JP2001244240A - 半導体ウエハの製造方法 - Google Patents
半導体ウエハの製造方法Info
- Publication number
- JP2001244240A JP2001244240A JP2000050253A JP2000050253A JP2001244240A JP 2001244240 A JP2001244240 A JP 2001244240A JP 2000050253 A JP2000050253 A JP 2000050253A JP 2000050253 A JP2000050253 A JP 2000050253A JP 2001244240 A JP2001244240 A JP 2001244240A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- active species
- semiconductor wafer
- manufacturing
- dry etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/974—Substrate surface preparation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 新規なドライエッチング工程を適用すること
により、加工変質層を除去ししかも平坦性の確保とエッ
チピットの発生の防止とを図って高品質な半導体用のウ
エハを製造する半導体ウエハの製造方法を提供する。 【解決手段】 スライシング工程１００で、インゴット
を切断してウエハを形成し、平坦化工程１０１で、ウエ
ハ面をラッピング又は研削して平坦化する。そして、加
熱工程１で、ウエハを加熱しながら、ドライエッチング
工程２を実行する。即ち、プラズマ発生過程３を実行
し、所定のガスを放電して、中性活性種を含むプラズマ
を放電管内に発生させる。そして、活性種輸送過程４を
実行し、中性活性種をプラズマから分離して、放電管の
ノズル部の開口側に輸送し、当該開口に対向するウエハ
の面に局所的に噴射する。その後、加工変質層除去過程
５の実行して、ノズル部をウエハ面に沿って移動し、ウ
エハの加工変質層をエッチング除去する。最後に、ポリ
ッシング工程１０３でウエハを鏡面研磨する。
により、加工変質層を除去ししかも平坦性の確保とエッ
チピットの発生の防止とを図って高品質な半導体用のウ
エハを製造する半導体ウエハの製造方法を提供する。 【解決手段】 スライシング工程１００で、インゴット
を切断してウエハを形成し、平坦化工程１０１で、ウエ
ハ面をラッピング又は研削して平坦化する。そして、加
熱工程１で、ウエハを加熱しながら、ドライエッチング
工程２を実行する。即ち、プラズマ発生過程３を実行
し、所定のガスを放電して、中性活性種を含むプラズマ
を放電管内に発生させる。そして、活性種輸送過程４を
実行し、中性活性種をプラズマから分離して、放電管の
ノズル部の開口側に輸送し、当該開口に対向するウエハ
の面に局所的に噴射する。その後、加工変質層除去過程
５の実行して、ノズル部をウエハ面に沿って移動し、ウ
エハの加工変質層をエッチング除去する。最後に、ポリ
ッシング工程１０３でウエハを鏡面研磨する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、シリコンウエハ
などの半導体ウエハの表面や内部に生じた加工変質層を
除去可能な半導体ウエハの製造方法に関するものであ
る。
などの半導体ウエハの表面や内部に生じた加工変質層を
除去可能な半導体ウエハの製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の半導体ウエハの製造方
法では、図１２に示すように、スライシング工程１００
と平坦化工程１０１とエッチング工程１０２とが採用さ
れている。具体的には、まず、スライシング工程１００
において、シリコン単結晶のインゴットを刃物やワイヤ
ーソー等の切断工具を用いて円盤状に切断することによ
り、半導体用のウエハを得る。しかし、この工程では、
工具の刃先の形状に応じた凹凸がウエハの表面に生じる
と共に、加工変質層がウエハ表面から２５μｍ〜５０μ
ｍ程度の深さまで形成される。そこで、平坦化工程１０
１が実行される。平坦化工程１０１は、スライシング工
程１００で生じたウエハ表面の凹凸を除去して表面を平
坦化するための工程であり、機械的構造の両面研磨装置
を用いてウエハ表面をラッピング又は研削する。しか
し、この工程では、ウエハ表面の平坦化を達成すること
ができるが、加工変質層の除去が不十分であり、ウエハ
表面から１０μｍ〜１５μｍ程度の深さの加工変質層が
残存する。エッチング工程１０２は、この残存した加工
変質層を除去する目的で行われる工程である。従来、こ
の種のエッチング工程１０２では、酸エッチングやアル
カリエッチングというウエットエッチング工程が採用さ
れていた。酸エッチング工程は、ウエハを硝酸（ＨＮＯ
3）とフッ化水素（ＨＦ）との混合溶液に浸すことで、
ウエハのシリコン（Ｓi ）を硝酸で酸化して、酸化シリ
コン（SiＯ2）を形成し、これをフッ化水素で溶解除去
する工程である。この工程においては、エッチング反応
が拡散律速で行われる。したがって、ウエハ表面のエッ
チング速度の均一性を可能な限り確保するため、ウエハ
を溶液中で回転させたり、溶液のバブリングなどが行わ
れる。一方、アルカリエッチング工程は、ＫＯＨやＮa
ＯＨなどのアルカリ溶液でウエハ表面をエッチングする
ことにより、加工変質層を除去する工程である。なお、
ウエハをさらに高品質にするため、図１２に示すよう
に、ポリッシング工程１０３を採用する場合もある。こ
のポリッシング工程１０３は、ウエハ表面を鏡面研磨す
る工程である。この工程では、一次段階，二次段階，仕
上げ段階などの複数段階の鏡面研磨を行うことで、ウエ
ハ表面の平坦性の向上を図ると共に、リップルやヘイズ
及びマイクロラフネスと呼ばれる粗さ成分の除去効率を
高めている。
法では、図１２に示すように、スライシング工程１００
と平坦化工程１０１とエッチング工程１０２とが採用さ
れている。具体的には、まず、スライシング工程１００
において、シリコン単結晶のインゴットを刃物やワイヤ
ーソー等の切断工具を用いて円盤状に切断することによ
り、半導体用のウエハを得る。しかし、この工程では、
工具の刃先の形状に応じた凹凸がウエハの表面に生じる
と共に、加工変質層がウエハ表面から２５μｍ〜５０μ
ｍ程度の深さまで形成される。そこで、平坦化工程１０
１が実行される。平坦化工程１０１は、スライシング工
程１００で生じたウエハ表面の凹凸を除去して表面を平
坦化するための工程であり、機械的構造の両面研磨装置
を用いてウエハ表面をラッピング又は研削する。しか
し、この工程では、ウエハ表面の平坦化を達成すること
ができるが、加工変質層の除去が不十分であり、ウエハ
表面から１０μｍ〜１５μｍ程度の深さの加工変質層が
残存する。エッチング工程１０２は、この残存した加工
変質層を除去する目的で行われる工程である。従来、こ
の種のエッチング工程１０２では、酸エッチングやアル
カリエッチングというウエットエッチング工程が採用さ
れていた。酸エッチング工程は、ウエハを硝酸（ＨＮＯ
3）とフッ化水素（ＨＦ）との混合溶液に浸すことで、
ウエハのシリコン（Ｓi ）を硝酸で酸化して、酸化シリ
コン（SiＯ2）を形成し、これをフッ化水素で溶解除去
する工程である。この工程においては、エッチング反応
が拡散律速で行われる。したがって、ウエハ表面のエッ
チング速度の均一性を可能な限り確保するため、ウエハ
を溶液中で回転させたり、溶液のバブリングなどが行わ
れる。一方、アルカリエッチング工程は、ＫＯＨやＮa
ＯＨなどのアルカリ溶液でウエハ表面をエッチングする
ことにより、加工変質層を除去する工程である。なお、
ウエハをさらに高品質にするため、図１２に示すよう
に、ポリッシング工程１０３を採用する場合もある。こ
のポリッシング工程１０３は、ウエハ表面を鏡面研磨す
る工程である。この工程では、一次段階，二次段階，仕
上げ段階などの複数段階の鏡面研磨を行うことで、ウエ
ハ表面の平坦性の向上を図ると共に、リップルやヘイズ
及びマイクロラフネスと呼ばれる粗さ成分の除去効率を
高めている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体ウエハの製造方法では、ウエットエッチ
ング工程を採用しているため、加工変質層は除去できる
が、ウエハの平坦性を阻害する等の問題がある。
た従来の半導体ウエハの製造方法では、ウエットエッチ
ング工程を採用しているため、加工変質層は除去できる
が、ウエハの平坦性を阻害する等の問題がある。
【０００４】すなわち、上記したように、酸エッチング
工程では、エッチング反応が拡散律速で行われるため、
ウエハを溶液中で回転させたり、溶液のバブリングなど
を行って、ウエハ表面のエッチング速度の均一性を可能
な限り確保するようにしている。しかし、これでも十分
なエッチング速度の均一性を確保することができない。
均一なエッチングを確保するためには、酸エッチング液
の濃度や流速などを精密に制御する必要があるが、ウエ
ハ中央部付近の濃度及び流速とウエハ外周部付近の濃度
及び流速とをほぼ完全に平等にすることは、実際には困
難である。このため、エッチング速度がウエハ中央部付
近とウエハ外周部付近とで無視できない程度に異り、ウ
エハ表面の平坦性が損なわれてしまう。また、酸エッチ
ングの際の反応生成物の生成による溶液の希釈効果が、
ウエハの各場所で異なることも、均一なエッチングを阻
害している。この傾向は、ウエハ径が大型化するにつれ
て顕著になり、このことが直径３００ｍｍのウエハの平
坦性向上にとって大きなマイナス要因になっている。さ
らに、硝酸とフッ化水素との混合溶液は化学的に非常に
不安定であり、管理が非常に難しい。
工程では、エッチング反応が拡散律速で行われるため、
ウエハを溶液中で回転させたり、溶液のバブリングなど
を行って、ウエハ表面のエッチング速度の均一性を可能
な限り確保するようにしている。しかし、これでも十分
なエッチング速度の均一性を確保することができない。
均一なエッチングを確保するためには、酸エッチング液
の濃度や流速などを精密に制御する必要があるが、ウエ
ハ中央部付近の濃度及び流速とウエハ外周部付近の濃度
