JP2002162938A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳＲＡＭを内蔵した液晶表示装置において、
ＳＲＡＭ保持データによる駆動時の消費電力を更に低減
して一層の省電力化を図る。 【解決手段】 液晶表示装置の電源電圧発生部におい
て、ＤＣ／ＤＣコンバータ５１の出力側に、電源制御手
段としてのスイッチ用のＦＥＴ５２を挿入して、このＦ
ＥＴ５２を介してＸＶＤＤをＸドライバに出力するよう
に構成する。そして、ＳＲＡＭ保持データを画素に供給
して静的な表示を行う期間中は、ＳＲＡＭモード信号に
よりＦＥＴ５２の導通をオフすることにより、Ｘドライ
バへのＸＶＤＤの供給を停止する。
ＳＲＡＭ保持データによる駆動時の消費電力を更に低減
して一層の省電力化を図る。 【解決手段】 液晶表示装置の電源電圧発生部におい
て、ＤＣ／ＤＣコンバータ５１の出力側に、電源制御手
段としてのスイッチ用のＦＥＴ５２を挿入して、このＦ
ＥＴ５２を介してＸＶＤＤをＸドライバに出力するよう
に構成する。そして、ＳＲＡＭ保持データを画素に供給
して静的な表示を行う期間中は、ＳＲＡＭモード信号に
よりＦＥＴ５２の導通をオフすることにより、Ｘドライ
バへのＸＶＤＤの供給を停止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＲＡＭを有する
液晶表示装置に係り、特にＳＲＡＭ保持データの表示時
の低消費電力化を達成するための駆動回路技術に関す
る。
液晶表示装置に係り、特にＳＲＡＭ保持データの表示時
の低消費電力化を達成するための駆動回路技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来よりアクティブマトリクス型液晶表
示装置は、ＴＦＴ液晶表示装置に代表されるように、軽
量、薄型、低消費電力等の特長を活かし、テレビ、携帯
情報端末、或いはグラフィックディスプレイ等の表示素
子として盛んに利用されている。最近では、従来のアモ
ルファスシリコンＴＦＴに比べて電子移動度が高いポリ
シリコンＴＦＴを比較的低温のプロセスで形成する技術
が確立したことによりＴＦＴの小型化が可能となり、ま
た不純物ドーピングプロセスの導入によって相補型トラ
ンジスタ（ＣＭＯＳトランジスタ）の形成が可能になっ
たことから、ガラス基板上に駆動回路を一体形成したＴ
ＦＴ液晶表示装置も出現している。
示装置は、ＴＦＴ液晶表示装置に代表されるように、軽
量、薄型、低消費電力等の特長を活かし、テレビ、携帯
情報端末、或いはグラフィックディスプレイ等の表示素
子として盛んに利用されている。最近では、従来のアモ
ルファスシリコンＴＦＴに比べて電子移動度が高いポリ
シリコンＴＦＴを比較的低温のプロセスで形成する技術
が確立したことによりＴＦＴの小型化が可能となり、ま
た不純物ドーピングプロセスの導入によって相補型トラ
ンジスタ（ＣＭＯＳトランジスタ）の形成が可能になっ
たことから、ガラス基板上に駆動回路を一体形成したＴ
ＦＴ液晶表示装置も出現している。
【０００３】また、ＣＭＯＳ回路を形成できることを利
用して、一画素内に映像データ（液晶印加電圧）を静的
に保持しうる、いわゆるＳＲＡＭを内蔵したＴＦＴ液晶
表示装置も開発されている。
用して、一画素内に映像データ（液晶印加電圧）を静的
に保持しうる、いわゆるＳＲＡＭを内蔵したＴＦＴ液晶
表示装置も開発されている。
【０００４】通常の液晶表示装置では静止画表示を行う
際にも、静止画データを表示フレーム毎に与えなければ
ならないため、ドライバ回路、システム回路（グラフイ
ックコントローラ）を常に動作させなければならず、消
費電力を低減させることが難しかった。これに対して、
ＳＲＡＭを内蔵した液晶表示装置では、静止画表示を行
う時はＳＲＡＭに保持されている映像データ（以下、Ｓ
ＲＡＭ保持データ）で表示を行い、この間はドライバ回
路、システム回路を待機状態にさせることにより消費電
力を低減させることができるため、情報機器の省電力化
に貢献することができる。
際にも、静止画データを表示フレーム毎に与えなければ
ならないため、ドライバ回路、システム回路（グラフイ
ックコントローラ）を常に動作させなければならず、消
費電力を低減させることが難しかった。これに対して、
ＳＲＡＭを内蔵した液晶表示装置では、静止画表示を行
う時はＳＲＡＭに保持されている映像データ（以下、Ｓ
ＲＡＭ保持データ）で表示を行い、この間はドライバ回
