JP2002180040A - 発光素子 - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 62
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 claims description 38
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 claims description 38
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 162
- 239000000463 material Substances 0.000 description 61
- -1 amine compound Chemical class 0.000 description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 12
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 7
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 7
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 5
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 5
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 5
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical compound C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 3
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 3
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DQFBYFPFKXHELB-UHFFFAOYSA-N Chalcone Natural products C=1C=CC=CC=1C(=O)C=CC1=CC=CC=C1 DQFBYFPFKXHELB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 3
- 235000005513 chalcones Nutrition 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 3
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N naphthalene perylene Chemical group C1=CC=CC2=CC=CC=C21.C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical compound O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FSEXLNMNADBYJU-UHFFFAOYSA-N 2-phenylquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=N1 FSEXLNMNADBYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical compound C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001002 functional polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000183 1,3-benzoxazoles Chemical class 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- DIOZVWSHACHNRT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-prop-2-enoxyethoxy)ethanol Chemical compound OCCOCCOCC=C DIOZVWSHACHNRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLPKTAFPRRIFQX-UHFFFAOYSA-N 2-thiophen-2-ylpyridine Chemical compound C1=CSC(C=2N=CC=CC=2)=C1 QLPKTAFPRRIFQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013032 Hydrocarbon resin Substances 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 239000004419 Panlite Substances 0.000 description 1
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N aluminum lead Chemical compound [Al].[Pb] IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910001622 calcium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229940119177 germanium dioxide Drugs 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229920006270 hydrocarbon resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001477 hydrophilic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000010416 ion conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N oxygen difluoride Chemical compound FOF UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001490 poly(butyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940006186 sodium polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K vanadium(iii) bromide Chemical compound [V+3].[Br-].[Br-].[Br-] ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に設けた一対の電極間に有機化合物層
を配置させた単層型素子において、三重項励起子を利用
した発光輝度、発光効率に優れた発光素子を提供する。
また湿式製膜法により作成可能で製造効率が高く、発光
面の大面積化ができる発光素子を提供する。 【解決手段】 支持基板上に設けた少なくとも発光層を
含む一層以上の有機化合物層および該有機化合物層を挟
む一対の電極を含有する発光素子において、該発光層が
少なくとも一種のりん光発光性化合物を含有し、該有機
化合物層に電気的に不活性なポリマーバインダーを含有
することを特徴とする発光素子。
を配置させた単層型素子において、三重項励起子を利用
した発光輝度、発光効率に優れた発光素子を提供する。
また湿式製膜法により作成可能で製造効率が高く、発光
面の大面積化ができる発光素子を提供する。 【解決手段】 支持基板上に設けた少なくとも発光層を
含む一層以上の有機化合物層および該有機化合物層を挟
む一対の電極を含有する発光素子において、該発光層が
少なくとも一種のりん光発光性化合物を含有し、該有機
化合物層に電気的に不活性なポリマーバインダーを含有
することを特徴とする発光素子。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はフルカラーディスプ
レイ、バックライト、照明光源等の面光源やプリンター
等の光源アレイ等に有効に利用できる有機電界発光素子
(以下、発光素子と称する)に関し、詳しくは、発光層
が少なくとも一種のりん光発光性化合物を含有し、有機
化合物層に電気的に不活性なポリマーバインダーを含有
する、発光輝度、発光効率に優れた発光素子に関する。
レイ、バックライト、照明光源等の面光源やプリンター
等の光源アレイ等に有効に利用できる有機電界発光素子
(以下、発光素子と称する)に関し、詳しくは、発光層
が少なくとも一種のりん光発光性化合物を含有し、有機
化合物層に電気的に不活性なポリマーバインダーを含有
する、発光輝度、発光効率に優れた発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】有機化合物を使用した発光素子は、固体
発光型の安価な大面積フルカラ−表示素子や書き込み光
源アレイとしての用途が有望視され、多くの開発が精力
的に行われている。一般に発光素子は、発光層および該
層を挟んだ一対の対向電極から構成される。両電極間に
電界が印加されると、陰極から電子が注入され、陽極か
ら正孔が注入され、電子と正孔が発光層において再結合
し、エネルギ−準位が伝導体から価電子帯に戻る際にエ
ネルギ−が光として放出(発光)が観測される。
発光型の安価な大面積フルカラ−表示素子や書き込み光
源アレイとしての用途が有望視され、多くの開発が精力
的に行われている。一般に発光素子は、発光層および該
層を挟んだ一対の対向電極から構成される。両電極間に
電界が印加されると、陰極から電子が注入され、陽極か
