JP2001345177A

JP2001345177A - 薄膜形成装置およびその薄膜形成方法、及び自発光装置

Info

Publication number: JP2001345177A
Application number: JP2001061104A
Authority: JP
Inventors: 正明 ▲ひろ▼木; Masaaki Hiroki; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Noriko Ishimaru; 典子石丸
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2000-03-06
Filing date: 2001-03-06
Publication date: 2001-12-14
Anticipated expiration: 2021-03-06
Also published as: JP4574039B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＥＬ層を形成する材料を蒸着する際に、ＥＬ
層を形成する材料を所望の位置に選択的に蒸着する手段
を提供する。【解決手段】ＥＬ層を形成する材料を蒸着する際に試
料ボート１１１と基板１１０の間にマスク１１３が設け
られており、マスク１１３に電圧をかけることによっ
て、ＥＬ層を形成する材料の進行方向が制御され、所望
の位置に選択的に蒸着することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、陽極、陰極及びそ
れらの間にＥＬ（Electro Luminescence）が得られる発
光性有機材料（以下、有機ＥＬ材料という）を挟んだ構
造でなるＥＬ素子を絶縁体上に形成した自発光装置及び
その自発光装置を表示部（表示ディスプレイまたは表示
モニター）として有する電気器具、及び有機ＥＬ材料の
薄膜形成方法及び薄膜形成装置に関する。なお、上記自
発光装置はＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode
s）ともいう。

【０００２】

【従来の技術】近年、発光性有機材料のＥＬ現象を利用
した自発光素子としてＥＬ素子を用いた自発光装置（Ｅ
Ｌ表示装置）の開発が進んでいる。ＥＬ表示装置は自発
光型であるため、液晶表示装置のようなバックライトが
不要であり、さらに視野角が広いことから電気器具の表
示部として有望視されている。

【０００３】ＥＬ表示装置にはパッシブ型（単純マトリ
クス型）とアクティブ型（アクティブマトリクス型）の
２種類があり、どちらも盛んに開発が行われている。特
に現在はアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置が注目さ
れている。また、ＥＬ素子の中心とも言えるＥＬ層とな
るＥＬ材料は、低分子系有機ＥＬ材料と高分子系（ポリ
マー系）有機ＥＬ材料とがそれぞれ研究されている。

【０００４】ＥＬ材料の成膜方法には、インクジェット
法や蒸着法及びスピンコーティング法といった方法があ
るが、このうち蒸着法においては、マスクを用いて成膜
位置をコントロールするという方法が採られているが、
このときＥＬ材料がマスクを通過せずにマスク上に成膜
されてしまうという問題がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
鑑みてなされたものであり、ＥＬ材料をマスクを用いて
電界制御する蒸着法でＥＬ材料を無駄なく選択的に成膜
する手段を提供することを課題とする。また、成膜位置
の制御精度を上げることを課題とする。さらに、このよ
うな手段を用いたＥＬ表示装置及びその作製方法を提供
することを課題とする。そして、このようなＥＬ表示装
置を表示部として有する電気器具を提供することを課題
とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に用いるマスクと、成膜する画素電極には、電圧がかけ
られている。

【０００７】本発明においてＥＬ材料は、試料ボートに
備えられており、これが気化してさらに電荷を持つと、
気化したことで試料ボートの開口部から飛び出し、基板
に到達する前にマスクにかけられた電圧により生じる電
界により進行方向が制御され、蒸着位置を制御すること
ができる。

【０００８】また、マスクを複数用いてもよい。例え
ば、第１マスク及び第２マスクにそれぞれ印加された電
圧により生じた電界により進行方向が制御され、蒸着位
置を制御することができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】ここで本発明の実施の形態につい
て図１を用いて説明する。

【００１０】図１（Ａ）は、本発明を実施してＥＬ材料
を成膜する様子を模式的に示す図である。図１（Ａ）に
おいて、１１０は基板であり、基板上の画素電極は、接
地電位に接続されている。また、１１１は、試料ボート
である。なお、試料ボート１１１にはＥＬ材料が備えら
れている。

【００１１】なお、赤色ＥＬ層を形成させるときには、
試料ボート１１１には赤色に発光するＥＬ材料（以下、
赤色ＥＬ材料という）、緑色ＥＬ層を形成させるときに
は、試料ボート１１１には緑色に発光するＥＬ材料（以
下、緑色ＥＬ材料という）、青色ＥＬ層を形成させると
きには、試料ボート１１１には青色に発光するＥＬ材料
（以下、青色ＥＬ材料という）を備えておく。

【００１２】本発明の場合、試料ボート１１１のＥＬ材
料が電極１２０による抵抗加熱により気化され放出され
る。放出されるときＥＬ材料は電極１１２にかけられた
負の電圧により負に帯電した帯電粒子となり、導電性材
料からなるマスク１１３の隙間を通過した後、基板１１
０上の画素電極に蒸着される。また、電極１１２と電極
１２０との間には絶縁体が設けられており、互いに異な
る電圧が印加される。

【００１３】なお、ＥＬ材料は、マスク１１３を通過す
る際に図１（Ｂ）１１７の拡大図で示すようにマスク１
１３における遮断部１１８により進行方向を制御され
る。また、マスク１１３は、遮断部１１８の部分が銅、
鉄、アルミニウム、タンタル、チタン、タングステンと
いった導電性材料でできている複数の導電線が互いに平
行に配置されたもの（ストライプ状）、もしくは、網目
状の構造物（メッシュ状）、もしくは、板状の構造物で
ある。蒸気状態のＥＬ材料は、遮断部１１８にかけられ
た負の電圧により生じる電界と反発するため、遮断部１
１８間の隙間を通過して基板に蒸着される。

【００１４】また、図１では断面形状が円形である例を
示したが、特に限定されず矩形であっても楕円形であっ
ても多角形状であってもよい。

【００１５】なお、マスク１１３の遮断部１１８には、
蒸気状態のＥＬ材料がマスク１１３の遮断部１１８と反
発しあう電位にするための電圧をかけておく。これによ
り、ＥＬ材料は、マスク１１３における遮断部１１８間
の隙間を通過することができる。なお、ここでは、蒸気
状態のＥＬ材料を負の電圧をかけた電極１１２により生
じる電界により帯電させ、マスクの遮断部にも電極１１
５により負の電圧をかけて電界を発生させる。これらに
より、蒸気状態のＥＬ材料の帯電粒子は、遮断部と電気
的に反発し、各遮断部の隙間を通過するようになる。

【００１６】図１（Ａ）に示すような構造とし、遮断部
１１８に印加される負の電圧を数１０Ｖ〜１０ｋＶの範
囲で適宜調節することによって、蒸着位置を高精度に制
御することができる。

【００１７】なお、マスク１１３と基板との間隔距離、
各遮断部１１８間の距離等は実施者が適宜設定すればよ
い。例えば、各遮断部１１８間の距離は、基板上に形成
される画素電極の画素ピッチにすると良い。

【００１８】また、マスク１１３の目合わせを正確にす
るために、２枚の導電板を重ねてスリット状もしくは円
状の穴を放電加工で同時に切削してマスク１１３を形成
してもよい。

【００１９】また、ここでは１つのマスクを用いた例を
示したが、二つ以上のマスクに電圧を印加して蒸気状態
のＥＬ材料の飛翔方向を制御してもよい。また、ある一
つの平面上に二つ以上のマスクを組み合わせたものに電
圧を印加して蒸気状態のＥＬ材料の飛翔方向を制御して
もよい。

【００２０】まず、試料ボート１１１赤色ＥＬ材料を備
え、これを蒸着させると画素上にストライプ状の赤色Ｅ
Ｌ層が形成される。

【００２１】次にマスクを矢印ｋの方向に一画素列分移
動させた後、試料ボート１１１から緑色ＥＬ材料を蒸着
させ、緑色ＥＬ層を形成させる。さらにマスクを矢印ｋ
の方向に一画素列分移動させ、同様に蒸着を行い青色Ｅ
Ｌ層を形成させる。

【００２２】即ち、マスクを矢印ｋの方向に移動させな
がら赤、緑、青色に発光する画素列を色ごとに３回に分
けて蒸着することで３色のストライプ状のＥＬ層が形成
される。なお、ここで形成されるＥＬ層の膜厚は、１０
ｎｍ〜１０μｍであることが望ましい。

【００２３】また、ここでいう画素列とはバンク１１９
に仕切られた画素の列を指し、バンクは画素列間の隙間
を埋めるように土手状に画素列のソース配線の上方に形
成されている。つまり、バンクで画素列が仕切られてい
るので画素上に形成させたＥＬ層を隣り合う画素列と区
別して形成させることができる。即ち、ソース配線に沿
って複数の画素が直列に並んだ列を画素列と呼んでい
る。但し、ここではバンクがソース配線の上方に形成さ
れた場合を説明したが、ゲート配線の上方に設けられて
いても良い。この場合は、ゲート配線に沿って複数の画
素が直列に並んだ列を画素列と呼ぶ。

【００２４】従って、画素電極上の画素部（図示せず）
は、複数のソース配線もしくは複数のゲート配線の上方
に設けられたストライプ状のバンクにより分割された複
数の画素列の集合体として見ることができる。そのよう
にして見た場合、画素電極上の画素部は、赤色に発光す
るストライプ状のＥＬ層が形成された画素列、緑色に発
光するストライプ状のＥＬ層が形成された画素列及び青
色に発光するストライプ状のＥＬ層が形成された画素列
からなるとも言える。

【００２５】また、上記ストライプ状のバンクは、複数
のソース配線もしくは複数のゲート配線の上方に設けら
れているため、実質的に画素部は、複数のソース配線も
しくは複数のゲート配線により分割された複数の画素列
の集合体と見ることもできる。

【００２６】さらに、本実施の形態において、基板１１
０上に形成されている画素電極（陽極）上に電圧をかけ
ておきマスクを通過した蒸気状態のＥＬ材料をさらに制
御して、選択的に所望の位置に蒸着するような電界を与
えておくと良い。

【００２７】また、試料ボート１１１、マスク、及び基
板１１０が備えられている蒸着室１２１の内側側面に電
極１１４で負の電圧をかけておくことで負に帯電した蒸
気状態のＥＬ材料と蒸着室の内側側面を反発させること
ができるので蒸気状態のＥＬ材料を蒸着室の内側に付着
させることなく被形成面に蒸着することができる。

【００２８】

【実施例】〔実施例１〕本実施例では、試料ボートにお
いて気化されたＥＬ材料（以下蒸気状態のＥＬ材料とい
う）を電界で制御して基板上に成膜する方法について説
明する。なお、本実施例における蒸着方法は、図１を用
いる。

【００２９】図１において、１１０は基板であり、１１
１は、試料ボートである。なお、試料ボート１１１には
ＥＬ層用材料が備えられている。

【００３０】なお、赤色ＥＬ層を形成させるときには、
試料ボート１１１には赤色に発光するＥＬ材料（以下、
赤色ＥＬ材料という）、緑色ＥＬ層を形成させるときに
は、試料ボート１１１には緑色に発光するＥＬ材料（以
下、緑色ＥＬ材料という）、青色ＥＬ層を形成させると
きには、試料ボート１１１には青色に発光するＥＬ材料
（以下、青色ＥＬ材料という）を備えておく。

【００３１】なお、本実施例では、ＥＬ材料として、赤
色ＥＬ層には、Ａｌｑをホスト材料として赤色の蛍光色
素ＤＣＭをドープしたものを用いた。また、緑色に発光
するＥＬ層には、アルミニウムの８−ヒドロキシキノリ
ン錯体であるＡｌｑを用い、青色に発光するＥＬ層には
亜鉛のベンズオキサゾール錯体（Ｚｎ（ｏｘｚ）₂）を
用いる。

【００３２】なお、上記に示したＥＬ材料は、実施例の
一つであり他の公知のＥＬ材料を用いてもよい。また、
発光色を赤、緑、青としてＥＬ材料を選択しているが、
この限りではなく、黄色、オレンジ、グレーといった色
を用いてもよい。

【００３３】本実施例では、はじめに試料ボートに赤色
ＥＬ材料を備えておき、基板上に赤色ＥＬ層を形成させ
た後、緑色ＥＬ材料が備えられた試料ボートを用いて基
板上に緑色ＥＬ層を形成させる。そして、最後に青色Ｅ
Ｌ材料が備えられた試料ボートを用いて基板上に青色Ｅ
Ｌ層を形成させる。

【００３４】以上のように、赤、緑、青色ＥＬ材料を３回
に分けて蒸着させることによりＥＬ層を形成させること
ができる。

【００３５】各色のＥＬ材料は、試料ボートにおいて、
電極１２０による抵抗加熱により気化され、試料ボート
１１１から放出される際、電極１１２が与える電界によ
り電荷を持つ。この時、ＥＬ材料は、気化することで得
られた、より高い運動エネルギーにより飛び出し、マス
ク１１３に到達する。

【００３６】マスク１１３には、電圧がかけられている
ためマスク１１３付近に電界が生じている。マスク１１
３に到達した気体ＥＬ層用材料は、マスク１１３により
生じる電界により制御された後、マスク１１３を通過し
て基板１１０に蒸着される。

【００３７】また、試料ボート１１１の赤色ＥＬ材料を
蒸着させると画素上にストライプ状の赤色ＥＬ層が形成
される。ここで、マスクを矢印ｋの方向に画素一列分移
動させ、同様に試料ボート１１１から緑色ＥＬ材料を蒸
着する。これにより、赤色ＥＬ層の横に緑色ＥＬ層が形
成される。さらにマスクを矢印ｋの方向に画素一列分移
動させながら試料ボート１１１から青色ＥＬ材料を蒸着
させる。これにより、緑色ＥＬ層の横に青色ＥＬ層が形
成される。即ち、以上のようにマスクを移動させながら
赤、緑、青色に発光する画素列を色ごとに３回に分けて
蒸着させることで３色のストライプ状のＥＬ層が形成さ
れる。なお、ここで形成されるＥＬ層の膜厚は、１００
ｎｍ〜１μｍであることが望ましい。

【００３８】なお、ここでいう画素列とはバンク１１９
に仕切られた画素の列を指し、バンクはソース配線の上
方に形成されている。即ち、ソース配線に沿って複数の
画素が直列に並んだ列を画素列と呼んでいる。但し、こ
こではバンクがソース配線の上方に形成された場合を説
明したが、ゲート配線の上方に設けられていても良い。
この場合は、ゲート配線に沿って複数の画素が直列に並
んだ列を画素列と呼ぶ。

【００３９】従って、画素部（図示せず）は、複数のソ
ース配線もしくは複数のゲート配線の上方に設けられた
ストライプ状のバンクにより分割された複数の画素列の
集合体として見ることができる。そのようにして見た場
合、画素部は、赤色に発光するストライプ状のＥＬ層が
形成された画素列、緑色に発光するストライプ状のＥＬ
層が形成された画素列及び青色に発光するストライプ状
のＥＬ層が形成された画素列からなるとも言える。

【００４０】また、上記ストライプ状のバンクは、複数
のソース配線もしくは複数のゲート配線の上方に設けら
れているため、実質的に画素部は、複数のソース配線も
しくは複数のゲート配線により分割された複数の画素列
の集合体と見ることもできる。

【００４１】また、基板１１０上に形成されている画素
電極（陽極）上に電圧をかけておき、マスクを通過した
蒸気状態のＥＬ材料をさらに制御して、選択的に所望の
位置に蒸着するような電界を与えるようにすると良い。

【００４２】〔実施例２〕本実施例であるＥＬ表示装置
の画素部の断面図を図２に、その上面図を図３（Ａ）
に、その回路構成を図３（Ｂ）に示す。実際には画素が
マトリクス状に複数配列されて画素部（画像表示部）が
形成される。なお、図３（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断
面図が図２に相当する。従って図２及び図３で共通の符
号を用いているので、適宜両図面を参照すると良い。ま
た、図３（Ａ）の上面図では二つの画素を図示している
が、どちらも同じ構造である。

【００４３】図２において、１１は基板、１２は下地と
なる絶縁膜（以下、下地膜という）である。基板１１と
してはガラス、ガラスセラミックス、石英、シリコン、
セラミックス、金属若しくはプラスチックでなる基板を
用いることができる。

【００４４】また、下地膜１２は特に可動イオンを含む
基板や導電性を有する基板を用いる場合に有効である
が、石英基板には設けなくても構わない。下地膜１２と
しては、珪素（シリコン）を含む絶縁膜を用いれば良
い。なお、本明細書において「珪素を含む絶縁膜」と
は、具体的には酸化珪素膜、窒化珪素膜若しくは窒化酸
化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙで示される）など珪素、酸素若
しくは窒素を所定の割合で含む絶縁膜を指す。

【００４５】また、下地膜１２に放熱効果を持たせるこ
とによりＴＦＴの発熱を発散させることはＴＦＴの劣化
又はＥＬ素子の劣化を防ぐためにも有効である。放熱効
果を持たせるには公知のあらゆる材料を用いることがで
きる。

【００４６】ここでは画素内に二つのＴＦＴを形成して
いる。２０１はスイッチング用ＴＦＴであり、ｎチャネ
ル型ＴＦＴで形成され、２０２は電流制御用ＴＦＴであ
り、ｐチャネル型ＴＦＴで形成されている。

【００４７】ただし、本実施例において、スイッチング
用ＴＦＴをｎチャネル型ＴＦＴ、電流制御用ＴＦＴをｐ
チャネル型ＴＦＴに限定する必要はなく、スイッチング
用ＴＦＴをｐチャネル型ＴＦＴ、電流制御用ＴＦＴをｎ
チャネル型ＴＦＴにしたり、両方ともｎチャネル型又ｐ
チャネル型ＴＦＴを用いることも可能である。

【００４８】スイッチング用ＴＦＴ２０１は、ソース領
域１３、ドレイン領域１４、ＬＤＤ領域１５a〜１５d、
高濃度不純物領域１６及びチャネル形成領域１７a、１
７bを含む活性層、ゲート絶縁膜１８、ゲート電極１９
a、１９b、第１層間絶縁膜２０、ソース配線２１並びに
ドレイン配線２２を有して形成される。

【００４９】また、図３に示すように、ゲート電極１９
a、１９bは別の材料（ゲート電極１９a、１９bよりも低
抵抗な材料）で形成されたゲート配線２１１によって電
気的に接続されたダブルゲート構造となっている。勿
論、ダブルゲート構造だけでなく、シングルゲートもし
くはトリプルゲート構造といったいわゆるマルチゲート
構造（直列に接続された二つ以上のチャネル形成領域を
有する活性層を含む構造）であっても良い。マルチゲー
ト構造はオフ電流値を低減する上で極めて有効であり、
ここでは画素のスイッチング素子２０１をマルチゲート
構造とすることによりオフ電流値の低いスイッチング素
子を実現している。

【００５０】また、活性層は結晶構造を含む半導体膜で
形成される。即ち、単結晶半導体膜でも良いし、多結晶
半導体膜や微結晶半導体膜でも良い。また、ゲート絶縁
膜１８は珪素を含む絶縁膜で形成すれば良い。また、ゲ
ート電極、ソース配線若しくはドレイン配線としてはあ
らゆる導電膜を用いることができる。

【００５１】さらに、スイッチング用ＴＦＴ２０１にお
いては、ＬＤＤ領域１５a〜１５dは、ゲート絶縁膜１８
を挟んでゲート電極１９a、１９bと重ならないように設
ける。このような構造はオフ電流値を低減する上で非常
に効果的である。

【００５２】なお、チャネル形成領域とＬＤＤ領域との
間にオフセット領域（チャネル形成領域と同一組成の半
導体層でなり、ゲート電圧が印加されない領域）を設け
ることはオフ電流値を下げる上でさらに好ましい。ま
た、二つ以上のゲート電極を有するマルチゲート構造の
場合、チャネル形成領域の間に設けられた高濃度不純物
領域がオフ電流値の低減に効果的である。

【００５３】次に、電流制御用ＴＦＴ２０２は、ソース
領域３１、ドレイン領域３２及びチャネル形成領域３４
を含む活性層、ゲート絶縁膜１８、ゲート電極３５、第
１層間絶縁膜２０、ソース配線３６並びにドレイン配線
３７を有して形成される。なお、ゲート電極３５はシン
グルゲート構造となっているが、マルチゲート構造であ
っても良い。

【００５４】図２に示すように、スイッチング用ＴＦＴ
のドレインは電流制御用ＴＦＴ２０２のゲートに接続さ
れている。具体的には電流制御用ＴＦＴ２０２のゲート
電極３５はスイッチング用ＴＦＴ２０１のドレイン領域
１４とドレイン配線（接続配線とも言える）２２を介し
て電気的に接続されている。また、ソース配線３６は電
源供給線２１２に接続して形成、または電流供給線の一
部として形成する。

【００５５】電流制御用ＴＦＴ２０２はＥＬ素子２０３
に注入される電流量を制御するための素子であるが、Ｅ
Ｌ素子の劣化を考慮するとあまり多くの電流を流すこと
は好ましくない。そのため、電流制御用ＴＦＴ２０２に
過剰な電流が流れないように、チャネル長（Ｌ）は長め
に設計することが好ましい。望ましくは一画素あたり
０．５〜２μＡ（好ましくは１〜１．５μＡ）となるよ
うにする。

【００５６】また、スイッチング用ＴＦＴ２０１に形成
されるＬＤＤ領域の長さ（幅）は０．５〜３．５μｍ、
代表的には２．０〜２．５μｍとすれば良い。

【００５７】また、図３に示すように電流制御用ＴＦＴ
２０２のゲート電極３５を含む配線３６は、５０で示さ
れる領域で電流制御用ＴＦＴ２０２の電源供給線２１２
と絶縁膜を挟んで重なる。このとき５０で示される領域
では、保持容量（コンデンサ）が形成される。保持容量
５０は電源供給線２１２と電気的に接続された半導体膜
５１、ゲート絶縁膜と同一層の絶縁膜（図示せず）及び
電源供給線２１２で形成される容量も保持容量として用
いることが可能である。

【００５８】この保持容量５０は、電流制御用ＴＦＴ２
０２のゲート電極３５にかかる電圧を保持するためのコ
ンデンサとして機能する。

【００５９】また、流しうる電流量を多くするという観
点から見れば、電流制御用ＴＦＴ２０２の活性層（特に
チャネル形成領域）の膜厚を厚くする（好ましくは５０
〜１００ｎｍ、さらに好ましくは６０〜８０ｎｍ）こと
も有効である。逆に、スイッチング用ＴＦＴ２０１の場
合はオフ電流値を小さくするという観点から見れば、活
性層（特にチャネル形成領域）の膜厚を薄くする（好ま
しくは２０〜５０ｎｍ、さらに好ましくは２５〜４０ｎ
ｍ）ことも有効である。

【００６０】次に、３８は第１パッシベーション膜であ
り、膜厚は１０ｎｍ〜１０μｍ（好ましくは２００〜５
００ｎｍ）とすれば良い。材料としては、珪素を含む絶
縁膜（特に窒化酸化珪素膜又は窒化珪素膜が好ましい）
を用いることができる。

【００６１】第１パッシベーション膜３８の上には、各
ＴＦＴを覆うような形で第２層間絶縁膜（平坦化膜と言
っても良い）３９を形成し、ＴＦＴによってできる段差
の平坦化を行う。第２層間絶縁膜３９としては、有機樹
脂膜が好ましく、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹
脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を用いると良い。
勿論、十分な平坦化が可能であれば、無機膜を用いても
良い。

【００６２】第２層間絶縁膜３９によってＴＦＴによる
段差を平坦化することは非常に重要である。後に形成さ
れるＥＬ層は非常に薄いため、段差が存在することによ
って発光不良を起こす場合がある。従って、ＥＬ層をで
きるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する
前に平坦化しておくことが望ましい。

【００６３】また、４０は透明導電膜でなる画素電極
（ＥＬ素子の陽極に相当する）であり、第２層間絶縁膜
３９及び第１パッシベーション膜３８にコンタクトホー
ル（開孔）を開けた後、形成された開口部において電流
制御用ＴＦＴ２０２のドレイン配線３７に接続されるよ
うに形成される。

