JP2002090726A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 凹凸を有する反射電極を、クロストークの発
生を抑制しつつ本来の高開口率を得るべく形成可能な液
晶表示装置、および、凹凸とコンタクトホール形成フォ
ト工程を簡略化して生産効率を向上させた製造方法を提
供する。 【解決手段】 駆動用のアクティブ素子２ａ、６ａ、７
を設けたアクティブ素子アレイ基板１は、アクティブ素
子のチャネル部を被覆して形成された第１の膜８と、第
１の膜の上に形成された絶縁膜２０と、絶縁膜の上部に
形成された画素電極１１とを有する。コンタクトホール
２１および凹凸２２が絶縁膜および第１の膜からなる積
層膜に形成され、画素電極は凹凸上に形成されるととも
にコンタクトホールを介してアクティブ素子の電極と電
気的に接続され、凹凸は、滑らかな凸構造とコンタクト
ホールより径小で底部が平坦でない凹構造とを有する凹
凸形状である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報処理端末や映
像機器などの画像表示応用機器の表示部に用いられる液
晶表示装置およびその製造方法に関する。更に詳しく
は、入射光を反射することにより表示を行う反射型、も
しくは入射光および透過光の両方を用いる半透過型の液
晶表示装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、情報の個人化に伴い、携帯電話の
高性能化に見られるように携帯性を重視した情報端末機
器が急速に発達している。これら携帯性のキーポイント
であるバッテリーでの長時間駆動や薄型軽量化に対し、
使用環境からの入射光を反射することによりバックライ
トなしで表示が可能な、反射型液晶表示装置が注目され
ている。反射型の液晶表示装置およびその製造方法とし
ては、特許第２７５６２０６号公報に記載されたものが
知られている。

【０００３】図４は、従来の反射型の液晶表示装置を示
す平面図である。図５は、図４の液晶表示装置の製造方
法を説明するために、図４中のＡ−Ａ断面を各工程ごと
に示した断面図である。

【０００４】図４において、基板（図示せず）上には、
薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下TFTと
略す）を構成するゲート電極２ａ、チャネル層４、ソー
ス電極６ａ、およびドレイン電極７が形成されている。
２はゲート電極２ａと一体化したゲート配線、６はソー
ス電極６ａと一体化したソース配線を示す。８ａは、第
１の凹凸部、１０ａは第２のコンタクトホール、１１は
画素電極である。

【０００５】図5(a)に示すように、まず基板１上に、Ｃ
ｒ、Ｔａ等からなる分岐したゲート電極２ａを有する複
数のゲート配線２（図４参照）を形成する。次に全面に
窒化シリコン（以下ＳｉＮｘと略す）からなるゲート絶
縁膜３を形成後、ゲート電極２ａ上のゲート絶縁膜３上
に、非晶質シリコン（以下ａ-Ｓｉと略す）からなるチ
ャネル層４を形成する。次にチャネル層４の両端に、低
抵抗ａ-Ｓｉからなるコンタクト層５とＴｉ、Ａｌ等か
らなるソース電極６ａおよびドレイン電極７とを重畳形
成する。ここでソース電極６ａは、ソース配線６から分
岐した形に形成する。次に、チャネル層４の保護膜とし
て全面にＳｉＮｘからなる第１の膜８を形成しＴＦＴア
レイが得られる。

【０００６】以上のようにＴＦＴを形成後、図５(b)に
示すように、第１の膜８上にレジスト９をパターン形成
する。次に図５(c)に示すように、レジスト９をマスク
として第１の膜８を加工し、反射電極の形成部に多数の
微細な第１の凹凸部８ａを、ドレイン電極７上に第１の
コンタクトホール８ｂを形成後、レジスト９を除去す
る。次に図５(d)に示すように、全面にアクリル系樹脂
を塗布し、第２のコンタクトホール１０ａを有する第２
の膜１０を形成する。次に図５(e)に示すように、Ａ
ｌ、Ａｇ等の光反射率の高い金属からなる画素電極１１
を、凹凸を有する第２の膜１０上、ならびに第２のコン
タクトホール１０ａを介してドレイン電極７に接続して
形成することにより、アクティブ素子アレイ基板が得ら
れる。さらに、図示しないが、上記のアクティブ素子ア
レイ基板に対向してカラーフィルターと透明電極を有す
る基板を貼り合わせ、間に液晶を封入して液晶表示装置
が完成する。

