[go: up one dir, main page]

JP2002141266A - 垂直エッジのサブミクロン貫通孔を形成する方法とそのような貫通孔が形成された薄膜試料 - Google Patents

垂直エッジのサブミクロン貫通孔を形成する方法とそのような貫通孔が形成された薄膜試料

Info

Publication number
JP2002141266A
JP2002141266A JP2000333369A JP2000333369A JP2002141266A JP 2002141266 A JP2002141266 A JP 2002141266A JP 2000333369 A JP2000333369 A JP 2000333369A JP 2000333369 A JP2000333369 A JP 2000333369A JP 2002141266 A JP2002141266 A JP 2002141266A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hole
ion beam
forming
focused ion
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000333369A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4364420B2 (ja
Inventor
Takashi Minafuji
孝 皆藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Priority to JP2000333369A priority Critical patent/JP4364420B2/ja
Priority to US10/001,332 priority patent/US6544897B2/en
Priority to TW090126797A priority patent/TW513780B/zh
Priority to KR1020010067477A priority patent/KR100847616B1/ko
Publication of JP2002141266A publication Critical patent/JP2002141266A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4364420B2 publication Critical patent/JP4364420B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/31—Processing objects on a macro-scale
    • H01J2237/3118—Drilling

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の課題は、電子ビームステッパー等の
ステンシルマスクの薄膜にその薄膜の厚さに対して径の
小さな貫通孔を垂直エッジで形成できる加工方法並びに
そのようなステンシルマスクを提供することにある。 【解決手段】 本発明は、試料の薄膜に集束イオンビー
ム装置を用いたエッチングによって、貫通孔の設計寸法
より大きな径の孔を前記設計寸法に近い厚さの底を残し
て形成するステップと、該底部に集束イオンビームエッ
チングによって前記設計寸法の貫通孔を形成するステッ
プと、前記大きな孔を集束イオンビーム装置を用いたデ
ポジションによって前記設計寸法に埋め戻すステップと
からなる垂直エッジのサブミクロン貫通孔を形成する方
法を採用した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハー等上
に投影で所望パターンを形成させるために用いられるマ
スク、特に電子ビームステッパーのステンシルマスクに
貫通孔を設ける方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン薄膜等のステンシルマスクに貫
通孔を設ける方法は従来から図５に示すような集束イオ
ンビーム装置を用いたスパッタエッチングやガスアシス
トエッチング等を用いて実行されている。すなわち、液
体ガリウム等のイオン源10からイオンを引出しイオン光
学系11によりイオンをビーム状に集束加速させ試料ステ
ージ15上の試料に偏向手段によって走査させながら照射
しエッチング加工する。しかしこの方法による貫通孔は
集束イオンビーム12を照射する側の面で広い範囲にわた
りエッチングされすり鉢状の孔になってしまう。因みに
ビーム照射を正方形領域に設定して走査した場合には、
図４に示すように逆ピラミッド状に形成されることにな
る。図中Ｂはイオン照射する側から見た図であり、Ａは
断面図である。図に示したような走査領域を設定しエッ
チング加工をしても貫通孔Ｈは裏面側で走査領域に対応
するが、イオン照射する側では開口が斜面Ｓ形状とな
る。これはイオンを光学系11によって集束させビーム状
