JP2002008210A

JP2002008210A - 磁気ヘッド製造方法

Info

Publication number: JP2002008210A
Application number: JP2000183042A
Authority: JP
Inventors: Jiyunichi Kane; 淳一兼; Hitoshi Kanai; 均金井; Kenji Noma; 賢二野間; Naoki Mukoyama; 直樹向山
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2000-06-19
Filing date: 2000-06-19
Publication date: 2002-01-11
Also published as: US6851179B2; US20010052181A1

Abstract

(57)【要約】【課題】再生波形の歪みの小さな磁気抵抗効果型ヘッ
ドを製造する磁気ヘッド製造方法を提供する。【解決手段】所定の第１の方向に固定された磁化を有
する固定磁性層と所定の第２の方向に磁化容易軸を持つ
自由磁性層とを含む多層膜である磁気抵抗効果素子にバ
イアス磁界を付与する硬磁性層を、上記磁気抵抗効果素
子からみて、上記所定の第１の方向前方およびその第１
の方向後方のうちの少なくともいずれか一方を含む領域
に形成する硬磁性層形成を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、外部磁界の強さに
応じて抵抗が変化する磁気抵抗効果素子のその抵抗の大
きさを検知することにより外部磁界の強さを検知する磁
気ヘッドを製造する磁気ヘッド製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータの普及に伴って、日
常的に多量の情報が取り扱われるようになっており、こ
のような多量の情報を記録再生するために、記憶容量が
大きく情報へのアクセス速度が速いという特徴を有する
ハードディスク装置（ＨＤＤ：ＨａｒｄＤｉｓｋＤ
ｒｉｖｅ）が使用されている。ＨＤＤは、一般に、表面
が磁性材料からなる磁気ディスクと、磁気ディスクに情
報を記録する記録ヘッドおよび磁気ディスクに記録され
た情報を再生する再生ヘッドを組み合わせた複合型の磁
気ヘッドとを備えている。記録ヘッドは、微小なコイル
を有するものであって磁気ディスクに近接して配置され
る。この記録ヘッドのコイルから発生する磁界によって
磁気ディスクの表面が微小領域（１ビット領域）ごとに
磁化されることにより、その磁気ディスクに情報が記録
される。再生ヘッドは、この１ビット領域の磁化から発
生する磁界に応じた電気的な再生信号を出力するもので
あって、この再生ヘッドを通して、磁気ディスクに記録
された情報が再生される。

【０００３】現在、ＨＤＤに搭載されている再生ヘッド
の多くには、外部の磁界に応じて抵抗の変化する磁気抵
抗効果を利用した磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）
が使用されている。しかし、磁気ディスクの記録密度の
向上に伴い、このＭＲヘッドのうちでも特に感度の高
い、すなわち外部磁界の変化に対して大きな出力変化を
生ずるスピンバルブ磁気抵抗効果型ヘッド（Ｓｐｉｎ
ＶａｌｖｅＭａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅＨｅ
ａｄ）の実用化の動きが本格的になりつつある。以下で
は、このスピンバルブ磁気抵抗効果型ヘッドをＳＶＭＲ
ヘッドと称する。

【０００４】このＳＶＭＲヘッドは、外部磁界に応じて
磁化の方向が変化する自由磁性層、非磁性の金属層、磁
化の方向の固定された固定磁性層、および固定磁性層に
交換結合磁界の磁化の方向を固定する交換結合磁界を生
ずる反強磁性層を含む多層膜からなるスピンバルブ素
子、並びにこのスピンバルブ素子を磁気的に遮蔽するシ
ールド層などを有する。スピンバルブ素子は、固定磁性
層の磁化の方向と自由磁性層の磁化の方向の相対的な角
度変化に応じた抵抗変化を生ずるものであり、ＳＶＭＲ
ヘッドの感度の高さは、この抵抗変化が大きいことに由
来する。

【０００５】スピンバルブ素子には、自由磁性層を単磁
区化するように自由磁性層にバイアス磁界を加える硬磁
性層が配設され、また、ＳＶＭＲヘッドの動作時にスピ
ンバルブ素子にセンス電流Ｉ_sを流す電極端子が配設さ
れる。センス電流Ｉ_sを流した状態で、このＳＶＭＲヘ
ッドを磁気ディスクに近接させて相対的に移動させる
と、磁気ディスクからの信号磁界Ｈ_sigに応じて上記ス
ピンバルブ素子の電気抵抗値が逐次変化し、この電気抵
抗値と上記センス電流値Ｉ_sとの積で表される値の出力
電圧が出力される。以下では、この出力電圧の時間変化
を表す波形を再生波形と称する。

【０００６】ここで、スピンバルブ素子は、電気抵抗値
が磁気ディスクからの信号磁界Ｈ_si _gの変化に対して線
形に変化するものであることが好ましい。このような線
形の変化を実現するためには、信号磁界Ｈ_sigが存在し
ない状態で、固定磁性層の磁化方向と自由磁性層の磁化
方向との互いになす角度が９０°となることが理想的で
ある。この角度の調整は、例えば、ＳＶＭＲヘッドを形
成する際に、ＳＶＭＲヘッドのスピンバルブ素子に、固
定磁性層の磁化を固定する所定の方向に磁界を印加しな
がら加熱するピンアニール処理を行い、続いて、自由磁
性層や上記シールド層の磁化容易軸の方向を、上記固定
磁性層の固定された磁化の方向とは９０°の角度をなす
所定の方向に向けるよう磁界を印加しながら加熱するフ
リー戻し処理を行うことによって行われる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】但し、磁気ヘッドの製
造には、記録ヘッドのコイルを取り囲むレジストを硬化
させるための熱処理など様々な熱処理が必要となる。こ
の熱処理が外部磁界が印加されない状況で行われるもの
であったとしても、例えば固定磁性層の磁化が固定磁性
層自身の反磁界を受けて傾くなどして、上記角度は、９
０°からずれてしまう。この角度のずれにより、ＳＶＭ
Ｒヘッドには、出力電圧が信号磁界Ｈ_sigの入力に対し
て線形応答せず、再生波形が歪むといった障害が発生す
る。

