JP2002074335A

JP2002074335A - パターン検査方法及び装置

Info

Publication number: JP2002074335A
Application number: JP2000265981A
Authority: JP
Inventors: Takashi Hiroi; 高志広井; Yasushi Miyai; 裕史宮井; Masahiro Watanabe; 正浩渡辺; Chie Shishido; 千絵宍戸; Maki Tanaka; 麻紀田中; Tomohiro Kuni; 朝宏久邇
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2000-08-30
Filing date: 2000-08-30
Publication date: 2002-03-15

Abstract

(57)【要約】【課題】パターン検査装置ではステージ走査を繰返して
画像を取得し、検出した順に検出画像を記憶しておいた
同一のパターンが期待できる場所同士の画像を比較して
異なる場所を欠陥候補とし、２回欠陥候補となった場所
を真の欠陥とする。異なるステージ走査で得られた画像
の比較、又は１回しか検査できない場所が発生し、それ
ぞれ各種誤差欠陥検出性能低下、又は検査不可能領域と
なる。【解決手段】画像検出順とは別に同一ステージ走査で得
られた画像内で必ず２回以上比較するよう比較順をスケ
ジューリングし、比較対象の画像が確定した段階で比較
することで同一のステージ走査のみで得られた画像同士
を比較する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置や液晶な
どの回路パターンを有する基板製造装置にかかわり、特
に製造途中の基板のパターンを検査する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光学式、又は電子線式パターン検
査装置は特開平５−２５８７０３、特開平１１−１６０
２４７等に記述されている。

【０００３】電子線式パターン検査装置の例として特開
平５−２５８７０３の構成を図１に示す。電子線源１か
らの電子線２を偏向器３でＸ方向に偏向し、対物レンズ
４を介して対象物基板５に照射し、同時にステージ６を
Ｙ方向に連続で移動させながら、対象物基板４からの二
次電子等７を検出器８で検出し、検出信号をA/D変換器
９でA/D変換し、デジタル画像とし、画像処理回路１０
で本来同一である事が期待できる場所のデジタル画像と
比較し、差がある場所をパターン欠陥候補１１として検
出し、後で説明するリアルゴースト判定で欠陥位置を確
定するものである。

【０００４】光学式の検査装置の例として特開平１１−
１６０２４７の構成を図２に示す。光源２１よりの光を
対物レンズ２２を介して対象物基板４に照射し、その時
の反射光をイメージセンサ２３で検出する。ステージ６
を一定速度で移動しながら検出を繰返すことで画像を検
出画像２４として検出し、メモリ２５に記憶する。検出
画像２４と同一のパターンであることが期待できるメモ
リ２５上の記憶画像２７と比較し、同一のパターンであ
れば正常部、パターンが異なればパターン欠陥候補１１
とし、後で説明するリアルゴースト判定で欠陥位置を
確定するものである。

【０００５】一例として、対象物基板４がウェーハ３１
の場合のレイアウトを図３に示す。ウェーハ３１上に最
終的に切離されて同一品種の個別の製品になるチップ３
２が形成されている。ステージ６を走査線３３に沿って
移動し、ストライプ領域３４の画像を検出する。現在、
検出位置Aが３５の場合に、メモリ２５上の検出位置Bの
画像を記憶画像２７として取出し、比較する。これによ
り、同一パターンであることが期待できるパターンと比
較する。ここで、メモリ２５は同一パターンであること
が期待できる画像を保持可能な容量を持ち、リング状に
使いまわすことで実際の回路を構成する。

【０００６】次に、リアルゴースト判定による欠陥場所
の確定法を図４で説明する。チップA４２、チップB４
３、チップC４４があり、チップB４３に欠陥４１がある
ウェーハ３１を順次検査すると、パターン欠陥候補１１
は候補A４５と候補B４６の２個所で検出される。これ
は、それぞれチップA４２又はチップB４３、及びチップ
B４３又はチップC４４の何れかに欠陥があることを示し
ている。そこで、候補A４５は一旦チップA４２又はチッ
プB４３にマークし、候補B４６は一旦チップB４３又は
チップC４４にマークする。マークが２個カウントされ
る場所を真の欠陥４１として判定する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】対象物基板４の全面を
走査する方法を考える。一般的には図５に示すように端
から順番に画像を取得、比較することで欠陥を検出す
る。この場合、最初のチップａ５１と最後のチップｂ５
２は２回比較されていないのでリアルゴースト判定で欠
陥を特定できないため、画像は取得するが欠陥判定ので
きないダミーチップ５３とする。また、チップｃ５４、
チップｄ５５に関しては、チップｃ５４はＹ軸＋方向、
チップｄ５５はＹ軸−方向にステージ６を走査して画像
を取得する折返しチップ５６になる。これらの為、ダミ
ーチップ５３では欠陥判定しないチップの画像を取得す
る必要があり、折返しチップ５６は装置の各種誤差が発
生しやすく、欠陥性能に関する配慮が不充分であった。

【０００８】一方、特開平１１−１６０２４７号にはリ
アルゴースト判定を工夫して対策をしている。つまり、
ダミーチップ５３では比較相手が欠陥で無い場合には２
回カウントされなくとも欠陥と判定することにしてい
る。同様に、折返しチップ５６でも折返しチップ同士の
比較をせず、比較相手が欠陥で無い場合には２回カウン
トされなくとも欠陥と判定することができる。これによ
り、ダミーチップは不要で、折返しチップ同士の比較を
する必要が無い。但し、１回しか比較して欠陥と判定さ
れておらず、２回とも欠陥と判定された場合と比較する
とノイズ等の装置誤差の影響を受けやすく、やはり欠陥
性能に関する配慮が充分とはいえなかった。