に絞って照射していても実際にはガウス分布をなしてお
りビーム周辺にも弱いイオン照射は及ぶことになるた
め、長時間その照射に晒される集束イオンビームを照射
する側では設定領域を越えてその近傍までエッチングさ
れてしまうためである。集束イオンビーム12によるスパ
ッタリング加工では再付着現象が伴い、深い穴を掘るこ
とは原理的に難しい。すなわち、集束イオンビーム12を
小径の孔内の奥深く照射すること、スパッタされた素材
を再付着させず孔の外まで排除することには限界があ
る。因みに厚さ1.5μｍのシリコン薄膜には0.3μｍ四方
の貫通孔（アスペクト比：5）を空けることが限界とさ
れる。ガス銃14からアシストガスを噴射しつつイオンビ
ーム12を照射するガスアシストエッチングの技術を適用
し再付着を極力押さえて加工を行っても、これ以上のア
スペクト比の孔となると加工は難しい。また、この加工
による開口面の傾斜は試料薄膜の厚みの不均一となり、
電子ビームステッパー等のステンシルマスクとしての使
用に際しては電子の散乱が不均一になってステンシルと
して不適当なものになるという問題を引き起こす。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、電子
ビームステッパー等のステンシルマスクの薄膜にその薄
膜の厚さに対して径の小さな貫通孔を垂直エッジで形成
できる加工方法並びにそのようなステンシルマスクを提
供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、試料の薄膜に
集束イオンビーム装置を用いたエッチングによって、貫
通孔の設計寸法より大きな径の孔を前記設計寸法に近い
厚さの底を残して形成するステップと、該底部に集束イ
オンビームエッチングによって前記設計寸法の貫通孔を
形成するステップと、前記大きな孔を集束イオンビーム
装置を用いたデポジションによって前記設計寸法に埋め
戻すステップとからなる垂直エッジのサブミクロン貫通
孔を形成する方法を採用し、更に前記設計寸法に埋め戻
すステップの後、集束イオンビーム装置を用いたガスア
シストエッチングによって貫通孔内面を仕上げ加工する
形成方法を採用した。
【０００５】
【発明の実施の形態】従来の貫通孔加工方法では被加工
物である薄膜の厚さとの比率で表すアスペクト比の大き
な細い孔を垂直エッジ形態で空けることは出来ないこと
に鑑み、本発明は貫通孔径の設計値より大きな径の孔を
まず該貫通孔径程度の肉薄の底部を残し粗掘りし、後で
設計値の径となるようにデポジションの技術を適用して
埋め戻す方法に想到したものである。この際底部を残し
たのはデポジションを施す基礎が必要だからであり、そ
の底部厚みを肉薄とするのはその部分で垂直エッジの細
い貫通孔を加工できるようにアスペクト比を小さくする
ためである。
【０００６】まず走査型の集束イオンビーム装置を用い
厚さａの薄膜試料１の表面から集束イオンビームを照射
して図１のＡに示されるような大きな径ｄの孔を粗掘り
する。続いて孔径オーダーに肉薄ｂとされたその底部に
集束イオンビームを照射してスパッタエッチングにより
設計値に対応する小径ｃの貫通孔を加工する。このアス
ペクト比はｂ／ｃで１程度である。この加工は孔径ｃ相
当の厚さｂの底部に対して実行されるので、浅い孔加工
であり再付着も少なく表面部分も長時間のビーム照射に
晒されることもないため、図１のＢに示されるような垂
直エッジ形態の貫通孔が形成される。次に先に粗掘りし
た大きな孔の埋め戻し加工であるが、これはガス銃から
フェナントレン等の芳香属ガスを噴射した雰囲気中で集
束イオンビームを照射して炭素を付着させ、埋め戻し部
４とするものである。このとき集束イオンビームを照射
する領域を大きな孔２の領域から貫通孔として設計され
た領域を除外した部分とすることで、図１のＣに示され
るように設計された小径の貫通孔部分以外にデポジショ
ン（埋め戻し部４）が施されることになる。この照射領
域設定は大きな孔の領域を走査領域とし中央の貫通孔と
なる部分にビームが走査された時はブランカーによりビ
ームをカットしてしまう方法、または中央の貫通孔とな
る領域を除外した複数の走査領域を設定し順次デポジシ
ョンを実行する方法が採用できる。この段階で薄膜試料
には設計値に近い貫通孔が形成され、最近技術ではその
内面は十分にエッジが立っておりそのままステンシルマ
スクとして使用出来る。以上の加工により設計された寸
法の貫通孔が垂直エッジ形態で形成されることになる。
【０００７】以上は当初大きな孔を粗掘りし、後で所定
の径寸法の孔を残して埋め戻す方法を示したが、試料厚
さに対して１／５以下の径の孔を空ける異なる方法を図
２を参照して次に説明する。まず最初に集束イオンビー
ム装置を用いガス銃からフェナントレン等の芳香族ガス
を噴射して試料１の表面に設計された貫通孔寸法の領域
を除いてその周辺に0.1〜0.2μm程度の薄いカーボン膜
デポジション６を施す。この試料１の表面に対して、前
記カーボンデポ膜の窓領域、すなわち設計された貫通孔