路、システム回路を待機状態にさせることにより消費電
力を低減させることができるため、情報機器の省電力化
に貢献することができる。
【０００５】ところで、ポリシリコンＴＦＴのようにガ
ラス基板上に形成されるＴＦＴで駆動回路を構成する場
合、ＴＦＴの閾値特性の関係から、パネル内回路の電源
電圧として１０Ｖ程度、或いはそれ以上の電圧を必要と
し、その結果、機器の電源からＴＦＴ駆動用の複数の電
源を発生するＤＣ／ＤＣコンバータが必要となる。
ラス基板上に形成されるＴＦＴで駆動回路を構成する場
合、ＴＦＴの閾値特性の関係から、パネル内回路の電源
電圧として１０Ｖ程度、或いはそれ以上の電圧を必要と
し、その結果、機器の電源からＴＦＴ駆動用の複数の電
源を発生するＤＣ／ＤＣコンバータが必要となる。
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のＳＲＡ
Ｍを内蔵した液晶表示装置では、ＳＲＡＭ保持データに
よる駆動を行う際、回路構成によってはパネル内回路の
複数の電源電圧の中で、供給する必要がない電圧が出て
来たり、或いは発生する必要がない電圧が生じる場合が
ある。
Ｍを内蔵した液晶表示装置では、ＳＲＡＭ保持データに
よる駆動を行う際、回路構成によってはパネル内回路の
複数の電源電圧の中で、供給する必要がない電圧が出て
来たり、或いは発生する必要がない電圧が生じる場合が
ある。
【０００６】ところが、不必要であっても電源電圧を供
給した状態では、ＴＦＴ素子のリーク電流分の電力損失
が発生することになる。また、ＤＣ／ＤＣコンバータは
スイッチングレギュレータ、或いはシリーズレギュレー
タで構成されるが、パネル内回路の負荷がほとんどゼロ
になってもレギュレータの自己損失は発生し、その分の
電力損失がある。
給した状態では、ＴＦＴ素子のリーク電流分の電力損失
が発生することになる。また、ＤＣ／ＤＣコンバータは
スイッチングレギュレータ、或いはシリーズレギュレー
タで構成されるが、パネル内回路の負荷がほとんどゼロ
になってもレギュレータの自己損失は発生し、その分の
電力損失がある。
【０００７】これらの電力損失は、特にバッテリー駆動
される携帯情報機器の場合は無視することができない問
題であり、ＳＲＡＭを内蔵した液晶パネルにおいてＳＲ
ＡＭ保持データによる駆動を行う際、不必要な電源電圧
が消費する電力を低減することが求められている。
される携帯情報機器の場合は無視することができない問
題であり、ＳＲＡＭを内蔵した液晶パネルにおいてＳＲ
ＡＭ保持データによる駆動を行う際、不必要な電源電圧
が消費する電力を低減することが求められている。
【０００８】本発明は、上述の如き従来の課題を解決す
るためになされたもので、その目的は、ＳＲＡＭ保持デ
ータによる駆動時の消費電力を更に低減した省電力の液
晶表示装置を提供することである。
るためになされたもので、その目的は、ＳＲＡＭ保持デ
ータによる駆動時の消費電力を更に低減した省電力の液
晶表示装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明は、マトリクス状に配置された信号
線と走査線の各交点付近にスイッチング素子を介して接
続された画素、前記画素に接離可能に接続された映像デ
ータ記憶用の記憶素子、前記画素を通常駆動するための
映像信号線ドライバ及び走査線ドライバ、前記記憶素子
に保持されている映像データを前記画素に静的に表示す
るための静的表示用ドライバを備えた液晶表示装置にお
いて、前記記憶素子に保持されている映像データを前記
画素に供給して静的な表示を行う期間中、前記映像信号
線ドライバへの電源電圧の供給を停止する電源制御手段
を具備することを特徴とする。
に、請求項１の発明は、マトリクス状に配置された信号
線と走査線の各交点付近にスイッチング素子を介して接
続された画素、前記画素に接離可能に接続された映像デ
ータ記憶用の記憶素子、前記画素を通常駆動するための
映像信号線ドライバ及び走査線ドライバ、前記記憶素子
に保持されている映像データを前記画素に静的に表示す
るための静的表示用ドライバを備えた液晶表示装置にお
いて、前記記憶素子に保持されている映像データを前記
画素に供給して静的な表示を行う期間中、前記映像信号
線ドライバへの電源電圧の供給を停止する電源制御手段
を具備することを特徴とする。
【００１０】請求項２の発明は、マトリクス状に配置さ
れた信号線と走査線の各交点付近にスイッチング素子を
介して接続された画素、前記画素に接離可能に接続され