ら正孔が注入され、電子と正孔が発光層において再結合
し、エネルギ−準位が伝導体から価電子帯に戻る際にエ
ネルギ−が光として放出(発光)が観測される。
【0003】従来の発光素子では、駆動電圧が高く、発
光輝度や発光効率が低いという問題があったが、近年こ
れらを解決する技術が種々報告されている。例えば有機
化合物の蒸着により有機薄膜を形成する発光素子が提案
されている。(アプライドフィジクスレタ−ズ、51
巻、913頁、1987年)。この発光素子の場合、電
子輸送材からなる電子輸送層と、正孔輸送材からなる正
孔輸送層との積層二層型構造を有し、単層型構造を有す
る従来の発光素子に比べて発光特性が大幅に向上してい
る。この発光素子では、正孔輸送材として低分子アミン
化合物、電子輸送材兼発光材として8−キノリノ−ルの
Al錯体(Alq)を用いており、発光は緑色である。
光輝度や発光効率が低いという問題があったが、近年こ
れらを解決する技術が種々報告されている。例えば有機
化合物の蒸着により有機薄膜を形成する発光素子が提案
されている。(アプライドフィジクスレタ−ズ、51
巻、913頁、1987年)。この発光素子の場合、電
子輸送材からなる電子輸送層と、正孔輸送材からなる正
孔輸送層との積層二層型構造を有し、単層型構造を有す
る従来の発光素子に比べて発光特性が大幅に向上してい
る。この発光素子では、正孔輸送材として低分子アミン
化合物、電子輸送材兼発光材として8−キノリノ−ルの
Al錯体(Alq)を用いており、発光は緑色である。
【0004】その後、蒸着による有機薄膜を形成した発
光素子が、数多く報告されている(マクロモレキュラリ
− シンポジウム、125巻、1頁、1997年記載の
参考文献参照)。しかしながら、上記発光素子の場合、
無機LED素子や、蛍光管に比べ非常に発光効率が低い
という大きな問題がある。現在提案されている発光素子
のほとんどは、有機発光材料の一重項励起子から得られ
る蛍光発光を利用している。量子化学の知見によると、
励起子状態において、蛍光発光が得られる一重項励起子
と、りん光発光が得られる三重項励起子との比は、1:
3である。蛍光発光を利用する限り、励起子の高々25
%しか活用できず発光効率が低い。一方、三重項励起子
から得られるりん光を利用できれば、発光効率が向上で
きる。
光素子が、数多く報告されている(マクロモレキュラリ
− シンポジウム、125巻、1頁、1997年記載の
参考文献参照)。しかしながら、上記発光素子の場合、
無機LED素子や、蛍光管に比べ非常に発光効率が低い
という大きな問題がある。現在提案されている発光素子
のほとんどは、有機発光材料の一重項励起子から得られ
る蛍光発光を利用している。量子化学の知見によると、
励起子状態において、蛍光発光が得られる一重項励起子
と、りん光発光が得られる三重項励起子との比は、1:
3である。蛍光発光を利用する限り、励起子の高々25
%しか活用できず発光効率が低い。一方、三重項励起子
から得られるりん光を利用できれば、発光効率が向上で
きる。
【0005】近年、イリジウムのフェニルピリジン錯体
を用いたりん光利用の発光素子が報告されている(アプ
ライド フィジクスレタ−、75巻、4頁、1999
年、ジャパニ−ズジャ−ナル オブ アプライド フィ
ジクス、38巻、L1502頁、1999年)。これら
によると、従来の蛍光利用の発光素子に対して、2〜3
倍の発光効率を示す旨が報告されている。しかし理論的
な発光効率限界より低く、更なる効率向上が求められて
いる。また、これらの発光素子の場合、低分子化合物を
用いた蒸着法等による乾式製膜法であるため、低分子化
合物の結晶化による劣化が避けられず、また、製造コス
トが高く、製造効率が悪いという重大な問題がある。
を用いたりん光利用の発光素子が報告されている(アプ
ライド フィジクスレタ−、75巻、4頁、1999
年、ジャパニ−ズジャ−ナル オブ アプライド フィ
ジクス、38巻、L1502頁、1999年)。これら
によると、従来の蛍光利用の発光素子に対して、2〜3
倍の発光効率を示す旨が報告されている。しかし理論的
な発光効率限界より低く、更なる効率向上が求められて
いる。また、これらの発光素子の場合、低分子化合物を
用いた蒸着法等による乾式製膜法であるため、低分子化
合物の結晶化による劣化が避けられず、また、製造コス
トが高く、製造効率が悪いという重大な問題がある。
【0006】一方、素子の製造コストの低減や、バック
ライト、照明光源等への大面積化の応用目的で、高分子
化合物を湿式製膜法により製膜した発光素子が報告され
ている。該高分子化合物としては、例えば、緑色の発光
を示すポリパラフェニレンビニレン(ネイチャ−、34
7巻、539頁、1990年)、赤橙色の発光を示すポ
リ(3−アルキルチオフェン)(ジャパニ−ズ ジャ−
ナル オブ アプライド フィジクス、30巻、L19
38頁、1991年)、青色発光素子としてポリアルキ
ルフルオレン(ジャパニ−ズ ジャ−ナル オブ アプ
ライド フィジクス、30巻、L1941頁、1991
年)などが挙げられる。また、特開平2−223188
号公報においては、低分子化合物をバインダ−樹脂に分
散させ、湿式塗布で製膜する試みも報告されている。し
かしながら、いずれの場合も、一重項励起子から得られ
る蛍光発光を利用したものであり、発光効率が低いとい
う根本的問題がある。
ライト、照明光源等への大面積化の応用目的で、高分子
化合物を湿式製膜法により製膜した発光素子が報告され
ている。該高分子化合物としては、例えば、緑色の発光
を示すポリパラフェニレンビニレン(ネイチャ−、34
7巻、539頁、1990年)、赤橙色の発光を示すポ
リ(3−アルキルチオフェン)(ジャパニ−ズ ジャ−
ナル オブ アプライド フィジクス、30巻、L19
38頁、1991年)、青色発光素子としてポリアルキ
ルフルオレン(ジャパニ−ズ ジャ−ナル オブ アプ
ライド フィジクス、30巻、L1941頁、1991
年)などが挙げられる。また、特開平2−223188
号公報においては、低分子化合物をバインダ−樹脂に分
散させ、湿式塗布で製膜する試みも報告されている。し
かしながら、いずれの場合も、一重項励起子から得られ
る蛍光発光を利用したものであり、発光効率が低いとい
う根本的問題がある。
【0007】有機化合物層に電気的に不活性なポリマー
バインダーを含有する、湿式製膜により製造された三重
項励起子を利用した発光素子は報告が皆無である。発光
効率・発光輝度、および製造効率が高く、大面積化が可
能な発光素子は完成されておらず、その提供が強く望ま
れている。
バインダーを含有する、湿式製膜により製造された三重
項励起子を利用した発光素子は報告が皆無である。発光
効率・発光輝度、および製造効率が高く、大面積化が可
能な発光素子は完成されておらず、その提供が強く望ま
れている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、基板
上に設けた一対の電極間に有機化合物層を配置させた発
光素子において、発光効率および発光輝度に優れ、かつ
大面積化が可能な湿式製膜法で製造できる発光素子の提
供にある。
上に設けた一対の電極間に有機化合物層を配置させた発
光素子において、発光効率および発光輝度に優れ、かつ
大面積化が可能な湿式製膜法で製造できる発光素子の提
供にある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に、本発明者らは鋭意検討を重ね、発光素子の有機化合
物層中へ電気的に不活性で、特定の物性値を有するポリ
マーバインダーを含有させることによって、実現するに
至った。上記課題は下記の本発明の手段により達成され
た。 (1)支持基板上に設けた少なくとも発光層を含む一層
以上の有機化合物層および該有機化合物層を挟む一対の
電極を含有する発光素子において、該発光層が少なくと
も一種のりん光発光性化合物を含有し、該有機化合物層
に電気的に不活性なポリマーバインダーを含有すること
を特徴とする発光素子。 (2)有機化合物層が少なくとも発光層および電子輸送
層を有し、該発光層および電子輸送層のうち少なくとも
一層に電気的に不活性なポリマーバインダーを含有して
いることを特徴とする(1)に記載の発光素子。 (3)ポリマーバインダーの25℃、1kHzにおける
誘電率が4.0以下であることを特徴とする(1)又は
(2)に記載の発光素子。 (4)ポリマーバインダーの25℃における屈折率が
1.45以上1.65以下であることを特徴とする
(1)乃至(3)のいずれかに記載の発光素子。 (5)ポリマーバインダーの溶解度パラメータが16.
5MPa1/2以上21.3MPa1/2以下であることを特
徴とする(1)乃至(4)のいずれかに記載の発光素
子。 (6)有機化合物層のうち少なくとも一層が、湿式製膜
法により形成されることを特徴とする(1)乃至(5)
のいずれかに記載の発光素子。 (7)発光層のりん光発光性化合物がオルトメタル化錯
体であることを特徴とする(1)乃至(6)のいずれか
に記載の発光素子。
に、本発明者らは鋭意検討を重ね、発光素子の有機化合
物層中へ電気的に不活性で、特定の物性値を有するポリ
マーバインダーを含有させることによって、実現するに
至った。上記課題は下記の本発明の手段により達成され
た。 (1)支持基板上に設けた少なくとも発光層を含む一層
以上の有機化合物層および該有機化合物層を挟む一対の
電極を含有する発光素子において、該発光層が少なくと
も一種のりん光発光性化合物を含有し、該有機化合物層
に電気的に不活性なポリマーバインダーを含有すること
を特徴とする発光素子。 (2)有機化合物層が少なくとも発光層および電子輸送
層を有し、該発光層および電子輸送層のうち少なくとも
一層に電気的に不活性なポリマーバインダーを含有して
いることを特徴とする(1)に記載の発光素子。 (3)ポリマーバインダーの25℃、1kHzにおける
誘電率が4.0以下であることを特徴とする(1)又は
(2)に記載の発光素子。 (4)ポリマーバインダーの25℃における屈折率が
1.45以上1.65以下であることを特徴とする
(1)乃至(3)のいずれかに記載の発光素子。 (5)ポリマーバインダーの溶解度パラメータが16.
