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JP2002299595A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents

固体撮像装置およびその製造方法

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Publication number
JP2002299595A
JP2002299595A JP2001104572A JP2001104572A JP2002299595A JP 2002299595 A JP2002299595 A JP 2002299595A JP 2001104572 A JP2001104572 A JP 2001104572A JP 2001104572 A JP2001104572 A JP 2001104572A JP 2002299595 A JP2002299595 A JP 2002299595A
Authority
JP
Japan
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bare chip
solid
imaging device
state imaging
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001104572A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshio Adachi
喜雄 安達
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2001104572A priority Critical patent/JP2002299595A/ja
Priority to US10/113,697 priority patent/US6800943B2/en
Publication of JP2002299595A publication Critical patent/JP2002299595A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 固体撮像装置の実装サイズを究極的に小
型化すると共に、実装コストの大幅な削減を図ること。 【解決手段】 固体撮像素子ベアチップ３００を、駆動
回路や転送回路が集積されたＬＳＩベアチップ上に直
接、搭載して、チップ・オン・チップ構造を形成する。
各ベアチップ間の電気的導通は、固体撮像素子ベアチッ
プ裏面のバンプ電極３０１ａ，３０１ｂと、ＬＳＩベア
チップの主面の電極２０１ａ，２０１ｂを接続すること
により確保される。各ベアチップ間には、厚膜のポリイ
ミド樹脂等からなる樹脂層（応力吸収層）３２０を介在
させ、ＬＳＩベアチップ２００のアクティブ面を保護す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置およ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来は、図１０に示すように、固体撮像
素子のパッケージ２１００と、固体撮像素子の駆動回路
（信号転送系の回路も含む）のパッケージ２２００を、
プリント配線基板２０００を介して接続している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の実装方法では、
パッケージ品同士の実装であるため、実装サイズのさら
なる小型化が困難である。また、配線基板が必要である
ため、実装コストの削減が困難であるという問題があっ
た。
【０００４】本発明は、固体撮像装置のような光電変換
装置の実装サイズを究極的に小型化し、また実装コスト
の大幅な低減を図ることができる、固体撮像装置および
その製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、駆動回路のベ
アチップ上に固体撮像素子のベアチップを搭載して、ベ
アチップの階層構造を形成し、ダイレクトに（つまり、
プリント配線基板等の基板構造を介することなく）、各
ベアチップ間の電気的接続をとるものである。
【０００６】ベアチップを積層する構造であるため、実
質的な実装サイズ（占有面積）は、下側（支持側）のベ
アチップのサイズとなり、固体撮像素子の実装サイズの
究極的な小型化を図ることができる。
【０００７】また、プリント配線基板等の余分な部材が
いっさい介在しないため、固体撮像装置の実装のローコ
スト化を実現できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は、本発明
の固体撮像装置の一例を示す断面図である。
【０００９】図１において、固体撮像素子が集積された
固体撮像素子ベアチップ３００は、固体撮像素子の駆動
回路（信号転送回路やその他の周辺回路を含む）が集積
されたＬＳＩベアチップ２００に上に載置され、ポリイ
ミド樹脂やエポキシ樹脂等の樹脂からなる応力吸収層
（接着層としての役割も果たす）３２０を介して固定さ
れている。
【００１０】固体撮像素子ベアチップ３００の裏面に
は、バンプ電極３０１ａ，３０１ｂが設けられている。
また、固体撮像素子ベアチップの底面の一部，側壁およ
び上面の一部には、配線層３０２ａ，３０２ｂが延在し
ており、この配線層３０２ａ，３０２ｂにより、各バン
プ電極３０１ａ，３０１ｂは、アクティブ面に集積され
ている固体撮像素子と電気的に接続される。なお、図
中、参照符号３１０はフィルタ部材である。
【００１１】図２（ａ），（ｂ）に固体撮像素子ベアチ
ップの実装前の構造が示される。（ａ）は固体撮像素子
ベアチップの要部の斜視図であり、（ｂ）は要部の断面
図である。
【００１２】図１において、駆動回路が集積されている
ＬＳＩベアチップ２００は、支持部材（マウント部材）
１００上に接着材１０１により固着されている。
【００１３】ＬＳＩベアチップ２００のアクティブ面
（回路が集積される側の面）の中央部は、ＭＯＳトラン
ジスタ（ＴＲ）等が集積されるアクティブ領域（図中、
ＡＺの符号が付されている）となっている。
【００１４】また、ＬＳＩベアチップの表面には、多層
配線技術（層間絶縁膜にスルーホールを設けて、階層の
異なる配線同士を接続して多層配線構造を形成する技
術）を用いて、電極２０２ａ，２０２ｂ（第１の電極）