【０００９】

【課題を解決するための手段】問題を解決する為の第１
の構成を図６に示す。ここでは電子線を用いた構成を示
すが、本質的には光学式と同一である。電子線２を発生
させる電子線源１、及び電子線を偏向させる偏向器３、
及び電子線１を対象物基板４上に収束させる対物レンズ
４、及び対象物基板５を保持し、走査又は位置決めをす
るステージ６、及び対象物基板４からの二次電子等７を
検出する検出器８、及び検出信号をA/D変換しデジタル
画像にするA/D変換器９、及び１ストライプ分の記憶画
像２７を記憶しておく為のストライプメモリ６１、及び
ストライプメモリ６１より２枚の画像を比較することで
パターン欠陥候補１１を検出する為の比較回路６２、及
び比較回路６２よりのパターン欠陥候補１１より真の欠
陥４１を判定するリアルゴースト判定部６４よりなる。

【００１０】問題を解決する為の第２の構成を図７に示
す。ここでは電子線を用いた構成を示すが、本質的には
光学式と同一である。電子線２を発生させる電子線源
１、及び電子線を偏向させる偏向器３、及び電子線１を
対象物基板４上に収束させる対物レンズ４、及び対象物
基板５を保持し、走査又は位置決めをするステージ６、
及び対象物基板４からの二次電子等７を検出する検出器
８、及び検出信号をA/D変換しデジタルの検出画像２４
にするA/D変換器９、及び検出画像２４を記憶するメモ
リ２５、及び検出画像２４と同一のパターンであること
が期待できるメモリ２５上の記憶画像２６と比較するこ
とでパターン欠陥候補１１を検出する為の比較回路６
２、及び比較回路６２よりのパターン欠陥候補１１の欠
陥候補画像７１より真の欠陥４１を判定する欠陥判定手
段７２よりなる。

【００１１】問題を解決する為の第３の構成を図８に示
す。ここでは電子線を用いた構成を示すが、本質的には
光学式と同一である。電子線２を発生させる電子線源
１、及び電子線を偏向させる偏向器３、及び電子線１を
対象物基板４上に収束させる対物レンズ４、及び対象物
基板５を保持し、走査又は位置決めをするステージ６、
及び対象物基板４からの二次電子等７を検出する検出器
８、及び検出信号をA/D変換しデジタルの検出画像２４
にするA/D変換器９、及び検出画像２４を記憶するメモ
リ２５、及び検出画像２４と同一のパターンであること
が期待できるメモリ２５上の記憶画像２６と比較するこ
とでパターン欠陥候補１１を検出する為の比較回路６
２、及び比較回路６２よりのパターン欠陥候補１１より
仮の欠陥７３を判定するリアルゴースト判定部６４、及
び比較回路６２よりのパターン欠陥候補１１の欠陥候補
画像７１より真の欠陥４１を判定する欠陥判定手段７２
よりなる。

【００１２】問題を解決する為の第４の構成を図９に示
す。ここでは電子線を用いた構成を示すが、本質的には
光学式と同一である。電子線２を発生させる電子線源
１、及び電子線を偏向させる偏向器３、及び電子線１を
対象物基板４上に収束させる対物レンズ４、及び対象物
基板５を保持し、走査又は位置決めをするステージ６、
及び対象物基板４からの二次電子等７を検出する検出器
８、及び検出信号をA/D変換しデジタルの検出画像２４
にするA/D変換器９、及び検出画像２４を記憶するメモ
リ２５、及びメモリ２５より基準画像６５を作成する基
準画像作成回路６６、及び基準画像６５と同一のパター
ンであることが期待できる検出画像２４と基準画像６５
を比較することで真の欠陥候補４１を検出する為の比較
回路６２よりなる。

【００１３】課題を解決する為の第１の構成の動作を説
明する。電子線源１からの電子線２を偏向器３でＸ方向
に偏向し、対物レンズ４を介して対象物基板５に照射
し、同時にステージ６をＹ方向に連続で移動させなが
ら、対象物基板４からの二次電子等７を検出器８で検出
し、検出信号をA/D変換器９でA/D変換し、デジタル画像
とし、ストライプメモリ６１に記憶する。ストライプメ
モリ６１より、後で説明するペアの画像が確定するとそ
のペアの画像データをストライプメモリ６１から取出し
を取出し、比較回路６２で比較することでパターン欠陥
候補１１を取出し、パターン欠陥候補１１をリアルゴー
スト判定部６４で判定し真の欠陥４１を取出す。図１０
に一例として検出した対象物のチップを示している。番
号は検出した順に並べている。ペアの画像は同一のチッ
プが少なくとも２回検査されるように選択する。例え
ば、１と２、１と３、２と３、３と４、４と５、５と
６、６と７、７と８、７と９、８と９のペアとすれば条
件を満足する。本検査法では、１回のステージ走査によ
り画像を検出したチップは全て２回比較検査できてお
り、ダミーチップ５３、折返しチップ５６を含まず、十
分な性能で検査可能である。

【００１４】課題を解決する為の第２の構成の動作を説
明する。電子線源１からの電子線２を偏向器３でＸ方向
に偏向し、対物レンズ４を介して対象物基板５に照射
し、同時にステージ６をＹ方向に連続で移動させなが
ら、対象物基板４からの二次電子等７を検出器８で検出
し、検出信号をA/D変換器９でA/D変換し、デジタル画像
の検出画像２４とし、メモリ２５に記憶する。検出画像
２４と検出画像２４と同一のパターンであることが期待
できるメモリ２５上の記憶画像２６とを比較回路６２で
比較することでパターン欠陥候補１１を検出し、比較回
路６２よりのパターン欠陥候補１１の欠陥候補画像７１
を取出す。欠陥候補画像７１は検出画像２４、及び記憶
画像２６、及びメモリ２５内又は後で検出される検出画
像と同一のパターンであることが期待できる比較画像７
３とする。検出画像２４と比較画像７３を欠陥判定手段
７２で比較して差がある場合を検出画像の部分を真の欠
陥４１とし、記憶画像２６と比較画像７３を欠陥判定手
段７２で比較して差がある場合を記憶画像の部分を真の
欠陥４１とする。本検査法では、一旦検出された欠陥候
補部は全て２回比較検査できており、十分な性能で検査
可能である。