【００６４】本実施例では、画素電極として酸化インジ
ウムと酸化スズの化合物でなる導電膜を用いる。また、
これに少量のガリウムを添加しても良い。さらに酸化イ
ンジウムと酸化亜鉛との化合物や酸化亜鉛と酸化ガリウ
ムの化合物を用いることもできる。

【００６５】画素電極を形成したら、樹脂材料でなるバ
ンクを形成する。バンクは、バンクａ（４１ａ）バンク
ｂ（４１ｂ）のそれぞれエッチング材料に対する選択比
の異なる有機樹脂膜、レジスト材料を用いパターニング
して形成されている。なお、ここでは、バンクａ（４１
ａ）バンクｂ（４１ｂ）を積層させた後エッチングさ
せ、エッチング速度の違いにより図２で示すような形状
を形成させることができる。なお、このときのエッチン
グ速度は、（バンクａを形成する樹脂）＞（バンクｂを
形成する樹脂）なる関係が成り立つようにしておく。こ
のバンクａ（４１ａ）およびバンクｂ（４１ｂ）は、画
素と画素との間に図３（Ｃ）に示すようにストライプ状
に形成される。なお、図３（Ｃ）のｈ１は、０．５〜３
μｍがよく、ＥＬ層、陰極および保護電極を積層した膜
厚よりも大きいことが望ましい。本実施例ではソース配
線２１に沿って形成するがゲート配線３５に沿って形成
しても良い。

【００６６】次にＥＬ層４２が図１で説明したような薄
膜形成方法により形成される。なお、ここでは一画素し
か図示していないが、図１で説明したようにＲ（赤）、
Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応したＥＬ層が形成され
る。

【００６７】まず、試料ボート１１１に備えられたＥＬ
材料が電極１２０による抵抗加熱により気化（蒸発）す
る。この蒸気状態のＥＬ材料が試料ボート１１１から飛
び出す瞬間に試料ボート１１１の開口部に取り付けられ
ている電極１１２による電界の影響で蒸気状態のＥＬ材
料が帯電し、帯電粒子となる。この帯電粒子はマスク１
１３を通過する際に遮断部１１８に電圧がかけられるこ
とにより生じるマスク付近の電界により進行方向を制御
される。

【００６８】なお、試料ボートとマスクの間に電極を設
けて電界を発生させ、試料ボートから放出される蒸気状
態のＥＬ材料の電荷を制御しても良い。

【００６９】結果的には、気体ＥＬ材料は、各遮断部の
隙間を通過して基板上の被形成面に蒸着される。

【００７０】なお、本明細書中でいうマスクの遮断部と
は、マスクの導電性材料で形成されている部分のことを
指し、導電性材料とは、チタン、タンタル、タングステ
ン及びアルミニウムといった材料のことをいう。また、
マスクの開口部は、各遮断部の隙間のことを指してい
る。

【００７１】さらに、本明細書中では、被形成面とは、
画素電極や有機膜の表面の一部であり、薄膜を形成させ
ようとする面のことをいう。

【００７２】また、マスクには、数１０Ｖ〜１０ｋＶの
電圧がかけられていれば良く、好ましくは、１０Ｖ〜１
ｋＶの電圧がかけられているとよい。また、実施者は、
各電極に適宜、これらの範囲で電圧を設定すればよい。

【００７３】本実施例においては、まず、試料ボート１
１１に備えられている赤色ＥＬ材料を気化（蒸発）させ
て蒸着させることで、画素上の赤色に発光する画素列を
形成する。次にマスクを横方向（矢印ｋの方向）に移動
した後、試料ボート１１１に備えられている緑色ＥＬ材
料を蒸着させ、緑色に発光すべき画素列を形成する。さ
らにマスクを横方向（矢印ｋの方向）に移動して試料ボ
ート１１１に備えられている青色ＥＬ材料を蒸着させ、
青色に発光すべき画素列を形成する。

【００７４】なお、ＥＬ材料を備えている試料ボート１
１１は、ＥＬ材料の種類を変える度に一緒に変えても良
いし、試料ボートを変えずにＥＬ材料のみを入れ替えて
用いても良い。

【００７５】また、ここで説明した試料ボート１１１、
マスクは別々に設けられていても良いが、一体形成され
て装置化されていても良い。

【００７６】以上のように、マスクを移動させながら
赤、緑、青色に発光する画素列を色ごとに３回に分けて
蒸着させることで３色のストライプ状のＥＬ層を形成す
る。

【００７７】ＥＬ層とするＥＬ材料としては低分子系材
料を用いるとよい。代表的な低分子系材料としては、ト
リス（８−キノリノナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ）
やビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体（ＢｅＢ
ｑ）といったＥＬ材料などが挙げられる。

【００７８】なお、本実施例では、ＥＬ材料として、赤
色ＥＬ層には、Ａｌｑをホスト材料として赤色の蛍光色
素ＤＣＭをドープしたものを用いた。また、緑色に発光
するＥＬ層には、アルミニウムの８−ヒドロキシキノリ
ン錯体であるＡｌｑを用い、青色に発光するＥＬ層には
亜鉛のベンズオキサゾール錯体（Ｚｎ（ｏｘｚ）₂）を
用いる。

【００７９】但し、以上の例は本実施例のＥＬ層として
用いることのできるＥＬ材料の一例であって、これに限
定する必要はまったくない。

【００８０】つまり、ここでは述べなかったような高分
子有機ＥＬ材料を塗布法で用いたり、高分子材料と併せ
て用いて形成させても良い。

【００８１】さらに、ＥＬ層４２を形成する際、ＥＬ層
は水分や酸素の存在によって容易に劣化してしまうた
め、処理雰囲気は水分や酸素の少ない雰囲気とし、窒素
やアルゴンといった不活性ガス中で行うことが望まし
い。

【００８２】以上のようにしてＥＬ層４２を形成した
ら、次に遮光性導電膜でなる陰極４３、保護電極４４及
び第２パッシベーション膜４５が形成される。本実施例
では陰極４３として、ＭｇＡｇでなる導電膜を用い、保
護電極４４としてアルミニウムからなる導電膜を用い
る。また、第２パッシベーション膜４５としては、１０
ｎｍ〜１０μｍ（好ましくは２００〜５００ｎｍ）の厚
さの窒化珪素膜を用いる。

【００８３】なお、上述のようにＥＬ層は熱に弱いの
で、陰極４３及び第２パッシベーション膜４５はなるべ
く低温（好ましくは室温から１２０℃までの温度範囲）
で成膜するのが望ましい。従って、プラズマＣＶＤ法、
真空蒸着法又は溶液塗布法（スピンコート法）が望まし
い成膜方法と言える。

【００８４】ここまで完成したものをアクティブマトリ
クス基板とよび、アクティブマトリクス基板に対向し
て、対向基板（図示せず）が設けられる。本実施例では
対向基板としてガラス基板を用いる。なお、対向基板と
しては、プラスチックやセラミックスでなる基板を用い
ても良い。

【００８５】また、アクティブマトリクス基板と対向基
板はシール剤（図示せず）によって接着され、密閉空間
（図示せず）が形成される。本実施例では、密閉空間を
アルゴンガスで充填している。勿論、この密閉空間内に
酸化バリウムといった乾燥剤を配置したり酸化防止剤を
配置することも可能である。

【００８６】また、本実施例の構成は、実施例１の構成
と自由に組み合わせることができる。

【００８７】〔実施例３〕ここで、図３（Ｃ）に示した
バンクａ及びバンクｂからなるバンクを形成させる方法
について説明する。バンクａ及びバンクｂはいずれもポ
ジ型のものを用いる。

【００８８】まず、画素電極形成後に、メラミン樹脂か
らなる有機樹脂膜を形成させる。これは、後にバンクａ
を形成する。このメラミン樹脂には、染料を混合させて
おき反射防止膜としての機能を持たせておく。また、こ
れらは、ジメチルアセトアミドといった溶媒に溶解させ
て用いると良い。なお、染料を選択する際には、露光に
用いる光のスペクトルに近い位置に発光スペクトルを持
つ染料を選択する必要がある。

【００８９】次に、メラミン樹脂の上にポリイミドを積
層させる。ここでは、ポリイミドの代わりに感光性ポリ
イミドを用いても良いし、ノボラック系樹脂を用いても
良い。これは、のちにバンクｂを形成する。

【００９０】なお、ここで２層の有機樹脂膜が形成され
る。これを露光してパターニングを行う。パターニング
の際の現像液としては、水溶性のものを用いると良い。
本実施例では、テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイドを用いると良い。これは、水溶性であり、アルカ
リ性であるため本実施例に適している。しかし、現像液
としては、これに限られることはなく、公知の現像液を
用いても良い。

【００９１】現像液で現像することによりバンクａ、及
びバンクｂは図３（Ｃ）に示すような形状になる。これ
は、バンクａに染料を混合させたことにより露光強度が
変化したためであり、現像液で等方的にエッチングされ
るためである。なお、ここで示しているｈ２は、０．５
〜３μｍであることが望ましい。

【００９２】なお、バンクａ及びバンクｂは、上記に示
したように有機樹脂膜の積層構造に限られる必要はな
く、バンクａを酸化珪素や窒化珪素といった無機膜で形
成させた後、バンクｂをポリイミドや、ポリアミド、感
光性樹脂といった有機樹脂膜で形成させても良いし、バ
ンクａ及びバンクｂに用いたこれらの材料を逆に用いて
も良い。

【００９３】また、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例２の構成と自由に組み合わせることができる。

【００９４】〔実施例４〕本発明における画素部とその
周辺に設けられる駆動回路部のＴＦＴを同時に作製する
方法について図４〜図６を用いて説明する。但し、説明
を簡単にするために、駆動回路に関しては基本回路であ
るＣＭＯＳ回路を図示することとする。

【００９５】まず、図４（Ａ）に示すように、ガラス基
板３００上に下地膜３０１を３００ｎｍの厚さに形成す
る。本実施例では下地膜３０１として１００ｎｍ厚の窒
化酸化珪素膜と２００ｎｍの窒化酸化珪素膜とを積層し
て用いる。この時、ガラス基板３００に接する方の窒素
濃度を１０〜２５ｗｔ％としておくと良い。もちろん下
地膜を設けずに石英基板上に直接素子を形成しても良
い。

【００９６】次に下地膜３０１の上に５０ｎｍの厚さの
非晶質珪素膜（図示せず））を公知の成膜法で形成す
る。なお、非晶質珪素膜に限定する必要はなく、非晶質
構造を含む半導体膜（微結晶半導体膜を含む）であれば
良い。さらに非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶
質構造を含む化合物半導体膜でも良い。また、膜厚は２
０〜１００ｎｍの厚さであれば良い。

【００９７】そして、公知の技術により非晶質珪素膜を
結晶化し、結晶質珪素膜（多結晶シリコン膜若しくはポ
リシリコン膜ともいう）３０２を形成する。公知の結晶
化方法としては、電熱炉を使用した熱結晶化方法、レー
ザー光を用いたレーザーアニール結晶化法、赤外光を用
いたランプアニール結晶化法がある。本実施例では、Ｘ
ｅＣｌガスを用いたエキシマレーザー光を用いて結晶化
する。

【００９８】なお、本実施例では線状に加工したパルス
発振型のエキシマレーザー光を用いるが、矩形であって
も良いし、連続発振型のアルゴンレーザー光や連続発振
型のエキシマレーザー光を用いることもできる。

【００９９】本実施例では結晶質珪素膜をＴＦＴの活性
層として用いるが、非晶質珪素膜を用いることも可能で
ある。また、オフ電流を低減する必要のあるスイッチン
グ用ＴＦＴの活性層を非晶質珪素膜で形成し、電流制御
用ＴＦＴの活性層を結晶質珪素膜で形成することも可能
である。非晶質珪素膜はキャリア移動度が低いため電流
を流しにくくオフ電流が流れにくい。即ち、電流を流し
にくい非晶質珪素膜と電流を流しやすい結晶質珪素膜の
両者の利点を生かすことができる。

【０１００】次に、図４（Ｂ）に示すように、結晶質珪
素膜３０２上に酸化珪素膜でなる保護膜３０３を１３０
ｎｍの厚さに形成する。この厚さは１００〜２００ｎｍ
（好ましくは１３０〜１７０ｎｍ）の範囲で選べば良
い。また、珪素を含む絶縁膜であれば他の膜でも良い。
この保護膜３０３は不純物を添加する際に結晶質珪素膜
が直接プラズマに曝されないようにするためと、微妙な
濃度制御を可能にするために設ける。

