JP2001312222A

JP2001312222A - アクティブマトリクス基板およびその製造方法並びに該基板を用いた表示装置および撮像装置

Info

Publication number: JP2001312222A
Application number: JP2000321713A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Izumi; 良弘和泉; Yoshimasa Chikama; 義雅近間
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2000-02-25
Filing date: 2000-10-20
Publication date: 2001-11-09
Also published as: TW506235B; KR20010085344A; US20010019374A1; US6864936B2; KR100397914B1

Abstract

(57)【要約】【課題】電極配線を厚膜化して低抵抗化することによ
り、例えば表示装置や撮像装置に好適に使用することが
できるアクティブマトリクス基板、およびその製造方法
を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス基板は、ゲート電
極２とソース電極６とが格子状に配列されてなる電極配
線と、少なくとも該電極配線上に形成され、ソース電極
６上の所定の領域に開口部１１ａを有する絶縁保護膜
と、上記開口部１１ａにおけるソース電極６上に積層さ
れた金属層とを備えている。従って、ソース電極６上に
金属層が積層されているので、該金属層によってソース
電極６の厚膜化を容易に図ることができ、ソース電極６
を充分に低抵抗化することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、液晶表示
装置（ＬＣＤ）やエレクトロクロミック表示装置（ＥＣ
Ｄ）、エレクトロルミネッセント表示装置（ＥＬＤ）等
のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）；Ｘ線撮像装
置等のフラットパネルセンサ（ＦＰＳ）；等の各種装置
に好適に使用することができるアクティブマトリクス基
板、およびその製造方法、並びに、該基板を用いた表示
装置および撮像装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、走査電極と信号電極とが格子
状に配列されてなるＸ−Ｙマトリクス状の電極配線と、
該電極配線の交差部毎に設けられたＴＦＴ（薄膜トラン
ジスタ）等のスイッチング素子とを組み合わせてなり、
各スイッチング素子を走査電極毎に順次、走査駆動する
ことが可能なアクティブマトリクス基板が知られてい
る。該アクティブマトリクス基板は、そのフラット性お
よび駆動能力の高さ等の種々の利点を生かすべく、フラ
ットパネルディスプレイやフラットパネルセンサ等の各
種装置に応用されている。

【０００３】具体的には、例えば、図６に示すように、
アクティブマトリクス基板と、電気光学媒体である液晶
とを組み合わせてなる、アクティブマトリクス型の液晶
ディスプレイが開発されている。該ディスプレイは、現
在、各種ＯＡ機器やＡＶ機器等の幅広い用途・分野に利
用されている。また、例えば、図７に示すように、アク
ティブマトリクス基板と、Ｘ線のエネルギーを電荷に変
換する光導電体とを組み合わせてなる、フラットパネル
型のＸ線センサが検討されている。該Ｘ線センサは、Ｘ
線画像データのディジタル化や動画撮影等が容易である
ので、Ｘ線フィルムとの置き換えを目指して、その開発
が盛んに行われている。

【０００４】ところが、上記フラットパネルディスプレ
イやフラットパネルセンサ等において、その大面積化
（大画面化）や高精細化を図った場合には、駆動周波数
が高くなると共に、アクティブマトリクス基板における
電極配線（バスライン）の抵抗値や寄生容量が増大する
こととなる。例えばフラットパネルディスプレイにおい
ては、電極配線の抵抗値や寄生容量が増大すると、駆動
信号が遅延する等の影響により、表示の均一性が損なわ
れるという問題点が生じる。また、例えばフラットパネ
ルセンサにおいては、電極配線の抵抗値や寄生容量が増
大すると、光導電体で発生する微弱信号を信号電極を介
して読み出す際に、読出信号のＳ／Ｎ比が劣化するとい
う問題点が生じる。

【０００５】そこで、上記の問題点を解消するために、
つまり、電極配線の抵抗値を低減するための対策とし
て、電極配線の材料により低い抵抗値を示すアルミニウ
ムを用い、さらに該電極配線の膜厚をより厚くすること
が行われている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般
に、アクティブマトリクス基板の電極配線は、スパッタ
蒸着等の真空蒸着を行う真空成膜装置を用いて基板上に
金属薄膜を成膜した後、エッチングを行うことによって
所定の配線形状（パターン）を形成する方法を採用する
ことにより設けられている。このため、電極配線の膜厚
をより厚くしようとすると、つまり、上記の方法を用い
て電極配線の厚膜化を図ると、以下の問題点が生じるこ
ととなる。

【０００７】即ち、(1) 真空成膜装置は、一般に枚葉処
理を行う構成となっているため、電極配線の厚膜化を図
ると、そのスループット（処理能力）が低下し、従って
アクティブマトリクス基板の生産性が低下してしまう；
(2) 基板の全面（表面）に金属薄膜を成膜した後、エッ
チングを行うことによって不要な部分を除去するため、
金属薄膜の厚膜化に伴い、エッチングに長時間を要する
ようになると共に、除去される金属（材料）の量が増加
し、無駄が多くなる。

【０００８】従って、上記従来の方法で、膜厚が５００
ｎｍを越える電極配線を設けること（厚膜化を図るこ
と）は、生産性やコスト等から鑑みて、事実上、困難
（非現実的）である。つまり、上記従来の方法では、ア
クティブマトリクス基板の電極配線を厚膜化して、該電
極配線の抵抗値を低減すること、並びに、これによって
フラットパネルディスプレイやフラットパネルセンサ等
の大面積化や高精細化を図ることは、事実上、困難であ
るという問題点を有している。

【０００９】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たものであり、その目的は、無駄になる金属の量を抑制
すると共に生産性の低下を招来することなく、アクティ
ブマトリクス基板の電極配線を厚膜化して、該電極配線
の抵抗値を低減すること、並びに、これによってフラッ
トパネルディスプレイやフラットパネルセンサ等の大面
積化や高精細化を図ること、即ち、これら各種装置に好
適に使用することができるアクティブマトリクス基板、
およびその製造方法を提供することにある。また、他の
目的は、該基板を用いた表示装置および撮像装置を提供
することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス基板は、上記の課題を解決するために、走査電極
と信号電極とが格子状に配列されてなる電極配線と、少
なくとも該電極配線上に形成され、走査電極および／ま
たは信号電極上の所定の領域に開口部を有する絶縁膜
と、上記開口部における電極上に積層された金属層とを
備えていることを特徴としている。

【００１１】上記の構成によれば、走査電極および／ま
たは信号電極上に金属層が積層されているので、該金属
層によって走査電極および／または信号電極の厚膜化を
図ることができる。それゆえ、電極配線の抵抗値が充分
に低減された（低抵抗化された）アクティブマトリクス
基板を提供することができる。

【００１２】本発明のアクティブマトリクス基板は、上
記の課題を解決するために、さらに、上記金属層が湿式
メッキ法によって形成されていることを特徴としてい
る。

【００１３】上記の構成によれば、金属層の厚膜化を容
易に図ることができる。また、バッチ処理による金属層
の形成が可能となるので、スループット（処理能力）の
低下を抑制することができる。さらに、絶縁膜の開口部
における電極上にのみ、金属層を選択的に形成すること
ができるので、該金属層を厚膜化しても、無駄になる金
属の量を抑制することができる。

【００１４】本発明のアクティブマトリクス基板は、上
記の課題を解決するために、さらに、上記金属層が、ニ
ッケル膜、銅膜および金膜からなる群より選ばれる少な
くとも一種の金属膜を含むことを特徴としている。

