JP2001290056A - プラットフォーム及び光モジュール並びにこれらの製造方法並びに光伝達装置 - Google Patents
プラットフォーム及び光モジュール並びにこれらの製造方法並びに光伝達装置Info
- Publication number
- JP2001290056A JP2001290056A JP2000106400A JP2000106400A JP2001290056A JP 2001290056 A JP2001290056 A JP 2001290056A JP 2000106400 A JP2000106400 A JP 2000106400A JP 2000106400 A JP2000106400 A JP 2000106400A JP 2001290056 A JP2001290056 A JP 2001290056A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- platform
- manufacturing
- optical
- wiring
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 249
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 99
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 128
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 74
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 74
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 102100024522 Bladder cancer-associated protein Human genes 0.000 description 1
- 101150110835 Blcap gene Proteins 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100493740 Oryza sativa subsp. japonica BC10 gene Proteins 0.000 description 1
- 101000701286 Pseudomonas aeruginosa (strain ATCC 15692 / DSM 22644 / CIP 104116 / JCM 14847 / LMG 12228 / 1C / PRS 101 / PAO1) Alkanesulfonate monooxygenase Proteins 0.000 description 1
- 101000983349 Solanum commersonii Osmotin-like protein OSML13 Proteins 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009924 canning Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/424—Mounting of the optical light guide
- G02B6/4242—Mounting of the optical light guide to the lid of the package
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4251—Sealed packages
- G02B6/4253—Sealed packages by embedding housing components in an adhesive or a polymer material
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4255—Moulded or casted packages
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4274—Electrical aspects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/421—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
- H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30105—Capacitance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Mechanical Coupling Of Light Guides (AREA)
Abstract
ム及び光モジュール並びにこれらの製造方法並びに光伝
達装置を提供することにある。 【解決手段】 プラットフォームの製造方法は、型10
の第1及び第2の領域12、14に、配線20、22を
付着させて設け、光ファイバ30を、型10に先端面を
向けて配置し、成形材料40で光ファイバ30及び配線
20、22を封止し、光ファイバ30とともに配線2
0、22及び成形材料40を、型10から剥離する工程
を含む。
Description
及び光モジュール並びにこれらの製造方法並びに光伝達
装置に関する。
向にあり、光通信の開発が進んでいる。光通信では、電
気信号を光信号に変換し、光信号を光ファイバで送信
し、受信した光信号を電気信号に変換する。電気信号と
光信号との変換は光素子によって行われる。また、光素
子がプラットフォームに搭載されてなる光モジュールが
知られている。
って配線を形成して部品を製造する方法が知られてい
る。この方法をプラットフォームの製造に適用すること
もできる。しかし、その場合、配線が射出成形体の表面
上に形成されるため、プラットフォームの表面に配線に
よる凸が形成されて平坦性を確保することができない。
り、その目的は、配線による凸が形成されないプラット
フォーム及び光モジュール並びにこれらの製造方法並び
に光伝達装置を提供することにある。
ットフォームの製造方法は、第1及び第2の領域を有す
る型に、配線を前記第1又は第2の領域に付着させて設
け、光ファイバを、前記光ファイバの一方の端面を前記
型に向けて配置し、前記一方の端面と、前記配線の前記
型に対する付着面と、を避けて、成形材料で前記光ファ
イバ及び前記配線を封止し、前記光ファイバとともに前
記配線及び前記成形材料を、前記型から剥離する工程を
含む。
させて設けてから、成形材料で配線を封止する。配線の
型に対する付着面以外の部分は、成形材料に封止され
る。そして、成形材料を型で加工し、成形材料とともに
配線を型から剥離すると、配線は、型に対する付着面を
除き、成形材料に埋め込まれた形態となる。したがっ
て、配線による凸が形成されない。
おいて、前記配線はワイヤからなり、前記ワイヤの両端
部を前記第1及び第2の領域にボンディングしてもよ
い。
に対する付着面は露出し、それ以外の部分は内部に封止
されたプラットフォームを得ることができる。これによ
れば、ワイヤが封止されているので、その断線を防止す
ることができる。
おいて、予め前記型にボンディングパッドを形成し、前
記ボンディングパッドに前記ワイヤをボンディングして
もよい。
くい材料からなる型を使用しても、導電膜を形成してお
くことで、ワイヤのボンディングが可能になる。
おいて、前記配線は導電層からなり、前記導電層を前記
第1及び第2の領域に形成してもよい。
が露出し、それ以外の部分が内部に封止されたプラット
フォームを得ることができる。
おいて、前記型に離型材を塗布した状態で、前記成形材
料により前記光ファイバ及び前記配線を封止してもよ
い。
ことができる。
おいて、前記型に、前記光ファイバの支持部材を取り付
け、前記光ファイバを、前記支持部材によって位置決め
して配置してもよい。
よって成形材料を加工して形成するので正確な形状を形
作ることが可能であり、正確な形状に対して、正確な位
置に光ファイバを設けることができる。
おいて、前記光ファイバの前記一方の端部を前記型に形
成された穴に挿入することで、前記光ファイバを、位置
決めして配置してもよい。
よって成形材料を加工して形成するので正確な形状を形
作ることが可能であり、正確な形状に対して、正確な位
置に光ファイバを設けることができる。
おいて、前記型の前記第1の領域は、ほぼ平坦に形成さ
れてなり、前記穴は、前記第1の領域に形成されていて
もよい。
成形材料で封止する。したがって、成形材料における型
の第1の領域によって成形された面から、光ファイバの
先端が突出した形態のプラットフォームを得ることがで
きる。
おいて、前記型は、前記第1の領域に凸部を有し、前記
凸部の上端面に前記穴が設けられていてもよい。
よって凹部が形成される。光ファイバを挿入する穴が型
の凸部に形成されているので、光ファイバの先端は、成
形材料に形成された凹部に位置する。したがって、成形
材料における第1の領域によって形成された面から、光
ファイバの先端が突出しない形態のプラットフォームを
得ることができる。
において、前記型は、前記第1の領域が前記第2の領域
よりも突出して形成されてなり、前記成形材料に、前記
型の形状に対応して窪みを形成してもよい。
さ及び深さで形成してもよい。
において、前記型は、突起を有し、前記突起が設けられ
た領域に前記配線を付着させ、前記成形材料に凹部を形
成してもよい。
部材との電気的接続を図る構造を得ることができる。
において、前記凹部に導電材料を充填する工程をさらに
含んでもよい。
他の部材とを電気的に接続することができる。
において、前記型に、前記配線と電気的に接続させて電
子部品を搭載し、前記成形材料で、前記光ファイバ及び
前記配線とともに前記電子部品を封止してもよい。
トフォームを得ることができる。
において、前記型は、前記第1の領域と、前記第1の領
域より低い位置に設けられる第2の領域と、前記第1及
び前記第2の領域の間に設けられる第3の領域と、を有
し、前記配線を設ける工程では、前記配線を第1又は第
2の領域と、第3との領域とに付着させてもよい。
成形材料に、複数段形状の窪みを形成することができ
る。窪みには、光素子や半導体チップなどを搭載するこ
とができる。
方法は、上記方法によってプラットフォームを製造し、
前記プラットフォームに光素子を搭載し、前記光素子と
前記配線とを電気的に接続する工程を含む。
ムの製造方法で説明した作用効果を達成することができ
る。そして、配線による凸が形成されないプラットフォ
ームに光素子を搭載することができる。
いて、前記光素子を封止する樹脂を設ける工程を含んで
もよい。
できる。
いて、少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間
に、前記樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂を
形成してもよい。
いて、上述した方法によって、第3の領域を有するプラ
ットフォームを製造し、前記プラットフォームの前記第
3の領域に半導体チップを搭載する工程を含んでもよ
い。
段の窪みを形成することができ、窪みに光素子や半導体
チップをコンパクトに収納することができる。
は、樹脂の成形体と、前記成形体から少なくとも一部が
露出する配線と、を有し、一方の端面を露出させた光フ
ァイバが前記成形体に固定されてなる。
形体に埋め込まれた形態であるから、配線による凸が形
成されない。
前記成形体に埋め込まれた金属製の支持部材をさらに有
し、前記光ファイバは、前記支持部材にて支持されてい
てもよい。
熱伝導性や導電性が高いので、その性質を活用すること
ができる。
前記成形体には、窪みが形成されてなり、前記窪み内に
前記光ファイバが前記一方の端面を露出させて固定され
ていてもよい。
及び深さで形成してもよい。
前記光ファイバの前記露出する前記一方の端面は、前記
成形体の前記窪みの底面から突出せずに位置してもよ
い。
光素子と接触することを避けられる。
前記窪みは、複数段を形成する複数の底面を有し、各底
面に前記配線の前記一部が露出していてもよい。
るので、各段に光素子や半導体チップなどを搭載するこ
とができる。
前記成形体から底面が露出するように、前記配線に凹部
が形成されていてもよい。
部材との電気的接続を図ることができる。
前記配線に形成された前記凹部に、導電材料が充填され
ていてもよい。
他の部材とを電気的に接続することができる。
前記成形体に、前記配線に電気的に接続された電子部品
が内蔵されていてもよい。
トフォームを得ることができる。
記プラットフォームと、前記配線に電気的に接続されて
前記プラットフォームに搭載された光素子と、を有す
る。
ないプラットフォームに、光素子が搭載される。配線
は、樹脂の成形体に埋め込まれたことで保護されてい
る。
光素子は、前記光ファイバの前記一方の端面と対向する
ように前記窪み内に搭載され、前記光素子の前記光ファ
イバと対向する面とは反対の面と対向するように搭載さ
れ、前記配線と電気的に接続されてなる半導体チップを
さらに前記窪み内に有してもよい。
おり、窪みに光素子や半導体チップなどをコンパクトに
収納することができる。
光素子を封止する樹脂をさらに有してもよい。
できる。
くとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記樹脂
として、光を透過する特性を有する樹脂が形成されてい
てもよい。
複数のプラットフォームと、各プラットフォームに搭載
された光素子と、各プラットフォームに取り付けられた
光ファイバと、を含み、前記光素子は、受光素子又は発
光素子であり、前記光素子は、前記配線の前記露出部に
電気的に接続されて搭載されてなる。
ないプラットフォームに、光素子が搭載される。配線
は、樹脂の成形体に埋め込まれたことで保護されてい
る。
ットフォームに搭載された半導体チップをさらに有し、
前記光素子は、前記光ファイバの前記一方の端面と対向
するように前記窪み内に搭載され、前記半導体チップ
は、前記配線と電気的に接続され、前記光素子の前記光
ファイバと対向する面とは反対の面と対向するように前
記窪み内に搭載されていてもよい。
り、窪みに光素子や半導体チップなどをコンパクトに収
納することができる。
素子を封止する樹脂をさらに有してもよい。
できる。
とも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記樹脂と
して、光を透過する特性を有する樹脂が形成されていて
もよい。
光素子に接続されるプラグと、前記発光素子に接続され
るプラグと、をさらに含んでもよい。
について図面を参照して説明する。
明を適用した第1の実施の形態に係るプラットフォーム
の製造方法を示す図である。本実施の形態では、図1に
示す型10を使用する。
と、第2の領域14と、を有する。例えば、型10の上
側において、第2の領域14の中央部に第1の領域12
が位置する。言い換えると、第1の領域12の周囲に第
2の領域14が位置する。第1の領域12は、第2の領
域14よりも突出して形成されていてもよい。その場
合、図1に示すように、第1及び第2の領域12、14
は、第2の領域14から傾斜した面(テーパ面)を以て
接続されていることが好ましい。この形状によれば、後
述する成形材料40(図3参照)からの離型性がよい。
あるいは、第1及び第2の領域12、14は、第2の領
域14から垂直に立ち上がる面を以て接続されていても
よい。
金属で形成してもよいが、シリコン(例えばシリコンウ
エーハ)を使用すれば、エッチングによって微細加工が
できる。エッチングの条件によって、第1及び第2の領
域12、14を接続する面の形状(テーパ面あるいは垂
直面)を決定してもよい。
されている。第2の領域14の表面も、ほぼ平坦に形成
されている。第1の領域12には穴16が形成されてい
る。穴16は、後述する光ファイバ30(図2参照)の
先端部を挿入してその位置決めをするためのものであ
る。したがって、穴16は、精度よく形成することが好
ましい。シリコンで型10を形成するときには、エッチ
ングによって穴16も高精度で形成することができる。
10に、配線20、22を設ける。詳しくは、配線2
0、22を、その端部を第1又は第2の領域12、14
に付着させて設ける。
を、第1及び第2の領域12、14にボンディングして
形成される。なお、第1の領域12では、穴16を避け
てワイヤがボンディングされる。ワイヤは、半導体装置
の製造に使用されるワイヤーボンダによってボンディン
グしてもよい。その場合、熱、圧力、超音波振動のうち
少なくとも1つによってボンディングする。ワイヤは、
金やアルミニウムからなるものであってもよい。
する金属が付着しにくい材料で形成されている場合に
は、予め、型10にボンディングパッド24を形成して
おくことが好ましい。ボンディングパッド24は、導電
膜あるいは、導電性でなくても、ワイヤを打つことがで
きる膜であればよい。この場合は、ワイヤ及びボンディ
ングパッド24が一体化して配線20となる。ボンディ
ングパッド24の表面は、ワイヤと同じ材料で形成して
もよい。例えば、ワイヤが金からなるときには、クロム
からなる膜と、その上の金からなる膜と、でボンディン
グパッド24を形成してもよい。
電層は、蒸着やメッキによって形成された金属箔であっ
てもよい。メッキとして無電解メッキを適用するときに
は、触媒をインクジェット方式で吐出してもよい。導電
層は、印刷、ポッティング又はインクジェット方式を適
用して形成してもよい。導電層の材料は、導電性ペース
トでもよい。金属箔からなる配線22は、全長にわたっ
て型10に付着してもよい。導電性ペーストからなる配
線22は、端部が第1の領域12に付着し、中間部が浮
いた状態となって、他の端部が第2の領域14に付着し
てもよい。
いことが好ましい。例えば、配線22を、スズなどのメ
ッキで形成すれば剥離しやすい。または、印刷によって
配線22を形成した場合も、配線22は比較的容易に剥
離することができる。
を、型10に先端を向けて配置する。例えば、光ファイ
バ30の先端部を、型10に形成された穴16に挿入し
てもよい。こうすることで、穴16によって光ファイバ
30の位置決めを行うことができる。
に囲むクラッドとを含むもので、コアとクラッドとの境
界で光が反射されて、コア内に光が閉じこめられて伝搬
するものである。また、クラッドの周囲は、ジャケット
によって保護されることが多い。
ず)を塗布しておく。離型剤(潤滑剤)は、次に述べる
成形材料40との密着性が低いものであり、離型剤を塗
布することで、成形材料40の型10からの離型性が良
くなる。
20、22及び光ファイバ30を封止する。ワイヤをボ
ンディングして形成する配線20は、成形樹脂40で封
止されることで、ワイヤの切断が防止される。導電層に
よって形成する配線22は、型10との付着面を除いて
成形材料40で覆われる。
よい。その場合、型10と、図示しない他の型とで形成
されたキャビティに成形材料40を充填する。あるい
は、ポッティングによって成形材料40を設けてもよ
い。
を避けて設けられる。穴16に光ファイバ30の先端部
が挿入されることで、成形材料40が光ファイバ30の
先端面を覆わないようになっている。穴16は、光ファ
イバ30を位置決めするのに必要な最低限の深さである
ことが好ましい。特に、穴16は、第2の領域14の表
面よりも下に至らない深さで形成されることが好まし
い。
の第1及び第2の領域12、14の側の面によって加工
される。詳しくは、第1の領域12が第2の領域14よ
りも突出しているため、成形材料40に窪み42が形成
される。成形材料40に離型剤を混入して、型10との
離型性を向上させてもよい。なお、成形材料40がモー
ルド樹脂であれば、キャビティを形成するために型10
とともに使用される他の型(図示せず)によっても、そ
の表面形状が加工される。
硬化させて型10から剥離する。このとき、成形材料4
0には光ファイバ30が一体的に固着されている。ま
た、成形材料40とともに、配線20、22の型10に
対する付着面を、型10から剥離する。配線20は、ワ
イヤの端部の面又はボンディングパッド24の面が、型
10から剥離される。導電層によって形成した配線22
は、その全長にわたって型10に付着していたので、そ
の全長にわたる面が型10から剥離される。
る。プラットフォーム1は、成形材料(例えば樹脂)4
0からなる成形体を有する。成形体には、窪み42が形
成されている。窪み42は、光素子50(図5参照)を
収容できる大きさであることが好ましい。窪み42の内
側面にテーパが付けられていれば、光素子50を入れや
すい。また、成形体には、一部が露出する状態で配線2
0、22が埋め込まれている。配線20は、ワイヤの端
部の表面、あるいはワイヤの端部がボンディングされた
ボンディングパッド24の表面が、成形体から露出して
いる。配線22は、その全長にわたる面が露出してい
る。配線20、22は、窪み42の内面(底面)と、窪
み42の周囲の面と、において露出している。すなわ
ち、配線20、22は、上述した型10の第1の領域1
2にて形成された面に第1の露出部を有し、型10の第
2の領域14にて形成された面に第2の露出部を有す
る。
面を露出させて成形体に固定されている。詳しくは、成
形体に形成された窪み42内で、光ファイバ30がその
先端面を露出させて固定されている。光ファイバ30の
端部は、窪み42の底面から突出している。その突出長
さは、光素子50の光学的部分に接触しない長さである
ことが好ましい。
ム1に光素子50を搭載する。光素子50は、発光素子
であっても受光素子であってもよい。発光素子の一例と
して面発光素子、特に面発光レーザを使用することがで
きる。面発光レーザなどの面発光素子は、表面から垂直
方向に光を発する。光素子50は、図示しない光学的部
分を有する。光素子50が発光素子であるときは、光学
的部分は発光部であり、光素子50が受光素子であると
きは、光学的部分は受光部である。
とその反対側とに、電極が形成されている場合が多い。
すなわち、光素子50には、表裏面に電極が形成されて
おり、両方の電極間に電圧を印加するようになってい
る。なお、図5に示す光素子50には、光学的部分が形
成された側の電極にバンプ(又はハンダボール等)が設
けられている。
形成された窪み42に光素子50を搭載する。窪み42
の深さ内に光素子50を収容してもよい。図示しない光
学的部分を、光ファイバ30の露出した先端面に向け
て、光素子50をプラットフォーム1に搭載する。そし
て、光学的部分が形成された側の電極と、プラットフォ
ーム1の配線20、22の露出部と、を電気的に接続
(又は接合)する。
られる。光モジュール2は、光素子50の光学的部分が
形成された側の電極が、配線20、22の第1の露出部
(窪み42内の露出部)に電気的に接続されている。し
たがって、光素子50には、配線20、22の第2の露
出部(プラットフォーム1の窪み42の周囲に形成され
た露出部)から、電気的な接続をとることができる。ま
た、光素子50の裏面(光学的部分が形成された側とは
反対側の面)にも、図示しない電極が形成されている。
以上のことから、光モジュール2は、光ファイバ30の
導き出される方向とは反対側の面に、光素子50に電圧
を印加するための複数の外部端子(光素子50の光学的
部分とは反対側の電極と、配線20、22の第2の露出
部)を有する。
60に取り付けてもよい。基板60には、配線パターン
62が形成されている。光モジュール2の複数の外部端
子(光素子50の光学的部分とは反対側の電極と、配線
20、22の第2の露出部)と、配線パターン62と
は、導電材料64によって電気的に接続されている。導
電材料64は、ハンダ等のろう材や、導電性ペーストで
あってもよいし、異方性導電膜や異方性導電ペーストで
あってもよい。
けることが好ましい。図6に示す例では、樹脂66は、
基板60と光モジュール2との間に設けられるので、ア
ンダーフィル材である。光素子50の光学的部分(図示
せず)と光ファイバ30の先端面との間に隙間が形成さ
れている場合には、少なくともその隙間に充填される樹
脂66は、透明樹脂である。光素子50の光学的部分
(図示せず)と光ファイバ30の先端面とが密着してい
るときには、樹脂66は光透過性を有していなくてもよ
い。
示す。光モジュール3は、プラットフォーム1に形成さ
れた窪み42に樹脂68を充填して形成される。光素子
50の光学的部分(図示せず)と光ファイバ30の先端
面との間に隙間が形成されている場合には、少なくとも
その隙間に充填される樹脂68は、透明樹脂である。光
素子50の光学的部分(図示せず)と光ファイバ30の
先端面とが密着しているときには、樹脂68は光透過性
を有していなくてもよい。
ように、基板60に搭載してもよい。基板60には配線
パターン62が形成されている。光モジュール3と配線
パターン62とが電気的に接続されている。光モジュー
ル3は、光素子50が樹脂68にて封止されているの
で、基板60に取り付けてからアンダーフィル材を充填
することは必ずしも必要ではないが、充填してもよい。
導電材料64が導電性接着剤であれば、電気的な接続と
接着を同時に行える。
ば、簡単な工程でプラットフォーム1を形成することが
でき、その工程に起因してプラットフォーム1には配線
20、22による凸が形成されない。プラットフォーム
1を有する光モジュール2、3は、配線20、22を有
しているが、平坦な面の一部が電気的な接続部(露出
部)となっている。したがって、光モジュール2、3を
基板60に取り付ける工程も行いやすい。
発明を適用した第2の実施の形態に係るプラットフォー
ムの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図9
に示す型110を使用する。
2と、第2の領域114と、を有する。第1の領域11
2には、上端面に穴116が形成された凸部118が形
成されている。
20、22を付着させる領域を残す大きさで形成されて
いる。凸部118の上端面は平坦であってもよいし、凹
凸があっても粗面であってもよい。
光ファイバ30を、その先端部を挿入して位置決めする
ためのものである。穴116は、第1の領域112の高
さよりも浅いことが好ましい。詳しくは、光ファイバ3
0の先端部が穴116に挿入されたときに、光ファイバ
30の先端面が、第1の領域112の面よりも上に位置
するように、穴116の深さを設定することが好まし
い。
に示す型10について説明した内容が該当する。
110に、配線20、22を設ける。その詳細は、第1
の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
0を、型110に先端を向けて配置する。その詳細は、
第1の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
0で、配線20、22及び光ファイバ30を封止する。
成形材料40の一部の表面形状は、型110の第1及び
第2の領域112、114の側によって加工される。そ
の詳細は、第1の実施の形態と同様であるため説明を省
略する。
2に凸部118が形成されているので、成形材料40
に、凹部144が形成される。詳しくは、成形材料40
には、窪み142が形成され、窪み142内に凹部14
4が形成される。
を硬化させて型110から剥離する。このとき、成形材
料40には光ファイバ30が一体的に固着されている。
れている。光ファイバ30の先端面は、窪み142の底
面(型110の第1の領域112によって形成される
面)から突出しないことが好ましい。こうすることで、
光素子50の光学的部分に光ファイバ30の先端が接触
することを避けられる。そのためには、図10に示すよ
うに、型110の穴116に光ファイバ30を挿入した
ときに、光ファイバ30の先端面が、第1の領域112
の面よりも深くならないように、穴116の形状を設定
しておく。その他の詳細は、第1の形態で説明した内容
が該当する。
れる。プラットフォーム101は、成形材料(例えば樹
脂)40からなる成形体を有する。成形体には、窪み1
42が形成されている。光ファイバ30の先端面は、窪
み142の底面から突出しないようになっている。その
他の構成は、第1の実施の形態で説明した内容が該当す
る。
ーム101に光素子50を搭載して、光モジュール10
2が得られる。詳しくは、第1の実施の形態で説明した
通りである。また、プラットフォーム101の光素子5
0を搭載する面から光ファイバ30の先端が突出しない
ので、光素子50の光学的部分に光ファイバ30が当た
らない。
を基板60に取り付けてもよい。光素子50を封止する
ために樹脂166を設けることが好ましい。図14に示
す例では、樹脂166は、基板60と光モジュール10
2との間に設けられるので、アンダーフィル材である。
光素子50の光学的部分(図示せず)と光ファイバ30
の先端面との間に隙間(凹部144)が形成されている
ので、少なくともその隙間に充填される部分において、
樹脂166は透明樹脂である。その他の詳細は、第1の
実施の形態で説明した内容が該当する。
03を示す。光モジュール103は、プラットフォーム
101に形成された窪み142に樹脂168、170を
充填して形成される。光素子50の光学的部分(図示せ
ず)と光ファイバ30の先端面との間に隙間(凹部14
4)が形成されているので、少なくともその隙間に充填
される樹脂168は、透明樹脂であり、それ以外の領域
(窪み142)に充填される樹脂170は、光透過性を
有しない樹脂であってもよい。
6に示すように、基板60に搭載してもよい。詳しく
は、第1の実施の形態で説明した通りである。
ば、プラットフォーム101における光素子50の搭載
面となる窪み142の底面から、光ファイバ30が突出
しない。したがって、光素子50の光学的部分に光ファ
イバ30が接触することを防止できる。その他の効果に
ついては、第1の実施の形態で説明した通りである。
本発明を適用した第3の実施の形態に係るプラットフォ
ームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図
17に示す型210を使用する。
2と、第2の領域214と、を有する。第2の領域21
4には、後述する支持部材220を取り付けるためのガ
イド216が形成されている。図17に示すように、第
2の領域214に突起又は壁を形成して区画された領域
をガイド216としてもよいし、第2の領域214に穴
又は凹部して、これをガイド216としてもよい。
に示す型10について説明した内容が該当する。本実施
の形態では、図17に示すように、型210に、配線2
0、22を設ける。その詳細は、第1の実施の形態と同
様であるため説明を省略する。
0を型210に取り付ける。支持部材220は、光ファ
イバ30を位置決めして支持するものである。例えば、
支持部材220に光ファイバ30を挿通する穴が形成さ
れている。支持部材220と型210との位置はガイド
216によって正確に決まるので、光ファイバ30を型
210に対して正確に位置決めすることができる。
は、成形材料40と同じ熱膨張率の樹脂で形成すること
が好ましい。支持部材220を熱伝導率の高い材料、例
えば金属で形成すれば、支持部材220が放熱性を高め
ることができる。支持部材220を導電率の高い材料、
例えば金属で形成して、支持部材220を一定電位(G
ND電位)に接続してもよい。
30を、型210に先端を向けて配置する。型210の
第1の領域212には穴が形成されていないので、光フ
ァイバ30を、その先端面を第1の領域212の表面に
接触又は密着させて、配置することが好ましい。
0で、配線20、22及び光ファイバ30を封止する。
また、成形材料40で、支持部材20も封止する。成形
材料40の一部の表面形状は、型210の第1及び第2
の領域212、214の側の面によって加工される。そ
の詳細は、第1の実施の形態と同様であるため説明を省
略する。
を硬化させて型210から剥離する。このとき、成形材
料40には光ファイバ30が一体的に固着されている。
面(型210の第1の領域212によって形成される
面)と面一になっている。その他の詳細は、第1の形態
で説明した内容が該当する。
れる。プラットフォーム201は、成形材料(例えば樹
脂)40からなる成形体を有する。成形体には、窪み2
42が形成されている。光ファイバ30の先端面は、窪
み242の底面と面一になっている。
20が内蔵されている。支持部材220の熱伝導率が高
ければプラットフォーム201の放熱性が向上する。ま
た、支持部材220の導電率が高ければ、支持部材22
0を例えば一定電位に電気的に接続してもよい。例えば
GND電位に支持部材220を接続して、電気信号に影
響を与える電磁気を支持部材220に流してもよい。電
気的な接続のためには、支持部材220の一部が露出し
ていることが好ましい。例えば、型210に取り付けた
ときに、支持部材220における型210との接触面が
成形材料40にて覆われないようにする。型210にガ
イド216が形成されているときには、ガイド216に
支持部材220の端部を挿入しておけば、この端部がプ
ラットフォーム201において露出する。プラットフォ
ーム201について、その他の構成は、第1の実施の形
態で説明した内容が該当する。
ーム201に光素子50を搭載して、光モジュール20
2が得られる。詳しくは、第1の実施の形態で説明した
通りである。
ば、プラットフォーム201における光素子50の搭載
面となる窪み242の底面から、光ファイバ30が突出
しない。したがって、光素子50の光学的部分に光ファ
イバ30が接触することを防止できる。その他の効果に
ついては、第1の実施の形態で説明した通りである。
材220を内蔵しており、支持部材220はその材料に
応じた利用が可能である。光モジュール202も、第1
の実施の形態で説明したように、基板60に取り付けて
もよいし、樹脂で封止してもよい。詳しくは、第1の実
施の形態で説明した通りである。
本発明を適用した第4の実施の形態に係るプラットフォ
ームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図
22に示す型310を使用する。
2と、第2の領域314と、を有する。第1の領域31
2には、上端面に穴316が形成された凸部318が形
成されている。凸部318及び穴316は、図9に示す
凸部118及び穴116と同じ構成である。
20は、第1及び第2の領域312、314の少なくと
も一方(図22では両方)に形成されている。突起32
0は、配線20、22を上端面に付着させるためのもの
である。突起320によって、成形材料40に、配線2
0、22が底面に露出する凹部346(図25参照)が
形成される。
に示す型10について説明した内容が該当する。
型310に、配線20、22を設ける。詳しくは、突起
320(例えばその上端面)に一部を付着させて、配線
20、22を設ける。ワイヤを突起320にボンディン
グするときには、突起320に予めボンディングパッド
24を形成しておく。その他の内容は、第1の実施の形
態と同様であるため説明を省略する。
0を、型310に先端を向けて配置する。その詳細は、
図10に示す形態と同様であるため説明を省略する。
0で、配線20、22及び光ファイバ30を封止する。
成形材料40の一部の表面形状は、型310の第1及び
第2の領域312、314の側の面によって加工され
る。その詳細は、図11に示す形態と同様であるため説
明を省略する。
を硬化させて型310から剥離する。このとき、成形材
料40には光ファイバ30が一体的に固着されている。
その他の詳細は、第2の形態で説明した内容が該当す
る。
れる。プラットフォーム301は、成形材料(例えば樹
脂)40からなる成形体を有する。成形体には、窪み3
42が形成されている。光ファイバ30の先端部は、窪
み342の底面に形成された凹部344内で突出する
が、光ファイバ30の先端面は、窪み342の底面から
突出しないようになっている。
22の一部が内面(側面又は底面)に露出する凹部34
6が形成されている。凹部346は、型310の突起3
20によって形成されたものである。その他の構成は、
第2の実施の形態で説明した内容が該当する。
ーム301に光素子50を搭載して、光モジュール30
2が得られる。光モジュール302は、プラットフォー
ム301に形成された窪み342に樹脂368、370
を充填して形成される。光素子50の光学的部分(図示
せず)と光ファイバ30の先端面との間に隙間(凹部3
44)が形成されているので、少なくともその隙間に充
填される樹脂368は、透明樹脂であり、それ以外の領
域(窪み342)に充填される樹脂370は、光透過性
を有しない樹脂であってもよい。
た凹部346には、図26に示すように、導電材料38
0を充填してもよい。この状態では、配線20、22の
一部は、露出せずに、凹部346の内面の一部を形成す
る。導電材料380は、ハンダ等のろう材であってもよ
いし、導電ペーストであってもよい。図26に示す例で
は、光素子50の電極(バンプ)が、窪み342内に形
成された凹部346に充填された導電材料380に接合
されている。
には、外部との電気的接続を図るために、ハンダボール
などの外部端子382を設けてもよい。例えば、図27
に示すように、光素子50における光ファイバ30とは
反対側に形成された電極(図示せず)に外部端子382
を設ける。また、窪み342の周囲で、プラットフォー
ム301に形成された凹部346に充填された導電材料
380に、外部端子382を設ける。光モジュール30
2は、第1の実施の形態で説明したように、基板に搭載
してもよい。
ば、第2の実施の形態で説明した効果に加えて、凹部3
46に導電材料380を充填してあるので、電気的な接
続を図りやすい。
本発明を適用した第5の実施の形態に係るプラットフォ
ームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図
28に示す型410を使用する。
2と、第2の領域414と、を有する。第1の領域41
2には、上端面に穴416が形成された凸部418が形
成されている。凸部418及び穴416は、図9に示す
凸部118及び穴116と同じ構成である。
20は、第1及び第2の領域412、414の少なくと
も一方(図28では両方)に形成されている。突起42
0は、配線20、22を表面(例えば上端面)に付着さ
せるためのものである。突起420によって、成形材料
40に、配線20、22が内面(底面又は側面)に露出
する凹部446(図31参照)が形成される。また、配
線20、22を付着させずに、電子部品を支持するため
の突起422を形成してもよい。
に示す型10について説明した内容が該当する。本実施
の形態では、図28に示すように、型410に、配線2
0、22を設ける。詳しくは、第4の実施の形態で説明
した通りである。
載する。電子部品430は、配線20、22に電気的に
接続される。例えば、突起420に付着した配線20、
22上に電子部品430を搭載したり、電子部品430
に配線20をボンディングする。電子部品430とし
て、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、
温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム、ヒュ
ーズ、ペルチエ素子又はヒートパイプ等の冷却用部品な
どが挙げられる。
0を、型410に先端を向けて配置する。その詳細は、
図10に示す形態と同様であるため説明を省略する。
0で、配線20、22、光ファイバ30及び電子部品4
30を封止する。その詳細は、図11に示す形態と同様
であるため説明を省略する。
を硬化させて型410から剥離する。詳しくは、第2の
形態で説明した内容が該当する。
れる。プラットフォーム401は、成形材料(例えば樹
脂)40からなる成形体を有する。成形体には、窪み4
42が形成されている。光ファイバ30の先端部は、凹
部444内で突出するが、窪み442の底面から突出し
ないようになっている。
22の一部が内面(側面又は底面)に露出する凹部44
6が形成されている。凹部446は、型410の突起4
20によって形成されたものである。また、プラットフ
ォーム401には、電子部品430を支持するための突
起422によっても凹部448が形成されている。電子
部品430の電極が突起422上に載せられるのであれ
ば、凹部448内に電子部品430の電極が凹部448
内に露出する。その他の構成は、第2の実施の形態で説
明した内容が該当する。
01に光素子50を搭載して、光モジュール402が得
られる。光モジュール402は、プラットフォーム40
1に形成された窪み442に樹脂468、470を充填
して形成される。詳しくは、第4の実施の形態で説明し
た通りである。
に、導電材料480を充填してもよい。詳しくは、第4
の実施の形態で説明した通りである。なお、凹部448
にも導電材料480を充填してもよい。
には、外部との電気的接続を図るために、ハンダボール
などの外部端子482を設けてもよい。詳しくは、第4
の実施の形態で説明した通りである。光モジュール40
2は、第1の実施の形態で説明したように、基板に搭載
してもよい。
ば、第2の実施の形態で説明した効果に加えて、凹部4
46に導電材料480を充填してあるので、電気的な接
続を図りやすい。また、本実施の形態に係るプラットフ
ォーム401は、電子部品430を内蔵しており、成形
体自体に電子部品430が封止されているので、品質の
安定化を図ることができる。
本発明を適用した第6の実施の形態に係るプラットフォ
ームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図
34に示す型510を使用する。
し、その平面形状は円形であっても矩形であってもよ
い。型510は、第1の領域511と、第1の領域51
1よりも低く位置する第2の領域512と、第1及び第
2の領域511、512の間の高さに位置する少なくと
も1段(図34では複数段)の第3の領域513と、を
有する。
が形成された凸部518が形成されている。凸部518
及び穴516は、図9に示す凸部118及び穴116と
同じ構成である。
に示す突起520は、第2及び第3の領域512、51
3に形成されているが、いずれか一方のみに形成されて
もよく、第1の領域511に形成されてもよい。突起5
20は、配線20、22を表面(例えば上端面)に付着
させるためのものである。突起520によって、成形材
料40に、配線20、22が内面(底面又は側面)に露
出する凹部546(図35参照)が形成される。
に示す型10について説明した内容が該当する。本実施
の形態では、図34に示すように、型510に、配線2
0、22を設ける。
(例えば一方の端部)を、第1又は第2の領域511、
512に付着させ、他の一部(例えば他方の端部)を、
第3の領域513に付着させる。または、複数段の第3
の領域513に、いずれかの配線20の両端部を付着さ
せる。あるいは、第3の領域513をとばして、第1及
び第2の領域511、512に、配線20を付着させて
もよい。なお、配線20を付着させる前に、第1の実施
の形態で説明したように、ボンディングパッド24を形
成しておいてもよい。また、型510に付着した配線2
0の上に、他の配線20を付着させてもよい。
又は第3の領域511、512、513に付着させて設
ける。図34に示す例では、第1、2及び3の領域51
1、512、513に、連続的に配線22が形成されて
いる。これとは異なる例として、第1及び第3の領域5
11、513間にのみ、あるいは第3及び第2の領域5
13、512間にのみ配線22を形成してもよい。
載してもよい。電子部品530は、配線20、22に電
気的に接続される。例えば、突起520に付着した配線
22上に電子部品530を搭載する。必要であれば、電
子部品530の電極と、配線20、22とをワイヤ53
2などで電気的に接続してもよい。その他の詳細は、第
5の実施の形態で説明した通りである。
を向けて配置する。その詳細は、図10に示す形態と同
様であるため説明を省略する。
2、光ファイバ30及び電子部品530を封止し、成形
体を型510から剥離して、図35に示すプラットフォ
ーム501を形成する。その詳細は、図11〜図12に
示す形態と同様であるため説明を省略する。
えば樹脂)40からなる成形体を有する。成形体には、
窪み542が形成されている。窪み542内には、複数
の底面551〜553によって段が形成されている。最
も深い底面551には、凹部544が形成されている。
光ファイバ30の先端部は、凹部544内で突出する
が、光ファイバ30の先端面は、最も深い底面551か
ら突出しないようになっている。
20、22の一部が露出している。最も深い底面551
には、底面551と面一で配線20、22が露出してい
る。最も深い底面551以外の底面552、553に
は、配線20、22の一部が内面(側面又は底面)に露
出する凹部546が形成されている。凹部546は、型
510の突起520によって形成されたものである。ま
た、プラットフォーム501の表面であって窪み542
の周囲にも、凹部546が形成されている。
電材料580を充填してもよい。詳しくは、第4の実施
の形態で説明した通りである。
ーム501に光素子50を搭載する。詳しくは、光学的
部分52を光ファイバ30の先端面に向けて、窪み54
2の最も深い底面551に光素子50を搭載する。ま
た、配線20、22の底面551に露出した部分と、光
素子50の電極(バンプ)とを電気的に接続する。例え
ば、フェースダウンボンディングを適用する。また、光
素子50と光ファイバ30との間には、樹脂568を充
填する。特に、光ファイバ30の先端面と、光素子50
の光学的部分52との間で、樹脂568は、光透過性を
有する(透明である)。
浅い位置に半導体チップ560、562を搭載する。半
導体チップ560、562は、光素子50を駆動するた
めのものである。半導体チップ560、562には、光
素子50を駆動するための回路が内蔵されている。半導
体チップ560、562には、内部の回路に電気的に接
続された複数の電極(又はパッド)が形成されている。
なお、半導体チップの代わりに、半導体を使用しないで
形成された回路を内蔵するチップを適用しても、同じ作
用効果を達成することができる。
53に、半導体チップ560、562を搭載する。底面
552、553は、型510の第3の領域513によっ
て形成された面である。また、配線20、22の底面5
52、553に露出した部分と、半導体チップ560の
電極(バンプ)とを電気的に接続する。配線20、22
は、底面552、553に形成された凹部546(図3
5参照)内で露出している。あるいは、配線20、22
の一部は、底面552、553に形成された凹部546
(図35参照)の内壁面の一部を形成している。
2は、樹脂570によって封止する。すなわち、窪み5
42に樹脂570を充填する。光素子50の光学的部分
52と光ファイバ30の先端面との間の隙間が、透明な
樹脂568によって埋められていれば、樹脂570は光
透過性を有していてもいなくてもよい。
る。光モジュール502には、外部との電気的接続を図
るために、ハンダボールなどの外部端子582を設けて
もよい。詳しくは、第4の実施の形態で説明した通りで
ある。光モジュール502は、第1の実施の形態で説明
したように、基板に搭載してもよい。
ば、他の実施の形態で説明した効果に加えて、光モジュ
ール502に、半導体チップ560、562をコンパク
トに内蔵させることができる。
適用した第7の実施の形態に係る光モジュールを示す図
である。この光モジュールは、複数の光素子50と、複
数の光ファイバ30と、を含む。各光ファイバ30は各
光素子50に対応して設けられている。図37に示す例
は、4つの光素子50を有する光モジュールであり、こ
れをカラー画像信号の伝送に使用するときには、光素子
50及び光ファイバ30は、R、G、Bの信号及びクロ
ック信号の送受信に使用される。
した他の実施の形態で説明した型を複数組み合わせた形
状の型を使用して、上述した光モジュールの製造方法に
よって製造することができる。例えば、図37に示す光
モジュールは、図1に示す型10を4つ並べた型を使用
し、第1の実施の形態で説明した方法で製造することが
できる。
適用した第8の実施の形態に係る光伝達装置を示す図で
ある。光伝送装置590は、コンピュータ、ディスプレ
イ、記憶装置、プリンタ等の電子機器592を相互に接
続するものである。電子機器592は、情報通信機器で
あってもよい。光伝送装置590は、ケーブル594の
両端にプラグ596が設けられたものであってもよい。
ケーブル594は、1つ又は複数(少なくとも一つ)の
光ファイバ30(図2参照)を含む。プラグ596は、
半導体チップを内蔵してもよい。
光素子50は、発光素子である。一方の電子機器592
から出力された電気信号は、発光素子である光素子50
によって光信号に変換される。光信号は光ファイバ30
を伝わり、他方の光素子50に入力される。この光素子
50は、受光素子であり、入力された光信号が電気信号
に変換される。電気信号は、他方の電子機器592に入
力される。こうして、本実施の形態に係る光伝達装置5
90によれば、光信号によって、電子機器592の情報
伝達を行うことができる。
適用した第9の実施の形態に係る光伝達装置の使用形態
を示す図である。光伝送装置590は、電子機器600
間を接続する。電子機器600として、液晶表示モニタ
ー又はディジタル対応のCRT(金融、通信販売、医
療、教育の分野で使用されることがある。)、液晶プロ
ジェクタ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、デ
ィジタルTV、小売店のレジ(POS(Pointof Sale S
canning)用)、ビデオ、チューナー、ゲーム装置、プ
リンター等が挙げられる。
係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
係る光モジュールの製造方法を示す図である。
係る光モジュールの製造方法を示す図である。
係る光モジュールの製造方法を示す図である。
係る光モジュールの製造方法を示す図である。
係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
態に係る光伝達装置を示す図である。
態に係る光伝達装置の使用形態を示す図である。
Claims (35)
- 【請求項1】 第1及び第2の領域を有する型に、配線
を前記第1又は第2の領域に付着させて設け、 光ファイバを、前記光ファイバの一方の端面を前記型に
向けて配置し、 前記一方の端面と、前記配線の前記型に対する付着面
と、を避けて、成形材料で前記光ファイバ及び前記配線
を封止し、 前記光ファイバとともに前記配線及び前記成形材料を、
前記型から剥離する工程を含むプラットフォームの製造
方法。 - 【請求項2】 請求項1記載のプラットフォームの製造
方法において、 前記配線はワイヤからなり、前記ワイヤの両端部を前記
第1及び第2の領域にボンディングするプラットフォー
ムの製造方法。 - 【請求項3】 請求項2記載のプラットフォームの製造
方法において、 予め前記型にボンディングパッドを形成し、前記ボンデ
ィングパッドに前記ワイヤをボンディングするプラット
フォームの製造方法。 - 【請求項4】 請求項1記載のプラットフォームの製造
方法において、 前記配線は導電層からなり、前記導電層を前記第1及び
第2の領域に形成するプラットフォームの製造方法。 - 【請求項5】 請求項1から請求項4のいずれかに記載
のプラットフォームの製造方法において、 前記型に離型材を塗布した状態で、前記成形材料により
前記光ファイバ及び前記配線を封止するプラットフォー
ムの製造方法。 - 【請求項6】 請求項1から請求項5のいずれかに記載
のプラットフォームの製造方法において、 前記型に、前記光ファイバの支持部材を取り付け、 前記光ファイバを、前記支持部材によって位置決めして
配置するプラットフォームの製造方法。 - 【請求項7】 請求項1から請求項5のいずれかに記載
のプラットフォームの製造方法において、 前記光ファイバの前記一方の端部を前記型に形成された
穴に挿入することで、前記光ファイバを、位置決めして
配置するプラットフォームの製造方法。 - 【請求項8】 請求項7記載のプラットフォームの製造
方法において、 前記型の前記第1の領域は、ほぼ平坦に形成されてな
り、 前記穴は、前記第1の領域に形成されてなるプラットフ
ォームの製造方法。 - 【請求項9】 請求項7記載のプラットフォームの製造
方法において、 前記型は、前記第1の領域に凸部を有し、前記凸部の上
端面に前記穴が設けられてなるプラットフォームの製造
方法。 - 【請求項10】 請求項1から請求項9のいずれかに記
載のプラットフォームの製造方法において、 前記型は、前記第1の領域が前記第2の領域よりも突出
して形成されてなり、前記成形材料に、前記型の形状に
対応して窪みを形成するプラットフォームの製造方法。 - 【請求項11】 請求項1から請求項10のいずれかに
記載のプラットフォームの製造方法において、 前記型は、突起を有し、前記突起が設けられた領域に前
記配線を付着させ、前記成形材料に凹部を形成するプラ
ットフォームの製造方法。 - 【請求項12】 請求項11記載のプラットフォームの
製造方法において、 前記凹部に導電材料を充填する工程をさらに含むプラッ
トフォームの製造方法。 - 【請求項13】 請求項1から請求項12のいずれかに
記載のプラットフォームの製造方法において、 前記型に、前記配線と電気的に接続させて電子部品を搭
載し、 前記成形材料で、前記光ファイバ及び前記配線とともに
前記電子部品を封止するプラットフォームの製造方法。 - 【請求項14】 請求項1から請求項13のいずれかに
記載のプラットフォームの製造方法において、 前記型は、前記第1の領域と、前記第1の領域より低い
位置に設けられる第2の領域と、前記第1及び前記第2
の領域の間に設けられる第3の領域と、を有し、 前記配線を設ける工程では、前記配線を第1又は第2の
領域と、第3との領域とに付着させるプラットフォーム
の製造方法。 - 【請求項15】 請求項1から請求項14のいずれかに
記載の方法によってプラットフォームを製造し、前記プ
ラットフォームに光素子を搭載し、前記光素子と前記配
線とを電気的に接続する工程を含む光モジュールの製造
方法。 - 【請求項16】 請求項15記載の光モジュールの製造
方法において、 前記光素子を封止する樹脂を設ける工程を含む光モジュ
ールの製造方法。 - 【請求項17】 請求項16記載の光モジュールの製造
方法において、 少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記
樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂を形成する
光モジュールの製造方法。 - 【請求項18】 請求項15から請求項17のいずれか
に記載の光モジュールの製造方法において、 請求項14記載の方法によって前記プラットフォームを
製造し、 前記プラットフォームの前記第3の領域に半導体チップ
を搭載する工程を含む光モジュールの製造方法。 - 【請求項19】 樹脂の成形体と、前記成形体から少な
くとも一部が露出する配線と、を有し、一方の端面を露
出させた光ファイバが前記成形体に固定されてなるプラ
ットフォーム。 - 【請求項20】 請求項19記載のプラットフォームに
おいて、 前記成形体に埋め込まれた金属製の支持部材をさらに有
し、前記光ファイバは、前記支持部材にて支持されてな
るプラットフォーム。 - 【請求項21】 請求項19又は請求項20記載のプラ
ットフォームにおいて、 前記成形体には、窪みが形成されてなり、 前記窪み内に前記光ファイバが前記一方の端面を露出さ
せて固定されてなるプラットフォーム。 - 【請求項22】 請求項21記載のプラットフォームに
おいて、 前記光ファイバの前記露出する前記一方の端面は、前記
成形体の前記窪みの底面から突出せずに位置してなるプ
ラットフォーム。 - 【請求項23】 請求項21又は請求項22記載のプラ
ットフォームにおいて、 前記窪みは、複数段を形成する複数の底面を有し、 各底面に前記配線の前記一部が露出してなるプラットフ
ォーム。 - 【請求項24】 請求項19から請求項23のいずれか
に記載のプラットフォームにおいて、 前記成形体から底面が露出するように、前記配線に凹部
が形成されてなるプラットフォーム。 - 【請求項25】 請求項24記載のプラットフォームに
おいて、 前記配線に形成された前記凹部に、導電材料が充填され
てなるプラットフォーム。 - 【請求項26】 請求項19から請求項25のいずれか
に記載のプラットフォームにおいて、 前記成形体に、前記配線に電気的に接続された電子部品
が内蔵されてなるプラットフォーム。 - 【請求項27】 請求項19から請求項26のいずれか
に記載のプラットフォームと、 前記配線に電気的に接続されて前記プラットフォームに
搭載された光素子と、を有する光モジュール。 - 【請求項28】 請求項23記載のプラットフォームを
有する請求項27記載の光モジュールにおいて、 前記光素子は、前記光ファイバの前記一方の端面と対向
するように前記窪み内に搭載され、 前記光素子の前記光ファイバと対向する面とは反対の面
と対向するように搭載され、前記配線と電気的に接続さ
れてなる半導体チップをさらに前記窪み内に有する光モ
ジュール。 - 【請求項29】 請求項27又は請求項28記載の光モ
ジュールにおいて、 前記光素子を封止する樹脂をさらに有する光モジュー
ル。 - 【請求項30】 請求項29記載の光モジュールにおい
て、 少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記
樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂が形成され
てなる光モジュール。 - 【請求項31】 請求項19から請求項26のいずれか
に記載された複数のプラットフォームと、 各プラットフォームに搭載された光素子と、 各プラットフォームに取り付けられた光ファイバと、 を含み、 前記光素子は、受光素子又は発光素子であり、 前記光素子は、前記配線の前記露出部に電気的に接続さ
れて搭載されてなる光伝達装置。 - 【請求項32】 請求項23記載のプラットフォームを
有する請求項31記載の光伝達装置において、 各プラットフォームに搭載された半導体チップをさらに
有し、 前記光素子は、前記光ファイバの前記一方の端面と対向
するように前記窪み内に搭載され、 前記半導体チップは、前記配線と電気的に接続され、前
記光素子の前記光ファイバと対向する面とは反対の面と
対向するように前記窪み内に搭載されてなる光伝達装
置。 - 【請求項33】 請求項31又は請求項32記載の光伝
達装置において、 前記光素子を封止する樹脂をさらに有する光伝達装置。 - 【請求項34】 請求項33記載の光伝達装置におい
て、 少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記
樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂が形成され
てなる光伝達装置。 - 【請求項35】 請求項31から請求項34のいずれか
に記載の光伝達装置において、 前記受光素子に接続されるプラグと、 前記発光素子に接続されるプラグと、 をさらに含む光伝達装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000106400A JP3865036B2 (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 |
US09/800,482 US6568863B2 (en) | 2000-04-07 | 2001-03-08 | Platform and optical module, method of manufacture thereof, and optical transmission device |
TW090108159A TW542929B (en) | 2000-04-07 | 2001-04-04 | Platform, optical module, method for manufacturing these and optical transmission device |
KR10-2001-0017868A KR100404932B1 (ko) | 2000-04-07 | 2001-04-04 | 플랫폼과 광 모듈, 이들의 제조방법 및 광 전달장치 |
CNB01122083XA CN1193253C (zh) | 2000-04-07 | 2001-04-07 | 平台与光模块及其制造方法和光传输装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000106400A JP3865036B2 (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001290056A true JP2001290056A (ja) | 2001-10-19 |
JP3865036B2 JP3865036B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=18619571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000106400A Expired - Fee Related JP3865036B2 (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6568863B2 (ja) |
JP (1) | JP3865036B2 (ja) |
KR (1) | KR100404932B1 (ja) |
CN (1) | CN1193253C (ja) |
TW (1) | TW542929B (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004341102A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Seiko Epson Corp | 光モジュール及びその製造方法、光通信装置、電子機器 |
JP2008304611A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Fujikura Ltd | 光送受信装置 |
JP2010016012A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Fujitsu Ltd | 光電気変換デバイス、光電気変換モジュールおよび光電気変換デバイスの製造方法 |
JP2010232663A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Robert Bosch Gmbh | チップモジュール並びにチップモジュールを製造する方法 |
WO2011004545A1 (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-13 | 株式会社日立製作所 | 光電気複合配線モジュールおよびその製造方法 |
JP2011150375A (ja) * | 2011-05-09 | 2011-08-04 | Toshiba Corp | 光伝送路保持部材及び光モジュール |
JP2012511250A (ja) * | 2008-12-08 | 2012-05-17 | ネーデルランドセ・オルガニサティ・フォール・トゥーヘパスト−ナトゥールウェテンスハッペライク・オンデルズーク・テーエヌオー | 電気回路を備えたモールド体の作成 |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6932516B2 (en) * | 2000-07-19 | 2005-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface optical device apparatus, method of fabricating the same, and apparatus using the same |
US20030006493A1 (en) * | 2001-07-04 | 2003-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7859071B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-12-28 | Finisar Corporation | Power and communication interface for sensors using a single tethered fiber |
US8154414B2 (en) * | 2005-03-31 | 2012-04-10 | Finisar Corporation | Systems and methods for collecting data with sensors |
US7906722B2 (en) * | 2005-04-19 | 2011-03-15 | Palo Alto Research Center Incorporated | Concentrating solar collector with solid optical element |
US20070107773A1 (en) * | 2005-11-17 | 2007-05-17 | Palo Alto Research Center Incorporated | Bifacial cell with extruded gridline metallization |
US7765949B2 (en) * | 2005-11-17 | 2010-08-03 | Palo Alto Research Center Incorporated | Extrusion/dispensing systems and methods |
US20070169806A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Palo Alto Research Center Incorporated | Solar cell production using non-contact patterning and direct-write metallization |
US7799371B2 (en) | 2005-11-17 | 2010-09-21 | Palo Alto Research Center Incorporated | Extruding/dispensing multiple materials to form high-aspect ratio extruded structures |
US7855335B2 (en) * | 2006-04-26 | 2010-12-21 | Palo Alto Research Center Incorporated | Beam integration for concentrating solar collector |
US7638708B2 (en) * | 2006-05-05 | 2009-12-29 | Palo Alto Research Center Incorporated | Laminated solar concentrating photovoltaic device |
US7851693B2 (en) * | 2006-05-05 | 2010-12-14 | Palo Alto Research Center Incorporated | Passively cooled solar concentrating photovoltaic device |
US8226391B2 (en) * | 2006-11-01 | 2012-07-24 | Solarworld Innovations Gmbh | Micro-extrusion printhead nozzle with tapered cross-section |
US7780812B2 (en) * | 2006-11-01 | 2010-08-24 | Palo Alto Research Center Incorporated | Extrusion head with planarized edge surface |
US8322025B2 (en) * | 2006-11-01 | 2012-12-04 | Solarworld Innovations Gmbh | Apparatus for forming a plurality of high-aspect ratio gridline structures |
US7922471B2 (en) * | 2006-11-01 | 2011-04-12 | Palo Alto Research Center Incorporated | Extruded structure with equilibrium shape |
US20080116183A1 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-22 | Palo Alto Research Center Incorporated | Light Scanning Mechanism For Scan Displacement Invariant Laser Ablation Apparatus |
US20080116182A1 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-22 | Palo Alto Research Center Incorporated | Multiple Station Scan Displacement Invariant Laser Ablation Apparatus |
US7928015B2 (en) * | 2006-12-12 | 2011-04-19 | Palo Alto Research Center Incorporated | Solar cell fabrication using extruded dopant-bearing materials |
US7638438B2 (en) * | 2006-12-12 | 2009-12-29 | Palo Alto Research Center Incorporated | Solar cell fabrication using extrusion mask |
US20080186593A1 (en) * | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Sol Focus, Inc. | Metal trace fabrication for optical element |
US7954449B2 (en) | 2007-05-08 | 2011-06-07 | Palo Alto Research Center Incorporated | Wiring-free, plumbing-free, cooled, vacuum chuck |
US7999175B2 (en) * | 2008-09-09 | 2011-08-16 | Palo Alto Research Center Incorporated | Interdigitated back contact silicon solar cells with laser ablated grooves |
US8117983B2 (en) | 2008-11-07 | 2012-02-21 | Solarworld Innovations Gmbh | Directional extruded bead control |
US20100221435A1 (en) * | 2008-11-07 | 2010-09-02 | Palo Alto Research Center Incorporated | Micro-Extrusion System With Airjet Assisted Bead Deflection |
US20100118081A1 (en) * | 2008-11-07 | 2010-05-13 | Palo Alto Research Center Incorporated | Dead Volume Removal From An Extrusion Printhead |
US8080729B2 (en) * | 2008-11-24 | 2011-12-20 | Palo Alto Research Center Incorporated | Melt planarization of solar cell bus bars |
US20100130014A1 (en) * | 2008-11-26 | 2010-05-27 | Palo Alto Research Center Incorporated | Texturing multicrystalline silicon |
US20100139754A1 (en) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Palo Alto Research Center Incorporated | Solar Cell With Co-Planar Backside Metallization |
US8960120B2 (en) * | 2008-12-09 | 2015-02-24 | Palo Alto Research Center Incorporated | Micro-extrusion printhead with nozzle valves |
US20100139756A1 (en) * | 2008-12-10 | 2010-06-10 | Palo Alto Research Center Incorporated | Simultaneously Writing Bus Bars And Gridlines For Solar Cell |
US20100206357A1 (en) * | 2009-02-18 | 2010-08-19 | Palo Alto Research Center Incorporated | Two-Part Solar Energy Collection System With Replaceable Solar Collector Component |
US20100206356A1 (en) * | 2009-02-18 | 2010-08-19 | Palo Alto Research Center Incorporated | Rotational Trough Reflector Array For Solar-Electricity Generation |
US20100206302A1 (en) * | 2009-02-18 | 2010-08-19 | Palo Alto Research Center Incorporated | Rotational Trough Reflector Array For Solar-Electricity Generation |
US20100206379A1 (en) * | 2009-02-18 | 2010-08-19 | Palo Alto Research Center Incorporated | Rotational Trough Reflector Array With Solid Optical Element For Solar-Electricity Generation |
US20110083728A1 (en) * | 2009-10-14 | 2011-04-14 | Palo Alto Research Center Incorporated | Disordered Nanowire Solar Cell |
US20110100419A1 (en) * | 2009-11-03 | 2011-05-05 | Palo Alto Research Center Incorporated | Linear Concentrating Solar Collector With Decentered Trough-Type Relectors |
US8884156B2 (en) | 2010-11-29 | 2014-11-11 | Palo Alto Research Center Incorporated | Solar energy harvesting device using stimuli-responsive material |
US8040609B1 (en) | 2010-11-29 | 2011-10-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Self-adjusting solar light transmission apparatus |
US8752380B2 (en) | 2012-05-22 | 2014-06-17 | Palo Alto Research Center Incorporated | Collapsible solar-thermal concentrator for renewable, sustainable expeditionary power generator system |
US9295436B2 (en) * | 2013-06-06 | 2016-03-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for manufacturing intraoral sensor |
CN108011246A (zh) * | 2017-06-28 | 2018-05-08 | 贾军霞 | 一种安全性高的打磨装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4017962A (en) * | 1975-06-27 | 1977-04-19 | General Dynamics Corporation | Integrated array of optical fibers and thin film optical detectors, and method for fabricating the same |
JPS61188957A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-22 | Toshiba Corp | 回路モジユ−ルの製造方法 |
US5201018A (en) * | 1991-08-29 | 1993-04-06 | Codenoll Technology Corporation | Optical connector with waveguides for device to fiber coupling |
US5165002A (en) * | 1991-11-27 | 1992-11-17 | Motorola, Inc. | Method of coupling an electrical signal to an optical fiber |
US5282071A (en) * | 1992-07-13 | 1994-01-25 | Motorola, Inc. | Contact areas on an optical waveguide and method of making |
DE4300652C1 (de) * | 1993-01-13 | 1994-03-31 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer hybrid integrierten optischen Schaltung und Vorrichtung zur Emission von Lichtwellen |
US5625733A (en) * | 1995-02-09 | 1997-04-29 | Lucent Technologies Inc. | Arrangement for interconnecting an optical fiber to an optical component |
US5692083A (en) * | 1996-03-13 | 1997-11-25 | The Whitaker Corporation | In-line unitary optical device mount and package therefor |
JP2000357805A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Seiko Epson Corp | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 |
JP4507315B2 (ja) * | 1999-11-24 | 2010-07-21 | 凸版印刷株式会社 | 光・電気配線基板の製造方法 |
-
2000
- 2000-04-07 JP JP2000106400A patent/JP3865036B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-08 US US09/800,482 patent/US6568863B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-04 KR KR10-2001-0017868A patent/KR100404932B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-04 TW TW090108159A patent/TW542929B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-04-07 CN CNB01122083XA patent/CN1193253C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004341102A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Seiko Epson Corp | 光モジュール及びその製造方法、光通信装置、電子機器 |
US7103249B2 (en) | 2003-05-14 | 2006-09-05 | Seiko Epson Corporation | Optical module and manufacturing method of the same, optical-communication apparatus, and electronic apparatus |
JP2008304611A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Fujikura Ltd | 光送受信装置 |
JP2010016012A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Fujitsu Ltd | 光電気変換デバイス、光電気変換モジュールおよび光電気変換デバイスの製造方法 |
JP2012511250A (ja) * | 2008-12-08 | 2012-05-17 | ネーデルランドセ・オルガニサティ・フォール・トゥーヘパスト−ナトゥールウェテンスハッペライク・オンデルズーク・テーエヌオー | 電気回路を備えたモールド体の作成 |
JP2010232663A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Robert Bosch Gmbh | チップモジュール並びにチップモジュールを製造する方法 |
WO2011004545A1 (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-13 | 株式会社日立製作所 | 光電気複合配線モジュールおよびその製造方法 |
JP2011013587A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-20 | Hitachi Ltd | 光電気複合配線モジュールおよびその製造方法 |
US8406581B2 (en) | 2009-07-06 | 2013-03-26 | Hitachi, Ltd. | Photoelectric composite wiring module and method for manufacturing same |
KR101287117B1 (ko) | 2009-07-06 | 2013-07-17 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 광전기 복합 배선 모듈 및 그 제조 방법 |
JP2011150375A (ja) * | 2011-05-09 | 2011-08-04 | Toshiba Corp | 光伝送路保持部材及び光モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1329261A (zh) | 2002-01-02 |
US6568863B2 (en) | 2003-05-27 |
KR100404932B1 (ko) | 2003-11-10 |
CN1193253C (zh) | 2005-03-16 |
US20020061173A1 (en) | 2002-05-23 |
KR20010091045A (ko) | 2001-10-22 |
TW542929B (en) | 2003-07-21 |
JP3865036B2 (ja) | 2007-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3865036B2 (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 | |
JP3775480B2 (ja) | 光モジュールの製造方法 | |
US6268231B1 (en) | Low cost CCD packaging | |
US7755030B2 (en) | Optical device including a wiring having a reentrant cavity | |
US6765801B1 (en) | Optical track drain package | |
US10356907B2 (en) | Endoscope, electronic unit and method for manufacturing electronic unit | |
US20010004128A1 (en) | Semiconductor package and manufacturing method thereof | |
JP2001159724A (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 | |
JP3865037B2 (ja) | 光モジュールの製造方法 | |
JP2002164602A (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 | |
KR100407360B1 (ko) | 3차원 실장부품과 그 제조방법 및 광 전달장치 | |
KR100541650B1 (ko) | 고체 촬상용 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
JP2001127312A (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 | |
JP2000164803A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH06326211A (ja) | 半導体パッケージと回路基板およびそれを用いた電子機器 | |
KR100256305B1 (ko) | 칩 스케일 패키지 | |
JP2005159136A (ja) | Cob実装用の枠体、パッケージ実装用の枠体、及び半導体装置 | |
WO2024053466A1 (ja) | 半導体装置および電子機器 | |
TWI245394B (en) | Device including an opto-electronic chip with inner lead bonding and method for manufacturing the same | |
JP2001311857A (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 | |
JP2002076496A (ja) | 光モジュール | |
KR19980016775A (ko) | 클립 리드(clip lead)가 체결된 칩 스케일 패키지 | |
KR20050119101A (ko) | 고체 촬상용 반도체 장치의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040301 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050620 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050901 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060424 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060913 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060926 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101013 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101013 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111013 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131013 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |