JP2002086294A - Electronic member having solder alloy, solder ball and solder bump - Google Patents
Electronic member having solder alloy, solder ball and solder bumpInfo
- Publication number
- JP2002086294A JP2002086294A JP2000279832A JP2000279832A JP2002086294A JP 2002086294 A JP2002086294 A JP 2002086294A JP 2000279832 A JP2000279832 A JP 2000279832A JP 2000279832 A JP2000279832 A JP 2000279832A JP 2002086294 A JP2002086294 A JP 2002086294A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- mass
- alloy
- solder alloy
- electronic member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田合金、半田ボールおよび半田バンプを有
する電子部材において、耐疲労性を従来以上に向上させ
ると同時に、耐衝撃性にすぐれた半田合金等を提供す
る。
【解決手段】 Sn:55〜70質量%、Ag:0.5
〜5.0質量%、Sb:0.1〜3.0質量%、Bi:
0.1〜3.0質量%、Cu:0.01〜0.1質量%
を含み、残部Pb及び不可避不純物からなり、かつA
g、Sb、Bi、Cuの合計含有量が5.0質量%以下
であることを特徴とする半田合金、電子部材用半田バン
プに用いる半田合金、電子部材用半田ボール。さらにF
e、Ni、Zn、In、Pt、Pdからなる群から選ば
れた1種又は2種以上の金属を0.01〜0.5質量%
含有する。さらにP:0.0005〜0.005質量%
を含有する。上記半田合金により形成してなる半田バン
プ、半田電極を有する電子部材。(57) Abstract: An electronic member having a solder alloy, a solder ball, and a solder bump is provided with a solder alloy or the like which has improved fatigue resistance more than before and has excellent impact resistance. SOLUTION: Sn: 55 to 70% by mass, Ag: 0.5
To 5.0% by mass, Sb: 0.1 to 3.0% by mass, Bi:
0.1 to 3.0% by mass, Cu: 0.01 to 0.1% by mass
, The balance consisting of Pb and unavoidable impurities, and A
A solder alloy, a solder alloy used for a solder bump for an electronic member, and a solder ball for an electronic member, wherein the total content of g, Sb, Bi, and Cu is 5.0% by mass or less. Further F
e, one or two or more metals selected from the group consisting of Ni, Zn, In, Pt, and Pd in an amount of 0.01 to 0.5% by mass.
contains. Further, P: 0.0005 to 0.005% by mass
It contains. An electronic member having a solder bump and a solder electrode formed of the solder alloy.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半田合金、半田ボ
ールおよび半田バンプを有する電子部材に関するもので
あり、特に温度サイクル等の繰返し応力が付加されるこ
とにより金属疲労が起こりやすい環境において使用され
る電子部品の微小半田接合に適した半田合金に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic member having a solder alloy, a solder ball and a solder bump, and more particularly to an electronic member having an environment in which metal fatigue is likely to occur due to repeated stresses such as temperature cycling. And a solder alloy suitable for micro soldering of electronic components.
【0002】[0002]
【従来の技術】プリント配線基板等に電子部品を実装す
る際は、一般にSn−Pb共晶周辺(Sn:63%−P
b:37%)の半田合金が広く使用されており、昨今急
増しているBGA(Ball Grid Array)用半田ボールに
おいても同様な半田成分が主に使用されている。電子機
器に組み込まれたプリント基板や、BGAが用いられて
いる集積回路素子基板では、当該装置スウィッチのON
/OFFに伴い、加熱冷却を繰り返すという熱衝撃サイ
クル環境下に曝されている。2. Description of the Related Art Generally, when electronic components are mounted on a printed wiring board or the like, a Sn-Pb eutectic periphery (Sn: 63% -P
(b: 37%) is widely used, and similar solder components are mainly used in solder balls for BGA (Ball Grid Array), which are increasing rapidly in recent years. On a printed circuit board incorporated in an electronic device or an integrated circuit element substrate using a BGA, the device switch is turned on.
It is exposed to a thermal shock cycle environment in which heating and cooling are repeated with / OFF.
【0003】半田接合部が熱衝撃サイクル環境下に曝さ
れると、電子部品とプリント基板との熱膨張係数差によ
り熱応力が生じる。特に集積回路チップを直接基板に取
り付けるフリップチップ接続等の微小半田ボール接続で
は、Siチップ素子と実装プリント配線基板等を直接半
田ボールで接続するため、シリコンチップとプリント配
線基板の熱膨張係数差に起因して発生する熱応力は非常
に大きい。この熱応力が断面積の小さい接合部に集中
し、かつ接合部半田材料の強度が他の被接合部材に比し
て材料強度的に弱いため、繰り返し熱応力を受けること
により、フリップチップ接続部の半田にクラックが発生
し疲労破壊に至る。When a solder joint is exposed to a thermal shock cycle environment, a thermal stress is generated due to a difference in thermal expansion coefficient between an electronic component and a printed circuit board. In particular, in micro solder ball connection such as flip chip connection in which an integrated circuit chip is directly mounted on a substrate, since the Si chip element and the mounted printed wiring board are directly connected by solder balls, the difference in thermal expansion coefficient between the silicon chip and the printed wiring board is reduced. The resulting thermal stress is very large. This thermal stress is concentrated on the joint having a small cross-sectional area, and the strength of the solder material of the joint is weaker in material strength as compared with the other members to be joined. Cracks occur in the solder, resulting in fatigue failure.
【0004】従来熱応力により半田接合部が破壊されや
すい部位には、部品リードを湾曲させ熱応力を部品で緩
和するような実装形態設計で対応したり、接合部の電極
パッドを大きくする対応、即ち接合部半田量を増やし結
果として接合部にかかる応力を低減する等の対策がなさ
れてきた。Conventionally, a solder joint is likely to be broken by thermal stress by using a mounting form design in which component leads are bent and the thermal stress is relieved by the component, or an electrode pad at the joint is enlarged. That is, measures have been taken such as increasing the amount of solder at the joint to reduce the stress applied to the joint as a result.
【0005】さらに、半田材料の耐疲労性を向上すべ
く、従来よりSn−Pb系合金に第三元素を添加する等
で半田材料の強度向上が図られてきた。Sn−Pb系合
金に第三元素を添加したものとして、特開平1−127
192号や特開平1−1237095号公報等では、S
b、In,Ag,Cu,Bi,Te,Ni等を添加し耐
疲労性を向上させている。この他にも様々な半田合金が
提案されているが、その多くはSn−Pb系合金へ第三
元素を添加することにより、半田組織中のSn相とPb
相の粒界に金属間化合物を析出させ、この化合物により
結晶粒の粗粒化を抑制したり、塑性変形を抑制するピン
ニングのピンサイトとして機能させることにより、合金
の強度、耐クリープ性、耐疲労性を向上させることが試
みられている。Further, in order to improve the fatigue resistance of the solder material, the strength of the solder material has been conventionally improved by adding a third element to the Sn-Pb alloy. Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-127 discloses a Sn-Pb alloy to which a third element is added.
