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JP2002280293A - Exposure method, original plate for exposure, and substrate - Google Patents

Exposure method, original plate for exposure, and substrate

Info

Publication number
JP2002280293A
JP2002280293A JP2001082729A JP2001082729A JP2002280293A JP 2002280293 A JP2002280293 A JP 2002280293A JP 2001082729 A JP2001082729 A JP 2001082729A JP 2001082729 A JP2001082729 A JP 2001082729A JP 2002280293 A JP2002280293 A JP 2002280293A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
region
pattern
original plate
original
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001082729A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toru Miyauchi
徹 宮内
Yoji Shibata
洋司 柴田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu VLSI Ltd, Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu VLSI Ltd
Priority to JP2001082729A priority Critical patent/JP2002280293A/en
Publication of JP2002280293A publication Critical patent/JP2002280293A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】チップ取得数を減少させることなく基板上に複
数のパターンを形成することのできる露光方法、露光用
原板、及び基板を提供する。 【解決手段】第1の原板10は、その露光用の第1領域
12に回路パターン14を形成し、露光用の第2領域1
3に位置合わせパターン15を形成する。第2の原板2
0は、その露光用の第2領域23にモニタリングパター
ン26a〜26dを形成する。第1及び第2の原板1
0,20が準備されたステッパ装置は、先ず第1の原板
10を使用して、該第1の原板10をウェハ上にマトリ
ックス状に露光する。次いで、ステッパ装置は、第2の
原板20を使用して、マトリックス状に露光した第1の
原板10の露光位置に対し1つ置きとなる露光位置に第
2の原板20を露光する。
(57) Abstract: An exposure method, an original plate for exposure, and a substrate capable of forming a plurality of patterns on a substrate without reducing the number of obtained chips. A first original plate (10) has a circuit pattern (14) formed in a first region (12) for exposure, and a second region (1) for exposure.
3, an alignment pattern 15 is formed. 2nd original plate 2
0 forms the monitoring patterns 26a to 26d in the second region 23 for exposure. First and second original plates 1
The stepper apparatus prepared with 0 and 20 first uses the first original plate 10 and exposes the first original plate 10 on a wafer in a matrix. Next, the stepper device uses the second original plate 20 to expose the second original plate 20 to an exposure position that is set every other exposure position of the first original plate 10 exposed in a matrix.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、露光方法、露光用
原板、及び基板に係り、詳しくは複数枚の原板を使用し
て基板上に複数種類のパターンを形成する際に好適な露
光方法、露光用原板、及び基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure method, an original plate for exposure, and a substrate, and more particularly, to an exposure method suitable for forming a plurality of types of patterns on a substrate using a plurality of original plates. The present invention relates to an original plate for exposure and a substrate.

【0002】LSIで代表される半導体装置の製造にお
いては、基礎的なプロセス技術としてフォトリソグラフ
ィが欠かせない。フォトリソグラフィは、半導体、絶縁
膜、導電膜、抵抗膜等の各種被処理体を微細加工する技
術であり、予め被処理体に感光剤(レジスト)を塗布し
た後、加工領域を規定するパターンが形成された露光用
原板(マスク)を使用して露光を行う。この露光処理に
よって非加工領域にのみレジストを残し、当該レジスト
をマスクとして加工領域をエッチングによって選択的に
除去する。このようなフォトリソグラフィでは、ステッ
パ装置を使用して露光用原板に形成されたパターン(マ
スクパターン)をウェハ(基板)表面に繰り返し縮小投
影することが行われる。そして、マスクパターンに基づ
いて複数の回路素子が形成された基板は、各パターンの
周囲に設けられているスクライブ領域をスクライブ(ダ
イシング)して個々のチップに分離する。このようなL
SIの製造において、露光用原板に形成されるマスクパ
ターンには、回路パターンと、プロセスパターンと呼ば
れる特性評価を行うことを目的としたパターンが形成さ
れ、このプロセスパターンは回路パターンと同時に基板
上に形成される。
In the manufacture of semiconductor devices represented by LSI, photolithography is indispensable as a basic process technology. Photolithography is a technology for finely processing various objects to be processed such as semiconductors, insulating films, conductive films, and resistive films. After a photosensitive agent (resist) is applied to the object to be processed in advance, a pattern defining a processing region is formed. Exposure is performed using the formed exposure original plate (mask). By this exposure process, the resist is left only in the non-processed region, and the processed region is selectively removed by etching using the resist as a mask. In such photolithography, a pattern (mask pattern) formed on an exposure original plate is repeatedly reduced and projected onto a wafer (substrate) surface using a stepper device. The substrate on which a plurality of circuit elements are formed based on the mask pattern scribes (dices) a scribe area provided around each pattern to separate the chips into individual chips. Such L
In the manufacture of SI, a mask pattern formed on an original plate for exposure is formed with a circuit pattern and a pattern for the purpose of performing characteristic evaluation called a process pattern, and this process pattern is formed on a substrate at the same time as the circuit pattern. It is formed.

【0003】[0003]

【従来の技術】通常、プロセスパターンは、特性評価を
行うことを目的として形成するモニタリングパターン、
及び位置合わせを行うことを目的として形成する位置合
わせパターンとを含む。
2. Description of the Related Art Generally, a process pattern is a monitoring pattern formed for the purpose of evaluating characteristics,
And an alignment pattern formed for the purpose of performing alignment.

【0004】位置合わせパターンは、露光を行う際に、
当該露光する原板に形成されているマスクパターンと基
板(ウェハ)上にすでに形成されているパターン(下地
パターン)との位置合わせを行うために形成される。つ
まり、ステッパ装置を使用してマスクパターンをウェハ
に転写する場合、2度目以降の露光では、当該露光すべ
きパターンを下地パターンと精密に位置合わせする必要
がある。このような位置合わせパターンの形状は、露光
を行うにあたって使用するステッパ装置の機種によって
異なる。
[0004] When the exposure is performed,
It is formed in order to align a mask pattern formed on the original plate to be exposed with a pattern (base pattern) already formed on a substrate (wafer). That is, when a mask pattern is transferred to a wafer using a stepper device, in the second and subsequent exposures, it is necessary to precisely align the pattern to be exposed with the underlying pattern. The shape of such an alignment pattern differs depending on the model of the stepper device used in performing the exposure.

【0005】半導体装置の製造ラインには、安定稼働等
の目的から、複数のメーカのステッパ装置が設けられて
いる。このため、原板に各ステッパ装置の位置合わせパ
ターンを形成することが求められている。これは、半導
体装置の原板を複数のステッパ装置にて共通に利用する
ことで、原板を作成するコストの削減及び作成時間の短
縮を図るためである。
[0005] In a semiconductor device manufacturing line, stepper devices of a plurality of manufacturers are provided for the purpose of stable operation and the like. Therefore, it is required to form an alignment pattern for each stepper device on the original plate. This is because the original plate of the semiconductor device is commonly used by a plurality of stepper devices, so that the cost for producing the original plate and the production time can be reduced.

【0006】モニタリングパターンは、プロセス状況を
確認するプロセスモニタリングパターンと、回路パター
ンに基づいて形成される複数の回路素子の電気的特性を
確認する電気的特性モニタリングパターンとに大別され
る。プロセスモニタリングパターンは、CMP(Chemica
l Mechanical Polishing) 等を始めとする様々なプロセ
ス手法により作成されるチップ状態を1工程毎に確認す
るパターンであり、このパターンは使用するプロセス手
法に応じて作成される。
[0006] The monitoring patterns are roughly classified into a process monitoring pattern for confirming a process situation and an electric characteristic monitoring pattern for confirming electric characteristics of a plurality of circuit elements formed based on the circuit pattern. The process monitoring pattern is based on CMP (Chemica
This is a pattern for checking the state of a chip for each process, which is created by various process methods such as l mechanical polishing, etc., and this pattern is created according to the process method used.

【0007】電気的特性モニタリングパターンは、チッ
プの出来上がり状態(ウェハを切断する前の状態)にお
ける電気的特性を確認するパターンである。このような
電気的特性の確認は、チップ本体を確認することによる
コスト増加を抑止するため、当該チップに形成される回
路パターンを簡略したものを別途作成し、その簡略回路
の電気的特性をモニタリングするのが一般的である。従
って、電気的特性モニタリングパターンがプロセスパタ
ーンに占める割合は大きくなる。
The electrical characteristic monitoring pattern is a pattern for confirming electrical characteristics in a completed state of a chip (a state before cutting a wafer). In order to suppress the increase in cost due to the confirmation of the chip body, a simplified circuit pattern formed on the chip is separately created and the electrical characteristics of the simplified circuit are monitored. It is common to do. Therefore, the ratio of the electrical characteristic monitoring pattern to the process pattern increases.

【0008】これら様々なプロセスパターンを回路パタ
ーンとともにチップ領域内に形成することは、チップの
面積を増大させ、ウェハ1枚当たりのチップ取得数を減
少させることにつながる。従って、このようなプロセス
パターンはスクライブ領域内に形成される。
Forming these various process patterns together with the circuit patterns in the chip area leads to an increase in the chip area and a reduction in the number of chips obtained per wafer. Therefore, such a process pattern is formed in the scribe region.

【0009】従来、このような露光工程においては、同
一の露光用原板に回路パターン及び複数のプロセスパタ
ーンを含む所望のマスクパターンを形成する。しかしな
がら、スクライブ領域は、前述したようにウェハ1枚当
たりのチップ取得数を減少させないため可能な限り狭く
設けられる。
Conventionally, in such an exposure step, a desired mask pattern including a circuit pattern and a plurality of process patterns is formed on the same exposure original plate. However, the scribe region is provided as narrow as possible in order not to reduce the number of chips obtained per wafer as described above.

【0010】このため、スクライブ領域内に形成できる
プロセスパターンの種類は制限され、このように限られ
たスクライブ領域内には、所望とする位置合わせパター
ン及びモニタリングパターン(プロセスモニタリングパ
ターン、電気的特性モニタリングパターン)を全て形成
することはできない。
For this reason, the types of process patterns that can be formed in the scribe area are limited, and in such a limited scribe area, desired alignment patterns and monitoring patterns (process monitoring patterns, electrical characteristic monitoring) Pattern) cannot be formed.

