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JP2001351845A - Application device - Google Patents

Application device

Info

Publication number
JP2001351845A
JP2001351845A JP2000168803A JP2000168803A JP2001351845A JP 2001351845 A JP2001351845 A JP 2001351845A JP 2000168803 A JP2000168803 A JP 2000168803A JP 2000168803 A JP2000168803 A JP 2000168803A JP 2001351845 A JP2001351845 A JP 2001351845A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
coating
substrate
glass substrate
outer peripheral
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000168803A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiyohisa Tateyama
清久 立山
Kimio Motoda
公男 元田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2000168803A priority Critical patent/JP2001351845A/en
Publication of JP2001351845A publication Critical patent/JP2001351845A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an applicator for applying resist solution to be applied to a treatment substrate in uniform film thickness. SOLUTION: When an application solution supply nozzle 46 passes through outer circumferential edge regions G1 to G4, application solution T of low viscosity (shown in black) is applied, and it is applied to a region (white part D) excepting the outer circumferential edge regions G1 to G4 by raising its viscosity. As a result, wettability to a substrate G rises in the outer circumferential edges G1 to G4 of a glass substrate G and rising of application solution in an outer circumferential edge can be restrained. Therefore, resist solution can be applied in uniform thickness all over the glass substrate G.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディス
プレイ(Liquid Crystal Display:LCD)に使われる
ガラス基板上にレジスト液を塗布する塗布装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating apparatus for coating a resist solution on a glass substrate used for, for example, a liquid crystal display (LCD).

【0002】[0002]

【従来の技術】LCDの製造工程においては、被処理体
であるLCD用のガラス基板上にITO(Indium Tin O
xide)の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体
デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグ
ラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術で
は、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光
し、さらに現像する。レジスト液の塗布方法としては、
現在のところ、ガラス基板を回転させながらその中心に
レジスト液を滴下し、遠心力を利用してレジスト液を拡
散して塗布するスピンコーティング法が主流である。
2. Description of the Related Art In a manufacturing process of an LCD, an ITO (Indium Tin Oxide) is formed on a glass substrate for an LCD to be processed.
In order to form a thin film and an electrode pattern of xide), a photolithography technique similar to that used for manufacturing a semiconductor device is used. In the photolithography technique, a photoresist is applied to a glass substrate, exposed, and further developed. As a method of applying the resist solution,
At present, a spin coating method in which a resist liquid is dropped on the center of a glass substrate while rotating the glass substrate, and the resist liquid is diffused and applied using centrifugal force is mainly used.

【0003】しかしながら、スピンコーティング法で
は、レジスト液がガラス基板Gの外方に飛散し、かなり
の量が無駄になる。このため、図10に示したように、
ガラス基板Gを保持する保持部材を回転させずに、レジ
スト液の供給ノズル110を縦横方向に、あるいは円周
方向に移動するように走査し、レジスト液100を細径
の線状にしてガラス基板G上に塗布していく手段(スピ
ンレス法)が提案されている。
However, in the spin coating method, the resist solution scatters outside the glass substrate G, and a considerable amount is wasted. For this reason, as shown in FIG.
Without rotating the holding member for holding the glass substrate G, the resist liquid supply nozzle 110 is scanned so as to move in the vertical and horizontal directions or in the circumferential direction, and the resist liquid 100 is formed into a thin linear shape to form the glass substrate. A means for applying the composition on G (spinless method) has been proposed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、スピンレス
法の場合には、図11Aに示したように、ガラス基板G
上に塗布されたレジスト液が、そのガラス基板Gの外周
縁部において、表面張力により他の部位よりも盛り上が
るという問題がある。このような盛り上がり部分100
aが生じ、塗膜の均一性が損なわれると、露光工程ある
いは現像工程における処理時間をこの盛り上がり部分1
00aにおける露光及び現像処理工程の処理時間に合わ
せる必要がある。例えば図11Bに示すように、盛り上
がり部分100aから平坦部分100bまで、すなわち
図中、所定の間隔Lのレジストを除去する場合、平坦部
分100bにおける露光及び現像の処理時間を、盛り上
がり部分100aにおける露光及び現像の処理時間に合
わせる必要があるため、平坦部分100bの処理時間が
所定の処理時間より長くなり、平坦部分100bの露光
及び現像が過度に行われてしまう。
However, in the case of the spinless method, as shown in FIG.
There is a problem that the resist solution applied thereon rises more at the outer peripheral edge of the glass substrate G than at other portions due to surface tension. Such a swelling part 100
a, the uniformity of the coating film is impaired, and the processing time in the exposure step or the development step is reduced by the rising portion 1
It is necessary to match the processing time of the exposure and development processing steps at 00a. For example, as shown in FIG. 11B, when the resist is removed from the raised portion 100a to the flat portion 100b, that is, at a predetermined interval L in the drawing, the exposure and development processing time in the flat portion 100b is reduced by the exposure and development time in the raised portion 100a. Since it is necessary to match the development processing time, the processing time of the flat portion 100b becomes longer than a predetermined processing time, and the exposure and development of the flat portion 100b are performed excessively.

【0005】また、レジスト液塗布処理工程において、
レジスト液の塗布直後にエッジリムーバ等により盛り上
がり部分100aを除去したり、特願平10−2335
96号に記載があるように、転写跡の生起を防止するた
めにレジスト液塗布直後のガラス基板Gを減圧乾燥させ
たりする場合がある。
[0005] In the resist solution coating process,
Immediately after the application of the resist solution, the raised portion 100a is removed by an edge remover or the like.
As described in No. 96, the glass substrate G immediately after the application of the resist solution may be dried under reduced pressure in order to prevent the occurrence of transfer marks.

【0006】しかしガラス基板Gを減圧乾燥させると、
基板上のレジスト液は図12に示すように、盛り上がり
部分100aの内周部に窪み105が生じ、この状態で
エッジリムーバ等により、破線80の位置で盛り上がり
部分100aを除去した場合であっても窪み105は残
存し、塗膜厚がガラス基板G上で均一にはならない。従
って窪み105における露光及び現像の処理時間を、平
坦部分100bにおける処理時間に合わせる必要がある
ため、窪み105の部分の露光及び現像が過度に行われ
てしまう。
However, when the glass substrate G is dried under reduced pressure,
As shown in FIG. 12, the resist liquid on the substrate has a depression 105 in the inner peripheral portion of the raised portion 100a, and even when the raised portion 100a is removed at the position of the broken line 80 by an edge remover or the like in this state. The depression 105 remains, and the coating thickness is not uniform on the glass substrate G. Therefore, it is necessary to match the processing time of exposure and development in the recess 105 with the processing time of the flat portion 100b, so that the exposure and development of the portion of the recess 105 are excessively performed.