192 and JP-A-1-12337095, etc.
b, In, Ag, Cu, Bi, Te, Ni, etc. are added to improve the fatigue resistance. In addition, various solder alloys have been proposed, but most of them include adding a third element to a Sn-Pb-based alloy to form an Sn phase and a Pb in the solder structure.
By precipitating intermetallic compounds at the grain boundaries of the phase, and by using this compound to suppress coarsening of crystal grains or to function as pinning pin sites for suppressing plastic deformation, the strength, creep resistance, and resistance of the alloy are improved. Attempts have been made to improve fatigue properties.
【0006】特開平3−204194号公報において
は、PbSn基材にSb及びSbと化合物を形成しやす
い元素としてCu、Ni、Au、Ag、Pt等から選ば
れる元素を添加し、金属間化合物を分散析出した結晶粒
界部を形成し、PbSn基材の熱疲労特性、耐クリープ
性の改善を図っている。In JP-A-3-204194, an element selected from Cu, Ni, Au, Ag, Pt and the like is added to a PbSn substrate as an element which easily forms a compound with Sb and Sb, and an intermetallic compound is added. By forming crystal grain boundaries dispersed and precipitated, the thermal fatigue characteristics and creep resistance of the PbSn substrate are improved.
【0007】特開平7−178587号公報において
は、SnPb系半田にAg、Sb、Pを添加して疲労特
性の改善を図っている。Ag、Sbは半田の材料強度を
上げる目的で添加し、Pは半田の熱疲労特性を改善する
ために使用している。この合金にさらにCd、Bi、I
n、Zn、Cu、Gaから選ばれた金属を0.11%以
上含有させる。Cd、Bi、Inは半田の融点を低下さ
せる目的で、Zn、Cuは材料強度の向上を目的として
用いている。In Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-178587, the fatigue characteristics are improved by adding Ag, Sb, and P to SnPb-based solder. Ag and Sb are added for the purpose of increasing the material strength of the solder, and P is used for improving the thermal fatigue characteristics of the solder. Cd, Bi, I
0.11% or more of a metal selected from n, Zn, Cu, and Ga is contained. Cd, Bi, and In are used for the purpose of lowering the melting point of the solder, and Zn and Cu are used for the purpose of improving the material strength.
【0008】特開平1−237095号公報、特開平3
−32487号公報においては、PbSn系半田にSb
とInを添加し、さらにこれにAg、Cuを添加して耐
疲労性を向上させている。SbとInの同時添加による
強化(引張強さの向上)がすぐれた耐疲労性をもたらす
原因であると推定している。これにAgとCuを添加す
ることにより耐疲労性がさらに改善される。Ag、Cu
の好ましい含有量はそれぞれ0.1%以上であるとして
いる。特開平3−106591号公報においては、I
n、Gaの少なくとも1種、Sb、Biの少なくとも
1種、Ag、Auの少なくとも1種からなる〜の
少なくとも2種を含む耐疲労性に優れるPbSn系半田
が開示されている。[0008] JP-A-1-237095, JP-A-3-3
Japanese Patent No. 32487 discloses that PbSn-based solder has Sb
And In are added, and further, Ag and Cu are added thereto to improve the fatigue resistance. It is presumed that strengthening (improvement of tensile strength) by simultaneous addition of Sb and In is a cause of excellent fatigue resistance. Addition of Ag and Cu to this further improves the fatigue resistance. Ag, Cu
Is preferably 0.1% or more. In Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-106591, the I
A PbSn-based solder having excellent fatigue resistance, including at least one of n and Ga, at least one of Sb and Bi, and at least two of Ag and Au is disclosed.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】近年の電子部品の高密
度実装化に伴い、特にノートパソコン、ビデオカメラ、
携帯電話等においては表面実装やBGA実装が進み、基
板電極パッド面積の縮小が急激に進んでいるため、接合
部位の半田量を少量化せざるを得ない状況にある。即
ち、半田接合部位の接合面積が低下し、接合部にかかる
応力が増大している。また、高密度実装により、高機能
・小型化が進んだため情報伝達機器の携帯化も急速に進
展した。加えて経済活動領域が地球規模に及ぶに至り、
従来考えてもいなかった灼熱の砂漠や極地高地の極寒下
等での当該機器が使用される様になっている。このよう
な状況下では、半田接合部が一層厳しい環境下に曝され
ることを考慮した半田実装設計が求められており、その
ため、半田材料に対する耐疲労性向上の要求がより一層
高まっている。With the recent high-density mounting of electronic components, notebook computers, video cameras,
In mobile phones and the like, surface mounting and BGA mounting have progressed, and the area of the substrate electrode pad has been rapidly reduced, so that the amount of solder at the joint site has to be reduced. That is, the joint area at the solder joint portion is reduced, and the stress applied to the joint is increasing. In addition, due to the high functionality and miniaturization due to the high-density mounting, the portability of information transmission equipment has also rapidly advanced. In addition, the scope of economic activity has reached the global scale,
Such devices have come to be used in scorching deserts and extreme cold conditions in polar highlands, which have not been considered before. Under such circumstances, there is a demand for a solder mounting design that takes into account the fact that the solder joint is exposed to a more severe environment, and thus the demand for improved fatigue resistance of the solder material has been further increased.
【0010】携帯電話は、その使用上の特質から使用中
に誤って床面に落下させる事態を想定する必要がある。
このような衝撃に対しても使用する電子部品の半田接合
部位が破壊しないだけの耐衝撃性を有することが要求さ
れる。これに対し、従来の耐疲労性半田合金において
は、主に半田の強度を増大することによって耐疲労性の
改善を図っており、その結果として耐衝撃性については
むしろ低下する傾向が見られた。It is necessary to assume that a mobile phone is accidentally dropped on the floor during use due to its use characteristics.
It is required that the solder joint of the electronic component used has such an impact resistance as not to be destroyed even by such an impact. On the other hand, in the conventional fatigue-resistant solder alloy, the fatigue resistance is improved mainly by increasing the strength of the solder, and as a result, the impact resistance tends to decrease. .