【０００８】本発明は上記事情に鑑み、再生波形の歪み
の小さな磁気ヘッドを製造する磁気ヘッド製造方法を提
供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の磁気ヘッド製造方法は、所定の第１の方向に固定さ
れた磁化を有する固定磁性層と所定の第２の方向に磁化
容易軸を持ち外部磁界に応じて方向の変化する磁化を有
する自由磁性層とを含む多層膜である、その固定磁性層
の磁化の方向とその自由磁性層の磁化の方向との間の角
度に応じた抵抗の大きさを示す磁気抵抗効果素子を備
え、その磁気抵抗効果素子の抵抗の大きさを検知するこ
とにより上記外部磁界の強さを検知する磁気ヘッドを製
造する磁気ヘッド製造方法であって、上記磁気抵抗効果
素子にバイアス磁界を付与する硬磁性層を、その磁気抵
抗効果素子からみて、上記所定の第１の方向前方および
その第１の方向後方のうちの少なくともいずれか一方を
含む領域に形成する硬磁性層形成工程を有することを特
徴とする。

【００１０】上記本発明の磁気ヘッド製造方法は、上記
硬磁性層形成工程で形成された硬磁性層の磁化の方向
を、上記所定の第１の方向に固定する第１の磁化固定工
程を有することが好ましい。

【００１１】従来例で述べたように、磁気ヘッドの製造
過程で、例えば磁気ヘッドに用いられるレジストを加熱
硬化する際などに、磁気抵抗効果素子の温度が結果的に
上昇する場面がある。この温度の上昇によって、固定磁
性層の磁化の方向が傾きやすくなる。

【００１２】本発明の磁気ヘッド製造方法では、硬磁性
層が上記第１の方向前方および上記第１の方向後方のう
ちの少なくともいずれかを含む領域に形成されているた
め、硬磁性層の磁化の方向が例えば上記第１の方向に固
定されると、硬磁性層から上記固定磁性層の磁化に上記
第１の方向を向くバイアス磁界が付与される。そして、
磁気抵抗効果素子の温度が上昇する際にも、そのバイア
ス磁界によって固定磁性層の磁化の方向が安定化されて
いるため、固定磁性層の磁化の方向は傾きにくい。固定
磁性層の磁化の方向が傾きにくいと、固定磁性層の磁化
の方向と上記自由磁性層およびシールド層などの磁化容
易軸の方向との直交性が保持されやすくなる。このた
め、上記本発明の磁気ヘッド製造方法によって製造され
た磁気ヘッドは、歪みの小さな再生波形を生成する磁気
ヘッドとなっている。また、上記第１の方向前方および
後方の双方を含む領域に硬磁性層を形成する方が、固定
磁性層の磁化の方向はより安定となって好ましい。

【００１３】上記第１の磁化固定工程を有する磁気ヘッ
ド製造方法は、上記磁気抵抗効果素子の昇温を伴う所定
の昇温工程と、上記第１の磁化固定工程によって固定さ
れた上記硬磁性層の磁化の方向を、上記所定の第２の方
向に転換させて固定する第２の磁化固定工程とを有し、
上記硬磁性層形成工程と上記第１の磁化固定工程とを実
行した後に上記昇温工程を実行し、その後上記第２の磁
化固定工程を実行することが好ましい。

【００１４】上記第２の磁化固定工程を有する磁気ヘッ
ド製造方法は、上記磁気ヘッドが、記録コイルを有し、
上記外部磁界の強さを検知する以外にもその記録コイル
から磁界を発生する機能を有するものである場合に、上
記記録コイルを、有機絶縁材料でその記録コイルの周囲
を取り囲みながら形成するコイル形成工程を有し、上記
昇温工程が、上記コイル形成工程で形成された記録コイ
ルの周囲を取り囲む有機絶縁材料を加熱して硬化させる
工程であってもよい。

【００１５】上記第２の磁化固定工程を行うことによ
り、硬磁性層、最終的に製造される磁気ヘッドを構成す
る硬磁性膜として適したの磁化の方向を持つようにな
る。

【００１６】また、上記第２の磁化固定工程を有する磁
気ヘッド製造方法は、上記磁気抵抗効果素子が、動作時
に、磁化の方向により情報が記録された磁気記録媒体
に、上記所定の第１の方向前方および後方のうちのいず
れかの側で近接あるいは接触するように配置されるもの
であって、上記硬磁性層形成工程で形成された硬磁性層
が、その磁気抵抗効果素子からみてその磁気記録媒体に
面する側に位置する部分を有し、その部分を上記第２の
磁化固定工程の後に削除する削除工程を有することが好
ましい。

【００１７】上記硬磁性層のうちの、磁気抵抗効果素子
からみて磁気記録媒体に面する側に位置する部分は、上
記昇温工程で固定磁性層の磁化を安定化するという役割
を終えており、その昇温工程の後には削除することがで
きる。

【００１８】

【発明の実施形態】以下、本発明の実施形態について説
明する。

【００１９】本発明は、磁気ヘッドの製造方法に関する
ものであるが、はじめに、本実施形態の磁気ヘッド製造
方法によって製造される磁気ヘッドについて説明し、そ
の後に、本実施形態の磁気ヘッド製造方法について説明
する。

【００２０】［磁気ヘッド］まず、上記磁気ヘッドが組
み込まれるハードディスク装置（ＨＤＤ）について説明
する。

【００２１】図１は、ＨＤＤの概略構成図である。

【００２２】同図に示すＨＤＤ１００のハウジング１０
１には、回転軸１０２、回転軸１０２に装着される磁気
ディスク１０３、磁気ディスク１０３の表面に近接して
対向する浮上ヘッドスライダ１０４、アーム軸１０５、
浮上ヘッドスライダ１０４を先端に固着してアーム軸１
０５を中心に磁気ディスク１０３上を水平移動するキャ
リッジアーム１０６、およびキャリッジアーム１０６の
水平移動を駆動するアクチュエータ１０７が収容されて
いる。

【００２３】このＨＤＤ１００では、磁気ディスク１０
３へ情報の記録、および磁気ディスク１０３に記録され
た情報の再生が行われる。これらの情報の記録および再
生にあたっては、まず、磁気回路で構成されたアクチュ
エータ１０７によってキャリッジアーム１０６が駆動さ
れ、浮上ヘッドスライダ１０４が、回転する磁気ディス
ク１０３上の所望のトラックに位置決めされる。浮上ヘ
ッドスライダ１０４の先端には、図１には図示しない、
本実施形態の磁気ヘッド製造方法で製造された磁気ヘッ
ドが設置されている。この磁気ヘッドは、磁気ディスク
１０３の回転にともなって、磁気ディスク１０３の各ト
ラックに並ぶ各１ビット領域に順次近接する。なお、磁
気ヘッドは、磁気ディスク１０３に接触する形式のもの
であってもよい。ここでは、磁気ヘッドは、記録ヘッド
と再生ヘッドとからなる複合型の磁気ヘッドとなってい
る。記録ヘッドは、電気的な記録信号が入力されると、
入力された記録信号に応じて上記各１ビット領域に磁界
を印加して、その記録信号に担持された情報をそれらの
各１ビット領域の磁化の方向の形で記録する。また、再
生ヘッドは、それらの各１ビット領域の磁化の方向の形
で記録された情報を、それらの磁化それぞれから発生す
る磁界に応じて電気的な再生信号を生成することにより
取り出す。ハウジング１０１の内部空間は、図示しない
カバーによって閉鎖される。