【0011】この結果、1枚の原板に複数種類の位置合
わせパターンを形成することができないため、作成され
た1枚の原板に対しては、1種類のステッパ装置にのみ
対応可能であった。従って、複数のステッパ装置を製造
ラインに備えている場合、それに応じた露光用原板を作
成する必要があり、コスト増加につながっていた。ま
た、チップ領域内の回路パターンとともにその周囲のス
クライブ領域内にプロセスパターンを形成した同一の露
光用原板を使用して繰り返し転写を行った場合、隣接す
るチップ間におけるスクライブ領域内では多重露光とな
る。従って、チップ領域の周囲(4辺)において、スク
ライブ領域内のどの位置にプロセスパターンを形成する
かを考慮する必要があり、これによって同様にプロセス
パターンの種類が制限されていた。
As a result, since a plurality of types of alignment patterns cannot be formed on one original plate, only one type of stepper device can be used for one prepared original plate. Therefore, when a plurality of stepper devices are provided on a production line, it is necessary to prepare an exposure original plate corresponding to the stepper devices, which has led to an increase in cost. In addition, when the same transfer original is used in which a process pattern is formed in the surrounding scribe area together with the circuit pattern in the chip area, and the same transfer is repeatedly performed, multiple exposure is performed in the scribe area between adjacent chips. . Therefore, it is necessary to consider where in the scribe area the process pattern is to be formed around the chip area (four sides), thereby similarly limiting the type of the process pattern.

【0012】以上のような理由により、プロセスパター
ンの種類を増加させるには、該プロセスパターンの一部
を結果としてチップ領域内にも形成せざるを得ず、その
ためウェハ1枚当たりのチップ取得数が減少することに
なる。
For the above reasons, in order to increase the number of types of process patterns, a part of the process patterns must be formed in the chip region as a result. Will decrease.

【0013】そこで、上記のような不具合を解決すべ
く、遮蔽ブレードを使用してプロセスパターンの種類を
増加させることが提案されている。この構成では、同一
の露光用原板を使用し、ウェハの任意の位置でスクライ
ブ領域内に形成される複数種類のプロセスパターンの中
から不要なパターンを遮蔽ブレードにより遮蔽してパタ
ーンを任意に選択することで、多重露光させることなく
該プロセスパターンの種類を増加させる。
Therefore, in order to solve the above-mentioned problems, it has been proposed to increase the kinds of process patterns by using a shielding blade. In this configuration, the same exposure original plate is used, and an unnecessary pattern is shielded by a shielding blade from a plurality of types of process patterns formed in the scribe area at an arbitrary position on the wafer, and the pattern is arbitrarily selected. Thus, the type of the process pattern can be increased without performing multiple exposure.

【0014】このように遮蔽ブレードにより同一の露光
用原板を使用し、パターンを作り分けることによって、
チップ領域内にプロセスパターンを形成することなく、
そのパターンの種類を増加させることが可能である。ま
た、同一の露光用原板を使用することで、コストアップ
を抑止するとともに露光時間の短縮を図ることができ
る。
As described above, by using the same original exposure plate with the shielding blade and separately forming patterns,
Without forming a process pattern in the chip area,
It is possible to increase the types of the patterns. Also, by using the same exposure original plate, it is possible to suppress an increase in cost and to shorten the exposure time.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】ところで、遮蔽ブレー
ドを用いて不要なプロセスパターンを遮蔽する際には、
遮光帯によるマージンがスクライブ領域内に形成される
プロセスパターンの周囲に約1mm程度以上必要とな
る。即ち、プロセスパターンを形成した領域と回路パタ
ーンを形成した領域とを遮光に必要なマージンだけ離間
させる必要がある。
By the way, when shielding an unnecessary process pattern using a shielding blade,
A margin due to the light-shielding band needs to be about 1 mm or more around the process pattern formed in the scribe area. That is, it is necessary to separate the region where the process pattern is formed from the region where the circuit pattern is formed by a margin required for light shielding.

【0016】このため、遮光帯によるマージンを考慮す
ると、スクライブ領域内に形成可能となるプロセスパタ
ーンの種類は実際には制限されていた。つまり、このよ
うな場合には、結果として遮蔽ブレードを使用せず、ス
クライブ領域内に多くのパターン形状を形成した方が実
用的となっていた。従って、遮蔽ブレードを用いて選択
的にパターンを形成する方法では、プロセスパターンの
種類を増加させることは困難であり、上記したような従
来の技術が抱える様々な問題を解決することができなか
った。
For this reason, in consideration of the margin due to the light-shielding band, the types of process patterns that can be formed in the scribe area are actually limited. That is, in such a case, as a result, it is more practical to form many pattern shapes in the scribe region without using the shielding blade. Therefore, in the method of selectively forming a pattern using a shielding blade, it is difficult to increase the types of process patterns, and it was not possible to solve the various problems of the conventional technique as described above. .

【0017】本発明は、上記問題点を解消するためにな
されたものであって、その目的は、チップ取得数を減少
させることなく基板上に複数のパターンを形成すること
のできる露光方法、露光用原板、及び基板を提供するこ
とにある。
An object of the present invention is to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an exposure method and an exposure method capable of forming a plurality of patterns on a substrate without reducing the number of obtained chips. An object of the present invention is to provide an original plate and a substrate.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載の発明によれば、基板は、第1領域
に回路パターンが形成され、第2領域に少なくとも位置
合わせパターンが形成された原板と、第2領域にモニタ
リングパターンが形成された少なくとも1枚の原板を使
用して露光される。
According to the first aspect of the present invention, a circuit pattern is formed in a first region and at least an alignment pattern is formed in a second region. Exposure is performed using the master plate thus formed and at least one master plate having a monitoring pattern formed in the second region.

【0019】請求項2に記載の発明によれば、第1工程
で、基板は、第1領域に回路パターンが形成され、第2
領域に少なくとも位置合わせパターンが形成された第1
の原板がマトリックス状に露光される。次いで第2工程
で、基板は、第2領域にモニタリングパターンが形成さ
れた原板がその露光位置を隣接させないようにして露光
される。これら第1及び第2工程は、基板を露光する1
回の露光工程に含まれる。
According to the second aspect of the present invention, in the first step, the circuit pattern is formed in the first region of the substrate,
A first region in which at least an alignment pattern is formed in the region
Are exposed in a matrix. Next, in a second step, the substrate is exposed such that the original plate on which the monitoring pattern is formed in the second region is not adjacent to the exposure position. These first and second steps are performed by exposing the substrate 1
Times of exposure process.

【0020】請求項3に記載の発明によれば、請求項2
に記載の発明の作用に加えて、第2領域にモニタリング
パターンが形成された原板は、第1の原板の露光位置に
対し1つ置きに露光される。そして、基板上のチップ領
域を囲むスクライブ領域の4辺すべてにモニタリングパ
ターンが配置される。
According to the invention of claim 3, according to claim 2,
In addition to the operation of the invention described in the above, the original plate on which the monitoring pattern is formed in the second region is exposed every other exposure position of the first original plate. Then, the monitoring patterns are arranged on all four sides of the scribe area surrounding the chip area on the substrate.

【0021】請求項4に記載の発明によれば、基板を露
光する露光用原板は、その第2領域に形成するパターン
が複数枚の原板に分割配置され構成される。。請求項5
に記載の発明によれば、基板のスクライブ領域のパター
ンは、予め準備される複数枚の原板のうち少なくとも2
枚の原板に配置されたパターンから形成される。
According to the fourth aspect of the present invention, the exposure original plate for exposing the substrate has a pattern formed in the second area divided into a plurality of original plates. . Claim 5
According to the invention described in (1), the pattern of the scribe area of the substrate is at least 2 out of a plurality of original plates prepared in advance.
It is formed from patterns arranged on one original plate.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】(第一実施形態)以下、本発明を
具体化した第一実施形態を図1〜図5に従って説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0023】図1は、半導体基板の概略平面図を示す。
半導体基板1(以下、ウェハ)は、例えばシリコン単結
晶基板であり、このウェハ1上には、マトリックス状に
複数のチップ領域2が形成され、各チップ領域2には同
一形状のパターンが形成されている。各チップ領域2の
周囲はスクライブ領域3であり、ウェハ1は、図1に一
点鎖線で示すスクライブ線Lに沿ってスクライブ(ダイ
シング)されることにより個々のチップとして分離され
る。
FIG. 1 is a schematic plan view of a semiconductor substrate.
The semiconductor substrate 1 (hereinafter, referred to as a wafer) is, for example, a silicon single crystal substrate. On the wafer 1, a plurality of chip regions 2 are formed in a matrix, and a pattern of the same shape is formed in each chip region 2. ing. The periphery of each chip area 2 is a scribe area 3, and the wafer 1 is separated as individual chips by scribing (dicing) along a scribe line L indicated by a dashed line in FIG.

【0024】各チップ領域2内には回路パターン4が形
成され、この回路パターン4は、現像、エッチング等が
繰り返し行われた後に不純物がドープされ、これにより
回路パターン4には複数の回路素子が形成される。これ
ら複数の回路素子によって構成される回路パターン4
は、例えばロジック回路、メモリ回路等を含む(図中、
パターン形状は省略)。
In each chip area 2, a circuit pattern 4 is formed. The circuit pattern 4 is doped with impurities after repeated development, etching, etc., so that the circuit pattern 4 includes a plurality of circuit elements. It is formed. Circuit pattern 4 constituted by these plurality of circuit elements
Includes, for example, a logic circuit, a memory circuit, etc.
The pattern shape is omitted).

【0025】スクライブ領域3内にはプロセスパターン
が形成され、このプロセスパターンは、位置合わせパタ
ーン5及びモニタリングパターン6a〜6dを含む(図
中、各パターン形状は省略する)。位置合わせパターン
5は、露光を行うにあたって使用するステッパ装置に対
応可能としたパターン形状に形成される。モニタリング
パターン6a〜6dは、プロセス状況を確認するプロセ
スモニタリングパターン、及びチップの出来上がり状態
において回路パターン4に形成される複数の回路素子の
電気的特性を確認する電気的特性モニタリングパターン
とを含む。
A process pattern is formed in the scribe area 3, and includes a positioning pattern 5 and monitoring patterns 6a to 6d (each pattern shape is omitted in the figure). The alignment pattern 5 is formed in a pattern shape that can be used in a stepper device used for performing exposure. The monitoring patterns 6a to 6d include a process monitoring pattern for confirming a process status and an electrical characteristic monitoring pattern for confirming electrical characteristics of a plurality of circuit elements formed in the circuit pattern 4 in a completed state of a chip.

