JP2002124527A

JP2002124527A - チップ状電子部品の製造方法、及びその製造に用いる疑似ウェーハの製造方法

Info

Publication number: JP2002124527A
Application number: JP2000315258A
Authority: JP
Inventors: Naoko Sato; 尚子佐藤; Kazuo Nishiyama; 和夫西山
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-10-16
Filing date: 2000-10-16
Publication date: 2002-04-26

Abstract

(57)【要約】【課題】ウェーハ一括処理の特徴を生かしつつ、最先
端のＬＳＩやベアチップで入手した場合でも、高歩留
り、低コストにして信頼性良く半導体チップ等のチップ
状電子部品を製造する方法、及びその際に用いる疑似ウ
ェーハの製造方法を提供すること。【解決手段】表面側に存在する物質との反応性が乏し
くかつ耐熱性を有する基板１上に粘着性物質２を付着す
る工程と；基板１と粘着性物質２とを押圧固定する工程
と；粘着性物質２の上に良品ベアチップ３の複数個又は
複数種をそのＡｌ電極パッド面を下にして固定する工程
と；保護物質としての樹脂４を複数の良品ベアチップ３
間を含む全面に被着する工程と；しかる後に複数個又は
複数種の良品ベアチップ３を樹脂４で固着した疑似ウェ
ーハ５を基板１から分離し、良品の半導体チップが複数
個又は複数種配列されかつそのＡｌ電極パッド面が露出
した疑似ウェーハ５を得る工程と；更にこの疑似ウェー
ハ５を複数個又は複数種の半導体チップ間の樹脂４の位
置で切断して各良品チップ部品２６を分離する工程と；
を有する、製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に好適なチップ状電子部品の製造方法、及びその製造に
用いる疑似ウェーハの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、デジタルビデオカメラやデジタル
携帯電話、更にノートＰＣ（PersonalComputer）等に代
表される携帯用電子機器の、小型化や薄型化、軽量化に
対する要求は強く、半導体部品の表面実装密度をいかに
向上させるかが重要なポイントである。この為、パッケ
ージＩＣ（ＱＦＰ（quad flat package）等）に代わ
る、より小型のＣＳＰ（Chip Scale Package）の開発や
一部での採用が既に進められているが、究極の半導体高
密度実装を考えると、ベアチップ実装でしかもフリップ
チップ方式による接続技術の普及が強く望まれる。

【０００３】なお、前記フリップチップ実装におけるバ
ンプ形成技術には、一般にＡｌ電極パッド上にAu-Stud
Bump法や電解めっき法によってＡｕバンプを形成する方
法や、電解めっき法や蒸着法等ではんだバンプを一括し
て形成する方法が代表的である。しかし、民生用では、
より低コストのフリップチップ実装の場合に、チップに
してからバンプを形成（Au-Stud Bump法がその代表例で
ある）するのではなく、ウェーハ状態で一括してバンプ
を形成する方法が望ましい。

【０００４】このようなウェーハ一括処理法は、近年の
ウェーハの大口径化（１５０ｍｍφ→２００ｍｍφ→３
００ｍｍφ）と、ＬＳＩ（大規模集積回路）チップの接
続ピン数の増加傾向とを考えれば、当然の方向性であ
る。

【０００５】以下に、従来のバンプ形成方法を説明す
る。

【０００６】図１０は、Ａｕスタッドバンプ（Stud Bum
p）２４の一例である。各々、個片に切り出された半導
体チップ２５のＡｌ電極パッド５５面にワイヤーボンデ
ィング手法を用いてＡｕスタッドバンプ（Stud Bump）
２４が形成されている。図１１は、例えば入出力回路２
２、素子領域（メモリー）２３が形成されたＳｉ基板
（ウェーハ）５１を、ウェーハレベルで一括処理して形
成した時のはんだバンプ６２の一例である（なお、図中
の２１はスクライブラインである）。

【０００７】また、図１２には、より低コストを目指し
て、Ｎｉ無電解めっきとはんだペーストの印刷とでウェ
ーハ一括でバンプを形成する工程を示す。図１２（ａ）
は、ＳｉＯ₂膜が形成されたＳｉ基板（ウェーハ）を示
して、同図（ｂ）はその電極を含むチップ部分を拡大し
たものである。図１２（ａ）、（ｂ）において、５１は
Ｓｉ基板（ウェーハ）、５５はＡｌ電極パッド、その他
はＳｉＯ₂膜、Ｓｉ₃Ｎ ₄、ＳｉＯ₂膜やポリイミド膜から
成るパッシベーション膜である。

【０００８】図１２（ｃ）では、Ｎｉ無電解めっき法に
より、開口されたＡｌ電極パッド５５の上面のみに、選
択的にＮｉ無電解めっき層（ＵＢＭ：Under Bump Meta
l）が形成されている。このＮｉ無電解めっき層（ＵＢ
Ｍ）は、Ａｌ電極パッド５５面をリン酸系エッチ液で前
処理した後に、Ｚｎ処理によりＺｎを置換析出させ、さ
らに、Ｎｉ−Ｐめっき槽に浸漬することによって容易に
形成でき、Ａｌ電極パッド５５とはんだバンプとの接続
を助けるＵＢＭとして作用する。

【０００９】図１２（ｄ）は、メタルスクリーンマスク
５２を当てて、はんだペースト５９を印刷法によりＮｉ
無電解めっき層（ＵＢＭ）上に転写した状態を示す。図
１２（ｅ）は、ウエットバック（加熱溶融）法ではんだ
ペースト５９を溶融して、はんだバンプ６２を形成した
ものである。このように、Ｎｉ無電解めっき法及びはん
だペーストスクリーン印刷法等を用いることにより、フ
ォトプロセスを用いずに、簡単にはんだバンプ６２を形
成することができる。

【００１０】他方、ＣＳＰは、１ケ１ケのＬＳＩをいか
に小さくして高密度で実装するかのアプローチである
が、デジタル機器の回路ブロックを見た場合、いくつか
の共通回路ブロックで成り立っており、これらをマルチ
チップパッケージとしたり、モジュール化（ＭＣＭ：Mu
lti Chip Module）する技術も登場している。デジタル
携帯電話におけるＳＲＡＭ（スタティック・ラム）、フ
ラッシュメモリー、マイコンの１パッケージ化等はその
一例である。

【００１１】このＭＣＭ技術は、最近の１チップシステ
ムＬＳＩにおいても大きな利点を発揮するものと期待さ
れている。即ち、メモリーやロジック、更にアナログＬ
ＳＩを１チップ化する場合は、異なったＬＳＩ加工プロ
セスを同一ウェーハプロセスで処理することとなり、マ
スク数や工程数の著しい増加と開発ＴＡＴ（Turn aroun
d time）の増加が問題となり、歩留まりの低下も大きな
懸念材料である。

【００１２】こうのために、各ＬＳＩを個別に作り、Ｍ
ＣＭ化する方式が有力視されている。こうしたＭＣＭ化
技術の例を図１３に示す。

【００１３】図１３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はフリップ
チップ方式であって、回路基板６０上の電極６３にフェ
イスダウンでチップ６４を接続している。より小型化、
薄型化を考えた場合には、図１３のフリップチップが有
利な方式となっている。今後の高速化での接続距離の縮
小や各接続インピーダンスのバラツキを考えても、フリ
ップチップ方式が主流になるものと思われる。

【００１４】フリップチップ方式のＭＣＭは、複数の異
種のＬＳＩについて各々のＬＳＩのＡｌ電極パッド５５
の面にＡｕ−ＳｔｕｄＢｕｍｐを形成し、異方性導電
フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）を
介して回路基板と接続する方法や、樹脂ペーストを用い
て圧接する方法、更にバンプとしてＡｕめっきバンプや
Ｎｉ無電解めっきバンプ、はんだバンプを用いる方法
等、種々のものが提案されている。図１３（ｃ）は、は
んだバンプ６５による基板６０との金属間接合で、より
低抵抗で確実に接合させた例である。

【００１５】

【発明に至る経過】上記した各バンプ形成法は既に完成
されていて、量産ベースの技術として活用が始まってい
る。例えば、図１０に示したＡｕスタッドバンプ２４は
チップ単位のバンプ形成法であり、既存の設備を用い
て、より簡便にバンプを形成する方法として広く用いら
れているが、各端子毎にバンプ形成処理を行うので、多
ピンに成る程、バンプ形成に要するコストが上昇してし
まう。

【００１６】また、最近のＬＳＩの低電圧駆動において
は、Ａｌ配線層の電圧降下の問題が生じることから、配
線長を短くするために、周辺の電極パッドの配置だけで
なく、アクティブ素子上にも電極パッドを配置したエリ
アパッドが必要とされるが、図１０のＡｕスタッドバン
プ２４はボンディング荷重とダメージの面からエリアパ
ッドには不向きである。更に、Ａｕスタッドバンプチッ
プの実装は、１個ずつの圧接工法であることや、両面実
装に難がある等の問題を抱えている。

【００１７】一方、ウェーハ一括のはんだバンプ形成法
は実装面でエリアパッド配置にも適用でき、一括リフロ
ーや両面実装が可能である等の利点がある。しかし、最
先端の歩留まりが低いウェーハに対して処理をすると、
良品チップ１個当たりのコストは極めて高くなる。

【００１８】即ち、図１４には、従来のウェーハ一括処
理における半導体ウェーハ５３を示すが、最先端ＬＳＩ
では高歩留まりが必要とされるにも拘らず、スクライブ
ライン２１で仕切られたチップの内、×印で示す不良品
チップ２０の数が○印で示す良品チップ３の数より多く
なるのが実情である。

【００１９】また、チップをベアチップの形で他所から
入手した場合のバンプ形成は極めて難しいという問題が
あった。即ち、上記した２種類のバンプ形成方法は各々
特徴を持つが、全ての領域に使える技術ではなく、各々
の特徴を活かした使い分けをされるのが現状である。ウ
ェーハ一括バンプ処理法は、歩留まりが高く、ウェーハ
１枚の中に占める端子数が多い場合（例えば５００００
端子／ウェーハ）や、エリアパッド対応の低ダメージバ
ンプ形成に特徴を発揮する。また、Ａｕスタッドバンプ
は、チップ単位で入手した場合のバンプ処理や、簡便な
バンプ処理に特徴を発揮している。

【００２０】なお、図１４に示した半導体ウェーハ５３
をスクライブライン２１に沿って切断すると、切断の影
響でチップにストレス、亀裂等のダメージが生じて、故
障の原因になることがある。さらに、良品チップ３及び
不良品チップ２０を共に半導体ウェーハ５３として一括
ではんだバンプ形成まで工程を進行させると、不良品チ
ップ２０に施した工程が無駄になり、これもコストアッ
プの原因となる。

【００２１】また、特開平９−２６０５８１号公報に
は、Ｓｉウェーハ上に複数の半導体チップを接着固定
し、これをアルミナの如き基板上に設けた樹脂に加圧下
で埋め込んでから剥離することにより、ウェーハの表面
を平坦にし、ホトリソグラフィの技術によりこのウェー
ハ上で素子間の接続用の配線層を形成する方法が示され
ている。

【００２２】この公知の方法によれば、ウェーハの一括
処理が可能となり、大量生産による低価格化を達成でき
るとしているが、ウェーハにおいて個々の半導体チップ
の裏面側には上記のアルミナの如き硬質の基板が存在し
ているために、スクライビング時にチップ間の樹脂と共
に、裏面側の硬質の基板も切断しなければならず、切断
用のブレードが破損する恐れがある。しかもチップの側
面は樹脂で覆われてはいるが、裏面は樹脂とは異質の硬
質の基板が存在しているだけであるため、チップの裏面
側は有効に保護されないことがあり、また両者間の密着
性が悪くなる。

【００２３】本出願人は、上記のような従来の技術が抱
えている問題点について鋭意検討した結果、ウェーハ一
括処理の特徴を生かしつつ、最先端のＬＳＩやベアチッ
プで入手した場合でも、高歩留り、低コストにして信頼
性良く提供可能な半導体チップ等のチップ状電子部品
を、特願２０００−１２２１１２号において、提案し
た。

【００２４】即ち、特願２０００−１２２１１２号に係
る発明（以下、先願発明と称する。）によれば、基板上
に、処理前は粘着力を持つが処理後は粘着力が低下する
粘着手段を貼り付け、この粘着手段の上に複数個又は複
数種の半導体チップをその電極面を下にして固定し、保
護物質を前記半導体チップ間を含む前面に被着し、前記
粘着手段に所定の処理を施して前記粘着手段の粘着力を
低下させて、前記半導体チップをその側面及び裏面にお
いて前記保護物質で固定した疑似ウェーハを剥離し、更
に必要あれば前記半導体チップ間において前記保護物質
を切断して各半導体チップ又はチップ状電子部品を分離
しているので、チップ状電子部品を疑似ウェーハから切
り出す際に、保護物質の部分を切断するので、チップ状
電子部品本体への悪影響（歪みやばり、亀裂等のダメー
ジ）を抑えられる。

【００２５】また、良品のチップ状電子部品を疑似ウェ
ーハより切り出して再配列することにより、あたかも全
品が良品チップのウェーハのようになって、ウェーハ一
括でのはんだバンプ処理等が可能になり、低コストで歩
留り良くフリップチップ用はんだバンプチップを形成で
きる。そして、自社製ウェーハのみならず、他社から購
入したベアチップでも容易にはんだバンプ処理等が可能
になる。

【００２６】また、保護物質によってチップ側面及び裏
面が覆われているので、Ｎｉ無電解めっき処理も可能で
あると共に、同じく保護物質によってチップ側面及び裏
面が保護されているので、チップの個片後の実装ハンド
リングにおいてもチップが保護され、良好な実装信頼性
が得られる。

