[go: up one dir, main page]

JP2002141576A - ピエゾ素子と電極との接合方法及び該接合方法を使用したピエゾマイクロアクチュエータ - Google Patents

ピエゾ素子と電極との接合方法及び該接合方法を使用したピエゾマイクロアクチュエータ

Info

Publication number
JP2002141576A
JP2002141576A JP2000335867A JP2000335867A JP2002141576A JP 2002141576 A JP2002141576 A JP 2002141576A JP 2000335867 A JP2000335867 A JP 2000335867A JP 2000335867 A JP2000335867 A JP 2000335867A JP 2002141576 A JP2002141576 A JP 2002141576A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
piezo
piezo element
joining
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000335867A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Kitajima
雅之 北嶋
Yutaka Noda
豊 野田
Morikazu Shimoura
盛一 下浦
Toru Okada
徹 岡田
Masanao Fujii
昌直 藤井
Kenji Iketaki
憲治 池滝
Hidehiko Kobayashi
秀彦 小林
Narikazu Takei
成和 竹居
Keiichi Yamamoto
敬一 山本
Hisao Tanaka
久雄 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2000335867A priority Critical patent/JP2002141576A/ja
Priority to US09/822,636 priority patent/US6541898B2/en
Priority to KR1020010018673A priority patent/KR20020034834A/ko
Priority to DE2001628197 priority patent/DE60128197T2/de
Priority to EP20010308944 priority patent/EP1204153B1/en
Publication of JP2002141576A publication Critical patent/JP2002141576A/ja
Priority to US10/347,708 priority patent/US6744183B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
    • G11B5/54—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head into or out of its operative position or across tracks
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
    • G11B5/54—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head into or out of its operative position or across tracks
    • G11B5/55—Track change, selection or acquisition by displacement of the head
    • G11B5/5521—Track change, selection or acquisition by displacement of the head across disk tracks
    • G11B5/5552—Track change, selection or acquisition by displacement of the head across disk tracks using fine positioning means for track acquisition separate from the coarse (e.g. track changing) positioning means
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
    • G11B5/54—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head into or out of its operative position or across tracks
    • G11B5/55—Track change, selection or acquisition by displacement of the head
    • G11B5/5521—Track change, selection or acquisition by displacement of the head across disk tracks
    • G11B5/5552—Track change, selection or acquisition by displacement of the head across disk tracks using fine positioning means for track acquisition separate from the coarse (e.g. track changing) positioning means
    • G11B5/5556—Track change, selection or acquisition by displacement of the head across disk tracks using fine positioning means for track acquisition separate from the coarse (e.g. track changing) positioning means with track following after a "seek"
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/208—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using shear or torsion displacement, e.g. d15 type devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/42—Piezoelectric device making