【0007】本発明は上記した事情に鑑みてなされたも
ので、被処理体の外周縁部近傍で生じる塗布液の盛り上
がり及び窪みを防止し、塗布液の膜厚の均一性を向上さ
せることができる塗布装置を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and it is an object of the present invention to prevent a swelling and dent of a coating solution from occurring near an outer peripheral portion of an object to be processed, and to improve the uniformity of a film thickness of the coating solution. It is an object of the present invention to provide a coating apparatus that can perform the coating.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の課題は、被処理体
を保持する保持部材と、前記保持部材に対して相対的に
移動しながら、被処理体上に塗布液を供給する塗布液供
給ノズルと、この塗布液供給ノズルから吐出される前記
塗布液の粘度を可変にする制御手段とを具備することを
特徴とする塗布装置、によって解決される。
An object of the present invention is to provide a holding member for holding an object to be processed and a coating liquid supply for supplying a coating liquid onto the object to be processed while relatively moving with respect to the holding member. The problem is solved by a coating apparatus comprising: a nozzle; and control means for varying the viscosity of the coating liquid discharged from the coating liquid supply nozzle.

【0009】これにより、塗布液の膜厚の均一性を向上
させることができ、過度の露光及び現像を防止すること
ができるので、精密な回路パターンを形成することがで
きる。
As a result, the uniformity of the film thickness of the coating solution can be improved, and excessive exposure and development can be prevented, so that a precise circuit pattern can be formed.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0011】図1は、本発明が適用されるLCD基板の
レジスト塗布・現像処理システムを示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a system for applying and developing resist on an LCD substrate to which the present invention is applied.

【0012】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーシ
ョン1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
2と、露光装置(図示せず)との間で基板Gの受け渡し
を行うためのインターフェイス部3とを備えており、処
理部2の両端にそれぞれカセットステーション1および
インターフェイス部3が配置されている。
This coating / developing processing system includes a cassette station 1 on which a cassette C accommodating a plurality of substrates G is mounted, and a plurality of processing units for performing a series of processing including resist coating and developing on the substrates G. The processing unit 2 includes an interface unit 3 for transferring a substrate G between the exposure unit (not shown) and a cassette station 1 and an interface unit 3 at both ends of the processing unit 2. Are located.

【0013】カセットステーション1は、カセットCと
処理部2との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機
構10を備えている。そして、カセットステーション1
においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機
構10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
10a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送
アーム11によりカセットCと処理部2との間で基板G
の搬送が行われる。
The cassette station 1 has a transport mechanism 10 for transporting an LCD substrate between the cassette C and the processing section 2. And cassette station 1
, A cassette C is loaded and unloaded. The transport mechanism 10 includes a transport arm 11 that can move on a transport path 10 a provided along the direction in which the cassettes are arranged. The transport arm 11 allows the substrate G to be moved between the cassette C and the processing unit 2.
Is carried out.

【0014】処理部2は、前段部2aと中段部2bと後
段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路1
2、13、14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部15、16が設けられている。
The processing section 2 is divided into a front section 2a, a middle section 2b, and a rear section 2c.
2, 13 and 14, and each processing unit is disposed on both sides of these transport paths. Then, relay portions 15 and 16 are provided between them.

【0015】前段部2aは、搬送路12に沿って移動可
能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側
には、2つの洗浄装置(SCR)21a、21bが配置
されており、搬送路12の他方側には紫外線照射装置
(UV)および冷却装置(COL)が上下に重ねられて
なる紫外線照射/冷却ユニット25、2つの加熱処理装
置(HP)が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット2
6、および2つの冷却装置(COL)が上下に重ねられ
てなる冷却ユニット27が配置されている。
The front section 2a includes a main transfer device 17 movable along the transfer path 12. On one side of the transfer path 12, two cleaning devices (SCR) 21a and 21b are disposed. On the other side of the transport path 12, an ultraviolet irradiation / cooling unit 25 in which an ultraviolet irradiation device (UV) and a cooling device (COL) are vertically stacked, and two heat treatment devices (HP) are vertically stacked. Heating unit 2
6, and a cooling unit 27 in which two cooling devices (COL) are vertically stacked.

【0016】また、中段部2bは、搬送路13に沿って
移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の
一方側には、レジスト塗布装置(CT)22、減圧乾燥
装置(DP)40および基板Gの周縁部のレジストを除
去するエッジリムーバ(ER)23が一体的に設けられ
て配置され、塗布系ユニット群50を構成している。こ
の塗布系処理ユニット群50では、レジスト塗布装置
(CT)で基板Gにレジストが塗布された後、基板Gが
減圧乾燥装置(DP)40に搬送されて乾燥処理され、
その後、エッジリムーバ(ER)23により周縁部レジ
スト除去処理が行われるようになっている。搬送路13
の他方側には、2つの加熱装置(HP)が上下に重ねら
れてなる加熱処理ユニット28、加熱処理装置(HP)
と冷却処理装置(COL)が上下に重ねられてなる加熱
処理/冷却ユニット29、およびアドヒージョン処理装
置(AD)と冷却装置(COL)とが上下に積層されて
なるアドヒージョン処理/冷却ユニット30が配置され
ている。
The middle section 2b is provided with a main transfer device 18 that can move along the transfer path 13. On one side of the transfer path 13, a resist coating device (CT) 22 and a reduced-pressure drying device (DP) ) 40 and an edge remover (ER) 23 for removing the resist on the peripheral portion of the substrate G are integrally provided and arranged, and constitute a coating unit group 50. In this coating system processing unit group 50, after the resist is applied to the substrate G by the resist coating device (CT), the substrate G is transported to the reduced-pressure drying device (DP) 40 and dried.
Thereafter, the edge remover (ER) 23 performs a peripheral edge resist removal process. Transport path 13
On the other side, a heat treatment unit 28 in which two heating devices (HP) are vertically stacked, a heat treatment device (HP)
Heating / cooling unit 29 in which a heat treatment / cooling unit (COL) is vertically stacked, and an adhesion / cooling unit 30 in which an adhesion treatment device (AD) and a cooling device (COL) are vertically stacked. Have been.

