JP2002006047A - ピクセル型電極によるガス増幅を用いた粒子線画像検出器 - Google Patents
ピクセル型電極によるガス増幅を用いた粒子線画像検出器Info
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Abstract
させることができるピクセル型電極によるガス増幅を用
いた粒子線画像検出器を提供する。 【解決手段】 入射粒子線によりガス中で電離された電
子e- は、ドリフト電場により検出器表面方向の円柱状
陽極電極12のピクセルへドリフトされる。円柱状陽極
電極12の近傍では、陽極・陰極間の電圧と点状の電極
形状により作られる強力な電場により、電子はガス雪崩
増幅を起こす。この結果生じた+イオンは、周囲のスト
リップ状陰極電極14へ速やかにドリフトしていく。こ
の過程において、円柱状陽極電極12とストリップ状陰
極電極14の両方に、電気回路上で観測可能な電荷が生
じることになるので、陽極・陰極のどのストリップでこ
の増幅現象が起きたかを観測することで、入射粒子線の
位置がわかる。
Description
よるガス増幅を用いた粒子線画像検出器に関するもので
ある。
容量を持ったガス増幅型粒子線検出器として、ストリッ
プ型電極による検出器MSGC(マイクロストリップガ
スチャンバー)が本願発明者等によって開発された。こ
の検出器の特徴として、高い位置分解能の他に、ガス増
幅器としては極めて不感時間が短いことが挙げられてお
り、高輝度の粒子線に対する検出器としても大きな期待
が寄せられている。現在、X線を用いたテストでは毎
秒、1平行mm当たり107 カウント以上の輝度の下で
も動作に支障がないことが確かめられている。
である。
子は10cm×10cmの有効面積を有しており、1は
基板(サブストレート)であり、ポリイミド薄膜を用い
る。2はその基板1上に形成される陽極ストリップ、3
はストリップ状陰極電極(カソード電極)であり、その
陽極ストリップ2とストリップ状陰極電極3とは、交互
に配置されている。
板、5はそのベース基板4上に形成されるとともに、基
板1の下層に位置する背面電極である。
ほぼ間隔D1 を隔ててドリフト板6が配置され、例え
ば、アルゴンとエタンからなるガスが流通するチャンバ
ーが形成されている(例えば、特開平10−30085
6号公報参照)。
たMSGCの実用化にあたっての最大の難問の一つに、
電極間の放電による電極の破壊が挙げられる。上記した
MSGCでは、50μm以下の間隔の電極間に電圧をか
けるため、高いガス増幅率を得るために高い電圧をかけ
ると、電極間に放電による大電流が流れ、放電による熱
で電極ストリップが切断されたり、その破片などが表面
絶縁層に付着するなどして、電極間を導通させる障害が
頻繁に起こっていた。
誘起される信号を使っているために、背面電極5の信号
は表面の陽極による信号の20%程度の大きさとなり、
この微弱な信号を読み出すための回路系として高価な増
幅器を使うか、もしくはガスによる増幅率をさらに増加
させる必要があった。
持ち、かつ電極部の信頼性を向上させることができるピ
クセル型電極によるガス増幅を用いた粒子線画像検出器
を提供することを目的とする。
成するために、 〔1〕ピクセル型電極によるガス増幅を用いた粒子線画
像検出器において、両面基板の裏面に形成される陽極ス
トリップと、この陽極ストリップに植設されるととも
に、その上端面が前記両面基板の表面に露出する円柱状
陽極電極と、この円柱状陽極電極の上端面の回りに穴が
形成されるストリップ状陰極電極とを具備することを特
徴とする。
よるガス増幅を用いた粒子線画像検出器において、前記
陽極ストリップは約200μm〜400μmの幅を有す
ることを特徴とする。
よるガス増幅を用いた粒子線画像検出器において、前記
陽極ストリップが約400μm間隔で配置され、前記ス
トリップ状陰極電極には、一定間隔で直径約200〜3
00μmの穴が形成され、前記円柱状陽極電極は直径約
40〜60μm、高さ約50μm〜150μmの形状で
あることを特徴とする。
を参照しながら詳細に説明する。
極によるガス増幅を用いた粒子線画像検出器の要部斜視
図、図2はその粒子線画像検出器の平面図、図3は図2
のA部拡大図である。なお、図1においては、両面プリ
ント基板の下方は、陽極(アノード)ストリップの配置
を見やすくするために、別体のように描かれているが一
体の両面基板から構成されている。
器、2はピクセルチャンバー(300mm□)、11は
陽極(アノード)ストリップ(ここでは、d1 は幅30
0μmであるが、約200μm〜400μmでもよ
い)、12はその陽極ストリップ11上に植設される円
柱状陽極電極(ここではd2 は直径50μmであるが、
約直径40μm〜60μmでもよい)、13は両面プリ
ント基板であり、その厚さd3 は約厚さ100μmであ
る。14はその両面プリント基板13の表面に形成され
るストリップ状陰極電極(カソード電極)、21はドリ
フト電極である。
出器は、両面プリント基板13の表面にストリップ状陰
極電極14、裏面に陽極ストリップ11がd5 400μ
m間隔で配置してあり、ストリップ状陰極電極14に