【0011】半田の疲労破壊は接続部における熱応力が
半田材料に集中することにより生じる。即ち、接続部が
弾性塑性変形能と接続を保持するだけの強度を有し熱応
力を吸収し、被接続部材から負荷される応力を緩和して
いる。半田組織中や結晶粒界に金属間化合物を分散・析
出させると、粒界滑りや破壊クラック進展の抑制にある
程度の効果はあるが、脆く硬い性質を有する金属間化合
物を一定量以上存在させると半田の延展性を阻害し、接
続部の応力緩和を低下させることになる。従来の耐疲労
半田の代表的なものとして、Sn−Pb系合金に第三元
素として少量Agを添加したものがあり、Ag3Sn金
属間化合物を析出させ粒界滑りを抑制し耐疲労性を向上
させている。[0011] Fatigue destruction of solder is caused by concentration of thermal stress in a connection portion on a solder material. That is, the connection portion has elastic plastic deformation capability and strength enough to maintain the connection, absorbs thermal stress, and reduces stress applied from the connected member. Dispersing and precipitating intermetallic compounds in the solder structure and at grain boundaries has some effect on suppressing grain boundary sliding and fracture cracking.However, when a certain amount or more of intermetallic compounds having brittle and hard properties is present. The spreadability of the solder is impaired, and the stress relaxation at the connection portion is reduced. A typical example of conventional fatigue-resistant solder is a Sn-Pb alloy to which a small amount of Ag is added as a third element, which precipitates Ag 3 Sn intermetallic compound to suppress grain boundary slip and improve fatigue resistance. Have improved.
【0012】しかしながら、Sn−Pb系合金に第三元
素として少量Agを添加した場合、Sn−Pb系合金共
晶組成(Sn63−Pb37)に比して強度は約20%
程度上がるものの、延びは逆に約20%減少し、総合的
な耐疲労性の改善代は余り大きくない。延びが減少した
結果として、耐衝撃性についても十分な品質を確保する
ことができない。即ち、プリント配線基板にCPUや電
子部品を実装する際に用いられるBGA用半田ボール合
金等で必要とされる耐疲労性及び耐衝撃性に優れた半田
合金とは、実装部品を保持するための強度と、熱応力や
衝撃を緩和するための延展性を兼ね備えた半田合金であ
り、従来そのような強度と延展性を満足するようなSn
−Pb系半田合金は見出されていなかった。However, when a small amount of Ag is added as a third element to the Sn-Pb alloy, the strength is about 20% as compared with the Sn-Pb alloy eutectic composition (Sn63-Pb37).
Despite the increase, the elongation is reduced by about 20%, and the improvement in overall fatigue resistance is not so large. As a result of the reduced elongation, sufficient quality cannot be ensured for impact resistance. That is, a solder alloy having excellent fatigue resistance and impact resistance required for a BGA solder ball alloy used when mounting a CPU or an electronic component on a printed wiring board is used for holding the mounted component. It is a solder alloy that has both strength and ductility to reduce thermal stress and impact. Conventionally, Sn that satisfies such strength and ductility
-No Pb-based solder alloy was found.
【0013】本発明は、半田合金、半田ボールおよび半
田バンプを有する電子部材において、耐疲労性を従来以
上に向上させると同時に、耐衝撃性にすぐれた半田合金
等を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a solder alloy and the like having improved fatigue resistance and improved impact resistance in an electronic member having a solder alloy, a solder ball and a solder bump. .
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明においては、Sn
−Pb系合金にAgを添加し、Ag3Sn金属間化合物
を結晶中に微細分散させて耐疲労性を向上させる。According to the present invention, Sn is used.
Was added to Ag in -Pb alloy, Ag 3 Sn intermetallic compound is finely dispersed in the crystal to improve the fatigue resistance.
【0015】Snは13.2℃で変態する特性を有して
いる。Sn−Pb系合金においては、低温におけるSn
変態時に破断が著しく進行しやすく、その結果として半
田電極接合部の破壊に到る。半田電極接合部の耐熱疲労
特性評価のために用いられるTCTテスト(例えば−4
0℃〜125℃の加熱冷却サイクルの繰り返し)におい
ては、低温にさらした際に半田電極接合部の破断が進展
し、ついには破壊に到る。本発明は、Agを添加したS
n−Pb系半田合金に更にSbを含有させることによ
り、低温におけるSn変態を抑制することができ、寒冷
地条件においても十分に耐えることのできる耐熱疲労特
性を実現した。Sn has the property of transforming at 13.2 ° C. In a Sn-Pb-based alloy, Sn
During transformation, rupture is apt to progress significantly, resulting in destruction of the solder electrode joint. TCT test (e.g., -4) used to evaluate the thermal fatigue properties of solder electrode joints
(A repetition of a heating / cooling cycle of 0 ° C. to 125 ° C.), when exposed to a low temperature, the breakage of the solder electrode joint part progresses, and eventually leads to destruction. The present invention relates to the addition of Ag to Ag.
By further adding Sb to the n-Pb-based solder alloy, Sn transformation at low temperatures can be suppressed, and heat-resistant fatigue characteristics that can sufficiently withstand even in cold regions are realized.
【0016】本発明は、Ag、Sbを添加したSn−P
b系合金にさらにCuおよびBiを適量含有させること
により、半田合金の持つ延性を損なわずにさらに耐疲労
性を改善し、同時に耐衝撃性を向上させることに成功し
た。The present invention relates to Sn—P containing Ag and Sb.
By adding appropriate amounts of Cu and Bi to the b-based alloy, the fatigue resistance was further improved without impairing the ductility of the solder alloy, and at the same time, the impact resistance was improved.
【0017】従来、耐疲労性半田合金にCuを含有させ
るに際しては、合金の強度を向上させるために0.1%
以上のCuを含有させていた。本発明者は、Cuを0.
1%以上含有させると、強度は向上するものの延性が低
下することを見出した。そして、Cuの含有量を0.1
%以下、最も好ましくは0.05%程度とすることによ
り、半田合金の強度向上効果を得ると同時に優れた延性
を備える合金が得られることを見出したのである。ま
た、Biは唯一Pbに十分に固溶し、さらにBi含有量
を3%以下とすることにより、半田合金の延性を損なわ
ずに強度を改善することができた。Conventionally, when Cu is added to a fatigue-resistant solder alloy, 0.1% is added to improve the strength of the alloy.
The above Cu was contained. The present inventor has set Cu to 0.1.
It has been found that when the content is 1% or more, the strength is improved but the ductility is reduced. And, when the content of Cu is 0.1
%, Most preferably about 0.05%, it is possible to obtain an alloy having excellent ductility while obtaining the effect of improving the strength of the solder alloy. Further, Bi was solely and sufficiently dissolved in Pb, and by setting the Bi content to 3% or less, the strength could be improved without impairing the ductility of the solder alloy.
【0018】Sn−Pb系半田合金の伸びは共晶成分で
ほぼ最大値を発現するが、この共晶成分に他元素を含有
させると合金の伸びは減少する。これに対し、特に本発
明の成分系においては、Sn−Pb系合金に含有させる
その他成分の総含有量を5%以下に抑えることにより、
合金の延性を確保することができた。The elongation of the Sn-Pb-based solder alloy exhibits almost the maximum value in the eutectic component, but when the eutectic component contains another element, the elongation of the alloy decreases. On the other hand, particularly in the component system of the present invention, by controlling the total content of other components contained in the Sn-Pb-based alloy to 5% or less,
The ductility of the alloy could be secured.
