JP2001223334A - 半導体装置製造方法および半導体装置 - Google Patents
半導体装置製造方法および半導体装置Info
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の抵抗素子および容量素子の材料
を共通化するとともの製造工程の簡易化を図ったもので
ある。 【解決手段】 本発明は半導体素子１２を有する半導体
基板１１の上面に誘電体膜３３、第１の抵抗体膜３４あ
るいは第２の抵抗体膜４３、誘電体膜４２、第１の抵抗
体膜４１を順に積層し、この誘電体膜３３、第１の抵抗
体膜３４あるいは第２の抵抗体膜４３、誘電体膜４２、
第１の抵抗体膜４１からなる積層膜で容量素子３６、４
６を形成するとともにこれら積層膜の抵抗体膜を抵抗素
子に形成したことから各膜が共通化できるために製造方
法が共通化できるので半導体製造工程を簡略にすること
ができる。
を共通化するとともの製造工程の簡易化を図ったもので
ある。 【解決手段】 本発明は半導体素子１２を有する半導体
基板１１の上面に誘電体膜３３、第１の抵抗体膜３４あ
るいは第２の抵抗体膜４３、誘電体膜４２、第１の抵抗
体膜４１を順に積層し、この誘電体膜３３、第１の抵抗
体膜３４あるいは第２の抵抗体膜４３、誘電体膜４２、
第１の抵抗体膜４１からなる積層膜で容量素子３６、４
６を形成するとともにこれら積層膜の抵抗体膜を抵抗素
子に形成したことから各膜が共通化できるために製造方
法が共通化できるので半導体製造工程を簡略にすること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造装方
法および半導体装置に係り、特に、容量素子と抵抗素子
とを備えた半導体装置製造装方法および半導体装置に関
する。
法および半導体装置に係り、特に、容量素子と抵抗素子
とを備えた半導体装置製造装方法および半導体装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】一般の
半導体装置１０は図１３に示すようにSi等の半導体基板
１１が備えられ、この半導体基板１１の一部にMOSFET型
等の半導体素子１２を形成している。
半導体装置１０は図１３に示すようにSi等の半導体基板
１１が備えられ、この半導体基板１１の一部にMOSFET型
等の半導体素子１２を形成している。
【０００３】この半導体素子１２のソース電極１３、ゲ
ート酸化膜１４を取り付けたゲート電極１５、ドレイン
電極１６には配線１７a、１７b、１７cが備えられ、こ
れらの配線シリコン酸化膜１８上に形成した抵抗素子と
なる抵抗体膜１９の配線２０a、２０bまたは容量素子と
なる誘電体膜２１に取り付けた金属電極２２a、２２bに
接続した配線２３a、２３bに直列あるいは並列に接続し
出力等を制御するようにしている。
ート酸化膜１４を取り付けたゲート電極１５、ドレイン
電極１６には配線１７a、１７b、１７cが備えられ、こ
れらの配線シリコン酸化膜１８上に形成した抵抗素子と
なる抵抗体膜１９の配線２０a、２０bまたは容量素子と
なる誘電体膜２１に取り付けた金属電極２２a、２２bに
接続した配線２３a、２３bに直列あるいは並列に接続し
出力等を制御するようにしている。
【０００４】ところで、この抵抗体膜１９には化学気相
成長法により形成した多結晶シリコン等が用いられ、ま
た、誘電体膜２１には化学気相成長法により形成したシ
リコン窒化物等が用いられていた。
成長法により形成した多結晶シリコン等が用いられ、ま
た、誘電体膜２１には化学気相成長法により形成したシ
リコン窒化物等が用いられていた。
【０００５】そのため、抵抗体膜と誘電体膜との材料が
異なるために、これらの成膜方法、加工方法も異なる。
それゆえ、これらの抵抗体膜と誘電体膜とを備える半導
体装置の製造工程が２工程になる外、基板の清浄等の他
の作業が加わり、工程が煩雑になると言う問題があっ
た。
異なるために、これらの成膜方法、加工方法も異なる。
それゆえ、これらの抵抗体膜と誘電体膜とを備える半導
体装置の製造工程が２工程になる外、基板の清浄等の他
の作業が加わり、工程が煩雑になると言う問題があっ
た。
【０００６】そこで、本発明は抵抗体膜、誘電体膜等の
材料を共通化するとともにそれらの成膜、加工等の製造
工程の煩雑化を防止するようにした半導体装置製造方法