及び流速とをほぼ完全に平等にすることは、実際には困
難である。このため、エッチング速度がウエハ中央部付
近とウエハ外周部付近とで無視できない程度に異り、ウ
エハ表面の平坦性が損なわれてしまう。また、酸エッチ
ングの際の反応生成物の生成による溶液の希釈効果が、
ウエハの各場所で異なることも、均一なエッチングを阻
害している。この傾向は、ウエハ径が大型化するにつれ
て顕著になり、このことが直径３００ｍｍのウエハの平
坦性向上にとって大きなマイナス要因になっている。さ
らに、硝酸とフッ化水素との混合溶液は化学的に非常に
不安定であり、管理が非常に難しい。
【０００５】一方、アルカリエッチング工程では、酸エ
ッチング工程と異なり、濃度及び流速の偏りによるエッ
チングの不均一は生じないが、いわゆるエッチピットが
ウエハ表面に発生するという問題がある。すなわち、Ｋ
ＯＨやＮaＯＨなどの苛性アルカリがウエハ表面を厚さ
方向にエッチングしていく際に、シリコンの結晶方位に
よってエッチング速度が異なるため、即ち、苛性アルカ
リが結晶方位によって異方性をしめすため、エッチング
後に、ウエハ表面にエッチピットが生じるのである。
ッチング工程と異なり、濃度及び流速の偏りによるエッ
チングの不均一は生じないが、いわゆるエッチピットが
ウエハ表面に発生するという問題がある。すなわち、Ｋ
ＯＨやＮaＯＨなどの苛性アルカリがウエハ表面を厚さ
方向にエッチングしていく際に、シリコンの結晶方位に
よってエッチング速度が異なるため、即ち、苛性アルカ
リが結晶方位によって異方性をしめすため、エッチング
後に、ウエハ表面にエッチピットが生じるのである。
【０００６】また、酸溶液及びアルカリ溶液共に、ウエ
ハの大口径化に伴って消費量が増大し、その廃液処理設
備の増強が強いられている。さらに、ウエハの高品質化
への要求から金属汚染などの不純物に対する規定も厳し
くなってきており、エッチング液の高純度化やその維持
管理に対して新たなコストが必要となってきているなど
の問題もある。
ハの大口径化に伴って消費量が増大し、その廃液処理設
備の増強が強いられている。さらに、ウエハの高品質化
への要求から金属汚染などの不純物に対する規定も厳し
くなってきており、エッチング液の高純度化やその維持
管理に対して新たなコストが必要となってきているなど
の問題もある。
【０００７】この発明は上述した課題を解決するために
なされたもので、新規なドライエッチング工程を適用す
ることにより、加工変質層を除去ししかも平坦性の確保
とエッチピットの発生の防止とを図って高品質な半導体
用のウエハを製造する半導体ウエハの製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
なされたもので、新規なドライエッチング工程を適用す
ることにより、加工変質層を除去ししかも平坦性の確保
とエッチピットの発生の防止とを図って高品質な半導体
用のウエハを製造する半導体ウエハの製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明は、シリコン単結晶でなるインゴッ
トを切断して半導体用のウエハを得るスライシング工程
と、スライシング工程で得たウエハの面を平坦化するた
めにウエハ面をラッピング又は研削する平坦化工程と、
平坦化工程で得たウエハの面に中性活性種を局所的に吹
き付けながら当該ウエハの加工変質層を除去するドライ
エッチング工程とを具備する半導体ウエハの製造方法で
あって、ドライエッチング工程は、放電管内に収納され
且つハロゲン元素を含む化合物のガスを、放電させて、
中性活性種を含むプラズマを発生させるプラズマ発生過
程と、プラズマ中の中性活性種をプラズマから分離し
て、この中性活性種を放電管のノズル部の開口側に輸送
し、この中性活性種を当該開口に対向するウエハの面に
局所的に吹き付ける活性種輸送過程と、ノズル部をウエ
ハ面に沿って相対的に移動させることにより、ウエハの
加工変質層をエッチング除去する加工変質層除去過程と
を有する構成とした。かかる構成により、スライシング
工程において、シリコン単結晶でなるインゴットが切断
されて半導体用のウエハが形成され、平坦化工程におい
て、このウエハの面がラッピング又は研削するされ、平
坦化される。そして、最後に、ドライエッチング工程に
おいて、ウエハの加工変質層が除去される。具体的に
は、ドライエッチング工程において、プラズマ発生過程
が実行され、放電管内のハロゲン元素を含む化合物のガ
スが放電され、中性活性種を含むプラズマが放電管内で
発生する。すると、活性種輸送過程の実行により、プラ
ズマ中の中性活性種がプラズマから分離され、この中性
活性種が放電管のノズル部の開口側に輸送されて、当該
開口に対向するウエハの面に局所的に吹き付けられる。
そして、加工変質層除去過程の実行により、ノズル部が
ウエハ面に沿って相対的に移動され、ウエハの加工変質
層がエッチング除去される。
に、請求項１の発明は、シリコン単結晶でなるインゴッ
トを切断して半導体用のウエハを得るスライシング工程
と、スライシング工程で得たウエハの面を平坦化するた
めにウエハ面をラッピング又は研削する平坦化工程と、
平坦化工程で得たウエハの面に中性活性種を局所的に吹
き付けながら当該ウエハの加工変質層を除去するドライ
エッチング工程とを具備する半導体ウエハの製造方法で
あって、ドライエッチング工程は、放電管内に収納され
且つハロゲン元素を含む化合物のガスを、放電させて、
中性活性種を含むプラズマを発生させるプラズマ発生過
程と、プラズマ中の中性活性種をプラズマから分離し
て、この中性活性種を放電管のノズル部の開口側に輸送
し、この中性活性種を当該開口に対向するウエハの面に
局所的に吹き付ける活性種輸送過程と、ノズル部をウエ
ハ面に沿って相対的に移動させることにより、ウエハの
加工変質層をエッチング除去する加工変質層除去過程と
を有する構成とした。かかる構成により、スライシング
工程において、シリコン単結晶でなるインゴットが切断
されて半導体用のウエハが形成され、平坦化工程におい
て、このウエハの面がラッピング又は研削するされ、平
坦化される。そして、最後に、ドライエッチング工程に
おいて、ウエハの加工変質層が除去される。具体的に
は、ドライエッチング工程において、プラズマ発生過程
が実行され、放電管内のハロゲン元素を含む化合物のガ
スが放電され、中性活性種を含むプラズマが放電管内で
発生する。すると、活性種輸送過程の実行により、プラ
ズマ中の中性活性種がプラズマから分離され、この中性
活性種が放電管のノズル部の開口側に輸送されて、当該
開口に対向するウエハの面に局所的に吹き付けられる。
そして、加工変質層除去過程の実行により、ノズル部が
ウエハ面に沿って相対的に移動され、ウエハの加工変質
層がエッチング除去される。
【０００９】また、添加ガスの一例として、請求項２の
発明は、請求項１に記載の半導体ウエハの製造方法にお
いて、ドライエッチング工程におけるプラズマ発生過程
の添加ガスとして、酸素ガス，水素ガス，アンモニアガ
スのうち、少なくとも一種以上のガスを用いた。また、
請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載の半
導体ウエハの製造方法において、平坦化工程とドライエ
ッチング工程との間に、平坦化工程を経たウエハを６０
℃以上３５０℃以下に加熱する加熱工程を設けた構成と
した。また、請求項４の発明は、請求項１ないし請求項
３のいずれかに記載の半導体ウエハの製造方法におい
て、ドライエッチング工程に、中性活性種を吹き付ける
ウエハの一方面側を６０℃以上に加熱すると共に、当該
面と反対側の面の温度が３５０℃を越えないように冷却
制御する温度制御過程を設けた構成としてある。さら
に、請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいず
れかに記載の半導体ウエハの製造方法において、ドライ
エッチング工程で処理されたウエハの面を鏡面研磨する
ポリッシング工程を設けた構成とした。
発明は、請求項１に記載の半導体ウエハの製造方法にお
いて、ドライエッチング工程におけるプラズマ発生過程
の添加ガスとして、酸素ガス，水素ガス，アンモニアガ
スのうち、少なくとも一種以上のガスを用いた。また、
請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載の半
導体ウエハの製造方法において、平坦化工程とドライエ
ッチング工程との間に、平坦化工程を経たウエハを６０
℃以上３５０℃以下に加熱する加熱工程を設けた構成と
した。また、請求項４の発明は、請求項１ないし請求項
３のいずれかに記載の半導体ウエハの製造方法におい
て、ドライエッチング工程に、中性活性種を吹き付ける
ウエハの一方面側を６０℃以上に加熱すると共に、当該
面と反対側の面の温度が３５０℃を越えないように冷却
制御する温度制御過程を設けた構成としてある。さら
に、請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいず
れかに記載の半導体ウエハの製造方法において、ドライ
エッチング工程で処理されたウエハの面を鏡面研磨する
ポリッシング工程を設けた構成とした。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）図１は、この発明の第１の実施形態
に係る半導体ウエハの製造方法を示すブロック図であ
る。なお、図１２に示した従来の半導体ウエハの製造方
法に係る工程と同工程については同符号を付して説明す
る。図１に示すように、この実施形態の半導体ウエハの
製造方法は、スライシング工程１００と平坦化工程１０
１と加熱工程１とドライエッチング工程２とポリッシン
グ工程１０３とを具備している。スライシング工程１０
０と平坦化工程１０１とポリッシング工程１０３とは、
従来の技術と同様である。すなわち、スライシング工程
１００は、シリコン単結晶でなるインゴットを切断して
半導体用のウエハを得る工程であり、平坦化工程１０１
は、スライシング工程１００で得たウエハを平坦化する
ためにウエハ面をラッピング又は研削する工程であり、
ポリッシング工程１０３は、ドライエッチング工程２で
処理されたウエハの面を鏡面研磨する工程である。
いて図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）図１は、この発明の第１の実施形態