5MPa1/2以上21.3MPa1/2以下であることを特
徴とする(1)乃至(4)のいずれかに記載の発光素
子。 (6)有機化合物層のうち少なくとも一層が、湿式製膜
法により形成されることを特徴とする(1)乃至(5)
のいずれかに記載の発光素子。 (7)発光層のりん光発光性化合物がオルトメタル化錯
体であることを特徴とする(1)乃至(6)のいずれか
に記載の発光素子。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。なお、本明細書において「〜」はその前後に記載
される数値を、それぞれ最小値および最大値として含む
範囲を示す。
する。なお、本明細書において「〜」はその前後に記載
される数値を、それぞれ最小値および最大値として含む
範囲を示す。
【0011】本発明の発光素子は、基板上に設けた透明
電極(通常は透明陽極)、有機化合物層、および背面電
極(通常は金属陰極)を積層して構成される。さらに必
要に応じて保護層などのその他の層を有してなる。
電極(通常は透明陽極)、有機化合物層、および背面電
極(通常は金属陰極)を積層して構成される。さらに必
要に応じて保護層などのその他の層を有してなる。
【0012】本発明の有機化合物層は、電子注入性化合
物、電子輸送性化合物、電子注入性および輸送性を兼ね
る化合物(電子注入性兼輸送性化合物)、正孔注入性化
合物、正孔輸送性化合物、正孔注入性および正孔輸送性
を兼ねる化合物(正孔注入性兼輸送性化合物)、電子注
入性兼輸送性と正孔注入性兼輸送性のそれぞれを兼ねる
化合物(電子注入性兼輸送性化合物兼正孔注入性兼輸送
性化合物)、発光性化合物、ホスト化合物、電子供与性
ドーパント、電子受容性ドーパント等、から選択される
いくつかの材料を組み合わせて含有するものである。こ
れらの上記化合物は、分子中に幾つかの機能を担う性
質、部分を複数個有していてもよく、またそれぞれの機
能が、別々の分子に分かれていてもよい。
物、電子輸送性化合物、電子注入性および輸送性を兼ね
る化合物(電子注入性兼輸送性化合物)、正孔注入性化
合物、正孔輸送性化合物、正孔注入性および正孔輸送性
を兼ねる化合物(正孔注入性兼輸送性化合物)、電子注
入性兼輸送性と正孔注入性兼輸送性のそれぞれを兼ねる
化合物(電子注入性兼輸送性化合物兼正孔注入性兼輸送
性化合物)、発光性化合物、ホスト化合物、電子供与性
ドーパント、電子受容性ドーパント等、から選択される
いくつかの材料を組み合わせて含有するものである。こ
れらの上記化合物は、分子中に幾つかの機能を担う性
質、部分を複数個有していてもよく、またそれぞれの機
能が、別々の分子に分かれていてもよい。
【0013】本発明の有機化合物層はポリマーバインダ
ーを含む高分子化合物のみで構成されてもよいが、高分
子化合物と低分子化合物の混合物で構成されている方
が、製造プロセスの簡便さ・素子の耐久性の点で好まし
い
ーを含む高分子化合物のみで構成されてもよいが、高分
子化合物と低分子化合物の混合物で構成されている方
が、製造プロセスの簡便さ・素子の耐久性の点で好まし
い
【0014】有機化合物層は、少なくとも発光層を有し
ていれば限定されることはなく、その構成は例えば陽極
側より、発光層、発光層/電子注入層、発光層/電子輸
送層、発光層/電子輸送層/電子注入層、正孔輸送層/
発光層、正孔輸送層/発光層/電子注入層、正孔輸送層
/発光層/電子輸送層、正孔輸送層/発光層/電子輸送
層/電子注入層、正孔注入層/発光層、正孔注入層/発
光層/電子注入層正孔注入層/発光層/電子輸送層、正
孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層、正孔注入
層/正孔輸送層/発光層、正孔注入層/正孔輸送層/発
光層/電子注入層、正孔注入層/正孔輸送層/発光層/
電子輸送層、正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸
送層/電子注入層、などが列挙できるが、特に発光層と
電子輸送層を有する構成が好ましい。
ていれば限定されることはなく、その構成は例えば陽極
側より、発光層、発光層/電子注入層、発光層/電子輸
送層、発光層/電子輸送層/電子注入層、正孔輸送層/
発光層、正孔輸送層/発光層/電子注入層、正孔輸送層
/発光層/電子輸送層、正孔輸送層/発光層/電子輸送
層/電子注入層、正孔注入層/発光層、正孔注入層/発
光層/電子注入層正孔注入層/発光層/電子輸送層、正
孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層、正孔注入
層/正孔輸送層/発光層、正孔注入層/正孔輸送層/発
光層/電子注入層、正孔注入層/正孔輸送層/発光層/
電子輸送層、正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸
送層/電子注入層、などが列挙できるが、特に発光層と
電子輸送層を有する構成が好ましい。
【0015】本発明では、発光層を含む少なくとも一層
の有機化合物層において、少なくとも一層に電気的に不
活性なポリマーバインダーを含有する。より好ましく
は、該有機化合物層が少なくとも発光層および電子輸送
層を有し、該発光層および電子輸送層のうち少なくとも
一層に該ポリマーバインダーを含有する態様であり、更
に好ましいのは、該発光層に該ポリマーバインダーを含
有する態様である。
の有機化合物層において、少なくとも一層に電気的に不
活性なポリマーバインダーを含有する。より好ましく
は、該有機化合物層が少なくとも発光層および電子輸送
層を有し、該発光層および電子輸送層のうち少なくとも
一層に該ポリマーバインダーを含有する態様であり、更
に好ましいのは、該発光層に該ポリマーバインダーを含
有する態様である。
【0016】本発明に用いられる発光層は、少なくとも
一種のりん光発光性化合物を含む。りん光発光性化合物
とは、三重項励起子から発光する化合物を意味する。り
ん光発光を利用しているため、一重項励起子から得られ
る蛍光発光を利用したものより発光効率が高い。該りん
光発光性化合物は、特に限定されることはないが、オル
トメタル化金属錯体、又はポルフィリン金属錯体が好ま
しく、オルトメタル化金属錯体がより好ましく用いられ
る。
一種のりん光発光性化合物を含む。りん光発光性化合物
とは、三重項励起子から発光する化合物を意味する。り
ん光発光を利用しているため、一重項励起子から得られ
る蛍光発光を利用したものより発光効率が高い。該りん
光発光性化合物は、特に限定されることはないが、オル
トメタル化金属錯体、又はポルフィリン金属錯体が好ま
しく、オルトメタル化金属錯体がより好ましく用いられ
る。
【0017】本発明で用いられるオルトメタル化錯体と
は、例えば山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」
p150,232 裳華房社 1982年発行等に記載さ
れている化合物群の総称である。
は、例えば山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」
p150,232 裳華房社 1982年発行等に記載さ
れている化合物群の総称である。
【0018】オルトメタル化錯体を形成する配位子は、
種々のもの用いられ、上記文献にも記載されている。例
えば2―フェニルピリジン、7,8−ベンゾキノリン、
2−(2−チエニル)ピリジン、2−(1−ナフチル)
ピリジン、2−フェニルキノリン、およびこれらの誘導
体などが列挙できる。これらの配位子は必要に応じて置
換基を有してもよい。本発明に用いられるオルトメタル
化錯体は、該錯体を形成するのに必要な配位子以外に他
の配位子を有してもよい。
種々のもの用いられ、上記文献にも記載されている。例
えば2―フェニルピリジン、7,8−ベンゾキノリン、
2−(2−チエニル)ピリジン、2−(1−ナフチル)
ピリジン、2−フェニルキノリン、およびこれらの誘導
体などが列挙できる。これらの配位子は必要に応じて置
換基を有してもよい。本発明に用いられるオルトメタル
化錯体は、該錯体を形成するのに必要な配位子以外に他
の配位子を有してもよい。
【0019】オルトメタル化錯体における中心金属は、
遷移金属であればいずれも使用可能であるが、本発明で
は、ロジウム、白金、金、イリジウム、ルテニウム、パ
ラジウム等を好ましく用いることができ、より好ましい
ものはイリジウムである。前記オルトメタル化金属錯体
の具体的な記載および化合物例は、特願2000-254171号
公報の段落番号0152から0180までに記載されて
いる。
遷移金属であればいずれも使用可能であるが、本発明で
は、ロジウム、白金、金、イリジウム、ルテニウム、パ
ラジウム等を好ましく用いることができ、より好ましい
ものはイリジウムである。前記オルトメタル化金属錯体
の具体的な記載および化合物例は、特願2000-254171号
公報の段落番号0152から0180までに記載されて
いる。
【0020】本発明において、りん光発光性化合物へ励
起子エネルギーをエネルギー移動により供給できるホス
ト化合物を発光層に用いることができる。前記ホスト化
合物は、前記りん光発光性化合物に励起子エネルギーを
移動できる化合物ならば特に限定されることはなく、例
えば、カルバゾ−ル、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オ
キサジアゾ−ル、イミダゾ−ル、ポリアリ−ルアルカ
ン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、ア
リ−ルアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラ
セン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザ
ン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキ
ノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオ
レニリデンメタン、ジスチリルピラジン、芳香族第三ア
ミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデ
ン系化合物、およびこれらの誘導体、フタロシアニン、
ポルフィリン系化合物、およびこれらの誘導体、ナフタ
レンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、およ
びその誘導体、8−キノリノ−ルおよびその誘導体の金
属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルや
ベンゾチアゾ−ルを配位子とする各種金属錯体、ポリシ
ラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾ−ル)および
その誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマ
−、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマ−、ポリ
チオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレ
ン、ポリフルオレン、およびこれらの誘導体の高分子化
合物、などが挙げられる。ホスト化合物は、一種単独で
使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
起子エネルギーをエネルギー移動により供給できるホス
ト化合物を発光層に用いることができる。前記ホスト化
合物は、前記りん光発光性化合物に励起子エネルギーを
移動できる化合物ならば特に限定されることはなく、例
えば、カルバゾ−ル、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オ
キサジアゾ−ル、イミダゾ−ル、ポリアリ−ルアルカ
ン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、ア
リ−ルアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラ
セン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザ
ン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキ
ノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオ
レニリデンメタン、ジスチリルピラジン、芳香族第三ア
ミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデ
ン系化合物、およびこれらの誘導体、フタロシアニン、