【００２４】次に、本実施形態の磁気ヘッド製造方法に
よって製造された磁気ヘッドについて説明する。

【００２５】図２は、ＨＤＤに設置された磁気ヘッドの
構成を示す図である。

【００２６】同図には、ＨＤＤ１００に設置されて磁気
ディスク１０３に近接して位置決めされた状態にある、
本実施形態の磁気ヘッド製造方法によって製造された磁
気ヘッド３０が示されている。同図に示されるように、
磁気ヘッド３０は、再生ヘッド３０＿１と記録ヘッド３
０＿２から構成されている複合型の磁気ヘッドであっ
て、再生ヘッド３０＿１の背部に記録ヘッド３０＿２が
付加されたピギーバッグ構造となっている。

【００２７】記録ヘッド３０＿２は、磁界を発生する記
録コイル２５と、レジストなどからなる、記録コイル２
５の周囲を包囲して記録コイル２５に流れる電流のリー
クを防ぐとともに記録コイル２５を固定する有機絶縁層
２４と、記録コイル２５を有機絶縁層２４とともに層厚
方向に挟み、先端部が上記磁気ディスク１０３に面して
記録コイル２５から発生した磁界を磁気ディスク１０３
の面する先端部に伝えることにより磁界を磁気ディスク
１０３に漏れ出させる、記録下部磁極（下部コア）２２
および記録上部磁極２６の両磁極と、記録下部磁極２２
の先端部および記録上部磁極２６の先端部の間に層厚方
向に挟まれた非磁性の材料からなる記録ギャップ層２３
とからなる。記録ヘッド３０＿２は、上記先端部から漏
れ出る磁界によって磁気ディスクの各微小領域の磁化を
反転させて、磁気ディスク１０３に情報を記録する。

【００２８】同図には、互いに直交する、ｘ方向、ｙ方
向、ｚ方向それぞれの方向が、３つの矢印それぞれによ
って示されている。上記層厚方向は、いずれもｚ方向に
相当する。すなわち、記録ヘッド３０＿２を構成する各
部は、ｚ方向に積層されている。ちなみに磁気ヘッド３
０が、磁気ディスク１０３上に近接して位置決めされた
場合、ｚ方向は、磁気ディスク１０３のビット長方向、
すなわちトラックの延びる方向となり、ｘ方向は、磁気
ディスク１０３の面に垂直な方向となり、ｙ方向は、磁
気ディスク１０３のトラック幅の方向となる。以下で
は、磁気ヘッド３０の構成等を、これらのｘ方向、ｙ方
向、ｚ方向を用いて説明する。また、この図２と同様
に、以下に示す図３〜図４、図６〜図１０において、こ
れらのｘ方向、ｙ方向、ｚ方向それぞれが、各矢印で表
され、磁気ヘッドを構成する再生ヘッド３０＿１の要部
の説明に使用される。なお、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向そ
れぞれの逆方向を−ｘ方向、−ｙ方向、−ｚ方向と表
す。

【００２９】再生ヘッド３０＿１は、本発明にいう磁気
抵抗効果素子に相当するスピンバルブ素子１０、ｙ方向
に互いに離れた一対の硬磁性層１１、およびｙ方向に互
いに離れた一対の電極端子１２と、これらのスピンバル
ブ素子１０、硬磁性層１１、および電極端子１２を層厚
方向（ｚ方向）に挟むように配置された図示しない絶縁
材料からなる再生下部ギャップ層および再生上部ギャッ
プ層と、これらのギャップ層を層厚方向（ｚ方向）に挟
むように配置された再生下部シールド２１および再生上
部シールド２２とからなる。この場合、再生下部シール
ド２２は上記記録下部磁極２２と兼用されている。この
再生ヘッド３０＿１では、上記一対の電極端子１２の間
の領域が磁気ディスク１０３からの信号磁界を検知する
信号検知領域Ｓとなっている。

【００３０】再生ヘッド３０＿１の構造について、図
３、図４を用いて詳細に説明する。

【００３１】図３は、本実施形態の磁気ヘッド製造方法
によって製造された再生ヘッドの要部を示す斜視図であ
り、図４は、図３に示す再生ヘッドの要部の側断面図で
ある。

【００３２】これらの図には、磁気ヘッド３０の再生ヘ
ッド３０＿１を構成する、スピンバルブ素子１０、硬磁
性層１１、および電極端子１２が示される。

【００３３】スピンバルブ素子１０は、上記再生下部シ
ールド２１上の再生下部ギャップ層の上に形成された下
地層１と、軟磁性材料からなる、下地層１上に形成され
磁化の方向が外部からの磁界に応じて回転する自由磁性
層２と、自由磁性層２上に形成された非磁性金属層３
と、この非磁性金属層３上に形成され所定の固定された
方向に磁化された固定磁性層４と、この固定磁性層４上
に形成され固定磁性層４と交換結合して固定磁性層４の
磁化の方向を固定する反強磁性層５と、この反強磁性層
５上に形成されたキャップ層６とからなる。自由磁性層
２は、ここでは２層構造を有するものであり、下地層１
側の第１の自由磁性層２ａと、非磁性金属層３側の第２
の自由磁性層２ｂからなる。

【００３４】このスピンバルブ素子１０は、ｙ方向の端
部および−ｙ方向の端部に接するように形成された一対
の硬磁性層１１を備える。これらの硬磁性層１１は、通
常、上記自由磁性層２にｙ方向あるいは−ｙ方向を向く
磁界を付与することにより自由磁性層２のの磁壁を固定
して、ヘッドの再生信号に生じやすいバルクハウゼンノ
イズの発生を抑制するために用いられるものである。し
かし、後述するように、本実施形態では、これらの硬磁
性層１１は、磁気ヘッド３０を製造する際に固定磁性層
４にｘ方向あるいは−ｘ方向を向く磁界を付与して固定
磁性層４の磁化をｘ方向あるいは−ｘ方向に安定化させ
るためにも用いられる。なお、以下では固定磁性層４の
磁化がｘ方向を向く場合について述べる。また、スピン
バルブ素子１０は、これらの硬磁性層１１それぞれの上
に形成された一対の電極端子１２それぞれを備える。こ
れらの電極端子１２から上記スピンバルブ素子１０にセ
ンス電流Ｉ_sが印加される。

