JP2001250842A - 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 狭ピッチの電気的接続に対応できる半導体装
置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供す
ることにある。 【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体チップ
１０の電極１２が形成された面上に、電極１２上に位置
する貫通穴２４が形成されかつ電極１２とは反対側の面
に配線２２が形成された基板２０を配置し、貫通穴２４
に導電性材料３０を充填して、電極１２と配線２２とを
電気的に接続する工程を含む。
置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供す
ることにある。 【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体チップ
１０の電極１２が形成された面上に、電極１２上に位置
する貫通穴２４が形成されかつ電極１２とは反対側の面
に配線２２が形成された基板２０を配置し、貫通穴２４
に導電性材料３０を充填して、電極１２と配線２２とを
電気的に接続する工程を含む。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
の製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】半導体チップとインターポーザとの電気
的接続に、ワイヤーボンディングやＴＡＢ（Tape Autom
ated Bonding）のように、熱、圧力又は超音波振動等の
物理的なストレスを加える方法が行われている。これら
の方法では、拡散接合又は共晶接合によって電気的な接
続を図っていたので、熱や圧力の条件設定が難しく、狭
ピッチ化に限界があった。
的接続に、ワイヤーボンディングやＴＡＢ（Tape Autom
ated Bonding）のように、熱、圧力又は超音波振動等の
物理的なストレスを加える方法が行われている。これら
の方法では、拡散接合又は共晶接合によって電気的な接
続を図っていたので、熱や圧力の条件設定が難しく、狭
ピッチ化に限界があった。
【０００３】本発明は、この問題点を解決するものであ
り、その目的は、狭ピッチの電気的接続に対応できる半
導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を
提供することにある。
り、その目的は、狭ピッチの電気的接続に対応できる半
導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を
提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る半導
体装置の製造方法は、電極を有する半導体チップと基板
とが積層され、前記基板は、前記電極の少なくとも一部
と平面的に重なる位置に貫通穴を有し、かつ、前記基板
の前記半導体チップと対向する面とは反対の面に配線を
有してなる半導体装置の製造方法であって、前記貫通穴
に導電性材料を充填して、前記電極と前記配線とを電気
的に接続する。
体装置の製造方法は、電極を有する半導体チップと基板
とが積層され、前記基板は、前記電極の少なくとも一部
と平面的に重なる位置に貫通穴を有し、かつ、前記基板
の前記半導体チップと対向する面とは反対の面に配線を
有してなる半導体装置の製造方法であって、前記貫通穴
に導電性材料を充填して、前記電極と前記配線とを電気
的に接続する。
【０００５】本発明によれば、導電性材料を充填して、
電極と配線とを電気的に接続するので、熱、圧力等の物
理的なストレスを加えなくてよい。したがって、狭ピッ
チの電極に対応することができる。
電極と配線とを電気的に接続するので、熱、圧力等の物
理的なストレスを加えなくてよい。したがって、狭ピッ
チの電極に対応することができる。
【０００６】（２）この半導体装置の製造方法におい
て、前記基板に前記貫通穴を形成した後に、前記基板を
前記半導体チップ上に配置してもよい。
て、前記基板に前記貫通穴を形成した後に、前記基板を
前記半導体チップ上に配置してもよい。
【０００７】予め基板に貫通穴を形成しておくことは容
易に行えるので、簡単な工程で、電極と配線とを電気的
に接続することができる。
易に行えるので、簡単な工程で、電極と配線とを電気的
に接続することができる。
【０００８】（３）この半導体装置の製造方法におい
て、前記基板に前記配線を形成した後に、前記基板を前
記半導体チップ上に配置してもよい。
て、前記基板に前記配線を形成した後に、前記基板を前
記半導体チップ上に配置してもよい。
【０００９】これによれば、一般的な配線基板を使用す
ることが可能である。
ることが可能である。
【００１０】（４）この半導体装置の製造方法におい
て、前記配線を、前記貫通穴上を通って形成してもよ
い。
て、前記配線を、前記貫通穴上を通って形成してもよ
い。
【００１１】これによれば、貫通穴に充填した導電性材
料と配線とを電気的に接続しやすい。
料と配線とを電気的に接続しやすい。
【００１２】（５）この半導体装置の製造方法におい
て、前記導電性材料を、インクジェット方式によって充
填してもよい。
て、前記導電性材料を、インクジェット方式によって充
填してもよい。