【００１５】上記の構成によれば、例えば無電解メッキ
法または電気メッキ法によって、比抵抗が小さい（低抵
抗の）金属層を容易に形成することができる。

【００１６】本発明のアクティブマトリクス基板は、上
記の課題を解決するために、さらに、上記走査電極およ
び／または信号電極が透明導電酸化膜からなることを特
徴としている。

【００１７】上記の構成によれば、絶縁膜の開口部にお
ける透明導電酸化膜上にのみ、例えばメッキ触媒を選択
的に付着させることができるので、無電解メッキ法によ
って、該透明導電酸化膜上にのみ、金属層を選択的に形
成することができる。

【００１８】本発明の表示装置は、上記の課題を解決す
るために、上記構成のアクティブマトリクス基板と、該
アクティブマトリクス基板によって駆動される電気光学
媒体とを備えていることを特徴としている。

【００１９】上記の構成によれば、表示装置は、電極配
線の抵抗値が充分に低減された（低抵抗化された）アク
ティブマトリクス基板を備えている。従って、表示装置
の大面積化（大画面化）や高精細化を図った場合におい
ても、駆動信号の遅延を抑制することができるので、表
示の均一性を損なうことはない。即ち、駆動信号の遅延
を生じることなく、大画面かつ高精細の表示装置を提供
することができる。

【００２０】本発明の撮像装置は、上記の課題を解決す
るために、上記構成のアクティブマトリクス基板と、該
アクティブマトリクス基板によって電荷が読み出される
光導電体とを備えていることを特徴としている。

【００２１】上記の構成によれば、撮像装置は、電極配
線の抵抗値が充分に低減された（低抵抗化された）アク
ティブマトリクス基板を備えている。従って、光導電体
内で発生する微小な電荷を、Ｓ／Ｎ比を充分に確保した
状態で読み出すことができる。また、上記の構成によれ
ば、撮像装置の大面積化（大画面化）や高精細化を図っ
た場合においても、駆動信号の遅延を抑制することがで
きる。即ち、Ｓ／Ｎ比を充分に確保した状態で微小な電
荷を読み出すことができ、しかも、駆動信号の遅延を生
じることなく、大画面かつ高精細の撮像装置を提供する
ことができる。

【００２２】本発明のアクティブマトリクス基板の製造
方法は、上記の課題を解決するために、基板上に、走査
電極と信号電極とを格子状に配列して電極配線を形成す
る工程と、少なくとも該電極配線上に、走査電極および
／または信号電極上の所定の領域に開口部を有する絶縁
膜を形成する工程と、上記開口部における電極上に、金
属層を選択的に形成する工程とを含むことを特徴として
いる。

【００２３】上記の構成によれば、絶縁膜の開口部にお
ける電極上にのみ、金属層を選択的に形成するため、該
金属層を形成する際に、所定のパターニングを施した後
にエッチングを行う従来の工程（エッチング工程）が不
要となる。また、エッチング工程が不要であるので、金
属層を厚膜化しても、無駄になる金属の量を抑制するこ
とができる。従って、電極配線の抵抗値が充分に低減さ
れた（低抵抗化された）アクティブマトリクス基板を、
安価にかつ簡単に製造することができる。

【００２４】本発明のアクティブマトリクス基板の製造
方法は、上記の課題を解決するために、さらに、上記金
属層を、無電解メッキ法によって形成することを特徴と
している。

【００２５】上記の構成によれば、無電解メッキ法は、
スパッタ蒸着等の真空蒸着法と比較して、バッチ処理に
よる金属層の形成が容易であるので、金属層を厚膜化し
ても、スループット（処理能力）の低下を抑制すること
ができる。また、大面積を有する基板上に形成された電
極上においても、均一な厚みで金属層を形成することが
でき、かつ、孤立パターン上にも金属層を形成すること
ができる。従って、電極配線の抵抗値が充分に低減され
た（低抵抗化された）アクティブマトリクス基板を、よ
り一層安価にかつ簡単に製造することができる。

【００２６】本発明のアクティブマトリクス基板の製造
方法は、上記の課題を解決するために、さらに、上記金
属層を、電気メッキ法によって形成することを特徴とし
ている。

【００２７】上記の構成によれば、電気メッキ法は、ス
パッタ蒸着等の真空蒸着法と比較して、バッチ処理によ
る金属層の形成が容易であるので、金属層を厚膜化して
も、スループット（処理能力）の低下を抑制することが
できる。また、触媒付与等のメッキ前工程を必要とせず
に、簡便に金属層を選択的に形成することができる。従
って、電極配線の抵抗値が充分に低減された（低抵抗化
された）アクティブマトリクス基板を、より一層安価に
かつ簡単に製造することができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の実施の
一形態について図１ないし図２に基づいて説明すれば、
以下の通りである。尚、以下の説明においては、絶縁膜
が信号電極上の所定の領域に開口部を有している構成を
備えたアクティブマトリクス基板を例に挙げることとす
る。

【００２９】本実施の形態にかかるアクティブマトリク
ス基板は、図１および図２（ｇ）に示すように、絶縁性
基板１上に、ゲート電極（走査電極）２、蓄積容量電極
（Ｃｓ電極）３、ゲート絶縁膜（誘電体層）４、半導体
層５、ソース電極（信号電極）６、ドレイン電極７、絶
縁保護膜（絶縁膜）８、金属層１２、層間絶縁膜１３、
画素電極１５等が積層されることによって形成されてい
る。そして、ゲート電極２やゲート絶縁膜４、半導体層
５、ソース電極６、ドレイン電極７等で以てスイッチン
グ素子であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子９が構成
されており、蓄積容量電極３やゲート絶縁膜４、ドレイ
ン電極７等で以て電荷蓄積容量（Ｃｓ）１０が構成され
ている。つまり、ソース電極６は、信号線としての直線
部分と、ＴＦＴ素子９を構成するための延伸部分とを備
えており、ドレイン電極７は、ＴＦＴ素子９と電荷蓄積
容量１０とをつなぐように設けられている。上記絶縁性
基板１としては、例えば、ガラス基板やプラスチック基
板が好適であるが、特に限定されるものではない。

【００３０】上記ゲート電極２並びにソース電極６は、
絶縁性基板１上に格子状に形成（配列）されており、こ
れによって電極配線が構成されている。そして、格子状
に形成された該電極配線の交差部（格子点）毎に、上記
ＴＦＴ素子９が設けられている。また、画素電極１５
は、マトリクス状に多数設けられており、ＴＦＴ素子９
を介して上記ソース電極６に接続されている。従って、
これら電極配線、ＴＦＴ素子９、画素電極１５等で以
て、画素配列層が構成されており、アクティブマトリク
ス基板は、絶縁性基板１上に画素配列層等が形成される
ことによって構成されている。

【００３１】ゲート電極２および蓄積容量電極３の材料
としては、例えば、アルミニウム、モリブデン、タンタ
ル、およびこれら金属のうちの少なくとも１つを主成分
とする各種合金等を用いることができる。またゲート電
極２および蓄積容量電極３として、透明導電酸化膜であ
るＩＴＯ（インジウム−錫酸化膜）やＳｎＯ₂（錫酸化
膜）を用いることもできる。ゲート電極２および蓄積容
量電極３は、例えば、スパッタ蒸着法や無電解メッキ法
（化学メッキ法）等によって金属膜を成膜した後、所望
の形状にパターニングすることによって設けられてい
る。上記金属膜の膜厚は、２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度
であればよいが、特に限定されるものではない。ゲート
電極２および蓄積容量電極３は、製造工程の簡略化等の
観点から、同一材料、同一工程で以て形成されることが
望ましい。