と、電極２０１ａ，２０１ｂ（第２の電極）とが設けら
れている。参照符号２０３は、ファイナルパッシベーシ
ョン膜（最終保護膜）である。
【００１５】電極２０２ａ，２０２ｂ（第１の電極）
は、固体撮像素子ベアチップの裏面のバンプ電極３０１
ａ，３０１ｂとの接続をとるための電極である。電極２
０１ａ，２０１ｂ（第２の電極）は、キャリアテープ
（ＴＡＢテープ）５００ａ，５００ｂの裏面に形成され
たバンプ電極３０３ａ，３０３ｂとの接続をとるための
電極である。キャリアテープ５００ａ，５００ｂの裏面
には、バンプ電極３０３ａ，３０３ｂに連接する配線層
（外部導出用の導電部材）５０１ａ，５０１ｂが設けら
れている。
【００１６】バンプ電極を用いて電気的な接続を確保す
るときは、例えば、１５０℃〜２００℃の加熱および３
０〜５０グラムの圧力を加えつつ、０．３μｍの超音波
振動を与える。この際の負荷は、厚膜のポリイミド樹脂
等からなる応力吸収層３２０により、吸収、緩和される
ため、ＬＳＩベアチップのアクティブ面は、保護され
る。
【００１７】キャリアテープ５００ａ，５００ｂは、途
中で折り曲げられ、折り曲げられた部分が筐体（６００
ａ，６００ｂ）の内部に挿入され、挿入されたキャリア
テープ５００ａ，５００ｂの外側の表面は、筐体６００
ａ，６００ｂの内壁に密着している。
【００１８】図１の左下側に示されるように、キャリア
テープ（ＴＡＢテープ）５００ａ，５００ｂの裏面に設
けられている配線層（外部導出用の導電部材）５０１
ａ，５０１ｂは、支持部材（マウント部材）の側面に設
けられた導電層５０２ａ，５０２ｂを介して、例えば、
カメラ制御系７００に電気的に接続される。
【００１９】また、キャリアテープの５００ａ，５００
ｂの、表面側には、接着材５０３ａ，５０３ｂを介して
ガラス等の光透過部材が固着されている。
【００２０】図示されるように、光透過部材５００ａ，
５００ｂ，キャリアテープ筐体６００ａ，６００ｂによ
り、封止体が構成されている。
【００２１】図３は、積層された２つのベアチップの配
置（上側から見た場合の位置関係）と、アクティブ領域
（ＡＺ）との関係を示す図である。
【００２２】図示されるように、駆動回路を含むベアチ
ップ（ＬＳＩベアチップ）がもっとも占有面積が大き
く、その中央部がとトランジスタ等が形成されるアクテ
ィブ領域ＡＺとなっている。
【００２３】そして、アクティブ領域ＡＺを覆うよう
に、固体撮像素子ベアチップ３００が載置されている。
また、固体撮像素子ベアチップのバンプ電極（３０１
ａ，３０１ｂ）と、キャリアテープ裏面のバンプ電極
（３０３ａ，３０３ｂ）は、例えば、ベアチップの四隅
に位置するように設けられる。
【００２４】駆動回路を含むＬＳＩベアチップのアクテ
ィブ領域上に固体撮像素子ベアチップが存在する構造を
とることにより、固体撮像素子ベアチップの直下の空間
が、無駄にならずに有効に利用される。よって、実装構
造の究極的な小型化を図ることができる。
【００２５】なお、本実施の形態では、駆動回路ベアチ
ップのアクティブ領域ＡＺを完全に覆うように、固体撮
像素子ベアチップ３００が載置されているが、これに限
定されるものではなく、少なくともアクティブ領域の一
部と重複するように固体撮像素子ベアチップを配置する
ことにより、固体撮像素子ベアチップの直下のスペース
の有効利用を図ることができる。
【００２６】図４に、図１の実装構造を形成するための
基本的な工程（手順）を示す。
【００２７】すなわち、まず、裏面に電極が形成された
固体撮像素子のベアチップを用意し、また、固体撮像素
子のベアチップより占有面積が大きく、かつアクティブ
領域の周辺にベアチップとの電気的接続をとるための第
１の電極と、外部との電気的な接続をとるための第２の
電極とが形成された、固体撮像素子の駆動回路を含むＬ
ＳＩベアチップを用意する（工程１０００）。
【００２８】次に、ＬＳＩベアチップのアクティブ領域
の少なくとも一部とオーバーラップするように、かつ、
固体撮像素子の裏面電極とＬＳＩベアチップの第１の電
極とが接触するように（接触する形態で）、固体撮像素
子ベアチップをＬＳＩベアチップに直接に載置し、固定
する。この場合、樹脂等からなる応力吸収層を介在させ
るのが望ましい。このとき、固体撮像素子の受光面とＬ
ＳＩベアチップの能動面（アクティブ面）は、同じ方向
に向いている（工程１００１）。
【００２９】次に、光透過部財が片側に配置され、反対
側に導電部材が設けられているキャリアテープ（ＴＡＢ
テープ）を用意し、導電部材をＬＳＩベアチップの第２
の電極と接続する（工程１００２）。
【００３０】そして、キャリアテープ（ＴＡＢテープ）
を途中で直角に折り曲げ、その折り曲げた部分を筐体内
に挿入し、折り曲げた部分の表面を、筐体の内壁に密着
させる（工程１００３）。
【００３１】このようにして、超小型のカメラ構造が完
成する。本実施の形態によれば、バンプ電極を利用した
ベアチップの階層化と、ＴＡＢ（テープ・オートメーテ
ッド・ボンディング）を組合せることにより、固体撮像
装置の超小型実装構造が実現される。
【００３２】（実施の形態２）図５は、本発明の固体撮
像装置の断面図である。図１と共通する部分には、同じ
符号を付してある。
【００３３】図５の固体撮像装置においても、図１の場
合と同様に、固体撮像素子ベアチップ３００を、駆動回
路が集積されたＬＳＩベアチップ２００上に直接、載置
し、樹脂層（応力吸収層および接着層として機能する）
３２０により固定している。各ベアチップ間の電気的導
通は、固体撮像素子ベアチップ３００の裏面に設けられ
たバンプ電極３０１ａ，３０１ｂと、ＬＳＩベアチップ
２００の主面に設けられた電極２０２ａ，２０２ｂとを
接続することにより確保される。
【００３４】ただし、図５の固体撮像装置では、ＬＳＩ
ベアチップ３００の主面の周辺に形成されている電極２
０１ａ，２０１ｂをそれぞれ、ボンディングワイヤ８０
１ａ，８０１ｂを介して、固体撮像モジュールの外部接
続端子９０１ａ，９０１ｂと接続する。外部接続端子９
０１ａ，９０１ｂは、モジュールの外に引き出された端
子４２１ａ，４２１ｂに接続される。
【００３５】固体撮像モジュールの上面には、ガラス等
の光透過部材４０１が設けられ、これにより、ベアチッ
プ２００，３００は、固体撮像モジュールの壁面および
光透過部材により気密封止される。
【００３６】本実施の形態の実装構造では、信頼性の高
いワイヤボンディング技術や、既存のモジュールパッケ