は、一定間隔に穴15が空いている。この穴15の中心
には背面の陽極ストリップ11と接続されている円柱状
陽極電極12からなるピクセルがある。ストリップ状陰
極電極14上の穴15のd6 直径は250μmであり、
200μm〜300μmであってもよい。
クセルは、ここでは、直径50μmであるが、直径40
μm〜60μmであってもよい。陽極電極12の高さd
4 は約100μm(約両面プリント基板13の厚さ)の
円柱状の形状をしている。なお、陽極電極12は高さは
これに限定されるものではなく、両面プリント基板の高
さに応じて50μm〜150μmの範囲で適宜設定する
ことができる。
ント基板13は、ピクセルチャンバー2、つまり、希ガ
スをベースとしたガス雰囲気中に置かれ、図1に示すよ
うに、検出器に並行で適当な位置(実際は数mm〜数c
m)にドリフト電極21を配置することにより、MSG
Cと同様な放射線の画像計測ができる。
理を示す図である。
e- は、ドリフト電場により検出器表面方向の陽極電極
12のピクセルへドリフトされる。円柱状陽極電極12
の近傍では、陽極・陰極間の電圧(例えば、420V)
と点状の電極形状により作られる強力な電場により、電
子はガス雪崩増幅を起こす。この結果生じた+イオン
は、周囲のストリップ状陰極電極14へ速やかにドリフ
トしていく。
ストリップ状陰極電極14の両方に、電気回路上で観測
可能な電荷が生じることになるので、陽極・陰極のどの
ストリップでこの増幅現象が起きたかを観測すること
で、入射粒子線の位置がわかる。信号の読み出し、及び
2次元画像を得るための回路系などについては、従来の
MSGC用に開発したものをそのまま用いることができ
る。
おりである。
高電場が作り易く増幅率が大きい。
いるため、陰極の端部分の電場は陽極に比べて遙に小さ
く、陰極から電子が飛び出し難く、放電が起こり難い。
て急速に電場が弱まるので、放電への進展が極めて起こ
り難い。
あるが、陽極のストリップをストリップ状陰極電極の穴
直径より大きくとっていることにより、絶縁体表面の電
気力線の方向は常に上向きであり、ガス増幅により生じ
た陽イオンが絶縁体上に溜まって電場を弱めるような静
電場を生じる恐れが無い。
はプリント回路基板作製の技術を用いているため、大面
積のものが安価に作れる。
損傷を受けにくい。つまり、局所(ピクセル単位)の破
壊で収まる。
2箇所のみの電圧印加で動作するので、必要な電源設備
や結線が少なくて済む。
ガス増幅率の相関を実測した図であり、この図におい
て、横軸は陰極と陽極間の印加電圧(V)、縦軸はガス
増幅率(対数目盛り)を示しており、aは本発明におけ
る特性図、bは従来の特性図である。
000倍程度までは達成できる。また、増幅率1000
倍程度で連続2日ほど動作させたところ、放電現象は一
度も起こらなかった。またさらに高い増幅率で、たまに
放電が見られたが、その後の検出器の動作に問題は生じ
なかった。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
よれば、以下のような効果を奏することができる。
が大きく、かつ電極部の信頼性を向上させることができ
る。
高電場が作り易く増幅率が大きい。
いるため、陰極の端部分の電場は陽極に比べて遙に小さ
く、陰極から電子が飛び出し難く、放電が起こり難い。
て急速に電場が弱まるので、放電への進展が極めて起こ
り難い。
あるが、陽極のストリップを陰極の穴直径より大きくと
っていることにより、絶縁体表面の電気力線の方向は常
に上向きであり、ガス増幅により生じた陽イオンが絶縁
体上に溜まって、電場を弱めるような静電場を生じる恐
れが無い。
はプリント回路基板作製の技術を用いているため、大面
積のものが安価に作れる。
損傷を受け難い。つまり、局所(ピクセル単位)の破壊
で収まる。
2箇所のみの電圧印加で動作するので、必要な電源設備
や結線が少なくて済む。
ス増幅を用いた粒子線画像検出器の要部斜視図である。
図である。
である。
の相関を実測した図である。
Claims (3)
- 【請求項1】(a)両面基板の裏面に形成される陽極ス
トリップと、(b)該陽極ストリップに植設されるとと
もに、その上端面が前記両面基板の表面に露出する円柱
状陽極電極と、(c)該円柱状陽極電極の上端面の回り
に穴が形成されるストリップ状陰極電極とを具備するこ
とを特徴とするピクセル型電極によるガス増幅を用いた
粒子線画像検出器。 - 【請求項2】 請求項1記載のピクセル型電極によるガ
ス増幅を用いた粒子線画像検出器において、前記陽極ス
トリップは約200μm〜400μmの幅を有すること
を特徴とするピクセル型電極によるガス増幅を用いた粒
子線画像検出器。 - 【請求項3】 請求項1記載のピクセル型電極によるガ
ス増幅を用いた粒子線画像検出器において、前記陽極ス
トリップが約400μm間隔で配置され、前記ストリッ
プ状陰極電極には、一定間隔で直径約200〜300μ
mの穴が形成され、前記円柱状陽極電極は直径約40〜
60μm、高さ約50μm〜150μmの形状であるこ
とを特徴とするピクセル型電極によるガス増幅を用いた
粒子線画像検出器。
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