【００１３】（６）この半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体チップ及び前記基板を、前記導電性材料
に浸漬することで、前記導電性材料を前記貫通穴に充填
してもよい。
て、前記半導体チップ及び前記基板を、前記導電性材料
に浸漬することで、前記導電性材料を前記貫通穴に充填
してもよい。
【００１４】（７）この半導体装置の製造方法におい
て、前記導電性材料を、エネルギーによって硬化させて
もよい。
て、前記導電性材料を、エネルギーによって硬化させて
もよい。
【００１５】（８）本発明に係る半導体装置は、上記方
法によって製造されたものである。
法によって製造されたものである。
【００１６】（９）本発明に係る半導体装置は、電極を
有する半導体チップと基板とが積層され、前記基板は、
前記電極と平面的に重なる位置に貫通穴を有し、かつ、
前記基板の前記半導体チップと対向する面とは反対の面
に配線を有してなる半導体装置であって、前記貫通穴に
導電性材料が充填されてなり、前記電極と前記配線とが
電気的に接続されたものである。
有する半導体チップと基板とが積層され、前記基板は、
前記電極と平面的に重なる位置に貫通穴を有し、かつ、
前記基板の前記半導体チップと対向する面とは反対の面
に配線を有してなる半導体装置であって、前記貫通穴に
導電性材料が充填されてなり、前記電極と前記配線とが
電気的に接続されたものである。
【００１７】本発明によれば、電極と配線とを電気的に
接続する導電性材料は、貫通穴に充填されているので、
横方向に大きく拡がることがなく、狭ピッチの電極に対
応できる。
接続する導電性材料は、貫通穴に充填されているので、
横方向に大きく拡がることがなく、狭ピッチの電極に対
応できる。
【００１８】（１０）この半導体装置において、前記配
線は、前記貫通穴上を通って形成されていてもよい。
線は、前記貫通穴上を通って形成されていてもよい。
【００１９】これによれば、貫通穴の開口部から横に拡
げずに、導電性材料と配線とを電気的に接続することが
できる。
げずに、導電性材料と配線とを電気的に接続することが
できる。
【００２０】（１１）本発明に係る回路基板は、上記半
導体装置が実装されたものである。
導体装置が実装されたものである。
【００２１】（１２）本発明に係る電子機器は、上記半
導体装置を有する。
導体装置を有する。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照して説明する。
について図面を参照して説明する。
【００２３】（第１の実施の形態）図１〜図４は、本発
明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造
方法を示す図である。本実施の形態では、半導体チップ
１０と、基板２０と、が使用される。
明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造
方法を示す図である。本実施の形態では、半導体チップ
１０と、基板２０と、が使用される。
【００２４】半導体チップ１０の平面形状は一般的には
矩形である。半導体チップ１０の一方の面に、複数の電
極１２が形成されている。電極１２は、半導体チップ１
０の面の少なくとも１辺（多くの場合、平行な２辺又は
４辺）に沿って並んでいる。また、電極１２は、半導体
チップ１０の面の端部に並んでいる場合と、図１に示す
ように中央部に並んでいる場合がある。各電極１２は、
アルミニウムなどで薄く平らに形成されたパッドであ
る。電極１２の少なくとも一部を避けて半導体チップ１
０には、パッシベーション膜１４が形成されている。パ
ッシベーション膜１４は、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、
ポリイミド樹脂などで形成することができる。
矩形である。半導体チップ１０の一方の面に、複数の電
極１２が形成されている。電極１２は、半導体チップ１
０の面の少なくとも１辺（多くの場合、平行な２辺又は
４辺）に沿って並んでいる。また、電極１２は、半導体
チップ１０の面の端部に並んでいる場合と、図１に示す
ように中央部に並んでいる場合がある。各電極１２は、
アルミニウムなどで薄く平らに形成されたパッドであ
る。電極１２の少なくとも一部を避けて半導体チップ１
０には、パッシベーション膜１４が形成されている。パ
ッシベーション膜１４は、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、
ポリイミド樹脂などで形成することができる。
【００２５】電極１２には、バンプを設けてもよいが、
本発明では必須ではない。なお、バンプは、銀ペースト
などの導電ペーストや、金、ニッケル、銅、銀などの金
属で形成することができる。バンプは、無電解メッキで
形成してもよいし、ワイヤボンディングによるバンプで
あってもよい。
本発明では必須ではない。なお、バンプは、銀ペースト
などの導電ペーストや、金、ニッケル、銅、銀などの金
属で形成することができる。バンプは、無電解メッキで
形成してもよいし、ワイヤボンディングによるバンプで
あってもよい。
【００２６】基板２０の一方の面には、配線２２が形成
されている。なお、配線２２とは、少なくとも２点間の
電気的接続を図るものを指し、独立した複数の配線２２
を配線パターンと称してもよい。配線２２は、銅（Ｃ
ｕ）、クローム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル
（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）のうちのい
ずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成する
ことができる。配線２２が接着剤（図示せず）を介して
基板２０に貼り付けられて、３層基板を構成してもよ
い。この場合、フォトリソグラフィを適用した後にエッ
チングして配線２２を形成する。
されている。なお、配線２２とは、少なくとも２点間の
電気的接続を図るものを指し、独立した複数の配線２２
を配線パターンと称してもよい。配線２２は、銅（Ｃ
ｕ）、クローム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル
（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）のうちのい
ずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成する
ことができる。配線２２が接着剤（図示せず）を介して
基板２０に貼り付けられて、３層基板を構成してもよ
い。この場合、フォトリソグラフィを適用した後にエッ
チングして配線２２を形成する。
【００２７】あるいは、配線２２を、接着剤なしで基板
２０に形成して２層基板を構成してもよい。例えば、ス
パッタリング等によって配線２２を形成してもよいし、
メッキで配線２２を形成するアディティブ法を適用して
もよい。
２０に形成して２層基板を構成してもよい。例えば、ス
パッタリング等によって配線２２を形成してもよいし、
メッキで配線２２を形成するアディティブ法を適用して
もよい。
【００２８】配線２２は、ハンダ、スズ、金、ニッケル
などでメッキされていることが好ましい。共晶が作られ
るような金属メッキが施されていてもよい。配線２２の
一部は、引き回した部分よりも面積の大きいランドとな
っていてもよい。このランドには、ハンダボールなどの
外部端子を設けてもよい。
などでメッキされていることが好ましい。共晶が作られ
るような金属メッキが施されていてもよい。配線２２の
一部は、引き回した部分よりも面積の大きいランドとな
っていてもよい。このランドには、ハンダボールなどの
外部端子を設けてもよい。
【００２９】基板２０には、貫通穴２４が形成されてい
る。貫通穴２４の平面形状は、円形であっても矩形であ
ってもよい。貫通穴２４は、テーパが付されて形成され
ていてもよい。例えば、基板２０の配線２２が形成され
た面の方向に貫通穴２４が拡がっていてもよい。貫通穴
２４は、電極１２の表面（例えばパッシベーション膜１
４からの露出面）よりも小さく形成されていてもよい。
こうすることで、貫通穴２４に導電性材料３０（図３参
照）を充填したときに、導電性材料３０が電極１２から
はみ出さない。もっとも、パッシベーション膜１４の電
気的絶縁の信頼性が高ければ、パッシベーション膜１４
上に導電性材料３０が載るように、電極１２の表面（例
えばパッシベーション膜１４からの露出面）よりも貫通
穴２４を大きく形成してもよい。
る。貫通穴２４の平面形状は、円形であっても矩形であ
ってもよい。貫通穴２４は、テーパが付されて形成され
ていてもよい。例えば、基板２０の配線２２が形成され
た面の方向に貫通穴２４が拡がっていてもよい。貫通穴
２４は、電極１２の表面（例えばパッシベーション膜１
４からの露出面）よりも小さく形成されていてもよい。
こうすることで、貫通穴２４に導電性材料３０（図３参
照）を充填したときに、導電性材料３０が電極１２から
はみ出さない。もっとも、パッシベーション膜１４の電
気的絶縁の信頼性が高ければ、パッシベーション膜１４
上に導電性材料３０が載るように、電極１２の表面（例
えばパッシベーション膜１４からの露出面）よりも貫通
穴２４を大きく形成してもよい。
【００３０】図２は、基板２０の配線２２が形成された
面の平面図である。配線２２は、貫通穴２４の少なくと
も一部を開口させて（塞がないで）形成されている。例
えば、図１に示すように、配線２２を、貫通穴２４の開
口よりも小さい幅で形成し、貫通穴２４上を通して形成
してもよい。あるいは、配線２２を貫通穴２４の開口よ
りも大きい幅で、貫通穴２４を塞いで形成しても良い。
その際、配線２２に穴を形成して、貫通穴２４の一部を
開口させておけば、導電性材料３０を貫通穴２４に充填
させることができる。配線２２を、貫通穴２４を避けて
（貫通穴２４上を通さずに）形成するときには、貫通穴
２４に接近して配線２２を形成する。あるいは、配線２
２の側端と貫通穴２４の内面とを面一にしてもよい。
面の平面図である。配線２２は、貫通穴２４の少なくと
も一部を開口させて（塞がないで）形成されている。例
えば、図１に示すように、配線２２を、貫通穴２４の開
口よりも小さい幅で形成し、貫通穴２４上を通して形成
してもよい。あるいは、配線２２を貫通穴２４の開口よ
りも大きい幅で、貫通穴２４を塞いで形成しても良い。
その際、配線２２に穴を形成して、貫通穴２４の一部を
開口させておけば、導電性材料３０を貫通穴２４に充填
させることができる。配線２２を、貫通穴２４を避けて
（貫通穴２４上を通さずに）形成するときには、貫通穴
２４に接近して配線２２を形成する。あるいは、配線２
２の側端と貫通穴２４の内面とを面一にしてもよい。
【００３１】基板２０の少なくとも配線２２上には、保
護膜２６（例えばソルダーレジスト）を形成しておくこ
とが好ましい。また、基板２０の、配線２２が形成され
た面とは反対側の面には、接着剤２８を設けておいても
よい。接着剤２８は、液状で用意して基板２０に塗布し
てもよいし、シート状で用意して基板２０に貼り付けて
もよい。
護膜２６（例えばソルダーレジスト）を形成しておくこ
とが好ましい。また、基板２０の、配線２２が形成され
た面とは反対側の面には、接着剤２８を設けておいても
よい。接着剤２８は、液状で用意して基板２０に塗布し
てもよいし、シート状で用意して基板２０に貼り付けて
もよい。
【００３２】本実施の形態では、上述した基板２０を、
半導体チップ１０上に配置する。詳しくは、基板２０の
貫通穴２４を、電極１２上に配置する。そして、図３に
示すように、基板２０を半導体チップ１０に貼り付け
る。続いて、図３及び図４に示すように、導電性材料３
０を貫通穴２４に充填する。導電性材料３０は、変形可
能なもの（例えば流動体）であればよく、例えばペース
ト状、液状、ゲル状で用意する。具体的には、導電粒子
を含有した樹脂、ハンダ等を導電性材料３０とすること
ができる。なお、樹脂が使用される場合には、熱、紫外
線、光等で硬化するものであってもよい。
半導体チップ１０上に配置する。詳しくは、基板２０の
貫通穴２４を、電極１２上に配置する。そして、図３に
示すように、基板２０を半導体チップ１０に貼り付け
る。続いて、図３及び図４に示すように、導電性材料３
０を貫通穴２４に充填する。導電性材料３０は、変形可
能なもの（例えば流動体）であればよく、例えばペース
ト状、液状、ゲル状で用意する。具体的には、導電粒子
を含有した樹脂、ハンダ等を導電性材料３０とすること
ができる。なお、樹脂が使用される場合には、熱、紫外
線、光等で硬化するものであってもよい。
【００３３】導電性材料３０は、貫通穴２４に注入すれ
ばよい。また、スクリーン印刷によって導電性材料３０
を設けてもよい。あるいは、インクジェット方式（ハン
ダジェット方式）によって、導電性材料３０を充填して
もよい。あるいは、導電性材料３０を容器に溜めて、半
導体チップ１０及び基板２０を導電性材料３０に浸漬さ
せることで、導電性材料３０を充填してもよい。
ばよい。また、スクリーン印刷によって導電性材料３０
を設けてもよい。あるいは、インクジェット方式（ハン
ダジェット方式）によって、導電性材料３０を充填して
もよい。あるいは、導電性材料３０を容器に溜めて、半
導体チップ１０及び基板２０を導電性材料３０に浸漬さ
せることで、導電性材料３０を充填してもよい。
【００３４】導電性材料３０は、電極１２及び配線２２
に接触させて設ける。貫通穴２４内に隙間が形成されな
いように導電性材料３０を設けることが好ましい。ま
た、導電性材料３０は、貫通穴２４から盛り上がってい
てもよい。なお、配線２２が貫通穴２４上を通らないと
きには、貫通穴２４の開口から拡げて導電性材料３０を
設ける。
に接触させて設ける。貫通穴２４内に隙間が形成されな
いように導電性材料３０を設けることが好ましい。ま
た、導電性材料３０は、貫通穴２４から盛り上がってい
てもよい。なお、配線２２が貫通穴２４上を通らないと
きには、貫通穴２４の開口から拡げて導電性材料３０を
設ける。
【００３５】こうして、図４に示すように、貫通穴２４
に充填された導電性材料３０によって、電極１２と配線
２２とが電気的に接続される。また、導電性材料３０の
性質に応じて、熱、紫外線、光等のエネルギーを加え
て、導電性材料３０を硬化させてもよい。
に充填された導電性材料３０によって、電極１２と配線
２２とが電気的に接続される。また、導電性材料３０の
性質に応じて、熱、紫外線、光等のエネルギーを加え
て、導電性材料３０を硬化させてもよい。
【００３６】本実施の形態によれば、導電性材料３０を
貫通穴２４に充填して、電極１２と配線２２とを電気的
に接続するので、熱、圧力等の物理的なストレスを加え
なくてよい。したがって、電極１２の配列やピッチにか
かわらず、電気的な接続を行うことができる。
貫通穴２４に充填して、電極１２と配線２２とを電気的
に接続するので、熱、圧力等の物理的なストレスを加え
なくてよい。したがって、電極１２の配列やピッチにか
かわらず、電気的な接続を行うことができる。
【００３７】本実施の形態に係る半導体装置は、上述し
た半導体チップ１０、基板２０、導電性材料３０を含
む。本実施の形態によれば、電極１２と配線２２とを電
気的に接続する導電性材料３０は、貫通穴２４に充填さ
れている。したがって、配線２２が貫通穴２４上を通っ
て形成されていれば、導電性材料３０が横方向に大きく
拡がらない。そのため、狭ピッチの電極１２であって
も、隣同士の電極１２がショートすることなく、電気的
な接続が図られる。
た半導体チップ１０、基板２０、導電性材料３０を含
む。本実施の形態によれば、電極１２と配線２２とを電
気的に接続する導電性材料３０は、貫通穴２４に充填さ
れている。したがって、配線２２が貫通穴２４上を通っ
て形成されていれば、導電性材料３０が横方向に大きく
拡がらない。そのため、狭ピッチの電極１２であって
も、隣同士の電極１２がショートすることなく、電気的
な接続が図られる。
【００３８】本発明は、上記実施の形態に限定されるも
のではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実
施の形態では、予め配線２２及び貫通穴２４が形成され
た基板２０を、半導体チップ１０に貼り付けた。その代
わりに、貫通穴２４が形成されていない基板２０を半導
体チップ１０上に配置した後に、基板２０に貫通穴２４