を得ることを目的とするものである。
材料を共通化するとともにそれらの成膜、加工等の製造
工程の煩雑化を防止するようにした半導体装置製造方法
を得ることを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１、２の発明は半
導体素子を有する半導体基板の上面に誘電体膜、第１の
抵抗体膜あるいは第２の抵抗体膜、誘電体膜、第１の抵
抗体膜を順に積層し、この誘電体膜、第１の抵抗体膜あ
るいは第２の抵抗体膜、誘電体膜、第１の抵抗体膜から
なる積層膜で容量素子を形成するとともにこれら積層膜
の抵抗体膜を抵抗素子に形成したことから各膜が共通化
できるために製造方法が共通化できるので半導体製造工
程を簡略にすることができる。
導体素子を有する半導体基板の上面に誘電体膜、第１の
抵抗体膜あるいは第２の抵抗体膜、誘電体膜、第１の抵
抗体膜を順に積層し、この誘電体膜、第１の抵抗体膜あ
るいは第２の抵抗体膜、誘電体膜、第１の抵抗体膜から
なる積層膜で容量素子を形成するとともにこれら積層膜
の抵抗体膜を抵抗素子に形成したことから各膜が共通化
できるために製造方法が共通化できるので半導体製造工
程を簡略にすることができる。
【０００８】請求項３、４、５、６の発明は誘電体膜に
は反応性スパッタリング法により形成したタンタルまた
はチタンを主成分とした金属酸化物により構成し、抵抗
体膜には反応性スパッタリング法により形成したタンタ
ルまたはチタンを主成分とした金属窒化物により構成し
たことから各膜の材料が共通化できとともに製造方法も
共通化できるので半導体製造工程を更に簡略化すること
ができる。
は反応性スパッタリング法により形成したタンタルまた
はチタンを主成分とした金属酸化物により構成し、抵抗
体膜には反応性スパッタリング法により形成したタンタ
ルまたはチタンを主成分とした金属窒化物により構成し
たことから各膜の材料が共通化できとともに製造方法も
共通化できるので半導体製造工程を更に簡略化すること
ができる。
【０００９】請求項７、８発明は半導体素子を有する半
導体基板の上面に積層した抵抗体膜と、この抵抗体膜の
上面に積層した誘電体膜と、この誘電体膜の上面に積層
した抵抗体膜と、これらの誘電体膜、抵抗体膜の積層膜
により形成した容量素子と、前記抵抗体膜により形成し
た抵抗素子等により形成したから各膜が共通化できる。
導体基板の上面に積層した抵抗体膜と、この抵抗体膜の
上面に積層した誘電体膜と、この誘電体膜の上面に積層
した抵抗体膜と、これらの誘電体膜、抵抗体膜の積層膜
により形成した容量素子と、前記抵抗体膜により形成し
た抵抗素子等により形成したから各膜が共通化できる。
【００１０】請求項９、１０の発明は誘電体膜と抵抗体
膜の主要組成となる金属の種類を同一として、その金属
の酸化物を誘電体膜に、その金属の窒化物を抵抗体膜と
することから誘電体膜と抵抗体膜の材料が共通化できる
ため半導体製造工程を大幅に簡略化できる。
膜の主要組成となる金属の種類を同一として、その金属
の酸化物を誘電体膜に、その金属の窒化物を抵抗体膜と
することから誘電体膜と抵抗体膜の材料が共通化できる
ため半導体製造工程を大幅に簡略化できる。
【００１１】さらに、タンタルまたはチタンを主要組成
となる金属とすることで、これらの酸化物が誘電体膜、
窒化物が抵抗体膜となる。
となる金属とすることで、これらの酸化物が誘電体膜、
窒化物が抵抗体膜となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下本発明半導体装置製造方法お
よび半導体装置の実施の形態について説明する。
よび半導体装置の実施の形態について説明する。
【００１３】まず、図１ないし図６により本発明半導体
製造方法および半導体装置の第１の実施の形態について
説明する。
製造方法および半導体装置の第１の実施の形態について
説明する。
【００１４】本発明半導体装置３０は基本的には図１３
で示した従来の半導体装置１０とほぼ同様であるから従
来の半導体装置１０と同一の部分は同一符号を付して説
明する。
で示した従来の半導体装置１０とほぼ同様であるから従
来の半導体装置１０と同一の部分は同一符号を付して説
明する。
【００１５】この半導体装置３０には図２で示すように
Si等の基板１１が備えられ、その上面に絶縁性を確保す
