JP2002006164A - Waveguide and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 生産性の向上する導波路およびその製造方法
を提供するものである。
【解決手段】 コア部12となる材料のガラス転移温度
をTg1、クラッド層11となる材料のガラス転移温度
をTg2としたとき、「Tg1−Tg2」の温度差を6
0℃以上とするものである。
(57) [Problem] To provide a waveguide with improved productivity and a method of manufacturing the same. When the glass transition temperature of a material forming a core portion is Tg1 and the glass transition temperature of a material forming a cladding layer is Tg2, a temperature difference between “Tg1−Tg2” is 6;
The temperature is set to 0 ° C. or higher.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、導波路およびその
製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waveguide and a method for manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】以下、従来の導波路について図面を参照
しながら説明する。2. Description of the Related Art A conventional waveguide will be described below with reference to the drawings.
【0003】図3は従来の導波路の製造方法を説明する
図である。FIG. 3 is a view for explaining a conventional method of manufacturing a waveguide.
【0004】まず、図3(a)に示すように、石英基板
1の上面に火災堆積法によりコア層2としてGeO2添
加SiO2スートまたはTiO2添加SiO2スートを約
1.5時間かけて数μmの厚さに堆積させた後、これを
約10時間かけて焼結透明化する。First, as shown in FIG. 3A, GeO 2 -added SiO 2 soot or TiO 2 -added SiO 2 soot is applied as a core layer 2 on the upper surface of a quartz substrate 1 by a fire deposition method for about 1.5 hours. After being deposited to a thickness of several μm, it is sintered and clarified for about 10 hours.
【0005】次に、図3(b)に示すように、フォトリ
ソグラフィ法および反応性イオンエッチング法によりコ
ア層2をパターニングしてコア部2aを形成する。Next, as shown in FIG. 3B, the core layer 2 is patterned by photolithography and reactive ion etching to form a core 2a.
【0006】最後に、図3(c)に示すように、再び火
災堆積法により、コア部2aおよび石英基板1上に、上
部クラッド層3としてP2O5およびB2O3が添加された
SiO2を堆積させ、これを焼結透明化して導波路を得
ていた。Finally, as shown in FIG. 3C, P 2 O 5 and B 2 O 3 were added as an upper cladding layer 3 on the core portion 2a and the quartz substrate 1 again by the fire deposition method. A waveguide was obtained by depositing SiO 2 and sintering it to make it transparent.
【0007】このようにして製造された導波路は、焼結
透明化により上部クラッド層3と下部クラッド層となる
石英基板1とが一体化されるので、最終的にはクラッド
層中にコア部2が埋め込まれた状態のものとなる。In the waveguide thus manufactured, the upper cladding layer 3 and the quartz substrate 1 serving as the lower cladding layer are integrated by sintering and transparency, so that the core portion is finally included in the cladding layer. 2 is embedded.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記従来のものは、コ
ア層2や上部クラッド層3を火災堆積法により堆積する
ので、多大な工数や時間を要するため生産性に劣るとい
う問題を有していた。The above-mentioned prior art has a problem in that the core layer 2 and the upper cladding layer 3 are deposited by a fire deposition method, and therefore a large number of steps and time are required, resulting in poor productivity. Was.
【0009】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、生産性の向上する導波路およびその製造方法を提供
することを目的とするものである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a waveguide with improved productivity and a method for manufacturing the same.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、特に、クラッド層の内部に埋め込まれてな
るコア部は、このコア部のガラス転移温度をTg1と
し、前記クラッド層のガラス転移温度をTg2とする
と、「Tg1−Tg2」の温度差が60℃以上となる材
料を選択するものである。According to the present invention, in order to achieve the above object, a core portion embedded in a cladding layer has a glass transition temperature Tg1 of the core portion. Assuming that the glass transition temperature is Tg2, a material having a temperature difference of “Tg1−Tg2” of 60 ° C. or more is selected.
【0011】また、特に、熱プレスによって下部クラッ
ド層と上部クラッド層とを一体化してクラッド層を形成
することにより、このクラッド層の内部にコア部を埋め
込むものである。In particular, the lower clad layer and the upper clad layer are integrated by hot pressing to form a clad layer, so that the core portion is embedded in the clad layer.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態にお
ける導波路について、図面を参照しながら説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a waveguide according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0013】図1は本発明の一実施の形態における導波
路の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a waveguide according to an embodiment of the present invention.
【0014】この導波路は、石英ガラスからなるクラッ
ド層11の内部に線状のコア部12が複数条埋め込まれ
た状態で設けられている。このクラッド層11は、コア
部12のガラス転移温度をTg1とし、クラッド層11
のガラス転移温度をTg2とすると、「Tg1−Tg
2」の温度差が60℃以上となるフッソ系のガラスであ
るフツリン酸ガラスにより構成される。This waveguide is provided with a plurality of linear cores 12 embedded in a cladding layer 11 made of quartz glass. The cladding layer 11 has a glass transition temperature of the core 12 of Tg1,
Assuming that the glass transition temperature of Tg2 is Tg2, "Tg1-Tg
2 "is a fluorophosphate glass which is a fluorine-based glass having a temperature difference of 60 ° C. or more.
【0015】以上のように構成される導波路について、
以下にその製造を図面を参照しながら説明する。With respect to the waveguide configured as described above,
Hereinafter, the production will be described with reference to the drawings.
【0016】図2は本発明の一実施の形態における導波
路の製造方法を説明する図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a method of manufacturing a waveguide according to an embodiment of the present invention.
【0017】まず、図2(a)に示すように、フッソ系
ガラスである例えばフツリン酸ガラスからなる下部クラ
ッド層21の上面に、少なくとも予め片面を略鏡面とな
るように光学研磨した石英ガラスからなるコア層22の
光学研磨した面と接するように載置する。その後、下部
クラッド層21のガラス転移温度より50〜60℃高い
温度で熱プレスし、下部クラッド層21とコア層22と
を一体化する。この一体化は、下部クラッド層21とコ
ア層22との分子間結合によりなされる。First, as shown in FIG. 2A, on the upper surface of a lower cladding layer 21 made of a fluorine-based glass, for example, a fluorophosphate glass, at least one surface of quartz glass that has been optically polished so that one surface is substantially mirror-finished. The core layer 22 is placed so as to be in contact with the optically polished surface of the core layer 22. Then, the lower clad layer 21 and the core layer 22 are integrated by hot pressing at a temperature 50 to 60 ° C. higher than the glass transition temperature of the lower clad layer 21. This integration is performed by intermolecular bonding between the lower cladding layer 21 and the core layer 22.
【0018】次に、図2(b)に示すように、コア層2
2の下部クラッド層21と接する面と反対側の面を所望
の厚さとなる約5〜7μmとなるまで光学研磨する。Next, as shown in FIG.
The surface opposite to the surface in contact with the lower cladding layer 21 is optically polished to a desired thickness of about 5 to 7 μm.
【0019】次に、図2(c)に示すように、前工程で
光学研磨されたコア層22の面上に、スピンコートによ
りレジスト層23を形成する。Next, as shown in FIG. 2C, a resist layer 23 is formed by spin coating on the surface of the core layer 22 that has been optically polished in the previous step.
【0020】次に、図2(d)に示すように、フォトリ
ソグラフィ法により、所望の形状である複数条の線状と
なるようにパターニングする。Next, as shown in FIG. 2D, patterning is performed by photolithography so as to form a plurality of linear lines having a desired shape.
【0021】次に、図2(e)に示すように、コア層2
2を反応性イオンエッチング法によりエッチングして、
コア部12を形成する。Next, as shown in FIG.
2 is etched by a reactive ion etching method,
The core 12 is formed.
【0022】次に、図2(f)に示すように、レジスト
層23を除去してコア部12を露出させる。Next, as shown in FIG. 2 (f), the core layer 12 is exposed by removing the resist layer 23.
【0023】次に、図2(g)に示すように、露出した
コア部12の上面と接するようにフッソ系ガラスである
例えばフツリン酸ガラスからなる上部クラッド層24を
載置する。Next, as shown in FIG. 2 (g), an upper clad layer 24 made of a fluorine-based glass, for example, fluorophosphate glass is placed so as to be in contact with the exposed upper surface of the core portion 12.