【０００７】上記のように、第２の膜１０を用い、第１
の膜８からなる平面状態の多い第１の凹凸部８ａ上に曲
面状態からなる凹凸を形成し、その上に画素電極１１を
形成することにより、画素電極１１による正反射成分
（平面による反射で鏡面状態を示す）が少なくなる。従
って、鏡面状態でなく散乱面状態に近い画素電極が得ら
れ、周辺光の映り込みが抑制されるとともに、曲面状態
からなる凹凸を制御することにより、反射光を集光する
ことによる反射効率の高い液晶表示装置を得ることが可
能となる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】この従来の液晶表示装
置およびその製造方法では、保護膜としてのＳｉＮｘか
らなる第１の凹凸部８ａの形状でもって入射光に対する
反射特性を大まかに決定し、その正反射成分低減を目的
として第２の膜１０の塗布形成を行っている。そのた
め、第２の膜１０は、第１の凹凸部８ａの平坦部を曲面
状態にする程度に薄く、例えば０．５μm程度に形成す
る必要がある。第２の膜１０を０．５μmより厚く、例
えば１μm以上とすると、第１の凹凸部８ａが埋まって
しまい全面平坦な鏡面状態となってしまう。従って、液
晶表示装置としての明るさを求めて開口率を大きく、す
なわち画素電極１１を大きくすると、画素電極１１とソ
ース配線６ならびにゲート配線２とが近接し、この間の
寄生容量が大きくなることによるクロストークの発生が
懸念される。

【０００９】反射型液晶表示装置の特徴のひとつは、画
素電極１１をアクティブ素子アレイ基板の最上層に形成
することにより、透過型では開口率を規制する要因とな
る配線やアクティブ素子の面積を考慮する必要がない点
である。本来高開口率化に適する反射型でありながら、
上記従来の液晶表示装置およびその製造方法では、クロ
ストーク発生の懸念から開口率を犠牲にする必要が生じ
る。ここで第１の膜８であるＳｉＮｘを厚くすることが
考えられるが、その場合ＳｉＮｘの成膜時間ならびに第
１の凹凸部８ａおよび第１のコンタクトホール８ｂの加
工形成時間が長くなること、ＳｉＮｘ厚膜化による応力
増加に伴う基板のそりによる破損等の、生産性課題の発
生が懸念される。さらにまた、凹凸形成を、第１の凹凸
部８ａの形成と第２の膜１０の塗布形成との２工程によ
り行っているため、生産効率の低下をもたらしている。

【００１０】本発明は上記課題に鑑み、凹凸を有する反
射電極を、クロストークの発生を抑制しつつ本来の高開
口率を得るべく形成することが可能であり、また、生産
効率を向上させることが可能な、液晶表示装置およびそ
の製造方法を得ることを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、液晶表示パネルを構成する２枚の基板間に挟持され
た液晶を複数の画素電極を介して駆動することにより画
像を表示する液晶表示装置において、２枚の基板の一方
である駆動用のアクティブ素子を設けたアクティブ素子
アレイ基板が以下の構成を有することを特徴とする。す
なわち上記の課題を解決するために、アクティブ素子ア
レイ基板は、アクティブ素子のチャネル部を被覆して形
成された第１の膜と、第１の膜の上に形成された絶縁膜
と、絶縁膜の上部に形成された画素電極とを有し、コン
タクトホールおよび凹凸が絶縁膜および第１の膜からな
る積層膜に形成され、画素電極はその凹凸上に形成され
るとともにコンタクトホールを介してアクティブ素子の
電極と電気的に接続され、凹凸は滑らかな凸構造とコン
タクトホールの径より小さく底部が平坦でない凹構造と
を有する凹凸形状である。

【００１２】この構成によれば、画素電極による正反射
成分を低減させるための凹凸を、厚い層間絶縁膜を用い
て形成することができるので、クロストーク発生を抑制
しつつ本来の高開口率を得ることが可能である。またこ
の構成は、コンタクトホールおよび凹凸を、絶縁膜およ
び第１の膜に同時に形成することにより得られるので、
第１の膜にコンタクトホールおよび凹凸を形成した後に
絶縁膜を成膜するという従来の工程が簡略化され、生産
効率を向上させることが可能となる。