た映像データ記憶用の記憶素子、前記画素を通常駆動す
るための映像信号線ドライバ及び走査線ドライバ、前記
記憶素子に保持されている映像データを前記画素に静的
に表示するための静的表示用ドライバを備えた液晶表示
装置において、前記記憶素子に保持されている映像デー
タを前記画素に供給して静的な表示を行う期間中、前記
映像信号線ドライバ及び走査線ドライバへの各電源電圧
の供給を停止する電源制御手段を具備することを特徴と
する。
れた信号線と走査線の各交点付近にスイッチング素子を
介して接続された画素、前記画素に接離可能に接続され
た映像データ記憶用の記憶素子、前記画素を通常駆動す
るための映像信号線ドライバ及び走査線ドライバ、前記
記憶素子に保持されている映像データを前記画素に静的
に表示するための静的表示用ドライバを備えた液晶表示
装置において、前記記憶素子に保持されている映像デー
タを前記画素に供給して静的な表示を行う期間中、前記
映像信号線ドライバ及び走査線ドライバへの各電源電圧
の供給を停止する電源制御手段を具備することを特徴と
する。
【００１１】請求項３の発明は、請求項１又は２におい
て、前記電源制御手段は、前記映像データを前記画素に
供給して静的な表示を行う期間中、映像信号線ドライバ
又は走査線ドライバ用の電源電圧を生成するＤＣ／ＤＣ
コンバータの動作を停止することを特徴とする。
て、前記電源制御手段は、前記映像データを前記画素に
供給して静的な表示を行う期間中、映像信号線ドライバ
又は走査線ドライバ用の電源電圧を生成するＤＣ／ＤＣ
コンバータの動作を停止することを特徴とする。
【００１２】好ましい形態として、前記映像データ記憶
用の記憶素子として、例えばＳＲＡＭが用いられる。
用の記憶素子として、例えばＳＲＡＭが用いられる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図３は、本発明の液晶表示装置の
一実施形態に係る構成を示した回路図である。液晶表示
装置１０は、ＳＲＡＭ内蔵画素部１と、このＳＲＡＭ内
蔵画素部１を通常駆動するための映像信号線ドライバ
（Ｘドライバ）２と、走査線ドライバ（Ｙドライバ）３
と、ＳＲＡＭ保持データによる駆動時にＳＲＡＭ内蔵画
素を駆動するためのＳＲＡＭドライバ４とを備えてい
る。各ドライバには、図示しない電源電圧発生部から必
要な電源電圧が供給されている。
に基づいて説明する。図３は、本発明の液晶表示装置の
一実施形態に係る構成を示した回路図である。液晶表示
装置１０は、ＳＲＡＭ内蔵画素部１と、このＳＲＡＭ内
蔵画素部１を通常駆動するための映像信号線ドライバ
（Ｘドライバ）２と、走査線ドライバ（Ｙドライバ）３
と、ＳＲＡＭ保持データによる駆動時にＳＲＡＭ内蔵画
素を駆動するためのＳＲＡＭドライバ４とを備えてい
る。各ドライバには、図示しない電源電圧発生部から必
要な電源電圧が供給されている。
【００１４】図４は、図３に示したＳＲＡＭ内蔵画素部
１に含まれる一画素の構成を詳細に示した回路図であ
る。画素は通常画素部１００とＳＲＡＭ部２００の２つ
のブロックから構成される。通常画素部１００におい
て、画素ＴＦＴ１２のソースは信号線１１に接続され、
ドレインは画素電極１３に接続されている。画素電極１
３と対向電極１４との間には図示しない液晶層が保持さ
れ、画素容量Ｃを形成している。また、画素ＴＦＴ１２
のゲートは図示しない走査線に接続され、図３に示した
Ｘドライバ２から供給される走査信号によりオン／オフ
が制御される。ＳＲＡＭ部２００は、スイッチＳＷ−
Ａ、ＳＷ−Ｂ、ＳＷ−Ｃ及びインバータ１５、１６によ
り構成されている。スイッチＳＷ−Ａの端子（２）はイ
ンバータ１５の入力側に接続され、インバータ１５の出
力側はインバータ１６の入力側とＳＷ−Ｂの端子（２）
に接続されている。また、インバータ１６の出力側はス
イッチＳＷ−Ｃを介してインバータ１５の入力側に接続
されている。通常画素部１００の画素電極１３は、ＳＲ
ＡＭ部２００のスイッチＳＷ−Ａ、ＳＷ−Ｂの端子
（１）と接続されている。
１に含まれる一画素の構成を詳細に示した回路図であ
る。画素は通常画素部１００とＳＲＡＭ部２００の２つ
のブロックから構成される。通常画素部１００におい
て、画素ＴＦＴ１２のソースは信号線１１に接続され、
ドレインは画素電極１３に接続されている。画素電極１
３と対向電極１４との間には図示しない液晶層が保持さ
れ、画素容量Ｃを形成している。また、画素ＴＦＴ１２
のゲートは図示しない走査線に接続され、図３に示した