【００３５】次に、スピンバルブ素子１０を構成する上
記各層についてそれぞれ説明する。

【００３６】下地層１は、例えば膜厚５０オングストロ
ーム（Å）のタンタル（Ｔａ）膜からなる。

【００３７】第１の自由磁性層２ａは、例えば膜厚約４
０Åのニッケル−鉄（ＮｉＦｅ）膜からなり、第２の自
由磁性層２ｂは、例えば膜厚約２５Åのコバルト−鉄−
ホウ素（ＣｏＦｅＢ）膜からなり、両層は一緒になって
自由磁性層２を形成している。

【００３８】非磁性金属層３は、例えば膜厚３０Åの銅
（Ｃｕ）膜からなる。

【００３９】上記自由磁性層２が上述したように２層構
造となっている理由の１つは、仮に自由磁性層２がＮｉ
Ｆｅ膜からなる第１の自由磁性層２ａのみからなるもの
であると、第１の自由磁性層２ａと非磁性金属層３の両
層の間でＮｉとＣｕが相互拡散しやすくなることにあ
る。そこで、この両層の間にＣｕと固溶しないＣｏＦｅ
Ｂ膜からなる第２の自由磁性層２ｂを取り入れることに
よってそのような相互拡散を防止している。もう１つの
理由は、ＣｏＦｅＢ膜は、保持力Ｈ_cが比較的大きいた
め、外部磁界に応じて磁化の方向が変化するという役割
を果たすために最高の膜とはいえないことにある。そこ
で、自由磁性層２を、ＣｏＦｅＢ膜からなる第２の自由
磁性層２ｂの下地に保持力Ｈ_cの小さいＮｉＦｅ膜から
なる第１の自由磁性層２ａをある程度厚く設けた２層構
造とすることで、自由磁性層２全体として磁化の回転を
容易にしている。

【００４０】固定磁性層４は、例えば膜厚２２ÅのＣｏ
ＦｅＢ膜からなる。

【００４１】反強磁性層５は、大きな交換結合磁界を発
生させるように、交換結合磁界がゼロになる温度である
ブロッキング温度が高く、耐食性の高い材料からなるも
のであることが好ましい。この反強磁性層５は、例えば
膜厚１００Å以上、典型的には１５０Åの規則系合金の
膜からなる。規則系合金の膜としては、パラジウム−白
金−マンガン（ＰｄＰｔＭｎ）膜、白金−マンガン（Ｐ
ｔＭｎ）膜、パラジウム−マンガン（ＰｄＭｎ）膜、ニ
ッケル−マンガン（ＮｉＭｎ）膜、クロム−マンガン
（ＣｒＭｎ）膜があげられる。これらの膜は、ＰｄやＰ
ｔなどの白金系金属を用いているため耐食性が高い。ま
た、これらの膜は、規則系合金を用いているため上記交
換結合磁界が大きく、ブロッキング温度が高い。本実施
形態では、反強磁性層５は代表的にＰｄＰｔＭｎからな
るものとする。このＰｄＰｔＭｎのブロッキング温度は
３２０°Ｃである。

【００４２】キャップ層６は、例えば膜厚約６０ÅのＴ
ａ膜からなる。

【００４３】スピンバルブ素子１０は、以上の各層から
なり、比較的層構成が単純であるため量産に適してい
る。

【００４４】なお、このスピンバルブ素子１０に隣接す
る上記一対の硬磁性層１１は、例えば、保持力Ｈ_cの大
きなＣｏＣｒＰｔ膜からなる。また、上記一対の電極端
子１２は、導電性材料からなり、例えば、下から膜厚が
１００Åのチタン（Ｔｉ）膜、このＴｉ膜上に形成され
た、膜厚が８００Åの金（Ａｕ）膜、このＡｕ膜上に形
成された、膜厚が２００ÅのＴｉ膜という３層構造を持
つ膜からなる。

【００４５】さて、磁気ヘッド３０の再生ヘッド３０＿
１の動作原理について図３とともに以下に簡単に説明す
る。再生ヘッド３０＿１の中心的な機能は、上記スピン
バルブ素子１０が、以下に示すように弱い磁界で大きな
抵抗変化を示すことによって担われている。

【００４６】上述したように、反強磁性層５は、反強磁
性層５と接した固定磁性層４に交換相互作用を及ぼし、
この交換相互作用によって、この固定磁性層４の磁化Ｍ
_pはｘ方向に固定されている。これに対して、自由磁性
層２は、磁化容易軸がｙ方向に沿った軸となっており、
ここでは、自由磁性層２の磁化Ｍ_fは、外部磁界が存在
しないときにはｙ方向を向く。この自由磁性層２の磁化
Ｍ_fは、ｘ方向あるいは−ｘ方向を向く弱い外部信号磁
界Ｈ_sigが印加されると、その信号磁界Ｈ_sigに応じて回
転する。

【００４７】このスピンバルブ素子１０の電気抵抗は、
自由磁性層２の、信号磁界Ｈ_sigに応じて回転した磁化
Ｍ_fと固定磁性層４の固定された磁化Ｍ_pとなす角度θに
依存して変化する。すなわち、両層の磁化方向のなす角
度θの余弦ｃｏｓθに比例して、以下のように、スピン
バルブ素子の抵抗値Ｒが変化する。

【００４８】Ｒ＝Ｒ_min ＋（Ｒ_w／２）×（１−ｃｏｓθ）ここで、Ｒ_minは磁化Ｍ_pと磁化Ｍ_fが同方向を向くθ＝
０°の場合の抵抗値であり、Ｒ_wは外部磁界応じて変化
する抵抗値Ｒの最大の変化幅を表す。抵抗値Ｒは、上記
両層の磁化Ｍ_pの方向と磁化Ｍ_fの方向とが逆方向となる
θ＝１８０°の角度をなす場合に、最大となる。なお、
この再生ヘッド３０＿１では、信号磁界Ｈ _sigがゼロの
場合の上記角度θは理想的な９０°になるものとする。