【0017】さらに、後段部2cは、搬送路14に沿っ
て移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14
の一方側には、3つの現像処理装置(DEV)24a、
24b、24cが配置されており、搬送路14の他方側
には2つの加熱処理装置(HP)が上下に重ねられてな
る加熱処理ユニット31、および加熱処理装置(HP)
と冷却装置(COL)が上下に積層されてなる2つの加
熱処理/冷却ユニット32、33が配置されている。
Further, the rear section 2c is provided with a main transfer device 19 which can move along the transfer path 14.
On one side, three developing devices (DEV) 24a,
24b and 24c are arranged, and on the other side of the transport path 14, a heat treatment unit 31 in which two heat treatment devices (HP) are vertically stacked, and a heat treatment device (HP)
And a cooling device (COL) are vertically stacked, and two heat treatment / cooling units 32 and 33 are arranged.

【0018】上記主搬送装置17,18,19は、それ
ぞれ水平面内の2方向のX軸駆動機構、Y軸駆動機構、
および垂直方向のZ軸駆動機構を備えており、さらにZ
軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞ
れ基板Gを支持するアーム17a,18a,19aを有
している。
The main transporting devices 17, 18, and 19 respectively include an X-axis driving mechanism, a Y-axis driving mechanism in two directions in a horizontal plane,
And a vertical Z-axis drive mechanism.
A rotation drive mechanism that rotates about an axis is provided, and has arms 17a, 18a, and 19a that support the substrate G, respectively.

【0019】なお、処理部2は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理装置21a、21b、レジスト塗布装置
(CT)22、現像処理装置24a、24b、24c、
のようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方
の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処
理ユニットのみを配置する構造となっている。
The processing unit 2 includes cleaning devices 21a and 21b, a resist coating device (CT) 22, developing devices 24a, 24b, and 24c on one side of the transport path.
, And only the heat processing units such as the heating processing unit and the cooling processing unit are disposed on the other side.

【0020】また、中継部15、16のスピナー系ユニ
ット配置側の部分には、薬液供給装置34が配置されて
おり、さらにメンテナンスが可能なスペース35が設け
られている。
A chemical solution supply device 34 is provided at a portion of the relay units 15 and 16 on the side where the spinner system unit is disposed, and a space 35 for maintenance is provided.

【0021】インターフェイス部3は、処理部2との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション36と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファカセットを配置する2つのバッファステージ37
と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板Gの搬
入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機構38
はエクステンション36およびバッファステージ37の
配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移動可能
な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39により処
理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われる。
The interface section 3 includes an extension 36 for temporarily holding the substrate when transferring the substrate to and from the processing section 2, and two buffer stages 37 provided on both sides thereof for disposing a buffer cassette.
And a transport mechanism 38 for loading and unloading the substrate G between these and an exposure apparatus (not shown). Transport mechanism 38
Is provided with a transfer arm 39 movable along a transfer path 38a provided along the direction in which the extension 36 and the buffer stage 37 are arranged. The transfer arm 39 allows the transfer of the substrate G between the processing unit 2 and the exposure apparatus. Done.

【0022】図2および図3は、塗布系処理装置群50
を示す概略平面図および概略側面図である。これらレジ
スト塗布装置(CT)22、減圧乾燥装置(DP)4
0、およびエッジリムーバ(ER)23は、図示するよ
うに同一のステージに一体的に並列されている。
FIGS. 2 and 3 show a coating system processing apparatus group 50.
It is the schematic plan view and schematic side view which show. These resist coating device (CT) 22, reduced pressure drying device (DP) 4
0 and the edge remover (ER) 23 are integrally arranged in parallel on the same stage as shown in the figure.

【0023】減圧乾燥装置(DP)40は、下部チャン
バ61と、その上を覆うように設けられ、その内部の処
理空間を気密に維持する上部チャンバ62とを有してい
る。下部チャンバ61には、基板Gを載置するためのス
テージ63が設けられ、下部チャンバ61の各コーナー
部には、4個の排気口64が設けられ、この排気口64
に連通された排気管65がターボ分子排気ポンプ等の排
気ポンプ(図示略)に接続されている。そして、下部チ
ャンバ61と上部チャンバ62とが密着した状態でその
中の処理空間を排気することにより、所定の真空度に減
圧されるように構成されている。
The vacuum drying device (DP) 40 has a lower chamber 61 and an upper chamber 62 provided so as to cover the lower chamber 61 and keeping the processing space therein airtight. The lower chamber 61 is provided with a stage 63 on which the substrate G is mounted. At each corner of the lower chamber 61, four exhaust ports 64 are provided.
Is connected to an exhaust pump (not shown) such as a turbo-molecular exhaust pump. Then, the lower chamber 61 and the upper chamber 62 are configured to be evacuated to a predetermined vacuum degree by evacuating the processing space in a state where the lower chamber 61 and the upper chamber 62 are in close contact with each other.

【0024】またエッジリムーバ(ER)23は、ガラ
ス基板Gを載置させるためのステージ91が設けられ、
ガラス基板Gの四辺には、それぞれ、ガラス基板Gの四
辺のエッジから余分なレジストを除去するための四個の
リムーバヘッド93が設けられている。各リムーバヘッ
ド93は、内部からシンナを吐出するように断面略U字
状を有し、基板Gの四辺に沿って挟み込むかたちで移動
機構(図示略)によって移動されるようになっている。
これにより、各リムーバヘッド93は、基板Gの各辺に
沿って移動してシンナを吐出しながら、基板Gの四辺の
エッジに付着した余分なレジストを取り除くことができ
る。
The edge remover (ER) 23 is provided with a stage 91 on which the glass substrate G is placed.
On each of the four sides of the glass substrate G, four remover heads 93 for removing excess resist from the edges of the four sides of the glass substrate G are provided. Each of the remover heads 93 has a substantially U-shaped cross section so as to discharge thinner from the inside, and is moved by a moving mechanism (not shown) so as to be sandwiched along four sides of the substrate G.
Thus, each remover head 93 can remove excess resist attached to the four edges of the substrate G while moving along each side of the substrate G and discharging thinner.

【0025】次に本発明に係るレジスト塗布装置(C
T)22について説明する。図4はレジスト塗布装置
(CT)22の概略構成を示す一部断面図、図5はその
平面図である。
Next, the resist coating apparatus (C
T) 22 will be described. FIG. 4 is a partial sectional view showing a schematic configuration of the resist coating apparatus (CT) 22, and FIG. 5 is a plan view thereof.

