JP2002140677A - Icキャリアとその製造方法 - Google Patents
Icキャリアとその製造方法Info
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Abstract
造方法を提供する。 【解決手段】 ICモジュール20を有するICキャリ
アを、ICキャリアの形状の空洞53を有する製造用金
型50を用いて射出成形により製造する。製造用金型5
0の空洞53に、ICモジュール20の端子部1が空洞
53の底面に接触するようにICモジュール20を配置
する。ICモジュール20の端子部1は、空洞53の底
面の吸引口59により吸着されてICモジュール20が
保持される。次に、溶融状態の合成樹脂を注入口52か
ら注入し、溶融状態の合成樹脂を空洞53に充填して射
出成形を行う。
Description
のICキャリアと、当該ICキャリアの製造方法とに関
する。
開2000−90218号公報には、板状枠体付きIC
キャリアの発明が開示されている。特開平6−2418
8号公報には、規格フォーマットのICカードを製造し
た後に、当該規格フォーマットのICカードに対して縮
小フォーマットのICキャリアのプレカット輪郭を形成
し、ICキャリアを本体から取り外すことが開示されて
いる。
当該ICカードの一部分を分離してICキャリアとする
ICキャリアの製造方法では、ICカードからICキャ
リアが除かれた部分である板状枠体が生じるので、IC
キャリアの製造コストが高くなる。また、板状枠体とI
Cキャリアとの間のブリッジ部が、板状枠体からのIC
キャリアの取り外し時にICキャリアに残存したり、逆
にブリッジ部のつけ根の部分がICキャリアから欠けた
りするおそれがある。
とが可能なICキャリアの製造方法と、当該製造方法に
より製造可能なICキャリアとを提供することにある。
アは、ICモジュールと、このICモジュールの一部を
覆う合成樹脂とを有し、前記ICモジュールは、ICチ
ップを内包するモジュール基板と、前記モジュール基板
の一方の面に形成され、前記ICチップに接続された端
子部とを有し、前記モジュール基板の前記一方の面は、
前記端子部とこの端子部を囲む前記合成樹脂とにより覆
われており、前記モジュール基板の他方の面は、前記合
成樹脂により覆われている。
は、前記モジュール基板の前記一方の面を覆う前記合成
樹脂と、前記他方の面を覆う前記合成樹脂とが、つなが
っている。
は、前記ICキャリアは、SIMカードであり、前記モ
ジュール基板の形状は、矩形状または略矩形状であり、
前記SIMカードの長手方向である横方向のサイズは、
前記モジュール基板の前記長手方向のサイズよりも大き
く、前記SIMカードの前記長手方向に垂直な方向であ
る縦方向のサイズは、前記モジュール基板の前記縦方向
のサイズ以上であって、前記モジュール基板の前記縦方
向のサイズと同一または略同一である。
には、前記モジュール基板の前記長手方向のサイズは、
前記端子部の前記長手方向のサイズ以上であって、前記
端子部の前記長手方向のサイズと同一または略同一であ
る。
ICモジュールを有するICキャリアを、前記ICキャ
リアの形状の空洞を有する製造用金型を用いて射出成形
により製造する製造方法であって、前記製造用金型の空
洞に、前記ICモジュールの端子部が前記空洞の底面に
接触するように当該ICモジュールを配置し、前記IC
モジュールが配置された前記空洞に溶融状態の合成樹脂
を充填して射出成形を行う。
は、好適には、前記ICキャリアは、SIMカードであ
り、前記モジュール基板の形状は、矩形状または略矩形
状であり、前記SIMカードの長手方向である横方向の
サイズは、前記ICモジュールの前記横方向のサイズよ
りも大きく、前記SIMカードの前記長手方向に垂直な
方向である縦方向のサイズは、前記ICモジュールの前
記縦方向のサイズ以上であって、前記モジュール基板の
前記縦方向のサイズと同一または略同一である。
は、より好適には、前記モジュール基板の前記長手方向
のサイズは、前記端子部の前記長手方向のサイズ以上で
あって、前記端子部の前記長手方向のサイズと同一また
は略同一である。
は、より好適には、前記SIMカードの長手方向に対応