【0026】これら回路パターン4、位置合わせパター
ン5、及びモニタリングパターン6a〜6dは、それら
の相似形状を持つパターンが形成された複数枚の原板を
ステッパ装置を用いてウェハ1上に縮小投影されて形成
される。尚、本実施形態では、2枚の原板を用いて各パ
ターンが形成されている。
The circuit pattern 4, the alignment pattern 5, and the monitoring patterns 6a to 6d are obtained by reducing and projecting a plurality of original plates on which patterns having similar shapes are formed on the wafer 1 using a stepper device. It is formed. In this embodiment, each pattern is formed using two original plates.

【0027】図2(a)は、第1の原板(レチクル)の
概略平面図を示す。第1の原板10は、露光用の第1領
域12と、該第1領域12の周囲に設けられた露光用の
第2領域13とを有す。第1領域12は、チップ領域2
と相似形状を持ち、該チップ領域2の回路パターン4を
形成する(露光する)ための露光パターンが形成されて
いる。第2領域13は、第1領域12を囲む形状で、即
ち1つのチップ領域2を囲むスクライブ領域3と相似形
状を持ち、該スクライブ領域3の位置合わせパターン5
を形成する(露光する)ための露光パターンが形成され
ている。
FIG. 2A is a schematic plan view of a first original plate (reticle). The first original plate 10 has a first region 12 for exposure and a second region 13 for exposure provided around the first region 12. The first area 12 is a chip area 2
And an exposure pattern for forming (exposing) the circuit pattern 4 of the chip area 2 is formed. The second region 13 has a shape surrounding the first region 12, that is, a shape similar to the scribe region 3 surrounding one chip region 2, and the alignment pattern 5 of the scribe region 3.
An exposure pattern for forming (exposing) is formed.

【0028】つまり、第1の原板10は、その第1領域
12内に露光用の回路パターン14(図中、パターン形
状は省略)が形成され、第2領域13内に露光用の位置
合わせパターン15(図中、パターン形状は省略)が形
成される。この位置合わせパターン15は、露光を行う
際に使用するステッパ装置に応じてパターンの形状が異
なる。このため、位置合わせパターン15は、各ステッ
パ装置に対応可能とするように複数形状の位置合わせパ
ターン(アライメントパターン)を含んで構成されてい
る。
That is, the first original plate 10 has an exposure circuit pattern 14 (the pattern shape is omitted in the drawing) in the first area 12 and an exposure alignment pattern in the second area 13. 15 (the pattern shape is omitted in the figure). The shape of the alignment pattern 15 differs depending on the stepper device used when performing exposure. For this reason, the alignment pattern 15 is configured to include a plurality of alignment patterns (alignment patterns) so as to be compatible with each stepper device.

【0029】第2領域13内において、位置合わせパタ
ーン15が形成される辺と対側の辺には、該位置合わせ
パターン15を配置した位置と対応する位置に遮光領域
16が形成される。これにより、後述する第1の原板1
0による露光の際に、位置合わせパターン15の多重露
光が防止される。尚、遮光領域16は、第2領域13内
において、位置合わせパターン15を配置する位置を除
く全ての領域としてもよい。
In the second area 13, a light-shielding area 16 is formed on a side opposite to the side on which the alignment pattern 15 is formed, at a position corresponding to the position where the alignment pattern 15 is arranged. Thereby, the first original plate 1 described later
At the time of exposure by 0, multiple exposure of the alignment pattern 15 is prevented. The light-shielding region 16 may be all regions in the second region 13 except for the position where the alignment pattern 15 is arranged.

【0030】図2(b)は、第2の原板(レチクル)の
概略平面図を示す。第2の原板20は、同様にして露光
用の第1領域22と露光用の第2領域23とを有し、こ
れら第1領域22及び第2領域23の形状は第1の原板
10のそれと同じである。つまり、第1及び第2の原板
10,20は、同じサイズで形成されている。
FIG. 2B is a schematic plan view of the second original plate (reticle). The second original plate 20 similarly has a first region 22 for exposure and a second region 23 for exposure, and the shapes of the first region 22 and the second region 23 are the same as those of the first original plate 10. Is the same. That is, the first and second original plates 10 and 20 are formed in the same size.

【0031】第2の原板20は、その第1領域22を囲
む第2領域23の4辺に露光用のモニタリングパターン
26a〜26d(図中、パターン形状は省略)が形成さ
れる。これらモニタリングパターン26a〜26dは、
上述したようにプロセスモニタリングパターン及び電気
的特性モニタリングパターン等を含む所望のパターン形
状を含み構成されている。尚、本実施形態では、モニタ
リングパターン26a〜26dは、第2領域23の4辺
にそれぞれ配置したが、少なくともいずれか1辺に配置
するようにしてもよい。
The second original plate 20 has monitoring patterns 26a to 26d for exposure (pattern shapes are omitted in the drawing) on four sides of a second region 23 surrounding the first region 22. These monitoring patterns 26a to 26d are:
As described above, the configuration includes a desired pattern shape including a process monitoring pattern, an electrical characteristic monitoring pattern, and the like. In the present embodiment, the monitoring patterns 26a to 26d are respectively arranged on the four sides of the second area 23, but may be arranged on at least one of the sides.

【0032】このように、本実施形態では1回の露光工
程を行うにあたって、第1及び第2の原板10,20と
からなる2枚の原板を使用してパターンを作り分ける。
このため、第1の原板10には、第2の原板20にモニ
タリングパターン26a〜26dを配置した位置と対応
する位置に遮光領域17a〜17dが形成される。尚、
この遮光領域17a〜17dは、第1の原板10の第2
領域13内において、位置合わせパターン15を配置し
た位置を除く全ての領域としてもよい。
As described above, in the present embodiment, when performing one exposure step, patterns are separately formed using two original plates including the first and second original plates 10 and 20.
For this reason, on the first original plate 10, light shielding regions 17a to 17d are formed at positions corresponding to the positions where the monitoring patterns 26a to 26d are arranged on the second original plate 20. still,
The light-shielding regions 17a to 17d correspond to the second original plate 10
The area 13 may be all areas except the position where the alignment pattern 15 is arranged.

【0033】同様に、第2の原板20には、第1の原板
10に回路パターン14を配置した位置と対応する位
置、即ち第1領域22に遮光領域27が形成されるとと
もに、モニタリングパターン26a〜26dを配置した
位置を除く第2領域23に遮光領域28が形成される。
また、第1の原板10の位置合わせパターン15と第2
の原板20のモニタリングパターン26a〜26dと
は、各露光用の第2領域13,23内の互いに異なる位
置に配置される。これにより、第1及び第2の原板1
0,20による露光の際に、各パターンの多重露光が防
止される。
Similarly, on the second original plate 20, a light-shielding region 27 is formed in a position corresponding to the position where the circuit pattern 14 is arranged on the first original plate 10, that is, in the first region 22, and the monitoring pattern 26a is formed. The light-shielding region 28 is formed in the second region 23 except for the positions where the positions 26 to 26d are arranged.
Further, the alignment pattern 15 of the first original plate 10 and the second
The monitoring patterns 26a to 26d of the original plate 20 are arranged at different positions in the second regions 13 and 23 for exposure. Thereby, the first and second original plates 1
At the time of exposure by 0 and 20, multiple exposure of each pattern is prevented.

【0034】次に、第1及び第2の原板による基板の製
造方法について説明する。先ず、上記のような構成によ
る第1及び第2の原板10,20を準備し、これら第1
及び第2の原板10,20をステッパ装置にセットす
る。これにより、ステッパ装置は、1回の露光工程にお
いて、第1の原板10と第2の原板20をこの順番に使
用して露光を行う。
Next, a method of manufacturing a substrate using the first and second original plates will be described. First, the first and second original plates 10 and 20 having the above configuration are prepared, and the first and second original plates 10 and 20 are prepared.
Then, the second original plates 10 and 20 are set on the stepper device. Thus, the stepper apparatus performs exposure by using the first original plate 10 and the second original plate 20 in this order in one exposure process.

【0035】この際、第1の原板10に配置されている
位置合わせパターン15は、当該第1の原板10に形成
される複数形状の位置合わせパターンの中から該使用す
るステッパ装置に対応したパターンが選択される。従っ
て、ステッパ装置は、第1の原板10に形成されている
回路パターン14を、すでにウェハ1上に形成されてい
るパターン(下地パターン)と精密に位置合わせしてウ
ェハ1上に転写する。
At this time, the alignment pattern 15 arranged on the first original plate 10 is selected from a plurality of alignment patterns formed on the first original plate 10 according to the stepper device to be used. Is selected. Therefore, the stepper device transfers the circuit pattern 14 formed on the first original plate 10 onto the wafer 1 while precisely aligning the circuit pattern 14 with the pattern (base pattern) already formed on the wafer 1.

【0036】先ず、第1の原板10を用いて露光を行う
場合について説明する。ステッパ装置は、第1の原板1
0の位置合わせパターン15に基づいて該第1の原板1
0の回路パターン14とウェハ1の下地パターンとの位
置合わせを行った後、図3(a)に示すようにショット
位置(露光位置)S1を露光する。これにより、ショッ
ト位置S1に第1の原板10の回路パターン14が縮小
投影され、ウェハ1上のチップ領域2には、回路パター
ン4が形成される。このとき、同様にしてスクライブ領
域3(ショット位置S1の左端側)には、第1の原板1
0の位置合わせパターン15が縮小投影されて、位置合
わせパターン5が形成される。
First, the case where exposure is performed using the first original plate 10 will be described. The stepper device includes a first original 1
0 based on the first alignment pattern 15
After the alignment of the circuit pattern 14 of 0 with the underlying pattern of the wafer 1, the shot position (exposure position) S1 is exposed as shown in FIG. As a result, the circuit pattern 14 of the first original plate 10 is reduced and projected on the shot position S1, and the circuit pattern 4 is formed in the chip area 2 on the wafer 1. At this time, the first original 1 is similarly placed in the scribe area 3 (the left end side of the shot position S1).
The alignment pattern 15 of 0 is reduced and projected to form the alignment pattern 5.

