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JP2002075817A - ウエハ識別情報記入方法ならびにウエハ識別情報記入用露光方法および装置 - Google Patents

ウエハ識別情報記入方法ならびにウエハ識別情報記入用露光方法および装置

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Publication number
JP2002075817A
JP2002075817A JP2000253652A JP2000253652A JP2002075817A JP 2002075817 A JP2002075817 A JP 2002075817A JP 2000253652 A JP2000253652 A JP 2000253652A JP 2000253652 A JP2000253652 A JP 2000253652A JP 2002075817 A JP2002075817 A JP 2002075817A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
identification information
mask
wafer identification
digit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000253652A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Shoji
茂 庄司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2000253652A priority Critical patent/JP2002075817A/ja
Priority to US09/925,323 priority patent/US6731373B2/en
Publication of JP2002075817A publication Critical patent/JP2002075817A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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    • G03F7/70541—Tagging, i.e. hardware or software tagging of features or components, e.g. using tagging scripts or tagging identifier codes for identification of chips, shots or wafers
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数個の薄膜素子が一括して形成されるウエ
ハに対して、露光用のマスクの種類を多く必要とせず且
つ短時間で、ウエハ識別情報を記入する。 【解決手段】 露光装置は、複数個の薄膜素子が一括し
て形成されるウエハ１に対して、パターニングされたレ
ジスト層を利用してウエハ識別情報を記入するために、
ウエハ１に形成されたレジスト層に対してウエハ識別情
報のパターンを露光する。露光装置は、ウエハ識別情報
の各桁毎に、マスク格納コントローラ２２およびマスク
移載機２３によって、記入する数字または記号のパター
ンが描画されたマスク３０を選択して露光を行う。ま
た、露光装置は、ウエハ識別情報における各桁の数字ま
たは記号が互いに異なる位置に記入されるように、マス
クシフトコントローラ２４によって、ウエハ識別情報に
おける各桁毎にウエハ１とマスク３０との位置関係を変
える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数個の薄膜素子
が一括して形成されるウエハに対してウエハ識別情報を
記入するためのウエハ識別情報記入方法ならびにウエハ
識別情報記入用露光方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜形成技術を用いて製造される薄膜素
子には、半導体素子や薄膜磁気ヘッド等がある。このよ
うな薄膜素子は、ウエハ（基板）上に薄膜形成技術等を
用いて複数個の薄膜素子を一括して形成した後、このウ
エハを個々の薄膜素子毎に分離することによって製造さ
れる。
【０００３】ところで、一般的に、上記薄膜素子には、
工程の管理や不良発生防止等のために、その薄膜素子が
属していたウエハを識別するためのウエハ識別情報と、
ウエハ内における薄膜素子の位置を識別するための素子
配置情報とが記入される。これらの情報は、ウエハが個
々の薄膜素子毎に分離される前の段階で、ウエハに対し
て記入される。ただし、情報の記入を行う工程は、薄膜
素子の形成前、形成途中、形成後のいずれであってもよ
い。
【０００４】従来、ウエハに対してウエハ識別情報およ
び素子配置情報を記入する方法としては、以下のような
２つの方法が一般的であった。以下の説明では、ウエハ
識別情報として、ウエハ毎に異なる番号よりなるウエハ
識別番号を記入し、素子配置情報として、ウエハ内にお
ける薄膜素子の位置を表す番号よりなる素子配置番号を
記入するものとする。
【０００５】第１の方法は、素子配置番号はフォトリソ
グラフィを用いて記入し、ウエハ識別番号はレーザマー
キングを用いて記入する方法である。以下、第１の方法
を、図１１の流れ図を参照して説明する。第１の方法で
は、まず、所定の下地の上に、レジストを塗布してレジ
スト層を形成する（ステップＳ２０１）。次に、このレ
ジスト層に対して、素子配置番号のパターンが描画され
たマスクを用いて、素子配置番号のパターンを一括露光
する（ステップＳ２０２）。次に、露光後のレジスト層
を現像し、レジストパターンを形成する（ステップＳ２
０３）。この後、レジストパターンをそのまま残して、
このレジストパターンによって素子配置番号を表すよう
にしてもよいし、このレジストパターンをマスクにし
て、レジストパターンの下地をイオンミリング等によっ
てエッチングして、素子配置番号を刻印するようにして
もよい。次に、レーザマーキング装置に対してウエハ識
別番号を入力する（ステップＳ２０４）。次に、レーザ
マーキング装置を用いて、ウエハ識別番号をレーザビー
ムによって刻印、すなわちレーザマーキングする（ステ
ップＳ２０５）。
【０００６】第２の方法は、レーザマーキングを用い
て、ウエハ識別番号および素子配置番号を記入する方法
である。以下、第２の方法を、図１２の流れ図を参照し
て説明する。第２の方法では、レーザマーキング装置に
対してウエハ識別番号を入力する（ステップＳ２１
１）。次に、レーザマーキング装置を用いて、ウエハ識
別番号および素子配置番号をレーザビームによって刻
印、すなわちレーザマーキングする（ステップＳ２１
２）。なお、素子配置番号は、刻印する薄膜素子に対応
するように、例えばソフトウエアによってレーザマーキ
ング装置内で発生させる。
【０００７】上記第１の方法および第２の方法は、例え
ば特開平９−５０６０６号公報に記載されている。
【０００８】図１３は、上記第１の方法および第２の方
法で用いられるレーザマーキング装置の構成の一例を示
す説明図である。このレーザマーキング装置は、ウエハ
３０１が載置され、互いに直交するＸ方向およびＹ方向
に移動可能なＸ−Ｙステージ３０２と、このＸ−Ｙステ
ージ３０２のＸ方向の位置を制御するＸ方向位置コント
ローラ３０３と、Ｘ−Ｙステージ３０２のＹ方向の位置
を制御するＹ方向位置コントローラ３０４とを備えてい
る。レーザマーキング装置は、更に、レーザビームを出
射するレーザ光源３０５と、このレーザ光源３０５から
出射されたレーザビームを集光するレンズ３０６と、こ
のレンズ３０６によって集光されたレーザビームを反射
して、Ｘ−Ｙステージ３０２上のウエハ３０１に照射す
るミラー３０７とを備えている。レーザマーキング装置