【0024】この時露出したコア部12と接する上部ク
ラッド層24の接触面は、予め略鏡面となるように光学
研磨された面である。The contact surface of the upper cladding layer 24 that is in contact with the core portion 12 exposed at this time is a surface that has been optically polished so as to be substantially a mirror surface in advance.
【0025】最後に、上部クラッド層24のガラス転移
温度より50〜60℃高い温度で熱プレスして、上部ク
ラッド層24と下部クラッド層21とを一体化したクラ
ッド層11を形成する。この一体化は、上部クラッド層
24と下部クラッド層21との分子間結合によりなされ
る。この際、コア部12は、図1に示すように、クラッ
ド層11の内部に埋め込まれた状態となる。Finally, the upper clad layer 24 is hot-pressed at a temperature 50 to 60 ° C. higher than the glass transition temperature to form the clad layer 11 in which the upper clad layer 24 and the lower clad layer 21 are integrated. This integration is performed by intermolecular bonding between the upper cladding layer 24 and the lower cladding layer 21. At this time, the core 12 is buried in the cladding layer 11, as shown in FIG.
【0026】以下に、詳細な実施例となる導波路につい
て、説明する。Hereinafter, a waveguide according to a detailed embodiment will be described.
【0027】(実施例1)下部クラッド層21として、
ガラス転移温度:430℃、屈折率:1.451のP2
O5−AlF3−CaF2−BaF2−SrF2からなる厚
みが1mmのフツリン酸ガラスと、コア層22として、片
面を光学研磨した厚みが50μmのガラス転移温度:1
060℃、屈折率:1.458の石英ガラスを用意し、
コア層22の研磨面が下部クラッド層21と接するよう
に置き、490℃で30秒間熱プレスする。(Example 1) As the lower cladding layer 21,
Glass transition temperature: 430 ° C., refractive index: 1.451 P 2
A fluorophosphate glass of O 1 -AlF 3 -CaF 2 -BaF 2 -SrF 2 having a thickness of 1 mm, and a glass transition temperature of a core layer 22 having one side optically polished and having a thickness of 50 μm: 1
Prepare quartz glass at 060 ° C. and a refractive index of 1.458,
The core layer 22 is placed so that the polished surface thereof is in contact with the lower clad layer 21, and hot pressed at 490 ° C. for 30 seconds.
【0028】次に、コア層22の厚みが7μmになるま
でコア層22の露出面側から光学研磨する。Next, optical polishing is performed from the exposed surface side of the core layer 22 until the thickness of the core layer 22 becomes 7 μm.
【0029】次に、コア層22上にフォトレジスト層を
形成し、これにマスクパターンを重ねて露光・現像して
パターン化されたレジスト層を形成する。その後、パタ
ーン化されたレジスト層をマスクとして反応性イオンエ
ッチングを行い、7μm角のコア部12を形成する。Next, a photoresist layer is formed on the core layer 22, a mask pattern is superposed thereon, and exposure and development are performed to form a patterned resist layer. Thereafter, reactive ion etching is performed using the patterned resist layer as a mask to form a 7 μm square core portion 12.
【0030】続いて、下部クラッド層21と同一組成の
上部クラッド層24となる厚みが1mmのフツリン酸ガラ
スをコア部12上に置き、490℃で30秒間熱プレス
して、導波路を得る。Subsequently, a fluorophosphate glass having a thickness of 1 mm to become the upper clad layer 24 having the same composition as the lower clad layer 21 is placed on the core portion 12 and hot pressed at 490 ° C. for 30 seconds to obtain a waveguide.
【0031】導波路のコア部12となる石英ガラスのガ
ラス転移温度が1060℃であることから、490℃で
熱プレスしてもコア部12である石英ガラスの熱変形は
全く起こらず、形状精度に優れた導波路が得られた。ま
た、クラッド−コア界面でのクラックや剥離等も発生し
なかった。Since the glass transition temperature of the quartz glass which is to be the core 12 of the waveguide is 1060 ° C., even when the glass is hot-pressed at 490 ° C., the quartz glass which is the core 12 does not undergo any thermal deformation, and the shape accuracy is reduced. An excellent waveguide was obtained. Also, no cracking or peeling at the clad-core interface occurred.
