[go: up one dir, main page]

JP2002043554A - Ｃｃｄパッケージ・モジュール - Google Patents

Ｃｃｄパッケージ・モジュール

Info

Publication number
JP2002043554A
JP2002043554A JP2000359731A JP2000359731A JP2002043554A JP 2002043554 A JP2002043554 A JP 2002043554A JP 2000359731 A JP2000359731 A JP 2000359731A JP 2000359731 A JP2000359731 A JP 2000359731A JP 2002043554 A JP2002043554 A JP 2002043554A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
substrate
package module
ccd package
image pickup
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000359731A
Other languages
English (en)
Inventor
Wen Lo Shieh
文楽 謝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Orient Semiconductor Electronics Ltd
Original Assignee
Orient Semiconductor Electronics Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Orient Semiconductor Electronics Ltd filed Critical Orient Semiconductor Electronics Ltd
Publication of JP2002043554A publication Critical patent/JP2002043554A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/804—Containers or encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 厚みを低減するＣＣＤパッケージ・モジュー
ルを提供する。 【解決手段】 ＣＣＤパッケージ・モジュール１は主と
してガラス１２の底面に直接回路１２１を製作して像取
チップ１１とフリップ・チップのパッケージ結合を行
い、更に錫ボール１３で回路１２１と印刷回路板１６の
回路結合を行う。したがって、フリップ・チップの結合
技術を使い、並びに透明ガラスを基板とし、回路を製作
してパッケージし、またはフリップ・チップの結合技術
で各種違った基板と組合わせ、薄型ＣＣＤ像取チップの
パッケージ・モジュールを製作して電荷結合デバイスの
像取チップのパッケージ・モジュールの厚みを減らすこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＣＤパッケージ
・モジュールに関し、特にＣＣＤ像取チップのパッケー
ジ構造に関する。
【従来の技術】現在、固体影像ユニットのカメラに応用
されているもっとも先端な技術はＣＣＤ（電荷結合デバ
イス、Charge Coupled Device）であり、これまでの発
展では医療、産業、教育、コンピューター、情報、交
通、一般管理等分野に応用され、例えば図１に示すよう
に、従来のＣＣＤパッケージ・モジュール１’の構造は
一般に先ず導線枠１１’上の基板１２’にワイヤ、ボン
ド法をもって像取チップ２’を基板１２’上に貼り付
け、更に像取チップ２’の周囲に高いダム（Dam）３’
を設置し、並びにダム３’の上にガラス４’を覆い被し
てガラス４’と像取チップ２’の間に適当な距離を作
り、それによって像取軌跡（Ｐ）はガラス４’を通って
像取チップ２’上に形成するようになり、最後は全体モ
ジュールを導線枠１１’と印刷回路板（ＰＣＢ、５’）
で結合する。
【発明が解決しようとする課題】上述従来のＣＣＤパッ
ケージ・モジュール１’は構造設計に制限されて全体的
モジュールの高さを低くすることができず、そのために
超小型を応用する場合、例えば超小型工業内視鏡、デジ
タルカメラ・・・等は超小高さのパッケージ・モジュー
ルでなければそのモジュールの面積を有効に縮小するこ
とができない。したがって、本発明の主な目的は、厚み
を低減するＣＣＤパッケージ・モジュールを提供するこ
とにある。
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めの本発明のＣＣＤパッケージ・モジュールは、主とし
てフリップ・チップの結合技術を使い、並びに透明ガラ
スを基板（substrate）とし、回路を製作してパッケー
ジし、またはフリップ・チップの結合技術で各種違った
基板（BT Substrate、Metal Cap Substrate、Metal Sub
strate、CavityDown Substrate）と組合わせ、薄型ＣＣ
Ｄ像取チップのパッケージ・モジュールを製作して電荷
結合デバイス（Charge Coupled Device）の像取チップ
のパッケージ・モジュールの厚みを減らすものである。
【発明の実施の形態】本発明はＣＣＤ像取チップのパッ
ケージ構造に関するもので、それは主として像取チップ
と高さが設計された基板をフリップ・チップのパッケー
ジ結合を行い、その構造は次のいくつかの形態になる。
以下、本発明の複数の実施例を図面に基づいて説明す