【００３２】ゲート絶縁膜４の材料としては、例えば、
ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＴａＯｘ等を用いることができ
る。また、ゲート絶縁膜４として、これら材料からなる
膜を積層した積層膜を用いることもできる。ゲート絶縁
膜４は、例えば、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）や陽極
酸化法等によって上記材料からなる膜を成膜することに
よって設けられている。上記膜の膜厚は、２００ｎｍ〜
５００ｎｍ程度であればよいが、特に限定されるもので
はない。尚、ゲート絶縁膜４は、ゲート電極２並びに蓄
積容量電極３を覆うようにして設けられており、ゲート
電極２上に位置する部位がＴＦＴ素子９におけるゲート
絶縁膜として作用し、蓄積容量電極３上に位置する部位
が電荷蓄積容量１０における誘電体層として作用する。

【００３３】半導体層５の材料としては、例えば、ａ−
Ｓｉ（アモルファスシリコン）、ｐ−Ｓｉ（多結晶シリ
コン）、ＣｄＳｅ等を用いることができる。半導体層５
は、例えば、ａ−Ｓｉからなる場合には、ＣＶＤ法によ
ってａ−Ｓｉ膜を成膜することによって設けられてい
る。上記膜の膜厚は、３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度であれ
ばよいが、特に限定されるものではない。半導体層５
は、ＴＦＴ素子９のチャネルを形成すべく、ゲート電極
２上、つまり、ゲート絶縁膜４上におけるＴＦＴ素子９
が形成される部位に設けられている。

【００３４】ソース電極６およびドレイン電極７の材料
としては、例えば、アルミニウム、モリブデン、タンタ
ル、およびこれら金属のうちの少なくとも１つを主成分
とする各種合金等を用いることができる。また、ソース
電極６およびドレイン電極７として、透明導電酸化膜で
あるＩＴＯ（インジウム−錫酸化膜）やＳｎＯ₂（錫酸
化膜）を用いることもできる。ソース電極６およびドレ
イン電極７は、例えば、スパッタ蒸着法等によって上記
金属膜を成膜した後、所望の形状にパターニングするこ
とによって設けられている。該形成方法は、大型かつ高
精細のアクティブマトリクス基板を製造する場合に好適
である。若しくは、ソース電極６およびドレイン電極７
は、例えば、スパッタ蒸着法や、ゾル−ゲル材料を用い
た塗布・焼成法等によってＩＴＯを成膜した後、所望の
形状にパターニングすることによって設けられている。
上記金属膜やＩＴＯの膜厚は、１００ｎｍ〜２００ｎｍ
程度であればよいが、特に限定されるものではない。そ
して、蓄積容量電極３上にドレイン電極７が積層されて
いる部位に、電荷蓄積容量１０が形成されている。ソー
ス電極６およびドレイン電極７は、製造工程の簡略化等
の観点から、同一材料、同一工程で以て形成されること
が望ましい。尚、半導体層５とソース電極６およびドレ
イン電極７との間（界面）には、コンタクト層として、
ｎ⁺型のａ−Ｓｉ層等を設けることがより好ましい。

【００３５】絶縁保護膜８は、上記電極６・７上、つま
り、上記ＴＦＴ素子９や電荷蓄積容量１０等が形成され
ている絶縁性基板１上に、ほぼ全面（ほぼ全領域）にわ
たって形成されている。絶縁保護膜８の材料としては、
例えば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ポリイミド樹脂、アクリ
ル樹脂等を用いることができる。また、絶縁保護膜８と
して、これら材料からなる膜を積層した積層膜を用いる
こともできる。絶縁保護膜８は、例えば、ＳｉＮｘから
なる場合には、ＣＶＤ法によってＳｉＮｘ膜を成膜する
ことによって設けられている。上記膜の膜厚は、３００
ｎｍ程度であればよいが、特に限定されるものではな
い。

【００３６】上記絶縁保護膜８は、その所定位置、つま
り、ソース電極６における直線部分上に位置する部位
（信号電極上の所定の領域；図１ではハッチングを施し
た領域）に開口部１１ａを有しており、ドレイン電極７
におけるＴＦＴ素子９を構成するための部分を除いた部
分上に位置する部位（同図ではハッチングを施した領
域）に開口部１１ｂを有している。つまり、上記開口部
１１ａは、ＴＦＴ素子９を構成するための延伸部分を除
いたソース電極６上に、該ソース電極６に沿ってストラ
イプ状に形成（開口）されている。また、開口部１１ｂ
は、ＴＦＴ素子９を構成するための部分を除いたドレイ
ン電極７上、より好ましくは電荷蓄積容量１０を構成し
ているドレイン電極７上に形成されている。

【００３７】開口部１１ａ・１１ｂは、絶縁保護膜に所
定のレジストパターンを形成した後、エッチングを行う
ことによって該絶縁保護膜における不要な部分（電極６
・７上における開口部が設けられる部分）を除去するこ
とによって形成されている。そして、開口部１１ａにお
いては下地であるソース電極６が露出しており、開口部
１１ｂにおいては下地であるドレイン電極７が露出して
いる。尚、開口部１１ａの大きさは、ソース電極６にお
ける直線部分上から、はみ出さない大きさであればよ
い。また、開口部１１ｂの大きさは、ドレイン電極７に
おけるＴＦＴ素子９を構成するための部分を除いた部分
上から、より好ましくは電荷蓄積容量１０上から、はみ
出さない大きさであればよい。

【００３８】金属層１２は、上記開口部１１ａ・１１ｂ
を埋めるようにして形成されており、ソース電極６上お
よびドレイン電極７上に積層されている。該金属層１２
は、下地である電極６・７の抵抗値を低減すること（電
極６・７を低抵抗化すること）を目的として設けられて
いる。金属層１２の材料としては、例えば、ニッケル、
銅、金、およびこれら金属を主成分とする各種合金等を
用いることができ、そのなかでも比抵抗がより小さい
（より低抵抗の）銅および金が好適であり、安価な金属
である銅が最適である。また、ニッケル膜からなる金属
層１２は、下地である電極６・７との密着性がより良好
である。

【００３９】金属層１２は、例えば湿式メッキ法、即
ち、無電解メッキ法または電気メッキ法によって金属膜
を成膜することによって設けられている。これにより、
金属層１２の厚膜化を容易に図ることができる。また、
バッチ処理による金属層１２の形成（成膜）が可能とな
るので、スループット（処理能力）の低下を抑制するこ
とができる。さらに、開口部１１ａ・１１ｂにおける電
極６・７上にのみ、金属層１２を選択的に形成（メッキ
成膜）することができるので、該金属層１２を厚膜化し
ても、無駄になる金属の量を抑制することができる。上
記金属膜の膜厚は、電極６・７を大幅に低抵抗化するこ
とができるように、２００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であ
ればよいが、絶縁保護膜８の膜厚等に応じて設定すれば
よく、特に限定されるものではない。

【００４０】無電解メッキ法によって金属層１２を形成
する場合には、メッキ触媒と無電解メッキ液とを用い
る。該メッキ触媒としては、パラジウム触媒が好適であ
る。

【００４１】例えば、無電解メッキ法によって成膜され
た銅の比抵抗は２μΩｃｍであるのに対し、従来のスパ
ッタ蒸着法によって成膜された例えばアルミニウムの比
抵抗は４μΩｃｍである。従って、銅とアルミニウムと
を同一の膜厚に成膜した場合には、銅からなる金属層の
シート抵抗値は、アルミニウムからなる金属層のシート
抵抗値の1/2 である。つまり、金属層１２のシート抵抗
値を1/2 （半分）に低減することができる。また、無電
解メッキ法によって膜厚９００ｎｍの銅膜を形成した場
合と、スパッタ蒸着法によって膜厚３００ｎｍのアルミ
ニウム膜を形成した場合とを比較すると、銅からなる金
属層のシート抵抗値は、アルミニウムからなる金属層の
シート抵抗値の1/6 になるので、金属層１２のシート抵
抗値を1/6 に低減することができる。そして、無電解メ
ッキ法によって金属層１２を形成することにより、スル
ープット（処理能力）を低下させることなくソース電極
６およびドレイン電極７の厚膜化を図ることができ、し
かも、無駄になる金属の量を抑制することができる。そ
れゆえ、従来のスパッタ蒸着法と比較して、電極６・７
の厚膜化を容易に図ることができ、該電極６・７を充分
に低抵抗化することができる。即ち、本実施の形態にか
かるアクティブマトリクス基板は、上記の方法によって
形成された金属層１２を有するので、ソース電極６およ
びドレイン電極７の抵抗値を充分に低減することができ
る。

【００４２】尚、ソース電極６およびドレイン電極７が
ＩＴＯであり、金属層１２が銅膜である場合には、ＩＴ
Ｏと銅膜との間（界面）に、両者の密着性をより一層向
上させるために、膜厚が２００ｎｍ程度のニッケル膜を
設けることができる。ニッケル膜は、ＩＴＯとの密着性
に優れており、無電解メッキ法によって形成することが
できる。ニッケルは、パラジウム触媒等のメッキ触媒が
付着されたＩＴＯ上に選択的に析出する。また、該ニッ
ケル膜と銅膜との密着性をより一層向上させるために、
ニッケル膜表面に、膜厚が１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の金
膜をさらに設けることもできる。金はニッケルに対して
いわゆる置換メッキが可能であり、これにより金膜を形
成することができる。そして、この場合には、金をメッ
キ触媒として銅膜を形成することができる。つまり、Ｉ
ＴＯ上にニッケル膜および金膜を積層した後、銅膜を形
成する際には、メッキ触媒の作用によって所定の位置に
選択的に各メッキを施すことができ、これによって各層
（膜）を容易に形成することができる。従って、パター
ニングに関する工程を追加することなく、上記三層から
なる積層構造を容易に形成することができる。以上のよ
うに、金属層１２は、ニッケル膜、銅膜および金膜から
なる群より選ばれる少なくとも一種の金属膜を含んでい
ればよく、より具体的には、金属層１２は、例えば、銅
からなる単層膜であってもよく、銅膜およびニッケル膜
を含む多層膜であってもよく、銅膜、ニッケル膜および
金膜を含む多層膜であってもよい。

【００４３】また、金属層１２として、無電解メッキ法
によって成膜された銀膜や、銅膜に銀膜を積層してなる
多層膜等を用いることもできる。さらに、金属層１２と
して、電極６・７としてのＩＴＯ表面に、無電解メッキ
法によってニッケル膜や銀膜を成膜した後、その表面に
電気メッキ法によって銅膜を成膜してなる多層膜を用い
ることもできる。或いは、金属層１２として、電気メッ
キ法によって形成された銅膜等の金属膜を用いることも
できる。電気メッキ法によって金属層１２を形成する場
合には、電気メッキ液を用いる。

【００４４】層間絶縁膜１３の材料としては、例えば、
ポリイミド樹脂やアクリル樹脂等の感光性樹脂等を用い
ることができる。層間絶縁膜１３は、例えば、塗布法等
によって上記樹脂を成膜することによって形成されてい
る。樹脂膜の膜厚は、１０００ｎｍ〜４０００ｎｍ程度
であればよいが、特に限定されるものではない。そし
て、層間絶縁膜１３における所定位置には、金属層１２
を介してドレイン電極７と画素電極１５とを短絡させる
コンタクトホール１４が形成されている。層間絶縁膜１
３の材料として感光性樹脂を用い、該感光性樹脂を絶縁
保護膜８上に塗布した後、光照射、現像等の所定のパタ
ーニング処理を行うことにより、コンタクトホール１４
を有する層間絶縁膜１３を容易に形成することができ
る。ソース電極６上に形成された金属層１２は絶縁保護
膜８と共に層間絶縁膜１３で覆われているので、該金属
層１２は層間絶縁膜１３によって保護されている。

【００４５】画素電極１５の材料としては、例えば、ア
クティブマトリクス基板を透過型の表示装置に使用する
場合には、透明導電酸化膜であるＩＴＯ等を用いること
ができる。また、アクティブマトリクス基板を反射型の
表示装置に使用する場合には、反射性に優れたアルミニ
ウムや銀等の金属を成膜して用いることができる。さら
に、アクティブマトリクス基板を撮像装置に使用する場
合には、上記ＩＴＯ或いはアルミニウムや銀等の金属膜
に加えて、低抵抗値を示す、ドーピングが施された半導
体膜等の、各種導電材料からなる膜を用いることができ
る。画素電極１５は、例えば、スパッタ蒸着法等によっ
て上記材料を成膜した後、所望の形状にパターニングす
ることによって設けられている。上記膜の膜厚は、１０
０ｎｍ〜３００ｎｍ程度であればよいが、特に限定され
るものではない。画素電極１５は、層間絶縁膜１３によ
って、ソース電極６上に形成された金属層１２との電気
的短絡、並びに、静電容量の増大が防止されている。
尚、画素電極１５は、図１に示すようにゲート電極２や
ソース電極６における直線部分に重なり合わないように
形成してもよく、また、画素電極の充填率を向上させる
ために、これら電極２・６に重なり合うように形成して
もよい。

【００４６】上記構成のアクティブマトリクス基板の製
造方法の一例について、図２を参照しながら、以下に説
明する。尚、アクティブマトリクス基板の製造方法は、
下記例示の方法にのみ限定されるものではない。

【００４７】先ず、図２（ａ）に示すように、絶縁性基
板１上に、スパッタ蒸着法や無電解メッキ法等を採用し
て金属膜を成膜した後、所望の形状にパターニングする
ことにより、ゲート電極２並びに蓄積容量電極３を形成
する（第１工程）。つまり、ゲート電極２および蓄積容
量電極３を、同一材料、同一工程で以て形成する。

【００４８】次に、同図（ｂ）に示すように、ゲート電
極２並びに蓄積容量電極３を覆うようにして、絶縁性基
板１上に、ＣＶＤ法や陽極酸化法等を採用してＳｉＮｘ
膜等の膜を成膜することにより、ゲート絶縁膜４を形成
する（第２工程）。

【００４９】次に、同図（ｃ）に示すように、ゲート絶
縁膜４上におけるＴＦＴ素子９が形成される部位に、例
えばＣＶＤ法を採用してａ−Ｓｉ膜等の膜を成膜するこ
とにより、半導体層５を形成する。さらにその上に、ス
パッタ蒸着法等を採用して金属膜等の膜を成膜した後、
所望の形状にパターニングすることにより、ソース電極
６並びにドレイン電極７を形成する（第３工程）。つま
り、ソース電極６並びにドレイン電極７を、同一材料、
同一工程で以て形成する。これにより、ゲート電極２お
よびソース電極６からなる電極配線が形成されると共
に、ＴＦＴ素子９並びに電荷蓄積容量１０が形成され
る。尚、以下の説明では、ソース電極６並びにドレイン
電極７がＩＴＯである場合を例に挙げる。

【００５０】次いで、同図（ｄ）に示すように、上記電
極６・７上に、つまり、絶縁性基板１表面のほぼ全面
に、例えばＣＶＤ法を採用して膜厚３００ｎｍのＳｉＮ
ｘ膜等の膜を成膜した後、所望の形状にパターニングを
施してエッチングを行うことにより、開口部１１ａ・１
１ｂを有する絶縁保護膜８を形成する（第４工程）。
尚、以下の説明では、絶縁保護膜８がＳｉＮｘ膜である
場合を例に挙げる。

【００５１】その後、開口部１１ａ・１１ｂ、つまり、
露出しているソース電極６並びにドレイン電極７の表面
に、無電解メッキ法によって金属層１２を形成するため
に、メッキ触媒であるパラジウム触媒（図示せず）を選
択的に付着させる。即ち、上記各工程を実施した後の絶
縁性基板１を、ｐＨが調整されたパラジウム触媒含有溶
液に所定時間、浸漬する。すると、ソース電極６並びに
ドレイン電極７であるＩＴＯ上にはパラジウム触媒が付
着するものの、絶縁保護膜８であるＳｉＮｘ膜上にはパ
ラジウム触媒が付着し難い。従って、露出しているソー
ス電極６並びにドレイン電極７の表面にのみ、パラジウ
ム触媒が選択的に付着することになる。その後、該絶縁
性基板１をパラジウム触媒含有溶液から引き上げて水洗
し、余分なパラジウム触媒を除去する（第５工程）。

【００５２】尚、メッキ触媒は、ＩＴＯに限らず、各種
金属に付着し易い性質を備えている。また、ＩＴＯ上に
パラジウム触媒を選択的に付着させる方法として、いわ
ゆる感光性触媒を用いる方法を採用することもできる。
この場合には、上記各工程を実施した後の絶縁性基板１
の全面（表面）に、光が照射されるとパラジウム触媒を
析出する触媒前駆体（感光性触媒）を塗布した後、開口
部１１ａ・１１ｂ部分に光照射を行い、その箇所にパラ
ジウム触媒を析出させればよい。

【００５３】続いて、上記工程によってパラジウム触媒
が付着された絶縁性基板１を、無電解メッキ液に所定時
間、浸漬し、パラジウム触媒が付着されたＩＴＯ上に金
属を選択的に析出させる。上記工程によって開口部１１
ａ・１１ｂにおけるＩＴＯ上にのみ、パラジウム触媒が
選択的に付着されているので、無電解メッキ法によって
該ＩＴＯ上にのみ、金属を選択的に析出させることがで
きる。これにより、同図（ｅ）に示すように、開口部１
１ａ・１１ｂ、つまり、露出しているソース電極６並び
にドレイン電極７の表面に、金属層１２を形成する（第
６工程）。上記第５および第６工程を実施することによ
り、金属層１２を形成する際に、所定のパターニングを
施した後にエッチングを行う従来の工程（エッチング工
程）が不要となる。また、エッチング工程が不要である
ので、金属層１２を厚膜化しても、無駄になる金属の量
を抑制することができる。さらに、無電解メッキ法は、
スパッタ蒸着等の真空蒸着法と比較して、バッチ処理に
よる金属層の形成が容易であるので、金属層１２を厚膜
化しても、スループット（処理能力）の低下を抑制する
ことができる。無電解メッキ法を採用することにより、
大面積を有する絶縁性基板１に対しても、均一な膜厚で
以て金属層１２を形成することができ、かつ、孤立パタ
ーン上にも金属層１２を形成することができる。尚、Ｉ
ＴＯ上にさらにニッケル膜や金膜を積層する場合には、
第６工程に先立ち、該第６工程に準じてＩＴＯ上に該金
属を選択的に析出させた後、第６工程を実施して金属層
１２を形成する。

【００５４】一方、開口部１１ａ・１１ｂ、つまり、露
出しているソース電極６並びにドレイン電極７の表面
に、電気メッキ法によって金属層１２を形成する場合に
は、上記第５および第６工程に代えて下記の工程を実施
すればよい。即ち、上記第１〜第４工程を実施した絶縁
性基板１を電気メッキ液に浸漬した後、電極６・７に電
気メッキ用の電流を所定時間、供給することにより、露
出している電極６・７上に銅等の金属を選択的に析出さ
せる工程（第６’工程）を実施すればよい。この第６’
工程を実施することにより、金属層１２を形成する際
に、所定のパターニングを施した後にエッチングを行う
従来の工程（エッチング工程）が不要となる。また、触
媒付与等のメッキ前工程を必要とせずに、簡便に金属層
１２を選択的に形成することができると共に、エッチン
グ工程が不要であるので、金属層１２を厚膜化しても、
無駄になる金属の量を抑制することができる。さらに、
電気メッキ法は、スパッタ蒸着等の真空蒸着法と比較し
て、バッチ処理による金属層の形成が容易であるので、
金属層１２を厚膜化しても、スループット（処理能力）
の低下を抑制することができる。電気メッキ法を採用す
ることにより、膜質に優れた緻密な金属層１２を得るこ
とができる。

【００５５】但し、電気メッキ法においては、析出する
金属の厚み（膜厚）は電流密度によって左右される。こ
のため、例えば電極６・７の抵抗値が高いと、電気メッ
キ用の電流供給源（端子）からの距離に応じて該電極６
・７による電圧降下が発生し、メッキ時における電流密
度に偏り（分布）が生じる。従って、電気メッキ法によ
って金属層１２を形成する場合には、ソース電極６並び
にドレイン電極７を、ＩＴＯではなく他の金属膜で形成
することが望ましい。

【００５６】次いで、同図（ｆ）に示すように、絶縁保
護膜８上に、例えば塗布法を採用して樹脂を塗布し、光
照射、現像等の所定のパターニング処理を行うことによ
り、コンタクトホール１４を有する層間絶縁膜１３を形
成する（第７工程）。この際、ソース電極６上に形成さ
れた金属層１２は層間絶縁膜１３で覆われるが、ドレイ
ン電極７上に形成された金属層１２はコンタクトホール
１４を通して露出することになる。

【００５７】その後、層間絶縁膜１３上に、例えばスパ
ッタ蒸着法を採用してＩＴＯ等の膜を成膜することによ
り、画素電極１５を形成する。この際、層間絶縁膜１３
に設けたコンタクトホール１４を通じ、金属層１２を介
してドレイン電極７と画素電極１５とを短絡させる（第
８工程）。

【００５８】上記第１〜第８工程を順に行うことによ
り、金属層１２を備えたアクティブマトリクス基板が製
造される。尚、アクティブマトリクス基板の製造方法
は、上記例示の方法にのみ限定されるものではない。

【００５９】以上のように、本実施の形態にかかるアク
ティブマトリクス基板は、ゲート電極２とソース電極６
とが格子状に配列されてなる電極配線と、少なくとも該
電極配線上に形成され、ソース電極６上の所定の領域に
開口部１１ａを有する絶縁保護膜８と、上記開口部１１
ａにおけるソース電極６上に積層された金属層１２とを
備えている構成である。

【００６０】上記の構成によれば、ソース電極６上に金
属層１２が積層されているので、該金属層１２によって
ソース電極６の厚膜化を容易に図ることができる。それ
ゆえ、電極配線の抵抗値を充分に低減すること（低抵抗
化すること）ができる。上記構成のアクティブマトリク
ス基板は、例えば、大面積化（大画面化）や高精細化が
求められている表示装置；微弱信号の読み出しが求めら
れている撮像装置；等の各種装置に好適に使用すること
ができる。

