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JP2002185049A - フリップチップ発光ダイオードおよびフリップチップ静電放電保護チップをパッケージにおける電極にダイレクトボンディングする方法 - Google Patents

フリップチップ発光ダイオードおよびフリップチップ静電放電保護チップをパッケージにおける電極にダイレクトボンディングする方法

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JP2002185049A
JP2002185049A JP2001319159A JP2001319159A JP2002185049A JP 2002185049 A JP2002185049 A JP 2002185049A JP 2001319159 A JP2001319159 A JP 2001319159A JP 2001319159 A JP2001319159 A JP 2001319159A JP 2002185049 A JP2002185049 A JP 2002185049A
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JP
Japan
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light emitting
flip
power shunt
electrical contact
shunt element
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Application number
JP2001319159A
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Steven A Maranowski
エイ マラノフスキー スティーヴン
Daniel A Steigerwald
エイ スタイガーワルト ダニエル
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Lumileds LLC
Original Assignee
Lumileds LLC
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 静電放電による障害を防止しつつ、発光
ダイオードのコストおよび製造時間を低減させること。 【解決手段】 発光ダイオード（ＬＥＤ）アセンブリ
は、静電放電（ＥＳＤ）によるＬＥＤに対する損傷を防
止する電力分路装置を組み込む。この電力分路装置は、
ＬＥＤから電流をそらして、ＬＥＤ間の電圧を所定電圧
にまで制限することにより、ＬＥＤを保護する。一実施
形態では、ＬＥＤおよび電力分路装置は、正極および負
極にダイレクトボンディングされる電極を有するフリッ
プチップであり、これにより、信頼性を高め、発光ダイ
オードアセンブリの構造を簡略化している。レンズは、
ＬＥＤを包み、かつ、電力分路要素を光学的に包む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】（技術分野）本発明は、発光ダイオードに
関し、特に、このような発光ダイオードを静電放電（el
ectrostatic discharge）から保護することに関する。
【０００２】（背景技術）発光ダイオード（ＬＥＤ）
は、サイズがコンパクトであり、信頼性が高く、かつ、
消費電力が低いことにより、様々なアプリケーションに
おいて白熱電球に取って代わってきている。しかしなが
ら、ＬＥＤは、静電放電（ＥＳＤ）による障害を受けや
すい。この静電放電によりＬＥＤの性能および信頼性が
低下する。
【０００３】このような課題を解決するために、ＬＥＤ
パッケージの中にＥＳＤ電圧のような過電圧からＬＥＤ
を保護する電力分路（power shunting）要素を組み込む
といった試みが過去にはなされてきた。この電力分路要
素およびＬＥＤ電極（terminals）は、ＬＥＤパッケー
ジ内で並列接続される。電力分路要素は、ＬＥＤ間の電
圧が所定電圧を超えた際に、ＬＥＤ間の電圧を制限する
べく電流をＬＥＤからそらす。電力分路要素を組み込ん
だＬＥＤアセンブリが、ヒューレットパッカード株式会
社に付与された米国特許第５,９１４,５０１号（‘５０
１特許）に記載されており、このアセンブリを図１に再
現する。アセンブリ１０ａは、ワイヤ２４ａを用いて、
ＬＥＤ１４の一方の電極１５を電力分路要素１２の電極
１２ａに電気的に接続し、別のワイヤ２４ｂを用いて電
極１２ａを正極２２ｂに電気的に接続する。ＬＥＤ１４
の他方の電極１７および電力分路要素１２の他方の電極
１２ｂは、負極２２ａにダイレクトボンディングされて
いる。レンズ２３は、このアセンブリを包んでいる。
【０００４】‘５０１特許に記載されたもう１つのＬＥ
Ｄアセンブリ１０ｂ（図２）は、ＬＥＤ１４のサブマウ