【0037】この際、上述したように第1の原板10の
第2領域13には、遮光領域16及び17a〜17cが
形成されている(図2(a)参照)。従って、ショット
位置S1を露光した際、ウェハ1上には、遮光領域16
に対応する領域に未露光領域18が形成され、遮光領域
17a〜17dに対応する領域に未露光領域19a〜1
9dが形成される。
At this time, as described above, the light shielding regions 16 and 17a to 17c are formed in the second region 13 of the first original plate 10 (see FIG. 2A). Therefore, when the shot position S1 is exposed, the light shielding area 16
Are formed in the areas corresponding to the light-shielding areas 17a to 17d.
9d is formed.

【0038】次いで、図3(b)に示すように、ステッ
パ装置は、ショット位置S1からウェハ1をシフト距離
xだけシフトさせてショット位置S2を露光する。ここ
で、シフト距離xは、同図に示すようにショット位置S
1において、スクライブ領域3の左端からチップ領域2
の右端までの距離である。
Next, as shown in FIG. 3B, the stepper device exposes the shot position S2 by shifting the wafer 1 from the shot position S1 by the shift distance x. Here, the shift distance x is, as shown in FIG.
In FIG. 1, the chip area 2 starts from the left end of the scribe area 3.
Is the distance to the right end of the

【0039】つまり、ステッパ装置は、ショット位置S
1の右端側におけるスクライブ領域3と、ショット位置
S2の左端側におけるスクライブ領域3とを重複するよ
うに露光する。この際、ショット位置S1の右端側のス
クライブ領域3に形成されている未露光領域19cと、
当該ショット位置S2の左端側のスクライブ領域3に形
成される未露光領域19aとは同じ領域になる。また、
ショット位置S1の右端側におけるスクライブ領域3に
は、未露光領域18が形成されているため、ショット位
置S2の左端側におけるスクライブ領域3には、位置合
わせパターン5を形成可能である。
That is, the stepper device moves the shot position S
Exposure is performed so that the scribe area 3 on the right end side of the shot area 1 and the scribe area 3 on the left end side of the shot position S2 overlap. At this time, an unexposed area 19c formed in the scribe area 3 on the right end side of the shot position S1,
The unexposed area 19a formed in the scribe area 3 on the left end side of the shot position S2 is the same area. Also,
Since the unexposed area 18 is formed in the scribe area 3 on the right end side of the shot position S1, the alignment pattern 5 can be formed in the scribe area 3 on the left end side of the shot position S2.

【0040】同様にしてステッパ装置は、ショット位置
S2からウェハ1をシフト距離xだけシフトさせてショ
ット位置S3を露光し、次いで、図3(c)に示すよう
にショット位置S3からウェハ1をシフト距離yだけシ
フトさせてショット位置S4を露光する。ここで、シフ
ト距離yは、同図に示すようにショット位置S3におい
て、スクライブ領域3の上端からチップ領域2の下端ま
での距離である。
Similarly, the stepper shifts the wafer 1 from the shot position S2 by the shift distance x to expose the shot position S3, and then shifts the wafer 1 from the shot position S3 as shown in FIG. The shot position S4 is exposed while being shifted by the distance y. Here, the shift distance y is a distance from the upper end of the scribe area 3 to the lower end of the chip area 2 at the shot position S3 as shown in FIG.

【0041】つまり、ステッパ装置は、ショット位置S
3の下端側におけるスクライブ領域3と、ショット位置
S4の上端側におけるスクライブ領域3とを重複するよ
うに露光する。この際、ショット位置S3の下端側のス
クライブ領域3に形成されている未露光領域19dと、
当該ショット位置S4の上端側のスクライブ領域3に形
成される未露光領域19bとは同じ領域になる。
That is, the stepper device moves the shot position S
Exposure is performed so that the scribe area 3 on the lower end of the shot area 3 and the scribe area 3 on the upper end of the shot position S4 overlap. At this time, an unexposed area 19d formed in the scribe area 3 on the lower end side of the shot position S3,
The unexposed area 19b formed in the scribe area 3 on the upper end side of the shot position S4 is the same area.

【0042】以下、同様にしてステッパ装置は、シフト
距離xあるいはシフト距離yだけ順次ウェハ1をシフト
させ、各ショット位置S1〜S9でスクライブ領域3を
重複させるようにして露光する。そして、図3(c)に
示すように、ウェハ1上のショット位置S1〜S9に、
回路パターン4及び位置合わせパターン5がマトリック
ス状に形成される。
Thereafter, similarly, the stepper device sequentially shifts the wafer 1 by the shift distance x or the shift distance y, and performs exposure so that the scribe areas 3 overlap at each of the shot positions S1 to S9. Then, as shown in FIG. 3C, the shot positions S1 to S9 on the wafer 1
The circuit pattern 4 and the alignment pattern 5 are formed in a matrix.

【0043】次に、第2の原板20を用いて露光を行う
場合について説明する。第2の原板20は、ウェハ1上
にマトリックス状に露光された第1の原板10のショッ
ト位置S1〜S9うち隣接しないショット位置に対して
露光される。すなわち、第2の原板20は、第1の原板
10を露光したショット位置S1〜S9に対し、ショッ
ト位置S1,S3,S5,S7,S9の少なくともいず
れか1つのショット位置に露光可能である。
Next, a case where exposure is performed using the second original plate 20 will be described. The second original 20 is exposed to non-adjacent shot positions among the shot positions S1 to S9 of the first original 10 exposed in a matrix on the wafer 1. That is, the second original plate 20 can be exposed to at least one of the shot positions S1, S3, S5, S7, and S9 with respect to the shot positions S1 to S9 where the first original plate 10 has been exposed.

【0044】本実施形態においては、第2の原板20
は、図4に示すようにショット位置S1,S3,S5,
S7,S9に露光される。つまり、第2の原板20は、
ショット位置S1〜S9に対して市松模様(1つ置き)
となるような位置に露光される。このように、第1の原
板10の露光位置に対し、第2の原板20が市松模様と
なるような位置に露光される場合に、スクライブ領域3
内に形成できるモニタリングパターン6a〜6dの種類
が最も多くなる。
In this embodiment, the second original plate 20
Are shot positions S1, S3, S5, as shown in FIG.
Exposure is performed at S7 and S9. That is, the second original plate 20
Checkered pattern for shot positions S1 to S9 (every other)
Exposure is performed at a position such that As described above, when the second original plate 20 is exposed at a position where the first original plate 10 is exposed in a checkered pattern with respect to the exposure position of the first original plate 10, the scribe area 3
The types of the monitoring patterns 6a to 6d that can be formed therein are the most.

【0045】ステッパ装置は、第2の原板20を用いて
ショット位置S1を露光し、これによりショット位置S
1には、第2の原板20のモニタリングパターン26a
〜26dが縮小投影される。従って、ウェハ1上のスク
ライブ領域3には、モニタリングパターン6a〜6dが
形成される。
The stepper device exposes the shot position S1 using the second original plate 20, and thereby exposes the shot position S1.
1 includes a monitoring pattern 26a of the second original plate 20;
To 26d are reduced and projected. Therefore, the monitoring patterns 6a to 6d are formed in the scribe area 3 on the wafer 1.

【0046】この際、上述したように第2の原板20に
は、その第1領域22に遮光領域27が形成されるとと
もに、モニタリングパターン26a〜26dを配置した
位置を除く第2領域23に遮光領域28が形成されてい
る(図2(b)参照)。従って、ステッパ装置は、ショ
ット位置S1を露光した際、遮光領域27,28に対応
する領域を未露光とする。これにより、ウェハ1上にす
でに形成されている回路パターン4及び位置合わせパタ
ーン5が多重露光にならない。
At this time, as described above, the light shielding region 27 is formed in the first region 22 of the second original plate 20, and the light shielding region 27 is formed in the second region 23 except for the positions where the monitoring patterns 26a to 26d are arranged. A region 28 is formed (see FIG. 2B). Therefore, when the stepper device exposes the shot position S1, the regions corresponding to the light shielding regions 27 and 28 are not exposed. As a result, the circuit pattern 4 and the alignment pattern 5 already formed on the wafer 1 are not subjected to multiple exposure.

【0047】以下、同様にしてステッパ装置は、ショッ
ト位置S3,S5,S7,S9を露光する。これによ
り、ウェハ1上の各チップ領域2を囲むスクライブ領域
3にはモニタリングパターン6a〜6dが形成される。
Thereafter, similarly, the stepper device exposes the shot positions S3, S5, S7 and S9. Thereby, monitoring patterns 6a to 6d are formed in the scribe area 3 surrounding each chip area 2 on the wafer 1.

【0048】このように第2の原板20を市松模様(1
つ置き)となる位置に露光することで、図4に示すよう
に1つのチップ領域2を囲むスクライブ領域3の4辺に
配置されるモニタリングパターン6a〜6dは、各チッ
プ領域2の周囲毎でそれぞれ異なる位置(辺)に配置さ
れる。
As described above, the second original plate 20 is put in a checkered pattern (1
The monitoring patterns 6a to 6d arranged on the four sides of the scribe area 3 surrounding one chip area 2 as shown in FIG. They are arranged at different positions (sides).

【0049】以上記述したように、本実施の形態によれ
ば、以下の効果を奏する。 (1)第1の原板10は、その露光用の第1領域12に
回路パターン14を形成し、露光用の第2領域13に位
置合わせパターン15を形成する。第2の原板20は、
その露光用の第2領域23にモニタリングパターン26
a〜26dを形成する。第1及び第2の原板10,20
が準備されたステッパ装置は、先ず第1の原板10を使
用してショット位置S1〜S9を露光する。次いで、ス
テッパ装置は、第2の原板20を使用してショット位置
S1,S3,S5,S7,S9を露光する。つまり、第
2の原板20は、第1の原板10が露光された位置に対
して市松模様(1つ置き)となるような位置に露光され
る。このため、ウェハ1のスクライブ領域3に形成でき
るプロセスパターン(位置合わせパターン5及びモニタ
リングパターン6a〜6d)の面積を大きくすることが
できる。従って、プロセスパターンをチップ領域2内に
形成することなく、該パターンの種類をスクライブ領域
3内に増加させることができるため、チップ面積の増大
を抑止してウェハ1枚当たりのチップ取得数を増加させ
ることができる。
As described above, the present embodiment has the following advantages. (1) In the first original plate 10, a circuit pattern 14 is formed in a first area 12 for exposure, and an alignment pattern 15 is formed in a second area 13 for exposure. The second original plate 20
A monitoring pattern 26 is formed in the second region 23 for exposure.
a to 26d are formed. First and second original plates 10 and 20
The stepper device prepared for the first step first exposes the shot positions S1 to S9 using the first original plate 10. Next, the stepper device exposes the shot positions S1, S3, S5, S7, S9 using the second original plate 20. That is, the second original plate 20 is exposed at a position where a checkered pattern (every other one) is formed with respect to the position where the first original plate 10 is exposed. Therefore, the area of the process pattern (the alignment pattern 5 and the monitoring patterns 6a to 6d) that can be formed in the scribe region 3 of the wafer 1 can be increased. Therefore, the type of the pattern can be increased in the scribe area 3 without forming a process pattern in the chip area 2, thereby suppressing an increase in the chip area and increasing the number of chips obtained per wafer. Can be done.