【００１５】第２の構成の変形動作として欠陥候補画像
７１は検出画像２４、及び記憶画像２６とする。検出画
像２４と記憶画像２６を比較して差がある部分の画像を
詳細に解析して何れが真の欠陥４１であるかを判定す
る。本検査法では、一旦検出された欠陥候補部を詳細に
解析しており、十分な性能で検査可能である。

【００１６】課題を解決する為の第３の構成の動作を説
明する。電子線源１からの電子線２を偏向器３でＸ方向
に偏向し、対物レンズ４を介して対象物基板５に照射
し、同時にステージ６をＹ方向に連続で移動させなが
ら、対象物基板４からの二次電子等７を検出器８で検出
し、検出信号をA/D変換器９でA/D変換し、デジタル画像
の検出画像２４とし、メモリ２５に記憶する。検出画像
２４と検出画像２４と同一のパターンであることが期待
できるメモリ２５上の記憶画像２６とを比較回路６２で
比較することでパターン欠陥候補１１を検出し、２回比
較される場所はパターン欠陥候補１１をリアルゴースト
判定部６４で判定し真の欠陥４１を取出す。２回比較さ
れない場所は比較回路６２よりのパターン欠陥候補１１
の欠陥候補画像７１を取出し、第２の構成で説明した方
法で真の欠陥４１を判定する。本検査法では、第１又は
第２のいずれかの方法が適用されており十分な性能で検
査可能である。

【００１７】課題を解決する為の第４の構成の動作を説
明する。電子線源１からの電子線２を偏向器３でＸ方向
に偏向し、対物レンズ４を介して対象物基板５に照射
し、同時にステージ６をＹ方向に連続で移動させなが
ら、対象物基板４からの二次電子等７を検出器８で検出
し、検出信号をA/D変換器９でA/D変換し、デジタル画像
の検出画像２４とする。まず検出画像２４のうち同一の
パターンであることが期待できる複数個の画像をメモリ
２５に記憶画像２６として記憶する。同一のパターンで
あることが期待できるメモリ２５上の記憶画像２６同士
を位置合せし基準画像作成部６６で平均的な正常部の画
像とみなせる基準画像６５を作成する。比較回路６２で
基準画像６５と新たに検出した検出画像２４を比較する
ことで真の欠陥４１を検出する。基準画像は例えば、位
置合せ後の複数枚の画像のうち各画素毎に最大と最小を
除いた値の平均値とする等の方法でばらつきや欠陥の影
響を受けない平均的な正常部の画像とする。本検査法で
は、平均的な正常部の画像と比較できる為十分な性能で
検査可能である。

【００１８】

【発明の実施の形態】[実施例１]本発明の第１の実施例
を説明する。図１１に第１の実施例の構成を示す。電子
線２を発生させる電子線源１、及び電子線源１からの電
子線２を電極で加速して取出し静電又は磁界重畳レンズ
で一定場所に仮想光源１０１を作る電子銃１０２と仮想
光源１０１よりの電子線２を一定場所に収束させるコン
デンサレンズ１０３と電子銃１０２で収束した位置の近
傍に設置し電子線２のON/OFFを制御をするブランキング
プレート１０４と電子線２をＸＹ方向に偏向する偏向器
１０５と電子線２を対象物基板４上に収束させる対物レ
ンズ４よりなる電子光学系１０６、及び対象物基板であ
るウェーハ３１を真空に保持する試料室１０７、及びウ
ェーハ３１を搭載し任意の位置の画像検出を可能とする
リターディング電圧１０８を印可したステージ６、及び
対象物基板５からの二次電子等７を検出する検出器８、
及び検出器８で検出した検出信号をＡ／Ｄ変換器しデジ
タル画像を得るＡ／Ｄ変換器９、及び１ストライプ分の
記憶画像２７を記憶しておく為のストライプメモリ６
１、及びストライプメモリ６１より２枚の画像を比較す
ることでパターン欠陥候補１１を検出する為の比較回路
６２、及び比較回路６２よりのパターン欠陥候補１１よ
り欠陥リスト１０９を計算し全体制御部１１０へ送る後
処理回路１１１、及び全体制御部１１０の内部で欠陥リ
スト１０９より真の欠陥４１を判定するリアルゴースト
判定部６４、及びウェーハ３１の高さを測定し対物レン
ズ４の電流値をオフセット１１２を加算して制御するこ
とで検出されるディジタル画像の焦点位置を一定に保つ
Ｚセンサ１１３、及びカセット１１４内のウェーハ３１
を試料室１０７に出し入れするローダ１１６(非表示)、
及びウェーハ３１の外形形状を基準にウェーハ３１を位
置決めするオリフラ検出器１１７(非表示)、及びウェー
ハ３１上のパターンを観察する為の光学式顕微鏡１１
８、及びユーザからの指示で全体を制御する全体制御部
１１０(全体制御部１１０からの制御線は図上では省
略)、及びステージ６上に設けた標準試料片１１９より
なる。

【００１９】第１の実施例の動作を説明する。ユーザの
検査開始指示で全体制御部１１０は各部に動作を以下の
手順で指示し検査を行う。ローダ１１６(非表示)に指示
を出し、ローダ１１６はウェーハ３１をカセット１１４
から取出し、オリフラ検出器１１７(非表示)で外形形状
を基準にウェーハを位置決めし、ステージ６にウェーハ
３１を搭載し、試料室１０７内を真空にする。搭載と共
に、電子光学系１０６とリターディング電圧１０８の条
件を設定し、ブランキングプレート１０４に電圧を印可
して電子線２をOFFする。

【００２０】ステージを標準試料片１１９に移動し、Ｚ
センサ１１３有効として焦点をＺセンサ１１３の検出値
値＋オフセット１１２の一定に保ち、偏向器１０５をラ
スタスキャンし、スキャンに同期してブランキングプレ
ート１０４の電圧を切り、電子線２を必要なときのみウ
ェーハ３１に照射し、その時ウェーハ３１より発生する
反射電子又は二次電子を検出器８で検出、Ａ／Ｄ変換器
９でデジタル画像とする。オフセット１０６を変更して
デジタル画像を複数枚検出し、検出毎に全体制御部１１
０で最も画像の微分値の画像内総和が最高となる最適オ
フセット１２０を現在のオフセット値として設定する。
設定後Ｚセンサ１１３を無効にする。ステージ６を移動
し、搭載したウェーハ３１の検査すべき領域の走査開始
位置に移動する。

