JP2001313469A

JP2001313469A - コンデンサ内蔵配線基板

Info

Publication number: JP2001313469A
Application number: JP2000187097A
Authority: JP
Inventors: Junichi Ito; 淳一伊藤; Motohiko Sato; 元彦佐藤; Kazue Obayashi; 和重大林; Hidetoshi Mizutani; 秀俊水谷; Tsutomu Sakai; 努境; Shinji Suzumura; 真司鈴村; Satoshi Iio; 聡飯尾
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2000-02-23
Filing date: 2000-06-22
Publication date: 2001-11-09

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】１０００℃以下の低温で緻密化可能で安定し
た低誘電率及び低誘電損失を兼備した低温焼成磁器組成
物を絶縁体層に用いるとともに、大気中１０００℃以下
で焼成可能で優れた誘電特性を有するチタン酸バリウム
を主成分とする誘電体磁器組成物を誘電体層に用いたコ
ンデンサ内蔵配線基板を提供すること。【解決手段】誘電体層６が、チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ₃）を主成分とするとともに、以下のの要件等を
具備する誘電体磁器組成物からなる誘電体層６からなる
コンデンサ部３を有するコンデンサ内蔵配線基板１とす
る。（ａ）該誘電体磁器組成物の主結晶がペロブスカイ
ト型である。（ｂ）その誘電率εが１０００以上である。（ｃ）副成分として、Ｓｉ成分、Ｂ成分、アルカリ金属
成分、アルカリ土類金属成分、Ｂｉ成分、Ｚｎ成分、Ｃ
ｕ成分、Ｐｂ成分のうち少なくとも１種を含有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高周波領域における誘
電率εが高く、かつ、大気中にて１０００℃以下で低温
焼成可能な誘電体磁器組成物を誘電体層に用いたコンデ
ンサ内蔵配線基板に関する。大気中にて１０００℃以下
で焼成可能なため、Ａｇを電極材料に用いて同時焼成に
よりＩＣパッケージ等のコンデンサ内蔵パッケージや、
コンデンサ、カプラ、ローパスフィルタ、パワーアンプ
基板等のコンデンサ内蔵積層型電子部品を形成できる。
他の低誘電率絶縁体磁器組成物と共に積層、一体化し
て、コンデンサを内蔵したセラミックパッケージや電子
部品を形成するのに好適である。

【０００２】

【従来の技術】近年の信号処理速度の高速化や配線の高
密度化に対応するためには、コンデンサ等の受動回路素
子を配線基板内部に内蔵することが必要とされる。しか
も、配線基板としての電気信号の伝送損失を少しでも低
減するため、より低抵抗のＡｇ、Ｃｕ等の低融点金属か
らなる配線と１０００℃以下の焼成温度で同時焼成可能
であることが要求される。更には、絶縁層自体は誘電損
失を抑えるために、より誘電率の低いものが必要とされ
る。一方、誘電体層は高誘電率のものが必要とされる。
このような市場の要求に応えるために、特定結晶相を含
む低誘電損失ガラスセラミック組成物を絶縁体層に用
い、かつ、高誘電体層を積層したコンデンサを内蔵した
低温焼成配線基板が種々検討されている。

【０００３】絶縁体層がフォルステライト、モンチセラ
イト、アカーマナイト、エンスタタイト等の結晶相を含
み、誘電体層がチタン酸バリウムを主成分として含むコ
ンデンサ内蔵配線基板が、特開平２−３０５４９０号公
報、特開平３−２４１７２４号公報、特開平４−１６７
４１２号公報、特開平５−５５０７９号公報に開示され
ている。かかるコンデンサ内蔵基板は、１２００℃以上
（ＣｕやＡｇの融点を越えている）の高温下で焼成して
得られる。したがって、配線材料に低抵抗金属であるＣ
ｕやＡｇを用いて電気信号の伝送損失を低減することは
できない。

【０００４】一方、チタン酸バリウムを主成分とする誘
電体材料は、１３００〜１５００℃の高温下で焼成され
る。しかし、安価な貴金属であるＡｇを使用できる温度
（１０００℃以下）で焼成可能な誘電体材料がより好ま
しい。そこで、低温焼成化と高誘電率化の両立を目標と
した誘電体材料の開発が種々検討されている。

【０００５】チタン酸バリウムに焼結を容易にしたり誘
電特性を改良する副成分を添加した誘電体材料が種々検
討されている。Ｃｕ系の共融混合物を添加した誘電体材
料が特開昭５４−５３３００号公報に開示されている。
ＭｇＯ、ＭｎＯを添加した誘電体材料が特開昭５７−７
１８６６号公報に開示されている。ＺｎＯ、ＣｄＯ、Ｃ
ｕＯを添加した誘電体材料が特開昭６１−２５１５６１
号公報に開示されている。ＺｎＯ、Ｍｎ₂Ｏ₃、ＣｕＯを
添加した誘電体材料が特開平１−１９２７６２号公報に
開示されている。所定のＢａ−Ｂ−Ｌｉ−Ｓｉ系ガラス
を添加した誘電体材料が特開平５−６７１０号公報、特
開平５−６７１１号公報に開示されている。ＳｉＯ₂、
Ｌｉ₂Ｏ、Ｂ₂Ｏ₃等を添加した誘電体材料が特開平４−
２１８２０７号公報、特開平４−２６４３０５号公報、
特開平４−２６４３０６号公報に開示されている。チタ
ン酸バリウムの相対的添加量を減らしてＺｎＯ、ＳｉＯ
₂、希土類元素等を添加して１０００〜１０５０℃程度
で焼成可能な誘電体材料が特開昭５７−１７０４０５号
公報、特開昭６０−１２４３０６号公報、特開平２−４
４６０９号公報、特開平５−１２０９１５号公報に開示
されている。

【０００６】しかし、これらの焼成温度は１３５０〜１
０００℃程度と比較的高温であるため、融点が１０００
℃以下の安価な貴金属であるＡｇを使用できない。そこ
で、更なる低温焼成化を目標とした誘電体材料の開発が
種々検討されている。チタン酸バリウムにフッ化リチウ
ムを添加して１０００℃以下で焼成可能な誘電体材料が
特開昭５７−１６０９６３号公報に開示されている。し
かし、ハロゲンを含有するため、電極材料であるＡｇの
イオンマイグレーションを誘発するおそれがある。