を形成してもよい。また、配線２２が形成されていない
基板２０を半導体チップ１０上に配置した後に、基板２
０に配線２２を形成してもよい。
のではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実
施の形態では、予め配線２２及び貫通穴２４が形成され
た基板２０を、半導体チップ１０に貼り付けた。その代
わりに、貫通穴２４が形成されていない基板２０を半導
体チップ１０上に配置した後に、基板２０に貫通穴２４
を形成してもよい。また、配線２２が形成されていない
基板２０を半導体チップ１０上に配置した後に、基板２
０に配線２２を形成してもよい。
【００３９】（第２の実施の形態）本発明は、リール・
トゥ・リールの工程に対応させることができる。図５
は、リール・トゥ・リールが適用された第２の実施の形
態を示す図である。
トゥ・リールの工程に対応させることができる。図５
は、リール・トゥ・リールが適用された第２の実施の形
態を示す図である。
【００４０】基板４０には、図示しないリールに巻き取
るため、複数のスプロケットホール４２が形成されてい
てもよい。基板４０は、ＴＡＢ技術が適用される場合に
は、ＴＡＢ用基板（フィルムキャリアテープ）である
が、これに限定されるものではなく、ＣＯＦ（Chip On
Film）用基板や、ＣＯＢ（Chip On Board）用基板であ
ってもよい。
るため、複数のスプロケットホール４２が形成されてい
てもよい。基板４０は、ＴＡＢ技術が適用される場合に
は、ＴＡＢ用基板（フィルムキャリアテープ）である
が、これに限定されるものではなく、ＣＯＦ（Chip On
Film）用基板や、ＣＯＢ（Chip On Board）用基板であ
ってもよい。
【００４１】基板４０は、長尺状（テープ状）をなす基
材であり、配線４４の支持部材である。１つの半導体装
置に使用される複数の配線４４によって１つの配線パタ
ーンが構成され、長尺状の基板４０には、図示しない複
数の配線パターンが形成されている。基板４０は、フレ
キシブル性を有する。基板４０は、ポリイミド樹脂で形
成されることが多いがそれ以外の周知の材料を使用する
ことができる。
材であり、配線４４の支持部材である。１つの半導体装
置に使用される複数の配線４４によって１つの配線パタ
ーンが構成され、長尺状の基板４０には、図示しない複
数の配線パターンが形成されている。基板４０は、フレ
キシブル性を有する。基板４０は、ポリイミド樹脂で形
成されることが多いがそれ以外の周知の材料を使用する
ことができる。
【００４２】図５に示す基板４０にも貫通穴４６が形成
されており、貫通穴４６上を配線４４が通るようになっ
ている。また、配線４４は、ランド部４８を有する。ラ
ンド部４８には、ハンダボール等の外部端子を設けるこ
とができる。ランド部４８は、複数の配線２２からなる
１つの配線パターンの中央部に位置する。
されており、貫通穴４６上を配線４４が通るようになっ
ている。また、配線４４は、ランド部４８を有する。ラ
ンド部４８には、ハンダボール等の外部端子を設けるこ
とができる。ランド部４８は、複数の配線２２からなる
１つの配線パターンの中央部に位置する。
【００４３】本実施の形態で使用する半導体チップ１０
０は、端部に図示しない電極が形成されている。配線２
２は、半導体チップ１００の端部から中央部に引き回さ
れており、中央部に外部端子を設けるためのランド部４
８が形成されている。すなわち、本実施の形態では、外
部端子が半導体チップ１０の搭載領域内のみに設けられ
たＦＡＮ−ＩＮ型の半導体装置を製造する。
０は、端部に図示しない電極が形成されている。配線２
２は、半導体チップ１００の端部から中央部に引き回さ
れており、中央部に外部端子を設けるためのランド部４
８が形成されている。すなわち、本実施の形態では、外
部端子が半導体チップ１０の搭載領域内のみに設けられ
たＦＡＮ−ＩＮ型の半導体装置を製造する。
【００４４】本実施の形態でも、基板４０と半導体チッ
プ１００とを貼り付けて、第１の実施の形態で説明した
工程を行う。基板４０が長尺状をなすので、複数の半導
体チップ１００を連続的に基板４０に貼り付けて、リー
ル・ツゥ・リールで工程を行うことができる。
プ１００とを貼り付けて、第１の実施の形態で説明した
工程を行う。基板４０が長尺状をなすので、複数の半導
体チップ１００を連続的に基板４０に貼り付けて、リー
ル・ツゥ・リールで工程を行うことができる。
【００４５】（第３の実施の形態）図６は、本発明を適
用した第３の実施の形態に係る半導体装置を示す図であ
る。本実施の形態に係る半導体装置は、半導体チップ５
０及び基板６０を有する。基板６０に形成された配線６
２と、半導体チップ５０の電極５２とは、導電性材料７
０によって電気的に接続されている。基板６０は、半導
体チップ５０よりも大きい。
用した第３の実施の形態に係る半導体装置を示す図であ
る。本実施の形態に係る半導体装置は、半導体チップ５
０及び基板６０を有する。基板６０に形成された配線６
２と、半導体チップ５０の電極５２とは、導電性材料７
０によって電気的に接続されている。基板６０は、半導
体チップ５０よりも大きい。
【００４６】配線６２には、複数の外部端子８０が設け
られている。外部端子８０はハンダや金属などの、導電
性の部材で形成すればよい。本実施の形態では、外部端
子８０は、ハンダボールである。ハンダボールの形成に
は、配線６２上に盛り上がった状態でクリームハンダを
設け、これをリフロー工程で溶融させてボール状の端子
を形成してもよい。ハンダからなる外部端子８０を設け
るには、配線６２にハンダのメッキを施すことが好まし
い。
られている。外部端子８０はハンダや金属などの、導電
性の部材で形成すればよい。本実施の形態では、外部端
子８０は、ハンダボールである。ハンダボールの形成に
は、配線６２上に盛り上がった状態でクリームハンダを
設け、これをリフロー工程で溶融させてボール状の端子
を形成してもよい。ハンダからなる外部端子８０を設け
るには、配線６２にハンダのメッキを施すことが好まし
い。
【００４７】なお、ハンダボールは必ずしも必要ではな
く、基板６０の延出部をコネクタとしたり、コネクタを
実装するなどの手段で配線６２を外部へ拡張させてもよ
いし、半導体チップ５０及びそれ以外の実装部品を基板
６０上に実装して、半導体モジュールを構成してもよ
い。
く、基板６０の延出部をコネクタとしたり、コネクタを
実装するなどの手段で配線６２を外部へ拡張させてもよ
いし、半導体チップ５０及びそれ以外の実装部品を基板
６０上に実装して、半導体モジュールを構成してもよ
い。
【００４８】さらに、ハンダボールを形成せず、マザー
ボード実装時にマザーボード側に塗布されるハンダクリ
ームを利用し、その溶融時の表面張力で電気的接続部を
形成してもよい。その半導体装置は、いわゆるＬＧＡ
（Land Grid Array）型の半導体装置である。
ボード実装時にマザーボード側に塗布されるハンダクリ
ームを利用し、その溶融時の表面張力で電気的接続部を
形成してもよい。その半導体装置は、いわゆるＬＧＡ
（Land Grid Array）型の半導体装置である。
【００４９】本実施の形態に係る半導体装置は、半導体
チップの搭載領域内及びその外に外部端子が設けられた
ＦＡＮ−ＩＮ／ＯＵＴ型の半導体装置であるが、半導体
チップの搭載領域外にのみ外部端子が設けられたＦＡＮ
−ＯＵＴ型の半導体装置に本発明を適用することもでき
る。
チップの搭載領域内及びその外に外部端子が設けられた
ＦＡＮ−ＩＮ／ＯＵＴ型の半導体装置であるが、半導体
チップの搭載領域外にのみ外部端子が設けられたＦＡＮ
−ＯＵＴ型の半導体装置に本発明を適用することもでき
る。
【００５０】図７には、外部端子を有する半導体装置１
を実装した回路基板１０００が示されている。回路基板
１０００には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板
を用いることが一般的である。回路基板１０００には例
えば銅などからなる配線パターンが所望の回路となるよ
うに形成されていて、それらの配線パターンと半導体装
置１の外部端子とを機械的に接続することでそれらの電
気的導通を図る。
を実装した回路基板１０００が示されている。回路基板
１０００には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板
を用いることが一般的である。回路基板１０００には例
えば銅などからなる配線パターンが所望の回路となるよ
うに形成されていて、それらの配線パターンと半導体装
置１の外部端子とを機械的に接続することでそれらの電
気的導通を図る。
【００５１】そして、本発明を適用した半導体装置１を
有する電子機器として、図８にはノート型パーソナルコ
ンピュータ２０００、図９には携帯電話３０００が示さ
れている。
有する電子機器として、図８にはノート型パーソナルコ
ンピュータ２０００、図９には携帯電話３０００が示さ
れている。
【００５２】なお、上述した実施の形態の「半導体チッ
プ」を「電子素子」に置き換えて、電子部品を製造する
こともできる。このような電子素子を使用して製造され
る電子部品として、例えば、光素子、抵抗器、コンデン
サ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミス
タ、バリスタ、ボリューム又はヒューズなどがある。
プ」を「電子素子」に置き換えて、電子部品を製造する
こともできる。このような電子素子を使用して製造され
る電子部品として、例えば、光素子、抵抗器、コンデン
サ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミス
タ、バリスタ、ボリューム又はヒューズなどがある。
【図１】図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法を示す図である。
係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図２】図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る基板の平面図である。
係る基板の平面図である。
【図３】図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法を示す図である。
係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図４】図４は、第１の実施の形態に係る半導体装置を
示す図である。
示す図である。
【図５】図５は、本発明を適用した第２の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法を示す図である。
係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図６】図６は、本発明を適用した第２の実施の形態に
係る半導体装置を示す図である。
係る半導体装置を示す図である。
【図７】図７は、本実施の形態に係る半導体装置が実装
された回路基板を示す図である。
された回路基板を示す図である。
【図８】図８は、本実施の形態に係る半導体装置を有す
る電子機器を示す図である。
る電子機器を示す図である。
【図９】図９は、本実施の形態に係る半導体装置を有す
る電子機器を示す図である。
る電子機器を示す図である。
１０ 半導体チップ １２ 電極 ２０ 基板 ２２ 配線 ２４ 貫通穴 ３０ 導電性材料 ４０ 基板 ４４ 配線 ４６ 貫通穴 ５０ 半導体チップ ５２ 電極 ６０ 基板 ６２ 配線 ７０ 導電性材料 ８０ 外部端子 １００ 半導体チップ
Claims (12)
- 【請求項１】 電極を有する半導体チップと基板とが積
層され、前記基板は、前記電極の少なくとも一部と平面
的に重なる位置に貫通穴を有し、かつ、前記基板の前記
半導体チップと対向する面とは反対の面に配線を有して
なる半導体装置の製造方法であって、 前記貫通穴に導電性材料を充填して、前記電極と前記配
線とを電気的に接続する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記基板に前記貫通穴を形成した後に、前記基板を前記
半導体チップ上に配置する半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の半導体装置
の製造方法において、 前記基板に前記配線を形成した後に、前記基板を前記半
導体チップ上に配置する半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法において、 前記配線を、前記貫通穴上を通って形成する半導体装置
の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法において、 前記導電性材料を、インクジェット方式によって充填す
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法において、 前記半導体チップ及び前記基板を、前記導電性材料に浸
漬することで、前記導電性材料を前記貫通穴に充填する
半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１から請求項６のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法において、 前記導電性材料を、エネルギーによって硬化させる半導
体装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項１から請求項７のいずれかに記載
の方法によって製造された半導体装置。 - 【請求項９】 電極を有する半導体チップと基板とが積
層され、前記基板は、前記電極と平面的に重なる位置に
貫通穴を有し、かつ、前記基板の前記半導体チップと対
向する面とは反対の面に配線を有してなる半導体装置で
あって、 前記貫通穴に導電性材料が充填されてなり、前記電極と
前記配線とが電気的に接続された半導体装置。 - 【請求項１０】 請求項９記載の半導体装置において、 前記配線は、前記貫通穴上を通って形成されてなる半導
体装置。 - 【請求項１１】 請求項９又は請求項１０記載の半導体
装置が実装された回路基板。 - 【請求項１２】 請求項９又は請求項１０記載の半導体
装置を有する電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000061416A JP3654113B2 (ja) | 2000-03-07 | 2000-03-07 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000061416A JP3654113B2 (ja) | 2000-03-07 | 2000-03-07 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001250842A true JP2001250842A (ja) | 2001-09-14 |
| JP3654113B2 JP3654113B2 (ja) | 2005-06-02 |
Family
ID=18581557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000061416A Expired - Fee Related JP3654113B2 (ja) | 2000-03-07 | 2000-03-07 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3654113B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6720645B2 (en) | 2002-05-16 | 2004-04-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2007511091A (ja) * | 2003-11-05 | 2007-04-26 | カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー | 既製チップ構造を機能性電子システムに集積する方法 |