【００１３】上記の構成を変形して、コンタクトホール
が絶縁膜および第１の膜からなる積層膜に形成され、凹
凸が絶縁膜に形成された構成としても、同様の効果が得
られる。

【００１４】本発明の液晶表示装置の製造方法は、液晶
表示パネルを構成する２枚の基板間に挟持された液晶を
複数の画素電極を介して駆動することにより画像を表示
する液晶表示装置の製造方法において、２枚の基板の一
方である駆動用のアクティブ素子を設けたアクティブ素
子アレイ基板が、以下の工程により製造されることを特
徴とする。すなわち、基板上にアクティブ素子をアレイ
状に形成する工程と、アクティブ素子のチャネルを保護
する第１の膜を全面に形成する工程と、第１の膜上に絶
縁膜を塗布後、解像度に比べ十分大きい穴形状のコンタ
クトホールパターンと凹部の径を解像度限界とした凹凸
形成パターンとを有するフォトマスクを用いて露光後現
像して、絶縁膜にコンタクトホール部および凹凸部を形
成する工程と、熱処理によって絶縁膜の角形状を滑らか
にしつつ硬化させる工程と、絶縁膜をマスクとして第１
の膜をドライエッチングすることにより、少なくともコ
ンタクトホール部直下のアクティブ素子のドレイン電極
を露出させコンタクトホールを形成すると共に、凹凸部
の凸部の一部を除去しさらに滑らかな凸部と底部が平坦
でない凹構造とを有する凹凸を形成する工程と、コンタ
クトホールを介してドレイン電極と電気的に接続されか
つ凹凸を被覆した画素電極を形成する工程とを有する。

【００１５】この構成の製造方法によれば、生産効率を
向上しつつ、高開口率な反射型もしくは半透過型アクテ
ィブ素子アレイ基板を得ることができる。

【００１６】上記いずれかの構成の液晶表示装置、また
は液晶表示装置の製造方法において、絶縁膜を有機膜と
することにより、容易に厚い層間絶縁膜を形成すること
ができる。

【００１７】また、第１の膜として、絶縁膜をマスクと
して加工形成された窒化シリコン膜を用いることによ
り、工程数を低減できる。

【００１８】また、画素電極が高光反射金属である反射
型もしくは半透過型に構成することにより、高光反射金
属の膜厚を制御して、明るい反射型もしくは半透過型の
液晶表示装置を得ることができる。

【００１９】また、画素電極が高光反射金属部と透明電
極部とからなる半透過型に構成することにより、使用環
境が明るい場合での反射型としての明るさと、使用環境
が暗い場合での透過型としての明るさを併せ持つことが
できる。

【００２０】また、上記の構成において高光反射金属ま
たは高光反射金属部を、Ａｌ、Ａｌ合金、ＡｇおよびＡ
ｇ合金から選ばれた金属を用いて形成することにより、
膜厚を制御して、明るい反射型もしくは半透過型の液晶
表示装置を得ることができる。

【００２１】また、透明電極部をインジュウム錫酸化物
を用いて形成することにより、透過表示において明るい
半透過型の液晶表示装置を得ることができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、図
１、図２および図３を用いて説明する。

【００２３】図１は液晶表示装置のアクティブ素子アレ
イ基板における画素部の断面構造を示し、図２は同様に
画素部の平面図である。図１は、図２のＢ−Ｂにおける
断面である。図３は製造方法の各工程を、図２のＢ−Ｂ
における断面で示したものである。

【００２４】図１、図２および図３において、図４およ
び図５に示した従来例の要素と同一の要素については、
同一符号を付して説明を省略する。本実施の形態が従来
例と相違する部分は、絶縁膜２０、コンタクトホール２
１、および凹凸２２である。