【０００７】以上のように、チタン酸バリウムを用いて
１０００℃以下で焼成可能な誘電体材料を得るのは困難
である。しかし、工業的に安定した原材料の供給を考慮
すると、できれば市販のチタン酸バリウムを用いて１０
００℃以下で焼成可能な誘電体材料を得ることができる
のが好ましい。それが可能になれば、コンデンサ内蔵配
線基板の性能向上と価格低減の両立を図ることができ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、１０００℃
以下の低温で緻密化可能で安定した低誘電率及び低誘電
損失を兼備した低温焼成磁器組成物を絶縁体層に用いる
とともに、大気中１０００℃以下で焼成可能で優れた誘
電特性を有するチタン酸バリウムを主成分とする誘電体
磁器組成物を誘電体層に用いたコンデンサ内蔵配線基板
を提供することを目的とする。特には、Ａｇを電極材料
として同時焼成が可能なコンデンサ内蔵パッケージ、コ
ンデンサ内蔵電子部品等に好適なコンデンサ内蔵配線基
板に関するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、誘電
体層が、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃）を主成分と
し、大気雰囲気中１０００℃以下で焼成してなる誘電体
磁器組成物からなり、かつ、所定の要件を具備する誘電
体磁器組成物からなるコンデンサ内蔵配線基板を要旨と
する。以下に、各構成要件及び発明全体が奏する効果に
ついて説明する。

【００１０】まず、大気雰囲気中１０００℃以下で焼成
可能な誘電体磁器組成物を用いたコンデンサ内蔵配線基
板であることが必要である。大気雰囲気中で焼成するの
は、チタン酸バリウムの誘電特性を低下させないためで
ある。１０００℃以下で焼成するのは、Ａｕ、Ａｕ／Ｐ
ｔ、Ａｕ／Ｐｄ、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の低
抵抗な電極材料との同時焼成を可能にするためである。
Ａｇを用いる場合は、９６０℃以下がよい。好ましくは
９５０℃以下、特には９００℃以下がよい。

【００１１】尚、本発明のコンデンサ内蔵配線基板に用
いる電極材料の配線抵抗としては、電気信号の伝送損失
を低減するためにも、５ｍΩ／□以下が望ましい。した
がって、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ添加量が５質量％以下のＡｇ
／Ｐｔ、Ｐｄ添加量が１０質量％以下のＡｇ／Ｐｄを用
いるのがよい。特にはＡｇ、Ａｕを用いるのがよい。コ
ンデンサ内蔵配線基板としては、内層の配線導体にはＡ
ｇを用い、表層の配線導体にはＡｇ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐ
ｄ、Ａｕを用いるのがよい。表層の耐ハンダ性を確保し
ながら、電気信号の伝送損失の低減が可能だからであ
る。

【００１２】本発明のコンデンサ内蔵配線基板の誘電体
層を構成する誘電体磁器組成物は、ハロゲン元素を実質
的に含有しないことが重要である。ハロゲン元素として
は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等があるが、このいずれも好ま
しくない。ハロゲン元素（例えば、Ｆ）が存在すると、
湿度や印加電圧が加わった際に、電極材料に用いたＡｇ
がイオンとしてイオンマイグレーション（移行）しやす
くなって、絶縁信頼性を低下させやすいからである。こ
こにいう「実質的に含有しない」とは、誘電体磁器組成
物１００質量％に含まれるハロゲン元素の含有量が１質
量％以下であることをいう。好ましくは０．５質量％以
下、更には０．２質量％以下がよい。ここにいう「実質
的に含有しない」範囲であれば、ハロゲン元素を含んで
いてもよい。

【００１３】本発明のコンデンサ内蔵配線基板の誘電体
層を構成する誘電体磁器組成物は、その主成分がペロブ
スカイト型のチタン酸バリウムであることが重要であ
る。ここにいう「ペロブスカイト型のチタン酸バリウ
ム」とは、ＢａとＴｉとＯのモル比率が略１：１：３で
あるものをいう。「略１：１：３」としたのは、必ずし
も化学両論組成（１：１：３）の場合ばかりとはいえな
いからである。例えば、Ｂａ／Ｔｉのモル比が１ちょう
どでない場合（例：０．９５〜１．０５）である。ま
た、第三成分の添加により、Ｂａサイトの一部をＭｇ、
Ｓｒ、Ｃａ等で置換したり、Ｔｉサイトの一部をＮｂ、
Ｚｒ、Ｓｎ等で置換した場合もある。

【００１４】原料として用いるペロブスカイト型のチタ
ン酸バリウムには、Ｎｂ₂Ｏ₅を２質量％以下含むものを
用いるのがよい。更にＣｏＯやＮｉＯを０．１５質量％
以下含むものを用いるのがよい。また、ＺｎＯを０．５
質量％以下含むものを用いるのがよい。これらの成分が
少なくとも１種含まれているペロブスカイト型のチタン
酸バリウム原料粉末を用いるとよい。誘電特性の向上を
図ることができる。

【００１５】電極材料との同時焼成時に熱拡散した金属
の影響で誘電特性や同時焼結性が不安定になる問題を回
避するためにも、原料段階から主成分がペロブスカイト
型のチタン酸バリウムを用いるのがよい。Ａｇ等の電極
材料と同時焼成しても、安定した誘電特性や同時焼結性
が得られるからである。

【００１６】従来、ハロゲン元素を実質的に含有しない
チタン酸バリウムを８０質量％以上含む誘電体磁器組成
物において、１０００℃以下（特には９６０℃以下）の
焼成により誘電率ε１０００以上が得られる場合は知ら
れていない。しかし、本発明のコンデンサ内蔵配線基板
の誘電体層を構成する誘電体磁器組成物は、ハロゲン元
素を実質的に含有しないにもかかわらず、１０００℃以
下で焼成した場合においても１０００以上の誘電率εを
得ることができるものである。したがって、本発明のコ
ンデンサ内蔵配線基板は、配線材料にＡｇ系やＡｕ系の
低融点かつ低抵抗な金属が使用可能であり、電気信号の
伝送損失の低減を図ることができる。

【００１７】本発明のコンデンサ内蔵配線基板の絶縁体
層を構成する低温焼成磁器組成物は、１０００℃以下で
焼成可能であれば特に限定されないが、その誘電率εが
１５以下、好ましくは１０以下、更に好ましくは７以下
であるとよい。特には、アノーサイト、ガーナイト、フ
ォルステライト、コージェライト、ジオプサイト、Ｓｒ
₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇、セルジアン、ムライト、スピネル、Ｓ
ｒ−アノーサイト、エンスタタイト、石英、ウィレマイ
ト（Ｚｒ₂ＳｉＯ₄）、ラブラドライト、ペタライト、ワ
ラストナイト、ジルコノライト等の特定結晶相を析出さ
せた低温焼成磁器組成物を用いるのがよい。特には、１
０００℃以下での焼成において安定に存在することがで
きる特定結晶を含有するのが、誘電特性の安定性上よ
い。特定結晶を主結晶として含有することにより、高周
波領域において優れた誘電特性を発揮することができる
とともに、コンデンサ部への余剰のガラス成分の拡散を
抑えて、性能の安定したコンデンサ部を形成できる。

【００１８】本発明のコンデンサ内蔵配線基板の絶縁体
層は、絶縁体層１００質量％に対して特定結晶を３０〜
９９．７質量％（好ましくは４０〜８０重量％、より好
ましくは５０〜７０重量％）含有するとよい。絶縁体層
の誘電特性を向上できるからである。特には、Ｓｒ₂Ｍ
ｇＳｉ₂Ｏ₇結晶を、全特定結晶相のうち２０〜１００重
量％主結晶相として含有するとよい。特には、３０〜７
０重量％含有するとよい。このＳｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶
は、高周波領域における誘電特性に優れ、熱膨張係数が
大きく、その融点は１５６０℃と高いため、１０００℃
以下での焼成においては安定に存在することができる。

【００１９】また、酸化物換算でセラミック成分を０．
１〜１０重量％（好ましくは０．１〜５重量％、より好
ましくは０．１〜３重量％）、酸化物換算でホウ素成分
を０．１〜１０重量％（好ましくは０．１〜５重量％、
より好ましくは０．１〜３重量％）、酸化物換算でアル
カリ金属成分を０．１〜１０重量％（好ましくは０．１
〜５重量％、より好ましくは０．１〜３重量％）、各々
含有するとよい。特定結晶の結晶相の構造を損なうこと
なく低温焼成することができるからである。尚、これら
以外にも４０重量％以下の他の成分を含有してもよい

【００２０】ここでは、出発原料にはガラス粉末を用い
ないで、特定結晶を含有する仮焼粉末を用いるのがよ
い。特定結晶を含有する仮焼粉末に焼結助剤を少量添加
或いはゾルゲル法によりコーティングすることにより、
結晶化ガラス粉末を用いた場合に発生する結晶化のバラ
ツキ等の問題を解決できる。焼結助剤には、Ｂ₂Ｏ₃やア
ルカリ金属酸化物（特にはＬｉ₂Ｏ）を用いるのがよ
い。その添加量としては、２０質量％以下、好ましくは
１０質量％以下がよい。「仮焼物」とは、所定の成分を
含有する原料粉末を１０００〜１２００℃（好ましくは
１０００〜１１５０℃、より好ましくは１０００〜１１
００℃）で焼成し、急冷（１分間に２０℃以上降温させ
ること）せずに室温まで冷却したものをいう。この仮焼
物の８０重量％以上（更には９０重量％以上、特に９５
〜１００重量％）は結晶であると誘電特性上好ましい。

【００２１】本発明のコンデンサ内蔵配線基板の絶縁体
層には、２０μｍ以下の長径を有する特定結晶の粒子が
分散しているのがよい。好ましい長径は１５μｍ以下、
より好ましい長径は１０μｍ以下、更に好ましくは５μ
ｍ以下である。下限値は０．１μｍ以上である。また、
この所定の粒径を有する結晶の含有量は、３０〜９９．
７重量％であることが好ましく、３０〜７０重量％であ
ることがより好ましい。粒径及び含有量が上記範囲であ
れば、低誘電率であり、誘電損失が小さく、且つ高熱膨
張である低温焼成磁器組成物となる。

【００２２】長径の測定は、焼結体のラップ断面（いわ
ゆる鏡面研磨面）の組織観察するのがよい。例えば、倍
率２０００倍のＳＥＭ像を撮影した写真を用いて確認す
るのが簡便でよい。長径は、一つの特定結晶粒子の最も
離れた２点間を直線で結び、その長さを採るのがよい。
上記のＳＥＭ像の写真１枚あたりから任意に１０の特定
結晶粒子を抽出し、その平均値を採る。一つの試料につ
いては、少なくとも３個所以上の場所について同様の作
業を行い、その総合平均値を特定結晶粒子の長径として
採る。

【００２３】融点が１０００℃を越える（１１００〜１
５００℃、特には１５００〜１８００℃）特定結晶を含
有する仮焼粉末を用いた絶縁体層を有する本発明のコン
デンサ内蔵配線基板は、１０００℃以下の焼成では誘電
特性を効果的に安定して製造することができる。また、
絶縁体層中のガラス成分の含有量を少なくする（２０質
量％以下、好ましくは１０質量％以下）ことで、焼成中
のガラス成分の誘電体層への拡散によってコンデンサ特
性を劣化させることがない。

【００２４】本発明のコンデンサ内蔵配線基板の絶縁体
層は、その誘電率εが７以下、好ましくは６．５以下、
特には６．０以下（通常、４以上）になるように調製す
ると、誘電損失による電気信号の伝送ロスを低減できる
のでよい。好ましくは、そのＱ×ｆ値（無負荷品質係数
と共振周波数の積）が３０００ＧＨｚ以上、好ましくは
５０００ＧＨｚ以上（通常、２００００ＧＨｚ以下）に
なるように調製するのがよい。具体的には、組成比に応
じて焼成条件や粉末の状態を適宜最適化することで実現
できる。通常、出発原料にはガラス粉末を用いた場合、
その誘電率εは７を越えてしまう。本発明では、出発原
料に主結晶として特定結晶を含有する仮焼粉末を用いる
ことで、その誘電率εを７以下に低減するとともに、３
０００ＧＨｚ以上の優れたＱ×ｆ値を実現できる。この
誘電率、無負荷品質係数及び共振周波数はＪＩＳＲ
１６２７に従い測定することができ、Ｑｕ×ｆは無負荷
品質係数と共振周波数から算出することができる。