Ｘドライバ２から供給される走査信号によりオン／オフ
が制御される。ＳＲＡＭ部２００は、スイッチＳＷ−
Ａ、ＳＷ−Ｂ、ＳＷ−Ｃ及びインバータ１５、１６によ
り構成されている。スイッチＳＷ−Ａの端子（２）はイ
ンバータ１５の入力側に接続され、インバータ１５の出
力側はインバータ１６の入力側とＳＷ−Ｂの端子（２）
に接続されている。また、インバータ１６の出力側はス
イッチＳＷ−Ｃを介してインバータ１５の入力側に接続
されている。通常画素部１００の画素電極１３は、ＳＲ
ＡＭ部２００のスイッチＳＷ−Ａ、ＳＷ−Ｂの端子
（１）と接続されている。
【００１５】次に、上述した画素の基本的な動作につい
て説明する。以後の説明において、ＳＲＡＭ部２００が
形成された画素をＳＲＡＭ内蔵画素、ＳＲＡＭ部２００
を持っていない画素を通常画素と呼ぶ。また、ＳＲＡＭ
部２００に保持された映像データ（ＳＲＡＭ保持デー
タ）によって表示することをＳＲＡＭ駆動、信号線１１
に供給される映像データによって表示することを通常駆
動と呼ぶことにする。
て説明する。以後の説明において、ＳＲＡＭ部２００が
形成された画素をＳＲＡＭ内蔵画素、ＳＲＡＭ部２００
を持っていない画素を通常画素と呼ぶ。また、ＳＲＡＭ
部２００に保持された映像データ（ＳＲＡＭ保持デー
タ）によって表示することをＳＲＡＭ駆動、信号線１１
に供給される映像データによって表示することを通常駆
動と呼ぶことにする。
【００１６】ＳＲＡＭ内蔵画素を通常駆動する場合は、
スイッチＳＷ−Ｂ及びＳＷ−Ｃをオフして、ＳＲＡＭ部
２００と通常画素部１００とを切り離し、画素ＴＦＴ１
２のオン／オフによって液晶駆動を行う。すなわち、Ｙ
ドライバ３から走査線（図示せず）を通じて走査信号を
供給することにより画素ＴＦＴ１２をオン／オフし、Ｘ
ドライバ２から信号線１１を通して通常の映像データを
画素容量Ｃに印加して表示を行う。
スイッチＳＷ−Ｂ及びＳＷ−Ｃをオフして、ＳＲＡＭ部
２００と通常画素部１００とを切り離し、画素ＴＦＴ１
２のオン／オフによって液晶駆動を行う。すなわち、Ｙ
ドライバ３から走査線（図示せず）を通じて走査信号を
供給することにより画素ＴＦＴ１２をオン／オフし、Ｘ
ドライバ２から信号線１１を通して通常の映像データを
画素容量Ｃに印加して表示を行う。
【００１７】ＳＲＡＭ駆動するには、通常駆動からＳＲ
ＡＭ駆動に切り替わる際のＳＲＡＭ保持データの書き込
みモードにおいて、スイッチＳＷ−Ａをオン、ＳＷ−Ｂ
をオフとし、画素ＴＦＴ１２、スイッチＳＷ−Ｃをオ
ン、オフすると共に、Ｘドライバ２から信号線１１を通
して２値の白黒信号電圧を供給することにより、インバ
ータ１５、１６にＳＲＡＭ保持データを保持させる。
ＡＭ駆動に切り替わる際のＳＲＡＭ保持データの書き込
みモードにおいて、スイッチＳＷ−Ａをオン、ＳＷ−Ｂ
をオフとし、画素ＴＦＴ１２、スイッチＳＷ−Ｃをオ
ン、オフすると共に、Ｘドライバ２から信号線１１を通
して２値の白黒信号電圧を供給することにより、インバ
ータ１５、１６にＳＲＡＭ保持データを保持させる。
【００１８】その後、ＳＲＡＭ駆動時には、画素ＴＦＴ
１２はオフに固定し、スイッチＳＷ−Ｃはオンに固定
し、２段インバータ１５、１６の出力をスイッチＳＷ−
Ａ、ＳＷ−Ｂで交互に選択して、図５に示すように画素
容量Ｃへ電圧を与える。これと同時に対向電極１３の電
位を反転駆動し、画素電圧と対向電極電圧の位相関係か
ら白／黒の２値表示を行う。
１２はオフに固定し、スイッチＳＷ−Ｃはオンに固定
し、２段インバータ１５、１６の出力をスイッチＳＷ−
Ａ、ＳＷ−Ｂで交互に選択して、図５に示すように画素
容量Ｃへ電圧を与える。これと同時に対向電極１３の電
位を反転駆動し、画素電圧と対向電極電圧の位相関係か
ら白／黒の２値表示を行う。
【００１９】図６は、図３で示したＳＲＡＭ内蔵画素を
駆動するためのＸドライバ２、Ｙドライバ３、ＳＲＡＭ
ドライバ４の詳細構成と使用電源電圧との関係を示す説
明図である。Ｘドライバ２はシフトレジスタ部、データ
ラッチ部、階調電圧選択部、信号線出力部から成り、デ
ジタルの階調データに基づいて階調電圧を選択し、信号
線１１に出力する。Ｙドライバ３はシフトレジスタ部、
レベルシフタ部、ゲート線出力部から成り、シフトパル
スをレベル変換した上、図示しない走査線に走査信号と
して出力する。ＳＲＡＭドライバ４は、図４に示したＳ
ＲＡＭ部２００のスイッチＳＷ−Ａ、ＳＷ−Ｂ、ＳＷ−
Ｃを制御する信号及びインバータ１５、１６の電源を生