は、更に、Ｘ方向位置コントローラ３０３、Ｙ方向位置
コントローラ３０４およびレーザ光源３０５を制御する
制御装置３０８と、制御装置３０８に接続された記憶装
置３０９とを備えている。記憶装置３０９は、ウエハ３
０１内において情報を刻印する位置や、ウエハ３０１に
刻印する情報を記憶しており、これらを適宜、制御装置
３０８に与える。
【０００９】図１３に示したレーザマーキング装置で
は、制御装置３０８が、記憶装置３０９に記憶された情
報に基づいて、Ｘ方向位置コントローラ３０３およびＹ
方向位置コントローラ３０４を制御してＸ−Ｙステージ
３０２およびそれに載置されたウエハ３０１の位置を変
えながら、レーザ光源３０５から出射されたレーザビー
ムをウエハ３０１に照射することにより、ウエハ３０１
内の各薄膜素子の所定の位置に、ウエハ識別番号や素子
配置番号を刻印する。なお、Ｘ−Ｙステージ３０２およ
びウエハ３０１の位置を変える代りに、例えばミラー３
０７を動かしてレーザビームを動かしてもよい。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記の第１の方法およ
び第２の方法では、いずれも、少なくともウエハ識別番
号については、レーザマーキングを用いて、ウエハ内の
薄膜素子の一つ一つに順番に記入していくため、ウエハ
識別番号等の記入に多くの時間を要すると共に、ウエハ
内の薄膜素子の個数が増えるに従ってウエハ識別番号等
の記入に要する時間が増大するという問題点がある。特
に、薄膜素子が薄膜磁気ヘッドの場合では、薄膜素子は
小型化する一方で、ウエハサイズは大型化する傾向にあ
る。そのため、今後、ますますウエハ内の薄膜素子の個
数が増え、１枚のウエハ当たりの、ウエハ識別番号等の
記入に要する時間が増大することが考えられる。
【００１１】例えば、レーザマーキングを用いてウエハ
識別番号等を記入する場合、１薄膜素子当たり、マーキ
ングに０.５秒掛かるとすると、３インチ（７６．２ｍ
ｍ）のウエハ内に４０００個の薄膜素子が形成されてい
る場合には、１枚のウエハ当たり、マーキングに２００
０秒（約３３分）掛かる。これが、６インチ（１５２．
４ｍｍ）のウエハ内に１６０００個の薄膜素子が形成さ
れている場合には、１枚のウエハ当たり、マーキングに
８０００秒（約２時間１３分）掛かることになる。
【００１２】なお、同種の薄膜素子を形成する複数のウ
エハ間では、素子配置番号はウエハ毎に異なることはな
い。従って、このような複数のウエハについては、第１
の方法のように、素子配置番号が描画された共通のマス
クを用いて、フォトリソグラフィを用いて素子配置番号
を記入することが可能である。第１の方法では、素子配
置番号をフォトリソグラフィを用いて記入する分、レー
ザマーキングに要する時間は減る。しかしながら、フォ
トリソグラフィを用いて素子配置番号を記入する工程が
増える。
【００１３】特開昭６２−２０１１６号公報には、薄膜
磁気ヘッド用基板に対して、フォトリソグラフィを用い
て全素子についての素子配置番号を一括して記入する技
術が開示されている。しかしながら、この公報には、ウ
エハ識別番号を記入することは記載されていない。
【００１４】特開平４−１０２２１４号公報には、薄膜
磁気ヘッド用基板に対して、フォトリソグラフィを用い
て素子配置番号およびウエハ識別番号を一括して記入す
る技術が開示されている。しかしながら、この技術で
は、ウエハ識別番号の種類だけ露光用のマスクが必要に
なり、素子の製造コストが大きくなるという問題点があ
る。
【００１５】特開平４−３５６７１７号公報には、複数
の任意の記号を形成するためのフォトマスクと、この複
数の記号のうちの任意の記号のみを消去するためのフォ
トマスクとを用いて、薄膜磁気ヘッド用基板に対して記
号群を記入する技術が開示されている。しかしながら、
この技術では、複数の記号の有無の組み合わせによって
情報を表現するため、記号の個数に対して、表現できる
情報の種類が少ないという問題点がある。また、上記特
開平４−３５６７１７号公報には、フォトマスクが２枚
で済むと記載されている。しかしながら、この公報に開
示された技術では、消去用のフォトマスクの種類として
は、表現できる情報の種類から１を引いた数だけ必要に
なり、素子の製造コストが大きくなるという問題点があ
る。
【００１６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、複数個の薄膜素子が一括して形成さ
れるウエハに対して、露光用のマスクの種類を多く必要
とせず且つ短時間で、ウエハ識別情報を記入できるよう
にしたウエハ識別情報記入方法ならびにウエハ識別情報
記入用露光方法および装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明のウエハ識別情報
記入方法は、複数個の薄膜素子が一括して形成されるウ
エハに対して、各桁が数字または記号で表される複数の
桁を含むウエハ識別情報を、パターニングされたレジス
ト層を利用して記入する方法であって、ウエハ識別情報
を記入する対象となるウエハを選択する工程と、選択さ
れたウエハに対してレジスト層を形成する工程と、レジ
スト層に対してマスクを用いてウエハ識別情報のパター
ンを露光する工程と、露光後のレジスト層を現像してパ
ターニングされたレジスト層を形成する工程とを備え、
露光する工程では、ウエハ識別情報の各桁のうちウエハ
に応じて数字または記号が変化し得る桁に関して、１桁
毎に、記入する数字または記号のパターンが描画された
マスクを選択するものである。
【００１８】本発明のウエハ識別情報記入方法では、ウ
エハ識別情報の各桁のうちウエハに応じて数字または記
号が変化し得る桁に関して、１桁毎に、記入する数字ま
たは記号のパターンが描画されたマスクが選択され、選
択されたマスクを用いて露光が行われる。
【００１９】本発明のウエハ識別情報記入方法におい
て、露光する工程では、記入する数字または記号のパタ
ーンが描画されたマスクの選択と選択されたマスクを用
いた露光とを、ウエハ識別情報の桁の数だけ繰り返し実
行して、ウエハ識別情報の全ての桁についての露光を行
うようにしてもよい。
【００２０】また、本発明のウエハ識別情報記入方法に
おいて、露光する工程では、更に、レジスト層に対し
て、ウエハ内における薄膜素子の位置を識別するための
素子配置情報のパターンが描画されたマスクを用いて、
素子配置情報のパターンを露光するようにしてもよい。
【００２１】また、本発明のウエハ識別情報記入方法に
おいて、ウエハ識別情報における各桁の数字または記号
は、選択されるウエハの切り換えに応じて一定の規則に
従って変化し、露光する工程では、ウエハ識別情報にお
ける各桁の数字または記号の変化の規則に対応するよう
に、選択されるウエハの切り換えに応じて選択されるマ
スクの切り換えを行うようにしてもよい。
【００２２】また、本発明のウエハ識別情報記入方法に
おいて、露光する工程では、ウエハ識別情報における各
桁の数字または記号が互いに異なる位置に記入されるよ
うに、ウエハ識別情報における各桁毎にウエハとマスク
との位置関係を変えるようにしてもよい。
【００２３】また、本発明のウエハ識別情報記入方法
は、更に、パターニングされたレジスト層をレジストマ
スクとして、このレジスト層の下地の層をエッチングす
る工程を備えていてもよい。
【００２４】また、本発明のウエハ識別情報記入方法
は、更に、パターニングされたレジスト層をフレームと
してめっきを行ってめっき層を形成する工程を備えてい
てもよい。
【００２５】本発明のウエハ識別情報記入用露光方法
は、複数個の薄膜素子が一括して形成されるウエハに対
して、各桁が数字または記号で表される複数の桁を含む
ウエハ識別情報を、パターニングされたレジスト層を利
用して記入するために、ウエハに形成されたレジスト層
に対してウエハ識別情報のパターンを露光する方法であ
って、ウエハ識別情報を記入する対象となるウエハを選
択する工程と、選択されたウエハにおけるレジスト層に
対して、マスクを用いてウエハ識別情報のパターンを露
光する工程とを備え、露光する工程では、ウエハ識別情
報の各桁のうちウエハに応じて数字または記号が変化し
得る桁に関して、１桁毎に、記入する数字または記号の
パターンが描画されたマスクを選択して露光を行うもの
である。
【００２６】本発明のウエハ識別情報記入用露光方法で
は、ウエハ識別情報の各桁のうちウエハに応じて数字ま
たは記号が変化し得る桁に関して、１桁毎に、記入する
数字または記号のパターンが描画されたマスクが選択さ
れ、選択されたマスクを用いて露光が行われる。
【００２７】本発明のウエハ識別情報記入用露光方法に
おいて、露光する工程では、記入する数字または記号の
パターンが描画されたマスクの選択と選択されたマスク
を用いた露光とを、ウエハ識別情報の桁の数だけ繰り返
し実行して、ウエハ識別情報の全ての桁についての露光
を行うようにしてもよい。
【００２８】また、本発明のウエハ識別情報記入用露光
方法において、露光する工程では、更に、レジスト層に
対して、ウエハ内における薄膜素子の位置を識別するた
めの素子配置情報のパターンが描画されたマスクを用い
て、素子配置情報のパターンを露光するようにしてもよ
い。
【００２９】また、本発明のウエハ識別情報記入用露光
方法において、ウエハ識別情報における各桁の数字また
は記号は、選択されるウエハの切り換えに応じて一定の
規則に従って変化し、露光する工程では、ウエハ識別情
報における各桁の数字または記号の変化の規則に対応す
るように、選択されるウエハの切り換えに応じて選択さ
れるマスクの切り換えを行うようにしてもよい。
【００３０】また、本発明のウエハ識別情報記入用露光
方法において、露光する工程では、ウエハ識別情報にお
ける各桁の数字または記号が互いに異なる位置に記入さ
れるように、ウエハ識別情報における各桁毎にウエハと
マスクとの位置関係を変えるようにしてもよい。
【００３１】本発明のウエハ識別情報記入用露光装置
は、複数個の薄膜素子が一括して形成されるウエハに対
して、各桁が数字または記号で表される複数の桁を含む
ウエハ識別情報を、パターニングされたレジスト層を利
用して記入するために、ウエハに形成されたレジスト層
に対してウエハ識別情報のパターンを露光する装置であ
って、ウエハ識別情報を記入する対象となるウエハを選
択するウエハ選択手段と、ウエハ選択手段によって選択
されたウエハにおけるレジスト層に対して、マスクを用
いてウエハ識別情報のパターンを露光する露光手段とを
備え、露光手段は、ウエハ識別情報の各桁のうちウエハ
に応じて数字または記号が変化し得る桁に関して、１桁
毎に、記入する数字または記号のパターンが描画された
マスクを選択するマスク選択手段を有するものである。
【００３２】本発明のウエハ識別情報記入用露光装置で
は、ウエハ識別情報の各桁のうちウエハに応じて数字ま
たは記号が変化し得る桁に関して、マスク選択手段によ
って、１桁毎に、記入する数字または記号のパターンが
描画されたマスクが選択され、選択されたマスクを用い
て露光が行われる。
【００３３】本発明のウエハ識別情報記入用露光装置に
おいて、露光手段は、マスク選択手段によるマスクの選
択と選択されたマスクを用いた露光とを、ウエハ識別情
報の桁の数だけ繰り返し実行して、ウエハ識別情報の全
ての桁についての露光を行うようにしてもよい。
【００３４】また、本発明のウエハ識別情報記入用露光
装置において、露光手段は、更に、レジスト層に対し
て、ウエハ内における薄膜素子の位置を識別するための
素子配置情報のパターンが描画されたマスクを用いて、
素子配置情報のパターンを露光するようにしてもよい。
【００３５】また、本発明のウエハ識別情報記入用露光
装置において、ウエハ識別情報における各桁の数字また
は記号は、選択されるウエハの切り換えに応じて一定の
規則に従って変化し、マスク選択手段は、ウエハ識別情
報における各桁の数字または記号の変化の規則に対応す
るように、選択されるウエハの切り換えに応じて選択さ
れるマスクの切り換えを行うようにしてもよい。
【００３６】また、本発明のウエハ識別情報記入用露光
装置において、露光手段は、更に、ウエハ識別情報にお
ける各桁の数字または記号が互いに異なる位置に記入さ
れるように、ウエハ識別情報における各桁毎にウエハと
マスクとの位置関係を変える位置変更手段を有していて
もよい。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。始めに、図３を参照
して、本発明の一実施の形態に係るウエハ識別情報記入
方法ならびにウエハ識別情報記入用露光方法および装置
が適用されるウエハとそれに記入される情報について説
明する。図３に示したように、本実施の形態が適用され
るウエハ１には、複数個の薄膜素子（以下、単に素子と
記す。）２が一括して形成される。図３において１つの
素子２を拡大して示したように、各素子２の同じ位置に
は、ウエハ識別情報３と素子配置情報４とが記入され
る。なお、素子２は、半導体素子でもよいし、薄膜磁気
ヘッド等のマイクロデバイスであってもよい。
【００３８】ウエハ識別情報３は、ウエハを識別するた
めの情報であり、各桁が数字または記号で表される複数
の桁を含んでいる。ウエハ識別情報３はウエハ１毎に異
なる。
【００３９】素子配置情報４は、ウエハ１内における素
子２の位置を識別するための情報であり、各桁が数字ま
たは記号で表される複数の桁を含んでいる。素子配置情
報４は素子２毎に異なる。しかし、同種の素子２を形成
する複数のウエハ１では、素子配置情報４はウエハ１毎
に異なることはない。
【００４０】次に、図１を参照して、本実施の形態に係
るウエハ識別情報記入用露光装置（以下、単に露光装置
とも記す。）の構成について説明する。この露光装置
は、露光用の光を出射する光源１１と、ウエハ１が載置
されるウエハステージ１２と、光源１１とウエハステー
ジ１２との間に配置され、マスク３０が載置されるマス
クステージ１３とを備えている。露光装置は、更に、光
源１１とマスクステージ１３との間に配置された複眼集
光レンズ等の光学系１４と、マスクステージ１３とウエ
ハステージ１２との間に配置された露光レンズ１５とを
備えている。光学系１４は、光源１１から出射された光
を、マスクステージ１３に載置されたマスク３０に照射
する。露光レンズ１５は、マスク３０に描画されたパタ
ーンを、ウエハステージ１２に載置されたウエハ１に投
影する。
【００４１】露光装置は、更に、複数のウエハ１を格納
するウエハ格納機１６と、ウエハ格納機１６の位置を制
御するウエハ格納コントローラ１７と、ウエハ格納機１
６とウエハステージ１２との間でウエハ１を移動させる
ウエハ移載機１８とを備えている。ウエハ格納コントロ
ーラ１７は、ウエハ格納機１６における任意のウエハ格
納位置を、ウエハ１の出し入れが可能な位置に配置でき
るようになっている。ウエハ移載機１８は、ウエハ１の
出し入れが可能な位置に配置されたウエハ格納機１６に
おけるウエハ格納位置よりウエハ１を取り出して、ウエ
ハステージ１２に載置すると共に、ウエハステージ１２
よりウエハ１を取り出して、前記のウエハ格納位置に格
納するようになっている。
【００４２】露光装置は、更に、複数のマスク３０を格
納するマスク格納機２１と、マスク格納機２１の位置を
制御するマスク格納コントローラ２２と、マスク格納機
２１とマスクステージ１３との間でマスク３０を移動さ
せるマスク移載機２３とを備えている。マスク格納コン
トローラ２２は、マスク格納機２１における任意のマス
ク格納位置を、マスク３０の出し入れが可能な位置に配
置できるようになっている。マスク移載機２３は、マス
ク３０の出し入れが可能な位置に配置されたマスク格納
機２１におけるマスク格納位置よりマスク３０を取り出
して、マスクステージ１３に載置すると共に、マスクス
テージ１３よりマスク３０を取り出して、前記のマスク
格納位置に格納するようになっている。
【００４３】露光装置は、更に、露光用の光の光軸に垂
直な方向に沿ってマスクステージ１３の位置を変えるこ
とにより、同方向に沿って、マスクステージ１３に載置
されたマスク３０の位置を変えるマスクシフトコントロ
ーラ２４と、ウエハ格納コントローラ１７、ウエハ移載
機１８、マスク格納コントローラ２２、マスク移載機２
３およびマスクシフトコントローラ２４を制御する制御
装置２５と、この制御装置２５に接続されたカウンタ２
６とを備えている。制御装置２５は、例えばコンピュー
タによって構成されている。
【００４４】制御装置２５は、ウエハ格納コントローラ
１７およびウエハ移載機１８に対して、ウエハ１の交換
指示を与えるようになっている。なお、ウエハ１の交換
指示には、露光対象となるウエハ１をウエハ格納機１６
より取り出してウエハステージ１２に載置する指示と、
露光終了後のウエハ１をウエハステージ１２より取り出
してウエハ格納機１６に格納する指示とが含まれる。
【００４５】また、制御装置２５は、マスク格納コント
ローラ２２およびマスク移載機２３に対して、マスク３
０の交換指示を与えるようになっている。なお、マスク
３０の交換指示には、露光に使用されるマスク３０をマ
スク格納機２１より取り出してマスクステージ１３に載
置する指示と、使用後のマスク３０をマスクステージ１
３より取り出してマスク格納機２１に格納する指示とが
含まれる。
【００４６】また、制御装置２５は、マスクシフトコン
トローラ２４に対して、マスク３０の位置の調整を指示
するようになっている。
【００４７】カウンタ２６のカウント値は、１枚目のウ
エハ１に対する露光を行う際に初期値に設定される。そ
の後、カウンタ２６は、制御装置２５からウエハ交換の
情報を受けると、カウント値をインクリメントまたはデ
クリメントするようになっている。また、カウンタ２６
は、カウント値をウエハ識別情報として制御装置２５に
与えるようになっている。
【００４８】図１に示した露光装置において、ウエハ格
納機１６、ウエハ格納コントローラ１７、ウエハ移載機
１８および制御装置２５は、本発明におけるウエハ選択
手段に対応する。また、図１に示した露光装置におい
て、ウエハ格納機１６、ウエハ格納コントローラ１７お
よびウエハ移載機１８を除いた他の構成要素は、本発明
における露光手段に対応する。また、マスク格納機２
１、マスク格納コントローラ２２、マスク移載機２３お
よび制御装置２５は、本発明におけるマスク選択手段に
対応する。また、マスクシフトコントローラ２４および
制御装置２５は、本発明における位置変更手段に対応す
る。
【００４９】図２は、制御装置２５の構成の一例を示す
ブロック図である。この例における制御装置２５は、主
制御部３１と、この主制御部３１に接続された記憶装置
３２と、主制御部３１に接続された入出力制御部３３
と、この入出力制御部３３に接続された入力装置３４、
表示装置３５および出力装置３６を備えている。主制御
部３１は、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＲＯＭ（リードオ
ンリメモリ）およびＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）
を有している。記憶装置３２は、情報を記憶できるもの
であれば、その形態は問わないが、例えばハードディス
ク装置、光ディスク装置、フロッピー（登録商標）ディ
スク装置等である。また、記憶装置３２は、記録媒体３
７に対して情報を記録し、また記録媒体３７より情報を
再生するようになっている。記録媒体３７は、情報を記
憶できるものであれば、その形態は問わないが、例えば
ハードディスク、光ディスク、フロッピーディスク等で
ある。
【００５０】主制御部３１内のＣＰＵは、主制御部３１
内のＲＡＭを作業領域として、記録媒体３７または主制
御部３１内のＲＯＭに記録されたプログラムを実行する
ことにより、制御装置２５としての機能を発揮するよう
になっている。
【００５１】次に、本実施の形態に係るウエハ識別情報
記入方法について説明する。このウエハ識別情報記入方
法は、本実施の形態に係るウエハ識別情報記入用露光方
法を含んでいる。このウエハ識別情報記入方法は、ウエ
ハ識別情報を記入する対象となるウエハを選択する工程
と、選択されたウエハに対して、パターニングされたレ
ジスト層を利用してウエハ識別情報を記入する工程とを
備えている。ウエハ識別情報を記入する方法としては、
例えば、パターニングされたレジスト層をエッチングマ
スクとして、このレジスト層の下地の層をエッチングす
る方法でもよいし、パターニングされたレジスト層をフ
レームとしてめっきを行ってめっき層を形成する方法で
もよい。また、本実施の形態では、パターニングされた
レジスト層を利用してウエハ識別情報を記入する工程に
おいて、パターニングされたレジスト層を利用して素子
配置情報も記入するようにしている。ウエハ識別情報お
よび素子配置情報の記入を行う工程は、素子２の形成
前、形成途中、形成後のいずれであってもよい。
【００５２】以下、図４および図５を参照して、パター
ニングされたレジスト層の下地の層をエッチングする方
法を用いる場合におけるウエハ識別情報を記入する工程
について説明する。図４は、この場合におけるウエハ識
別情報を記入する工程を示す流れ図、図５は、図４に示
した工程を説明するための説明図である。
【００５３】図４および図５に示した工程では、まず、
図４のステップＳ１０１および図５の（ａ）に示したよ
うに、ウエハ上に形成された所定の層５０の上に、ウエ
ハ識別情報を記入するための情報記入用膜５１を形成す
る。情報記入用膜５１は、金属膜としてもよい。また、
情報記入用膜５１は、その下の層５０とは光の反射率の
異なる層とするのが好ましい。次に、図４のステップＳ
１０２および図５の（ｂ）に示したように、情報記入用
膜５１の上に、レジストを塗布して、レジスト層５２を
形成する。次に、図４のステップＳ１０３および図５の
（ｃ）に示したように、レジスト層５２に対して、ウエ
ハ識別情報用の１桁単位のマスクおよび素子配置情報用
のマスクを交換して使用して、ウエハ識別情報のパター
ンおよび素子配置情報のパターンを多重露光する。
【００５４】なお、レジスト層５２がネガレジストより
なる場合には、ウエハ識別情報用のマスクおよび素子配
置情報用のマスクとしては、ウエハ識別情報および素子
配置情報を構成する各数字または記号のパターンの部分
は光を透過させ、他の部分は光を遮断するマスクが用い
られる。
【００５５】一方、レジスト層５２がポジレジストより
なる場合には、ウエハ識別情報用のマスクとしては、ウ
エハ識別情報を構成する各数字または記号を囲う１桁分
の領域内のうち各数字または記号のパターンの部分では
光を遮断し、前記領域内のうち他の部分では光を透過さ
せる共に、少なくとも、そのマスクがいずれの桁の露光
に使用されてもウエハ識別情報の他の桁および素子配置
情報の露光位置に対応する部分では光を遮断するような
遮断パターンを有するマスクが用いられる。このような
遮断パターンは、例えば、前記領域内のうち各数字また
は記号のパターンの部分では光を遮断し、前記領域内の
うち他の部分では光を透過させる共に、前記領域外の部
分では全て光を遮断するような遮断パターンとしてもよ
い。
【００５６】また、レジスト層５２がポジレジストより
なる場合には、素子配置情報用のマスクとしては、素子
配置情報を構成する各数字または記号を囲う複数桁分の
領域内のうち各数字または記号のパターンの部分では光
を遮断し、前記領域内のうち他の部分では光を透過させ
る共に、少なくともウエハ識別情報の露光位置に対応す
る部分では光を遮断するような遮断パターンを有するマ
スクが用いられる。このような遮断パターンは、例え
ば、前記領域内のうち各数字または記号のパターンの部
分では光を遮断し、前記領域内のうち他の部分では光を
透過させる共に、前記領域外の部分では全て光を遮断す
るような遮断パターンとしてもよい。
【００５７】上記の露光の工程（ステップＳ１０３）
は、本実施の形態に係るウエハ識別情報記入用露光装置
を用いて行われる。この工程については、後で詳しく説
明する。
【００５８】次に、図４のステップＳ１０４および図５