【００２１】オフセット１１２に予め測定しておいたウ
ェーハ固有のオフセットを加算して設定し、Ｚセンサ１
１３を有効にし、順次ステージ６をＹ方向走査し、ステ
ージ走査に同期して偏向器１０５をＸ方向に走査し、有
効走査時にブランキングプレート１０４の電圧を切り電
子線２をウェーハ３１に照射、走査する。ウェーハ３１
より発生する反射電子又は二次電子を検出器８で検出、
Ａ／Ｄ変換器９でデジタル画像とする。ステージ６の走
査終了後Ｚセンサ１１３を無効とする。検出されたデジ
タル画像はＸ方向に偏向器３の走査幅で０．１um画素寸
法で１０２４画素を走査する場合には１００umとなる。
Ｙ方向はステージ６の走査距離で３００mm径のウェーハ
を検査する場合には３００mm以下となる。

【００２２】予め設定したウェーハ３１上のパターンレ
イアウトを元に図１０で例示したように１回の走査中で
必ず２回比較されるようにチップ座標のペアをテーブル
でストライプメモリ６１に指定する。ストライプメモリ
６１は画像が確定して比較回路６２が動作中で無い場合
に比較回路６２に動作を指示する。比較回路６２では２
枚の画像を比較差がある場所を欠陥候補１１として抽出
し、後処理回路１１１で比較したチップ番号、チップ内
座標、投影長、面積、代表値等からなる欠陥リスト１０
９を作成し、全体制御部１１０内部のリアルゴースト判
定部６４で２回以上欠陥リスト１０９に登録された場所
を真の欠陥４１と判定する。

【００２３】次に、ストライプメモリ６１の容量につい
て検討する。図１０に示したチップ順で、比較回路６２
が検出と同一速度で１式のみの場合には図１２に示した
タイムチャートとなる。チップ１を検出している時は記
憶、比較はしない。チップ２を検出している時はチップ
１を記憶しており、チップ１とチップ２を比較する。以
下同様のである。最低限必要な容量はチップピッチの３
倍である。比較方法を図１３のように工夫すればチップ
ピッチの２倍となる。また、比較回路６２を２式用意す
れば、図１４のように図１０のチップ順でもチップピッ
チの２倍で十分である。また、検出の２倍の速度で比較
すれば、図１５のように図１０のチップ順でもチップピ
ッチの２倍で十分である。

【００２４】本実施例によると、ＳＥＭ画像を用いてウ
ェーハ全面を均一な感度で検査して真の欠陥のみを検出
し、それらをユーザに提示できる特徴がある。

【００２５】即ち、本実施例によれば、ウェハ周辺部に形
成されたチップについても、ウェハ中央部に形成された
チップと同じ感度で欠陥を検出することができる。

【００２６】[実施例２]本発明の第２の実施例を説明す
る。図１６に第２の実施例の構成を示す。電子線２を発
生させる電子線源１、及び電子線源１からの電子線２を
電極で加速して取出し静電又は磁界重畳レンズで一定場
所に仮想光源１０１を作る電子銃１０２と仮想光源１０
１よりの電子線２を一定場所に収束させるコンデンサレ
ンズ１０３と電子銃１０２で収束した位置の近傍に設置
し電子線２のON/OFFを制御をするブランキングプレート
１０４と電子線２をＸＹ方向に偏向する偏向器１０５と
電子線２を対象物基板４上に収束させる対物レンズ４よ
りなる電子光学系１０６、及び対象物基板であるウェー
ハ３１を真空に保持する試料室１０７、及びウェーハ３
１を搭載し任意の位置の画像検出を可能とするリターデ
ィング電圧１０８を印可したステージ６、及び対象物基
板５からの二次電子等７を検出する検出器８、及び検出
器８で検出した検出信号をＡ／Ｄ変換器しデジタル画像
である検出画像２４を得るＡ／Ｄ変換器９、及び１チッ
プ分の記憶画像２６を記憶しておく為のメモリ２５、及
び検出画像２４とメモリ２５よりの記憶画像２６の２枚
の画像を比較することでパターン欠陥候補１１を検出す
る為の比較回路６２、及び比較回路６２よりのパターン
欠陥候補１１より欠陥リスト１０９を計算し全体制御部
１１０へ送る後処理回路１１１、及びパターン欠陥候補
１１の部分の検出画像２４と記憶画像２６を欠陥候補画
像７１として取出し欠陥を判定する欠陥判定手段７３、
及び全体制御部１１０の内部で欠陥リスト１０９より真
の欠陥４１を判定するリアルゴースト判定部６４、及び
ウェーハ３１の高さを測定し対物レンズ４の電流値をオ
フセット１１２を加算して制御することで検出されるデ
ィジタル画像の焦点位置を一定に保つＺセンサ１１３、
及びカセット１１４内のウェーハ３１を試料室１０７に
出し入れするローダ１１６(非表示)、及びウェーハ３１
の外形形状を基準にウェーハ３１を位置決めするオリフ
ラ検出器１１７(非表示)、及びウェーハ３１上のパター
ンを観察する為の光学式顕微鏡１１８、及びユーザから
の指示で全体を制御する全体制御部１１０(全体制御部
１１０からの制御線は図上では省略)、及びステージ６
上に設けた標準試料片１１９よりなる。

【００２７】第２の実施例の動作を説明する。ユーザの
検査開始指示で全体制御部１１０は各部に動作を以下の
手順で指示し検査を行う。ローダ１１６(非表示)に指示
を出し、ローダ１１６はウェーハ３１をカセット１１４
から取出し、オリフラ検出器１１７(非表示)で外形形状
を基準にウェーハを位置決めし、ステージ６にウェーハ
３１を搭載し、試料室１０７内を真空にする。

