JP2001230303A - Centering method for semiconductor wafer - Google Patents
Centering method for semiconductor waferInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置におい
て半導体ウエハを搬送するときにウエハのセンタおよび
平坦部の位置角(オリフラ)を正確に合せるための装置
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for accurately adjusting the position angle (orientation flat) of a center and a flat portion of a semiconductor wafer when a semiconductor wafer is carried in a semiconductor manufacturing apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体ウエハの製造装置において、半導
体ウエハを積重ねて収納するカセットから他のカセット
へ、または検査や加工のための各ステージへ、あるいは
各ステージ相互間の移送時などには、正確にウエハのセ
ンタ合せ(ウエハの中心位置を基準位置に合せること)
をする必要がある。また、ウエハの平坦部(又は切欠
部)の角度合せ(ウエハの平坦部(又は切欠部)の中心
線を特定の角度に合せること)をする必要がある。通
常、カセットや各ステージにはこのセンタ合せ機能は備
わっていないので、これらの間を移送する途中にウエハ
のセンタ合せ及びウエハの平坦部(又は切欠部)の角度
合せをする装置を追加する方法が行なわれている。2. Description of the Related Art In a semiconductor wafer manufacturing apparatus, when a semiconductor wafer is stacked and stored from a cassette to another cassette, or to each stage for inspection or processing, or when transferring between stages, an accurate operation is required. Alignment of the wafer to the center (align the center position of the wafer to the reference position)
Need to do. Further, it is necessary to adjust the angle of the flat portion (or notch) of the wafer (to adjust the center line of the flat portion (or notch) of the wafer to a specific angle). Usually, a cassette or each stage does not have this centering function. Therefore, a method of adding a device for centering a wafer and aligning an angle of a flat portion (or a notch) of a wafer during transfer between the cassettes and the stages. Is being done.
【0003】このための装置には、ウエハがNC装置な
どによって事前にほぼ真円に近い状態に加工されている
ことに着目し、ウエハを回転させてそのエッジ位置を回
転角度に対応させて検出記憶し、検出信号の最大値,最
小値によってウエハの中心位置の偏心量と偏心角度とを
算出し、この偏心データによってウエハのセンタ合せを
行うようにしたものや、さらにウエハにはその結晶方向
を示すために周辺部にオリフラとよばれる平坦部(また
は切欠部)が設けられているが、これらのオリフラ部等
の開始点および終了点においては他の部分におけるより
もエッジ位置の変化が急になるのでエッジ位置信号の変
化率が一定以上となったところを算出することによっ
て、オリフラ部(または切欠部)が存在する角度を判別
し、オリフラ部(または切欠部)の中心線(ウエハ1の
中心位置とオリフラ部(または切欠部)の中心位置とを
結ぶ直線)の角度を修正して、このオリフラ部等を搬送
装置等の他のステージに対して特定の位置となるように
同一の装置で行うようにしたものが提案されている。[0003] An apparatus for this purpose focuses on the fact that a wafer is previously processed into an almost perfect circle state by an NC apparatus or the like, and rotates the wafer to detect an edge position corresponding to the rotation angle. The eccentricity and the eccentric angle of the center position of the wafer are calculated based on the maximum value and the minimum value of the detection signal, and the center of the wafer is adjusted based on the eccentricity data. A flat portion (or a notch) called an orientation flat is provided in the peripheral portion to indicate that the edge position changes more sharply at the start and end points of these orientation flat portions than at other portions. The angle at which the orientation flat (or notch) exists is determined by calculating where the rate of change of the edge position signal has exceeded a certain value, and the orientation flat (or notch) is determined. Is notched, the angle of the center line (a straight line connecting the center position of the wafer 1 and the center position of the orientation flat (or notch)) is corrected, and the orientation flat or the like is moved to another stage such as a transfer device. There has been proposed an apparatus in which the same apparatus is used so as to be located at a specific position.
【0004】図1は、このような従来装置の例を示す構
成図である。同図において1はセンタ合せの対象となる
半導体ウエハであり、ターンテーブル2の上に載置され
ている。3はターンテーブル2を回転させるためのター
ンテーブル回転機構であり、電動機4にて駆動される。
5はウエハ1の端縁(エッジ)位置を検出するための検
出器であり、投光器5aおよび光センサ5bからなる。
この光センサ5bは受光量に応じて出力が特定の関係を
保ちながら連続的に変化するものであり、CCD(電荷
結合素子)や商品名PSD(position sen
sitivedetector)とよばれる入射光量に
対して出力が直線的に変化するものが使用される。6は
ターンテーブル2の回転角度に相当する電動機4の回転
量を検出するエンコーダ、7は光センサ5bの出力とエ
ンコーダ6の出力とを1対のデータとしてターンテーブ
ル2の一定回転角度毎に記憶する記憶回路である。ここ
で光センサ5bの出力がアナログ信号である場合には記
憶回路7と光センサ5bとの間にA/D変換器を設けて
デイジイタル信号に変換される。8はA/D変換器の出
力信号を記憶回路7に書き込み、必要時に読み出してウ
エハ1の中心位置の偏心量と偏心角度とを算出し、修正
信号(回転角度および水平方向位置の各信号)を出力す
る中央演算処理回路(以後CPUという)であり、マイ
クロコンピュータが利用される。このCPU8はマイク
ロコンピュータを用いて、プログラムによりエッジ位置
の検出時にテーブルを回転させウエハの各回転角度に対
応する信号を一旦受け取り記憶回路7に転送する。9は
ターンテーブル駆動用電動機4の回転を制御するための
サーボ制御回路であり、CPU8からの指令信号に応じ
て電動機4を駆動し、回転量がCPU8からの指令量と
一致するところで停止させる通常のサーボ制御回路であ
る。10はターンテーブル2をその回転駆動機構ごと図
のXY水平面内で移動させるためのXYテーブル式の移
動機構であり、CPU8の出力に応じてテーブル2を移
動させてウエハ1の位置を修正するものであり、XYテ
ーブル駆動用制御回路11によって位置制御される。こ
こで、図1乃至図3について説明する前に、従来技術の
図4を参照して、ウエハ1とターンテーブル2との位置
関係について説明する。同図(b)は、ウエハ1の中心
位置Wcとターンテーブル2の回転中心位置Tcとが一
致するようにウエハ1がターンテーブル2に搭載された
図であって、後述する光センサー5bとターンテーブル
2の回転中心位置Tcとを結ぶ直線をX軸とし、このX
軸に直行する軸をY軸とする。次に、同図(d)は、ウ
エハ1が任意の位置角度でターンテーブル2に搭載され
た図であって、まずウエハ1の中心位置Wcがターンテ
ーブル2の回転中心位置Tcに対して偏心量ΔLだけず
れて搭載され、それに加えてX軸(上述した光センサー
5bとターンテーブル2の回転中心位置Tcとを結ぶ直
線)と、ウエハ1の中心位置Wcとターンテーブル2の
回転中心位置Tcとを結ぶ直線とのなす偏心角度θv
(従来技術の偏心角度)を有して搭載されている。FIG. 1 is a configuration diagram showing an example of such a conventional apparatus. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a semiconductor wafer to be centered, which is mounted on a turntable 2. Reference numeral 3 denotes a turntable rotating mechanism for rotating the turntable 2, which is driven by an electric motor 4.
Reference numeral 5 denotes a detector for detecting an edge position of the wafer 1, and includes a light projector 5a and an optical sensor 5b.
The output of the optical sensor 5b continuously changes while maintaining a specific relationship in accordance with the amount of received light, and includes a CCD (charge-coupled device) and a product name PSD (position sensor).
A device whose output changes linearly with respect to the amount of incident light, which is referred to as a “savedetector”, is used. Reference numeral 6 denotes an encoder for detecting the rotation amount of the electric motor 4 corresponding to the rotation angle of the turntable 2. Reference numeral 7 stores the output of the optical sensor 5b and the output of the encoder 6 as a pair of data for each fixed rotation angle of the turntable 2. Memory circuit. If the output of the optical sensor 5b is an analog signal, an A / D converter is provided between the storage circuit 7 and the optical sensor 5b to convert the signal into a digital signal. Numeral 8 writes the output signal of the A / D converter into the storage circuit 7, reads it out when necessary, calculates the amount of eccentricity and the eccentricity angle of the center position of the wafer 1, and corrects the signals (each signal of the rotation angle and the horizontal position). And a central processing circuit (hereinafter referred to as a CPU) for outputting the data. The CPU 8 uses a microcomputer to rotate the table when an edge position is detected by a program, and once receives a signal corresponding to each rotation angle of the wafer and transfers the signal to the storage circuit 7. Reference numeral 9 denotes a servo control circuit for controlling the rotation of the motor 4 for driving the turntable. The servo control circuit 9 drives the motor 4 in response to a command signal from the CPU 8 and stops the motor 4 when the rotation amount matches the command amount from the CPU 8. Is a servo control circuit. Reference numeral 10 denotes an XY table type moving mechanism for moving the turntable 2 together with its rotary drive mechanism in the XY horizontal plane in the figure, and for correcting the position of the wafer 1 by moving the table 2 according to the output of the CPU 8. And the position is controlled by the XY table driving control circuit 11. Here, before describing FIGS. 1 to 3, the positional relationship between the wafer 1 and the turntable 2 will be described with reference to FIG. 4 of the related art. FIG. 2B is a diagram in which the wafer 1 is mounted on the turntable 2 so that the center position Wc of the wafer 1 and the rotation center position Tc of the turntable 2 coincide with each other. A straight line connecting the rotation center position Tc of the table 2 is defined as an X axis.
An axis orthogonal to the axis is defined as a Y axis. Next, FIG. 4D is a view in which the wafer 1 is mounted on the turntable 2 at an arbitrary position angle, and first, the center position Wc of the wafer 1 is eccentric with respect to the rotation center position Tc of the turntable 2. In addition to the above, the X-axis (a straight line connecting the optical sensor 5b and the rotation center position Tc of the turntable 2), the center position Wc of the wafer 1 and the rotation center position Tc of the turntable 2 are added. Eccentric angle θv with a straight line connecting
(The eccentric angle of the prior art).
【0005】図1の装置の動作を図2のフローチャート
を参照して説明する。第1図において、図示しない搬送
装置によってウエハ1がターンテーブル2の上に載せら
れると電動機4が回転し、これによって駆動されるター
ンテーブル回転機構3によってウエハが所定角度(例え
ば1度)回転する。このときエッジ位置検出器5の光セ
ンサ5bはセンサ真下のウエハによって減量されて到達
する光の量に応じた出力を発生し、この出力はウエハ回
転量信号とともに一対のデータ(θx ,Lx )として記
憶回路7に記憶される。さらにターンテーブル2を所定
角度回転し、エッジ位置の検出、記憶をくりかえし、ウ
エハが原位置(θx =0)から360度回転するまで続
ける。ウエハの全周のエッジ位置の検出が終了すると次
にCPU8は、記憶回路7に記憶されたデータを順次読
み出し、エッジ位置信号の最大値Lmax と最小値Lmin
およびそれぞれに該当するウエハの回転角度θmax ,θ
min を算出する。CPU8はまた、このエッジ位置信号
Lmax とLmin との差からウエハのターンテーブル2の
回転中心位置Tcに対する直径方向の偏心量信号ΔL=
(Lmax −Lmin )/2を得、θmax (またはθmin )
から偏心角度信号を得て、ターンテーブル2の回転中心
位置Tcに対するウエハ1の中心位置Wcのx、y平面
における偏位信号(x,y)=(ΔLcosθmin ,Δ
Lsinθmin )または(x,y)=(−ΔLcosθ
max ,−ΔLsinθmax )を算出しXYテーブル制御
回路11にこれらによって定まる修正信号を供給してセ
ンタ合せを行う。The operation of the apparatus shown in FIG. 1 will be described with reference to the flowchart shown in FIG. In FIG. 1, when a wafer 1 is placed on a turntable 2 by a transfer device (not shown), an electric motor 4 rotates, and the turntable rotating mechanism 3 driven by this rotates the wafer by a predetermined angle (for example, 1 degree). . At this time, the optical sensor 5b of the edge position detector 5 generates an output corresponding to the amount of light that reaches and is reduced by the wafer immediately below the sensor, and this output is output as a pair of data (θx, Lx) together with the wafer rotation amount signal. It is stored in the storage circuit 7. Further, the turntable 2 is rotated by a predetermined angle, the detection and storage of the edge position are repeated, and the process is continued until the wafer is rotated 360 degrees from the original position (θx = 0). When the detection of the edge positions on the entire circumference of the wafer is completed, the CPU 8 sequentially reads out the data stored in the storage circuit 7 and obtains the maximum value Lmax and the minimum value Lmin of the edge position signal.
