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JP2002289671A - 半導体製造装置及び半導体装置の製造システム - Google Patents

半導体製造装置及び半導体装置の製造システム

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JP2002289671A
JP2002289671A JP2001092543A JP2001092543A JP2002289671A JP 2002289671 A JP2002289671 A JP 2002289671A JP 2001092543 A JP2001092543 A JP 2001092543A JP 2001092543 A JP2001092543 A JP 2001092543A JP 2002289671 A JP2002289671 A JP 2002289671A
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JP
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semiconductor substrate
semiconductor
transport box
cleanliness
section
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Application number
JP2001092543A
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English (en)
Inventor
Kunihiro Miyazaki
邦浩 宮崎
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Priority to EP02707155A priority patent/EP1376661A4/en
Priority to PCT/JP2002/002892 priority patent/WO2002080238A1/ja
Priority to KR10-2002-7016067A priority patent/KR100495016B1/ko
Priority to TW091106155A priority patent/TWI301289B/zh
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基板の清浄度を維持しつつ、半導体基
板の搬送を簡略化出来る半導体製造装置及び半導体装置
の製造システムを提供すること。 【解決手段】 クリーンルームに配置される例えば洗浄
装置１１であって、半導体基板を保持した半導体基板搬
送ボックスが投入される投入部１１−１と、投入部１１
−１に投入された半導体基板を取り込んで、この半導体
基板の洗浄処理を行う半導体基板処理部１１と、投入部
１１−１とは異なる面に配置され、半導体基板処理部１
１から排出された半導体基板を保持する半導体基板搬送
ボックスが払い出される払出部１１−２とを具備するこ
とを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置
及び半導体装置の製造システムに関するもので、特にク
リーンルーム内において半導体製品の搬送効率を向上で
きる半導体製造装置の設置レイアウトに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、半導体
基板は１３枚または２４、２５枚程度に纏められたロッ
トと呼ばれる管理単位で運用されるのが通常である。ま
た、ロット単位で運用される半導体基板は、カセット
（cassette）またはキャリア（carrier）と呼ばれる半
導体基板収納容器に納められる。そして、実際に半導体
装置の製造が行われるクリーンルーム内においては、半
導体基板はカセットまたはキャリアにセットされた状態
で、半導体基板搬送ボックスに収納されて、運搬、保管
されることになる。
【０００３】このようにして管理されている半導体基板
を、クリーンルーム内に配置されている半導体製造装置
に導入する方法には幾つかの方法がある。すなわち、
（１）搬送ボックスから半導体基板をカセットごと取り
出し、半導体製造装置にセットする、（２）搬送ボック
スの蓋を開けた状態で搬送ボックスごと半導体製造装置
にセットする、（３）搬送ボックスの蓋を閉めた状態で
搬送ボックスごと半導体製造装置にセットする、等の方
法がある。上記（１）、（２）の方法では、搬送ボック
スからのカセットの取り出しや、搬送ボックスの蓋を開
ける等、人手による手動での作業が必要であり、このよ
うなカセットはオープンカセットと呼ばれる。
【０００４】他方、上記（３）の方法では、人手による
作業が不要であり、半導体基板の取り込みは半導体製造
装置により自動で行われる。例えば、半導体製造装置が
自動で搬送ボックスの蓋を開け、半導体基板を取り込む
ものや、半導体製造装置に搬送ボックスごとセットする
と半導体製造装置内に搬送ボックスごと取り込み、半導
体製造装置内部で搬送ボックスの蓋を開き半導体基板を
半導体カセットから取り出すもの等様々な半導体製造装
置が存在する。
【０００５】このような半導体製造装置のクリーンルー
ム内における設置レイアウトについて、図８を用いて説
明する。図８はクリーンルームの一部領域を抽出して示
している。
【０００６】図示するように、クリーンルーム１００内
には、壁で仕切られると共に、各半導体製造装置１１０
−１〜１１０−１４が設置されるユーティリティエリア
１２０と、その他の領域であり、ユーティリティエリア
１２０よりも高清浄度のワーキングエリア１３０とがあ
る。半導体製造装置１１０−１〜１１０−１４には半導
体基板投入部（ローダー部）と呼ばれる、半導体基板を
半導体製造装置に投入する部位１１１と、半導体基板払
出部（アンローダー部）と呼ばれる、半導体製造装置に
よって処理された半導体基板が払い出される部位１１２
とが存在する。これらの投入部１１１及び払出部１１２
のみが、ユーティリティエリア１２０からワーキングエ
リア１３０に露出されている。そして、ワーキングエリ
ア１３０内において、各半導体基板の搬送や、場合によ
っては人間による様々な作業が行われる。
【０００７】上記のように、クリーンルームでは清浄度
管理の徹底ために、高清浄度が必要とされる領域（ワー
キングエリア）とそうでない領域（ユーティリティエリ
ア）とに区分けがなされていることが一般的である。
【０００８】そして、そのように清浄度によって区分け
されたクリーンルーム内に効率的に半導体製造装置を設
置しようとすると、各半導体製造装置１１０−１〜１１
０−１４は、図８に示すような横並びの配置となり、ワ
ーキングエリア１３０は通路状になる。
【０００９】また、処理前後の半導体基板の取り扱い方
については次の２つの方法がある。
【００１０】（１）半導体基板を収納するカセットを処
理の前後で変更する。