【0026】これらの図に示すように、レジスト塗布装
置(CT)22のほぼ中央には、有底円筒状のフレーム
71aが配置され、フレーム71a内にはガラス基板G
を固定保持するための保持部材である基板吸着テーブル
58が配置されている。フレーム71aの上部には、ガ
ラス基板Gを出し入れするための開口部71cが設けら
れている。開口部71cには、上蓋79が被せられるよ
うになっている。上蓋79は開閉機構(図示を省略)に
よって移動可能に支持されている。
As shown in these figures, a bottomed cylindrical frame 71a is disposed substantially at the center of the resist coating apparatus (CT) 22, and a glass substrate G is provided in the frame 71a.
A substrate suction table 58 which is a holding member for fixing and holding the substrate is disposed. An opening 71c for taking the glass substrate G in and out is provided in the upper part of the frame 71a. An upper lid 79 is put on the opening 71c. The upper lid 79 is movably supported by an opening / closing mechanism (not shown).

【0027】また、基板吸着テーブル58の外周側下面
には、シール部材77が取り付けられており、基板吸着
テーブル58を下降させて、シール部材77をフレーム
71aの底部に当接させると、気密な処理スペース78
が形成されるようになっている。
A seal member 77 is attached to the lower surface on the outer peripheral side of the substrate suction table 58. When the substrate suction table 58 is lowered to bring the seal member 77 into contact with the bottom of the frame 71a, airtightness is obtained. Processing space 78
Is formed.

【0028】基板吸着テーブル58には、ガラス基板G
を真空吸着保持するための真空吸着装置72が接続され
ている。また、この基板吸着テーブル58は、ロッド7
5を介して昇降シリンダ73によって上下方向に昇降可
能になっている。なお、この昇降シリンダ73は、CP
U74によって、その動作が制御される。具体的には、
ロッド75の下部側が図示しない筒体内に配設されてお
り、この筒体内においてロッド75はバキュームシール
部76を介して昇降シリンダ73の駆動によって上下方
向に移動し得るようになっている。
The substrate suction table 58 has a glass substrate G
Is connected to a vacuum suction device 72 for holding the vacuum suction. Further, this substrate suction table 58 is
The lifting cylinder 73 allows the lifting cylinder 73 to move up and down. The lifting cylinder 73 has a CP
The operation is controlled by U74. In particular,
The lower side of the rod 75 is disposed in a cylindrical body (not shown), in which the rod 75 can be moved in the vertical direction by driving the elevating cylinder 73 via a vacuum seal 76.

【0029】フレーム71aの両側には、搬送レール6
6、66が配置されており、搬送レール66、66間に
は、スキャン機構が設けられている。このスキャン機構
は、搬送レール66、66間に掛け渡され、この搬送レ
ール66、66に沿ってY方向に移動する第1のスライ
ダ67と、この第1のスライダ67に付設され、第1の
スライダ67の長手方向に沿ってX方向に移動可能で、
レジスト液供給ノズル46が固定された第2のスライダ
43とを有して構成される。搬送レール66の一方の走
行端付近には、CPU74の指令により、該搬送レール
66に沿って第1のスライダ67を移動させると共に、
第2のスライダ43を第1のスライダ67に沿って移動
させる駆動部48が設けられている。
On both sides of the frame 71a, the transport rails 6 are provided.
6 and 66 are arranged, and a scanning mechanism is provided between the transport rails 66 and 66. The scanning mechanism is provided between the transport rails 66, 66 and moves in the Y direction along the transport rails 66, 66. It is movable in the X direction along the longitudinal direction of the slider 67,
The resist liquid supply nozzle 46 has a second slider 43 to which it is fixed. In the vicinity of one traveling end of the transport rail 66, the first slider 67 is moved along the transport rail 66 by a command from the CPU 74,
A drive unit 48 for moving the second slider 43 along the first slider 67 is provided.

【0030】図6に、レジスト液と、このレジスト液の
粘度と異なる粘度の液体、例えばシンナとを混合するこ
とにより、ガラス基板G上に塗布するレジスト液の粘度
を可変にするレジスト/シンナ混合装置を示す。レジス
ト/シンナ混合装置70は、レジスト液を貯溜したレジ
ストタンク81と、溶剤として例えばシンナを貯溜した
シンナタンク82と、レジスト液とシンナとの混合液を
塗布液供給ノズル46へ供給する混合液供給管88と、
混合液供給管88へレジスト液を供給するレジスト液供
給管89と、混合液供給管88へシンナを供給する溶剤
供給管であるシンナ供給管90と、レジストタンク81
内のレジスト液を吸上げレジスト液供給管89に導入す
るレジスト用ベローズポンプ84と、シンナタンク82
内のシンナを吸上げシンナ供給管90に導入するシンナ
用ベローズポンプ85と、レジスト液とシンナとの混合
液を更に撹拌混合する混合手段としてのミキサ87とを
備え、更に混合液供給管88を通過する混合液の濃度を
測定するセンサ99と、混合液の濃度が所定の濃度とな
るように制御する制御手段としてのCPU74が設けら
れている。
FIG. 6 shows a resist / thinner mixture in which the viscosity of the resist solution applied on the glass substrate G is varied by mixing the resist solution and a liquid having a viscosity different from that of the resist solution, for example, thinner. The device is shown. The resist / thinner mixing device 70 includes a resist tank 81 that stores a resist solution, a thinner tank 82 that stores, for example, a thinner as a solvent, and a mixed liquid supply pipe that supplies a mixed liquid of the resist liquid and the thinner to the coating liquid supply nozzle 46. 88,
A resist liquid supply pipe 89 for supplying a resist liquid to the mixed liquid supply pipe 88, a thinner supply pipe 90 which is a solvent supply pipe for supplying a thinner to the mixed liquid supply pipe 88, and a resist tank 81
A resist bellows pump 84 for sucking up the resist solution therein and introducing it into a resist solution supply pipe 89;
A thinner bellows pump 85 for sucking up the thinner inside the thinner supply pipe 90 and a mixer 87 as mixing means for further stirring and mixing the mixed liquid of the resist liquid and the thinner. A sensor 99 for measuring the concentration of the mixed solution passing therethrough and a CPU 74 as control means for controlling the concentration of the mixed solution to a predetermined concentration are provided.