寸法の領域に集束イオンビームが照射されるようにビー
ム走査をしながらガスアシストエッチングを実行する。
この加工はアスペクト比が高いすなわち細くて深い孔を
掘る加工であるため再付着の現象が起こり易いので、ス
ッパタエッチングではなくハロゲン系ガスによるガスア
シストエッチングを行う。すると、試料表面部は貫通孔
寸法の領域を除いて周辺部はハロゲン系ガスでアシスト
エッチングされないカーボン膜のデポジションで保護さ
れているため、設計寸法周辺領域はエッチングされるこ
となく設計寸法内の領域だけが削られることになる。ア
シストエッチングが進行し孔が深くなるが、アシストエ
ッチングの場合は、表面吸着したガスが集束イオンビー
ムによるエネルギーで素材と反応して揮発するので内部
の壁面に付着されることはない。そのため最終的には図
２のＢに断面で示すように設計寸法径の貫通孔が形成で
きる。
【０００８】
【実施例１】本発明による実施例を図１を参照しながら
説明する。この実施例は電子ビームステッパーのステン
シルマスクの加工であって、２μｍのシリコン薄膜に0.
2μｍ四方の貫通孔を形成する。集束イオンビーム装置
を用いてスパッターエッチングにより試料表面に0.5μ
ｍ四方の孔を掘るのであるが、この加工は粗掘りである
から表面のダメージを心配することなくビーム電流を10
ｐＡ程度（加速電圧は30ｋＶ）に高くしエッチングレー
トを高くして加工することができる。孔の深さは底部が
0.2μｍ程度の薄肉となるまで掘って図１のＡのような
大きな孔２を形成する。この大きな孔２は0.5μｍ四方
のビーム照射であるが表面側は長時間のビーム照射に晒
されるためそれより大きな寸法の開口となり、内周面は
図のように傾斜面となる。続いてこの大きな孔２の中央
部に貫通孔の所定寸法である0.2μｍ四方の孔３を、や
はりスパッターエッチングにより裏面まで貫通するよう
に掘り、図１のＢに示す形態とする。この際の加工はビ
ーム電流を２ｐＡ以下程度にしてエッチングレートを落
し、精密な孔空けとする。
【０００９】次に穴埋め加工であるが、ガス銃からは加
熱気化させたフェナントレンを噴射させ集束イオンビー
ムを照射してカーボンのデポジションを施す。この実施
例ではビームの走査領域を図３のＡに示すように貫通孔
３となる部分を除外した領域とし、まず0.2μｍ程度の
比較的薄い層を形成し、続いて大きな孔の内周面の傾斜
に整合させて走査領域を広めに修正してデポジションを
実行し順次デポ層を重ねてゆく。この作業により図３の
Ｂに断面図として示したような小径の貫通孔３が形成さ
れる。
【００１０】
【発明の効果】本発明は、試料の薄膜に集束イオンビー
ム装置を用いたエッチングによって、貫通孔の設計寸法
より大きな径の孔を前記設計寸法に近い厚さの底を残し
て形成させるステップと、該底部に集束イオンビームエ
ッチングによって前記設計寸法の貫通孔を形成するステ
ップと、前記大きな孔を集束イオンビーム装置を用いた
デポジションによって前記設計寸法に埋め戻すステップ
とからなる垂直エッジのサブミクロン貫通孔を形成する
方法であるので、アスペクト比の高い小径の深い穴を形
成することが可能となり、しかもステンシルマスクとし
て好適な開口部の傾斜のない垂直エッジの貫通孔を形成
することが出来る。
【００１１】また、本発明は集束イオンビーム装置を用
いたデポジションによって、試料の薄膜の表面に貫通孔
の設計寸法の領域を残してその周辺に薄い保護膜を形成
させるステップと、該薄膜試料の表面の貫通孔設計領域
に集束イオンビームを走査しながらガスアシストエッチ
ングによって貫通孔を形成するステップとからなる、垂
直エッジのサブミクロン貫通孔を形成する方法を採用し
ているが、これは当初にデポジションによって形成され
た保護膜により貫通孔の開口部周辺のエッチングが防が
れるので、垂直エッジのサブミクロン貫通孔加工が効果
的に実行できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による垂直エッジのサブミクロン貫通孔
を形成する手順を示す図でありＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは時系列
で示したものである。
【図２】本発明による垂直エッジのサブミクロン貫通孔
を形成する他の形態を示す図で、Ａは当初の保護膜形成
を示す平面図、Ｂは加工後の試料断面図である。
【図３】本発明の実施例においてデポジションによって
大きな孔を埋め戻す手順を模式的に示す図であり、Ａは
イオン照射する側から見た図、Ｂは断面図ある。
【図４】従来の方法で薄膜に貫通孔を加工したときの形
態を示す図であり、Ａは断面図、Ｂはイオン照射する側
から見た図ある。
【図５】本発明に使用する集束イオンビーム装置の概略
構成図である。
【符号の説明】
１ シリコン薄膜 １０ イオン源 ２ 大きな孔 １１ イオン光学系 ３ 小径の孔 １２ イオンビーム ４ 埋め戻し部 １４ ガス銃 ５ 仕上げ加工部 １５ 試料ステージ ６ 保護膜 Ｈ 貫通孔 ７ 貫通孔設計領域 Ｓ 斜面

