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JPH0777622A - Production of substrate type optical waveguide - Google Patents

Production of substrate type optical waveguide

Info

Publication number
JPH0777622A
JPH0777622A JP22481993A JP22481993A JPH0777622A JP H0777622 A JPH0777622 A JP H0777622A JP 22481993 A JP22481993 A JP 22481993A JP 22481993 A JP22481993 A JP 22481993A JP H0777622 A JPH0777622 A JP H0777622A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
optical waveguide
clad
substrate
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22481993A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiromi Hidaka
啓▲視▼ 日▲高▼
Ryozo Yamauchi
良三 山内
Akira Wada
朗 和田
Kensuke Shima
研介 島
Takuya Ienaka
拓也 家中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikura Ltd filed Critical Fujikura Ltd
Priority to JP22481993A priority Critical patent/JPH0777622A/en
Publication of JPH0777622A publication Critical patent/JPH0777622A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide the process for production of the substrate type optical waveguide which has the high accuracy of pattern transfer at the time of production and lessens scattering loss of light. CONSTITUTION:A substrate 8 is subjected to etching, by which a projecting line part 10 is formed on its flat surface 8a and a clad material is laminated on the flat surface 8a and on the upper surface 10b of the projecting line part. A clad material layer 11b is formed on the flat surface 8a and a lower clad layer 11a is formed on the upper surface 10b of the projecting line part. A core material is then laminated on the clad material layer 11b and the lower clad layer 11a and a core material layer 12b is formed on the clad material layer 11b. An optical waveguide 12a is formed on the lower clad layer 11a and a clad material is laminated on the upper and side faces of the lower clad layer 11a and the optical waveguide layer 12a to form an upper clad layer 13.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光情報処理シ
ステム等に用いられて、特に、光の散乱損失を小さくす
ることができる基板型光導波路の製造方法に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a substrate type optical waveguide which is used for optical communication, an optical information processing system and the like and can reduce the scattering loss of light.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、光通信システム、光情報処理シス
テム等の分野においては、システムの高速化、小型化へ
の要求が高まる一方であり、これらのシステムを構成す
る光デバイスや光コンポーネント等に対しても、高速
化、小型化、高信頼性に対する要求が高まっている。そ
して、これら光デバイスの一つに基板型光導波路があ
る。
2. Description of the Related Art In recent years, in the fields of optical communication systems, optical information processing systems, etc., demands for higher speed and smaller size of the systems are increasing, and optical devices, optical components, etc. constituting these systems are being used. On the other hand, demands for higher speed, smaller size, and higher reliability are increasing. A substrate type optical waveguide is one of these optical devices.

【0003】基板型光導波路は、シリコン(Si)基板
上に光導波路層(コア層)が形成され、この光導波路層
がクラッド層により埋め込まれたものである。光導波路
層は高屈折率の石英(SiO2) ガラスから、クラッド
層は光導波路層より低屈折率の石英ガラスからそれぞれ
構成され、光はこの屈折率差により光導波路層内に閉じ
込められて伝播されるようになっている。また、この基
板型光導波路は、光通信システムにおいて多用されてい
る石英系光ファイバとの整合性に優れ、また、低損出、
高信頼性、小型等の種々の特徴も有している。
The substrate type optical waveguide is one in which an optical waveguide layer (core layer) is formed on a silicon (Si) substrate, and this optical waveguide layer is embedded with a clad layer. The optical waveguide layer is made of silica (SiO2) glass having a high refractive index, and the cladding layer is made of silica glass having a lower refractive index than that of the optical waveguide layer. It has become so. In addition, this substrate-type optical waveguide has excellent compatibility with a silica-based optical fiber that is widely used in optical communication systems, and has low loss.
It also has various features such as high reliability and small size.

