JP2002049143A - 位相シフトマスクの欠陥検査装置 - Google Patents
位相シフトマスクの欠陥検査装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学的な方法と電気信号の比較を用いた簡単
な方法で、従来の検査技術で検出できなかった位相シフ
タ欠陥を検出できる位相シフトマスクの欠陥検査装置。 【解決手段】 マスク透明基板１上に透過光に位相差を
生じさせる位相シフタパターンが設けられた位相シフト
マスクの欠陥検査装置において、位相シフタ形成後に位
相シフトマスク１のマスク透明基板１側から位相シフタ
の欠陥検査を行う。そのために、位相シフトマスク１の
マスク透明基板１側から光１２を照射し、位相シフタ加
工部の異なる２か所以上の反射像を光電変換受光素子１
５ａ、１５ｂで取り込み、その各々の反射像の画像信号
１７、１８を比較して、その信号差によってマスク上の
欠陥を検出する。
な方法で、従来の検査技術で検出できなかった位相シフ
タ欠陥を検出できる位相シフトマスクの欠陥検査装置。 【解決手段】 マスク透明基板１上に透過光に位相差を
生じさせる位相シフタパターンが設けられた位相シフト
マスクの欠陥検査装置において、位相シフタ形成後に位
相シフトマスク１のマスク透明基板１側から位相シフタ
の欠陥検査を行う。そのために、位相シフトマスク１の
マスク透明基板１側から光１２を照射し、位相シフタ加
工部の異なる２か所以上の反射像を光電変換受光素子１
５ａ、１５ｂで取り込み、その各々の反射像の画像信号
１７、１８を比較して、その信号差によってマスク上の
欠陥を検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、位相シフトマスク
の欠陥検査装置に関し、特に、位相シフトマスクの位相
シフタの欠陥検査装置に関するものである。
の欠陥検査装置に関し、特に、位相シフトマスクの位相
シフタの欠陥検査装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の微細化が進み、回路素
子や配線の設計ルールがサブミクロンオーダになると、
ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦ線（波長２４５ｎｍ）
等の光によってフォトマスク上の集積回路パターンを半
導体ウエハに転写するフォトリソグラフィ工程において
は、パターン転写精度の低下が深刻な問題となる。そこ
で、特に解像度の要求される工程のフォトマスクには、
光透過部に位相シフタを配した位相シフト（フォト）マ
スクが用いられている。
子や配線の設計ルールがサブミクロンオーダになると、
ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦ線（波長２４５ｎｍ）
等の光によってフォトマスク上の集積回路パターンを半
導体ウエハに転写するフォトリソグラフィ工程において
は、パターン転写精度の低下が深刻な問題となる。そこ
で、特に解像度の要求される工程のフォトマスクには、
光透過部に位相シフタを配した位相シフト（フォト）マ
スクが用いられている。
【０００３】位相シフトマスクの構造は、主に、マスク
の光透過部に位相シフタ形成するためにガラス基板を彫
り込んだ基板彫り込み型位相シフトマスクである。その
断面図を図２に示す。ガラス基板３１上に繰り返し模様
のクロム遮光パターン３２を設け、１個おきのスペース
部の透明基板３１を使用波長の半波長分（位相差にして
約１８０°）エッチング除去して彫り込み３３を形成し
てなるものである。
の光透過部に位相シフタ形成するためにガラス基板を彫
り込んだ基板彫り込み型位相シフトマスクである。その
断面図を図２に示す。ガラス基板３１上に繰り返し模様
のクロム遮光パターン３２を設け、１個おきのスペース
部の透明基板３１を使用波長の半波長分（位相差にして
約１８０°）エッチング除去して彫り込み３３を形成し
てなるものである。
【０００４】これらの位相シフトフォトマスク上の位相
シフタ欠陥は、マスク作成プロセスにおいて発生し、例
えば１８０°位相形成部に異物等が付着し、位相シフタ
の部分的未加工欠陥や、位相シフタ未加工部にレジスト
ピンホール等による余剰位相シフタ欠陥がある。