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 試料の薄膜に集束イオンビーム装置を用
    いたエッチングによって、貫通孔の設計寸法より大きな
    径の孔を前記設計寸法に近い値の厚さの底を残して形成
    させるステップと、該底部に集束イオンビームエッチン
    グによって前記設計寸法の貫通孔を形成するステップ
    と、前記大きな孔を集束イオンビーム装置を用いたデポ
    ジションによって前記設計寸法に埋め戻すステップとか
    らなる垂直エッジのサブミクロン貫通孔を形成する方
    法。
  2. 【請求項２】 大きな孔を集束イオンビーム装置を用い
    たデポジションによって前記設計寸法に埋め戻すステッ
    プの後、集束イオンビーム装置を用いたガスアシストエ
    ッチングによって貫通孔内面を仕上げ加工する請求項１
    に記載の垂直エッジのサブミクロン貫通孔を形成する方
    法。
  3. 【請求項３】 集束イオンビーム装置を用いたデポジシ
    ョンによって、試料の薄膜の表面に貫通孔の設計寸法の
    領域を残してその周辺に厚い保護膜を形成させるステッ
    プと、該薄膜試料の表面の貫通孔設計領域に集束イオン
    ビームを走査しながらガスアシストエッチングによって
    貫通孔を形成するステップとからなる、垂直エッジのサ
    ブミクロン貫通孔を形成する方法。
  4. 【請求項４】 厚みに対しアスペクト比が５以上である
    垂直エッジのサブミクロン貫通孔が形成された薄膜試
    料。
JP2000333369A 2000-10-31 2000-10-31 垂直エッジのサブミクロン貫通孔を形成する方法 Expired - Fee Related JP4364420B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000333369A JP4364420B2 (ja) 2000-10-31 2000-10-31 垂直エッジのサブミクロン貫通孔を形成する方法
US10/001,332 US6544897B2 (en) 2000-10-31 2001-10-26 Method for forming a vertical edge submicron through-hole and a thin film sample with this kind of through-hole
TW090126797A TW513780B (en) 2000-10-31 2001-10-29 A method for forming a vertical edge submicron through-hole and a thin film sample with this kind of through-hole
KR1020010067477A KR100847616B1 (ko) 2000-10-31 2001-10-31 수직 에지의 서브마이크론 관통홀의 형성방법 및 이런종류의 관통홀을 가지는 박막 시료