【０１０１】そして、その上にレジストマスク３０４
a、３０４bを形成し、保護膜３０３を介してｎ型を付与
する不純物元素（以下、ｎ型不純物元素という）を添加
する。なお、ｎ型不純物元素としては、代表的には１５
族に属する元素、典型的にはリン又は砒素を用いること
ができる。なお、本実施例ではホスフィン（ＰＨ₃）を
質量分離しないでプラズマ励起したプラズマ（イオン）
ドーピング法を用い、リンを１×１０¹⁸atoms/cm³の濃
度で添加する。勿論、質量分離を行うイオンインプラン
テーション法を用いても良い。

【０１０２】この工程により形成されるｎ型不純物領域
３０５には、ｎ型不純物元素が２×１０¹⁶〜５×１０¹⁹
atoms/cm³（代表的には５×１０¹⁷〜５×１０¹⁸atoms/c
m³）の濃度で含まれるようにドーズ量を調節する。

【０１０３】次に、図４（Ｃ）に示すように、保護膜３
０３およびレジスト３０４ａ、３０４ｂを除去し、添加
した１５族に属する元素の活性化を行う。活性化手段は
公知の技術を用いれば良いが、本実施例ではエキシマレ
ーザー光の照射により活性化する。勿論、パルス発振型
でも連続発振型でも良いし、エキシマレーザー光に限定
する必要はない。但し、添加された不純物元素の活性化
が目的であるので、結晶質珪素膜が溶融しない程度のエ
ネルギーで照射することが好ましい。なお、保護膜３０
３をつけたままレーザー光を照射しても良い。

【０１０４】なお、このレーザー光による不純物元素の
活性化に際して、熱処理による活性化を併用しても構わ
ない。熱処理による活性化を行う場合は、基板の耐熱性
を考慮して４５０〜５５０℃程度の熱処理を行えば良
い。

【０１０５】この工程によりｎ型不純物領域３０５の端
部、即ち、ｎ型不純物領域３０５、の周囲に存在するｎ
型不純物元素を添加していない領域との境界部（接合
部）が明確になる。このことは、後にＴＦＴが完成した
時点において、ＬＤＤ領域とチャネル形成領域とが非常
に良好な接合部を形成しうることを意味する。

【０１０６】次に、図４（Ｄ）に示すように、結晶質珪
素膜の不要な部分を除去して、島状の半導体膜（以下、
活性層という）３０６〜３０９を形成する。

【０１０７】次に、図４（Ｅ）に示すように、活性層３
０６〜３０９を覆ってゲート絶縁膜３１０を形成する。
ゲート絶縁膜３１０としては、１０〜２００ｎｍ、好ま
しくは５０〜１５０ｎｍの厚さの珪素を含む絶縁膜を用
いれば良い。これは単層構造でも積層構造でも良い。本
実施例では１１０ｎｍ厚の窒化酸化珪素膜を用いる。

【０１０８】次に、２００〜４００ｎｍ厚の導電膜を形
成し、パターニングしてゲート電極３１１〜３１５を形
成する。このゲート電極３１１〜３１５の端部をテーパ
ー状にすることもできる。なお、本実施例ではゲート電
極と、ゲート電極に電気的に接続された引き回しのため
の配線（以下、ゲート配線という）とを別の材料で形成
する。具体的にはゲート電極よりも低抵抗な材料をゲー
ト配線として用いる。これは、ゲート電極としては微細
加工が可能な材料を用い、ゲート配線には微細加工はで
きなくとも配線抵抗が小さい材料を用いるためである。
勿論、ゲート電極とゲート配線とを同一材料で形成して
も構わない。

【０１０９】また、ゲート電極は単層の導電膜で形成し
ても良いが、必要に応じて二層、三層といった積層膜と
することが好ましい。ゲート電極の材料としては公知の
あらゆる導電膜を用いることができる。ただし、上述の
ように微細加工が可能、具体的には２μm以下の線幅に
パターニング可能な材料が好ましい。

【０１１０】代表的には、タンタル（Ｔａ）、チタン
（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、
クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素で
なる膜、または前記元素の窒化物膜（代表的には窒化タ
ンタル膜、窒化タングステン膜、窒化チタン膜）、また
は前記元素を組み合わせた合金膜（代表的にはＭｏ−Ｗ
合金、Ｍｏ−Ｔａ合金）、または前記元素のシリサイド
膜（代表的にはタングステンシリサイド膜、チタンシリ
サイド膜）を用いることができる。勿論、単層で用いて
も積層して用いても良い。

【０１１１】本実施例では、５０ｎｍ厚の窒化タンタル
（ＴａＮ）膜と、３５０ｎｍ厚のタンタル（Ｔａ）膜と
でなる積層膜を用いる。これはスパッタ法で形成すれば
良い。また、スパッタガスとしてＸｅ、Ｎｅ等の不活性
ガスを添加すると応力による膜はがれを防止することが
できる。

【０１１２】またこの時、ゲート電極３１２はｎ型不純
物領域３０５の一部とゲート絶縁膜３１０を挟んで重な
るように形成する。この重なった部分が後にゲート電極
と重なったＬＤＤ領域となる。なお、ゲート電極３１
３，３１４は、断面では、二つに見えるが実際には電気
的に接続されている。

【０１１３】次に、図５（Ａ）に示すように、ゲート電
極３１１〜３１５をマスクとして自己整合的にｎ型不純
物元素（本実施例ではリン）を添加する。こうして形成
される不純物領域３１６〜３２３にはｎ型不純物領域３
０５の１／２〜１／１０（代表的には１／３〜１／４）
の濃度でリンが添加されるように調節する。具体的に
は、１×１０¹⁶〜５×１０¹⁸atoms/cm³（典型的には３
×１０¹⁷〜３×１０¹⁸atoms/cm³）の濃度が好ましい。

【０１１４】次に、図５（Ｂ）に示すように、ゲート電
極等を覆う形でレジストマスク３２４a〜３２４ｄを形
成し、ｎ型不純物元素（本実施例ではリン）を添加して
高濃度にリンを含む不純物領域３２５〜３２９を形成す
る。ここでもホスフィン（ＰＨ₃）を用いたイオンドー
プ法で行い、この領域のリンの濃度は１×１０²⁰〜１×
１０²¹atoms/cm³（代表的には２×１０²⁰〜５×１０²¹a
toms/cm³）となるように調節する。

【０１１５】この工程によってｎチャネル型ＴＦＴのソ
ース領域若しくはドレイン領域が形成されるが、スイッ
チング用ＴＦＴでは、図５（Ａ）の工程で形成したｎ型
不純物領域３１９〜３２１の一部を残す。この残された
領域が、図５におけるスイッチング用ＴＦＴ２０１のＬ
ＤＤ領域１５a〜１５dに対応する。

【０１１６】次に、図５（Ｃ）に示すように、レジスト
マスク３２４a〜３２４ｄを除去し、新たにレジストマ
スク３３２を形成する。そして、ｐ型不純物元素（本実
施例ではボロン）を添加し、高濃度にボロンを含む不純
物領域３３３〜３３６を形成する。ここではジボラン
（Ｂ₂Ｈ₆）を用いたイオンドープ法により３×１０²⁰〜
３×１０²¹atoms/cm³（代表的には５×１０²⁰〜１×１
０²¹atoms/cm³ノ）濃度となるようにボロンを添加する。

【０１１７】なお、不純物領域３３３〜３３６には既に
１×１０²⁰〜１×１０²¹atoms/cm³の濃度でリンが添加
されているが、ここで添加されるボロンはその少なくと
も３倍以上の濃度で添加される。そのため、予め形成さ
れていたｎ型の不純物領域は完全にｐ型に反転し、ｐ型
の不純物領域として機能する。

【０１１８】次に、レジストマスク３３２を除去した
後、それぞれの濃度で添加されたｎ型またはｐ型不純物
元素を活性化する。活性化手段としては、ファーネスア
ニール法、レーザーアニール法、またはランプアニール
法で行うことができる。本実施例では電熱炉において窒
素雰囲気中、５５０℃、４時間の熱処理を行う。

【０１１９】このとき雰囲気中の酸素を極力排除するこ
とが重要である。なぜならば酸素が少しでも存在してい
ると露呈したゲート電極の表面が酸化され、抵抗の増加
を招くと共に後にオーミックコンタクトを取りにくくな
るからである。従って、上記活性化工程における処理雰
囲気中の酸素濃度は１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐ
ｐｍ以下とすることが望ましい。

【０１２０】次に、活性化工程が終了したら図５（Ｄ）
に示すように３００ｎｍ厚のゲート配線３３７を形成す
る。ゲート配線３３７の材料としては、アルミニウム
（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）を主成分（組成として５０〜１
００％を占める。）とする金属を用いれば良い。配置と
しては図３のようにゲート配線２１１とスイッチング用
ＴＦＴのゲート電極１９a、１９b（図４（Ｅ）の３１
３、３１４）が電気的に接続するように形成する。

【０１２１】このような構造とすることでゲート配線の
配線抵抗を非常に小さくすることができるため、面積の
大きい画像表示領域（画素部）を形成することができ
る。即ち、画面の大きさが対角１０インチ以上（さらに
は３０インチ以上）のＥＬ表示装置を実現する上で、本
実施例の画素構造は極めて有効である。

【０１２２】次に、図６（Ａ）に示すように、第１層間
絶縁膜３３８を形成する。第１層間絶縁膜３３８として
は、珪素を含む絶縁膜を単層で用いるか、２種類以上の
珪素を含む絶縁膜を組み合わせた積層膜を用いれば良
い。また、膜厚は４００ｎｍ〜１．５μmとすれば良
い。本実施例では、２００ｎｍ厚の窒化酸化珪素膜の上
に８００ｎｍ厚の酸化珪素膜を積層した構造とする。

【０１２３】さらに、３〜１００％の水素を含む雰囲気
中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行
い、水素化処理をする。この工程は熱的に励起された水
素により半導体膜の不対結合手を水素終端する工程であ
る。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズ
マ化して生成された水素を用いる）を行っても良い。

【０１２４】なお、水素化処理は第１層間絶縁膜３３８
を形成する間に入れても良い。即ち、２００ｎｍ厚の窒
化酸化珪素膜を形成した後で上記のように水素化処理を
行い、その後で残り８００ｎｍ厚の酸化珪素膜を形成し
てもよい。

【０１２５】次に、第１層間絶縁膜３３８及びゲート絶
縁膜３１０に対してコンタクトホールを形成し、ソース
配線３３９〜３４２と、ドレイン配線３４３〜３４５を
形成する。なお、本実施例ではこの電極を、Ｔｉ膜を１
００ｎｍ、Ｔｉを含むアルミニウム膜を３００ｎｍ、Ｔ
ｉ膜１５０ｎｍをスパッタ法で連続形成した３層構造の
積層膜とする。勿論、他の導電膜でも良い。

【０１２６】次に、５０〜５００ｎｍ（代表的には２０
０〜３００ｎｍ）の厚さで第１パッシベーション膜３４
６を形成する。本実施例では第１パッシベーション膜３
４６として３００ｎｍ厚の窒化酸化珪素膜を用いる。こ
れは窒化珪素膜で代用しても良い。

【０１２７】なお、窒化酸化珪素膜の形成に先立ってＨ
₂、ＮＨ₃等水素を含むガスを用いてプラズマ処理を行う
ことは有効である。この前処理により励起された水素が
第１層間絶縁膜３３８に供給され、熱処理を行うこと
で、第１パッシベーション膜３４６の膜質が改善され
る。それと同時に、第１層間絶縁膜３３８に添加された
水素が下層側に拡散するため、効果的に活性層を水素化
することができる。

【０１２８】次に、図６（Ｂ）に示すように有機樹脂か
らなる第２層間絶縁膜３４７を形成する。有機樹脂とし
てはポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ＢＣＢ
（ベンゾシクロブテン）等を使用することができる。特
に、第２層間絶縁膜３４７は平坦化の意味合いが強いの
で、平坦性に優れたアクリル樹脂が好ましい。本実施例
ではＴＦＴによって形成される段差を十分に平坦化しう
る膜厚でアクリル樹脂膜を形成する。好ましくは１〜５
μm（さらに好ましくは２〜４μm）とすれば良い。