【0004】基板型光導波路は、例えば、図2に示す方
法によって製造される。まず、図2(a)に示すよう
に、基板1上にコア用ガラス膜(コア材)2を形成させ
る。つぎに、(a)で得た試料を高温熱処理して緻密な
膜にする。その後、図2(b)に示すように、WSix
膜3を形成させる。このWSix 膜3は、次工程で厚
膜のコア用ガラス膜2をエッチングする際に、ホトレジ
ストだけではマスクとしてもたないために用いるもので
ある。つぎに、このWSix 膜3上にホトレジスト4を
塗布し、図2(c)に示すように、ホトリソグラフィに
よりパターニングを行なう。その後、図2(d)に示す
ように、ホトレジスト膜4をマスクにしてドライエッチ
ングによりWSix 膜3のパターニングを行なう。つぎ
に、図2(e)に示すように、ホトレジスト膜4および
WSix 膜3をマスクにして、ドライエッチングにより
コア用ガラス膜2のパターニングを行なう。その後、図
2(f)に示すように、ホトレジスト膜4およびWSi
x 膜3を除去してコア用ガラス膜2を光導波路層とし、
最後に、図2(g)に示すように、その上方にクラッド
層5を形成させて基板型光導波路6の製造が完了する。
The substrate type optical waveguide is manufactured, for example, by the method shown in FIG. First, as shown in FIG. 2A, a glass film for core (core material) 2 is formed on a substrate 1. Next, the sample obtained in (a) is heat-treated at a high temperature to form a dense film. Then, as shown in FIG. 2B, WSix
The film 3 is formed. This WSix film 3 is used because it cannot be used as a mask only by the photoresist when the thick glass film for core 2 is etched in the next step. Next, a photoresist 4 is applied on the WSix film 3 and is patterned by photolithography as shown in FIG. 2 (c). After that, as shown in FIG. 2D, the WSix film 3 is patterned by dry etching using the photoresist film 4 as a mask. Next, as shown in FIG. 2E, the core glass film 2 is patterned by dry etching using the photoresist film 4 and the WSix film 3 as a mask. Then, as shown in FIG. 2F, the photoresist film 4 and the WSi
x The film 3 is removed and the core glass film 2 is used as an optical waveguide layer,
Finally, as shown in FIG. 2 (g), the cladding layer 5 is formed above the cladding layer 5 to complete the manufacture of the substrate type optical waveguide 6.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
製造方法による基板型光導波路においては、光導波路層
の厚さが比較的小さい場合には問題がないが、厚さが大
きい場合には、以下のような問題点があった。すなわ
ち、コア用ガラス膜2をドライエッチングによりパター
ニングする図2(e)の工程において、コア用ガラス膜
2とホトレジスト膜4、またはWSix膜3とのエッチ
ング選択比が大きくとれないために、エッチングガスに
よりホトレジスト膜4およびWSix 膜3も徐々にエッ
チングされ、厚膜のコア用ガラス膜2のエッチングが終
了するまでの間には、マスクであるべきホトレジスト膜
4およびWSix 膜3が除去されてしまい、WSix 膜
3下地のコア用ガラス膜2表面もエッチングされること
によって、極端な場合にはコア用ガラス膜2の膜厚が減
少してしまったり、コア用ガラス膜2表面が荒れること
により完成した光導波路の散乱損失が増大するという問
題が生じていた。
However, in the substrate type optical waveguide according to the conventional manufacturing method, there is no problem when the thickness of the optical waveguide layer is relatively small, but when the thickness is large, There was such a problem. That is, in the step of FIG. 2E for patterning the glass film for core 2 by dry etching, the etching selectivity between the glass film for core 2 and the photoresist film 4 or the WSix film 3 cannot be made large, so that the etching gas As a result, the photoresist film 4 and the WSix film 3 are gradually etched, and the photoresist film 4 and the WSix film 3 which should be the mask are removed by the time the etching of the thick core glass film 2 is completed. The surface of the glass film for core 2 underlying the WSix film 3 is also etched, and in extreme cases, the film thickness of the glass film for core 2 is reduced, or the surface of the glass film for core 2 is roughened to complete the process. There has been a problem that the scattering loss of the optical waveguide increases.