【0019】即ち、本発明の要旨とするところは、以下
のとおりである。 (1)Sn:55〜70質量%、Ag:0.5〜5.0
質量%、Sb:0.1〜3.0質量%、Bi:0.1〜
3.0質量%、Cu:0.01〜0.1質量%を含み、
残部Pb及び不可避不純物からなり、かつAg、Sb、
Bi、Cuの合計含有量が5.0質量%以下であること
を特徴とする半田合金。 (2)さらにFe、Ni、Zn、In、Pt、Pdから
なる群から選ばれた1種又は2種以上の金属を合計で
0.01〜0.5質量%含有することを特徴とする上記
(1)に記載の半田合金。 (3)さらにP:0.0005〜0.005質量%を含
有することを特徴とする上記(1)又は(2)に記載の
半田合金。 (4)電子部材用半田バンプに用いることを特徴とする
上記(1)乃至(3)のいずれかに記載の半田合金。 (5)上記(1)乃至(3)のいずれかに記載の半田合
金よりなることを特徴とする電子部材用半田ボール。 (6)半田バンプを有する電子部材であって、該半田バ
ンプの一部又は全部は上記(1)乃至(3)のいずれか
に記載の半田合金により形成してなることを特徴とする
電子部材。 (7)複数の電子部品間を半田電極によって接合した電
子部材であって、該半田電極の一部又は全部は上記
(1)乃至(3)のいずれかに記載の半田合金によって
形成してなることを特徴とする電子部材。That is, the gist of the present invention is as follows. (1) Sn: 55 to 70% by mass, Ag: 0.5 to 5.0
Mass%, Sb: 0.1 to 3.0 mass%, Bi: 0.1 to
3.0% by mass, Cu: 0.01 to 0.1% by mass,
The balance is composed of Pb and unavoidable impurities, and Ag, Sb,
A solder alloy, wherein the total content of Bi and Cu is 5.0% by mass or less. (2) The composition as described above, further comprising a total of 0.01 to 0.5% by mass of one or more metals selected from the group consisting of Fe, Ni, Zn, In, Pt, and Pd. The solder alloy according to (1). (3) The solder alloy according to the above (1) or (2), further containing P: 0.0005 to 0.005% by mass. (4) The solder alloy according to any one of the above (1) to (3), which is used for a solder bump for an electronic member. (5) A solder ball for an electronic member, comprising the solder alloy according to any one of (1) to (3). (6) An electronic member having solder bumps, wherein a part or all of the solder bumps are formed of the solder alloy according to any one of the above (1) to (3). . (7) An electronic member in which a plurality of electronic components are joined by a solder electrode, and a part or all of the solder electrode is formed of the solder alloy according to any one of (1) to (3). An electronic member characterized by the above-mentioned.
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】本発明の半田合金は、半田凝固組
織中に金属間化合物を析出させる従来タイプの耐疲労半
田の弱点であった強度向上に逆比例していた延展性不足
に鑑みてされたものである。即ち、液体状態では均一に
溶融し、固体状態では凝固組織中に過度に金属間化合物
が析出することなく、更に半田合金自身が少量の半田で
実装部品を保持するために必要とする十分な強度を持
ち、熱応力や衝撃等を緩和するための延展性をSn−P
b系合金共晶組成並又はそれ以上の展延性を兼ね備え
た、耐疲労性および耐衝撃性に優れた半田合金である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The solder alloy of the present invention takes into account the lack of ductility which is inversely proportional to the strength improvement, which was a weak point of the conventional fatigue-resistant solder in which an intermetallic compound is precipitated in the solidified structure of the solder. It was done. That is, in the liquid state, it melts uniformly, in the solid state, there is no excessive precipitation of intermetallic compounds in the solidified structure, and the solder alloy itself has sufficient strength to hold the mounted component with a small amount of solder. And Sn-P for ductility to reduce thermal stress and impact
It is a solder alloy having excellent fatigue resistance and impact resistance, having a ductility equal to or higher than the eutectic composition of the b-based alloy.
【0021】SnはPbと合金化した時、共晶点(S
n:63質量%)で融点が一番低くなる共晶温度(18
3℃)をとる。本発明の半田合金はプリント配線基板に
CPUや電子部品を実装する際に用いられるBGA用半
田ボール等での接合に適する成分とするためには、S
n:55〜70質量%とする必要がある。When Sn is alloyed with Pb, the eutectic point (S
n: 63% by mass), and the eutectic temperature (18
3 ° C). In order for the solder alloy of the present invention to be a component suitable for bonding with a BGA solder ball or the like used when mounting a CPU or electronic components on a printed wiring board, S
n: 55 to 70% by mass.
【0022】AgはSn−Pb半田合金に添加すると、
半田凝固時にAg3Sn等の金属間化合物を結晶粒界等
に微細析出し、Pbの粗粒化を抑制し、耐疲労性を改善
する効果がある。Sn−Pb半田合金中に、0.5質量
%より少ない添加量では耐疲労性に顕著な改善は見られ
ず、また5質量%以上の添加では液相線温度が上昇し、
プリント配線基板にCPUや電子部品を実装する際に用
いられるBGA用半田には適さなくなる。経済的観点か
らはAg含有量を2.5質量%以下とすることが望まし
い。When Ag is added to the Sn—Pb solder alloy,
At the time of solder solidification, an intermetallic compound such as Ag 3 Sn is finely precipitated at a crystal grain boundary or the like, thereby suppressing the coarsening of Pb and improving fatigue resistance. In the Sn-Pb solder alloy, the addition of less than 0.5% by mass does not show remarkable improvement in fatigue resistance, and the addition of 5% by mass or more increases the liquidus temperature,
It is not suitable for BGA solder used when mounting a CPU or electronic components on a printed wiring board. From an economic viewpoint, it is desirable that the Ag content be 2.5% by mass or less.
【0023】本発明は上述のように、Agを含有するS
n−Pb系半田合金に更にSbを含有させることによ
り、低温におけるSn変態を抑制することができる。S
b含有量は、0.2質量%未満ではSnの低温変態の抑
制効果が十分ではないので、下限を0.2質量%とす
る。また、3.0質量%を超えると半田の濡れ性が低下
し始めるので、上限を3.0質量%とする。As described above, the present invention relates to a method for preparing Ag-containing S
By further containing Sb in the n-Pb-based solder alloy, Sn transformation at a low temperature can be suppressed. S
If the b content is less than 0.2% by mass, the effect of suppressing the low-temperature transformation of Sn is not sufficient, so the lower limit is set to 0.2% by mass. If the content exceeds 3.0% by mass, the wettability of the solder starts to decrease. Therefore, the upper limit is set to 3.0% by mass.