【００２８】搭載と共に、電子光学系１０６とリターデ
ィング電圧１０８の条件を設定し、ブランキングプレー
ト１０４に電圧を印可して電子線２をOFFする。ステー
ジを標準試料片１１９に移動し、Ｚセンサ１１３有効と
して焦点をＺセンサ１１３の検出値値＋オフセット１１
２の一定に保ち、偏向器１０５をラスタスキャンし、ス
キャンに同期してブランキングプレート１０４の電圧を
切り、電子線２を必要なときのみウェーハ３１に照射
し、その時ウェーハ３１より発生する反射電子又は二次
電子を検出器８で検出、Ａ／Ｄ変換器９でデジタル画像
とする。

【００２９】オフセット１０６を変更してデジタル画像
を複数枚検出し、検出毎に全体制御部１１０で最も画像
の微分値の画像内総和が最高となる最適オフセット１２
０を現在のオフセット値として設定する。設定後Ｚセン
サ１１３を無効にする。

【００３０】ステージ６を移動し、搭載したウェーハ３
１の検査すべき領域の走査開始位置に移動する。オフセ
ット１１２に予め測定しておいたウェーハ固有のオフセ
ットを加算して設定し、Ｚセンサ１１３を有効にし、順
次ステージ６をＹ方向走査し、ステージ走査に同期して
偏向器１０５をＸ方向に走査し、有効走査時にブランキ
ングプレート１０４の電圧を切り電子線２をウェーハ３
１に照射、走査する。ウェーハ３１より発生する反射電
子又は二次電子を検出器８で検出、Ａ／Ｄ変換器９でデ
ジタル画像とする。ステージ６の走査終了後Ｚセンサ１
１３を無効とする。

【００３１】予め設定したウェーハ３１上のパターンレ
イアウトを元に図１７で例示したように順に検査する。
メモリ２５は常に検査しているチップの１つ前のチップ
の画像を記憶している。検出画像２４と記憶画像２６を
比較回路６２で比較し差がある場所を欠陥候補１１とし
て抽出し、後処理回路１１１で比較したチップ番号、チ
ップ内座標、投影長、面積、代表値等からなる欠陥リス
ト１０９を作成し、全体制御部１１０内部のリアルゴー
スト判定部６４で２回以上欠陥リスト１０９に登録され
た場所を真の欠陥４１と判定する。検出画像２４と記憶
画像２６の比較はステージ走査で得られた画像にクロー
ズして行い、異なるステージ走査同士で検出した画像間
の比較は行わない。

【００３２】ステージ走査の最初と最後のチップは１回
しか検出していないので真の欠陥と判定されることが無
い。そこで、パターン欠陥候補１１の部分の検出画像２
４と記憶画像２６を欠陥候補画像７１として取出し欠陥
判定手段７３に送り、並列に処理可能な複数のＣＰＵで
画像を詳細に解析し、真の欠陥４１と判定された場合に
は全体制御部内のリアルゴースト判定部６４で欠陥リス
ト１０９への１回のみの登録であっても真の欠陥４１と
判定するように指示する。

【００３３】本実施例の第１の変形として全てのパター
ン欠陥候補１１について欠陥判定手段７３で判定を行
う。これによりより信頼性高く欠陥判定できる。

【００３４】本実施例の第２の変形として特開平１１−
１６０２４７号に記載された方法で仮の欠陥を取出し、
仮の欠陥について欠陥判定手段７３で判定を行う。これ
によりより少数の画像について欠陥判定手段７３で判定
を行うことで同等の性能を達成できる。

【００３５】本実施例によると、ＳＥＭ画像を用いてウ
ェーハ全面を均一な感度で検査して真の欠陥のみを検出
し、それらをユーザに提示することができる。

【００３６】［実施例３］本発明の第３の実施例を説明
する。図１８に第３の実施例の構成を示す。電子線２を
発生させる電子線源１、及び電子線源１からの電子線２
を電極で加速して取出し静電又は磁界重畳レンズで一定
場所に仮想光源１０１を作る電子銃１０２と仮想光源１
０１よりの電子線２を一定場所に収束させるコンデンサ
レンズ１０３と電子銃１０２で収束した位置の近傍に設
置し電子線２のON/OFFを制御をするブランキングプレー
ト１０４と電子線２をＸＹ方向に偏向する偏向器１０５
と電子線２を対象物基板４上に収束させる対物レンズ４
よりなる電子光学系１０６、及び対象物基板であるウェ
ーハ３１を真空に保持する試料室１０７、及びウェーハ
３１を搭載し任意の位置の画像検出を可能とするリター
ディング電圧１０８を印可したステージ６、及び対象物
基板５からの二次電子等７を検出する検出器８、及び検
出器８で検出した検出信号をＡ／Ｄ変換器しデジタル画
像である検出画像２４を得るＡ／Ｄ変換器９、及び複数
チップ分の記憶画像２６を記憶しておく為のメモリ２
５、及びメモリ２５上の記憶画像２６同士を位置合せし
平均的な正常部の画像とみなせる基準画像６５を作成す
る基準画像作成部６６、及び基準画像６５と新たに検出
した検出画像２４の２枚の画像を比較することでパター
ン欠陥候補１１を検出する為の比較回路６２、及び比較
回路６２よりの真の欠陥１１の欠陥リスト１０９を計算
し全体制御部１１０へ送る後処理回路１１１、及びウェ
ーハ３１の高さを測定し対物レンズ４の電流値をオフセ
ット１１２を加算して制御することで検出されるディジ
タル画像の焦点位置を一定に保つＺセンサ１１３、及び
カセット１１４内のウェーハ３１を試料室１０７に出し
入れするローダ１１６(非表示)、及びウェーハ３１の外
形形状を基準にウェーハ３１を位置決めするオリフラ検
出器１１７(非表示)、及びウェーハ３１上のパターンを
観察する為の光学式顕微鏡１１８、及びユーザからの指
示で全体を制御する全体制御部１１０(全体制御部１１
０からの制御線は図上では省略)、及びステージ６上に
設けた標準試料片１１９よりなる。