シフタ欠陥は、マスク作成プロセスにおいて発生し、例
えば１８０°位相形成部に異物等が付着し、位相シフタ
の部分的未加工欠陥や、位相シフタ未加工部にレジスト
ピンホール等による余剰位相シフタ欠陥がある。
【０００５】位相シフタ形成部のエッジは、クロムパタ
ーンの下に形成されることと、また、位相シフタは光透
過部に形成されることから、従来の透過光検査や、表裏
両面から光を照射して反射光と透過光との比較検査方式
では、上記位相シフタ欠陥が全て検出できないことか
ら、現在、検査対象フォトマスクを露光装置にてウエハ
上に転写し、その転写パターンを用いて検査機にて欠陥
有無をチェックし判定する方法が行われている。
ーンの下に形成されることと、また、位相シフタは光透
過部に形成されることから、従来の透過光検査や、表裏
両面から光を照射して反射光と透過光との比較検査方式
では、上記位相シフタ欠陥が全て検出できないことか
ら、現在、検査対象フォトマスクを露光装置にてウエハ
上に転写し、その転写パターンを用いて検査機にて欠陥
有無をチェックし判定する方法が行われている。
【０００６】しかし、線幅０．１μｍ以下の半導体集積
回路デバイスになると、ウエハ上のパターン欠陥検出サ
イズは、１０〜３０ｎｍとなり、ウエハ欠陥検査装置で
の検出が不可能になる。
回路デバイスになると、ウエハ上のパターン欠陥検出サ
イズは、１０〜３０ｎｍとなり、ウエハ欠陥検査装置で
の検出が不可能になる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上の状況から、基板
彫り込み型位相シフトマスクの位相シフタ欠陥検査装置
の開発が必要となってきている。
彫り込み型位相シフトマスクの位相シフタ欠陥検査装置
の開発が必要となってきている。
【０００８】これまでの技術とその問題点としては、 １）位相シフタはマスクの光透過部に形成されることか
ら、市販されているＫＬＡ．Ｔｅｎｃｏｒ社、レーザテ
ック社等の透過光検査方式の検査装置では、光透過部の
ガラス上に形成された位相差のズレ段差欠陥は検出でき
ない。 ２）特に基板彫り込み型位相シフトマスクの欠陥検査
は、位相シフタ形成部のエッジがクロムパターンの下に
形成されることから、マスク検査装置のもう１つの検査
方式であるＳＴＡＲｌｉｇｈｔ（ＫＬＡ．Ｔｅｎｃｏｒ
社商品名）検査方式、マスクの被検査部の任意の場所に
おいて、マスクの裏面からの透過光像と表面からの反射
光像を比較する検査方法でも、位相シフタ欠陥は検出で
きない。 ３）レーザテック社の９ＭＤ８３ＳＲ等のマスクパター
ン形成された表面からの反射光検査では、位相差のズレ
が１２０°以下と位相ズレ量が低くなる場合は検出でき
ない。 ４）以上、現在市販されているマスク検査装置では、位
相シフタ欠陥が十分に検出できないことから、位相シフ
トマスクの欠陥の有無確認のため、検査対象フォトマス
クをウエハ露光装置にてウエハ上に転写し、その転写パ
ターンを２チップ比較検査装置にて位相シフトマスクの
欠陥有無を判定する方法が行われている。そのため、マ
スク製作プロセスでは評価できず、ウエハプロセスに依
頼して評価しており、マスク製作工数は長くなる。 ５）しかも、将来、微細化が進み線幅０．１μｍ以下の
微細パターンになると、ウエハに転写して位相シフトマ
スクを評価する場合、その欠陥サイズが１０〜３０ｎｍ
になり、現在のウエハ欠陥検査装置での検出感度が不足
し検査ができず評価する手段がなくなる。
ら、市販されているＫＬＡ．Ｔｅｎｃｏｒ社、レーザテ
ック社等の透過光検査方式の検査装置では、光透過部の
ガラス上に形成された位相差のズレ段差欠陥は検出でき
ない。 ２）特に基板彫り込み型位相シフトマスクの欠陥検査
は、位相シフタ形成部のエッジがクロムパターンの下に
形成されることから、マスク検査装置のもう１つの検査
方式であるＳＴＡＲｌｉｇｈｔ（ＫＬＡ．Ｔｅｎｃｏｒ
社商品名）検査方式、マスクの被検査部の任意の場所に
おいて、マスクの裏面からの透過光像と表面からの反射
光像を比較する検査方法でも、位相シフタ欠陥は検出で
きない。 ３）レーザテック社の９ＭＤ８３ＳＲ等のマスクパター
ン形成された表面からの反射光検査では、位相差のズレ
が１２０°以下と位相ズレ量が低くなる場合は検出でき
ない。 ４）以上、現在市販されているマスク検査装置では、位
相シフタ欠陥が十分に検出できないことから、位相シフ