成する。
駆動するためのＸドライバ２、Ｙドライバ３、ＳＲＡＭ
ドライバ４の詳細構成と使用電源電圧との関係を示す説
明図である。Ｘドライバ２はシフトレジスタ部、データ
ラッチ部、階調電圧選択部、信号線出力部から成り、デ
ジタルの階調データに基づいて階調電圧を選択し、信号
線１１に出力する。Ｙドライバ３はシフトレジスタ部、
レベルシフタ部、ゲート線出力部から成り、シフトパル
スをレベル変換した上、図示しない走査線に走査信号と
して出力する。ＳＲＡＭドライバ４は、図４に示したＳ
ＲＡＭ部２００のスイッチＳＷ−Ａ、ＳＷ−Ｂ、ＳＷ−
Ｃを制御する信号及びインバータ１５、１６の電源を生
成する。
【００２０】ＳＲＡＭ部２００の制御のためには、ＳＲ
ＡＭドライバ４の電源電圧（ＹＧＶＤＤ，ＹＧＶＳＳ，
ＳＶＤＤ，ＳＶＳＳ）が必要となる。Ｘドライバ２の電
源電圧（ＸＶＤＤ）に関しては、信号線１１に供給され
る映像データの信号電圧がＳＲＡＭ駆動に寄与しないの
で不要となる。Ｙドライバ３のＹＶＤＤに関しては、走
査線をオフにしておく必要があるためにシフトレジスタ
部の論理を固定しなければならず、ＳＲＡＭ駆動時にも
必要となる。従って、ＳＲＡＭ駆動時に不要な電源電圧
はＸＶＤＤのみとなる。
ＡＭドライバ４の電源電圧（ＹＧＶＤＤ，ＹＧＶＳＳ，
ＳＶＤＤ，ＳＶＳＳ）が必要となる。Ｘドライバ２の電
源電圧（ＸＶＤＤ）に関しては、信号線１１に供給され
る映像データの信号電圧がＳＲＡＭ駆動に寄与しないの
で不要となる。Ｙドライバ３のＹＶＤＤに関しては、走
査線をオフにしておく必要があるためにシフトレジスタ
部の論理を固定しなければならず、ＳＲＡＭ駆動時にも
必要となる。従って、ＳＲＡＭ駆動時に不要な電源電圧
はＸＶＤＤのみとなる。
【００２１】次に、本実施形態の省電力対策について説
明する。図１は、図３に示した液晶表示装置１０の図示
しない電源電圧発生部の第１の実施例を示した回路図で
あり、ＳＲＡＭ駆動時にＸＶＤＤの供給を停止する構成
を示したものである。
明する。図１は、図３に示した液晶表示装置１０の図示
しない電源電圧発生部の第１の実施例を示した回路図で
あり、ＳＲＡＭ駆動時にＸＶＤＤの供給を停止する構成
を示したものである。
【００２２】第１の実施例の電源電圧発生部では、ＤＣ
／ＤＣコンバータ５１の出力側はスイッチ用のＦＥＴ５
２が挿入され、このＦＥＴ５２を介してＸＶＤＤをＸド
ライバに出力するように構成されている。ＳＲＡＭ駆動
時には、ＦＥＴ５２の導通をローレベルのＳＲＡＭモー
ド信号によってオフすることにより、ＸドライバへのＸ
ＶＤＤの供給を停止する。
／ＤＣコンバータ５１の出力側はスイッチ用のＦＥＴ５
２が挿入され、このＦＥＴ５２を介してＸＶＤＤをＸド
ライバに出力するように構成されている。ＳＲＡＭ駆動
時には、ＦＥＴ５２の導通をローレベルのＳＲＡＭモー
ド信号によってオフすることにより、ＸドライバへのＸ
ＶＤＤの供給を停止する。
【００２３】図２は、電源電圧発生部の第２の実施例を
示した回路図であり、ＳＲＡＭ駆動時にＸＶＤＤの発生
そのものを停止する構成を示したものである。
示した回路図であり、ＳＲＡＭ駆動時にＸＶＤＤの発生
そのものを停止する構成を示したものである。
【００２４】第２の実施例では、電源電圧発生部のＤＣ
／ＤＣコンバータ６０として、スイッチング昇圧部６
１、出力平滑部６２、コンパレータ部６３及びアンド回
路６４を備えている。入力電圧はスイッチング昇圧部６
１により昇圧され、出力平滑部６２により平滑された
後、ＸＶＤＤの電圧となってＸドライバに出力される。
一方、コンパレータ部６３は出力電圧と基準電圧とを比
較し、その比較結果によりアンド回路６４を介してスイ
ッチング昇圧部６１の動作を制御して、出力電圧が常に
ＸＶＤＤの電圧となるように制御している。
／ＤＣコンバータ６０として、スイッチング昇圧部６
１、出力平滑部６２、コンパレータ部６３及びアンド回
路６４を備えている。入力電圧はスイッチング昇圧部６
１により昇圧され、出力平滑部６２により平滑された
後、ＸＶＤＤの電圧となってＸドライバに出力される。
一方、コンパレータ部６３は出力電圧と基準電圧とを比
較し、その比較結果によりアンド回路６４を介してスイ
ッチング昇圧部６１の動作を制御して、出力電圧が常に
ＸＶＤＤの電圧となるように制御している。
【００２５】ＳＲＡＭ駆動時には、ＳＲＡＭモード信号
をローレベルにしてＡＮＤ回路６４をオフにすることで
スイッチング昇圧部６１の動作を停止することにより、
ＸＶＤＤの発生を停止する。
をローレベルにしてＡＮＤ回路６４をオフにすることで
スイッチング昇圧部６１の動作を停止することにより、
ＸＶＤＤの発生を停止する。
【００２６】本実施形態によれば、ＳＲＡＭ駆動時に、
動作する必要がないＸドライバ２への電源電圧ＸＶＤＤ
の供給を停止することにより、その分、ＳＲＡＭ駆動時
の電力消費を低減することができる。
動作する必要がないＸドライバ２への電源電圧ＸＶＤＤ
の供給を停止することにより、その分、ＳＲＡＭ駆動時
の電力消費を低減することができる。
【００２７】その際、図１に示すようにＤＣ／ＤＣコン
バータ５１から出力されるＸＶＤＤのＸドライバ２への
供給経路をオフしてもよいが、図２に示すようにＸＶＤ
Ｄを発生するＤＣ／ＤＣコンバータ６０の動作を停止し
て、ＸＶＤＤの供給を停止するようにした方が、ＤＣ／
ＤＣコンバータの動作ロス分の電力消費を更に低減する
ことができる。
バータ５１から出力されるＸＶＤＤのＸドライバ２への
供給経路をオフしてもよいが、図２に示すようにＸＶＤ
Ｄを発生するＤＣ／ＤＣコンバータ６０の動作を停止し
て、ＸＶＤＤの供給を停止するようにした方が、ＤＣ／
ＤＣコンバータの動作ロス分の電力消費を更に低減する
ことができる。
【００２８】なお、上記実施形態では、Ｙドライバ３の
走査線とＳＲＡＭ部２００のスイッチの制御線を兼用で
使用するタイプを想定しているため、ＳＲＡＭ駆動時に
もＹドライバ３を動作させて、ＳＲＡＭ部２００のスイ
ッチＳＷ−Ｃ等を確実に動作させなければならない。し
かし、Ｙドライバ３の走査線とＳＲＡＭ部２００のスイ
ッチの制御線が分離しているもので、ＳＲＡＭ部２００
のスイッチの制御を専用の制御部で行う形式のもので
は、ＳＲＡＭ駆動時に、Ｙドライバ３の動作を停止する
ことができる。この場合は、ＸＶＤＤの他にＹＶＤＤ，
ＹＧＶＤＤのＹドライバ３への電源電圧の供給を停止す
ることができる。
走査線とＳＲＡＭ部２００のスイッチの制御線を兼用で
使用するタイプを想定しているため、ＳＲＡＭ駆動時に
もＹドライバ３を動作させて、ＳＲＡＭ部２００のスイ
ッチＳＷ−Ｃ等を確実に動作させなければならない。し
かし、Ｙドライバ３の走査線とＳＲＡＭ部２００のスイ
ッチの制御線が分離しているもので、ＳＲＡＭ部２００
のスイッチの制御を専用の制御部で行う形式のもので
は、ＳＲＡＭ駆動時に、Ｙドライバ３の動作を停止する
ことができる。この場合は、ＸＶＤＤの他にＹＶＤＤ，
ＹＧＶＤＤのＹドライバ３への電源電圧の供給を停止す
ることができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置によれば、ＳＲＡＭ駆動時に動作する必要がないＸ
ドライバへの電源電圧ＸＶＤＤの供給を停止することに
よりＳＲＡＭ保持データによる駆動時の消費電力を更に
低減して、一層の省電力化を図ることができる。
装置によれば、ＳＲＡＭ駆動時に動作する必要がないＸ
ドライバへの電源電圧ＸＶＤＤの供給を停止することに
よりＳＲＡＭ保持データによる駆動時の消費電力を更に
低減して、一層の省電力化を図ることができる。
【図１】液晶表示装置の電源電圧発生部の第１の実施例
を示した回路図。
を示した回路図。
【図２】液晶表示装置の電源電圧発生部の第２の実施例
を示した回路図。
を示した回路図。
【図３】本発明の液晶表示装置の一実施形態に係る構成
を示した回路図。
を示した回路図。
【図４】ＳＲＡＭ内蔵画素部に含まれる一画素の構成を
詳細に示した回路図。
詳細に示した回路図。
【図５】ＳＲＡＭ駆動時の信号電圧の変化を示すタイム
チャート。
チャート。
【図６】ＳＲＡＭ内蔵画素を駆動するための各ドライバ
の詳細構成と使用電源電圧との関係を示す説明図。
の詳細構成と使用電源電圧との関係を示す説明図。
１…ＳＲＡＭ内蔵画素部、２…Ｘドライバ、３…Ｙドラ
イバ、４…ＳＲＡＭドライバ、１０…液晶表示装置、１
１…信号線、１２…画素ＴＦＴ、１３…画素電極、１４
…対向電極、１５，１６…インバータ、５１，６０…Ｄ
Ｃ／ＤＣコンバータ、５２…ＦＥＴ、６１…スイッチン
グ昇圧部、６２…出力平滑部、６３…コンパレータ部、
６４…アンド回路、１００…通常画素部、２００…ＳＲ
ＡＭ部、Ｃ…液晶容量、ＳＷ−Ａ，ＳＷ−Ｂ，ＳＷ−Ｃ
…スイッチ
イバ、４…ＳＲＡＭドライバ、１０…液晶表示装置、１
１…信号線、１２…画素ＴＦＴ、１３…画素電極、１４
…対向電極、１５，１６…インバータ、５１，６０…Ｄ
Ｃ／ＤＣコンバータ、５２…ＦＥＴ、６１…スイッチン
グ昇圧部、６２…出力平滑部、６３…コンパレータ部、
６４…アンド回路、１００…通常画素部、２００…ＳＲ
ＡＭ部、Ｃ…液晶容量、ＳＷ−Ａ，ＳＷ−Ｂ，ＳＷ−Ｃ
…スイッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６１２ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６１２Ｄ ６２４ ６２４Ｂ Ｆターム(参考） 2H093 NA16 NA53 NC05 NC22 NC26 NC28 ND39 5C006 AF05 AF06 AF68 AF69 AF84 BB15 BC03 BC13 BF09 BF42 BF44 FA47 5C080 AA10 BB05 DD26 FF01 GG17 JJ02 JJ03 JJ04 KK07 KK43 KK52
Claims (3)
- 【請求項１】 マトリクス状に配置された信号線と走査
線の各交点付近にスイッチング素子を介して接続された
画素、前記画素に接離可能に接続された映像データ記憶
用の記憶素子、前記画素を通常駆動するための映像信号
線ドライバ及び走査線ドライバ、前記記憶素子に保持さ
れている映像データを前記画素に静的に表示するための
静的表示用ドライバを備えた液晶表示装置において、 前記記憶素子に保持されている映像データを前記画素に
供給して静的な表示を行う期間中、前記映像信号線ドラ
イバへの電源電圧の供給を停止する電源制御手段を具備
することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 マトリクス状に配置された信号線と走査
線の各交点付近にスイッチング素子を介して接続された
画素、前記画素に接離可能に接続された映像データ記憶
用の記憶素子、前記画素を通常駆動するための映像信号
線ドライバ及び走査線ドライバ、前記記憶素子に保持さ
れている映像データを前記画素に静的に表示するための
静的表示用ドライバを備えた液晶表示装置において、 前記記憶素子に保持されている映像データを前記画素に
供給して静的な表示を行う期間中、前記映像信号線ドラ
イバ及び走査線ドライバへの各電源電圧の供給を停止す
る電源制御手段を具備することを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項３】 前記電源制御手段は、前記映像データを
前記画素に供給して静的な表示を行う期間中、映像信号
線ドライバ又は走査線ドライバ用の電源電圧を生成する
ＤＣ／ＤＣコンバータの動作を停止することを特徴とす
る請求項１又は２記載の液晶表示装置。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP2000356132A JP2002162938A (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 液晶表示装置 |
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| US09/989,027 US7084851B2 (en) | 2000-11-22 | 2001-11-21 | Display device having SRAM built in pixel |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000356132A JP2002162938A (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002162938A true JP2002162938A (ja) | 2002-06-07 |
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ID=18828435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000356132A Pending JP2002162938A (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 液晶表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2002162938A (ja) |