【0024】以上のような半田合金の耐疲労性向上に加
え、本発明においては、基板−基板での半田接合におけ
る熱サイクル衝撃試験(TCT評価)において、従来困
難であった1000サイクル耐久性を実現し、さらに半
導体素子実装におけるシリコンチップを直接基板に接続
するフリップチップ接続における信頼性を向上して実用
性を増大するとともに、耐衝撃性を改善するため、Cu
およびBiの適量添加を行う。In addition to the improvement in the fatigue resistance of the solder alloy as described above, in the present invention, the thermal cycle impact test (TCT evaluation) in the board-to-board solder joints has shown that the conventional 1000 cycle durability was difficult. In order to improve the reliability and the practicality while improving the reliability in flip-chip connection in which a silicon chip is directly connected to a substrate in semiconductor element mounting, and to improve impact resistance, Cu
And Bi are added in appropriate amounts.
【0025】Cuは半田合金の強度を向上して耐疲労性
を改善する。従来の耐疲労性半田合金においては、Cu
による強度向上効果を得るためにはCuを0.1%以上
含有させることが好ましいとされていた。しかし、0.
1%を超えるCuを含有させると、強度は向上するもの
の半田合金の延性が低下することが明らかになった。本
発明においては、Cu含有量の上限を0.1質量%とす
ることにより、半田合金の延性を損なわずに強度の向上
を図り、半田合金の耐疲労性と耐衝撃性を大幅に改善し
た点に最大の特徴がある。Cu含有による効果を得るた
めには、Cu含有量の下限を0.01質量%とする。C
u含有量の範囲は、より好ましくは上限を0.07質量
%、下限を0.03質量%とする。0.05質量%程度
のCu含有量において最も好ましい結果が得られる。Cu improves the strength of the solder alloy and improves the fatigue resistance. In a conventional fatigue-resistant solder alloy, Cu
In order to obtain the effect of improving the strength, it is said that it is preferable to contain Cu in an amount of 0.1% or more. However, 0.
It has been clarified that when Cu exceeds 1%, the strength is improved but the ductility of the solder alloy is reduced. In the present invention, by setting the upper limit of the Cu content to 0.1% by mass, the strength is improved without impairing the ductility of the solder alloy, and the fatigue resistance and impact resistance of the solder alloy are significantly improved. The point has the biggest feature. In order to obtain the effect by the Cu content, the lower limit of the Cu content is set to 0.01% by mass. C
The upper limit of the u content is more preferably 0.07% by mass and the lower limit is 0.03% by mass. The most favorable results are obtained with a Cu content of about 0.05% by mass.
【0026】本発明はさらに、延性を損なわずに強度を
改善するために、半田合金にBiを添加する。Biは唯
一Pbに十分に固溶し、少量のBi添加によって機械的
特性を改善することができる。Bi添加効果を得るため
には、0.1質量%以上を含有することが必要である。
一方、Bi含有量が3.0質量%を超えると半田合金が
脆性的になるので、上限を3.0質量%とする。半田合
金の機械的強度を改善し、延性を損なわないためのより
好ましいBiの範囲は0.1〜1.0質量%である。In the present invention, Bi is added to the solder alloy in order to improve the strength without impairing the ductility. Bi is solely sufficiently dissolved in Pb, and the mechanical properties can be improved by adding a small amount of Bi. In order to obtain the effect of adding Bi, it is necessary to contain 0.1% by mass or more.
On the other hand, if the Bi content exceeds 3.0% by mass, the solder alloy becomes brittle, so the upper limit is set to 3.0% by mass. A more preferable range of Bi for improving the mechanical strength of the solder alloy and not impairing the ductility is 0.1 to 1.0% by mass.
【0027】Sn−Pb系半田合金は、共晶成分におい
て伸びがほぼ最大となる。共晶成分においてその他の元
素を含有させると、特に本発明の成分系においては、半
田合金の伸びに影響を及ぼす。本発明においては、A
g、Sb、Bi、Cuの合計含有量を5.0質量%以下
とすることにより、良好な延性を確保することができ
る。これら成分の合計含有量が5.0質量%を超える
と、半田合金の延性が大幅に低減する。The Sn-Pb solder alloy has the maximum elongation in the eutectic component. The inclusion of other elements in the eutectic component affects the elongation of the solder alloy, particularly in the component system of the present invention. In the present invention, A
By setting the total content of g, Sb, Bi, and Cu to 5.0% by mass or less, good ductility can be ensured. If the total content of these components exceeds 5.0% by mass, the ductility of the solder alloy is significantly reduced.
【0028】本発明の上記(2)においては、上記
(1)の発明にさらにFe、Ni、Zn、In、Pt、
Pdからなる群から選ばれた1種又は2種以上の金属を
合計で0.01〜0.5質量%含有する。これらの成分
を含有すると、Sn及び/又はSbと微細金属間化合物
を作り、半田中に微細分散することによりPbの粗粒化
抑制に寄与する。ただし、その含有量が0.5質量%を
超えると該半田合金の延性が低下することから、含有量
の上限を0.5質量%とした。また該合金元素の含有量
が0.05質量%未満となると、該元素を含有しない場
合と明確な差が認められなかったことから、0.05質
量%を含有量の下限とした。In the above (2) of the present invention, Fe, Ni, Zn, In, Pt,
One or more metals selected from the group consisting of Pd are contained in a total amount of 0.01 to 0.5% by mass. When these components are contained, a fine intermetallic compound with Sn and / or Sb is formed and finely dispersed in the solder, thereby contributing to the suppression of coarsening of Pb. However, if the content exceeds 0.5% by mass, the ductility of the solder alloy decreases, so the upper limit of the content was set to 0.5% by mass. Further, when the content of the alloy element was less than 0.05% by mass, no clear difference was observed from the case where the element was not contained. Therefore, the lower limit of the content was 0.05% by mass.
【0029】本発明の上記(3)においては、上記
(1)(2)の発明にさらにP:0.0005〜0.0
05質量%を含有する。Pを含有すると半田の濡れ性の
改善に効果があり、0.0005質量%以上のP添加で
濡れ性は改善される。また、0.005質量%を超える
P添加では半田合金材料が硬くなり、TCT評価材料、
耐衝撃評価材料のように延性が必要とされる用途では材
料特性を示さなくなるので、P含有量の上限を0.00
5質量%とした。In the above (3) of the present invention, P: 0.0005 to 0.0 is added to the above (1) and (2).
Contains 0.05% by mass. When P is contained, it is effective in improving the wettability of the solder, and the wettability is improved by adding 0.0005% by mass or more of P. Further, when P is added in excess of 0.005% by mass, the solder alloy material becomes hard, and the TCT evaluation material,
In applications where ductility is required, such as impact resistance materials, the material properties are not exhibited.
The content was 5% by mass.