【００２５】本発明のコンデンサ内蔵配線基板の絶縁体
層や誘電体層は、その吸水率が０．１質量％以下になる
ように調製するのがよい。更には、０．０５％以下とす
るのがよい。ＡｇやＣｕ等の低抵抗金属材料を配線に用
いた場合においても、イオンマイグレーション等の不具
合の発生を効果的に抑えることができるからである。こ
の吸水率は、ＪＩＳＣ２１４１に従い測定すること
ができる。「熱膨張係数」は、８〜１５ｐｐｍ／℃とす
るのがよい。更には、１０〜１５ｐｐｍ／℃とするのが
よい。コンデンサ内蔵配線基板のプリント配線板との実
装接続の信頼性を向上できるからである。この熱膨張係
数は、示差膨張式熱機械分析装置等により測定すること
ができる。

【００２６】また、絶縁体層の抗折強度が１５０ＭＰａ
以上になるように調製するのがよい。実装等において配
線の密着強度を確保したり、基板自体の強度を確保する
ためには、１８０ＭＰａ以上がよい。組成比に応じて焼
成条件や粉末の状態を適宜最適化して吸水率や抗折強度
をも調整することで、配線基板にした際の信頼性を効果
的に高めることができる。この抗折強度は、ＪＩＳＲ
１６０１に従い測定することができる。

【００２７】本発明のコンデンサ内蔵配線基板の絶縁体
層は、Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶等の特定結晶以外の結晶
を副結晶として含んでもよい。副結晶としては、ＳｉＯ
₂系結晶（特にはα−石英、クリストバライト）がよ
い。更に、Ｌｉ₂Ｓｉ₂Ｏ₅結晶が含まれているとよい。

【００２８】本発明のコンデンサ内蔵配線基板の絶縁体
層は、セラミック成分と、ホウ素成分と、アルカリ金属
成分とを副成分として含有するのがよい。セラミック成
分としては、アルミナ、ジルコニア、スピネル、ガーナ
イト、アノーサイト、フォルステライトがよい。配線基
板の強度の向上、誘電特性の安定化を図ることができ
る。特には、アルミナを用いるのがよい。ホウ素成分
は、焼成温度の低温化、緻密化に寄与するものである。
焼成過程で酸化物になるものであればよいが、特にはＢ
₂Ｏ₃がよい。１０００℃以下で分解してＢ₂Ｏ₃を放出す
るＢや金属ホウ化物を用いることができる。

【００２９】アルカリ金属成分は、焼結体の低温焼成に
おける緻密化を促進する効果がある。特にはＬｉ成分が
有効である。仮焼粉末の組成比がＳｉＯ₂リッチな組成
の場合に効果的である。焼成過程で酸化物になるもので
あればよいが、特にはＬｉ₂Ｏがよい。他に、有機酸リ
チウムを用いることができる。このアルカリ金属成分
は、結晶相として含有されているのがよいが、粒界等に
ガラス相として含有されていると尚よい。

【００３０】Ｌｉ以外には、Ｎａ成分、Ｋ成分を用いる
とよい。焼成過程で酸化物になるものであればよいが、
特にはＮａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏがよい。他に、有機酸塩を用いる
ことができる。特には、これらをＬｉ成分と併用するの
が最も効果的である。より少ない添加量で焼結体を緻密
化できるため、配線材料たるＡｇ等の金属イオンのマイ
グレーションを一層低減することができ、また、誘電損
失も低下できる。

【００３１】Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶等の特定結晶の含
有量は、３０〜９９．７質量％（好ましくは４０〜８０
質量％、より好ましくは５０〜７０質量％）がよい。誘
電特性、コンデンサ特性、強度、同時焼結性に優れたコ
ンデンサ内蔵配線基板を得ることができる。特定結晶の
含有量が３０質量％未満になると、誘電特性が低下して
いく。また、９９．７質量％を越えると、１０００℃以
下での焼成が困難になるため、配線材料たるＡｇ等の低
抵抗配線との同時焼成が難しくなる。

【００３２】前記副結晶の含有量は、６９．７質量％以
下（好ましくは２０〜６０質量％、より好ましくは３０
〜５０質量％）がよい。副結晶の含有量が０．１質量％
未満になると、誘電率が７付近と高めになりがちであ
る。また、６９．７質量％を越えると、１０００℃以下
での焼成が困難になるため、配線材料たるＡｇ等の低抵
抗配線との同時焼成が難しくなる。

【００３３】セラミック成分の酸化物換算における含有
量は、０．１〜１０質量％がよい。配線基板の誘電特性
の安定化を促進できる。セラミック成分としては、アル
ミナ、ジルコニア、スピネル等がよい。特にはアルミナ
がよい。この含有量が０．１質量％未満の場合、誘電特
性の安定化を効果的には促進できなくなる。また、この
含有量が１０質量％を越えると、他の結晶相が析出しや
すくなり、誘電損失が大きくなっていく。より好ましい
範囲は０．１〜５質量％である。更に好ましくは０．１
〜３質量％である。

【００３４】ホウ素成分の酸化物換算における含有量
は、０．１〜１０質量％がよい。焼成温度の低温化、緻
密化を効果的に図ることができる。特にはＢ₂Ｏ₃がよ
い。この含有量が０．１質量％未満の場合、絶縁体層の
緻密化を効果的には促進できない。また、この含有量が
１０質量％を越えると、誘電特性（特には、誘電損失）
が大きくなるとともに、コンデンサ特性を低下させる。
より好ましい範囲は０．１〜４質量％である。更に好ま
しくは０．１〜３質量％である。

【００３５】アルカリ金属成分の酸化物換算における含
有量は、０．１〜１０質量％がよい。焼成温度の低温
化、緻密化を効果的に図ることができる。特には、Ｌｉ
₂Ｏを必須にするのがよい。この含有量が０．１質量％
未満の場合、絶縁体層の緻密化を効果的には促進できな
い。また、この含有量が１０質量％を越えると、配線基
板を作製した際にイオンマイグレーションが発生しやす
くなるとともに、コンデンサ特性を低下させる。より好
ましい範囲は０．１〜５質量％である。更に好ましくは
０．１〜３質量％である。

【００３６】本発明のコンデンサ内蔵配線基板の絶縁体
層は、特定結晶を含む仮焼粉末７０〜９９．７重量％
と、前記セラミック成分０．１〜１０重量％（酸化物換
算）と、前記ホウ素成分０．１〜１０質量％（酸化物換
算）及び前記アルカリ金属成分０．１〜１０質量％（酸
化物換算）を混合、成形してなるグリーンシートまたは
その積層体を、８５０〜１０００℃の範囲で焼成すると
よい。絶縁体層中の仮焼粉末量及び酸化物換算における
各添加物の量を特定することで、絶縁体層の低誘電率化
と誘電体層のコンデンサ特性の一層の向上を図るととも
に、Ａｇ等の配線材料のイオンマイグレーションをより
効果的に抑えることができる。この仮焼粉末としては、
Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶、ＳｒＳｉＯ₃結晶及びＭｇＳｉ
Ｏ₃結晶のうちの少なくとも１種を主成分とする仮焼粉
末を用いるのがよい。

【００３７】結晶化ガラスを用いる従来の場合と異な
り、特定結晶（例えば、主結晶としてＳｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ
₇結晶）を含有する仮焼粉末を焼結助剤で焼結させる方
法を用いて絶縁体層を形成するため、拡散金属による結
晶化のバラツキが抑制できる。その結果、メタライズ面
とその他の部分との焼結度合いに差が出ないため、基板
の反りの問題がない利点がある。また、絶縁体層中のガ
ラス成分の含有量が少ないため、焼成中のガラス成分の
誘電体層への拡散によってコンデンサ特性を劣化させる
ことがない。

【００３８】請求項２の発明は、特に副成分としてＳｉ
成分、Ｂ成分、アルカリ金属成分のうち少なくとも１種
を含有する誘電体磁器組成物を用いた誘電体層を有する
コンデンサ内蔵配線基板を要旨とする。ハロゲン元素を
実質的に含有しないペロブスカイト型のチタン酸バリウ
ムを主成分とする誘電体磁器組成物からなる誘電体層を
有するコンデンサ内蔵配線基板を大気雰囲気中１０００
℃以下で焼成可能とし、かつ、その誘電率εを１０００
以上にするのには、これらの副成分の添加が効果的であ
る。

【００３９】これらの副成分は、各成分を酸化物、炭酸
塩、有機金属、有機酸塩、ホウ化物、ケイ化物等の形態
で添加する。酸化物、炭酸塩、有機酸塩での添加が好ま
しい。特には、酸化物、炭酸塩である。基本的には、大
気雰囲気中の焼成により、酸化物になる形態で添加すれ
ばよい。ただし、焼結助剤としての効果が得られれば、
必ずしも酸化物である必要はない。また、あらかじめＢ
成分やＳｉ成分と共にガラス化して、ガラス成分の一部
として添加するか、副成分をゾルゲル法によりチタン酸
バリウム表面にコーティングしてもよい。

【００４０】副成分の好ましい組合わせとしては、Ｂ成
分を主体とする組成系（Ｂ成分が酸化物換算で４割以上
占める系）がよい。具体的には、Ｂ成分系、（Ｂ成分＋
アルカリ金属成分）系、（Ｂ成分＋アルカリ金属成分＋
Ｓｉ成分）系である。アルカリ金属は、Ｌｉ、Ｋ、Ｎａ
がよい。特にはＬｉである。Ｌｉ成分を主体としてＫ、
Ｎａを複合添加するのもよい。

【００４１】副成分について最も好ましくは、Ｂ成分を
副成分の必須成分にするのがよい。すなわち、Ｂ成分を
必須とする副成分を含有するとともに、該副成分が更に
Ｓｉ成分、アルカリ金属成分のうち少なくとも１種を含
有するのが特によい。より低温下での焼成が可能とな
る。用いる絶縁体層及び他の構成については、請求項１
の発明と同様のため、ここでは省略する。

【００４２】請求項３は、更に、副成分としてアルカリ
土類金属成分、Ｂｉ成分、Ｚｎ成分、Ｃｕ成分、Ｐｂ成
分のうち少なくとも１種を含有する誘電体磁器組成物か
らなる誘電体層を含むコンデンサ内蔵配線基板を要旨と
する。すなわち、請求項１の発明に対しては、副成分と
してアルカリ土類金属成分、Ｂｉ成分、Ｚｎ成分、Ｃｕ
成分、Ｐｂ成分のうち少なくとも１種を含有することに
なり、請求項２の発明に対しては、副成分としてＳｉ成
分、Ｂ成分、アルカリ金属成分のうち少なくとも１種
と、更に、アルカリ土類金属成分、Ｂｉ成分、Ｚｎ成
分、Ｃｕ成分、Ｐｂ成分のうち少なくとも１種を含有す
ることになる。

【００４３】これらの副成分を含有させることにより、
誘電体層を構成する誘電体磁器組成物の低温焼成化及び
誘電特性の更なる向上を図ることができる。アルカリ土
類金属成分としては、Ｍｇ成分、Ｃａ成分、Ｓｒ成分が
よい。これらの成分がチタン酸バリウムのＢａサイトの
一部を置換することにより、誘電体磁器組成物の特性向
上を促進するものと推察される。Ｂｉ成分、Ｚｎ成分、
Ｃｕ成分、Ｐｂ成分の添加によっても、誘電特性の向上
を図ることができる。

【００４４】これらの副成分は、各成分を酸化物、炭酸
塩、有機金属、有機酸塩、ホウ化物、ケイ化物等の形態
で添加する。酸化物、炭酸塩、有機酸塩での添加が好ま
しい。特には、酸化物、炭酸塩である。基本的には、大
気雰囲気中の焼成により、酸化物になる形態で添加すれ
ばよい。ただし、焼結助剤としての効果が得られれば、
必ずしも酸化物である必要はない。また、あらかじめＢ
成分やＳｉ成分と共にガラス化して、ガラス成分の一部
として添加するか、副成分をゾルゲル法によりチタン酸
バリウム表面にコーティングしてもよい。

【００４５】請求項４の発明は、誘電体層を構成する誘
電体磁器組成物に含まれる前記副成分の含有量を規定し
たコンデンサ内蔵配線基板を要旨とする。誘電体磁器組
成物に含まれるチタン酸バリウムの含有量を１００質量
％に対して、副成分を酸化物換算にて２０質量％以下含
有するものである。酸化物換算であるから、Ｓｉ成分は
ＳｉＯ₂、Ｂ成分はＢ₂Ｏ₃、アルカリ金属成分はＭ₂Ｏ
（但し、Ｍはアルカリ金属元素）、アルカリ土類金属成
分はＲＯ（但し、Ｒはアルカリ土類金属元素）、Ｂｉ成
分はＢｉ₂Ｏ₃、Ｚｎ成分はＺｎＯ、Ｃｕ成分はＣｕＯ、
Ｐｂ成分はＰｂＯとして換算する。

【００４６】前記副成分の酸化物換算における含有量
は、含まれる各成分の合計量を示す。副成分の酸化物換
算における含有量の上限値を２０質量％以下に規定した
理由は、副成分の含有量が２０質量％を越えると、誘電
率εが１０００未満に下がってしまうからである。この
含有量はより少ない方が、誘電率εの低下を最小限に抑
えることができる。好ましくは１５質量％以下、より好
ましくは１０質量％以下である。

【００４７】Ｓｉ成分を必須にする副成分については、
Ｓｉ成分の含有量の好ましい範囲は、５質量％以下であ
る。より好ましくは３質量％以下、更に好ましくは１質
量％以下である。Ｓｉ成分の含有量が５質量％を越える
と、所望する特性の一つであるｔａｎδが劣化したり、
焼成温度が高くなってしまうので好ましくない。

【００４８】Ｂ成分を必須にする副成分については、Ｂ
成分の含有量の好ましい範囲としては、１０質量％以下
がよい。より好ましくは６．５質量％以下、更に好まし
くは４質量％以下である。Ｂ成分の含有量が１０質量％
を越えると、焼結助剤成分が発泡を起こす等、焼結が不
安定になるので好ましくない。

【００４９】アルカリ金属成分を必須にする副成分につ
いては、アルカリ金属成分の好ましい含有量の範囲とし
ては、１０質量％以下がよい。より好ましくは５質量％
以下、更に好ましくは３質量％以下である。アルカリ金
属成分の含有量が１０質量％を越えると、誘電率εが低
下するので好ましくない。

【００５０】副成分の添加形態については、既に説明し
た内容と同様のため、ここでは省略する。

【００５１】請求項５の発明は、Ｓｉ成分、Ｂ成分及び
アルカリ金属成分を必須成分として特定量含有する誘電
体磁器組成物からなる誘電体層を有するコンデンサ内蔵
配線基板を要旨とする。各必須成分の含有量を規定する
ことで、９５０℃以下での低温焼結性及び誘電特性をバ
ランスよく両立することができる。酸化物換算であるか
ら、Ｓｉ成分はＳｉＯ₂、Ｂ成分はＢ₂Ｏ₃、アルカリ金
属成分はＭ₂Ｏ（但し、Ｍはアルカリ金属元素）として
換算する。

【００５２】副成分全体としての酸化物換算における含
有量の上限値は２０質量％以下である。この理由は前述
したように、副成分の含有量が２０質量％を越えると、
誘電率εが１０００未満に下がってしまうからである。
好ましくは１５質量％以下、より好ましくは１０質量％
以下である。

【００５３】Ｓｉ成分の含有量の好ましい範囲は、５質
量％以下である。より好ましくは３質量％以下、更に好
ましくは１質量％以下である。Ｓｉ成分の含有量が５質
量％を越えると、所望する特性の一つであるｔａｎδが
劣化したり、焼成温度が高くなってしまうので好ましく
ない。

【００５４】Ｂ成分の含有量の好ましい範囲としては、
１０質量％以下がよい。より好ましくは６．５質量％以
下、更に好ましくは４質量％以下である。Ｂ成分の含有
量が１０質量％を越えると、焼結助剤成分が発泡を起こ
す等、焼結が不安定になるので好ましくない。

【００５５】アルカリ金属成分の好ましい含有量の範囲
としては、１０質量％以下がよい。より好ましくは５質
量％以下、更に好ましくは３質量％以下である。アルカ
リ金属成分の含有量が１０質量％を越えると、誘電率ε
が低下するので好ましくない。

【００５６】副成分の添加形態については、既に説明し
た内容と同様のため、ここでは省略する。

【００５７】

【実施例】以下に本発明のコンデンサ内蔵配線基板を、
特性評価用基板（実施例１）及び図１に示す実施例（実
施例２）を用いて説明する。図１は、本発明のコンデン
サ内蔵配線基板（１）の一実施例を示す断面図である。
２は絶縁体層、３はコンデンサ部、４は配線層、５はビ
アホール導体、６は誘電体層、７はコンデンサ用電極で
ある。

【００５８】（実施例１）（１）誘電体の作製及び評価本発明の誘電体層単体での特性評価を行う。市販のＢａ
ＴｉＯ₃粉末、Ｂ₂Ｏ₃粉末、Ｌｉ₂ＣＯ₃粉末（ただし、
Ｌｉ₂Ｏ換算）を表１に示す組成になるように混合す
る。この混合粉末に樹脂バインダーとエタノールを加え
てポットミルを用いて混合してスラリを得る。このスラ
リを噴霧乾燥して造粒粉末を得る。

【００５９】この造粒粉末をプレス機を用いて８０ＭＰ
ａの圧力で板状に成形する。この成形板を１５０ＭＰａ
の圧力でＣＩＰ法（冷間静水圧プレス法）を用いて成形
体を得る。この成形体を表２に示す焼成条件（１０００
℃以下）で焼成し、目的とする焼結体を得る。

【００６０】この焼結体を以下のように評価する。ま
ず、焼結体を５８ｍｍ角の板状試料にする。その表面に
φ３８ｍｍの円板状電極及びその周りにφ４０ｍｍのリ
ング状のガード電極を形成し、一方、その裏面の全面に
も電極を形成する。インピーダンスアナライザー（ヒュ
ーレットパッカード社製ＨＰ４１９４Ａ）及びテスト
治具（ヒューレットパッカード社製ＨＰ１６４５１）
を用いて、周波数１ＭＨｚ、基準温度２５℃にて静電容
量を測定する。得られた静電容量及び試料寸法から誘電
率εを算出する。結果を表２に示す。

【００６１】

【表１】

【００６２】

【表２】

【００６３】いずれの試料も、静電容量が５０００ｐＦ
以上、誘電率εが１０００以上と良好な結果である。吸
水率をＪＩＳＣ２１４１により測定したが、全て
０．１％未満であった。副成分を２０質量％含有する試
料番号１３では、静電容量が５０７１ｐＦ、誘電率εが
１０１０である。したがって、副成分の含有量としては
２０質量％以下が好ましいことがわかる。また、Ｓｉ成
分の含有量がＳｉＯ₂換算にて５質量％含む実施例（試
料番号７）、Ｂ成分をＢ₂Ｏ₃換算にて１０質量％含む実
施例（試料番号４、試料番号１２）、アルカリ金属成分
の含有量がＭ₂Ｏ換算にて１０質量％含む実施例（試料
番号２１）等の結果を見ると、いずれの試料も、静電容
量が５０００〜６０００ｐＦ程度、誘電率εが１０００
〜１３００程度である。したがって、Ｓｉ成分の含有量
はＳｉＯ₂換算にて５質量％以下、Ｂ成分の含有量はＢ₂
Ｏ₃換算にて１０質量％以下、アルカリ金属成分の含有
量はＭ₂Ｏ換算にて１０質量％以下であるとよいことが
わかる。

【００６４】（２）絶縁体が誘電体に及ぼす影響の調査まず、絶縁体層に用いる仮焼粉末を作成する。表３に示
す割合で、シリカ粉末、マグネシア粉末、酸化ストロン
チウム粉末を混合する。この粉末を表４に示す仮焼温度
において２時間仮焼する。

【００６５】得られた仮焼物は粉末状であり、ＣｕＫα
線を用いてＸ線回折測定したところ仮焼物Ａ、Ｂ及びＤ
は、Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶、ＳｒＳｉＯ₃結晶、α-石
英結晶を含有することが分かった。また、仮焼物Ｃ及び
Ｅは、Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶、ＭｇＳｉＯ₃結晶、Ｍｇ
₃ＳｉＯ₄結晶、α‐石英結晶を含有することが分かっ
た。

【００６６】仮焼物Ａ〜Ｅに表４に示す割合で、アルミ
ナ粉末（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化ホウ素粉末（Ｂ₂Ｏ₃）、酸化
リチウム粉末（Ｌｉ₂Ｏ）、酸化ナトリウム粉末（Ｎａ₂
Ｏ）及び酸化カリウム粉末（Ｋ₂Ｏ）を混合し、更に、
バインダ、エタノールを加えた後、造粒し、８０ＭＰａ
で加圧し成形する。その後、１５０ＭＰａで等方静水圧
プレス（ＣＩＰ）処理を行い、次いで、大気雰囲気にお
いて表４に示す焼成温度で焼成する。

【００６７】得られた試料番号３７〜試料番号４１につ
いて、吸水率、熱膨張係数、抗折強度、比誘電率及び無
負荷品質係数と共振周波数の積の５つの特性を以下のよ
うにして測定する。この結果を表５に示す。吸水率：ＪＩＳＣ２１４１により測定する。熱膨張係数：得られた焼結体を直径４ｍｍ、長さ２０ｍ
ｍに加工し、３０〜４００℃において示差膨張式熱機械
分析装置（株式会社リガク社製、型式「ＴＭＡ８１４０
Ｃ」）を用いて測定する。抗折強度：得られた焼結体を長さ４０ｍｍ、厚さ３ｍ
ｍ、幅４ｍｍに研削し、ＪＩＳＲ１６０１に準ずる
３点曲げ強さにより測定する。誘電特性：ＪＩＳＲ１６２７に準ずる平行導体板型
誘電体共振器法のＴＥ ₀₁₁モードにより共振周波数８〜
９ＧＨｚにおいて測定する。

【００６８】各焼結体の表面を鏡面研磨し、走査型電子
顕微鏡によりその表面を観察したところ、０．５〜５μ
ｍのＳｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶粒子が認められた。

【００６９】次に、誘電体層を絶縁体層で挟着した状態
で焼成した場合の誘電体層のコンデンサ特性への影響の
有無を評価する。絶縁体層と誘電体層の組合わせは、表
６に示す通りである。表６の試料番号４２〜試料番号４
６の組合わせとなる各組成比の混合粉末にアクリル系バ
インダ、可塑剤、分散剤、トルエン、メチルエチルケト
ンを添加してスラリを調製する。このスラリを公知のド
クターブレード法を用いて厚み３００μｍのグリーンシ
ートに成形する。

【００７０】誘電体層のグリーンシートを、焼成後に厚
み３．４〜４ｍｍの範囲になるように積層して積層体を
形成する。この積層体の両面に、同じく焼成後に厚み
３．４〜４ｍｍの範囲になる絶縁体層のグリーンシート
を積層する。２５０℃にて大気雰囲気下で脱バインダ処
理を行う。その後大気窒素雰囲気下９００〜９５０℃
（２時間保持）で焼成する。その後、誘電体層を残して
絶縁体層を研磨除去して、目的とする特性評価用基板を
得る。

【００７１】この特性評価用基板を以下のように評価す
る。まず、焼結体を５８ｍｍ角の板状試料にする。その
表面にφ３８ｍｍの円板状電極及びその周りにφ４０ｍ
ｍのリング状のガード電極を形成し、一方、その裏面の
全面にも電極を形成する。インピーダンスアナライザー
（ヒューレットパッカード社製ＨＰ４１９４Ａ）及び
テスト治具（ヒューレットパッカード社製ＨＰ１６４
５１）を用いて、周波数１ＭＨｚ、基準温度２５℃にて
静電容量を測定する。得られた静電容量及び試料寸法か
ら誘電率εを算出する。結果を表６に示す。表６の結果
より、絶縁体層を挟着して焼成した場合においても、誘
電体層のコンデンサ特性は殆ど影響を受けていないこと
がわかる。

【００７２】

【表３】

【００７３】

【表４】

【００７４】

【表５】

【００７５】

【表６】

【００７６】（実施例２）表６の試料番号４２〜試料番
号４６の組合わせの組成比の混合粉末にアクリル系バイ
ンダ、可塑剤、分散剤、トルエン、メチルエチルケトン
を添加してスラリを調製する。このスラリを公知のドク
ターブレード法を用いてグリーンシートに成形する。絶
縁体層の厚みは１２０μｍ、誘電体層の厚みは６０μｍ
とする。

【００７７】これらのグリーンシートの所定の位置に金
型を用いて直径２５０μｍのビアホールを形成する。ビ
アホール内にＡｇペーストを充填印刷して、ビアホール
導体を形成する。その後、グリーンシート上に公知のス
クリーン印刷法を用いてＡｇペーストを所定のパターン
に印刷して、配線層及びコンデンサ電極を形成する。印
刷厚みは２０μｍである。印刷済のグリーンシートを図
１に示す構成になるように、表６の組合わせに従って圧
着、積層して、積層体を形成する。２５０℃にて大気雰
囲気下で脱バインダ処理を行う。その後大気雰囲気下９
００〜９５０℃（２時間保持）で焼成して、目的とする
基板を得る。

【００７８】得られた各基板の反り量（基板の基準面か
らの盛り上がり量の最大値；図２を参照。）を表面粗度
計を用いて測定する。反り量はいずれも５０μｍ以下で
良好な結果であった。

【００７９】

【発明の効果】本発明によれば、ペロブスカイト型のチ
タン酸バリウムを用いて大気中１０００℃以下で焼成可
能で、かつ、優れた誘電特性を有する誘電体磁器組成物
からなる誘電体層を有するコンデンサ内蔵配線基板を提
供することができる。１０００℃以下、特には９５０℃
以下で焼成可能なため、融点が９６１℃のＡｇを電極材
料として同時焼成が可能である。そのため、他の大気中
１０００℃以下で焼成可能な低温焼成磁器組成物からな
る絶縁体層を有する配線基板にコンデンサ層として内蔵
できる。また、積層コンデンサ等の電子部品を形成でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例で用いたコンデンサ内蔵配線基
板の断面図。

【図２】コンデンサ内蔵配線基板の反り量の測定方法の
説明図。

【符号の説明】

１コンデンサ内蔵配線基板２絶縁体層３コンデンサ部４配線層５ビアホール導体６誘電体層７コンデンサ用電極

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ (72)発明者水谷秀俊愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号日本特殊陶業株式会社内 (72)発明者境努愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号日本特殊陶業株式会社内 (72)発明者鈴村真司愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号日本特殊陶業株式会社内 (72)発明者飯尾聡愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号日本特殊陶業株式会社内Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AE02 AE03 AE04 5E346 AA02 AA05 AA12 AA15 AA22 AA32 BB20 CC16 CC21 CC39 DD07 DD13 DD34 EE24 EE27 EE29 FF45 GG04 GG06 GG08 GG09 HH06 HH31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体層と、該誘電体層の上下面に形成
されてコンデンサを構成するコンデンサ電極とからなる
コンデンサ部と、誘電体層及びコンデンサ部を挟着するように形成された
絶縁体層とを含むコンデンサ内蔵配線基板において、該誘電体層が、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃）を主
成分とし、大気雰囲気中１０００℃以下で焼成してなる
誘電体磁器組成物であって、以下の（ａ）及び（ｂ）の
要件を具備する誘電体磁器組成物からなることを特徴と
するコンデンサ内蔵配線基板。（ａ）該誘電体磁器組成物の主結晶がペロブスカイト型
である。（ｂ）その誘電率εが１０００以上である。
【請求項２】誘電体層と、該誘電体層の上下面に形成
されてコンデンサを構成するコンデンサ電極とからなる
コンデンサ部と、誘電体層及びコンデンサ部を挟着するように形成された
絶縁体層とを含むコンデンサ内蔵配線基板において、該誘電体層が、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃）を主
成分とし、大気雰囲気中１０００℃以下で焼成してなる
誘電体磁器組成物であって、以下の（ａ）乃至（ｃ）の
要件を具備する誘電体磁器組成物からなることを特徴と
するコンデンサ内蔵配線基板。（ａ）該誘電体磁器組成物の主結晶がペロブスカイト型
である。（ｂ）その誘電率εが１０００以上である。（ｃ）副成分としてＳｉ成分、Ｂ成分、アルカリ金属成
分のうち少なくとも１種を含有する。
【請求項３】前記誘電体層が、更に、副成分としてア
ルカリ土類金属成分、Ｂｉ成分、Ｚｎ成分、Ｃｕ成分、
Ｐｂ成分のうち少なくとも１種を含有することを特徴と
する請求項１又は請求項２に記載のコンデンサ内蔵配線
基板。
【請求項４】前記誘電体層が、前記チタン酸バリウム
１００質量％に対して、前記副成分を酸化物換算にて２
０質量％以下含有することを特徴とする請求項２又は請
求項３に記載のコンデンサ内蔵配線基板。
【請求項５】前記誘電体層に含まれる前記副成分の酸
化物換算における含有量が、以下の（ｄ）乃至（ｆ）の
要件を具備することを特徴とする請求項２乃至請求項４
のいずれかに記載のコンデンサ内蔵配線基板。但し、
（ｄ）乃至（ｆ）がすべて０になる場合は除く。（ｄ）前記Ｓｉ成分の含有量がＳｉＯ₂換算にて５質量
％以下。（ｅ）前記Ｂ成分の含有量がＢ₂Ｏ₃換算にて１０質量％
以下。（ｆ）前記アルカリ金属成分の含有量がＭ₂Ｏ換算にて
１０質量％以下。ただし、Ｍはアルカリ金属元素を示
す。