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| KR100796152B1 (ko) | 2006-05-11 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 디스플레이 패널의 구동장치 및 그 구동방법 |
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| JP2006285118A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| TWI273544B (en) * | 2005-05-06 | 2007-02-11 | Harvatek Corp | Driving circuits and driving method of display |
| KR101277819B1 (ko) * | 2006-06-15 | 2013-06-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 구동방법 |
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| KR102257564B1 (ko) | 2009-12-18 | 2021-05-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치 |
| WO2011089832A1 (en) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving display device and liquid crystal display device |
| KR101082286B1 (ko) * | 2010-02-11 | 2011-11-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 액정표시장치 및 그의 구동방법 |
| US9142320B2 (en) * | 2011-04-08 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and signal processing circuit |
| KR102082794B1 (ko) | 2012-06-29 | 2020-02-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치 |
| KR20160120055A (ko) | 2015-04-07 | 2016-10-17 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 동작방법 |
| JP2018132716A (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | カシオ計算機株式会社 | 液晶駆動装置、電子時計、液晶駆動方法、及びプログラム |
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| EP0951173B1 (en) * | 1992-09-09 | 2007-01-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Information signal processing apparatus with storage of management information in temporarily storing means |
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2000
- 2000-11-22 JP JP2000356132A patent/JP2002162938A/ja active Pending
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2001
- 2001-11-20 TW TW090128731A patent/TW543023B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-11-21 US US09/989,027 patent/US7084851B2/en not_active Expired - Fee Related
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