の（ｄ）に示したように、露光後のレジスト層５２を現
像してパターニングされたレジスト層５２Ａを形成す
る。次に、図４のステップＳ１０５および図５の（ｅ）
に示したように、パターニングされたレジスト層５２Ａ
をエッチングマスクとして、レジスト層５２Ａの下地の
層である情報記入用膜５１をエッチングして、パターニ
ングされた情報記入用膜５１Ａを形成する。最後に、図
４のステップＳ１０６および図５の（ｆ）に示したよう
に、レジスト層５２Ａを除去する。これにより、パター
ニングされた情報記入用膜５１Ａによって、ウエハ識別
情報および素子配置情報が表される。
【００５９】なお、図４および図５に示した工程におい
て、情報記入用膜５１としては、ウエハ１上に素子２を
構成する各膜を形成する際のウエハの位置合わせに用い
られる指標を形成するための膜を用い、この指標の形成
と同時にウエハ識別情報および素子配置情報の記入を行
ってもよい。
【００６０】次に、図６および図７を参照して、パター
ニングされたレジスト層をフレームとしてめっきを行っ
てめっき層を形成する方法を用いる場合におけるウエハ
識別情報を記入する工程について説明する。図６は、こ
の場合におけるウエハ識別情報を記入する工程を示す流
れ図、図７は、図６に示した工程を説明するための説明
図である。
【００６１】図６および図７に示した工程では、まず、
図６のステップＳ１１１および図７の（ａ）に示したよ
うに、ウエハ上に形成された所定の層６０の上に、めっ
き用の電極膜６１を形成する。次に、図６のステップＳ
１１２および図７の（ｂ）に示したように、電極膜６１
の上に、レジストを塗布して、レジスト層６２を形成す
る。次に、図６のステップＳ１１３および図７の（ｃ）
に示したように、レジスト層６２に対して、ウエハ識別
情報用の１桁単位のマスクおよび素子配置情報用のマス
クを交換して使用して、ウエハ識別情報のパターンおよ
び素子配置情報のパターンを多重露光する。
【００６２】なお、レジスト層６２がポジレジストより
なる場合には、ウエハ識別情報用のマスクおよび素子配
置情報用のマスクとしては、ウエハ識別情報および素子
配置情報を構成する各数字または記号のパターンの部分
は光を透過させ、他の部分は光を遮断するマスクが用い
られる。
【００６３】一方、レジスト層６２がネガレジストより
なる場合には、ウエハ識別情報用のマスクとしては、ウ
エハ識別情報を構成する各数字または記号を囲う１桁分
の領域内のうち各数字または記号のパターンの部分では
光を遮断し、前記領域内のうち他の部分では光を透過さ
せる共に、少なくとも、そのマスクがいずれの桁の露光
に使用されてもウエハ識別情報の他の桁および素子配置
情報の露光位置に対応する部分では光を遮断するような
遮断パターンを有するマスクが用いられる。このような
遮断パターンは、例えば、前記領域内のうち各数字また
は記号のパターンの部分では光を遮断し、前記領域内の
うち他の部分では光を透過させる共に、前記領域外の部
分では全て光を遮断するような遮断パターンとしてもよ
い。
【００６４】また、レジスト層６２がネガレジストより
なる場合には、素子配置情報用のマスクとしては、素子
配置情報を構成する各数字または記号を囲う複数桁分の
領域内のうち各数字または記号のパターンの部分では光
を遮断し、前記領域内のうち他の部分では光を透過させ
る共に、少なくともウエハ識別情報の露光位置に対応す
る部分では光を遮断するような遮断パターンを有するマ
スクが用いられる。このような遮断パターンは、例え
ば、前記領域内のうち各数字または記号のパターンの部
分では光を遮断し、前記領域内のうち他の部分では光を
透過させる共に、前記領域外の部分では全て光を遮断す
るような遮断パターンとしてもよい。
【００６５】上記の露光の工程（ステップＳ１１３）
は、本実施の形態に係るウエハ識別情報記入用露光装置
を用いて行われる。この工程については、後で詳しく説
明する。
【００６６】次に、図６のステップＳ１１４および図７
の（ｄ）に示したように、露光後のレジスト層６２を現
像してパターニングされたレジスト層６２Ａを形成す
る。次に、図６のステップＳ１１５および図７の（ｅ）
に示したように、パターニングされたレジスト層６２Ａ
をフレームとしてめっきを行ってめっき層６３を形成す
る。最後に、図６のステップＳ１１６および図７の
（ｆ）に示したように、レジスト層６２Ａを除去する。
これにより、めっき層６３によって、ウエハ識別情報お
よび素子配置情報が表される。
【００６７】なお、図６および図７に示した工程におい
て、ウエハ識別情報および素子配置情報の記入と同時
に、めっき層６３によって、ウエハ１上に素子２を構成
する各膜を形成する際のウエハの位置合わせに用いられ
る指標を形成してもよい。
【００６８】次に、図８および図９を参照して、本実施
の形態に係るウエハ識別情報記入用露光方法および露光
装置の作用について説明する。
【００６９】図８に示したように、本実施の形態に係る
ウエハ識別情報記入用露光方法は、ウエハ識別情報を記
入する対象となるウエハ１を選択する工程と、選択され
たウエハ１に形成されたレジスト層に対して、マスク３
０を用いてウエハ識別情報のパターンを露光する工程と
を備えている。ウエハ識別情報のパターンを露光する工
程は、図４におけるステップＳ１０３および図６におけ
るステップＳ１１３に対応する。また、本実施の形態で
は、ウエハ識別情報のパターンを露光する工程におい
て、レジスト層に対して素子配置情報のパターンも露光
するようにしている。
【００７０】本実施の形態において、ウエハ識別情報の
パターンを露光する工程では、ウエハ識別情報の各桁の
うちウエハに応じて数字または記号が変化し得る桁に関
して、１桁毎に、記入する数字または記号のパターンが
描画されたマスクを選択して露光を行う。
【００７１】以下の説明では、ウエハ識別情報がＭ進数
のＮ桁の番号であるものとする。この場合、ウエハ識別
情報用のマスクとしては、それぞれ０〜（Ｍ−１）を表
す数字または記号のパターンが描画されたＭ枚のマスク
が用意される。各マスクには、それぞれ、ウエハ１に投
影したときにウエハ１における素子２と同じ配列となる
ように、同じ数字または記号が素子２の数だけ描画され
ている。そして、本実施の形態では、記入する数字また
は記号のパターンが描画されたマスクの選択と選択され
たマスクを用いた露光とを、ウエハ識別情報の桁の数す
なわちＮ回だけ繰り返し実行することによって、ウエハ
識別情報の全ての桁についての露光を行う。
【００７２】また、本実施の形態では、ウエハ識別情報
のパターンを露光するための上記のＭ枚のマスクの他
に、素子配置情報のパターンを露光するための１枚のマ
スクが用意される。そして、ウエハ識別情報のパターン
を露光する工程において、この素子配置情報のパターン
を露光するためのマスクを用いて、素子配置情報のパタ
ーンの露光も行う。従って、本実施の形態では、ウエハ
識別情報のパターンを露光する工程において、マスクの
選択と選択されたマスクを用いた露光とが、合計（Ｎ＋
１）回だけ繰り返されて、レジスト層に対して、ウエハ
識別情報のパターンと素子配置情報のパターンが多重露
光される。
【００７３】図８には、ウエハ識別情報が１０進数であ
る場合の例を示している。この場合、ウエハ識別情報用
のマスクとしては、それぞれ０〜９を表す数字または記
号のパターンが描画された１０枚のマスクが用意され
る。その他に、素子配置情報用１枚のマスクが用意され
る。
【００７４】また、本実施の形態では、ウエハ識別情報
における各桁の数字または記号は、選択されるウエハ１
の切り換えに応じて一定の規則に従って変化する。例え
ば、ウエハ識別情報における各桁の数字または記号は、
選択されるウエハ１が切り換わる毎に、ウエハ識別情報
全体によって表される番号が１ずつ増加あるいは減少す
るように変化する。
【００７５】図８に露光装置の作用を簡単に示したよう
に、本実施の形態に係る露光装置では、制御装置２５か
らのウエハ交換指示に応じて、ウエハ格納コントローラ