【００２７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は、先願発明は上記した優れた特長をもちつつも、改
善すべき点があることを見出した。

【００２８】図１５には、先願発明における一例を示
す。これによれば、良品の半導体チップ３を一時的に固
定するのにダイシングテープからなるＵＶ（紫外線）硬
化型シート２９を使用しており、図１５（ａ）、（ｂ）
のように平坦な石英基板２８上にＵＶ硬化シート２９を
貼り付けた後、図１５（ｃ）のように良品チップ３を電
極面の側でシート２９上に固定し、更に図１５（ｄ）の
ように保護物質としての樹脂４で半導体チップ３を固定
した疑似ウェーハを基板２８から剥離するの際し、図１
５（ｅ）のように基板２８の側からＵＶを照射してシー
ト２９の粘着力を低下させてから、疑似ウェーハ５を基
板２８から分離する。

【００２９】しかし、平坦な基板２８はその裏面６から
ＵＶを透過させるため、例えば石英基板のような透明な
基板を材質とする必要があり、したがって材質が限られ
てしまい、またＵＶの照射設備を必要とする。

【００３０】また、ＵＶを照射して、チップ３を樹脂４
で固定してなる疑似ウェーハ５を平坦な基板（石英基
板）２８から剥がす際に、樹脂４とＵＶ硬化シート２９
は樹脂４による樹脂硬化時の熱で互いに化学反応して変
質物２９ａが生じ、これにより接着力が上昇してしま
い、ＵＶ硬化シート２９が樹脂４から十分に剥れない場
合がある。これでは、疑似ウェーハ５のダイシングや、
チップ間の配線に支障をきたすことがある。

【００３１】なお、シートとして樹脂４と接着しにくい
ものを用いると、疑似ウェーハをうまく剥離できるが、
そのようなシート自身は粘着性を持たないので、チップ
を一時的に固定所持することはできない。

【００３２】従って、粘着性を有するシート等の一時的
にチップを固定保持することができる材料の選定、又は
チップを固定するための樹脂の材料の選定が難しいとい
う問題があった。

【００３３】また、保護物質とチップは完全に密着する
ことが重要で、更に得られる疑似ウェーハは十分な強度
と信頼性があることが必要であり、従来の技術において
使用されている保護物質はチップとの密着特性等、十分
な信頼性が未だ確認されていない。

【００３４】また、基板上へ離型剤を塗布する方法も考
えられるが、これは後の加熱プロセスを考慮すると粘着
性物質との適合性及びコスト上、あまり好ましくない。

【００３５】本発明は、上述した先願発明の特長を生か
しつつ、その不十分な点を改善するためになされたもの
であって、その目的は、ウェーハ一括処理の特徴を生か
しつつ、最先端のＬＳＩやベアチップで入手した場合で
も、高歩留り、低コストにして信頼性良く半導体チップ
等のチップ状電子部品を製造する方法、及びその際に用
いる疑似ウェーハの製造方法を提供することにある。

【００３６】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、表面側
に存在する物質との反応性が乏しくかつ耐熱性を有する
基板上に粘着性物質を付着する工程と；前記基板と前記
粘着性物質とを押圧固定する工程と；前記粘着性物質の
上に複数個又は複数種の半導体チップをその電極面を下
にして固定する工程と；前記複数個又は複数種の半導体
チップ間を含む前面に保護物質を被着する工程と；前記
保護物質に固定された前記半導体チップと前記粘着性物
質付きの前記基板とを分離して、前記半導体チップを前
記保護物質で固定した疑似ウェーハを作製する工程と；
を有する、疑似ウェーハの製造方法に係り、更にこれに
加えて、前記複数個又は複数種の半導体チップ間におい
て前記保護物質を切断して各半導体チップ又はチップ状
電子部品を分離する工程と；を有する、チップ状電子部
品の製造方法に係わるものである。

【００３７】本発明は、表面側に存在する物質との反応
性が乏しくかつ耐熱性を有する前記基板を使用するの
で、保護物質の硬化温度による基板の変性、分解、反り
などを生じることなく、前記保護物質に固定された前記
半導体チップからなる前記疑似ウェーハと前記基板とを
容易に分離することができ、更にこの疑似ウェーハから
前記チップ状電子部品を容易に作製することが可能とな
る。

【００３８】また、前記基板と前記粘着性物質とを押圧
固定する工程を有し、更には押圧固定した状態のまま
で、前記粘着性物質の上に複数個又は複数種の半導体チ
ップをその電極面を下にして固定する工程等を行うこと
ができるので、前記半導体チップの固定状態を保持しつ
つ、前記粘着性物質として、前記基板に対して高い離型
性を有する樹脂を選択しても基板との間の予想外の剥離
を防止することができる。

【００３９】また、本発明によれば、半導体チップの電
極面以外（即ち、チップ側面及び裏面）が連続した保護
物質によって保護できるので、チップ化後のハンドリン
グにおいてチップが保護され、ハンドリングが容易とな
り、良好な実装信頼性が得られる。

【００４０】また、半導体ウェーハから切り出されて良
品のみを選択したチップを基板に貼り付け、保護物質を
前面に被着した後に剥離することにより、あたかも全品
が良品チップからなる疑似ウェーハを得ることができる
ため、良品チップに対するウェーハ一括でのバンプ処理
等が可能となり、低コストのバンプチップを歩留り良く
形成できると共に、半導体チップを疑似ウェーハから切
り出す際にチップ間の保護物質の部分を切断できるの
で、半導体チップ本体への悪影響（歪みやばり、亀裂等
のダメージ）を抑えて容易に切断することができる。

【００４１】しかも、保護物質によってチップの側面及
び裏面が覆われるようにできることから、Ｎｉ無電解め
っき処理も可能である。そして、自社製ウェーハのみな
らず、他社から購入したベアチップでも、容易にはんだ
バンプ処理等が可能になる。また、ＭＣＭに搭載される
異種ＬＳＩチップを全て同一半導体メーカーから供給さ
れるケースは少なく、最先端の半導体ラインの投資が大
きくなってきているために、ＳＲＡＭ、フラッシュメモ
リーやマイコン、更にＣＰＵ（中央演算処理ユニット）
を同一半導体メーカーで供給するのではなく、各々得意
とする半導体メーカーから別々にチップで供給してもら
い、これらをＭＣＭ化することもできる。

【００４２】

【発明の実施の形態】本実施の形態は、前記基板上に、
前記粘着性物質としての溶媒溶解性樹脂を付着した後、
前記基板と前記樹脂とを枠体によって共締めし、更に前
記樹脂の上に良品の半導体チップの複数個又は複数種を
その電極面を下にして固定し、この状態で、前記保護物
質としての有機系絶縁性樹脂又は無機系絶縁性物質を半
導体チップの裏面上に供給して硬化させ、しかる後に前
記枠体を除去し、前記保護物質で固着された前記複数個
又は複数種の半導体チップと前記基板とを分離して、良
品の半導体チップが複数個又は複数種配列されかつ電極
面が露出した疑似ウェーハを得、更にこの疑似ウェーハ
を前記複数個又は複数種の半導体チップ間の前記保護物
質の位置で切断し、実装基板に固定される単一の半導体
チップ、又は複数個又は複数種の半導体チップが一体化
されたチップを得るのが好ましい。

【００４３】また、前記基板上に、前記粘着性物質とし
ての溶媒溶解性樹脂を付着した後、前記基板と前記樹脂
とを枠体によって共締めし、更に前記樹脂の上に良品の
半導体チップの複数個又は複数種をその電極面を下にし
て固定し、この状態で、前記保護物質としての有機系絶
縁性樹脂又は無機系絶縁性物質を半導体チップの裏面上
に供給して硬化させ、しかる後に、前記枠体を取り付け
たままの状態で、前記複数個又は複数種の半導体チップ
間で切断し、前記保護物質で固着された前記複数個又は
複数種の半導体チップと前記基板とを分離することも可
能である。

【００４４】上記枠体は、上記基板と上記粘着性物質を
押圧固定する役割を果たし、各工程内における上記基板
と上記粘着性物質との予想外の剥離を防止する。また、
上記枠体を取り付けることによって、上記保護物質とし
ての樹脂の体積計算を容易に行うことができるので、樹
脂の厚みのコントロールが容易となる。

【００４５】本実施の形態によれば、上記枠体を装着し
て上記基板と上記粘着性物質とを押圧固定してから、上
記半導体チップを上記粘着性物質を介して上記基板上に
搭載してもよく、或いは上記半導体チップを上記粘着性
物質を介して上記基板上に搭載してから、上記枠体を装
着して上記基板と上記粘着性物質とを押圧固定してもよ
い。

【００４６】さらに、上記枠体を除去した後、上記保護
物質としての樹脂で固着されたチップと基板とを分離し
て、良品の半導体チップが複数個又は複数種配列されか
つ電極面が露出した上記疑似ウェーハを得ることもで
き、或いは上記枠体を取り付けたままの状態で、前記複
数個又は複数種の半導体チップ間で切断し、上記樹脂で
固着された前記複数個又は複数種の半導体チップと基板
とを分離することも可能である。後者の場合、前記基板
も切断することも考えられるが、本実施の形態によれ
ば、比較的軟らかな樹脂も使用可能なので、ブレード等
が破損する恐れもなく容易に行うことができる。いずれ
にせよ、上記枠体ごとハンドリング可能なので、工程に
おけるインライン自動化も期待できる。また、上記枠体
単位での製品ロット管理が可能であり、前記保護物質と
しての樹脂上への製品番号等の印刷も容易に行える。

【００４７】本実施の形態に使用可能な枠体の材質は耐
熱性や寸法精度を有するものならば特に限定しないが、
例示するならば金属及びプラスチック等が挙げられ、そ
の形状も円形又は角型いずれも使用可能である。

【００４８】本実施の形態において、表面側に存在する
物質との反応性が乏しくかつ耐熱性を有する前記基板
は、ポリテトラフルオロエチレン、エチレン−テトラフ
ルオロエチレン共重合体及びテトラフルオロエチレン−
ヘキサフルオロプロピレン共重合体より選ばれる樹脂で
あることが好ましい。これにより、離型剤を使用しなく
ても上記基板が有する離型性を利用して、上記疑似ウェ
ーハと上記基板とを容易に分離することができる。上記
エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体は、透明な
ので基板裏から光学的にチップの位置検出することが可
能であり、チップのタイリング性の向上を図ることがで
き、製造工程の時間短縮にもつながる。

【００４９】前記粘着性物質としては、溶媒溶解性を有
する物質であることが望ましく、ポリビニルアルコール
又はポリイミドであることが好ましい。上記ポリビニル
アルコールは離型性が高くかつ水又は温水で洗浄処理可
能であり、上記ポリイミドは耐熱性が高くかつ溶媒溶解
性も有している。

【００５０】前記保護物質としては、エポキシ系、ポリ
イミド系、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン
系、ポリフェニレンサルファイド系及びポリガラスより
選ばれる有機系絶縁性樹脂であることが好ましい。上記
液晶ポリマーは、耐熱性、耐薬品（水）性、機械的強度
に優れ、また高周波ノイズを吸収するので、本発明に好
適に使用可能であり、例示するならば、芳香族ポリエス
テル系等が挙げられる。また、上記有機系絶縁性樹脂に
代わり、ＳＯＧ（spin on glass）等の無機系も使用し
てよい。

【００５１】後述するように、本実施の形態は、前記半
導体チップとは反対側において前記基板に補強材を裏張
りすることができ、この補強材としてはガラス基板、金
属基板、シリコンウェーハ、ＳＵＳより選ばれる薄板を
用いることが好ましい。これによって、基板としての樹
脂のたわみを防止することができる。例えば、前記基板
として上記エチレン−テトラフルオロエチレン共重合を
使用した場合、上記エチレン−テトラフルオロエチレン
共重合体は薄膜なので（例えば５−１０μｍ）、例えば
ガラス基板からなる上記補強材上にエチレン−テトラフ
ルオロエチレン共重合体シートを貼るか、或いはエチレ
ン−テトラフルオロエチレン共重合体溶液を上記補強材
上にスピンコート等の手法で形成することが好ましい。
この場合、保護物質として好ましく適用可能な樹脂は、
例えばエポキシ系液状樹脂及び前駆体としてのポリアミ
ック酸を含む液状ポリイミド樹脂等が挙げられる。

【００５２】また、前記疑似ウェーハを分離した後、前
記疑似ウェーハの前記基板との対向面を水又は温水等の
溶剤で洗浄処理することによって、上記粘着性物質を疑
似ウェーハから完全に除去することが好ましい。

【００５３】また、特性測定により良品と判定された前
記半導体チップを前記基板上に固定したり、前記保護物
質で固着された状態において前記半導体チップの特性測
定を行って、良品の半導体チップ又はチップ状電子部品
を選択しても良い。

【００５４】次に、本発明の好ましい実施の形態を図面
の参照下に具体的に説明する。

【００５５】以下に、チップを貼り付ける基板として、
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、エチレン−
テトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）共重合体又はテト
ラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン（ＦＥ
Ｐ）共重合体製の平坦な基板１を用い、一括してはんだ
バンプを形成する方法を図１〜４について順を追って説
明する。ここで、上記基板の形状は円形に限らず、角型
のより大きな基板を用いることも可能である。

【００５６】図１（ａ）は、チップを仮固定する（一時
的に固定する）ための支持基板となる基板１を示す。

【００５７】次に、図１（ｂ）のように、基板１上に、
粘着性物質２として、溶媒溶解性を有する物質、例えば
ポリビニルアルコールを均一に付着する。ここで、前記
粘着性物質がフィルム上ならばローラーラミネートなど
の手法で、又は液状ならばスピンコートや印刷などの手
法で付着することができる。

【００５８】次に、図１（ｃ）のように、粘着性物質２
を有する基板１上下の両端に前記基板と前記粘着性物質
とを押圧固定するための枠体６を設置する。枠体６に
は、図示するようにネジ止めするための共締め部（フラ
ンジ）３０が設けられており、上記粘着性物質を有する
基板１と共にネジ等で押圧固定する。ここで、押圧固定
する手段として、上記ネジ以外にもクリップなどを用い
ることも可能である。

【００５９】図２（ｄ）は、粘着性物質２と基板１を枠
体６によって、ネジを用いて押圧固定した断面図であ
る。

【００６０】次に、図２（ｅ）のように、図１４に示し
た如き半導体ウェーハ５３より切り出された後、オープ
ン／ショート或いはＤＣ（直流）電圧測定で良品と確認
された良品の半導体ベアチップ３（又はＬＳＩチップ）
のみを、チップ表面（デバイス面）８を下にして配列し
て粘着性物質２に貼り付ける。この時、ポリビニルアル
コールを乾燥及び脱水固化させると、チップが動かない
よう、保持固定される。なお、良品ベアチップ３は、図
１３に示した通常のウェーハ工程でダイシングして、使
用したダイシングシート（図示せず）の延伸状態から取
り出してもよいし、チップトレイから移載してもよい。
ここで重要なことは、自社、他社製のチップに関わら
ず、良品ベアチップ３のみを基板１上に再配列させるこ
とである。

【００６１】次に、図２（ｆ）のように、チップ３上か
ら保護物質としての例えばエポキシ系樹脂４をチップ３
の裏面側に均一に流し込んで均一に塗布し、硬化する。
この塗布はスピンコート法か印刷法で容易に実現でき
る。この時、チップ３は粘着性物質２の粘着性により保
持固定されているので、動くことはない。ここで、基板
１は、表面側に存在する物質、つまり粘着性物質２及び
保護物質としての樹脂４との反応性が乏しくかつ耐熱性
を有するので、樹脂４の硬化温度による変性、分解、反
りなどを生じることはない。

【００６２】次に、図２（ｇ）のように、枠体６を除去
して、樹脂４で側面及び裏面が連続して固められた複数
の良品のベアチップ３からなる疑似ウェーハ５と、基板
１とを剥離する。この時、上述したように基板１は、表
面側に存在する物質、つまり粘着性物質２及び保護物質
としての樹脂４との反応性が乏しくかつ耐熱性を有する
ので、樹脂４の硬化温度による変性、分解、反りなどを
生じることはなく、疑似ウェーハ５と基板１とを容易に
分離することができる。また、疑似ウェーハ５と基板１
とを分離した後、図２（ｇ）の一点鎖線に示される疑似
ウェーハ５の前記基板１との対向面（即ち、剥れ面８）
に存在する粘着性物質２を、水又は温水等の溶剤で洗浄
処理することが好ましく、この洗浄処理によって、疑似
ウェーハ５の剥れ面８が綺麗に平坦に形成される。

【００６３】次に、図３（ｈ）のように、良品ベアチッ
プ表面８（デバイス面）が上になるように疑似ウェーハ
５をひっくり返す。疑似ウェーハ５は同図に拡大して示
すように、Ｓｉ基板上にＳｉＯ₂膜を介してＡｌ電極パ
ッド１０及びパッシベーション膜が形成されたものであ
る。

【００６４】次に、図３（ｉ）〜図４（ｋ）のように、
既述した図１２（ｃ）〜（ｅ）と同じ処理を施す。図３
（ｉ）はＵＢＭとなるＮｉ無電解めっき処理、図３
（ｊ）は印刷マスク１１を用いたはんだペースト９の印
刷転写、図４（ｋ）はウエットバック法によるはんだバ
ンプ１２の形成状況である。

【００６５】即ち、図３（ｉ）では、Ｎｉ無電解めっき
法にて、開口されたＡｌ電極パッド１０面の上のみに、
選択的にＮｉ無電解めっき層（ＵＢＭ）が形成されてい
る。なお、このＮｉ無電解めっき層（ＵＢＭ）は、Ａｌ
電極パッド１０の上面をリン酸系エッチ液で前処理した
後に、Ｚｎ処理によりＺｎを置換析出させ、さらにＮｉ
−Ｐめっき槽に浸漬させることにより、容易に形成で
き、Ａｌ電極パッド１０とはんだバンプとの接続を助け
るＵＢＭとして作用する。

【００６６】図３（ｊ）は、印刷マスク１１を当てて、
はんだペースト９を印刷法によりＮｉ無電解めっき層
（ＵＢＭ）上に転写した状態である。図４（ｋ）では、
ウエットバック法ではんだペースト９を溶融して、はん
だバンプ１２を形成した状態である。このように、Ｎｉ
無電解めっき法及びはんだペーストスクリーン印刷法等
を用いることにより、フォトプロセスを用いずに簡単に
はんだバンプ１２を形成できる。なお、図示省略した
が、疑似ウェーハ５において、チップ３間に配線を形成
し、チップ間を接続してもよい。

【００６７】上記のようにして、低歩留りの最先端のＬ
ＳＩや他社から入手したチップであっても、良品のチッ
プ３のみを再び基板１に貼り付けて、あたかも１００％
良品ベアチップ３のみで構成された疑似ウェーハ５を作
製し、ウェーハ一括の低コストのバンプ形成が可能にな
る。

【００６８】そして、図４（ｋ）において、プローブ検
査による電気的特性の測定やバーンインを行って、図２
（ｅ）の工程前に良品ベアチップ３を選別したことに加
えて、更により確実に良品チップのみを選別できる。

【００６９】図４（ｌ）は、チップ３を樹脂４で保護し
て補強してなる良品チップ部品２６の単位でブレード３
２（又はレーザー）でスクライブライン３３に沿ってダ
イシング１９して、個々の個片とする工程を示す。

【００７０】次に、図４（ｍ）のように、配線基板１６
上のソルダー（はんだ）レジスト１５で囲まれかつソル
ダー（はんだ）ペースト１３を被着した電極１４を設け
た実装基板２７に、個片化された良品チップ部品２６を
マウントする。

【００７１】この際、良品チップ部品２６の側面と裏面
は樹脂４で覆われているため、実装基板２７への実装時
の良品チップ部品２６の吸着等のハンドリング等で、直
接良品チップ部品２６がダメージを受けることがなく、
そのために、高い信頼性を持つフリップチップ実装が期
待できる。

【００７２】なお、上記の記述は半導体チップのフリッ
プチップ実装技術に関するものであるが、フリップチッ
プ高密度実装における接続用はんだバンプの形成技術と
その製造方法に関するものでもあり、良品ベアチップ３
をその表面（デバイス面）２８を下にして基板１上に並
べて貼り付け、その後に樹脂４を裏面等に均一に塗布し
て、良品チップ３同士を固定する。

【００７３】しかる後に、粘着性物質２から剥がして、
良品チップ３のみが配列された疑似ウェーハ５を作製
し、この疑似ウェーハ５に一括でバンプ形成をして、低
コストでバンプチップを製造できる。このバンプチップ
は、小型・軽量の携帯用電子機器のみならず、全てのエ
レクトロニクス機器に利用され得る。

【００７４】上述したように、本実施の形態によれば
（後述の他の実施の形態も同様）、基板１は、表面側に
存在する物質、つまり粘着性物質２及び保護物質として
の樹脂４との反応性が乏しくかつ耐熱性を有するので、
樹脂４の硬化温度による変性、分解、反りなどを生じる
ことはなく、疑似ウェーハ５と基板１とを容易に分離す
ることができ、平坦な良品チップからなる樹脂基板が得
られる。

【００７５】また、前記基板と前記粘着性物質とを押圧
固定する工程を有し、更には押圧固定した状態のまま
で、前記粘着性物質の上に複数個又は複数種の半導体チ
ップをその電極面を下にして固定する工程等を行うこと
ができるので、前記半導体チップの固定状態を保持しつ
つ、前記粘着性物質として、前記基板に対して高い離型
性を有する樹脂を選択しても基板との間の予想外の剥離
を防止することができる。

【００７６】また、粘着性物質２を溶媒溶解性（例えば
水溶性）にすることができるので、粘着性物質２が樹脂
４と密着してしまった場合や、樹脂４上やチップ３上に
残留してしまった場合でも、溶媒溶解（例えば水溶）と
いう簡易な方法で除去することができ、平坦で綺麗な良
品チップからなる樹脂基板が得られる。

【００７７】そして、良品の半導体チップをウェーハよ
り切り出して、基板に等間隔で再配列して貼り付け、樹
脂の塗布後に剥離して、あたかも全品が良品チップであ
る疑似ウェーハを得るため、良品チップに対するウェー
ハ一括でのはんだバンプ処理等が可能となり、低コスト
のフリップチップ用はんだバンプチップを形成できる。
また、自社製ウェーハのみならず、他社から購入したベ
アチップでも容易にはんだバンプ処理等が可能になる。

【００７８】また、樹脂によってチップ側面及び裏面が
覆われているので、Ｎｉ無電解めっき処理も可能である
と共に、樹脂によってチップ側面及び裏面を保護されて
いるので、チップの個片後の実装ハンドリングにおいて
もチップが保護されて、良好な実装信頼性が得られる。

【００７９】また、ウェーハ一括処理による低コストバ
ンプ処理の特徴を活かして、低歩留りで高価とされる最
先端のＬＳＩやベアチップの形で入手したチップでも使
え、凡用性が高くて安定して行える新しいバンプ形成法
及び配線形成法を提供でき、良品チップが配置された電
極面又は裏面が平坦なチップ又はチップモジュールを作
製できる。また、半導体チップを疑似ウェーハから切り
出す際に、樹脂の部分のみを切断するので、切断を容易
に行え、ブレードの破損もなく、半導体チップ本体への
悪影響（歪みやばり、亀裂等のダメージ）を抑えること
ができる。

【００８０】図５は、上記のはんだペースト９に代え
て、はんだボール１７を用いた変形例によるバンプの形
成方法を示す。

【００８１】即ち、まず、疑似ウェーハ上に形成された
Ａｌ電極パッド１０を被覆するパッシベーション膜に対
して、バンプ電極を形成する箇所を開口して、そこにＮ
ｉ無電解めっき層（ＵＢＭ）を形成する。

【００８２】次に、このＮｉ無電解めっき層（ＵＢＭ）
の上にフラックス１８を印刷法等により塗布する。その
フラックス１８の材料としては、はんだボール１７を転
写し易いように粘着力の高いものが好ましい。なお、フ
ラックス１８の塗布は印刷法に強いて限定しなくてもよ
いが、現実的には印刷法が好ましい。それは、他の方法
に比べ、フラックス１８を所望のパターンに簡便な操作
で効率よく塗布することができるからである。

【００８３】さらに、はんだボール１７をフラックス１
８上に載置してはんだボール１７のリフロー（加熱溶
融）を行う。これにより、はんだボール１７はＮｉ無電
解めっき層（ＵＢＭ）に強く付着する。最後に、フラッ
クス１８の洗浄を行う。これを以ってバンプ電極の形成
は完了する。

【００８４】図６は、図示省略した平坦な円形の基板１
上に粘着性物質２を塗布して、枠体によって基板１と粘
着性物質２とを共締めし、図１４に示した如き半導体ウ
ェーハ５３より切り出された後、オープン／ショート或
いはＤＣ（直流）電圧測定で良品と確認された良品の半
導体ベアチップ３（又はＬＳＩチップ）のみを、粘着性
物質２を介して基板１上に等間隔に配列して貼り付けた
例である。

【００８５】Ａ−Ａ線一部断面図のように、枠体６は基
板１と粘着性物質２を押圧固定する役割を果たし、工程
内における基板１と粘着性物質２との予想外の剥離を防
止する。また、枠体６を取り付けることによって、保護
物質としての樹脂４の体積計算を容易に行うことができ
るので、樹脂４の厚みのコントロールが容易である。こ
こで、基板１及び粘着性物質２が枠体６からはみ出して
いてもよい。

【００８６】本実施の形態によれば、枠体６を装着して
からチップ３を搭載してもよく、或いはチップ３を搭載
してから枠体６を装着してもよい。さらに、枠体６を除
去した後、樹脂４で固着されたチップ３と基板１とを分
離して、良品の半導体チップが複数個又は複数種配列さ
れかつ電極面が露出した疑似ウェーハ５を得ることもで
き、或いは枠体６を取り付けたままの状態で、前記複数
個又は複数種の半導体チップ間で切断し、樹脂４で固着
された前記複数個又は複数種の半導体チップと基板１と
を分離することも可能である。いずれにせよ、枠体６ご
とハンドリング可能なので、工程におけるインライン自
動化も期待できる。

【００８７】また、本実施の形態に使用可能な枠体の材
質は耐熱性や寸法精度を有するものならば、特に限定し
ないが、例示するならば金属及びプラスチック等が挙げ
られる。

【００８８】また、枠体６には、図示するようにネジ止
めするための共締め部（フランジ）３０が設けられてお
り、上記粘着性物質を有する基板１と共にネジ等で押圧
固定することができるが、上記ネジ以外にもクリップな
どを用いることも可能である。

【００８９】図７は、粘着性物質２を有する基板１の良
品ベアチップ３とは反対側において、基板１に補強材３
４を裏張りして、粘着性物質２、基板１及び補強材３４
を枠体によって共締めする例を示す。ここで、上記補強
材としてはガラス基板、金属基板、シリコンウェーハ、
ＳＵＳより選ばれる薄板が本実施の形態に好適であり、
補強材３４を設けることにより、基板１等のたわみを防
止することができる。

【００９０】本実施の形態によれば、複数個の良品ベア
チップ（半導体チップ）３に代わり、複数の異なる種類
の複数個のチップを基板上に貼り付け、その後は上述し
た処理を同様に施すことが可能である。但し、図８
（ｉ）に示すように疑似ウェーハ５を作製した後、図８
（ｊ）に示すように、複数の半導体チップ３ａ、３ｂは
種々の組み合わせにして良品チップ状部品２６として切
り出してＭＣＭ化することができる。なお、このような
ＭＣＭ化は、例えば上述した複数個の同種チップに対し
て行うこともできる。

【００９１】本実施の形態において、上記枠体に半導体
チップの配列方向判別手段を設けることが好ましく、図
９は、本実施の形態に使用可能な枠体の形状の例を示す
ものである。

【００９２】図９（Ａ）は、枠体の一部にオリエンテー
ションフラットを設けた例であり、このオリエンテーシ
ョンフラットの位置は任意でよい。図９（Ｂ）は、枠体
の一部にノッチを付けた例であり、このノッチの位置は
任意でよい。図９（Ｃ）は、枠体を方形にした例で、こ
の場合も、一辺に切り欠き或いはノッチ等を任意の位置
に設けることができる。これによって、保護物質として
の樹脂で固着された前記複数個又は複数種の半導体チッ
プと前記基板とを分離して得られる、良品の半導体チッ
プが複数個又は複数種配列されかつ電極面が露出した疑
似ウェーハの方向性を容易に検出することができる。

【００９３】

【発明の作用効果】本発明によれば、表面側に存在する
物質との反応性が乏しくかつ耐熱性を有する前記基板を
使用するので、保護物質の硬化温度による前記基板の変
性、分解、反りなどを生じることなく、前記保護物質に
固定された前記半導体チップからなる前記疑似ウェーハ
と前記基板とを容易に分離することができ、更にこの疑
似ウェーハから前記チップ状電子部品を容易に作製する
ことが可能となる。

【００９４】また、前記基板と前記粘着性物質とを押圧
固定する工程を有し、更には押圧固定した状態のまま
で、前記粘着性物質の上に複数個又は複数種の半導体チ
ップをその電極面を下にして固定する工程等を行うこと
ができるので、前記半導体チップの固定状態を保持しつ
つ、前記粘着性物質として、前記基板に対して高い離型
性を有する樹脂を選択しても基板との間の予想外の剥離
を防止することができる。

【００９５】また、本発明によれば、良品のチップを切
り出して再配列することにより、あたかも全品が良品チ
ップのウェーハのようになって、ウェーハ一括でもはん
だバンプ処理等が可能になり、低コストのフリップチッ
プ用はんだバンプチップを形成できる。また、自社製ウ
ェーハのみならず、他社から購入したベアチップでも容
易にはんだバンプ処理等が可能になる。また、保護物質
によってチップ側面及び裏面が覆われるようにできるの
で、Ｎｉ無電解めっき処理も可能であると共に、同じく
保護物質によってチップ側面及び裏面が保護されている
ので、チップ状電子部品を疑似ウェーハから切り出す際
に、保護物質の部分を切断できるので、チップ状電子部
品本体への悪影響（歪みやばり、亀裂等のダメージ）を
抑えられ、更に、チップの個片後の実装ハンドリングに
おいてもチップが保護され、良好な実装信頼性が得られ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における半導体チップの作
製工程を順次示す断面図である。

【図２】同、作製工程を順次示す断面図である。

【図３】同、作製工程を順次示す断面図である。

【図４】同、作製工程とその実装工程とを順次示す断面
図である。

【図５】本発明の実施の形態による、はんだペーストの
代わりにはんだボールを用いる疑似ウェーハの断面図で
ある。

【図６】本発明の実施の形態において良品ベアチップの
みを貼り付けた基板の概略図及びその概略図のＡ−Ａ線
一部断面図である。

【図７】本発明の他の実施の形態において良品ベアチッ
プのみを貼り付けた基板の概略図のＡ−Ａ線一部断面図
である。

【図８】本発明の実施の形態におけるＭＣＭ用半導体チ
ップの作製工程を順次示す断面図である。

【図９】本実施の形態に使用可能な枠体の図である。

【図１０】従来例におけるＡｕスタッドバンプ（Stud B
ump）の一例を示す斜視図である。

【図１１】同、ウェーハレベルで一括はんだでバンプ処
理をした半導体ウェーハの部分平面図である。

【図１２】同、半導体チップの作製工程を順次示す断面
図である。

【図１３】同、ＭＣＭ化された実装構造の他の例の斜視
図（ａ）とその一部断面側面図（ｂ）、（ｃ）である。

【図１４】同、ウェーハ一括処理に対処する半導体ウェ
ーハの斜視図である。

【図１５】先願発明（特願２０００−１２２１１２号）
における、半導体チップの作製工程を順次示す断面図で
ある。

【符号の説明】

１・・・基板、２・・・粘着性物質、３・・・良品ベアチップ、
４・・・樹脂、５・・・疑似ウェーハ、６・・・枠体、７・・・接着
面、８・・・良品ベアチップ表面（デバイス面）、９・・・は
んだペースト、１０、５５・・・Ａｌ電極パッド、１１・・・
印刷マスク、１２・・・はんだバンプ、１３・・・ソルダー
（はんだ）ペースト、１４・・・電極、１５・・・ソルダー
（はんだ）レジスト、１６・・・配線基板、１９・・・ダイシ
ング、２０・・・不良品ベアチップ、２１、３３・・・スクラ
イブライン、２６・・・良品チップ部品、２７・・・実装基
板、２８・・・石英基板、２９・・・ＵＶ硬化シート、２９ａ
・・・変質物、３０・・・共締め部（フランジ）、３１・・・ネ
ジ止め、３２・・・ブレード、３４・・・補強材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面側に存在する物質との反応性が乏し
くかつ耐熱性を有する基板上に粘着性物質を付着する工
程と；前記基板と前記粘着性物質とを押圧固定する工程
と；前記粘着性物質の上に複数個又は複数種の半導体チ
ップをその電極面を下にして固定する工程と；前記複数
個又は複数種の半導体チップ間を含む前面に保護物質を
被着する工程と；前記保護物質に固定された前記半導体
チップと前記粘着性物質付きの前記基板とを分離して、
前記半導体チップを前記保護物質で固定した疑似ウェー
ハを作製する工程と；前記複数個又は複数種の半導体チ
ップ間において前記保護物質を切断して各半導体チップ
又はチップ状電子部品を分離する工程と；を有する、チ
ップ状電子部品の製造方法。
【請求項２】前記基板上に、前記粘着性物質としての
溶媒溶解性樹脂を付着した後、前記基板と前記樹脂とを
枠体によって共締めし、更に前記樹脂の上に良品の半導
体チップの複数個又は複数種をその電極面を下にして固
定し、この状態で、前記保護物質としての有機系絶縁性
樹脂又は無機系絶縁性物質を半導体チップの裏面上に供
給して硬化させ、しかる後に前記枠体を除去し、前記保
護物質で固着された前記複数個又は複数種の半導体チッ
プと前記基板とを分離して、良品の半導体チップが複数
個又は複数種配列されかつ電極面が露出した疑似ウェー
ハを得、更にこの疑似ウェーハを前記複数個又は複数種
の半導体チップ間で切断する、請求項１に記載したチッ
プ状電子部品の製造方法。
【請求項３】前記基板上に、前記粘着性物質としての
溶媒溶解性樹脂を付着した後、前記基板と前記樹脂とを
枠体によって共締めし、更に前記樹脂の上に良品の半導
体チップの複数個又は複数種をその電極面を下にして固
定し、この状態で、前記保護物質としての有機系絶縁性
樹脂又は無機系絶縁性物質を半導体チップの裏面上に供
給して硬化させ、しかる後に、前記枠体を取り付けたま
まの状態で、前記複数個又は複数種の半導体チップ間で
切断し、前記保護物質で固着された前記複数個又は複数
種の半導体チップと前記基板とを分離する、請求項１に
記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項４】前記粘着性物質がポリビニルアルコール
又はポリイミドである、請求項１に記載したチップ状電
子部品の製造方法。
【請求項５】前記保護物質がエポキシ系、ポリイミド
系、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン系、ポ
リフェニレンサルファイド系及びポリガラスより選ばれ
る有機系絶縁性樹脂である、請求項１に記載したチップ
状電子部品の製造方法。
【請求項６】前記基板がポリテトラフルオロエチレ
ン、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体及びテ
トラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重
合体より選ばれる樹脂である、請求項１に記載したチッ
プ状電子部品の製造方法。
【請求項７】前記枠体に半導体チップの配列方向判別
手段を設ける、請求項２に記載したチップ状電子部品の
製造方法。
【請求項８】前記半導体チップとは反対側において前
記基板に補強材を裏張りする、請求項１に記載したチッ
プ状電子部品の製造方法。
【請求項９】前記補強材がガラス基板、金属基板、シ
リコンウェーハ、ＳＵＳより選ばれる薄板である、請求
項８に記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項１０】前記疑似ウェーハを分離した後、前記
疑似ウェーハの前記基板との対向面を水、温水又は溶剤
で洗浄処理する、請求項１に記載したチップ状電子部品
の製造方法。
【請求項１１】前記保護物質の位置で切断して、実装
基板に固定される単一の半導体チップ、又は複数個又は
複数種の半導体チップが一体化されたチップを得る、請
求項１に記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項１２】前記電極上にはんだバンプを形成す
る、請求項１に記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項１３】特性測定により良品と判定された前記
半導体チップを前記基板上に固定する、請求項１に記載
したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項１４】前記保護物質で固着された状態におい
て前記半導体チップの特性測定を行い、良品の半導体チ
ップ又はチップ状電子部品を選択する、請求項１に記載
したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項１５】表面側に存在する物質との反応性が乏
しくかつ耐熱性を有する基板上に粘着性物質を付着する
工程と；前記基板と前記粘着性物質とを押圧固定する工
程と；前記粘着性物質の上に複数個又は複数種の半導体
チップをその電極面を下にして固定する工程と；前記複
数個又は複数種の半導体チップ間を含む前面に保護物質
を被着する工程と；前記保護物質に固定された前記半導
体チップと前記粘着性物質付きの前記基板とを分離し
て、前記半導体チップを前記保護物質で固定した疑似ウ
ェーハを作製する工程と；を有する、疑似ウェーハの製
造方法。
【請求項１６】前記基板上に、前記粘着性物質として
の溶媒溶解性樹脂を付着した後、前記基板と前記樹脂と
を枠体によって共締めし、更に前記樹脂の上に良品の半
導体チップの複数個又は複数種をその電極面を下にして
固定し、この状態で、前記保護物質としての有機系絶縁
性樹脂又は無機系絶縁性物質を半導体チップの裏面上に
供給して硬化させ、しかる後に前記枠体を除去し、前記
保護物質で固着された前記複数個又は複数種の半導体チ
ップと前記基板とを分離して、良品の半導体チップが複
数個又は複数種配列されかつ電極面が露出した疑似ウェ
ーハを得る、請求項１５に記載した疑似ウェーハの製造
方法。
【請求項１７】前記基板上に、前記粘着性物質として
の溶媒溶解性樹脂を付着した後、前記基板と前記樹脂と
を枠体によって共締めし、更に前記樹脂の上に良品の半
導体チップの複数個又は複数種をその電極面を下にして
固定し、この状態で、前記保護物質としての有機系絶縁
性樹脂又は無機系絶縁性物質を半導体チップの裏面上に
供給して硬化させ、しかる後に、前記枠体を取り付けた
ままの状態で、前記複数個又は複数種の半導体チップ間
で切断し、前記保護物質で固着された前記複数個又は複
数種の半導体チップと前記基板とを分離する、請求項１
５に記載した疑似ウェーハの製造方法。
【請求項１８】前記粘着性物質がポリビニルアルコー
ル又はポリイミドである、請求項１５に記載した疑似ウ
ェーハの製造方法。
【請求項１９】前記保護物質がエポキシ系、ポリイミ
ド系、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン系、
ポリフェニレンサルファイド系及びポリガラスより選ば
れる有機系絶縁性樹脂である、請求項１５に記載した疑
似ウェーハの製造方法。
【請求項２０】前記基板がポリテトラフルオロエチレ
ン、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体及びテ
トラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重
合体より選ばれる樹脂である、請求項１５に記載した疑
似ウェーハの製造方法。
【請求項２１】前記枠体に半導体チップの配列方向判
別手段を設ける、請求項１６に記載した疑似ウェーハの
製造方法。
【請求項２２】前記半導体チップとは反対側において
前記基板に補強材を裏張りする、請求項１５に記載した
疑似ウェーハの製造方法。
【請求項２３】前記補強材がガラス基板、金属基板、
シリコンウェーハ、ＳＵＳより選ばれる薄板である、請
求項２２に記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項２４】前記疑似ウェーハを分離した後、前記
疑似ウェーハの前記基板との対向面を水、温水又は溶剤
で洗浄処理する、請求項１５に記載した疑似ウェーハの
製造方法。
【請求項２５】前記電極上にはんだバンプを形成す
る、請求項１５に記載した疑似ウェーハの製造方法。
【請求項２６】特性測定により良品と判定された前記
半導体チップを前記基板上に固定する、請求項１５に記
載した疑似ウェーハの製造方法。
【請求項２７】前記保護物質で固着された状態におい
て前記半導体チップの特性測定を行い、良品の半導体チ
ップ又はチップ状電子部品を選択する、請求項１５に記
載した疑似ウェーハの製造方法。