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Moving Of The Head To Find And Align With The Track (AREA)
  • Supporting Of Heads In Record-Carrier Devices (AREA)
  • Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
  • General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ピエゾ素子と電極との間の接合を確実に達成
できる接合方法を提供することである。 【解決手段】 ピエゾ素子と電極との接合方法であっ
て、ピエゾ素子の接合面にＡｕ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｕ及び
Ｓｎからなる群から選択される物質の第１の被膜を形成
し、電極の接合面にＡｕ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｕ及びＳｎか
らなる群から選択される物質の第２の被膜を形成する。
第１及び第２の被膜の組合せはＡｕ／Ａｕ，Ａｕ／Ａ
ｌ，Ｚｎ／Ｃｕ又はＳｎ／Ｃｕの何れかである。第１及
び第２の被膜を密着させて加圧しながら加熱することに
より、第１及び第２の被膜の金属接合又は金属間化合物
を形成することにより、ピエゾ素子と電極とを接合す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ピエゾ素子と電極
との接合方法及び該接合方法を使用したピエゾマイクロ
アクチュエータに関する。
【０００２】近年、コンピュータ用外部記憶装置の一種
である磁気ディスク装置の小型化、薄型化が進んでお
り、更に低消費電力化が求められている。また、磁気デ
ィスク装置の高密度記録化及び大容量化が要求されてい
る。
【０００３】磁気ディスク装置の大容量化は、一般にデ
ィスク１枚当たりの記録容量を増加させることで実現で
きる。しかし、ディスクの直径を変えずに記録密度を増
加させるとトラックピッチが狭まるため、記録トラック
に対する読み書きを行うヘッド素子の位置決めをいかに
正確に行うかが技術的な問題となっており、位置決め精
度の良いヘッドアクチュエータが望まれている。
【０００４】
【従来の技術】従来、磁気ディスク装置において高精度
のヘッド位置決めを行うために、一般にアクチュエータ
アーム等の可動部の剛性を向上させ、面内方向の主共振
点周波数を上げる試みが成されてきた。
【０００５】しかし、共振点の向上には限界があり、仮
に可動部の面内共振点を大幅に上げることができたとし
ても、可動部を支持する軸受のバネ特性に起因する振動
が発生してしまい、位置決め精度を低下させるという問
題を解決することはできなかった。
【０００６】これらの問題を解決する手段の一つとし
て、ヘッドアクチュエータのアームの先端にトラックフ
ォロー用の第２のアクチュエータ、即ちトラッキングア
クチュエータを搭載した所謂二重アクチュエータが提案
されている。
【０００７】このトラッキングアクチュエータは、ヘッ
ドアクチュエータの動作とは独立して、アームの先端部
に設けられたヘッドを微小移動させてヘッドのトラッキ
ングを達成しようとするものである。
【０００８】そこで、所謂二重アクチュエータのトラッ
キングアクチュエータとして、積層型ピエゾ素子を利用
してヘッドの正確な位置決めを達成しようとする二重ア
クチュエータが提案されている。
【０００９】例えば、２つの積層型ピエゾ素子をアクチ
ュエータアームの両側に配置し、一方の側のピエゾ素子
が伸びる方向に、他方の側のピエゾ素子が縮む方向に電
圧を印加する。すると、縮む方向に電圧を印加したピエ
ゾ素子方向にヘッドが回転する。
【００１０】しかし、積層型ピエゾ素子を利用した従来
の二重アクチュエータでは、積層型ピエゾ素子にその分
極方向と逆方向の電圧が印加されたり、ピエゾ素子が高
温雰囲気に晒されたり、或いは経時変化等により、ピエ
ゾ素子の消極が起こり、単位電圧あたりの変位が徐々に
小さくなってしまう。このため、ある程度長時間使用す
ると所望のストロークが得られなくなるという問題があ
る。
【００１１】さらに、積層型ピエゾ素子を利用した従来
の二重アクチュエータは、積層型ピエゾ素子の製造性が
悪く、素子外形寸法の精度が必要であるため、コスト高
であるという欠点がある。
【００１２】このような多くの問題点を有する積層型ピ
エゾ素子に代えて、剪断型ピエゾ素子を利用した二重ア
クチュエータが、特開平１０−２９３９７９号及び特開
平１１−３１３６８号で提案されている。
【００１３】特開平１１−３１３６８号に記載されたヘ
ッドの微小移動機構では、ヘッドアームの先端に形成さ
れた電極上に互いに分極方向が異なる２個の剪断型圧電
素子を取りつけ、その上に可動部材を介してヘッドサス
ペンションを取りつけた３層構造となっている。
【００１４】従って、サスペンションをヘッドアームに
取り付ける従来のスペーサのみの厚さと比較して、ヘッ
ドアームからサスペンションまでの厚みが増えてしま
い、ヘッドアクチュエータの薄型化に適さなくなるとい
う問題があった。
【００１５】さらに、この厚みの増加によってディスク
面間隔が広くなってしまい、ディスク装置に搭載できる
ディスクの枚数を減らしてしまうことになり、同じ高さ
のディスク装置に比べて記憶容量が小さくなってしまう
という問題があった。
【００１６】上述した問題点を解決したヘッドの微小移
動機構を、本出願人は先に提案した。この先願発明で
は、クランク形状に折り曲げたアクチュエータベースを
アクチュエータアームの先端部に固定する。
【００１７】アクチュエータベース上にはベース電極、
剪断型ピエゾ素子、可動電極及び可動プレートが積層固
定されており、可動プレートにサスペンションが固定さ
れる。
【００１８】このようにアクチュエータベースをクラン
ク形状に折り曲げたことにより、アクチュエータベース
の上面と可動プレートの上面の位置をそろえて同一平面
にすることができ、剪断型ピエゾ素子を利用したヘッド
の微小移動機構を薄型化することができる。
【００１９】この先願発明では、剪断型ピエゾ素子とベ
ース電極及び可動電極との間は導通を取る必要があるた
め、導電性接着剤を使用してピエゾ素子にベース電極及
び可動電極を固定していた。
【００２０】一方、アクチュエータベースとベース電極
との間及び可動電極と可動プレートとの間は絶縁を取る
必要があるため、通常の絶縁性接着剤でアクチュエータ
ベースとベース電極との間及び可動電極と可動プレート
との間を固定していた。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】導電性接着剤の使用