【００３７】第３の実施例の動作を説明する。ユーザの
検査開始指示で全体制御部１１０は各部に動作を以下の
手順で指示し検査を行う。ローダ１１６(非表示)に指示
を出し、ローダ１１６はウェーハ３１をカセット１１４
から取出し、オリフラ検出器１１７(非表示)で外形形状
を基準にウェーハを位置決めし、ステージ６にウェーハ
３１を搭載し、試料室１０７内を真空にする。搭載と共
に、電子光学系１０６とリターディング電圧１０８の条
件を設定し、ブランキングプレート１０４に電圧を印可
して電子線２をOFFする。

【００３８】ステージを標準試料片１１９に移動し、Ｚ
センサ１１３有効として焦点をＺセンサ１１３の検出値
値＋オフセット１１２の一定に保ち、偏向器１０５をラ
スタスキャンし、スキャンに同期してブランキングプレ
ート１０４の電圧を切り、電子線２を必要なときのみウ
ェーハ３１に照射し、その時ウェーハ３１より発生する
反射電子又は二次電子を検出器８で検出、Ａ／Ｄ変換器
９でデジタル画像とする。オフセット１０６を変更して
デジタル画像を複数枚検出し、検出毎に全体制御部１１
０で最も画像の微分値の画像内総和が最高となる最適オ
フセット１２０を現在のオフセット値として設定する。
設定後Ｚセンサ１１３を無効にする。

【００３９】ステージ６を移動し、搭載したウェーハ３
１の検査すべき領域の走査開始位置に移動する。オフセ
ット１１２に予め測定しておいたウェーハ固有のオフセ
ットを加算して設定し、Ｚセンサ１１３を有効にし、順
次ステージ６をＹ方向走査し、ステージ走査に同期して
偏向器１０５をＸ方向に走査し、有効走査時にブランキ
ングプレート１０４の電圧を切り電子線２をウェーハ３
１に照射、走査する。ウェーハ３１より発生する反射電
子又は二次電子を検出器８で検出、Ａ／Ｄ変換器９でデ
ジタル画像とする。ステージ６の走査終了後Ｚセンサ１
１３を無効とする。

【００４０】予め設定したウェーハ３１上のチップを元
に順に画像を取得する。基準画像作成部６６で記憶画像
２６同士を位置合せし平均的な正常部の画像とみなせる
基準画像６５を作成する。記憶画像２６と新たに検出し
た検出画像２４の２種類の画像を比較回路６２で基準画
像６５と比較し差がある場所を真の欠陥４１として抽出
し、後処理回路１１１でチップ番号、チップ内座標、投
影長、面積、代表値等からなる欠陥リスト１０９を作成
し、全体制御部１１０に送る。基準画像は、最初のＮ個
のチップで作成し、Ｎ個＋残りのチップを検査する。

【００４１】ここで、記憶画像２６の最初のチップの画
像を基準に２番目以降のチップの画像を位置合せする。
位置合せ後の画像の各画素毎に最大、最小の値を除外
し、残りの値の平均値を基準画像とする。

【００４２】本実施例によると、Ｎチップの画像データ
を元に基準画像を作成している為、ウェーハ内で徐々に
変化しているタイプの欠陥であっても欠陥として判定可
能である。

【００４３】

【発明の効果】本発明によると、対象物基板全面を均一
な感度で検査して真の欠陥のみを検出し、それらをユー
ザに提示できる特徴がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の電子線式パターン検査装置の概略構成を
示す正面図である。

【図２】従来の光学式パターン検査装置の概略構成を示
す正面図である。

【図３】半導体ウェーハのレイアウトを示す平面図であ
る。

【図４】リアルゴースト判定を説明するチップの平面図
である。

【図５】半導体ウェーハの検査順を示す平面図である。

【図６】本発明の第１の解決手段の概略構成を示す電子
線式パターン検査装置の正面図である。

【図７】本発明の第２の解決手段の概略構成を示す電子
線式パターン検査装置の正面図である。

【図８】本発明の第３の解決手段の概略構成を示す電子
線式パターン検査装置の正面図である。

【図９】本発明の第４の解決手段の概略構成を示す電子
線式パターン検査装置の正面図である。

【図１０】比較するチップを示す半導体ウェハの平面図
である。

【図１１】本発明の第１の実施例による電子線式パター
ン検査装置の概略構成を示す正面図である。

【図１２】本発明の第１の実施例の第１の検討のタイム
チャートを示す図である。

【図１３】本発明の第１の実施例の第２の検討のタイム
チャートを示す図である。

【図１４】本発明の第１の実施例の第３の検討のタイム
チャートを示す図である。

【図１５】本発明の第１の実施例の第４の検討のタイム
チャートを示す図である。

【図１６】本発明の第２の実施例による電子線式パター
ン検査装置の概略構成を示す正面図である。

【図１７】本発明の第２の実施例による半導体ウェハ上
の走査順を示す平面図である。

【図１８】本発明の第３の実施例による電子線式パター
ン検査装置の概略構成を示す正面図である。

【符号の説明】

１・・・電子線源２・・・電子線３・・・偏向
器４・・・対物レンズ５・・・対象物基板
６・・・ステージ８・・・検出器９・・・Ａ／
Ｄ変換器１０・・・画像処理回路１１・・・パ
ターン欠陥候補２１・・・光源２２・・対物レンズ
２３・・・イメージセンサ２４・・・検出画像
２５・・・メモリ２７・・記憶画像３１・・・
ウェーハ３２・・・チップ３３・・・走査線
３４・・・ストライプ領域４１・・・真の欠陥６
１・・・ストライプメモリ６２・・・比較回路
６４・・・リアルゴースト判定部７１・・・欠陥候
補画像７２・・・欠陥判定手段７３・・・仮の
欠陥１０１・・・仮想光源１０２・・・電子銃
１０３・・・コンデンサレンズ１０４・・・ブ
ランキングプレート１０５・・・偏向器１０６
・・・電子光学系１０９・・・欠陥リスト１１
０・・・全体制御部１１１・・・後処理回路１
１３・・・Ｚセンサ１１８・・光学式顕微鏡