【０１２９】次に、第２層間絶縁膜３４７及び第１パッ
シベーション膜３４６に対してコンタクトホールを形成
し、ドレイン配線３４５と電気的に接続される画素電極
３４８を形成する。本実施例では酸化インジウム・スズ
（ＩＴＯ）膜を１１０ｎｍの厚さに形成し、パターニン
グを行って画素電極とする。また、酸化インジウムに２
〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した化合物や、酸
化亜鉛と酸化ガリウムからなる化合物を透明電極として
用いても良い。この画素電極がＥＬ素子の陽極となる。

【０１３０】次に、図６（Ｃ）に示すように、樹脂材料
でなるバンクａ（３４９ａ）及びバンクｂ（３４９ｂ）
を形成する。バンクａ（３４９ａ）及びバンクｂ（３４
９ｂ）は合計で１〜２μm厚のアクリル樹脂膜またはポ
リイミド膜といった膜を積層した後、パターニングして
形成すれば良い。なお、バンクａ（３４９ａ）を形成さ
せる膜は、バンクｂ（３４９ｂ）を形成させる膜よりも
同一のエッチング材料にたいしてエッチング速度の速い
材料を選択する必要がある。このバンクａ（３４９ａ）
及びバンクｂ（３４９ｂ）は図６に示したように、画素
と画素との間にストライプ状に形成される。本実施例で
はソース配線３４１に沿って形成するがゲート配線３３
７に沿って形成しても良い。

【０１３１】次に、ＥＬ層３５０を、図１で説明した薄
膜形成方法により形成する。なお、ここでは一画素しか
図示していないが、図１で説明したようにＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の各色に対応したＥＬ層が形成され
る。

【０１３２】まず、試料ボートに備えられたＥＬ材料が
電極からの抵抗加熱により蒸発し、蒸気状態のＥＬ材料
となる。この蒸気状態のＥＬ材料を意図的に帯電させた
後、放出される。放出された蒸気状態のＥＬ材料は電圧
がかけられているマスクを通過した後、基板１１０上の
画素部に蒸着される。なお、蒸気状態のＥＬ材料は、マ
スクを通過する際にマスク付近の電界により進行方向を
制御される。

【０１３３】本実施例においては、まず、試料ボートか
ら赤色ＥＬ材料を蒸気状態のＥＬ材料として放出させ、
画素上の赤色に発光する画素列を形成する。次にマスク
を横方向に移動した後、試料ボートから緑色ＥＬ材料を
蒸着させ、緑色に発光すべき画素列を形成する。さらに
マスクを横方向に移動して試料ボートから青色ＥＬ材料
を蒸着させ、青色に発光すべき画素列を形成する。

【０１３４】以上のように、マスクを移動させながら
赤、緑、青色に発光する画素列を色ごとに３回に分けて
蒸着させることで３色のストライプ状のＥＬ層を形成す
る。

【０１３５】なお、本実施例では一画素しか図示されて
いないが、同じ色に発光するＥＬ層は、このとき同時に
形成される。

【０１３６】なお、本実施例では、ＥＬ材料として、赤
色ＥＬ層には、Ａｌｑをホスト材料として赤色の蛍光色
素ＤＣＭをドープしたものを用いた。また、緑色に発光
するＥＬ層には、アルミニウムの８−ヒドロキシキノリ
ン錯体であるＡｌｑを用い、青色に発光するＥＬ層には
亜鉛のベンズオキサゾール錯体（Ｚｎ（ｏｘｚ）₂）を
用い、各々５０ｎｍの厚さに形成する。

【０１３７】ＥＬ層３５０としては公知の材料を用いる
ことができる。公知の材料としては、駆動電圧を考慮す
ると有機材料を用いるのが好ましい。なお、本実施例で
はＥＬ層３５０を上記ＥＬ層のみの単層構造とするが、
必要に応じて電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正
孔注入層、電子阻止層もしくは正孔素子層を設けても良
い。また、本実施例ではＥＬ素子の陰極３５１としてＭ
ｇＡｇ電極を用いた例を示すが、公知の他の材料であっ
ても良い。

【０１３８】又、ＥＬ層は、各色のＥＬ層ごとに蒸着を
行うがこれらの電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、
正孔注入層、電子阻止層もしくは正孔素子層は、ＥＬ層
の色に関係なく同一材料をスピンコート法、蒸着法とい
った方法を用いて、一度に形成させてもよい。

【０１３９】ＥＬ層３５０を形成した後、陰極（ＭｇＡ
ｇ電極）３５１を真空蒸着法を用いて形成する。なお、
ＥＬ層３５０の膜厚は８０〜２００ｎｍ（典型的には１
００〜１２０ｎｍ）、陰極３５１の厚さは１８０〜３０
０ｎｍ（典型的には２００〜２５０ｎｍ）とすれば良
い。

【０１４０】さらに、陰極３５１上には、保護電極３５
２を設ける。保護電極３５２としてはアルミニウムを主
成分とする導電膜を用いれば良い。保護電極３５２は、
マスクを用いて真空蒸着法で形成すれば良い。

【０１４１】最後に、窒化珪素膜でなる第２パッシベー
ション膜３５３を３００ｎｍの厚さに形成する。実際に
は保護電極３５２がＥＬ層を水分等から保護する役割を
果たすが、さらに第２パッシベーション膜３５３を形成
しておくことで、ＥＬ素子の信頼性をさらに高めること
ができる。

【０１４２】画素部のＴＦＴとして、ｎチャネル型のス
イッチング用ＴＦＴの断面構造を図７に示した。

【０１４３】まず、図７に示したスイッチング用ＴＦＴ
であるが、図７（Ａ）は、ＬＤＤ領域１５ａ〜１５ｄが
ゲート絶縁膜１８を挟んでゲート電極１９ａ及び１９ｂ
と重ならないように設けられている。このような構造
は、オフ電流値を低減する上で非常に効果的である。

【０１４４】これに対して、図７（Ｂ）には、これらの
ＬＤＤ領域１５ａ〜１５ｄは設けられていない。図７
（Ｂ）の構造とする場合には、図７（Ａ）の構造を形成
させる場合に比べて工程を減らすことができるので生産
効率を向上させることができる。

【０１４５】本実施例において、スイッチング用ＴＦＴ
としては、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）のどちらの構造を
用いても良い。

【０１４６】次に、画素部のＴＦＴとして、図８には、
ｎチャネル型の電流制御用ＴＦＴの断面構造図を示す。

【０１４７】図８（Ａ）に示した電流制御用ＴＦＴにお
いて、ドレイン領域３２とチャネル形成領域３４との間
にＬＤＤ領域３３が設けられる。ここでは、ＬＤＤ領域
３３がゲート絶縁膜１８を挟んでゲート電極３５に重な
っている領域と重なっていない領域とを有する構造を示
したが、図８（Ｂ）に示すようにＬＤＤ領域３３を設け
ない構造としてもよい。

【０１４８】電流制御用ＴＦＴは、ＥＬ素子を発光させ
るための電流を供給すると同時に、その供給量を制御し
て階調表示を可能とする。そのため、電流を流しても劣
化しないようにホットキャリア注入による劣化対策を講
じておく必要がある

【０１４９】ホットキャリア注入による劣化に関して
は、ゲート電極に対してＬＤＤ領域が重なった構造が非
常に効果的であることが知られている。そのため、図８
（Ａ）に示したようにゲート絶縁膜１８を挟んでゲート
電極３５に重なっている領域にＬＤＤ領域を設けるとい
う構造が適当であるが、ここではオフ電流対策としてゲ
ート電極に重ならないＬＤＤ領域も設けるという構造を
示した。しかし、ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域
は、必ずしも設けなくて良い。また、場合によっては、
図８（Ｂ）に示すようにこれらのＬＤＤ領域を設けなく
ても良い。

【０１５０】本実施例の場合、図６（Ｃ）に示すよう
に、ｎチャネル型２０５の活性層は、ソース領域３５
５、ドレイン領域３５６、ＬＤＤ領域３５７及びチャネ
ル形成領域３５８を含み、ＬＤＤ領域３５７はゲート絶
縁膜３１０を挟んでゲート電極３１２と重なっている。

【０１５１】ドレイン領域側のみにＬＤＤ領域を形成し
ているのは、動作速度を落とさないための配慮である。
また、このｎチャネル型ＴＦＴ２０５はオフ電流値をあ
まり気にする必要はなく、それよりも動作速度を重視し
た方が良い。従って、ＬＤＤ領域３５７は完全にゲート
電極に重ねてしまい、極力抵抗成分を少なくすることが
望ましい。即ち、いわゆるオフセットはなくした方がよ
い。

【０１５２】こうして図６（Ｃ）に示すような構造のア
クティブマトリクス基板が完成する。なお、バンク３４
９を形成した後、パッシベーション膜３５３を形成する
までの工程をマルチチャンバー方式（またはインライン
方式）の薄膜形成装置を用いて、大気解放せずに連続的
に処理することは有効である。

【０１５３】ところで、本実施例のアクティブマトリク
ス基板は、画素部だけでなく駆動回路部にも最適な構造
のＴＦＴを配置することにより、非常に高い信頼性を示
し、動作特性も向上しうる。

【０１５４】まず、極力動作速度を落とさないようにホ
ットキャリア注入を低減させる構造を有するＴＦＴを、
駆動回路部を形成するＣＭＯＳ回路のｎチャネル型ＴＦ
Ｔ２０５として用いる。なお、ここでいう駆動回路とし
ては、シフトレジスタ、バッファ、レベルシフタ、サン
プリング回路（サンプル及びホールド回路）などが含ま
れる。デジタル駆動を行う場合には、Ｄ／Ａコンバータ
などの信号変換回路も含まれうる。

【０１５５】なお、実際には図６（Ｃ）まで完成した
ら、さらに外気に曝されないように気密性の高いガラ
ス、石英、プラスチックといったカバー材でパッケージ
ング（封入）することが好ましい。その際、カバー材の
内部に酸化バリウムといった吸湿剤や酸化防止剤を配置
するとよい。

【０１５６】また、パッケージング等の処理により気密
性を高めたら、絶縁体上に形成された素子又は回路から
引き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコ
ネクター（フレキシブルプリントサーキット：ＦＰＣ）
を取り付けて製品として完成する。このような出荷でき
る状態にまでした状態を本明細書中ではＥＬ表示装置
（またはＥＬモジュール）をという。

【０１５７】ここで本実施例のアクティブマトリクス型
ＥＬ表示装置の構成を図９の斜視図を用いて説明する。
本実施例のアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置は、ガ
ラス基板６０１上に形成された、画素部６０２と、ゲー
ト側駆動回路６０３と、ソース側駆動回路６０４を含
む。画素部のスイッチング用ＴＦＴ６０５はｎチャネル
型ＴＦＴであり、ゲート側駆動回路６０３に接続された
ゲート配線６０６、ソース側駆動回路６０４に接続され
たソース配線６０７の交点に配置されている。また、ス
イッチング用ＴＦＴ６０５のドレインは電流制御用ＴＦ
Ｔ６０８のゲートに接続されている。

【０１５８】さらに、電流制御用ＴＦＴ６０８のソース
側は電源供給線６０９に接続される。本実施例のような
構造では、電源供給線６０９には接地電位（アース電
位）が与えられている。また、電流制御用ＴＦＴ６０８
のドレインにはＥＬ素子６１０が接続されている。ま
た、このＥＬ素子６１０の陽極には所定の電圧（３〜１
２Ｖ、好ましくは３〜５Ｖ）が加えられる。

【０１５９】そして、外部入出力端子となるＦＰＣ６１
１には駆動回路部まで信号を伝達するための接続配線６
１２、６１３、及び電源供給線６０９に接続された接続
配線６１４が設けられている。

【０１６０】また、図９に示したＥＬ表示装置の回路構
成の一例を図１０に示す。本実施例のＥＬ表示装置は、
ソース側駆動回路８０１、ゲート側駆動回路（Ａ）８０
７、ゲート側駆動回路（Ｂ）８１１、画素部８０６を有
している。なお、本明細書中において、駆動回路部とは
ソース側処理回路およびゲート側駆動回路を含めた総称
である。

【０１６１】ソース側駆動回路８０１は、シフトレジス
タ８０２、レベルシフタ８０３、バッファ８０４、サン
プリング回路（サンプル及びホールド回路）８０５を備
えている。また、ゲート側駆動回路（Ａ）８０７は、シ
フトレジスタ８０８、レベルシフタ８０９、バッファ８
１０を備えている。ゲート側駆動回路（Ｂ）８１１も同
様な構成である。

【０１６２】ここでシフトレジスタ８０２、８０８は駆
動電圧が５〜１６Ｖ（代表的には１０Ｖ）であり、回路
を形成するＣＭＯＳ回路に使われるｎチャネル型ＴＦＴ
は図６（Ｃ）の２０５で示される構造が適している。

【０１６３】また、レベルシフタ８０３、８０９、バッ
ファ８０４、８１０はシフトレジスタと同様に、図６
（Ｃ）のｎチャネル型ＴＦＴ２０５を含むＣＭＯＳ回路
が適している。なお、ゲート配線をダブルゲート構造、
トリプルゲート構造といったマルチゲート構造とするこ
とは、各回路の信頼性を向上させる上で有効である。

【０１６４】また、画素部８０６は図５に示した構造の
画素を配置する。

【０１６５】なお、上記構成は、図４〜６に示した作製
工程に従ってＴＦＴを作製することによって容易に実現
することができる。また、本実施例では画素部と駆動回
路部の構成のみ示しているが、本実施例の作製工程に従
えば、その他にも信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ回
路、オペアンプ回路、γ補正回路など駆動回路以外の論
理回路を同一絶縁体上に形成することが可能であり、さ
らにはメモリ部やマイクロプロセッサ等を形成しうると
考えている。

【０１６６】さらに、カバー材をも含めた本実施例のＥ
Ｌモジュールについて図１１（Ａ）、（Ｂ）を用いて説
明する。なお、必要に応じて図９、図１０で用いた符号
を引用することにする。

【０１６７】図１１（Ａ）は、図９に示した状態にシー
リング構造を設けた状態を示す上面図である。点線で示
された６０２は画素部、６０３はゲート側駆動回路、６
０４はソース側駆動回路である。本実施例のシーリング
構造は、図９の状態に対してカバー材１１０１、シール
材（図示せず）を設けた構造である。

【０１６８】ここで、図１１（Ａ）をＡ−Ａ’で切断し
た断面図を図１１（Ｂ）に示す。なお、図１１（Ａ）、
（Ｂ）では同一の部位に同一の符号を用いている。

【０１６９】図１１（Ｂ）に示すように、基板６０１上
には画素部６０２、ゲート側駆動回路６０３が形成され
ており、画素部６０２は電流制御用ＴＦＴ２０２とそれ
に電気的に接続された画素電極３４６を含む複数の画素
により形成される。また、ゲート側駆動回路６０３はｎ
チャネル型ＴＦＴ２０５とｐチャネル型ＴＦＴ２０６と
を相補的に組み合わせたＣＭＯＳ回路を用いて形成され
る。

【０１７０】画素電極３４８はＥＬ素子の陽極として機
能する。また、画素電極３４８間の隙間にはバンクａ
（３４９ａ）及びバンクｂ（３４９ｂ）が形成され、バ
ンクａ（３４９ａ）及びバンクｂ（３４９ｂ）の内側に
ＥＬ層３５０、陰極３５１が形成される。また、その上
には保護電極３５２、第２パッシベーション膜３５３が
形成される。勿論、発明の実施の形態にも述べたように
ＥＬ素子の構造を反対とし、画素電極を陰極としても構
わない。

【０１７１】本実施例の場合、保護電極３５２は画素列
ごとに共通の配線としても機能し、接続配線６１２を経
由してＦＰＣ６１１に電気的に接続されている。さら
に、画素部６０２及びゲート側駆動回路６０３に含まれ
る素子は全て第２パッシベーション膜３５３で覆われて
いる。この第２パッシベーション膜３５３は省略するこ
とも可能であるが、各素子を外部と遮断する上で設けた
方が好ましい。

【０１７２】また、シール材１００４によりカバー材１
００１が貼り合わされている。なお、カバー材１００１
と発光素子との間隔を確保するために樹脂膜からなるス
ペーサを設けても良い。なお、シール材１００４の内側
１１０３は密閉された空間になっており、窒素やアルゴ
ンなどの不活性ガスが充填されている。また、この密閉
された空間１１０３の中に酸化バリウムに代表される吸
湿材を設けることも有効である。

【０１７３】さらに、この空間１１０３には充填材を設
けることも可能である。充填材としては、ＰＶＣ（ポリ
ビニルクロライド）、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、
ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレン
ビニルアセテート）を用いることができる。

【０１７４】また、本実施例ではカバー材１１０１とし
ては、ガラス、プラスチック、およびセラミックスでな
る材料を用いることができる。

【０１７５】シール材１１０４としては、光硬化性樹脂
を用いるのが好ましいが、ＥＬ層の耐熱性が許せば熱硬
化性樹脂を用いても良い。なお、シール材１１０４はで
きるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ま
しい。また、シール材１１０４の内部に乾燥剤を添加し
ても良い。

【０１７６】以上のような方式を用いてＥＬ素子を封止
することにより、ＥＬ素子を外部から完全に遮断するこ
とができ、外部から水分や酸素等のＥＬ層の酸化による
劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従
って、信頼性の高いＥＬ表示装置を作製することができ
る。なお、本実施例において、赤色、緑色または青色に
発光する三種類のストライプ状のＥＬ層をそれぞれ縦方
向に形成する例を示したが横方向に形成しても良い。

【０１７７】また、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例３の構成と自由に組み合わせることができる。

【０１７８】〔実施例５〕図１１（Ａ）の向きに本発明
のアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置を見た時、画素
列は縦方向にストライプ状に形成しても良いし、デルタ
配置になるように形成しても良い。

【０１７９】ここで、基板上に赤、緑、青の三色の画素
がストライプ状に形成される様子を説明する。なお、画
素の色は、必ずしも三色である必要はなく、一色また
は、二色であってもよい。また、色は、赤、緑、青に限
られることはなく、黄色、オレンジ、グレーといった他
の色を用いてもよい。

【０１８０】なお、基板、ＥＬ材料が備えられている試
料ボート及び蒸気状態のＥＬ材料を制御するためのマス
クの位置関係は図１（Ａ）に示す通りである。

【０１８１】まず、試料ボートに赤色ＥＬ層用ＥＬ材料
を備えておき、試料ボートで気化されると試料ボートか
ら蒸気状態のＥＬ材料が放出される。このときマスクに
は、それぞれ所定の電圧がかけられているので、放出さ
れた蒸気状態のＥＬ材料は、マスクに到達したところで
電界により制御されてマスクを通過して所望の画素部に
到達する。これにより、画素部の所望の位置への蒸着制
御が可能となる。マスクには、数１０Ｖ〜１０ｋＶの電
圧がかけられていれば良い。

【０１８２】まず、赤色ＥＬ材料を蒸着させる。マスク
には電圧がかけられているので選択的に画素部の所望の
位置にＥＬ材料を蒸着させることができる。

【０１８３】また、ストライプ状のＥＬ層を画素部７０
４に形成させるマスクとしては、図１２（Ａ）に示すス
トライプ状用マスク５００を用いると良い。なお、マス
クとしては、デルタ配置の画素形成が可能なマスクを用
いても良い。

【０１８４】本実施例では、図１２（Ａ）で示したスト
ライプ状用マスク５００を用いて、まず、赤色ＥＬ材料
を蒸着させ、次にストライプ状用マスク５００を矢印ｉ
で示す横方向に１画素列分移動させた後、緑色ＥＬ材料
を蒸着させる。そして、この後で、マスク５００を矢印
ｉで示す横方向にさらに１画素列分移動させた後、青色
ＥＬ材料を蒸着させて、画素部に赤、緑、青でなるスト
ライプ状のＥＬ層を形成させる。

【０１８５】なお、これらのマスクを用いて赤色ＥＬ材
料、緑ＥＬ材料及び青色ＥＬ材料を画素部に形成させる
ことで、図１３（Ａ）に示すように画素部にストライプ
状の画素を形成させることができる。

【０１８６】また、ストライプ状のＥＬ層を画素部７０
４に形成させるマスクとしては、図１２（Ａ）に示すス
トライプ状用マスク５００を用い、デルタ配置の画素を
形成させるマスクとしては、図１２（Ｂ）に示すデルタ
配置用マスク５０１を用いると良い。

【０１８７】図１３（Ａ）において、７０４aは赤色に
発光するＥＬ層、７０４bは緑色に発光するＥＬ層であ
り、さらに青色に発光するＥＬ層７０４ｃが形成され
る。なお、バンク（図示せず）は絶縁膜を介したソース
配線の上方に、ソース配線に沿って縦方向にストライプ
状に形成されている。

【０１８８】ここでいうＥＬ層とは、ＥＬ層、電荷注入
層、電荷輸送層等の発光に寄与する有機ＥＬ材料でなる
層を指している。ＥＬ層単層とする場合もありうるが、
例えば正孔注入層とＥＬ層とを積層した場合は、その積
層膜をＥＬ層と呼ぶ。

【０１８９】このとき、同じ色のライン状に隣り合う画
素の相互の距離（Ｄ）は、ＥＬ層の膜厚（ｔ）の５倍以
上（好ましくは１０倍以上）とすることが望ましい。こ
れは、Ｄ＜５ｔでは画素間でクロストークの問題が発生
しうるからである。なお、距離（Ｄ）が離れすぎても高
精細な画像が得られなくなるので、５ｔ＜Ｄ＜５０ｔ
（好ましくは１０ｔ＜Ｄ＜３５ｔ）とすることが好まし
い。

【０１９０】また、バンクを横方向にストライプ状に形
成し、赤色に発光するＥＬ層、緑色に発光するＥＬ層及
び青色に発光するＥＬ層をそれぞれ横に形成させても良
い。このときバンク（図示せず）は絶縁膜を介したゲー
ト配線の上方に、ゲート配線に沿って形成される。

【０１９１】この場合も同じ色のライン状に隣り合う画
素の相互の距離（Ｄ）は、ＥＬ層の膜厚（ｔ）の５倍以
上（好ましくは１０倍以上）、さらに好ましくは５ｔ＜
Ｄ＜５０ｔ（好ましくは１０ｔ＜Ｄ＜３５ｔ）とすると
良い。

【０１９２】本実施例のようにＥＬ層を蒸着により形成
する際の蒸気状態のＥＬ材料を電気的に制御することで
蒸着位置の制御が可能となる。

【０１９３】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例４のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施するこ
とが可能である。

【０１９４】〔実施例６〕本実施例では本発明をパッシ
ブ型（単純マトリクス型）のＥＬ表示装置に用いた場合
について説明する。説明には図１４を用いる。図１４に
おいて、１３０１はプラスチックでなる基板、１３０２
は透明導電膜でなる陽極である。本実施例では、透明導
電膜として酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物を蒸着
法により形成する。なお、図１４では図示されていない
が、複数本の陽極が紙面と平行な方向へストライプ状に
配列されている。

【０１９５】また、ストライプ状に配列された陰極１３
０５の間を埋めるように紙面に垂直な方向にバンクａ
（１３０３ａ）及びバンクｂ（１３０３ｂ）でなるバン
クが形成される。

【０１９６】次に、ＥＬ材料でなるＥＬ層１３０４a〜
１３０４cが図１に示したように蒸着法により形成され
る。なお、１３０４aは赤色に発光するＥＬ層、１３０
４bは緑色に発光するＥＬ層、１３０４cは青色に発光す
るＥＬ層である。用いる有機ＥＬ材料は実施例１と同様
のものを用いれば良い。これらのＥＬ層はバンクａ（１
３０３ａ）及びバンクｂ（１３０３ｂ）によって形成さ
れた溝に沿って形成されるため、紙面に垂直な方向にス
トライプ状に配列される。