【００１１】（２）半導体基板を収納するカセットを処
理前と同一カセットに戻す。
【００１２】上記（１）、（２）のいずれの方法を採用
するかは、半導体製造装置の仕様と共に、その半導体製
造装置を設置するクリーンルームレイアウトやクリーン
ルームの運用方針とによって決定される。
【００１３】上記（１）の、処理後の半導体基板を処理
前と同一のカセットに戻さない場合は、図８に示すよう
に、半導体製造装置前面に投入部と、投入部と対を為す
ようにして同様に半導体製造装置前面に設けられた払出
部が存在する。
【００１４】上記（２）の、処理前後で同一カセットに
収納する場合は、投入部と払出部が同一であることも少
なくなく、このように処理前後で同一の半導体基板をセ
ットするカセットは一般的にユニカセットと呼ばれてい
る。すなわち、ユニカセットで運用される半導体製造装
置では、投入部・払出兼用口が、半導体装置前面に１つ
以上設けられている。なお、ユニカセットを用いる場合
には、カセットを格納する搬送ボックスも、処理前後で
同一のものが用いられることが通常である。
【００１５】しかしながら、処理前後の半導体基板の取
り扱い方における上記（１）、（２）の方法は、互いに
一長一短があり、必ずしもいずれかがベストな方法であ
るとは言うことが出来ない。
【００１６】まず、上記（１）の、処理前と同一カセッ
トに処理後の半導体基板を戻さない場合について図８を
参照しながら説明する。図８において、実線矢印は半導
体基板を格納した搬送ボックスの流れを示し、破線矢印
は空の搬送ボックスの流れを示している。
【００１７】例として、半導体製造装置１１０−１２で
処理した半導体基板を半導体製造装置１１０−３で処理
し、次に半導体製造装置１１０−４で処理する場合を考
える。
【００１８】まず、半導体製造装置１１０−１２で処理
された半導体基板が入った搬送ボックスを半導体製造装
置１１０−３の投入部１１１にセットし、同様に払出部
１１２に空搬送ボックスをセットする。半導体製造装置
１１０−３は、投入部１１１にセットされた搬送ボック
ス内の半導体基板の所定の処理を行い、処理終了後、払
出部１１２にセットされた空搬送ボックスに処理済みの
半導体基板を格納する。そして、処理済みの半導体基板
が格納された搬送ボックスは次の半導体製造装置１１０
−４の投入部１１１にセットされる。
【００１９】すると、半導体製造装置１１０−３の投入
部１１１にセットされた搬送ボックスは空となる。この
空搬送ボックスは、例えば前の処理を行った半導体製造
装置１１０−１２の払出部１１２に再びセットされる。
従って、半導体製造装置１１０−１２と半導体製造装置
１１０−３との間で往来する搬送ボックスは常時同一の
清浄度を有するものとなる。また、空となった搬送ボッ
クスは、次の半導体基板を受けるための搬送ボックスと
なるために別工程へ搬送されるか、洗浄後に、次の半導
体基板を受けるために搬送される場合もある。このよう
に、処理後の半導体基板は、新たな搬送ボックスに格納
されるため、搬送ボックス内で汚染されることが無く、
その清浄度を害する恐れがない。
【００２０】しかし、他方ではクリーンルーム全体とし
ての清浄度管理の効率が悪化すると共に、搬送ボックス
の運用管理が煩雑になるという問題がある。すなわち、
搬送ボックスに求められる清浄度には、各工程間によっ
て様々である。例えば、エッチング工程からレジスト剥
離工程の間の半導体基板にはレジストが塗布されている
ので、両工程間の搬送ボックスには、それ程高い清浄度
は求められない。他方、洗浄工程から成膜工程の間で用
いられる搬送ボックスには、極めて高い清浄度が必要で
ある。
【００２１】図８のような半導体製造装置の設置レイア
ウトであると、ワーキングエリア１３０内を、高清浄度
に維持すべき半導体基板、レジスト付や反応性ガスが付
着した半導体基板、及びそれらを保管したボックス、カ
セット及び空ボックス、カセットが往来する。このよう
に１つの場所を清浄度の異なる搬送ボックスが行き来す
るために、クリーンルームの効率的な清浄度管理が困難
となる。更に、ワーキングエリア内に様々な清浄度の搬
送ボックスが入り乱れるため、その運用管理が煩雑化、
複雑化する。
【００２２】また、搬送ボックスにはそのボックス内に
収納されている半導体基板の情報や、現在の処理段階等
の情報を示す管理タグが必要である。（１）の方法であ
ると、半導体製造装置で処理を行う度に搬送ボックスが
入れ替わる。そのため、投入部に投入された搬送ボック
スの管理タグを、払出部に用意された搬送ボックスに移
動させる必要があり、この面でも搬送ボックスの管理を
煩雑にするという問題がある。
【００２３】他方、上記（２）のユニカセットを使用す
る方法であると、半導体製造装置で処理された半導体基
板は、元の搬送ボックスに戻される。従って、空ボック
スが生じないために搬送ボックスの管理が簡略化できる
と共に、管理タグの問題が解決できる。
【００２４】しかし、ユニカセットを用いた場合には、
搬送ボックス内の清浄度の維持が困難になるという問題
がある。例えば、リソグラフィ工程の後の半導体基板に
はレジストが塗布されている。するとこのレジストが、
収納されたカセットへ付着する。更に次の工程で、例え
ばドライエッチング装置にてエッチングを行った後、同
一カセットに戻すとカセットにはドライエッチングで半
導体基板に付着した反応性ガスの脱ガスが吸着すること
になる。このように、処理を順次行っていくと、その度
に処理で使用した薬液やガス等が搬送ボックス内に付着
する。
【００２５】その後、半導体基板上のレジスト除去およ
び洗浄を行って半導体基板を清浄化しても、搬送ボック
ス内がレジストまたは反応性ガスで汚染されているため
に、半導体基板の清浄度が悪化してしまう。このよう
に、ユニカセットを用いると、処理が進む度に、搬送ボ
ックス及びカセットが汚染されていくという問題があ
る。
【００２６】次に、従来のクリーンルームの別の半導体
製造装置の設置レイアウトについて図９を用いて説明す
る。
【００２７】図示するように、クリーンルーム１００内
のワーキングエリアを、搬送ボックスに必要とされる清
浄度毎に、３つのワーキングエリア１３０−１〜１３０
−３に分割している。そして、そのワーキングエリアの
清浄度に合わせて、ユーティリティエリア１２０−１〜
１２０−４に設置すべき半導体製造装置の種類を決定し
ている。搬送ボックスはその清浄度によって、レジスト
が付いたボックス、例えばエッチング時のガス等が付着
した低清浄度搬送ボックス、そして、成膜処理時に使用
され、非常に高い清浄度の要求される高清浄度搬送ボッ
クスに分類される。そして、ワーキングエリア１３０−
１〜１３０−３が、各々の清浄度を有する搬送ボックス
が往来するゾーンとなる。
【００２８】上記のようなクリーンルームであると、各
ワーキングエリア内をほぼ同じ清浄度を有する搬送ボッ
クスのみが往来するため、クリーンルーム内の清浄度管
理及び搬送ボックスの運用管理が容易になる。しかし、
各清浄度レベルのエリアを搬送ボックスが行き来するこ
とになる。従って、搬送ボックスの搬送距離が長くなる
とともに、その往来が複雑であり、結局、搬送ボックス