【００２５】まず図３(a)に示すように、ガラスからな
る基板１上に、Ａｒガスを用いたスパッタリング法によ
りＴｉ/Ａｌ/Ｔｉをそれぞれ100/200/100nm積層して成
膜後、分岐したゲート電極２ａを有する複数のゲート配
線２（図２参照）を形成する。次に、プラズマ化学気相
蒸着法（以下p-CVD法と略す）によりＳｉＮｘ、ａ-Ｓ
ｉ、低抵抗ａ-Ｓｉの３層を成膜後、ＴＦＴ領域以外の
ａ-Ｓｉ、低抵抗ａ-Ｓｉをエッチング除去し、島状のそ
れぞれチャネル層４とコンタクト層５ならびに全面にわ
たるゲート絶縁膜３を形成する。次に、再度Ａｒガスを
用いたスパッタリング法によりＴｉ/Ａｌ/Ｔｉをそれぞ
れ100/200/100nm積層して成膜後、複数のソース配線６
（図２参照）と、これから分岐したＴＦＴのソース電極
６ａならびにドレイン電極７のパターンに加工する。こ
こで同時にコンタクト層５は、ソースならびにドレイン
の領域に分離形成される。次に、全面にp-CVD法により
チャネル層４の保護膜としてＳｉＮｘからなる第１の膜
８を形成して、ＴＦＴアレイを得る。

【００２６】以上のように従来例と同様にＴＦＴアレイ
を形成後、第１の膜８上に感光性アクリル系樹脂（ＪＳ
Ｒ社製ＰＣ３０５）を約３μm塗布する。次に、短辺が
解像度に比べ十分大きい約８μmである楕円形状のコン
タクトホールパターンと、凹部の径が解像度限界の約４
μmである凹凸形成パターンとを有するフォトマスクを
用い、露光機（CANON社製ＭＡ３０００）により露光後
現像する。それにより、図３(b)に示すように、下地の
第１の膜８が十分露出したコンタクトホール部２０ａ
と、下地の第１の膜８が約１μ以下の径で露出した凹凸
部２０ｂを有する絶縁膜２０を形成する。

【００２７】次に図３(ｃ)に示すように、２２０℃の熱
処理を行い、絶縁膜２０を温度上昇に伴う軟化により角
形状を滑らかにしつつ硬化させる。さらに塩素系ガスプ
ラズマを用いたドライエッチングにより、少なくともコ
ンタクトホール部２０ａ直下のドレイン電極７を露出さ
せ、コンタクトホール２１を形成すると共に、凹凸部２
０ｂの凸部の一部を除去して、さらに滑らかな凸部と底
部が平坦でない凹部を有する凹凸２２を形成する。次に
図３(ｄ)に示すように、全面にＡｌを成膜後、画素電極
１１に加工形成する。すなわち、凹凸２２を覆うととも
に、コンタクトホール２１を通じてドレイン電極７と電
気的に接続され、さらにゲート配線２の一部ならびにソ
ース配線６の一部に重なり合うまで伸延した形状とする
（図２参照）。このようにして、アクティブ素子アレイ
基板が得られる。さらに、従来例と同様に、上記のアク
ティブ素子アレイ基板に対向してカラーフィルターと透
明電極を有する基板を貼り合わせ、間に液晶を封入して
液晶表示装置が完成する。

【００２８】以上の実施の形態によれば、厚い絶縁膜２
０により、クロストークの発生懸念を低減して画素電極
１１をソース配線６ならびにゲート配線２近傍にまで形
成できる。また凹凸２２ならびにコンタクトホール２１
を形成するためのフォト工程を１回に低減できる。さら
に、滑らかな凸部と底部が平坦でない凹部を有する凹凸
２２上に画素電極１１を形成することにより、正反射成
分が少なく周辺光の映り込みが抑制されるとともに、曲
面状態からなる凸部を制御することにより、反射効率を
高くすなわち明るくできる。

【００２９】なお底部が平坦でない凹部を有する凹凸２
２の形成を、上記の方法のように、下地の第１の膜８が
約１μ以下の径で露出した凹凸部２０ｂを有する絶縁膜
２０をマスクとして、第１の膜８をドライエッチングす
る方法ではなく、以下の方法で行うこともできる。すな
わち、絶縁膜２０の凹凸部２０ｂにおける凹部の形成
を、凹部の径が解像度限界以下、例えば約３μmとした
凹凸形成パターンを有するフォトマスクを用い、露光現
像することにより行う。それにより、下地の第１の膜８
を露出しない凹凸部２０ｂを形成し、さらにドレイン電
極７を露出させるドライエッチング後も、下地の第１の
膜８を露出させずに、底部が平坦でない凹部すなわち滑
らかな凹部を有する凹凸２２を形成する。