【0050】(2)第2の原板20は、第1の原板10
により露光されるショット位置S1〜S9に対して市松
模様となるようなショット位置S1,S3,S5,S
7,S9に露光される。この結果、ウェハ1上の各チッ
プ領域2を囲むスクライブ領域3の4辺には、モニタリ
ングパターン6a〜6dが、それぞれ異なる位置(辺)
で配置される。従って、プロセスパターンの種類を増加
させることができる。
(2) The second original plate 20 is used as the first original plate 10
Shot positions S1, S3, S5, S that form a checkered pattern with respect to shot positions S1 to S9 exposed by
7 and S9. As a result, the monitoring patterns 6a to 6d are located at different positions (sides) on the four sides of the scribe area 3 surrounding each chip area 2 on the wafer 1.
It is arranged in. Therefore, the types of process patterns can be increased.

【0051】(3)ウェハ1のスクライブ領域3内に形
成可能となるプロセスパターンの面積を大きくすること
ができる。従って、第1の原板10には、複数種類(形
状)の位置合わせパターン15を形成することができ、
これにより露光を行うにあたって複数のステッパ機種に
対応可能とした原板を提供可能となる。
(3) The area of a process pattern that can be formed in the scribe region 3 of the wafer 1 can be increased. Therefore, a plurality of types (shapes) of alignment patterns 15 can be formed on the first original plate 10,
As a result, it is possible to provide an original plate capable of supporting a plurality of stepper models when performing exposure.

【0052】(4)ウェハ1のスクライブ領域3内に形
成可能となるプロセスパターンの面積を大きくすること
ができる。従って、第2の原板20には、各チップの電
気的特性を測定するための電気的特性モニタリングパタ
ーン(本実施形態においては、モニタリングパターン2
6a〜26dのいずれかに含まれる)の種類(形状)を
増加させることができ、これにより測定精度を向上させ
ることができる。このように電気特性モニタリングの精
度が向上することにより、試験コストの低減化に貢献で
きる。
(4) The area of a process pattern that can be formed in the scribe region 3 of the wafer 1 can be increased. Therefore, the second original plate 20 includes an electrical property monitoring pattern (in the present embodiment, the monitoring pattern 2) for measuring the electrical property of each chip.
6a to 26d) can be increased, whereby the measurement accuracy can be improved. By improving the accuracy of electrical characteristic monitoring in this way, it is possible to contribute to a reduction in test cost.

【0053】(5)第1の原板10には、第2の原板2
0にてモニタリングパターン26a〜26dを配置した
位置に対応して遮光領域17a〜17dが配置される。
このように、第1の原板10に予め遮光領域17a〜1
7dが設けられることにより、多重露光を防止するため
の遮蔽手段を必要としない。従って、遮蔽の際の遮光帯
マージンを設ける必要がないため、プロセスパターンの
種類を増加させることができる。
(5) The first original plate 10 has the second original plate 2
At 0, the light shielding areas 17a to 17d are arranged corresponding to the positions where the monitoring patterns 26a to 26d are arranged.
As described above, the light shielding areas 17a to 17a
By providing 7d, a shielding means for preventing multiple exposure is not required. Therefore, since it is not necessary to provide a light-shielding band margin at the time of shielding, the types of process patterns can be increased.

【0054】(第二実施形態)以下、本発明を具体化し
た第二実施形態を図5〜図6に従って説明する。尚、本
実施形態においては、3枚の原板を使用し、第1の原板
は、上記第一実施形態の第1の原板10(図2(a)参
照)と同様に回路パターン14及び位置合わせパターン
15を形成する。また、第2及び第3の原板は、上記第
一実施形態の第2の原板20(図2(b)参照)に形成
したモニタリングパターン26a〜26dの配置を分割
してそれぞれ形成する。従って、本実施形態において、
第一実施形態と同様な構成については、同一符号を付し
てその詳細な説明を省略する。
(Second Embodiment) Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In this embodiment, three original plates are used, and the first original plate is the same as the first original plate 10 of the first embodiment (see FIG. 2A), and the circuit pattern 14 and the alignment plate are aligned. The pattern 15 is formed. The second and third original plates are formed by dividing the arrangement of the monitoring patterns 26a to 26d formed on the second original plate 20 (see FIG. 2B) of the first embodiment. Therefore, in this embodiment,
The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0055】図5(a)に示すように、第1の原板30
は、上記第1の原板10と同様に露光用の第1領域32
に回路パターン14が形成され、露光用の第2領域33
に位置合わせパターン15が形成される。第2領域33
には、位置合わせパターン15及び後述する第2及び第
3の原板に形成するモニタリングパターン26a〜26
dの多重露光を防止する遮光領域16,17a〜17d
が上記第一実施形態と同様にして形成される。この際、
遮光領域16,17a〜17dは、同様にして位置合わ
せパターン15を配置した位置を除く第2領域33の全
ての領域としてもよい。
As shown in FIG. 5A, the first original plate 30
Is a first region 32 for exposure similar to the first original plate 10.
The circuit pattern 14 is formed in the second region 33 for exposure.
, An alignment pattern 15 is formed. Second area 33
Include monitoring patterns 26a-26 formed on the alignment pattern 15 and second and third original plates described later.
d, light-shielding regions 16, 17a to 17d for preventing multiple exposure
Are formed in the same manner as in the first embodiment. On this occasion,
The light-shielding regions 16 and 17a to 17d may be all regions of the second region 33 except for the position where the alignment pattern 15 is arranged in the same manner.

【0056】図5(b)に示すように、第2の原板40
は、その露光用の第2領域43にモニタリングパターン
26a,26dが1つの角(図では左下角)を挟む2辺
に沿って形成される。また、第2の原板40は、その露
光用の第1領域42に遮光領域44が形成され、モニタ
リングパターン26a,26dを配置した位置を除く第
2領域43に遮光領域45が形成される。
As shown in FIG. 5B, the second original plate 40
The monitoring patterns 26a and 26d are formed in the second region 43 for exposure along two sides sandwiching one corner (lower left corner in the figure). In the second original plate 40, a light-shielding region 44 is formed in a first region 42 for exposure, and a light-shielding region 45 is formed in a second region 43 excluding a position where the monitoring patterns 26a and 26d are arranged.

【0057】図5(c)に示すように、第3の原板50
は、その露光用の第2領域53にモニタリングパターン
26b,26cが、前記第2の原板40の角の対角(右
上角)を挟む2辺に沿って形成される。また、第3の原
板50は、その露光用の第1領域52に遮光領域54が
形成され、モニタリングパターン26b,26cを配置
した位置を除く第2領域53に遮光領域55が形成され
る。
As shown in FIG. 5C, the third original plate 50
The monitoring patterns 26b and 26c are formed in the second region 53 for exposure along two sides sandwiching the diagonal (upper right corner) of the corner of the second original plate 40. In the third original plate 50, a light-shielding region 54 is formed in a first region 52 for exposure, and a light-shielding region 55 is formed in a second region 53 except for a position where the monitoring patterns 26b and 26c are arranged.

【0058】このように、上記第一実施形態の第2の原
板20に形成されるモニタリングパターン26a〜26
dのうち、モニタリングパターン26a,26dは第2
の原板40に形成され、モニタリングパターン26b,
26cは第3の原板50に形成される。
As described above, the monitoring patterns 26a-26 formed on the second original plate 20 of the first embodiment described above.
d, the monitoring patterns 26a and 26d are the second
Of the monitoring pattern 26b,
26c is formed on the third original plate 50.

【0059】尚、本実施形態は、第2及び第3の原板4
0,50に配置するモニタリングパターン26a〜26
dを上記のように分割したが、これらは、第2の原板4
0にモニタリングパターン26a,26bを配置し、第
3の原板50にモニタリングパターン26c,26dを
配置してもよい。つまり、各モニタリングパターン26
a〜26dは、第2及び第3の原板40,50に分割し
て配置され、それらは各露光用の第2領域43,53に
おいて、いずれかの角を挟む2辺(L字型状となる2
辺)に配置される。
In this embodiment, the second and third original plates 4
Monitoring patterns 26a to 26 arranged at 0,50
d was split as described above, but these
The monitoring patterns 26a and 26b may be arranged at 0, and the monitoring patterns 26c and 26d may be arranged at the third original plate 50. That is, each monitoring pattern 26
a to 26d are divided and arranged on the second and third original plates 40 and 50, and they are arranged on two sides (an L-shaped shape) sandwiching any corner in each of the second regions 43 and 53 for exposure. Become 2
Side).

【0060】今、例えば第1〜第3の原板30,40,
50は、それらの第1領域32,42,52が正方形状
に形成され、第1の原板30の第1領域32(図5
(a)に示す1辺の長さL1)は、第2及び第3の原板
40,50の第1領域42,52(図5(b)及び図5
(c)に示す1辺の長さL2)より大きく形成されてい
る(L1>L2)。つまり、第1の原板30は、第2及
び第3の原板40,50より大きなサイズで形成されて
いる。
Now, for example, the first to third original plates 30, 40,
50, the first regions 32, 42 and 52 are formed in a square shape, and the first region 32 of the first original plate 30 (see FIG.
The length L1 of one side shown in FIG. 5A is the first area 42, 52 of the second and third original plates 40, 50 (FIG. 5B and FIG. 5).
It is formed larger than one side length L2 shown in (c) (L1> L2). That is, the first original plate 30 is formed in a larger size than the second and third original plates 40 and 50.