の管理が困難となる。
【００２９】ユニカセットを用いる方法では、クリーン
ルームのレイアウトを変えても前述の問題が依然として
存在する。
【００３０】結局のところ、ユニカセットのみの装置構
成で半導体基板の清浄度維持は不可能で、搬送ボックス
およびカセットを交換する為の交換機構を持つ専用装置
か、投入払出部を持ち処理前後で搬送ボックスを入れ換
える機構を持った半導体製造装置が必要となる。しか
し、それらの装置を導入して搬送を行うと半導体基板が
入った搬送ボックスと空ボックスの運搬が非常に複雑と
なる。
【００３１】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の半
導体製造装置及び半導体装置の製造システムでは、ユニ
カセットを用いて半導体基板の搬送を行おうとすると、
搬送ボックスの搬送管理が容易であり且つ管理タグの移
動が必要ないという利点がある。しかし、処理の度に搬
送ボックス内が汚染されるために、半導体基板の清浄度
を保つことが困難であるという問題があった。
【００３２】しかし、処理前後で半導体基板を格納する
搬送ボックスを変えるシステムであると、確かに搬送ボ
ックス内の清浄度は保てるが、他方で管理タグの移動が
必要となる。また、搬送ボックスの搬送経路が複雑とな
り、クリーンルームの清浄度管理及び搬送ボックスの搬
送管理が複雑且つ困難であるという問題があった。
【００３３】この発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、その目的は、半導体基板の清浄度を維持しつつ、
半導体基板の搬送を簡略化出来る半導体製造装置及び半
導体装置の製造システムを提供することにある。
【００３４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明に係る半導体製造装置は、半導体基板を保
持した半導体基板搬送ボックスが投入される投入部と、
前記投入部に投入された前記半導体基板を取り込んで、
該半導体基板の処理を行う半導体基板処理部と、前記投
入部とは異なる面に配置され、前記半導体基板処理部か
ら排出された前記半導体基板を保持する半導体基板搬送
ボックスが払い出される払出部とを具備することを特徴
としている。
【００３５】また、この発明に係る半導体装置の製造シ
ステムは、クリーンルーム内に設置された半導体製造装
置を複数備えてなる半導体装置の製造システムであっ
て、前記半導体製造装置は、半導体基板を保持した半導
体基板搬送ボックスが投入される投入部と、前記投入部
に投入された前記半導体基板を取り込んで、該半導体基
板の処理を行う半導体基板処理部と、前記半導体基板処
理部から排出された前記半導体基板を保持する半導体基
板搬送ボックスが払い出される払出部とを具備し、隣接
する各々の前記半導体製造装置における、一方の半導体
製造装置の前記払出部と、他方の半導体製造装置の前記
投入部とは互いに対面するようにして設けられ、且つ少
なくともいずれかの前記半導体製造装置における前記払
出部と前記投入部とが、互いに該半導体製造装置の異な
る面に設けられていることを特徴としている。
【００３６】更にこの発明に係る半導体装置の製造シス
テムは、クリーンルーム内に設置された半導体製造装置
群を備えてなる半導体装置の製造システムであって、前
記半導体製造装置群は、半導体基板の処理を行う半導体
基板処理部と、前記半導体基板処理部から排出された前
記半導体基板を保持する第１清浄度の半導体基板搬送ボ
ックスが払い出される払出部とを有する第１半導体製造
装置と、前記第１半導体製造装置の前記払出部に対面す
るようにして設けられ、半導体基板を保持した第１半導
体基板搬送ボックスが投入される投入部と、前記投入部
に投入された前記半導体基板を取り込んで、該半導体基
板の処理を行う半導体基板処理部と、前記投入部と異な
る面に設けられ、前記半導体基板処理部から排出された
前記半導体基板を保持する、前記第１清浄度と異なる第
２清浄度の半導体基板搬送ボックスが払い出される払出
部とを有する第２半導体製造装置と、前記第２半導体製
造装置の前記払出部に対面するようにして設けられ、半
導体基板を保持した第２清浄度の半導体基板搬送ボック
スが投入される投入部と、前記投入部に投入された前記
半導体基板を取り込んで、該半導体基板の処理を行う半
導体基板処理部とを有する第３半導体製造装置とを具備
し、前記第１、第２半導体製造装置間の領域を往来する
前記搬送ボックスは、実質的に前記第１清浄度の搬送ボ
ックスのみであり、前記第２、第３半導体製造装置間の
領域を往来する前記搬送ボックスは、実質的に前記第２
清浄度の搬送ボックスのみであることを特徴としてい
る。
【００３７】更にこの発明に係る半導体装置の製造シス
テムは、クリーンルーム内に設置された半導体製造装置
群を備えてなる半導体装置の製造システムであって、前
記半導体製造装置群は、半導体基板の処理を行う半導体
基板処理部と、前記半導体基板処理部から排出された前
記半導体基板を保持する、第１清浄度の半導体基板搬送
ボックスが払い出される払出部とを有する第１半導体製
造装置が複数並べられた第１半導体製造処理段と、前記
第１半導体製造装置の前記払出部に対面するようにして
設けられ、半導体基板を保持した第１清浄度の半導体基
板搬送ボックスが投入される投入部と、前記投入部に投
入された前記半導体基板を取り込んで、該半導体基板の
処理を行う半導体基板処理部と、前記投入部と異なる面
に設けられ、前記半導体基板処理部から排出された前記
半導体基板を保持する、前記第１清浄度と異なる第２清
浄度の半導体基板搬送ボックスが払い出される払出部と
を有する第２半導体製造装置が複数並べられた第２半導
体製造処理段と、前記第２半導体製造装置の前記払出部
に対面するようにして設けられ、半導体基板を保持した
第２清浄度の半導体基板搬送ボックスが投入される投入
部と、前記投入部に投入された前記半導体基板を取り込
んで、該半導体基板の処理を行う半導体基板処理部とを
有する第３半導体製造装置が複数並べられた第３半導体
製造処理段とを具備し、前記第１、第２半導体製造処理
段の間の領域を往来する前記半導体基板搬送ボックス
は、実質的に前記第１清浄度の搬送ボックスのみであ
り、前記第２、第３半導体製造処理段の間の領域を往来
する前記半導体基板搬送ボックスは、実質的に前記第２
清浄度の搬送ボックスのみであることを特徴としてい
る。
【００３８】更にこの発明に係る半導体装置の製造シス
テムは、クリーンルーム内に設置された半導体製造装置
を複数備えてなる半導体装置の製造システムであって、
半導体基板のリソグラフィ工程を行う半導体基板処理部
と、前記半導体基板処理部から排出された前記半導体基
板を保持する第１清浄度の半導体基板搬送ボックスが払
い出される払出部とを有するリソグラフィ装置と、前記
リソグラフィ装置の前記払出部に相対する面に設けら
れ、前記リソグラフィ装置でリソグラフィ工程の行われ
た半導体基板を保持した第１清浄度の前記半導体基板搬
送ボックスが投入される投入部と、前記投入部に投入さ
れた前記半導体基板を取り込んで、該半導体基板のエッ