【0032】(実施例2)コア部12としてBK12ガ
ラス(SiO2−B2O3−Na2O−K2O系ガラス、ガ
ラス転移温度:573℃、屈折率:1.5187)、ク
ラッド層11としてK2ガラス(SiO2−B2O3−K2
O−Na2O−BaO系ガラス、ガラス転移温度:51
0℃、屈折率:1.5160)を用い、実施例1と同様
な方法で、熱プレス温度は570℃で行って導波路を作
製した。この導波路のBK12からなるコア部12も熱
プレスによる熱変形は起こらず、形状精度も優れてい
た。また、クラッド−コア界面でのクラックや剥離等も
発生しなかった。この時のBK12ガラスとK2ガラス
のガラス転移温度差は63℃であることから、本実施の
形態の方法で導波路を形成するためには、クラッドガラ
スとコアガラスのガラス転移温度差を60℃以上にすれ
ば良い。(Example 2) BK12 glass (SiO 2 —B 2 O 3 —Na 2 O—K 2 O-based glass, glass transition temperature: 573 ° C., refractive index: 1.5187) as the core portion 12, a cladding layer K2 glass (SiO 2 —B 2 O 3 —K 2)
O-Na 2 O-BaO-based glass, glass transition temperature: 51
Using 0 ° C. and a refractive index of 1.5160), a hot press temperature of 570 ° C. was performed in the same manner as in Example 1 to produce a waveguide. The core portion 12 of the waveguide made of BK12 did not undergo thermal deformation due to hot pressing, and had excellent shape accuracy. Also, no cracking or peeling at the clad-core interface occurred. Since the glass transition temperature difference between the BK12 glass and the K2 glass at this time is 63 ° C., in order to form a waveguide by the method of the present embodiment, the glass transition temperature difference between the clad glass and the core glass must be 60 ° C. That is all.
【0033】(比較例)コア部12としてBK7ガラス
(SiO2−B2O3−Na2O−K2O系ガラス、ガラス
転移温度:565℃、屈折率:1.5163)、クラッ
ド層11としてK7ガラス(SiO2−B2O3−K2O−
Na2O−BaO系ガラス、ガラス転移温度:515
℃、屈折率:1.5111)を用い、実施例1と同様な
方法で、熱プレス温度は565℃で行って導波路を作製
した。この導波路のBK7ガラスコア層は熱プレスによ
って若干熱変形が起こり、形状精度は実施例1及び2に
比べ劣っていた。しかしながら、クラッド−コア界面で
のクラックや剥離等も発生しなかった。(Comparative Example) BK7 glass (SiO 2 —B 2 O 3 —Na 2 O—K 2 O-based glass, glass transition temperature: 565 ° C., refractive index: 1.5163) as the core 12, clad layer 11 As K7 glass (SiO 2 —B 2 O 3 —K 2 O—
Na 2 O—BaO glass, glass transition temperature: 515
And the refractive index: 1.5111) in the same manner as in Example 1 and a hot press temperature of 565 ° C. to produce a waveguide. The BK7 glass core layer of this waveguide was slightly thermally deformed by hot pressing, and the shape precision was inferior to Examples 1 and 2. However, neither cracking nor separation at the clad-core interface occurred.
【0034】実施例1、実施例2および比較例とを比較
すると、実施例1のクラッド層11とコア部12のガラ
ス転移温度差は630℃、実施例2のクラッド層11と
コア部12のガラス転移温度差は63℃、比較例のクラ
ッド層11とコア部12のガラス転移温度差は50℃で
あることから、本実施の形態の方法で導波路を形成する
ためには、クラッドガラスとコアガラスのガラス転移温
度差を60℃以上にすれば良い。Comparing Example 1, Example 2 and Comparative Example, the difference between the glass transition temperature of the cladding layer 11 and the core 12 in Example 1 was 630 ° C., and the difference between the cladding layer 11 and the core 12 in Example 2 was 630 ° C. Since the glass transition temperature difference is 63 ° C. and the glass transition temperature difference between the clad layer 11 and the core portion 12 of the comparative example is 50 ° C., in order to form a waveguide by the method of the present embodiment, the clad glass and What is necessary is just to make the glass transition temperature difference of the core glass 60 ° C. or more.