【００４９】この再生ヘッド３０＿１の動作時には、図
２に示す一対の電極端子１２からスピンバルブ素子１０
にセンス電流Ｉ_sが流される。このようにセンス電流Ｉ_s
が流された状態で、この再生ヘッド３０＿１を、図３に
は図示しない磁気ディスク１０３に近接させて相対的に
移動させると、同図に示す信号検知領域Ｓで磁気ディス
ク１０３からのほぼｘ方向あるいは−ｘ方向を向く信号
磁界Ｈ_sigを受けて、その信号磁界Ｈ_sigに応じて上述し
たように磁化Ｍ_fの回転に伴ってスピンバルブ素子１０
の抵抗値Ｒが変化し、その抵抗値Ｒとセンス電流値Ｉ_s
との積で表される出力電圧が出力される。

【００５０】上述したように信号磁界Ｈ_sigがゼロの時
に磁化Ｍ_pと磁化Ｍ_fとが直交して上記角度θが９０°を
なす場合、外部の磁気ディスク１０３からの信号磁界Ｈ
_sigに対して、スピンバルブ素子１０の抵抗および出力
電圧が線形に変化する。このようにスピンバルブ素子１
０の抵抗および出力電圧が線形変化を示すことは、θ’
＝θ−９０°という、角度９０°からのズレの角度θ’
を考えると、上記抵抗値Ｒの式のｃｏｓθが、ｃｏｓθ ＝ｃｏｓ（９０°＋θ’）＝ｓｉｎ
θ’ となり、ズレの角度θ’が微小な場合に抵抗値Ｒがこの
ズレの角度θ’に対して線形に変化することから理解で
きる。

【００５１】信号磁界Ｈ_sigがゼロの場合にこの角度θ
が９０°からずれていると、外部信号磁界Ｈ_sigの入力
に対して、再生ヘッド３０＿１の出力電圧は線形応答せ
ず、この出力電圧の再生波形が歪むなどの障害が発生す
る。これまでの研究から、この再生ヘッド３０＿１が実
際の使用に耐えるものであるためには、上記角度θが少
なくとも８０°以上であることが好ましいと評価されて
いる。

【００５２】［磁気ヘッド製造方法］以下に、図２に示
す磁気ヘッド３０を製造する本実施形態の磁気ヘッド製
造方法について、図５に示す製造工程フローチャートを
参照しながら説明する。

【００５３】図５は、本実施形態の磁気ヘッド製造方法
による磁気ヘッドの製造工程を表すフローチャートであ
る。

【００５４】このフローチャートでは、ステップＳ１か
らステップＳ２０まで順に進む。なお、以下では、比較
のために従来の磁気ヘッド製造方法についても述べるこ
とがあるが、従来の磁気ヘッド製造方法による磁気ヘッ
ドの製造工程も、特に断る点を除いては、本実施形態の
磁気ヘッド製造方法による磁気ヘッドの製造工程と同様
に進められる。

【００５５】まず、ステップＳ１では、ウェハ上に、最
終的に再生下部シールド２１となる再生下部シールド膜
を形成する。このウェハとしては、例えば直径４〜５イ
ンチのＡｌ₂Ｏ₃の保護膜のついたアルミナチタンカーバ
イド（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ）ウェハがあげられる。また、
再生下部シールド２１は、例えばＦｅＮ膜からなる。以
下に述べる工程によって、このウェハ上に約１万の磁気
ヘッドが一括して作製される。

【００５６】ステップＳ２では、この再生下部シールド
膜上に、最終的に再生下部ギャップ層となる再生下部ギ
ャップ膜を形成する。この再生下部ギャップ膜は、例え
ばＡｌ₂Ｏ₃のような絶縁材料からなる。

【００５７】ステップＳ３では、ウェハ上の一面にスピ
ンバルブ膜を形成する。このスピンバルブ膜は、後にト
リミングされてスピンバルブ素子１０となる膜である。
詳しく述べると、スパッタリング法などにより、まず、
上記再生下部ギャップ膜上に、下地層１、自由磁性層
２、非磁性金属層３、固定磁性層４、反強磁性層５、キ
ャップ層６それぞれの膜それぞれが、順に積層するよう
に成膜される。

【００５８】ステップＳ４では、ステップＳ３で形成さ
れたスピンバルブ膜に対してｘ方向に磁界を印加しなが
ら加熱することによりスピンバルブ膜の固定磁性層４の
膜の磁化方向をこの磁界の印加されたｘ方向に固定する
ピンアニール処理を行う。このピンアニール処理におけ
る代表的な処理条件は、磁界の強さ２００ｋＡ／ｍ、加
熱温度２８０℃、加熱時間３時間である。このピンアニ
ール処理により、この固定磁性層４の磁化の方向が固定
されるのは、スピンバルブ膜中の、後に反強磁性層５と
なるＰｄＰｔＭｎなどの規則系合金からなる膜が、スピ
ンバルブ膜の成膜直後には磁性を示さず、上記ピンアニ
ール処理のような磁界中熱処理を行うことによりはじめ
て反強磁性化（規則化）するためであり、この反強磁性
化により固定磁性層４の磁化Ｍ_pが印加された磁界の方
向であるｘ方向に固定される。規則系合金のこのような
規則化は、面心立方格子（ｆｃｃ：ｆａｃｅｃｅｎｔ
ｅｒｅｄｃｕｂｉｃｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）面心正方
格子（ｆｃｔ：ｆａｃｅｃｅｎｔｅｒｅｄｔｅｔｒａ
ｇｏｎａｌｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）への結晶変化に伴っ
て生ずる。

【００５９】ステップＳ５では、ステップＳ４でピンア
ニール処理を施されたスピンバルブ膜に対して例えばｙ
方向に磁界を印加しながら加熱することによりスピンバ
ルブ膜中の自由磁性層４の膜の磁化容易軸および再生下
部シールド２１の磁化容易軸をｙ方向に沿った軸とし
て、磁化容易軸の磁気異方性を強化するフリー戻しアニ
ール処理を行う。このフリー戻しアニール処理における
代表的な処理条件は、磁界の強さ４ｋＡ／ｍ、加熱温度
２３０℃、加熱時間３時間である。

【００６０】これらのピンアニール処理およびフリー戻
しアニール処理によって、固定磁性層４の膜磁化Ｍ_pの
方向と自由磁性層２の膜の磁化Ｍ_fの方向とをほぼ直交
させることができるが、フリー戻しアニール処理が固定
磁性層４の膜の磁化Ｍ_pに対して影響をおよぼすので、
この磁化Ｍ_pの方向は、ｘ方向からｙ方向側あるいは−
ｙ方向側に向かって傾いてしまう。ただし、この傾きの
大きさは、上記両処理を、上述した代表的な処理条件の
ような適切な処理条件で行うことにより減少させること
ができる。