【0061】次に、第1〜第3の原板による基板の製造
方法について説明する。先ず、上記のような構成による
第1〜第3の原板30,40,50を準備し、これら第
1〜第3の原板30,40,50をステッパ装置にセッ
トする。これにより、ステッパ装置は、1回の露光工程
において、第1の原板30、第2の原板40、第3の原
板50の順に3枚の原板を使用して露光を行う。尚、第
2及び第3の原板40,50の露光順序は逆の順序とし
てもよい。
Next, a method of manufacturing a substrate using the first to third original plates will be described. First, the first to third original plates 30, 40, and 50 having the above configuration are prepared, and these first to third original plates 30, 40, and 50 are set on a stepper device. Thus, the stepper apparatus performs exposure using three original plates in the order of the first original plate 30, the second original plate 40, and the third original plate 50 in one exposure step. The order of exposure of the second and third original plates 40 and 50 may be reversed.

【0062】この際、第1の原板30に配置されている
位置合わせパターン15は、当該第1の原板30に形成
される複数形状の位置合わせパターンの中から該使用す
るステッパ装置に対応したパターンが選択される。従っ
て、ステッパ装置は、第1の原板30に形成されている
回路パターン14を、ウェハ1上に形成されている下地
パターンと精密に位置合わせしてウェハ1上に転写す
る。
At this time, the alignment pattern 15 arranged on the first original plate 30 is selected from a plurality of alignment patterns formed on the first original plate 30 according to the stepper device to be used. Is selected. Therefore, the stepper device transfers the circuit pattern 14 formed on the first original plate 30 onto the wafer 1 while precisely aligning the circuit pattern 14 with the base pattern formed on the wafer 1.

【0063】先ず、第1の原板30を用いて露光する場
合について説明する。ステッパ装置は、上記第一実施形
態の第1の原板10を露光する場合(図3(a)〜図3
(c)参照)と同様にして全てのショット位置S1〜S
9を露光する。つまり、ステッパ装置は、各ショット位
置S1〜S9でスクライブ領域3を重複させて露光し、
第1の原板30の回路パターン14及び位置合わせパタ
ーン15を縮小投影してウェハ1上に回路パターン4及
び位置合わせパターン5を形成する。この際、同様にし
て各ショット位置S1〜S9におけるスクライブ領域3
には、未露光領域18,19a〜19dが形成される。
First, the case of performing exposure using the first original plate 30 will be described. The stepper device exposes the first original plate 10 of the first embodiment (see FIGS. 3A to 3C).
(See (c))), all shot positions S1 to S
9 is exposed. That is, the stepper device exposes the scribe area 3 at each of the shot positions S1 to S9 so as to overlap with each other,
The circuit pattern 14 and the alignment pattern 15 of the first original plate 30 are reduced and projected to form the circuit pattern 4 and the alignment pattern 5 on the wafer 1. At this time, the scribe area 3 at each of the shot positions S1 to S9 is similarly set.
, Unexposed areas 18, 19a to 19d are formed.

【0064】次に、第2の原板40を用いて露光する場
合について説明する。図6に示すように、ステッパ装置
は、第2の原板40を用いてショット位置S1を露光す
る。この際、第2の原板40は第1の原板30のサイズ
(各露光用の第1領域32,42の大きさ)より小さい
ため、ステッパ装置は、第1の原板30を露光した際の
中心位置C1に対し、第2の原板40を露光する際の中
心位置C2を(L1−L2)/2の距離だけ同図に示す
左下方向にオフセットさせる。これにより、ショット位
置S1のスクライブ領域3における左下角では露光位置
合わせが行われる。
Next, the case of performing exposure using the second original plate 40 will be described. As shown in FIG. 6, the stepper device exposes the shot position S1 using the second original plate 40. At this time, since the second original plate 40 is smaller than the size of the first original plate 30 (the size of each of the first regions 32 and 42 for exposure), the stepper device adjusts the center when the first original plate 30 is exposed. The center position C2 when exposing the second original plate 40 is offset from the position C1 by a distance of (L1−L2) / 2 in the lower left direction shown in FIG. As a result, exposure alignment is performed at the lower left corner of the scribe area 3 at the shot position S1.

【0065】従って、ウェハ1上には、ショット位置S
1のスクライブ領域3にモニタリングパターン6a,6
dが形成される。この際、上記第一実施形態と同様に第
2の原板40には、第1領域42、及びモニタリングパ
ターン26a,26dを配置した位置を除く第2領域4
3に遮光領域44,45が形成されている。従って、第
2の原板40の露光が行われる際に、ウェハ1上の回路
パターン4及び位置合わせパターン5が多重露光になら
ない。
Therefore, on the wafer 1, the shot position S
The monitoring patterns 6a, 6
d is formed. At this time, similarly to the first embodiment, the second original plate 40 includes the first area 42 and the second area 4 excluding the positions where the monitoring patterns 26a and 26d are arranged.
3, light-shielding regions 44 and 45 are formed. Therefore, when the exposure of the second original plate 40 is performed, the circuit pattern 4 and the alignment pattern 5 on the wafer 1 are not subjected to multiple exposure.

【0066】このように、ステッパ装置は、上記第一実
施形態の第2の原板20を露光する場合(図4参照)と
同様にして、第1の原板30を露光したショット位置S
1〜S9に対し、第2の原板40を用いてショット位置
S1,S3,S5,S7,S9を露光する。
As described above, the stepper device performs the shot position S exposure of the first original plate 30 in the same manner as in the case of exposing the second original plate 20 of the first embodiment (see FIG. 4).
With respect to 1 to S9, the shot positions S1, S3, S5, S7, and S9 are exposed using the second original plate 40.

【0067】次に、第3の原板50を用いて露光する場
合について説明する。図7に示すように、ステッパ装置
は、第3の原板50を用いてショット位置S1を露光す
る。この際、ステッパ装置は、前記第2の原板40によ
る露光の際と同様にして第1の原板30を露光した際の
中心位置C1に対し、第3の原板50を露光する際の中
心位置C3を(L1−L2)/2の距離だけ同図に示す
右上方向にオフセットさせる。これにより、ショット位
置S1のスクライブ領域3における右上角で露光位置合
わせが行われ、ウェハ1上にモニタリングパターン6
b,6cが形成される。ちなみに、第3の原板50によ
る露光の際にも、第1の原板30の露光により形成され
た回路パターン4及び位置合わせパターン5が多重露光
にならない。
Next, the case of exposing using the third original plate 50 will be described. As shown in FIG. 7, the stepper device exposes the shot position S1 using the third original plate 50. At this time, the stepper device adjusts the center position C3 at the time of exposing the third original 50 to the center position C3 at the time of exposing the first original 30 in the same manner as at the time of exposure with the second original 40. Is offset by a distance of (L1−L2) / 2 in the upper right direction shown in FIG. As a result, the exposure position is adjusted at the upper right corner of the scribe area 3 at the shot position S1, and the monitoring pattern 6 is placed on the wafer 1.
b, 6c are formed. Incidentally, even when the third original 50 is exposed, the circuit pattern 4 and the alignment pattern 5 formed by exposing the first original 30 are not subjected to multiple exposure.

【0068】このように、ステッパ装置は、第1の原板
30を露光したショット位置S1〜S9に対し、第3の
原板50を用いてショット位置S1,S3,S5,S
7,S9を露光する。
As described above, the stepper apparatus uses the third original plate 50 for the shot positions S1, S3, S5, S5 with respect to the shot positions S1 to S9 where the first original plate 30 has been exposed.
7, S9 is exposed.

【0069】つまり、第2及び第3の原板40,50
は、上記第一実施形態と同様(図4参照)にして第1の
原板30のショット位置S1〜S9に対して市松模様
(1つ置き)となるような位置に露光される。
That is, the second and third original plates 40 and 50
Are exposed to the check positions (every other) with respect to the shot positions S1 to S9 of the first original plate 30 in the same manner as in the first embodiment (see FIG. 4).

【0070】以上記述したように、本実施の形態によれ
ば、上記第一実施形態で奏する効果に加え、以下の効果
を奏する。 (1)モニタリングパターン26a〜26dは、第2及
び第3の原板40,50に分割して配置される。このた
め、回路パターン14を配置した第1の原板30とサイ
ズが異なる場合には、露光位置合わせのためのオフセッ
トを考慮して露光する。つまり、回路パターンが配置さ
れた第1の原板30が複数準備されている場合に、それ
らのサイズが異なる場合にも第2及び第3の原板40,
50が、雛形原板として応用可能となる。これにより、
露光用原板の製造コストの上昇が抑止される。
As described above, according to the present embodiment, the following effects are obtained in addition to the effects obtained in the first embodiment. (1) The monitoring patterns 26a to 26d are separately arranged on the second and third original plates 40 and 50. Therefore, when the size is different from that of the first original plate 30 on which the circuit patterns 14 are arranged, exposure is performed in consideration of an offset for exposure position alignment. That is, when a plurality of first original plates 30 on which circuit patterns are arranged are prepared, and even when their sizes are different, the second and third original plates 40,
50 can be applied as a template. This allows
An increase in the manufacturing cost of the original plate for exposure is suppressed.

【0071】(第三実施形態)以下、本発明を具体化し
た第三実施形態を図8に従って説明する。尚、本実施形
態は、上記第一実施形態の第1及び第2の原板10,2
0を使用してステッパ装置により露光を行い、第2の原
板20の露光位置(ショット位置)を特定位置のみとし
た場合について記述する。従って、第一実施形態と同様
な構成については、同一符号を付してその詳細な説明を
省略する。
(Third Embodiment) Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This embodiment is similar to the first and second original plates 10 and 2 of the first embodiment.
The case where the exposure is performed by the stepper device using 0 and the exposure position (shot position) of the second original plate 20 is only the specific position will be described. Therefore, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0072】図8に示すように、ステッパ装置は、上記
第一実施形態と同様にして、先ず第1の原板10を使用
してショット位置S1〜S25を露光し、ウェハ1上に
回路パターン4及び位置合わせパターン5を形成する。
As shown in FIG. 8, the stepper device first exposes the shot positions S1 to S25 using the first original plate 10 and exposes the circuit pattern 4 on the wafer 1 in the same manner as in the first embodiment. And an alignment pattern 5 is formed.

