JP2001282169A - Shift register and electronic device - Google Patents
Shift register and electronic deviceInfo
- Publication number
- JP2001282169A JP2001282169A JP2000099186A JP2000099186A JP2001282169A JP 2001282169 A JP2001282169 A JP 2001282169A JP 2000099186 A JP2000099186 A JP 2000099186A JP 2000099186 A JP2000099186 A JP 2000099186A JP 2001282169 A JP2001282169 A JP 2001282169A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- signal
- current path
- stage
- turned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 32
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 29
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 3
- 101150110532 CFDP1 gene Proteins 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 102200091804 rs104894738 Human genes 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Shift Register Type Memory (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シフトレジスタの各段から出力される出力信
号のレベルを安定させる。
【解決手段】 TFT21のソース、TFT22のゲー
ト及びTFT23のドレインに囲まれて接続された配線
Aと、基準電圧Vssを供給するための配線との間に、
各段毎にキャパシタC1を挿入する。配線Aに電荷が蓄
積されておらず、TFT21がオフしていると、配線A
はフローティング状態となり、このときにTFT22の
ドレインにハイレベルのクロック信号CK1またはCK
2が供給されると、TFT22の寄生容量により、配線
Aの電位が上昇する。しかしながら、この電位の上昇
は、キャパシタC1によって緩和でき、TFT22のゲ
ート電圧が閾値電圧を越えてクロック信号CK1または
CK2が出力信号OUT1,OUT2,・・・として漏
れるのを防げる。
(57) [Summary] To stabilize the level of an output signal output from each stage of a shift register. SOLUTION: A wiring A surrounded by a source of a TFT 21, a gate of a TFT 22, and a drain of a TFT 23 is connected to a wiring for supplying a reference voltage Vss.
The capacitor C1 is inserted for each stage. If no charge is accumulated in the wiring A and the TFT 21 is off, the wiring A
Is in a floating state. At this time, a high-level clock signal CK1 or CK
When 2 is supplied, the potential of the wiring A increases due to the parasitic capacitance of the TFT 22. However, this increase in the potential can be mitigated by the capacitor C1, and it is possible to prevent the gate voltage of the TFT 22 from exceeding the threshold voltage and leaking the clock signal CK1 or CK2 as the output signals OUT1, OUT2,.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、シフトレジスタ、
及びこのシフトレジスタをドライバとして用いた表示装
置、撮像装置などの電子装置に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a shift register,
And an electronic device such as a display device or an imaging device using the shift register as a driver.
【0002】[0002]
【従来の技術】TFT液晶表示装置などのアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置では、マトリクス状に配列さ
れた表示画素を1ラインずつ選択し、選択した画素の画
素容量に表示データを書き込むことによって所望の表示
を得ている。このラインを選択するためのドライバとし
ては、一般に、外部からの制御信号に従って出力信号を
順次シフトしていくシフトレジスタが用いられている。2. Description of the Related Art In an active matrix type liquid crystal display device such as a TFT liquid crystal display device, display pixels arranged in a matrix are selected line by line, and display data is written into a pixel capacitance of the selected pixel to thereby obtain a desired display pixel. Getting the display. As a driver for selecting this line, a shift register that sequentially shifts an output signal in accordance with an external control signal is generally used.
【0003】図18は、従来のシフトレジスタの構成を
示している。このシフトレジスタは、複数の段RS
(1),RS(2),・・・によって構成され、各段
は、4つのTFT(Thin Film Transistor)21〜24
によって構成されている。このシフトレジスタにおい
て、ハイレベルのスタート信号Pstが外部から供給さ
れると、1番目の段RS(1)のTFT21がオンする
ことにより、1番目の段RS(1)のTFT21、2
2、23の間の配線に電荷が蓄積され、TFT22がオ
ンする。この状態でクロック信号CK1がハイレベルに
変化すると、このクロック信号CK1が実質上そのま
ま、オンしているTFT22を介して1番目の段RS
(1)の出力信号OUT1として出力される。FIG. 18 shows a configuration of a conventional shift register. This shift register includes a plurality of stages RS
(1), RS (2),..., Each stage has four TFTs (Thin Film Transistors) 21 to 24
It is constituted by. In this shift register, when a high-level start signal Pst is supplied from the outside, the TFT 21 of the first stage RS (1) is turned on, so that the TFTs 21 and 2 of the first stage RS (1) are turned on.
Electric charges are accumulated in the wiring between 2 and 23, and the TFT 22 is turned on. When the clock signal CK1 changes to a high level in this state, the clock signal CK1 is substantially kept as it is via the TFT 22 which is turned on.
This is output as the output signal OUT1 of (1).
【0004】この出力信号OUT1により、今度は2番
目の段RS(2)のTFT21がオンすることにより、
2番目の段RS(1)のTFT21、22、23の間の
配線にこの出力信号OUT1からの電荷が蓄積され、T
FT22がオンする。この状態でクロック信号CK2が
ハイレベルに変化すると、このクロック信号CK2が実
質上そのまま、オンしているTFT22を介して2番目
の段RS(2)の出力信号OUT2として出力される。
また、この出力信号OUT2により、1番目の段RS
(1)のTFT21、22、23の間の配線に蓄積され
た電荷が放出される。[0004] The output signal OUT1 turns on the TFT 21 of the second stage RS (2).
The charge from the output signal OUT1 is accumulated in the wiring between the TFTs 21, 22, and 23 of the second stage RS (1),
The FT 22 turns on. When the clock signal CK2 changes to a high level in this state, the clock signal CK2 is output as it is as the output signal OUT2 of the second stage RS (2) via the TFT 22 which is turned on.
Also, the output signal OUT2 causes the first stage RS
The charge accumulated in the wiring between the TFTs 21, 22, and 23 of (1) is released.
【0005】また、各段RS(1),RS(2),・・
・からハイレベルの出力信号を出力すべき期間が終了し
たタイミングで、外部からのハイレベルの制御信号φR
が供給されることにより、TFT24がオンする。これ
により、出力信号OUT1,OUT2,・・・を出力す
るための配線に蓄積された電荷が強制的に放出され、そ
の信号レベルがローレベルにリセットされる。以上のよ
うな動作の繰り返しにより、ハイレベルとなる出力信号
OUT1,OUT2,・・・が順次シフトしていく。Further, each stage RS (1), RS (2),.
When the period during which a high-level output signal is to be output ends, a high-level control signal φR
Is supplied, the TFT 24 is turned on. As a result, the electric charges accumulated in the wiring for outputting the output signals OUT1, OUT2,... Are forcibly released, and the signal levels thereof are reset to the low level. By repeating the above operations, the output signals OUT1, OUT2,... Which become high level are sequentially shifted.
【0006】また、特開2000−35772号公報
は、このようなシフトレジスタの他の例を示している。
図19は、特開2000−35772号公報に記載され
たシフトレジスタの構成を示している。Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2000-35772 shows another example of such a shift register.
FIG. 19 shows a configuration of a shift register described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-35772.
【0007】このシフトレジスタも、複数の段RS
(1),RS(2),・・・によって構成され、各段
は、5つのTFT21’、22、25〜27によって構
成されている。このシフトレジスタにおいて、制御信号
φ1がハイレベルとなると、1番目の段RS(1)のT
FT21’がオンする。このとき、ハイレベルのスター
ト信号Pstが外部から供給されると、オンしているT
FT21’を介して1番目の段RS(1)のTFT2
1’、22、26の間の配線に電荷が蓄積され、TFT
22、26がオンする。This shift register also has a plurality of stages RS
(1), RS (2),..., And each stage is composed of five TFTs 21 ′, 22, 25-27. In this shift register, when the control signal φ1 goes to a high level, T (T) of the first stage RS (1)
FT21 'turns on. At this time, when the high-level start signal Pst is supplied from the outside, the ON T
TFT2 of the first stage RS (1) via FT21 '
Electric charges are accumulated in the wiring between 1 ', 22, and 26, and the TFT
22 and 26 are turned on.
【0008】これにより、TFT25のソースとTFT
26のドレインとの間の配線に蓄積された電荷がTFT
26を介して放出され、TFT27は、ゲート電圧がロ
ーレベルとなってオフする。この状態でクロック信号C
K1がハイレベルに変化すると、このクロック信号CK
1の電位が実質上そのまま、オンしているTFT22を
介して1番目の段RS(1)の出力信号OUT1として
出力される。Thus, the source of the TFT 25 and the TFT
The electric charge accumulated in the wiring between the drain of the TFT 26 and the TFT
The TFT 27 is turned off when the gate voltage becomes low level. In this state, the clock signal C
When K1 changes to a high level, this clock signal CK
The potential of 1 is output as it is as the output signal OUT1 of the first stage RS (1) via the TFT 22 which is turned on substantially as it is.
【0009】この出力信号OUT1がハイレベルとなっ
ている間に、制御信号φ2がハイレベルとなり、TFT
21’がオンすることにより、今度は同様にして2番目
の段RS(2)のTFT22、26がオン、TFT27
がオフする。この状態でクロック信号CK2がハイレベ
ルに変化すると、このクロック信号CK2の電位が実質
上そのまま、オンしているTFT22を介して2番目の
段RS(2)の出力信号OUT2として出力される。While the output signal OUT1 is at a high level, the control signal φ2 is at a high level and the TFT
By turning on 21 ′, the TFTs 22 and 26 of the second stage RS (2) are turned on and the TFT 27 is turned on in the same manner.
Turns off. When the clock signal CK2 changes to the high level in this state, the potential of this clock signal CK2 is output as it is as the output signal OUT2 of the second stage RS (2) via the TFT 22 which is turned on.
【0010】次に、出力信号OUT2がハイレベルとな
っている間に、制御信号φ1がハイレベルとなると、今
度は同様にして3番目の段RS(3)のTFT21’が
オンし、さらにTFT22、26がオン、TFT27が
オフする。また、制御信号φ1がハイレベルとなったこ
とにより、1番目の段RS(1)のTFT21’もオン
し、前述した配線に蓄積された電荷が放出される。以上
のような動作の繰り返しにより、ハイレベルとなる出力
信号OUT1,OUT2,・・・が順次シフトしてい
く。Next, when the control signal φ1 goes high while the output signal OUT2 is high, the TFT 21 'of the third stage RS (3) is turned on, and the TFT 22' , 26 are turned on and the TFT 27 is turned off. Further, when the control signal φ1 becomes high level, the TFT 21 ′ of the first stage RS (1) is also turned on, and the electric charge accumulated in the above-described wiring is released. By repeating the above operations, the output signals OUT1, OUT2,... Which become high level are sequentially shifted.
【0011】しかしながら、これらのシフトレジスタで
は、TFT21、22、23の間の配線或いはTFT2
1’、22、26の間の配線は、当該段または前の段の
出力信号がハイレベルとなっている場合以外は、浮遊状
態となる。このような状態で、TFT22のドレインに
供給されているクロック信号CK1またはCK2がハイ
レベルとなると、TFT22の寄生容量によってこれら
の配線の電位が上昇する。これにより、TFT22のコ
ンダクタンスが変化し、クロック信号CK1またはCK
2の出力信号OUT1,OUT2,・・・への漏れが生
じる。すなわち、これらのシフトレジスタは、出力信号
OUT1,OUT2,・・・のレベル(特にローレベ
ル)が不安定なものとなる。However, in these shift registers, the wiring between the TFTs 21, 22, and 23 or the TFT 2
The wiring between 1 ', 22, and 26 is in a floating state unless the output signal of the stage or the previous stage is at a high level. In such a state, when the clock signal CK1 or CK2 supplied to the drain of the TFT 22 becomes high level, the potential of these wirings increases due to the parasitic capacitance of the TFT 22. As a result, the conductance of the TFT 22 changes, and the clock signal CK1 or CK
2 leak to the output signals OUT1, OUT2,. That is, in these shift registers, the levels (especially low levels) of the output signals OUT1, OUT2,... Become unstable.
【0012】そして、これらのシフトレジスタを、例え
ば液晶表示装置のゲートドライバとして用いた場合に
は、液晶表示素子のゲートライン上の電圧が意図しない
ほどに高くなり、液晶表示素子の各画素電極に接続され
たTFTの閾値電圧を越えてしまう可能性がある。こう
して各ラインの選択期間外でTFTがオンしてしまう
と、画素容量に書き込まれるべき画像データが本来のも
のと異なることとなり、表示される画像の画質が劣化す
ることとなってしまう。When these shift registers are used, for example, as a gate driver of a liquid crystal display device, the voltage on the gate line of the liquid crystal display element becomes undesirably high, and the voltage applied to each pixel electrode of the liquid crystal display element is increased. It may exceed the threshold voltage of the connected TFT. If the TFT is turned on outside the selection period of each line in this manner, the image data to be written to the pixel capacitor is different from the original one, and the image quality of the displayed image is degraded.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を解消するためになされたものであり、各段
からの出力信号のレベルを安定化させたシフトレジスタ
を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a shift register in which the level of an output signal from each stage is stabilized. Aim.
【0014】本発明は、また、このシフトレジスタをド
ライバとして適用することで、表示または撮影した画像
の画質を高くすることのできる電子装置を提供すること
を目的とする。Another object of the present invention is to provide an electronic device which can enhance the quality of a displayed or photographed image by applying the shift register as a driver.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第1の観点にかかるシフトレジスタは、複
数の段からなるシフトレジスタであって、前記シフトレ
ジスタの各段は、隣接する一方の段から制御端子に供給
された所定レベルの信号によってオンし、該所定レベル
の信号を電流路の一端から他端に出力する第1のトラン
ジスタと、制御端子と前記第1のトランジスタの電流路
の他端との間に形成された配線に蓄積された電荷によっ
てオンし、外部から電流路の一端に供給される第1また
は第2の信号を出力信号として電流路の他端から出力す
る第2のトランジスタと、制御端子に隣接する他方の段
の出力信号が供給され、該他方の段の出力信号によって
オンすることにより、前記配線に蓄積された電荷を放出
させる第3のトランジスタと、一端が前記配線に接続さ
れたキャパシタとを備えることを特徴とする。In order to achieve the above object, a shift register according to a first aspect of the present invention is a shift register including a plurality of stages, wherein each stage of the shift register is adjacent. A first transistor that is turned on by a signal of a predetermined level supplied from one of the stages to a control terminal, and outputs the signal of the predetermined level from one end to the other end of the current path; It is turned on by the electric charge accumulated in the wiring formed between the other end of the current path and the first or second signal externally supplied to one end of the current path and output from the other end of the current path as an output signal. A second transistor and an output signal of the other stage adjacent to the control terminal are supplied, and the third transistor is turned on by the output signal of the other stage to release charges accumulated in the wiring. Characterized in that it comprises a static and a capacitor having one end connected to the wiring.
【0016】上記目的を達成するため、本発明の第2の
観点にかかるシフトレジスタは、複数の段からなるシフ
トレジスタであって、前記シフトレジスタの各段は、外
部から制御端子に供給される第3または第4の信号によ
ってオンし、隣接する一方の段から電流路の一端に供給
された所定レベルの信号を電流路の他端に出力する第1
のトランジスタと、制御端子と前記第1のトランジスタ
の電流路の他端との間に形成された配線に蓄積された電
荷によってオンし、外部から電流路の一端に供給される
第1または第2の信号を出力信号として電流路の他端か
ら出力する第2のトランジスタと、制御端子に隣接する
他方の段の出力信号が供給され、該他方の段の出力信号
によってオンすることにより、前記配線に蓄積された電
荷を放出させる第3のトランジスタと、一端が前記配線
に接続されたキャパシタとを備えることを特徴とする。To achieve the above object, a shift register according to a second aspect of the present invention is a shift register including a plurality of stages, wherein each stage of the shift register is supplied to a control terminal from outside. A first signal which is turned on by the third or fourth signal and outputs a signal of a predetermined level supplied from one of the adjacent stages to one end of the current path to the other end of the current path;
And the first or second transistor supplied to the one end of the current path from the outside by the electric charge accumulated in the wiring formed between the transistor and the control terminal and the other end of the current path of the first transistor. A second transistor that outputs the signal from the other end of the current path as an output signal, and an output signal of the other stage adjacent to the control terminal. The second transistor is turned on by the output signal of the other stage. And a third transistor for discharging the electric charge accumulated in the first transistor, and a capacitor having one end connected to the wiring.
【0017】上記第1、第2の観点にかかるシフトレジ
スタは、前記第1または第2の信号がたち下がった後に
立ち上がる所定の制御信号が制御端子に供給され、該所
定の制御信号によってオンすることにより、前記第2の
トランジスタの電流路の他端から出力信号を出力するた
めの信号線に蓄積された電荷を放出させる第4のトラン
ジスタをさらに備えるものとすることができる。In the shift register according to the first and second aspects, a predetermined control signal which rises after the first or second signal falls is supplied to a control terminal, and is turned on by the predetermined control signal. With this, it is possible to further include a fourth transistor for discharging charges accumulated in a signal line for outputting an output signal from the other end of the current path of the second transistor.
【0018】上記第1、第2の観点にかかるシフトレジ
スタは、隣接する段における前記第2のトランジスタの
電流路の一端に供給される第1または第2の信号が制御
端子に供給され、該第1または第2の信号によってオン
することにより、前記第2のトランジスタの電流路の他
端から出力信号を出力するための信号線に蓄積された電
荷を放出させる第4のトランジスタをさらに備えるもの
とすることもできる。In the shift register according to the first and second aspects, the first or second signal supplied to one end of the current path of the second transistor in an adjacent stage is supplied to a control terminal. A transistor further provided with a fourth transistor that, when turned on by the first or second signal, releases electric charges accumulated in a signal line for outputting an output signal from the other end of the current path of the second transistor It can also be.
【0019】上記目的を達成するため、本発明の第3の
観点にかかるシフトレジスタは、複数の段からなるシフ
トレジスタであって、前記シフトレジスタの各段は、隣
接する一方の段から制御端子に供給された所定レベルの
信号によってオンし、該所定レベルの信号を電流路の一
端から他端に出力する第1のトランジスタと、制御端子
と前記第1のトランジスタの電流路の他端との間に形成
された配線に蓄積された電荷によってオンし、負荷を介
して電流路の一端に供給される信号を電流路の他端から
放出する第2のトランジスタと、制御端子と前記第1の
トランジスタの電流路の他端との間に形成された配線に
蓄積された電荷によってオンし、外部から電流路の一端
に供給される第1または第2の信号を出力信号として電
流路の他端から出力する第3のトランジスタと、前記第
2のトランジスタがオフしているときに負荷を介して制
御端子に供給される信号によってオンし、外部から電流
路の一端に供給される信号を出力信号として電流路の他
端から出力する第4のトランジスタと、制御端子に隣接
する他方の段の出力信号が供給され、該他方の段の出力
信号によってオンすることにより、前記配線に蓄積され
た電荷を放出させる第5のトランジスタと、一端が前記
配線に接続されたキャパシタとを備えることを特徴とす
る。In order to achieve the above object, a shift register according to a third aspect of the present invention is a shift register including a plurality of stages, wherein each stage of the shift register has a control terminal from one adjacent stage. A first transistor that is turned on by a signal of a predetermined level supplied to the first transistor and outputs the signal of the predetermined level from one end of the current path to the other end, and a control terminal and the other end of the current path of the first transistor. A second transistor that is turned on by the electric charge accumulated in the wiring formed therebetween and emits a signal supplied to one end of the current path via the load from the other end of the current path, a control terminal, and the first transistor; The other end of the current path is turned on by the electric charge accumulated in the wiring formed between the other end of the current path and the first or second signal externally supplied to one end of the current path as an output signal. Out of A third transistor to be turned on by a signal supplied to a control terminal via a load when the second transistor is off, and a signal supplied from the outside to one end of the current path as an output signal. A fourth transistor output from the other end of the path and an output signal of the other stage adjacent to the control terminal are supplied, and when turned on by the output signal of the other stage, charges accumulated in the wiring are released. A fifth transistor to be driven and a capacitor having one end connected to the wiring.
【0020】上記目的を達成するため、本発明の第4の
観点にかかるシフトレジスタは、複数の段からなるシフ
トレジスタであって、前記シフトレジスタの各段は、外
部から制御端子に供給される第3または第4の信号によ
ってオンし、隣接する一方の段から電流路の一端に供給
された所定レベルの信号を電流路の他端に出力する第1
のトランジスタと、制御端子と前記第1のトランジスタ
の電流路の他端との間に形成された配線に蓄積された電
荷によってオンし、負荷を介して電流路の一端に供給さ
れる信号を電流路の他端から放出する第2のトランジス
タと、制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他
端との間に形成された配線に蓄積された電荷によってオ
ンし、外部から電流路の一端に供給される第1または第
2の信号を出力信号として電流路の他端から出力する第
3のトランジスタと、前記第2のトランジスタがオフし
ているときに負荷を介して制御端子に供給される信号に
よってオンし、外部から電流路の一端に供給される信号
を出力信号として電流路の他端から出力する第4のトラ
ンジスタと、一端が前記配線に接続されたキャパシタと
を備えることを特徴とする。To achieve the above object, a shift register according to a fourth aspect of the present invention is a shift register having a plurality of stages, wherein each stage of the shift register is supplied to a control terminal from outside. A first signal which is turned on by the third or fourth signal and outputs a signal of a predetermined level supplied from one of the adjacent stages to one end of the current path to the other end of the current path;
, And turned on by the electric charge accumulated in the wiring formed between the control terminal and the other end of the current path of the first transistor. A second transistor that is discharged from the other end of the current path; and a charge that is accumulated in a wiring formed between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor. A third transistor that outputs the first or second signal supplied from the other end of the current path as an output signal, and a third transistor that is supplied to a control terminal via a load when the second transistor is off. A fourth transistor which is turned on by a signal supplied from the other end and is output from the other end of the current path as a signal supplied from the outside to one end of the current path, and a capacitor having one end connected to the wiring. To.
【0021】上記第1〜第4の観点にかかるシフトレジ
スタでは、前記第1のトランジスタの電流路の他端に信
号が出力されて、第2のトランジスタ(第3、第4の観
点にかかるものでは、さらに第3のトランジスタ)との
間の配線に電荷が蓄積されたとき以外では、その配線が
フローティング状態となる。このとき、第2のトランジ
スタ(第1、第2の観点にかかるもの)或いは第4のト
ランジスタ(第3、第4の観点にかかるもの)の電流路
の一端に供給される信号のレベルが変化すると、その寄
生容量によって当該配線の電位が変動する。しかし、こ
の電位の変動は、キャパシタによって吸収され、第2の
トランジスタ(第1、第2の観点にかかるもの)或いは
第4のトランジスタ(第3、第4の観点にかかるもの)
の制御端子にかかる電圧が安定する。これにより、第2
のトランジスタ(第1、第2の観点にかかるもの)或い
は第4のトランジスタ(第3、第4の観点にかかるも
の)の電流路の他端から意図しない出力信号の漏れが生
じることがなく、出力信号のレベルが安定したものとな
る。In the shift register according to the first to fourth aspects, a signal is output to the other end of the current path of the first transistor, and the second transistor (the one according to the third and fourth aspects) is output. Then, the wiring is in a floating state except when the electric charge is accumulated in the wiring between the wiring and the third transistor). At this time, the level of the signal supplied to one end of the current path of the second transistor (the one according to the first or second aspect) or the fourth transistor (the one according to the third or fourth aspect) changes. Then, the potential of the wiring changes due to the parasitic capacitance. However, this potential change is absorbed by the capacitor, and the second transistor (the one according to the first and second aspects) or the fourth transistor (the one according to the third and fourth aspects)
The voltage applied to the control terminal becomes stable. Thereby, the second
Without unintended output signal leakage from the other end of the current path of the transistor (the first or second aspect) or the fourth transistor (the third or fourth aspect), The level of the output signal becomes stable.
【0022】上記第1〜第4の観点にかかるシフトレジ
スタにおいて、前記キャパシタは、他端が負側の電源ラ
インに接続されたものを含んでいても、他端が正側の電
源ラインに接続されたものを含んでいても、他端が接地
されたものを含んでいてもよい。In the shift register according to the first to fourth aspects, even if the capacitor includes one having the other end connected to a negative power supply line, the other end is connected to a positive power supply line. It may include one that is grounded, or one that has the other end grounded.
【0023】上記第1〜第4の観点にかかるシフトレジ
スタにおいて、前記第1のトランジスタに供給される所
定レベルの信号は、最初に出力信号がアクティブとなる
側の端の段においては外部から所定タイミングで供給さ
れるスタート信号であり、それ以外の段においては隣接
する一方の段の出力信号としてもよい。In the shift register according to the first to fourth aspects, a signal of a predetermined level supplied to the first transistor is supplied from the outside at a first stage on the side where an output signal becomes active first. It is a start signal supplied at the timing, and may be an output signal of one adjacent stage in other stages.
【0024】上記第1〜第4の観点にかかるシフトレジ
スタにおいて、前記第1の信号と第2の信号とは、互い
に位相が180°異なるものとすることができる。In the shift register according to the first to fourth aspects, the first signal and the second signal may be different in phase from each other by 180 °.
【0025】上記第1〜第4の観点にかかるシフトレジ
スタにおいて、前記複数の段のそれぞれを構成する各ト
ランジスタは、同一チャネル型の電界効果トランジスタ
であることを好適とする。In the shift register according to the first to fourth aspects, it is preferable that each transistor constituting each of the plurality of stages is a field effect transistor of the same channel type.
【0026】上記目的を達成するため、本発明の第5の
観点にかかる電子装置は、複数の段からなり、出力信号
をシフトさせることによって所定レベルの信号を各段か
ら順次出力するドライバと、複数の画素によって構成さ
れ、前記ドライバの各段から出力された出力信号によっ
て駆動される駆動素子とを備え、前記ドライバの各段
は、隣接する一方の段から制御端子に供給された所定レ
ベルの信号によってオンし、該所定レベルの信号を電流
路の一端から他端に出力する第1のトランジスタと、制
御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との間
に形成された配線に蓄積された電荷によってオンし、外
部から電流路の一端に供給される第1または第2の信号
を出力信号として電流路の他端から出力する第2のトラ
ンジスタと、制御端子に隣接する他方の段の出力信号が
供給され、該他方の段の出力信号によってオンすること
により、前記配線に蓄積された電荷を放出させる第3の
トランジスタと、一端が前記配線に接続されたキャパシ
タとを備えることを特徴とする。To achieve the above object, an electronic device according to a fifth aspect of the present invention comprises a plurality of stages, a driver for sequentially outputting a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal, A driving element configured by a plurality of pixels and driven by an output signal output from each stage of the driver, wherein each stage of the driver has a predetermined level supplied to a control terminal from one adjacent stage. A first transistor that is turned on by a signal and outputs the signal of the predetermined level from one end of the current path to the other end, and a wiring formed between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor. A second transistor which is turned on by the accumulated charge and outputs a first or second signal externally supplied to one end of the current path as an output signal from the other end of the current path; An output signal of the other stage adjacent to the third stage is supplied, and when turned on by the output signal of the other stage, a third transistor that releases charges accumulated in the wiring is connected to one end of the third transistor. And a capacitor.
【0027】上記目的を達成するため、本発明の第6の
観点にかかる電子装置は、複数の段からなり、出力信号
をシフトさせることによって所定レベルの信号を各段か
ら順次出力するドライバと、複数の画素によって構成さ
れ、前記ドライバの各段から出力された出力信号によっ
て駆動される駆動素子とを備え、前記ドライバの各段
は、外部から制御端子に供給される第3または第4の信
号によってオンし、隣接する一方の段から電流路の一端
に供給された所定レベルの信号を電流路の他端に出力す
る第1のトランジスタと、制御端子と前記第1のトラン
ジスタの電流路の他端との間に形成された配線に蓄積さ
れた電荷によってオンし、外部から電流路の一端に供給
される第1または第2の信号を出力信号として電流路の
他端から出力する第2のトランジスタと、制御端子に隣
接する他方の段の出力信号が供給され、該他方の段の出
力信号によってオンすることにより、前記配線に蓄積さ
れた電荷を放出させる第3のトランジスタと、一端が前
記配線に接続されたキャパシタとを備えることを特徴と
する。To achieve the above object, an electronic device according to a sixth aspect of the present invention comprises a plurality of stages, a driver for sequentially outputting a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal, A driving element constituted by a plurality of pixels and driven by an output signal output from each stage of the driver, wherein each stage of the driver has a third or fourth signal supplied to a control terminal from outside A first transistor that is turned on by the first stage and outputs a signal of a predetermined level supplied from one of the adjacent stages to one end of the current path to the other end of the current path; and a control terminal and the other of the current path of the first transistor. The first or second signal supplied from the outside to one end of the current path is output from the other end of the current path as an output signal by being turned on by the charge accumulated in the wiring formed between the current path and the other end. And a third transistor that is supplied with an output signal of the other stage adjacent to the control terminal and that is turned on by the output signal of the other stage to release the charge accumulated in the wiring, And a capacitor connected to the wiring.
【0028】上記目的を達成するため、本発明の第7の
観点にかかる電子装置は、複数の段からなり、出力信号
をシフトさせることによって所定レベルの信号を各段か
ら順次出力するドライバと、複数の画素によって構成さ
れ、前記ドライバの各段から出力された出力信号によっ
て駆動される駆動素子とを備え、前記ドライバの各段
は、隣接する一方の段から制御端子に供給された所定レ
ベルの信号によってオンし、該所定レベルの信号を電流
路の一端から他端に出力する第1のトランジスタと、制
御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との間
に形成された配線に蓄積された電荷によってオンし、負
荷を介して電流路の一端に供給される信号を電流路の他
端から放出する第2のトランジスタと、制御端子と前記
第1のトランジスタの電流路の他端との間に形成された
配線に蓄積された電荷によってオンし、外部から電流路
の一端に供給される第1または第2の信号を出力信号と
して電流路の他端から出力する第3のトランジスタと、
前記第2のトランジスタがオフしているときに負荷を介
して制御端子に供給される信号によってオンし、外部か
ら電流路の一端に供給される信号を出力信号として電流
路の他端から出力する第4のトランジスタと、制御端子
に隣接する他方の段の出力信号が供給され、該他方の段
の出力信号によってオンすることにより、前記配線に蓄
積された電荷を放出させる第5のトランジスタと、一端
が前記配線に接続されたキャパシタとを備えることを特
徴とする。To achieve the above object, an electronic device according to a seventh aspect of the present invention comprises a plurality of stages, a driver for sequentially outputting a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal, A driving element configured by a plurality of pixels and driven by an output signal output from each stage of the driver, wherein each stage of the driver has a predetermined level supplied to a control terminal from one adjacent stage. A first transistor that is turned on by a signal and outputs the signal of the predetermined level from one end of the current path to the other end, and a wiring formed between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor. A second transistor that is turned on by the accumulated charge and emits a signal supplied to one end of the current path via a load from the other end of the current path; a control terminal; and the first transistor It is turned on by the electric charge accumulated in the wiring formed between the other end of the current path, and the first or second signal supplied from the outside to one end of the current path is output from the other end of the current path as an output signal. A third transistor,
The second transistor is turned on by a signal supplied to a control terminal via a load when the second transistor is off, and a signal supplied from the outside to one end of the current path is output from the other end of the current path as an output signal. A fourth transistor, a fifth transistor which is supplied with an output signal of the other stage adjacent to the control terminal, and which is turned on by the output signal of the other stage to release charges accumulated in the wiring; A capacitor connected at one end to the wiring.
【0029】上記目的を達成するため、本発明の第8の
観点にかかる電子装置は、複数の段からなり、出力信号
をシフトさせることによって所定レベルの信号を各段か
ら順次出力するドライバと、複数の画素によって構成さ
れ、前記ドライバの各段から出力された出力信号によっ
て駆動される駆動素子とを備え、前記ドライバの各段
は、外部から制御端子に供給される第3または第4の信
号によってオンし、隣接する一方の段から電流路の一端
に供給された所定レベルの信号を電流路の他端に出力す
る第1のトランジスタと、制御端子と前記第1のトラン
ジスタの電流路の他端との間に形成された配線に蓄積さ
れた電荷によってオンし、負荷を介して電流路の一端に
供給される信号を電流路の他端から放出する第2のトラ
ンジスタと、制御端子と前記第1のトランジスタの電流
路の他端との間に形成された配線に蓄積された電荷によ
ってオンし、外部から電流路の一端に供給される第1ま
たは第2の信号を出力信号として電流路の他端から出力
する第3のトランジスタと、前記第2のトランジスタが
オフしているときに負荷を介して制御端子に供給される
信号によってオンし、外部から電流路の一端に供給され
る信号を出力信号として電流路の他端から出力する第4
のトランジスタと、一端が前記配線に接続されたキャパ
シタとを備えることを特徴とする。In order to achieve the above object, an electronic device according to an eighth aspect of the present invention includes a driver including a plurality of stages, and sequentially outputting a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal; A driving element constituted by a plurality of pixels and driven by an output signal output from each stage of the driver, wherein each stage of the driver has a third or fourth signal supplied to a control terminal from outside A first transistor that is turned on by the first stage and outputs a signal of a predetermined level supplied from one of the adjacent stages to one end of the current path to the other end of the current path; and a control terminal and the other of the current path of the first transistor. A second transistor which is turned on by the electric charge accumulated in the wiring formed between the first and second terminals and emits a signal supplied to one end of the current path via the load from the other end of the current path; And the first or second signal supplied from the outside to one end of the current path as an output signal by being turned on by the electric charge accumulated in the wiring formed between the first transistor and the other end of the current path of the first transistor. A third transistor which is output from the other end of the current path, and which is turned on by a signal supplied to a control terminal via a load when the second transistor is off, and is supplied to one end of the current path from outside Output from the other end of the current path as an output signal.
And a capacitor having one end connected to the wiring.
【0030】上記第5〜第8の観点にかかる電子装置
は、駆動素子を駆動するためのドライバとして、それぞ
れ上記第1〜第4の観点にかかるシフトレジスタと同じ
構成のものを有する。このため、ドライバからの出力信
号のレベルが安定しており、駆動素子の駆動状態が安定
している。このため、次に述べるように、駆動素子が表
示素子である場合には表示される画像が、駆動素子が撮
像素子である場合には撮影する画像が、それぞれ画質の
高いものとなる。The electronic devices according to the fifth to eighth aspects have the same configuration as the shift register according to the first to fourth aspects, respectively, as drivers for driving the driving elements. Therefore, the level of the output signal from the driver is stable, and the driving state of the driving element is stable. For this reason, as described below, an image to be displayed has a high image quality when the driving element is a display element, and an image to be captured when the driving element is an imaging element.
【0031】上記第5〜第8の観点にかかる電子装置に
おいて、前記駆動素子は、表示素子であってもよい。In the electronic device according to the fifth to eighth aspects, the driving element may be a display element.
【0032】この場合において、前記表示素子は、制御
端子に前記ドライバの各段のいずれかの出力信号が供給
され、電流路の一端に外部から画像データが供給される
第6のトランジスタを、画素毎に備えるものとすること
ができる。In this case, the display element includes a sixth transistor to which a control terminal is supplied with an output signal of any one of the stages of the driver, and one end of a current path to which image data is supplied from outside, with a pixel. It can be provided for each.
【0033】上記第5〜第8の観点にかかる電子装置に
おいて、前記駆動素子は、撮像素子であってもよい。In the electronic device according to the fifth to eighth aspects, the driving element may be an image pickup element.
【0034】この場合において、前記撮像素子は、励起
光によりキャリアを生成する半導体層と、前記半導体層
の両端にそれぞれ接続されたドレイン電極及びソース電
極と、第1ゲート絶縁膜を介して前記半導体層の一方側
に設けられた第1ゲート電極と、第2ゲート絶縁膜を介
して前記半導体層の他方側に設けられた第2ゲート電極
とを、画素毎に備えるものとすることができる。そし
て、前記ドライバは、出力信号を第1ゲート電極に出力
する第1のドライバと、出力信号を第2ゲート電極に出
力する第2のドライバとを含むものとなる。In this case, the image pickup device includes a semiconductor layer that generates carriers by excitation light, a drain electrode and a source electrode connected to both ends of the semiconductor layer, and the semiconductor layer via a first gate insulating film. A first gate electrode provided on one side of the layer and a second gate electrode provided on the other side of the semiconductor layer via a second gate insulating film can be provided for each pixel. The driver includes a first driver that outputs an output signal to the first gate electrode, and a second driver that outputs an output signal to the second gate electrode.
【0035】上記第5〜第8の観点にかかる電子装置に
おいて、前記ドライバは、前記駆動素子と同一の基板上
に形成されたものとすることができる。In the electronic device according to the fifth to eighth aspects, the driver may be formed on the same substrate as the drive element.
【0036】[0036]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【0037】図1は、この実施の形態にかかる液晶表示
装置の構成を示すブロック図である。図示するように、
この液晶表示装置は、液晶表示素子1と、ゲートドライ
バ2と、ドレインドライバ3とから構成されており、ゲ
ートドライバ2には制御信号群Gcntが、ドレインド
ライバ3には制御信号群Dcntと表示データdata
とが、コントローラから供給されている。FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the liquid crystal display device according to this embodiment. As shown
This liquid crystal display device includes a liquid crystal display element 1, a gate driver 2, and a drain driver 3. The gate driver 2 has a control signal group Gcnt, and the drain driver 3 has a control signal group Dcnt and display data. data
Are supplied from the controller.
【0038】液晶表示素子1は、一対の基板に液晶を封
入して構成されるもので、その一方の基板には、a−S
iを半導体層としたアクティブ駆動用のTFT11がマ
トリクス状に形成されている。各TFT11のゲート電
極はゲートラインGLに、ドレイン電極はドレインライ
ンDLに、ソース電極は同様にマトリクス状に形成され
た画素電極に接続されている。他方の基板には、所定の
電圧が印加されている共通電極が形成されており、この
共通電極と各画素電極とその間の液晶とによって、画素
容量12が形成される。そして、画素容量12に蓄積さ
れた電荷によって液晶の配向状態が変化することで、液
晶表示素子1は、透過させる光の量を制御して画像を表
示するものである。The liquid crystal display element 1 has a structure in which liquid crystal is sealed in a pair of substrates.
The active driving TFTs 11 using i as a semiconductor layer are formed in a matrix. The gate electrode of each TFT 11 is connected to the gate line GL, the drain electrode is connected to the drain line DL, and the source electrode is connected to pixel electrodes similarly formed in a matrix. A common electrode to which a predetermined voltage is applied is formed on the other substrate, and a pixel capacitor 12 is formed by the common electrode, each pixel electrode, and liquid crystal therebetween. Then, the liquid crystal display element 1 displays an image by controlling the amount of transmitted light by changing the alignment state of the liquid crystal by the electric charge accumulated in the pixel capacitor 12.
【0039】ゲートドライバ2は、コントローラからの
制御信号群Gcntに従って動作するシフトレジスタに
よって構成される。ゲートドライバ2は、コントローラ
からの制御信号群Gcntに従って、ゲートラインGL
を順次選択して所定の電圧を出力する。ゲートドライバ
2を構成するシフトレジスタについては、詳しく後述す
る。The gate driver 2 is constituted by a shift register which operates according to a control signal group Gcnt from the controller. The gate driver 2 controls the gate line GL according to a control signal group Gcnt from the controller.
Are sequentially selected to output a predetermined voltage. The shift register constituting the gate driver 2 will be described later in detail.
【0040】ドレインドライバ3は、コントローラから
の制御信号群Dcntに従って、コントローラから画像
データdataを順次取り込む。1ライン分の画像デー
タdataを蓄積すると、ドレインドライバ3は、コン
トローラからの制御信号群Dcntに従ってこれをドレ
インラインDLに出力し、ゲートドライバ2によって選
択されたゲートラインGLに接続されているTFT11
(オン状態)を介して、画素容量12に蓄積させる。The drain driver 3 sequentially takes in image data data from the controller according to a control signal group Dcnt from the controller. When the image data data for one line is accumulated, the drain driver 3 outputs this to the drain line DL according to the control signal group Dcnt from the controller, and the TFT 11 connected to the gate line GL selected by the gate driver 2.
(ON state), and is accumulated in the pixel capacitor 12.
【0041】図2は、図1のゲートドライバ2を構成す
るシフトレジスタの回路構成を示す図である。液晶表示
素子1に配されているTFT11の行数(ゲートライン
GLの数)をnとすると、このシフトレジスタは、n個
の段から構成される。図2は、このうちの最初の3つの
段RS(1)〜RS(3)を示している。FIG. 2 is a diagram showing a circuit configuration of a shift register constituting the gate driver 2 of FIG. Assuming that the number of rows of TFTs 11 (the number of gate lines GL) arranged in the liquid crystal display element 1 is n, this shift register is composed of n stages. FIG. 2 shows the first three stages RS (1) to RS (3).
【0042】ゲートドライバ2として適用される場合、
このシフトレジスタには、コントローラからの制御信号
群Gcntとして、奇数段のTFT22のドレインに供
給され、出力信号OUTとなるクロック信号CK1、偶
数段のTFT22のドレインに供給され、出力信号OU
Tとなるクロック信号CK2、スタート信号Pst、及
び基準電圧Vssが供給される。このうち、スタート信
号Pstは1番目の段RS(1)に、他の信号は全ての
段RS(2),RS(3),・・・に供給される。When applied as the gate driver 2,
In this shift register, the control signal group Gcnt from the controller is supplied to the drain of the odd-numbered TFT 22, the clock signal CK1 serving as the output signal OUT, and the output signal OU is supplied to the drain of the even-numbered TFT 22.
A clock signal CK2 serving as T, a start signal Pst, and a reference voltage Vss are supplied. The start signal Pst is supplied to the first stage RS (1), and the other signals are supplied to all the stages RS (2), RS (3),.
【0043】各段の構成はほぼ同じであるため、1番目
の段RS(1)を例として説明すると、この段RS
(1)は、第1の従来例と同様、TFT11と同じa−
Siの半導体層からなる4つのTFT21〜24と、キ
ャパシタC1とを有している。TFT21のゲートとド
レインとには、ハイレベル(基準電圧Vdd)のスター
ト信号Pstが供給される。TFT21のソースは、T
FT22のゲートとTFT23のドレインとに接続され
ている。TFT22のドレインにはハイレベルのクロッ
ク信号CK1が供給され、ドレインからの出力がこの段
RS(1)の出力信号OUT1として、1ライン目のゲ
ートラインGLに出力される。Since the configuration of each stage is substantially the same, the first stage RS (1) will be described as an example.
(1) is the same as the TFT 11 in the same a-
It has four TFTs 21 to 24 made of a semiconductor layer of Si and a capacitor C1. A high-level (reference voltage Vdd) start signal Pst is supplied to the gate and the drain of the TFT 21. The source of the TFT 21 is T
It is connected to the gate of FT22 and the drain of TFT23. A high-level clock signal CK1 is supplied to the drain of the TFT 22, and an output from the drain is output to the first gate line GL as an output signal OUT1 of this stage RS (1).
【0044】TFT23のゲートは次の段RS(2)の
TFT22のソースに接続されており、TFT23は次
の段RS(2)の出力信号OUT2がハイレベルになる
とオンする。TFT24のゲートにはコントローラから
のリセット信号φRが供給され、この段RS(1)の出
力信号OUT1の配線の電位をリセットする。TFT2
3のソースとTFT24のソースには、基準電圧Vss
(定電圧)が供給されている。基準電圧Vssは、ここ
では負の値としてもよいが、グラウンドレベル(0
(V))であってもよい。The gate of the TFT 23 is connected to the source of the TFT 22 of the next stage RS (2), and the TFT 23 turns on when the output signal OUT2 of the next stage RS (2) becomes high. A reset signal φR from the controller is supplied to the gate of the TFT 24, and the potential of the wiring of the output signal OUT1 of this stage RS (1) is reset. TFT2
3 and the source of the TFT 24 are connected to the reference voltage Vss.
(Constant voltage) is supplied. The reference voltage Vss may be a negative value here, but may be a ground level (0
(V)).
【0045】キャパシタC1は、TFT21のソース、
TFT22のゲート及びTFT23のドレインに囲まれ
て接続された配線Aと、基準電圧Vssの配線と、それ
らの間に配置される、TFT21〜24のゲート絶縁膜
と、から構成され、その一端が配線Aの電位となり、他
端に基準電圧Vssが常時供給されている。キャパシタ
C1は、浮遊状態にある配線A上の電位を安定させる働
きを有する。The capacitor C1 is a source of the TFT 21,
It is composed of a wiring A connected and surrounded by the gate of the TFT 22 and the drain of the TFT 23, a wiring of the reference voltage Vss, and gate insulating films of the TFTs 21 to 24 disposed therebetween, and one end thereof is a wiring A, and the reference voltage Vss is constantly supplied to the other end. The capacitor C1 has a function of stabilizing the potential on the wiring A in a floating state.
【0046】キャパシタC1がなかった構造の場合(図
18に示す従来例と同じ)において配線Aが浮遊してい
るとき、すなわち、スタート信号Pst又は前段の出力
信号OUTがローレベルで且つ制御信号φRがローレベ
ル(=基準電圧Vss)で配線Aが浮遊状態のときで、
クロック信号CK1またはCK2がローレベルからハイ
レベルに立ち上がるために変動する配線Aの電圧の振幅
は、次の数式1で示す値となる。但し、クロック信号C
K1、CK2のローレベル電圧、ハイレベル電圧は、そ
れぞれ基準電圧Vss、Vddである。In the case of a structure without the capacitor C1 (same as the conventional example shown in FIG. 18), when the wiring A is floating, that is, when the start signal Pst or the output signal OUT of the preceding stage is at a low level and the control signal φR Is low level (= reference voltage Vss) and the wiring A is in a floating state.
The amplitude of the voltage of the wiring A, which fluctuates because the clock signal CK1 or CK2 rises from a low level to a high level, is a value represented by the following equation 1. However, the clock signal C
The low-level voltage and the high-level voltage of K1 and CK2 are the reference voltages Vss and Vdd, respectively.
【0047】[0047]
【数1】(CA×Vdd+CB×Vss)/(CA+C
B)−Vss=CA×(Vdd−Vss)/(CA+C
B)## EQU1 ## (CA × Vdd + CB × Vss) / (CA + C
B) −Vss = CA × (Vdd−Vss) / (CA + C)
B)
【0048】但し、容量CAは、クロックライン(クロ
ック信号CK1の配線又はクロック信号CK2の配線)
と配線Aとの間の寄生容量、並びにTFT22と配線A
との間の寄生容量と、の和である。容量CBは、Vss
電源ライン(基準電圧Vssの配線)と配線Aとの間の
寄生容量と、出力ラインB(出力信号OUTk(k:1
〜n)の配線)と配線Aとの間の寄生容量と、TFT2
1、23のそれぞれと配線Aとの間の寄生容量と、の和
である。However, the capacitance CA is equal to the clock line (wiring for the clock signal CK1 or wiring for the clock signal CK2).
Parasitic capacitance between the TFT 22 and the wiring A
And the parasitic capacitance between The capacitance CB is Vss
The parasitic capacitance between the power supply line (the wiring of the reference voltage Vss) and the wiring A and the output line B (the output signal OUTk (k: 1
To n)) and the parasitic capacitance between the wiring A and the TFT 2
1, 23 and the parasitic capacitance between the wiring A.
【0049】これに対して、この実施の形態のようにキ
ャパシタC1を挿入した場合には、配線Aとの間の寄生
容量のうち、基準電圧Vss側の容量がCBから(CB
+C1)と増大し、配線Aの電圧の振幅は、次の数式2
で示す値となる。数式2からわかるように、キャパシタ
C1を挿入することによって、配線Aの電圧の振幅が減
少し、配線Aの電圧の最大レベルが小さくなる。On the other hand, when the capacitor C1 is inserted as in the present embodiment, the capacitance on the reference voltage Vss side of the parasitic capacitance between the wiring A and (CB) is changed from (CB) to (CB).
+ C1), and the amplitude of the voltage of the wiring A becomes
It becomes the value shown by. As can be seen from Equation 2, by inserting the capacitor C1, the amplitude of the voltage of the wiring A decreases, and the maximum level of the voltage of the wiring A decreases.
【0050】[0050]
【数2】{CA×Vdd+(CB+C1)×Vss)}
/(CA+CB+C1)−Vss=CA×(Vdd−V
ss)/(CA+CB+C1)[Equation 2] {CA × Vdd + (CB + C1) × Vss)}
/ (CA + CB + C1) −Vss = CA × (Vdd−V
ss) / (CA + CB + C1)
【0051】1番目以外の奇数番目の段RS(2k+
1)(k:1〜n/2の整数、ただしnはゲートライン
GLの数)の構成は、TFT21のゲートとドレインと
に前の段RS(2k)の出力信号OUT(2k)が供給
される以外は、1番目の段RS(1)と同じである。偶
数番目の段RS(2k)の構成は、TFT21のゲート
とドレインとに前の段RS(2k−1)の出力信号OU
T(2k−1)が供給されること、TFT22のドレイ
ンにクロック信号CK2が供給されること以外は、1番
目の段RS(1)と同じである。The odd-numbered stages RS (2k +
1) (k: an integer of 1 to n / 2, where n is the number of gate lines GL) is such that the output signal OUT (2k) of the previous stage RS (2k) is supplied to the gate and drain of the TFT 21. Otherwise, it is the same as the first stage RS (1). The configuration of the even-numbered stage RS (2k) is such that the output signal OU of the previous stage RS (2k-1) is connected to the gate and the drain of the TFT 21.
It is the same as the first stage RS (1) except that T (2k-1) is supplied and the clock signal CK2 is supplied to the drain of the TFT 22.
【0052】また、ゲートドライバ2を構成するシフト
レジスタは、TFT21〜24の組み合わせによって構
成されている。TFT21〜24は、液晶表示素子1に
含まれるTFT11と実質的に同一の構造を有してい
る。従って、ゲートドライバ2は、液晶表示素子1のT
FT11側の基板上に、同一プロセスで一括して形成さ
れるものとすることができる。The shift register constituting the gate driver 2 is constituted by a combination of TFTs 21 to 24. The TFTs 21 to 24 have substantially the same structure as the TFT 11 included in the liquid crystal display element 1. Therefore, the gate driver 2 operates at the T
It can be formed on the substrate on the FT 11 side by the same process at once.
【0053】以下、この実施の形態にかかる液晶表示装
置の動作について説明する。ここでは、まず、液晶表示
素子1の表示画素をライン毎に順次選択するために、ゲ
ートドライバ2が行う動作について説明し、その後に、
液晶表示装置全体としての動作を説明する。Hereinafter, the operation of the liquid crystal display device according to this embodiment will be described. Here, first, an operation performed by the gate driver 2 to sequentially select display pixels of the liquid crystal display element 1 line by line will be described.
The operation of the entire liquid crystal display device will be described.
【0054】図3は、図1のゲートドライバ2を構成す
るブートストラップ型のシフトレジスタの動作を示すタ
イミングチャートである。この図において、1Tの期間
が1ライン期間(各ゲートラインGLの選択期間は、1
T以内の期間)であり、1Fの期間が1フレーム期間で
ある。FIG. 3 is a timing chart showing the operation of the bootstrap type shift register constituting the gate driver 2 of FIG. In this figure, the period of 1T is one line period (the selection period of each gate line GL is one line period).
T), and the period of 1F is one frame period.
【0055】タイミングT0〜T1の間、スタート信号
Pstがハイレベルとなると、1段目の段RS(1)の
TFT21がオンし、この信号がTFT21のドレイン
からソースに出力される。これにより、1番目の段RS
(1)の配線A(1)の電位がハイレベルとなる。こう
してTFT22のゲート電圧がハイレベルとなることか
ら、TFT22はオンするが、ドレインに供給されてい
るクロック信号CK1がローレベルであるため、出力信
号OUT1のレベルはローレベルのままである。When the start signal Pst goes high during the timing T0 to T1, the TFT 21 of the first stage RS (1) is turned on, and this signal is output from the drain of the TFT 21 to the source. Thereby, the first stage RS
The potential of the wiring A (1) in (1) becomes high level. Since the gate voltage of the TFT 22 becomes high level in this way, the TFT 22 turns on, but the level of the output signal OUT1 remains low because the clock signal CK1 supplied to the drain is low level.
【0056】次に、タイミングT1において、クロック
信号CK1がハイレベルに変化すると、これがTFT2
2のドレインからソースに出力されて、出力信号OUT
1のレベルがハイレベルに変化する。このとき配線Aの
電位はブートストラップ効果により高い電圧まで上昇す
るため、TFT22の飽和ゲート電圧にまで達し、出力
信号OUT1は、ほぼクロック信号CK1のハイレベル
と等電位になる。この後、タイミングT2になる直前
に、クロック信号CK1がたち下がると共に、制御信号
φRが立ち上がると、出力ラインB(1)上の電荷が基
準電圧Vssの信号線から放出されることにより、ゲー
トラインGLに出力された出力信号OUT1は、強制的
にローレベルに変化する。Next, when the clock signal CK1 changes to the high level at the timing T1, this changes to the TFT2.
2 is output from the drain to the source, and the output signal OUT
The level of 1 changes to a high level. At this time, since the potential of the wiring A rises to a high voltage due to the bootstrap effect, it reaches the saturation gate voltage of the TFT 22, and the output signal OUT1 becomes almost equal in potential to the high level of the clock signal CK1. Thereafter, immediately before the timing T2, when the clock signal CK1 falls and the control signal φR rises, the charge on the output line B (1) is released from the signal line of the reference voltage Vss, so that the gate line The output signal OUT1 output to the GL forcibly changes to a low level.
【0057】また、タイミングT1〜T2の期間では、
ハイレベルとなった1番目の段RS(1)の出力信号O
UT1により、2番目の段RS(2)のTFT21がオ
ンし、配線A(2)の電位がハイレベルになると共に、
2番目の段RS(2)のTFT22がオンする。In the period between timings T1 and T2,
High level output signal O of the first stage RS (1)
The TFT 21 of the second stage RS (2) is turned on by the UT1, the potential of the wiring A (2) becomes high level, and
The TFT 22 in the second stage RS (2) turns on.
【0058】次に、タイミングT2において、クロック
信号CK2がハイレベルに変化すると、このクロック信
号CK2がTFT22のドレインからソースに出力され
て、出力信号OUT2のレベルがハイレベルに変化す
る。このとき配線Aの電位はブートストラップ効果によ
り高い電圧まで上昇するため、出力信号OUT2は、ほ
ぼクロック信号CK2のハイレベルと等電位になる。こ
の後、タイミングT3になる直前に、クロック信号CK
2がたち下がると共に、制御信号φRが立ち上がると、
出力ラインB(2)上の電荷が基準電圧Vssの信号線
から放出されることにより、ゲートラインGLに出力さ
れた出力信号OUT2は、ローレベルに変化する。Next, when the clock signal CK2 changes to the high level at the timing T2, the clock signal CK2 is output from the drain to the source of the TFT 22, and the level of the output signal OUT2 changes to the high level. At this time, since the potential of the wiring A rises to a high voltage due to the bootstrap effect, the output signal OUT2 becomes almost equal to the high level of the clock signal CK2. Then, immediately before timing T3, the clock signal CK
When 2 falls and the control signal φR rises,
When the charge on the output line B (2) is released from the signal line of the reference voltage Vss, the output signal OUT2 output to the gate line GL changes to a low level.
【0059】また、タイミングT2〜T3の期間は、ハ
イレベルとなった2番目の段RS(2)の出力信号OU
T2により、1番目の段RS(1)のTFT23がオン
し、配線A(1)に蓄積された電荷がグラウンドに放出
される。これにより、1番目の段RS(1)のTFT2
2がオフし、次にスタート信号Pstが供給されて配線
A(1)に電荷が蓄積されるまで、このTFT22がオ
ンすることはない。さらに、ハイレベルとなった2番目
の段RS(2)の出力信号OUT2により、3番目の段
RS(3)のTFT21がオンし、配線A(3)の電位
がハイレベルになると共に、3番目の段RS(3)のT
FT22がオンする。During the period between timings T2 and T3, the output signal OU of the second stage RS (2) attained the high level.
By T2, the TFT 23 of the first stage RS (1) is turned on, and the charges accumulated in the wiring A (1) are discharged to the ground. Thereby, the TFT2 of the first stage RS (1)
2 is turned off, and the TFT 22 does not turn on until the next time the start signal Pst is supplied and the electric charge is accumulated in the wiring A (1). Further, the TFT 21 of the third stage RS (3) is turned on by the output signal OUT2 of the second stage RS (2) which has become high level, and the potential of the wiring A (3) becomes high level. T of the third stage RS (3)
The FT 22 turns on.
【0060】次に、タイミングT3において、クロック
信号CK1がハイレベルに変化すると、今度は同様にし
て3番目の段RS(3)の出力信号OUT3がハイレベ
ルとなる。また、このハイレベルとなった出力信号OU
T3により、2番目の段RS(2)のTFT23がオン
し、配線A(2)に蓄積された電荷がグラウンドに放出
される。以下、同様にしてタイミングTnまでの間で、
1ライン期間内の所定期間ずつ、各段の出力信号がハイ
レベルとなり、液晶表示素子1のゲートラインGLが順
次選択される。このように、出力信号OUT1〜OUT
nのハイレベルの電位は次段にシフトされても逓減する
ことがないので誤作動を引き起こしにくい。Next, when the clock signal CK1 changes to the high level at the timing T3, the output signal OUT3 of the third stage RS (3) similarly changes to the high level. In addition, the output signal OU at the high level
By T3, the TFT 23 of the second stage RS (2) is turned on, and the charge accumulated in the wiring A (2) is discharged to the ground. Hereinafter, similarly, until the timing Tn,
The output signal of each stage becomes high level for each predetermined period within one line period, and the gate lines GL of the liquid crystal display element 1 are sequentially selected. Thus, the output signals OUT1 to OUT1
Since the high-level potential of n does not decrease gradually even if it is shifted to the next stage, malfunction is unlikely to occur.
【0061】なお、例えば、タイミングT2以降は、1
番目の段RS(1)の配線Aは、電荷が放出され、TF
T21もオフ状態のままで、フローティング状態とな
る。この状態でクロック信号CK1がハイレベルとなる
と、TFT22の寄生容量によって配線Aの電位が上昇
する。しかし、この電位の上昇は、キャパシタC1によ
って抑制されるので、キャパシタC1がない構成とした
場合ほどにはならない。また、最終段RS(n)のTF
T23のゲートに限り、1番目の段RS(1)のTFT
21のゲート及びドレインとともにスタート信号Pst
が供給され、スタート信号Pstがハイレベルのときに
最終段RS(n)の配線A(n)の電位を放電する。For example, after the timing T2, 1
The charge is released from the wiring A of the first stage RS (1) to TF
T21 also remains in the OFF state and enters the floating state. When the clock signal CK1 goes high in this state, the potential of the wiring A increases due to the parasitic capacitance of the TFT 22. However, since the increase in the potential is suppressed by the capacitor C1, the rise is not as large as that in the configuration without the capacitor C1. Also, the TF of the final stage RS (n)
Only the gate of T23, TFT of the first stage RS (1)
21 together with the gate and drain of the start signal Pst
Is supplied, and when the start signal Pst is at a high level, the potential of the wiring A (n) of the final stage RS (n) is discharged.
【0062】次に、この液晶表示装置全体の動作につい
て説明する。上記のようにしてゲートドライバ2が各ゲ
ートラインGLに順次ハイレベルの信号を出力している
間ドレインドライバ3は、制御信号群Dcntに従って
コントローラから画像データdataを1ライン分ずつ
取り込んでいく。1ライン分の画像データの取り込み
は、1ライン期間内に行われ、且つこれに対応するゲー
トラインGLが選択されるよりも前に終了している。Next, the operation of the whole liquid crystal display device will be described. While the gate driver 2 sequentially outputs high-level signals to each gate line GL as described above, the drain driver 3 fetches image data data from the controller one line at a time in accordance with the control signal group Dcnt. The capture of one line of image data is performed within one line period, and ends before the corresponding gate line GL is selected.
【0063】ゲートドライバ2がいずれかのゲートライ
ンGLを選択してハイレベルの信号を出力すると、そこ
に接続された1ライン分全てのTFT11がオンする。
ドレインドライバ3は、このタイミングで取り込んだ1
ライン分の画像データdataに応じた電圧を各ドレイ
ンラインDLに出力する。これにより、画像データda
taに応じた電圧が画素容量12に蓄積される。これに
より、画素容量12の電極間の液晶の配向状態が変化し
て、当該画素の光の透過率が変化する。When the gate driver 2 selects any one of the gate lines GL and outputs a high-level signal, all the TFTs 11 for one line connected thereto are turned on.
The drain driver 3 reads the 1
A voltage corresponding to the image data data for the line is output to each drain line DL. Thereby, the image data da
The voltage corresponding to ta is stored in the pixel capacitor 12. Accordingly, the alignment state of the liquid crystal between the electrodes of the pixel capacitor 12 changes, and the light transmittance of the pixel changes.
【0064】画素容量12に蓄積された電圧は、次のフ
レーム期間において対応するゲートラインGLが選択さ
れるまで保持されるため、各画素の光の透過率はほぼ1
フレーム期間維持される。このような動作を順次繰り返
すことによって、液晶表示素子1上に画像が表示され
る。Since the voltage stored in the pixel capacitor 12 is held until the corresponding gate line GL is selected in the next frame period, the light transmittance of each pixel is substantially 1
The frame period is maintained. By sequentially repeating such operations, an image is displayed on the liquid crystal display element 1.
【0065】以上説明したように、この実施の形態にか
かる液晶表示装置では、ゲートドライバ2に適用されて
いるシフトレジスタは、各段RS(1),RS(2),
・・・にキャパシタC1が挿入されている。キャパシタ
C1は、配線Aがフローティング状態になり、コントロ
ーラから供給されるクロック信号CK1またはCK2が
ハイレベルとなったときに、オフ状態の段でのTFT2
2の寄生容量の影響による電位の上昇を緩和する。As described above, in the liquid crystal display device according to this embodiment, the shift register applied to the gate driver 2 includes the stages RS (1), RS (2),
, A capacitor C1 is inserted. When the wiring A is in a floating state and the clock signal CK1 or CK2 supplied from the controller is at a high level, the capacitor C1 is connected to the TFT 2 in the off state.
2 reduces the rise in potential due to the influence of the parasitic capacitance.
【0066】このため、TFT22のゲート電圧が閾値
電圧を越えてしまい、クロック信号CK1またはCK2
が出力信号OUT1,OUT2,・・・として漏れるの
を防ぐことができるので、出力信号OUT1,OUT
2,・・・のレベル、特に当該ラインの非選択期間にお
けるレベルを安定させることができる。As a result, the gate voltage of the TFT 22 exceeds the threshold voltage, and the clock signal CK1 or CK2
Can be prevented from leaking as output signals OUT1, OUT2,.
The levels of 2,..., Especially during the non-selection period of the line, can be stabilized.
【0067】そして、このようなシフトレジスタがゲー
トドライバ2として用いられているため、液晶表示素子
1の本来選択されるべきでないTFT11がオンしてし
まうことがない。このため、各画素容量12に意図しな
いデータが書き込まれてしまうことがない。このため、
液晶表示素子1上には、画質の高い画像を表示すること
ができる。Since such a shift register is used as the gate driver 2, the TFT 11 of the liquid crystal display element 1, which should not be selected, does not turn on. Therefore, there is no possibility that unintended data is written to each pixel capacitor 12. For this reason,
A high quality image can be displayed on the liquid crystal display element 1.
【0068】本発明は、上記の実施の形態に限られず、
種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可
能な上記の実施の形態の変形態様について説明する。The present invention is not limited to the above embodiment,
Various modifications and applications are possible. Hereinafter, modifications of the above-described embodiment applicable to the present invention will be described.
【0069】上記の実施の形態で示したゲートドライバ
2として適用されるシフトレジスタの構成は、適宜変更
することが可能である。以下、ゲートドライバ2として
適用可能な他のシフトレジスタについて、図4〜図14
を参照して説明する。The structure of the shift register applied as the gate driver 2 shown in the above embodiment can be changed as appropriate. Hereinafter, other shift registers applicable as the gate driver 2 will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG.
【0070】図4は、図1のゲートドライバ2として適
用可能な他のシフトレジスタの回路構成を示す図であ
る。このシフトレジスタでは、各段RS(1),RS
(2),・・・は、図2に示したキャパシタC1の代わ
りに、一端が配線Aに接続され、他端が電源電圧Vdd
の配線に接続されたキャパシタC2を有する。これは、
配線Aとの間の寄生容量のうち、新たに電源電圧Vdd
側に容量C2が増大したことになり、ここで、図2の場
合と同じ条件で配線Aが浮遊状態でクロック信号CK1
またはCK2がローレベルからハイレベルに立ち上がる
ときに変位する、配線Aにおける電圧の振幅は、数式3
で示す値となり、キャパシタC2がない場合よりも小さ
くすることができる。FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of another shift register applicable as the gate driver 2 of FIG. In this shift register, each stage RS (1), RS
(2),... Have one end connected to the wiring A and the other end connected to the power supply voltage Vdd instead of the capacitor C1 shown in FIG.
Has the capacitor C2 connected to the wiring of FIG. this is,
Of the parasitic capacitance between the power supply voltage Vdd and the wiring A,
The capacitance C2 increases on the side of the clock signal CK1 while the wiring A is floating under the same conditions as in FIG.
Alternatively, the amplitude of the voltage on the wiring A, which is displaced when CK2 rises from the low level to the high level, is expressed by the following equation (3).
, And can be made smaller than when there is no capacitor C2.
【0071】[0071]
【数3】{CA×Vdd+(CB+C2)×Vss}/
(CA+CB+C2)−Vss=CA×(Vdd−Vs
s)/(CA+CB+C2)[Equation 3] {CA × Vdd + (CB + C2) × Vss} /
(CA + CB + C2) −Vss = CA × (Vdd−Vs)
s) / (CA + CB + C2)
【0072】図5は、図1のゲートドライバ2として適
用可能なさらに他のシフトレジスタの回路構成を示す図
である。このシフトレジスタでは、各段RS(1),R
S(2),・・・は、図2に示したキャパシタC1の代
わりに、一端が配線Aに接続され、他端が接地されたキ
ャパシタC3を有する。これは、元々なかった新たなキ
ャパシタの付加である。ここで、図2の場合と同じ条件
でクロック信号CK1またはCK2がローレベルからハ
イレベルに立ち上がるときに変位する、配線Aにおける
電圧の振幅は、数式4で示す値となり、キャパシタC3
がない場合よりも小さくすることができる。FIG. 5 is a diagram showing a circuit configuration of still another shift register applicable as the gate driver 2 of FIG. In this shift register, each stage RS (1), R
S (2),... Have a capacitor C3 having one end connected to the wiring A and the other end grounded, instead of the capacitor C1 shown in FIG. This is the addition of a new capacitor that did not exist originally. Here, the amplitude of the voltage on the wiring A, which is displaced when the clock signal CK1 or CK2 rises from a low level to a high level under the same conditions as in FIG.
Can be smaller than without.
【0073】[0073]
【数4】{CA×Vdd+(CB+C3)×Vss}/
(CA+CB+C3)−Vss=CA×(Vdd−Vs
s)/(CA+CB+C3)[Equation 4] {CA × Vdd + (CB + C3) × Vss} /
(CA + CB + C3) −Vss = CA × (Vdd−Vs)
s) / (CA + CB + C3)
【0074】図6は、図1のゲートドライバ2として適
用可能なさらに他のシフトレジスタの回路構成を示す図
である。このシフトレジスタでは、各段RS(1),R
S(2),・・・は、図2に示したキャパシタC1、図
4に示したキャパシタC2、図5に示したキャパシタC
3の全てを有している。ここで、図2の場合と同じ条件
でクロック信号CK1またはCK2がローレベルからハ
イレベルに立ち上がるときに変位する配線Aにおける電
圧の振幅は、数式5で示す値となり、キャパシタC1、
C2、C3のいずれかのみを備える場合よりも、さらに
小さくすることができる。なお、各段がキャパシタC
1、C2、C3のいずれか1つのみによる組合せ、或い
は2つのみによる組み合わせとすることも可能である。FIG. 6 is a diagram showing a circuit configuration of still another shift register applicable as the gate driver 2 of FIG. In this shift register, each stage RS (1), R
S (2),... Represent the capacitor C1 shown in FIG. 2, the capacitor C2 shown in FIG. 4, and the capacitor C shown in FIG.
It has all three. Here, the amplitude of the voltage on the wiring A that is displaced when the clock signal CK1 or CK2 rises from a low level to a high level under the same conditions as in FIG.
The size can be further reduced as compared with the case where only one of C2 and C3 is provided. Note that each stage is a capacitor C
It is also possible to use a combination of only one of C1, C2, and C3, or a combination of only two.
【0075】[0075]
【数5】{CA×Vdd+(CB+C1+C2+C3)
×Vss}/(CA+CB+C1+C2+C3)−Vs
s=CA×(Vdd−Vss)/(CA+CB+C1+
C2+C3){CA × Vdd + (CB + C1 + C2 + C3)
× Vss} / (CA + CB + C1 + C2 + C3) −Vs
s = CA × (Vdd−Vss) / (CA + CB + C1 +
C2 + C3)
【0076】図7は、図1のゲートドライバ2として適
用可能なさらに他のシフトレジスタの回路構成を示す図
である。このシフトレジスタは、各段RS(1),RS
(2),・・・がTFT24の代わりにTFT24’を
有し、制御信号φRの入力がない点が、図6に示したシ
フトレジスタと異なる。なお、この構成とした場合に
は、CK2=¬CK1(¬:論理否定)とすることが可
能となる。FIG. 7 is a diagram showing a circuit configuration of still another shift register applicable as the gate driver 2 of FIG. This shift register includes RS (1), RS (
(2),... Have a TFT 24 ′ in place of the TFT 24 and are different from the shift register shown in FIG. 6 in that there is no input of the control signal φR. In this case, it is possible to set CK2 = ¬CK1 (¬: logical negation).
【0077】TFT24’は、そのゲートにクロック信
号CK2(奇数番目の段の場合)またはクロック信号C
K1(偶数番目の段の場合)が供給される。TFT2
4’のドレインは、上記したTFT24と同様にTFT
22のソースに接続され、TFT24’のソースには、
基準電圧Vssが供給されている。The TFT 24 ′ has its gate receiving the clock signal CK 2 (in the case of the odd-numbered stage) or the clock signal C
K1 (for the even-numbered stage) is supplied. TFT2
The drain of 4 ′ is a TFT similar to the TFT 24 described above.
22 is connected to the source of the TFT 24 '.
The reference voltage Vss is supplied.
【0078】次に、TFT24’の機能について、1番
目の段RS(1)を例として説明する。図3のタイミン
グチャートにおいて制御信号φRが立ち上がるタイミン
グでは、配線容量Cb(1)に蓄積された電荷は、未だ
オンしているTFT22を介してしか放出されない。し
かし、2ライン目の選択期間であるタイミングT2にな
ってクロック信号CK2が立ち上がると、TFT24’
がオンする。これにより、配線容量Cb上に残った電荷
がTFT24’を介して直ちに放出され、タイミングT
2からは選択対象でない1ライン目のゲートラインGL
の電位がローレベルとなる。Next, the function of the TFT 24 'will be described by taking the first stage RS (1) as an example. At the timing when the control signal φR rises in the timing chart of FIG. 3, the electric charge accumulated in the wiring capacitance Cb (1) is released only through the TFT 22 which is still on. However, when the clock signal CK2 rises at timing T2, which is the selection period of the second line, the TFT 24 '
Turns on. As a result, the charge remaining on the wiring capacitance Cb is immediately discharged via the TFT 24 ', and the timing T
The first gate line GL that is not selected from 2
Becomes low level.
【0079】図8は、図1のゲートドライバ2として適
用可能なさらに他のシフトレジスタの回路構成を示す図
である。このシフトレジスタは、各段RS(1),RS
(2),・・・がTFT24を有さず、3つのTFT2
1〜23だけで構成されている点が、図6に示したシフ
トレジスタと異なる。また、制御信号φRの入力がない
点を除いて、駆動動作も図3のタイミングチャートに示
したものと実質的に同じである。この場合、配線Aにお
ける電圧の振幅は数式5と実質的に同じである。なお、
キャパシタC1、C2、C3のいずれか1つ、または2
つによる組み合わせとすることも可能である。FIG. 8 is a diagram showing a circuit configuration of still another shift register applicable as the gate driver 2 of FIG. This shift register includes RS (1), RS (
(2),... Do not have the TFT 24 and three TFTs 2
The difference from the shift register shown in FIG. The driving operation is substantially the same as that shown in the timing chart of FIG. 3, except that there is no input of the control signal φR. In this case, the amplitude of the voltage on the wiring A is substantially the same as in Expression 5. In addition,
Any one of the capacitors C1, C2, C3, or 2
It is also possible to combine them.
【0080】図2に示したTFT24は、配線Bに蓄積
された電荷をグラウンドに放出させ、ゲートラインGL
を含む配線Bの電位をローレベルに安定させるためのも
のである。が、配線Bに蓄積された電荷は、クロック信
号CK1またはCK2がハイレベルからローレベルに変
化したとき、未だオン状態にあるTFT22を介して放
出させることも可能である。The TFT 24 shown in FIG. 2 discharges the electric charge accumulated in the wiring B to the ground, and the gate line GL
This is for stabilizing the potential of the wiring B including at a low level. However, when the clock signal CK1 or CK2 changes from the high level to the low level, the charge accumulated in the wiring B can be released through the TFT 22 which is still in the ON state.
【0081】そして、次のライン期間に入ってTFT2
2がオフするまでの間に、配線Bに蓄積された電荷を放
出させて、ゲートラインGLの電位を液晶表示素子1の
TFT11の閾値電圧よりも低くできるのであれば、必
ずしもTFT24は必要ない。このため、図8に示すよ
うな構成を有するシフトレジスタを、ゲートドライバ2
として適用することも可能となる。Then, in the next line period, TFT2
The TFT 24 is not necessarily required as long as the charge accumulated in the wiring B can be released until the potential of the gate line GL can be made lower than the threshold voltage of the TFT 11 of the liquid crystal display element 1 until the switch 2 is turned off. Therefore, a shift register having a configuration as shown in FIG.
It is also possible to apply as.
【0082】図9は、図1のゲートドライバ2として適
用可能なさらに他のシフトレジスタの回路構成を示す図
である。このシフトレジスタは、各段RS(1),RS
(2),・・・がTFT21の代わりにTFT21’を
有しており、また、制御信号群Gcntとして信号φ
1、φ2がさらにコントローラから供給される点が、図
6に示したシフトレジスタと異なる。なお、キャパシタ
C1、C2、C3のいずれか1つ、または2つによる組
み合わせとすることも可能である。信号φ1、φ2はと
もにハイレベルがVdd、ローレベルがVssと等電位
に設定されている。FIG. 9 is a diagram showing a circuit configuration of still another shift register applicable as the gate driver 2 of FIG. This shift register includes RS (1), RS (
(2),... Have a TFT 21 ′ instead of the TFT 21, and a signal φ as a control signal group Gcnt.
The difference from the shift register shown in FIG. 6 is that 1, and φ2 are further supplied from the controller. Note that a combination of any one or two of the capacitors C1, C2, and C3 is also possible. The signals φ1 and φ2 are both set to the same potential as the high level Vdd and the low level Vss.
【0083】TFT21’は、そのゲートに信号φ1
(奇数番目の段)または信号φ2(偶数番目の段)が供
給されており、信号φ1またはφ2がハイレベルとなっ
たときにオンし、ドレインに供給されたスタート信号ま
たは前の段の出力信号をソースから出力し、配線Aに蓄
積させる。The TFT 21 'has a signal φ1 at its gate.
(Odd-numbered stage) or signal φ2 (even-numbered stage) is supplied. The signal is turned on when the signal φ1 or φ2 becomes high level, and the start signal supplied to the drain or the output signal of the previous stage Is output from the source and accumulated in the wiring A.
【0084】次に、ゲートドライバ2として適用した場
合における、図5に示すシフトレジスタの動作につい
て、図10のタイミングチャートを参照して説明する。
ここでは、図4に示したシフトレジスタの動作、すなわ
ち図3のタイミングチャートに示した動作と異なる部分
のみを説明することとする。Next, the operation of the shift register shown in FIG. 5 when applied as the gate driver 2 will be described with reference to the timing chart of FIG.
Here, only the operation of the shift register shown in FIG. 4, that is, the portion different from the operation shown in the timing chart of FIG. 3 will be described.
【0085】タイミングT0〜T1までの所定期間にお
いて、信号φ1がハイレベルに変化する。これにより、
1番目の段RS(1)のTFT21がオンし、このとき
にTFT21のドレインに供給されているスタート信号
Pstがソースから出力されて、1番目の段RS(1)
の配線A(1)に電荷が蓄積され、配線容量Ca(1)
のレベルがハイレベルとなる。In a predetermined period from timing T0 to T1, signal φ1 changes to high level. This allows
The TFT 21 of the first stage RS (1) is turned on. At this time, the start signal Pst supplied to the drain of the TFT 21 is output from the source, and the first stage RS (1)
The electric charge is accumulated in the wiring A (1), and the wiring capacitance Ca (1)
Becomes high level.
【0086】また、タイミングT1〜T2の期間では、
信号φ2が所定期間だけハイレベルに変化することによ
って、同様に2番目の段RS(2)の配線A(2)のレ
ベルがハイレベルとなる。タイミングT2〜T3までの
期間は、信号φ1がハイレベルに変化することによっ
て、同様に3番目の段RS(3)の配線A(3)がハイ
レベルとなる。以下、同様に信号φ1またはφ2がハイ
レベルに変化することによって、各段の配線Aが順次ハ
イレベルとなる。In the period between timings T1 and T2,
When the signal φ2 changes to the high level for a predetermined period, the level of the wiring A (2) of the second stage RS (2) similarly becomes the high level. During the period from the timing T2 to the timing T3, the signal A1 changes to the high level, so that the wiring A (3) of the third stage RS (3) similarly becomes the high level. Hereinafter, similarly, when the signal φ1 or φ2 changes to the high level, the wiring A of each stage sequentially changes to the high level.
【0087】図11は、図1のゲートドライバ2として
適用可能なさらに他のシフトレジスタの回路構成を示す
図である。このシフトレジスタは、各段RS(1),R
S(2),・・・がTFT24の代わりにTFT24’
を有し、制御信号φRの入力がない点が、図9に示した
シフトレジスタと異なる。TFT24’の機能は、図7
に示したものと同じである。なお、各段がキャパシタC
1、C2、C3のいずれか1つのみ、または2つのみに
よる組み合わせとすることも可能である。FIG. 11 is a diagram showing a circuit configuration of still another shift register applicable as the gate driver 2 of FIG. This shift register is composed of RS (1), R
S (2),... Are replaced with TFT24 ′ instead of TFT24.
And the shift register shown in FIG. 9 is different from the shift register shown in FIG. The function of the TFT 24 'is shown in FIG.
Is the same as that shown in FIG. Note that each stage is a capacitor C
It is also possible to use only one of C1, C2 and C3, or a combination of only two.
【0088】図12は、図1のゲートドライバ2として
適用可能なさらに他のシフトレジスタの回路構成を示す
図である。このシフトレジスタは、各段RS(1),R
S(2),・・・がTFT24を有さず、3つのTFT
21’、22、23だけで構成されている点が、図9に
示したシフトレジスタと異なる。各段RS(1),RS
(2),・・・を3つのTFTだけで構成できる理由
は、図8に示したものの場合と同じである。なお、キャ
パシタC1、C2、C3のいずれか1つ、または2つに
よる組み合わせとすることも可能である。FIG. 12 is a diagram showing a circuit configuration of still another shift register applicable as the gate driver 2 of FIG. This shift register is composed of RS (1), R
S (2),... Do not have a TFT 24 and three TFTs
The shift register shown in FIG. 9 is different from the shift register shown in FIG. Each stage RS (1), RS
The reason why (2),... Can be constituted by only three TFTs is the same as that shown in FIG. Note that a combination of any one or two of the capacitors C1, C2, and C3 is also possible.
【0089】図13は、図1のゲートドライバ2として
適用可能なさらに他のシフトレジスタの回路構成を示す
図である。このシフトレジスタは、各段RS(1),R
S(2),・・・が、6つのTFT21〜23、25〜
27によって構成されており、図2、図4〜図9、図1
0〜図12に示したシフトレジスタとは、その駆動動作
が異なる。もっとも、コントローラから制御信号群Gc
ntとして供給される信号は、制御信号φRを含まない
ことを除いて、図3のタイミングチャートに示したもの
と、信号の種類、タイミングとも同じである。FIG. 13 is a diagram showing a circuit configuration of still another shift register applicable as the gate driver 2 of FIG. This shift register is composed of RS (1), R
S (2),... Are six TFTs 21 to 23, 25 to 25
2 and FIGS. 4 to 9 and FIG.
The driving operation is different from that of the shift register shown in FIGS. However, the control signal group Gc
The signal supplied as nt has the same type and timing as those shown in the timing chart of FIG. 3 except that it does not include the control signal φR.
【0090】また、このシフトレジスタでは、各段RS
(1),RS(2),・・・は、TFT21のソース、
TFT22のゲート、TFT26のゲート及びTFT2
3のドレインで囲まれる配線で、図2、図4〜図9、図
11、図12で示したシフトレジスタの場合と同様の配
線Aを形成している。各段RS(1),RS(2),・
・・のキャパシタC1、C2、C3は、いずれの図2、
図4〜図9、図11、図12で示したシフトレジスタの
場合と同様に、浮遊状態にある配線A上の電位を安定さ
せる働きを有する。In this shift register, each stage RS
(1), RS (2),... Are the source of the TFT 21,
Gate of TFT22, Gate of TFT26 and TFT2
3, a wiring A similar to that of the shift register shown in FIGS. 2, 4 to 9, 11, and 12 is formed. Each stage RS (1), RS (2), ...
The capacitors C1, C2, and C3 of FIG.
As in the case of the shift register shown in FIGS. 4 to 9, 11 and 12, it has a function of stabilizing the potential on the wiring A in a floating state.
【0091】図13に示すシフトレジスタからキャパシ
タC1、C2、C3がない構造において、配線Aが浮遊
しているとき、すなわち、スタート信号Pst又は前段
の出力信号OUTがローレベルで且つ制御信号φRがロ
ーレベル(=基準電圧Vss)で配線Aが浮遊状態のと
きで、クロック信号CK1またはCK2がローレベルか
らハイレベルに立ち上がるために変動する配線Aの電圧
の振幅は、次の数式6で示す値となる。In the structure without the capacitors C1, C2 and C3 from the shift register shown in FIG. 13, when the wiring A is floating, that is, when the start signal Pst or the output signal OUT of the preceding stage is at a low level and the control signal φR is low. When the wiring A is at a low level (= reference voltage Vss) and the wiring A is in a floating state, the amplitude of the voltage of the wiring A that fluctuates because the clock signal CK1 or CK2 rises from the low level to the high level is a value represented by the following equation 6. Becomes
【0092】[0092]
【数6】(CX×Vdd+CY×Vss)/(CX+C
Y)−Vss=CX×(Vdd−Vss)/(CX+C
Y)## EQU6 ## (CX × Vdd + CY × Vss) / (CX + C
Y) −Vss = CX × (Vdd−Vss) / (CX + C
Y)
【0093】但し、CXは、クロックライン(クロック
信号CK1、CK2の配線)と配線Aとの間の寄生容
量、並びにTFT22と配線Aとの間の寄生容量の和で
ある。CYは、Vss電源ライン(基準電圧Vssの配
線)と配線Aとの間の寄生容量、出力ライン(出力信号
OUTk(k:1〜n)の配線)と配線Aとの間の寄生
容量、及びTFT21、23、26のそれぞれと配線A
との間の寄生容量の和である。Here, CX is the sum of the parasitic capacitance between the clock line (the wiring of the clock signals CK1 and CK2) and the wiring A, and the parasitic capacitance between the TFT 22 and the wiring A. CY is a parasitic capacitance between the Vss power supply line (wiring for the reference voltage Vss) and the wiring A, a parasitic capacitance between the output line (wiring for the output signals OUTk (k: 1 to n)) and the wiring A, and Each of the TFTs 21, 23, 26 and the wiring A
Is the sum of the parasitic capacitances between
【0094】これに対して、図13に示すようにキャパ
シタC1、C2、C3を挿入した場合には、配線Aの電
圧の振幅は、次の数式7で示す値となる。数式7からわ
かるように、キャパシタC1、C2、C3を挿入するこ
とによって、配線Aの電圧の振幅が減少し、配線Aの電
圧の最大レベルが小さくなる。On the other hand, when the capacitors C1, C2, and C3 are inserted as shown in FIG. 13, the voltage amplitude of the wiring A becomes a value represented by the following equation (7). As can be seen from Expression 7, by inserting the capacitors C1, C2, and C3, the amplitude of the voltage of the wiring A decreases, and the maximum level of the voltage of the wiring A decreases.
【0095】[0095]
【数7】{CX×Vdd+(CY+C1+C2+C3)
×Vss}/(CX+CY+C1+C2+C3)−Vs
s=CX×(Vdd−Vss)/(CX+CY+C1+
C2+C3)7CX × Vdd + (CY + C1 + C2 + C3)
× Vss} / (CX + CY + C1 + C2 + C3) −Vs
s = CX × (Vdd−Vss) / (CX + CY + C1 +
C2 + C3)
【0096】なお、このシフトレジスタにおいても、各
段RS(1),RS(2),・・・は、キャパシタC
1、C2、C3のいずれか1つのみ、またはそのうちの
2つのみを有する構成とすることもできる。キャパシタ
の欠けている部分には、数式7において、それぞれC
1、C2、C3に0を代入すれば配線Aにおける電圧の
振幅を求めることができる。いずれの場合も、キャパシ
タが全くない場合に比べて、配線Aにおける電圧の振幅
を小さくすることができる。また、TFT25はその他
の抵抗素子に置き換えてもよい。In this shift register, each stage RS (1), RS (2),.
A configuration having only one of C1, C2, and C3, or only two of them is also possible. In the missing portion of the capacitor, C
By substituting 0 for 1, C2, and C3, the amplitude of the voltage on the wiring A can be obtained. In any case, the amplitude of the voltage on the wiring A can be reduced as compared with the case where no capacitor is provided. Further, the TFT 25 may be replaced with another resistance element.
【0097】次に、図3に示すタイミングチャート(φ
Rを除く)を参照し、図13に示すシフトレジスタの動
作を1番目の段RS(1)を例として、説明する。Next, the timing chart shown in FIG.
13 (excluding R), the operation of the shift register shown in FIG. 13 will be described by taking the first stage RS (1) as an example.
【0098】タイミングT0〜T1の間、スタート信号
Pstがハイレベルとなると、1段目の段RS(1)の
TFT21がオンしてソース側に出力されることによ
り、1段目の段RS(1)の配線A(1)の電位がハイ
レベルとなる。こうしてTFT22、26がオンする。
TFT26がオンしたことによって、TFT25とTF
T26との間の配線に蓄積されていた電荷が放出され、
それまでオン状態にあったTFT27がオフする。When the start signal Pst goes high during the timing T0 to T1, the TFT 21 of the first stage RS (1) is turned on and output to the source side, so that the first stage RS (1) is output. The potential of the wiring A (1) of 1) becomes a high level. Thus, the TFTs 22 and 26 are turned on.
When the TFT 26 is turned on, the TFT 25 and the TF
The charge accumulated in the wiring between T26 is released,
The TFT 27 that has been on until that time is turned off.
【0099】次に、タイミングT1において、クロック
信号CK1がハイレベルに変化すると、TFT22がオ
ン、TFT27がオフしているため、この信号が実質
上、出力信号OUT1として出力される。TFT21、
23はオフ状態なのでTFT22の寄生容量により配線
Aの電位は上昇する。タイミングT2になる直前に、ク
ロック信号CK1がたち下がると、出力信号OUT1は
ローレベルに変化する。また、タイミングT1〜タイミ
ングT2の期間は、ハイレベルとなった1段目の段RS
(1)の出力信号OUT1により、2番目の段RS
(2)の配線A(2)がハイレベルとなり、2番目の段
RS(2)のTFT22、26がオン、TFT27がオ
フとなる。Next, when the clock signal CK1 changes to the high level at the timing T1, the TFT 22 is turned on and the TFT 27 is turned off, so that this signal is substantially output as the output signal OUT1. TFT21,
Since 23 is in the off state, the potential of the wiring A increases due to the parasitic capacitance of the TFT 22. Immediately before the timing T2, when the clock signal CK1 falls, the output signal OUT1 changes to a low level. In the period from timing T1 to timing T2, the first stage RS
By the output signal OUT1 of (1), the second stage RS
The wiring A (2) of (2) becomes high level, the TFTs 22 and 26 of the second stage RS (2) are turned on, and the TFT 27 is turned off.
【0100】次に、タイミングT2において、クロック
信号CK2がハイレベルに変化すると、今度はこれが2
番目の段RS(2)の出力信号OUT2として出力され
る。この出力信号OUT2により、1番目の段RS
(1)のTFT23がオンし、1番目の段RS(1)の
配線A(1)に蓄積された電荷が放出される。これによ
り、1番目の段RS(1)のTFT22がオフ、TFT
26がオフ、TFT27がオンとなり、次にクロック信
号CK1がハイレベルに変化しても、出力信号OUT1
がハイレベルとならない。Next, at timing T2, when the clock signal CK2 changes to the high level,
This is output as the output signal OUT2 of the second stage RS (2). By this output signal OUT2, the first stage RS
The TFT 23 of (1) is turned on, and the charge accumulated in the wiring A (1) of the first stage RS (1) is released. As a result, the TFT 22 of the first stage RS (1) is turned off,
26 is turned off, the TFT 27 is turned on, and even if the clock signal CK1 subsequently changes to the high level, the output signal OUT1
Does not go to high level.
【0101】タイミングT3になる直前に、クロック信
号CK2がたち下がると、出力信号OUT2はローレベ
ルに変化する。また、タイミングT2〜タイミングT3
までの期間は、ハイレベルとなった2段目の段RS
(2)の出力信号OUT2により、3番目の段RS
(3)の配線A(3)がハイレベルとなり、3番目の段
RS(3)のTFT22、26がオン、TFT27がオ
フとなる。If the clock signal CK2 falls just before the timing T3, the output signal OUT2 changes to low level. Further, timing T2 to timing T3
In the period up to the second stage RS
By the output signal OUT2 of (2), the third stage RS
The wiring A (3) of (3) becomes high level, and the TFTs 22 and 26 of the third stage RS (3) are turned on and the TFT 27 is turned off.
【0102】次に、タイミングT3において、クロック
信号CK1がハイレベルに変化すると、今度は同様にし
て3番目の段RS(3)の出力信号OUT3がハイレベ
ルとなる。この出力信号OUT3により、2番目の段R
S(2)の配線A(2)に蓄積された電荷が放出され
る。1番目の段RS(1)のTFT22には引き続きハ
イレベルのCK1が入力されるが、容量C1、C2、C
3により配線A(1)の振幅は抑制されている。以下、
同様にしてタイミングTnまでの間で、1ライン期間の
所定期間ずつ、各段の出力信号がハイレベルとなる。Next, when the clock signal CK1 changes to the high level at the timing T3, the output signal OUT3 of the third stage RS (3) similarly changes to the high level. By this output signal OUT3, the second stage R
The charges accumulated in the wiring A (2) of S (2) are released. High-level CK1 is continuously input to the TFT 22 of the first stage RS (1), but the capacitors C1, C2, C
3, the amplitude of the wiring A (1) is suppressed. Less than,
Similarly, until the timing Tn, the output signal of each stage becomes high level for each predetermined period of one line period.
【0103】図14は、図1のゲートドライバ2として
適用可能なさらに他のシフトレジスタの回路構成を示す
図である。このシフトレジスタは、各段RS(1),R
S(2),・・・がTFT21の代わりにTFT21’
を有しており、TFT23を有さず、また、制御信号群
Gcntとして信号φ1、φ2がさらにコントローラか
ら供給される点が、図13に示したシフトレジスタと異
なる。TFT21’の機能は、図9に示したものと同じ
である。なお、キャパシタC1、C2、C3のいずれか
1つのみ、または2つのみによる組み合わせとすること
も可能である。FIG. 14 is a diagram showing a circuit configuration of still another shift register applicable as the gate driver 2 of FIG. This shift register is composed of RS (1), R
S (2),... Are replaced with TFT21 ′ instead of TFT21.
13. The shift register shown in FIG. 13 is different from the shift register shown in FIG. 13 in that the TFTs 23 are not provided, and the signals φ1 and φ2 are further supplied from the controller as the control signal group Gcnt. The function of the TFT 21 'is the same as that shown in FIG. In addition, it is also possible to use a combination of only one of the capacitors C1, C2, and C3, or a combination of only two of them.
【0104】このシフトレジスタでは、例えば、タイミ
ングT2からT3の間において制御信号φ1が立ち上が
ると、1番目の段RS(1)のTFT21がオンする。
これにより、配線A(1)に蓄積されていた電荷は、ス
タート信号Pstの信号線を介して放出される。また、
タイミングT3からT4の間において制御信号φ2が立
ち上がると、2番目の段RS(2)のTFT21がオン
する。これにより、配線A(2)に蓄積されていた電荷
は、前の段RS(1)のTFT27(オン状態となって
いる)を介して放出される。このため、上記した各構成
のシフトレジスタが有していたTFT23を、図14に
示すシフトレジスタは、有していなくてもよいものとな
る。In this shift register, for example, when the control signal φ1 rises between timings T2 and T3, the TFT 21 of the first stage RS (1) turns on.
Accordingly, the charge stored in the wiring A (1) is released through the signal line of the start signal Pst. Also,
When the control signal φ2 rises between the timings T3 and T4, the TFT 21 of the second stage RS (2) turns on. As a result, the electric charge stored in the wiring A (2) is released via the TFT 27 (in the ON state) of the previous stage RS (1). Therefore, the shift register shown in FIG. 14 does not need to have the TFT 23 included in the shift register having each configuration described above.
【0105】図15は、図6のゲートドライバ2として
適用可能なさらに他のシフトレジスタの回路構成を示す
図である。このシフトレジスタは、各段RS(1),R
S(2),・・・がTFT21のソースと配線Aとの間
にTFT28を介在させている。TFT28は、配線A
がブートストラップ効果による電圧上昇によるTFT2
1のソース、ドレイン間の電圧の著しい差を緩衝するも
のであり、これによりTFT21の素子破壊を防止する
ことができる。駆動方法については、各信号の波形チャ
ートは図3と同様である。なお、各段がキャパシタC
1、C2、C3のいずれか1つのみ、または2つのみに
よる組み合わせとすることも可能である。FIG. 15 is a diagram showing a circuit configuration of still another shift register applicable as the gate driver 2 of FIG. This shift register is composed of RS (1), R
S (2),... Interpose the TFT 28 between the source of the TFT 21 and the wiring A. The TFT 28 has a wiring A
Is TFT2 due to voltage rise due to bootstrap effect
In this case, a remarkable difference in voltage between the source and the drain of the TFT 21 is buffered, thereby preventing the TFT 21 from being destroyed. Regarding the driving method, the waveform chart of each signal is the same as in FIG. Note that each stage is a capacitor C
It is also possible to use only one of C1, C2 and C3 or a combination of only two.
【0106】図16は、図7のゲートドライバ2として
適用可能なさらに他のシフトレジスタの回路構成を示す
図である。このシフトレジスタは、各段RS(1),R
S(2),・・・がTFT21のソースと配線Aとの間
にTFT28を介在させている。TFT28は、配線A
がブートストラップ効果による電圧上昇によるTFT2
1のソース、ドレイン間の電圧の著しい差を緩衝するも
のであり、これによりTFT21の素子破壊を防止する
ことができる。なお、各段がキャパシタC1、C2、C
3のいずれか1つのみ、または2つのみによる組み合わ
せとすることも可能である。FIG. 16 is a diagram showing a circuit configuration of still another shift register applicable as the gate driver 2 of FIG. This shift register is composed of RS (1), R
S (2),... Interpose the TFT 28 between the source of the TFT 21 and the wiring A. The TFT 28 has a wiring A
Is TFT2 due to voltage rise due to bootstrap effect
1 is for buffering a remarkable difference in voltage between the source and the drain, thereby preventing the TFT 21 from being destroyed. Each stage is composed of capacitors C1, C2, C
It is also possible to use a combination of only one of the three or only two.
【0107】上記の実施の形態では、上記構成を有する
シフトレジスタをゲートドライバ2として適用した液晶
表示装置を例として、本発明を説明した。しかしなが
ら、本発明は、無機EL表示装置、有機EL表示装置、
FED、プラズマディスプレイ装置などの他のタイプの
表示装置にも適用することができる。この場合も、上記
構成のシフトレジスタを、マトリクス状に配置された表
示画素をライン毎に順次選択するドライバとして適用す
ることができる。In the above embodiment, the present invention has been described by taking as an example a liquid crystal display device in which the shift register having the above configuration is applied as the gate driver 2. However, the present invention relates to an inorganic EL display device, an organic EL display device,
The present invention can be applied to other types of display devices such as an FED and a plasma display device. Also in this case, the shift register having the above configuration can be applied as a driver for sequentially selecting display pixels arranged in a matrix for each line.
【0108】また、本発明は、表示装置だけでなく、フ
ォトセンサ(撮像画素)をマトリクス状に配置した撮像
素子を上記構成のシフトレジスタで駆動する撮像装置に
も適用することができる。このような撮像装置につい
て、いわゆるダブルゲートトランジスタをフォトセンサ
として適用したものを例として説明する。Further, the present invention can be applied not only to a display device but also to an image pickup device in which an image pickup device in which photo sensors (image pickup pixels) are arranged in a matrix is driven by the shift register having the above configuration. Such an imaging device will be described as an example in which a so-called double gate transistor is applied as a photosensor.
【0109】図17は、この変形例にかかる指紋の認証
に適用可能な撮像装置の構成を示すブロック図である。
図示するように、この撮像装置は、画像を撮影する撮像
素子5、並びにコントローラからの制御信号に従って撮
像素子5を駆動するためのトップゲートドライバ6、ボ
トムゲートドライバ7及びドレインドライバ8から構成
されている。FIG. 17 is a block diagram showing the configuration of an imaging apparatus applicable to fingerprint authentication according to this modification.
As shown in the figure, the imaging apparatus includes an imaging device 5 for capturing an image, and a top gate driver 6, a bottom gate driver 7, and a drain driver 8 for driving the imaging device 5 according to a control signal from a controller. I have.
【0110】撮像素子5は、マトリクス状に配置された
複数のダブルゲートトランジスタ51で構成される。ダ
ブルゲートトランジスタ51のトップゲート電極101
はトップゲートラインTGLに、ボトムゲート電極10
2はボトムゲートラインBGLに、ドレイン電極103
はドレインラインDLに、ソース電極104は接地され
たグラウンドラインGrLにそれぞれ接続されている。
撮像素子5の下方には、ダブルゲートトランジスタ51
の半導体層を励起する波長域の光は発光するバックライ
トが載置されている。The image sensor 5 is composed of a plurality of double gate transistors 51 arranged in a matrix. Top gate electrode 101 of double gate transistor 51
Represents the top gate line TGL and the bottom gate electrode 10
2 is the drain electrode 103 on the bottom gate line BGL.
Is connected to the drain line DL, and the source electrode 104 is connected to the ground line GrL.
Below the image sensor 5, a double gate transistor 51 is provided.
A backlight that emits light in the wavelength range that excites the semiconductor layer is mounted.
【0111】撮像素子5を構成するダブルゲートトラン
ジスタ51は、トップゲート電極101に印加されてい
る電圧が+25(V)で、ボトムゲート電極102に印
加されている電圧が0(V)であると、トップゲート電
極101と半導体層との間に配置される窒化シリコンか
らなるゲート絶縁膜と半導体層とに蓄積されている正孔
が吐出され、リセットされる。ダブルゲートトランジス
タ51は、ソース、ドレイン電極103、104間が0
(V)で、トップゲート電極101に印加されている電
圧が−15(V)で、ボトムゲート電極102に印加さ
れている電圧が0(V)となり、半導体層への光の入射
によって発生した正孔−電子対のうちの正孔が上記半導
体層及び上記ゲート絶縁膜に蓄積されるフォトセンス状
態となる。この所定期間に蓄積される正孔の量は光量に
依存している。In the double gate transistor 51 constituting the image pickup device 5, when the voltage applied to the top gate electrode 101 is +25 (V) and the voltage applied to the bottom gate electrode 102 is 0 (V). Then, holes accumulated in the gate insulating film made of silicon nitride and the semiconductor layer disposed between the top gate electrode 101 and the semiconductor layer are discharged and reset. The double gate transistor 51 has 0 between the source and drain electrodes 103 and 104.
In (V), the voltage applied to the top gate electrode 101 is −15 (V), and the voltage applied to the bottom gate electrode 102 is 0 (V), which is generated by light incident on the semiconductor layer. The holes of the hole-electron pairs enter a photo-sensing state in which the holes are accumulated in the semiconductor layer and the gate insulating film. The amount of holes accumulated during this predetermined period depends on the amount of light.
【0112】フォトセンス状態において、バックライト
がダブルゲートトランジスタ51に向け光を照射する
が、このままではダブルゲートトランジスタ51の半導
体層の下方の位置するボトムゲート電極102が遮光す
るので半導体層には十分なキャリアが生成されない。こ
のとき、ダブルゲートトランジスタ51上方の絶縁膜上
に指を載置すると、指の凹部(指紋形状を決める溝にあ
たる)の直下にあたるダブルゲートトランジスタ51の
半導体層には、絶縁膜等で反射された光があまり入射さ
れず十分な量の正孔が半導体層内に蓄積されずに、トッ
プゲート電極101に印加されている電圧が−15
(V)で、ボトムゲート電極102に印加されている電
圧が+10(V)となると、半導体層内に空乏層が広が
り、nチャネルがピンチオフされ、半導体層が高抵抗と
なる。In the photo-sensing state, the backlight irradiates light toward the double gate transistor 51. However, if this state is maintained, the bottom gate electrode 102 located below the semiconductor layer of the double gate transistor 51 shields light, so that the semiconductor layer has sufficient light. No carrier is generated. At this time, when a finger is placed on the insulating film above the double gate transistor 51, the semiconductor layer of the double gate transistor 51 immediately below the concave portion of the finger (corresponding to the groove for determining the fingerprint shape) is reflected by the insulating film or the like. The light applied to the top gate electrode 101 is reduced by -15 without receiving much light and storing a sufficient amount of holes in the semiconductor layer.
In (V), when the voltage applied to the bottom gate electrode 102 becomes +10 (V), the depletion layer spreads in the semiconductor layer, the n-channel is pinched off, and the semiconductor layer has high resistance.
【0113】一方、フォトセンス状態において、指の凸
部(指の溝と溝の間の山)の直下にあたるダブルゲート
トランジスタ51の半導体層には、絶縁膜等で反射され
た光が入射され十分な量の正孔が半導体層内に蓄積され
た状態で、このような電圧が印加された場合は、蓄積さ
れている正孔がトップゲート電極101に引き寄せられ
て保持されることにより、半導体層のボトムゲート電極
102側にnチャネルが形成され、半導体層が低抵抗と
なる。これらの読み出し状態における半導体層の抵抗値
の違いが、ドレインラインDLの電位の変化となって現
れる。On the other hand, in the photo-sensing state, light reflected by an insulating film or the like is sufficiently incident on the semiconductor layer of the double gate transistor 51 immediately below the convex portion of the finger (the crest between the grooves of the finger). When such a voltage is applied in a state where a large amount of holes are accumulated in the semiconductor layer, the accumulated holes are attracted to and held by the top gate electrode 101, so that the semiconductor layer Is formed on the side of the bottom gate electrode 102, and the semiconductor layer has low resistance. The difference between the resistance values of the semiconductor layers in these read states appears as a change in the potential of the drain line DL.
【0114】トップゲートドライバ6は、撮像素子5の
トップゲートラインTGLに接続され、コントローラか
らの制御信号群Tcntに従って、各トップゲートライ
ンTGLに+25(V)または−15(V)の信号を選
択的に出力する。トップゲートドライバ6は、出力信号
のレベルの相違、これに応じた入力信号のレベルの相
違、並びに出力信号及び入力信号の位相の違いを除き、
上記したゲートドライバ2を構成するシフトレジスタと
実質的に同一の構成を有している。The top gate driver 6 is connected to the top gate line TGL of the image sensor 5 and selects a signal of +25 (V) or -15 (V) for each top gate line TGL according to a control signal group Tcnt from the controller. Output. The top gate driver 6 excludes the difference in the level of the output signal, the difference in the level of the input signal corresponding thereto, and the difference in the phase of the output signal and the input signal.
It has substantially the same configuration as the shift register constituting the gate driver 2 described above.
【0115】ボトムゲートドライバ7は、撮像素子5の
ボトムゲートラインBGLに接続され、コントローラか
らの制御信号群Bcntに従って、各ボトムゲートライ
ンBGLに+10(V)または0(V)の信号を出力す
る。ボトムゲートドライバ7は、出力信号のレベルの相
違、これに応じた入力信号のレベルの相違、並びに出力
信号及び入力信号の位相の違いを除き、上記したゲート
ドライバ2を構成するシフトレジスタと実質的に同一の
構成を有している。The bottom gate driver 7 is connected to the bottom gate line BGL of the image sensor 5 and outputs a signal of +10 (V) or 0 (V) to each bottom gate line BGL according to a control signal group Bcnt from the controller. . The bottom gate driver 7 is substantially the same as the shift register constituting the gate driver 2 except for the difference in the level of the output signal, the difference in the level of the input signal corresponding thereto, and the difference in the phase of the output signal and the input signal. Have the same configuration.
【0116】ドレインドライバ8は、撮像素子5のドレ
インラインDLに接続され、コントローラからの制御信
号群Dcntに従って、後述する所定の期間において全
てのドレインラインDLに定電圧(+10(V))を出
力し、電荷をプリチャージさせる。ドレインドライバ8
は、プリチャージの後の所定の期間においてダブルゲー
トトランジスタ51の半導体層に光の入射、非入射に応
じて、つまりチャネルが形成されているか否かによって
変化する各ドレインラインDLの電位を読み出し、画像
データDATAとしてコントローラに供給する。The drain driver 8 is connected to the drain line DL of the image sensor 5, and outputs a constant voltage (+10 (V)) to all the drain lines DL in a predetermined period described later according to a control signal group Dcnt from the controller. Then, the electric charges are precharged. Drain driver 8
Reads out the potential of each drain line DL that changes according to the incidence or non-incidence of light on the semiconductor layer of the double gate transistor 51 during a predetermined period after the precharge, that is, whether or not a channel is formed, It is supplied to the controller as image data DATA.
【0117】この撮像装置において画像を撮影する場合
は、コントローラからの制御信号群Tcnt、Bcnt
に従って、トップゲートドライバ6及びボトムゲートド
ライバ7からライン毎に所定のタイミングで、所定レベ
ルの信号を出力させることにより、撮像素子5の各ライ
ンを順にリセット状態、フォトセンス状態、読み出し状
態としていく。そして、読み出し状態となったラインの
ダブルゲートトランジスタ51の半導体層の抵抗変化に
よるドレインラインDLの電位の変化を、ドレインドラ
イバ8が読み出し、画像データDATAとしてコントロ
ーラに供給すればよい。When an image is taken by the image pickup apparatus, control signal groups Tcnt and Bcnt from the controller are used.
Accordingly, a signal of a predetermined level is output from the top gate driver 6 and the bottom gate driver 7 at a predetermined timing for each line, whereby each line of the image sensor 5 is sequentially set to a reset state, a photo sense state, and a read state. Then, a change in the potential of the drain line DL due to a change in the resistance of the semiconductor layer of the double gate transistor 51 in the line in the read state may be read by the drain driver 8 and supplied to the controller as image data DATA.
【0118】さらには、上記の実施の形態における構
成、或いはそれを上記したように変形した構成を有する
シフトレジスタは、撮像素子または表示素子を駆動する
ためのドライバとしての用途以外にも適用することがで
きる。例えば、これらのシフトレジスタは、データ処理
装置などにおいて直列のデータを並列のデータに変換す
る場合などの用途にも適用することができる。Further, the shift register having the configuration in the above-described embodiment or a modified configuration thereof as described above may be applied to applications other than the use as a driver for driving an image sensor or a display device. Can be. For example, these shift registers can be applied to applications such as converting serial data to parallel data in a data processing device or the like.
【0119】なお、上記の実施の形態のゲートドライバ
2、トップゲートドライバ6及びボトムゲートドライバ
7を構成するシフトレジスタは、電界効果トランジスタ
であるTFTの組み合わせにより構成されているが、こ
れらをTFT以外のトランジスタに置き換えてもよい。
また、上記シフトレジスタを構成するTFTは、nチャ
ネル型であったが、全てpチャネル型としてもよい。こ
のとき、各信号のハイ、ローレベルはnチャネルのとき
に比べ互いに反転されるように設定されていればよい。The shift registers constituting the gate driver 2, the top gate driver 6, and the bottom gate driver 7 in the above embodiment are constituted by a combination of TFTs as field effect transistors. Transistor.
Further, the TFTs constituting the shift register are of the n-channel type, but may be all of the p-channel type. At this time, the high and low levels of each signal need only be set so as to be inverted from each other as compared with the case of n channels.
【0120】[0120]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のシフトレ
ジスタによれば、各段からの出力信号のレベルが安定す
る。As described above, according to the shift register of the present invention, the level of the output signal from each stage is stabilized.
【0121】また、このようなシフトレジスタをドライ
バとして適用することで、表示する画像の画質を高くし
たり、撮影した画像の画質を高くしたりすることができ
る。Further, by applying such a shift register as a driver, it is possible to increase the image quality of an image to be displayed or to enhance the image quality of a captured image.
【図1】本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置の構
成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1のゲートドライバとして適用されるシフト
レジスタの回路構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a circuit configuration of a shift register applied as the gate driver in FIG.
【図3】図2のシフトレジスタの動作を示すタイミング
チャートである。FIG. 3 is a timing chart showing the operation of the shift register of FIG.
【図4】図1のゲートドライバとして適用されるシフト
レジスタの他の回路構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating another circuit configuration of the shift register applied as the gate driver in FIG. 1;
【図5】図1のゲートドライバとして適用されるシフト
レジスタの他の回路構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating another circuit configuration of the shift register applied as the gate driver in FIG. 1;
【図6】図1のゲートドライバとして適用されるシフト
レジスタの他の回路構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating another circuit configuration of the shift register applied as the gate driver in FIG. 1;
【図7】図1のゲートドライバとして適用されるシフト
レジスタの他の回路構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating another circuit configuration of the shift register applied as the gate driver in FIG. 1;
【図8】図1のゲートドライバとして適用されるシフト
レジスタの他の回路構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram illustrating another circuit configuration of the shift register applied as the gate driver in FIG. 1;
【図9】図1のゲートドライバとして適用されるシフト
レジスタの他の回路構成を示す図である。9 is a diagram illustrating another circuit configuration of the shift register applied as the gate driver in FIG. 1;
【図10】図9のシフトレジスタの動作を示すタイミン
グチャートである。FIG. 10 is a timing chart showing the operation of the shift register of FIG.
【図11】図1のゲートドライバとして適用されるシフ
トレジスタの他の回路構成を示す図である。11 is a diagram illustrating another circuit configuration of the shift register applied as the gate driver in FIG. 1;
【図12】図1のゲートドライバとして適用されるシフ
トレジスタの他の回路構成を示す図である。12 is a diagram illustrating another circuit configuration of the shift register applied as the gate driver in FIG. 1;
【図13】図1のゲートドライバとして適用されるシフ
トレジスタの他の回路構成を示す図である。13 is a diagram illustrating another circuit configuration of the shift register applied as the gate driver in FIG. 1;
【図14】図1のゲートドライバとして適用されるシフ
トレジスタの他の回路構成を示す図である。14 is a diagram illustrating another circuit configuration of the shift register applied as the gate driver in FIG. 1;
【図15】図6のゲートドライバとして適用されるシフ
トレジスタの他の回路構成を示す図である。15 is a diagram illustrating another circuit configuration of the shift register applied as the gate driver in FIG. 6;
【図16】図7のゲートドライバとして適用されるシフ
トレジスタの他の回路構成を示す図である。16 is a diagram illustrating another circuit configuration of the shift register applied as the gate driver in FIG. 7;
【図17】本発明の実施の形態の変形例にかかる撮像装
置の構成を示すブロック図である。FIG. 17 is a block diagram illustrating a configuration of an imaging device according to a modification of the embodiment of the present invention.
【図18】従来例のシフトレジスタの回路構成を示す図
である。FIG. 18 is a diagram illustrating a circuit configuration of a conventional shift register.
【図19】従来例のシフトレジスタの回路構成を示す図
である。FIG. 19 is a diagram illustrating a circuit configuration of a conventional shift register.
1…液晶表示素子、2…ゲートドライバ、3…ドレイン
ドライバ、5…撮像素子、11…TFT、12…画素容
量、21〜27,21’,24’…TFT、51…ダブ
ルゲートトランジスタ、6…トップゲートドライバ、7
…ボトムゲートドライバ、8…ドレインドライバ、C1
〜C3…キャパシタ、RS(1)〜RS(3)…段、G
L…ゲートライン、DL…ドレインライン、TGL…ト
ップゲートライン、BGL…ボトムゲートラインDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal display element, 2 ... Gate driver, 3 ... Drain driver, 5 ... Image sensor, 11 ... TFT, 12 ... Pixel capacitance, 21-27, 21 ', 24' ... TFT, 51 ... Double gate transistor, 6 ... Top gate driver, 7
... Bottom gate driver, 8 ... Drain driver, C1
~ C3 ... capacitor, RS (1) ~ RS (3) ... stage, G
L: gate line, DL: drain line, TGL: top gate line, BGL: bottom gate line
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/36 G11C 19/00 J G11C 19/00 19/28 D 19/28 G02F 1/136 500 Fターム(参考) 2H092 GA59 JA24 JB67 2H093 NA16 NA43 NA53 NC22 NC34 ND04 ND42 5C006 AC02 AC22 AF52 AF64 BB16 BC03 BC06 BC13 BC20 BF03 BF34 BF37 FA36 FA37 5C080 AA10 BB05 DD30 FF09 JJ02 JJ03 JJ04 KK02 KK43 5C094 AA02 BA03 BA43 CA19 CA24 EA04 EA07 FB12 FB15 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09G 3/36 G11C 19/00 J G11C 19/00 19/28 D 19/28 G02F 1/136 500 F term (Ref.)
Claims (21)
て、前記シフトレジスタの各段は、 隣接する一方の段から制御端子に供給された所定レベル
の信号によってオンし、該所定レベルの信号を電流路の
一端から他端に出力する第1のトランジスタと、 制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との
間に形成された配線に蓄積された電荷によってオンし、
外部から電流路の一端に供給される第1または第2の信
号を出力信号として電流路の他端から出力する第2のト
ランジスタと、 制御端子に隣接する他方の段の出力信号が供給され、該
他方の段の出力信号によってオンすることにより、前記
配線に蓄積された電荷を放出させる第3のトランジスタ
と、 一端が前記配線に接続されたキャパシタとを備えること
を特徴とするシフトレジスタ。1. A shift register comprising a plurality of stages, wherein each stage of the shift register is turned on by a signal of a predetermined level supplied from one of adjacent stages to a control terminal, and the signal of the predetermined level is turned on. A first transistor that outputs from one end of the current path to the other end, and is turned on by a charge accumulated in a wiring formed between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor;
A second transistor that outputs the first or second signal externally supplied to one end of the current path as an output signal from the other end of the current path, and an output signal of the other stage adjacent to the control terminal, A shift register, comprising: a third transistor that is turned on by an output signal of the other stage to release charges accumulated in the wiring; and a capacitor having one end connected to the wiring.
て、前記シフトレジスタの各段は、 外部から制御端子に供給される第3または第4の信号に
よってオンし、隣接する一方の段から電流路の一端に供
給された所定レベルの信号を電流路の他端に出力する第
1のトランジスタと、 制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との
間に形成された配線に蓄積された電荷によってオンし、
外部から電流路の一端に供給される第1または第2の信
号を出力信号として電流路の他端から出力する第2のト
ランジスタと、 制御端子に隣接する他方の段の出力信号が供給され、該
他方の段の出力信号によってオンすることにより、前記
配線に蓄積された電荷を放出させる第3のトランジスタ
と、 一端が前記配線に接続されたキャパシタとを備えること
を特徴とするシフトレジスタ。2. A shift register comprising a plurality of stages, wherein each stage of the shift register is turned on by a third or fourth signal supplied from the outside to a control terminal, and receives a current from one of adjacent stages. A first transistor that outputs a signal of a predetermined level supplied to one end of the path to the other end of the current path, and accumulates in a wiring formed between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor Turned on by the applied charge,
A second transistor that outputs the first or second signal externally supplied to one end of the current path as an output signal from the other end of the current path, and an output signal of the other stage adjacent to the control terminal, A shift register, comprising: a third transistor that is turned on by an output signal of the other stage to release charges accumulated in the wiring; and a capacitor having one end connected to the wiring.
後に立ち上がる所定の制御信号が制御端子に供給され、
該所定の制御信号によってオンすることにより、前記第
2のトランジスタの電流路の他端から出力信号を出力す
るための信号線に蓄積された電荷を放出させる第4のト
ランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項1ま
たは2に記載のシフトレジスタ。3. A predetermined control signal which rises after the first or second signal falls is supplied to a control terminal,
A fourth transistor configured to be turned on by the predetermined control signal so as to release charges accumulated in a signal line for outputting an output signal from the other end of the current path of the second transistor. The shift register according to claim 1 or 2, wherein
タの電流路の一端に供給される第1または第2の信号が
制御端子に供給され、該第1または第2の信号によって
オンすることにより、前記第2のトランジスタの電流路
の他端から出力信号を出力するための信号線に蓄積され
た電荷を放出させる第4のトランジスタをさらに備える
ことを特徴とする請求項1または2に記載のシフトレジ
スタ。4. A method according to claim 1, wherein a first or second signal supplied to one end of a current path of said second transistor in an adjacent stage is supplied to a control terminal and turned on by said first or second signal. 3. The device according to claim 1, further comprising: a fourth transistor configured to discharge a charge accumulated in a signal line for outputting an output signal from the other end of the current path of the second transistor. Shift register.
て、前記シフトレジスタの各段は、 隣接する一方の段から制御端子に供給された所定レベル
の信号によってオンし、該所定レベルの信号を電流路の
一端から他端に出力する第1のトランジスタと、 制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との
間に形成された配線に蓄積された電荷によってオンし、
負荷を介して電流路の一端に供給される信号を電流路の
他端から放出する第2のトランジスタと、 制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との
間に形成された配線に蓄積された電荷によってオンし、
外部から電流路の一端に供給される第1または第2の信
号を出力信号として電流路の他端から出力する第3のト
ランジスタと、 前記第2のトランジスタがオフしているときに負荷を介
して制御端子に供給される信号によってオンし、外部か
ら電流路の一端に供給される信号を出力信号として電流
路の他端から出力する第4のトランジスタと、 制御端子に隣接する他方の段の出力信号が供給され、該
他方の段の出力信号によってオンすることにより、前記
配線に蓄積された電荷を放出させる第5のトランジスタ
と、 一端が前記配線に接続されたキャパシタとを備えること
を特徴とするシフトレジスタ。5. A shift register comprising a plurality of stages, wherein each stage of the shift register is turned on by a signal of a predetermined level supplied from one of adjacent stages to a control terminal, and the signal of the predetermined level is turned on. A first transistor that outputs from one end of the current path to the other end, and is turned on by a charge accumulated in a wiring formed between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor;
A second transistor for emitting a signal supplied to one end of the current path via a load from the other end of the current path; and a wiring formed between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor Is turned on by the charge stored in the
A third transistor that outputs a first or second signal externally supplied to one end of the current path as an output signal from the other end of the current path, and via a load when the second transistor is off. A fourth transistor that is turned on by a signal supplied to the control terminal and outputs from the other end of the current path as an output signal a signal supplied from the outside to one end of the current path; A fifth transistor that is supplied with an output signal and that is turned on by the output signal of the other stage to release charges accumulated in the wiring; and a capacitor having one end connected to the wiring. Shift register.
て、前記シフトレジスタの各段は、 外部から制御端子に供給される第3または第4の信号に
よってオンし、隣接する一方の段から電流路の一端に供
給された所定レベルの信号を電流路の他端に出力する第
1のトランジスタと、 制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との
間に形成された配線に蓄積された電荷によってオンし、
負荷を介して電流路の一端に供給される信号を電流路の
他端から放出する第2のトランジスタと、 制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との
間に形成された配線に蓄積された電荷によってオンし、
外部から電流路の一端に供給される第1または第2の信
号を出力信号として電流路の他端から出力する第3のト
ランジスタと、 前記第2のトランジスタがオフしているときに負荷を介
して制御端子に供給される信号によってオンし、外部か
ら電流路の一端に供給される信号を出力信号として電流
路の他端から出力する第4のトランジスタと、 一端が前記配線に接続されたキャパシタとを備えること
を特徴とするシフトレジスタ。6. A shift register comprising a plurality of stages, wherein each stage of the shift register is turned on by a third or fourth signal supplied to a control terminal from the outside, and receives a current from one of adjacent stages. A first transistor that outputs a signal of a predetermined level supplied to one end of the path to the other end of the current path, and accumulates in a wiring formed between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor Turned on by the applied charge,
A second transistor for emitting a signal supplied to one end of the current path via a load from the other end of the current path; and a wiring formed between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor Is turned on by the charge stored in the
A third transistor that outputs a first or second signal externally supplied to one end of the current path as an output signal from the other end of the current path, and via a load when the second transistor is off. A fourth transistor that is turned on by a signal supplied to the control terminal and outputs from the other end of the current path as an output signal a signal supplied from the outside to one end of the current path; and a capacitor having one end connected to the wiring. And a shift register comprising:
ンに接続されたものを含むことを特徴とする請求項1乃
至6のいずれか1項に記載のシフトレジスタ。7. The shift register according to claim 1, wherein the other end of the capacitor includes a capacitor connected to a negative power supply line.
ンに接続されたものを含むことを特徴とする請求項1乃
至7のいずれか1項に記載のシフトレジスタ。8. The shift register according to claim 1, wherein the other end of the shift register includes a capacitor connected to a positive power supply line.
を含むことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項
に記載のシフトレジスタ。9. The shift register according to claim 1, wherein the capacitor includes a capacitor whose other end is grounded.
定レベルの信号は、最初に出力信号がアクティブとなる
側の端の段においては外部から所定タイミングで供給さ
れるスタート信号であり、それ以外の段においては隣接
する一方の段の出力信号であることを特徴とする請求項
1乃至9のいずれか1項に記載のシフトレジスタ。10. A signal of a predetermined level supplied to the first transistor is a start signal supplied at a predetermined timing from the outside at an end stage on the side where an output signal becomes active first. 10. The shift register according to claim 1, wherein the output signal of one of the stages is an output signal of one adjacent stage.
に位相が180°異なることを特徴とする請求項1乃至
10のいずれか1項に記載のシフトレジスタ。11. The shift register according to claim 1, wherein the first signal and the second signal have phases different from each other by 180 °.
ランジスタは、同一チャネル型の電界効果トランジスタ
であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1
項に記載のシフトレジスタ。12. The transistor according to claim 1, wherein each of the transistors constituting each of the plurality of stages is a same-channel type field effect transistor.
The shift register according to the paragraph.
せることによって所定レベルの信号を各段から順次出力
するドライバと、複数の画素によって構成され、前記ド
ライバの各段から出力された出力信号によって駆動され
る駆動素子とを備え、 前記ドライバの各段は、 隣接する一方の段から制御端子に供給された所定レベル
の信号によってオンし、該所定レベルの信号を電流路の
一端から他端に出力する第1のトランジスタと、 制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との
間に形成された配線に蓄積された電荷によってオンし、
外部から電流路の一端に供給される第1または第2の信
号を出力信号として電流路の他端から出力する第2のト
ランジスタと、 制御端子に隣接する他方の段の出力信号が供給され、該
他方の段の出力信号によってオンすることにより、前記
配線に蓄積された電荷を放出させる第3のトランジスタ
と、 一端が前記配線に接続されたキャパシタとを備えること
を特徴とする電子装置。13. A driver comprising a plurality of stages and sequentially outputting a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal, and an output signal comprising a plurality of pixels and outputted from each stage of the driver. Each stage of the driver is turned on by a signal of a predetermined level supplied from one of the adjacent stages to a control terminal, and the signal of the predetermined level is turned from one end to the other end of the current path. A first transistor that outputs a current to the first transistor, and is turned on by a charge accumulated in a wiring formed between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor;
A second transistor that outputs the first or second signal externally supplied to one end of the current path as an output signal from the other end of the current path, and an output signal of the other stage adjacent to the control terminal, An electronic device, comprising: a third transistor that is turned on by an output signal of the other stage to release charges stored in the wiring; and a capacitor having one end connected to the wiring.
せることによって所定レベルの信号を各段から順次出力
するドライバと、複数の画素によって構成され、前記ド
ライバの各段から出力された出力信号によって駆動され
る駆動素子とを備え、 前記ドライバの各段は、 外部から制御端子に供給される第3または第4の信号に
よってオンし、隣接する一方の段から電流路の一端に供
給された所定レベルの信号を電流路の他端に出力する第
1のトランジスタと、 制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との
間に形成された配線に蓄積された電荷によってオンし、
外部から電流路の一端に供給される第1または第2の信
号を出力信号として電流路の他端から出力する第2のト
ランジスタと、 制御端子に隣接する他方の段の出力信号が供給され、該
他方の段の出力信号によってオンすることにより、前記
配線に蓄積された電荷を放出させる第3のトランジスタ
と、 一端が前記配線に接続されたキャパシタとを備えること
を特徴とする電子装置。14. A driver comprising a plurality of stages and sequentially outputting a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal, and an output signal comprising a plurality of pixels and outputted from each stage of the driver. Each stage of the driver is turned on by a third or fourth signal externally supplied to a control terminal, and supplied to one end of a current path from one of the adjacent stages. A first transistor that outputs a signal of a predetermined level to the other end of the current path; and a first transistor that is turned on by a charge accumulated in a wiring formed between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor;
A second transistor that outputs the first or second signal externally supplied to one end of the current path as an output signal from the other end of the current path, and an output signal of the other stage adjacent to the control terminal, An electronic device, comprising: a third transistor that is turned on by an output signal of the other stage to release charges stored in the wiring; and a capacitor having one end connected to the wiring.
せることによって所定レベルの信号を各段から順次出力
するドライバと、複数の画素によって構成され、前記ド
ライバの各段から出力された出力信号によって駆動され
る駆動素子とを備え、 前記ドライバの各段は、 隣接する一方の段から制御端子に供給された所定レベル
の信号によってオンし、該所定レベルの信号を電流路の
一端から他端に出力する第1のトランジスタと、 制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との
間に形成された配線に蓄積された電荷によってオンし、
負荷を介して電流路の一端に供給される信号を電流路の
他端から放出する第2のトランジスタと、 制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との
間に形成された配線に蓄積された電荷によってオンし、
外部から電流路の一端に供給される第1または第2の信
号を出力信号として電流路の他端から出力する第3のト
ランジスタと、 前記第2のトランジスタがオフしているときに負荷を介
して制御端子に供給される信号によってオンし、外部か
ら電流路の一端に供給される信号を出力信号として電流
路の他端から出力する第4のトランジスタと、 制御端子に隣接する他方の段の出力信号が供給され、該
他方の段の出力信号によってオンすることにより、前記
配線に蓄積された電荷を放出させる第5のトランジスタ
と、 一端が前記配線に接続されたキャパシタとを備えること
を特徴とする電子装置。15. A driver comprising a plurality of stages and sequentially outputting a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal, and an output signal comprising a plurality of pixels and outputted from each stage of the driver. Each stage of the driver is turned on by a signal of a predetermined level supplied from one of adjacent stages to a control terminal, and the signal of the predetermined level is turned from one end to the other end of the current path. A first transistor that outputs a current to the first transistor, and is turned on by a charge accumulated in a wiring formed between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor;
A second transistor for emitting a signal supplied to one end of the current path via a load from the other end of the current path, and a wiring formed between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor Is turned on by the charge stored in the
A third transistor that outputs a first or second signal externally supplied to one end of the current path as an output signal from the other end of the current path, and via a load when the second transistor is off. A fourth transistor which is turned on by a signal supplied to the control terminal and outputs from the other end of the current path as an output signal a signal supplied from the outside to one end of the current path; A fifth transistor that is supplied with an output signal and that is turned on by the output signal of the other stage to release charges accumulated in the wiring; and a capacitor having one end connected to the wiring. Electronic device.
せることによって所定レベルの信号を各段から順次出力
するドライバと、複数の画素によって構成され、前記ド
ライバの各段から出力された出力信号によって駆動され
る駆動素子とを備え、 前記ドライバの各段は、 外部から制御端子に供給される第3または第4の信号に
よってオンし、隣接する一方の段から電流路の一端に供
給された所定レベルの信号を電流路の他端に出力する第
1のトランジスタと、 制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との
間に形成された配線に蓄積された電荷によってオンし、
負荷を介して電流路の一端に供給される信号を電流路の
他端から放出する第2のトランジスタと、 制御端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端との
間に形成された配線に蓄積された電荷によってオンし、
外部から電流路の一端に供給される第1または第2の信
号を出力信号として電流路の他端から出力する第3のト
ランジスタと、 前記第2のトランジスタがオフしているときに負荷を介
して制御端子に供給される信号によってオンし、外部か
ら電流路の一端に供給される信号を出力信号として電流
路の他端から出力する第4のトランジスタと、 一端が前記配線に接続されたキャパシタとを備えること
を特徴とする電子装置。16. A driver comprising a plurality of stages and sequentially outputting a signal of a predetermined level from each stage by shifting an output signal, and an output signal comprising a plurality of pixels and outputted from each stage of the driver Each stage of the driver is turned on by a third or fourth signal externally supplied to a control terminal, and supplied to one end of a current path from one of the adjacent stages. A first transistor that outputs a signal of a predetermined level to the other end of the current path; and a first transistor that is turned on by a charge accumulated in a wiring formed between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor;
A second transistor for emitting a signal supplied to one end of the current path via a load from the other end of the current path; and a wiring formed between a control terminal and the other end of the current path of the first transistor Is turned on by the charge stored in the
A third transistor that outputs a first or second signal externally supplied to one end of the current path as an output signal from the other end of the current path, and via a load when the second transistor is off. A fourth transistor that is turned on by a signal supplied to the control terminal and outputs from the other end of the current path as an output signal a signal supplied from the outside to one end of the current path; and a capacitor having one end connected to the wiring. An electronic device comprising:
特徴とする請求項13乃至16のいずれか1項に記載の
電子装置。17. The electronic device according to claim 13, wherein the driving element is a display element.
バの各段のいずれかの出力信号が供給され、電流路の一
端に外部から画像データが供給される第6のトランジス
タを、画素毎に備えることを特徴とする請求項17に記
載の電子装置。18. The display device according to claim 17, further comprising: a sixth transistor to which a control terminal is supplied with an output signal of any one of the stages of the driver and one end of a current path to which image data is externally supplied. The electronic device according to claim 17, comprising:
特徴とする請求項13乃至16のいずれか1項に記載の
電子装置。19. The electronic device according to claim 13, wherein said drive element is an image pickup element.
を生成する半導体層と、前記半導体層の両端にそれぞれ
接続されたドレイン電極及びソース電極と、第1ゲート
絶縁膜を介して前記半導体層の一方側に設けられた第1
ゲート電極と、第2ゲート絶縁膜を介して前記半導体層
の他方側に設けられた第2ゲート電極とを、画素毎に備
え、 前記ドライバは、出力信号を第1ゲート電極に出力する
第1のドライバと、出力信号を第2ゲート電極に出力す
る第2のドライバとを含むことを特徴とする請求項19
に記載の電子装置。20. The imaging device, comprising: a semiconductor layer that generates carriers by excitation light; a drain electrode and a source electrode connected to both ends of the semiconductor layer; and a first gate insulating film. The first provided on one side
A gate electrode, and a second gate electrode provided on the other side of the semiconductor layer via a second gate insulating film for each pixel, wherein the driver outputs an output signal to the first gate electrode. And a second driver for outputting an output signal to the second gate electrode.
An electronic device according to claim 1.
基板上に形成されていることを特徴とする請求項13乃
至20のいずれか1項に記載の電子装置。21. The electronic device according to claim 13, wherein the driver is formed on the same substrate as the drive element.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000099186A JP2001282169A (en) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | Shift register and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000099186A JP2001282169A (en) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | Shift register and electronic device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001282169A true JP2001282169A (en) | 2001-10-12 |
Family
ID=18613569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000099186A Abandoned JP2001282169A (en) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | Shift register and electronic device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001282169A (en) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004326999A (en) * | 2003-04-29 | 2004-11-18 | Ind Technol Res Inst | Shift register unit and shift register circuit including the same |
JP2005352455A (en) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Samsung Electronics Co Ltd | DRIVE DEVICE FOR DISPLAY DEVICE AND DISPLAY PANEL |
JP2006024350A (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-26 | Samsung Electronics Co Ltd | Shift register, display device having the same, and driving method of the shift register |
JP2006113202A (en) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Seiko Epson Corp | Matrix device, driving method of matrix device, electro-optical device, electronic apparatus |
JP2007114779A (en) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Toppoly Optoelectronics Corp | System involving signal driving circuit for driving display |
JP2007213062A (en) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Toppoly Optoelectronics Corp | System for displaying image utilizing two clock signals |
CN100395815C (en) * | 2005-10-11 | 2008-06-18 | 友达光电股份有限公司 | Liquid crystal display grid drive circuit and panel charging time adjusting method |
CN100397468C (en) * | 2005-08-31 | 2008-06-25 | 友达光电股份有限公司 | shift register circuit |
KR100863502B1 (en) * | 2002-07-02 | 2008-10-15 | 삼성전자주식회사 | Shift register and liquid crystal display having the same |
CN100437831C (en) * | 2006-09-25 | 2008-11-26 | 友达光电股份有限公司 | Shift register with reduced bias effect |
JP2010049791A (en) * | 2009-11-16 | 2010-03-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, shift register, and electronic apparatus |
CN101515431B (en) * | 2008-02-22 | 2011-01-19 | 财团法人工业技术研究院 | Shift Registers for Gate Drivers |
US7932887B2 (en) | 2006-06-12 | 2011-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gate driving circuit and display apparatus having the same |
JP2012022316A (en) * | 2001-05-29 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Gate driver |
US8798226B2 (en) | 2003-01-17 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse output circuit, shift register and electronic equipment |
JP2015014793A (en) * | 2014-07-14 | 2015-01-22 | Nltテクノロジー株式会社 | Display device |
US9097942B2 (en) | 2006-10-13 | 2015-08-04 | Nlt Technologies, Ltd. | Display device, and electronic device and ornamental product incorporating same |
JP2016006524A (en) * | 2015-08-03 | 2016-01-14 | Nltテクノロジー株式会社 | Display device |
CN109243371A (en) * | 2018-10-29 | 2019-01-18 | 北京大学深圳研究生院 | A kind of drive circuit unit, driving circuit and display device |
-
2000
- 2000-03-31 JP JP2000099186A patent/JP2001282169A/en not_active Abandoned
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9590632B2 (en) | 2001-05-29 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse output circuit, shift register, and display device |
US10304399B2 (en) | 2001-05-29 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse output circuit, shift register, and display device |
US9024930B2 (en) | 2001-05-29 | 2015-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse output circuit, shift register, and display device |
JP2012022316A (en) * | 2001-05-29 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Gate driver |
KR100863502B1 (en) * | 2002-07-02 | 2008-10-15 | 삼성전자주식회사 | Shift register and liquid crystal display having the same |
US8798226B2 (en) | 2003-01-17 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse output circuit, shift register and electronic equipment |
JP2004326999A (en) * | 2003-04-29 | 2004-11-18 | Ind Technol Res Inst | Shift register unit and shift register circuit including the same |
JP2005352455A (en) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Samsung Electronics Co Ltd | DRIVE DEVICE FOR DISPLAY DEVICE AND DISPLAY PANEL |
JP2006024350A (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-26 | Samsung Electronics Co Ltd | Shift register, display device having the same, and driving method of the shift register |
US8605027B2 (en) | 2004-06-30 | 2013-12-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Shift register, display device having the same and method of driving the same |
JP2006113202A (en) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Seiko Epson Corp | Matrix device, driving method of matrix device, electro-optical device, electronic apparatus |
CN100397468C (en) * | 2005-08-31 | 2008-06-25 | 友达光电股份有限公司 | shift register circuit |
CN100395815C (en) * | 2005-10-11 | 2008-06-18 | 友达光电股份有限公司 | Liquid crystal display grid drive circuit and panel charging time adjusting method |
JP2007114779A (en) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Toppoly Optoelectronics Corp | System involving signal driving circuit for driving display |
JP2007213062A (en) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Toppoly Optoelectronics Corp | System for displaying image utilizing two clock signals |
US7804475B2 (en) | 2006-02-09 | 2010-09-28 | Toppoly Optoelectronics Corp. | Systems for displaying images utilizing two clock signals |
US7932887B2 (en) | 2006-06-12 | 2011-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gate driving circuit and display apparatus having the same |
CN100437831C (en) * | 2006-09-25 | 2008-11-26 | 友达光电股份有限公司 | Shift register with reduced bias effect |
US9097942B2 (en) | 2006-10-13 | 2015-08-04 | Nlt Technologies, Ltd. | Display device, and electronic device and ornamental product incorporating same |
US10008165B2 (en) | 2006-10-13 | 2018-06-26 | Nlt Technologies, Ltd. | TFT display device including unit circuits, pixel circuits and a display element |
US10235954B2 (en) | 2006-10-13 | 2019-03-19 | Tianma Japan, Ltd. | Surface display device with a non-rectangular display surface shape and electronic device including same |
US10453408B2 (en) | 2006-10-13 | 2019-10-22 | Tianma Japan, Ltd. | Surface display device with a non-rectangular display surface shape and electronic device including same |
CN101515431B (en) * | 2008-02-22 | 2011-01-19 | 财团法人工业技术研究院 | Shift Registers for Gate Drivers |
JP2010049791A (en) * | 2009-11-16 | 2010-03-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, shift register, and electronic apparatus |
JP2015014793A (en) * | 2014-07-14 | 2015-01-22 | Nltテクノロジー株式会社 | Display device |
JP2016006524A (en) * | 2015-08-03 | 2016-01-14 | Nltテクノロジー株式会社 | Display device |
CN109243371A (en) * | 2018-10-29 | 2019-01-18 | 北京大学深圳研究生院 | A kind of drive circuit unit, driving circuit and display device |
CN109243371B (en) * | 2018-10-29 | 2020-06-16 | 北京大学深圳研究生院 | A driving circuit unit, driving circuit and display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001273785A (en) | Shift register and electronic device | |
KR100470882B1 (en) | Shift register and electronic apparatus | |
KR100393750B1 (en) | Shift register and electronic apparatus | |
JP2001282169A (en) | Shift register and electronic device | |
JP4609970B2 (en) | Liquid crystal display device | |
US7733320B2 (en) | Shift register circuit and drive control apparatus | |
TWI417847B (en) | Shift register, gate driving circuit and display panel having the same, and method thereof | |
US7215315B2 (en) | Shift register and display driving device comprising the same | |
KR101182770B1 (en) | Gate driving circuit and display device having the same | |
JP3809750B2 (en) | Shift register and electronic device | |
JP4506026B2 (en) | Shift register, display device, and image sensor | |
JP2005251348A (en) | Shift register circuit and drive control method thereof | |
JP3911923B2 (en) | Shift register and electronic device | |
JP4645047B2 (en) | Shift register circuit, drive control method thereof, and drive control apparatus | |
JP2001350438A (en) | Shift register and electronic device | |
JP3777894B2 (en) | Shift register and electronic device | |
JP5190285B2 (en) | Display device | |
JP4189585B2 (en) | Shift register circuit and electronic device | |
JP3800863B2 (en) | Display device | |
JP3997674B2 (en) | Shift register and electronic device | |
JP5158148B2 (en) | Imaging device | |
JP2002055660A (en) | Electronic device | |
JP3858136B2 (en) | Shift register and electronic device | |
JP4779165B2 (en) | Gate driver | |
JP2001014881A (en) | Shift register and electronic device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080507 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20080704 |