【００６１】以下に述べるステップＳ６およびステップ
Ｓ７によって、最終的にウェハ上に形成される複数の磁
気ヘッド３０それぞれの各再生ヘッド３０＿１部分の、
各スピンバルブ素子１０、各一対の硬磁性層１１、およ
び各一対の電極端子１２を形成する。

【００６２】ステップＳ６では、ステップＳ５で熱処理
された、スピンバルブ膜が一面に形成されたウェハの、
上記複数の磁気ヘッド３０それぞれの一対の硬磁性層１
１および一対の電極端子１２が形成される領域以外の部
分に、フォトレジストおよびＡｌ₂Ｏ₃などを使用した覆
いをかぶせ、スピンバルブ膜の、これらの硬磁性層１１
と電極端子１２が形成される部分をイオンミリングなど
によって取り去る。これらの部分が取り去られたウェハ
に、硬磁性膜と導電性膜とを順に積層する。ここで、硬
磁性膜は、例えばＣｏＣｒＰｔからなり、導電性膜は、
例えば、下から膜厚が１００ÅのＴｉ膜、このＴｉ膜上
に積層された、膜厚が８００ÅのＡｕ膜、このＡｕ膜上
に積層された、膜厚が２００ÅのＴｉ膜という３層構造
を持つ膜からなる。これらの膜を積層した後に上記電極
端子１２以外の部分に被せた覆いを取り外すことによ
り、上記再生下部ギャップ膜上に上記一対の硬磁性層１
１が複数形成され、これらの一対の硬磁性層１１上に上
記一対の電極端子１２が形成される。

【００６３】ステップＳ７では、ステップＳ６で形成さ
れた、複数組の一対の硬磁性層１１上に形成された複数
組の一対の電極端子１２の領域と、スピンバルブ膜のう
ちの、これらの一対の電極端子１２にｙ方向に例えば１
μｍ程度の間隙を持って挟まれた長方形の領域とをフォ
トレジストで覆い、イオンミリングなどを行うことによ
りウェハからこれらの領域以外の部分のスピンバルブ膜
を削除する。この削除により、スピンバルブ膜は長方形
にトリミングされて、スピンバルブ素子１０が形成され
る。

【００６４】本実施形態の磁気ヘッド製造方法の特徴の
１つは、上記ステップＳ６で形成された硬磁性層１１の
形状にある。

【００６５】図６は、従来の磁気ヘッド製造方法で形成
される硬磁性層の形状の一例を示す図である。

【００６６】同図は、上記ステップＳ６〜ステップＳ７
で形成された段階でのスピンバルブ素子１０および一対
の硬磁性層１１に対応する、従来の磁気ヘッド製造方法
で製造された磁気ヘッドの、スピンバルブ素子１０およ
び一対の硬磁性層１１’を、ｚ方向に見た様子を示した
概略図である。この図６に示すスピンバルブ素子１０
は、上記磁気ヘッド３０のスピンバルブ素子１０と同じ
構成を有するものであり、一対の硬磁性層１１’によっ
てｙ方向に挟まれている。

【００６７】一般に、製造された磁気ヘッドは、ＨＤＤ
内で、スピンバルブ素子が所定の面（浮上面ｆ）で磁気
ディスクに近接して面するように配置される。図６で
は、ｙｚ方向に広がる浮上面ｆが、同図点線で表されて
いる。図６に示す一対の硬磁性層１１’は、最終的に製
造された磁気ヘッド中の硬磁性層と同様に、スピンバル
ブヘッド１０の浮上面ｆ側には存在しない。

【００６８】図７は、本実施形態の磁気ヘッド製造方法
で形成される硬磁性層の形状の例を示す図である。

【００６９】図７（Ａ）、図７（Ｂ）、図７（Ｃ）それ
ぞれに、スピンバルブ素子１０を挟む硬磁性層１１の３
種類の形状の例それぞれを示す。図７（Ａ）に示す硬磁
性層１１は、図６に示す従来の硬磁性層１１’を浮上面
ｆ側で連結させたものであって、スピンバルブ素子１０
からみて浮上面ｆを超える部分にも硬磁性層１１が存在
する。図７（Ｂ）に示す硬磁性層１１は、スピンバルブ
素子１０の、浮上面側およびｙ方向両側面側では、図６
に示す従来の硬磁性層１１’と同じ形状であるが、浮上
面ｆとは逆側の面で、その面と硬磁性層１１との間に間
隙を有し、その間隙が、そのままｙ方向に延びた後にｘ
方向に延びたものである。図７（Ｃ）に示す硬磁性層１
１は、スピンバルブ素子１０から見て浮上面ｆ側で図７
（Ａ）に示す硬磁性層１１と同じく連結されており、ま
た、スピンバルブ素子１０から見て浮上面ｆとは逆側の
面で、図７（Ｂ）に示す硬磁性層１１と同様な間隙を有
するものである。

【００７０】ステップＳ８では、イオンミル等により上
記再生下部シールド膜のうちの不要な部分を取り除い
て、上記硬磁性層１１の形状に応じた形状にパターニン
グされた再生下部シールド２１を形成する。

【００７１】ステップＳ９では、上記スピンバルブ素子
１０上に例えばＡｌ₂Ｏ₃からなる再生上部ギャップ膜を
形成する。

【００７２】ステップＳ１０では、上記再生上部ギャッ
プ上に、例えばＮｉＦｅからなる再生上部シールド２２
を形成する。

【００７３】ステップＳ１１では、上記再生上部ギャッ
プ上に、例えばＡｌ₂Ｏ₃からなる記録ギャップ層２３を
形成する。

【００７４】ステップＳ１２〜ステップＳ１３では、記
録ギャップ層２３上にレジストなどの有機絶縁材料によ
って周囲を取り囲みながら例えばＣｕからなる記録コイ
ル２５を形成する。

【００７５】ステップＳ１４では、例えば２４０ｋＡ／
ｍの磁界を印加することにより、ステップＳ６で形成し
た硬磁性層１１の磁化を、上記浮上面ｆに垂直なｘ方向
に向けて固定する垂直着磁を行う。

【００７６】ステップＳ１５では、ステップＳ１２〜ス
テップＳ１３で形成された記録コイル２５の周囲を取り
囲む有機絶縁材料を加熱処理する。この加熱処理によっ
てスピンバルブ素子１０の温度も上昇する。このステッ
プＳ１５は、本発明にいう昇温工程に相当する。この加
熱処理は、例えば温度２７５℃３時間という加熱条件で
行う。この加熱処理は、ステップＳ１４で硬磁性層１１
が垂直着磁されているため、固定磁性層４の磁化Ｍ_pの
方向が上記ｘ方向に固定された状態で行われる。この状
態で加熱処理を行うことによる影響を説明するために、
まず、比較となる従来例での加熱処理について説明す
る。

【００７７】図８は、従来の磁気ヘッド製造方法で形成
された硬磁性層の、加熱処理前の磁化の様子の第１の例
を示す図である。

【００７８】同図には、上記有機絶縁材料の加熱処理に
おいて、図６に示す従来の磁気ヘッド製造方法で形成さ
れた硬磁性層１１’を自由磁性層６の磁化容易軸方向に
沿ったｙ方向あるいは−ｙ方向に磁化する横着磁が行わ
れた様子が示される。この場合には、スピンバルブ素子
１０と、スピンバルブ素子１０をｙ方向に挟む一対の硬
磁性層１１’との両界面において、磁荷が生ずる。この
磁荷によってスピンバルブ素子１０にはｙ方向あるいは
−ｙ方向に磁界が生ずるため、この磁界の生じた状態
で、上記加熱処理を行うと、固定磁性層４の磁化Ｍ_pは
ｙ方向あるいは−ｙ方向に傾いてしまう。

【００７９】図９は、従来の磁気ヘッド製造方法で形成
される硬磁性層の、加熱処理前の磁化の様子の第２の例
を示す図である。

【００８０】同図には、上記有機絶縁材料の加熱処理に
おいて、図６に示すように形成された硬磁性層１１’
を、固定磁性層４の磁化が固定される方向であるｘ方向
に磁化した様子が示される。なお、硬磁性層１１’をｘ
方向へ磁化した状態で上記加熱処理を行う方法について
は、特開平１１−１７５９２３号公報に記載がある。こ
の場合には、図８に示すようにｙ方向あるいは−ｙ方向
に磁化した場合とは異なって、スピンバルブ素子１０
と、スピンバルブ素子１０をｙ方向に挟む硬磁性層１
１’との両界面には磁荷が生ずることはない。しかし、
スピンバルブ素子１０のｘ方向の大きさを表す素子高さ
が約５μｍと小さいことにより、無磁界中であったとし
ても、固定磁性層４の磁化Ｍ_pは自身の反磁界を受けて
ｙ方向あるいは−ｙ方向に傾いてしまう。

【００８１】このように、従来の磁気ヘッド製造方法で
は、上記加熱処理において、固定磁性層４の磁化Ｍ_pが
ｙ方向あるいは−ｙ方向に傾いてしまうため、最終的に
形成された磁気ヘッドの再生波形が、外部信号磁界Ｈ
_sigに対して線形応答せず、歪みなどの障害を生ずる。

【００８２】これに対して、本実施形態の磁気ヘッド製
造方法では、図１０に示すように、固定磁性層４の磁化
Ｍ_pのｙ方向や−ｙ方向への傾きが抑制される。

【００８３】図１０は、本実施形態の磁気ヘッド製造方
法で形成される硬磁性層の、加熱処理前の磁化の様子の
例を示す図である。

【００８４】図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）、および図１
０（Ｃ）の各図には、上記有機絶縁材料の加熱処理にお
いて、図７（Ａ）、図７（Ｂ）、および図７（Ｃ）の各
図に示すように形成された硬磁性層１１を、固定磁性層
４の磁化が固定されるｘ方向に磁化した様子が示され
る。この場合には、図９に示す例と同様にスピンバルブ
素子１０と、スピンバルブ素子１０をｙ方向に挟む硬磁
性層１１’との両界面には磁荷が生ずることはない。但
し、図７に示す硬磁性層１１は、いずれも、スピンバル
ブ素子１０からみて、ｘ方向および−ｘ方向のうちの少
なくともいずれか一方を含む領域にその硬磁性層１１の
一部が配置されているため、その領域に磁荷が生じて、
スピンバルブ素子１０にｘ方向への磁界が付与される。
本実施形態の磁気ヘッド製造方法では、スピンバルブ素
子１０にｘ方向の磁界が付与された状態で上記有機絶縁
材料の熱処理を行うため、下部再生シールド２１、上部
再生シールド２２といった軟磁性を示す層の磁化容易軸
の方向にほとんど影響を与えることなく、上記固定磁性
層４の反磁界の影響を抑えて固定磁性層４の磁化Ｍ_pを
ｘ方向に固定しておくことができる。なお、自由磁性層
２の磁化容易軸は、後述するステップＳ１９での横着磁
によってｙ方向に沿った軸となるよう方向づけられる。

【００８５】このように固定磁性層４の磁化Ｍ_pをｘ方
向に固定することにより、固定磁性層４の磁化Ｍ_pの方
向と自由磁性層２などの軟磁性を示す層の磁化容易軸と
がなす角度θを９０°に近づけられるので、本実施形態
の磁気ヘッド製造方法によって製造された磁気ヘッドの
再生波形は、外部信号磁界Ｈ_sigに対してほぼ線形応答
する、歪みの小さなものとなる。

【００８６】ステップＳ１６では、記録コイル２５上に
上部記録磁極２６を形成する。この上部記録磁極２６
は、例えばＮｉＦｅからなる。

【００８７】ステップＳ１７で、上部記録磁極２６上に
保護膜を形成する。この保護膜は、例えばＡｌ₂Ｏ₃から
なる。

【００８８】ステップＳ１８では、常温で、例えばｙ方
向に２４０ｋＡ／ｍの外部磁界を印加することによっ
て、ステップＳ１４でｘ方向に固定された硬磁性層１１
の磁化の方向をｙ方向に転換させて固定する横着磁を行
う。上記ステップＳ１５の加熱処理後の横着磁によっ
て、自由磁性層２の磁化容易軸は、ｙ方向に沿った軸と
なるよう方向付けられる。

【００８９】ステップＳ１９〜ステップＳ２０では、ス
テップＳ１７で保護膜が形成されたウェハを、上記磁気
ヘッド３０が１つづつ含まれるよう分割する。この分割
の際に、硬磁性層１１のうちの、上記スピンバルブ素子
１０からみて浮上面ｆを超える部分を削除する。このス
テップＳ１９〜ステップＳ２０で、本実施形態の磁気ヘ
ッド製造方法の工程は完了する。