チング処理またはイオン注入を行う半導体基板処理部
と、前記投入部に相反する面に設けられ、前記半導体基
板処理部から排出された前記半導体基板を保持する、前
記第１清浄度と異なる第２清浄度の半導体基板搬送ボッ
クスが払い出される払出部とを有するエッチング装置ま
たはイオン注入装置と、前記エッチング装置またはイオ
ン注入装置の前記払出部に相対する面に設けられ、前記
エッチング装置またはイオン注入装置でエッチング処理
またはイオン注入の行われた前記半導体基板を保持した
第２清浄度の前記半導体基板搬送ボックスが投入される
投入部と、前記投入部に投入された前記半導体基板を取
り込んで、該半導体基板の洗浄を行う半導体基板処理部
と、前記投入部に相反する面に設けられ、前記半導体基
板処理部から排出された前記半導体基板を保持する、前
記第２清浄度と異なる第３清浄度の半導体基板搬送ボッ
クスが払い出される払出部とを有する洗浄装置と、前記
洗浄装置の前記払出部に相対する面に設けられ、前記洗
浄装置で洗浄された前記半導体基板を保持した第３清浄
度の前記半導体基板搬送ボックスが投入される投入部
と、前記投入部に投入された前記半導体基板を取り込ん
で、該半導体基板への成膜処理を行う半導体基板処理部
とを有する成膜装置とを具備することを特徴としてい
る。
【００３９】上記構成を有する半導体製造装置及び半導
体装置の製造システムであると、投入部と払出部とを異
なる面に設けた半導体製造装置を用いることによって、
クリーンルーム内における搬送ボックスの流れを一定に
出来る。更に各半導体製造装置間は、同一の清浄度の搬
送ボックスのみが往来する。よって、搬送ボックスの搬
送管理及びクリーンルーム内の清浄度管理を簡略化、効
率化出来る。
【００４０】また、上記のような半導体装置の製造シス
テムであると、各工程間で必要な清浄度毎に搬送ボック
スの清浄度を用いることが出来ると共に、各清浄度の搬
送ボックスが用いられるエリアが限定されているため、
各搬送ボックスを清浄度毎に管理でき、搬送ボックスの
搬送管理及びクリーンルーム内の清浄度管理が簡易であ
る。すなわち、各清浄度の搬送ボックスがそのエリア外
へ搬送されることは基本的には無いため、専用の搬送ボ
ックスでの運用が可能である。更に、搬送ボックスの搬
送距離を短くできると共に、搬送経路を単純化すること
が出来る。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を図面
を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、
共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００４２】この発明の第１の実施形態に係る半導体製
造装置及び半導体装置の製造システムについて図１、図
２を用いて説明する。図１は半導体製造工程のフローチ
ャート、図２は半導体製造装置の設置レイアウトであ
る。
【００４３】まず、図１を参照して、半導体装置の製造
工程の典型的な流れについて説明する。
【００４４】半導体製造工程は、半導体製造ラインに半
導体基板を投入し、製造が終了するまでに種々の半導体
製造装置にて処理される。そしてその工程は、洗浄工程
（ステップＳ１０）→成膜工程(熱処理、ＣＶＤ（Chemi
cal Vapor Deposition）等：ステップＳ１１)→リソグ
ラフィ工程（ステップＳ１２）→加工工程（ドライエッ
チング、ウェットエッチング等）またはイオン注入工程
（ステップＳ１３）→洗浄工程(レジスト剥離：ステッ
プＳ１０)→…の繰り返しが基本である。場合によって
は成膜処理後にＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishin
g）工程（ステップＳ１４）を行う。
【００４５】図２は上記半導体製造工程の流れを鑑みて
為された、本実施形態に係るクリーンルーム内における
半導体製造装置の配置レイアウトである。本レイアウト
では、ユーティリティエリアやワーキングエリアという
概念を排除している。従来のクリーンルームは、半導体
基板の汚染を防止するため、クリーンルーム全体の清浄
度を上げるという考え方に立つものであった。しかし、
搬送ボックスから半導体基板を自動で取り出す半導体製
造装置の登場によって、半導体基板を搬送ボックスから
外気に晒すことなく半導体製造装置間の半導体基板の授
受を行うことが出来るようになった。そのため、搬送ボ
ックス内の清浄度を上げることにより、この搬送ボック
ス内で半導体基板の清浄度を維持することが可能となっ
てきている。これによれば、半導体基板が半導体製造装
置の内部で処理されるとき以外は、常に搬送ボックス内
で清浄度が保たれる。その結果、ワーキングエリアとい
う特に高清浄度な空間が不必要となる。本実施形態は、
このようにワーキングエリアやユーティリティエリアを
廃し、クリーンルーム全体としての清浄度を落としつ
つ、搬送ボックスにより半導体基板の清浄度を維持する
との考え方に立つものである。
【００４６】図示するようにクリーンルーム１０内に
は、洗浄・レジスト剥離工程Ｓ１０を行う洗浄・レジス
ト剥離装置１１、成膜工程Ｓ１１を行う熱処理・ＣＶＤ
装置１２、リソグラフィ工程Ｓ１２を行うリソグラフィ
装置１３、加工・イオン注入工程Ｓ１３を行うＲＩＥ
（Reactive Ion Etching）・イオン注入装置１３が、四
角形の各角に存在するようなレイアウトで配置されてい
る。また、ＣＭＰ工程Ｓ１４を行うＣＭＰ装置１５が、
その四角形の内部に位置するようにして配置されてい
る。すなわち、ワーキングエリアやユーティリティエリ
アを廃したことにより、図１に示すフローチャートの流
れと同様に各半導体製造装置が配置することが出来る。
【００４７】上記のように各半導体製造装置を配置する
ことによって、各半導体製造装置の半導体基板払出部は
次の工程が行われる半導体製造装置の半導体基板投入部
に対面するようにして設けられる。換言すれば、半導体
基板投入部は前の工程が行われた半導体製造装置の払出
部に対面するようにして設けられる。
【００４８】すなわち、図２に示すように、洗浄・レジ
スト剥離装置１１の投入部１１−１はＲＩＥ・イオン注
入装置１４の払出部１４−２に対面する面に設けられ、
払出部１１−２は、熱処理・ＣＶＤ装置１２の投入部１
２−１に対面する面に設けられる。以下、リソグラフィ
装置１３、ＲＩＥ・イオン注入装置１４、及びＣＭＰ装
置も同様である。
【００４９】その結果、各半導体製造装置の半導体基板
投入部及び払出部は、当該半導体装置の異なる面に設け
られる。そして、半導体基板を格納した搬送ボックスの
流れは、図中の実線矢印で示すように右回り一定とな
り、空ボックスの流れは、図中の破線矢印で示すように
左回り一定となる。
【００５０】上記実施形態によれば、クリーンルーム内
におけるワーキングエリア及びユーティリティエリアと
いう区分けを無くし、半導体基板の清浄度を搬送ボック
ス内で維持している。そのため、従来のように半導体製
造装置をユーティリティエリア内に横並びに配置する必