する前記空洞の横方向のサイズは、前記ICモジュール
の前記横方向のサイズよりも大きく、前記SIMカード
の前記長手方向に垂直な方向に対応する前記空洞の縦方
向のサイズは、前記ICモジュールの前記縦方向のサイ
ズ以上であって、前記モジュール基板の前記縦方向のサ
イズと同一または略同一である。
は、好適には、前記空洞の底面には、前記端子部を吸引
する吸引口が形成されており、前記ICモジュールは、
前記ICモジュールの前記端子部が前記吸引口を覆うよ
うに前記空洞に配置され、前記空洞に配置された前記I
Cモジュールは、前記吸引口により吸着されて保持され
る。
ールの端子部が空洞の底面に接触するようにICモジュ
ールを配置し、溶融状態の合成樹脂を空洞に充填するこ
とで、射出成形によりICキャリアを製造することが可
能であり、板状枠体を不要とすることが可能である。
付図面を参照して説明する。
の形態を示す説明図である。図1(A)は、ICキャリ
ア10の概略的な正面図であり、図1(B)は、図1
(A)のICキャリア10の切断線c−cにおける概略
的な矢視断面図である。
ibed Identification Module、又は、Subscriber Ident
ity Module)カードであり、傾斜部4により、カード処
理装置に対するカード挿入方向が規定される。ICキャ
リア10の横方向(長手方向)のサイズは約25mmで
あり、縦方向のサイズは約15mmであり、厚さが約
0.8mmである。ICキャリア10は、長方形の一隅
を切り取って残りの三隅を丸めたような形状を有する。
ール基板2と、合成樹脂3とを有する。ICキャリア1
0の一方の面は、平坦または実質的に平坦であり、端子
部1および合成樹脂3により構成されている。端子部1
の周囲には、合成樹脂3が位置している。端子部1の表
面(端子面)には、金メッキが施されており、端子部1
は、8個の接続端子に分離されている。
面)は、平坦または実質的に平坦であり、合成樹脂3に
より構成されている。モジュール基板2の一方の面に
は、端子部1が形成されており、モジュール基板2の一
方の面のうち端子部1の周囲は合成樹脂3により覆われ
ている。モジュール基板2の他方の面は、合成樹脂3に
より覆われている。このように、モジュール基板2のう
ち、横方向(長手方向)に沿った側面および端子部1以
外の領域は、合成樹脂3により覆われている。
ュール20を有する。図2(A)は、ICモジュール2
0の概略的な正面図であり、図2(B)は、図2(A)
のICモジュール20の切断線d−dにおける概略的な
矢視断面図である。
ジュール基板2を有する。モジュール基板2の一方の面
および他方の面は、平坦または実質的に平坦である。モ
ジュール基板2の一方の面には、端子部1が形成されて
おり、端子部1に接続された不図示のICチップが、モ
ジュール基板2に埋没され、モジュール基板2に内包さ
れている。
略矩形状である。モジュール基板2の縦方向のサイズ
は、ICキャリア10の縦方向(長手方向に対して垂直
な方向)のサイズ以下であって、当該ICキャリア10
の縦方向のサイズと同一または略同一である。モジュー
ル基板2の横方向のサイズは、ICキャリア10の端子
部1の横方向のサイズ以上であって、当該ICキャリア
10の端子部1の横方向のサイズと同一または略同一で
ある。ICモジュール20の厚さは、ICキャリア10
の厚さよりも薄い。なお、端子部1でのICモジュール
20の厚さは、モジュール基板2でのICモジュール2
0の厚さよりも厚い。一例として、モジュール基板2の
厚さを約0.3mmとし、端子部1の厚さを約0.3m
mとする。
0の製造に使用する製造用金型を例示する概略的な説明
図である。図3(A)は、製造用金型50の概略的な平
面図であり、上型を省略して描いており、下型51の上
面図を示している。図3(B)は、図3(A)の製造用
金型50の上型および下型における切断線e−eでの概
略的な断面図である。図4は、図3(A)の製造用金型
50の上型および下型における切断線f−fでの概略的
な断面図である。
ャビティ)53の底面には、吸引口59が形成されてい
る。空洞53の深さは、約0.8mmである。この空洞