| EP1976355A2 (en) | 2007-03-28 | 2008-10-01 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for connecting two objects electrically |
| US7781324B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-08-24 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of producing wire-connection structure, and wire-connection structure |
| US7847406B2 (en) | 2002-11-06 | 2010-12-07 | Ricoh Company, Ltd. | Solder alloy material layer composition, electroconductive and adhesive composition, flux material layer composition, solder ball transferring sheet, bump and bump forming process, and semiconductore device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8985734B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-03-24 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Liquid jetting apparatus, piezoelectric actuator, and method for producing the liquid jetting apparatus |
-
2000
- 2000-03-07 JP JP2000061416A patent/JP3654113B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6720645B2 (en) | 2002-05-16 | 2004-04-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7847406B2 (en) | 2002-11-06 | 2010-12-07 | Ricoh Company, Ltd. | Solder alloy material layer composition, electroconductive and adhesive composition, flux material layer composition, solder ball transferring sheet, bump and bump forming process, and semiconductore device |
| JP2007511091A (ja) * | 2003-11-05 | 2007-04-26 | カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー | 既製チップ構造を機能性電子システムに集積する方法 |
| JP4854514B2 (ja) * | 2003-11-05 | 2012-01-18 | カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー | 既製チップ構造を機能性電子システムに集積する方法 |
| US7781324B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-08-24 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of producing wire-connection structure, and wire-connection structure |
| US7888807B2 (en) | 2005-06-30 | 2011-02-15 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of producing wire-connection structure, and wire-connection structure |
| EP1976355A2 (en) | 2007-03-28 | 2008-10-01 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for connecting two objects electrically |
| US8166646B2 (en) | 2007-03-28 | 2012-05-01 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for connecting two objects electrically |
| US9545015B2 (en) | 2007-03-28 | 2017-01-10 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for connecting two objects electrically |
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