【００９０】なお、本実施形態のように、スピンバルブ
素子を昇温させる加熱処理の前に硬磁性層を垂直着磁
し、その加熱処理の後に硬磁性層を横着磁する方法は、
記録コイル形成に伴う有機絶縁材料の加熱処理に対して
のみならず、固定磁性層の磁化の方向をｘ方向からずら
すおそれのある他の加熱処理に対しても有効である。こ
のため、この方法を、磁気ヘッドが再生ヘッドのみから
なる場合に採用することもできる。例えば、一般に再生
ヘッドの電極端子から引き出し導体を形成する場合に、
上記再生下部シールド２１が一般に１．５μｍの厚みを
有するものであるために、この再生下部シールド２１上
に薄い絶縁膜が形成されても再生下部シールド２１が角
の部分で露出するおそれがある。そこで、この再生下部
シールドと上記引き出し導体との接触を防ぐために、そ
の引き出し導体の下にレジストを形成して加熱硬化させ
ることがあり、上記方法は、このレジストの加熱に対し
ても有効である。

【００９１】また、従来、上記加熱処理の際に、ｘ方向
に外部磁界を印加して固定磁性層４の磁化をｘ方向に向
ける方法が知られているが、この外部磁界を印加する方
法では、固定磁性層４の磁化のみならず、最終的にｙ方
向に沿った軸となる必要のある、上記再生下部シールド
２１や再生上部シールド２２の磁化容易軸をもｘ方向に
沿った軸としてしまう。これらのシールドの磁化容易軸
は、上記横着磁によってｙ方向に沿った軸とすることは
困難である。これに対して、本実施形態の磁気ヘッド製
造方法は、上記加熱処理の際に、固定磁性層の磁化の方
向をｘ方向に向ける磁界が硬磁性層１１によって印加さ
れた磁界であるため、上記再生下部シールド２１や再生
上部シールド２２の磁化容易軸には、ほとんど影響を与
えない好ましい製造方法となっている。

【００９２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
再生波形の歪みの小さな磁気ヘッドを製造する磁気ヘッ
ド製造方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＨＤＤの概略構成図である。

【図２】ＨＤＤに設置された磁気ヘッドの構成を示す図
である。

【図３】本実施形態の磁気ヘッド製造方法によって製造
された再生ヘッドの要部を示す斜視図である。

【図４】図３に示す再生ヘッドの要部の側断面図であ
る。

【図５】本実施形態の磁気ヘッド製造方法による磁気ヘ
ッドの製造工程を表すフローチャートである。

【図６】従来の磁気ヘッド製造方法で形成される硬磁性
層の形状の一例を示す図である。

【図７】本実施形態の磁気ヘッド製造方法で形成される
硬磁性層の形状の例を示す図である。

【図８】従来の磁気ヘッド製造方法で形成された硬磁性
層の、加熱処理前の磁化の様子の第１の例を示す図であ
る。

【図９】従来の磁気ヘッド製造方法で形成される硬磁性
層の、加熱処理前の磁化の様子の第２の例を示す図であ
る。

【図１０】本実施形態の磁気ヘッド製造方法で形成され
る硬磁性層の、加熱処理前の磁化の様子の例を示す図で
ある。

【符号の説明】

１下地層２自由磁性層２ａ第１の自由磁性層２ｂ第２の自由磁性層３非磁性金属層４固定磁性層５反強磁性層６キャップ層１０スピンバルブ素子１１硬磁性層１２電極端子２１再生下部シールド２２記録下部磁極、再生上部シールド２３記録ギャップ層２４有機絶縁層２５記録コイル２６記録上部磁極３０磁気ヘッド３０＿１再生ヘッド３０＿２記録ヘッド１００ＨＤＤ１０１ハウジング１０２回転軸１０３磁気ディスク１０４浮上ヘッドスライダ１０５アーム軸１０６キャリッジアーム１０７アクチュエータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者野間賢二神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者向山直樹神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内Ｆターム(参考） 5D034 AA03 BA02 DA07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の第１の方向に固定された磁化を有
する固定磁性層と所定の第２の方向に磁化容易軸を持ち
外部磁界に応じて方向の変化する磁化を有する自由磁性
層とを含む多層膜である、該固定磁性層の磁化の方向と
該自由磁性層の磁化の方向との間の角度に応じた抵抗の
大きさを示す磁気抵抗効果素子を備え、該磁気抵抗効果
素子の抵抗の大きさを検知することにより前記外部磁界
の強さを検知する磁気ヘッドを製造する磁気ヘッド製造
方法において、前記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を付与する硬磁性
層を、該磁気抵抗効果素子からみて、前記所定の第１の
方向前方および該第１の方向後方のうちの少なくともい
ずれか一方を含む領域に形成する硬磁性層形成工程を有
することを特徴とする磁気ヘッド製造方法。
【請求項２】前記硬磁性層形成工程で形成された硬磁
性層の磁化の方向を、前記所定の第１の方向に固定する
第１の磁化固定工程を有することを特徴とする請求項１
記載の磁気ヘッド製造方法。
【請求項３】前記磁気抵抗効果素子の昇温を伴う所定
の昇温工程と、前記第１の磁化固定工程によって固定された前記硬磁性
層の磁化の方向を、前記所定の第２の方向に転換させて
固定する第２の磁化固定工程とを有し、前記硬磁性層形成工程と前記第１の磁化固定工程とを実
行した後に前記昇温工程を実行し、その後前記第２の磁
化固定工程を実行することを特徴とする請求項２記載の
磁気ヘッド製造方法。
【請求項４】前記磁気ヘッドが、記録コイルを有し、
前記外部磁界の強さを検知する以外にも該記録コイルか
ら磁界を発生する機能を有するものである場合に、前記記録コイルを、有機絶縁材料で該記録コイルの周囲
を取り囲みながら形成するコイル形成工程を有し、前記昇温工程が、前記コイル形成工程で形成された記録
コイルの周囲を取り囲む有機絶縁材料を加熱して硬化さ
せる工程であることを特徴とする請求項３記載の磁気ヘ
ッド製造方法。
【請求項５】前記磁気抵抗効果素子は、動作時に、磁
化の方向により情報が記録された磁気記録媒体に、前記
所定の第１の方向前方および後方のうちのいずれかの側
で近接あるいは接触するように配置されるものであっ
て、前記硬磁性層形成工程で形成された硬磁性層が、該
磁気抵抗効果素子からみて該磁気記録媒体に面する側に
位置する部分を有し、該部分を前記第２の磁化固定工程
の後に削除する削除工程を有することを特徴とする請求
項３記載の磁気ヘッド製造方法。