ージの技術をそのまま利用できるというメリットがあ
る。
【００３７】図５の実装構造を形成するためのプロセス
をまとめると、図６に示すようになる。
【００３８】まず、裏面に電極が形成された固体撮像素
子のベアチップを用意する。また、固体撮像素子のベア
チップより占有面積が大きく、かつアクティブ領域の周
辺に、ベアチップとの電気的接続をとるための第１の電
極と、外部との接続をとるための第２の電極とが形成さ
れた、固体撮像素子の駆動回路を含むＬＳＩベアチップ
を用意する（工程１１００）。
【００３９】次に、ＬＳＩベアチップのアクティブ領域
の少なくとも一部とオーバーラップするように、かつ、
固体撮像素子の裏面電極とＬＳＩベアチップの電極とが
接触するように、固体撮像素子ベアチップをＬＳＩベア
チップに直接に載置し、固定する（工程１１０１）。応
力吸収層として、ポリイミド樹脂層やエポキシ樹脂層を
介在させるのが望ましい。固体撮像素子の受光面とＬＳ
Ｉベアチップの能動面は、同じ方向に向いている。
【００４０】次に、積層化されたベアチップをモジュー
ルの底部に固定する（工程１１０２）。次に、ワイヤー
ボンディングを行い、ＬＳＩベアチップの第２の電極と
モジュールの外部接続用電極とを接続する（工程１１０
３）。そして、モジュールの上面を、透明部材で封止す
る（工程１１０４）。
【００４１】（実施の形態３）図７は、ＬＳＩベアチッ
プ２００上に固体撮像素子ベアチップ３００を直接に搭
載したチップオンチップ構造に対して、透明樹脂による
コーティングを施し、チップ・サイズ・パッケージを形
成した実装形態を示す。図７において、図１や図５と共
通する部分には同じ符号を付してある。
【００４２】図７の実装構造における、２つのベアチッ
プ間の電極接続や外部との接続は、図５の実装構造と同
じである。つまり、ベアチップ間の接続にはバンプ電極
を使用し、外部との接続にはワイヤボンディングを用い
ている。ベアチップ間には、厚膜の樹脂層３２０を介在
させて、バンプ電極の接続やワイヤボンディングに伴う
熱や応力から、ＬＳＩベアチップのアクティブ面を保護
する。
【００４３】なお、ＬＳＩベアチップ２００は、マウン
ト部材１００上に固定されている透明樹脂からなるコー
ティング９４０を設けてパッケージ化することで、ベア
チップの取り扱いが容易となり、また、耐湿性などが向
上する。
【００４４】（実施の形態４）図８（ａ）は、ＬＳＩベ
アチップ２００と、固体撮像素子ベアチップ３００と
を、ボンディングワイヤ８０２ａ，８０２ｂにて接続し
た実装構造を示す。前掲の実施の形態と同様に、各ベア
チップ間には、樹脂層３２０が介在している。
【００４５】ワイヤボンディングを用いて電気的な接続
を確保するときは、例えば、１５０℃〜２００℃の加熱
および３０〜５０グラムの圧力を加えつつ、０．３μｍ
の超音波振動を与える。この際の負荷は、厚膜のポリイ
ミド樹脂等からなる応力吸収層３２０により、吸収，緩
和される。よって、ＬＳＩベアチップのアクティブ面は
保護される。
【００４６】本実施の形態では、固体撮像素子ベアチッ
プ３００の裏面にバンプ電極を設ける必要がなく、か
つ、実績のある信頼性の高いワイヤボンディング技術を
使用できるため、組み立てが容易である。
【００４７】図８（ｂ）の実装構造では、固体撮像素子
ベアチップ３００を、ＬＳＩベアチップ２００の裏面上
に貼り合わせ、各ベアチップの主面（アクティブ面）に
形成された電極（９２０ａ，９２０ｂおよび９２１ａ，
９２１ｂ）間を、ワイヤ８０３ａ，８０３ｂにより接続
している。
【００４８】このような構造では、固体撮像素子ベアチ
ップの受光面と、ＬＳＩベアチップの能動面（主面）
は、反対の方向に向くことになる。
【００４９】各ベアチップの裏面同士が固着される構造
をとるため、組み立てに伴う負荷が、ＬＳＩベアチップ
のアクティブ面に加わりにくいというメリットがある。
ただし、ワイヤのショートを防止するために、ＬＳＩベ
アチップを支持するマウント部材１００の形状やサイズ
を工夫する必要がある。
【００５０】図８（ａ），（ｂ）に示すような実装構造
を形成するための工程をまとめると、図９に示すように
なる。
【００５１】すなわち、受光面の周辺にボンディングパ
ッド接続用の電極が設けられた、固体撮像素子のベアチ
ップを用意する。また、固体撮像素子のベアチップより
占有面積が大きく、かつ、表面または裏面に、固体撮像
素子のベアチップとの電気的接続をとるための電極が形
成された、固体撮像素子の駆動回路を含むＬＳＩベアチ
ップを用意する（工程１２００）。
【００５２】平面的にみて、ＬＳＩベアチップのアクテ
ィブ領域の少なくとも一部とオーバーラップするよう
に、固体撮像素子のベアチップを、ＬＳＩベアチップの
主面（あるいは裏面）上に直接に載置し、固定する（工
程１２０１）。ＬＳＩベアチップの主面上に搭載する場
合には、応力吸収層として、ポリイミド樹脂層やエポキ
シ樹脂層を介在させるのが望ましい。
【００５３】そして、ワイヤーボンディングを行い、固
体撮像素子のベアチップの電極とＬＳＩベアチップの電
極とを接続する（工程１２０２）。
【００５４】以上、本発明をいくつかの実施の形態を用
いて説明したが、これらに限定されるものではない。本
発明は、受光素子（あるいは発光素子）のような光学的
信号を直接に取り扱う素子の構造は、光電変換後の電気
信号を取り扱う転送回路や、駆動回路系の素子の構造と
は著しく異なっており、プロセスの共用化が困難であ
り、ワンチップ化が困難である点に着目し、それぞれの
機能を個別のベアチップの形態で実現した後、駆動回路
系のチップ上に光処理系のチップを直接に搭載してチッ
プ・オン・チップ構造を形成し、光処理領域（光電変換
素子領域）の下に、駆動系回路のアクティブ領域が位置
するという階層構造を実現し、デッドスペース（無駄な
スペース）を完全に排除するものである。
【００５５】したがって、本発明は、固体撮像素子とそ
の駆動系回路に限定されず、例えば、太陽電池のような
受光面を有するベアチップと、その駆動系（あるいは信
号の転送系）の回路を集積したベアチップとの接続にも
使用できるものである。
【００５６】本発明は、小型カメラや内視鏡のように、
超小型化が要求される製品に用いて特に有効である。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、駆
動回路を含むＬＳＩベアチップ上に固体撮像素子のベア
チップを搭載してベアチップの階層構造を形成し、ダイ
レクトに（つまり、プリント配線基板等の基板構造を介
することなく）、各ベアチップ間の電気的接続をとる。
これにより、実質的な実装サイズ（占有面積）は、下側
（支持側）のベアチップのサイズとなり、固体撮像装置
の実装サイズの究極的な小型化を図ることができる。ま
た、プリント配線基板等の余分な部材がいっさい介在し
ないため、固体撮像装置の実装のローコスト化を実現で
きる。これにより、実装サイズを究極的に小型化し、ま
た、実装コストの大幅な低減を図ることができる固体撮
像装置およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の固体撮像装置の実装構造の一例（固体
撮像素子ベアチップをＬＳＩベアチップのアクティブ面
上に直接、搭載した実装構造）を示す断面図
【図２】（ａ）裏面にバンプ電極が形成された固体撮像
素子ベアチップの要部の斜視図 （ｂ）裏面にバンプ電極が形成された固体撮像素子ベア
チップの要部の断面図
【図３】固体撮像素子ベアチップ，ＬＳＩベアチップお
よび複数のバンプ電極の、平面的な位置関係を示す図
【図４】図１の固体撮像装置の実装構造を形成するため
の工程を示すフロー図
【図５】本発明の固体撮像装置の実装構造の他の例を示
す断面図
【図６】図５の固体撮像装置の実装構造を形成するため
の工程を示すフロー図
【図７】本発明の固体撮像装置の実装構造の、さらに他
の例を示す断面図
【図８】（ａ）本発明の固体撮像装置の実装構造の、さ
らに他の例を示す断面図 （ｂ）本発明の固体撮像装置の実装構造の、さらに他の
例を示す断面図
【図９】図８（ａ），（ｂ）に示される固体撮像装置の
実装構造を形成するための、主要な工程を示すフロー図
【図１０】従来の固体撮像装置の実装構造を示す断面図
【符号の説明】
１００ マウント部材 １０１ 接着剤 ２００ ＬＳＩベアチップ（駆動回路系および転送系回
路を含む） ２０１ａ，２０１ｂ，２０２ａ，２０２ｂ 電極 ２０３ 最終保護膜 ３００ 固体撮像素子ベアチップ ３０１ａ，３０１ｂ，３０３ａ，３０３ｂ バンプ電極 ３０２ａ，３０２ｂ 主面と裏面とを結ぶ配線 ３１０ フィルタ ４００ 光透過部材 ５００ キャリアテープ（ＴＡＢテープ） ５０１ａ，５０１ｂ 導電層 ５０３ａ，５０３ｂ 接着材 ６００ａ，６００ｂ 筐体 ７００ カメラ制御系 ＡＺ ＬＳＩベアチップのアクティブ領域
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 25/18 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｂ 31/02 Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 HA02 HA12 HA21 HA22 HA24 HA30 HA31 5C024 CY47 CY48 EX25 HX01 5F044 LL11 RR03 RR18 5F088 BA15 BA18 BB03 EA16 EA20 JA01

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 固体撮像素子の駆動回路が集積されたＬ
    ＳＩベアチップ上に前記固体撮像素子のベアチップを搭
    載すると共に、各ベアチップの電極同士を配線基板を介
    することなく電気的に接続してなる固体撮像装置。
  2. 【請求項２】 固体撮像素子の駆動回路が集積されたＬ
    ＳＩベアチップのアクティブ面上に、樹脂からなる応力
    吸収層を介して前記固体撮像素子のベアチップを搭載す
    ると共に、各ベアチップの電極同士を配線基板を介する
    ことなく電気的に接続してなる固体撮像装置。
  3. 【請求項３】 裏面に電極が形成された固体撮像素子の
    ベアチップを、この固体撮像素子のベアチップよりも占
    有面積が大きく、かつアクティブ面上に前記固体撮像素
    子のベアチップとの電気的接続をとるための電極が形成
    されている、固体撮像素子の駆動回路が集積されたＬＳ
    Ｉベアチップ上に搭載し、前記固体撮像素子のベアチッ
    プの裏面電極と、前記ＬＳＩベアチップにおける前記固
    体撮像素子のベアチップとの電気的接続をとるための電
    極とを直接に接続してなる固体撮像装置。
  4. 【請求項４】 受光面の周囲に電極が形成された固体撮
    像素子のベアチップを、この固体撮像素子のベアチップ
    よりも占有面積が大きく、かつアクティブ面上に前記固
    体撮像素子のベアチップとの電気的接続をとるための電
    極が形成されている、固体撮像素子の駆動回路が集積さ
    れたＬＳＩベアチップ上に搭載し、前記固体撮像素子の
    ベアチップの電極と、前記ＬＳＩベアチップにおける前
    記固体撮像素子のベアチップとの電気的接続をとるため
    の電極とをボンディングワイヤにより接続してなる固体
    撮像装置。
  5. 【請求項５】 裏面に電極が形成された固体撮像素子の
    ベアチップを用意すると共に、固体撮像素子のベアチッ
    プより占有面積が大きく、かつアクティブ領域の周辺
    に、前記固体撮像素子のベアチップとの電気的接続をと
    るための電極が形成された、固体撮像素子の駆動回路を
    含むＬＳＩベアチップを用意する工程と、 前記ＬＳＩベアチップの前記アクティブ領域の少なくと
    も一部とオーバーラップするように、かつ、前記固体撮
    像素子のベアチップの前記裏面電極と前記ＬＳＩベアチ
    ップの前記第１の電極とが接触するように、固体撮像素
    子のベアチップをＬＳＩベアチップに直接に載置し、固
    定する工程と、 を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 裏面に電極が形成された固体撮像素子の
    ベアチップを用意すると共に、固体撮像素子のベアチッ
    プより占有面積が大きく、かつアクティブ領域の周辺
    に、前記固体撮像素子のベアチップとの電気的接続をと
    るための第１の電極と、外部との電気的な接続をとるた
    めの第２の電極とが形成された、固体撮像素子の駆動回
    路を含むＬＳＩベアチップを用意する工程と、 前記ＬＳＩベアチップの前記アクティブ領域の少なくと
    も一部とオーバーラップするように、かつ、前記固体撮
    像素子のベアチップの前記裏面電極と前記ＬＳＩベアチ
    ップの前記第１の電極とが接触するように、固体撮像素
    子のベアチップをＬＳＩベアチップに直接に載置し、固
    定する工程と、 前記ＬＳＩベアチップを、外部接続用電極が設けられて
    いる支持部材上に搭載して固定する工程と、 ワイヤーボンディングを行い、前記ＬＳＩベアチップの
    前記第２の電極と前記支持部材の前記外部接続用電極と
    をボンディングワイヤで接続する工程と、 を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 受光面の周辺に電極が設けられた、固体
    撮像素子のベアチップを用意すると共に、前記固体撮像
    素子のベアチップより占有面積が大きく、かつ、表面ま
    たは裏面に、前記固体撮像素子のベアチップとの電気的
    接続をとるための電極が形成された、固体撮像素子の駆
    動回路を含むＬＳＩベアチップを用意する工程と、 前記ＬＳＩベアチップの、前記固体撮像素子の駆動回路
    が形成されている領域の少なくとも一部とオーバーラッ
    プするように、前記固体撮像素子のベアチップを前記Ｌ
    ＳＩベアチップに直接に載置し、固定する工程と、 ワイヤーボンディングを行い、前記固体撮像素子のベア
    チップの前記電極と、前記ＬＳＩベアチップの表面また
    は裏面に設けられた前記電極とをボンディングワイヤで
    接続する工程と、 を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 裏面に電極が形成された固体撮像素子の
    ベアチップを用意すると共に、固体撮像素子のベアチッ
    プより占有面積が大きく、かつアクティブ領域の周辺
    に、前記固体撮像素子のベアチップとの電気的接続をと
    るための第１の電極と、外部との電気的な接続をとるた
    めの第２の電極とが形成された、固体撮像素子の駆動回
    路を含むＬＳＩベアチップと、を用意する工程と、 前記ＬＳＩベアチップのアクティブ領域の少なくとも一
    部とオーバーラップするように、かつ、前記固体撮像素
    子の前記裏面の電極と前記ＬＳＩベアチップの前記第１
    の電極とが接触するように、前記固体撮像素子のベアチ
    ップを前記ＬＳＩベアチップに直接に載置し、固定する
    工程と、 光透過部財が片側に配置され、反対側に導電部材および
    この導電部材に連接する導電領域が設けられているキャ
    リアテープにおける、前記導電部材を前記ＬＳＩベアチ
    ップの前記第２の電極と接続する工程と、 前記キャリアテープを途中で折り曲げ、折り曲げられた
    部分を筐体内に挿入し、挿入されたキャリアテープを前
    記筐体の内壁に密着させる工程と、 を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 固体撮像素子の駆動回路が集積されたＬ
    ＳＩベアチップのアクティブ面上に固体撮像素子のベア
    チップを搭載し、各ベアチップの電極同士を配線基板を
    介することなく電気的に接続すると共に、前記固体撮像
    素子のベアチップおよび前記ＬＳＩベアチップ上にコー
    ティングを施してパッケージ構造を形成したことを特徴
    とする固体撮像装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353427A (ja) * 2001-05-23 2002-12-06 Kingpak Technology Inc イメージセンサのスタックパッケージ構造
JP2006041429A (ja) * 2004-07-30 2006-02-09 Dainippon Printing Co Ltd センサーユニットおよびその製造方法
US7247509B2 (en) 2003-09-03 2007-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing solid-state imaging devices
US7273765B2 (en) 2003-04-28 2007-09-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device and method for producing the same
US7378645B2 (en) 2004-01-27 2008-05-27 Casio Computer Co., Ltd. Optical sensor module with semiconductor device for drive
US8334578B2 (en) 2007-08-17 2012-12-18 Kinki University Integrated circuit having wiring structure, solid image pickup element having the wiring structure, and imaging device having the solid image pickup element
JP2015135839A (ja) * 2014-01-16 2015-07-27 オリンパス株式会社 半導体装置、固体撮像装置、および撮像装置
JP2017152546A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ニコン 撮像装置及び半導体装置

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6934065B2 (en) * 2003-09-18 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices
US7583862B2 (en) * 2003-11-26 2009-09-01 Aptina Imaging Corporation Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US20060001761A1 (en) * 2003-12-23 2006-01-05 Tessera, Inc. Hermetically sealed image sensor module and method of fabricating same
US7253397B2 (en) * 2004-02-23 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7239020B2 (en) * 2004-05-06 2007-07-03 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-mode integrated circuit structure
US7253957B2 (en) * 2004-05-13 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Integrated optics units and methods of manufacturing integrated optics units for use with microelectronic imagers
US8092734B2 (en) 2004-05-13 2012-01-10 Aptina Imaging Corporation Covers for microelectronic imagers and methods for wafer-level packaging of microelectronics imagers
US20050275750A1 (en) * 2004-06-09 2005-12-15 Salman Akram Wafer-level packaged microelectronic imagers and processes for wafer-level packaging
US7498647B2 (en) * 2004-06-10 2009-03-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7199439B2 (en) 2004-06-14 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7262405B2 (en) * 2004-06-14 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Prefabricated housings for microelectronic imagers
US7232754B2 (en) 2004-06-29 2007-06-19 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for forming interconnects in microelectronic devices
US7294897B2 (en) * 2004-06-29 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7416913B2 (en) * 2004-07-16 2008-08-26 Micron Technology, Inc. Methods of manufacturing microelectronic imaging units with discrete standoffs
US7189954B2 (en) * 2004-07-19 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with optical devices and methods of manufacturing such microelectronic imagers
US7402453B2 (en) * 2004-07-28 2008-07-22 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7364934B2 (en) 2004-08-10 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7397066B2 (en) * 2004-08-19 2008-07-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with curved image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US7223626B2 (en) * 2004-08-19 2007-05-29 Micron Technology, Inc. Spacers for packaged microelectronic imagers and methods of making and using spacers for wafer-level packaging of imagers
US7425499B2 (en) 2004-08-24 2008-09-16 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in vias and microelectronic workpieces including such interconnects
US7115961B2 (en) * 2004-08-24 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imaging devices and methods of packaging microelectronic imaging devices
US7429494B2 (en) 2004-08-24 2008-09-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with optical devices having integral reference features and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7276393B2 (en) 2004-08-26 2007-10-02 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US20070148807A1 (en) * 2005-08-22 2007-06-28 Salman Akram Microelectronic imagers with integrated optical devices and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7511262B2 (en) * 2004-08-30 2009-03-31 Micron Technology, Inc. Optical device and assembly for use with imaging dies, and wafer-label imager assembly