に係る半導体ウエハの製造方法を示すブロック図であ
る。なお、図１２に示した従来の半導体ウエハの製造方
法に係る工程と同工程については同符号を付して説明す
る。図１に示すように、この実施形態の半導体ウエハの
製造方法は、スライシング工程１００と平坦化工程１０
１と加熱工程１とドライエッチング工程２とポリッシン
グ工程１０３とを具備している。スライシング工程１０
０と平坦化工程１０１とポリッシング工程１０３とは、
従来の技術と同様である。すなわち、スライシング工程
１００は、シリコン単結晶でなるインゴットを切断して
半導体用のウエハを得る工程であり、平坦化工程１０１
は、スライシング工程１００で得たウエハを平坦化する
ためにウエハ面をラッピング又は研削する工程であり、
ポリッシング工程１０３は、ドライエッチング工程２で
処理されたウエハの面を鏡面研磨する工程である。
【００１１】この実施形態は、上記のようにスライシン
グ工程１００と平坦化工程１０１とポリッシング工程１
０３とにおいては、従来の技術と同様であるが、平坦化
工程１０１の後段に加熱工程１を設けると共に、エッチ
ング工程を、ウエットエッチング工程１０２でなく ド
ライエッチング工程２にした点が従来と異なる。従っ
て、以下、この加熱工程１とドライエッチング工程２に
ついてのみ詳細に説明する。加熱工程１は、図１に示す
ように、平坦化工程１０１とドライエッチング工程２と
の間に設けられ、ウエハを６０℃以上３５０℃以下に加
熱する工程である。また、ドライエッチング工程２は、
平坦化工程１０１で得たウエハの面に中性活性種を局所
的に吹き付けながら当該ウエハの加工変質層を除去する
工程であり、プラズマ発生過程３と活性種輸送過程４と
加工変質層除去過程５とを実行する。図２は、加熱工程
１及びドライエッチング工程２を具体的に実行するため
の局所エッチング装置を示す概略構成図である。この局
所エッチング装置は、プラズマ発生器１０と、アルミナ
放電管２０と、ガス供給装置３０、Ｘ−Ｙ駆動機構５
０、ウエハ加熱部７０を具備している。
グ工程１００と平坦化工程１０１とポリッシング工程１
０３とにおいては、従来の技術と同様であるが、平坦化
工程１０１の後段に加熱工程１を設けると共に、エッチ
ング工程を、ウエットエッチング工程１０２でなく ド
ライエッチング工程２にした点が従来と異なる。従っ
て、以下、この加熱工程１とドライエッチング工程２に
ついてのみ詳細に説明する。加熱工程１は、図１に示す
ように、平坦化工程１０１とドライエッチング工程２と
の間に設けられ、ウエハを６０℃以上３５０℃以下に加
熱する工程である。また、ドライエッチング工程２は、
平坦化工程１０１で得たウエハの面に中性活性種を局所
的に吹き付けながら当該ウエハの加工変質層を除去する
工程であり、プラズマ発生過程３と活性種輸送過程４と
加工変質層除去過程５とを実行する。図２は、加熱工程
１及びドライエッチング工程２を具体的に実行するため
の局所エッチング装置を示す概略構成図である。この局
所エッチング装置は、プラズマ発生器１０と、アルミナ
放電管２０と、ガス供給装置３０、Ｘ−Ｙ駆動機構５
０、ウエハ加熱部７０を具備している。
【００１２】プラズマ発生器１０は、アルミナ放電管２
０内のガスを放電させて中性活性種Ｇを含んだプラズマ
を生成するための器機であり、マイクロ波発振器１１と
導波管１２とよりなる。マイクロ波発振器１１は、マグ
ネトロンであり、所定周波数のマイクロ波Ｍを発振する
ことができる。導波管１２は、マイクロ波発振器１１か
ら発振されたマイクロ波Ｍを伝搬するためのもので、ア
ルミナ放電管２０に外挿されている。このような導波管
１２の左側端内部には、マイクロ波Ｍを反射して定在波
を形成する反射板（ショートプランジャ）１３ａが取り
付けられている。また、導波管１２の中途には、マイク
ロ波Ｍの位相合わせを行う３スタブチューナ１３ｂと、
マイクロ波発振器１１に向かう反射マイクロ波Ｍを９０
゜方向（図２の表面方向）に曲げるアイソレータ１３ｃ
とが取り付けられている。
０内のガスを放電させて中性活性種Ｇを含んだプラズマ
を生成するための器機であり、マイクロ波発振器１１と
導波管１２とよりなる。マイクロ波発振器１１は、マグ
ネトロンであり、所定周波数のマイクロ波Ｍを発振する
ことができる。導波管１２は、マイクロ波発振器１１か
ら発振されたマイクロ波Ｍを伝搬するためのもので、ア
ルミナ放電管２０に外挿されている。このような導波管
１２の左側端内部には、マイクロ波Ｍを反射して定在波
を形成する反射板（ショートプランジャ）１３ａが取り
付けられている。また、導波管１２の中途には、マイク
ロ波Ｍの位相合わせを行う３スタブチューナ１３ｂと、
マイクロ波発振器１１に向かう反射マイクロ波Ｍを９０
゜方向（図２の表面方向）に曲げるアイソレータ１３ｃ
とが取り付けられている。
【００１３】アルミナ放電管２０は、下端部にノズル部
２０ａを有した長状の円筒体であり、上端部には、ガス
供給装置３０の供給パイプ３１が連結されている。ガス
供給装置３０は、アルミナ放電管２０内にガスを供給す
るための装置であり、ＳＦ6（六フッ化硫黄）ガスのボ
ンベ３２ａとＨ2（水素）ガスのボンベ３２ｂとを有
し、ボンベ３２ａ，３２ｂがそれぞれバルブ３３ａと流
量制御器３４ａを介して供給パイプ３１に連結されてい
る。
２０ａを有した長状の円筒体であり、上端部には、ガス
供給装置３０の供給パイプ３１が連結されている。ガス
供給装置３０は、アルミナ放電管２０内にガスを供給す
るための装置であり、ＳＦ6（六フッ化硫黄）ガスのボ
ンベ３２ａとＨ2（水素）ガスのボンベ３２ｂとを有
し、ボンベ３２ａ，３２ｂがそれぞれバルブ３３ａと流
量制御器３４ａを介して供給パイプ３１に連結されてい
る。
【００１４】ウエハＷは、チャンバ４０内のチャック４
１上に配置されると、チャック４１の静電気力で吸着さ
れるようになっている。チャンバ４０には、真空ポンプ
４２が取り付けられており、この真空ポンプ４２によっ
てチャンバ４０内を真空にすることができる。また、チ
ャンバ４０の上面中央部には、孔４３が穿設され、この
孔４３を介してアルミナ放電管２０のノズル部２０ａが
チャンバ４０内に挿入されている。また、孔４３とアル
ミナ放電管２０との間にはＯ−リング４４が装着され、
孔４３とアルミナ放電管２０との間が気密に保持されて
いる。
１上に配置されると、チャック４１の静電気力で吸着さ
れるようになっている。チャンバ４０には、真空ポンプ
４２が取り付けられており、この真空ポンプ４２によっ
てチャンバ４０内を真空にすることができる。また、チ
ャンバ４０の上面中央部には、孔４３が穿設され、この
孔４３を介してアルミナ放電管２０のノズル部２０ａが
チャンバ４０内に挿入されている。また、孔４３とアル
ミナ放電管２０との間にはＯ−リング４４が装着され、
孔４３とアルミナ放電管２０との間が気密に保持されて
いる。
【００１５】Ｘ−Ｙ駆動機構５０は、このようなチャン
バ４０内に配されており、チャック４１を下方から支持
している。このＸ−Ｙ駆動機構５０は、そのＸ駆動モー
タ５１によってチャック４１を図２の左右に移動させ、
そのＹ駆動モータ５２によってチャック４１とＸ駆動モ
ータ５１とを一体に図２の紙面表裏に移動させる。すな
わち、このＸ−Ｙ駆動機構５０によって、ノズル部２０
ａをウエハＷに対して相対的にＸ−Ｙ方向に移動させる
ことができる。このＸ−Ｙ駆動部５０のＸ駆動モータ５
１及びＹ駆動モータ５２の駆動制御は、制御コンピュー
タ４９が所定のプログラムに基づいて行う。
バ４０内に配されており、チャック４１を下方から支持
している。このＸ−Ｙ駆動機構５０は、そのＸ駆動モー
タ５１によってチャック４１を図２の左右に移動させ、
そのＹ駆動モータ５２によってチャック４１とＸ駆動モ
ータ５１とを一体に図２の紙面表裏に移動させる。すな
わち、このＸ−Ｙ駆動機構５０によって、ノズル部２０
ａをウエハＷに対して相対的にＸ−Ｙ方向に移動させる
ことができる。このＸ−Ｙ駆動部５０のＸ駆動モータ５
１及びＹ駆動モータ５２の駆動制御は、制御コンピュー
タ４９が所定のプログラムに基づいて行う。
【００１６】ウエハ加熱部７０は、ウエハＷ全体を略均
一な温度に加熱するためのヒーターであり、電熱線７１
と、電熱線７１に電圧を印加するための電源７２と、電
源７２から電熱線７１に印加する電圧を制御する電圧昇
降器７３とを有している。電熱線７１は、図３に示すよ
うに、一定の線間隔Ｌで渦巻き状に折り曲げられてお
り、その直径Ｄは、ウエハＷ（二点鎖線で示す）の直径
よりも若干大きめに設定されている。このような電熱線
７１は、図２に示すように、チャック４１の内部又は下
部に収納され、チャック４１上に載置されたウエハＷの
裏面の全面に対向している。即ち、電熱線７１はウエハ
Ｗの裏面全面に沿って渦巻き状に折れ曲がった状態で、
ウエハＷの下側に配置されている。そして、電熱線７１
の両端がチャック４１から引き出され、チャンバ４０外
部の電圧昇降器７３に電気的に接続され、この電圧昇降
器７３が電源７２に電気的に接続されている。
一な温度に加熱するためのヒーターであり、電熱線７１
と、電熱線７１に電圧を印加するための電源７２と、電
源７２から電熱線７１に印加する電圧を制御する電圧昇
降器７３とを有している。電熱線７１は、図３に示すよ
うに、一定の線間隔Ｌで渦巻き状に折り曲げられてお
り、その直径Ｄは、ウエハＷ（二点鎖線で示す）の直径
よりも若干大きめに設定されている。このような電熱線
７１は、図２に示すように、チャック４１の内部又は下
部に収納され、チャック４１上に載置されたウエハＷの
裏面の全面に対向している。即ち、電熱線７１はウエハ
Ｗの裏面全面に沿って渦巻き状に折れ曲がった状態で、
ウエハＷの下側に配置されている。そして、電熱線７１
の両端がチャック４１から引き出され、チャンバ４０外
部の電圧昇降器７３に電気的に接続され、この電圧昇降
器７３が電源７２に電気的に接続されている。
【００１７】かかる局所エッチング装置によるドライエ
ッチング工程２の実行方法は、次のようにして行う。ま
ず、図１において、ウエハＷをチャック４１に吸着させ
た状態で、真空ポンプ４２を駆動してチャンバ４０内を
約１００Ｐａの低気圧状態にする。
ッチング工程２の実行方法は、次のようにして行う。ま
ず、図１において、ウエハＷをチャック４１に吸着させ
た状態で、真空ポンプ４２を駆動してチャンバ４０内を
約１００Ｐａの低気圧状態にする。
【００１８】そして、加熱工程１を実行する。すなわ
ち、ウエハ加熱部７０の電源７２をオン状態にすると共
に、電圧昇降器７３で電熱線７１に印加される電圧を制
御し、電熱線７１の温度を６０゜Ｃ以上３５０゜Ｃ以下
の範囲内温度まで上昇させ、チャック４１上のウエハＷ
全体を均一な温度に加熱する。
ち、ウエハ加熱部７０の電源７２をオン状態にすると共
に、電圧昇降器７３で電熱線７１に印加される電圧を制
御し、電熱線７１の温度を６０゜Ｃ以上３５０゜Ｃ以下
の範囲内温度まで上昇させ、チャック４１上のウエハＷ
全体を均一な温度に加熱する。
【００１９】この状態で、ドライエッチング工程２をを
実行する。ドライエッチング工程２においては、まず、
プラズマ発生過程３が実行される。プラズマ発生過程３
は、アルミナ放電管２０内の混合ガスを、放電させて、
中性活性種Ｇを含むプラズマを発生させる過程である。
具体的には、ガス供給装置３０のバルブ３３ａを開き、
ボンベ３２ａ内のＳＦ6ガスとボンベ３２ｂ内のＨ2ガス
とを供給パイプ３１に流出して、この混合ガスをアルミ
ナ放電管２０内に供給する。このとき、バルブ３３ａの
開度を調整して、ＳＦ6ガスとＨ2ガスとの圧力を所定値
に維持すると共に、流量制御器３４ａにより混合ガスの
流量を８００ＳＣＣＭに調整する。そして、上記混合ガ
スの供給作業と並行して、マイクロ波発振器１１を駆動
し、パワー１ｋＷで周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波
Ｍを出力する。すると、ＳＦ6ガスがマイクロ波Ｍによ
って放電されて、Ｆ（フッ素）原子などの中性活性種Ｇ
を含んだプラズマが生成される。
実行する。ドライエッチング工程２においては、まず、
プラズマ発生過程３が実行される。プラズマ発生過程３
は、アルミナ放電管２０内の混合ガスを、放電させて、
中性活性種Ｇを含むプラズマを発生させる過程である。
具体的には、ガス供給装置３０のバルブ３３ａを開き、
ボンベ３２ａ内のＳＦ6ガスとボンベ３２ｂ内のＨ2ガス
とを供給パイプ３１に流出して、この混合ガスをアルミ
ナ放電管２０内に供給する。このとき、バルブ３３ａの
開度を調整して、ＳＦ6ガスとＨ2ガスとの圧力を所定値
に維持すると共に、流量制御器３４ａにより混合ガスの
流量を８００ＳＣＣＭに調整する。そして、上記混合ガ
スの供給作業と並行して、マイクロ波発振器１１を駆動
し、パワー１ｋＷで周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波
Ｍを出力する。すると、ＳＦ6ガスがマイクロ波Ｍによ
って放電されて、Ｆ（フッ素）原子などの中性活性種Ｇ
を含んだプラズマが生成される。
【００２０】そして、活性種輸送過程４が実行される。
すなわち、放電で生じた各種のガスが、長いアルミナ放
電管２０内をノズル部２０ａの開口２０ｂ側に輸送さ
れ、放電部位から遠く離れたウエハＷの表面に吹き付け
られる。このとき、輸送中のガス内の電子やイオンなど
の荷電粒子がアルミナ放電管２０の内壁や他の粒子に頻
繁に衝突し、ノズル部２０ａの開口２０ｂから噴射され
る前に消滅する。この結果、衝突で消滅しにくく寿命が
長い中性Ｆラジカルの中性活性種ＧのみがウエハＷの表
面に噴射されることとなる。従って、あたかもプラズマ
中の中性活性種Ｇがプラズマから分離されてウエハＷの
表面側に輸送された状態になる。
すなわち、放電で生じた各種のガスが、長いアルミナ放
電管２０内をノズル部２０ａの開口２０ｂ側に輸送さ
れ、放電部位から遠く離れたウエハＷの表面に吹き付け
られる。このとき、輸送中のガス内の電子やイオンなど
の荷電粒子がアルミナ放電管２０の内壁や他の粒子に頻
繁に衝突し、ノズル部２０ａの開口２０ｂから噴射され
る前に消滅する。この結果、衝突で消滅しにくく寿命が
長い中性Ｆラジカルの中性活性種ＧのみがウエハＷの表
面に噴射されることとなる。従って、あたかもプラズマ
中の中性活性種Ｇがプラズマから分離されてウエハＷの
表面側に輸送された状態になる。
【００２１】この状態で、加工変質層除去過程５を実行
する。加工変質層除去過程５は、ノズル部２０ａをウエ
ハＷの表面に沿って相対的に移動させることにより、ウ
エハＷの加工変質層をエッチング除去する過程である。
具体的には、制御コンピュータ４９によりＸ−Ｙ駆動機
構５０を駆動し、ウエハＷを吸着したチャック４１をＸ
−Ｙ方向にジグザグ状に移動させる。すなわち、図４に
示すように、ノズル部２０ａをウエハＷに対して相対的
に上下にジグザグ状に走査させる。このとき、ノズル部
２０ａのウエハＷに対する相対速度は、相対厚部の厚さ
に略反比例するように設定しておく。これにより、図５
に示すように、ノズル部２０ａが非相対厚部Ｗｂの真上
を高速度で移動し、相対厚部Ｗａの上方にくると相対厚
部Ｗａの厚さに応じて速度を下げる。この結果、相対厚
部Ｗａに対するエッチング時間が長くなり、相対厚部Ｗ
ａが平坦に削られることとなる。このようにして、ウエ
ハＷの表面全面を順次局所エッチングすることで、ウエ
ハＷの表面から１０μｍ〜１５μｍ程度の深さの加工変
質層Ｂをエッチング除去すると共に、ウエハＷ表面を平
坦化することができる。
する。加工変質層除去過程５は、ノズル部２０ａをウエ
ハＷの表面に沿って相対的に移動させることにより、ウ
エハＷの加工変質層をエッチング除去する過程である。
具体的には、制御コンピュータ４９によりＸ−Ｙ駆動機
構５０を駆動し、ウエハＷを吸着したチャック４１をＸ
−Ｙ方向にジグザグ状に移動させる。すなわち、図４に
示すように、ノズル部２０ａをウエハＷに対して相対的
に上下にジグザグ状に走査させる。このとき、ノズル部
２０ａのウエハＷに対する相対速度は、相対厚部の厚さ
に略反比例するように設定しておく。これにより、図５
に示すように、ノズル部２０ａが非相対厚部Ｗｂの真上
を高速度で移動し、相対厚部Ｗａの上方にくると相対厚
部Ｗａの厚さに応じて速度を下げる。この結果、相対厚
部Ｗａに対するエッチング時間が長くなり、相対厚部Ｗ
ａが平坦に削られることとなる。このようにして、ウエ
ハＷの表面全面を順次局所エッチングすることで、ウエ
ハＷの表面から１０μｍ〜１５μｍ程度の深さの加工変
質層Ｂをエッチング除去すると共に、ウエハＷ表面を平
坦化することができる。
【００２２】このように、この実施形態の半導体ウエハ
の製造方法に係るドライエッチング工程２によれば、従
来の酸エッチング工程のようにエッチング液の濃度及び
流速が偏るという事態が発生しないので、平坦化工程１
０１で達成されたウエハＷ全面の平坦性を損なうことな
く、加工変質層Ｂを除去することができる。また、酸エ
ッチングの際の反応生成物の生成による溶液の希釈効果
が、ウエハの各場所で異なるということもないので、直
径３００ｍｍという大型のウエハＷに対しても平坦性を
確保しながら加工変質層を除去することができる。さら
に、中性活性種により、ウエハＷを化学的にエッチング
するので、ウエハＷのシリコンの結晶方位に拘わらず、
エッチング速度が同一である。すなわち、ウエハＷのシ
リコンは等方形状にエッチングされるため、ウエハＷの
表面にエッチピットが生じることはない。
の製造方法に係るドライエッチング工程２によれば、従
来の酸エッチング工程のようにエッチング液の濃度及び
流速が偏るという事態が発生しないので、平坦化工程１
０１で達成されたウエハＷ全面の平坦性を損なうことな
く、加工変質層Ｂを除去することができる。また、酸エ
ッチングの際の反応生成物の生成による溶液の希釈効果
が、ウエハの各場所で異なるということもないので、直
径３００ｍｍという大型のウエハＷに対しても平坦性を
確保しながら加工変質層を除去することができる。さら
に、中性活性種により、ウエハＷを化学的にエッチング
するので、ウエハＷのシリコンの結晶方位に拘わらず、
エッチング速度が同一である。すなわち、ウエハＷのシ
リコンは等方形状にエッチングされるため、ウエハＷの
表面にエッチピットが生じることはない。
【００２３】また、この実施形態の半導体ウエハの製造
方法は、ガスを用いたドライエッチング工程２を採用し
ているので、ガスの管理が非常に容易であり、廃ガス処
理設備も低コストで作ることができる。また、エッチン
グガスはエッチング液と異なり、その高純度化やその維
持管理に対して新たなコストを必要としない。さらに、
この実施形態の半導体ウエハの製造方法では、加熱工程
１を設けているので、ウエハＷの加熱によって、中性活
性種ＧとウエハＷのシリコンとの反応速度を増大させる
ことができ、この結果、エッチングレートの向上を図る
ことができる。最後に、上記ドライエッチング工程２の
完了後、図１に示すように、ポリッシング工程１０３を
実行してこの実施形態の半導体ウエハの製造方法を完了
する。
方法は、ガスを用いたドライエッチング工程２を採用し
ているので、ガスの管理が非常に容易であり、廃ガス処
理設備も低コストで作ることができる。また、エッチン
グガスはエッチング液と異なり、その高純度化やその維
持管理に対して新たなコストを必要としない。さらに、
この実施形態の半導体ウエハの製造方法では、加熱工程
１を設けているので、ウエハＷの加熱によって、中性活
性種ＧとウエハＷのシリコンとの反応速度を増大させる
ことができ、この結果、エッチングレートの向上を図る
ことができる。最後に、上記ドライエッチング工程２の
完了後、図１に示すように、ポリッシング工程１０３を
実行してこの実施形態の半導体ウエハの製造方法を完了
する。
【００２４】（第２の実施形態）図６は、この発明の第
２の実施形態に係る半導体ウエハの製造方法を示すブロ
ック図である。この実施形態は、図６に示すように、第
１の実施形態に採用された加熱工程１を設けず、代わり
に、ドライエッチング工程２に温度制御過程６を設けた
点が上記第１の実施形態と異なる。温度制御過程６は、
中性活性種Ｇを吹き付けるウエハＷの一方面側を６０℃
以上に加熱すると共に、当該面と反対側の面の温度が３
５０℃を越えないように冷却制御する過程である。上記
第１の実施形態では、加熱工程１において、ウエハＷ全
体を６０℃〜３５０℃の範囲で加熱し、同時にドライエ
ッチング工程２を実行する。このため、エッチング時の
反応熱により、ウエハＷが３５０℃を越える温度まで昇
温することがある。配線パターンが形成されているウエ
ハＷにおいて、配線パターンが形成されている面をこの
ような高温で加熱することは好ましくない。そこで、こ
のようなウエハＷをドライエッチングする場合に対応で
きるように、温度制御過程６を設けたのである。
２の実施形態に係る半導体ウエハの製造方法を示すブロ
ック図である。この実施形態は、図６に示すように、第
１の実施形態に採用された加熱工程１を設けず、代わり
に、ドライエッチング工程２に温度制御過程６を設けた
点が上記第１の実施形態と異なる。温度制御過程６は、
中性活性種Ｇを吹き付けるウエハＷの一方面側を６０℃
以上に加熱すると共に、当該面と反対側の面の温度が３
５０℃を越えないように冷却制御する過程である。上記
第１の実施形態では、加熱工程１において、ウエハＷ全
体を６０℃〜３５０℃の範囲で加熱し、同時にドライエ
ッチング工程２を実行する。このため、エッチング時の
反応熱により、ウエハＷが３５０℃を越える温度まで昇
温することがある。配線パターンが形成されているウエ
ハＷにおいて、配線パターンが形成されている面をこの
ような高温で加熱することは好ましくない。そこで、こ
のようなウエハＷをドライエッチングする場合に対応で
きるように、温度制御過程６を設けたのである。
【００２５】図７は、第２の実施形態に適用される局所
エッチング装置を一部破断して示す断面図である。符号
９０がこの温度制御過程６を実行可能な温度制御装置で
あり、冷却部９１と加熱部９５とを有している。
エッチング装置を一部破断して示す断面図である。符号
９０がこの温度制御過程６を実行可能な温度制御装置で
あり、冷却部９１と加熱部９５とを有している。
【００２６】冷却部９１は、パイプ９２と、パイプ９２
に冷媒を供給するためのポンプ９３と、ポンプ９３から
パイプ９２に供給する冷媒の流量を制御する流量調整器
９４とを有している。具体的には、パイプ９２が、ウエ
ハＷの裏面全面に沿って渦巻き状に折れ曲がった状態
で、チャック４１の内部に収納されている。そして、パ
イプ９２の両端がチャック４１から引き出され、流量調
整器９４に接続され、この流量調整器９４がポンプ９３
に接続されている。
に冷媒を供給するためのポンプ９３と、ポンプ９３から
パイプ９２に供給する冷媒の流量を制御する流量調整器
９４とを有している。具体的には、パイプ９２が、ウエ
ハＷの裏面全面に沿って渦巻き状に折れ曲がった状態
で、チャック４１の内部に収納されている。そして、パ
イプ９２の両端がチャック４１から引き出され、流量調
整器９４に接続され、この流量調整器９４がポンプ９３
に接続されている。
【００２７】一方、加熱部９５は、ハロゲンヒータ９６
と電源９７とを有している。具体的には、ハロゲンヒー
タ９６の図示しないランプから赤外線Ｓをチャンバ４０
の窓を通じてウエハＷの表面全面に照射して、ウエハＷ
の表面側を均一に加熱する。
と電源９７とを有している。具体的には、ハロゲンヒー
タ９６の図示しないランプから赤外線Ｓをチャンバ４０
の窓を通じてウエハＷの表面全面に照射して、ウエハＷ
の表面側を均一に加熱する。
【００２８】この温度制御装置９０による温度制御過程
６の実行は、次のようにして行う。すなわち、パターン
などが形成され且つ３５０℃以上に加熱してはいけない
面をチャック４１側に向けて、ウエハＷをチャック４１
に載置し、加熱部９５のハロゲンヒータ９６から赤外線
ＳをウエハＷの表面に照射し、ウエハＷを加熱する。そ
して、中性活性種ＧとウエハＷのシリコンとの反応熱に
よって、ウエハＷの温度が３５０℃に近づいたときに、
冷却部９１の冷却部９１を駆動して、冷媒をパイプ９２
に供給する。同時に、流量調整器９４によって冷媒の流
量を調整し、ウエハＷ裏面の温度を３５０℃以下に維持
する。その他の構成，作用及び効果は上記第１の実勢形
態と同様であるので、その記載は省略する。
６の実行は、次のようにして行う。すなわち、パターン
などが形成され且つ３５０℃以上に加熱してはいけない
面をチャック４１側に向けて、ウエハＷをチャック４１
に載置し、加熱部９５のハロゲンヒータ９６から赤外線
ＳをウエハＷの表面に照射し、ウエハＷを加熱する。そ
して、中性活性種ＧとウエハＷのシリコンとの反応熱に
よって、ウエハＷの温度が３５０℃に近づいたときに、
冷却部９１の冷却部９１を駆動して、冷媒をパイプ９２
に供給する。同時に、流量調整器９４によって冷媒の流
量を調整し、ウエハＷ裏面の温度を３５０℃以下に維持
する。その他の構成，作用及び効果は上記第１の実勢形
態と同様であるので、その記載は省略する。
【００２９】（第３実施形態）この実施形態は、ドライ
エッチング工程２において、ウエハＷの両面を同時にエ
ッチングする点が上記第１の実施形態と異なる。図８
は、この実施形態のドライエッチング工程２を実行する
ための両面局所エッチング装置を示す断面図であり、図
９はノズル部２０ａをウエハＷに沿って相対的に移動さ
せて加工変質層除去過程５を実行する手段を示す側面図
である。図８に示すように、両面局所エッチング装置
は、チャンバ４０′の両側に、互いに対向する２台のプ
ラズマ発生器１０−１，１０−２を備え、各プラズマ発
生器１０−１，１０−２にガス供給装置３０−１，３０
−２が接続されている。このようなプラズマ発生器１０
−１，１０−２において、アルミナ放電管２０は、チャ
ンバ４０′内に挿入されており、ノズル部２０ａがウエ
ハＷの両面に近接されている。このウエハＷは、チャン
バ４０′内に設けられたホルダ８によって保持されてい
る。具体的には、図９に示すように、ウエハＷの外周縁
が４つのクランプ８０によって支持されている。そし
て、ホルダ８がＺ軸レール８１に沿ってスライド可能な
Ｚ軸スライダ８３に保持されている。また、Ｚ軸レール
８１は、Ｘ軸レール８４に沿ってスライド可能なＸ軸ス
ライダ８５に立設されている。かかる構成により、Ｘ軸
スライダ８５をＸ軸レール８４に沿って左右方向に移動
させると共にＺ軸スライダ８３をＺ軸レール８１に沿っ
て上下方向に移動させながら、プラズマ発生器１０−
１，１０−２のノズル部２０ａから中性活性種Ｇを噴射
することで、ウエハＷの両面を同時にエッチングし、ウ
エハＷ両面の加工変質層除去過程５を同時に達成するこ
とができる。その他の構成，作用効果は上記第１の実施
形態と同様であるので、その記載は省略する。
エッチング工程２において、ウエハＷの両面を同時にエ
ッチングする点が上記第１の実施形態と異なる。図８
は、この実施形態のドライエッチング工程２を実行する
ための両面局所エッチング装置を示す断面図であり、図
９はノズル部２０ａをウエハＷに沿って相対的に移動さ
せて加工変質層除去過程５を実行する手段を示す側面図
である。図８に示すように、両面局所エッチング装置
は、チャンバ４０′の両側に、互いに対向する２台のプ
ラズマ発生器１０−１，１０−２を備え、各プラズマ発
生器１０−１，１０−２にガス供給装置３０−１，３０
−２が接続されている。このようなプラズマ発生器１０
−１，１０−２において、アルミナ放電管２０は、チャ
ンバ４０′内に挿入されており、ノズル部２０ａがウエ
ハＷの両面に近接されている。このウエハＷは、チャン
バ４０′内に設けられたホルダ８によって保持されてい
る。具体的には、図９に示すように、ウエハＷの外周縁
が４つのクランプ８０によって支持されている。そし
て、ホルダ８がＺ軸レール８１に沿ってスライド可能な
Ｚ軸スライダ８３に保持されている。また、Ｚ軸レール
８１は、Ｘ軸レール８４に沿ってスライド可能なＸ軸ス
ライダ８５に立設されている。かかる構成により、Ｘ軸
スライダ８５をＸ軸レール８４に沿って左右方向に移動
させると共にＺ軸スライダ８３をＺ軸レール８１に沿っ
て上下方向に移動させながら、プラズマ発生器１０−
１，１０−２のノズル部２０ａから中性活性種Ｇを噴射
することで、ウエハＷの両面を同時にエッチングし、ウ
エハＷ両面の加工変質層除去過程５を同時に達成するこ
とができる。その他の構成，作用効果は上記第１の実施
形態と同様であるので、その記載は省略する。
【００３０】なお、この発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、
プラズマ発生過程の添加ガスとして、水素を用いたが、
水素の代わりに酸素ガスやアンモニアガスを用い散るこ
ともできる。また、上記第１及び第２の実施形態では、
加熱工程及び温度制御過程を設けた例について説明した
が、これらの工程及び過程を有しない半導体ウエハの製
造方法を発明の範囲から除外するものではない。また、
ハロゲン元素を含む化合物のガスとして、ＳＦ6ガスを
用いたが、ＣＦ4（四フッ化炭素）ガスやＮＦ3 （三フ
ッ化窒素）ガスを用いることもできる。また、放電管と
して、アルミナ放電管２０を用いたが、アルミナ放電管
２０の代わりに、石英放電管や窒化アルミニウム放電管
を用いても同様の効果を得ることができることは勿論で
ある。また、上記第１の実施形態では、図４に示すよう
に、ノズル部２０ａをＹ方向に往復させながらＸ方向の
一方方向に移動させて、加工変質層除去過程５を実行し
たが、逆に、ノズル部２０ａをＸ方向に往復させながら
Ｙ方向の一方方向に移動させて、加工変質層除去過程５
を実行しても良い。また、図１０に示すように、ノズル
部２０ａをウエハＷの面に沿って渦巻き状に移動させて
加工変質層除去過程５を実行しても良いことは勿論であ
る。また、上記第３の実施形態では、２台のプラズマ発
生器１０−１，１０−２を対向させて配設したが、図１
１に示すように、１台のプラズマ発生器１０−１のみを
設け、そのアルミナ放電管２０のノズル部２０ａを分岐
して、それぞれのノズル部２０ａをウエハＷの両側に配
置しても良い。さらに、上記実施形態では、プラズマ発
生過程実行手段として、マイクロ波を発振してプラズマ
を発生するプラズマ発生器１０を用いたが、中性活性種
を生成しうる手段であれば良く、例えば高周波によって
プラズマを発生して中性活性種を生成するプラズマ発生
器など、各種のプラズマ発生器をプラズマ発生過程実行
手段として用いることができることは勿論である。
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、
プラズマ発生過程の添加ガスとして、水素を用いたが、
水素の代わりに酸素ガスやアンモニアガスを用い散るこ
ともできる。また、上記第１及び第２の実施形態では、
加熱工程及び温度制御過程を設けた例について説明した
が、これらの工程及び過程を有しない半導体ウエハの製
造方法を発明の範囲から除外するものではない。また、
ハロゲン元素を含む化合物のガスとして、ＳＦ6ガスを
用いたが、ＣＦ4（四フッ化炭素）ガスやＮＦ3 （三フ
ッ化窒素）ガスを用いることもできる。また、放電管と
して、アルミナ放電管２０を用いたが、アルミナ放電管
２０の代わりに、石英放電管や窒化アルミニウム放電管
を用いても同様の効果を得ることができることは勿論で
ある。また、上記第１の実施形態では、図４に示すよう
に、ノズル部２０ａをＹ方向に往復させながらＸ方向の
一方方向に移動させて、加工変質層除去過程５を実行し
たが、逆に、ノズル部２０ａをＸ方向に往復させながら
Ｙ方向の一方方向に移動させて、加工変質層除去過程５
を実行しても良い。また、図１０に示すように、ノズル
部２０ａをウエハＷの面に沿って渦巻き状に移動させて
加工変質層除去過程５を実行しても良いことは勿論であ
る。また、上記第３の実施形態では、２台のプラズマ発
生器１０−１，１０−２を対向させて配設したが、図１
１に示すように、１台のプラズマ発生器１０−１のみを
設け、そのアルミナ放電管２０のノズル部２０ａを分岐
して、それぞれのノズル部２０ａをウエハＷの両側に配
置しても良い。さらに、上記実施形態では、プラズマ発
生過程実行手段として、マイクロ波を発振してプラズマ
を発生するプラズマ発生器１０を用いたが、中性活性種
を生成しうる手段であれば良く、例えば高周波によって
プラズマを発生して中性活性種を生成するプラズマ発生
器など、各種のプラズマ発生器をプラズマ発生過程実行
手段として用いることができることは勿論である。
【００３１】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、この発明の
半導体ウエハの製造方法によれば、ドライエッチング工
程のプラズマ発生過程で生成された中性活性種を活性種
輸送過程によって放電管のノズル部の開口からウエハの
面に局所的に吹き付け、加工変質層除去過程によって、
ノズル部をウエハ面に沿って相対的に移動することによ
り、ウエハの加工変質層をエッチング除去するので、ウ
エハ面を平坦にエッチングしつつ加工変質層を除去する
ことができる。また、従来の酸エッチング技術のよう
に、反応生成物の生成による溶液の希釈効果がウエハの
各場所で異なるという事態も発生せず、この結果、直径
３００ｍｍという大型のウエハをドライエッチングする
際にも、その平坦性を維持しつつエッチングすることが
できる。また、中性活性種を放電管のノズル部の開口側
に輸送して、当該開口に対向するウエハの面に局所的に
吹き付るという活性種輸送過程を採用しているので、ウ
エハに対する中性活性種のエッチング速度が等方性を示
し、エッチング速度がウエハの結晶方位に影響されるこ
とない。この結果、従来のアルカリエッチング技術で問
題となっていたエッチピットの発生を防止することがで
きる。さらに、ドライエッチング工程で使用する原料が
ハロゲン元素を含む化合物ガスと酸素ガス，水素ガス，
アンモニアガス等の添加ガスであるので、各ガスをボン
ベに詰めることで安全且つ容易に管理することができ
る。また、工程で生じる生成物もガス体であるので、廃
棄設備が小型且つ簡単なもので済む。また、ウエハの金
属汚染も生じないので、金属汚染防止の管理コストを省
くことができ、その分維持管理コストの低減化を図るこ
とができる。
半導体ウエハの製造方法によれば、ドライエッチング工
程のプラズマ発生過程で生成された中性活性種を活性種
輸送過程によって放電管のノズル部の開口からウエハの
面に局所的に吹き付け、加工変質層除去過程によって、
ノズル部をウエハ面に沿って相対的に移動することによ
り、ウエハの加工変質層をエッチング除去するので、ウ
エハ面を平坦にエッチングしつつ加工変質層を除去する
ことができる。また、従来の酸エッチング技術のよう
に、反応生成物の生成による溶液の希釈効果がウエハの
各場所で異なるという事態も発生せず、この結果、直径
３００ｍｍという大型のウエハをドライエッチングする
際にも、その平坦性を維持しつつエッチングすることが
できる。また、中性活性種を放電管のノズル部の開口側
に輸送して、当該開口に対向するウエハの面に局所的に
吹き付るという活性種輸送過程を採用しているので、ウ
エハに対する中性活性種のエッチング速度が等方性を示
し、エッチング速度がウエハの結晶方位に影響されるこ
とない。この結果、従来のアルカリエッチング技術で問
題となっていたエッチピットの発生を防止することがで
きる。さらに、ドライエッチング工程で使用する原料が
ハロゲン元素を含む化合物ガスと酸素ガス，水素ガス，
アンモニアガス等の添加ガスであるので、各ガスをボン
ベに詰めることで安全且つ容易に管理することができ
る。また、工程で生じる生成物もガス体であるので、廃
棄設備が小型且つ簡単なもので済む。また、ウエハの金
属汚染も生じないので、金属汚染防止の管理コストを省
くことができ、その分維持管理コストの低減化を図るこ
とができる。
【図１】この発明の第１の実施形態に係る半導体ウエハ
の製造方法を示すブロック図である。
の製造方法を示すブロック図である。
【図２】加熱工程及びドライエッチング工程を具体的に
実行するための局所エッチング装置を示す概略構成図で
ある。
実行するための局所エッチング装置を示す概略構成図で
ある。
【図３】電熱線の配設状態を示す断面図である。
【図４】ノズル部の走査状態を示す平面図である。
【図５】加工変質層除去過程の実行状態を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】この発明の第２の実施形態に係る半導体ウエハ
の製造方法を示すブロック図である。
の製造方法を示すブロック図である。
【図７】第２の実施形態に適用される局所エッチング装
置を一部破断して示す断面図である。
置を一部破断して示す断面図である。
【図８】第３の実施形態のドライエッチング工程を実行
するための両面局所エッチング装置を示す断面図であ
る。
するための両面局所エッチング装置を示す断面図であ
る。
【図９】ノズル部をウエハに沿って相対的に移動させて
加工変質層除去過程を実行する手段を示す側面図であ
る。
加工変質層除去過程を実行する手段を示す側面図であ
る。
【図１０】ノズル部走査の変形例を示す平面図である。
【図１１】第３の実施形態の変形例を示す断面図であ
る。
る。
【図１２】従来の半導体ウエハの製造方法を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
１…加熱工程、 ２…ドライエッチング工程、 １０…
プラズマ発生器、 ２０…アルミナ放電管、 ２０ａ…
ノズル部、 ２０ｂ…開口、 ３０…ガス供給装置、
５０…Ｘ−Ｙ駆動機構、 ７０…ウエハ加熱部、 １０
０…スライシング工程、 １０１…平坦化工程、 １０
３…ポリッシング工程、 Ｗ…ウエハ、Ｇ…中性活性
種。
プラズマ発生器、 ２０…アルミナ放電管、 ２０ａ…
ノズル部、 ２０ｂ…開口、 ３０…ガス供給装置、
５０…Ｘ−Ｙ駆動機構、 ７０…ウエハ加熱部、 １０
０…スライシング工程、 １０１…平坦化工程、 １０
３…ポリッシング工程、 Ｗ…ウエハ、Ｇ…中性活性
種。
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコン単結晶でなるインゴットを切断
して半導体用のウエハを得るスライシング工程と、 上記スライシング工程で得た上記ウエハの面を平坦化す
るためにウエハ面をラッピング又は研削する平坦化工程
と、 上記平坦化工程で得たウエハの面に中性活性種を局所的
に吹き付けながら当該ウエハの加工変質層を除去するド
ライエッチング工程とを具備する半導体ウエハの製造方
法であって、 上記ドライエッチング工程は、 放電管内に収納され且つハロゲン元素を含む化合物のガ
スを、放電させて、中性活性種を含むプラズマを発生さ
せるプラズマ発生過程と、 上記プラズマ中の中性活性種をプラズマから分離して、
この中性活性種を放電管のノズル部の開口側に輸送し、
この中性活性種を当該開口に対向するウエハの面に局所
的に吹き付ける活性種輸送過程と、 上記ノズル部を上記ウエハ面に沿って相対的に移動させ
ることにより、上記ウエハの加工変質層をエッチング除
去する加工変質層除去過程とを有することを特徴とする
半導体ウエハの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体ウエハの製造方
法において、 上記ドライエッチング工程におけるプラズマ発生過程の
添加ガスとして、酸素ガス，水素ガス，アンモニアガス
のうち、少なくとも一種以上のガスを用いた、 ことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の半導体
ウエハの製造方法において、 上記平坦化工程とドライエッチング工程との間に、上記
平坦化工程を経たウエハを６０℃以上３５０℃以下に加
熱する加熱工程を設けた、 ことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の半導体ウエハの製造方法において、 上記ドライエッチング工程に、上記中性活性種を吹き付
けるウエハの一方面側を６０℃以上に加熱すると共に、
当該面と反対側の面の温度が３５０℃を越えないように
冷却制御する温度制御過程を設けた、 ことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれかに記
載の半導体ウエハの製造方法において、 上記ドライエッチング工程で処理されたウエハの面を鏡
面研磨するポリッシング工程を設けた、 ことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000050253A JP2001244240A (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | 半導体ウエハの製造方法 |
| US09/785,425 US6432824B2 (en) | 2000-02-25 | 2001-02-20 | Method for manufacturing a semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000050253A JP2001244240A (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | 半導体ウエハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244240A true JP2001244240A (ja) | 2001-09-07 |
Family
ID=18572059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000050253A Withdrawn JP2001244240A (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | 半導体ウエハの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6432824B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001244240A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005041283A1 (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 窒化ガリウム系半導体基板と窒化ガリウム系半導体基板の製造方法 |
| JP2009518834A (ja) * | 2005-12-08 | 2009-05-07 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァー フェーデルング デア アンゲバンテン フォルシュング エー ファー | 基板の乾式化学処理方法及びその使用法 |
| JP2010087175A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Speedfam Co Ltd | 半導体ウエハの厚さ形状もしくは表面形状を修正するための多段局所ドライエッチング方法 |
| JP2014212302A (ja) * | 2013-04-03 | 2014-11-13 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ノズル式のプラズマエッチング装置 |
| JP5944581B2 (ja) * | 2013-05-30 | 2016-07-05 | 有限会社サクセス | 半導体ウエハ研削装置、半導体ウエハの製造方法、及び半導体ウエハの研削方法 |
| WO2022224637A1 (ja) | 2021-04-21 | 2022-10-27 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6451217B1 (en) * | 1998-06-09 | 2002-09-17 | Speedfam-Ipec Co., Ltd. | Wafer etching method |
| JP4039834B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2008-01-30 | 株式会社荏原製作所 | エッチング方法及びエッチング装置 |
| JPWO2003038883A1 (ja) | 2001-10-31 | 2005-02-24 | 日立化成工業株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
| AU2003272195A1 (en) * | 2002-04-30 | 2004-01-06 | Hrl Laboratories, Llc | Quartz-based nanoresonators and method of fabricating same |
| US7140374B2 (en) * | 2003-03-14 | 2006-11-28 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for self-cleaning dry etch |
| US7217649B2 (en) | 2003-03-14 | 2007-05-15 | Lam Research Corporation | System and method for stress free conductor removal |
| US7009281B2 (en) | 2003-03-14 | 2006-03-07 | Lam Corporation | Small volume process chamber with hot inner surfaces |
| US7078344B2 (en) * | 2003-03-14 | 2006-07-18 | Lam Research Corporation | Stress free etch processing in combination with a dynamic liquid meniscus |
| US7232766B2 (en) | 2003-03-14 | 2007-06-19 | Lam Research Corporation | System and method for surface reduction, passivation, corrosion prevention and activation of copper surface |
| US8766745B1 (en) | 2007-07-25 | 2014-07-01 | Hrl Laboratories, Llc | Quartz-based disk resonator gyro with ultra-thin conductive outer electrodes and method of making same |
| US7994877B1 (en) | 2008-11-10 | 2011-08-09 | Hrl Laboratories, Llc | MEMS-based quartz hybrid filters and a method of making the same |
| US6950783B1 (en) * | 2004-03-11 | 2005-09-27 | Powerchip Semiconductor Corp. | Method and related system for semiconductor equipment prevention maintenance management |
| US7185695B1 (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-06 | United Technologies Corporation | Investment casting pattern manufacture |
| US7654010B2 (en) * | 2006-02-23 | 2010-02-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, substrate processing method, and storage medium |
| US7555824B2 (en) | 2006-08-09 | 2009-07-07 | Hrl Laboratories, Llc | Method for large scale integration of quartz-based devices |
| US20080188011A1 (en) * | 2007-01-26 | 2008-08-07 | Silicon Genesis Corporation | Apparatus and method of temperature conrol during cleaving processes of thick film materials |
| US7884930B2 (en) * | 2007-06-14 | 2011-02-08 | Hrl Laboratories, Llc | Integrated quartz biological sensor and method |
| US10266398B1 (en) | 2007-07-25 | 2019-04-23 | Hrl Laboratories, Llc | ALD metal coatings for high Q MEMS structures |
| US8151640B1 (en) | 2008-02-05 | 2012-04-10 | Hrl Laboratories, Llc | MEMS on-chip inertial navigation system with error correction |
| US7802356B1 (en) | 2008-02-21 | 2010-09-28 | Hrl Laboratories, Llc | Method of fabricating an ultra thin quartz resonator component |
| US8176607B1 (en) | 2009-10-08 | 2012-05-15 | Hrl Laboratories, Llc | Method of fabricating quartz resonators |
| US8912711B1 (en) | 2010-06-22 | 2014-12-16 | Hrl Laboratories, Llc | Thermal stress resistant resonator, and a method for fabricating same |
| US9250074B1 (en) | 2013-04-12 | 2016-02-02 | Hrl Laboratories, Llc | Resonator assembly comprising a silicon resonator and a quartz resonator |
| US9599470B1 (en) | 2013-09-11 | 2017-03-21 | Hrl Laboratories, Llc | Dielectric high Q MEMS shell gyroscope structure |
| US9977097B1 (en) | 2014-02-21 | 2018-05-22 | Hrl Laboratories, Llc | Micro-scale piezoelectric resonating magnetometer |
| US9991863B1 (en) | 2014-04-08 | 2018-06-05 | Hrl Laboratories, Llc | Rounded and curved integrated tethers for quartz resonators |
| US10308505B1 (en) | 2014-08-11 | 2019-06-04 | Hrl Laboratories, Llc | Method and apparatus for the monolithic encapsulation of a micro-scale inertial navigation sensor suite |
| US10031191B1 (en) | 2015-01-16 | 2018-07-24 | Hrl Laboratories, Llc | Piezoelectric magnetometer capable of sensing a magnetic field in multiple vectors |
| DE102015224933A1 (de) * | 2015-12-11 | 2017-06-14 | Siltronic Ag | Monokristalline Halbleiterscheibe und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
| US10110198B1 (en) | 2015-12-17 | 2018-10-23 | Hrl Laboratories, Llc | Integrated quartz MEMS tuning fork resonator/oscillator |
| US10175307B1 (en) | 2016-01-15 | 2019-01-08 | Hrl Laboratories, Llc | FM demodulation system for quartz MEMS magnetometer |
| CN110797259B (zh) * | 2019-10-23 | 2022-03-29 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4900687A (en) * | 1988-04-14 | 1990-02-13 | General Motors Corporation | Process for forming a magnetic field sensor |
| EP0547684A3 (en) * | 1991-12-18 | 1996-11-06 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing a semiconductor body comprising a carrier wafer and a monocrystalline semiconducting top layer |
| JP3620554B2 (ja) | 1996-03-25 | 2005-02-16 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハ製造方法 |
| JP3252702B2 (ja) * | 1996-03-28 | 2002-02-04 | 信越半導体株式会社 | 気相エッチング工程を含む半導体単結晶鏡面ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される半導体単結晶鏡面ウエーハ |
| JP3612158B2 (ja) | 1996-11-18 | 2005-01-19 | スピードファム株式会社 | プラズマエッチング方法及びその装置 |
| JP2000133639A (ja) | 1998-10-22 | 2000-05-12 | Kemitoronikusu:Kk | プラズマエッチング装置およびこれを用いたエッチングの方法 |
| US6150708A (en) * | 1998-11-13 | 2000-11-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Advanced CMOS circuitry that utilizes both sides of a wafer surface for increased circuit density |
-
2000
- 2000-02-25 JP JP2000050253A patent/JP2001244240A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-02-20 US US09/785,425 patent/US6432824B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005041283A1 (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 窒化ガリウム系半導体基板と窒化ガリウム系半導体基板の製造方法 |
| JP2009518834A (ja) * | 2005-12-08 | 2009-05-07 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァー フェーデルング デア アンゲバンテン フォルシュング エー ファー | 基板の乾式化学処理方法及びその使用法 |
| JP2010087175A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Speedfam Co Ltd | 半導体ウエハの厚さ形状もしくは表面形状を修正するための多段局所ドライエッチング方法 |
| JP2014212302A (ja) * | 2013-04-03 | 2014-11-13 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ノズル式のプラズマエッチング装置 |
| JP5944581B2 (ja) * | 2013-05-30 | 2016-07-05 | 有限会社サクセス | 半導体ウエハ研削装置、半導体ウエハの製造方法、及び半導体ウエハの研削方法 |
| WO2022224637A1 (ja) | 2021-04-21 | 2022-10-27 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
| KR20230172472A (ko) | 2021-04-21 | 2023-12-22 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6432824B2 (en) | 2002-08-13 |
| US20010018271A1 (en) | 2001-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001244240A (ja) | 半導体ウエハの製造方法 | |
| JP5390846B2 (ja) | プラズマエッチング装置及びプラズマクリーニング方法 | |
| US5681424A (en) | Plasma processing method | |
| KR100891754B1 (ko) | 기판 처리실의 세정 방법, 기억 매체 및 기판 처리실 | |
| WO2002071462A1 (fr) | Procédé et appareil de traitement au plasma | |
| US11295960B1 (en) | Etching method | |
| JP2000223479A (ja) | ウエハ平坦化システム及びウエハ平坦化方法 | |
| JP6239296B2 (ja) | プラズマ処理装置のステージ製造方法 | |
| JP2025061305A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2000256094A (ja) | シリコンエピタキシャル成長ウェーハ製造方法およびその装置 | |
| JP2000174004A (ja) | プラズマエッチングの方法およびその装置 | |
| JP2000133639A (ja) | プラズマエッチング装置およびこれを用いたエッチングの方法 | |
| JP2004055931A (ja) | 局所ドライエッチング方法 | |
| JP2000232097A (ja) | ウエハ平坦化方法 | |
| JP2005136346A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2004335789A (ja) | 基板処理装置のクリーニング方法 | |
| JP4790585B2 (ja) | 半導体ウェーハの平坦化方法、平坦化装置及び半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP4405236B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP5536311B2 (ja) | 半導体ウェーハの平坦化方法、及び半導体ウェーハの製造方法 | |
| KR20200041999A (ko) | 질화물 에칭을 위한 표면 보수 방법 | |
| JP2002025980A (ja) | 半導体ウエハの製造方法 | |
| US20040157461A1 (en) | Method for fabricating a wafer including dry etching the edge of the wafer | |
| JPH10308352A (ja) | プラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP7543059B2 (ja) | プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法 | |
| JP7621876B2 (ja) | 基板処理方法、部品処理方法及び基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070501 |