る。 （第１実施例） 構造Ａ（図２に示す如く）：このＣＣＤパッケージ・モ
ジュール１は主としてガラス１２の底面に直接回路１２
１を製作して像取チップ１１とフリップ・チップのパッ
ケージ結合を行い、更に錫ボール１３で回路１２１と印
刷回路板１６の回路結合を行う。 （第２実施例） 構造Ａ１（図３に示す如く）：前述構造ＡのＣＣＤパッ
ケージ・モジュール１と同じであるが、そのうち、ガラ
ス１２の回路１２１と像取チップ１１との間は透明充填
材１４または特殊化学材料１５によって充填され、全体
的ＣＣＤパッケージ・モジュール１をより安易になるよ
うにし、かつガラス１２を通った像取軌跡Ｐはやはり透
明充填材１４または特殊化学材料１５を貫通して像取チ
ップ１１へ進入することができる。 （第３実施例） 構造Ｂ（図４に示す如く）：先ず中心に孔が開かれたＢ
ＴまたはMetal Cap基板２３の頂面にガラス２２を貼り
付け、同時にそのＢＴまたはMetal Cap基板２３底面に
適当な回路２３１を製作し、それからフリップ・チップ
結合法で像取チップ２１とＢＴまたはメタル・キャップ
基板２３の回路２３１とをＣＣＤパッケージ・モジュー
ル２になるように結合し、更に全体ＣＣＤパッケージ・
モジュール２と印刷回路板２７を錫ボール２４で結合す
る。 （第４実施例） 構造Ｂ１（図５に示す如く）：前述構造ＢのＣＣＤパッ
ケージ・モジュール２と同じであるが、そのうち、ＢＴ
またはメタル・キャップ基板２３と像取チップ２１との
間は透明充填材２５または特殊化学材料２６によって充
填され、ガラス２２を通った像取軌跡Ｐは同じく透明充
填材２５または特殊化学材料２６を貫通して像取チップ
２１へ進入することができる。 （第５実施例） 構造Ｃ（図６に示す如く）：先ず中心に孔が開かれたＰ
Ｉ基板３３の頂面にガラス３２を貼り付け、同時にその
ＰＩ基板３３の底面に適当な回路を製作し、それからフ
リップ・チップ結合方法で像取チップ３１とＰＩ基板３
３をＣＣＤパッケージ・モジュール３になるように結合
し、更に全体ＣＣＤパッケージ・モジュール３と印刷回
路板３７を錫ボール３４で結合する。 （第６実施例） 構造Ｃ２（図７に示す如く）：前述構造ＣのＣＣＤパッ
ケージ・モジュール３と同じであるが、そのうち、ＰＩ
基板３３と像取チップ３１の間は透明充填材３５または
特殊化学材料３６によって充填され、ガラス３２を通し
た像取軌跡Ｐは同じく透明充填材３５または特殊化学材
料３６を貫通して像取チップ３１へ進入することができ
る。 （第７実施例） 構造Ｄ（図８に示す如く）：先ず開口が下向きである基
板４３の頂面凹口４３１にガラス４２を貼り付け、それ
から開口が下向きの基板４３の下凹口４３２にフリップ
・チップ結合法で像取チップ４１を結合してＣＣＤパッ
ケージ・モジュール４を形成し、更に錫ボール４４でＣ
ＣＤパッケージ・モジュール４と印刷回路板４８を結合
する。 （第８実施例） 構造Ｄ１（図９に示す如く）：前述構造ＤのＣＣＤパッ
ケージ・モジュール４と同じであるが、そのうち、開口
が下向きの基板４３と像取チップ４１との間は透明充填
材４６または特殊化学材料４７によって充填され、ガラ
ス４２を通した像取軌跡Ｐは同じく透明充填材４６また
は特殊化学材料４７を貫通して像取チップ４１へ進入す
ることができる。 （第９実施例） 構造Ｅ（図１０に示す如く）：前述構造Ｄと同じである
が、そのうち、印刷回路板４８との結合方法は導線枠４
５で連結される。 （第１０実施例） 構造Ｅ１（図１１に示す如く）：先述構造ＥのＣＣＤパ
ッケージ・モジュール４と同じであるが、そのうち、開
口が下向きである基板４３と像取チップ４１の間は透明
充填材４６または特殊化学材料４７によって充填され
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＣＣＤパッケージ・モジュールの先行技術を示
す意示図である。
【図２】本発明の第１実施例によるＣＣＤパッケージ・
モジュールの像取チップとガラス基板とのフリップ・チ
ップ結合を示す意表図である。
【図３】本発明の第２実施例によるＣＣＤパッケージ・
モジュールの像取チップとガラス基板とのフリップチッ
プ結合を示す意表図である。
【図４】本発明の第３実施例によるＣＣＤパッケージ・
モジュールの像取チップとＢＴまたはメタル・キャップ
基板とのフリップ・チップ結合を示す意表図である。
【図５】本発明の第４実施例によるＣＣＤパッケージ・
モジュールの像取チップとＢＴまたはメタル・キャップ
基板とのフリップ・チップ結合を示す意表図である。
【図６】本発明の第５実施例によるＣＣＤパッケージ・
モジュールの像取チップと一層合金ＰＩ基板とのフリッ
プ・チップ結合を示す意表図である。
【図７】本発明の第６実施例によるＣＣＤパッケージ・
モジュールの像取チップと一層合金ＰＩ基板とのフリッ
プ・チップ結合を示す意表図である。
【図８】本発明の第７実施例によるＣＣＤパッケージ・
モジュールの像取チップと下向き開口基板とのフリップ
・チップ結合を示す意表図である。
【図９】本発明の第８実施例によるＣＣＤパッケージ・
モジュールの像取チップと下向き開口基板とのフリップ
・チップ結合を示す意表図である。
【図１０】本発明の第９実施例によるＣＣＤパッケージ
・モジュールの像取チップと下向き開口基板とのフリッ
プ・チップ結合を示す意表図である。
【図１１】本発明の第１０実施例によるＣＣＤパッケー
ジ・モジュールの像取チップと下向き開口基板とのフリ
ップ・チップ結合を示す意表図である。
【符号の説明】
１ ＣＣＤパッケージ・モジュール １１ 像取チップ １２ ガラス １３ 錫ボール １６ 印刷回路板１６ １２１ 回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｇ Ｈ０４Ｎ 5/335 31/02 Ｂ

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 像取チップと高さが設計された基板によ
    ってフリップ・チップ結合を行うＣＣＤパッケージ・モ
    ジュールであって、 ガラスの底面に直接回路を製作して前記像取チップとフ
    リップ・チップ結合を行い、更に錫ボールで前記回路と
    印刷回路板の回路結合を行うことを特徴とするＣＣＤパ
    ッケージ・モジュール。
  2. 【請求項２】 前記回路と前記像取チップとの間は透明
    充填材または特殊化学材料が充填され、前記ガラスを通
    った像取軌跡は前記透明充填材または前記特殊化学材料
    を貫通して前記像取チップに進入することを特徴とする
    請求項１記載のＣＣＤパッケージ・モジュール。
  3. 【請求項３】 像取チップと高さが設計された基板によ
    ってフリップ・チップ結合を行うＣＣＤパッケージ・モ
    ジュールであって、 中心に孔が開けられたＢＴまたはメタル・キャップ基板
    の頂面にガラスを貼り付け、前記ＢＴまたは前記メタル
    ・キャップ基板の底面に適当な回路を製作し、フリップ
    ・チップ結合法で前記像取チップと前記ＢＴまたは前記
    メタル・キャップ基板上の回路とを結合し、錫ボールで
    印刷回路板を結合することを特徴とするＣＣＤパッケー
    ジ・モジュール。
  4. 【請求項４】 前記ＢＴまたは前記メタル・キャップ基
    板と前記像取チップとの間は透明充填材または特殊化学
    材料が充填されていることを特徴とする請求項３記載の
    ＣＣＤパッケージ・モジュール。
  5. 【請求項５】 像取チップと高さが設計された基板によ
    ってフリップ・チップ結合を行うＣＣＤパッケージ・モ
    ジュールであって、 中心に孔が開けられたＰＩ基板の頂面にガラスを貼り付
    け、前記ＰＩ基板の底面に適当な回路を製作し、フリッ
    プ・チップ結合法で前記像取チップと前記ＰＩ基板とを
    結合し、錫ボールで印刷回路板を結合することを特徴と
    するＣＣＤパッケージ・モジュール。
  6. 【請求項６】 前記ＰＩ基板と前記像取チップとの間に
    は透明充填材または特殊化学材料が充填されていること
    を特徴とする請求項５記載のＣＣＤパッケージ・モジュ
    ール。
  7. 【請求項７】 像取チップと高さが設計された基板によ
    ってフリップ・チップ結合を行うＣＣＤパッケージ・モ
    ジュールであって、 開口が下向きである基板の頂面凹口にガラスを貼り付
    け、開口が下向きの基板の下凹口にフリップ・チップ結
    合法で前記像取チップを結合し、錫ボールで印刷回路板
    を結合することを特徴とするＣＣＤパッケージ・モジュ
    ール。
  8. 【請求項８】 前記開口が下向きの基板と前記像取チッ
    プとの間は透明充填材または特殊化学材料が充填され、
    前記ガラスを通った像取軌跡は前記透明充填材または前
    記特殊化学材料を貫通して像取チップに進入することを
    特徴とする請求項７記載のＣＣＤパッケージ・モジュー
    ル。
  9. 【請求項９】 前記印刷回路板との結合方法は導線枠に
    よって連結され、前記開口が下向きの基板と前記像取チ
    ップとの間は透明充填材または特殊化学材料が充填され
    ていることを特徴とする請求項７記載のＣＣＤパッケー
    ジ・モジュール。
JP2000359731A 2000-07-17 2000-11-27 Ｃｃｄパッケージ・モジュール Pending JP2002043554A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW089114388A TW454309B (en) 2000-07-17 2000-07-17 Package structure of CCD image-capturing chip
TW89114388 2000-07-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002043554A true JP2002043554A (ja) 2002-02-08