ント（submount）として電力分路要素１２を組み込んで
いる。このアセンブリは、ワイヤ２４ａおよび２４ｂを
用いて、ＬＥＤ１４および電力分路要素の電極を正極お
よび負極に電気的に接続している。
【０００５】高い信頼性を確保するためには、ワイヤボ
ンディングを完全に取り除くことが望まれる。ワイヤボ
ンディングを用いると、コストおよび製造時間がかさむ
ことになる。
【０００６】（発明の開示）本発明によれば、発光ダイ
オードアセンブリは、静電放電（ＥＳＤ）のような電気
的な負荷過重による障害に対する保護を行う電力分路要
素を組み込む。電力分路要素は、ＬＥＤレンズアセンブ
リ自体内においてＬＥＤに対して並列接続されており、
ＬＥＤ間の電圧が特定の電圧を超える際に、ＬＥＤから
電流をそらすことにより該ＬＥＤを保護する。
【０００７】本発明のＬＥＤアセンブリは、ワイヤボン
ディングまたはサブマウントチップを組み込むことに代
えて、ＬＥＤおよび電力分路要素の電気的コンタクトを
ＬＥＤアセンブリの電極にダイレクトボンディングする
ことを利用する。一実施形態では、ＬＥＤおよび電力分
路要素の両方は、正極および負極にダイレクトボンディ
ングされる電極を有するフリップチップである。ＬＥＤ
を包むようにレンズ時材料を形成することができる。
【０００８】よって、本発明によれば、信頼性を向上さ
せ、製造方法を簡略化し、かつ、製造コストを低減させ
ることができる。
【０００９】（発明を実施するための最良の形態）図３
は、本発明の第１実施形態に基づいて設けられた発光ダ
イオード（ＬＥＤ）３０および電力分路要素３１を含む
発光ダイオードパッケージ２８の上面図である。
【００１０】ＬＥＤ３０および電力分路要素３１は、一
方の表面に電極を有するフリップチップである。これら
の電極は、正極３４および負極３５のそれぞれのパッド
３２および３３にダイレクトボンディングされている。
ＬＥＤ３０および電力分路３１の両方に対してフリップ
チップボンディングを用いることにより、アセンブリか
らワイヤボンディングを完全に除去することができる。
このフリップチップボンディングについては、超音波
（ultrasonic）ボンディング、凝縮（adhesive）ボンデ
ィングまたははんだ付により行うことができる。本発明
で用いることが可能なフリップチップＬＥＤの一実施形
態は、譲受人に指定されたMichael Krames、Daniel Ste
igerwaldおよびその他の者による「光生成性能を向上さ
せたIII族窒化物発光デバイス（III-Nitride Light-Emi
tting Device With Increased Light Generating Capab
ility）」と題して１９９９年１２月２２日に出願され
た米国特許出願第０９／４６９,６５７号に記載されて
おり、この出願の内容については参照することにより本
明細書に含めておく。このようなフリップチップＬＥＤ
は、様々な活性層を成長させたまたは付与した透明な基
体を含む。ＬＥＤにおけるＮ型層とＰ型層とを接触させ
るべく、成長させたまたは付与した層に形成される。こ
の後、基体が発光用の主要な窓となるように、ＬＥＤが
取り付けられる。図４では、フリップチップ基体は上方
を向いている。
【００１１】レンズ４０は、ＬＥＤ３０、電力分路要素
３１および電極３４／３５を包んでおり、電極３４およ
び３５のそれぞれの延長線４２および４３は、回路基板
またはその他の装置に対するページ（page）平面より下
方にレンズ４０から突き出ている。レンズ４０について
は、高い屈折率を有するエポキシまたはその他の材料と
することができる。
【００１２】図４は、図３に示したＬＥＤパッケージ２
８の側面図である。図４において、電力分路要素は、Ｌ
ＥＤ３０の後ろに配置されているので、同図には表れて
いない。ＬＥＤ３０の電極４６は、正極３４にダイレク
トボンディングされている。ＬＥＤ３０の電極４７は、
負極３５にダイレクトボンディングされている。電力分
路要素は、正極３４および負極３５にダイレクトボンデ
ィングされた同様の電極を有する。
【００１３】図２とは対照的に、電力分路要素３１をサ
ブマウントとして設けないことにより、ＬＥＤが発する
熱については、ヒートシンクとして機能する金属製の電
極３４および３５により直接抜き取ることができる。
【００１４】図５は、本発明の一実施形態におけるＬＥ
Ｄ３０および電力分路要素３１の電気配線略図である。
ＬＥＤ３０に印加された電圧が所定の閾値を超える際に
は、背中合わせで設けられたツェナーダイオード４６お
よび４７が、ＬＥＤ３０間の電圧を所定電圧にまで抑制
し、電流をＬＥＤ３０からそらす。よって、電力分路要
素３１は、静電放電により発生するような電気的な負荷
過重（overstress）からＬＥＤを保護する。電力分路要
素については、任意の過渡電圧抑制器（transient volt
age suppressor）ダイオードとすることができる。
【００１５】別の実施形態では、電力分路要素３１は、