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０１Ｒ 31/02 Ｇ０１Ｒ 31/02 ２Ｈ０８８ 31/302 Ｇ０２Ｆ 1/13 １０１４Ｍ１０６Ｇ０２Ｆ 1/13 １０１Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ５Ｂ０５７Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｌ (72)発明者渡辺正浩神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者宍戸千絵神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者田中麻紀神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者久邇朝宏神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内Ｆターム(参考） 2G001 AA03 BA07 BA11 BA14 CA03 FA01 FA06 GA06 HA01 HA07 HA13 HA20 JA02 JA03 JA11 JA14 JA16 KA03 LA11 MA05 PA01 2G011 AA01 AD02 AE01 2G014 AA02 AA03 AB59 AC11 2G032 AE08 AF08 2G051 AA51 AA73 AB02 BA00 CA03 CA04 DA07 EA08 EA12 EA14 EB01 EB02 2H088 FA13 MA20 4M106 AA01 BA02 BA04 CA39 DB05 DB21 DB30 DJ11 DJ18 DJ21 5B057 BA01 CA02 CA08 CA12 CA17 DA03 DB02 DB05 DB09 DC03 DC04 DC32

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、ス
テージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射電
子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換する
ことでディジタル画像を検出、記憶し、１箇所が２回以
上判定されるように予め決めた同一であることが期待で
きる２枚の画像が確定後、２枚の画像を比較して欠陥候
補を取出し、同一場所が２回以上欠陥候補になった場合
に真の欠陥と判定することを特徴とするパターン検査方
法。
【請求項２】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、ス
テージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射電
子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換する
ことでディジタル画像を検出、記憶し、記憶画像の１箇
所当り２回判定以上画像を比較して欠陥候補を取出し、
同一場所が２回以上欠陥候補になった場合に真の欠陥と
判定することを特徴とするパターン検査方法。
【請求項３】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、ス
テージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射電
子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換する
ことでディジタル画像を検出、記憶し、記憶画像中の１
方向ののステージ走査のみで取得した画像の内、同一で
あることが期待できる２枚の画像が確定後、２枚の画像
を比較して欠陥を判定することを特徴とするパターン検
査方法。
【請求項４】前記１方向ののステージ走査のみで取得し
た画像は、１回のステージ走査で取得した画像であるこ
とを特徴とする請求項３に記載のパターン検査方法。
【請求項５】前記記憶する画像は、少なくとも繰返し存
在する同一のパターンが期待できるピッチの２倍以上の
容量を持つことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに
記載のパターン検査方法。
【請求項６】前記記憶する画像は、１ステージ走査によ
る画像以上の容量を持つことを特徴とする請求項１乃至
３の何れかに記載のパターン検査方法。
【請求項７】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、ス
テージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射電
子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換する
ことでディジタル画像を検出、記憶し、予め決めた同一
であることが期待できる２枚の画像が確定後、２枚の画
像を比較して欠陥候補を取出し、欠陥候補部分の画像を
記憶、又はこれから検出される予め決めた同一であるこ
とが期待できる２枚の画像と比較する事で真の欠陥を判
定することを特徴とするパターン検査方法。
【請求項８】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、ス
テージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射電
子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換する
ことでディジタル画像を検出、記憶し、予め決めた同一
であることが期待できる２枚の画像が確定後、２枚の画
像を比較して欠陥候補を取出し、欠陥候補部がもう１回
比較される場合には２回とも欠陥候補と判定された場合
に真の欠陥と判定し、１回しか判定されない場合には欠
陥候補部分の画像を記憶、又はこれから検出される予め
決めた同一であることが期待できる２枚の画像と比較す
る事で真の欠陥を判定することを特徴とするパターン検
査方法。
【請求項９】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、ス
テージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射電
子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換する
ことでディジタル画像を検出、記憶し、予め決めた同一
であることが期待できる２枚の画像が確定後、２枚の画
像を比較して欠陥候補を取出し、欠陥候補部分の画像を
更に詳細に解析する事で真の欠陥と判定することを特徴
とするパターン検査方法。
【請求項１０】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
ステージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射
電子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換す
ることでディジタル画像を検出、記憶し、予め決めた同
一であることが期待できる２枚の画像が確定後、２枚の
画像を比較して欠陥候補を取出し、欠陥候補部がもう１
回比較される場合には２回とも欠陥候補と判定された場
合に真の欠陥と判定し、１回しか判定されない場合には
欠陥候補部分の画像を更に詳細に解析する事で真の欠陥
と判定することを特徴とするパターン検査方法。
【請求項１１】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
ステージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射
電子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換す
ることでディジタル画像を検出、記憶し、予め決めた同
一であることが期待できる２枚の画像が確定後、２枚の
画像を比較して欠陥候補を取出し、欠陥候補部がもう１
回比較される場合には２回とも欠陥候補と判定された場
合に真の欠陥と判定し、１回しか判定されない場合には
欠陥候補部分の画像を更に詳細に解析する事で真の欠陥
と判定することを特徴とするパターン検査方法。
【請求項１２】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
ステージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射
電子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換す
ることでディジタル画像を検出、記憶し、記憶画像中の
同一の画像であることが期待できる１枚以上の画像より
基準画像のみ、又は基準画像と誤差画像を作成し、基準
画像と同一の画像であることが期待できる場所の画像を
順次検出し、基準画像と比較して一定の基準又は誤差画
像に応じた基準で欠陥を判定することを特徴とするパタ
ーン検査方法。
【請求項１３】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
ステージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射
電子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換す
ることでディジタル画像を検出、記憶し、記憶画像中の
同一の画像であることが期待できる１枚以上の画像より
基準画像のみ、又は基準画像と誤差画像を作成し、基準
画像と同一の画像であることが期待できる場所の記憶画
像、及び順次検出した画像と比較して一定の基準又は誤
差画像に応じた基準で欠陥を判定することを特徴とする
パターン検査方法。
【請求項１４】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
ステージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射
電子、透過電子、吸収電子の何れかを検出し、A/D変換
することでディジタル画像を検出する検出部、及び検出
部で検出したディジタル画像を記憶する記憶部、及び１
箇所が２回以上判定されるように予め決めた同一である
ことが期待できる２枚の画像が確定後、記憶部より２枚
の画像を比較して欠陥候補を取出す比較部、同一場所が
２回以上欠陥候補になった場合に真の欠陥と判定するリ
アルゴースト判定部を備えたことを特徴とするパターン
検査装置。
【請求項１５】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
ステージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射
電子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換す
ることでディジタル画像を検出する検出部、及び検出部
で検出したディジタル画像を記憶する記憶部、及び記憶
画像の１箇所当り２回判定以上画像を比較して欠陥候補
を取出す比較部、及び同一場所が２回以上欠陥候補にな
った場合に真の欠陥と判定するリアルゴースト判定部を
備えたことを特徴とするパターン検査装置。
【請求項１６】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
ステージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射
電子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換す
ることでディジタル画像を検出する検出部、及び検出部
で検出したディジタル画像を記憶する記憶部、及び記憶
画像中の１方向ののステージ走査のみで取得した画像の
内、同一であることが期待できる２枚の画像が確定後、
２枚の画像を比較して欠陥を判定する比較部を備えたこ
とを特徴とするパターン検査装置。
【請求項１７】前記１方向ののステージ走査のみで取得
した画像は、１回のステージ走査で取得した画像である
ことを特徴とする請求項１６に記載のパターン検査装
置。
【請求項１８】前記記憶する画像は、少なくとも繰返し
存在する同一のパターンが期待できるピッチの２倍以上
の容量を持つことを特徴とする請求項１４乃至１６の何
れかに記載のパターン検査装置。
【請求項１９】前記記憶する画像は、１ステージ走査に
よる画像以上の容量を持つことを特徴とする請求項１４
乃至１６の何れかに記載のパターン検査装置。
【請求項２０】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
ステージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射
電子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換す
ることでディジタル画像を検出する検出部、及び検出部
で検出したディジタル画像を記憶する記憶部、及び予め
決めた同一であることが期待できる２枚の画像が確定
後、２枚の画像を比較して欠陥候補を取出す比較部、及
び欠陥候補部分の画像を記憶、又はこれから検出される
予め決めた同一であることが期待できる２枚の画像と比
較する事で真の欠陥を判定する欠陥判定部を備えること
を特徴とするパターン検査装置。
【請求項２１】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
ステージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射
電子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換す
ることでディジタル画像を検出する検出部、及び検出部
で検出したディジタル画像を記憶する記憶部、及び予め
決めた同一であることが期待できる２枚の画像が確定
後、２枚の画像を比較して欠陥候補を取出す比較部、及
び欠陥候補部がもう１回比較される場合には２回とも欠
陥候補と判定された場合に真の欠陥と判定するリアルゴ
ースト判定部、及び１回しか判定されない場合には欠陥
候補部分の画像を記憶、又はこれから検出される予め決
めた同一であることが期待できる２枚の画像と比較する
事で真の欠陥を判定する欠陥判定部を備えたことを特徴
とするパターン検査装置。
【請求項２２】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
ステージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射
電子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換す
ることでディジタル画像を検出する検出部、及び検出部
で検出したディジタル画像を記憶する記憶部、及び予め
決めた同一であることが期待できる２枚の画像が確定
後、２枚の画像を比較して欠陥候補を取出す比較部、及
び欠陥候補部分の画像を更に詳細に解析する事で真の欠
陥と判定する欠陥判定部を備えたことを特徴とするパタ
ーン検査装置。
【請求項２３】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
ステージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射
電子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換す
ることでディジタル画像を検出する検出部、及び検出部
で検出したディジタル画像を記憶する記憶部、及び予め
決めた同一であることが期待できる２枚の画像が確定
後、２枚の画像を比較して欠陥候補を取出す比較部、及
び欠陥候補部がもう１回比較される場合には２回とも欠
陥候補と判定された場合に真の欠陥と判定するリアルゴ
ースト判定部、及び１回しか判定されない場合には欠陥
候補部分の画像を更に詳細に解析する事で真の欠陥と判
定する欠陥判定部を備えたことを特徴とするパターン検
査装置。
【請求項２４】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
ステージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射
電子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換す
ることでディジタル画像を検出する検出部、及び検出部
で検出したディジタル画像を記憶する記憶部、及び予め
決めた同一であることが期待できる２枚の画像が確定
後、２枚の画像を比較して欠陥候補を取出す比較部、及
び欠陥候補部がもう１回比較される場合には２回とも欠
陥候補と判定された場合に真の欠陥と判定するリアルゴ
ースト判定部、及び１回しか判定されない場合には欠陥
候補部分の画像を更に詳細に解析する事で真の欠陥と判
定する欠陥解析部を備えたことを特徴とするパターン検
査装置。
【請求項２５】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
ステージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射
電子、透過電子、吸収電子の何れかを検出し、A/D変換
することでディジタル画像を検出する検出部、及び検出
部で検出したディジタル画像を記憶する記憶部、及び記
憶画像中の同一の画像であることが期待できる１枚以上
の画像より基準画像のみ、又は基準画像と誤差画像を作
成する基準画像作成部、及び基準画像と同一の画像であ
ることが期待できる場所の画像を順次検出し、基準画像
と比較して一定の基準又は誤差画像に応じた基準で欠陥
を判定する比較部を備えたことを特徴とするパターン検
査装置。
【請求項２６】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
ステージを走査しながら、発生する光、二次電子、反射
電子、透過電子、吸収電子の何れかを検出、A/D変換す
ることでディジタル画像を検出する検出部、及び検出部
で検出したディジタル画像を記憶する記憶部、及び記憶
画像中の同一の画像であることが期待できる１枚以上の
画像より基準画像のみ、又は基準画像と誤差画像を作成
する基準画像作成部、及び基準画像と同一の画像である
ことが期待できる場所の記憶画像、及び順次検出した画
像と比較して一定の基準又は誤差画像に応じた基準で欠
陥を判定する比較部を備えたことを特徴とするパターン
検査装置。