１７とウエハ移載機１８とによってウエハ１が交換され
る。また、制御装置２５からのウエハ交換指示に応じ
て、ウエハ識別情報を表すカウンタ２６のカウント値が
インクリメントまたはデクリメントされる。ウエハ識別
情報（カウント値）は制御装置２５に入力され、制御装
置２５は、このウエハ識別情報に従ってマスク格納コン
トローラ２２とマスク移載機２３とを制御する。そし
て、このマスク格納コントローラ２２とマスク移載機２
３とによって、ウエハ識別情報における各桁の数字また
は記号の変化の規則に対応するように、ウエハ識別情報
における各桁毎に、選択されるマスク３０の切り換えが
行われる。そして、選択されたマスク３０を用いて、ウ
エハ識別情報における各桁のパターンの露光が行われ
る。その他に、制御装置２５による制御の下で、マスク
格納コントローラ２２とマスク移載機２３とによって、
素子配置情報用のマスク３０が選択されて、このマスク
３０を用いて、素子配置情報のパターンの露光が行われ
る。
【００７６】また、本実施の形態では、ウエハ識別情報
における各桁の数字または記号が、ウエハ１内の各素子
２に対応する領域内において、互いに異なる位置に記入
されるように、ウエハ識別情報のパターンの露光の際に
は、ウエハ識別情報における各桁毎に、ウエハ１とマス
ク３０との位置関係が変えられる。更に、素子配置番号
のパターンの露光の際には、ウエハ１内の各素子２に対
応する領域内において、素子配置番号がウエハ識別情報
とは異なる位置に記入されるように、ウエハ１とマスク
３０との位置関係が設定される。
【００７７】図９は、上述のウエハ１とマスク３０との
位置関係の変化の一例を示している。この例では、ウエ
ハ識別情報は４桁であるものとしている。図９では、ウ
エハ識別情報の各桁を、最上位桁から順に符号３ａ，３
ｂ，３ｃ，３ｄで表している。また、この例では、素子
配置情報も４桁であるものとしている。図９では、素子
配置情報を符号４ｅで表している。
【００７８】図９に示した例では、（ａ）〜（ｄ）に示
したように、それぞれマスク３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，
３０ｄを用いて、ウエハ識別情報の最上位桁３ａから最
下位桁３ｄまで順に各桁のパターンの露光を行った後、
（ｅ）に示したように、マスク３０ｅを用いて、素子配
置情報４ｅのパターンの露光を行うようにしている。ウ
エハ１内の各素子２に対応する領域内において、ウエハ
識別情報における各桁３ａ〜３ｄの数字または記号およ
び素子配置番号４ｅが互いに異なる位置に記入されるよ
うに、各パターンの露光時におけるマスク３０ａ〜３０
ｅの位置は変化している。なお、ウエハ識別情報におけ
る各桁３ａ〜３ｄのパターンの露光および素子配置番号
４ｅのパターンの露光の順番は任意に決めることができ
る。例えば、素子配置番号４ｅのパターンの露光の後
に、ウエハ識別情報の最下位桁から順に各桁３ａ〜３ｄ
のパターンの露光を行うようにしてもよい。また、本実
施の形態では、ウエハ識別情報における各桁毎にマスク
３０の位置を変えるようにしているが、ウエハ１の位置
を変えるようにしてもよい。
【００７９】次に、図１０の流れ図を参照して、本実施
の形態に係る露光装置の動作について詳しく説明する。
図１０に示した動作は、図４におけるステップＳ１０３
および図６におけるステップＳ１１３に対応する。
【００８０】図１０に示した動作では、まず、露光対象
となるウエハ１をウエハステージ１２にセットする（ス
テップＳ１２１）。すなわち、制御装置２５による制御
の下で、ウエハ格納コントローラ１７およびウエハ移載
機１８によって、露光対象となるウエハ１をウエハ格納
機１６より取り出し、ウエハステージ１２にセット（載
置）する。ウエハ１には、既にレジスト層が形成されて
いる。なお、カウンタ２６のカウント値は、１枚目のウ
エハ１に対する露光を行う際に、制御装置２５によって
初期値に設定される。
【００８１】次に、制御装置２５による制御の下で、マ
スク格納コントローラ２２およびマスク移載機２３によ
って、マスク格納機２１に格納された複数のマスク３０
より素子配置情報用のマスク３０を選択し（ステップＳ
１２２）、このマスク３０をマスクステージ１３にセッ
ト（載置）する（ステップＳ１２３）。なお、マスクス
テージ１３の位置は、初期設定位置として、ウエハ１内
の各素子２に対応する領域内において素子配置番号のパ
ターンが素子配置番号記入用の所定の位置に露光される
ような位置に設定されている。
【００８２】次に、素子配置情報用のマスク３０を用い
て、ウエハ１に対して素子配置番号のパターンを露光す
る（ステップＳ１２４）。
【００８３】次に、制御装置２５による制御の下で、マ
スク格納コントローラ２２およびマスク移載機２３によ
って、素子配置情報用のマスク３０をマスクステージ１
３より取り出し、マスク格納機２１にリセット（格納）
する（ステップＳ１２５）。
【００８４】次に、制御装置２５は、カウンタ２６のカ
ウント値、すなわちウエハ識別情報を参照する（ステッ
プＳ１２６）。次に、制御装置２５は、変数ｎを１とす
る（ステップＳ１２７）。
【００８５】次に、制御装置２５による制御の下で、マ
スク格納コントローラ２２およびマスク移載機２３によ
って、マスク格納機２１に格納された複数のマスク３０
より、ウエハ識別情報におけるｎ桁目の数字または記号
のパターンが描画されたマスク３０を選択し（ステップ
Ｓ１２８）、このマスク３０をマスクステージ１３にセ
ット（載置）する（ステップＳ１２９）。次に、制御装
置２５の制御の下で、マスクシフトコントローラ２４に
よってマスクステージ１３の位置を調整して、ウエハ１
内の各素子２に対応する領域内において、ウエハ識別情
報におけるｎ桁目の数字または記号のパターンがｎ桁目
記入用の所定の位置に露光されるように、マスク３０を
シフトする（ステップＳ１３０）。なお、ウエハ識別情
報における各桁毎のマスク３０のシフト量は互いに異な
る。このシフト量は制御装置２５が記憶している。
【００８６】次に、ウエハ識別情報におけるｎ桁目に対
応するマスク３０を用いて、ウエハ１に対してｎ桁目の
数字または記号のパターンを露光する（ステップＳ１３
１）。
【００８７】次に、制御装置２５による制御の下で、マ
スク格納コントローラ２２およびマスク移載機２３によ
って、ｎ桁目に対応するマスク３０をマスクステージ１
３より取り出し、マスク格納機２１にリセット（格納）
する（ステップＳ１３２）。
【００８８】次に、制御装置２５は、ｎ＋１を新たなｎ
とする（ステップＳ１３３）。次にに、制御装置２５
は、ｎがウエハ識別情報の桁数を越えているか否かを判
断する（ステップＳ１３４）。ｎがウエハ識別情報の桁
数を越えていない場合（Ｎ）は、ステップＳ１２８に戻
り、ウエハ識別情報における次の桁についてステップＳ
１２８からステップＳ１３２の動作を行って、その桁の
数字または記号のパターンを露光する。
【００８９】制御装置２５は、ｎがウエハ識別情報の桁
数を越えている場合（ステップＳ１３４；Ｙ）には、ウ
エハ格納コントローラ１７およびウエハ移載機１８に対
して、ウエハ１の取り出し指示を与える。これにより、
ウエハ格納コントローラ１７およびウエハ移載機１８
は、ウエハ１をウエハステージ１２より取り出し、ウエ
ハ格納機１６に格納する（ステップＳ１３５）。以上の
動作により、１枚のウエハ１についての露光動作が終了
する。
【００９０】制御装置２５は、ウエハ格納コントローラ
１７およびウエハ移載機１８に対してウエハ１の取り出
し指示を与える際に、カウンタ２６に対して、ウエハ交
換の情報を送る。カウンタ２６は、制御装置２５からウ
エハ交換の情報を受けると、カウント値をインクリメン
トまたはデクリメントして、ウエハ識別情報を更新す
る。
【００９１】ウエハ１が１ロットにつき複数枚数あると
きは、１ロットに含まれるウエハ１の枚数分だけ、図１
０に示した動作を繰り返す。また、以上の動作は、制御
装置２５におけるプログラムによって自動的に行われ
る。
【００９２】以上説明したように本実施の形態では、ウ