【0031】このCPU74は、得たい混合液の濃度、
すなわち所望の粘度に従ってベローズポンプ84,85
から吐出されるレジスト液及びシンナの吐出量を制御す
る働きと、塗布液供給ノズル46に供給される混合液の
濃度を測定し、その測定結果に基づき、ベローズポンプ
84及び85からそれぞれ吐出されるレジスト液及びシ
ンナの吐出量を制御する働き、更には上述した図5にお
けるスキャン機構の制御をする働きを持つ。
The CPU 74 determines the concentration of the mixture to be obtained,
That is, the bellows pumps 84, 85 according to the desired viscosity.
And the concentration of the mixed solution supplied to the coating solution supply nozzle 46 is measured, and the bellows pumps 84 and 85 discharge the solution based on the measurement result. It has a function of controlling the discharge amounts of the resist solution and the thinner, and a function of controlling the above-described scanning mechanism in FIG.

【0032】以上のように構成されるレジスト塗布・現
像処理システムの作用を説明する。
The operation of the resist coating / developing system configured as described above will be described.

【0033】図1を参照して、カセットC内の基板G
が、処理部2に搬送され、処理部2では、まず、前段部
2aの紫外線照射/冷却ユニット25の紫外線照射装置
(UV)で表面改質・洗浄処理が行われ、その後そのユ
ニットの冷却装置(COL)で冷却された後、洗浄ユニ
ット(SCR)21a,21bでスクラバー洗浄が施さ
れ、前段部2aに配置された加熱処理装置(HP)の一
つで加熱乾燥された後、冷却ユニット27のいずれかの
冷却装置(COL)で冷却される。
Referring to FIG. 1, substrate G in cassette C
Is transported to the processing unit 2, where the surface modification / cleaning process is first performed by the ultraviolet irradiation device (UV) of the ultraviolet irradiation / cooling unit 25 in the former stage 2a, and then the cooling device of the unit After cooling in (COL), scrubber cleaning is performed in the cleaning units (SCR) 21a and 21b, and heating and drying is performed in one of the heat treatment devices (HP) disposed in the former stage 2a. Is cooled by any one of the cooling devices (COL).

【0034】その後、基板Gは中段部2bに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、ユニット30の上段
のアドヒージョン処理装置(AD)にて疎水化処理(H
MDS処理)され、下段の冷却装置(COL)で冷却
後、塗布系処理装置群50に搬入される。
Thereafter, the substrate G is transported to the middle section 2b,
In order to improve the fixability of the resist, a hydrophobic treatment (H) is performed by an adhesion treatment device (AD) in the upper stage of the unit 30.
After being cooled by the lower cooling device (COL), it is carried into the coating system processing device group 50.

【0035】そしてこの塗布系処理装置群50では、ま
ず、基板吸着テーブル58がフレーム71aの開口部7
1cより上方に上昇している状態で、主搬送装置18に
よりこの基板吸着テーブル58上にガラス基板Gが移載
され、真空吸着保持される。次に、昇降シリンダ73の
駆動により基板吸着テーブル58が下降され、ガラス基
板Gが開口部71cを通過してフレーム71a内に搬入
される。
In the coating system processing apparatus group 50, first, the substrate suction table 58 is connected to the opening 7 of the frame 71a.
In a state where the glass substrate G is raised above 1c, the glass substrate G is transferred onto the substrate suction table 58 by the main transfer device 18 and held by vacuum suction. Next, the substrate suction table 58 is lowered by driving the elevating cylinder 73, and the glass substrate G is carried into the frame 71a through the opening 71c.

【0036】続いてガラス基板Gの大きさに応じてCP
U74の指令により、駆動部48は第1のスライダ67
が搬送レール66に沿ってY方向に移動させるととも
に、第2のスライダ43が第1のスライダ67に沿って
X方向に移動させる。これにより第2スライダに固定さ
れている塗布液供給ノズル46が、図7に示すように例
えば一点鎖線で囲んだ基板Gの外周縁部領域G2と外周
縁部領域G1との重なり合った所定の吐出開始点S、す
なわち基板Gの角の外側まで移動する。
Subsequently, according to the size of the glass substrate G, CP
The drive unit 48 controls the first slider 67
Moves along the transfer rail 66 in the Y direction, and the second slider 43 moves along the first slider 67 in the X direction. As a result, the application liquid supply nozzle 46 fixed to the second slider discharges a predetermined overlapping discharge of the outer peripheral edge area G2 and the outer peripheral edge area G1 of the substrate G surrounded by, for example, a dashed line as shown in FIG. It moves to the start point S, that is, outside the corner of the substrate G.

【0037】次に第2のスライダ43をX方向に移動さ
せることにより、該吐出開始点Sからまず外周部領域G
1に沿ってレジスト液を吐出していくわけであるが、こ
のとき図6に示すCPU74は、塗布液供給ノズル46
が基板G上の外周縁部近傍の領域G1上に位置している
ことを判断しており、図6に示すレジスト/シンナ混合
装置70によりレジスト液にシンナを混合し、吐出され
る塗布液を所定の濃度にして塗布処理を行っていく。そ
して塗布液供給ノズル46が外周縁部領域G4に達した
ならば、第1のスライダ67を搬送レール66に沿って
移動させることにより、レジスト液供給ノズル46を僅
かにY方向に(外周縁部領域G3寄り)に移動させ、そ
の地点から再び第2のスライダ43を外周縁部領域G2
に向かってX方向に移動させていく。このとき、塗布液
供給ノズル46の位置が既に外周縁部領域G1にない場
合は、CPU74の指令により、外周縁部G1〜G4に
おける塗布液の濃度を、外周縁部領域G1〜G4以外に
塗布すべき所定の濃度に変更して塗布処理を行う。そし
て外周縁部領域G2に達したら第1のスライダ67を外
周縁部領域G3に向かってY方向に僅かに移動した後、
第2のスライダ43を外周縁部領域G4に向かってX方
向に移動していく。
Next, by moving the second slider 43 in the X direction, the outer peripheral area G
1, the CPU 74 shown in FIG.
Is located on the area G1 near the outer peripheral edge on the substrate G, and the thinner is mixed with the resist liquid by the resist / thinner mixing device 70 shown in FIG. The coating process is performed at a predetermined density. When the application liquid supply nozzle 46 reaches the outer peripheral edge area G4, the resist liquid supply nozzle 46 is moved slightly in the Y direction by moving the first slider 67 along the transport rail 66 (the outer peripheral edge area G4). Area G3), and from that point the second slider 43 is again moved to the outer peripheral area G2.
In the X direction. At this time, if the position of the coating liquid supply nozzle 46 is not already in the outer peripheral edge area G1, the concentration of the coating liquid in the outer peripheral edge areas G1 to G4 is applied to the area other than the outer peripheral edge areas G1 to G4 by a command from the CPU 74. The coating process is performed after changing to a predetermined density to be performed. When the first slider 67 is slightly moved in the Y direction toward the outer peripheral area G3 when the outer peripheral area G2 is reached,
The second slider 43 is moved in the X direction toward the outer peripheral edge area G4.