【0006】そこで、前記の問題を解決するために、W
Six 膜3の膜厚を厚くする方法が考えられたが、この
方法を用いると、膜形成時の膨張率差による熱応力によ
って基板1に反りが生じ、ホトリソグラフィによるパタ
ーニングの際に解像度が劣化してしまい、パターン転写
精度が低下するという問題が生じた。また、他の方法と
してホトレジスト膜4の膜厚を厚くする方法も考えられ
たが、この場合にも、ホトリソグラフィによるパターニ
ングの際にパターン転写精度が低下するという問題が生
じた。
Therefore, in order to solve the above problem, W
A method of increasing the thickness of the Six film 3 has been considered, but when this method is used, the substrate 1 warps due to thermal stress due to the difference in expansion coefficient during film formation, and the resolution deteriorates during patterning by photolithography. As a result, there arises a problem that the pattern transfer accuracy is lowered. Further, as another method, a method of increasing the film thickness of the photoresist film 4 has been considered, but also in this case, there arises a problem that the pattern transfer accuracy is lowered during patterning by photolithography.

【0007】本発明は、前記の課題を解決するためにな
されたものであって、パターン転写精度が高く、光の散
乱損失が少ない基板型光導波路の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a substrate type optical waveguide having a high pattern transfer accuracy and a small light scattering loss.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明における基板型光導波路の製造方法は、基
板の上面にエッチング加工を施して平坦面上に断面略方
形状の突条部を形成し、前記平坦面上および前記突条部
上面上にクラッド材を積層して、該平坦面上にクラッド
材層を形成するとともに、該突条部上面上に下部クラッ
ド層を形成し、前記クラッド材層および前記下部クラッ
ド層上にコア材を積層して、該クラッド材層上にコア材
層を形成するとともに、該下部クラッド層上に光導波路
層を形成し、前記下部クラッド層、前記光導波路層の上
方および側方にクラッド材を積層して、上部クラッド層
を形成することを特徴とするものである。
In order to achieve the above-mentioned object, a method of manufacturing a substrate type optical waveguide according to the present invention comprises a step of etching a top surface of a substrate to form a ridge having a substantially rectangular cross section on a flat surface. A clad material is formed on the flat surface and the upper surface of the ridge, a clad material layer is formed on the flat surface, and a lower clad layer is formed on the upper surface of the ridge. A core material is laminated on the clad material layer and the lower clad layer to form a core material layer on the clad material layer, and an optical waveguide layer is formed on the lower clad layer; The upper cladding layer is formed by laminating a clad material above and on the side of the optical waveguide layer.

【0009】[0009]

【作用】本発明における基板型光導波路の製造方法によ
れば、基板にエッチング加工を施して突条部を形成した
後は、エッチング等のパターニング加工を行なうことな
く、クラッド材、コア材、クラッド材を順次積層するの
みにより、周囲を上部、下部クラッド層に覆われた光導
波路層を形成するので、平滑な表面を有する光導波路層
が形成される。
According to the method of manufacturing the substrate type optical waveguide of the present invention, after the substrate is etched to form the ridges, the clad material, core material and clad material are not subjected to patterning processing such as etching. Since the optical waveguide layer whose periphery is covered with the upper clad layer and the lower clad layer is formed only by sequentially stacking the materials, the optical waveguide layer having a smooth surface is formed.

【0010】[0010]

【実施例】つぎに、本発明における基板型光導波路の製
造方法の一実施例を図1を用いて説明する。図1は、本
実施例における基板型光導波路7の製造工程を示す図で
ある。まず、シリコン基板8上にホトレジスト9を塗布
した後、図1(a)に示すように、ホトリソグラフィに
よりホトレジスト9のパターニングを行なう。なお、こ
のホトレジスト9のパターン幅は8μmとする。
EXAMPLE Next, an example of a method of manufacturing a substrate type optical waveguide according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram showing a manufacturing process of the substrate type optical waveguide 7 in this embodiment. First, after coating the photoresist 9 on the silicon substrate 8, the photoresist 9 is patterned by photolithography as shown in FIG. The pattern width of the photoresist 9 is 8 μm.

【0011】つぎに、このホトレジスト膜9をマスクと
して、CF4 /O2 、C2F6等のガスを用いてエッチン
グ量43μmのドライエッチングを行なう。すると、エ
ッチング終了後、図1(b)に示すように、平坦面8a
上に、幅8μm、高さ43μmの断面矩形状の突条部1
0が形成される。なお、このドライエッチングに際して
は、できるだけサイドエッチングが少ない、すなわち異
方性の高い、例えば反応性イオンエッチング(RIE)
等の手法で適切な条件を用いてエッチングを行なうよう
にし、突条部10の側壁面10aができるだけ平坦面8
aに対して垂直に切り立った状態となるようにする。
Next, using this photoresist film 9 as a mask, dry etching with an etching amount of 43 μm is carried out using a gas such as CF 4 / O 2 or C 2 F 6. Then, after the etching is completed, as shown in FIG.
A ridge 1 having a rectangular cross section with a width of 8 μm and a height of 43 μm.
0 is formed. In this dry etching, side etching is as small as possible, that is, highly anisotropic, for example, reactive ion etching (RIE).
Etching is performed under appropriate conditions by using a method such as the above, and the side wall surface 10a of the protrusion 10 is as flat as possible.
It is made to stand upright with respect to a.

【0012】つぎに、ホトレジスト9を除去した後に、
クラッド層、コア層、クラッド層をこの順に基板上に成
膜する。まず、クラッド材として、軟化温度、屈折率を
制御するためにリン(P)、ボロン(B)等を添加した
石英ガラスを用い、これを火炎堆積法(以下、FHD法
という)によって基板8上に成膜する。このFHD法を
行なう際には、通常の成膜におけるFHD法に比べて、
基板温度を低く設定しつつ、石英ガラスの基となる微粒
子状の石英スートを高い位置から基板8上に降り積もら
せるようにして、厚さ35μmの低屈折率の石英ガラス
層を成膜する。このような条件で成膜すると、図1
(c)に示すように、前記突条部10の側壁面10aに
は成膜されず、突条部上面10b上と平坦面8a上のみ
にクラッド層(低屈折率の石英ガラス層)11a、11
bが形成される。
Next, after removing the photoresist 9,
The clad layer, the core layer, and the clad layer are formed in this order on the substrate. First, as the clad material, quartz glass to which phosphorus (P), boron (B) or the like has been added in order to control the softening temperature and the refractive index is used, and this is deposited on the substrate 8 by the flame deposition method (hereinafter referred to as the FHD method). To form a film. When performing this FHD method, compared with the FHD method in the normal film formation,
A low-refractive-index quartz glass layer having a thickness of 35 μm is formed by setting the substrate temperature to be low while allowing the fine-particle quartz soot, which is the base of the quartz glass, to be deposited on the substrate 8 from a high position. When the film is formed under such conditions,
As shown in (c), no film is formed on the side wall surface 10a of the ridge 10, and the clad layer (low-refractive-index quartz glass layer) 11a is formed only on the ridge upper surface 10b and the flat surface 8a. 11
b is formed.

【0013】つぎに、コア材として、クラッド材よりも
高屈折率とするためにゲルマニウム(Ge)、チタン
(Ti)等を添加した石英ガラスを用い、これをFHD
法によって前記図1(c)で示す試料上に連続的に成膜
する。この際にも、前記工程と同様、図1(d)に示す
ように、前記突条部10の側壁面10aには成膜され
ず、突条部上面部10bと平坦面部8aのみに成膜され
るような条件を用いて、厚さ8μmのコア層(高屈折率
の石英ガラス層)12a、12bを形成する。
Next, as the core material, silica glass added with germanium (Ge), titanium (Ti) or the like in order to have a higher refractive index than that of the clad material is used, and this is FHD
By the method, a film is continuously formed on the sample shown in FIG. Also in this case, as in the above step, as shown in FIG. 1D, the film is not formed on the side wall surface 10a of the ridge portion 10 but only on the ridge portion upper surface portion 10b and the flat surface portion 8a. Under such conditions, the core layers (quartz glass layers with high refractive index) 12a and 12b having a thickness of 8 μm are formed.