エハ識別情報の１桁毎に、記入する数字または記号のパ
ターンが描画されたマスク３０を選択し、選択されたマ
スク３０を用いて露光を行う。従って、本実施の形態に
よれば、ウエハ識別情報および素子配置情報の記入のた
めに行う露光の回数は、ウエハ識別情報の桁数に、素子
配置情報用の露光の１回を足した回数である。例えば、
ウエハ識別情報が４桁の場合には、露光回数は４＋１＝
５回となる。
【００９３】従って、本実施の形態によれば、ウエハ識
別情報および素子配置情報の記入を短時間で行うことが
できる。すなわち、マスク３０の交換や位置合わせを除
いて１回の露光に要する時間は普通、数秒で済み、マス
ク３０の交換や位置合わせを含めても１回の露光に要す
る時間は数分（例えば２分程度）である。従って、例え
ばウエハ識別情報が４桁で、１枚のウエハ１につき５回
の露光を行う場合、１枚のウエハ１についての露光に要
する時間は１０分程度で済む。
【００９４】このように、本実施の形態においてウエハ
識別情報および素子配置情報の記入のための露光に要す
る時間は、レーザマーキングを用いる従来の記入方法に
おいてマーキングに要する時間（数十分から数時間）に
比べて大幅に短くなる。
【００９５】しかも、レーザマーキングを用いる従来の
記入方法ではウエハ内の素子数が増えるとマーキングに
要する時間も増えるのに対し、本実施の形態では、ウエ
ハ内の素子数が増えても露光に要する時間は変わらな
い。従って、上述の本実施の形態の効果は、素子が小型
化したり、ウエハのサイズが大型化したりして、ウエハ
内の素子数が増える程、顕著になる。このことから、本
実施の形態に係るウエハ識別情報記入方法ならびにウエ
ハ識別情報記入用露光方法および装置は、薄膜磁気ヘッ
ドの製造プロセス等、ウエハ内の素子数が多く、且つ大
量に処理を行う素子の製造プロセスに向いている。
【００９６】また、本実施の形態では、ウエハ識別情報
および素子配置情報の記入のための露光に必要なマスク
３０の種類は、ウエハ識別情報の各桁において取り得る
数字または記号の種類の数、すなわちウエハ識別情報が
Ｍ進数であるときの基数Ｍに、１を加えた数となる。例
えばウエハ識別情報が１０進数の場合には、必要なマス
ク３０の種類は、１０＋１＝１１枚となる。また、ウエ
ハ識別情報がＭ進数、Ｎ桁の場合には、ウエハ識別情報
は、ＭのＮ乗の種類の値を取り得る。例えば、ウエハ識
別情報が１０進数、４桁の場合には、ウエハ識別情報は
１００００種類の値を取り得る。従って、本実施の形態
によれば、ウエハ３０の種類を多く必要とせずに、多く
の種類のウエハ識別情報を表現することができる。
【００９７】以上のことから、本実施の形態によれば、
複数個の素子２が一括して形成されるウエハ１に対し
て、露光用のマスク３０の種類を多く必要とせず且つ短
時間で、ウエハ識別情報および素子配置情報を記入する
ことができる。
【００９８】また、本実施の形態では、ウエハ識別情報
のパターンを露光する際には、ウエハ識別情報における
各桁の数字または記号が互いに異なる位置に記入される
ように、ウエハ識別情報における各桁毎にウエハとマス
クとの位置関係を変えている。これにより、本実施の形
態によれば、ウエハ識別情報用の複数のマスク３０を、
ウエハ識別情報における各桁に共通に使用することが可
能となる。
【００９９】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、実施の形態で
は、ウエハ識別情報を記入する工程において素子配置情
報も記入するようにしたが、ウエハ識別情報の記入と素
子配置情報とを別々の工程で行ってもよい。この場合に
は、ウエハ識別情報と素子配置情報は別々の層を用いて
記入されることになる。
【０１００】また、ウエハ識別情報が、ウエハ１に応じ
て数字または記号が変化し得る桁と、ウエハ１に応じて
数字または記号が変化しない桁とを含む場合には、これ
ら２種類の桁についての記入を別々の工程で行ってもよ
い。この場合、少なくとも、ウエハ１に応じて数字また
は記号が変化し得る桁に関しては、１桁毎にマスクを選
択して露光を行う。ウエハ１に応じて数字または記号が
変化しない桁が複数ある場合には、これらの桁に関して
は、１桁毎にマスクを選択して露光を行ってもよいし、
複数桁の数字または記号のパターンが描画されたマスク
を用いて、複数桁についての露光を同時に行ってもよ
い。
【０１０１】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし７の
いずれかに記載のウエハ識別情報記入方法、請求項８な
いし１２のいずれかに記載のウエハ識別情報記入用露光
方法または請求項１３ないし１７のいずれかに記載のウ
エハ識別情報記入用露光装置によれば、ウエハ識別情報
の各桁のうちウエハに応じて数字または記号が変化し得
る桁に関して、１桁毎に、記入する数字または記号のパ
ターンが描画されたマスクを選択して露光を行うように
したので、複数個の薄膜素子が一括して形成されるウエ
ハに対して、露光用のマスクの種類を多く必要とせず且
つ短時間で、ウエハ識別情報を記入することが可能にな
るという効果を奏する。
【０１０２】また、請求項５記載のウエハ識別情報記入
方法、請求項１２記載のウエハ識別情報記入用露光方法
または請求項１７記載のウエハ識別情報記入用露光装置
によれば、ウエハ識別情報における各桁の数字または記
号が互いに異なる位置に記入されるように、ウエハ識別
情報における各桁毎にウエハとマスクとの位置関係を変
えるようにしたので、ウエハ識別情報用の複数のマスク
を、ウエハ識別情報における各桁に共通に使用すること
が可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係るウエハ識別情報記
入用露光装置の構成を示す説明図である。
【図２】図１における制御装置の構成の一例を示すブロ
ック図である。
【図３】本発明の一実施の形態が適用されるウエハとそ
れに記入される情報について説明するための説明図であ
る。
【図４】本発明の実施の形態に係るウエハ識別情報記入
方法におけるウエハ識別情報を記入する工程の一例を示
す流れ図である。
【図５】図４に示した工程を説明するための説明図であ
る。
【図６】本発明の実施の形態に係るウエハ識別情報記入
方法におけるウエハ識別情報を記入する工程の他の例を
示す流れ図である。
【図７】図６に示した工程を説明するための説明図であ
る。
【図８】本発明の一実施の形態に係るウエハ識別情報記
入用露光方法および露光装置の作用を説明するための説
明図である。
【図９】本発明の一実施の形態におけるウエハとマスク
との位置関係の変化の一例を示す説明図である。
【図１０】本発明の一実施の形態に係る露光装置の動作
を示す流れ図である。
【図１１】ウエハに対してウエハ識別情報および素子配
置情報を記入する従来の方法の一例を示す流れ図であ
る。
【図１２】ウエハに対してウエハ識別情報および素子配
置情報を記入する従来の方法の他の例を示す流れ図であ
る。
【図１３】図１１および図１２に示した各方法で用いら
れるレーザマーキング装置の構成の一例を示す説明図で
ある。
【符号の説明】
１…ウエハ、２…薄膜素子、３…ウエハ識別情報、４…
素子配置情報、１１…光源、１２…ウエハステージ、１
３…マスクステージ、１６…ウエハ格納機、１７…ウエ
ハ格納コントローラ、１８…ウエハ移載機、２１…マス
ク格納機、２２…マスク格納コントローラ、２３…マス
ク移載機、２４…マスクシフトコントローラ、２５…制
御装置、２６…カウンタ、３０…マスク。

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数個の薄膜素子が一括して形成される
    ウエハに対して、各桁が数字または記号で表される複数
    の桁を含むウエハ識別情報を、パターニングされたレジ
    スト層を利用して記入するウエハ識別情報記入方法であ
    って、 ウエハ識別情報を記入する対象となるウエハを選択する
    工程と、 選択されたウエハに対してレジスト層を形成する工程