And the rotation angles θmax, θ of the corresponding wafers
Calculate min. From the difference between the edge position signals Lmax and Lmin, the CPU 8 calculates the eccentricity amount signal ΔL in the radial direction with respect to the rotation center position Tc of the turntable 2 of the wafer.
(Lmax−Lmin) / 2, and θmax (or θmin)
, The eccentricity angle signal is obtained from the rotation center position Tc of the turntable 2 and the eccentricity signal (x, y) of the center position Wc of the wafer 1 on the x, y plane = (ΔLcos θmin, Δ
L sin θ min) or (x, y) = (− ΔL cos θ)
max, -ΔL sin θ max), and supplies a correction signal determined by these to the XY table control circuit 11 to perform centering.
【0006】ここでウエハエッジ位置検出器5とこれか
ら得られる信号について説明する。図3は検出器5の部
分を拡大して示した説明図であり、図中図1と同機能の
ものには同符号を付してある。投光器5aからの光は図
中矢印にて模式的に示すようにウエハ1によって遮られ
てその一部が減じられて残りが光センサ5bに到達す
る。そこで光センサ5bとして入力光量に正比例して出
力が変化するものを用いるとその出力はウエハ1のエッ
ジ部の位置によって変化するLの長さに比例した信号と
なる。それ故、ウエハの中心位置Wcがターンテーブル
の回転中心位置Tcに対してエッジ位置検出器5側に偏
位していれば出力信号は小となり、反対側に偏位してお
れば大なる信号となる。Here, the wafer edge position detector 5 and signals obtained therefrom will be described. FIG. 3 is an enlarged explanatory view showing a part of the detector 5, and those having the same functions as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. The light from the light projector 5a is blocked by the wafer 1 as schematically shown by an arrow in the figure, a part thereof is reduced, and the rest reaches the optical sensor 5b. Therefore, if a sensor whose output changes in direct proportion to the input light quantity is used as the optical sensor 5b, the output becomes a signal proportional to the length of L which changes according to the position of the edge portion of the wafer 1. Therefore, if the center position Wc of the wafer is displaced toward the edge position detector 5 with respect to the rotation center position Tc of the turntable, the output signal is small, and if the center position Wc is displaced on the opposite side, the output signal is large. Becomes
【0007】このときの光センサ5bの出力変化の様子
を図4の線図にて示す。同図(a)および(c)は横軸
をウエハの回転角度θとし縦軸を光センサ5bの出力L
としてある。また同図(a)は同図(b)に示すように
ウエハ1がターンテーブル2の中心と一致しているとき
の出力であり、この場合は先に述べたようにウエハ1が
NC工作装置などによって真円に加工されていることか
ら光センサ5bの出力は直線状となる。同図(c)は同
図(d)に示すようにウエハ1の中心がターンテーブル
2の回転中心位置TcからXYテーブル10のXY平面
第1象限方向に偏心角度θvで距離ΔLだけずれている
ときの出力を示している。このとき光センサ5bの出力
はターンテーブル2が図の矢印方向に回転するにしたが
って略正弦波状に変化することになる(ターンテーブル
2が回転すると、ウエハ1も回転する)。その変化の振
幅は出力の最大値をLmax 、最小値をLmin とすれば
(Lmax −Lmin )であり、偏心量ΔLの2倍に相当す
る。またL=Lmin のときの角度θmin が、ウエハ1の
回転開始前の状態におけるウエハ1の偏心角度θvに相
当する。それ故、これらの信号から現在のウエハのセン
タ位置が座標(x,y)=(ΔLcosθmin ,ΔLs
inθmin )にあることが判る。(θmax を採用すると
きは(x,y)=(−ΔLcosθmax ,−ΔLsin
θmax )となる。)したがってXYテーブルをx方向に
−ΔLcosθmin ,y方向に−ΔLsinθmin だけ
移動させればウエハのセンタ合せができることになる。FIG. 4 is a diagram showing how the output of the optical sensor 5b changes at this time. 12A and 12C, the horizontal axis represents the rotation angle θ of the wafer, and the vertical axis represents the output L of the optical sensor 5b.
There is. FIG. 3A shows an output when the wafer 1 is aligned with the center of the turntable 2 as shown in FIG. 3B. In this case, as described above, the wafer 1 is The output of the optical sensor 5b becomes a straight line because it is processed into a perfect circle by the above method. FIG. 3C shows that the center of the wafer 1 is displaced from the rotation center position Tc of the turntable 2 by the distance .DELTA.L at the eccentric angle .theta.v in the direction of the first quadrant of the XY table 10 as shown in FIG. The output at the time is shown. At this time, the output of the optical sensor 5b changes in a substantially sinusoidal manner as the turntable 2 rotates in the direction of the arrow in the drawing (when the turntable 2 rotates, the wafer 1 also rotates). If the maximum value of the output is Lmax and the minimum value is Lmin, the amplitude of the change is (Lmax-Lmin), which is equivalent to twice the amount of eccentricity ΔL. The angle θmin when L = Lmin corresponds to the eccentric angle θv of the wafer 1 before the rotation of the wafer 1 starts. Therefore, from these signals, the current center position of the wafer is represented by coordinates (x, y) = (ΔLcos θmin, ΔLs
inθmin). (When adopting θmax, (x, y) = (− ΔLcosθmax, −ΔLsin
θmax). Therefore, the wafer can be centered by moving the XY table by -ΔLcos θmin in the x direction and by -ΔLsinθmin in the y direction.
【0008】図1の従来装置において、ウエハの周縁部
にオリフラ部(または切欠部)が設けられている場合の
センタ合せおよびオリフラ部(または切欠部)の位置合
せを同時に行うときの動作をつぎに説明する。In the conventional apparatus shown in FIG. 1, the operation for simultaneously performing the center alignment and the alignment of the orientation flat portion (or notch portion) when the orientation flat portion (or notch portion) is provided in the peripheral portion of the wafer is as follows. Will be described.
【0009】図5(a)は、周縁部の一部にオリフラ部
(イ)が設けられているウエハの平面図であり、同図
(b)ないし(e)はこのような形状のウエハが種々の
方向に偏心してターンテーブルに載せられたときのエッ
ジ位置検出器5の出力波形の例を示したものである。図
5(a)のような形状のウエハを回転させたとき、同図
(b)ないし(e)に見られるようにそのオリフラ部
(または切欠部)(イ)において他の円周形状の部分と
は著しく異なった出力変化を示す。特にその両端部にお
いては極めて大きな変化率を示すのでエッジ位置検出器
5の出力の変化率を監視することによってオリフラ部の
位置を検知することができる。このためにエッジ位置検
出信号の変化率が一定以上になったところをオリフラ部
の端と判断するようにCPU8のプログラムを構成して
おく。FIG. 5A is a plan view of a wafer provided with an orientation flat (a) at a part of the peripheral edge, and FIGS. 5B to 5E show wafers having such a shape. FIG. 6 shows examples of output waveforms of the edge position detector 5 when the eccentricity is placed on a turntable in various directions. When a wafer having a shape as shown in FIG. 5A is rotated, as shown in FIGS. 5B to 5E, another circumferential portion is formed in the orientation flat portion (or cutout portion) (a). Shows a significantly different output change. In particular, since both ends show an extremely large change rate, the position of the orientation flat can be detected by monitoring the change rate of the output of the edge position detector 5. For this reason, the program of the CPU 8 is configured so that a point where the change rate of the edge position detection signal becomes equal to or more than a predetermined value is determined as the end of the orientation flat portion.
【0010】この場合、変化率の限界は円周部を検出し
ているときの最大変化率がウエハの偏心量によって異な
るので、出力信号の最大値と最小値との差、即ち概略の
ウエハ偏心量、に応じて定めるようにすればよい。また
オリフラ部(あるいは切欠部)の位置とウエハ1の偏心
角度とによって偏心量の算出方法が異なるのでこれを判
別することも必要となる。In this case, the limit of the change rate is the difference between the maximum value and the minimum value of the output signal, that is, the approximate wafer eccentricity, because the maximum change rate when the circumferential portion is detected varies depending on the eccentricity of the wafer. What is necessary is just to determine according to quantity. In addition, since the method of calculating the amount of eccentricity differs depending on the position of the orientation flat (or notch) and the eccentric angle of the wafer 1, it is necessary to determine the eccentricity.
【0011】図6および図7にこれを行うときのフロー
チャートを示す。ここでステップ1から7まではオリフ
ラ部のない図4の場合と同じである。光センサ5bの出
力信号のうち最大値と最小値は平坦部の存在のために真
の値が得られていない可能性があるが、ステップ8では
ステップ7で得られた最大値Lmax と最小値Lmin とか
ら(Lmax −Lmin )を得、これによって変化率の上限
値αを定める。次にステップ9にて角度θ=0度から3
60度に至る間の出力信号Lの変化率ΔLx/Δθxを
計算し、{ΔLx/Δθx≧αの絶対値}となる最初の
位置の角度θ1と最後の位置の角度θnとを探す。このθ
1とθnとの中間の角度 Δθ={(θn−θ1)/2}+θ1 を求めると、回転原位置からこのΔθだけ回転した位置
に平坦部の中心が存在することになる。FIGS. 6 and 7 show flowcharts for performing this operation. Steps 1 to 7 are the same as those in FIG. 4 without the orientation flat. The maximum value and the minimum value of the output signal of the optical sensor 5b may not have a true value because of the presence of the flat portion. In step 8, the maximum value Lmax and the minimum value obtained in step 7 are obtained. (Lmax-Lmin) is obtained from Lmin and the upper limit α of the rate of change is determined. Next, at step 9, the angle θ = 0 to 3
The change rate ΔLx / Δθx of the output signal L during 60 degrees is calculated, and the angle θ1 of the first position and the angle θn of the last position that satisfy {the absolute value of ΔLx / Δθx ≧ α} are searched. This θ
When the intermediate angle Δθ = {(θn−θ1) / 2} + θ1 between 1 and θn is obtained, the center of the flat portion exists at a position rotated by Δθ from the original rotation position.
【0012】つぎに出力最大(L=Lmax )となるとき
の角度θmax がθ1 ≦θmax ≦θnの関係にあるか否か
を判断し、θ1 ≦θmax ≦θn が成立する場合には先に
ウエハを回転することによって得られたステップ7の最
大値Lmax に対応する位置はオリフラ部の中に含まれる
図5(c)のような状態であるので真の最大値Lmaxは
得られていないことになる。そこで基準として最小値L
min を採用し、Lminに相当する角度θmin を偏心角度
(センタずれの角度)とし、これより90度離れた点
(θmin ≦270度のときはθmin +90度、θmin >
270度ではθmin −90度)の出力を中間値Lc とし
て採用し、ウエハ1の中心位置Wcの偏心量ΔL=Lc
−Lmin を得る。この結果からウエハ1の中心位置Wc
の現在位置座標(x,y)=(ΔLcosθmin ,ΔL
sinθmin )を得る。(但し、光センサ5bの方向を
+xとする。)Next, it is determined whether or not the angle θmax at which the output reaches the maximum (L = Lmax) is in the relationship of θ1 ≦ θmax ≦ θn. If θ1 ≦ θmax ≦ θn is satisfied, the wafer is first removed. Since the position corresponding to the maximum value Lmax of the step 7 obtained by the rotation is in the state shown in FIG. 5C included in the orientation flat portion, the true maximum value Lmax has not been obtained. . Therefore, the minimum value L
The angle θmin corresponding to Lmin is defined as the eccentric angle (the angle of the center deviation), and a point 90 degrees away from this (θmin + 90 degrees when θmin ≦ 270 degrees, θmin>
The output of [theta] min-90 [deg.] At 270 [deg.] Is adopted as the intermediate value Lc, and the eccentric amount [Delta] L of the center position Wc of the wafer 1 is equal to Lc.
-Lmin is obtained. From this result, the center position Wc of the wafer 1 is obtained.
Current position coordinates (x, y) = (ΔLcosθmin, ΔL
sin θmin). (However, the direction of the optical sensor 5b is + x.)
【0013】一方、出力Lが最大値Lmax となる角度θ
max がθ1 とθn の間にないときはオリフラ部は他の位
置にあるので、最大偏心量としてステップ7で得られた
Lmax を採用し、偏心角度θvに対応する角度としてθ
max を採用する。この場合、実際のウエハ1の中心位置
Wcは、θmax+180度の方向にある。(図5
(b),(d),(e)のような場合。)On the other hand, the angle θ at which the output L reaches the maximum value Lmax
When max is not between .theta.1 and .theta.n, the orientation flat portion is located at another position, so Lmax obtained in step 7 is adopted as the maximum eccentric amount, and .theta. is set as the angle corresponding to the eccentric angle .theta.v.
Use max. In this case, the actual center position Wc of the wafer 1 is in the direction of θmax + 180 degrees. (FIG. 5
Cases such as (b), (d), and (e). )
【0014】次にθmax に対して+90度隣の角度又は
−90度隣の角度θf (以下、平坦部判定角度θfとい
う)が、オリフラ部(または切欠部)を示す角度(θ1
乃至θn)内であるか否かの判定を行い、オリフラ部
(または切欠部)を示す角度内であればθmax に対して
270度先(または90度手前または270度手前)の
角度を中間角度θc とし、そのときのエッジ位置検出器
5の出力値を中間値Lc として採用する。また、平坦部
判定角度θf がオリフラ部(または切欠部)を示す角度
内でなければ、平坦部判定角度θfを中間角度θc と
し、そのときのエッジ位置検出器5の出力値を中間値L
c として採用して、ウエハ1の偏心量ΔL=Lmax −L
c を得る。このとき、中間角度θcは、表1のようにな
る。すなわち、平坦部判定角度θfが、ウエハ1のオリ
フラ部(または切欠部)を示す角度内でない場合は、θ
c=θfとする。なお、この中間角度θcに対応するエ
ッジ位置検出器5の出力値が中間値Lcとなる。しか
し、平坦部判定角度θfが、ウエハ1のオリフラ部(ま
たは切欠部)を示す角度内の場合は、平坦部判定角度θ
fに対して180度異なる角度を中間角度θcとする。
なお、この中間角度θcに対応するエッジ位置検出器5
の出力値が中間値Lcとなる。ただし、記憶手段に記憶
した角度データの範囲が0度乃至360度なので、平坦
部判定角度θf及び中間角度θcは、角度データの範囲
内に収まるようにする必要がある。この条件を満たすよ
うにするためには、表1に示したような場合分けが必要
になる。Next, an angle θf adjacent to +90 degrees or an angle θf adjacent to −90 degrees with respect to θmax (hereinafter referred to as a flat portion determination angle θf) is an angle (θ1) indicating the orientation flat portion (or notch portion).
To θn), and if it is within the angle indicating the orientation flat (or notch), the angle 270 degrees ahead (or 90 degrees or 270 degrees before) of θmax is set to the intermediate angle. θc, and the output value of the edge position detector 5 at that time is adopted as the intermediate value Lc. If the flat portion determination angle θf is not within the angle indicating the orientation flat portion (or notch portion), the flat portion determination angle θf is set to the intermediate angle θc, and the output value of the edge position detector 5 at that time is set to the intermediate value L.
c, the amount of eccentricity of the wafer 1 ΔL = Lmax−L
Get c. At this time, the intermediate angle θc is as shown in Table 1. That is, when the flat portion determination angle θf is not within the angle indicating the orientation flat portion (or notch portion) of the wafer 1, θ
Let c = θf. Note that the output value of the edge position detector 5 corresponding to the intermediate angle θc becomes the intermediate value Lc. However, when the flat portion determination angle θf is within the angle indicating the orientation flat portion (or notch portion) of the wafer 1, the flat portion determination angle θ
An angle that differs from f by 180 degrees is defined as an intermediate angle θc.
The edge position detector 5 corresponding to the intermediate angle θc
Becomes the intermediate value Lc. However, since the range of the angle data stored in the storage means is 0 degrees to 360 degrees, the flat portion determination angle θf and the intermediate angle θc need to be within the range of the angle data. In order to satisfy this condition, it is necessary to divide the cases as shown in Table 1.
【0015】[0015]
【表1】 [Table 1]
【0016】このときの検出器の出力波形の例を図8に
示す。同図(a)は表1の1に(b),(c)は表1の
2に、(d)は表1の3にそれぞれ相当する(但しθ1
<θf <θn のとき)。上記の結果からウエハ1の中心
位置Wcの現在位置座標(x,y)=(−ΔLcosθ
max ,−ΔLsinθmax )を得る。FIG. 8 shows an example of the output waveform of the detector at this time. FIG. 3A corresponds to 1 in Table 1 (b), (c) corresponds to 2 in Table 1, and (d) corresponds to 3 in Table 1 (provided that θ1
<Θf <θn). From the above result, the current position coordinates (x, y) of the center position Wc of the wafer 1 = (− ΔLcos θ)
max, -ΔL sin θ max).
【0017】[0017]
【発明が解決しようとする課題】このような、ウエハの
中心位置合せの精度は、現在次第に厳しくなってきてお
り、例えば中心位置で±0.25mm、またオリフラ部の
角度合せの精度は±0.25度程度が要求されるように
なってきている。このような要求を満足するには、最低
でもウエハの1回転で360度/0.25度=1,44
0以上のエッジ位置信号に関するデータが必要となる。
さらに、ウエハを回転させるためのターンテーブルの駆
動機構には若干の精度上の誤差が存在すること、および
ウエハの中心位置ずれとオリフラ位置角度のずれとは同
時に存在し(図5の(a),ないし(e))、これらが
総合した結果としてエッジ位置信号が得られるものであ
るので、さらに検出精度が悪くなるために、実際にはこ
れらの5倍以上のデータ数を確保しておくことが必要に
なる。そこで通常は1回転当り7500個程度のデータ
を取るようになっている。The accuracy of the center alignment of the wafer is becoming increasingly strict at present, for example, ± 0.25 mm at the center position, and the accuracy of the angular alignment of the orientation flat portion is ± 0. Approximately 25 degrees is required. In order to satisfy such a requirement, at least 360 degrees / 0.25 degrees = 1,44 in one rotation of the wafer.
Data relating to an edge position signal of 0 or more is required.
In addition, there is a slight error in accuracy in the drive mechanism of the turntable for rotating the wafer, and the shift of the center position of the wafer and the shift of the orientation flat position angle exist simultaneously (FIG. 5A). , Or (e)), since an edge position signal is obtained as a result of integrating them, the detection accuracy is further deteriorated. Is required. Therefore, usually, about 7,500 pieces of data are taken per rotation.
【0018】しかし、上記従来装置においては、エッジ
位置検出器5の出力を一旦CPU8に取り込み、CPU
8に設定されたプログラムにより、このエッジ位置信号
に関するデータを順次記憶回路に書き込み記憶するよう
になっている。ここで、ウエハのエッジ位置をエッジ位
置検出器5で検出し、この検出値をA/D変換器でデイ
ジイタル信号に変換してCPU8を経由して記憶回路7
に格納するときを考える。この場合、A/D変換器の動
作時間はエッジ位置信号に関するデータ1個当り30μ
s程度必要であり、またA/D変換器からデータを取り
出して記憶回路7の所定の番地に書き込むためのCPU
8の処理時間に50μs程度必要となり、合計80μs
がデータ1個当りの処理時間として必要となる。ここで
ウエハを1秒間に1回転(360度)させるとすると、
データの検出・記憶の速度は1/(80×10-6)=1
25,000回が上限となる。通常は動作の安全を考え
ると限界の60%程度、即ち7500回程度に選定する
のが限度である。このように選定すると必要な数のデー
タの検出記憶中はCPUが完全に占有されてしまい、他
の作業は全く行なう余地がない。それ故、ウエハの中心
位置ずれ量、オリフラ位置のずれ角度およびこれらの修
正量の演算は、ウエハを1回転させて、エッジ位置信号
に関するデータをすべて記憶した後にこれらのデータを
読み出して実施することになる。However, in the above-mentioned conventional apparatus, the output of the edge position detector 5 is once taken into the CPU 8 and
In accordance with the program set to 8, the data relating to the edge position signal is sequentially written and stored in the storage circuit. Here, the edge position of the wafer is detected by an edge position detector 5, the detected value is converted into a digital signal by an A / D converter, and stored in a storage circuit 7 via a CPU 8.
Consider when storing in In this case, the operation time of the A / D converter is 30 μm per data relating to the edge position signal.
and a CPU for extracting data from the A / D converter and writing the data to a predetermined address of the storage circuit 7.
Approximately 50 μs is required for processing time of 8 and a total of 80 μs
Is required as the processing time per data. Here, assuming that the wafer is rotated once (360 degrees) per second,
The speed of data detection and storage is 1 / (80 × 10 −6) = 1
The upper limit is 25,000. Normally, considering the safety of operation, the limit is about 60% of the limit, that is, about 7,500 times. With this selection, the CPU is completely occupied during the detection and storage of the required number of data, and there is no room for other operations. Therefore, the calculation of the shift amount of the center position of the wafer, the shift angle of the orientation flat position, and the correction amount thereof is performed by rotating the wafer once, storing all the data relating to the edge position signal, and reading out these data. become.
【0019】そこで従来においては、検出精度を向上さ
せるために、先ず中心ずれを1回目のエッジ位置検出操
作によって算出し、その結果によって中心位置ずれを修
正した後に、再度ウエハを回転させてほぼ直線状の位置
データとオリフラ部のみが上に凸となる形状のデータを
得て、このデータから演算することによってオリフラ位
置を検出し、その結果によってオリフラの位置を所定の
角度に一致させる操作を行うようにしている。このため
に、従来の装置においては、ウエハ回転,エッジ位置信
号に関するデータの検出・記憶のために1秒×2回=2
秒、記憶データの読み出しに1.5秒×2回=3秒、読
み出したデータによって中心位置ずれおよびオリフラ部
のずれ角度の演算,修正に3ないし5秒が必要となっ
て、合計8ないし10秒が必要であった。Therefore, conventionally, in order to improve the detection accuracy, the center shift is first calculated by the first edge position detecting operation, the center position shift is corrected based on the result, and then the wafer is rotated again to obtain a substantially straight line. The position data of the shape and the data of the shape in which only the orientation flat is convex upward are obtained, the orientation of the orientation flat is detected by calculating from this data, and the operation of matching the position of the orientation flat to a predetermined angle is performed based on the result. Like that. For this reason, in the conventional apparatus, 1 second.times.2 times = 2 times for detecting and storing data relating to the wafer rotation and the edge position signal.
Seconds, 1.5 seconds × 2 times = 3 seconds for reading stored data, 3 to 5 seconds are required for calculating and correcting the center position shift and the shift angle of the orientation flat portion depending on the read data, for a total of 8 to 10 seconds. Seconds were needed.
【0020】[0020]
【課題を解決するための手段】出願時請求項1の発明
は、前記ウエハ回転手段の回転中の各回転角度に対応さ
せて前記ウエハの端縁位置を検出及び記憶して、エッジ
位置信号の1つをLx1とし、前記エッジ位置信号Lx1を
検出した回転角度から90度、180度及び270度
(最初にウエハをウエハ回転手段に置いた状態からのウ
エハ回転手段の回転角度が360度以上となるときは3
60度を減じた角度)ウエハ回転手段を回転させたとき
のエッジ位置信号をそれぞれLx2、Lx3及びLx4とし
て、ウエハ回転手段が1回転する時点以前の前記エッジ
位置信号の出力を停止した時点からエッジ位置信号をL
x1、Lx2、Lx3及びLx4の4つの出力信号だけを検出及
び記憶して、中央演算処理回路(CPU)をウエハ回転
手段が1回転する時点以前から演算のために占有して中
央演算処理回路が前記ウエハの中心位置の偏心量Le及
び偏心角度θeの演算を開始するので、中央演算処理回
路をウエハ回転手段が1回転する時点以前から演算のた
めに占有することができ、ウエハの偏心量Le及び偏心
角度θeを短時間に高精度で合せることができる半導体
ウエハのセンタ合せ方法である。According to a first aspect of the present invention, an edge position of the wafer is detected and stored in correspondence with each rotation angle during rotation of the wafer rotation means, and an edge position signal is detected. One is Lx1, and 90 °, 180 ° and 270 ° from the rotation angle at which the edge position signal Lx1 is detected (when the rotation angle of the wafer rotation means from the state where the wafer is first placed on the wafer rotation means is 360 ° or more, When is 3
The angle position signal when the wafer rotating means is rotated is defined as Lx2, Lx3, and Lx4, respectively, and the edge from when the output of the edge position signal is stopped before the wafer rotating means makes one rotation is edged. Position signal L
Only the four output signals x1, Lx2, Lx3, and Lx4 are detected and stored, and the central processing unit (CPU) is occupied for the operation before the time when the wafer rotating means makes one rotation. Since the calculation of the eccentricity Le and the eccentric angle θe of the center position of the wafer is started, the central processing circuit can be occupied for the calculation before the time when the wafer rotating means makes one rotation, and the eccentricity Le of the wafer Le This is a method for centering a semiconductor wafer, which can adjust the eccentric angle θe with high accuracy in a short time.
【0021】また、出願時請求項2の発明は、周縁の一
部に平坦部又は切欠部を有するウエハであっても、前記
ウエハ回転手段の回転中の各回転角度に対応させて前記
ウエハの端縁位置を検出及び記憶して、平坦部又は切欠
部の端部の位置のエッジ位置信号をLx1とし、前記エッ
ジ位置信号Lx1を検出した回転角度から90度、180
度及び270度(最初にウエハをウエハ回転手段に置い
た状態からのウエハ回転手段の回転角度が360度以上
となるときは360度を減じた角度)ウエハ回転手段を
回転させたときのエッジ位置信号をそれぞれLx2、Lx3
及びLx4として、ウエハ回転手段が1回転する時点以前
の前記エッジ位置信号の出力を停止した時点からエッジ
位置信号をLx1、Lx2、Lx3及びLx4の4つの出力信号
と検出した平坦部又は切欠部の端縁位置のエッジ位置信
号とを検出及び記憶して、中央演算処理回路をウエハ回
転手段が1回転する時点以前から演算のために占有して
中央演算処理回路が前記ウエハの中心位置の偏心量Le
及び偏心角度θeおよびウエハの平坦部又は切欠部の中
心線の角度の演算を開始して、中央演算処理回路をウエ
ハ回転手段が1回転する時点以前から演算のために占有
することができるので、前記ウエハの偏心量Le及び偏
心角度θeおよび前記ウエハの平坦部又は切欠部の中心
線の角度を短時間に高精度で合せることができる半導体
ウエハのセンタ合せ方法である。Further, the invention of claim 2 at the time of filing of the present invention is directed to a wafer having a flat portion or a notch in a part of a peripheral edge thereof in accordance with each rotation angle during rotation of the wafer rotating means. The edge position is detected and stored, and the edge position signal of the position of the end of the flat portion or the notch is defined as Lx1, and the edge position signal Lx1 is 90 degrees, 180 degrees from the detected rotation angle.
And 270 degrees (when the rotation angle of the wafer rotation means from the state where the wafer is first placed on the wafer rotation means becomes 360 degrees or more, the angle is reduced by 360 degrees) Edge position when the wafer rotation means is rotated Signals are Lx2 and Lx3 respectively
And Lx4, a flat portion or a notch portion where the edge position signal is detected as four output signals Lx1, Lx2, Lx3, and Lx4 from the time when the output of the edge position signal is stopped before the time when the wafer rotating means makes one rotation. An edge position signal of the edge position is detected and stored, and the central processing circuit is occupied for calculation before the time when the wafer rotating means makes one rotation, and the central processing circuit eccentrically shifts the center position of the wafer. Le
Since the calculation of the eccentric angle θe and the angle of the center line of the flat portion or the notch portion of the wafer is started, the central processing circuit can be occupied for the calculation before the time when the wafer rotating means makes one rotation. A method of centering a semiconductor wafer, wherein the eccentricity Le and the eccentric angle θe of the wafer and the angle of the center line of the flat portion or the notch portion of the wafer can be adjusted with high accuracy in a short time.
【0022】また、出願時請求項3の発明は、周縁の一
部に平坦部又は切欠部を有するウエハであっても、前記
ウエハ回転手段の回転中の各回転角度に対応させて前記
ウエハの端縁位置を検出及び記憶して、平坦部又は切欠
部及びその端部を除くウエハの端縁位置のエッジ位置信
号をLx1とし、前記エッジ位置信号Lx1を検出した回転
角度から90度、180度及び270度(最初にウエハ
をウエハ回転手段に置いた状態からのウエハ回転手段の
回転角度が360度以上となるときは360度を減じた
角度)ウエハ回転手段を回転させたときのエッジ位置信
号をそれぞれLx2、Lx3及びLx4として、ウエハ回転手
段が1回転する時点以前の前記エッジ位置信号の出力を
停止した時点からエッジ位置信号をLx1、Lx2、Lx3及
びLx4の4つの出力信号と検出した平坦部又は切欠部の
端縁位置のエッジ位置信号とを検出及び記憶して、中央
演算処理回路をウエハ回転手段が1回転する時点以前か
ら演算のために占有して中央演算処理回路が前記ウエハ
の中心位置の偏心量Le及び偏心角度θeおよびウエハの
平坦部又は切欠部の中心線の角度の演算を開始して、中
央演算処理回路をウエハ回転手段が1回転する時点以前
から演算のために占有することができるので、前記ウエ
ハの偏心量Le及び偏心角度θeおよび前記ウエハの平坦
部又は切欠部の中心線の角度を短時間に高精度で合せる
ことができる半導体ウエハのセンタ合せ方法である。In addition, the invention of claim 3 at the time of filing of the present invention is directed to a wafer having a flat portion or a notch in a part of a peripheral edge thereof in accordance with each rotation angle during rotation of the wafer rotating means. The edge position is detected and stored, and the edge position signal of the edge position of the wafer excluding the flat portion or the notch portion and the edge portion is defined as Lx1, and the rotation angle at which the edge position signal Lx1 is detected is 90 degrees and 180 degrees. And 270 degrees (an angle reduced by 360 degrees when the rotation angle of the wafer rotation means from the state where the wafer is first placed on the wafer rotation means is 360 degrees or more) Edge position signal when the wafer rotation means is rotated Lx2, Lx3 and Lx4, respectively, from the time when the output of the edge position signal is stopped before the time when the wafer rotating means makes one rotation, the edge position signal is converted into four output signals Lx1, Lx2, Lx3 and Lx4. The detected edge position signal of the edge position of the flat portion or the notch is detected and stored, and the central processing circuit is occupied for calculation before the time when the wafer rotating means makes one rotation, so that the central processing circuit The calculation of the eccentric amount Le and the eccentric angle θe of the center position of the wafer and the angle of the center line of the flat portion or the notch portion of the wafer is started, and the central processing circuit is operated before the time when the wafer rotating means makes one rotation. And a center line angle of a flat portion or a notch portion of the wafer can be adjusted with high precision in a short time with high accuracy. It is.
【0023】さらに、出願時請求項4の発明は、請求項
1乃至請求項3に記載されている偏心量Le、偏心角度
算出用角度θ0の具体的な演算方法を示したものであ
る。Further, the invention of claim 4 at the time of filing shows a specific method of calculating the eccentric amount Le and the eccentric angle calculation angle θ0 described in claims 1 to 3.
【0024】[0024]
【実施例】図9に本発明の実施例を示す。同図において
ウエハ1はターンテーブル2に載せられ、ターンテーブ
ル2は電動機4にてθ軸まわりに回転駆動され、その回
転量はθ軸エンコーダ6にて検出される。また、ウエハ
1の端縁位置に関する信号はウエハエッジ位置検出器5
の光センサ5bによってアナログ信号として検出され
る。これらは図1に示した従来装置と同じである。ま
た、ターンテーブル2およびその回転駆動用の電動機4
およびエンコーダ6はX軸テーブル21に載置されてお
り、このX軸テーブル21はX軸テーブル駆動用の電動
機22aおよび送りネジ22bによって図のx1 −x2
方向に移動される。このX軸方向の移動量は電動機22
aに連結されたX軸用エンコーダ22cによって検出さ
れる。23aはウエハ1をターンテーブルから持ち上げ
て分離するためのリフタであり、電磁弁23bによって
駆動されるエヤシリンダ23cに連結されて図のZ方向
に駆動される。24は、A/D変換器であり、光センサ
5bのアナログ信号出力をデイジイタル信号に変換す
る。25は記憶回路、26はDMAデータ転送回路であ
り、27は中央演算処理回路(CPU),28aおよび
28bは電動機制御回路,29aおよび29bは比較器
でありCPU27からの電動機回転量指令信号を受けて
それぞれの電動機4、および22aの回転量信号に変換
する電動機制御回路28a,28bの出力とエンコーダ
6および22cの出力とを比較し、差信号によって各電
動機を駆動する。FIG. 9 shows an embodiment of the present invention. In FIG. 1, a wafer 1 is placed on a turntable 2, and the turntable 2 is driven to rotate around a θ-axis by an electric motor 4, and the amount of rotation is detected by a θ-axis encoder 6. A signal relating to the edge position of the wafer 1 is supplied to a wafer edge position detector 5.
Is detected as an analog signal by the optical sensor 5b. These are the same as the conventional device shown in FIG. Also, a turntable 2 and an electric motor 4 for rotationally driving the turntable 2
And the encoder 6 are mounted on an X-axis table 21. The X-axis table 21 is driven by an electric motor 22a for driving the X-axis table and a feed screw 22b.
Moved in the direction. The amount of movement in the X-axis direction is
This is detected by the X-axis encoder 22c connected to a. A lifter 23a lifts and separates the wafer 1 from the turntable, and is connected to an air cylinder 23c driven by a solenoid valve 23b and driven in the Z direction in the figure. An A / D converter 24 converts an analog signal output of the optical sensor 5b into a digital signal. 25 is a storage circuit, 26 is a DMA data transfer circuit, 27 is a central processing circuit (CPU), 28a and 28b are motor control circuits, 29a and 29b are comparators, and receives a motor rotation amount command signal from the CPU 27. The outputs of the motor control circuits 28a and 28b, which convert the signals into rotation amount signals of the respective motors 4 and 22a, are compared with the outputs of the encoders 6 and 22c, and each motor is driven by the difference signal.
【0025】なお、ターンテーブル2およびX軸テーブ
ル21を駆動する電動機としてパルスモータを用いると
きには、エンコーダ6および22cは必要ではなく、C
PU27からの駆動指令パルス数に応じて駆動すればよ
い。When a pulse motor is used as an electric motor for driving the turntable 2 and the X-axis table 21, the encoders 6 and 22c are not necessary, and C
What is necessary is just to drive according to the number of drive command pulses from PU27.
【0026】次に、DMAデータ転送回路26について
説明する。DMAデータ転送回路26はダイレクトメモ
リアクセス回路の略であり、組み合わせるCPUに対応
した回路がLSIの形で市販されているものが使用でき
る。例えばCPUとしてインテル社の8085MPUを
用いるときにはDMAとして8237A形,ザイログ社
のZ80MPUに対してはZ80DMA形が、またモト
ローラ社の6809MPUに対しては6844形のDM
A(以上いずれも米国メーカの形名)等がある。Next, the DMA data transfer circuit 26 will be described. The DMA data transfer circuit 26 is an abbreviation of a direct memory access circuit, and a circuit corresponding to a CPU to be combined is commercially available in the form of an LSI. For example, when using Intel's 8085 MPU as the CPU, the DMA 8237A type, the Z80 DMA type for Zilog's Z80 MPU, and the 6844 type DM for Motorola's 6809 MPU.
A (both are model names of US manufacturers).
【0027】このDMAデータ転送回路は、入出力機器
間、入出力機器とメモリ間、メモリとメモリとの間のそ
れぞれにおいて、CPUを経由することなくデータを直
接転送する回路であり、この間において、CPUに対し
てはデータバスの解放、復帰のための信号のやりとりだ
けであるので、CPUを占有する時間はデータをCPU
経由で転送する場合の数%以下のわずかの時間でよい。
この結果ウエハエッジ位置の検出・記憶動作とデータ処
理とをウエハの回転中に実施することができるようにな
る。This DMA data transfer circuit is a circuit for directly transferring data between an input / output device, between an input / output device and a memory, and between a memory and a memory without passing through a CPU. Since the CPU only needs to exchange signals for releasing and returning the data bus, the time occupying the CPU is limited
Only a short time of less than a few percent is required when transferring via.
As a result, the wafer edge position detection / storage operation and data processing can be performed while the wafer is rotating.
【0028】以下、図9の実施例について、図10乃至
図12を参照して説明する。まず、図10及び図11の
フローチャートを説明する前に、図12を参照して、幾
何学的に偏心量Le及び偏心角度θeを算出する方法につ
いて説明する。The embodiment shown in FIG. 9 will be described below with reference to FIGS. First, before describing the flowcharts of FIGS. 10 and 11, a method of geometrically calculating the eccentric amount Le and the eccentric angle θe will be described with reference to FIG.
【0029】図12において、ウエハの平坦部または切
欠部の終端部に対応するターンテーブル2の回転角度を
θx1とし、この回転角度θx1から90度ずつ異なるター
ンテーブル2の角度回転をそれぞれθx2、θx3及びθx4
とする。また、エッジ位置検出器5の位置とターンテー
ブル2の回転中心位置とを結ぶ直線をX軸とし、回転角
度θx1に対応するウエハの平坦部または切欠部の終端部
のウエハの端縁位置Px1とターンテーブル2の回転中心
位置とを結ぶ直線を基線とする。また、回転角度θx1な
いしθx4に対するエッジ位置信号をLx1ないしLx4とす
れば、CPU27にてターンテーブル2の回転中心位置
Tcに対するウエハ1の中心位置Wcのずれ量(偏心
量)Le とX軸に対するウエハの中心位置Wcのずれ角
度(偏心角度)θe を(式1)乃至(式3)によって算
出できる。但し、偏心角度算出用角度θ0 は360度回
転(回転開始前と同じ)したときのターンテーブル2の
回転中心位置Tcとウエハ1の中心位置Wcとを結ぶ直
線(以下、偏心角度軸という)と基線とがなす角度、θ
STはこのときのX軸と上記基線とのなす角度である。な
お、例えば図12の場合、このθSTの大きさは(360
°−θx1)に相当するのでθx1が決定されると既知とな
る。また、ターンテーブル2の回転中心位置Tc、ウエ
ハの中心位置Wc、X軸、θx1ないしθx4等の相互関係
は図12に示す通りであり、これから各計算式が成立す
ることは容易に理解できる。In FIG. 12, the rotation angle of the turntable 2 corresponding to the end portion of the flat portion or the notch portion of the wafer is defined as θx1, and the rotation angles of the turntable 2 different from the rotation angle θx1 by 90 degrees are respectively θx2 and θx3. And θx4
And Further, a straight line connecting the position of the edge position detector 5 and the rotation center position of the turntable 2 is defined as the X axis, and the edge position Px1 of the wafer at the end of the flat portion or the notch portion corresponding to the rotation angle θx1. A straight line connecting the rotation center position of the turntable 2 is defined as a base line. If the edge position signals for the rotation angles θx1 to θx4 are Lx1 to Lx4, the CPU 27 controls the CPU 27 to shift the center position Wc of the wafer 1 with respect to the rotation center position Tc of the turntable 2 (eccentricity) Le and the wafer with respect to the X axis. Can be calculated by (Equation 1) to (Equation 3). However, the eccentric angle calculation angle θ0 is a straight line (hereinafter, referred to as an eccentric angle axis) connecting the rotation center position Tc of the turntable 2 and the center position Wc of the wafer 1 when rotated 360 degrees (same as before the start of rotation). Angle between base line and θ
ST is the angle between the X axis and the base line at this time. In the case of FIG. 12, for example, the magnitude of θST is (360
(° −θx1), and becomes known when θx1 is determined. Further, the correlation among the rotation center position Tc of the turntable 2, the center position Wc of the wafer, the X axis, θx1 to θx4, etc. is as shown in FIG. 12, and it can be easily understood that the formulas are established from this.
【0030】[0030]
【式1】 (Equation 1)
【式2】 (Equation 2)
【式3】 (Equation 3)
【0031】次に、Le ,θe ,θ0を用いてセンタ合
せ(ウエハの中心位置を基準位置に合せること)、平坦
部(又は切欠部)の角度合せ(ウエハの平坦部(又は切
欠部)の中心線を特定の角度に合せること)をする方法
について説明する。まず、ターンテーブル2をθe だけ
回転させて、X軸上にウエハ1の中心位置Wcを移動さ
せる。次にリフタ23aを上昇させ、ウエハ1をターン
テーブル2から持ちあげる。この後にX軸テーブル21
をLe(図12の場合) だけ移動させる。さらに、リフ
タ23aを下降させてウエハをターンテーブルの上に戻
すとセンタ合せ(中心合せ)が完了する。Next, using Le, θe, and θ0, centering (aligning the center position of the wafer to the reference position), angle alignment of the flat portion (or notch portion) (alignment of the flat portion (or notch portion) of the wafer). A method for adjusting the center line to a specific angle will be described. First, the turntable 2 is rotated by θe to move the center position Wc of the wafer 1 on the X axis. Next, the lifter 23a is raised, and the wafer 1 is lifted from the turntable 2. After this, the X-axis table 21
Is moved by Le (in the case of FIG. 12). Further, when the lifter 23a is lowered and the wafer is returned on the turntable, the centering (centering) is completed.
【0032】この後に、ターンテーブル2を回転させて
平坦部の中心線(ウエハ1の中心位置Wcとオリフラ部
の中心位置(角度θxcに対応する位置)とを結ぶ直線)
が所定角度に一致するまで回転させて角度合わせが終了
する。Thereafter, the turntable 2 is rotated to rotate the center line of the flat portion (a straight line connecting the center position Wc of the wafer 1 and the center position of the orientation flat portion (a position corresponding to the angle θxc)).
Are rotated until they match the predetermined angle, and the angle adjustment is completed.
【0033】なお、中心合わせ完了時には、オリフラ部
の中心線がX軸に対して傾いているので、オリフラ部の
中心線をX軸に一致させる場合、通常は偏心量Leが小
さいので、実用上は、(θ0+1/2・α)だけターン
テーブル2の角度を修正すればよい。しかし、偏心量L
eが大きい場合又は正確にオリフラの中心線を所定角度
に一致させたい場合は、偏心角度算出用角度θ0及び偏
心量Le及びオリフラ部の終了点までの角度θx1及びθ
x1に対応するエッジ位置信号Lx1等から、数学的に偏心
量修正後角度θkを算出して、偏心角度算出用角度θ0
の代わりに偏心量修正後角度θkを使用すればよい。す
なわち、(θk+1/2・α)によってターンテーブル
2を回転させればよい。例えば、図12の場合、下記の
ように数学的に偏心量修正後角度θkを算出することが
できる。なお、偏心量修正後角度θkとは、図12に示
すように、ターンテーブル2の回転中心位置Tcとウエ
ハ1の中心位置Wcとを結ぶ偏心角度軸と、ウエハ1の
中心位置Wcと角度θx1に対応する位置Px1とを結ぶ直
線とのなす角度である。まず、ターンテーブル2の回転
中心位置Tcから位置Px1までの距離TcPx1(距離Tc
Px1は、Lx1に対応する。すなわち、エッジ位置検出器
とターンテーブル2との距離は、仕様で決まっているの
で、Lx1が分かれば、距離TcPx1を算出することがで
きる)及び偏心量Le及び偏心角度算出用角度θ0によ
って、ウエハ1の中心位置Wcから位置Px1までの距離
WcPx1を次式によって算出できる。なお、ウエハは、
直径、平坦部の大きさ等の仕様が決まっているので、ウ
エハ1の半径であるWcPx1は仕様で決まっている値を
使用することもできる。 WcPx1 = √(TcPx12+Le2−2*TcPx1*Le*co
s(θ0)) また、位置Px1から偏心角度軸に対して垂直な直線を引
いたときの交点を位置Pkとすると、∠PkPx1Tcは次
式で算出できる。 ∠PkPx1Tc = 180−90−θ0 [°] さらに、位置Pkから位置Px1までの距離PkPx1は、次
式によって算出できる。 PkPx1 = TcPx1*cosθ (θ=∠PkPx1Tc) よって、θkは次式で算出できる。 θk = sin-1(PkPx1/WcPx1) [°] さらに、オリフラ部の中心線がX軸に対してγ度傾いた
位置にするには中心合せ完了時にオリフラ部の中心線が
X軸に対して(θ0 +1/2・α)だけ傾いているから
γ−(θ0 +1/2・α)だけ回転させればよい。この
場合も、偏心量Leが大きい場合又は正確にオリフラの
中心線を所定角度に一致させたい場合は、前述の場合と
同様に、偏心角度算出用角度θ0の代わりに偏心量修正
後角度θkを使用してγ−(θk+1/2・α)によっ
てターンテーブル2を回転させればよい。When the centering is completed, the center line of the orientation flat is inclined with respect to the X axis. When the center line of the orientation flat is aligned with the X axis, the amount of eccentricity Le is usually small. Can be obtained by correcting the angle of the turntable 2 by (θ0 + / · α). However, the amount of eccentricity L
When e is large or when it is desired to exactly match the center line of the orientation flat to a predetermined angle, the eccentric angle calculation angle θ0 and the eccentricity Le and the angles θx1 and θ to the end point of the orientation flat section are set.
From the edge position signal Lx1 or the like corresponding to x1, the eccentricity corrected angle θk is mathematically calculated, and the eccentric angle calculation angle θ0 is calculated.
Instead, the angle θk after the correction of the eccentricity may be used. That is, the turntable 2 may be rotated by (θk + / · α). For example, in the case of FIG. 12, the angle θk after the correction of the eccentricity can be mathematically calculated as follows. The eccentricity-corrected angle θk is, as shown in FIG. 12, an eccentric angle axis connecting the rotation center position Tc of the turntable 2 and the center position Wc of the wafer 1, a center position Wc of the wafer 1 and an angle θx1. Is an angle made with a straight line connecting the position Px1 corresponding to. First, a distance TcPx1 (a distance Tc) from the rotation center position Tc of the turntable 2 to the position Px1.
Px1 corresponds to Lx1. That is, since the distance between the edge position detector and the turntable 2 is determined by the specification, if Lx1 is known, the distance TcPx1 can be calculated.) The amount of eccentricity Le and the angle θ0 for calculating the eccentric angle, The distance WcPx1 from the center position Wc to the position Px1 can be calculated by the following equation. The wafer is
Since the specifications such as the diameter and the size of the flat portion are determined, the value of WcPx1, which is the radius of the wafer 1, can be a value determined by the specifications. WcPx1 = √ (TcPx1 2 + Le 2 -2 * TcPx1 * Le * co
s (θ0)) Further, assuming that the intersection point when a straight line perpendicular to the eccentric angle axis is drawn from the position Px1 is the position Pk, ∠PkPx1Tc can be calculated by the following equation. ∠PkPx1Tc = 180−90−θ0 [°] Further, the distance PkPx1 from the position Pk to the position Px1 can be calculated by the following equation. PkPx1 = TcPx1 * cos θ (θ = ∠PkPx1Tc) Therefore, θk can be calculated by the following equation. θk = sin-1 (PkPx1 / WcPx1) [°] Furthermore, in order to set the center line of the orientation flat to a position inclined by γ degrees with respect to the X axis, the center line of the orientation flat is positioned with respect to the X axis when the centering is completed. Since it is tilted by (θ0 + / · α), it may be rotated by γ- (θ0 + / · α). Also in this case, when the eccentricity Le is large or when it is desired to exactly match the center line of the orientation flat with the predetermined angle, the corrected eccentricity angle θk is used instead of the eccentric angle calculation angle θ0 as in the case described above. Then, the turntable 2 may be rotated by γ− (θk + / · α).
【0034】次に図9の実施例を図10および図11の
フローチャートにより説明する。図9ないし図11にお
いて、図示しない搬送手段によってウエハ1がターンテ
ーブル2に載せられるとウエハ1のセンタ合せ及びウエ
ハ1のオリフラ部の角度合せ動作が開始される。初めに
記憶回路に記憶されるθx およびカウンタxを0にセッ
トし、光センサ5bの出力を待って記憶回路25にその
ときの回転角度θx (=0)とともに記憶する。また、
光センサ5bの出力は最低でも1V程度あるので、ステ
ップ5では、記憶回路25から光センサの出力信号Lx
を読み込みCPUに入力して、Lx≠0であるかを判別
する。Lx≠0であれば、測定開始と判断してステップ
6に移るが、Lx=0であれば再度、記憶回路25から
光センサの出力信号Lxを読み込み、CPUに入力し
て、Lx≠0であるかを判別する。ステップ6では、記
憶回路25から読み込みCPUに入力した光センサ5b
の出力信号LxからΔLx=Lx −Lx-1 を演算する。ス
テップ7では、ΔLx/Δθx>ΔLmax (但しΔθxは
単位回転角度、ΔLmax はそれまでの出力変化率ΔLx
/Δθxの最大値)を調べる。スタート時は当然、Lx
=Lx-1 、ΔLx=ΔLmax=0なのでΔLx/Δθx=Δ
Lmax =0となりステップ9に移る。ステップ7におい
て、ΔLx/Δθx>ΔLmaxが成立する場合は、ステッ
プ8で、このΔLx/Δθxを新たなΔLmaxとす
る。その後、ステップ13に移る。ステップ9では、θ
x≧360度であるかを判別する。θx≧360度のとき
は、ターンテーブル2が360度回転しているので、ス
テップ12にて、角度θx1ないしθx4に対応するエッジ
位置信号Lx1ないしLx4を算出して、その後ステップ2
1に移る。ステップ9でθx≧360度でないときは、
ステップ10に移る。ステップ10では、角度θx1ない
しθx4を選定できたかを判別し、角度θx1ないしθx4が
選定できていれば、ステップ11に移り、角度θx1ない
しθx4が選定できていなければ、ステップ18に移る。
ステップ11では、角度θx1ないしθx4に対応するエッ
ジ位置信号Lx1ないしLx4が全部算出できる状態である
か、すなわち、角度θx1ないしθx4のときのエッジ位置
が全部検出できているかを判別し、全部検出できていれ
ば、ステップ12にて、角度θx1ないしθx4に対応する
エッジ位置信号Lx1ないしLx4を算出して、その後ステ
ップ21に移る。なお、この時点でθx≧360度でな
いときは、ターンテーブル2を360度まで回転させて
からステップ21に移ればよい。ステップ11でエッジ
位置信号Lx1ないしLx4が全部算出できる状態でないと
きは、ステップ18に移る。Next, the embodiment of FIG. 9 will be described with reference to the flowcharts of FIGS. 9 to 11, when the wafer 1 is placed on the turntable 2 by the transfer means (not shown), the centering operation of the wafer 1 and the angle adjusting operation of the orientation flat portion of the wafer 1 are started. First, .theta.x and the counter x stored in the storage circuit are set to 0, and after waiting for the output of the optical sensor 5b, it is stored in the storage circuit 25 together with the rotation angle .theta.x (= 0) at that time. Also,
Since the output of the optical sensor 5b is at least about 1 V, in step 5, the output signal Lx
Is read and input to the CPU to determine whether Lx ≠ 0. If Lx ≠ 0, it is determined that measurement has started, and the process proceeds to step 6. If Lx = 0, the output signal Lx of the optical sensor is read from the storage circuit 25 again and input to the CPU. Determine if there is. In step 6, the optical sensor 5b read from the storage circuit 25 and input to the CPU
ΔLx = Lx−Lx−1 is calculated from the output signal Lx. In step 7, ΔLx / Δθx> ΔLmax (where Δθx is the unit rotation angle, and ΔLmax is the output change rate ΔLx until then).
/ Maximum value of Δθx). When starting, of course, Lx
= Lx-1 and ΔLx = ΔLmax = 0, so ΔLx / Δθx = Δ
Lmax = 0, and the routine proceeds to step 9. If ΔLx / Δθx> ΔLmax is satisfied in step 7, this ΔLx / Δθx is set as a new ΔLmax in step 8. Thereafter, the process proceeds to step S13. In step 9, θ
It is determined whether x ≧ 360 degrees. When θx ≧ 360 degrees, since the turntable 2 is rotated by 360 degrees, the edge position signals Lx1 to Lx4 corresponding to the angles θx1 to θx4 are calculated in step 12, and thereafter, in step 2,
Move to 1. If θx ≧ 360 degrees is not satisfied in step 9,
Move to step 10. In step 10, it is determined whether or not the angles θx1 to θx4 have been selected. If the angles θx1 to θx4 have been selected, the process proceeds to step 11, and if the angles θx1 to θx4 have not been selected, the process proceeds to step 18.
In step 11, it is determined whether all the edge position signals Lx1 to Lx4 corresponding to the angles θx1 to θx4 can be calculated, that is, it is determined whether all the edge positions at the angles θx1 to θx4 have been detected. If so, in step 12, the edge position signals Lx1 to Lx4 corresponding to the angles θx1 to θx4 are calculated, and then the process proceeds to step 21. If θx ≧ 360 degrees is not satisfied at this time, the process proceeds to step 21 after rotating the turntable 2 to 360 degrees. If it is determined in step 11 that all the edge position signals Lx1 to Lx4 cannot be calculated, the process proceeds to step 18.
【0035】次にステップ13にて(x−1)の符号が
判断される(Δθxの回転を2回以上行ったかの判
断)。スタート時の場合x=0、すなわちx−1=−1
であるので、x−1>0が不成立となる。そのために、
ステップ18にスキップしてさらにターンテーブル2を
Δθx回転させると共に、x=x+1及びθx=θx+
Δθxを実行する。ステップ18の後ステップ4に戻
り、(θx ,Lx )を記憶回路に格納する。その後、ス
テップ5乃至13を実行するが、このときx=1なの
で、ステップ13でx−1>0が不成立となる。そのた
めに、再度ステップ18にスキップしターンテーブル2
を、Δθx回転させると共に、x=x+1及びθx=θ
x+Δθxを実行する。その後、前述と同様に、ステッ
プ4乃至13を実行するが、このときx=2なので、ス
テップ13では、x−1>0が成立する。そのために、
ステップ14に移る。Next, at step 13, the sign of (x-1) is determined (whether the rotation of Δθx has been performed twice or more). At the start, x = 0, ie, x-1 = -1
Therefore, x-1> 0 is not established. for that reason,
Skipping to step 18, the turntable 2 is further rotated by Δθx, and x = x + 1 and θx = θx +
Execute Δθx. After step 18, the process returns to step 4 to store (θx, Lx) in the storage circuit. Thereafter, steps 5 to 13 are executed. At this time, since x = 1, x-1> 0 is not established in step 13. Therefore, skip to step 18 again and turntable 2
Are rotated by Δθx, and x = x + 1 and θx = θ
Execute x + Δθx. Thereafter, steps 4 to 13 are executed in the same manner as described above. At this time, since x = 2, x-1> 0 is satisfied in step 13. for that reason,
Move to step 14.
【0036】ステップ14では、このときのΔLxと1
回前のΔLx-1 とを比較しΔLx /ΔLx-1 >k(但し
kはあらかじめ定めた定数)を調べて、これが成立しな
いときはオリフラ部の端部でないと判断してステップ1
8に移った後、ステップ4以降のステップを実行する。
ΔLx /ΔLx-1 >kのときはエッジ位置の変化量が大
きいのでオリフラ部の始端部であると判断し、ステップ
15に移る。ステップ15では、このときまでの回転角
θx =X・Δθxと予め判っているオリフラ部の中心角
αとから、オリフラ内になく(端部は含む)、かつ相互
に回転角で90度離れた角度(θx1,θx2,θx3,θx
4)を選定する。その後、ステップ16に移る。ステッ
プ16では、前述したθx1,θx2,θx3,θx4に対応す
るエッジ位置信号Lx1,Lx2,Lx3,Lx4を算出する。
このときθx1として採用すべき角度は、例えば、現在の
θx にオリフラ部の中心角αを加えた角度θx1=θx +
αを採用すればよいが、他の3点は(θx +α)の値に
よって表2のように決定する。In step 14, ΔLx at this time and 1
A comparison is made with the previous ΔLx−1 to check ΔLx / ΔLx−1> k (where k is a predetermined constant).
After moving to 8, the steps after step 4 are executed.
When ΔLx / ΔLx−1> k, the change amount of the edge position is large, so it is determined that the orientation flat is the start end, and the process proceeds to step S15. In step 15, the rotation angle θx = X · Δθx and the center angle α of the orientation flat portion which is known in advance are not within the orientation flat (including the end portion), and are mutually separated by a rotation angle of 90 degrees. Angle (θx1, θx2, θx3, θx
Select 4). Thereafter, the process proceeds to step S16. In step 16, edge position signals Lx1, Lx2, Lx3, Lx4 corresponding to the above-mentioned θx1, θx2, θx3, θx4 are calculated.
At this time, the angle to be adopted as θx1 is, for example, an angle θx1 = θx + obtained by adding the central angle α of the orientation flat portion to the current θx.
α may be adopted, but the other three points are determined as shown in Table 2 depending on the value of (θx + α).
【0037】[0037]
【表2】 [Table 2]
【0038】これらの点の全データがそれまでのウエハ
回転によって得られているか否かをステップ17で判断
し、もし得られていなければステップ18に進んで、さ
らにターンテーブル2をΔθx回転させてステップ4な
いし16をくりかえす。θx1ないしθx4とこれらに対応
するLx1ないしLx4のエッジ位置信号が得られていると
ステップ19に移り、残りの角度を回転させて、360
度回転させたところで停止する。It is determined in step 17 whether or not all the data at these points has been obtained by the previous wafer rotation. If not, the process proceeds to step 18 and the turntable 2 is further rotated by Δθx. Steps 4 to 16 are repeated. If θx1 to θx4 and the corresponding edge position signals of Lx1 to Lx4 have been obtained, the process proceeds to step 19, where the remaining angles are rotated to 360
It stops when it has been rotated degrees.
【0039】ステップ21にてLe ,θe ,θ0 が算出
されると、ステップ22にてCPU27はターンテーブ
ル駆動用電動機制御回路28aに対してターンテーブル
2をθe だけ回転させるよう指令を発し、ずれ角を修正
して、X軸上にウエハ1の中心位置Wcを移動させる。
次にステップ23にてCPU27は電磁弁23bに指令
を出してエヤシリンダ23cを動作させてリフタ23a
を上昇させ、ウエハ1をターンテーブル2から持ちあげ
る。この後にCPU27はX軸駆動用電動機制御回路2
8bにLe (図12の場合)だけ移動させる指令を出力
し、電動機22aが回転して送りネジ22bを回転させ
てX軸テーブル21をLe だけ移動させる。さらにステ
ップ25にてリフタ23aを下降させてウエハをターン
テーブルの上に戻す(中心合せ完了)。When Le, θe, and θ0 are calculated in step 21, the CPU 27 issues a command to the turntable driving motor control circuit 28a to rotate the turntable 2 by θe in step 22, and outputs a deviation angle. Is corrected, and the center position Wc of the wafer 1 is moved on the X axis.
Next, in step 23, the CPU 27 issues a command to the solenoid valve 23b to operate the air cylinder 23c, and the lifter 23a
And lift the wafer 1 from the turntable 2. Thereafter, the CPU 27 sets the X-axis driving motor control circuit 2
A command to move 8b to Le (in the case of FIG. 12) is output, and the electric motor 22a rotates to rotate the feed screw 22b to move the X-axis table 21 by Le. Further, in step 25, the lifter 23a is lowered to return the wafer onto the turntable (centering is completed).
【0040】この後にステップ26にてターンテーブル
2を回転させてオリフラ部の中心線(ウエハ1の中心位
置Wcとオリフラ部の中心位置(角度θxcに対応する位
置)とを結ぶ直線)が所定角度に一致するまで回転させ
て終了する。Thereafter, in step 26, the turntable 2 is rotated so that the center line of the orientation flat portion (a straight line connecting the center position Wc of the wafer 1 and the center position of the orientation flat portion (position corresponding to the angle θxc)) has a predetermined angle. Rotate until it matches and finish.
【0041】なお、ステップ19および20において3
60度まで回転させたが、位置修正時の計算式を変更す
ることにより、ステップ17においてθx1ないしθx4に
対応するLx1ないしLx4のデータが得られた位置でエッ
ジ位置検出のための回転を停止し、ステップ21に移る
ようにしてもよい。この場合、ウエハは最初の位置に戻
っていないので、ずれ角およびずれ量の計算および修正
にこのときまでの回転角度θxを加味してやればよい。In steps 19 and 20, 3
Although it was rotated to 60 degrees, by changing the calculation formula at the time of position correction, the rotation for detecting the edge position was stopped at the position where the data of Lx1 to Lx4 corresponding to θx1 to θx4 was obtained in step 17. , Step 21 may be performed. In this case, since the wafer has not returned to the initial position, the rotation angle θx up to this point may be added to the calculation and correction of the shift angle and shift amount.
【0042】なお、本発明は上記のようなオリフラ部を
有するウエハの中心位置合せ、オリフラ部の角度合せに
のみ適用されるものではなく、オリフラのかわりに切欠
き部を有するものあるいは矩形、正方形の板状物の位置
合せにも適用できる。It should be noted that the present invention is not limited to the center alignment of wafers having the above-mentioned orientation flats and the angle adjustment of the orientation flats. It can also be applied to the alignment of plate-like objects.
【0043】[0043]
【発明の効果】本発明は、実施例のように、DMAデー
タ転送手段を使用しない場合であっても、最初に検出し
た端縁位置のエッジ位置信号をLx1とし、前記エッジ位
置信号Lx1を検出した回転角度から90度、180度及
び270度ウエハ回転手段を回転させたときのエッジ位
置信号をそれぞれLx2、Lx3及びLx4として、ウエハ回
転手段が1回転する時点以前の前記エッジ位置信号の出
力を停止した時点からエッジ位置信号をLx1、Lx2、L
x3及びLx4の4つの出力信号と検出した平坦部又は切欠
部の端縁位置のエッジ位置信号とを検出及び記憶して、
CPUをウエハ回転手段が1回転する時点以前から演算
のために占有してCPUがウエハの中心位置の偏心量L
e及び偏心角度θeを演算を開始するので、CPUをウエ
ハ回転手段が1回転する時点以前から演算のために占有
することができ、従来技術よりもウエハの偏心量Le及
び偏心角度θeを短時間に高精度で合せることができ
る。As described above, according to the present invention, even when the DMA data transfer means is not used, the edge position signal of the edge position detected first is set to Lx1, and the edge position signal Lx1 is detected. The edge position signals when the wafer rotating means are rotated by 90 degrees, 180 degrees, and 270 degrees from the rotation angles set as Lx2, Lx3, and Lx4, respectively, and the output of the edge position signal before the time when the wafer rotating means makes one rotation. From the time of stopping, the edge position signals are changed to Lx1, Lx2, L
detecting and storing the four output signals x3 and Lx4 and the detected edge position signal of the edge position of the flat part or the notch part,
The CPU is occupied for calculation before the time when the wafer rotation means makes one rotation, and the CPU causes the eccentricity L of the center position of the wafer to be calculated.
Since the calculation of e and the eccentric angle θe is started, the CPU can be occupied for the calculation before the time when the wafer rotating means makes one rotation, and the eccentric amount Le and the eccentric angle θe of the wafer can be set shorter than in the prior art. Can be adjusted with high precision.
【0044】さらに、本発明は、実施例のように、DM
Aデータ転送手段を使用することによって、ウエハを回
転させてエッジ位置を検出するときに、CPUを経由せ
ずにDMAデータ転送手段によってA/D変換器から直
接記憶回路に格納するようにしたので、ウエハエッジ位
置検出、記憶時にCPUがこのために占有される時間が
ほとんどなく、この検出記憶に並行して、オリフラ位置
の検出のための演算が可能となり、センタ合せのための
所要時間を短縮することができる。また、エッジ位置検
出、記憶のためにCPUをほとんど占有することがない
ので同じ回転速度でも従来装置にくらべてデータを得る
ための単位回転角度を従来の数分の1の細かいものとす
ることができる。この結果、従来はウエハ1の中心位置
ずれの検出・補正後に再度ウエハを回転させてエッジ位
置の変化をオリフラ部による変化のみとしてオリフラ位
置を検出するようにしなければ要求される精度が得られ
なかったのに対して、1回の回転のみで中心位置ずれと
オリフラ位置の検出とを同時に行っても十分な精度が得
られるものである。Further, according to the present invention, the DM
When the edge position is detected by rotating the wafer by using the A data transfer means, the data is directly stored in the storage circuit from the A / D converter by the DMA data transfer means without passing through the CPU. The CPU occupies almost no time for detecting and storing the wafer edge position, and in parallel with the detection and storage, the calculation for detecting the orientation flat position becomes possible, thereby reducing the time required for centering. be able to. Also, since the CPU is hardly occupied for edge position detection and storage, the unit rotation angle for obtaining data at the same rotation speed can be reduced to a fraction of that of the conventional device even at the same rotation speed. it can. As a result, in the related art, the required accuracy cannot be obtained unless the wafer is rotated again after the detection and correction of the center position deviation of the wafer 1 and the change in the edge position is detected only by the change in the orientation flat portion to detect the orientation flat position. On the other hand, sufficient accuracy can be obtained even if the displacement of the center position and the detection of the orientation flat position are simultaneously performed by only one rotation.
【0045】本発明の装置において、図1にて説明した
従来装置と同様に、ウエハを1秒間に1回転の速度で回
転させるようにしたときの結果を調べてみた。この場合
は、エッジ位置検出のためのウエハ回転を1回としその
かわりに1回転当りのデータ採取数を従来の3ないし4
倍程度の多い量として、図10および図11のフローチ
ャートに示した手順でセンタ合せとオリフラ合せを行っ
た結果、ウエハ回転・検出記憶、オリフラ部を発見しθ
x1ないしθx4の選定までに1秒、その後のθe,Le の
算出および修正に2ないし3秒かかり、合計3秒ないし
4秒で完了し、かつ精度も十分であった。この所要時間
は、従来装置による場合の30ないし40%という少な
い時間であり、本発明の大なる効果を確認できた。な
お、上記所要時間の差は、回転開始位置からのオリフラ
位置および中心位置の各ずれ量の差によって例示のよう
に最大1秒程度の変動が生ずるものである。In the apparatus of the present invention, as in the conventional apparatus described with reference to FIG. 1, the result when the wafer is rotated at one rotation per second was examined. In this case, the rotation of the wafer for detecting the edge position is set to one time, and instead, the number of data to be collected per rotation is set to three to four of the conventional value.
As a result, the wafer rotation / detection storage and the orientation flat portion were found as a result of performing center alignment and orientation flat alignment in the procedure shown in the flowcharts of FIGS.
It took one second to select x1 to θx4, and then two to three seconds to calculate and correct θe and Le. The total was completed in three to four seconds, and the accuracy was sufficient. This required time is as short as 30 to 40% of the time required by the conventional apparatus, and a great effect of the present invention was confirmed. The difference in the required time fluctuates by a maximum of about 1 second as illustrated, for example, due to the difference in the amount of displacement between the orientation flat position and the center position from the rotation start position.
【図1】従来の装置の例を示す接続図FIG. 1 is a connection diagram showing an example of a conventional device.
【図2】図1の装置の動作を説明するためのフローチャ
ートFIG. 2 is a flowchart for explaining the operation of the apparatus of FIG. 1;
【図3】ウエハエッジ位置検出のための検出器の説明図FIG. 3 is an explanatory diagram of a detector for detecting a wafer edge position.
【図4】エッジ位置検出器5の光センサ5bの出力変化
の様子を示す線図FIG. 4 is a diagram showing a state of an output change of an optical sensor 5b of an edge position detector 5;
【図5】平坦部(オリフラ)が設けられたウエハの平面
図およびこのウエハのエッジ位置を検出したときの光セ
ンサ5bの出力変化を示す線図FIG. 5 is a plan view of a wafer provided with a flat portion (orientation flat) and a diagram showing a change in output of an optical sensor 5b when an edge position of the wafer is detected.
【図6】図1の従来装置において図5のようなウエハの
偏心量を算出するときのフローチャートの(1)FIG. 6 is a flowchart (1) of calculating a wafer eccentricity as shown in FIG. 5 in the conventional apparatus of FIG. 1;
【図7】図1の従来装置において図5のようなウエハの
偏心量を算出するときのフローチャートの(2)FIG. 7 is a flowchart (2) of calculating the eccentricity of the wafer as shown in FIG. 5 in the conventional apparatus of FIG. 1;
【図8】図1の従来装置において平坦部が設けられたウ
エハのエッジ位置信号採用の別の方法を説明するための
線図8 is a diagram for explaining another method of adopting an edge position signal of a wafer provided with a flat portion in the conventional apparatus of FIG. 1;
【図9】本発明の実施例を示す接続図FIG. 9 is a connection diagram showing an embodiment of the present invention.
【図10】図9の実施例の動作を説明するためのフロー
チャートの(1)FIG. 10 is a flowchart (1) for explaining the operation of the embodiment in FIG. 9;
【図11】図9の実施例の動作を説明するためのフロー
チャートの(2)FIG. 11 is a flowchart (2) for explaining the operation of the embodiment in FIG. 9;
【図12】オリフラ部があるウエハを図9の実施例と図
10および図11のフローチャートの手順によって中心
合せおよびオリフラ位置合せをするときの説明図FIG. 12 is an explanatory view when centering and orienting the wafer having an orientation flat portion by the procedure of the embodiment of FIG. 9 and the flowcharts of FIGS. 10 and 11;
1 ウエハ 2 ターンテーブル 4 ターンテーブル回転用電動機 5 エッジ位置検出器 5a 投光器 5b 光センサ 6 エンコーダ 21 X軸テーブル 22a X軸テーブル駆動用電動機 22b 送りネジ 22c X軸エンコーダ 23a リフタ 23b 電磁弁 23c エヤシリンダ 24 A/D変換器 25 記憶回路 26 DMAデータ転送回路 27 中央演算処理装置(CPU) 28a ターンテーブル駆動用電動機制御回路 28b X軸駆動用電動機制御回路 29a 比較器 29b 比較器 Reference Signs List 1 wafer 2 turntable 4 turntable rotating motor 5 edge position detector 5a projector 5b optical sensor 6 encoder 21 X-axis table 22a X-axis table driving motor 22b feed screw 22c X-axis encoder 23a lifter 23b solenoid valve 23c air cylinder 24A / D converter 25 Storage circuit 26 DMA data transfer circuit 27 Central processing unit (CPU) 28a Motor control circuit for turntable drive 28b Motor control circuit for X-axis drive 29a Comparator 29b Comparator
Claims (4)
段に搭載する過程と、前記ウエハ回転手段の回転中の各
回転角度に対応させて前記ウエハの端縁位置をエッジ位
置検出器で検出して端縁位置に関する信号を出力する過
程と、前記端縁位置に関する信号をディジィタル信号に
変換したエッジ位置信号を出力する過程と、前記エッジ
位置信号の1つをLx1とし、前記エッジ位置信号Lx1を
検出した回転角度から90度、180度及び270度ウ
エハ回転手段を回転させて、最初にウエハをウエハ回転
手段に置いた状態からのウエハ回転手段の回転角度が3
60度以上となるときは360度を減じた角度回転のと
きのエッジ位置信号をそれぞれLx2、Lx3及びLx4とし
て出力する過程と、前記エッジ位置信号Lx2、Lx3及び
Lx4が出力されたときにエッジ位置信号の出力を停止す
る過程と、前記エッジ位置検出器の位置と前記ウエハ回
転手段の回転中心位置とを結ぶ直線をX軸とし、前記エ
ッジ位置信号Lx1に対応するウエハの端縁位置とウエハ
回転手段の回転中心位置とを結ぶ直線を基線とし、エッ
ジ位置信号の出力を停止した時点から前記エッジ位置信
号Lx1、Lx2、Lx3及びLx4を用いて、偏心量Le及び
偏心角度算出用角度θ0を演算する過程と、前記偏心角
度算出用角度θ0と前記X軸と前記基線とのなす角度θS
Tとの差の偏心角度θeを演算する過程と、前記ウエハの
中心位置の偏心量Le及び偏心角度θeに応じて前記ウエ
ハのセンタ合せをする過程とから成り、前記ウエハ回転
手段の回転中の前記ウエハの端縁位置を検出及び記憶し
て、ウエハ回転手段が1回転する時点以前の前記エッジ
位置信号の出力を停止した時点から前記中央演算処理回
路が前記ウエハの中心位置の偏心量Le及び偏心角度θe
を演算して、前記ウエハの偏心量Le及び偏心角度θeを
合せる半導体ウエハのセンタ合せ方法。1. A process of mounting a circularly shaped wafer on a wafer rotating means, and detecting an edge position of the wafer by an edge position detector corresponding to each rotation angle during rotation of the wafer rotating means. Outputting a signal relating to the edge position, outputting an edge position signal obtained by converting the signal relating to the edge position into a digital signal, and setting one of the edge position signals to Lx1 and the edge position signal Lx1 to Lx1. 90 °, 180 °, and 270 ° are rotated from the detected rotation angle so that the rotation angle of the wafer rotation unit from the state where the wafer is first placed on the wafer rotation unit is 3 degrees.
Outputting the edge position signals at the time of the angle rotation reduced by 360 degrees as Lx2, Lx3 and Lx4 when the angle position is equal to or more than 60 degrees, and the edge position when the edge position signals Lx2, Lx3 and Lx4 are output A process of stopping the output of the signal, a straight line connecting the position of the edge position detector and the rotation center position of the wafer rotating means is set as the X axis, and the edge position of the wafer corresponding to the edge position signal Lx1 and the wafer rotation Using the straight line connecting the rotation center position of the means as a base line and calculating the eccentricity Le and the eccentric angle calculation angle θ0 using the edge position signals Lx1, Lx2, Lx3, and Lx4 from the time when the output of the edge position signal is stopped. And the angle θS between the eccentric angle calculation angle θ0 and the X axis and the base line.
A step of calculating an eccentric angle θe of a difference from T, and a step of centering the wafer in accordance with the eccentricity Le of the center position of the wafer and the eccentric angle θe. The central processing circuit detects and stores the edge position of the wafer and stops the output of the edge position signal before the time when the wafer rotating means makes one rotation. Eccentric angle θe
Is calculated, and the eccentricity Le and the eccentric angle θe of the wafer are adjusted to each other.
又は切欠部を有するウエハをウエハ回転手段に搭載する
過程と、前記ウエハ回転手段の回転中の各回転角度に対
応させてウエハの端縁位置をエッジ位置検出器で検出し
ながら平坦部又は切欠部の位置も検出して端縁位置に関
する信号を出力する過程と、前記端縁位置に関する信号
をディジィタル信号に変換したエッジ位置信号を記憶回
路に出力する過程と、前記記憶回路から前記各回転角度
に対応させたエッジ位置信号を読み出して中央演算処理
回路によって最初にウエハをウエハ回転手段に置いた状
態からウエハ回転手段の回転中心位置を回転中心として
回転させたときの前記回転角度信号とエッジ位置信号と
からウエハの端縁位置の変化率を演算する過程と、前記
演算した変化率を用いてウエハの平坦部又は切欠部の端
部に対応するウエハ回転手段の回転角度を判別する過程
と、前記判別した回転角度のときのエッジ位置信号をL
x1とし、前記エッジ位置信号Lx1を検出した回転角度か
ら90度、180度及び270度ウエハ回転手段を回転
させて、最初にウエハをウエハ回転手段に置いた状態か
らのウエハ回転手段の回転角度が360度以上となると
きは360度を減じた角度回転のときのエッジ位置信号
をそれぞれLx2、Lx3及びLx4として出力する過程と、
前記エッジ位置信号Lx1、Lx2、Lx3及びLx4が出力さ
れたときにエッジ位置信号の出力を停止する過程と、前
記エッジ位置検出器の位置と前記ウエハ回転手段の回転
中心位置とを結ぶ直線をX軸とし、前記エッジ位置信号
Lx1に対応するウエハの端縁位置とウエハ回転手段の回
転中心位置とを結ぶ直線を基線とし、エッジ位置信号の
出力を停止した時点から前記エッジ位置信号Lx1、Lx
2、Lx3及びLx4を用いて、偏心量Le及び偏心角度算出
用角度θ0を演算する過程と、前記偏心角度算出用角度
θ0と前記X軸と前記基線とのなす角度θSTとの差の偏
心角度θeを演算する過程と、前記偏心角度算出用角度
θ0を用いてウエハの平坦部又は切欠部の中心位置とウ
エハの中心位置とを結ぶウエハの平坦部又は切欠部の中
心線の角度を演算する過程と、前記ウエハの中心位置の
偏心量Le及び偏心角度θeに応じて前記ウエハのセンタ
合せ及び前記ウエハの平坦部又は切欠部の中心線の角度
を特定の角度に合せする過程とから成り、前記ウエハ回
転手段の回転中の前記ウエハの端縁位置を検出しながら
平坦部又は切欠部の位置も非接触で検出及び記憶して、
ウエハ回転手段が1回転する時点以前の前記エッジ位置
信号の出力を停止した時点から前記中央演算処理回路が
前記ウエハの中心位置の偏心量Le及び偏心角度θeを演
算すると共に前記ウエハの平坦部又は切欠部の中心線の
角度も演算して、前記ウエハの偏心量Le及び偏心角度
θeおよび前記ウエハの平坦部又は切欠部の中心線の角
度を合せる半導体ウエハのセンタ合せ方法。2. A process of mounting a wafer having a flat portion or a notch on a part of a peripheral edge thereof in a circular shape and mounting the wafer on a wafer rotating means, and adjusting the wafer in accordance with each rotation angle during rotation of the wafer rotating means. A step of detecting the position of the flat portion or the notch while detecting the edge position with the edge position detector and outputting a signal relating to the edge position, and an edge position signal obtained by converting the signal relating to the edge position into a digital signal. A step of outputting the edge position signal corresponding to each of the rotation angles from the storage circuit, and a central processing circuit from the state where the wafer is first placed on the wafer rotation means, and a rotation center position of the wafer rotation means. Calculating the rate of change of the edge position of the wafer from the rotation angle signal and the edge position signal when rotating about the center of rotation, and using the calculated rate of change. Determining the rotation angle of the wafer rotation means corresponding to the end of the flat portion or the notch portion of the wafer, and converting the edge position signal at the determined rotation angle to L.
x1, and 90 °, 180 °, and 270 ° from the rotation angle at which the edge position signal Lx1 was detected, and the rotation angle of the wafer rotation means from the state where the wafer was first placed on the wafer rotation means was changed by rotating the wafer rotation means. Outputting 360 ° or more edge position signals at the time of the angle rotation reduced by 360 degrees as Lx2, Lx3 and Lx4, respectively,
A step of stopping the output of the edge position signal when the edge position signals Lx1, Lx2, Lx3, and Lx4 are output, and a straight line connecting the position of the edge position detector and the rotation center position of the wafer rotation unit with X Axis, a straight line connecting the edge position of the wafer corresponding to the edge position signal Lx1 and the rotation center position of the wafer rotating means is used as a base line, and the edge position signals Lx1, Lx
2, the process of calculating the eccentricity Le and the eccentric angle calculation angle θ0 using Lx3 and Lx4, and the eccentric angle of the difference between the eccentric angle calculation angle θ0 and the angle θST between the X axis and the base line. calculating the angle θe and calculating the angle of the center line of the flat portion or the notch portion connecting the center position of the flat portion or the notch portion and the center position of the wafer using the eccentric angle calculation angle θ0. And the step of adjusting the center of the wafer and the angle of the center line of the flat portion or notch of the wafer to a specific angle according to the eccentricity Le and the eccentric angle θe of the center position of the wafer, While detecting the edge position of the wafer during the rotation of the wafer rotating means, the position of the flat portion or the notch portion is also detected and stored in a non-contact manner,
The central processing circuit calculates the eccentricity Le and the eccentric angle θe of the center position of the wafer from the time when the output of the edge position signal is stopped before the time when the wafer rotating means makes one rotation, and the flat portion of the wafer or A method of centering a semiconductor wafer in which the angle of the center line of the notch is also calculated, and the eccentricity Le and the eccentric angle θe of the wafer and the angle of the center line of the flat portion or the notch of the wafer are matched.
又は切欠部を有するウエハをウエハ回転手段に搭載する
過程と、前記ウエハ回転手段の回転中の各回転角度に対
応させてウエハの端縁位置をエッジ位置検出器で検出し
ながら平坦部又は切欠部の位置も検出して端縁位置に関
する信号を出力する過程と、前記端縁位置に関する信号
をディジィタル信号に変換したエッジ位置信号を記憶回
路に出力する過程と、前記記憶回路から前記各回転角度
に対応させたエッジ位置信号を読み出して中央演算処理
回路によって最初にウエハをウエハ回転手段に置いた状
態からウエハ回転手段の回転中心位置を回転中心として
回転させたときの前記回転角度信号とエッジ位置信号と
からウエハの端縁位置の変化率を演算する過程と、前記
演算した変化率を用いてウエハの平坦部又は切欠部の端
部に対応するウエハ回転手段の回転角度を判別する過程
と、平坦部又は切欠部及びその端部を除くウエハの端縁
位置に対応したウエハ回転手段の回転角度のときのエッ
ジ位置信号をLx1とし、前記エッジ位置信号Lx1を検出
した回転角度から90度、180度及び270度ウエハ
回転手段を回転させて、最初にウエハをウエハ回転手段
に置いた状態からのウエハ回転手段の回転角度が360
度以上となるときは360度を減じた角度回転のときの
エッジ位置信号をそれぞれLx2、Lx3及びLx4として出
力する過程と、前記エッジ位置信号Lx1、Lx2、Lx3及
びLx4が出力されたときにエッジ位置信号の出力を停止
する過程と、前記エッジ位置検出器の位置と前記ウエハ
回転手段の回転中心位置とを結ぶ直線をX軸とし、前記
エッジ位置信号Lx1に対応するウエハの端縁位置とウエ
ハ回転手段の回転中心位置とを結ぶ直線を基線とし、エ
ッジ位置信号の出力を停止した時点から前記エッジ位置
信号Lx1、Lx2、Lx3及びLx4を用いて、偏心量Le及
び偏心角度算出用角度θ0を演算する過程と、前記偏心
角度算出用角度θ0と前記X軸と前記基線とのなす角度
θSTとの差の偏心角度θeを演算する過程と、エッジ位
置信号Lx1に対応するウエハ回転手段の回転角度とウエ
ハの平坦部又は切欠部の端部に対応するウエハ回転手段
の回転角度との差の角度を演算する過程と、前記演算し
た差の角度及び前記偏心角度算出用角度θ0を用いてウ
エハの平坦部又は切欠部の中心位置とウエハの中心位置
とを結ぶウエハの平坦部又は切欠部の中心線の角度を演
算する過程と、前記ウエハの中心位置の偏心量Le及び
偏心角度θeに応じて前記ウエハのセンタ合せ及び前記
ウエハの平坦部又は切欠部の中心線の角度を特定の角度
に合せする過程とから成り、前記ウエハ回転手段の回転
中の前記ウエハの端縁位置を検出しながら平坦部又は切
欠部の位置も非接触で検出及び記憶して、ウエハ回転手
段が1回転する時点以前の前記エッジ位置信号の出力を
停止した時点から前記中央演算処理回路が前記ウエハの
中心位置の偏心量Le及び偏心角度θeを演算すると共に
前記ウエハの平坦部又は切欠部の中心線の角度も演算し
て、前記ウエハの偏心量Le及び偏心角度θeおよび前記
ウエハの平坦部又は切欠部の中心線の角度を合せる半導
体ウエハのセンタ合せ方法。3. A process in which a wafer having a circular shape and having a flat portion or a notch in a part of a peripheral edge is mounted on a wafer rotating means, and the wafer is rotated in accordance with each rotation angle during rotation of the wafer rotating means. A step of detecting the position of the flat portion or the notch while detecting the edge position with the edge position detector and outputting a signal relating to the edge position, and an edge position signal obtained by converting the signal relating to the edge position into a digital signal. A step of outputting the edge position signal corresponding to each of the rotation angles from the storage circuit, and a central processing circuit from the state where the wafer is first placed on the wafer rotation means, and a rotation center position of the wafer rotation means. Calculating the rate of change of the edge position of the wafer from the rotation angle signal and the edge position signal when rotating about the center of rotation, and using the calculated rate of change. Determining the rotation angle of the wafer rotating means corresponding to the edge of the flat portion or the notch portion of the wafer, and rotating the wafer rotating device corresponding to the edge position of the wafer excluding the flat portion or the notch portion and the edge thereof. The edge position signal at the angle is Lx1, and the wafer rotation unit is rotated by 90 degrees, 180 degrees, and 270 degrees from the rotation angle at which the edge position signal Lx1 is detected, from the state where the wafer is first placed on the wafer rotation unit. The rotation angle of the wafer rotation means is 360
When the angle position is equal to or more than 360 degrees, the process of outputting the edge position signals at the time of the angle rotation reduced by 360 degrees as Lx2, Lx3 and Lx4, respectively, and when the edge position signals Lx1, Lx2, Lx3 and Lx4 are output, The process of stopping the output of the position signal, the straight line connecting the position of the edge position detector and the rotation center position of the wafer rotating means is defined as the X axis, and the edge position of the wafer corresponding to the edge position signal Lx1 and the wafer The eccentricity Le and the eccentric angle calculation angle θ0 are determined by using the edge position signals Lx1, Lx2, Lx3, and Lx4 from the point in time when the output of the edge position signal is stopped, with the straight line connecting the rotation center position of the rotating means as the base line. Calculating, an eccentric angle θe of a difference between the eccentric angle calculating angle θ0 and an angle θST between the X axis and the base line, and a wafer rotating unit corresponding to the edge position signal Lx1. Calculating the angle of difference between the rotation angle of the wafer and the rotation angle of the wafer rotating means corresponding to the end of the flat portion or the notch portion of the wafer, and using the calculated difference angle and the eccentric angle calculation angle θ0. Calculating the angle of the center line of the flat portion or the notch portion connecting the center position of the flat portion or the notch portion of the wafer to the center position of the wafer, and the eccentricity Le and the eccentric angle θe of the center position of the wafer. Detecting the edge position of the wafer during rotation of the wafer rotating means. While the position of the flat portion or the notch portion is also detected and stored in a non-contact manner, the central processing circuit determines the center of the wafer from the time when the output of the edge position signal is stopped before the time when the wafer rotating means makes one rotation. Rank The eccentricity Le and the eccentric angle θe of the wafer are calculated, and the angle of the center line of the flat portion or the notch of the wafer is also calculated. Of aligning the center of the semiconductor wafer.
が1/2・{(Lx3−Lx1)2+(Lx4−Lx2)2}1/2
であって、偏心角度算出用角度θ0がtan-1{(Lx2
−Lx4)/(Lx1−Lx3)}である請求項1又は請求項
2又は請求項3に記載の半導体ウエハのセンタ合せ装
置。4. An eccentricity Le calculated by a central processing circuit.
Is 1/2 {(Lx3-Lx1) 2 + (Lx4-Lx2) 2 2 1/2
And the eccentric angle calculation angle θ0 is tan −1 {(Lx2
The semiconductor wafer centering apparatus according to claim 1, 2 or 3, wherein -Lx4) / (Lx1-Lx3)}.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001006255A JP2001230303A (en) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | Centering method for semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001006255A JP2001230303A (en) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | Centering method for semiconductor wafer |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=18874168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001006255A Pending JP2001230303A (en) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | Centering method for semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001230303A (en) |
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-
2001
- 2001-01-15 JP JP2001006255A patent/JP2001230303A/en active Pending
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