US7646075B2 (en) * 2004-08-31 2010-01-12 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers having front side contacts
US7300857B2 (en) 2004-09-02 2007-11-27 Micron Technology, Inc. Through-wafer interconnects for photoimager and memory wafers
DE102004056946A1 (de) * 2004-11-23 2006-05-24 Karl Storz Gmbh & Co. Kg Bildaufnehmermodul sowie Verfahren zum Zusammenbauen eines Bildaufnehmermoduls
US7271482B2 (en) * 2004-12-30 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods
US7214919B2 (en) * 2005-02-08 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US20060177999A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-10 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpieces and methods for forming interconnects in microelectronic workpieces
US7303931B2 (en) * 2005-02-10 2007-12-04 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces having microlenses and methods of forming microlenses on microfeature workpieces
US7190039B2 (en) * 2005-02-18 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
JP2006237134A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Sharp Corp 固体撮像装置
US7795134B2 (en) * 2005-06-28 2010-09-14 Micron Technology, Inc. Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids
US7262134B2 (en) 2005-09-01 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces
US7622377B2 (en) 2005-09-01 2009-11-24 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece substrates having through-substrate vias, and associated methods of formation
US7288757B2 (en) * 2005-09-01 2007-10-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging devices and associated methods for attaching transmissive elements
US7768040B2 (en) * 2006-10-23 2010-08-03 Micron Technology, Inc. Imager device with electric connections to electrical device
US9231012B2 (en) 2007-08-01 2016-01-05 Visera Technologies Company Limited Image sensor package
US20100194465A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Ali Salih Temperature compensated current source and method therefor
JP5586402B2 (ja) * 2010-09-29 2014-09-10 富士フイルム株式会社 内視鏡装置及びその撮像素子放熱方法
US9634053B2 (en) * 2014-12-09 2017-04-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor chip sidewall interconnection

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3674330B2 (ja) * 1997-09-11 2005-07-20 セイコーエプソン株式会社 光変調装置、およびこれを用いた投写型表示装置
JP3048675B2 (ja) * 1991-05-02 2000-06-05 株式会社鶴見製作所 電動遠心ポンプの羽根車
JP3348528B2 (ja) * 1994-07-20 2002-11-20 富士通株式会社 半導体装置の製造方法と半導体装置及び電子回路装置の製造方法と電子回路装置
JPH08288455A (ja) * 1995-04-11 1996-11-01 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
CN1100437C (zh) * 1995-05-31 2003-01-29 索尼公司 摄象装置及其制造方法、摄象拾音装置、信号处理装置及信号处理方法、以及信息处理装置及信息处理方法