ポルフィリン系化合物、およびこれらの誘導体、ナフタ
レンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、およ
びその誘導体、8−キノリノ−ルおよびその誘導体の金
属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルや
ベンゾチアゾ−ルを配位子とする各種金属錯体、ポリシ
ラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾ−ル)および
その誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマ
−、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマ−、ポリ
チオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレ
ン、ポリフルオレン、およびこれらの誘導体の高分子化
合物、などが挙げられる。ホスト化合物は、一種単独で
使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
【0021】本発明の発光層には、必要に応じて電子も
しくは正孔を輸送する機能を持つ電子輸送材もしくは正
孔輸送材を用いることができる。
しくは正孔を輸送する機能を持つ電子輸送材もしくは正
孔輸送材を用いることができる。
【0022】該発光層における電子輸送材として、例え
ば、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、
フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジ
フェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミ
ド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、お
よびこれらの誘導体、フタロシアニン、およびその誘導
体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無
水物、およびその誘導体、8−キノリノール誘導体の金
属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールや
ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される
各種金属錯体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴ
マー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポ
リチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレ
ン、ポリフルオレン、およびそれらの誘導体等の高分子
化合物などが挙げられる。
ば、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、
フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジ
フェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミ
ド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、お
よびこれらの誘導体、フタロシアニン、およびその誘導
体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無
水物、およびその誘導体、8−キノリノール誘導体の金
属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールや
ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される
各種金属錯体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴ
マー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポ
リチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレ
ン、ポリフルオレン、およびそれらの誘導体等の高分子
化合物などが挙げられる。
【0023】該発光層における正孔輸送材として、例え
ば、カルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキ
サジアゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、
ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリー
ルアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセ
ン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザ
ン、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、
芳香族ジメチリデン系化合物、およびこれらの誘導体、
ポルフィリン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)およびその誘導体、アニリン系共重合体、チオフェ
ンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴ
マー、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレ
ンビニレン、ポリフルオレン、およびこれらの誘導体等
の高分子化合物などが挙げられる。
ば、カルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキ
サジアゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、
ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリー
ルアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセ
ン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザ
ン、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、
芳香族ジメチリデン系化合物、およびこれらの誘導体、
ポルフィリン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)およびその誘導体、アニリン系共重合体、チオフェ
ンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴ
マー、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレ
ンビニレン、ポリフルオレン、およびこれらの誘導体等
の高分子化合物などが挙げられる。
【0024】湿式製膜法を用いて発光層などの有機化合
物層の製膜を行う場合、機能性ポリマーのみを材料とし
て用いようとすると、有機化合物層、特に発光層では複
数の役割をもつ化合物が必要であるため、ポリマーブレ
ンド時における相溶性、溶媒の選定などの問題が発生
し、材料選定が非常に困難となる。また真空蒸着法など
の乾式製膜法で用いられる低分子材料を使って湿式製膜
法で製膜すると、溶媒乾燥後に材料が結晶化したり、塗
布積層を行う際に材料が溶出するなどの問題が発生し、
本法でも材料選定が困難となる。
物層の製膜を行う場合、機能性ポリマーのみを材料とし
て用いようとすると、有機化合物層、特に発光層では複
数の役割をもつ化合物が必要であるため、ポリマーブレ
ンド時における相溶性、溶媒の選定などの問題が発生
し、材料選定が非常に困難となる。また真空蒸着法など
の乾式製膜法で用いられる低分子材料を使って湿式製膜
法で製膜すると、溶媒乾燥後に材料が結晶化したり、塗
布積層を行う際に材料が溶出するなどの問題が発生し、
本法でも材料選定が困難となる。
【0025】上記の諸問題に対して、本発明では、特に
発光層に上記ポリマーバインダーを含有させる手段をと
る。該ポリマーバインダーを用いた場合、ポリマーバイ
ンダーに機能性ポリマーを分散できるため、発光材料、
ホスト材料、電荷輸送材料などの機能性化合物間におけ
る相溶性の問題を軽減できることや溶媒選定の自由度が
高くなるなどの利点が生じる。また低分子材料を層内に
含有させることができるため、塗布積層時における溶出
や結晶性の問題が回避できるなどの利点が生じる。上記
の利点により層の設計および材料選定の幅を拡大でき
る。またポリマーバインダーが電気的に不活性であるた
め、他の機能性材料との間でエネルギーや電荷の移動を
起こすことがない。意図しないエネルギーや電荷の移動
は、移動中の失活(migration)や三重項励起子の衝突
による消滅(inhibitation)などの損失を発生させ、素
子の発光特性に影響を及ぼすため好ましくない。
発光層に上記ポリマーバインダーを含有させる手段をと
る。該ポリマーバインダーを用いた場合、ポリマーバイ
ンダーに機能性ポリマーを分散できるため、発光材料、
ホスト材料、電荷輸送材料などの機能性化合物間におけ
る相溶性の問題を軽減できることや溶媒選定の自由度が
高くなるなどの利点が生じる。また低分子材料を層内に
含有させることができるため、塗布積層時における溶出
や結晶性の問題が回避できるなどの利点が生じる。上記
の利点により層の設計および材料選定の幅を拡大でき
る。またポリマーバインダーが電気的に不活性であるた
め、他の機能性材料との間でエネルギーや電荷の移動を
起こすことがない。意図しないエネルギーや電荷の移動
は、移動中の失活(migration)や三重項励起子の衝突
による消滅(inhibitation)などの損失を発生させ、素
子の発光特性に影響を及ぼすため好ましくない。
【0026】ポリマーバインダーは発光層、発光層以外
の有機化合物層、発光層および発光層以外の有機化合物
層のどちらに含有してもよく、含有する層を限定するも
のではないが、中でも特に発光層に含有することが好ま
しい。本発明における発光層以外の有機化合物層とは、
上記該有機化合物層の構成において、電場を印加したと
きに発光しない層を意味する。
の有機化合物層、発光層および発光層以外の有機化合物
層のどちらに含有してもよく、含有する層を限定するも
のではないが、中でも特に発光層に含有することが好ま
しい。本発明における発光層以外の有機化合物層とは、
上記該有機化合物層の構成において、電場を印加したと
きに発光しない層を意味する。
【0027】本発明で用いられる上記ポリマーバインダ
ーとして、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブ
チルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポ
リフェニレンオキシド、ポリブタジエン、炭化水素樹
脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチル
セルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、
メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、アルキド樹脂、エ
ポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルアセタールなどが列挙できるが、これらに限定
されるものではない。
ーとして、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブ
チルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポ
リフェニレンオキシド、ポリブタジエン、炭化水素樹
脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチル
セルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、
メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、アルキド樹脂、エ
ポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルアセタールなどが列挙できるが、これらに限定