【０１９７】なお、本実施例において、ＥＬ材料が陽極
上に蒸着される位置をマスクで制御するだけでなく、陽
極上に電圧をかけることにより制御すると良い。

【０１９８】その後、図１４では図示されていないが、
複数本の陰極及び保護電極が紙面に垂直な方向が長手方
向となり、且つ、陽極１３０２と直交するようにストラ
イプ状に配列されている。なお、本実施例では、陰極１
３０５は、ＭｇＡｇでなり、保護電極１３０６はアルミ
ニウム合金膜でなり、それぞれ蒸着法により形成され
る。また、図示されないが保護電極１３０６は所定の電
圧が加えられるように、後にＦＰＣが取り付けられる部
分まで配線が引き出されている。

【０１９９】また、ここでは図示していないが保護電極
１３０６を形成したら、パッシベーション膜として窒化
珪素膜を設けても良い。

【０２００】以上のようにして基板１３０１上にＥＬ素
子を形成する。なお、本実施例では下側の電極が透光性
の陽極となっているため、ＥＬ層１３０４a〜１３０４c
で発生した光は下面（基板１３０１）に放射される。し
かしながら、ＥＬ素子の構造を反対にし、下側の電極を
遮光性の陰極とすることもできる。その場合、ＥＬ層１
３０４a〜１３０４cで発生した光は上面（基板１３０１
とは反対側）に放射されることになる。

【０２０１】次に、カバー材１３０７としてセラミック
ス基板を用意する。本実施例の構造では遮光性で良いの
でセラミックス基板を用いたが、勿論、前述のようにＥ
Ｌ素子の構造を反対にした場合、カバー材は透光性のほ
うが良いので、プラスチックやガラスでなる基板を用い
るとよい。

【０２０２】こうして用意したカバー材１３０７は、紫
外線硬化樹脂でなるシール剤１３０９により貼り合わさ
れる。なお、シール材１３０９の内側１３０８は密閉さ
れた空間になっており、窒素やアルゴンなどの不活性ガ
スが充填されている。また、この密閉された空間１３０
８の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を設けること
も有効である。最後に異方導電性フィルム（ＦＰＣ）１
３１１を取り付けてパッシブ型のＥＬ表示装置が完成す
る。

【０２０３】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例５のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施するこ
とが可能である。

【０２０４】〔実施例７〕本発明を実施してアクティブ
マトリクス型のＥＬ表示装置を作製する際に、基板とし
てシリコン基板（シリコンウェハー）を用いることは有
効である。基板としてシリコン基板を用いた場合、画素
部に形成するスイッチング用素子や電流制御用素子また
は駆動回路部に形成する駆動用素子を、従来のＩＣやＬ
ＳＩなどに用いられているＭＯＳＦＥＴの作製技術を用
いて作製することができる。

【０２０５】ＭＯＳＦＥＴはＩＣやＬＳＩで実績がある
ように非常にばらつきの小さい回路を形成することが可
能であり、特に電流値で階調表現を行うアナログ駆動の
アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置には有効である。

【０２０６】なお、シリコン基板は遮光性であるので、
ＥＬ層からの光は基板とは反対側に放射されるような構
造とする必要がある。本実施例のＥＬ表示装置は構造的
には図１４と似ているが、画素部６０２、駆動回路部６
０３を形成するＴＦＴの代わりにＭＯＳＦＥＴを用いる
点で異なる。

【０２０７】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例６のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施するこ
とが可能である。

【０２０８】〔実施例８〕上記各実施例を実施して形成
されたＥＬ表示装置は、自発光型であるため液晶表示装
置に比べて明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角
が広い。従って、様々な電子機器の表示部として用いる
ことができる。例えば、ＴＶ放送等を大画面で鑑賞する
には対角３０インチ以上（典型的には４０インチ以上）
のＥＬディスプレイ（ＥＬ表示装置を筐体に組み込んだ
ディスプレイ）の表示部として本発明のＥＬ表示装置を
用いるとよい。

【０２０９】なお、ＥＬディスプレイには、パソコン用
ディスプレイ、ＴＶ放送受信用ディスプレイ、広告表示
用ディスプレイ等の全ての情報表示用ディスプレイが含
まれる。また、その他にも様々な電子機器の表示部とし
て本発明のＥＬ表示装置を用いることができる。

【０２１０】その様な本発明の電子機器としては、ビデ
オカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ
（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシス
テム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコン
ポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機
器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、
携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた
画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（Ｄ
ＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるデ
ィスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、斜
め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角の広さ
が重要視されるため、ＥＬ表示装置を用いることが望ま
しい。それら電子機器の具体例を図１５、図１６に示
す。

【０２１１】図１５（Ａ）はＥＬディスプレイであり、
筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３等を含
む。本発明は表示部２００３に用いることができる。Ｅ
Ｌディスプレイは自発光型であるためバックライトが必
要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすること
ができる。

【０２１２】図１５（Ｂ）はビデオカメラであり、本体
２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作
スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０
６等を含む。本発明のＥＬ表示装置は表示部２１０２に
用いることができる。

【０２１３】図１５（Ｃ）は頭部取り付け型のＥＬディ
スプレイの一部（右片側）であり、本体２２０１、信号
ケーブル２２０２、頭部固定バンド２２０３、表示部２
２０４、光学系２２０５、ＥＬ表示装置２２０６等を含
む。本発明はＥＬ表示装置２２０６に用いることができ
る。

【０２１４】図１５（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生
装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２３０
１、記録媒体（ＤＶＤ等）２３０２、操作スイッチ２３
０３、表示部（ａ）２３０４、表示部（ｂ）２３０５等
を含む。表示部（ａ）は主として画像情報を表示し、表
示部（ｂ）は主として文字情報を表示するが、本発明の
ＥＬ表示装置はこれら表示部（ａ）、（ｂ）に用いるこ
とができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には
家庭用ゲーム機器なども含まれる。

【０２１５】図１５（Ｅ）は携帯型（モバイル）コンピ
ュータであり、本体２４０１、カメラ部２４０２、受像
部２４０３、操作スイッチ２４０４、表示部２４０５等
を含む。本発明のＥＬ表示装置は表示部２４０５に用い
ることができる。

【０２１６】図１５（Ｆ）はパーソナルコンピュータで
あり、本体２５０１、筐体２５０２、表示部２５０３、
キーボード２５０４等を含む。本発明のＥＬ表示装置は
表示部２５０３に用いることができる。

【０２１７】なお、将来的に有機ＥＬ材料の発光輝度が
高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡
大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクター
に用いることも可能となる。

【０２１８】また、上記電気器具はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。有機ＥＬ材料の応
答速度は非常に高いため、ＥＬ表示装置は動画表示に好
ましいが、画素間の輪郭がぼやけてしまっては動画全体
もぼけてしまう。従って、画素間の輪郭を明瞭にすると
いう本発明のＥＬ表示装置を電気器具の表示部として用
いることは極めて有効である。

【０２１９】また、ＥＬ表示装置は発光している部分が
電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように
情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端
末、特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主
とする表示部にＥＬ表示装置を用いる場合には、非発光
部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように
駆動することが望ましい。

【０２２０】ここで図１６（Ａ）は携帯電話であり、本
体２６０１、音声出力部２６０２、音声入力部２６０
３、表示部２６０４、操作スイッチ２６０５、アンテナ
２６０６を含む。本発明のＥＬ表示装置は表示部２６０
４に用いることができる。なお、表示部２６０４は黒色
の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電
力を抑えることができる。

【０２２１】また、図１６（Ｂ）は音響再生装置、具体
的にはカーオーディオであり、本体２７０１、表示部２
７０２、操作スイッチ２７０３、２７０４を含む。本発
明のＥＬ表示装置は表示部２７０２に用いることができ
る。また、本実施例では車載用オーディオを示すが、携
帯型や家庭用の音響再生装置に用いても良い。なお、表
示部２７０４は黒色の背景に白色の文字を表示すること
で消費電力を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置
において特に有効である。

【０２２２】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施例１〜７に示した
いずれの構成のＥＬ表示装置を用いても良い。

【０２２３】〔実施例９〕本実施例では、試料ボートに
おいて気化されたＥＬ材料（以下蒸気状態のＥＬ材料と
いう）を複数のマスクにより電界で制御して基板上に成
膜する方法について説明する。なお、本実施例における
蒸着方法は、図１７を用いる。

【０２２４】図１７において、１０１０は基板であり、
１０１１は、試料ボートである。なお、試料ボート１０
１１にはＥＬ材料が備えられている。

【０２２５】また、ここで説明した試料ボート１０１
１、第１マスク、及び第２マスクは別々に設けられてい
ても良いが、一体形成されて装置化されていても良い。

【０２２６】なお、赤色ＥＬ層を形成させるときには、
試料ボート１０１１には赤色に発光するＥＬ材料（以
下、赤色ＥＬ材料という）、緑色ＥＬ層を形成させると
きには、試料ボート１０１１には緑色に発光するＥＬ材
料（以下、緑色ＥＬ材料という）、青色ＥＬ層を形成さ
せるときには、試料ボート１０１１には青色に発光する
ＥＬ材料（以下、青色ＥＬ材料という）を備えておく。

【０２２７】なお、本実施例では、ＥＬ材料として、赤
色ＥＬ層には、Ａｌｑをホスト材料として赤色の蛍光色
素ＤＣＭをドープしたものを用いた。また、緑色に発光
するＥＬ層には、アルミニウムの８−ヒドロキシキノリ
ン錯体であるＡｌｑを用い、青色に発光するＥＬ層には
亜鉛のベンズオキサゾール錯体（Ｚｎ（ｏｘｚ）₂）を
用いる。

【０２２８】なお、上記に示したＥＬ材料は、実施例の
一つであり他の公知のＥＬ材料を用いてもよい。また、
発光色を赤、緑、青としてＥＬ材料を選択しているが、
この限りではなく、黄色、オレンジ、グレーといった色
を用いてもよい。

【０２２９】本実施例では、はじめに試料ボートに赤色
ＥＬ材料を備えておき、基板上に赤色ＥＬ層を形成させ
た後、緑色ＥＬ材料が備えられた試料ボートを用いて基
板上に緑色ＥＬ層を形成させる。そして、最後に青色Ｅ
Ｌ材料が備えられた試料ボートを用いて基板上に青色Ｅ
Ｌ層を形成させる。

【０２３０】以上のように、赤、緑、青色ＥＬ材料を３回
に分けて蒸着させることによりＥＬ層を形成させること
ができる。

【０２３１】まず、試料ボート１０１１に備えられたＥ
Ｌ材料が電極１０１２による抵抗加熱により気化（蒸
発）する。この蒸気状態のＥＬ材料が試料ボート１０１
１から飛び出す瞬間に試料ボート１０１１の開口部に取
り付けられている電極１０２０による電界の影響で蒸気
状態のＥＬ材料が帯電し、帯電粒子となる。この帯電粒
子はマスク１０１３を通過する際に第１遮断部１０１８
及び第２遮断部１０１９ｂに電圧がかけられることによ
り生じるマスク付近の電界により進行方向を制御され
る。

【０２３２】なお、試料ボートとマスクの間に電極を設
けて電界を発生させ、試料ボートから放出される蒸気状
態のＥＬ材料の電荷を制御しても良い。

【０２３３】結果的には、気体ＥＬ材料は、各第１遮断
部及び各第２遮断部の隙間を通過して基板上の被形成面
に蒸着される。

【０２３４】また、第１マスク１０１３は、第１遮断部
１０１８の部分が銅、鉄、アルミニウム、タンタル、チ
タン、タングステンといった導電性材料でできている複
数の導電線が互いに平行に配置されたもの（ストライプ
状）、もしくは、網目状の構造物（メッシュ状）、もし
くは、板状の構造物である。また、第２マスク１０１９
ａは、第２遮断部１０１９ｂの部分が銅、鉄、アルミニ
ウム、タンタル、チタン、タングステンといった導電性
材料でできている複数の導電線が互いに平行に配置され
たもの（ストライプ状）、もしくは、網目状の構造物
（メッシュ状）、もしくは板状の構造物である。蒸気状
態のＥＬ材料は、第１遮断部１０１８にかけられた負の
電圧により生じる電界と反発するため、第１遮断部１０
１８間の隙間を通過し、さらに第２遮断部１０１９ｂに
かけられた負の電圧により生じる電界と反発するため、
第２遮断部１０１９ｂ間の隙間を通過して基板に蒸着さ
れる。