【００６１】また、金属層１２として銅を用い、絶縁保
護膜８の材料としてＣＶＤ法によって形成されるＳｉＮ
ｘを用いて第６工程を行う場合、銅膜（金属層１２）を
形成した後、ＳｉＮｘ膜（絶縁保護膜８）を形成する
と、ＳｉＮｘ膜を成膜する際のＣＶＤの反応ガス（例え
ばアンモニアガス）によって銅膜が腐食されるという問
題が生じる。しかし、上記構成のように、ＳｉＮｘ膜を
形成した後、銅膜を形成することで、銅膜が腐食すると
いう問題を回避することができる。さらに、ＳｉＮｘ膜
を形成した後に銅膜のメッキ工程を行うため、ＴＦＴ素
子９をメッキ薬液から保護することができる。

【００６２】〔実施の形態２〕本発明の実施の他の形態
について図３に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。尚、説明の便宜上、前記実施の形態１の図面に示し
た部材（構成）と同一の機能を有する部材（構成）に
は、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

【００６３】本実施の形態にかかるアクティブマトリク
ス基板における絶縁保護膜８は、開口部１１ａ・１１ｂ
を有すると共に、さらに、その所定位置、即ち、図３に
示すように、ゲート電極２における直線部分上に位置す
る部位（信号電極上の所定の領域；図３ではハッチング
を施した領域）に開口部１１ｃを有している。つまり、
本実施の形態における絶縁保護膜８は、開口部１１ａ・
１１ｂに加えて開口部１１ｃをさらに有しており、該開
口部１１ｃは、ＴＦＴ素子９を構成するための延伸部分
を除いたゲート電極２上に、該ゲート電極２に沿ってス
トライプ状に形成（開口）されている。アクティブマト
リクス基板におけるその他の構成部材（構成）は、前記
実施の形態１のアクティブマトリクス基板と同一であ
る。

【００６４】上記構成のアクティブマトリクス基板を製
造するには、前記実施の形態１のアクティブマトリクス
基板の製造方法にかかる第４〜第６工程における操作
を、以下の通りにすればよい。即ち、第４工程におい
て、絶縁性基板１表面のほぼ全面に、例えばＣＶＤ法を
採用してＳｉＮｘ膜等の膜を成膜した後、所望の形状に
パターニングを施してエッチングを行うことにより、開
口部１１ａ・１１ｂに加えて開口部１１ｃを有する絶縁
保護膜８を形成する。次いで、第５工程を実施すること
により、開口部１１ａ・１１ｂ・１１ｃ、つまり、露出
しているゲート電極２、ソース電極６並びにドレイン電
極７の表面に、メッキ触媒であるパラジウム触媒を選択
的に付着させる。続いて、第６工程を実施することによ
り、パラジウム触媒が付着された絶縁性基板１を、無電
解メッキ液に所定時間、浸漬し、露出しているゲート電
極２、ソース電極６並びにドレイン電極７の表面に、無
電解メッキ法によって金属層１２を形成する。或いは、
第５および第６工程に代えて第６’工程を実施すること
により、露出しているゲート電極２、ソース電極６並び
にドレイン電極７の表面に、電気メッキ法によって金属
層１２を形成する。これにより、製造工程を増加させる
ことなく、本実施の形態にかかるアクティブマトリクス
基板を、容易に製造することができる。

【００６５】以上のように、本実施の形態にかかるアク
ティブマトリクス基板は、ゲート電極２とソース電極６
とが格子状に配列されてなる電極配線と、少なくとも該
電極配線上に形成され、ゲート電極２およびソース電極
６上の所定の領域に開口部１１ａ・１１ｃを有する絶縁
保護膜８と、上記開口部１１ａにおけるソース電極６
上、並びに開口部１１ｃにおけるゲート電極２上に積層
された金属層１２とを備えている構成である。

【００６６】上記の構成によれば、ゲート電極２および
ソース電極６上に金属層１２が積層されているので、該
金属層１２によってゲート電極２およびソース電極６の
厚膜化を容易に図ることができる。それゆえ、電極配線
の抵抗値を充分に低減すること（低抵抗化すること）が
できる。

【００６７】尚、絶縁保護膜８は、開口部１１ｂ・１１
ｃのみを有する構成（開口部１１ａを有しない構成）で
あってもよい。即ち、絶縁保護膜８は、ゲート電極２上
およびソース電極６上の少なくとも一方に位置する部位
に、開口部を有していればよい。

【００６８】〔実施の形態３〕本発明の実施のさらに他
の形態について図４に基づいて説明すれば、以下の通り
である。尚、説明の便宜上、前記実施の形態１の図面に
示した部材（構成）と同一の機能を有する部材（構成）
には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

【００６９】本実施の形態にかかる撮像装置は、Ｘ線を
光導電体で電荷に直接変換する直接変換型のＸ線センサ
（Ｘ線撮像装置）であり、図４に示すように、前記実施
の形態１若しくは形態２で製造されたアクティブマトリ
クス基板２０と、該アクティブマトリクス基板２０によ
って電荷が読み出される光導電体２１とを備えている。
即ち、本実施の形態にかかるフラットパネル型のＸ線セ
ンサは、アクティブマトリクス基板２０のほぼ全面に、
つまり、該アクティブマトリクス基板２０にマトリクス
状に多数設けられた画素電極１５…上に、Ｘ線を吸収す
ることによって電荷（電子−正孔対）を発生する光導電
体２１が積層され、該光導電体２１上に、バイアス電極
２２が積層されて構成されている。そして、画素電極１
５等で構成される画素配列層が、Ｘ線画像の検出領域と
なっている。上記バイアス電極２２には、高圧電源が電
気的に接続されている。また、アクティブマトリクス基
板２０に設けられたソース電極６には、外部回路である
アンプ回路がそれぞれ接続されている。

【００７０】光導電体２１の材料としては、Ｘ線に対す
る感度が良好であり、大面積を有するアクティブマトリ
クス基板上に容易に成膜することができる材料、例え
ば、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）、ＣｄＴｅ、Ｃｄ
ＺｎＴｅ、ＰｂＩ₂等の半導体を用いることができる。
なかでも、ａ−Ｓｅは、Ｘ線吸収率が高く、Ｘ線−電荷
変換効率に優れており、例えば真空蒸着法を採用するこ
とにより、比較的低い温度で以て、アクティブマトリク
ス基板２０上に直接、成膜することができる。光導電体
２１の膜厚は、例えばａ−Ｓｅを用いた場合には５００
μｍ〜１５００μｍ程度であればよいが、特に限定され
るものではない。

【００７１】バイアス電極２２の材料としては、例え
ば、白金、金、ＩＴＯ等を用いることができる。尚、バ
イアス電極２２の形成方法や厚さ等は、特に限定される
ものではない。

【００７２】上記構成におけるＸ線センサの駆動原理に
ついて、以下に説明する。Ｘ線センサにバイアス電極２
２側からＸ線が照射されると、Ｘ線を吸収することによ
って光導電体２１内で電荷（電子−正孔対）が発生す
る。発生した電荷（図４の場合には正孔）は、高圧電源
からバイアス電極２２に印加された電界により、アクテ
ィブマトリクス基板２０の画素電極１５に導かれ、該画
素電極１５に接続されている電荷蓄積容量１０に蓄積さ
れる。そして、アクティブマトリクス基板２０のゲート
電極２が線順次、走査駆動されてＴＦＴ素子９のＯＮ／
ＯＦＦが制御されることにより、各電荷蓄積容量１０に
蓄積された電荷は、ＴＦＴ素子９およびソース電極６を
介して信号として外部に読み出される。その後、読み出
された信号は、アクティブマトリクス基板２０の外部に
設けられたアンプ回路によって増幅され、画像信号とし
て取り出される。これにより、Ｘ線センサに照射された
Ｘ線の二次元的な分布を、画像信号として得ることがで
きる。

