JP2002299922A

JP2002299922A - 高周波モジュール

Info

Publication number: JP2002299922A
Application number: JP2001101799A
Authority: JP
Inventors: Masafumi Horiuchi; 雅史堀内
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-03-30
Filing date: 2001-03-30
Publication date: 2002-10-11

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】カプラに付加した低域通過フィルタ機能の減
衰効果を最大限に得るように調整可能なカプラの構造を
提供する。【解決手段】カプラＣＯＰ１は、高周波入力信号を伝
送する主伝送線路ＳＴＬＧ２１と主伝送線路ＳＴＬＧ２
２との直列回路からなる主伝送線路ＳＴＬＧ２０と、主
伝送線路ＳＴＬＧ２１に並列に接続されるコンデンサＣ
Ｇ２１と、主伝送線路ＳＴＬＧ２１と電磁気的に結合す
る結合線路ＳＴＬＧ２３と、結合線路ＳＴＬＧ２３の一
端に接続された終端抵抗体ＲＧ２１とを有するととも
に、結合線路ＳＴＬＧ２３の他端がモニタ端子ＭＯＮ１
に接続可能にされている高周波モジュール。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は高周波モジュールに
関し、特に移動体通信機中の高周波部分に用いられる高
周波モジュールに関する。

【０００２】

【従来技術】近年、１つの送受信系を採用している通常
の携帯電話機に対し、デュアルバンド方式を採用した携
帯電話機が提案されている。デュアルバンド方式の携帯
電話機は１台の携帯電話機内に２つの送受信系を搭載す
るもので、地域性や使用目的等に合った送受信系を選択
して送信することができるようにした利便性の高い機器
として期待されているものである。

【０００３】近年の欧州においては、通過帯域の異なる
複数の送受信系としてＧＳＭ方式／ＤＣＳ方式の双方を
搭載したデュアルバンド方式の携帯電話機が検討されて
いる。

【０００４】図６に、ＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド方
式の携帯電話機に適用される高周波回路部の回路ブロッ
ク図を示す。高周波モジュールは通過帯域の異なる２つ
の送受信系を各送受信系ＤＣＳ、ＧＳＭに分波し、かつ
送受信系ＤＣＳ、ＧＳＭにおいてそれぞれ送信系Ｔｘと
受信系Ｒｘとの切り替えを行う分波回路および高周波ス
イッチ回路およびローパスフィルタからなるスイッチモ
ジュールＡＳＭ１を備えるとともに、送受信系ＤＣＳの
送信系Ｔｘ、受信系Ｒｘと、送受信系ＧＳＭの送信系Ｔ
ｘ、受信系Ｒｘとを備える。送信系Ｔｘは各送受信系と
もに増幅器ＡＭＰ１００、２００からの入力信号をスイ
ッチモジュールＡＳＭ１に伝送するカプラＣＯＰ１０
０、２００を備える。送信時には、Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ
１００またはＡＭＰ２００で増幅された送信信号は、カ
プラＣＯＰ１００またはＣＯＰ２００、さらにローパス
フィルタ、スイッチ回路および分波回路からなる高周波
スイッチモジュールＡＳＭ１を経由してアンテナＡＮＴ
から高周波信号として送信される。一方、受信系Ｒｘは
少なくとも増幅器ＡＭＰ３００、４００を備える。受信
時には、アンテナＡＮＴで受信された高周波信号は高周
波スイッチモジュールＡＳＭ１を介して取り出され、バ
ンドパスフィルタ等で受信帯域近傍の不要信号が除去さ
れた後、Ｒｘ側増幅器ＡＭＰ３００またはＡＭＰ４００
にて増幅される。

【０００５】上記カプラＣＯＰ１００またはＣＯＰ２０
０は、増幅器ＡＭＰ１００又はＡＭＰ２００からの高周
波入力信号を高周波スイッチモジュールＡＳＭ１へ伝送
する主伝送線路、およびこの主伝送線路と電磁気的に結
合するとともに、一端が抵抗で終端された副ストリップ
線路（結合線路）を有しており、結合線路の他端から取
り出されたモニタ出力を別個に設けられた自動利得制御
回路に供給し、電力増幅器ＡＭＰ１００またはＡＭＰ２
００の利得を制御する。カプラＣＯＰ１００、ＣＯＰ２
００は、送信時においてＴｘ側の電力増幅器ＡＭＰ１０
０、ＡＭＰ２００の後段に位置する最近接の素子である
ことから、電力増幅器ＡＭＰ１００、ＡＭＰ２００で増
幅された高周波入力信号の高調波成分を最も効果的に減
衰させる低域通過フィルタ機能が付加されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
高周波モジュール内のカプラに対して高周波入力信号の
高調波成分を減衰させる低域通過フィルタ機能を付加し
たにもかかわらず、それに伴う減衰効果が最大限に得ら
れていないという問題があった。これは、カプラ単独
で、高周波成分の減衰に関して低域通過フィルタ機能が
最適に設計されていたとしても、カプラに高周波スイッ
チを接続したことによってこれらの２素子間で新たな共
振モードが生じて減衰特性が変化してしまうことによる
と考えられる。

【０００７】本発明は上記に鑑みてなされたもので、カ
プラに付加した低域通過フィルタ機能の減衰効果を最大
限に得るように調整可能なカプラの構造を有する高周波
モジュールを提供することを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系に分離す
るとともに各送受信系を送信系と受信系とに切り替える
高周波スイッチと、電力増幅部からの高周波入力信号を
高周波スイッチに伝送するとともに前記高周波入力信号
の一部をモニタ端子に取り出すためのカプラとを有する
高周波モジュールであって、前記カプラが、前記高周波
入力信号を伝送するべく第１の主伝送線路と第２の主伝
送線路との直列回路からなる主伝送線路と、第１の主伝
送線路に並列に接続されるコンデンサと、少なくとも第
１の主伝送線路と電磁気的に結合する結合線路と、この
結合線路の一端に接続された終端抵抗体とを有するとと
もに、前記結合線路の他端が前記モニタ端子に接続可能
にされていることを特徴とする。

【０００９】本発明に係るカプラは、コンデンサの静
電容量値、第１の主伝送線路のライン長、第２の主
伝送線路のライン長をそれぞれ独立に変化させて調整す
ることにより、カプラに付加した低域通過フィルタ機能
の減衰効果が最大限に得られるように最適化することが
できる。すなわち、前記、を変化することにより、
カプラに入力する高周波信号の反射係数の主に絶対値を
変化することが可能であり、前記を変化することによ
り、カプラを通過する高周波信号の反射係数の主に位相
を変化することが可能であるため、これら、、が
適宜調整されることで、高周波モジュール内で高周波ス
イッチと接続されたカプラであっても減衰特性が最適化
される。

【００１０】請求項２記載の発明は、前記第１の主伝送
線路と第２の主伝送線路とはストリップラインで形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の高周波モジュ
ールで、この構成によれば、回路パターンの形成が簡単
となる。ストリップラインの形状も直線、曲線、その双
方形状を含むいずれでも可能である。

【００１１】請求項３記載の発明は、前記第１の主伝送
線路と第２の主伝送線路とはバイアホールを介して形成
されていることを特徴とする請求項１又は２記載の高周
波モジュールであり、この構成によれば、前記、、
が個別に調整でき、特に、、が個々に調整可能と
なるので、所望する減衰レベル、その位相の各調整が容
易となる。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る高周波モジ
ュールの一実施形態を示すブロック図である。本高周波
モジュール１は、通過帯域の異なる複数の送受信系ＧＳ
Ｍ、ＤＣＳを各送受信系に分ける分波回路ＤＩＰ１、お
よび各送受信系において送信系と受信系とを切り替える
ダイオードスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２を有するマルチ
バンド用高周波スイッチＳＷと、増幅部ＡＭＰ１、ＡＭ
Ｐ２の出力をモニタするためのカプラＣＯＰ１、ＣＯＰ
２とで構成されている。カプラＣＯＰ１、ＣＯＰ２は増
幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２からの送信信号をダイオードス
イッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２のＴｘ端子に伝送するもの
で、それぞれの通過周波数に対応する高調波信号を取り
除くためのローパスフィルタの機能も兼ね備えている。
高周波スイッチＳＷは、ＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド
方式の携帯電話機において、それぞれのシステムに対応
する送信回路Ｔｘと分波回路ＤＩＰ１との接続、および
受信回路Ｒｘと分波回路ＤＩＰ１との接続を切り替える
ものである。

【００１３】分波回路ＤＩＰ１は、異なる２つのシステ
ムの周波数、例えばＧＳＭシステムの９００ＭＨｚ帯の
送受信信号とＤＣＳシステムの１８００ＭＨｚ帯の送受
信信号を分離する役割を持っている。この分波回路ＤＩ
Ｐ１は、図２に示すように、例えば１８００ＭＨｚ帯を
通過させるハイパスフィルタＨＰＦ１、コンデンサＣ２
およびインダクタＬ２と、９００ＭＨｚ帯を通過させる
ローパスフィルタＬＰＦ１、コンデンサＣ１およびイン
ダクタＬ１とにより形成されている。

【００１４】また、送信回路Ｔｘ側のカプラＣＯＰ１、
ＣＯＰ２は各々の増幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２により増幅
された送信信号の一部を取り出し、ＤＣＳモニタ端子、
ＧＳＭモニタ端子を介して自動利得制御回路ＡＰＣにフ
ィードバック信号を送る役割を果たし、これにより増幅
器ＡＭＰ１、ＡＭＰ２からの出力信号のレベル調整が図
られる。

【００１５】図２は、図１に示す高周波モジュールのブ
ロック図の具体的回路図である。カプラＣＯＰ１、ＣＯ
Ｐ２は電気的な設定値は相違するものの、回路構成上は
同一構造を有する。

【００１６】ＧＳＭシステム側について説明する。カプ
ラＣＯＰ１はそれぞれ所定長さ、幅が設定されたストリ
ップラインである主伝送線路ＳＴＬＧ２１と主伝送線路
ＳＴＬＧ２２とが電気的に直列接続されて主伝送線路Ｓ
ＴＬＧ２０を構成している。主伝送線路ＳＴＬＧ２１は
高周波スイッチＳＷ側の第１ポートＰ１に接続されてい
る。主伝送線路ＳＴＬＧ２１には所定の静電容量を有す
るコンデンサＣＧ２１が電気的に並列接続されている。
一方、主伝送線路ＳＴＬＧ２１には近接位置に平行配置
されたストリップラインである結合線路ＳＴＬＧ２３が
設けられている。結合線路ＳＴＬＧ２３の一端側は所定
抵抗値（５０Ω）の終端抵抗ＲＧ２１を経て接地されて
いる。また、結合線路ＳＴＬＧ２３の他端はモニタ端子
ＭＯＮ１に接続されており、この端子ＭＯＮ１を介して
上述した自動利得制御回路ＡＰＣに接続される。

【００１７】カプラＣＯＰ１は第１ポートＰ１、コンデ
ンサを介してダイオードＤＧ１のアノードに接続されて
いる。ダイオードＤＧ１のアノードはインダクタＬＧ２
およびコンデンサＣＧ４を介して接地されている。イン
ダクタＬＧ２とコンデンサＣＧ４との接続点は制御抵抗
ＲＧ１を介して制御端子ＶＧ１に接続されている。ま
た、ダイオードＤＧ１のカソードはコンデンサを介して
分波回路ＤＩＰ１の第２ポートＰ２に接続されている。

【００１８】スイッチ回路ＳＷ１は第１ポートＰ１と第
２ポートＰ２の間に形成されている。ダイオードＤＧ１
のカソードには伝送線路ＳＴＬＧ１の一端が接続され、
この伝送線路ＳＴＬＧ１の他端はコンデンサＣＧ３を介
してＲｘ信号出力端子である第３ポートＰ３（Ｒｘ１）
に接続されている。また、伝送線路ＳＴＬＧ１の他端は
ダイオードＤＧ２のアノードに接続され、ダイオードＤ
Ｇ２のカソードはコンデンサＣＧ２とインダクタＬＧ１
とから構成される並列共振回路を介して接地されてい
る。コンデンサＣＧ２とインダクタＬＧ１とで構成され
る並列共振回路は送信時における送信信号の受信系への
漏れを改善する目的で、また直流電流の経路を確保する
目的で形成されている。

【００１９】次に、ＤＣＳシステム側について説明す
る。カプラＣＯＰ２はそれぞれ所定長さ、幅が設定され
たストリップラインである主伝送線路ＳＴＬＤ２１と主
伝送線路ＳＴＬＤ２２とが電気的に直列接続されて主伝
送線路ＳＴＬＤ２０を構成している。主伝送線路ＳＴＬ
Ｄ２２は高周波スイッチＳＷ側の第４ポートＰ４に接続
されている。主伝送線路ＳＴＬＤ２１には所定の静電容
量を有するコンデンサＣＤ２１が並列接続されている。
一方、主伝送線路ＳＴＬＤ２１には近接位置に平行配置
されたストリップラインである結合線路ＳＴＬＤ２３が
設けられている。結合線路ＳＴＬＤ２３の一端側は所定
抵抗値（５０Ω）の終端抵抗ＲＤ２１を経て接地されて
いる。また、結合線路ＳＴＬＤ２３の他端はモニタ端子
ＭＯＮ２に接続されており、この端子ＭＯＮ２を介して
上述した自動利得制御回路ＡＰＣに接続される。

【００２０】カプラＣＯＰ２は第４ポートＰ４、コンデ
ンサを介してダイオードＤＤ１のアノードに接続されて
いる。ダイオードＤＤ１のアノードはインダクタＬＤ２
およびコンデンサＣＤ４を介して接地されている。イン
ダクタＬＤ２とコンデンサＣＤ４との接続点は制御抵抗
ＲＤ１を介して制御端子ＶＤ１に接続されている。ま
た、ダイオードＤＤ１のカソードはコンデンサを介して
分波回路ＤＩＰ１の第５ポートＰ５に接続されている。

【００２１】スイッチ回路ＳＷ２は第４ポートＰ４と第
５ポートＰ５の間に形成されている。ダイオードＤＤ１
のカソードには伝送線路ＳＴＬＤ２の一端が接続され、
この伝送線路ＳＴＬＤ２の他端はコンデンサＣＤ３を介
してＲｘ信号出力端子である第６ポートＰ６（Ｒｘ２）
に接続されている。また、伝送線路ＳＴＬＤ１の他端は
ダイオードＤＤ２のアノードに接続され、ダイオードＤ
Ｄ２のカソードはコンデンサＣＤ２とインダクタＬＤ１
とから構成される並列共振回路を介して接地されてい
る。コンデンサＣＤ２とインダクタＬＤ１とで構成され
る並列共振回路は送信時における送信信号の受信系への
漏れを改善する目的で、また直流電流の経路を確保する
目的で形成されている。

【００２２】以上の構成において、分波回路ＤＩＰ１、
ダイオードスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２およびカプラＣ
ＯＰ１、ＣＯＰ２の少なくとも一部が積層体内に内蔵さ
れている。例えば、分波回路ＤＩＰ１を構成するハイパ
スフィルタＨＰＦ１、ローパスフィルタＬＰＦ１、およ
びダイオードスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２を構成する伝
送線路ＳＴＬＤ１、ＳＴＬＤ２、およびカプラＣＯＰ
１、ＣＯＰ２が誘電体層を積層してなる基板の表面ある
いは内層の電極パターンとして形成されている。また、
分波回路ＤＩＰ１、ダイオードスイッチ回路ＳＷ１、Ｓ
Ｗ２、およびカプラＣＯＰ１、ＣＯＰ２の一部を構成す
るダイオード等のチップ素子は最上層の誘電体層上に実
装されている。

【００２３】図３は、本発明に係る高周波モジュールの
概略構成を示す一部切欠斜視図である。図３に示すよう
に、本高周波モジュール１はセラミック等からなる同一
寸法形状の８層の誘電体層１１、１２、…１８が積層さ
れて基板が形成されており、この基板の上面は金属から
なるシールドカバー１０で被覆され、さらに側面適所に
は必要に応じて形成された所要数の端面電極が上面から
底面に亘るように形成されている。なお、最上層の誘電
体層１１の上面の導電パターンは作図上、一部省略され
ている。また、端面電極は高周波モジュール１と、この
高周波モジュール１が実装されるプリント基板上の回路
との電気的接続を行うためのものである。

【００２４】誘電体層１１〜１８はそれぞれ低温焼成用
のセラミックで、セラミックグリーンシートの表面に導
電ペースト等を塗布して上述した各回路を構成する電極
パターンをそれぞれ形成した後、この電極パターンが形
成されたグリーンシートを積層して所要の圧力と温度の
下で熱圧着して焼成されたものである。また、各誘電体
層には複数の層に亘って回路を構成乃至は接続するため
に必要なバイアホールが適宜形成されている。最上層の
誘電体層１１には、種々のパターンの他、終端抵抗ＲＤ
２１、ＲＧ２１に相当するチップ抵抗、またはトリマブ
ル抵抗器（あるいは電極パターン）、その他のチップ部
品（図２に示したダイオード等を含むその他のチップ素
子）が複数実装されている。

【００２５】なお、上記の各実施形態においては、ライ
ンの縁でカップリングする場合を示したが、基板内にお
いて、主伝送線路ＳＴＬＤ２１、ＳＴＬＧ２１を上層の
誘電体層に、結合線路ＳＴＬＤ２３、ＳＴＬＧ２３を１
段又は所要段だけ下層の誘電体層に配置し、あるいは逆
に主伝送線路ＳＴＬＤ２１、ＳＴＬＧ２１を下層の誘電
体層に、結合線路ＳＴＬＤ２３、ＳＴＬＧ２３を１段又
は所要段だけ上層の誘電体層に配置してカップリングし
ても同様であることはいうまでもない。また、誘電体層
の層数も８層に限定されない。

【００２６】図４は、図２に示すカプラＣＯＰ１、ＣＯ
Ｐ２の拡大図を示す。両者は構造的に同一であるので、
以下、カプラＣＯＰ１を例に説明する。

【００２７】主伝送線路ＳＴＬＧ２１と主伝送線路ＳＴ
ＬＧ２２はそれぞれ所定長さ、幅が設定された直線状の
ストリップラインで、特定の位置関係にこだわることな
く形成可能であり、同一の誘電体層上である必要もない
し（バイアホールで接続すればよい）、直線状、曲線
状、その混合のいずれの形状も採用可能である。本実施
形態では直線状に配置された電極パターンとして同一の
誘電体層上に形成されている。主伝送線路ＳＴＬＧ２１
に並列接続されたコンデンサＣＧ２１は、２層分の誘電
体層を利用する等して形成された対向する電極パターン
で構成されている。一方、結合線路ＳＴＬＧ２３は主伝
送線路ＳＴＬＧ２１に近接して平行配置されたもので、
所定長、幅が予め設定されている。結合線路ＳＴＬＧ２
３は一端が終端抵抗ＲＧ２１に接続され、他端は積層体
の端面電極に接続されてモニタ端子ＭＯＮ１に接続可能
にされている。

【００２８】コンデンサＣＧ２１と主伝送線路ＳＴＬＧ
２１とがローパスフィルタとしての並列共振回路を構成
し、コンデンサＣＧ２１の静電容量値と主伝送線路ＳＴ
ＬＧ２１のインダクタンスとによって増幅部ＡＭＰ１、
ＡＭＰ２で発生する高調波の内の所望の成分を減衰させ
るようにしている。また、主伝送線路のＳＴＬＧ２２に
よりカプラＣＯＰ１を通過する高調波成分の位相を変更
するようにしている。

【００２９】また、図示していないが、主伝送線路ＳＴ
ＬＧ２０の途中の任意の部分とグランド電極との間には
寄生容量が生じ、この寄生容量と主伝送線路ＳＴＬＧ２
０のインダクタンスとで低域通過フィルタが構成されて
いる。この寄生容量の代わりに、グランド電極に対向す
るコンデンサを新たに形成してもよい。

【００３０】上記コンデンサＣＧ２１の容量値、主伝送
線路ＳＴＬＧ２１のライン長、主伝送線路ＳＴＬＧ２２
のライン長をそれぞれ独立して変化させて最適化するこ
とにより、カプラＣＯＰ１に付加した低域通過フィルタ
機能の減衰効果を最大限に得られるよう調整することが
できる。長さ以外に幅、形状を調整する態様としてもよ
い。コンデンサＣＧ２１に対しては電極パターンの対向
面積を調整すればよい。

【００３１】図５は、高周波モジュールのＧＳＭ送信モ
ードにおける通過特性を示す図で、（ａ）は従来の特性
図、（ｂ）は本発明によるときの特性図ある。図５は横
軸が周波数、縦軸が通過減衰量を示している。図５
（ａ）において、通過特性の減衰域には跳ね上がり６
１、６３が表れており、これは主にカプラＣＯＰ１と高
周波スイッチＳＷ１とがこれらの周波数において共役整
合条件に近づき、すなわち容量性側と誘導性側に別れ、
その周囲の周波数帯に比べて高周波信号が伝送し易くな
っていることによる。このような通過特性の跳ね上がり
６１、６３の周波数が減衰量を必要とする周波数（例え
ば、基本波の整数倍の周波数）に近い場合、基板ばらつ
きが通過特性の跳ね上がり６１、６３の周波数のばらつ
きを招き、減衰量を必要とする周波数で所望の減衰量を
得られない現象が起こることがある。この場合に、コン
デンサＣＧ２１、主伝送線路ＳＴＬＧ２１、ＳＴＬＧ２
２のライン長を調整（乃至は調整後の寸法で設計）する
ことにより、共役整合条件を変化させ（すなわち、カプ
ラＣＯＰ１と高周波スイッチＳＷ１とを、容量性側に統
一、あるいは誘導性側に統一させ）、前記通過特性の跳
ね上がり６１、６３の減衰量、および周波数を調整する
ことが可能となる。図５（ｂ）では跳ね上がり６１、６
２のレベルが抑えられて、より減衰量が確保できる。

【００３２】なお、本実施形態では、主伝送線路ＳＴＬ
Ｇ２１、ＳＴＬＧ２２をバイアホールを介して電気的に
直列接続したものであるが、これに代えて１本のストリ
ップラインとして主伝送線路を構成し、その途中にコン
デンサＣＧ２１の一端が接続されて主伝送線路ＳＴＬＧ
２１、ＳＴＬＧ２２とが構成される態様としてもよい。

【００３３】

【発明の効果】本発明によれば、カプラを構成するコン
デンサの容量値、各主伝送線路のそれぞれのライン長を
それぞれ独立に変化させて最適化することにより、カプ
ラに付加された低域通過フィルタ機能の減衰効果を最大
限に得られるよう調整することが可能となる。

【００３４】請求項２記載の発明によれば、回路パター
ンの形成が簡単となる。請求項３記載の発明によれば、
所望する減衰レベル、その位相の各調整が容易可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る高周波モジュールの一実施形態を
示すブロック図である。

【図２】図１に示す高周波モジュールのブロック図の具
体的回路図である。

【図３】本発明に係る高周波モジュールの概略構成を示
す一部切欠斜視図である。

【図４】図２に示すカプラＣＯＰ１、ＣＯＰ２の拡大図
を示す。

【図５】ＧＳＭ送信モードにおける通過減衰量の周波数
特性図で、（ａ）は従来の特性図、（ｂ）は本発明によ
るときの特性図ある。

【図６】現状のＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド方式の携
帯電話機に適用される高周波回路部の回路ブロック図を
示す

【符号の説明】

１高周波モジュールＡＭＰ１、ＡＭＰ２電力増幅部ＣＯＰ１、ＣＯＰ２カプラＳＷ高周波スイッチＳＴＬＧ２０、ＳＴＬＧ２１、ＳＴＬＧ２２、ＳＴＬＤ
２０、ＳＴＬＤ２１、ＳＴＬＤ２２主伝送線路ＳＴＬＧ２３、ＳＴＬＤ２３結合線路ＣＧ２１、ＣＤ２１コンデンサＲＧ２１、ＲＤ２１終端抵抗体６１、６３通過減衰量の周波数特性の跳ね上がり

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】通過帯域の異なる複数の送受信系を各送
受信系に分離するとともに各送受信系を送信系と受信系
とに切り替える高周波スイッチと、電力増幅部からの高
周波入力信号を高周波スイッチに伝送するとともに前記
高周波入力信号の一部をモニタ端子に取り出すためのカ
プラとを有する高周波モジュールであって、前記カプラ
が、前記高周波入力信号を伝送するべく第１の主伝送線
路と第２の主伝送線路との直列回路からなる主伝送線路
と、第１の主伝送線路に並列に接続されるコンデンサ
と、少なくとも第１の主伝送線路と電磁気的に結合する
結合線路と、この結合線路の一端に接続された終端抵抗
体とを有するとともに、前記結合線路の他端が前記モニ
タ端子に接続可能にされていることを特徴とする高周波
モジュール。
【請求項２】前記第１の主伝送線路と第２の主伝送線
路とはストリップラインで形成されていることを特徴と
する請求項１記載の高周波モジュール。
【請求項３】前記第１の主伝送線路と第２の主伝送線
路とはバイアホールを介して接続されていることを特徴
とする請求項１又は２記載の高周波モジュール。