トマスクの欠陥の有無確認のため、検査対象フォトマス
クをウエハ露光装置にてウエハ上に転写し、その転写パ
ターンを２チップ比較検査装置にて位相シフトマスクの
欠陥有無を判定する方法が行われている。そのため、マ
スク製作プロセスでは評価できず、ウエハプロセスに依
頼して評価しており、マスク製作工数は長くなる。 ５）しかも、将来、微細化が進み線幅０．１μｍ以下の
微細パターンになると、ウエハに転写して位相シフトマ
スクを評価する場合、その欠陥サイズが１０〜３０ｎｍ
になり、現在のウエハ欠陥検査装置での検出感度が不足
し検査ができず評価する手段がなくなる。
【０００９】本発明は従来技術のこのような現状に鑑み
てなされたものであり、その目的は、光学的な方法と電
気信号の比較を用いた簡単な方法で、従来の検査技術で
検出できなかった位相シフタ欠陥を検出できる位相シフ
トマスクの欠陥検査装置を提供することである。
てなされたものであり、その目的は、光学的な方法と電
気信号の比較を用いた簡単な方法で、従来の検査技術で
検出できなかった位相シフタ欠陥を検出できる位相シフ
トマスクの欠陥検査装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の位相シフトマスクの欠陥検査装置は、マスク透明基
板上に透過光に位相差を生じさせる位相シフタパターン
が設けられた位相シフトマスクの欠陥検査装置におい
て、前記位相シフタ形成後に前記位相シフトマスクの前
記マスク透明基板側から位相シフタの欠陥検査を行うこ
とを特徴とするものである。
明の位相シフトマスクの欠陥検査装置は、マスク透明基
板上に透過光に位相差を生じさせる位相シフタパターン
が設けられた位相シフトマスクの欠陥検査装置におい
て、前記位相シフタ形成後に前記位相シフトマスクの前
記マスク透明基板側から位相シフタの欠陥検査を行うこ
とを特徴とするものである。
【００１１】この場合、位相シフトマスクのマスク透明
基板側から光を照射し、位相シフタ加工部の異なる２か
所以上の反射像を取り込み、その各々の反射像の画像信
号を比較して、その信号差によってマスク上の欠陥を検
出するようにすることが望ましい。
基板側から光を照射し、位相シフタ加工部の異なる２か
所以上の反射像を取り込み、その各々の反射像の画像信
号を比較して、その信号差によってマスク上の欠陥を検
出するようにすることが望ましい。
【００１２】そして、その位相シフタ加工部の異なる２
か所以上の部分は、相互に異なるチップパターンの位相
シフタ加工部であってもよい。
か所以上の部分は、相互に異なるチップパターンの位相
シフタ加工部であってもよい。
【００１３】その場合は、位相シフタ加工部の異なる２
か所以上の反射像を別々の拡大光学系を通して取り込む
ことが望ましい。
か所以上の反射像を別々の拡大光学系を通して取り込む
ことが望ましい。
【００１４】また、その位相シフタ加工部の異なる２か
所以上の部分は、同一チップパターン内の異なる位相シ
フタ加工部であってもよい。
所以上の部分は、同一チップパターン内の異なる位相シ
フタ加工部であってもよい。
【００１５】その場合は、位相シフタ加工部の異なる２
か所以上の反射像を同一の拡大光学系を通して取り込む
ことが望ましい。
か所以上の反射像を同一の拡大光学系を通して取り込む
ことが望ましい。
【００１６】また、反射光による反射像の取り込みは、
暗視野照明による暗視野像が望ましいが、明視野照明に
よる明視野像であってもよい。
暗視野照明による暗視野像が望ましいが、明視野照明に
よる明視野像であってもよい。
【００１７】本発明においては、位相シフタ形成後に位
相シフトマスクのマスク透明基板側から位相シフタの欠
陥検査を行うので、位相シフタ加工部のエッジ形状、位
相シフタの有無、位相シフタ高さの差等が容易に確認で
き、位相シフタ欠陥を容易に検出することができる。
相シフトマスクのマスク透明基板側から位相シフタの欠
陥検査を行うので、位相シフタ加工部のエッジ形状、位
相シフタの有無、位相シフタ高さの差等が容易に確認で
き、位相シフタ欠陥を容易に検出することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の基本は、位相シフトマス
クのガラス基板の位相シフタ加工部の位相シフタ欠陥を