【００７３】一般にＸ線センサにおいては、Ｘ線の吸収
によって光導電体内で発生する微小な電荷を、Ｓ／Ｎ比
を充分に確保した状態で外部に読み出す必要がある。そ
れゆえ、アクティブマトリクス基板のソース電極等につ
いては、光導電体で発生する微弱信号を読み出すため
に、充分な低抵抗化が求められている。これに対し、前
記実施の形態１若しくは形態２で製造されたアクティブ
マトリクス基板２０においては、ソース電極６等に金属
層１２が積層されているので、該ソース電極６等が充分
に低抵抗化されている。従って、光導電体２１内で発生
する微小な電荷を、Ｓ／Ｎ比を充分に確保した状態で読
み出すことができる。また、Ｘ線センサの大面積化（大
画面化）や高精細化を図った場合においても、駆動信号
の遅延を抑制することができる。即ち、Ｓ／Ｎ比を充分
に確保した状態で微小な電荷を読み出すことができ、し
かも、駆動信号の遅延を生じることなく、大画面かつ高
精細のＸ線センサを提供することができる。

【００７４】尚、撮像装置は、上記構成の直接変換型の
Ｘ線センサにのみ限定されるものではなく、例えば、蛍
光層と光導電体とを備え、Ｘ線を蛍光層で光に一旦変換
した後、該光を光導電体で電荷に変換する間接変換型の
Ｘ線センサ（Ｘ線撮像装置）であってもよい。

【００７５】〔実施の形態４〕本発明の実施のさらに他
の形態について図５に基づいて説明すれば、以下の通り
である。尚、説明の便宜上、前記実施の形態１の図面に
示した部材（構成）と同一の機能を有する部材（構成）
には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

【００７６】本実施の形態にかかる表示装置は、フラッ
トパネル型の液晶パネル（液晶表示装置）であり、図５
に示すように、前記実施の形態１若しくは形態２で製造
されたアクティブマトリクス基板２０と、対向基板２９
と、両基板２０・２９間に充填された液晶層２５とを備
えている。即ち、本実施の形態にかかる透過型の液晶パ
ネルは、アクティブマトリクス基板２０のほぼ全面に、
つまり、該アクティブマトリクス基板２０にマトリクス
状に多数設けられた画素電極１５…上に、アクティブマ
トリクス基板２０によって駆動される電気光学媒体とし
ての液晶層２５が積層され、該液晶層２５上に対向基板
２９が積層されて構成されている。該液晶層２５は、基
板２０・２９の周囲に枠状に設けられたシール材３１に
よってシール（封入）されている。そして、画素電極１
５等で構成される画素配列層が、液晶パネルの画像表示
領域となっている。

【００７７】上記アクティブマトリクス基板２０の背面
（画素電極１５等が設けられている側とは異なる側）に
は、偏光板２６が取り付けられている。上記対向基板２
９の対向面（液晶層側）には、赤・緑・青（Ｒ・Ｇ・
Ｂ）のカラーフィルタ２８と、共通電極２７とがこの順
に取り付けられている。また、上記対向基板２９の背面
（液晶層側とは異なる側）には、偏光板３０が取り付け
られている。そして、アクティブマトリクス基板２０の
背面側における所定位置には、バックライト（図示せ
ず）が設けられている。該バックライトから照射される
光（バックライト光）は、液晶パネルを透過して対向基
板２９の背面側に到達し、これにより、各種表示がなさ
れるようになっている。従って、上記液晶パネルは、対
向基板２９の背面側が表示面となっている。

【００７８】上記構成における液晶パネルの駆動原理に
ついて、以下に説明する。アクティブマトリクス基板２
０のゲート電極２が線順次、走査駆動されてＴＦＴ素子
９のＯＮ／ＯＦＦが制御されることにより、画素電極１
５には、表示信号に応じた電圧が、上記ＴＦＴ素子９お
よびソース電極６を介して印加される。そして、該画素
電極１５および共通電極２７によって液晶層２５に表示
信号に応じた電圧が印加されると、液晶パネルを透過す
るバックライト光は、液晶の電気光学特性によって変調
される。これにより、液晶パネルは、表示信号に応じた
画像表示を行うことができる。

【００７９】一般にアクティブマトリクス型の液晶パネ
ルにおいては、その大面積化（大画面化）や高精細化を
図った場合には、駆動信号が遅延する等の影響により、
表示の均一性が損なわれるという問題点を有している。
それゆえ、アクティブマトリクス基板のゲート電極やソ
ース電極等については、駆動信号の遅延を抑制するため
に、充分な低抵抗化が求められている。これに対し、前
記実施の形態１若しくは形態２で製造されたアクティブ
マトリクス基板２０においては、ゲート電極２やソース
電極６等に金属層１２が積層されているので、該電極２
・６等が充分に低抵抗化されている。従って、液晶パネ
ルの大面積化や高精細化を図った場合においても、駆動
信号の遅延を抑制することができるので、表示の均一性
を損なうことはない。即ち、駆動信号の遅延を生じるこ
となく、大画面かつ高精細の液晶パネルを提供すること
ができる。

【００８０】尚、表示装置は、上記構成の透過型の表示
装置にのみ限定されるものではなく、例えば、画素電極
に反射性を備えた金属を用いた反射型の表示装置であっ
てもよい。また、表示装置は、偏光板を用いない方式、
例えば、ゲスト・ホスト型表示方式や光散乱（分散）型
表示方式等の方式を採用した表示装置であってもよい。
さらに、表示装置は、液晶以外の電気光学媒体、例え
ば、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）材料や、電
気泳動材料、エレクトロクロミック材料等の材料を用い
た表示装置であってもよい。

【００８１】上記実施形態１〜４においては、アクティ
ブマトリクス基板の走査電極および／または信号電極の
厚膜化を図る方法として、無電解メッキ法や電気メッキ
法を用いて選択的に金属層を形成する場合を例に挙げて
説明した。これらの方法は、従来の技術の欄に示した以
下の２つの課題を同時に解決するために、最も適した方
法である。 (1) 真空成膜装置は、一般に枚葉処理を行う構成となっ
ているため、電極配線の厚膜化を図ると、そのスループ
ット（処理能力）が低下し、従ってアクティブマトリク
ス基板の生産性が低下してしまう、 (2) 基板の全面（表面）に金属薄膜を成膜した後、エッ
チングを行うことによって不要な部分を除去するため、
金属薄膜の厚膜化に伴い、エッチングに長時間を要する
ようになると共に、除去される金属（材料）の量が増加
し、無駄が多くなる。

【００８２】しかしながら、上記(2) の課題のみを解決
する目的であれば、金属層を選択的に形成する方法は上
記方法に限定されるものではない。例えばＣＶＤ法等の
乾式成膜方法を用いて選択的に金属層を形成する方法等
を用いることも可能である。

【００８３】具体的には、例えば、下地電極である電極
６・７にＴｉＮを用い、その上層の絶縁保護膜８に酸化
膜を用いると、絶縁保護膜８の開口部１１ａ・１１ｂか
ら露出したＴｉＮ膜の表面にのみ、選択的にＣＶＤ法で
銅膜を成膜することができる。また、電極６・７を有す
る基板の表面全面に界面活性剤を塗布し、光照射により
電極６・７の表面の所定の領域のみ選択的に該界面活性
剤を除去することで、その除去された領域にのみ、ＣＶ
Ｄ法で銅膜を成膜することもできる。