【0030】本発明の半田合金は、以上詳細に述べたよ
うに高い材料強度を有するとともに対疲労特性、対衝撃
特性に特に優れているので、本発明の半田合金を電子部
材用の半田バンプとして使用すると好ましい結果を得る
ことができる。As described in detail above, the solder alloy of the present invention has a high material strength and is particularly excellent in fatigue resistance and impact resistance. Therefore, the solder alloy of the present invention is used as a solder bump for electronic members. When used, favorable results can be obtained.
【0031】本発明の上記(5)の半田ボールは、半田
バンプを形成するための半田ボールとして好適である。
電子部材の表面に形成された電極に、フラックスあるい
は半田ペーストを介して本発明の半田ボールを被着し、
次いで高温に加熱することによって半田を溶融リフロー
させることにより、電子部材表面の電極上に半田バンプ
が形成される。The solder ball (5) of the present invention is suitable as a solder ball for forming a solder bump.
On the electrodes formed on the surface of the electronic member, adhere the solder ball of the present invention via a flux or solder paste,
Next, the solder is melted and reflowed by heating to a high temperature, so that a solder bump is formed on the electrode on the surface of the electronic member.
【0032】本発明の上記(6)は、本発明の半田合金
により形成された半田バンプを有する電子部材である。
半田バンプを形成する手段としては、本発明(5)の半
田ボールを用いて電子部材上に形成すると好ましい。The above (6) of the present invention is an electronic member having a solder bump formed of the solder alloy of the present invention.
As means for forming a solder bump, it is preferable to form the solder bump on an electronic member using the solder ball of the present invention (5).
【0033】半田バンプを形成するに際し、半田ペース
トを用いる場合には、リフロー後の半田バンプは、半田
ボールと半田ペースト中の半田成分とが溶融混合したも
のとなる。リフローの際、用いられる半田ペーストに
は、ペースト中に本発明のAg、Sb、Bi、Cu、そ
の他の半田合金成分が多量に含まれている半田合金が用
いられている場合がある一方、添加元素を全く含んでい
ないSn−Pb共晶半田が用いられている場合もある。
従って、半田ボールに含まれる添加元素の含有量は、ペ
ースト中の半田と半田ボールとが混合された後、添加元
素含有量が本発明半田合金における最適成分範囲となる
ように、使用ペーストの成分と使用量とに応じて添加成
分濃度を調整しておくと良い。When a solder paste is used to form the solder bumps, the solder bumps after the reflow are formed by melting and mixing the solder balls and the solder components in the solder paste. At the time of reflow, the solder paste used may contain a solder alloy containing a large amount of Ag, Sb, Bi, Cu, and other solder alloy components of the present invention in the paste. In some cases, Sn-Pb eutectic solder containing no element is used.
Therefore, the content of the additive element contained in the solder ball, after the solder and the solder ball in the paste are mixed, the components of the paste used, so that the additive element content is within the optimal component range in the solder alloy of the present invention. It is preferable to adjust the concentration of the additive component according to the amount and the amount used.
【0034】フリップチップ接合のように複数の電子部
品間を半田電極によって接合した電子部材においては、
本発明の上記(7)にあるように、該半田電極の一部又
は全部を本発明の半田合金によって形成する。接合に際
しては、まず接合するそれぞれの電子部品表面の平面電
極上に、本発明の半田合金によって半田バンプを形成す
る(本発明(6))。ついで、半田バンプを形成した2
枚の電子部品を対面させ、接合する電極上の半田バンプ
を相互に接触させて高温に加熱することにより、双方の
半田バンプが溶融・リフローし、対面した電子部品間の
接合個所が半田電極によって接合されることとなる。本
発明の半田合金によって接合されているので、接合部位
の半田電極は高い強度を有するとともに対疲労特性、対
衝撃特性が特に優れている。In an electronic member in which a plurality of electronic components are joined by solder electrodes, such as flip chip joining,
As described in the above (7) of the present invention, a part or all of the solder electrode is formed of the solder alloy of the present invention. At the time of joining, first, a solder bump is formed by a solder alloy of the present invention on a flat electrode on the surface of each electronic component to be joined (the present invention (6)). Next, solder bumps 2 were formed.
By facing the two electronic components and bringing the solder bumps on the electrodes to be joined into contact with each other and heating them to a high temperature, both solder bumps melt and reflow, and the joints between the facing electronic components are joined by the solder electrodes. It will be joined. Since the solder electrodes are joined by the solder alloy of the present invention, the solder electrodes at the joining portions have high strength and are particularly excellent in fatigue resistance and impact resistance.
【0035】[0035]
【実施例】(実施例1)耐熱疲労特性の評価 表1に示す成分を有する直径300μmの半田ボールを
製造し、この半田ボールを基板表面の電極に半田ペース
トを介して被着し、溶融・リフローして半田バンプとし
た。基板上の電極数は240である。基板としてガラス
エポキシ樹脂基板(4cm角)と同じガラスエポキシ樹
脂基板(1cm角)を用いた。両基板を対面させ、双方
の半田バンプを接触させて溶融・リフローすることによ
り、両基板をフリップチップ接合した。ついで、このフ
リップチップ接合した電子部材について熱衝撃サイクル
テストを行った。熱衝撃サイクルテスト(TCT評価)
は、−40℃〜125℃の熱サイクルをかけ、1000
サイクルまで破断の発生しなかったものを合格とした。
熱サイクルはさらに2000サイクルまで実施し、破断
発生率の推移を調査した。EXAMPLES Example 1 Evaluation of Thermal Fatigue Properties A 300 μm diameter solder ball having the components shown in Table 1 was manufactured, and this solder ball was adhered to an electrode on the substrate surface via a solder paste. Reflow solder bumps were obtained. The number of electrodes on the substrate is 240. The same glass epoxy resin substrate (1 cm square) as the glass epoxy resin substrate (4 cm square) was used as the substrate. The two substrates were flip-chip bonded by facing each other, contacting both solder bumps, and melting and reflowing. Next, a thermal shock cycle test was performed on the flip-chip bonded electronic member. Thermal shock cycle test (TCT evaluation)
Is subjected to a thermal cycle of −40 ° C. to 125 ° C.
Those which did not cause breakage until the cycle were judged as acceptable.
The thermal cycle was further performed up to 2000 cycles, and the change in the rate of breakage was investigated.
【0036】表1において、本発明例1〜4が本発明例
である。比較例1はSn−Pb共晶合金、比較例2はA
g含有Sn−Pb共晶合金、比較例3はAg、Sb含有
Sn−Pb共晶合金、比較例4はCuの含有量が本発明
の範囲を上限に外れる例である。In Table 1, Examples 1 to 4 of the present invention are Examples of the present invention. Comparative Example 1 was a Sn-Pb eutectic alloy, and Comparative Example 2 was A
The g-containing Sn-Pb eutectic alloy, Comparative Example 3 is an example in which the content of Cu is outside the range of the present invention, and the Cu content is outside the range of the present invention.
【0037】[0037]
【表1】 [Table 1]
【0038】[0038]
【表2】 [Table 2]
【0039】表2に破断発生率の結果を示す。本発明例
1〜4はいずれも1000サイクルにおいて破断が発生
しておらず、良好な結果を得ることができた。それに対
し、比較例はいずれも1000サイクルにおいて破断が
発生している。比較例4においては、Cuの含有量が
0.2%と本発明範囲を外れているため、1000サイ
クルにおいて破断が発生した。Table 2 shows the results of the rate of occurrence of breakage. In each of Inventive Examples 1 to 4, no break occurred in 1000 cycles, and good results could be obtained. In contrast, in each of the comparative examples, breakage occurred at 1000 cycles. In Comparative Example 4, since the content of Cu was 0.2%, which was out of the range of the present invention, breakage occurred at 1000 cycles.
【0040】Sbの最も好適な含有量は0.5質量%で
ある。本発明例1においては、半田ボール中のSb含有
量が0.5質量%であったが、半田バンプにおいては半
田ペースト中の半田によって希釈され、Sb含有量が若
干低下したと考えられる。一方、本発明例2、3におい
ては半田ボール中のSb含有量が0.7質量%であり、
半田バンプにおいては同じく希釈されてむしろ好適な含
有量である0.5質量%に近づいたものと考えられる。
その結果、表2に示すように、熱サイクルテストの12
00〜1600サイクルにおいては、本発明例2、3は
本発明例1よりも良好な結果となっている。The most preferred content of Sb is 0.5% by mass. In Example 1 of the present invention, the Sb content in the solder ball was 0.5% by mass, but it is considered that the Sb content in the solder bumps was slightly reduced by the dilution in the solder paste. On the other hand, in Examples 2 and 3 of the present invention, the Sb content in the solder ball was 0.7% by mass,
It is considered that the solder bumps were also diluted and approached a preferable content of 0.5% by mass.
As a result, as shown in Table 2, the heat cycle test 12
In the cycles of 00 to 1600, Examples 2 and 3 of the present invention had better results than Example 1 of the present invention.
【0041】(実施例2)耐衝撃特性の評価 表3に示す成分を有する直径300ミクロンの半田ボー
ルを用い、上記実施例1と同様にして2枚のガラスエポ
キシ樹脂基板を接合した。この基板を幅11cm、長さ
11cm、厚さ2cmのアルミ板の上部にねじ止めし、
高さ70cmの位置から落下させて各半田接合部の導通
を確認することにより、耐衝撃特性の評価を行った。初
期接続抵抗状態から50%以上の抵抗変化があった段階
を導通不良、破断と定義し、各5基板セットを落下さ
せ、平均耐衝撃数でそれぞれの接続信頼性を評価した。
本発明例1〜4、比較例1〜3は実施例1と同様であ
る。比較例4は本発明に対してCuの含有量が範囲を上
限に外れる例であり、比較例5はFeの含有量が本発明
の上限を外れる例である。Example 2 Evaluation of Impact Resistance Two glass epoxy resin substrates were joined in the same manner as in Example 1 above, using a 300 μm diameter solder ball having the components shown in Table 3. This substrate is screwed on top of an aluminum plate 11 cm wide, 11 cm long and 2 cm thick,
The impact resistance was evaluated by confirming the continuity of each solder joint by dropping from a height of 70 cm. The stage where the resistance changed by 50% or more from the initial connection resistance state was defined as conduction failure and breakage, each set of five substrates was dropped, and the connection reliability was evaluated by the average number of impact resistance.
Inventive Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 are the same as Example 1. Comparative Example 4 is an example in which the Cu content falls outside the upper limit of the present invention, and Comparative Example 5 is an example in which the Fe content falls outside the upper limit of the present invention.
【0042】[0042]
【表3】 [Table 3]
【0043】本発明例1〜4においては、いずれも平均
耐衝撃数は8.5回以上と良好な結果を示した。比較例
2、3、4は、いずれも従来の対疲労性半田合金を用い
ているものの、平均耐衝撃数は7回程度であり、本発明
例の半田合金が耐衝撃性に優れていることが判明した。
比較例5においては、Feの含有量が本発明の上限であ
る0.5質量%を超えているため、延性が著しく低下
し、落下による耐衝撃評価では平均耐衝撃数が3回まで
達していない。In each of Examples 1 to 4 of the present invention, the average impact resistance was 8.5 times or more, showing good results. Comparative Examples 2, 3, and 4 all use a conventional anti-fatigue solder alloy, but have an average impact resistance of about 7 times, indicating that the solder alloy of the present invention is excellent in impact resistance. There was found.
In Comparative Example 5, since the Fe content exceeded the upper limit of 0.5% by mass of the present invention, the ductility was significantly reduced, and the average impact resistance reached 3 times in the impact resistance evaluation by dropping. Absent.
【0044】[0044]
【発明の効果】Ag、Sb、Bi、Cuを含むSn−P
b系半田合金において、特にCuの含有量範囲を最適化
することにより、高い機械強度と優れた対疲労性を有す
るとともに、対衝撃性にも優れた半田合金を得ることが
できた。この半田合金を電子部材用半田バンプ、電子部
材用半田ボールに適用し、さらに半田バンプを有する電
子部材に適用することにより、特に温度サイクル等の繰
返し応力が付加されることにより金属疲労が起こりやす
い環境において使用される電子部品の微小半田接合につ
いて、半田接合部の疲労破壊や衝撃破壊を防止すること
ができた。According to the present invention, Sn-P containing Ag, Sb, Bi, and Cu is used.
By optimizing the range of the Cu content in the b-based solder alloy, a solder alloy having high mechanical strength, excellent fatigue resistance, and excellent impact resistance was obtained. By applying this solder alloy to an electronic member solder bump and an electronic member solder ball, and further to an electronic member having a solder bump, metal fatigue is likely to occur due to repeated stress such as a temperature cycle. With regard to micro solder bonding of electronic components used in the environment, it was possible to prevent fatigue and impact destruction of solder joints.
フロントページの続き (72)発明者 巽 宏平 富津市新富20−1 新日本製鐵株式会社技 術開発本部内 (72)発明者 橋野 英児 富津市新富20−1 新日本製鐵株式会社技 術開発本部内 (72)発明者 寺嶋 晋一 富津市新富20−1 新日本製鐵株式会社技 術開発本部内 Fターム(参考) 5E319 AC01 BB04 BB05 CD26 GG11 GG20 Continuing on the front page (72) Inventor Kohei Tatsumi 20-1 Shintomi, Futtsu-shi Nippon Steel Corporation Technology Development Division (72) Inventor Hideji Hashino 20-1 Shintomi, Futtsu-shi Technology Development Nippon Steel Corporation Within the headquarters (72) Inventor Shinichi Terashima 20-1 Shintomi, Futtsu City Nippon Steel Corporation Technology Development Headquarters F-term (reference) 5E319 AC01 BB04 BB05 CD26 GG11 GG20
Claims (7)
〜5.0質量%、Sb:0.1〜3.0質量%、Bi:
0.1〜3.0質量%、Cu:0.01〜0.1質量%
を含み、残部Pb及び不可避不純物からなり、かつA
g、Sb、Bi、Cuの合計含有量が5.0質量%以下
であることを特徴とする半田合金。1. Sn: 55 to 70% by mass, Ag: 0.5
To 5.0% by mass, Sb: 0.1 to 3.0% by mass, Bi:
0.1 to 3.0% by mass, Cu: 0.01 to 0.1% by mass
And the balance consists of Pb and unavoidable impurities, and
A solder alloy having a total content of g, Sb, Bi, and Cu of 5.0% by mass or less.