【００３０】また、画素電極１１の材料は、Ａｌに限ら
ず、ドレイン電極７と電気的に接合し高反射率のもので
あれば何でもよい。例えばＡｌ合金であるＡｌＴｉ、Ａ
ｌＴａ、ＡｌＷ、ＡｌＮｄ、ＡｌＺｒ等、またはＡｇま
たはＡｇ合金であるＡｇＣｕ、ＡｇＰｄＣｕ，ＡｇＴｉ
Ｃｕ等からなるものを用いてもよい。

【００３１】さらに、アクティブ素子をＴＦＴからなる
ものとしたが、ＭＩＭ等の非線形２端子素子としてもよ
い。

【００３２】

【発明の効果】本発明によれば、厚い絶縁膜によりクロ
ストークの発生懸念を低減して、画素電極をソース配線
ならびにゲート配線近傍にまで形成することにより、高
開口率の明るい反射型もしくは半透過型の液晶表示装置
が得られる。かつ、凹凸ならびにコンタクトホールを形
成するためのフォト工程を１回に低減することにより、
生産性の大幅な向上がもたらされる。

【００３３】さらに、滑らかな凸部と底部が平坦でない
凹部を有する凹凸上に画素電極を形成することにより、
正反射成分が少なく周辺光の映り込みが抑制されるとと
もに、曲面状態からなる凸部を制御することにより、反
射効率の高いすなわち明るい反射型もしくは半透過型の
液晶表示装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態における液晶表示装置を
示す断面図

【図２】本発明の一実施の形態における液晶表示装置を
示す平面図

【図３】本発明の一実施の形態における液晶表示装置の
製造方法を各工程における断面で示す断面図

【図４】従来例の液晶表示装置を示す平面図

【図５】従来の液晶表示装置の製造方法における各工程
を示す断面図

【符号の説明】

１ 基板 ２ ゲート配線 ２ａ ゲート電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ チャネル層 ５ コンタクト層 ６ ソース配線 ６ａ ソース電極 ７ ドレイン電極 ８ 第１の膜 ８ａ 第１の凹凸部 ８ｂ 第１のコンタクトホール ９ レジスト １０ 第２の膜 １０ａ 第２のコンタクトホール １１ 画素電極 ２０ａ コンタクトホール部 ２０ｂ 凹凸部 ２１ コンタクトホール ２２ 凹凸

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４９ Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ (72)発明者 坊下 純二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 櫻井 芳亘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 浅野 悟久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 田辺 将人 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 宇野 光宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H091 FA14Y FB08 FC10 FC26 FC29 FC30 FD04 FD23 GA13 2H092 HA05 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB57 KA05 KA07 KA16 KA18 KB14 KB24 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA27 MA35 MA37 MA41 NA25 NA27 PA04 PA12 QA06 5C094 AA09 AA10 AA43 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 EA04 EA05 EA07 EB02 ED11 FB01 FB12 FB15 5G435 AA03 AA17 BB12 BB15 BB16 EE33 FF03 HH12 HH14 KK05

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶表示パネルを構成する２枚の基板間
   に挟持された液晶を複数の画素電極を介して駆動するこ
   とにより画像を表示する液晶表示装置において、 前記２枚の基板の一方であって前記駆動用のアクティブ
   素子を設けたアクティブ素子アレイ基板が、前記アクテ
   ィブ素子のチャネル部を被覆して形成された第１の膜
   と、前記第１の膜の上に形成された絶縁膜と、前記絶縁
   膜の上部に形成された画素電極とを有し、 コンタクトホールおよび凹凸が前記絶縁膜および前記第
   １の膜からなる積層膜に形成され、前記画素電極は前記
   凹凸上に形成されるとともに前記コンタクトホールを介
   して前記アクティブ素子の電極と電気的に接続され、前
   記凹凸は滑らかな凸構造と前記コンタクトホールより径
   小で底部が平坦でない凹構造とを有する凹凸形状である
   ことを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 液晶表示パネルを構成する２枚の基板間
   に挟持された液晶を複数の画素電極を介して駆動するこ
   とにより画像を表示する液晶表示装置において、 前記２枚の基板の一方であって前記駆動用のアクティブ
   素子を設けたアクティブ素子アレイ基板が、前記アクテ
   ィブ素子のチャネル部を被覆して形成された第１の膜
   と、前記第１の膜の上に形成された絶縁膜と、前記絶縁
   膜の上部に形成された画素電極とを有し、 コンタクトホールが前記絶縁膜および前記第１の膜から
   なる積層膜に形成され、凹凸が前記絶縁膜に形成され、
   前記画素電極は前記凹凸上に形成されるとともに前記コ
   ンタクトホールを介して前記アクティブ素子の電極と電
   気的に接続され、前記凹凸は滑らかな凸構造と前記コン
   タクトホールの径より小さく底部が平坦でない凹構造と
   を有する凹凸形状であることを特徴とする液晶表示装
   置。
3. 【請求項３】 絶縁膜が有機膜である請求項１または２
   記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 第１の膜が絶縁膜をマスクとして加工形
   成された窒化シリコン膜である請求項１または２記載の
   液晶表示装置。
5. 【請求項５】 画素電極が高光反射金属である反射型も
   しくは半透過型に構成された請求項１または２記載の液
   晶表示装置。
6. 【請求項６】 画素電極が高光反射金属部と透明電極部
   とからなる半透過型に構成された請求項１または２記載
   の液晶表示装置。
7. 【請求項７】 高光反射金属または高光反射金属部が、
   Ａｌ、Ａｌ合金、ＡｇおよびＡｇ合金から選ばれた金属
   を用いて形成された請求項５または６記載の液晶表示装
   置。
8. 【請求項８】 透明電極部がインジュウム錫酸化物を用
   いて形成された請求項６記載の液晶表示装置。
9. 【請求項９】 液晶表示パネルを構成する２枚の基板間
   に挟持された液晶を複数の画素電極を介して駆動するこ
   とにより画像を表示する液晶表示装置の製造方法におい
   て、 前記駆動用のアクティブ素子を設けたアクティブ素子ア
   レイ基板の製造工程が、基板上に前記アクティブ素子を
   アレイ状に形成する工程と、前記アクティブ素子のチャ
   ネルを保護する第１の膜を全面に形成する工程と、前記
   第１の膜上に絶縁膜を塗布後、解像度に比べ十分大きい
   穴形状のコンタクトホールパターンと凹部の径を解像度
   限界とした凹凸形成パターンとを有するフォトマスクを
   用いて露光後現像して、前記絶縁膜にコンタクトホール
   部および凹凸部を形成する工程と、熱処理によって前記
   絶縁膜の角形状を滑らかにしつつ硬化させる工程と、前
   記絶縁膜をマスクとして前記第１の膜をドライエッチン
   グすることにより、少なくとも前記コンタクトホール部
   直下の前記アクティブ素子のドレイン電極を露出させコ
   ンタクトホールを形成すると共に、前記凹凸部の凸部の
   一部を除去しさらに滑らかな凸部と底部が平坦でない凹
   構造とを有する凹凸を形成する工程と、前記コンタクト
   ホールを介して前記ドレイン電極と電気的に接続されか
   つ前記凹凸を被覆した画素電極を形成する工程とを有す
   ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 絶縁膜が有機膜である請求項９記載の
    液晶表示装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 第１の膜が窒化シリコン膜である請求
    項９記載の液晶表示装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 画素電極が高光反射金属である反射型
    または半透過型に構成する請求項９記載の液晶表示装置
    の製造方法。
13. 【請求項１３】 画素電極が高光反射金属部と透明電極
    部とからなる半透過型に構成する請求項９記載の液晶表
    示装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 高光反射金属または高光反射金属部
    を、Ａｌ、Ａｌ合金、ＡｇおよびＡｇ合金から選ばれた
    金属を用いて形成する請求項１２または１３記載の液晶
    表示装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 透明電極部をインジュウム錫酸化物を
    用いて形成する請求項１３記載の液晶表示装置の製造方
    法。
16. 【請求項１６】 請求項１〜８のいずれか１項に記載の
    液晶表示装置を表示部に用いた画像表示応用機器。