検出するために、マスク裏面から光を照射してその反射
光を拡大光学系を通して位相シフタ形状を拡大して取り
込み、取り込まれた２つ以上の像の電気信号を比較し、
信号差を生じたマスク上の座標を位相シフタ欠陥部と判
定するものである。本発明の検査方式は、マスクのガラ
ス基板側の裏面に光を照射し、その反射光にて位相シフ
タ検査をする検査方式である。
クのガラス基板の位相シフタ加工部の位相シフタ欠陥を
検出するために、マスク裏面から光を照射してその反射
光を拡大光学系を通して位相シフタ形状を拡大して取り
込み、取り込まれた２つ以上の像の電気信号を比較し、
信号差を生じたマスク上の座標を位相シフタ欠陥部と判
定するものである。本発明の検査方式は、マスクのガラ
ス基板側の裏面に光を照射し、その反射光にて位相シフ
タ検査をする検査方式である。
【００１９】以下、図１を参照にして、本発明の位相シ
フトマスクの欠陥検査装置の１実施例につてい説明す
る。
フトマスクの欠陥検査装置の１実施例につてい説明す
る。
【００２０】本実施例の位相シフトフォトマスク（レチ
クル）１は、例えば半導体集積回路装置の製造工程の露
光工程において、所定の集積回路パターンを半導体ウエ
ハ上に転写するためのものである。このフォトマスク１
には、実寸の例えば５倍や４倍の集積回路パターンの原
画が形成されている。図１の位相シフトフォトマスク１
は、図２と同様の基板彫り込み型位相シフトマスクであ
り、ガラス基板７上に繰り返し模様のクロム遮光パター
ン２を設け、１個おきのスペース部の透明基板７を露光
波長の半波長分（位相差１８０°）エッチング除去して
彫り込み３を形成してなるものであり、同一ガラス基板
７上に複数の同一のチップパターンが所定間隔で配置さ
れてなるものである。
クル）１は、例えば半導体集積回路装置の製造工程の露
光工程において、所定の集積回路パターンを半導体ウエ
ハ上に転写するためのものである。このフォトマスク１
には、実寸の例えば５倍や４倍の集積回路パターンの原
画が形成されている。図１の位相シフトフォトマスク１
は、図２と同様の基板彫り込み型位相シフトマスクであ
り、ガラス基板７上に繰り返し模様のクロム遮光パター
ン２を設け、１個おきのスペース部の透明基板７を露光
波長の半波長分（位相差１８０°）エッチング除去して
彫り込み３を形成してなるものであり、同一ガラス基板
７上に複数の同一のチップパターンが所定間隔で配置さ
れてなるものである。
【００２１】図１は、１実施例の位相シフトマスクの欠
陥検査装置の構成を示す図であり、検査対象の位相シフ
トフォトマスク１を裏面側を上にして載置するためのス
テージ６を備えており、ステージ６上に載置された位相
シフトフォトマスク１のガラス基板７のマスク裏面８の
別々のチップパターン２か所に照明光を照射するための
光源１０が配置され、その光源１０を間に挟んで配置さ
れた２つの対物レンズ９ａ、９ｂとそれらの像面に配置
されたＣＣＤ等の光電変換受光素子１５ａ、１５ｂとか
らなる一対の同一特性の撮像系を備えている。
陥検査装置の構成を示す図であり、検査対象の位相シフ
トフォトマスク１を裏面側を上にして載置するためのス
テージ６を備えており、ステージ６上に載置された位相
シフトフォトマスク１のガラス基板７のマスク裏面８の
別々のチップパターン２か所に照明光を照射するための
光源１０が配置され、その光源１０を間に挟んで配置さ
れた２つの対物レンズ９ａ、９ｂとそれらの像面に配置
されたＣＣＤ等の光電変換受光素子１５ａ、１５ｂとか
らなる一対の同一特性の撮像系を備えている。
【００２２】光源１０から相互に反対方向に照射された
照射光１２は、それぞれコンデンサーレンズ１１を通し
て、それぞれの撮像系の対物レンズ９ａ、９ｂと光電変
換受光素子１５ａ、１５ｂの間に配置されたハーフミラ
ー１３で偏向されて対物レンズ９ａ、９ｂを経て、位相
シフトフォトマスク１のチップパターンの一方の正常な
位相シフタ形成部３と、別のチップパターンの余剰位相
シフタ形成欠陥部４、位相シフタ未加工欠陥部５等の位
相シフタ欠陥部とを照明し、それらの部分からの反射光
１４は、それぞれ対物レンズ９ａ、９ｂで撮像系に取り
込まれ、光電変換受光素子１５ａ、１５ｂ上にそれらの
部分の拡大像が結像される。
照射光１２は、それぞれコンデンサーレンズ１１を通し
て、それぞれの撮像系の対物レンズ９ａ、９ｂと光電変