【0014】つぎに、クラッド材として、前記クラッド
材と同一組成の石英ガラスを用い、これをFHD法によ
って前記図1(d)で示す試料上に連続的に成膜する。
この工程では、前記2つの成膜工程とは異なり、図1
(e)に示すように、前記突条部10の側壁面10aに
も石英スートの堆積反応が生じるように、石英スートの
生成条件、あるいは基板温度等の諸条件を再調整して、
突条部10および突条部上方のクラッド層11a、コア
層12aを覆うように、厚さ85μmのクラッド層(低
屈折率の石英ガラス層)13を形成する。そして最後
に、基板全体を高温保持して、積層させた石英ガラス層
を燒結することによって各石英ガラス層を透明ガラス化
させて、この基板型光導波路7の製造は完了する。
Next, as the clad material, quartz glass having the same composition as the clad material is used, and this is continuously deposited on the sample shown in FIG. 1 (d) by the FHD method.
In this step, unlike the above two film forming steps,
As shown in (e), the conditions for producing quartz soot or various conditions such as the substrate temperature are readjusted so that the deposition reaction of quartz soot also occurs on the side wall surface 10a of the protrusion 10.
A clad layer (a low-refractive-index quartz glass layer) 13 having a thickness of 85 μm is formed so as to cover the ridge 10 and the clad layer 11a and the core layer 12a above the ridge. Finally, the entire substrate is kept at a high temperature, and the laminated quartz glass layers are sintered to make each quartz glass layer transparent, and the production of the substrate type optical waveguide 7 is completed.

【0015】以上の工程を経て製造された図1(e)に
示す基板型光導波路7は、突条部10上方のクラッド層
11aが厚さ35μmの下部クラッド層とされ、また、
突条部10上方のコア層12aが断面8×8μmの正方
形状の光導波路層とされ、これら下部クラッド層11
a、光導波路層12aの上方および側方のクラッド層1
3が厚さ85μmの上部クラッド層とされて、上部、下
部クラッド層11a、13により周囲を覆われた光導波
路12aが形成されることになる。一方、基板8の平坦
面8a上にも、厚さ35μmのクラッド材層11b、厚
さ8μmのコア材層12bが形成されるので、光導波路
12a以外の部分に高屈折率のコア材層12bが存在す
ることになるが、このコア材層12bは上部、下部クラ
ッド層11a、13、またはクラッド材層11bに比べ
て膜厚が薄く、光導波路としての伝播特性に影響を与え
るものではない。
In the substrate type optical waveguide 7 shown in FIG. 1 (e) manufactured through the above steps, the clad layer 11a above the ridge 10 is a lower clad layer having a thickness of 35 μm.
The core layer 12a above the protrusion 10 is a square optical waveguide layer having a cross section of 8 × 8 μm.
a, the cladding layer 1 above and on the side of the optical waveguide layer 12a
3 is an upper clad layer having a thickness of 85 μm, and an optical waveguide 12a whose periphery is covered with the upper and lower clad layers 11a and 13 is formed. On the other hand, since the clad material layer 11b having a thickness of 35 μm and the core material layer 12b having a thickness of 8 μm are formed on the flat surface 8a of the substrate 8 as well, the core material layer 12b having a high refractive index is provided on the portion other than the optical waveguide 12a. However, the core material layer 12b has a smaller film thickness than the upper, lower clad layers 11a and 13 or the clad material layer 11b, and does not affect the propagation characteristics as an optical waveguide.