【0035】[0035]
【発明の効果】以上のように本発明は、熱プレスで導波
路を作製でき、従来法より装置コストが少なく、しかも
作業時間も短く生産性が向上するという効果を奏する。As described above, according to the present invention, the waveguide can be manufactured by hot pressing, and the apparatus cost is lower than that of the conventional method, the working time is shorter, and the productivity is improved.
【図1】本発明の一実施の形態における導波路の断面図FIG. 1 is a cross-sectional view of a waveguide according to an embodiment of the present invention.
【図2】同製造方法を説明する図FIG. 2 is a view for explaining the manufacturing method.
【図3】従来の導波路の製造方法を説明する図FIG. 3 is a diagram illustrating a conventional method for manufacturing a waveguide.
【符号の説明】 11 クラッド層 12 コア部 21 下部クラッド層 22 コア層 24 上部クラッド層[Description of Signs] 11 Cladding layer 12 Core part 21 Lower cladding layer 22 Core layer 24 Upper cladding layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 糯田 嘉久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2H047 KA04 PA26 QA04 QA07 TA41 4G062 AA06 BB09 BB17 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Yoshihisa Kumita 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F-term (reference) 2H047 KA04 PA26 QA04 QA07 TA41 4G062 AA06 BB09 BB17
Claims (8)
埋め込まれてなるコア部を備えてなり、このコア部は、
前記コア部のガラス転移温度をTg1とし、前記クラッ
ド層のガラス転移温度をTg2とすると、「Tg1−T
g2」の温度差が60℃以上となる材料を選択してなる
導波路。1. A semiconductor device comprising: a clad layer; and a core portion embedded inside the clad layer.
When the glass transition temperature of the core portion is Tg1 and the glass transition temperature of the cladding layer is Tg2, “Tg1-Tg
g2 ”is a waveguide made of a material having a temperature difference of 60 ° C. or more.
請求項1に記載の導波路。2. The waveguide according to claim 1, wherein the cladding layer is made of a fluorine-based glass.
は、フツリン酸ガラスである請求項2に記載の導波路。3. The waveguide according to claim 2, wherein the cladding layer made of a fluorine-based glass is a fluorophosphate glass.
記載の導波路。4. The waveguide according to claim 1, wherein the core is made of quartz glass.
のコアを複数条の線状となるようにパターン化してコア
部を形成し、このコア部の上面に上部クラッド層を載置
した後、熱プレスによって前記下部クラッド層と上部ク
ラッド層とを一体化してクラッド層を形成することによ
り、このクラッド層の内部にコア部を埋め込む導波路の
製造方法。5. A method comprising: integrating a lower cladding layer and a core; patterning the core into a plurality of linear shapes to form a core portion; and placing an upper cladding layer on an upper surface of the core portion. A method of manufacturing a waveguide in which a core portion is embedded inside a clad layer by forming the clad layer by integrating the lower clad layer and the upper clad layer by hot pressing.
程は、熱プレスにより行う請求項5に記載の導波路の製
造方法。6. The method according to claim 5, wherein the step of integrating the lower cladding layer and the core is performed by hot pressing.
程は、前記コアを略鏡面となるように研磨し、この研磨
されたコアの面と前記下部クラッド層とを接触させて分
子間結合させる請求項5に記載の導波路の製造方法。7. The step of integrating the lower cladding layer and the core includes polishing the core so as to be substantially mirror-finished, and bringing the polished core surface into contact with the lower cladding layer to form an intermolecular bond. The method of manufacturing a waveguide according to claim 5.
体化してクラッド層を形成する工程は、前記上部クラッ
ド層を略鏡面となるように研磨し、この研磨された上部
クラッド層の面と前記下部クラッド層とを接触させて分
子間結合させる請求項5に記載の導波路の製造方法。8. The step of forming the clad layer by integrating the lower clad layer and the upper clad layer, wherein the upper clad layer is polished so as to have a substantially mirror surface, and the polished surface of the upper clad layer and the 6. The method for manufacturing a waveguide according to claim 5, wherein the lower clad layer is brought into contact with the lower clad layer to bond the molecules therebetween.
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