換受光素子１５ａ、１５ｂの間に配置されたハーフミラ
ー１３で偏向されて対物レンズ９ａ、９ｂを経て、位相
シフトフォトマスク１のチップパターンの一方の正常な
位相シフタ形成部３と、別のチップパターンの余剰位相
シフタ形成欠陥部４、位相シフタ未加工欠陥部５等の位
相シフタ欠陥部とを照明し、それらの部分からの反射光
１４は、それぞれ対物レンズ９ａ、９ｂで撮像系に取り
込まれ、光電変換受光素子１５ａ、１５ｂ上にそれらの
部分の拡大像が結像される。
【００２３】光電変換受光素子１５ａ、１５ｂで得られ
た電気信号を、光電変換受光素子１５ａ、１５ｂに接続
された電気増幅回路１６ａ、１６ｂにてそれぞれ増幅
し、例えば位相シフタ正常部３の電気信号１７、位相シ
フタ欠陥部４、５の欠陥部電気信号１８として出力され
る。これらの２つの信号１７、１８は比較演算回路１９
に入力して処理され、信号１７、１８の異差判定回路２
０に送られる。
た電気信号を、光電変換受光素子１５ａ、１５ｂに接続
された電気増幅回路１６ａ、１６ｂにてそれぞれ増幅
し、例えば位相シフタ正常部３の電気信号１７、位相シ
フタ欠陥部４、５の欠陥部電気信号１８として出力され
る。これらの２つの信号１７、１８は比較演算回路１９
に入力して処理され、信号１７、１８の異差判定回路２
０に送られる。
【００２４】位相シフタ欠陥がある場合、信号１７、１
８間に差分が生じ、そのレベルが一定の閾値２３を越え
ると欠陥と判断される。
８間に差分が生じ、そのレベルが一定の閾値２３を越え
ると欠陥と判断される。
【００２５】このとき、ステージ６の座標位置測定回路
２１の座標を取り込み、その欠陥座標データは検査デー
タ収納回路２２に保存される。
２１の座標を取り込み、その欠陥座標データは検査デー
タ収納回路２２に保存される。
【００２６】欠陥検査はステージ６をスキャンさせてマ
スク全面を検査し、検査終了後、検査データ収納回路２
２より欠陥座標データを呼び出し、マスク１を欠陥検出
部に移動させ、その部分の左右撮像系の信号１７、１８
を確認することにより、欠陥が左右の何れのチップパタ
ーンにあるか判定し、新たに判定したデータを検査デー
タ収納回路２２に保存する。
スク全面を検査し、検査終了後、検査データ収納回路２
２より欠陥座標データを呼び出し、マスク１を欠陥検出
部に移動させ、その部分の左右撮像系の信号１７、１８
を確認することにより、欠陥が左右の何れのチップパタ
ーンにあるか判定し、新たに判定したデータを検査デー
タ収納回路２２に保存する。
【００２７】このように、本発明は、基板彫り込み型位
相シフトマスク等の位相シフタ下置きタイプのレベンソ
ン型位相シフトマスクのマスク裏面から光を照射するマ
スク検査方式である。マスク裏面から光を照射すると、
位相シフタ加工部のエッジ形状、位相シフタの有無、位
相シフタの高さの差等が確認しやすく、特に暗視野照明
することにより得られる暗視野像は検出しやすい特徴が
ある。もちろん、図１のような明視野照明による明視野
像でもよい。
相シフトマスク等の位相シフタ下置きタイプのレベンソ
ン型位相シフトマスクのマスク裏面から光を照射するマ
スク検査方式である。マスク裏面から光を照射すると、
位相シフタ加工部のエッジ形状、位相シフタの有無、位
相シフタの高さの差等が確認しやすく、特に暗視野照明
することにより得られる暗視野像は検出しやすい特徴が
ある。もちろん、図１のような明視野照明による明視野
像でもよい。
【００２８】以上、本発明を実施例に基づいて具体的に
説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である
ことは言うまでもない。
説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である
ことは言うまでもない。
【００２９】例えば、裏面照射光源１０は、短波長ｉ
線、ＫｒＦ等の短波長のレーザ光を用いることにより、
検出感度が向上する。また、対物レンズを単眼にして、
１本の対物レンズ内に２本以上の照射光を入れて隣接す
るパターン間の比較をすることにより、マスク上にシン
グルチップパターンが配列されたマスクの検査も可能と
なる。
線、ＫｒＦ等の短波長のレーザ光を用いることにより、
検出感度が向上する。また、対物レンズを単眼にして、