【0073】次いで、ステッパ装置は、第2の原板20
を使用して、ショット位置S1〜S25に対し、例えば
ショット位置S1,S5,S13,S21,S25等の
特定位置のみに露光を行い、ウェハ1上にモニタリング
パターン6a〜6dを形成する。ここで、特定位置と
は、第2の原板20に配置されるモニタリングパターン
26a〜26dによって、ウェハ1のプロセス状況ある
いは電気的特性のモニタリングを最低限必要とする位
置、又は特性評価を実施することが望ましい位置であ
る。
Next, the stepper device moves the second original plate 20
Is used to expose the shot positions S1 to S25 only at specific positions such as, for example, the shot positions S1, S5, S13, S21, and S25, to form monitoring patterns 6a to 6d on the wafer 1. Here, the specific position refers to a position at which monitoring of the process status or the electrical characteristics of the wafer 1 is required at a minimum, or a characteristic evaluation is performed by the monitoring patterns 26a to 26d arranged on the second original plate 20. Is a desirable position.

【0074】つまり、モニタリングパターン6a〜6d
は、該ウェハ1の各チップ領域2に形成される回路パタ
ーン4について、各チップ領域2での特性分布のばらつ
きを確認することを目的として配置される。一般的に、
このような特性分布のばらつきは、ウェハ1の中央付近
(図中、ショット位置S13付近)に形成される回路パ
ターン4と、同ウェハ1の端部付近(図中、ショット位
置S1,S5,S21,S25付近)に形成される回路
パターン4とで生じる。このため、特性分布の計測は、
ウェハ1の複数箇所に形成される全ての回路パターン4
について行わず、ウェハ1上の特定位置について行う。
That is, the monitoring patterns 6a to 6d
Are arranged for the purpose of confirming the variation of the characteristic distribution in each chip region 2 with respect to the circuit pattern 4 formed in each chip region 2 of the wafer 1. Typically,
Such a variation in the characteristic distribution is caused by the circuit pattern 4 formed near the center of the wafer 1 (in the vicinity of the shot position S13 in the figure) and the vicinity of the end of the wafer 1 (the shot positions S1, S5, S21 in the figure). , And S25). Therefore, the measurement of the characteristic distribution
All circuit patterns 4 formed at a plurality of locations on the wafer 1
Is performed for a specific position on the wafer 1 without performing the above.

【0075】従って、モニタリングパターン6a〜6d
は、特性分布のばらつきを確認することができる最低限
のショット位置(本実施形態では、例えばショット位置
S1,S5,S13,S21,S25)にのみ形成す
る。
Therefore, the monitoring patterns 6a to 6d
Are formed only at the minimum shot positions (in the present embodiment, for example, the shot positions S1, S5, S13, S21, and S25) at which variations in the characteristic distribution can be confirmed.

【0076】尚、本実施形態では、第一実施形態の第1
及び第2の原板10,20を使用したが、第二実施形態
の第1〜第3の原板30,40,50を使用してもよ
い。以上記述したように、本実施の形態によれば、上記
第一実施形態で奏する効果に加え、以下の効果を奏す
る。
Note that, in this embodiment, the first embodiment
Although the first and third original plates 10 and 20 are used, the first to third original plates 30, 40 and 50 of the second embodiment may be used. As described above, according to the present embodiment, the following effects are obtained in addition to the effects obtained in the first embodiment.

【0077】(1)モニタリングパターン6a〜6d
は、回路パターン4が転写されるショット位置S1〜S
25に対し、特性分布計測を行う特定位置(例えば、シ
ョット位置S1,S5,S13,S21,S25)にの
み配置される。従って、試験コストの低減化を図ること
ができる。
(1) Monitoring patterns 6a to 6d
Are shot positions S1 to S where the circuit pattern 4 is transferred
In contrast to 25, it is arranged only at a specific position where characteristic distribution measurement is performed (for example, shot positions S1, S5, S13, S21, S25). Therefore, the test cost can be reduced.

【0078】(2)モニタリングパターン6a〜6d
は、特性分布計測を行う特定位置にのみ配置されること
により、第2の原板20による露光回数(ショット数)
が低減する。従って、1回の露光に複数枚の原板を使用
した場合にも、その露光時間を短縮させることができ
る。
(2) Monitoring patterns 6a to 6d
Is the number of exposures (the number of shots) by the second original plate 20 by being arranged only at a specific position where characteristic distribution measurement is performed.
Is reduced. Therefore, even when a plurality of original plates are used for one exposure, the exposure time can be reduced.

【0079】尚、本発明は上記各実施形態に限定される
ものではなく、以下のように実施してもよい。 ・上記各実施形態において、位置合わせパターン15
は、露光工程を行うにあたって使用するステッパ装置が
1種類とする場合には、必ずしも複数のパターン形状を
設ける必要はなく、当該ステッパ装置に対応可能とする
パターン形状を1種類のみ形成するようにしてもよい。
The present invention is not limited to the above embodiments, but may be implemented as follows. In the above embodiments, the alignment pattern 15
When one type of stepper device is used in performing the exposure process, it is not always necessary to provide a plurality of pattern shapes, and only one type of pattern shape that can correspond to the stepper device is formed. Is also good.

【0080】・位置合わせパターン15を配置する位
置、及びモニタリングパターン26a〜26dを配置す
る位置は、上記各実施形態で記述した位置に限られな
い。 ・ウェハ1を露光するショット数は、上記各実施形態の
数に限定されない。すなわち、ウェハ1上に形成するチ
ップ数は、各実施形態における数に限定されない。
The positions where the alignment patterns 15 are arranged and the positions where the monitoring patterns 26a to 26d are arranged are not limited to the positions described in the above embodiments. The number of shots for exposing the wafer 1 is not limited to the number in each of the above embodiments. That is, the number of chips formed on the wafer 1 is not limited to the number in each embodiment.

【0081】・第一実施形態において、第2の原板20
は、ショット位置S2,S4,S6,S8に露光されて
もよい(このように露光した場合にも市松模様(1つ置
き)となるような位置になる)。
In the first embodiment, the second original plate 20
May be exposed at the shot positions S2, S4, S6, and S8 (the position where a checkered pattern (every other one is obtained even when exposed in this way)).

【0082】・第二実施形態において、第2の原板40
にモニタリングパターン26a,26bを形成し、第3
の原板50にモニタリングパターン26c,26dを形
成してもよい。
In the second embodiment, the second original plate 40
The monitoring patterns 26a and 26b are formed on the third
The monitoring patterns 26c and 26d may be formed on the original plate 50.

【0083】・第二実施形態では、モニタリングパター
ン26a〜26dは、第2及び第3の原板40,50に
分割して配置したが、3枚以上の原板に分割して配置し
てもよい。
In the second embodiment, the monitoring patterns 26a to 26d are divided and arranged on the second and third original plates 40 and 50, but may be divided and arranged on three or more original plates.

【0084】・第三実施形態において、ウェハ1上のシ
ョット位置S1〜S25に対しモニタリングパターン6
a〜6dを露光する位置(特定位置)は、他の位置とし
てもよい。
In the third embodiment, the monitoring patterns 6 for the shot positions S1 to S25 on the wafer 1
The positions (specific positions) for exposing a to 6d may be other positions.

【0085】上記各実施形態をまとめると以下のように
なる。 (付記1) 露光用の第1領域と、前記第1領域の周囲
に設けられる露光用の第2領域とを有する複数枚の原板
を使用して基板に所望のパターンを露光する露光方法で
あって、前記第1領域に回路パターンを形成し、前記第
2領域に少なくとも位置合わせパターンを形成した原板
と、前記第2領域にモニタリングパターンを形成した少
なくとも1枚の原板とを使用して前記基板の任意の箇所
を露光することを特徴とする露光方法。 (付記2) 露光用の第1領域と、前記第1領域の周囲
に設けられる露光用の第2領域とを有する複数枚の原板
を使用して基板に所望のパターンを露光する露光方法で
あって、前記第1領域に回路パターンを形成し、前記第
2領域に少なくとも位置合わせパターンを形成した第1
の原板を使用して、当該第1の原板を前記基板上にマト
リックス状に露光する第1工程と、前記第2領域にモニ
タリングパターンを形成した少なくとも1枚の原板を使
用して、当該原板を前記マトリックス状に露光された前
記第1の原板の複数の露光位置のうち隣接しない露光位
置に対して露光する第2工程とを1回の露光工程に含む
ことを特徴とする露光方法。 (付記3) 前記第1工程では、前記マトリックス状に
露光される前記第1の原板の複数の露光位置のうち隣接
する露光位置では当該第1の原板の第2領域が重複する
ように露光されることを特徴とする付記2に記載の露光
方法。 (付記4) 前記第2工程では、前記マトリックス状に
露光された前記第1の原板の複数の露光位置に対し、前
記第2領域にモニタリングパターンが形成された原板が
1つ置きに露光され、前記回路パターンが転写される前
記基板上の複数のチップ領域の周囲には、当該チップ領
域を囲むスクライブ領域の4辺すべてに前記モニタリン
グパターンが転写されることを特徴とする付記2又は3
に記載の露光方法。 (付記5) 前記第2領域にモニタリングパターンが形
成された原板を、前記第1の原板が露光される露光位置
に対しオフセットした位置で露光することを特徴とする
付記1乃至4のいずれか1に記載の露光方法。 (付記6) 前記第2領域にモニタリングパターンが形
成された原板は、前記第2領域の1つの角を挟む2辺に
沿って前記モニタリングパターンが形成された第1の補
助原板と、前記1つの角の対角を挟む2辺に沿って前記
モニタリングパターンが形成された第2の補助原板とか
らなることを特徴とする付記5に記載の露光方法。 (付記7) 露光用の第1領域と、前記第1領域の周囲
に設けられる露光用の第2領域とを有する露光用原板に
おいて、前記第2領域に形成するパターンを複数枚の原
板の第2領域に分割して配置したことを特徴とする露光
用原板。 (付記8) 前記複数枚の原板は、前記第1領域に回路
パターンを形成し、前記第2領域に少なくとも位置合わ
せパターンを形成した第1の原板と、前記第2領域にモ
ニタリングパターンを形成した少なくとも1枚の原板と
を含むことを特徴とする付記7に記載の露光用原板。 (付記9) 複数箇所に設けられるチップ領域に回路パ
ターンを形成し、前記各チップ領域の周囲に格子状に設
けられるスクライブ領域に複数種類のパターンを形成し
た基板において、前記スクライブ領域には、予め準備さ
れる複数枚の原板のうち少なくとも2枚の原板に配置さ
れたパターンが形成されていることを特徴とする基板。 (付記10) 前記基板は、半導体材料又は絶縁材料か
らなることを特徴とする付記9に記載の基板。
The above embodiments are summarized as follows. (Supplementary Note 1) An exposure method for exposing a desired pattern on a substrate using a plurality of original plates having a first region for exposure and a second region for exposure provided around the first region. A substrate having a circuit pattern formed in the first region and at least an alignment pattern formed in the second region, and at least one substrate having a monitoring pattern formed in the second region. An exposure method, which comprises exposing an arbitrary portion of (1). (Supplementary Note 2) An exposure method for exposing a substrate to a desired pattern by using a plurality of original plates having a first region for exposure and a second region for exposure provided around the first region. Forming a circuit pattern in the first region and forming at least an alignment pattern in the second region.
A first step of exposing the first original plate in a matrix on the substrate using the original plate, and using the at least one original plate having a monitoring pattern formed in the second region, A second exposing step of exposing non-adjacent exposing positions among a plurality of exposing positions of the first original plate exposed in the matrix form in one exposure step. (Supplementary Note 3) In the first step, exposure is performed so that a second region of the first original plate overlaps at an adjacent exposure position among a plurality of exposure positions of the first original plate exposed in the matrix shape. 3. The exposure method according to claim 2, wherein (Supplementary Note 4) In the second step, every other original plate on which a monitoring pattern is formed in the second region is exposed to a plurality of exposure positions of the first original plate exposed in the matrix shape, The monitoring pattern is transferred to all four sides of a scribe region surrounding the chip region around a plurality of chip regions on the substrate on which the circuit pattern is transferred, wherein the monitoring pattern is transferred to all four sides of the scribe region surrounding the chip region.
Exposure method according to 1. (Supplementary note 5) Any one of supplementary notes 1 to 4, wherein the original plate on which the monitoring pattern is formed in the second area is exposed at a position offset from an exposure position where the first original plate is exposed. Exposure method according to 1. (Supplementary Note 6) The original plate on which the monitoring pattern is formed in the second region includes: a first auxiliary original plate on which the monitoring pattern is formed along two sides sandwiching one corner of the second region; 6. The exposure method according to claim 5, further comprising a second auxiliary original plate on which the monitoring pattern is formed along two sides sandwiching the diagonal of the corner. (Supplementary Note 7) In an original plate for exposure having a first region for exposure and a second region for exposure provided around the first region, a pattern to be formed in the second region may be formed on a plurality of original plates. An original plate for exposure, which is divided into two regions and arranged. (Supplementary Note 8) In the plurality of original plates, a circuit pattern is formed in the first region, a first original plate in which at least an alignment pattern is formed in the second region, and a monitoring pattern is formed in the second region. 8. The original plate for exposure according to claim 7, comprising at least one original plate. (Supplementary Note 9) In a substrate in which a circuit pattern is formed in a chip region provided in a plurality of locations and a plurality of types of patterns are formed in a scribe region provided in a grid around each of the chip regions, A substrate, wherein a pattern arranged on at least two of a plurality of prepared original plates is formed. (Supplementary Note 10) The substrate according to Supplementary Note 9, wherein the substrate is made of a semiconductor material or an insulating material.

【0086】[0086]

【発明の効果】以上記述したように、この発明は、チッ
プ取得数を減少させることなく基板上に複数のパターン
を形成することのできる露光方法、露光用原板、及び基
板を提供することができる。
As described above, the present invention can provide an exposure method, an exposure original plate, and a substrate that can form a plurality of patterns on a substrate without reducing the number of chips obtained. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 第一実施形態の基板を示す概略平面図であ
る。
FIG. 1 is a schematic plan view showing a substrate according to a first embodiment.

【図2】 第1及び第2の原板を示す概略平面図であ
る。
FIG. 2 is a schematic plan view showing first and second original plates.

【図3】 基板の製造方法を説明する概略平面図であ
る。
FIG. 3 is a schematic plan view illustrating a method for manufacturing a substrate.

【図4】 基板の製造方法を説明する概略平面図であ
る。
FIG. 4 is a schematic plan view illustrating a method for manufacturing a substrate.

【図5】 第二実施形態の第1〜第3の原板を示す概略
平面図である。
FIG. 5 is a schematic plan view showing first to third original plates of the second embodiment.

【図6】 基板の製造方法を説明する概略平面図であ
る。
FIG. 6 is a schematic plan view illustrating a method for manufacturing a substrate.

【図7】 基板の製造方法を説明する概略平面図であ
る。
FIG. 7 is a schematic plan view illustrating a method for manufacturing a substrate.

【図8】 第三実施形態の基板を示す概略平面図であ
る。
FIG. 8 is a schematic plan view showing a substrate according to a third embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板としてのウェハ 10 複数枚の原板としての第1の原板 12 露光用の第1領域 13 露光用の第2領域 14 回路パターン 15 位置合わせパターン 20 複数枚の原板としての第2の原板 26a〜26d モニタリングパターン 30 複数枚の原板としての第1の原板 32 露光用の第1領域 33 露光用の第2領域 40 複数枚の原板としての第2の原板 42 露光用の第1領域 43 露光用の第2領域 50 複数枚の原板としての第3の原板 52 露光用の第1領域 53 露光用の第2領域 Reference Signs List 1 wafer as substrate 10 first original plate as plural original plates 12 first region for exposure 13 second region for exposure 14 circuit pattern 15 alignment pattern 20 second original plate as plural original plates 26a- 26d Monitoring pattern 30 First original plate as a plurality of original plates 32 First region for exposure 33 Second region for exposure 40 Second original plate as a plurality of original plates 42 First region for exposure 43 For exposure Second region 50 Third original plate as a plurality of original plates 52 First region for exposure 53 Second region for exposure

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 洋司 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番2 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 Fターム(参考) 2H095 BB02 BC09 BE08 BE09 5F046 AA11 AA25 BA04 CB17 EB07 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Yoji Shibata 2-1844-2 Kozoji-cho, Kasugai-shi, Aichi F-term in Fujitsu VSI Ltd. (reference) 2H095 BB02 BC09 BE08 BE09 5F046 AA11 AA25 BA04 CB17 EB07

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 露光用の第1領域と、前記第1領域の周
囲に設けられる露光用の第2領域とを有する複数枚の原
板を使用して基板に所望のパターンを露光する露光方法
であって、 前記第1領域に回路パターンを形成し、前記第2領域に
少なくとも位置合わせパターンを形成した原板と、 前記第2領域にモニタリングパターンを形成した少なく
とも1枚の原板とを使用して前記基板の任意の箇所を露
光することを特徴とする露光方法。
1. An exposure method for exposing a substrate to a desired pattern using a plurality of original plates having a first region for exposure and a second region for exposure provided around the first region. A circuit board is formed in the first region, and an original plate having at least an alignment pattern formed in the second region; and at least one original plate having a monitoring pattern formed in the second region. An exposure method, which comprises exposing an arbitrary portion of a substrate.
【請求項2】 露光用の第1領域と、前記第1領域の周
囲に設けられる露光用の第2領域とを有する複数枚の原
板を使用して基板に所望のパターンを露光する露光方法
であって、 前記第1領域に回路パターンを形成し、前記第2領域に
少なくとも位置合わせパターンを形成した第1の原板を
使用して、当該第1の原板を前記基板上にマトリックス
状に露光する第1工程と、 前記第2領域にモニタリングパターンを形成した少なく
とも1枚の原板を使用して、当該原板を前記マトリック
ス状に露光された前記第1の原板の複数の露光位置のう
ち隣接しない露光位置に対して露光する第2工程とを1
回の露光工程に含むことを特徴とする露光方法。
2. An exposure method for exposing a desired pattern on a substrate using a plurality of original plates having a first region for exposure and a second region for exposure provided around the first region. Using a first original plate having a circuit pattern formed in the first region and at least an alignment pattern formed in the second region, exposing the first original plate in a matrix on the substrate; A first step, using at least one original having a monitoring pattern formed in the second region, exposing the original to a non-adjacent one of a plurality of exposure positions of the first original exposed in the matrix form; A second step of exposing the position
An exposure method, wherein the exposure method is included in the first exposure step.
【請求項3】 前記第2工程では、 前記マトリックス状に露光された前記第1の原板の複数
の露光位置に対し、前記第2領域にモニタリングパター
ンが形成された原板が1つ置きに露光され、 前記回路パターンが転写される前記基板上の複数のチッ
プ領域の周囲には、当該チップ領域を囲むスクライブ領
域の4辺すべてに前記モニタリングパターンが転写され
ることを特徴とする請求項2に記載の露光方法。
3. In the second step, every other original plate on which a monitoring pattern is formed in the second region is exposed to a plurality of exposure positions of the first original plate exposed in the matrix form. The method according to claim 2, wherein the monitoring pattern is transferred to all four sides of a scribe region surrounding the chip region around a plurality of chip regions on the substrate to which the circuit pattern is transferred. Exposure method.
【請求項4】 露光用の第1領域と、前記第1領域の周
囲に設けられる露光用の第2領域とを有する露光用原板
において、 前記第2領域に形成するパターンを複数枚の原板の第2
領域に分割して配置したことを特徴とする露光用原板。
4. An original plate for exposure having a first region for exposure and a second region for exposure provided around the first region, wherein a pattern to be formed in the second region is formed by a plurality of original plates. Second
An original plate for exposure, which is divided into regions and arranged.
【請求項5】 複数箇所に設けられるチップ領域に回路
パターンを形成し、前記各チップ領域の周囲に格子状に
設けられるスクライブ領域に複数種類のパターンを形成
した基板において、 前記スクライブ領域には、予め準備される複数枚の原板
のうち少なくとも2枚の原板に配置されたパターンが形
成されていることを特徴とする基板。
5. A substrate in which a circuit pattern is formed in a chip region provided at a plurality of locations and a plurality of types of patterns are formed in a scribe region provided in a grid around each of the chip regions, A substrate, wherein a pattern arranged on at least two of a plurality of prepared original plates is formed.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8012650B2 (en) 2005-09-02 2011-09-06 Fujitsu Semiconductor Limited Semiconductor device manufacturing method and wafer
JP2011232700A (en) * 2010-04-30 2011-11-17 Fujitsu Semiconductor Ltd Reticle, method for manufacturing semiconductor apparatus, and semiconductor wafer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8012650B2 (en) 2005-09-02 2011-09-06 Fujitsu Semiconductor Limited Semiconductor device manufacturing method and wafer
JP2011232700A (en) * 2010-04-30 2011-11-17 Fujitsu Semiconductor Ltd Reticle, method for manufacturing semiconductor apparatus, and semiconductor wafer

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