    と、 前記レジスト層に対してマスクを用いてウエハ識別情報
    のパターンを露光する工程と、 露光後のレジスト層を現像してパターニングされたレジ
    スト層を形成する工程とを備え、 前記露光する工程では、ウエハ識別情報の各桁のうちウ
    エハに応じて数字または記号が変化し得る桁に関して、
    １桁毎に、記入する数字または記号のパターンが描画さ
    れたマスクを選択して露光を行うことを特徴とするウエ
    ハ識別情報記入方法。
  2. 【請求項２】 前記露光する工程では、記入する数字ま
    たは記号のパターンが描画されたマスクの選択と選択さ
    れたマスクを用いた露光とを、ウエハ識別情報の桁の数
    だけ繰り返し実行して、ウエハ識別情報の全ての桁につ
    いての露光を行うことを特徴とする請求項１記載のウエ
    ハ識別情報記入方法。
  3. 【請求項３】 前記露光する工程では、更に、前記レジ
    スト層に対して、ウエハ内における薄膜素子の位置を識
    別するための素子配置情報のパターンが描画されたマス
    クを用いて、素子配置情報のパターンを露光することを
    特徴とする請求項１または２記載のウエハ識別情報記入
    方法。
  4. 【請求項４】 前記ウエハ識別情報における各桁の数字
    または記号は、選択されるウエハの切り換えに応じて一
    定の規則に従って変化し、 前記露光する工程では、前記ウエハ識別情報における各
    桁の数字または記号の変化の規則に対応するように、選
    択されるウエハの切り換えに応じて選択されるマスクの
    切り換えを行うことを特徴とする請求項１ないし３のい
    ずれかに記載のウエハ識別情報記入方法。
  5. 【請求項５】 前記露光する工程では、前記ウエハ識別
    情報における各桁の数字または記号が互いに異なる位置
    に記入されるように、前記ウエハ識別情報における各桁
    毎にウエハとマスクとの位置関係を変えることを特徴と
    する請求項１ないし４のいずれかに記載のウエハ識別情
    報記入方法。
  6. 【請求項６】 更に、前記パターニングされたレジスト
    層をエッチングマスクとして、このレジスト層の下地の
    層をエッチングする工程を備えたことを特徴とする請求
    項１ないし５のいずれかに記載のウエハ識別情報記入方
    法。
  7. 【請求項７】 更に、前記パターニングされたレジスト
    層をフレームとしてめっきを行ってめっき層を形成する
    工程を備えたことを特徴とする請求項１ないし５のいず
    れかに記載のウエハ識別情報記入方法。
  8. 【請求項８】 複数個の薄膜素子が一括して形成される
    ウエハに対して、各桁が数字または記号で表される複数
    の桁を含むウエハ識別情報を、パターニングされたレジ
    スト層を利用して記入するために、前記ウエハに形成さ
    れたレジスト層に対してウエハ識別情報のパターンを露
    光するウエハ識別情報記入用露光方法であって、 ウエハ識別情報を記入する対象となるウエハを選択する
    工程と、 選択されたウエハにおける前記レジスト層に対して、マ
    スクを用いてウエハ識別情報のパターンを露光する工程
    とを備え、 前記露光する工程では、ウエハ識別情報の各桁のうちウ
    エハに応じて数字または記号が変化し得る桁に関して、
    １桁毎に、記入する数字または記号のパターンが描画さ
    れたマスクを選択して露光を行うことを特徴とするウエ
    ハ識別情報記入用露光方法。
  9. 【請求項９】 前記露光する工程では、記入する数字ま
    たは記号のパターンが描画されたマスクの選択と選択さ
    れたマスクを用いた露光とを、ウエハ識別情報の桁の数
    だけ繰り返し実行して、ウエハ識別情報の全ての桁につ
    いての露光を行うことを特徴とする請求項８記載のウエ
    ハ識別情報記入用露光方法。
  10. 【請求項１０】 前記露光する工程では、更に、前記レ
    ジスト層に対して、ウエハ内における薄膜素子の位置を
    識別するための素子配置情報のパターンが描画されたマ
    スクを用いて、素子配置情報のパターンを露光すること
    を特徴とする請求項８または９記載のウエハ識別情報記
    入用露光方法。
  11. 【請求項１１】 前記ウエハ識別情報における各桁の数
    字または記号は、選択されるウエハの切り換えに応じて
    一定の規則に従って変化し、 前記露光する工程では、前記ウエハ識別情報における各
    桁の数字または記号の変化の規則に対応するように、選
    択されるウエハの切り換えに応じて選択されるマスクの
    切り換えを行うことを特徴とする請求項８ないし１０の
    いずれかに記載のウエハ識別情報記入用露光方法。
  12. 【請求項１２】 前記露光する工程では、前記ウエハ識
    別情報における各桁の数字または記号が互いに異なる位
    置に記入されるように、前記ウエハ識別情報における各
    桁毎にウエハとマスクとの位置関係を変えることを特徴
    とする請求項８ないし１１のいずれかに記載のウエハ識
    別情報記入用露光方法。
  13. 【請求項１３】 複数個の薄膜素子が一括して形成され
    るウエハに対して、各桁が数字または記号で表される複
    数の桁を含むウエハ識別情報を、パターニングされたレ
    ジスト層を利用して記入するために、前記ウエハに形成
    されたレジスト層に対してウエハ識別情報のパターンを
    露光するウエハ識別情報記入用露光装置であって、 ウエハ識別情報を記入する対象となるウエハを選択する
    ウエハ選択手段と、 前記ウエハ選択手段によって選択されたウエハにおける
    前記レジスト層に対して、マスクを用いてウエハ識別情
    報のパターンを露光する露光手段とを備え、 前記露光手段は、ウエハ識別情報の各桁のうちウエハに
    応じて数字または記号が変化し得る桁に関して、１桁毎
    に、記入する数字または記号のパターンが描画されたマ
    スクを選択するマスク選択手段を有することを特徴とす
    るウエハ識別情報記入用露光装置。
  14. 【請求項１４】 前記露光手段は、前記マスク選択手段
    によるマスクの選択と選択されたマスクを用いた露光と
    を、ウエハ識別情報の桁の数だけ繰り返し実行して、ウ
    エハ識別情報の全ての桁についての露光を行うことを特
    徴とする請求項１３記載のウエハ識別情報記入用露光装
    置。
  15. 【請求項１５】 前記露光手段は、更に、前記レジスト
    層に対して、ウエハ内における薄膜素子の位置を識別す
    るための素子配置情報のパターンが描画されたマスクを
    用いて、素子配置情報のパターンを露光することを特徴
    とする請求項１３または１４記載のウエハ識別情報記入
    用露光装置。
  16. 【請求項１６】 前記ウエハ識別情報における各桁の数
    字または記号は、選択されるウエハの切り換えに応じて
    一定の規則に従って変化し、 前記マスク選択手段は、前記ウエハ識別情報における各
    桁の数字または記号の変化の規則に対応するように、選
    択されるウエハの切り換えに応じて選択されるマスクの
    切り換えを行うことを特徴とする請求項１３ないし１５
    のいずれかに記載のウエハ識別情報記入用露光装置。
  17. 【請求項１７】 前記露光手段は、更に、前記ウエハ識
    別情報における各桁の数字または記号が互いに異なる位
    置に記入されるように、前記ウエハ識別情報における各
    桁毎にウエハとマスクとの位置関係を変える位置変更手
    段を有することを特徴とする請求項１３ないし１６のい
    ずれかに記載のウエハ識別情報記入用露光装置。
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