１本の対物レンズ内に２本以上の照射光を入れて隣接す
るパターン間の比較をすることにより、マスク上にシン
グルチップパターンが配列されたマスクの検査も可能と
なる。
【００３０】また、本発明の検査装置は、位相シフトマ
スク以外の例えばデスプレイ用の大きなガラス基板上の
堀り込み加工パネルのパターン検査にも適用可能であ
る。
スク以外の例えばデスプレイ用の大きなガラス基板上の
堀り込み加工パネルのパターン検査にも適用可能であ
る。
【００３１】
【発明の効果】半導体デバイスの微細化に伴い、デバイ
ス製造プロセスでの微細加工が要求される工程のフォト
マスクには、位相シフトマスクの適用が行われている。
ス製造プロセスでの微細加工が要求される工程のフォト
マスクには、位相シフトマスクの適用が行われている。
【００３２】位相シフトマスクは、露光波長に合わせて
遮光帯を挟んで左右の光透過部の光位相を０°と１８０
°に差をつけ、微細な遮光帯のウエハ転写解像度を向上
させるものであり、位相シフタ形成部の位相差は例えば
±３°以下という厳しい要求がされている。
遮光帯を挟んで左右の光透過部の光位相を０°と１８０
°に差をつけ、微細な遮光帯のウエハ転写解像度を向上
させるものであり、位相シフタ形成部の位相差は例えば
±３°以下という厳しい要求がされている。
【００３３】以上のことから、位相シフタ形成部の余剰
位相シフタ欠陥、位相シフタ欠け欠陥、位相シフタの位
相差のズレ等の欠陥は、ウエハ上で解像不良となること
から全て検出しなければならない。
位相シフタ欠陥、位相シフタ欠け欠陥、位相シフタの位
相差のズレ等の欠陥は、ウエハ上で解像不良となること
から全て検出しなければならない。
【００３４】本発明の位相シフトマスクの欠陥検査装置
は、このような位相シフタ欠陥の検出ができることか
ら、この装置で検査した位相シフトマスクを用いること
により、ウエハ上での解像不良がなくなる。また、従来
行っていたウエハ転写評価が不要となる。
は、このような位相シフタ欠陥の検出ができることか
ら、この装置で検査した位相シフトマスクを用いること
により、ウエハ上での解像不良がなくなる。また、従来
行っていたウエハ転写評価が不要となる。
【００３５】また、製品全体から見ると、位相シフトマ
スクの適用される先端半導体デバイス（ＳＲＡＭ、ＤＲ
ＡＭ、マイクロプロセッサ、Ｌｏｇｉｃ）の設計評価精
度の向上と開発期間の短縮、また、量産時の歩留向上に
効果がある。
スクの適用される先端半導体デバイス（ＳＲＡＭ、ＤＲ
ＡＭ、マイクロプロセッサ、Ｌｏｇｉｃ）の設計評価精
度の向上と開発期間の短縮、また、量産時の歩留向上に
効果がある。
【図１】本発明の位相シフトマスクの欠陥検査装置の１
実施例の構成を示す図である。
実施例の構成を示す図である。
【図２】基板彫り込み型位相シフトマスクの断面図であ
る。
る。
１…位相シフトフォトマスク（レチクル） ２…クロム遮光パターン ３…彫り込み（位相シフタ形成部） ４…余剰位相シフタ形成欠陥部 ５…位相シフタ未加工欠陥部 ６…ステージ ７…ガラス基板 ８…マスク裏面 ９ａ、９ｂ…対物レンズ １０…光源 １１…コンデンサーレンズ １２…照射光 １３…ハーフミラー １４…反射光 １５ａ、１５ｂ…光電変換受光素子 １６ａ、１６ｂ…電気増幅回路 １７…正常部電気信号 １８…欠陥部電気信号 １９…比較演算回路 ２０…異差判定回路 ２１…座標位置測定回路 ２２…検査データ収納回路 ２３…閾値 ３１…ガラス基板 ３２…クロム遮光パターン ３３…彫り込み
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野口 茂 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 土屋 勝英 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 2F065 AA49 CC18 FF04 JJ03 JJ05 JJ26 LL04 MM13 MM23 MM28 QQ31 RR07 2G051 AA56 AB02 CA01 CA03 CB01 CC11 EA08 EB01 2H095 BB03 BD04 BD27
Claims (7)
- 【請求項１】 マスク透明基板上に透過光に位相差を生
じさせる位相シフタパターンが設けられた位相シフトマ