US6329711B1 (en) * 1995-11-08 2001-12-11 Fujitsu Limited Semiconductor device and mounting structure
JP3265316B2 (ja) 1996-03-15 2002-03-11 株式会社ピーエフユー 半導体装置およびその製造方法
JPH1084509A (ja) * 1996-09-06 1998-03-31 Matsushita Electron Corp 撮像装置およびその製造方法
JPH10214934A (ja) * 1997-01-30 1998-08-11 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6228688B1 (en) * 1997-02-03 2001-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Flip-chip resin-encapsulated semiconductor device
JPH1174494A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Toshiba Corp 光集積回路装置
JPH11214431A (ja) * 1998-01-23 1999-08-06 Oki Electric Ind Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP2000121067A (ja) * 1998-10-13 2000-04-28 Michiko Murata うたた寝安心こたつカバーセット
JP2000164628A (ja) * 1998-11-30 2000-06-16 Fujitsu Ten Ltd 電子部品及びフェイスダウン実装構造
JP3500995B2 (ja) * 1998-12-18 2004-02-23 株式会社デンソー 積層型回路モジュールの製造方法
JP2000307053A (ja) * 1999-04-21 2000-11-02 Sony Corp 半導体装置
JP3372511B2 (ja) * 1999-08-09 2003-02-04 ソニーケミカル株式会社 半導体素子の実装方法及び実装装置
KR100338929B1 (ko) * 1999-09-27 2002-05-30 박종섭 적층형 마이크로 비지에이 패키지 및 제조방법
TW434854B (en) * 1999-11-09 2001-05-16 Advanced Semiconductor Eng Manufacturing method for stacked chip package
JP3832170B2 (ja) * 2000-01-06 2006-10-11 セイコーエプソン株式会社 マルチベアチップ実装体
JP3495305B2 (ja) * 2000-02-02 2004-02-09 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体モジュール
JP3625268B2 (ja) * 2000-02-23 2005-03-02 富士通株式会社 半導体装置の実装方法
KR20030004353A (ko) * 2000-03-02 2003-01-14 올림파스 고가꾸 고교 가부시키가이샤 소형 촬상모듈
JP2001324960A (ja) * 2000-03-10 2001-11-22 Ngk Insulators Ltd ディスプレイシステム及びディスプレイの管理方法
JP3880278B2 (ja) * 2000-03-10 2007-02-14 オリンパス株式会社 固体撮像装置及びその製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353427A (ja) * 2001-05-23 2002-12-06 Kingpak Technology Inc イメージセンサのスタックパッケージ構造
US7273765B2 (en) 2003-04-28 2007-09-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device and method for producing the same
US7247509B2 (en) 2003-09-03 2007-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing solid-state imaging devices
US7378645B2 (en) 2004-01-27 2008-05-27 Casio Computer Co., Ltd. Optical sensor module with semiconductor device for drive
JP2006041429A (ja) * 2004-07-30 2006-02-09 Dainippon Printing Co Ltd センサーユニットおよびその製造方法
US8334578B2 (en) 2007-08-17 2012-12-18 Kinki University Integrated circuit having wiring structure, solid image pickup element having the wiring structure, and imaging device having the solid image pickup element
JP2015135839A (ja) * 2014-01-16 2015-07-27 オリンパス株式会社 半導体装置、固体撮像装置、および撮像装置
JP2017152546A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ニコン 撮像装置及び半導体装置
JP2022009109A (ja) * 2016-02-25 2022-01-14 株式会社ニコン 撮像装置及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6800943B2 (en) 2004-10-05
US20020142510A1 (en) 2002-10-03

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