【0016】本実施例においては、最初に基板8にエッ
チング加工を施して突条部10を形成した後は、クラッ
ド層、コア層、クラッド層を順次、連続的に成膜するの
みで基板型光導波路7を製造することができる。すなわ
ち、コア層、またはクラッド層を成膜した後に、これら
の層にエッチング加工を施してパターニングを行なう必
要がない。したがって、コア層を成膜した後にパターニ
ングを行なう従来の製造方法のように、エッチング時に
コア層までもがエッチングされてコア層表面が荒れてし
まうといった不具合を生じることもなく、光導波路層1
2aと上部、下部クラッド層11a、13との平滑な界
面が形成されて、光の散乱損失の少ない基板型光導波路
を製造することができる。
In this embodiment, after the substrate 8 is first etched to form the ridges 10, the clad layer, the core layer, and the clad layer are sequentially and continuously formed to form the substrate mold. The optical waveguide 7 can be manufactured. That is, after forming the core layer or the clad layer, it is not necessary to perform etching processing on these layers to perform patterning. Therefore, unlike the conventional manufacturing method in which the core layer is formed and then patterned, the defect that the core layer is not etched and the surface of the core layer is roughened at the time of etching does not occur, and the optical waveguide layer 1
A smooth interface between 2a and the upper and lower clad layers 11a and 13 is formed, so that a substrate type optical waveguide with less light scattering loss can be manufactured.

【0017】また、パターニングが直接、基板8表面上
に行なわれるため、例えば、基板上にコア用ガラス膜、
WSix 膜等を成膜した後にパターニングを行なう従来
の製造方法のように、各膜の熱膨張率差による応力によ
って基板に反りを生じるため、正確なパターニングがで
きないといった不具合を生じることもなく、パターン転
写精度を向上させることができる。
Since patterning is performed directly on the surface of the substrate 8, for example, a glass film for core,
Like the conventional manufacturing method in which patterning is performed after forming a WSix film or the like, the stress caused by the difference in the coefficient of thermal expansion of each film causes the substrate to warp, so that there is no problem that accurate patterning cannot occur The transfer accuracy can be improved.

【0018】さらに、パターニング時のマスクがホトレ
ジスト1層のみで足りる、クラッド層、コア層の成膜工
程では連続的に成膜が行なえる等、製造プロセスが種々
の工程で簡略化できるので、基板型光導波路の製造コス
トを低減することができる。
Further, since the mask for patterning only needs one photoresist layer, the clad layer and the core layer can be continuously formed in the film forming step, and the manufacturing process can be simplified in various steps. The manufacturing cost of the mold optical waveguide can be reduced.