要が無く、半導体製造装置の設置レイアウトの自由度が
格段に高まる。
【００５１】この設置レイアウトの自由度が高まったこ
とで、図２に示すように、各半導体製造装置を半導体製
造工程の流れに沿って配置することが出来る。このよう
なレイアウトに従って各半導体製造装置を配置し、半導
体基板の搬送経路を最適化しようとした場合、各半導体
製造装置に設けられる半導体基板投入部及び払出部は、
各々半導体製造装置の異なる面に設けることが好ましい
こととなる。そして、搬送ボックスの流れは図２の例で
は右回り一定、空ボックスの流れは左回り一定であった
ように、搬送ボックスの流れが常に一定に定まる。その
ため、搬送ボックスの搬送管理を簡略化、効率化出来
る。
【００５２】上記第１の実施形態は半導体製造工程の最
も簡単な系に本発明を応用したものである。しかし実際
の半導体製造工場は、更に多くの半導体製造装置によっ
て運用されるのが一般的である。以下ではそのような場
合についての実施形態を説明する。
【００５３】この発明の第２の実施形態に係る半導体製
造装置及び半導体装置の製造システムについて図３を用
いて説明する。図３は半導体製造装置の設置レイアウト
である。本設計レイアウトは、基本的には上記第１の実
施形態同様、図１のフローチャートに従って、半導体基
板が右回り方向一定で搬送されるように設計したもので
ある。
【００５４】図示するように、同一面に半導体基板投入
部１３−１、払出部１３−２が設けられたリソグラフィ
装置１３、１３と、リソグラフィ装置１３に対する面に
半導体基板投入部１４−１、１４’−１が設けられ、投
入部とは反対の面に払出部１４−２、１４’−２が設け
られたドライエッチング装置１４、イオン注入装置１
４’と、ドライエッチング装置１４、イオン注入装置１
４’に対する面に半導体基板投入部１１−１が設けら
れ、投入部とは反対の面に払出部１１−２が設けられた
洗浄装置１１、１１と、洗浄装置１１に対する同一面に
半導体基板投入部１２−１、払出部１２−２が設けられ
た酸化・拡散装置１２、ＣＶＤ装置１２’とが配置され
ている。
【００５５】次に、上記レイアウトにおける半導体基板
の流れについて図３を参照して説明する。図３におい
て、実線矢印が半導体基板を格納した搬送ボックスの流
れであり、空ボックスの流れはその逆である。
【００５６】まず、クリーンルーム１０に投入された半
導体基板は、リソグラフィ装置１３、１３（第１半導体
製造処理段）でリソグラフィ工程が行われる。この時、
半導体基板上にはレジストが塗布されている。
【００５７】次に、半導体基板はドライエッチング装置
１４へ搬送ボックス（レジスト付き搬送ボックス）に格
納されて搬送され、上記レジストをマスクにして、エッ
チング工程が行われる。または、イオン注入装置１４’
へ搬送され、イオン注入工程が行われる（ドライエッチ
ング装置１４、イオン注入装置１４’：第２半導体製造
処理段）。
【００５８】上記エッチング工程またはイオン注入工程
により、レジスト残渣、ドライエッチング時の反応生成
ガス、またはイオン注入ガスで汚染された半導体基板
は、次に洗浄装置１１、１１（第２半導体製造処理段）
へ別の搬送ボックス（低清浄度搬送ボックス）に格納さ
れて搬送され、洗浄される。
【００５９】そして、洗浄後の半導体基板は再び別の搬
送ボックス（高清浄度搬送ボックス）により、酸化・拡
散装置１２、またはＣＶＤ装置１２’へ搬送され、酸化
・拡散工程、またはＣＶＤ工程が行われる（酸化・拡散
装置１２、ＣＶＤ装置：第３半導体製造処理段）。
【００６０】このように、半導体基板を格納した搬送ボ
ックスは右回り一定であり、空ボックスはその逆の左回
り一定で運用される。
【００６１】上記クリーンルームの運用を搬送ボックス
の清浄度毎に着目すると、レジストのみが付いた搬送ボ
ックスは、リソグラフィ装置１２と、ドライエッチング
装置１４及びイオン注入装置１４’との間のみを往来す
る。また、低清浄度搬送ボックスは、ドライエッチング
装置１４及びイオン注入装置１４’と、洗浄装置１１と
の間のみを往来する。そして最も高い清浄度の高清浄度
搬送ボックスは、基本的に洗浄装置１１と、酸化・拡散
装置１２及びＣＶＤ装置１２’との間のみを往来する。
但し、酸化・拡散装置１２及びＣＶＤ装置１２’で処理
された半導体基板は、次の処理が行われる装置（本図で
はリソグラフィ装置１２）まで高清浄度搬送ボックスに
よって搬送される。
【００６２】すなわち、各清浄度毎の搬送ボックスが搬
送される領域は限定される。
【００６３】上記のような半導体製造装置のレイアウト
をクリーンルームに適用すれば、図４のようになる。図
４はクリーンルーム内の半導体製造装置レイアウトであ
り、搬送ボックスの流れについてのみ着目して単純化し
た図である。
【００６４】図示するように、クリーンルーム内におい
てレジスト付搬送ボックスが搬送されるエリアと、低清
浄度搬送ボックスが搬送されるエリアと、高清浄度搬送
ボックスが搬送されるエリアとは、完全に分離されてい
る。そして、各半導体製造装置間の搬送距離が、従来に
比べて大幅に短縮されていることが分かる。
【００６５】上記のように半導体基板投入部と払出部と
を同一面ではなく、互いに相反する面に設けた半導体製
造装置を用いたクリーンルームによれば、半導体基板を
格納した搬送ボックス及び空ボックスの流れが一定とな
る。そのため搬送ボックスの搬送管理が簡略化出来る。
また、搬送ボックスの搬送距離を短くできると共に、搬
送経路を単純化することが出来る。
【００６６】更に、各清浄度が要求される搬送ボックス
が搬送される領域を各々限定出来る。従って、各工程間
で必要な清浄度毎に専用の搬送ボックスの清浄度を用い
ることが出来る。すなわち、各清浄度の搬送ボックスが
そのエリア外へ搬送されることは基本的には無いため、
例えば、レジスト付き半導体基板を搬送する搬送ボック
スには、レジストに悪影響を与えるようなアミン（amin
e）を除去するような、ボックス内環境制御が可能な搬
送ボックスを使用することが可能となる。このように、
各搬送ボックスを清浄度毎に管理できるため、半導体基
板の清浄度を最良に保つことが出来ると共に、搬送ボッ
クスの搬送管理及びクリーンルーム内の清浄度管理が簡
易である。
【００６７】なお本実施形態では、半導体製造工程の基
本的な流れとして、図１に示すように洗浄工程、成膜工
程、リソグラフィ工程、及び加工・イオン注入工程に着
目して説明した。しかし、勿論半導体製造工程は以上の
工程を行う装置のみによって構成されているものではな
く、他に例えばＣＭＰ装置やスパッタ装置等の装置が必
要である。このような装置についても、搬送ボックスの
運用に照らし合わせて、洗浄装置と横並びに位置づける
か、ドライエッチング装置と横並びに位置づけるか、そ
れとも酸化・拡散と横並びに位置づけるか決定できる。
例えばＣＭＰ工程は成膜した半導体基板をポリッシュす
るものであるから、成膜装置の払出部と対を為すように
投入部を設け、払出部は洗浄装置の投入部と対を為す
か、図３に示すように払出部が洗浄装置の投入部と同一
エリアに存し、且つ洗浄装置に横並びに配置するのが望
ましい。