は、ピエゾ素子と電圧印加用のベース電極及び可動電極
との接合を確実に行うために実施されるが、ピエゾ素子
の厚みが０．１５ｍｍと薄く、作業ミス等によりベース
電極と可動電極との間に短絡回路が発生する問題があ
る。
【００２２】また、接着剤の硬化には１５０℃で約３分
間必要とし、非常に生産性が悪い。さらに、導電性接着
剤は樹脂であるため、硬化時に歪が残ってしまうという
問題がある。
【００２３】よって、本発明の目的は、短絡等を起こす
ことなくピエゾ素子と電極との接合を確実に行うことの
できるピエゾ素子と電極との接合方法を提供することで
ある。
【００２４】本発明の他の目的は、ピエゾ素子と電極と
の間の接合を容易に且つ確実に達成できるピエゾマイク
ロアクチュエータを提供することである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明によると、ピエゾ
素子と電極との接合方法であって、ピエゾ素子の接合面
にＡｕ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｕ及びＳｎからなる群から選択
される物質の第１の被膜を形成し、電極の接合面にＡ
ｕ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｕ及びＳｎからなる群から選択され
る物質の第２の被膜を形成し、前記第１及び第２の被膜
を密着させて加圧しながら加熱することにより、該第１
及び第２の被膜の金属接合又は金属間化合物を形成する
ステップを具備したことを特徴とするピエゾ素子と電極
との接合方法が提供される。好ましくは、前記第１及び
第２の被膜の組合せはＡｕ／Ａｕ，Ａｕ／Ａｌ，Ｚｎ／
Ｃｕ又はＳｎ／Ｃｕの何れかである。
【００２６】好ましくは、第１及び第２の被膜はそれぞ
れ１μｍ以上の厚さを有している。好ましくは、加圧及
び加熱ステップの前に、ピエゾ素子と電極を密着させな
がらピエゾ素子及び電極の少なくとも何れか一方を超音
波振動させる。代替案として、加圧及び加熱ステップの
前に、第１及び第２の被膜の少なくとも何れか一方にＯ
2，Ａｒ，Ｎ2，ＳＦ6及びＣＦ4からなる群から選択され
るプラズマを照射する。
【００２７】本発明の他の側面によると、ピエゾマイク
ロアクチュエータであって、アクチュエータベースと、
前記アクチュエータベースに接着されたベース電極と、
Ａｕ／Ａｕの金属接合又はＡｕ／Ａｌ，Ｚｎ／Ｃｕ及び
Ｓｎ／Ｃｕからなる群から選択された第１の金属間化合
物で前記ベース電極に接合された、素子の厚さ方向と垂
直で互いに逆向きの分極方向を有する第１及び第２の煎
断型ピエゾ素子と、Ａｕ／Ａｕの金属接合又はＡｕ／Ａ
ｌ，Ｚｎ／Ｃｕ及びＳｎ／Ｃｕのからなる群から選択さ
れた第２の金属間化合物で前記第１及び第２ピエゾ素子
に接合された可動電極と、前記可動電極に接着された可
動プレートと、を具備したことを特徴とするピエゾマイ
クロアクチュエータが提供される。
【００２８】本発明の更に他の側面によると、ピエゾマ
イクロアクチュエータであって、アクチュエータベース
と、前記アクチュエータベースに接着されたベース電極
と、Ａｕ／Ａｕの金属接合又はＡｕ／Ａｌ，Ｚｎ／Ｃｕ
及びＳｎ／Ｃｕからなる群から選択された金属間化合物
で前記ベース電極に接合された、素子の厚さ方向と垂直
で互いに逆向きの分極方向を有する第１及び第２の煎断
型ピエゾ素子と、前記第１及び第２ピエゾ素子に接着さ
れた可動プレートと、前記第１及び第２ピエゾ素子を接
続する第１ワイヤーと、前記第１及び第２ピエゾ素子の
何れか一方を前記ベース電極に接続する第２ワイヤーと
を具備し、前記ベース電極は前記金属間化合物を介して
前記第１及び第２ピエゾ素子に電気的に接続される第１
導体パターンと、前記第１導体パターンとは電気的に独
立した前記第２ワイヤーに接続される第２導体パターン
を有していることを特徴とするピエゾマイクロアクチュ
エータが提供される。
【００２９】本発明の更に他の側面によると、ピエゾ素
子と電極との接合方法であって、Ｓｎ−Ｐｂ半田にＡ
ｇ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｇｅ及びＮｉからなる群から選択され
る物質を０．１〜１０重量％添加してピエゾ素子と電極
とを半田付けする、ことを特徴とするピエゾ素子と電極
との接合方法が提供される。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して詳細に説明する。
【００３１】図１（Ａ）を参照すると、トラッキングア
クチュエータとしての本発明のピエゾマイクロアクチュ
エータを採用した二重ヘッドアクチュエータの平面図が
示されている。図１（Ｂ）はその側面図である。
【００３２】符号２はアクチュエータアセンブリ４と図
示しない磁気回路とから構成される二重ヘッドアクチュ
エータを示している。アクチュエータアセンブリ４は、
磁気ディスク装置の図示しないベースに固定されたシャ
フト６回りに回転可能に取り付けられている。
【００３３】アクチュエータアセンブリ４は、軸受７を
介してシャフト６回りに回転可能に取り付けられたアク
チュエータブロック８と、アクチュエータブロック８と
一体的に形成され一方向に伸長した複数のアクチュエー
タアーム１０と、アクチュエータアーム１０と反対方向
に伸長したコイル支持部材１２を含んでいる。
【００３４】コイル支持部材１２にはフラットコイル１
４が支持されており、磁気ディスク装置のベースに固定
された図示しない磁気回路と、磁気回路のギャップ中に
挿入されるコイル１４とでボイスコイルモータ（ＶＣ
Ｍ）が構成される。
【００３５】各アクチュエータアーム１０の先端部には
本発明のピエゾマイクロアクチュエータ１６が取り付け
られており、ピエゾマイクロアクチュエータ１６にはサ
スペンション１８の基端部が固定されている。サスペン
ション１８の先端部は磁気ヘッド２０を支持している。
【００３６】図２を参照すると、本発明第１実施形態に
係るピエゾマイクロアクチュエータ１６の分解斜視図が
示されている。アクチュエータベース２２の固定部２２
ａは、一体的に形成されたカシメ突起２４がアクチュエ
ータアーム１０に開けられたカシメ穴１０ａに挿入さ
れ、カシメ固定される。アクチュエータアーム１０はグ
ランドに接続されている。
【００３７】アクチュエータベース２２の先端部２２ｃ
は段差部２２ｂによって固定部２２ａに対して一段低く
形成されており、この先端部２２ｃの上にベース電極２
４と可動電極２６に挟まれた一対の剪断型ピエゾ素子２
８ａ，２８ｂが取り付けられる。
【００３８】一対の剪断型ピエゾ素子２８ａ，２８ｂは
素子の厚さ方向に垂直で且つ互いに逆向きの分極方向を
有している。この分極方向はアクチュエータアーム１０
の長手方向に平行である。ピエゾ素子の上下面には金め
っきが施されている。
【００３９】ベース電極２４にはアクチュエータベース
２２の先端部２２ｃから側方に突出するタブ（配線引出
部）２５が設けられている。同様に、可動電極２６にも
アクチュエータベース２２の先端部２２ｃから側方に突
出するタブ２７が設けられている。
【００４０】可動プレート３０は第１の切欠３２と第２
の切欠３４によって画成された基部３６と、移動量拡大
部３８を有している。可動プレート３０の基部３６は可
動電極２６上に取り付けられ、サスペンション１８が可
動プレート３０の移動量拡大部３８にスポット溶接等に
より固着される。４０はサスペンション１８の基端部側
の側面に設けられた中継ＦＰＣ取り付け部である。
【００４１】図３（Ａ）を参照すると、第１実施形態の
ピエゾマイクロアクチュエータ１６を採用したヘッドア
センブリの側面図が示されている。図３（Ｂ）はその平
面図である。
【００４２】図３（Ａ）に示すように、ピエゾマイクロ
アクチュエータ１６が組み立てられると、ベース電極２
４のタブ２５と、可動電極２６のタブ２７が隣接配置さ
れる。その結果、タブ２５と２７へのリードパターン４
３，４５が形成された中継ＦＰＣ４２の半田付けが容易
になり、ベース電極２４及び可動電極２６への電圧の印
加が簡単に行える。
【００４３】図４を参照すると、本発明実施形態のピエ
ゾ素子と電極接合部の拡大断面図が示されている。ピエ
ゾ素子２８ａの下面及び上面には蒸着或いはめっきによ
りそれぞれ１μｍ厚の金被膜４６，４８が形成されてい
る。
【００４４】一方、ベース電極２４の接合面（上面）に
は蒸着或いはめっきにより３μｍ厚のアルミニウム被膜
５０が形成されている。同様に、可動電極２６の接合面
（下面）には蒸着又はめっきにより厚さ３μｍのアルミ
ニウム被膜５２が形成されている。
【００４５】図４に示すようなベース電極２４、ピエゾ
素子２８ａ，２８ｂ及び可動電極２６からなる積層体を
図５に示すようなステージ５４とヘッド５６との間に挟
みこむ。
【００４６】そして、ヘッド５６に７．２８ｋｇの荷重
を加えながらステージ５４を２９０℃に加熱し、ヘッド
５６を１８０℃に加熱した。このとき接合部の温度は約
２００℃であった。
【００４７】この条件で約９０秒間保持したところ、金
被覆４６とアルミニウム被覆５０との間及び金被覆４８
とアルミニウム被覆５２との間に金属間化合物が形成さ
れ、ベース電極２４とピエゾ素子２８ａ，２８ｂの間及
び可動電極２６とピエゾ素子２８ａ，２８ｂの間をこれ
らの金属間化合物で接合することができた。
【００４８】金属間化合物の厚さは約２μｍであり、接
合強度はピエゾ素子一個あたり６．５５２ｋｇであっ
た。各ピエゾ素子は２．２×１．３ｍｍのサイズを有し
ているため、接合強度は２．２９ｋｇ／ｍｍ2と表せ
る。
【００４９】被膜４６，４８，５０，５２は金（Ａｕ）
及びアルミニウム（Ａｌ）に限定されるものではなく、
Ａｕ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｕ及びＳｎからなる群から選択さ
れる。しかし、被膜４６と５０との組合せ及び被膜４８
と５２との組合せは、Ａｕ／Ａｕ，Ａｕ／Ａｌ，Ｚｎ／
Ｃｕ又はＳｎ／Ｃｕの何れかであるのが好ましい。
【００５０】各被膜４６，４８，５０，５２表面は汚れ
ている可能性がある。この場合には、各被膜表面にプラ
ズマを照射して各被膜表面をクリーニングするのが望ま
しい。プラズマガスとしては、Ｏ2，Ａｒ，Ｎ2，ＳＦ6
或いはＣＦ4ガスを採用可能である。
【００５１】一例として、真空度１０-3トール、出力１
０ワットでＯ2プラズマガスを各皮膜４６，４８，５
０，５２にそれぞれ１０分間照射した後、上述した加圧
及び加熱ステップを実施したところ、ベース電極２４及
び可動電極２６をピエゾ素子２８ａ，２８ｂに強固に確
実に接合することができた。
【００５２】図６を参照すると、接合面の超音波処理を
行う本発明の実施形態概略図が示されている。この実施
形態によると、ヘッド５８には超音波ホーン６６が設け
られている。ヘッド５８には管路６０が形成されてお
り、管路６０の一端はピエゾ素子吸着面に開口し、他端
は管路６２を介して真空吸引手段６４に接続されてい
る。
【００５３】ヘッド５８を出力２９ワットで４５秒間超
音波振動させた。このとき、ピエゾ素子２８ａはヘッド
５８に真空吸引されながら、矢印Ｓ方向に振動するた
め、ベース電極２４とピエゾ素子２８ａとの間の皮膜４
６，５０は互いに擦れあって酸化被膜が削り取られ、被
膜表面がクリーニングされる。さらに、被膜４６と５０
の接合部は超音波振動により加熱される。
【００５４】よって、ベース電極２４を図５に示すステ
ージ５４上に載置し、ステージ５４を２９０℃に加熱す
ると、ヘッド５８は常温のままで接合部は約２００℃に
加熱された。
【００５５】ヘッド５８に２．１８ｋｇの荷重を９０秒
間印加してベース電極２４とピエゾ素子２８ａとの接合
を行ったところ、ピエゾ素子一個あたり１０．０８３ｋ
ｇの接合強度を得ることができた。各ピエゾ素子は２．
２×１．３ｍｍのサイズを有しているため、接合強度は
３．５３ｋｇ／ｍｍ2となる。
【００５６】上述した実施形態と同様に、被膜の厚さは
金が１μｍ、アルミニウムが３μｍであった。形成され
た金属間化合物層の厚さは上述した実施形態と同様に約
２μｍであった。
【００５７】図７を参照すると、本発明第２実施形態の
ピエゾマイクロアクチュエータの分解斜視図が示されて
いる。ベース電極２４´はアクチュエータベース２２に
接着される。ベース電極２４´は面積の大きい第１の導
体パターン２４ａと、第１の導体パターンとは独立した
面積の小さい第２の導体パターン２４ｂを有している。
【００５８】一対の煎断型ピエゾ素子２８ａ，２８ｂが
ベース電極２４´に上述した金属間化合物により接合さ
れる。第１ワイヤー６８により一対のピエゾ素子２８ａ
と２８ｂがボンディング接続され、第２ワイヤー７０に
よりピエゾ素子２８ａとベース電極２４の第２導体パタ
ーン２４ｂがボンディング接続される。
【００５９】可動プレート３０がピエゾ素子２８ａ，２
８ｂに接着される。そして、可動プレート３０にサスペ
ンション１８´がスポット溶接等により固着される。
【００６０】本実施形態のピエゾマイクロアクチュエー
タ１６´は、第１実施形態の可動電極２６を省略し、２
本のワイヤー６８，７０により一対のピエゾ素子２８
ａ，２８ｂをベース電極２４´の導体パターン２４ｂに
接続したものである。
【００６１】図８は第２実施形態のピエゾ素子と電極接
合部の断面図を示している。ピエゾ素子２８ａのベース
電極２４との接合面には、Ａｕ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｕ及び
Ｓｎからなる群から選択される物質の第１の被膜が形成
されており、ベース電極２４のピエゾ素子２８ａとの接
合面にもＡｕ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｕ及びＳｎからなる群か
ら選択される物質の第２の被膜が形成されている。
【００６２】第１及び第２の被膜の組合せはＡｕ／Ａ
ｕ，Ａｕ／Ａｌ，Ｚｎ／Ｃｕ又はＳｎ／Ｃｕの何れかで
ある。これら第１及び第２の被膜を密着させて所定荷重
で加圧しながら所定温度に加圧することにより、第１及
び第２の被膜が接合される。
【００６３】第１及び第２の被膜がＡｕ／Ａｕの組合せ
の場合には、第１及び第２の皮膜は金の金属接合により
接合される。第１及び第２の被膜の組合せがＡｕ／Ａ
ｌ，Ｚｎ／Ｃｕ又はＳｎ／Ｃｕの何れかである場合に
は、第１及び第２の被膜は金属間化合物により接合され
る。形成された金属間化合物は約２μｍの厚さを有して
いる。
【００６４】図９（Ａ）及び図９（Ｂ）を参照すると、
半田溶融時のセルフアライメント効果を利用してピエゾ
素子２８ａと可動電極２６とを接合する実施形態が示さ
れている。
【００６５】図９（Ａ）は加熱前の状態を示しており、
可動電極２６上にソルダーペースト７４が塗布されてい
る。加熱して半田が溶融すると、図９（Ｂ）に示すよう
に半田７４のセルフアライメント効果により、ピエゾ素
子２８ａと可動電極２６が整列して半田付けされる。
【００６６】好ましくは、半田７４はＳｎ−Ｐｂ半田
（融点１８３℃）にＡｇ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｎｉから
なる群から選択される元素を０．１〜１０重量％添加し
たものである。
【００６７】これらの元素を添加すると、半田濡れ性が
向上することによる応力増加と、融点が１０℃前後の幅
となることでの継続的な応力発生により、位置補正応力
が向上し、セルフアライメント効果が増強する。
【００６８】半田の供給方法に関しては、ソルダーペー
ストを必要部分に一定量ディスペンサーで供給する方法
や、メタルマスクを使用して印刷する方法が効率的であ
る。特に印刷方法は、スキージをメタルマスク材料と同
一材料から形成すれば、半田供給がより安定するメリッ
トがある。
【００６９】予め、前処理として接合対象部品へ半田め
っきをし、半田付けを行うことも半田量を制御する上で
有効である。また、治具等を用意して接合対象部品を並
べることで一括製造が可能となる。
【００７０】効果的なセルフアライメントを得るため
に、図１０に示すように、例えば可動電極２６の接合部
分２６ａ，２６ｂの形状をピエゾ素子２８ａ，２８ｂと
同じ形状とし、その他の部分にソルダーレジスト７２を
塗布するか、或いはＣｒめっきを施すようにしても良
い。
【００７１】可動電極２６の接合部分２６ａ，２６ｂに
半田ペーストを塗布し、ピエゾ素子２８ａ，２８ｂを可
動電極２６の接合部分２６ａ，２６ｂに搭載する。
【００７２】加熱して半田を溶融すると、半田溶融時の
濡れ応力によりピエゾ素子２８ａ，２８ｂが半田のセル
フアライメント効果によりセンタリングされ、製品に必
要な精度を得ることができる。
【００７３】表１に示すＰｂフリー半田を使用しても、
融点に幅があるため、溶融時の濡れ応力が時間をかけて
働くことでセルフアライメント効果を有効に発揮するこ
とができる。希望の融点の半田を選定することで、耐熱
性の低い部品への対応や環境問題への対応が容易にな
る。
【００７４】
【表１】
【００７５】Ｓｎ−Ｚｎ系及びＳｎ−Ａｇ系の鉛フリー
半田は融点が高いが、将来ピエゾ素子の耐熱温度が向上
するようになると、接合信頼性の面から有力な半田材料
となる。
【００７６】
【発明の効果】本発明によると、ピエゾ素子と電圧印加
用の電極間の接合を確実に達成でき、従来技術で必要で
あった接着剤塗布に伴う工数及び設備が不要となる。ま
た、本発明の接合方法によると、ピエゾマイクロアクチ
ュエータの製品厚みも制御できるため、より高精度のピ
エゾマイクロアクチュエータの組み立てが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）は本発明のピエゾマイクロアクチュ
エータを利用した二重アクチュエータの平面図、図１
（Ｂ）はその側面図である。
【図２】本発明第１実施形態のピエゾマイクロアクチュ
エータの分解斜視図である。
【図３】図３（Ａ）は第１実施形態のピエゾマイクロア
クチュエータを採用したヘッドアセンブリの側面図であ
り、図３（Ｂ）はその平面図である。
【図４】ピエゾ素子と電極接合部の拡大断面図である。
【図５】加圧及び加熱ステップの説明図である。
【図６】超音波処理の説明図である。
【図７】本発明第２実施形態の分解斜視図である。
【図８】第２実施形態のピエゾ素子と電極接合部の断面
図である。
【図９】図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は半田のセルフアラ
イメント効果を説明する図である。
【図１０】接合部以外の電極上にソルダーレジストを塗
布する実施形態を示す図である。
【符号の説明】
２ 二重アクチュエータ １０ アクチュエータアーム １６ ピエゾマイクロアクチュエータ １８ サスペンション ２０ 磁気ヘッド ２２ アクチュエータベース ２４ ベース電極 ２８ａ，２８ｂ 煎断型ピエゾ素子 ２６ 可動電極 ３０ 可動プレート ４６，４８，５０，５２ 被膜 ５４ ステージ ５６ ヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下浦 盛一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 岡田 徹 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 藤井 昌直 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 池滝 憲治 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 小林 秀彦 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 竹居 成和 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 山本 敬一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 田中 久雄 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5D042 LA01 MA15 5D059 AA01 BA01 CA18 DA19 EA08 5D096 NN03 NN07

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ピエゾ素子と電極との接合方法であっ
    て、 ピエゾ素子の接合面にＡｕ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｕ及びＳｎ
    からなる群から選択される物質の第１の被膜を形成し、 電極の接合面にＡｕ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｕ及びＳｎからな
    る群から選択される物質の第２の被膜を形成し、 前記第１及び第２の被膜を密着させて加圧しながら加熱
    することにより、該第１及び第２の被膜の金属接合又は
    金属間化合物を形成する、 ステップを具備したことを特徴とするピエゾ素子と電極
    との接合方法。
  2. 【請求項２】 前記第１及び第２の被膜の組合わせはＡ
    ｕ／Ａｕ，Ａｕ／Ａｌ，Ｚｎ／Ｃｕ又はＳｎ／Ｃｕの何
    れかである請求項１記載のピエゾ素子と電極との接合方
    法。
  3. 【請求項３】 前記第１及び第２の被膜はそれぞれ１μ
    ｍ以上の厚さを有している請求項１記載のピエゾ素子と
    電極との接合方法。
  4. 【請求項４】 前記加圧及び加熱ステップの前に、前記
    ピエゾ素子と電極を密着させながら前記ピエゾ素子及び
    電極の少なくとも何れか一方を超音波振動させるステッ
    プをさらに含む請求項１記載のピエゾ素子と電極との接
    合方法。
  5. 【請求項５】 前記加圧及び加熱ステップの前に、前記
    第１及び第２の被膜の少なくとも何れか一方にＯ2，Ａ
    ｒ，Ｎ2，ＳＦ6及びＣＦ4からなる群から選択されるプ
    ラズマを照射する請求項１記載のピエゾ素子と電極との
    接合方法。
  6. 【請求項６】 ピエゾマイクロアクチュエータであっ
    て、 アクチュエータベースと、 前記アクチュエータベースに接着されたベース電極と、 Ａｕ／Ａｕの金属接合又はＡｕ／Ａｌ，Ｚｎ／Ｃｕ及び
    Ｓｎ／Ｃｕからなる群から選択された第１の金属間化合
    物で前記ベース電極に接合された、素子の厚さ方向と垂
    直で互いに逆向きの分極方向を有する第１及び第２の煎
    断型ピエゾ素子と、 Ａｕ／Ａｕの金属接合又はＡｕ／Ａｌ，Ｚｎ／Ｃｕ及び
    Ｓｎ／Ｃｕのからなる群から選択された第２の金属間化
    合物で前記第１及び第２ピエゾ素子に接合された可動電
    極と、 前記可動電極に接着された可動プレートと、 を具備したことを特徴とするピエゾマイクロアクチュエ
    ータ。
  7. 【請求項７】 ピエゾ素子と電極との接合方法であっ
    て、 前記電極の接合面のピエゾ素子搭載部以外にソルダーレ
    ジストを形成し、 ピエゾ素子と電極とを半田付けする、ことを特徴とする
    ピエゾ素子と電極との接合方法。
  8. 【請求項８】 ピエゾ素子と電極との接合方法であっ
    て、 Ｓｎ−Ｐｂ半田にＡｇ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｇｅ及びＮｉから
    なる群から選択される物質を０．１〜１０重量％添加し
    てピエゾ素子と電極とを半田付けする、ことを特徴とす
    るピエゾ素子と電極との接合方法。
  9. 【請求項９】 ピエゾマイクロアクチュエータであっ
    て、 アクチュエータベースと、 前記アクチュエータベースに接着されたベース電極と、 Ａｕ／Ａｕの金属接合又はＡｕ／Ａｌ，Ｚｎ／Ｃｕ及び
    Ｓｎ／Ｃｕからなる群から選択された金属間化合物で前
    記ベース電極に接合された、素子の厚さ方向と垂直で互
    いに逆向きの分極方向を有する第１及び第２の煎断型ピ
    エゾ素子と、 前記第１及び第２ピエゾ素子に接着された可動プレート
    と、 前記第１及び第２ピエゾ素子を接続する第１ワイヤー
    と、 前記第１及び第２ピエゾ素子の何れか一方を前記ベース
    電極に接続する第２ワイヤーとを具備し、 前記ベース電極は前記金属間化合物を介して前記第１及
    び第２ピエゾ素子に電気的に接続される第１導体パター
    ンと、前記第１導体パターンとは電気的に独立した前記
    第２ワイヤーに接続される第２導体パターンを有してい
    ることを特徴とするピエゾマイクロアクチュエータ。
  10. 【請求項１０】 ピエゾマイクロアクチュエータであっ
    て、 ピエゾ素子が一対の電極に挟まれてなり、 前記ピエゾ素子と各電極との間に金属膜が介在されてい
    ることを特徴とするピエゾマイクロアクチュエータ。
JP2000335867A 2000-11-02 2000-11-02 ピエゾ素子と電極との接合方法及び該接合方法を使用したピエゾマイクロアクチュエータ Pending JP2002141576A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000335867A JP2002141576A (ja) 2000-11-02 2000-11-02 ピエゾ素子と電極との接合方法及び該接合方法を使用したピエゾマイクロアクチュエータ
US09/822,636 US6541898B2 (en) 2000-11-02 2001-03-30 Method of bonding piezoelectric element and electrode, and piezoelectric microactuator using the bonding method
KR1020010018673A KR20020034834A (ko) 2000-11-02 2001-04-09 피에조 소자와 전극의 접합방법 및 이 접합방법을 사용한피에조 마이크로 액츄에이터
DE2001628197 DE60128197T2 (de) 2000-11-02 2001-10-22 Verbinden von piezoelektrischem Element und Elektrode für einen Mikroaktor
EP20010308944 EP1204153B1 (en) 2000-11-02 2001-10-22 Bonding of piezoelectric element and electrode for microactuator
US10/347,708 US6744183B2 (en) 2000-11-02 2003-01-21 Method of bonding piezoelectric element and electrode, and piezoelectric microactuator using the bonding method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000335867A JP2002141576A (ja) 2000-11-02 2000-11-02 ピエゾ素子と電極との接合方法及び該接合方法を使用したピエゾマイクロアクチュエータ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002141576A true JP2002141576A (ja) 2002-05-17