Pdからなる群から選ばれた1種又は2種以上の金属を
合計で0.01〜0.5質量%含有することを特徴とす
る請求項1に記載の半田合金。2. Further, Fe, Ni, Zn, In, Pt,
The solder alloy according to claim 1, wherein one or more metals selected from the group consisting of Pd are contained in a total amount of 0.01 to 0.5% by mass.
量%を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載
の半田合金。3. The solder alloy according to claim 1, further comprising 0.0005 to 0.005% by mass of P.
徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半田合金。4. The solder alloy according to claim 1, wherein the solder alloy is used for a solder bump for an electronic member.
合金よりなることを特徴とする電子部材用半田ボール。5. A solder ball for an electronic member, comprising a solder alloy according to claim 1. Description:
該半田バンプの一部又は全部は請求項1乃至3のいずれ
かに記載の半田合金により形成してなることを特徴とす
る電子部材。6. An electronic member having solder bumps,
An electronic member, wherein a part or all of the solder bump is formed of the solder alloy according to claim 1.
合した電子部材であって、該半田電極の一部又は全部は
請求項1乃至3のいずれかに記載の半田合金によって形
成してなることを特徴とする電子部材。7. An electronic member in which a plurality of electronic components are joined by a solder electrode, wherein a part or all of the solder electrode is formed by the solder alloy according to claim 1. An electronic member characterized by the above-mentioned.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000279832A JP2002086294A (en) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | Electronic member having solder alloy, solder ball and solder bump |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000279832A JP2002086294A (en) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | Electronic member having solder alloy, solder ball and solder bump |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002086294A true JP2002086294A (en) | 2002-03-26 |
Family
ID=18764778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000279832A Pending JP2002086294A (en) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | Electronic member having solder alloy, solder ball and solder bump |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002086294A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7070088B2 (en) * | 2004-03-09 | 2006-07-04 | Texas Instruments Incorporated | Method of semiconductor device assembly including fatigue-resistant ternary solder alloy |
RU2326758C1 (en) * | 2006-12-25 | 2008-06-20 | Юлия Алексеевна Щепочкина | Tin-lead solder |
WO2011102034A1 (en) * | 2010-02-16 | 2011-08-25 | 株式会社タムラ製作所 | Lead-free solder alloy, and solder paste and packaged components using same |
JP2020516765A (en) * | 2017-04-10 | 2020-06-11 | メタロ ベルジウム | Improved manufacturing method for coarse solder |
US11285569B2 (en) | 2003-04-25 | 2022-03-29 | Henkel Ag & Co. Kgaa | Soldering material based on Sn Ag and Cu |
CN118043166A (en) * | 2021-09-30 | 2024-05-14 | 千住金属工业株式会社 | Solder alloy, solder ball, solder preform, solder paste, and solder joint |
-
2000
- 2000-09-14 JP JP2000279832A patent/JP2002086294A/en active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11285569B2 (en) | 2003-04-25 | 2022-03-29 | Henkel Ag & Co. Kgaa | Soldering material based on Sn Ag and Cu |
US7070088B2 (en) * | 2004-03-09 | 2006-07-04 | Texas Instruments Incorporated | Method of semiconductor device assembly including fatigue-resistant ternary solder alloy |
RU2326758C1 (en) * | 2006-12-25 | 2008-06-20 | Юлия Алексеевна Щепочкина | Tin-lead solder |
WO2011102034A1 (en) * | 2010-02-16 | 2011-08-25 | 株式会社タムラ製作所 | Lead-free solder alloy, and solder paste and packaged components using same |
JPWO2011102034A1 (en) * | 2010-02-16 | 2013-06-17 | 株式会社タムラ製作所 | Lead-free solder alloy, solder paste using this, and mounted product |
JP2020516765A (en) * | 2017-04-10 | 2020-06-11 | メタロ ベルジウム | Improved manufacturing method for coarse solder |
JP7208912B2 (en) | 2017-04-10 | 2023-01-19 | アウルビス ベーアセ | Improved method for producing crude solder |
US12202076B2 (en) | 2017-04-10 | 2025-01-21 | Metallo Belgium | Process for the production of crude solder |
CN118043166A (en) * | 2021-09-30 | 2024-05-14 | 千住金属工业株式会社 | Solder alloy, solder ball, solder preform, solder paste, and solder joint |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4152596B2 (en) | Electronic member having solder alloy, solder ball and solder bump | |
KR100548114B1 (en) | Solder foil and semiconductor devices and electronic devices | |
JP3800977B2 (en) | Products using Zn-Al solder | |
JP4144415B2 (en) | Lead-free solder | |
EP1468777B1 (en) | Lead free solder | |
KR100719905B1 (en) | Sn-based solder alloys and semiconductor devices using the same | |
JP4428448B2 (en) | Lead-free solder alloy | |
EP1399600B1 (en) | Compositions, methods and devices for high temperature lead-free solder | |
JP2002301588A (en) | Solder foil, semiconductor device and electronic device | |
WO2002087297A1 (en) | Electronic apparatus | |
JP3796181B2 (en) | Electronic member having lead-free solder alloy, solder ball and solder bump | |
US20120193800A1 (en) | Solder, soldering method, and semiconductor device | |
US20020155024A1 (en) | Lead-free solder compositions | |
JP2002305213A (en) | Solder foil, semiconductor device and electronic device | |
TW504427B (en) | Composition, methods and devices for high temperature lead-free solder | |
JP5169871B2 (en) | Solder, soldering method and semiconductor device | |
JP4022139B2 (en) | Electronic device, electronic device mounting method, and electronic device manufacturing method | |
US7973412B2 (en) | Semiconductor device using lead-free solder as die bonding material and die bonding material not containing lead | |
JP2002086294A (en) | Electronic member having solder alloy, solder ball and solder bump | |
JP4432541B2 (en) | Electronics | |
JP5630060B2 (en) | Solder bonding method, semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP3919106B2 (en) | Metal core solder ball of Cu or Cu alloy ball | |
JP2008221330A (en) | Solder alloy | |
JP4432041B2 (en) | Solder alloys and solder balls | |
JP5899701B2 (en) | SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061019 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070124 |