【００８４】

【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス基板は、
以上のように、走査電極および／または信号電極上の所
定の領域に開口部を有する絶縁膜と、上記開口部におけ
る電極上に積層された金属層とを備えている構成であ
る。それゆえ、金属層によって走査電極および／または
信号電極の厚膜化を図ることができるので、電極配線の
抵抗値が充分に低減された（低抵抗化された）アクティ
ブマトリクス基板を提供することができるという効果を
奏する。

【００８５】本発明のアクティブマトリクス基板は、以
上のように、上記金属層が湿式メッキ法によって形成さ
れている構成である。それゆえ、金属層の厚膜化を容易
に図ることができる；スループット（処理能力）の低下
を抑制することができる；金属層を厚膜化しても、無駄
になる金属の量を抑制することができる；という種々の
効果を奏する。

【００８６】本発明のアクティブマトリクス基板は、以
上のように、上記金属層が、ニッケル膜、銅膜および金
膜からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属膜を含
む構成である。それゆえ、比抵抗が小さい（低抵抗の）
金属層を容易に形成することができるという効果を奏す
る。

【００８７】本発明のアクティブマトリクス基板は、以
上のように、上記走査電極および／または信号電極が透
明導電酸化膜からなる構成である。それゆえ、無電解メ
ッキ法によって、該透明導電酸化膜上にのみ、金属層を
選択的に形成することができるという効果を奏する。

【００８８】本発明の表示装置は、以上のように、上記
構成のアクティブマトリクス基板と、該アクティブマト
リクス基板によって駆動される電気光学媒体とを備えて
いる構成である。それゆえ、駆動信号の遅延を生じるこ
となく、大画面かつ高精細の表示装置を提供することが
できるという効果を奏する。

【００８９】本発明の撮像装置は、以上のように、上記
構成のアクティブマトリクス基板と、該アクティブマト
リクス基板によって電荷が読み出される光導電体とを備
えている構成である。それゆえ、Ｓ／Ｎ比を充分に確保
した状態で微小な電荷を読み出すことができ、しかも、
駆動信号の遅延を生じることなく、大画面かつ高精細の
撮像装置を提供することができるという効果を奏する。

【００９０】本発明のアクティブマトリクス基板の製造
方法は、以上のように、走査電極および／または信号電
極上の所定の領域に開口部を有する絶縁膜を形成する工
程と、上記開口部における電極上に、金属層を選択的に
形成する工程とを含む構成である。それゆえ、電極配線
の抵抗値が充分に低減された（低抵抗化された）アクテ
ィブマトリクス基板を、安価にかつ簡単に製造すること
ができるという効果を奏する。

【００９１】本発明のアクティブマトリクス基板の製造
方法は、以上のように、上記金属層を、無電解メッキ法
によって形成する構成である。それゆえ、大面積を有す
る基板上に形成された電極上においても、均一な厚みで
金属層を形成することができ、かつ、孤立パターン上に
も金属層を形成することができるという効果を奏する。

【００９２】本発明のアクティブマトリクス基板の製造
方法は、以上のように、上記金属層を、電気メッキ法に
よって形成する構成である。それゆえ、触媒付与等のメ
ッキ前工程を必要とせずに、簡便に金属層を選択的に形
成することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態におけるアクティブマト
リクス基板の要部を示すものであり、或る１つの画素の
概略の構成を示す平面図である。

【図２】（ａ）〜（ｇ）は、図１におけるＡ−Ａ線矢視
断面図を用いて上記画素の製造工程を順に説明する説明
図である。

【図３】本発明の実施の他の形態におけるアクティブマ
トリクス基板の要部を示すものであり、或る１つの画素
の概略の構成を示す平面図である。

【図４】本発明の実施の一形態におけるアクティブマト
リクス基板を用いたＸ線センサ（Ｘ線撮像装置）の概略
の構成を示す断面図である。

【図５】本発明の実施の一形態におけるアクティブマト
リクス基板を用いた液晶パネル（表示装置）の概略の構
成を示す断面図である。

【図６】一般的なアクティブマトリクス型の液晶ディス
プレイの概略の構成を示す、（ａ）は分解斜視図であ
り、（ｂ）はその等価回路である。

【図７】一般的なフラットパネル型のＸ線センサの概略
の構成を示す説明図である。

【符号の説明】

１絶縁性基板２ゲート電極（走査電極、電極配線）３蓄積容量電極（Ｃｓ電極）４ゲート絶縁膜（誘電体層）６ソース電極（信号電極、電極配線）７ドレイン電極８絶縁保護膜（絶縁膜）９ＴＦＴ素子（スイッチング素子）１０電荷蓄積容量（Ｃｓ）１１ａ，１１ｂ，１１ｃ開口部１２金属層１５画素電極２０アクティブマトリクス基板２１光導電体２５液晶層（電気光学媒体）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 27/14 ＫＨ０４Ｎ 5/32 Ｃ 5/335 29/78 ６１２ＣＦターム(参考） 2H092 JA26 JA29 JA35 JA38 JA39 JA42 JB13 JB23 JB32 JB38 JB52 JB57 JB63 JB69 KA05 KA07 KA12 KA16 KA18 MA05 MA07 MA11 MA12 MA35 MA37 NA27 NA28 PA01 4M118 AA10 AB01 BA05 BA14 CA11 CA14 CB05 CB11 FB13 FB16 FB19 5C024 AX11 CY47 HX44 5C094 AA04 AA05 AA14 AA24 BA03 BA21 BA43 CA19 DA13 DB01 DB04 EA10 FA01 FA02 FB12 FB15 5F110 AA03 BB01 BB10 CC07 DD01 DD02 EE03 EE04 EE06 EE07 EE41 EE43 EE44 FF01 FF02 FF03 FF24 FF29 GG02 GG04 GG13 GG15 GG25 GG44 HK03 HK04 HK06 HK07 HK09 HK16 HK21 HK32 HK33 HL02 HL03 HL06 HL07 HL08 HL11 HL21 HL26 NN02 NN03 NN23 NN24 NN27 NN35 NN36 NN73

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】走査電極と信号電極とが格子状に配列され
てなる電極配線と、少なくとも該電極配線上に形成さ
れ、走査電極および／または信号電極上の所定の領域に
開口部を有する絶縁膜と、上記開口部における電極上に
積層された金属層とを備えていることを特徴とするアク
ティブマトリクス基板。
【請求項２】上記金属層が湿式メッキ法によって形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載のアクティブマ
トリクス基板。
【請求項３】上記金属層が、ニッケル膜、銅膜および金
膜からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属膜を含
むことを特徴とする請求項１または２記載のアクティブ
マトリクス基板。
【請求項４】上記走査電極および／または信号電極が透
明導電酸化膜からなることを特徴とする請求項１、２ま
たは３記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項５】請求項１ないし４の何れか１項に記載のア
クティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基
板によって駆動される電気光学媒体とを備えていること
を特徴とする表示装置。
【請求項６】請求項１ないし４の何れか１項に記載のア
クティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基
板によって電荷が読み出される光導電体とを備えている
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項７】基板上に、走査電極と信号電極とを格子状
に配列して電極配線を形成する工程と、少なくとも該電極配線上に、走査電極および／または信
号電極上の所定の領域に開口部を有する絶縁膜を形成す
る工程と、上記開口部における電極上に、金属層を選択的に形成す
る工程とを含むことを特徴とするアクティブマトリクス
基板の製造方法。
【請求項８】上記金属層を、無電解メッキ法によって形
成することを特徴とする請求項７に記載のアクティブマ
トリクス基板の製造方法。
【請求項９】上記金属層を、電気メッキ法によって形成
することを特徴とする請求項７に記載のアクティブマト
リクス基板の製造方法。