Family

ID=18811538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000335867A Pending JP2002141576A (ja) 2000-11-02 2000-11-02 ピエゾ素子と電極との接合方法及び該接合方法を使用したピエゾマイクロアクチュエータ

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6541898B2 (ja)
EP (1) EP1204153B1 (ja)
JP (1) JP2002141576A (ja)
KR (1) KR20020034834A (ja)
DE (1) DE60128197T2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002204000A (ja) * 2001-01-05 2002-07-19 Seiko Instruments Inc 圧電体装置の製造方法、及びそれを用いた超音波モータ
JP2014106993A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Dainippon Printing Co Ltd サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブ、サスペンション用基板の製造方法及びアクチュエータ素子の実装方法
JP2015076107A (ja) * 2013-10-07 2015-04-20 大日本印刷株式会社 サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンションおよびハードディスクドライブ
JP2015082328A (ja) * 2013-10-21 2015-04-27 大日本印刷株式会社 サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンションおよびハードディスクドライブ
JP2016177855A (ja) * 2015-03-20 2016-10-06 Tdk株式会社 磁気ヘッド装置
JP2018041521A (ja) * 2016-09-07 2018-03-15 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板および回路付サスペンション基板の製造方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6007066A (en) * 1995-06-28 1999-12-28 Moody; Ernest W. Electronic video poker games
US8235781B2 (en) * 1996-06-17 2012-08-07 Igt Electronic video poker games
US6850392B1 (en) * 1999-06-24 2005-02-01 Seagate Technology, Llc Direct joining of stainless steel suspension to aluminum actuator arm
JP2002141576A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Fujitsu Ltd ピエゾ素子と電極との接合方法及び該接合方法を使用したピエゾマイクロアクチュエータ
GB2388741B (en) * 2002-05-17 2004-06-30 Morgan Crucible Co Transducer assembly
AU2003264717A1 (en) * 2002-08-16 2004-03-03 New Transducers Limited Method of bonding a piezoelectric material and a substrate
CN100359567C (zh) * 2002-11-19 2008-01-02 新科实业有限公司 将微致动器连接至驱动器臂悬架的方法和装置
US7082655B2 (en) * 2003-12-18 2006-08-01 Ge Inspection Technologies, Lp Process for plating a piezoelectric composite
JP3866258B2 (ja) * 2004-08-24 2007-01-10 太平洋セメント株式会社 圧電デバイスおよびこれを備える圧電スイッチ
JP4872465B2 (ja) * 2006-06-01 2012-02-08 セイコーエプソン株式会社 圧電素子ユニットの製造方法、圧電素子ユニット、及びこれを用いた液体噴射ヘッド
US20080202664A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Iptrade, Inc. Method of manufacturing a piezoelectric package having a composite structure
US8085508B2 (en) * 2008-03-28 2011-12-27 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. System, method and apparatus for flexure-integrated microactuator
US8546998B2 (en) * 2008-06-26 2013-10-01 Michelin Recherche Et Technique S.A. Sandwich piezoelectric device with solid copper electrode
US8189301B2 (en) * 2009-04-24 2012-05-29 Magnecomp Corporation Wireless microactuator motor assembly for use in a hard disk drive suspension, and mechanical and electrical connections thereto
CN203192864U (zh) 2009-07-27 2013-09-11 Cts公司 封装的陶瓷元件
WO2011103113A1 (en) * 2010-02-22 2011-08-25 Cts Corporation Composite ceramic structure and method of making the same
JP6307832B2 (ja) * 2013-01-22 2018-04-11 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール
KR102104061B1 (ko) 2013-11-15 2020-04-23 삼성전자 주식회사 금속 패턴 및 압전 패턴을 포함하는 반도체 소자
US20220173305A1 (en) 2019-03-23 2022-06-02 Secretary, Department Of Atomic Energy Diffusion bonding of piezoelectric crystal to metal wear plate
CN110137338B (zh) * 2019-04-02 2023-05-02 苏州诺莱声科技有限公司 一种压电元件引线焊接方法及具有引脚的压电元件
CN111257995A (zh) * 2020-02-12 2020-06-09 深圳技术大学 一种高折射率差yag单晶异质结构薄膜波导及其制备方法
AT523895B1 (de) 2020-06-10 2023-06-15 Ac2T Res Gmbh Triboakustischer Sensor, dessen Herstellverfahren, Messverfahren und Verwendung
WO2025117505A1 (en) * 2023-11-27 2025-06-05 Sonocharge Energy, Inc. Acoustic devices and methods of fabrication

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0352275A (ja) * 1989-07-19 1991-03-06 Murata Mfg Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JPH0738361A (ja) * 1993-07-19 1995-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電複合基板の製造方法
JPH08153915A (ja) * 1994-11-30 1996-06-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合圧電基板とその製造方法
JPH0992895A (ja) * 1995-07-19 1997-04-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電素子とその製造方法
JPH10261930A (ja) * 1997-03-18 1998-09-29 Seiko Epson Corp 水晶振動子の製造装置
JPH11121823A (ja) * 1997-10-17 1999-04-30 Nikon Corp 振動アクチュエータとその製造方法
JPH11509052A (ja) * 1995-05-30 1999-08-03 モトローラ・インコーポレイテッド フォトリソグラフィーにより作られる水晶片をエッチングして個別に分離する方法
JP2000176654A (ja) * 1998-12-14 2000-06-27 Arutekusu:Kk 超音波振動接合方法
JP2000196160A (ja) * 1998-12-24 2000-07-14 Fuji Elelctrochem Co Ltd 剪断型圧電素子の製造方法
JP2000261058A (ja) * 1999-03-09 2000-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電式デバイス

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2983823A (en) * 1956-05-21 1961-05-09 Sprague Electric Co Optical radiation generating and detecting device
US3488530A (en) * 1968-04-22 1970-01-06 North American Rockwell Piezoelectric microresonator
US3897628A (en) * 1973-11-19 1975-08-05 Rca Corp Method of forming a thin piezoelectric body metallically bonded to a propagation medium crystal
US4077558A (en) * 1976-12-06 1978-03-07 International Business Machines Corporation Diffusion bonding of crystals
JPS54132187A (en) * 1978-04-06 1979-10-13 Seiko Instr & Electronics Ltd Crystal oscillator
JPS58218394A (ja) * 1982-06-11 1983-12-19 Hitachi Ltd 半導体装置の実装方法
JPS63143883A (ja) * 1986-12-08 1988-06-16 Onkyo Corp 高分子圧電素子
US4961347A (en) * 1987-11-25 1990-10-09 Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. Probe for ultrasonic flaw detectors
JP3039971B2 (ja) * 1989-09-19 2000-05-08 株式会社日立製作所 接合型圧電装置及び製造方法並びに接合型圧電素子
DE69110694T2 (de) * 1990-02-07 1996-02-22 Philips Electronics Nv Verfahren zum Herstellen eines piezoelektrischen Mehrschichtelementes sowie piezoelektrisches Mehrschichtelement.
US5281684A (en) * 1992-04-30 1994-01-25 Motorola, Inc. Solder bumping of integrated circuit die
JPH06224674A (ja) * 1993-01-26 1994-08-12 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振部品の製造方法
JP2716389B2 (ja) * 1995-01-27 1998-02-18 富士電機株式会社 インクジェット式記録ヘッド
JP3428773B2 (ja) * 1995-04-21 2003-07-22 松下電器産業株式会社 バイモルフ圧電素子とその製造方法
MY115822A (en) * 1995-06-30 2003-09-30 Murata Mfg Company Limited Piezoelectric resonator and piezoelectric components using the same
JPH09135045A (ja) * 1995-11-07 1997-05-20 Teika Corp 圧電振動子およびその電極の形成方法
JP3556067B2 (ja) * 1997-04-17 2004-08-18 富士通株式会社 剪断型圧電素子を用いたアクチュエータ及びこのアクチュエータを使用したヘッド微小移動機構
US6327120B1 (en) * 1997-04-17 2001-12-04 Fujitsu Limited Actuator using piezoelectric element and head-positioning mechanism using the actuator
JP3420915B2 (ja) * 1997-07-10 2003-06-30 富士通株式会社 圧電素子を用いたアクチュエータ及びこのアクチュエータを使用したヘッドの微小移動機構
DE19742688C1 (de) * 1997-09-26 1999-03-18 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Stapelaktors und Stapelaktor
JP3484956B2 (ja) * 1997-11-25 2004-01-06 セイコーエプソン株式会社 圧電体素子の製造方法
US6619785B1 (en) * 1999-03-31 2003-09-16 Seiko Epson Corporation Method of connecting electrode, narrow pitch connector, pitch changing device, micromachine, piezoelectric actuator, electrostatic actuator, ink-jet head, ink-jet printer, liquid crystal device, and electronic device
US6291931B1 (en) * 1999-11-23 2001-09-18 Tfr Technologies, Inc. Piezoelectric resonator with layered electrodes
JP2001358452A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の実装方法
JP2002141576A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Fujitsu Ltd ピエゾ素子と電極との接合方法及び該接合方法を使用したピエゾマイクロアクチュエータ