53には、ICモジュール20が嵌め込まれており、端
子部1の表面が空洞53の底面の吸引口59を覆うよう
に、ICモジュール20が配置されている。ICモジュ
ール20は、吸引口59からの真空吸引力により、空洞
53の底面に吸引されて保持されている。
ち、ICキャリア10の長手方向に対応する第1の両対
向壁は、ICモジュール20のモジュール基板2の短辺
が、接触した状態または微小に離れた状態となってい
る。これにより、空洞53内でのICモジュール20の
縦方向についての位置合わせを行うことができると共
に、ICモジュール20のがたつきを防止することがで
きる。第1の両対向壁に垂直または略垂直な第2の両対
向壁のうち、ICキャリア10の傾斜部4に対応する壁
54に隣接した壁57には、溶融状態の合成樹脂(溶融
樹脂)が通過する注入口52が形成されている。
に、ICモジュール20を吸着して保持する。また、金
型50の温度は、一例として約50℃とする。次に、溶
融樹脂を注入口52に注入し、溶融樹脂を空洞53に充
填する。一例として、注入する溶融樹脂の温度を約24
0℃とし、射出圧力を約8MPaとし、充填時間を約
0.3秒とし、保圧を約4MPaとし、保圧時間を約1
0秒とし、溶融樹脂をポリカーボネートとABS(アク
リルニトリル/ブタジエン/スチレン)樹脂との複合材
料とする。
金型50を型開きし、成形品を取り出して注入口52に
対応する樹脂部分を除去することで、図1の形状のIC
キャリア10を得ることができる。あるいは、充填され
た溶融状態の合成樹脂から注入口52に対応する部分を
除去して硬化し、金型50を型開きして成形品を取り出
すことで、図1の形状のICキャリア10を得ることが
できる。
ア10の表裏に対し、シルク印刷またはシルクスクリー
ン印刷により絵柄を印刷することで、ICキャリア10
の商品性を向上可能である。
キャリア10は、板状枠体が不要である。したがって、
板状枠体とICキャリアを板状枠体から取り外す従来の
製法ではICキャリアに曲げおよび/またはねじりの負
荷が加わるおそれがあるが、射出成形によるICキャリ
ア10ではこのようなことがない。また、ICキャリア
10を射出成形により製造する上記製造方法は、複数の
シートを積層して製造する場合に比べ、大量生産に適し
ている。さらに、ICキャリア10は、モジュール基板
2の表裏が同一の合成樹脂3で覆われているので、IC
キャリア10の機械的強度および信頼性を向上可能であ
る。
例えば、通話料金を前払いして購入する携帯電話用のプ
リペイドカードに好適である。なお、上記実施の形態は
本発明の例示であり、本発明は上記実施の形態に限定さ
れない。
ば、板状枠体を不要とすることが可能なICキャリアの
製造方法と、当該製造方法により製造可能なICキャリ
アとを提供することができる。
概略的な説明図である。
概略的な説明図である。
型を例示する第1の説明図である。
型を例示する第2の説明図である。
傾斜部、10…ICキャリア、20…ICモジュール、
50…金型(製造用金型)、51…下型、52…注入口
(ゲート)、53…空洞(キャビティ)、54,55…
壁、56…上型、59…吸引口。
Claims (9)
- 【請求項1】ICモジュールと、このICモジュールの
一部を覆う合成樹脂とを有し、 前記ICモジュールは、ICチップを内包するモジュー
ル基板と、前記モジュール基板の一方の面に形成され、
前記ICチップに接続された端子部とを有し、 前記モジュール基板の前記一方の面は、前記端子部とこ
の端子部を囲む前記合成樹脂とにより覆われており、 前記モジュール基板の他方の面は、前記合成樹脂により
覆われているICキャリア。 - 【請求項2】前記モジュール基板の前記一方の面を覆う
前記合成樹脂と、前記他方の面を覆う前記合成樹脂と
が、つながっている請求項1記載のICキャリア。 - 【請求項3】前記ICキャリアは、SIMカードであ
り、 前記モジュール基板の形状は、矩形状または略矩形状で
あり、 前記SIMカードの長手方向である横方向のサイズは、
前記モジュール基板の前記長手方向のサイズよりも大き
く、 前記SIMカードの前記長手方向に垂直な方向である縦
方向のサイズは、前記モジュール基板の前記縦方向のサ
イズ以上であって、前記モジュール基板の前記縦方向の
サイズと同一または略同一である請求項1記載のICキ
ャリア。 - 【請求項4】前記モジュール基板の前記長手方向のサイ
ズは、前記端子部の前記長手方向のサイズ以上であっ
て、前記端子部の前記長手方向のサイズと同一または略
同一である請求項3記載のICキャリア。 - 【請求項5】ICモジュールを有するICキャリアを、
前記ICキャリアの形状の空洞を有する製造用金型を用
いて射出成形により製造する製造方法であって、 前記製造用金型の空洞に、前記ICモジュールの端子部
が前記空洞の底面に接触するように当該ICモジュール
を配置し、 前記ICモジュールが配置された前記空洞に溶融状態の
合成樹脂を充填して射出成形を行うICキャリアの製造
方法。 - 【請求項6】前記ICキャリアは、SIMカードであ
り、 前記モジュール基板の形状は、矩形状または略矩形状で
あり、 前記SIMカードの長手方向である横方向のサイズは、
前記ICモジュールの前記横方向のサイズよりも大き
く、 前記SIMカードの前記長手方向に垂直な方向である縦
方向のサイズは、前記ICモジュールの前記縦方向のサ
イズ以上であって、前記モジュール基板の前記縦方向の
サイズと同一または略同一である請求項5記載のICキ
ャリアの製造方法。 - 【請求項7】前記モジュール基板の前記長手方向のサイ
ズは、前記端子部の前記長手方向のサイズ以上であっ
て、前記端子部の前記長手方向のサイズと同一または略
同一である請求項6記載のICキャリアの製造方法。 - 【請求項8】前記SIMカードの長手方向に対応する前
記空洞の横方向のサイズは、前記ICモジュールの前記
横方向のサイズよりも大きく、 前記SIMカードの前記長手方向に垂直な方向に対応す
る前記空洞の縦方向のサイズは、前記ICモジュールの
前記縦方向のサイズ以上であって、前記モジュール基板
の前記縦方向のサイズと同一または略同一である請求項
6記載のICキャリアの製造方法。 - 【請求項9】前記空洞の底面には、前記端子部を吸引す
る吸引口が形成されており、 前記ICモジュールは、前記ICモジュールの前記端子
部が前記吸引口を覆うように前記空洞に配置され、 前記空洞に配置された前記ICモジュールは、前記吸引
口により吸着されて保持される請求項5記載のICキャ
リアの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000331333A JP4770014B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | Icキャリアとその製造方法 |
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---|---|---|---|
JP2000331333A JP4770014B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | Icキャリアとその製造方法 |
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JP4770014B2 JP4770014B2 (ja) | 2011-09-07 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117207442A (zh) * | 2023-11-09 | 2023-12-12 | 成都宝利根创科电子有限公司 | 一种端子模内成型方法 |
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JPH11213119A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Toppan Printing Co Ltd | 複合型icカード |
-
2000
- 2000-10-30 JP JP2000331333A patent/JP4770014B2/ja not_active Expired - Fee Related
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