されるものではない。
【0028】本発明の発光素子の有機化合物層中におけ
る上記ポリマーバインダーの含量は、発光特性が最適に
なるよう適宜な量を設定できる。
る上記ポリマーバインダーの含量は、発光特性が最適に
なるよう適宜な量を設定できる。
【0029】電気的に不活性なポリマーバインダーの誘
電率は、25℃、1kHzの測定条件で4.0以下であ
ることが好ましい。これ以上であると、望まない領域で
の電荷の蓄積やトラップなどが発生し、発光効率の低下
や駆動電圧の上昇が起こる場合がある。
電率は、25℃、1kHzの測定条件で4.0以下であ
ることが好ましい。これ以上であると、望まない領域で
の電荷の蓄積やトラップなどが発生し、発光効率の低下
や駆動電圧の上昇が起こる場合がある。
【0030】電気的に不活性なポリマーバインダーの屈
折率は、25℃において1.45以上1.65以下であ
ることが好ましく、1.45以上1.60以下が特に好
ましい。この範囲内のポリマーバインダーを用いた場
合、機能性材料との屈折率差は0.1程度となり、散乱
などによる発光の損失が減少できる。
折率は、25℃において1.45以上1.65以下であ
ることが好ましく、1.45以上1.60以下が特に好
ましい。この範囲内のポリマーバインダーを用いた場
合、機能性材料との屈折率差は0.1程度となり、散乱
などによる発光の損失が減少できる。
【0031】電気的に不活性なポリマーバインダーの溶
解度パラメータは、16.5MPa 1/2以上21.3M
Pa1/2以下であることが好ましい。同じ層内に用いる
化合物間の溶解度パラメータの差は小さい方が相溶性が
良好となり、より均一な薄膜を得ることができる。上記
範囲外のポリマーバインダーを用いた場合、同じ層に含
有する機能性材料との溶解度パラメータの差が大きくな
り相溶性が低下することにより、ドメイン形成や結晶化
などの問題点が発生し好ましくない。
解度パラメータは、16.5MPa 1/2以上21.3M
Pa1/2以下であることが好ましい。同じ層内に用いる
化合物間の溶解度パラメータの差は小さい方が相溶性が
良好となり、より均一な薄膜を得ることができる。上記
範囲外のポリマーバインダーを用いた場合、同じ層に含
有する機能性材料との溶解度パラメータの差が大きくな
り相溶性が低下することにより、ドメイン形成や結晶化
などの問題点が発生し好ましくない。
【0032】本発明の発光層は、上記各材料を溶剤中に
溶解もしくは分散させた溶液を湿式製膜法により製膜す
ることが好ましい。本発明で用いられる溶剤は、特に限
定されることはなく、発光層中に用いられる各種材料
(ホスト材料、発光材料、キャリア輸送材料、ポリマー
バインダー)を溶解もしくは分散できる溶剤を選択でき
る。例えばクロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタ
ン、1,2−ジクロロエタン、クロロベンゼンなどのハ
ロゲン系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチ
ルケトン、n−プロピルメチルケトン、シクロヘキサノ
ンなどのケトン系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン
などの芳香族系溶剤、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、
酢酸n−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラク
トン、炭酸ジエチルなどのエステル系溶剤、テトラヒド
ロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶剤、ジメチル
ホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶
剤、ジメチルスルホキシド、水などが列挙できる。
溶解もしくは分散させた溶液を湿式製膜法により製膜す
ることが好ましい。本発明で用いられる溶剤は、特に限
定されることはなく、発光層中に用いられる各種材料
(ホスト材料、発光材料、キャリア輸送材料、ポリマー
バインダー)を溶解もしくは分散できる溶剤を選択でき
る。例えばクロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタ
ン、1,2−ジクロロエタン、クロロベンゼンなどのハ
ロゲン系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチ
ルケトン、n−プロピルメチルケトン、シクロヘキサノ
ンなどのケトン系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン
などの芳香族系溶剤、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、
酢酸n−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラク
トン、炭酸ジエチルなどのエステル系溶剤、テトラヒド
ロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶剤、ジメチル
ホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶
剤、ジメチルスルホキシド、水などが列挙できる。
【0033】溶剤に対する固形分量は特に限定されるこ
とはなく、発光素子の発光特性に応じて適宜な量を設定
できる。溶液の粘度も湿式製膜方法に応じて任意に変え
ることができる。
とはなく、発光素子の発光特性に応じて適宜な量を設定
できる。溶液の粘度も湿式製膜方法に応じて任意に変え
ることができる。
【0034】本発明における湿式製膜の方法は特に限定
されることはなく、例えばスピンコート法、ディップコ
ート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、
ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法な
どが列挙できる。また湿式製膜後の乾燥温度は特に限定
されず、陽極や製膜した層が損傷しない範囲であればよ
い。製膜された発光層の膜厚は10〜200nmが好ま
しく、20nm〜80nmがより好ましい。
されることはなく、例えばスピンコート法、ディップコ
ート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、
ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法な
どが列挙できる。また湿式製膜後の乾燥温度は特に限定
されず、陽極や製膜した層が損傷しない範囲であればよ
い。製膜された発光層の膜厚は10〜200nmが好ま
しく、20nm〜80nmがより好ましい。
【0035】本発明において、発光層の他に電荷バラン
スおよび励起子生成効率の向上の目的で正孔注入層、正
孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などの無機および有
機化合物層を必要に応じて積層することができる。中で
も電子輸送層を設けることが特に好ましい。
スおよび励起子生成効率の向上の目的で正孔注入層、正
孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などの無機および有
機化合物層を必要に応じて積層することができる。中で
も電子輸送層を設けることが特に好ましい。
【0036】正孔注入層の材料としては、透明陽極から
正孔を注入可能であるか、あるいは背面電極から注入さ
れた電子を障壁可能であればよく、例えば、フタロシア
ニン化合物などのP型の有機化合物、ポリアニリン、ポ
リチオフェンなどのP型の高分子化合物、ポリ(3,4
−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)−ポリ
スチレンスルホン酸ナトリウム(PSS)などのイオン
導電体、沃化銅や酸化第二錫などのP型無機化合物を挙
げることができる。これらの材料は駆動電圧をほとんど
上昇させることなく、発光素子の膜厚を大きくさせるこ
とができ、輝度ムラやショートなどの欠陥の改善にも有
用である。
正孔を注入可能であるか、あるいは背面電極から注入さ
れた電子を障壁可能であればよく、例えば、フタロシア
ニン化合物などのP型の有機化合物、ポリアニリン、ポ
リチオフェンなどのP型の高分子化合物、ポリ(3,4
−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)−ポリ
スチレンスルホン酸ナトリウム(PSS)などのイオン
導電体、沃化銅や酸化第二錫などのP型無機化合物を挙
げることができる。これらの材料は駆動電圧をほとんど
上昇させることなく、発光素子の膜厚を大きくさせるこ
とができ、輝度ムラやショートなどの欠陥の改善にも有
用である。
【0037】正孔輸送層の材料としては、正孔を輸送す
る機能もしくは陰極より注入された電子を障壁する機能
のいずれかを有するものであれば制限されることはな
く、例えば、カルバゾール、トリアゾール、オキサゾー
ル、オキサジアゾール、イミダゾール、ポリアリールア
ルカン。ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミ
ン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルア
ントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、
シラザン、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化
合物、芳香族ジメチリデン系化合物、およびこれらの誘
導体、ポルフィリン系化合物、およびその誘導体 ポリ(N−ビニルカルバゾール)およびその誘導体、ア
ニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフ
ェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン、ポ
リフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレ
ン、およびこれらの誘導体等の高分子化合物などが挙げ
られる。
る機能もしくは陰極より注入された電子を障壁する機能
のいずれかを有するものであれば制限されることはな
く、例えば、カルバゾール、トリアゾール、オキサゾー
ル、オキサジアゾール、イミダゾール、ポリアリールア
ルカン。ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミ
ン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルア
ントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、
シラザン、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化
合物、芳香族ジメチリデン系化合物、およびこれらの誘
導体、ポルフィリン系化合物、およびその誘導体 ポリ(N−ビニルカルバゾール)およびその誘導体、ア
ニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフ
ェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン、ポ
リフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレ
ン、およびこれらの誘導体等の高分子化合物などが挙げ
られる。
【0038】電子輸送層の材料としては、電子を輸送す
る機能もしくは陽極より注入された正孔を障壁する機能
のいずれかを有するものであれば制限されることはな
く、例えば、トリアゾール、オキサゾール、オキサジア
ゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アント
ロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カル
ボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラ
ジン、フタロシアニン、およびこれらの誘導体、ナフタ
レンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、およ
びその誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメ
タルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチア
ゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯
体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリ
チオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェ
ン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリフ
ルオレン、およびこれらの誘導体等の高分子化合物など
が挙げられる。
る機能もしくは陽極より注入された正孔を障壁する機能
のいずれかを有するものであれば制限されることはな
く、例えば、トリアゾール、オキサゾール、オキサジア
ゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アント
ロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カル
ボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラ
ジン、フタロシアニン、およびこれらの誘導体、ナフタ
レンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、およ
びその誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメ
タルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチア
ゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯
体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリ
チオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェ
ン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリフ
ルオレン、およびこれらの誘導体等の高分子化合物など
が挙げられる。
【0039】本発明においては、上記の非発光性の各有
機化合物層のいずれか、もしくはすべてに電気的に不活
性なポリマーバインダーを含有させることができる。す
なわち該有機化合物層のうち少なくとも一層が、湿式製
膜法により形成される。有機化合物層を湿式製膜法で製
膜しているため、蒸着法と比較して製造効率が高い。特
に正孔輸送層や電子輸送層に低分子材料を用いる場合
は、製膜状態を向上させ、かつ電気的なトラップなどを
発生させない電気的に不活性なポリマーバインダーを使
用することは特に好ましい。
機化合物層のいずれか、もしくはすべてに電気的に不活
性なポリマーバインダーを含有させることができる。す
なわち該有機化合物層のうち少なくとも一層が、湿式製
膜法により形成される。有機化合物層を湿式製膜法で製
膜しているため、蒸着法と比較して製造効率が高い。特
に正孔輸送層や電子輸送層に低分子材料を用いる場合
は、製膜状態を向上させ、かつ電気的なトラップなどを
発生させない電気的に不活性なポリマーバインダーを使
用することは特に好ましい。
【0040】本発明における発光素子の基板の材料とし
ては、水分を透過させない、又は極めて低い水分透過率
の材料が好ましく、また有機化合物層からの発光を散乱
ないし減衰等させることのない材料が好ましく、例えば
YSZ(ジルコニア安定化イットリウム)、ガラス等の
無機材料、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリブチレン
テレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエ
ステル、ポリスチレン、ポリカ−ボネ−ト、ポリエ−テ
ルスルホン、ポリアリレ−ト、アリルジグリコ−ルカ−
ボネ−ト、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボ
ルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の
合成樹脂等の有機材料、などが挙げられる。有機材料の
場合、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加
工性、低通気性、低吸湿性等に優れていることが好まし
い。これらの中でも、透明電極の材料が該透明電極の材
料として好適に使用される酸化錫インジウム(ITO)
である場合には、ITOとの格子定数の差が小さい材料
が好ましい。これらの材料は、一種単独で使用してもよ
いし、二種以上を併用してもよい。
ては、水分を透過させない、又は極めて低い水分透過率
の材料が好ましく、また有機化合物層からの発光を散乱
ないし減衰等させることのない材料が好ましく、例えば
YSZ(ジルコニア安定化イットリウム)、ガラス等の
無機材料、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリブチレン
テレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエ
ステル、ポリスチレン、ポリカ−ボネ−ト、ポリエ−テ
ルスルホン、ポリアリレ−ト、アリルジグリコ−ルカ−
ボネ−ト、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボ
ルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の
合成樹脂等の有機材料、などが挙げられる。有機材料の
場合、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加
工性、低通気性、低吸湿性等に優れていることが好まし
い。これらの中でも、透明電極の材料が該透明電極の材
料として好適に使用される酸化錫インジウム(ITO)
である場合には、ITOとの格子定数の差が小さい材料
が好ましい。これらの材料は、一種単独で使用してもよ
いし、二種以上を併用してもよい。
【0041】基板の形状、構造、大きさ等については、
特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜
選択することができる。一般的には、形状としては、板
状である。構造としては、単層構造、積層構造どちらで
あってもよく、また単一部材で形成されていてもよい
し、2以上の部材で形成されていてもよい。基板は、無
色透明であってもよいし、有色透明であってもよいが、
発光層から発せられる光を散乱あるいは減衰等させるこ
とがない点で、無色透明であるのが好ましい。
特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜
選択することができる。一般的には、形状としては、板
状である。構造としては、単層構造、積層構造どちらで
あってもよく、また単一部材で形成されていてもよい
し、2以上の部材で形成されていてもよい。基板は、無
色透明であってもよいし、有色透明であってもよいが、
発光層から発せられる光を散乱あるいは減衰等させるこ
とがない点で、無色透明であるのが好ましい。
【0042】基板には、その表面又は裏面(前記透明電
極側)に透湿防止層(ガスバリア層)を設けるのが好ま
しい。透湿防止層の材料としては、窒化珪素、酸化珪素
などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層は、例え
ば、高周波スパッタリング法などにより形成することが
できる。基板には、さらに必要に応じて、ハ−ドコ−ト
層、アンダ−コ−ト層などを設けてもよい。
極側)に透湿防止層(ガスバリア層)を設けるのが好ま
しい。透湿防止層の材料としては、窒化珪素、酸化珪素
などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層は、例え
ば、高周波スパッタリング法などにより形成することが
できる。基板には、さらに必要に応じて、ハ−ドコ−ト
層、アンダ−コ−ト層などを設けてもよい。
【0043】透明電極としては、通常有機化合物層に正
孔を供給する陽極としての機能を有していればよく、そ
の形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発
光素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜
選択できる。透明電極を陰極として機能させることもで
き、この場合、背面電極を陽極として機能させるように
すればよい。
孔を供給する陽極としての機能を有していればよく、そ
の形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発
光素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜
選択できる。透明電極を陰極として機能させることもで
き、この場合、背面電極を陽極として機能させるように
すればよい。
【0044】透明電極の材料としては、例えば、金属、
合金、金属酸化物、有機導電性化合物、またはこれらの
混合物を好適に挙げられ、仕事関数が4.0eV以上の
材料が好ましい。具体例としては、アンチモンやフッ素
等をド−プした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸
化亜鉛、酸化インジウム、ITO、酸化亜鉛インジウム
(IZO)等の半導性金属酸化物、金、銀、クロム、ニ
ッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化
物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無
機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピ
ロ−ルなどの有機導電性材料、およびこれらとITOと
の積層物などが挙げられる。
合金、金属酸化物、有機導電性化合物、またはこれらの
混合物を好適に挙げられ、仕事関数が4.0eV以上の
材料が好ましい。具体例としては、アンチモンやフッ素
等をド−プした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸
化亜鉛、酸化インジウム、ITO、酸化亜鉛インジウム
(IZO)等の半導性金属酸化物、金、銀、クロム、ニ
ッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化
物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無
機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピ
ロ−ルなどの有機導電性材料、およびこれらとITOと
の積層物などが挙げられる。
【0045】透明電極の基板上への形成方法は、例え
ば、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等の
物理的方式、化学蒸着法(CVD)、プラズマCVD法
等の化学的方式、などの中から前記材料との適性を考慮
して適宜選択できる。例えば、透明電極の材料として、
ITOを選択する場合には、該透明電極の形成は、直流
あるいは高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレ−
ティング法等に従って行うことができる。また透明電極
の材料として有機導電性化合物を選択する場合には湿式
製膜法に従って行うことができる。
ば、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等の
物理的方式、化学蒸着法(CVD)、プラズマCVD法
等の化学的方式、などの中から前記材料との適性を考慮
して適宜選択できる。例えば、透明電極の材料として、
ITOを選択する場合には、該透明電極の形成は、直流
あるいは高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレ−
ティング法等に従って行うことができる。また透明電極
の材料として有機導電性化合物を選択する場合には湿式
製膜法に従って行うことができる。
【0046】透明電極の発光素子における形成位置とし
ては、特に制限はなく、該発光素子の用途、目的に応じ
て適宜選択できるが、基板上に形成されるのが好まし
い。この場合、透明電極は、基板における一方の表面の
全部、あるいはその一部に形成されていてもよい。
ては、特に制限はなく、該発光素子の用途、目的に応じ
て適宜選択できるが、基板上に形成されるのが好まし
い。この場合、透明電極は、基板における一方の表面の