光学的効率を向上させるためのレンズの外側に配置され
る。
【００１６】本発明の特定の実施形態を示すとともに説
明してきたが、さらに広い態様における本発明から逸脱
することなく変形および変更を施すことが可能であり、
したがって、別記請求項は、本発明の本質的な思想およ
び範囲に含まれるようなそういった変形および変更のす
べてを、該請求項の範囲内において包含するものであ
る、ということは当業者にとって自明なことである。
【図面の簡単な説明】
【図１】米国特許第５,９１４,５０１号に記載された電
力分路要素を含む発光ダイオードアセンブリの第１実施
例の側面図
【図２】米国特許第５,９１４,５０１号に記載された電
力分路要素を含む発光ダイオードアセンブリの第２実施
例の側面図
【図３】本発明の第１実施形態に基づいて設けられた電
力分路要素を含む発光ダイオードパッケージの上面図
【図４】図３に示す発光ダイオードパッケージの側面図
【図５】本発明の一実施形態にかかる発光ダイオードお
よび電力分路要素の概略図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダニエル エイ スタイガーワルト アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95014 クパーティノ ロックウッド ド ライヴ 10430−ビー Ｆターム(参考） 5F041 AA23 BB07 BB25 CB33 DA04 DA09 DA12 DA16 DA25 DA44 DA74 DA77 DA83

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 正極と、負極と、 前記正極にダイレクトボンディングされる第１電気的コ
    ンタクト、および、前記負極にダイレクトボンディング
    される第２電気的コンタクトを有する発光ダイオード
    と、 前記正極にダイレクトボンディングされる第３電気的コ
    ンタクト、および、前記負極にダイレクトボンディング
    される第４電気的コンタクトを有する電力分路要素と、
    を具備し、 前記電力分路要素は、前記発光ダイオード間に印加した
    電圧が所定の閾値電圧を超える際に、電流を前記発光ダ
    イオードから分路することを特徴とする発光ダイオード
    パッケージ。
  2. 【請求項２】 前記ダイオードおよび電力分路要素は、
    フリップチップであり、 前記第１電気的コンタクトおよび前記第３電気的コンタ
    クトは、前記正極にフリップチップボンディングされ、 前記第２電気的コンタクトおよび前記第４電気的コンタ
    クトは、前記負極にフリップチップボンディングされる
    ことを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
  3. 【請求項３】 前記電力分路要素は、背中合わせに設け
    られるツェナーダイオード構成を含むことを特徴とする
    請求項１に記載のパッケージ。
  4. 【請求項４】 前記電力分路要素は、過渡電圧抑制器を
    含むことを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
  5. 【請求項５】 前記ダイオードおよび前記電力分路要素
    を包むレンズを具備することを特徴とする請求項１に記
    載のパッケージ。
  6. 【請求項６】 前記レンズはエポキシであることを特徴
    とする請求項５に記載のパッケージ。
  7. 【請求項７】前記ダイオードおよび前記電力分路要素
    は、フリップチップであり、前記第１電気的コンタクト
    および前記第３電気的コンタクトは、前記正極にフリッ
    プチップボンディングされ、 前記第２電気的コンタクトおよび前記第４電気的コンタ
    クトは、前記負極にフリップチップボンディングされる
    ことを特徴とする請求項５に記載のパッケージ。
  8. 【請求項８】 前記電力分路要素は、背中合わせに設け
    られるツェナーダイオード構成を含むことを特徴とする
    請求項５に記載のパッケージ。
  9. 【請求項９】正極に発光ダイオードの第１電極をダイレ
    クトボンディングし、負極に前記発光ダイオードの第２
    電極をダイレクトボンディングする工程と、 前記正極に電力分路要素の第３電極をダイレクトボンデ
    ィングし、前記負極に前記電力分路要素の第４電極をダ
    イレクトボンディングする工程と、を具備し、 前記電力分路要素は、前記発光ダイオード間に印加した
    電圧が所定の閾値電圧を超える際に、電流を前記発光ダ
    イオードから分路することを特徴とする発光ダイオード
    パッケージ製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記ダイオード、前記電力分路要素、
    前記正極および前記負極を、レンズを形成するための材
    料を用いて包む工程を具備することを特徴とする請求項
    ９に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記ダイオードおよび前記電力分路要
    素は、フリップチップであり、 前記ダイレクトボンディングする工程は、前記第１電気
    コンタクトおよび前記第３電気コンタクトを前記正極に
    フリップチップボンディングし、前記第２電気的コンタ
    クトおよび前記第４電気的コンタクトを前記負極にフリ
    ップチップボンディングする工程を具備することを特徴
    とする請求項９に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記電力分路要素は、背中合わせに設
    けられるツェナーダイオード構成を含むことを特徴とす
    る請求項９に記載の方法。
JP2001319159A 2000-11-08 2001-10-17 フリップチップ発光ダイオードおよびフリップチップ静電放電保護チップをパッケージにおける電極にダイレクトボンディングする方法 Pending JP2002185049A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100392885C (zh) * 2005-08-18 2008-06-04 璨圆光电股份有限公司 发光二极管结构
US7683389B2 (en) 2006-05-30 2010-03-23 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light emitting diode

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100369275C (zh) * 2004-01-29 2008-02-13 光磊科技股份有限公司 可增加发光作用区面积的发光元件
CN100368895C (zh) * 2006-05-30 2008-02-13 友达光电股份有限公司 使用发光二极管的背光模块
JP2010135136A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Panasonic Electric Works Co Ltd Ｌｅｄ点灯装置
EP2720282A4 (en) 2011-05-11 2014-12-03 Sunsun Lighting China Co Ltd LED CHIP UNIT AND MANUFACTURING METHODS FOR IT AS WELL AS LED MODULE
BR112013031155B1 (pt) 2011-06-08 2020-10-27 Lumileds Holding B.V disposição para a iluminação com diodo, conjunto para a iluminação automotiva e método para a fabricação de uma disposição para a iluminação com diodo
US8835976B2 (en) 2012-03-14 2014-09-16 General Electric Company Method and system for ultra miniaturized packages for transient voltage suppressors
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0725060A (ja) * 1993-06-25 1995-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光プリントヘッドおよびその製造方法
JP3911839B2 (ja) * 1998-04-08 2007-05-09 松下電器産業株式会社 半導体発光装置
JP2000012913A (ja) * 1998-06-19 2000-01-14 Matsushita Electron Corp 半導体発光装置に用いる静電気保護用ダイオード及びその製造方法
JP4296644B2 (ja) * 1999-01-29 2009-07-15 豊田合成株式会社 発光ダイオード

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100392885C (zh) * 2005-08-18 2008-06-04 璨圆光电股份有限公司 发光二极管结构
US7683389B2 (en) 2006-05-30 2010-03-23 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light emitting diode

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