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0352275A (ja) * 1989-07-19 1991-03-06 Murata Mfg Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JPH0738361A (ja) * 1993-07-19 1995-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電複合基板の製造方法
JPH08153915A (ja) * 1994-11-30 1996-06-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合圧電基板とその製造方法
JPH11509052A (ja) * 1995-05-30 1999-08-03 モトローラ・インコーポレイテッド フォトリソグラフィーにより作られる水晶片をエッチングして個別に分離する方法
JPH0992895A (ja) * 1995-07-19 1997-04-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電素子とその製造方法
JPH10261930A (ja) * 1997-03-18 1998-09-29 Seiko Epson Corp 水晶振動子の製造装置
JPH11121823A (ja) * 1997-10-17 1999-04-30 Nikon Corp 振動アクチュエータとその製造方法
JP2000176654A (ja) * 1998-12-14 2000-06-27 Arutekusu:Kk 超音波振動接合方法
JP2000196160A (ja) * 1998-12-24 2000-07-14 Fuji Elelctrochem Co Ltd 剪断型圧電素子の製造方法
JP2000261058A (ja) * 1999-03-09 2000-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電式デバイス

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002204000A (ja) * 2001-01-05 2002-07-19 Seiko Instruments Inc 圧電体装置の製造方法、及びそれを用いた超音波モータ
JP2014106993A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Dainippon Printing Co Ltd サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブ、サスペンション用基板の製造方法及びアクチュエータ素子の実装方法
JP2015076107A (ja) * 2013-10-07 2015-04-20 大日本印刷株式会社 サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンションおよびハードディスクドライブ
JP2015082328A (ja) * 2013-10-21 2015-04-27 大日本印刷株式会社 サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンションおよびハードディスクドライブ
JP2016177855A (ja) * 2015-03-20 2016-10-06 Tdk株式会社 磁気ヘッド装置
JP2018041521A (ja) * 2016-09-07 2018-03-15 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板および回路付サスペンション基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1204153A2 (en) 2002-05-08
US20030137223A1 (en) 2003-07-24
US6744183B2 (en) 2004-06-01
US6541898B2 (en) 2003-04-01
EP1204153A3 (en) 2005-02-16
DE60128197T2 (de) 2007-08-23
KR20020034834A (ko) 2002-05-09
US20020074902A1 (en) 2002-06-20
DE60128197D1 (de) 2007-06-14
EP1204153B1 (en) 2007-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002141576A (ja) ピエゾ素子と電極との接合方法及び該接合方法を使用したピエゾマイクロアクチュエータ
US8189301B2 (en) Wireless microactuator motor assembly for use in a hard disk drive suspension, and mechanical and electrical connections thereto
JPH07320434A (ja) 電気的接続およびその方法、スライダ・サスペンション・アセンブリおよびその製造方法、並びに、情報記憶システム
US7372669B2 (en) Magnetic disk drive, wiring connection structure and terminal structure
US7307816B1 (en) Flexure design and assembly process for attachment of slider using solder and laser reflow
US8174797B2 (en) Head suspension and method of manufacturing head suspension
US7239484B2 (en) Mounting method of magnetic head component, magnetic head device and manufacturing method of magnetic head device utilizing solder balls with nonmelting cores
JP5285550B2 (ja) 圧電アクチュエータの給電構造、及びヘッドサスペンション
JP2003228930A (ja) ヘッド素子の微小位置決め用アクチュエータを備えたヘッドジンバルアセンブリ、該ヘッドジンバルアセンブリを備えたディスク装置及び該ヘッドジンバルアセンブリの製造方法
JP2002298526A (ja) ヘッド素子の微小位置決め用アクチュエータ、該アクチュエータを備えたヘッドジンバルアセンブリ及び該ヘッドジンバルアセンブリの製造方法
JP3975688B2 (ja) ヘッド素子の微小位置決め用アクチュエータ、該アクチュエータを備えたヘッドジンバルアセンブリ及び該アクチュエータの製造方法
US20040228036A1 (en) Manufacturing method and apparatus of magnetic head device, and magnetic head device
US6704163B1 (en) Deformable towers useful for assembly of suspensions used in a data storage drive
JP4003860B2 (ja) マイクロアクチュエータ及びその製造方法
JP2001035039A (ja) 光磁気記録再生装置の光磁気ヘッド及びその製造方法
JP5518430B2 (ja) リフロー接合方法、及びヘッドサスペンションの製造方法
US20050200237A1 (en) Thin film piezoelectric element, suspension assembly, and hard disk drive
JP2002163814A (ja) マイクロアクチュエータの組立方法
JP3683247B2 (ja) 微小ジョイントメタル接合方法及び導電性テープ
WO1996036964A1 (fr) Ensemble de tete magnetique, assemblage pour cette derniere, appareil d'assemblage et disque magnetique
JP2002142469A (ja) 圧電アクチュエータ及びその製造方法
JP2002373475A (ja) 磁気ヘッド位置決め機構及びその製造方法
JP2001118348A (ja) 微小位置決めアクチュエータ、薄膜磁気ヘッド素子の位置決め用アクチュエータ及び該アクチュエータを備えたヘッドサスペンションアセンブリ
JPH0240112A (ja) 磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2002058263A (ja) 圧電アクチュエータ

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070327

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070528

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070626

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071023