【0038】このようにして図7Bに示すように塗布液
供給ノズル46が外周縁部領域G1〜G4を通過する時
と、外周縁部領域G1〜G4以外の領域を通過する時と
で、粘度の異なる塗布液を塗布していく。例えば、外周
縁部領域G1〜G4においては塗布液の粘度を相対的に
低くして塗布し(黒色の部分T)、外周縁部領域G1〜
G4以外の領域においては粘度を相対的に高くして塗布
する(白色の部分D)。これによりガラス基板Gの外周
縁部領域G1〜G4においては基板Gに対する塗布液の
濡れ性が高まり、塗布液の外周縁部に生じていた盛り上
がりを抑制することができる。従ってレジスト液膜厚を
ガラス基板G上全体に亘って均一にして塗布することが
できる。
In this way, as shown in FIG. 7B, the viscosity of the coating liquid supply nozzle 46 differs between when the coating liquid supply nozzle 46 passes through the outer peripheral edge regions G1 to G4 and when it passes through the regions other than the outer peripheral edge regions G1 to G4. Different coating liquids. For example, in the outer peripheral edge regions G1 to G4, the application liquid is applied with a relatively low viscosity (black portion T), and the outer peripheral edge regions G1 to G4 are applied.
In areas other than G4, the coating is applied with a relatively high viscosity (white part D). Thus, in the outer peripheral edge regions G1 to G4 of the glass substrate G, the wettability of the coating liquid to the substrate G is increased, and it is possible to suppress the swelling generated on the outer peripheral edge of the coating liquid. Therefore, it is possible to apply the resist liquid with a uniform thickness over the entire glass substrate G.

【0039】なお、図8で模式的に示したように、塗布
液供給ノズル46を外周縁部領域G3に向かってY方向
に僅かに移動させる際の距離dは、塗布液供給ノズル4
6の吐出孔の直径よりも短い距離(通常は約半分程度)
であり、これにより、吐出されたレジスト液がガラス基
板G上で、隣接して吐出されたレジスト液の塗布ライン
R1、R2…Rn同士が互いに溶け込むようになり均一
な厚みで隙間無く塗布されていく。
As shown schematically in FIG. 8, the distance d when the coating liquid supply nozzle 46 is slightly moved in the Y direction toward the outer peripheral edge area G3 is equal to the distance d.
Distance shorter than the diameter of the discharge hole of No. 6 (usually about half)
By this, the application lines R1, R2,..., Rn of the adjacently discharged resist liquid on the glass substrate G are melted with each other, and are applied with a uniform thickness without gaps. Go.

【0040】レジスト塗布装置(CT)22でレジスト
が塗布された後は、減圧乾燥装置(DP)40により乾
燥処理されるが、上述したようにガラス基板G上のレジ
スト液の膜厚は基板G全体に亘り均一にすることができ
るので、図12A,12Bに示すような窪み105は生
じず、またエッジリムーバ(ER)23で基板Gの外周
縁部の余分なレジストが除去されるが、これにより、更
に精度の高いレジスト液膜厚の均一性を得ることができ
る。
After the resist is applied by the resist coating device (CT) 22, the resist is dried by a reduced-pressure drying device (DP) 40. Since the entire surface can be made uniform, the dent 105 as shown in FIGS. 12A and 12B does not occur, and the excess resist on the outer peripheral edge of the substrate G is removed by the edge remover (ER) 23. As a result, more uniform resist film thickness can be obtained with higher accuracy.

【0041】その後、基板Gは、中段部2bに配置され
た加熱処理装置(HP)の一つでプリベーク処理され、
ユニット29または30の下段の冷却装置(COL)で
冷却され、中継部16から主搬送装置19によりインタ
ーフェイス部3を介して図示しない露光装置に搬送され
てそこで所定のパターンが露光される。そして、基板G
は再びインターフェイス部3を介して搬入され、必要に
応じて後段部2cのいずれかの加熱処理装置(HP)で
ポストエクスポージャベーク処理を行った後、現像処理
ユニット(DEV)24a,24b,24cのいずれか
で現像処理される。このように露光及び現像処理される
際、ガラス基板G上のレジスト液膜厚は基盤G全体に亘
って均一であるので、基板G上のある特定の部分だけ露
光及び現像が過度に行われることはない。
Thereafter, the substrate G is pre-baked in one of the heat treatment apparatuses (HP) arranged in the middle section 2b.
The cooling unit (COL) at the lower stage of the unit 29 or 30 is cooled, and is conveyed from the relay unit 16 by the main conveying unit 19 to an exposing device (not shown) via the interface unit 3 where a predetermined pattern is exposed. And the substrate G
Is again carried in via the interface unit 3 and, if necessary, is subjected to post-exposure bake processing in any one of the heat processing units (HP) in the post-stage unit 2c, and then is subjected to the development processing units (DEV) 24a, 24b, 24c. Is developed. When the exposure and development processes are performed in this manner, the resist liquid film thickness on the glass substrate G is uniform over the entire substrate G, so that exposure and development are excessively performed only on a specific portion of the substrate G. There is no.

【0042】現像処理ユニット(DEV)24a,24
b,24cのいずれかで現像処理が行われた後、処理さ
れた基板Gは、後段部2cのいずれかの加熱処理装置
(HP)にてポストベーク処理が施された後、冷却装置
(COL)にて冷却され、主搬送装置19,18,17
及び搬送機構10によってカセットステーション1上の
所定のカセットに収容される。
Development units (DEV) 24a, 24
b and 24c, the processed substrate G is subjected to post-baking in one of the heat treatment devices (HP) in the subsequent stage 2c, and then subjected to a cooling device (COL). ), And is cooled by the main transfer devices 19, 18, 17
Then, the sheet is stored in a predetermined cassette on the cassette station 1 by the transport mechanism 10.

【0043】図9は本発明の他の実施形態によるレジス
ト塗布装置の要部を示す。
FIG. 9 shows a main part of a resist coating apparatus according to another embodiment of the present invention.

【0044】このレジスト塗布装置100は、レジスト
液供給源から供給されるレジスト液を加熱できる加熱装
置45(例えば電熱線等)を動作させて、前述した図7
A,Bで示したレジスト液塗布動作と同様に、CPU7
4の制御により外周縁部領域G1〜G4以外の部位に供
給したレジスト液の供給温度よりも供給温度を高くして
供給する。供給するレジスト液を加熱することで、レジ
スト液の粘度が下がる。この結果、ガラス基板Gの外周
縁部には粘度の低いレジスト液が供給されることになる
ため、低温のレジスト液の外周縁部に生じていた盛り上
がり部分がこの高温のレジスト液に溶け込むようにな
り、盛り上がりを抑制することができる。これによりレ
ジスト液膜厚はガラス基板G上全体に亘って均一とな
る。従って基板G上のある特定の部分だけ露光及び現像
が過度に行われることはない。
The resist coating apparatus 100 operates a heating device 45 (for example, a heating wire or the like) capable of heating a resist solution supplied from a resist solution supply source, and operates the heating device 45 as shown in FIG.
In the same manner as the resist liquid application operation shown in FIGS.
Under the control of No. 4, the supply temperature is higher than the supply temperature of the resist liquid supplied to portions other than the outer peripheral edge regions G1 to G4. By heating the supplied resist solution, the viscosity of the resist solution decreases. As a result, the resist liquid having a low viscosity is supplied to the outer peripheral edge of the glass substrate G, so that the raised portion generated at the outer peripheral edge of the low-temperature resist liquid is dissolved in the high-temperature resist liquid. And swelling can be suppressed. As a result, the thickness of the resist liquid becomes uniform over the entire glass substrate G. Therefore, exposure and development are not excessively performed only on a specific portion on the substrate G.

【0045】また、上記加熱装置45を冷却装置に置き
換えることにより、外周縁部における粘度を相対的に高
くし、あるいは基板Gの外周縁部とそれ以外の領域とで
塗布液の粘度を相対的に可変にして、塗膜圧を可変に制
御することもできる。
Further, by replacing the heating device 45 with a cooling device, the viscosity at the outer peripheral edge is relatively increased, or the viscosity of the coating liquid is relatively reduced between the outer peripheral edge of the substrate G and other regions. And the coating pressure can be variably controlled.

【0046】なお、本発明は以上説明した実施形態には
限定されない。
The present invention is not limited to the embodiment described above.

【0047】例えば、上記第一の実施形態におけるレジ
スト/シンナ混合装置70(図6)に、他の実施形態に
おける加熱装置45(図9)を設ける構成としてもよ
い。この場合、図6に示すセンサ99と塗布液供給ノズ
ル46との間に加熱装置45を設けてCPU74により
制御するようにする。これにより、レジストタンク81
からのレジスト液とシンナタンク82からのシンナとの
混合液の濃度をセンサ99によって制御して、更にその
混合液を加熱装置45により加熱することで、塗布液の
粘度制御をより効率良く且つ高精度に行うことができ
る。
For example, the resist / thinner mixing device 70 (FIG. 6) in the first embodiment may be provided with a heating device 45 (FIG. 9) in another embodiment. In this case, a heating device 45 is provided between the sensor 99 and the application liquid supply nozzle 46 shown in FIG. Thereby, the resist tank 81
The concentration of the mixture of the resist solution from the thinner and the thinner from the thinner tank 82 is controlled by the sensor 99, and the mixture is further heated by the heating device 45, so that the viscosity control of the coating solution can be performed more efficiently and with higher precision. Can be done.

【0048】また、上記実施形態では本発明をLCD基
板にレジスト液を塗布する塗布装置に適用したものにつ
いて説明したが、LCD基板以外の基板、例えば半導体
ウエハにレジスト液を塗布する塗布装置にも適用可能で
ある。この場合、半導体ウエハは円形であるので、その
円形周縁部に塗布する塗布液の粘度を、周縁部以外の部
位に塗布する塗布液の粘度よりも低く制御するようにす
る。
In the above embodiments, the present invention is applied to a coating apparatus for applying a resist liquid to an LCD substrate. However, the present invention is also applied to a coating apparatus for applying a resist liquid to a substrate other than the LCD substrate, for example, a semiconductor wafer. Applicable. In this case, since the semiconductor wafer is circular, the viscosity of the coating liquid applied to the peripheral edge of the circular shape is controlled to be lower than the viscosity of the coating liquid applied to portions other than the peripheral edge.

【0049】更に、本発明は塗布液の粘度を可変にする
ための溶剤としてシンナを用いた塗布装置について説明
したが、塗布液の粘度を可変にするものであれば、どの
ような溶剤および処理液を用いた塗布装置にも適用でき
る。
Further, the present invention has been described with respect to a coating apparatus using thinner as a solvent for varying the viscosity of a coating solution. It can also be applied to a coating device using a liquid.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によればガ
ラス基板に塗布する塗布液の粘度を可変にすることによ
り、表面張力によりガラス基板の外周縁部に生じる塗布
液の盛り上がりを抑制することができ、塗布液の膜厚の
均一性を向上させることができる。従って基板上のある
特定の部分だけ露光及び現像が過度に行われることはな
いので、基板上に精密な回路パターンを形成することが
できる。
As described above, according to the present invention, by making the viscosity of the coating liquid applied to the glass substrate variable, it is possible to suppress the swelling of the coating liquid which occurs on the outer peripheral edge of the glass substrate due to surface tension. Thus, the uniformity of the film thickness of the coating solution can be improved. Therefore, since exposure and development are not excessively performed on only a specific portion on the substrate, a precise circuit pattern can be formed on the substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明が適用されるLCD基板の塗布・現像
処理システムを示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an LCD substrate coating / developing processing system to which the present invention is applied.

【図2】 図1に示したレジスト塗布装置(CT)、減
圧乾燥装置(DP)、及びエッジリムーバ(ER)から
なる塗布系処理ユニット群の概略平面図である。
FIG. 2 is a schematic plan view of a coating processing unit group including a resist coating device (CT), a reduced-pressure drying device (DP), and an edge remover (ER) shown in FIG.

【図3】 図2に示す塗布系処理ユニット群の概略側面
図である。
FIG. 3 is a schematic side view of a coating system processing unit group shown in FIG. 2;

【図4】 図3に示した本発明の一実施形態であるレジ
スト塗布装置(CT)の概略構成を示す一部断面図であ
る。
FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing a schematic configuration of a resist coating apparatus (CT) according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 3;

【図5】 図4に示したレジスト塗布装置(CT)の平
面図である。
FIG. 5 is a plan view of the resist coating apparatus (CT) shown in FIG.

【図6】 本発明の一実施形態であるレジスト塗布装置
(CT)の要部を示すもので、レジスト/シンナ混合装
置の構成を示す図である。
FIG. 6 is a view illustrating a main part of a resist coating apparatus (CT) according to an embodiment of the present invention, and is a view illustrating a configuration of a resist / thinner mixing apparatus.

【図7】 本発明の実施の形態においてガラス基板上に
塗布液を塗布する工程を説明するための図で、Aは塗布
液供給ノズルが塗布開始点の位置にある図、Bは塗布液
供給ノズルが塗布終了点の位置にある図である。
FIG. 7 is a view for explaining a step of applying a coating liquid on a glass substrate in the embodiment of the present invention, wherein A is a drawing in which a coating liquid supply nozzle is located at a coating start point; FIG. 4 is a diagram in which a nozzle is at a position of an application end point.

【図8】 本発明の実施の形態においてガラス基板上に
塗布液を塗布する工程を説明するための模式的な断面図
である。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining a step of applying a coating liquid on a glass substrate in the embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の他の実施の形態に係るレジスト塗布
装置(CT)の要部を示すもので、加熱装置を用いた場
合の構成図である。
FIG. 9 shows a main part of a resist coating apparatus (CT) according to another embodiment of the present invention, and is a configuration diagram when a heating apparatus is used.

【図10】 従来のレジスト塗布装置の塗布方法を説明
するための図である。
FIG. 10 is a diagram for explaining a coating method of a conventional resist coating device.

【図11】 従来のレジスト塗布方法の問題点を説明す
るための図で、Aはガラス基板の外周縁部に塗布液の盛
り上がりが生じた状態を示す図、BはAに示したガラス
基板を露光及び現像する場合におけるレジスト除去の大
きさを説明するための図である。
11A and 11B are diagrams for explaining a problem of the conventional resist coating method, in which A is a diagram showing a state in which a coating liquid swells on an outer peripheral edge portion of the glass substrate, and B is a diagram showing the glass substrate shown in A in FIG. FIG. 9 is a diagram for explaining the size of resist removal in the case of exposure and development.

【図12】従来のレジスト塗布方法の問題点を説明する
ための図で、Aはガラス基板の外周縁部の内側に窪みが
生じた状態を示す図である。
FIG. 12 is a view for explaining a problem of a conventional resist coating method, and FIG. 12A is a view showing a state in which a depression is formed inside an outer peripheral edge of a glass substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

G…ガラス基板 G1〜G4…外周縁部領域 22…レジスト塗布装置(CT) 23…エッジリムーバ(ER) 40…減圧乾燥装置(DP) 45…加熱装置 46…塗布液供給ノズル 58…基板吸着テーブル 66…搬送レール 70…シンナ混合装置 74…CPU 81…レジストタンク 82…シンナタンク 84…レジスト用ベローズポンプ 85…シンナ用ベローズポンプ 87…ミキサ 88…混合液供給管 89…レジスト液供給管 90…シンナ供給管 99…センサ G: glass substrate G1 to G4: outer peripheral edge region 22: resist coating device (CT) 23: edge remover (ER) 40: reduced pressure drying device (DP) 45: heating device 46: coating liquid supply nozzle 58: substrate suction table Reference numeral 66: transport rail 70: thinner mixing device 74: CPU 81: resist tank 82: thinner tank 84: bellows pump for resist 85: thinner bellows pump 87: mixer 88: mixed liquid supply pipe 89: resist liquid supply pipe 90: thinner supply Tube 99 ... Sensor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 7/16 501 G03F 7/16 502 502 H01L 21/30 564Z Fターム(参考) 2H025 AA18 AB20 EA04 4D075 AC08 AC84 AC92 AC96 BB16Y BB18Y BB22Y CA48 DA06 DB13 DC24 EA45 4F041 AA02 AA06 AB02 BA23 BA35 BA43 BA47 4F042 AA02 AA08 BA08 BA12 BA16 BA19 CA08 CB02 CB08 CB27 DF09 DF34 EB09 EB18 5F046 JA01 JA24 JA27 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G03F 7/16 501 G03F 7/16 502 502 H01L 21/30 564Z F-term (Reference) 2H025 AA18 AB20 EA04 4D075 AC08 AC84 AC92 AC96 BB16Y BB18Y BB22Y CA48 DA06 DB13 DC24 EA45 4F041 AA02 AA06 AB02 BA23 BA35 BA43 BA47 4F042 AA02 AA08 BA08 BA12 BA16 BA19 CA08 CB02 CB08 CB27 DF09 DF34 EB09 EB18 5F046 JA01

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理体を保持する保持部材と、 前記保持部材に対して相対的に移動しながら、被処理体
上に塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、この塗布液
供給ノズルから吐出される前記塗布液の粘度を可変にす
る制御手段とを具備することを特徴とする塗布装置。
A holding member for holding the object to be processed; a coating liquid supply nozzle for supplying a coating liquid onto the object to be processed while moving relative to the holding member; Control means for varying the viscosity of the discharged coating liquid.
【請求項2】 請求項1に記載の塗布装置であって、前
記制御手段が、前記塗布液供給ノズルが前記被処理体の
外周縁部近傍上を塗布する際に、前記塗布液の粘度と異
なる粘度の液体を、吐出される前記塗布液に混合するこ
とを特徴とする塗布装置。
2. The coating apparatus according to claim 1, wherein the control unit is configured to control the viscosity of the coating liquid when the coating liquid supply nozzle applies the liquid on the vicinity of an outer peripheral edge of the object to be processed. A coating apparatus, wherein liquids having different viscosities are mixed with the discharged coating liquid.
【請求項3】 請求項1に記載の塗布装置であって、前
記制御手段が、前記塗布液供給ノズルが前記被処理体の
外周縁部近傍上を塗布する際に、吐出される前記塗布液
を加熱又は冷却することを特徴とする塗布装置。
3. The coating apparatus according to claim 1, wherein the control unit is configured to discharge the coating liquid when the coating liquid supply nozzle applies the coating liquid near an outer peripheral edge of the processing target. Coating or heating apparatus.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002059058A (en) * 2000-08-16 2002-02-26 Tokyo Electron Ltd Applicator
JP2003340348A (en) * 2002-03-20 2003-12-02 Tdk Corp Coating device and method
JP2006095366A (en) * 2004-09-28 2006-04-13 Central Glass Co Ltd Coating apparatus and coating method

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