【０２３５】また、図１７では断面形状が円形である例
を示したが、特に限定されず矩形であっても楕円形であ
っても多角形状であってもよい。

【０２３６】なお、第１マスク１０１３の第１遮断部１
０１８には、蒸気状態のＥＬ材料が第１マスク１０１３
の第１遮断部１０１８と反発しあう電位にするための電
圧をかけておく。これにより、ＥＬ材料は、第１マスク
１０１３における第１遮断部１０１８間の隙間を通過す
ることができる。なお、ここでは、蒸気状態のＥＬ材料
を負の電圧をかけた電極１０１２により生じる電界によ
り帯電させ、第１マスクの第１遮断部にも電極１０１５
ａにより負の電圧をかけて電界を発生させる。また、第
２マスクの第２遮断部にも電極１０１５ｂにより負の電
圧をかけて電界を発生させる。これらにより、蒸気状態
のＥＬ材料の帯電粒子は、第１遮断部及び第２遮断部と
電気的に反発し、各第１遮断部及び各第２遮断部の隙間
を通過するようになる。

【０２３７】図１（Ａ）に示すような構造とし、第１遮
断部１０１８に印加される負の第１電圧と第２遮断部１
０１９ｂに印加される負の第２電圧を数１０Ｖ〜１０ｋ
Ｖの範囲で適宜調節することによって、蒸着位置を高精
度に制御することができる。

【０２３８】なお、第１マスク１０１３と第２マスク１
０１９ａの間隔距離、第２マスク１０１９ａと基板との
間隔距離、各第１遮断部１０１８間の距離、各第２遮断
部１０１９ｂの距離等は実施者が適宜設定すればよい。
例えば、各第１遮断部１０１８間の距離や各第２遮断部
１０１９ｂの距離は、基板上に形成される画素電極の画
素ピッチにすると良い。

【０２３９】また、マスクの開口部は、各第１遮断部の
隙間または各第２遮断部の隙間のことを指している。

【０２４０】さらに、本明細書中では、被形成面とは、
画素電極や有機膜の表面の一部であり、薄膜を形成させ
ようとする面のことをいう。

【０２４１】また、試料ボート１０１１、第１マスク、
第２マスク、及び基板１０１０が備えられている蒸着室
１０２１の内側側面に電極１０１４で負の電圧をかけて
おくことで負に帯電した蒸気状態のＥＬ材料と蒸着室の
内側側面を反発させることができるので蒸気状態のＥＬ
材料を蒸着室の内側に付着させることなく被形成面に蒸
着することができる。

【０２４２】また、試料ボート１０１１の赤色ＥＬ材料
を蒸着させると画素上にストライプ状の赤色ＥＬ層が形
成される。ここで、マスクを矢印ｋの方向に画素一列分
移動させ、同様に試料ボート１０１１から緑色ＥＬ材料
を蒸着する。これにより、赤色ＥＬ層の横に緑色ＥＬ層
が形成される。さらにマスクを矢印ｋの方向に画素一列
分移動させながら試料ボート１０１１から青色ＥＬ材料
を蒸着させる。これにより、緑色ＥＬ層の横に青色ＥＬ
層が形成される。即ち、以上のようにマスクを移動させ
ながら赤、緑、青色に発光する画素列を色ごとに３回に
分けて蒸着させることで３色のストライプ状のＥＬ層が
形成される。なお、ここで形成されるＥＬ層の膜厚は、
１００ｎｍ〜１μｍであることが望ましい。

【０２４３】なお、ＥＬ材料を備えている試料ボート１
０１１は、ＥＬ材料の種類を変える度に一緒に変えても
良いし、試料ボートを変えずにＥＬ材料のみを入れ替え
て用いても良い。

【０２４４】なお、ここでいう画素列とはバンク（図示
せず）に仕切られた画素の列を指し、バンクはソース配
線の上方に形成されている。即ち、ソース配線に沿って
複数の画素が直列に並んだ列を画素列と呼んでいる。但
し、ここではバンクがソース配線の上方に形成された場
合を説明したが、ゲート配線の上方に設けられていても
良い。この場合は、ゲート配線に沿って複数の画素が直
列に並んだ列を画素列と呼ぶ。

【０２４５】従って、画素部（図示せず）は、複数のソ
ース配線もしくは複数のゲート配線の上方に設けられた
ストライプ状のバンクにより分割された複数の画素列の
集合体として見ることができる。そのようにして見た場
合、画素部は、赤色に発光するストライプ状のＥＬ層が
形成された画素列、緑色に発光するストライプ状のＥＬ
層が形成された画素列及び青色に発光するストライプ状
のＥＬ層が形成された画素列からなるとも言える。

【０２４６】また、上記ストライプ状のバンクは、複数
のソース配線もしくは複数のゲート配線の上方に設けら
れているため、実質的に画素部は、複数のソース配線も
しくは複数のゲート配線により分割された複数の画素列
の集合体と見ることもできる。

【０２４７】また、基板１０１０上に形成されている画
素電極（陽極）上に電圧をかけておき、第１マスク及び
第２マスクを通過した蒸気状態のＥＬ材料をさらに制御
して、選択的に所望の位置に蒸着するような電界を与え
るようにすると良い。

【０２４８】また、第１マスク１０１３と第２マスク１
０１９ａの目合わせを正確にするために、２枚の導電板
を重ねてスリット状もしくは円状の穴を放電加工で同時
に切削して第１マスク１０１３と第２マスク１０１９ａ
を形成してもよい。

【０２４９】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例８のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施するこ
とが可能である。

【０２５０】〔実施例１０〕本発明において、三重項励
起子からの燐光を発光に利用できるＥＬ材料（トリプレ
ット化合物ともいう）を用いることも可能である。燐光
を発光に利用できるＥＬ材料を用いた自発光装置は、外
部発光量子効率を飛躍的に向上させることができる。こ
れにより、ＥＬ素子の低消費電力化、長寿命化、および
軽量化が可能になる。

【０２５１】ここで、三重項励起子を利用し、外部発光
量子効率を向上させた報告を示す。 (T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Proce
sses in Organized Molecular Systems, ed.K.Honda,
(Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437.)

【０２５２】上記の論文により報告されたＥＬ材料（ク
マリン色素）の分子式を以下に示す。

【０２５３】

【化１】

【０２５４】(M.A.Baldo, D.F.O'Brien, Y.You, A.Shou
stikov, S.Sibley, M.E.Thompson,S.R.Forrest, Nature
395 (1998) p.151.)

【０２５５】上記の論文により報告されたＥＬ材料（Ｐ
ｔ錯体）の分子式を以下に示す。

【０２５６】

【化２】

【０２５７】(M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrrows,
M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.,75 (199
9) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamu
ra,T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Ma
yaguchi, Jpn.Appl.Phys.,38 (12B) (1999) L1502.)

【０２５８】上記の論文により報告されたＥＬ材料（Ｉ
ｒ錯体）の分子式を以下に示す。

【０２５９】

【化３】

【０２６０】以上のように三重項励起子からの燐光発光
を利用できれば原理的には一重項励起子からの蛍光発光
を用いる場合より３〜４倍の高い外部発光量子効率の実
現が可能となる。

【０２６１】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例９のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施するこ
とが可能である。

【０２６２】

【発明の効果】本発明を実施することで、マスクを通し
て被形成面に蒸着法でＥＬ材料を成膜させる際、ＥＬ材
料がマスクを通過できずにマスク上に蒸着されるという
事態を防ぐことができる。さらに、本発明では、複数の
マスクを用いて成膜位置の位置あわせ精度を向上させる
ことができる。

【０２６３】また、電気的な反発により、マスク上にＥ
Ｌ材料が蒸着されることを防ぐことができるのでマスク
を何度も使用することができ、かつ位置あわせ精度の問
題なく精密にＥＬ材料を成膜することができるため、Ｅ
Ｌ材料を用いたＥＬ表示装置の製造歩留まりを向上させ
たり、低コスト化をはかることができる。さらに、蒸着
直前に蒸気状態のＥＬ材料の蒸着位置を制御するため、
これまでの蒸着方法を用いることができ、幅広い応用が
可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬ材料の蒸着方法を示す
図。

【図２】画素部の断面構造を示す図。

【図３】画素部の上面構造及び構成を示す図。

【図４】ＥＬ表示装置の作製工程を示す図。

【図５】ＥＬ表示装置の作製工程を示す図。

【図６】ＥＬ表示装置の作製工程を示す図。

【図７】ＥＬ表示装置の画素部のＴＦＴの断面構造
を示す図。

【図８】ＥＬ表示装置の画素部のＴＦＴの断面構造
を示す図。

【図９】ＥＬ表示装置の外観を示す図。

【図１０】ＥＬ表示装置の回路ブロック構成を示す
図。

【図１１】アクティブマトリクス型のＥＬ表示装置の
断面構造を示す図。

【図１２】有機ＥＬ材料の蒸着パターンを示す図。

【図１３】マスクパターンを示す図。

【図１４】パッシブ型のＥＬ表示装置の断面構造を示
す図。

【図１５】電気器具の具体例を示す図。

【図１６】電気器具の具体例を示す図。

【図１７】本発明の有機ＥＬ材料の蒸着方法を示す
図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 3K007 AB04 AB18 BA06 BB01 CB01 DA01 DB03 EA01 EB00 FA01 4K029 BA62 BC07 BD00 EA01 EA07 HA03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＥＬ材料を有する試料ボートと、電極が設
けられた基板と、前記試料ボートと前記基板との間にマ
スクとを有し、前記ＥＬ材料を試料ボートで蒸気状態と
し、蒸気状態の前記ＥＬ材料を前記試料ボートから前記
基板に向かって放出し、前記電極に対応したマスクの開
口部を通過させ、前記基板上の電極に蒸着させて、該電
極上に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項２】請求項１において、前記マスクに電圧を印
加することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項３】請求項１または請求項２において、前記Ｅ
Ｌ材料を試料ボートで蒸気状態とし、蒸気状態の前記Ｅ
Ｌ材料を前記試料ボートから前記基板に向かって放出す
る際、蒸気状態の前記ＥＬ材料を帯電させることを特徴
とする薄膜形成方法。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれか一において、前
記マスクの開口部は、遮断部の隙間であることを特徴と
する薄膜形成方法。
【請求項５】請求項１乃至３のいずれか一において、前
記マスクは複数のマスクからなり、それぞれ異なる電圧
を印加することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項６】請求項１乃至５のいずれか一において、前
記電極は画素電極であることを特徴とする薄膜形成方
法。
【請求項７】請求項１乃至６のいずれか一において、前
記ＥＬ材料は、低分子材料からなることを特徴とする薄
膜形成方法。
【請求項８】請求項１乃至７のいずれか一において、前
記薄膜の膜厚は、１０ｎｍ〜１０μｍであることを特徴
とする薄膜形成方法。
【請求項９】請求項１乃至８のいずれか一において、前
記マスクは、導電材料からなる導電線、または導電線か
らなる網目状の構造物、または導電材料からなる板状の
構造物、または複数の導電線が互いに平行に配置された
ものであることを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項１０】請求項１乃至９のいずれか一に記載の薄
膜形成方法を用いて作製した自発光装置。
【請求項１１】ＥＬ材料を有する試料ボートと、前記試
料ボートで前記ＥＬ材料を蒸気状態とする手段と、電極
が設けられた基板と、前記試料ボートと前記基板との間
にマスクと、前記マスクに電圧を印加する手段とを有す
ることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項１２】請求項１１において、前記マスクに電圧
を印加する手段により前記蒸気状態のＥＬ材料の進行方
向または蒸着位置を制御することを特徴とする薄膜形成
装置。
【請求項１３】請求項１１または請求項１２において、
前記薄膜形成装置は、前記蒸気状態のＥＬ材料を帯電さ
せる手段を有することを特徴とする前記薄膜形成装置。
【請求項１４】請求項１１乃至１３のいずれか一におい
て、前記薄膜形成装置は、前記基板と前記マスクとの間
に該マスクに印加された電圧とは異なる電圧が印加され
たマスクを有することを特徴とする薄膜形成装置。