Family

ID=21660456

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000359731A Pending JP2002043554A (ja) 2000-07-17 2000-11-27 Ｃｃｄパッケージ・モジュール

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2002043554A (ja)
DE (1) DE10057647A1 (ja)
FR (1) FR2811809A1 (ja)
TW (1) TW454309B (ja)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005045051A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Sony Corp 光半導体装置及びその製造方法
US6864117B2 (en) 2003-04-28 2005-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing solid-state imaging device
WO2005069375A1 (en) * 2004-01-15 2005-07-28 Optopac, Inc. Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof
WO2005098944A1 (en) * 2004-04-12 2005-10-20 Optopac, Inc. Electronic package having a sealing structure on predetermined area, and the method thereof
WO2005109513A1 (en) * 2004-05-06 2005-11-17 Optopac, Inc. Electronic package having a patterned layer on backside of its substrate, and the fabrication thereof
US7049684B2 (en) 2002-11-01 2006-05-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lead frame and method of producing the same, and resin-encapsulated semiconductor device and method of producing the same
EP1560270A3 (en) * 2004-02-02 2006-07-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical device
US7126209B2 (en) 2002-08-30 2006-10-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lead frame, resin-encapsulated semiconductor device, and method of producing the same
US7141869B2 (en) 2004-11-08 2006-11-28 Optopac, Inc. Electronic package for image sensor, and the packaging method thereof
KR100653645B1 (ko) 2005-12-27 2006-12-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법
US7153042B2 (en) 2004-10-15 2006-12-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optic device
US7166908B2 (en) 2004-11-22 2007-01-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical device
JP2007507879A (ja) * 2003-10-01 2007-03-29 オプトパック、インコーポレイテッド 光検出用半導体装置の電子パッケージおよびそのパッケージング方法
US7247509B2 (en) 2003-09-03 2007-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing solid-state imaging devices
JP2007194737A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
US7273765B2 (en) 2003-04-28 2007-09-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device and method for producing the same
CN100420027C (zh) * 2004-04-26 2008-09-17 松下电器产业株式会社 光学器件及其制造方法
US7436053B2 (en) 2004-05-14 2008-10-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical device and method for fabricating the same
CN100433339C (zh) * 2003-04-28 2008-11-12 松下电器产业株式会社 固体摄像器件及其制造方法
US7485848B2 (en) 2003-10-10 2009-02-03 Panasonic Corporation Optical device and production method thereof
US7495319B2 (en) 2004-03-04 2009-02-24 Panasonic Corporation Resin-encapsulated semiconductor device and lead frame, and method for manufacturing the same
US7528884B2 (en) 2004-02-02 2009-05-05 Panasonic Corporation Optical device
JP2009105459A (ja) * 2009-02-12 2009-05-14 Seiko Epson Corp 光デバイス、光モジュール及び電子機器
US7580075B2 (en) 2003-10-10 2009-08-25 Panasonic Corporation Optical device and production method thereof
WO2009148134A1 (ja) * 2008-06-04 2009-12-10 旭化成エレクトロニクス株式会社 量子型赤外線センサおよびそれを用いた量子型赤外線ガス濃度計
JP2013030526A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Sony Corp 固体撮像装置
JP2021511973A (ja) * 2018-01-30 2021-05-13 コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ 基板及び／又は封入カバーを薄化する段階を含む、マイクロ電子デバイスを封入する方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10239524A1 (de) * 2002-08-23 2004-03-04 Z/I Imaging Gmbh Sensormodul
US20040065933A1 (en) * 2002-10-08 2004-04-08 Foong Chee Seng Flip chip optical and imaging sensor device
DE102006043016B4 (de) * 2006-09-13 2021-02-04 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer optischen Aufnahmevorrichtung
JP4490406B2 (ja) 2006-10-11 2010-06-23 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置

Cited By (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7126209B2 (en) 2002-08-30 2006-10-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lead frame, resin-encapsulated semiconductor device, and method of producing the same
US7049684B2 (en) 2002-11-01 2006-05-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lead frame and method of producing the same, and resin-encapsulated semiconductor device and method of producing the same
US7405104B2 (en) 2002-11-01 2008-07-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lead frame and method of producing the same, and resin-encapsulated semiconductor device and method of producing the same
US7273765B2 (en) 2003-04-28 2007-09-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device and method for producing the same
US6864117B2 (en) 2003-04-28 2005-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing solid-state imaging device
CN100401522C (zh) * 2003-04-28 2008-07-09 松下电器产业株式会社 固态成像装置的制造方法
CN100433339C (zh) * 2003-04-28 2008-11-12 松下电器产业株式会社 固体摄像器件及其制造方法
JP2005045051A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Sony Corp 光半導体装置及びその製造方法
US7247509B2 (en) 2003-09-03 2007-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing solid-state imaging devices
US7291518B2 (en) 2003-10-01 2007-11-06 Optopac, Inc. Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof
US6943423B2 (en) 2003-10-01 2005-09-13 Optopac, Inc. Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof
JP2007507879A (ja) * 2003-10-01 2007-03-29 オプトパック、インコーポレイテッド 光検出用半導体装置の電子パッケージおよびそのパッケージング方法
US7580075B2 (en) 2003-10-10 2009-08-25 Panasonic Corporation Optical device and production method thereof
US7755030B2 (en) 2003-10-10 2010-07-13 Panasonic Corporation Optical device including a wiring having a reentrant cavity
US8077248B2 (en) 2003-10-10 2011-12-13 Panasonic Corporation Optical device and production method thereof
US7485848B2 (en) 2003-10-10 2009-02-03 Panasonic Corporation Optical device and production method thereof
WO2005069375A1 (en) * 2004-01-15 2005-07-28 Optopac, Inc. Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof
KR100819535B1 (ko) 2004-01-15 2008-04-08 옵토팩 주식회사 이동 전화 카메라 모듈에 있는 포토 이미지 센서 전자 패키지 및 그 제조방법
US7528884B2 (en) 2004-02-02 2009-05-05 Panasonic Corporation Optical device
US7242538B2 (en) 2004-02-02 2007-07-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical device
EP1560270A3 (en) * 2004-02-02 2006-07-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical device
US7495319B2 (en) 2004-03-04 2009-02-24 Panasonic Corporation Resin-encapsulated semiconductor device and lead frame, and method for manufacturing the same
US7122874B2 (en) 2004-04-12 2006-10-17 Optopac, Inc. Electronic package having a sealing structure on predetermined area, and the method thereof
WO2005098944A1 (en) * 2004-04-12 2005-10-20 Optopac, Inc. Electronic package having a sealing structure on predetermined area, and the method thereof
US7511367B2 (en) 2004-04-26 2009-03-31 Panasonic Corporation Optical device and method for fabricating the same
CN100420027C (zh) * 2004-04-26 2008-09-17 松下电器产业株式会社 光学器件及其制造方法
WO2005109513A1 (en) * 2004-05-06 2005-11-17 Optopac, Inc. Electronic package having a patterned layer on backside of its substrate, and the fabrication thereof
KR100839975B1 (ko) * 2004-05-06 2008-06-19 옵토팩 주식회사 기판의 배면 상에 패터닝된 층을 갖는 전자 패키지 및 그제조방법
US7563644B2 (en) 2004-05-14 2009-07-21 Panasonic Corporation Optical device and method for fabricating the same
US7436053B2 (en) 2004-05-14 2008-10-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical device and method for fabricating the same
CN100459138C (zh) * 2004-05-14 2009-02-04 松下电器产业株式会社 光学器件及其制造方法
US7153042B2 (en) 2004-10-15 2006-12-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optic device
US7141869B2 (en) 2004-11-08 2006-11-28 Optopac, Inc. Electronic package for image sensor, and the packaging method thereof
US7166908B2 (en) 2004-11-22 2007-01-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical device
KR100653645B1 (ko) 2005-12-27 2006-12-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법
JP2007194737A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP5266321B2 (ja) * 2008-06-04 2013-08-21 旭化成エレクトロニクス株式会社 量子型赤外線センサおよびそれを用いた量子型赤外線ガス濃度計
WO2009148134A1 (ja) * 2008-06-04 2009-12-10 旭化成エレクトロニクス株式会社 量子型赤外線センサおよびそれを用いた量子型赤外線ガス濃度計
US8803092B2 (en) 2008-06-04 2014-08-12 Asahi Kasei Microdevices Corporation Quantum infrared sensor and quantum infrared gas concentration meter using the same
JP2009105459A (ja) * 2009-02-12 2009-05-14 Seiko Epson Corp 光デバイス、光モジュール及び電子機器
JP2013030526A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Sony Corp 固体撮像装置
JP2021511973A (ja) * 2018-01-30 2021-05-13 コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ 基板及び／又は封入カバーを薄化する段階を含む、マイクロ電子デバイスを封入する方法
JP7304870B2 (ja) 2018-01-30 2023-07-07 コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ 基板及び／又は封入カバーを薄化する段階を含む、マイクロ電子デバイスを封入する方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE10057647A1 (de) 2002-01-31
TW454309B (en) 2001-09-11
FR2811809A1 (fr) 2002-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002043554A (ja) Ｃｃｄパッケージ・モジュール
US7560744B2 (en) Package optical chip with conductive pillars
US20050104186A1 (en) Chip-on-film package for image sensor and method for manufacturing the same
JP2001185657A (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
US20120313264A1 (en) Chip with sintered connections to package
JP2002134640A (ja) 薄型感光式半導体装置
CN101764140A (zh) 覆晶式影像感测模块及其制作方法
TW200412656A (en) Camera module and method of fabricating the same
CN101281901A (zh) 多芯片整合式影像感测芯片模块及其封装方法
US20060211173A1 (en) Package of image sensor device and formation thereof
CN206558504U (zh) 图像传感器模组
US6791842B2 (en) Image sensor structure
US20060255253A1 (en) Method for packaging an image sensor die and a package thereof
TWI345822B (ja)
CN103579258A (zh) 基板内嵌式模块结构
KR100377472B1 (ko) 반도체패키지 및 그 제조방법
CN1347151A (zh) 电荷耦合元件取像芯片封装结构
CN100499142C (zh) 光感测芯片封装结构
TWI261355B (en) Image sensor module and method for manufacturing the same
JP2005065285A (ja) 固体撮像用半導体装置及びその製造方法
US20040217380A1 (en) Semiconductor device, electronic device, electronic apparatus, method for manufacturing a semiconductor device, and method for manufacturing an electronic device
JP2003209332A (ja) プリント配線基板、プリント配線基板の製造方法、及び実装基板
KR20050118833A (ko) 이미지 센서용 패키지
KR20040075416A (ko) 칩 온 보드 타입 이미지 센서 모듈 및 그 제조 방법
JP4283801B2 (ja) カメラモジュール及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060123

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060622