全部、あるいはその一部に形成されていてもよい。
【0047】透明電極のパタ−ニングは、フォトリソグ
ラフィ−などによる化学的エッチングにより行ってもよ
いし、レ−ザ−などによる物理的エッチングにより行っ
てもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等
をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法により行
ってもよい。
ラフィ−などによる化学的エッチングにより行ってもよ
いし、レ−ザ−などによる物理的エッチングにより行っ
てもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等
をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法により行
ってもよい。
【0048】透明電極に必要とされる特性には以下のも
のがある。厚みは、材料により適宜選択でき、一概に規
定することはできないが、通常10nm〜50μmであ
り、50nm〜20μmが好ましい。抵抗値は、103
Ω/□以下が好ましく、102Ω/□以下がより好まし
い。色調、透明性は、無色透明であっても、有色透明で
あってもよく、該透明電極側から発光を取り出すために
は、その透過率としては、60%以上が好ましく、70
%以上がより好ましい。この透過率は、分光光度計を用
いた公知の方法に従って測定することができる。
のがある。厚みは、材料により適宜選択でき、一概に規
定することはできないが、通常10nm〜50μmであ
り、50nm〜20μmが好ましい。抵抗値は、103
Ω/□以下が好ましく、102Ω/□以下がより好まし
い。色調、透明性は、無色透明であっても、有色透明で
あってもよく、該透明電極側から発光を取り出すために
は、その透過率としては、60%以上が好ましく、70
%以上がより好ましい。この透過率は、分光光度計を用
いた公知の方法に従って測定することができる。
【0049】なお、透明電極については、沢田豊監修
「透明電極膜の新展開」シ−エムシ−刊(1999)に
詳述されており、これを本発明に適用できる。耐熱性の
低いプラスティック基材を用いる場合は、ITOまたは
IZOを使用し、150℃以下の低温で製膜した透明電
極が好ましい。
「透明電極膜の新展開」シ−エムシ−刊(1999)に
詳述されており、これを本発明に適用できる。耐熱性の
低いプラスティック基材を用いる場合は、ITOまたは
IZOを使用し、150℃以下の低温で製膜した透明電
極が好ましい。
【0050】本発明に用いられる陰極は、有機化合物層
に電子を供給するものである。陰極に用いられる材料と
しては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、
またはこれらの混合物を用いることができ、具体例とし
てはアルカリ金属(例えばLi、Na、Kなど)、また
はそのフッ化物、アルカリ土類金属(例えばMg,Ca
など)、またはそのフッ化物、金、銀、鉛、アルミニウ
ム、ナトリウム―カリウム合金、リチウム―アルミニウ
ム合金、マグネシウム―銀合金、インジウム、イッテル
ビウムなどの希土類金属などがあげられ、好ましくは仕
事関数が4.5eV以下の材料である。より好ましくは
アルミニウム、リチウム―アルミニウム合金、マグネシ
ウム―銀合金が挙げられる。陰極の膜厚は材料により適
宜選択可能であるが、通常10nm〜5μmの範囲のも
のが好ましく、より好ましくは50nm〜1μmであ
る。
に電子を供給するものである。陰極に用いられる材料と
しては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、
またはこれらの混合物を用いることができ、具体例とし
てはアルカリ金属(例えばLi、Na、Kなど)、また
はそのフッ化物、アルカリ土類金属(例えばMg,Ca
など)、またはそのフッ化物、金、銀、鉛、アルミニウ
ム、ナトリウム―カリウム合金、リチウム―アルミニウ
ム合金、マグネシウム―銀合金、インジウム、イッテル
ビウムなどの希土類金属などがあげられ、好ましくは仕
事関数が4.5eV以下の材料である。より好ましくは
アルミニウム、リチウム―アルミニウム合金、マグネシ
ウム―銀合金が挙げられる。陰極の膜厚は材料により適
宜選択可能であるが、通常10nm〜5μmの範囲のも
のが好ましく、より好ましくは50nm〜1μmであ
る。
【0051】陰極の作成には材料によって種々の方法が
用いられる。例えばスパッタリング法、真空蒸着法、コ
ーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着
することも、二成分以上を同時に蒸着することも可能で
ある。
用いられる。例えばスパッタリング法、真空蒸着法、コ
ーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着
することも、二成分以上を同時に蒸着することも可能で
ある。
【0052】本発明においては、陰極の外側に酸化珪
素、二酸化珪素、酸化ゲルマニウム、二酸化ゲルマニウ
ムなどの保護層を設けることができる。保護層の材料と
しては水分や酸素などの素子の劣化を促進するものが素
子内に入ることを抑止する機能を有しているものであれ
ばよい。保護層の形成方法については特に限定はなく、
例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタ
リング法、分子線エピタキシ法、クラスターイオンビー
ム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、プラ
ズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーテ
ィング法を適用できる。
素、二酸化珪素、酸化ゲルマニウム、二酸化ゲルマニウ
ムなどの保護層を設けることができる。保護層の材料と
しては水分や酸素などの素子の劣化を促進するものが素
子内に入ることを抑止する機能を有しているものであれ
ばよい。保護層の形成方法については特に限定はなく、
例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタ
リング法、分子線エピタキシ法、クラスターイオンビー
ム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、プラ
ズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーテ
ィング法を適用できる。
【0053】本発明の発光素子は、外部との水分や酸素
の遮断の目的で、封止板、封止容器を使い、封止材など
により封止される。封止板、封止容器に用いられる材質
としては、ガラス、ステンレス、アルミなどの金属、ポ
リエステル、ポリカーボネートなどのプラスチックやセ
ラミックなどを用いることができる。封止材として紫外
線硬化樹脂、二液型硬化樹脂を用いることができる。
の遮断の目的で、封止板、封止容器を使い、封止材など
により封止される。封止板、封止容器に用いられる材質
としては、ガラス、ステンレス、アルミなどの金属、ポ
リエステル、ポリカーボネートなどのプラスチックやセ
ラミックなどを用いることができる。封止材として紫外
線硬化樹脂、二液型硬化樹脂を用いることができる。
【0054】さらに本発明において、封止容器と発光素
子の間の空間に、水分吸収剤または不活性液体を設ける
ことができる。水分吸収剤としては、特に限定されるこ
とはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、
酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、硫
酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五
酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、
フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化
バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライトなどを挙
げることができる。不活性液体としては特に限定される
ことはないが例えば、パラフィン類、流動パラフィン
類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パー
フルオロエーテルなどのフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シ
リコーンオイル類が列挙できる。
子の間の空間に、水分吸収剤または不活性液体を設ける
ことができる。水分吸収剤としては、特に限定されるこ
とはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、
酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、硫
酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五
酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、
フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化
バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライトなどを挙
げることができる。不活性液体としては特に限定される
ことはないが例えば、パラフィン類、流動パラフィン
類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パー
フルオロエーテルなどのフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シ
リコーンオイル類が列挙できる。
【0055】以上のようにして、発光効率および発光輝
度に優れた本発明の発光素子を作成することができる。
また有機化合物層を湿式製膜法で製膜しているため製造
効率の高い発光素子でもある。
度に優れた本発明の発光素子を作成することができる。
また有機化合物層を湿式製膜法で製膜しているため製造
効率の高い発光素子でもある。
【0056】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれにより限定されるものではない。 実施例1 2.5cm角(厚み0.5mm)のガラス基板上にDC
マグネトロンスパッタにより、250nmの膜厚でIT
O(インジウム/錫=95/5モル比)を成膜し、パタ
ーニングした。ITOの表面抵抗は6Ω/□であった。
イソプロピルアルコール(IPA)洗浄と酸素プラズマ
処理をした後、ITO上にPEDOT−PSS(ベイト
ロン、バイエル社製)をスピンコーターにより塗布し、
150℃で2時間真空乾燥して、正孔注入層(膜厚10
0nm)を製膜した。膜厚測定は触針式膜厚計(日本真
空技術社製DEKTAK−3)を用いて行った。
するが、本発明はこれにより限定されるものではない。 実施例1 2.5cm角(厚み0.5mm)のガラス基板上にDC
マグネトロンスパッタにより、250nmの膜厚でIT
O(インジウム/錫=95/5モル比)を成膜し、パタ
ーニングした。ITOの表面抵抗は6Ω/□であった。
イソプロピルアルコール(IPA)洗浄と酸素プラズマ
処理をした後、ITO上にPEDOT−PSS(ベイト
ロン、バイエル社製)をスピンコーターにより塗布し、
150℃で2時間真空乾燥して、正孔注入層(膜厚10
0nm)を製膜した。膜厚測定は触針式膜厚計(日本真
空技術社製DEKTAK−3)を用いて行った。
【0057】正孔注入層上にりん光発光性化合物として
トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム錯体、ホス
ト材料兼正孔輸送材料として4,4’−N,N’−ジカ
ルバゾ−ルビフェニル(CBP)、電子輸送材料として
2−(4−ビフェニル)−5−(4−t−ブチル−フェ
ニル)−1,3,4−オキサジアゾール(t−PB
D)、および電気的に不活性なポリマーバインダーとし
てPC−Z型ポリカーボネート(帝人化成株式会社製
パンライトTS−2020、Mw=21000、誘電率
=3.0、屈折率=1.60、溶解度パラメータ=2
0.0MPa1/2)をそれぞれ1:20:6:10の質
量比でジクロロエタンに溶解して得た塗布液を、スピン
コ−タ−を用いて塗布し、室温で乾燥させて厚みが60
nmの発光層を形成した。
トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム錯体、ホス