【0019】なお、本実施例においては、基板8として
シリコン基板を用いたが、これ以外に石英基板、サファ
イア基板等の基板を用いることができる。また、基板8
をエッチングする手法として、ドライエッチングを用い
たが、フッ酸―硝酸等の混硝酸を用いたウエットエッチ
ングを適用することも可能である。ただし、その場合に
も、前述したように、できるかぎり異方性の高いエッチ
ングとなるよう諸条件を設定するのが好ましい。さら
に、本実施例における基板8のエッチング量、あるいは
コア層、クラッド層の膜厚等、具体的な数量について
は、勿論これに限るものではなく、種々の設定を行なう
ことができる。
Although a silicon substrate is used as the substrate 8 in this embodiment, a substrate such as a quartz substrate or a sapphire substrate may be used instead. Also, the substrate 8
Although dry etching was used as a method for etching the film, wet etching using mixed nitric acid such as hydrofluoric acid-nitric acid can also be applied. However, even in that case, as described above, it is preferable to set various conditions so that the etching is as highly anisotropic as possible. Further, the specific amount such as the etching amount of the substrate 8 or the film thickness of the core layer and the clad layer in this embodiment is not limited to this, and various settings can be made.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
おける基板型光導波路の製造方法は、基板にエッチング
加工を施して突条部を形成した後は、クラッド層、コア
層、クラッド層を順次、成膜するのみで、パターニング
を行なうことなく基板型光導波路を製造することができ
るので、コア層成膜後のエッチング時にコア層までもが
エッチングされてしまう従来の製造方法のような不具合
を生じることもなく、光の散乱損失の少ない基板型光導
波路を製造することができる。また、基板の上面にパタ
ーニングが行なわれるため、種々の膜の応力の影響によ
って基板に反りを生じるといったこともなく、パターン
転写精度を向上させることができる。
As described above in detail, in the method of manufacturing a substrate type optical waveguide according to the present invention, after the substrate is etched to form the ridges, the clad layer, the core layer and the clad layer are formed. Since the substrate type optical waveguide can be manufactured without patterning by sequentially forming the film, the core layer is also etched during the etching after the core layer is formed. It is possible to manufacture a substrate-type optical waveguide with less scattering loss of light without causing problems. Further, since the upper surface of the substrate is patterned, the pattern transfer accuracy can be improved without causing the substrate to warp due to the influence of the stress of various films.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明における基板型光導波路の製造方法の
一実施例において、各製造工程を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing each manufacturing step in one embodiment of a method for manufacturing a substrate type optical waveguide according to the present invention.

【図2】 従来の基板型光導波路の製造方法において、
各製造工程を示す図である。
FIG. 2 shows a conventional method for manufacturing a substrate-type optical waveguide,
It is a figure which shows each manufacturing process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

7…基板型光導波路、8…基板、10…突条部、10b
…突条部上面、11a…下部クラッド層、11b…クラ
ッド材層、12a…光導波路層、12b…コア材層、1
3…上部クラッド層
7 ... Substrate type optical waveguide, 8 ... Substrate, 10 ...
... upper surface of protrusion, 11a ... lower clad layer, 11b ... clad material layer, 12a ... optical waveguide layer, 12b ... core material layer, 1
3 ... Upper clad layer

フロントページの続き (72)発明者 島 研介 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉工場内 (72)発明者 家中 拓也 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉工場内Front page continued (72) Kensuke Shima Shima 1440 Rokuzaki, Sakura City, Chiba Prefecture Fujikura Sakura Plant, Ltd. (72) Inventor Takuya Iku, 1440 Rokuzaki, Sakura City, Chiba Prefecture Fujikura Sakura Plant, Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の上面にエッチング加工を施して平
坦面上に断面略方形状の突条部を形成し、 前記平坦面上および前記突条部上面上にクラッド材を積
層して、該平坦面上にクラッド材層を形成するととも
に、該突条部上面上に下部クラッド層を形成し、 前記クラッド材層および前記下部クラッド層上にコア材
を積層して、該クラッド材層上にコア材層を形成すると
ともに、該下部クラッド層上に光導波路層を形成し、 前記下部クラッド層、前記光導波路層の上方および側方
にクラッド材を積層して、上部クラッド層を形成するこ
とを特徴とする基板型光導波路の製造方法。
1. An etching process is applied to an upper surface of a substrate to form a ridge having a substantially square cross section on a flat surface, and a clad material is laminated on the flat surface and the ridge. A clad material layer is formed on a flat surface, a lower clad layer is formed on the upper surface of the ridge, and a core material is laminated on the clad material layer and the lower clad layer, and the clad material layer is formed on the clad material layer. Forming a core material layer, forming an optical waveguide layer on the lower clad layer, and laminating a clad material above and below the lower clad layer and the optical waveguide layer to form an upper clad layer. And a method for manufacturing a substrate type optical waveguide.
JP22481993A 1993-09-09 1993-09-09 Production of substrate type optical waveguide Pending JPH0777622A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023100343A1 (en) * 2021-12-03 2023-06-08 富士通株式会社 Optical waveguide device, quantum operation device, and method for manufacturing optical waveguide device

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