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000333369A JP4364420B2 (ja) 2000-10-31 2000-10-31 垂直エッジのサブミクロン貫通孔を形成する方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002141266A true JP2002141266A (ja) 2002-05-17
JP4364420B2 JP4364420B2 (ja) 2009-11-18

Family

ID=18809463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000333369A Expired - Fee Related JP4364420B2 (ja) 2000-10-31 2000-10-31 垂直エッジのサブミクロン貫通孔を形成する方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6544897B2 (ja)
JP (1) JP4364420B2 (ja)
KR (1) KR100847616B1 (ja)
TW (1) TW513780B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012252967A (ja) * 2011-06-07 2012-12-20 Nippon Steel & Sumitomo Metal 電子顕微鏡用絞りプレート板及びその製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002044079A1 (fr) * 2000-11-29 2002-06-06 Seiko Instruments Inc. Procédé et dispositif de fabrication de structure tridimensionnelle ultra-fine
US7266474B2 (en) * 2005-08-31 2007-09-04 International Business Machines Corporation Ring oscillator structure and method of separating random and systematic tolerance values
US8303833B2 (en) * 2007-06-21 2012-11-06 Fei Company High resolution plasma etch
JP6703903B2 (ja) * 2016-06-16 2020-06-03 株式会社日立製作所 微細構造体の加工方法および微細構造体の加工装置
CN115508922A (zh) * 2022-09-16 2022-12-23 中国科学院上海高等研究院 一种利用离子束加工x射线复合折射透镜的方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6347769A (ja) * 1986-08-15 1988-02-29 Oki Electric Ind Co Ltd パタン欠陥修正方法
JPH0582480A (ja) * 1991-09-20 1993-04-02 Hitachi Ltd エネルギービーム局所処理方法およびその装置
JPH08314119A (ja) * 1995-05-23 1996-11-29 Nec Corp フォトマスク欠陥修正方法
JPH10186631A (ja) * 1996-12-27 1998-07-14 Nec Corp ハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクの欠陥修正方法
JPH10261566A (ja) * 1997-03-18 1998-09-29 Toshiba Corp ビーム電流測定用貫通孔の製造方法
JPH11251210A (ja) * 1998-02-26 1999-09-17 Nec Corp 電子ビーム露光装置用一括アパチャの製造方法
JPH11307420A (ja) * 1998-04-21 1999-11-05 Oki Electric Ind Co Ltd フォトマスクの回路パターン部の修正方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5166556A (en) * 1991-01-22 1992-11-24 Myson Technology, Inc. Programmable antifuse structure, process, logic cell and architecture for programmable integrated circuits
US5504340A (en) * 1993-03-10 1996-04-02 Hitachi, Ltd. Process method and apparatus using focused ion beam generating means
EP0637057B1 (en) * 1993-07-30 1996-12-11 International Business Machines Corporation Method and apparatus for depositing metal fine lines on a substrate
JP2820132B2 (ja) * 1996-09-09 1998-11-05 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6305072B1 (en) * 1996-11-28 2001-10-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing thin film magnetic head
IL123473A (en) * 1997-02-28 2001-08-08 Fiekowsky Peter J High accuracy particle dimension measurement system
US5966677A (en) * 1997-02-28 1999-10-12 Fiekowsky; Peter J. High accuracy particle dimension measurement system
CA2314109A1 (en) * 1998-10-14 2000-04-20 Faraday Technology, Inc. Electrodeposition of metals in small recesses using modulated electric fields
JP4351755B2 (ja) * 1999-03-12 2009-10-28 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜作成方法および薄膜作成装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6347769A (ja) * 1986-08-15 1988-02-29 Oki Electric Ind Co Ltd パタン欠陥修正方法
JPH0582480A (ja) * 1991-09-20 1993-04-02 Hitachi Ltd エネルギービーム局所処理方法およびその装置
JPH08314119A (ja) * 1995-05-23 1996-11-29 Nec Corp フォトマスク欠陥修正方法
JPH10186631A (ja) * 1996-12-27 1998-07-14 Nec Corp ハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクの欠陥修正方法
JPH10261566A (ja) * 1997-03-18 1998-09-29 Toshiba Corp ビーム電流測定用貫通孔の製造方法
JPH11251210A (ja) * 1998-02-26 1999-09-17 Nec Corp 電子ビーム露光装置用一括アパチャの製造方法
JPH11307420A (ja) * 1998-04-21 1999-11-05 Oki Electric Ind Co Ltd フォトマスクの回路パターン部の修正方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012252967A (ja) * 2011-06-07 2012-12-20 Nippon Steel & Sumitomo Metal 電子顕微鏡用絞りプレート板及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6544897B2 (en) 2003-04-08
TW513780B (en) 2002-12-11
KR20020034939A (ko) 2002-05-09
JP4364420B2 (ja) 2009-11-18
US20020081507A1 (en) 2002-06-27
KR100847616B1 (ko) 2008-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2034481C (en) Self-aligned gate process for fabricating field emitter arrays
KR920003791B1 (ko) 집속된 이온 비임을 사용하여 금속 화학 증착을 위한 선택적인 영역의 핵생성 및 성장 방법
JP2016504599A (ja) エッチング速度を変化させるためのイオン注入
JP3711018B2 (ja) Ｔｅｍ試料薄片化加工方法
JP4364420B2 (ja) 垂直エッジのサブミクロン貫通孔を形成する方法
US5997699A (en) Insitu faceting during deposition
JP3036506B2 (ja) 電子ビーム露光装置用一括アパチャの製造方法
EP0320292B1 (en) A process for forming a pattern
US5378658A (en) Patterning process including simultaneous deposition and ion milling
JPH11167856A (ja) 微小冷陰極およびその製造方法
JP3828514B2 (ja) ドライエッチング方法及び情報記録媒体の製造方法
JPH0950968A (ja) 半導体素子製造方法および半導体素子
JP2791329B2 (ja) レーザを用いた付着方法
JP3388059B2 (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
KR100312187B1 (ko) 다이아몬드를 이용한 전계전자 방출소자 제조방법
JP3642568B2 (ja) 磁気抵抗効果膜の製造方法
JPS61124568A (ja) イオンビ−ムスパツタ装置
JP2826972B2 (ja) 化合物半導体の極微細パターン形成方法
JPH05205615A (ja) 電界放射素子の製造方法
JPH0794475A (ja) プラズマ表面処理装置
JP2903882B2 (ja) ステンシルマスク形成方法
JPH0395888A (ja) 電界放出型電子放出素子
JP2006135049A (ja) マスクおよびその作製方法
JPH0794485A (ja) 表面処理方法およびその装置
JPH05347344A (ja) レジスト断面形成観察方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20040303

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20040526

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050922

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081216

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090123

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090818

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090819

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4364420

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20091102

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20091113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828

Year of fee payment: 3

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130828

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130828

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130828

Year of fee payment: 4

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130828

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130828

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130828

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees