a light transmitting plate 52 for sealing a package is fixed to the through hole 51.
A holder 54 to which the second lens 53 is fixed is inserted and fixed in the through hole 51, and a ferrule holder 55 is fixed to one end side (right side in the figure) of the holder 54. A ferrule 56 is fixed to the ferrule holder 55, and an optical fiber (single mode optical fiber) 57 is inserted and fixed to the ferrule 56.
【0115】第3実施形態例は以上のように構成されて
おり、レーザダイオード1から発振されたレーザ光は、
ディスクリート・レンズ14に光結合し、ディスクリー
ト・レンズ14を通って光アイソレータ30に入射す
る。そして、光アイソレータ30の透過光は第2のレン
ズ53によって光ファイバ57の入射側に集光され、光
ファイバ57を通って所望の用途に供される。The third embodiment is configured as described above, and the laser light oscillated from the laser diode 1 is
The light is optically coupled to the discrete lens 14 and enters the optical isolator 30 through the discrete lens 14. The light transmitted through the optical isolator 30 is condensed on the incident side of the optical fiber 57 by the second lens 53, and is provided for a desired use through the optical fiber 57.
【0116】第3実施形態例によれば、レーザダイオー
ド1とディスクリート・レンズ14を搭載するベース2
を、レーザダイオード搭載部材8と固定手段搭載部材5
とにより形成している。そして、レーザダイオード1の
光軸に直交する断面での固定手段搭載部材5の断面形状
を略U字状に形成して、レーザダイオード搭載部材8上
に固定しているので、固定手段搭載部材5によってベー
ス2の撓み防止手段を構成し、この撓み防止手段によっ
てベース2の撓みを抑制できる。According to the third embodiment, the base 2 on which the laser diode 1 and the discrete lens 14 are mounted
The laser diode mounting member 8 and the fixing means mounting member 5
It is formed by these. The fixing means mounting member 5 is formed in a substantially U-shaped cross section at a cross section orthogonal to the optical axis of the laser diode 1 and is fixed on the laser diode mounting member 8. This constitutes a means for preventing deflection of the base 2, and the deflection of the base 2 can be suppressed by this means for preventing deflection.
【0117】また、第3実施形態例によれば、レンズホ
ルダ24を固定する固定部材6とベース2の固定手段搭
載部材5とをレーザ溶接してなる第1のレーザ溶接部1
0と、固定部材6とレンズホルダ24とをレーザ溶接し
てなる第2のレーザ溶接部11とは略同じ高さに(同一
面上に)形成されているので、ベース2の撓みに起因し
たディスクリート・レンズ14の光軸ずれが防止され
る。Further, according to the third embodiment, the first laser welding portion 1 formed by laser welding the fixing member 6 for fixing the lens holder 24 and the fixing means mounting member 5 of the base 2 is provided.
0, and the second laser welded portion 11 formed by laser welding the fixing member 6 and the lens holder 24 are formed at substantially the same height (on the same surface), and thus are caused by the bending of the base 2. Optical axis deviation of the discrete lens 14 is prevented.
【0118】そのため、第3実施形態例は、レーザダイ
オード1とディスクリート・レンズ14との光結合効率
の低下をより一層確実に抑制することができ、長期信頼
性がより一層高い半導体レーザモジュールとすることが
できる。Therefore, according to the third embodiment, a semiconductor laser module which can more surely suppress a decrease in the optical coupling efficiency between the laser diode 1 and the discrete lens 14 and has a higher long-term reliability. be able to.
【0119】さらに、第3実施形態例によれば、光アイ
ソレータ30をベース2の固定手段搭載部材5上に配置
し、この光アイソレータ30を固定手段搭載部材5にレ
ーザ溶接してなる第3のレーザ溶接部12の高さを上記
第1、第2のレーザ溶接部と略同一高さとしているの
で、ベース2の撓みに応じた光アイソレータ30のずれ
も抑制できる。Further, according to the third embodiment, the optical isolator 30 is disposed on the fixing means mounting member 5 of the base 2 and the optical isolator 30 is laser-welded to the fixing means mounting member 5. Since the height of the laser weld 12 is substantially the same as that of the first and second laser welds, the displacement of the optical isolator 30 due to the bending of the base 2 can be suppressed.
【0120】さらに、第3実施形態例によれば、固定手
段搭載部材5をSUS430により形成しており、SU
S430は熱伝導率が小さいのでレーザ溶接性が良好と
なる。また、SUS430はヤング率が高いので上記撓
み防止効果を効率的に発揮することができる。さらに、
SUS430は磁性が小さいので光アイソレータ30の
磁性を損なうこともなく、製造性と長期信頼性が共に良
好な優れた半導体レーザモジュールとすることができ
る。Further, according to the third embodiment, the fixing means mounting member 5 is formed of SUS430,
Since S430 has a small thermal conductivity, the laser weldability is improved. Further, SUS430 has a high Young's modulus, so that the above-described bending prevention effect can be efficiently exhibited. further,
Since SUS430 has low magnetism, it does not impair the magnetism of the optical isolator 30 and can provide an excellent semiconductor laser module having good manufacturability and long-term reliability.
【0121】上記した第3実施形態例の半導体レーザモ
ジュールには前記第1,第2の各実施形態例で使用され
ているサーモモジュール25は使用されておらず、ベー
ス2は直接パッケージ27の底板26に固定されてい
る。一般に、半導体レーザモジュールを海底線の光アン
プとして使用する場合には、サーモモジュールは使用さ
れない場合が多い。第3実施形態例の半導体レーザモジ
ュールはサーモモジュールを使用せずに、上記した長期
信頼性が得られるので、海底線光システムや、地下設置
型光システム用の光アンプに用いられる励起光源として
特に好適である。In the semiconductor laser module of the third embodiment, the thermo module 25 used in each of the first and second embodiments is not used, and the base 2 is directly connected to the bottom plate of the package 27. 26. Generally, when a semiconductor laser module is used as a submarine optical amplifier, a thermo module is not often used. The semiconductor laser module of the third embodiment can provide the above-described long-term reliability without using a thermo module. Therefore, the semiconductor laser module is particularly used as an excitation light source used in an optical amplifier for a submarine optical system or an underground optical system. It is suitable.
【0122】図20は半導体レーザモジュールの第4実
施形態例を示す。この実施形態例の半導体レーザモジュ
ールも前記第3実施形態例の場合と同様にレンズ部14
をディスクリート・レンズによって構成したものであ
る。この第4実施形態例の半導体レーザモジュールはベ
ース2をパッケージ27の底板26にサーモモジュール
25を介して固定したことが前記実施形態例3と異なっ
ており、それ以外の構成は第3実施形態例と同様であ
る。FIG. 20 shows a fourth embodiment of the semiconductor laser module. The semiconductor laser module of this embodiment also has a lens portion 14 similar to that of the third embodiment.
Is constituted by a discrete lens. The semiconductor laser module of the fourth embodiment is different from that of the third embodiment in that the base 2 is fixed to the bottom plate 26 of the package 27 via the thermo module 25, and other configurations are the same as those of the third embodiment. Is the same as
【0123】この第4実施形態例の半導体レーザモジュ
ールも上記第3実施形態例と同様な効果を奏するが、サ
ーモモジュール25を設けたことによって、レーザダイ
オード1の温度制御の安定性をさらに高めることが可能
である。Although the semiconductor laser module of the fourth embodiment also has the same effect as the third embodiment, the stability of the temperature control of the laser diode 1 can be further improved by providing the thermo module 25. Is possible.
【0124】上記第3,第4の実施形態例では、固定手
段搭載部材5は、レーザダイオード1とディスクリート
・レンズ14との光結合部分から光アイソレータ30側
の端部にかけて、レーザダイオード1の光軸に直交する
断面での断面形状が略U字状に形成されていたが、少な
くともレーザダイオード1とディスクリート・レンズ1
4との光結合部分において、固定手段搭載部材5の上記
断面形状を略U字状にすればよい。In the third and fourth embodiments, the fixing means mounting member 5 extends the light of the laser diode 1 from the optical coupling portion between the laser diode 1 and the discrete lens 14 to the end on the optical isolator 30 side. Although the cross section perpendicular to the axis has a substantially U-shaped cross section, at least the laser diode 1 and the discrete lens 1
In the optical coupling portion with the fixing member 4, the fixing means mounting member 5 may have a substantially U-shaped cross section.
【0125】さらに、上記第3,第4の実施形態例で
は、ベース2はレンズ搭載部材5とレーザダイオード搭
載部材8とを有する構成としたが、ベース2はディスク
リート・レンズ14を搭載するレンズ搭載部を有する1
つの部材により形成してもよい。Further, in the third and fourth embodiments, the base 2 has the lens mounting member 5 and the laser diode mounting member 8, but the base 2 has the lens mounting member on which the discrete lens 14 is mounted. 1 with part
It may be formed by three members.
【0126】この場合でも、上記レンズ搭載部と固定部
材6とをレーザ溶接してなる第1のレーザ溶接部10
と、固定部材6とレンズホルダ24とをレーザ溶接して
なる第2のレーザ溶接部11とを、パッケージ27の底
板26に対して垂直な方向の高さが略同じ高さになるよ
うにすることが望ましい。そうすることにより、ベース
2が撓んだときに生じるディスクリート・レンズ14の
位置ずれを従来の半導体レーザモジュールに比べて小さ
くすることができ、レーザダイオード1とディスクリー
ト・レンズ14との光結合効率低下を抑制することがで
きる。Also in this case, the first laser welding portion 10 formed by laser welding the lens mounting portion and the fixing member 6 is used.
And the second laser welded portion 11 formed by laser welding the fixing member 6 and the lens holder 24 such that the height in the direction perpendicular to the bottom plate 26 of the package 27 is substantially the same. It is desirable. By doing so, the displacement of the discrete lens 14 caused when the base 2 is bent can be reduced as compared with the conventional semiconductor laser module, and the optical coupling efficiency between the laser diode 1 and the discrete lens 14 decreases. Can be suppressed.
【0127】さらに、上記第3,第4の実施形態例は、
固定手段搭載部材5に光アイソレータ30を固定して形
成したが、光アイソレータ30は必ずしも固定手段搭載
部材5に固定するとは限らないし、光アイソレータ30
を省略することもできる。Further, in the third and fourth embodiments,
Although the optical isolator 30 is fixed to the fixing means mounting member 5, the optical isolator 30 is not necessarily fixed to the fixing means mounting member 5.
May be omitted.
【0128】さらに、上記第3,第4の実施形態例で
は、ディスクリート・レンズ14をコリメートレンズと
して用いたが、集光レンズとして用い、第2のレンズ5
3を用いずに光ファイバ57に光を結合することもでき
る。Further, in the third and fourth embodiments, the discrete lens 14 is used as a collimating lens.
Light can be coupled to the optical fiber 57 without using the optical fiber 3.
【0129】さらに、上記第3,第4の実施形態例で
は、ベース2の固定部材搭載部材5はレーザダイオード
搭載部材8における光ファイバ搭載側端部よりも光ファ
イバ4の長手方向に突出して設けられていたが、ベース
2の固定部材搭載部材5を上記のようにレーザダイオー
ド搭載部材8より突出して設けなくてもよい。ただし、
ベース2の固定部材搭載部材5を上記のようにレーザダ
イオード搭載部材8よりも突出して設けると、この突出
領域においては、レーザダイオード搭載部材8の撓みの
影響を受けないようにでき、レーザダイオード1と光フ
ァイバ4との光結合効率低下を抑制できるため好まし
い。Further, in the third and fourth embodiments, the fixing member mounting member 5 of the base 2 is provided so as to protrude in the longitudinal direction of the optical fiber 4 from the optical fiber mounting side end of the laser diode mounting member 8. However, the fixing member mounting member 5 of the base 2 does not have to be provided to protrude from the laser diode mounting member 8 as described above. However,
When the fixing member mounting member 5 of the base 2 is provided so as to protrude from the laser diode mounting member 8 as described above, in the protruding region, it is possible to prevent the laser diode mounting member 8 from being affected by bending, and This is preferable because a reduction in the optical coupling efficiency between the optical fiber 4 and the optical fiber 4 can be suppressed.
【0130】さらに、上記第1,第2の実施形態例で
は、ベース2はサーモモジュール25における光ファイ
バ搭載側端部よりも光ファイバ長手方向に突出して設け
られていたが、ベース2は必ずしも上記のようにサーモ
モジュール25より突出して設けなくてもよい。また、
上記第4実施形態例では、図20に示されるように、ベ
ース2の全体がサーモモジュール25の上に搭載される
構成としたが、第1,第2の実施形態例の場合と同様
に、ベース2をサーモモジュール25から突出すように
構成してもよい。Further, in the first and second embodiments, the base 2 is provided so as to protrude in the longitudinal direction of the optical fiber from the end of the thermo module 25 on the side where the optical fiber is mounted. It is not necessary to protrude from the thermo module 25 as shown in FIG. Also,
In the fourth embodiment, as shown in FIG. 20, the entire base 2 is configured to be mounted on the thermo module 25. However, similar to the first and second embodiments, The base 2 may be configured to protrude from the thermo module 25.
【0131】ただし、ベース2を上記のようにサーモモ
ジュール25より突出して設けると、ベース2のサーモ
モジュール25より突出した領域においてはベース2が
サーモモジュール25の撓みの影響を直接には受けない
ようにできる。そのために、例えば第1,第2の実施形
態例のように、上記突出領域にスリーブ3を設けて固定
部品により固定することにより、サーモモジュール25
の撓みによるスリーブ3の位置ずれを抑制し、レーザダ
イオード1と光ファイバ4との光結合率低下を抑制でき
る。However, if the base 2 is provided so as to protrude from the thermo module 25 as described above, the base 2 is not directly affected by the bending of the thermo module 25 in the region of the base 2 protruding from the thermo module 25. Can be. For this purpose, for example, as in the first and second embodiments, the sleeve 3 is provided in the above-mentioned projecting region and fixed by a fixing component, so that the thermo module 25 is formed.
The displacement of the sleeve 3 due to the deflection of the optical fiber 4 can be suppressed, and the decrease in the optical coupling rate between the laser diode 1 and the optical fiber 4 can be suppressed.
【0132】さらに、上記各実施形態例において、レー
ザダイオード搭載部材8とパッケージ27の底板26を
好ましくは同一材質として線膨張係数を同一にするが、
レーザダイオード搭載部材8とパッケージ27の底板2
6の線膨張係数が略同一であれば異なる材質のものとし
てもよい。また、レーザダイオード搭載部材8とパッケ
ージ27の底板26の線膨張係数は略同一であることが
望ましいが、互いに異なるものとしてもよい。Further, in each of the above embodiments, the laser diode mounting member 8 and the bottom plate 26 of the package 27 are preferably made of the same material to have the same linear expansion coefficient.
Laser diode mounting member 8 and bottom plate 2 of package 27
6 may be made of different materials as long as they have substantially the same linear expansion coefficient. It is preferable that the linear expansion coefficients of the laser diode mounting member 8 and the bottom plate 26 of the package 27 are substantially the same, but they may be different from each other.
【0133】さらに、撓み防止手段の構成は上記各実施
形態例に限定されるものでなく、適宜設定されるもので
ある。Further, the structure of the deflection preventing means is not limited to the above embodiments, but may be appropriately set.
【0134】さらに、上記第1〜第4の各実施形態例で
は、撓み防止手段は固定部材搭載部材5の底部16から
上側に立設された壁部15、5b,5eを光ビームの進
行方向に形成したが、撓み防止手段の構成は特に限定さ
れるものでなく適宜設定される。例えば棒状または角材
状の部材をベース2の固定部材搭載部材5に接着固定し
て形成してもよい。Further, in each of the first to fourth embodiments, the deflection preventing means causes the walls 15, 5b, 5e standing upright from the bottom 16 of the fixing member mounting member 5 to move in the traveling direction of the light beam. However, the configuration of the deflection preventing means is not particularly limited, and is appropriately set. For example, a rod-shaped or square-shaped member may be bonded and fixed to the fixed member mounting member 5 of the base 2.
【0135】[0135]
【発明の効果】本第1から第3の発明の半導体レーザモ
ジュールによれば、ベースに、少なくともレーザダイオ
ードとレンズ部との光結合部分のベースの撓みを防止す
る撓み防止手段を設けたものであるから、撓み防止手段
によって少なくとも前記光結合部分のベースの撓みを抑
制できる。このことにより、半導体レーザモジュールの
使用環境温度変化に伴うレーザダイオードとレンズ部
(ファイバレンズや、ディスクリート・レンズ)との光
結合効率の低下を抑制することができる。According to the semiconductor laser module of the first to third aspects of the present invention, the base is provided with a bending preventing means for preventing bending of the base of at least the optical coupling portion between the laser diode and the lens portion. Therefore, at least the bending of the base of the optical coupling portion can be suppressed by the bending preventing means. As a result, it is possible to suppress a decrease in the optical coupling efficiency between the laser diode and the lens unit (fiber lens or discrete lens) due to a change in the use environment temperature of the semiconductor laser module.
【0136】また、第4の発明によれば、ベースはレー
ザダイオードを搭載するレーザダイオード搭載部材と、
該レーザダイオード搭載部材のレーザダイオード搭載領
域を避けた位置に配置されてレンズ部の固定部材を搭載
する固定部材搭載部材とを有して構成されているので、
レーザダイオード搭載部材と固定部材搭載部材を互いに
異なる材質に形成することができ、例えば以下に示す第
5の発明の効果を導くことができる。Further, according to the fourth aspect, the base is a laser diode mounting member for mounting the laser diode,
Since the laser diode mounting member is arranged at a position avoiding the laser diode mounting area, the fixing member mounting member for mounting the fixing member of the lens unit is configured.
The laser diode mounting member and the fixing member mounting member can be formed of different materials, and for example, the following effects of the fifth invention can be obtained.
【0137】第5の発明によれば、例えばレーザダイオ
ード搭載部材をサーモモジュール上に接触配置し、この
レーザダイオード搭載部材の線膨張係数を、前記固定部
材搭載部材の線膨張係数と前記サーモモジュールのベー
ス側板材の線膨張係数との間の範囲内の線膨張係数を有
する材質により形成したものであるから、従来例のよう
にベース側板材と線膨張係数が大きく異なるベースをベ
ース側板材上に接触して設ける場合に比べ、使用環境温
度変化によって生じるベースの撓みを緩和することがで
き、使用環境温度変化に起因したレーザダイオードと光
ファイバとの光結合効率低下を抑制することができる。According to the fifth aspect, for example, a laser diode mounting member is disposed in contact with the thermo module, and the linear expansion coefficient of the laser diode mounting member is determined by the linear expansion coefficient of the fixing member mounting member and the linear expansion coefficient of the thermo module. Since the base side plate is formed of a material having a linear expansion coefficient within a range between the linear expansion coefficient and the base side plate, a base having a greatly different linear expansion coefficient from the base side plate as in the conventional example is placed on the base side plate. Compared to the case where the optical fiber is provided in contact, the deflection of the base caused by the change in the use environment temperature can be reduced, and the decrease in the optical coupling efficiency between the laser diode and the optical fiber due to the change in the use environment temperature can be suppressed.
【0138】また、第6の発明によれば、レーザダイオ
ード搭載部材の熱伝導率を固定部材搭載部材よりも高い
熱伝導率としたものであるから、レーザダイオード搭載
部材によってレーザダイオードからの熱を効率的に放出
することができる。したがって、第6の発明によれば、
レーザダイオードおよびサーモモジュールの消費電力を
小さくすることが可能となり、サーモモジュールの動作
時の撓みを抑制でき、使用環境温度変化に起因したレー
ザダイオードと光ファイバとの光結合効率低下を抑制す
ることができる。According to the sixth aspect of the present invention, since the thermal conductivity of the laser diode mounting member is set to be higher than that of the fixed member mounting member, the heat from the laser diode is removed by the laser diode mounting member. It can be released efficiently. Therefore, according to the sixth aspect,
It is possible to reduce the power consumption of the laser diode and the thermo module, suppress the bending of the thermo module during operation, and suppress the decrease in the optical coupling efficiency between the laser diode and the optical fiber due to the change in the use environment temperature. it can.
【0139】また、第7の発明によれば、ベースを、サ
ーモモジュール上に接触配置されるレーザダイオード搭
載部材とその上側の固定部材搭載部材とにより形成し、
レーザダイオード搭載部材とパッケージの底板の線膨張
係数を略同一としているので、半導体レーザモジュール
の使用環境温度変化が生じたときにサーモモジュールの
上下両側に同じ応力が加わり、サーモモジュールの撓み
が相殺され、使用環境温度変化に起因したレーザダイオ
ードと光ファイバとの光結合効率低下を抑制することが
できる。According to the seventh aspect of the present invention, the base is formed by the laser diode mounting member contactingly arranged on the thermo module and the fixing member mounting member above the laser diode mounting member.
Since the coefficient of linear expansion of the laser diode mounting member and the bottom plate of the package are substantially the same, the same stress is applied to both the upper and lower sides of the thermomodule when the operating temperature of the semiconductor laser module changes, thereby canceling the flexure of the thermomodule. In addition, it is possible to suppress a decrease in optical coupling efficiency between the laser diode and the optical fiber due to a change in the use environment temperature.
【0140】さらに、第8の発明の半導体レーザモジュ
ールによれば、ベースの固定部材搭載部と固定部材とを
レーザ溶接してなる第1のレーザ溶接部と、固定部材と
レンズ部側とをレーザ溶接してなる第2のレーザ溶接部
とは、パッケージ底板に対し垂直な方向の高さが略同じ
高さに形成したことを特徴とする。この構成により、た
とえ多少ベースの撓みが生じても、この撓みによってレ
ンズ部が大きく位置ずれすることはなく、したがって、
レーザダイオードとレンズ部との光結合効率の低下を抑
制することができる。Further, according to the semiconductor laser module of the eighth invention, the first laser welded portion formed by laser welding the fixed member mounting portion of the base and the fixed member, and the fixed member and the lens portion side are formed by the laser. The second laser welded portion is characterized in that the height in the direction perpendicular to the package bottom plate is substantially the same. With this configuration, even if the base is slightly bent, the bending does not cause a large displacement of the lens unit.
It is possible to suppress a decrease in optical coupling efficiency between the laser diode and the lens unit.
【0141】特に、第1のレーザ溶接部と第2のレーザ
溶接部のパッケージ底板に対する高さを、レーザダイオ
ードからレンズ部を透過するレーザビームの光軸の高さ
と同じ高さにすることにより、ベースの撓みに起因する
レーザダイオードとレンズ部との相対位置ずれの抑制効
果は極めて高くなる。このことによって、レーザダイオ
ードとレンズ部との光結合効率を高め、その高結合効率
の特性を長期にわたって安定に維持することが可能であ
る。In particular, by setting the height of the first laser welded portion and the second laser welded portion with respect to the package bottom plate to be the same as the height of the optical axis of the laser beam transmitted from the laser diode through the lens portion, The effect of suppressing the relative displacement between the laser diode and the lens portion due to the bending of the base is extremely high. As a result, it is possible to increase the optical coupling efficiency between the laser diode and the lens portion, and to stably maintain the characteristic of the high coupling efficiency for a long time.
【図1】本発明に係る半導体レーザモジュールの第1実
施形態例を断面図により示す要部構成図である。FIG. 1 is a main part configuration diagram showing a first embodiment of a semiconductor laser module according to the present invention by a sectional view.
【図2】上記実施形態例の半導体レーザモジュールの要
部構成を、サーモモジュールとパッケージを省略して示
す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view illustrating a configuration of a main part of the semiconductor laser module of the embodiment, omitting a thermo module and a package.
【図3】上記実施形態例の半導体レーザモジュールの要
部構成を、パッケージを省略して示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a configuration of a main part of the semiconductor laser module of the embodiment, omitting a package.
【図4】上記実施形態例におけるベースの構成を分解図
により示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing an exploded view of a configuration of a base in the embodiment.
【図5】図4のA−A断面図である。FIG. 5 is a sectional view taken along line AA of FIG. 4;
【図6】上記実施形態例に設けられている固定部材の斜
視構成を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory view showing a perspective configuration of a fixing member provided in the embodiment.
【図7】上記実施形態例に設けられている光ファイバ4
のレンズ部14の構成を示す説明図である。FIG. 7 shows an optical fiber 4 provided in the embodiment.
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a configuration of a lens unit 14 of FIG.
【図8】上記実施形態例におけるレーザダイオードの配
設領域とモニタフォトダイオードの配設領域を示す斜視
説明図である。FIG. 8 is a perspective explanatory view showing an arrangement region of a laser diode and an arrangement region of a monitor photodiode in the embodiment.
【図9】上記実施形態例における周囲温度変化に伴うト
ラッキングエラー発生状況を従来例と比較して示すグラ
フである。FIG. 9 is a graph showing a tracking error occurrence state due to a change in the ambient temperature in the embodiment described above, in comparison with a conventional example.
【図10】本発明に係る半導体レーザモジュールの第2
実施形態例の要部構成を、サーモモジュールとパッケー
ジを省略して示す斜視図である。FIG. 10 shows a second example of the semiconductor laser module according to the present invention.
It is a perspective view which shows the principal part structure of embodiment example, omitting a thermo module and a package.
【図11】上記第2実施形態例の半導体レーザモジュー
ルの要部構成を、パッケージを省略して示す平面図であ
る。FIG. 11 is a plan view illustrating a configuration of a main part of the semiconductor laser module according to the second embodiment, omitting a package.
【図12】上記第2実施形態例におけるベースの構成を
分解図により示す説明図である。FIG. 12 is an explanatory view showing an exploded view of a configuration of a base in the second embodiment.
【図13】本発明に係る半導体レーザモジュールの他の
実施形態例に適用される固定部材を示す説明図である。FIG. 13 is an explanatory view showing a fixing member applied to another embodiment of the semiconductor laser module according to the present invention.
【図14】レーザダイオードから遠い側に設けられる光
ファイバの固定部材を2つの部材とした場合の固定部材
のずれ状況を模式的に示す説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram schematically showing a state of displacement of the fixing member when the fixing member of the optical fiber provided on the far side from the laser diode is two members.
【図15】従来の半導体レーザモジュールの断面構成と
問題点を示す説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram showing a cross-sectional configuration and a problem of a conventional semiconductor laser module.
【図16】半導体レーザモジュールにおけるベースの撓
みとそれに伴う光ファイバ先端側の位置ずれを模式的に
示す説明図である。FIG. 16 is an explanatory view schematically showing deflection of a base in the semiconductor laser module and accompanying displacement of the tip end of the optical fiber.
【図17】本発明に係る半導体レーザモジュールの第3
実施形態例におけるベース周辺構成を示す斜視図であ
る。FIG. 17 shows a third example of the semiconductor laser module according to the present invention.
FIG. 2 is a perspective view illustrating a configuration around a base according to the embodiment.
【図18】上記第3実施形態例の半導体レーザモジュー
ル断面構成図である。FIG. 18 is a sectional view showing the configuration of a semiconductor laser module according to the third embodiment.
【図19】上記第3実施形態例におけるベースの構成を
分解図により示す説明図である。FIG. 19 is an explanatory diagram showing an exploded view of a configuration of a base in the third embodiment.
【図20】本発明に係る半導体レーザモジュールの第4
実施形態例を断面図により示す説明図である。FIG. 20 is a fourth view of the semiconductor laser module according to the present invention.
It is explanatory drawing which shows an embodiment example by sectional drawing.
【図21】図19のA−A’断面を示す説明図である。FIG. 21 is an explanatory diagram showing a cross section taken along line A-A ′ of FIG. 19;
【図22】図17のB−B’断面を示す説明図である。FIG. 22 is an explanatory diagram showing a cross section taken along line B-B ′ of FIG. 17;
【図23】レーザダイオードとレンズ部との光結合部分
と、撓み防止手段との関係を示す説明図である。FIG. 23 is an explanatory diagram showing a relationship between an optical coupling portion between a laser diode and a lens unit and a deflection preventing unit.
【図24】光ファイバのレンズ部の他の例を示す図であ
って、(a)は上面図、(b)は側面図である。24A and 24B are diagrams illustrating another example of the lens unit of the optical fiber, where FIG. 24A is a top view and FIG. 24B is a side view.
1 レーザダイオード 2 ベース 3 スリーブ 4 光ファイバ 5 固定部材搭載部材 6,7 固定部材 8 レーザダイオード搭載部材 10 第1のレーザ溶接部 11 第2のレーザ溶接部 14 レンズ部 15 壁部 17 ベース側板材 18 底板側板材 19 ペルチェ素子 20 補強部 21 LDボンディング板 25 サーモモジュール 33 軸線部(光結合部分) REFERENCE SIGNS LIST 1 laser diode 2 base 3 sleeve 4 optical fiber 5 fixing member mounting member 6, 7 fixing member 8 laser diode mounting member 10 first laser welded portion 11 second laser welded portion 14 lens portion 15 wall portion 17 base side plate 18 Bottom plate side plate 19 Peltier element 20 Reinforcing part 21 LD bonding plate 25 Thermo module 33 Axis part (optical coupling part)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片山 悦治 東京都千代田区丸の内2丁目6番1号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 関口 薫 東京都千代田区丸の内2丁目6番1号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 立野 清和 東京都千代田区丸の内2丁目6番1号 古 河電気工業株式会社内 Fターム(参考) 2H037 AA01 BA03 CA08 CA21 DA03 DA04 DA05 DA06 DA11 DA16 DA37 5F073 AB27 AB28 AB30 BA01 EA15 FA02 FA15 FA25 FA30 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing from the front page (72) Inventor Etsuji Katayama 2-6-1 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Furukawa Electric Co., Ltd. (72) Inventor Kaoru Sekiguchi 2-6-1 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Furukawa Electric Co., Ltd. (72) Inventor Seiwa Tateno 2-6-1 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Furukawa Electric Co., Ltd. F-term (reference) 2H037 AA01 BA03 CA08 CA21 DA03 DA04 DA05 DA06 DA11 DA16 DA37 5F073 AB27 AB28 AB30 BA01 EA15 FA02 FA15 FA25 FA30
Claims (9)
ドから出射される光をレンズ部を介して受光して伝送す
る光ファイバと、前記レンズ部を支持する固定部材と、
該固定部材と前記レーザダイオードを直接又は間接に搭
載するベースと、前記レーザダイオード、前記レンズ
部、前記固定部材、前記ベースを収容するパッケージと
を有し、該パッケージの底板に前記ベースが直接的に又
はサーモモジュールを介して搭載されている半導体レー
ザモジュールであって、前記ベースには少なくとも前記
レーザダイオードと前記レンズ部との光結合部分の両側
に撓み防止手段が形成されていることを特徴とする半導
体レーザモジュール。A laser diode, an optical fiber for receiving and transmitting light emitted from the laser diode via a lens unit, and a fixing member for supporting the lens unit;
A base that directly or indirectly mounts the fixing member and the laser diode; and a package that houses the laser diode, the lens unit, the fixing member, and the base, wherein the base is directly mounted on a bottom plate of the package. Or a semiconductor laser module mounted via a thermo module, wherein the base is provided with bending preventing means at least on both sides of an optical coupling portion between the laser diode and the lens portion. Semiconductor laser module.
オードとレンズ部との光結合部分を囲うように前記レー
ザダイオードの光軸に直交する断面でのベースの断面形
状を略U字状に形成した構成を含むことを特徴とする請
求項1に記載の半導体レーザモジュール。2. A structure in which the deflection preventing means has a substantially U-shaped cross-section of a base in a cross section orthogonal to an optical axis of the laser diode so as to surround at least an optical coupling portion between the laser diode and the lens portion. The semiconductor laser module according to claim 1, comprising:
ンズ部との間の光結合部分の両側に形成された壁部を含
むことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジ
ュール。3. The semiconductor laser module according to claim 1, wherein the deflection preventing means includes walls formed on both sides of an optical coupling portion between the laser diode and the lens.
ドから出射される光をレンズ部を介して受光して伝送す
る光ファイバと、前記レンズ部を支持する固定部材と、
該固定部材と前記レーザダイオードを直接又は間接に搭
載するベースと、前記レーザダイオード、前記レンズ
部、前記固定部材、前記ベースを収容するパッケージと
を有する半導体レーザモジュールであって、前記ベース
は前記レーザダイオードを搭載するレーザダイオード搭
載部材と、該レーザダイオード搭載部材のレーザダイオ
ード搭載領域を避けた位置に配置されて前記固定部材を
搭載する固定部材搭載部材とを有して構成されているこ
とを特徴とする半導体レーザモジュール。4. A laser diode, an optical fiber that receives and transmits light emitted from the laser diode via a lens unit, and a fixing member that supports the lens unit.
A semiconductor laser module having a base for directly or indirectly mounting the fixing member and the laser diode, and a package for housing the laser diode, the lens unit, the fixing member, and the base, wherein the base is the laser. A laser diode mounting member for mounting a diode, and a fixing member mounting member for mounting the fixing member disposed at a position avoiding the laser diode mounting region of the laser diode mounting member. Semiconductor laser module.
し、該サーモモジュールはパッケージの底板に搭載され
ており、前記サーモモジュールは、ベース側板材と、底
板側板材と、これら板材に狭着されるペルチェ素子とを
有し、ベースのレーザダイオード搭載部材は前記サーモ
モジュール上に接触させて配置されており、前記レーザ
ダイオード搭載部材は前記ベースの固定部材搭載部材の
線膨張係数と前記サーモモジュールのベース側板材の線
膨張係数との間の範囲内の線膨張係数を有する材質によ
り形成されていることを特徴とする請求項4記載の半導
体レーザモジュール。5. A thermo module having a base mounted thereon, wherein the thermo module is mounted on a bottom plate of the package, and the thermo module is tightly mounted on the base side plate, the bottom plate side plate, and these plates. A Peltier element, and a laser diode mounting member of the base is disposed in contact with the thermo module, and the laser diode mounting member is configured to have a linear expansion coefficient of a fixing member mounting member of the base and a base of the thermo module. The semiconductor laser module according to claim 4, wherein the semiconductor laser module is formed of a material having a linear expansion coefficient within a range between the linear expansion coefficient and the side plate material.
載部材よりも高い熱伝導率を有していることを特徴とす
る請求項4又は請求項5記載の半導体レーザモジュー
ル。6. The semiconductor laser module according to claim 4, wherein the laser diode mounting member has a higher thermal conductivity than the fixing member mounting member.
ドから出射される光をレンズ部を介して受光して伝送す
る光ファイバと、前記レンズ部を支持する固定部材と、
該固定部材と前記レーザダイオードを直接又は間接に搭
載するベースと、該ベースを搭載するサーモモジュール
と、前記レーザダイオード、前記レンズ部、前記固定部
材、前記ベース、前記サーモモジュールを収容するパッ
ケージとを有する半導体レーザモジュールであって、前
記ベースは前記サーモモジュール上に接触させて配置さ
れて前記レーザダイオードを搭載するレーザダイオード
搭載部材と、該レーザダイオード搭載部材のレーザダイ
オード搭載領域を避けた位置に配置されて前記固定部材
を搭載する固定部材搭載部材とを有して構成され、前記
パッケージの底板は前記ベースのレーザダイオード搭載
部材と略同一の線膨張係数を有する材質で形成されてい
ることを特徴とする半導体レーザモジュール。7. A laser diode, an optical fiber for receiving and transmitting light emitted from the laser diode via a lens unit, and a fixing member for supporting the lens unit;
A base that directly or indirectly mounts the fixing member and the laser diode, a thermo module that mounts the base, and a package that houses the laser diode, the lens unit, the fixing member, the base, and the thermo module. A laser diode mounting member, wherein the base is disposed in contact with the thermo module and mounts the laser diode, and the laser diode mounting member is disposed at a position avoiding a laser diode mounting region of the laser diode mounting member. And a fixing member mounting member for mounting the fixing member, wherein the bottom plate of the package is formed of a material having substantially the same linear expansion coefficient as the laser diode mounting member of the base. Semiconductor laser module.
ドから出射される光をレンズ部を介して受光して伝送す
る光ファイバと、前記レンズ部を支持する固定部材と、
該固定部材と前記レーザダイオードを直接又は間接に搭
載するベースと、前記レーザダイオード、前記レンズ
部、前記固定部材、前記ベースを収容するパッケージと
を有し、該パッケージの底板に前記ベースが直接的に又
はサーモモジュールを介して搭載されている半導体レー
ザモジュールであって、前記ベースには前記固定部材を
搭載する固定部材搭載部が形成され、該固定部材搭載部
と前記固定部材とをレーザ溶接してなる第1のレーザ溶
接部と、前記固定部材と前記レンズ部側とをレーザ溶接
してなる第2のレーザ溶接部とは、前記パッケージ底板
に対し垂直な方向の高さが略同じ高さであることを特徴
とする半導体レーザモジュール。8. A laser diode, an optical fiber that receives and transmits light emitted from the laser diode via a lens unit, and a fixing member that supports the lens unit.
A base that directly or indirectly mounts the fixing member and the laser diode, and a package that houses the laser diode, the lens portion, the fixing member, and the base, wherein the base is directly mounted on a bottom plate of the package. Or a semiconductor laser module mounted via a thermo module, wherein the base is provided with a fixing member mounting portion for mounting the fixing member, and the fixed member mounting portion and the fixing member are laser-welded. The first laser welded portion and the second laser welded portion formed by laser welding the fixing member and the lens portion side have heights substantially equal to each other in a direction perpendicular to the package bottom plate. A semiconductor laser module, characterized in that:
部のパッケージ底板に対する高さは、レーザダイオード
からレンズ部を透過するレーザビームの光軸の高さと同
じ高さであることを特徴とする請求項8に記載の半導体
レーザモジュール。9. The height of the first laser welded portion and the second laser welded portion with respect to the package bottom plate is the same as the height of the optical axis of the laser beam transmitted from the laser diode through the lens portion. The semiconductor laser module according to claim 8, wherein
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