ト材料兼正孔輸送材料として4,4’−N,N’−ジカ
ルバゾ−ルビフェニル(CBP)、電子輸送材料として
2−(4−ビフェニル)−5−(4−t−ブチル−フェ
ニル)−1,3,4−オキサジアゾール(t−PB
D)、および電気的に不活性なポリマーバインダーとし
てPC−Z型ポリカーボネート(帝人化成株式会社製
パンライトTS−2020、Mw=21000、誘電率
=3.0、屈折率=1.60、溶解度パラメータ=2
0.0MPa1/2)をそれぞれ1:20:6:10の質
量比でジクロロエタンに溶解して得た塗布液を、スピン
コ−タ−を用いて塗布し、室温で乾燥させて厚みが60
nmの発光層を形成した。
【0058】この有機化合物層の上にパターニングした
マスク(発光面積が5mm×4mmとなるマスク)を設
置し、蒸着装置内でマグネシウム―銀=10:1(モル
比)を0.25μm蒸着し、さらに銀を0.3μm蒸着
して陰極を設けた。陽極、陰極よりそれぞれアルミニウ
ムのリード線を設置した。そして素子を窒素ガスで置換
したグローブボックス内に入れ、ガラス製の封止容器に
紫外線硬化型接着剤(長瀬チバ製、XNR5493)を
用いて封止し本発明の発光素子を作製した。
マスク(発光面積が5mm×4mmとなるマスク)を設
置し、蒸着装置内でマグネシウム―銀=10:1(モル
比)を0.25μm蒸着し、さらに銀を0.3μm蒸着
して陰極を設けた。陽極、陰極よりそれぞれアルミニウ
ムのリード線を設置した。そして素子を窒素ガスで置換
したグローブボックス内に入れ、ガラス製の封止容器に
紫外線硬化型接着剤(長瀬チバ製、XNR5493)を
用いて封止し本発明の発光素子を作製した。
【0059】得られた上記発光素子について、以下の方
法で発光特性を評価した。東洋テクニカ社製ソースメジ
ャーユニット2400型を用い、発光素子に直流電圧を
印加し発光させ、発光輝度をトプコン社製BM−8で測
定した。表1に発光素子の最高輝度をLmax、発光効率
を表す指標として、200cd/m2における外部量子
効率をη200および2000cd/m2における外部量子
効率をη2000のそれぞれを示す。
法で発光特性を評価した。東洋テクニカ社製ソースメジ
ャーユニット2400型を用い、発光素子に直流電圧を
印加し発光させ、発光輝度をトプコン社製BM−8で測
定した。表1に発光素子の最高輝度をLmax、発光効率
を表す指標として、200cd/m2における外部量子
効率をη200および2000cd/m2における外部量子
効率をη2000のそれぞれを示す。
【0060】実施例2 実施例1と同様の方法でITO膜、正孔注入層、発光層
を製膜し、更にその上に[化1]で示される電子輸送性
化合物および電気的に不活性なポリマーバインダーとし
てポリビニルブチラール(アルドリッチ社製、Mw=5
0000、誘電率3.1−4.0、屈折率1.48、溶
解度パラメータ21.2)を2:1の割合でn−ブタノ
ールに溶解させて得た塗布液を、スピンコーターで発光
層上に塗布製膜し、100℃で1時間真空乾燥し電子輸
送層(膜厚30nm)を製膜した。発光層から電子輸送
性材料であるt−PBDを除いた以外は、実施例1と同
様の方法で素子を製作して、評価した。その結果を表1
に示す。実施例1と比較して、更にLmaxが高く、発光
効率が2倍である発光素子が得られた。
を製膜し、更にその上に[化1]で示される電子輸送性
化合物および電気的に不活性なポリマーバインダーとし
てポリビニルブチラール(アルドリッチ社製、Mw=5
0000、誘電率3.1−4.0、屈折率1.48、溶
解度パラメータ21.2)を2:1の割合でn−ブタノ
ールに溶解させて得た塗布液を、スピンコーターで発光
層上に塗布製膜し、100℃で1時間真空乾燥し電子輸
送層(膜厚30nm)を製膜した。発光層から電子輸送
性材料であるt−PBDを除いた以外は、実施例1と同
様の方法で素子を製作して、評価した。その結果を表1
に示す。実施例1と比較して、更にLmaxが高く、発光
効率が2倍である発光素子が得られた。
【0061】
【化1】
【0062】比較例1 実施例1の発光層内に電気的に不活性なポリマーバイン
ダーであるPC−Z型ポリカーボネートを用いない以外
は、実施例1と同様の方法で素子を作製して、評価し
た。その結果を表1に示す。輝度は2000cd/m2
に達せず、外部量子効率も低かった。また発光層の結晶
化によりショートや暗点などの非発光部位が多く存在し
た。この場合、輝度や発光面の発光安定性で問題があ
る。
ダーであるPC−Z型ポリカーボネートを用いない以外
は、実施例1と同様の方法で素子を作製して、評価し
た。その結果を表1に示す。輝度は2000cd/m2
に達せず、外部量子効率も低かった。また発光層の結晶
化によりショートや暗点などの非発光部位が多く存在し
た。この場合、輝度や発光面の発光安定性で問題があ
る。
【0063】比較例2 実施例1のPC−Z型ポリカーボネートの代わりに誘電
率の大きなポリビニリデンフルオライド(アルドリッチ
社製、Mw=180000、誘電率8.4)を用いた以
外は実施例1と同じ方法で発光素子を作製して、評価し
た。その結果を表1に示す。実施例1と比較してη2000
では2%以上低下した。
率の大きなポリビニリデンフルオライド(アルドリッチ
社製、Mw=180000、誘電率8.4)を用いた以
外は実施例1と同じ方法で発光素子を作製して、評価し
た。その結果を表1に示す。実施例1と比較してη2000
では2%以上低下した。
【0064】比較例3 実施例1において、PC−Z型ポリカーボネートの代わ
りに溶解度パラメータの大きなポリエステル(バイロン
社製、Mw=20000、溶解度パラメータ=21.5
MPa1/2)を用いた以外は実施例1と同様の方法で発
光素子を作製して、評価した。その結果を表1に示す。
η200の値は0.8%と低く、更に発光面にも目視で確
認できる程のむらがあり、発光が均一でなかった。
りに溶解度パラメータの大きなポリエステル(バイロン
社製、Mw=20000、溶解度パラメータ=21.5
MPa1/2)を用いた以外は実施例1と同様の方法で発
光素子を作製して、評価した。その結果を表1に示す。
η200の値は0.8%と低く、更に発光面にも目視で確
認できる程のむらがあり、発光が均一でなかった。
【0065】比較例4 実施例2において、電子輸送層に電気的に不活性なポリ
マーバインダーであるポリビニルブチラールを使用しな
いこと以外は、実施例2と同様に素子を製作して、評価
した。その結果を表1に示す。発光効率は実施例2と比
較すると低くかった。電子輸送層に電気的に不活性なポ
リマーバインダーを含有させることは、発光素子の最高
輝度および発光効率の上昇に寄与することが確認でき
た。
マーバインダーであるポリビニルブチラールを使用しな
いこと以外は、実施例2と同様に素子を製作して、評価
した。その結果を表1に示す。発光効率は実施例2と比
較すると低くかった。電子輸送層に電気的に不活性なポ
リマーバインダーを含有させることは、発光素子の最高
輝度および発光効率の上昇に寄与することが確認でき
た。
【0066】
【表1】
【0067】
【発明の効果】本発明によれば、有機化合物層に電気的
に不活性なポリマーバインダー、りん光発光性化合物を
含有させることで、最高輝度および発光効率に優れた発
光素子を得られた。また該ポリマーバインダーを発光層
に含有させた場合のみならず、電子輸送層などの非発光
性の有機化合物層に含有させた場合にも効果があること
が確認された。さらに発光素子の有機化合物層の少なく
とも一層が湿式製膜法で形成できるため製造効率が高
い。
に不活性なポリマーバインダー、りん光発光性化合物を
含有させることで、最高輝度および発光効率に優れた発
光素子を得られた。また該ポリマーバインダーを発光層
に含有させた場合のみならず、電子輸送層などの非発光
性の有機化合物層に含有させた場合にも効果があること
が確認された。さらに発光素子の有機化合物層の少なく
とも一層が湿式製膜法で形成できるため製造効率が高
い。
Claims (7)
- 【請求項1】支持基板上に設けた少なくとも発光層を含
む一層以上の有機化合物層および該有機化合物層を挟む
一対の電極を含有する発光素子において、該発光層が少
なくとも一種のりん光発光性化合物を含有し、該有機化
合物層に電気的に不活性なポリマーバインダーを含有す
ることを特徴とする発光素子。 - 【請求項2】有機化合物層が少なくとも発光層および電
子輸送層を有し、該発光層および電子輸送層のうち少な
くとも一層に電気的に不活性なポリマーバインダーを含
有していることを特徴とする請求項1に記載の発光素
子。 - 【請求項3】ポリマーバインダーの25℃、1kHzに
おける誘電率が4.0以下であることを特徴とする請求
項1又は2に記載の発光素子。 - 【請求項4】ポリマーバインダーの25℃における屈折
率が1.45以上1.65以下であることを特徴とする
請求項1乃至3のいずれかに記載の発光素子。 - 【請求項5】ポリマーバインダーの溶解度パラメータが
16.5MPa1/2以上21.3MPa1/2以下であるこ
とを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の発光
素子。 - 【請求項6】有機化合物層のうち少なくとも一層が、湿
式製膜法により形成されることを特徴とする請求項1乃
至5のいずれかに記載の発光素子。 - 【請求項7】発光層のりん光発光性化合物がオルトメタ
ル化錯体であることを特徴とする請求項1乃至6のいず
れかに記載の発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000374885A JP2002180040A (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000374885A JP2002180040A (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002180040A true JP2002180040A (ja) | 2002-06-26 |
Family
ID=18843987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000374885A Pending JP2002180040A (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002180040A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004022544A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Samsung Sdi Co Ltd | 燐鉱材料の混合物を発光材料として使用した高分子有機電界発光素子 |
JP2007134693A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-05-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7332739B2 (en) | 2002-06-20 | 2008-02-19 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent device using mixture of phosphorescent material as light-emitting substance |
US7422800B2 (en) | 2004-03-10 | 2008-09-09 | Fujifilm Corporation | Light emitting device |
JP2009032976A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
US7635946B2 (en) | 2004-03-10 | 2009-12-22 | Fujifilm Corporation | Light emitting device |
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US20130345333A1 (en) * | 2012-06-26 | 2013-12-26 | Lee June KIM | Adhesive film, adhesive composition for the same, and optical member including the same |
-
2000
- 2000-12-08 JP JP2000374885A patent/JP2002180040A/ja active Pending
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