【００６８】次にこの発明の第３の実施形態に係る半導
体製造装置及び半導体装置の製造システムについて図５
を用いて説明する。図５はクリーンルーム内における半
導体製造装置の設置レイアウトであり、搬送ボックスの
流れについてのみ着目して単純化した図である。
【００６９】本実施形態は、第２の実施形態より更に大
規模なクリーンルームの例である。図示するように、本
実施形態では第２の実施形態で説明した図３のレイアウ
トを、リソグラフィ装置１３、並びに酸化・拡散装置１
２及びＣＶＤ装置１２’を対象軸にして背中合わせに３
段に並べたものである。このように配置することによっ
て、非常に多数の半導体製造装置の設置された大規模な
クリーンルームであっても、各清浄度の搬送ボックスが
搬送されるエリアを限定でき、第２の実施形態と同様の
効果を得ることが出来る。
【００７０】次にこの発明の第４の実施形態に係る半導
体装置及び半導体装置の製造システムについて図６を用
いて説明する。図６は半導体製造工程の流れを鑑みて為
された、クリーンルーム内における半導体製造装置の配
置レイアウトである。
【００７１】上記第１乃至第３の実施形態で説明した搬
送ボックスの運用形態であると、半導体製造装置で半導
体基板の処理を行う度に、当該半導体基板を格納する搬
送ボックスが入れ替わる。そのため、搬送ボックスに付
随した管理タグを、半導体基板投入部から払出部へ移動
する設備が必要となる。本実施形態は、この管理タグの
移動設備を必要としない搬送ボックスの運用を実現する
ものである。
【００７２】まず、クリーンルーム内を搬送される搬送
ボックスの各々に例えば磁気カードを取り付ける。これ
は必ずしも磁気カードである必要はなく、読み書き可能
な記録媒体であれば限定されるものではない。そして、
図６に示すように、半導体識別コードまたは製造工程状
況等の情報を、搬送ボックスに取り付けられた磁気カー
ドに書き込む書き込み装置１１−４〜１４−４を、各半
導体製造装置１１〜１４の半導体基板払出部１１−２〜
１４−２に設ける。また、書き込み装置１１−４〜１４
−４で磁気カードに書き込まれた情報を読み取る読み取
り装置１１−３〜１４−３を、各半導体製造装置１１〜
１４の半導体基板投入部１１−１〜１４−１に設ける。
【００７３】例えば、クリーンルーム内に投入された半
導体基板が、まず初めに洗浄装置１１で洗浄されるとす
る。当該半導体基板を格納する搬送ボックスが洗浄装置
１１の投入部１１−１にセットされると、投入部１１−
１に設けられた読み取り装置１１−３が、搬送ボックス
に付随する磁気カードより、半導体基板識別コード等を
読み出す。洗浄処理が行われた半導体基板を格納する搬
送ボックスは、洗浄装置１１の払出部１１−２から払い
出されるが、この時、払出部１１−２に設けられた書き
込み装置１１−４が、読み取り装置１１−３で読み取っ
た情報、及び洗浄装置１１で行った処理に基づいて、半
導体基板識別コード、次工程への搬送指示、及び処理状
況等の情報を磁気カードに書き込む。
【００７４】この書き込み装置１１−４で書き込まれた
情報に従って、搬送ボックスは次の工程、すなわち熱処
理・ＣＶＤ装置１２へ自動搬送される。そして、熱処理
・ＣＶＤ装置１２の投入部１２−１に投入されると、そ
の投入部１２−１に設けられた読み取り装置１２−３
が、磁気カードに書き込まれた洗浄処理後の情報を読み
出す。この読み出した情報と、当該装置１２で行われた
処理に基づいて、払出部１２−２に設けられた書き込み
装置１２−４が、新たな情報を次の搬送ボックスに付随
する磁気カードに書き込む。以降、リソグラフィ装置１
３、ＲＩＥ・イオン注入装置１４、及びＣＭＰ装置１５
において、同様の処理が行われる。
【００７５】上記のような半導体製造装置を用いること
により、管理タグの移動を必要とせずに、搬送ボックス
の搬送管理を行うことが出来、搬送管理を簡略化出来
る。
【００７６】上記第１乃至第４の実施形態で説明したよ
うに、本発明によれば、半導体基板投入部および払出部
が同一面に存在しない半導体製造装置をクリーンルーム
に配置することにより、半導体基板搬送効率の向上及び
運搬ボックスの運用効率の向上を図ることが出来る。
【００７７】これは、換言すれば次のようになる。すな
わち、搬送ボックスの運用を自動化することにより、ワ
ーキングエリアとユーティリティエリアといった区別が
無くなった為に、半導体製造装置のクリーンルーム内に
おける設置自由度が上がる。そして、各半導体製造装置
間で使用する搬送ボックスの搬送エリアを清浄度毎に区
分けできるように、半導体製造装置を設置することが可
能となる。そのような場合に、搬送ボックスの搬送経路
を最適化しようとすると、結果として、半導体基板投入
部及び払出部の位置が、必ずしも同一面では無い半導体
製造装置を使用することが最適となるのである。よって
本発明は、半導体基板投入部及び払出部が同一面に無い
半導体製造装置を提案するのみではなく、搬送ボックス
の搬送エリアを清浄度毎に区分けできるように半導体製
造装置を設置することをその範疇に含むものである。そ
して、その結果として、クリーンルーム内に設置される
いずれかの半導体製造装置の投入部及び払出部が同一面
では無い、ということを主旨とするものである。
【００７８】従って、半導体製造装置の設置レイアウト
は、上記第１乃至第３の実施形態で説明したものに限定
されるものではなく、各クリーンルームの運用に合わせ
て、搬送ボックスの搬送エリアを清浄度毎に区分けでき
るように配置した全ての場合について、本発明が適用で
きる。
【００７９】例えば、図１に示すような小規模な半導体
製造装置の設置レイアウトの場合、第１の実施形態で
は、半導体基板投入部と払出部とを異なる面に設けた洗
浄・レジスト剥離装置１１、熱処理・ＣＶＤ装置１２、
リソグラフィ装置１３、ＲＩＥ・イオン注入装置１４を
使用している。しかし、これら４つの半導体製造装置と
ＣＭＰ装置とを合わせた５つの半導体製造装置で完結す
るような系の場合には、図７に示すように、ＣＭＰ装置
１５についてのみ、半導体基板投入部１５−１と払出部
１５−２とを異なる面に設ければ足りる。
【００８０】上記のように、本発明によれば、半導体製
造工程またはクリーンルーム内の半導体基板搬送効率を
考慮して、半導体製造装置の設置位置、及び半導体製造
装置の半導体基板投入部・払出部の位置が決定してい
る。その結果、半導体基板を保持する半導体基板搬送ボ
ックスの流れが一方向に決まるため、搬送工程が単純化
且つ搬送距離が最適化される。また、搬送ボックス及び
半導体基板カセットが、清浄度に応じて独立に運用出来
るので、搬送ボックスの運用管理及びクリーンルーム内
の清浄度管理が容易となる。更に、搬送ボックスに読み
書き可能な記録媒体を付随させ、各半導体製造装置での
処理の度に、当該半導体基板に関する情報の読み書きを
行うことで、管理タグの移動を行わずに済ませることが
できる。
【００８１】なお、本願発明は上記実施形態に限定され
るものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範
囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施
形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される
複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の
発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構
成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が
解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発
明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合に
は、この構成要件が削除された構成が発明として抽出さ
れうる。
【００８２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、半導体基板の清浄度を維持しつつ、半導体基板の搬
送を簡略化出来る半導体製造装置及び半導体装置の製造
システムを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施形態に係るクリーンルー
ムについて説明するためのもので、半導体製造工程のフ
ローチャート。
【図２】この発明の第１の実施形態に係る半導体製造装
置の設置レイアウト。
【図３】この発明の第２の実施形態に係る半導体製造装
置の設置レイアウト。
【図４】この発明の第２の実施形態に係るクリーンルー
ム内における半導体製造装置の設置レイアウト。
【図５】この発明の第３の実施形態に係るクリーンルー
ム内における半導体製造装置の設置レイアウト。
【図６】この発明の第４の実施形態に係る半導体製造装
置の設置レイアウト。
【図７】この発明の第１乃至第４の実施形態の変形例に
係る半導体製造装置の設置レイアウト。
【図８】従来のクリーンルーム内における半導体製造装
置の第１の設置レイアウト。
【図９】従来のクリーンルーム内における半導体製造装
置の第２の設置レイアウト。
【符号の説明】
１０、１００…クリーンルーム １１…洗浄・レジスト剥離装置 １２、１２’…熱処理・ＣＶＤ装置 １３…リソグラフィ装置 １４、１４’…ＲＩＥ・イオン注入装置 １５…ＣＭＰ装置 １６…スパッタ装置 １１−１、１２−１、１３−１、１４−１、１５−１、
１６−１…半導体基板投入部 １１−２、１２−２、１３−２、１４−２、１５−２、
１６−２…半導体基板払出部 １１−３、１２−３、１３−３、１４−３、１５−３…
読み出し装置 １１−４、１２−４、１３−４、１４−４、１５−４…
書き込み装置 １１０−１〜１１０−１４…半導体製造装置 １２０、１２０−１〜１２０−４…ユーティリティエリ
ア １３０、１３０−１〜１３０−３…ワーキングエリア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｚ 21/30 ５０２Ｊ 21/302 Ｂ Ｆターム(参考） 5F004 AA13 BC06 5F031 CA02 EA16 FA01 FA03 JA49 MA23 NA02 PA03 5F045 EN01 EN05 5F046 AA17 CD01 CD05 CD06 JA22 LA11 LA18 LB09

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板を保持した半導体基板搬送ボ
    ックスが投入される投入部と、 前記投入部に投入された前記半導体基板を取り込んで、
    該半導体基板の処理を行う半導体基板処理部と、 前記投入部とは異なる面に配置され、前記半導体基板処
    理部から排出された前記半導体基板を保持する半導体基
    板搬送ボックスが払い出される払出部とを具備すること
    を特徴とする半導体製造装置。
  2. 【請求項２】 前記投入部に設けられ、該投入部に投入
    された前記半導体基板搬送ボックスが格納する前記半導
    体基板に関する情報を、該半導体基板搬送ボックスに付
    随する記録媒体から読み取る読み取り装置と、 前記払出部に設けられ、前記読み取り装置で読み取った
    前記情報、及び該半導体製造装置で行った処理に関する
    情報を、前記払出部から払い出される半導体基板搬送ボ
    ックスに付随する記録媒体に書き込む書き込み装置とを
    備えることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装
    置。
  3. 【請求項３】 前記半導体基板に関する情報は、該半導
    体基板の識別コード、製造工程状況、または次工程への
    搬送指示情報の少なくともいずれかを含むことを特徴と
    する請求項２記載の半導体製造装置。
  4. 【請求項４】 クリーンルーム内に設置された半導体製
    造装置を複数備えてなる半導体装置の製造システムであ
    って、前記半導体製造装置は、 半導体基板を保持した半導体基板搬送ボックスが投入さ
    れる投入部と、前記投入部に投入された前記半導体基板
    を取り込んで、該半導体基板の処理を行う半導体基板処
    理部と、前記半導体基板処理部から排出された前記半導
    体基板を保持する半導体基板搬送ボックスが払い出され
    る払出部とを具備し、 隣接する各々の前記半導体製造装置における、一方の半
    導体製造装置の前記払出部と、他方の半導体製造装置の
    前記投入部とは互いに対面するようにして設けられ、且
    つ少なくともいずれかの前記半導体製造装置における前
    記払出部と前記投入部とが、互いに該半導体製造装置の
    異なる面に設けられていることを特徴とする半導体装置
    の製造システム。
  5. 【請求項５】 前記半導体製造装置は、前記投入部に設
    けられ、該投入部に投入される前記半導体基板搬送ボッ
    クスが格納する前記半導体基板に関する情報を、該半導
    体基板搬送ボックスに付随する記録媒体から読み取る読
    み取り装置と、 前記払出部に設けられ、前記読み取り装置で読み取った
    前記情報、及び該半導体製造装置で行った処理に関する
    情報を、前記払出部から払い出される半導体基板搬送ボ
    ックスに付随する記録媒体に書き込む書き込み装置とを
    備えることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製
    造システム。
  6. 【請求項６】 前記半導体基板に関する情報は、該半導
    体基板の識別コード、製造工程状況、または次工程への
    搬送指示情報の少なくともいずれかを含むことを特徴と
    する請求項５記載の半導体装置の製造システム。
  7. 【請求項７】 クリーンルーム内に設置された半導体製
    造装置群を備えてなる半導体装置の製造システムであっ
    て、前記半導体製造装置群は、 半導体基板の処理を行う半導体基板処理部と、前記半導
    体基板処理部から排出された前記半導体基板を保持する
    第１清浄度の半導体基板搬送ボックスが払い出される払
    出部とを有する第１半導体製造装置と、 前記第１半導体製造装置の前記払出部に対面するように
    して設けられ、半導体基板を保持した第１半導体基板搬
    送ボックスが投入される投入部と、前記投入部に投入さ
    れた前記半導体基板を取り込んで、該半導体基板の処理
    を行う半導体基板処理部と、前記投入部と異なる面に設
    けられ、前記半導体基板処理部から排出された前記半導
    体基板を保持する、前記第１清浄度と異なる第２清浄度
    の半導体基板搬送ボックスが払い出される払出部とを有
    する第２半導体製造装置と、 前記第２半導体製造装置の前記払出部に対面するように
    して設けられ、半導体基板を保持した第２清浄度の半導
    体基板搬送ボックスが投入される投入部と、前記投入部
    に投入された前記半導体基板を取り込んで、該半導体基
    板の処理を行う半導体基板処理部とを有する第３半導体
    製造装置とを具備し、前記第１、第２半導体製造装置間
    の領域を往来する前記搬送ボックスは、実質的に前記第
    １清浄度の搬送ボックスのみであり、 前記第２、第３半導体製造装置間の領域を往来する前記
    搬送ボックスは、実質的に前記第２清浄度の搬送ボック
    スのみであることを特徴とする半導体装置の製造システ
    ム。
  8. 【請求項８】 クリーンルーム内に設置された半導体製
    造装置群を備えてなる半導体装置の製造システムであっ
    て、前記半導体製造装置群は、 半導体基板の処理を行う半導体基板処理部と、前記半導
    体基板処理部から排出された前記半導体基板を保持す
    る、第１清浄度の半導体基板搬送ボックスが払い出され
    る払出部とを有する第１半導体製造装置が複数並べられ
    た第１半導体製造処理段と、 前記第１半導体製造装置の前記払出部に対面するように
    して設けられ、半導体基板を保持した第１清浄度の半導
    体基板搬送ボックスが投入される投入部と、前記投入部
    に投入された前記半導体基板を取り込んで、該半導体基
    板の処理を行う半導体基板処理部と、前記投入部と異な
    る面に設けられ、前記半導体基板処理部から排出された
    前記半導体基板を保持する、前記第１清浄度と異なる第
    ２清浄度の半導体基板搬送ボックスが払い出される払出
    部とを有する第２半導体製造装置が複数並べられた第２
    半導体製造処理段と、 前記第２半導体製造装置の前記払出部に対面するように
    して設けられ、半導体基板を保持した第２清浄度の半導
    体基板搬送ボックスが投入される投入部と、前記投入部
    に投入された前記半導体基板を取り込んで、該半導体基
    板の処理を行う半導体基板処理部とを有する第３半導体
    製造装置が複数並べられた第３半導体製造処理段とを具
    備し、前記第１、第２半導体製造処理段の間の領域を往
    来する前記半導体基板搬送ボックスは、実質的に前記第
    １清浄度の搬送ボックスのみであり、 前記第２、第３半導体製造処理段の間の領域を往来する
    前記半導体基板搬送ボックスは、実質的に前記第２清浄
    度の搬送ボックスのみであることを特徴とする半導体装
    置の製造システム。
  9. 【請求項９】 前記第２半導体製造装置は、前記第１半
    導体製造装置で処理された前記半導体基板を洗浄する洗
    浄装置であり、 前記第２、第３半導体製造装置間で往来する前記半導体
    基板搬送ボックスの前記第２清浄度は、前記洗浄装置に
    おける洗浄後の該半導体基板表面の清浄度を維持できる
    よう、前記第１、第２半導体製造装置間で往来する前記
    半導体基板搬送ボックスの前記第１清浄度より高いこと
    を特徴とする請求項７または８記載の半導体装置の製造
    システム。
  10. 【請求項１０】 前記第１乃至第３半導体製造装置は、
    前記投入部に設けられ、該投入部に投入される前記半導
    体基板搬送ボックスが格納する前記半導体基板に関する
    情報を、該半導体基板搬送ボックスに付随する記録媒体
    から読み取る読み取り装置と、 前記払出部に設けられ、前記読み取り装置で読み取った
    前記情報、及び該半導体製造装置で行った処理に関する
    情報を、前記払出部から払い出される半導体基板搬送ボ
    ックスに付随する記録媒体に書き込む書き込み装置とを
    備えることを特徴とする請求項７乃至９いずれか１項記
    載の半導体装置の製造システム。
  11. 【請求項１１】 クリーンルーム内に設置された半導体
    製造装置を複数備えてなる半導体装置の製造システムで
    あって、 半導体基板のリソグラフィ工程を行う半導体基板処理部
    と、前記半導体基板処理部から排出された前記半導体基
    板を保持する第１清浄度の半導体基板搬送ボックスが払
    い出される払出部とを有するリソグラフィ装置と、 前記リソグラフィ装置の前記払出部に相対する面に設け
    られ、前記リソグラフィ装置でリソグラフィ工程の行わ
    れた半導体基板を保持した第１清浄度の前記半導体基板
    搬送ボックスが投入される投入部と、前記投入部に投入
    された前記半導体基板を取り込んで、該半導体基板のエ
    ッチング処理またはイオン注入を行う半導体基板処理部
    と、前記投入部に相反する面に設けられ、前記半導体基
    板処理部から排出された前記半導体基板を保持する、前
    記第１清浄度と異なる第２清浄度の半導体基板搬送ボッ
    クスが払い出される払出部とを有するエッチング装置ま
    たはイオン注入装置と、 前記エッチング装置またはイオン注入装置の前記払出部
    に相対する面に設けられ、前記エッチング装置またはイ
    オン注入装置でエッチング処理またはイオン注入の行わ
    れた前記半導体基板を保持した第２清浄度の前記半導体
    基板搬送ボックスが投入される投入部と、前記投入部に
    投入された前記半導体基板を取り込んで、該半導体基板
    の洗浄を行う半導体基板処理部と、前記投入部に相反す
    る面に設けられ、前記半導体基板処理部から排出された
    前記半導体基板を保持する、前記第２清浄度と異なる第
    ３清浄度の半導体基板搬送ボックスが払い出される払出
    部とを有する洗浄装置と、 前記洗浄装置の前記払出部に相対する面に設けられ、前
    記洗浄装置で洗浄された前記半導体基板を保持した第３
    清浄度の前記半導体基板搬送ボックスが投入される投入
    部と、前記投入部に投入された前記半導体基板を取り込
    んで、該半導体基板への成膜処理を行う半導体基板処理
    部とを有する成膜装置とを具備することを特徴とする半
    導体装置の製造システム。
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