スクの欠陥検査装置において、前記位相シフタ形成後に
前記位相シフトマスクの前記マスク透明基板側から位相
シフタの欠陥検査を行うことを特徴とする位相シフトマ
スクの欠陥検査装置。 - 【請求項２】 前記位相シフトマスクの前記マスク透明
基板側から光を照射し、位相シフタ加工部の異なる２か
所以上の反射像を取り込み、その各々の反射像の画像信
号を比較して、その信号差によってマスク上の欠陥を検
出することを特徴とする請求項１記載の位相シフトマス
クの欠陥検査装置。 - 【請求項３】 前記位相シフタ加工部の異なる２か所以
上の部分は、相互に異なるチップパターンの位相シフタ
加工部であることを特徴とする請求項２記載の位相シフ
トマスクの欠陥検査装置。 - 【請求項４】 前記位相シフタ加工部の異なる２か所以
上の反射像を別々の拡大光学系を通して取り込むことを
特徴とする請求項２又は３記載の位相シフトマスクの欠
陥検査装置。 - 【請求項５】 前記位相シフタ加工部の異なる２か所以
上の部分は、同一チップパターン内の異なる位相シフタ
加工部であることを特徴とする請求項２記載の位相シフ
トマスクの欠陥検査装置。 - 【請求項６】 前記位相シフタ加工部の異なる２か所以
上の反射像を同一の拡大光学系を通して取り込むことを
特徴とする請求項２又は５記載の位相シフトマスクの欠
陥検査装置。 - 【請求項７】 前記の反射光による反射像の取り込み
が、暗視野照明による暗視野像あるいは明視野照明によ
る明視野像であることを特徴とする請求項２から６の何
れか１項記載の位相シフトマスクの欠陥検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000235796A JP2002049143A (ja) | 2000-08-03 | 2000-08-03 | 位相シフトマスクの欠陥検査装置 |
| US09/920,450 US6879393B2 (en) | 2000-08-03 | 2001-08-01 | Defect inspection apparatus for phase shift mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000235796A JP2002049143A (ja) | 2000-08-03 | 2000-08-03 | 位相シフトマスクの欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002049143A true JP2002049143A (ja) | 2002-02-15 |
Family
ID=18727943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000235796A Pending JP2002049143A (ja) | 2000-08-03 | 2000-08-03 | 位相シフトマスクの欠陥検査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6879393B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002049143A (ja) |
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| TWI477892B (zh) * | 2009-04-13 | 2015-03-21 | Asml Holding Nv | 具有傅立葉濾波及影像比較的光罩檢測 |
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2000
- 2000-08-03 JP JP2000235796A patent/JP2002049143A/ja active Pending
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2001
- 2001-08-01 US US09/920,450 patent/US6879393B2/en not_active Expired - Lifetime
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