るための酸化膜１８を介して下部電極３２を形成するよ
うにしている。
Si等の基板１１が備えられ、その上面に絶縁性を確保す
るための酸化膜１８を介して下部電極３２を形成するよ
うにしている。
【００１６】この下部電極３２を含む酸化膜１８の上面
には図３に示すようにタンタルをターゲットとにしこれ
をアルゴンと酸素とを導入した雰囲気中でスパッタリン
グすることによりタンタル酸化物３３を形成するように
なっている。
には図３に示すようにタンタルをターゲットとにしこれ
をアルゴンと酸素とを導入した雰囲気中でスパッタリン
グすることによりタンタル酸化物３３を形成するように
なっている。
【００１７】このタンタル酸化物３３の上面にはタンタ
ルをそのままターゲットとしこれをアルゴンと窒素とを
導入した雰囲気中でスパッタリングすることにより第１
の抵抗体膜となるタンタル窒化物３４を形成するように
なっている。
ルをそのままターゲットとしこれをアルゴンと窒素とを
導入した雰囲気中でスパッタリングすることにより第１
の抵抗体膜となるタンタル窒化物３４を形成するように
なっている。
【００１８】これらタンタル酸化物３３、タンタル窒化
物３４は図４に示すようにパターニングする。このよう
に形成した右部のタンタル窒化物３４の上面には図５に
示すように金属部材を積層し上部電極３５を形成しこれ
らにより容量素子３６を構成するようになっている。
物３４は図４に示すようにパターニングする。このよう
に形成した右部のタンタル窒化物３４の上面には図５に
示すように金属部材を積層し上部電極３５を形成しこれ
らにより容量素子３６を構成するようになっている。
【００１９】この半導体素子１２、タンタル酸化物３３
およびタンタル窒化物３４等の上部にはこれらを電気的
機械的に保護するため、図６に示すように、電極３２、
３５等に対応する開口３８が開けられた絶縁膜３７が形
成され、これにアルミニューム等よりなる電極配線３９
a、３９b、３９c、４４a、４４bおよび４５a、４５bを
形成し相互に接続し半導体装置３０を構成するようにな
っている。
およびタンタル窒化物３４等の上部にはこれらを電気的
機械的に保護するため、図６に示すように、電極３２、
３５等に対応する開口３８が開けられた絶縁膜３７が形
成され、これにアルミニューム等よりなる電極配線３９
a、３９b、３９c、４４a、４４bおよび４５a、４５bを
形成し相互に接続し半導体装置３０を構成するようにな
っている。
【００２０】このようにして形成した半導体装置３０は
抵抗素子の抵抗体膜となるタンタル窒化物３４、容量素
子３６の誘電体膜となるタンタル酸化物３３がそれぞれ
のタンタルを基礎材料としこれにアルゴンと酸素、窒素
を用いたものであるから材料が共通化できる。
抵抗素子の抵抗体膜となるタンタル窒化物３４、容量素
子３６の誘電体膜となるタンタル酸化物３３がそれぞれ
のタンタルを基礎材料としこれにアルゴンと酸素、窒素
を用いたものであるから材料が共通化できる。
【００２１】また、抵抗素子の抵抗体膜となるタンタル
窒化物３４、容量素子３６の誘電体膜となるタンタル酸
化物がスパッタリング時に導入するガスである酸素、窒
素を入れ替えることによりほぼ同一雰囲気中で形成され
るものであるから製造工程が簡易化できる。
窒化物３４、容量素子３６の誘電体膜となるタンタル酸
化物がスパッタリング時に導入するガスである酸素、窒
素を入れ替えることによりほぼ同一雰囲気中で形成され
るものであるから製造工程が簡易化できる。
【００２２】そのうえ、抵抗体膜となるタンタル窒化物
３４が誘電体膜となるタンタル酸化物３３を覆うことに
なるからタンタル窒化物３４が一種のバリア層となり誘
電体タンタル酸化物３３の酸素が半導体素子１２等に拡
散するのを防止する。
３４が誘電体膜となるタンタル酸化物３３を覆うことに
なるからタンタル窒化物３４が一種のバリア層となり誘
電体タンタル酸化物３３の酸素が半導体素子１２等に拡
散するのを防止する。
【００２３】そのため、半導体素子１２が酸素により劣
化されないことから品質のよい半導体装置を極めて容易
に製造することができる。
化されないことから品質のよい半導体装置を極めて容易
に製造することができる。
【００２４】つぎに、図７ないし図１２により本発明半
導体製造方法および半導体装置の第２の実施の形態につ
いて説明する。
導体製造方法および半導体装置の第２の実施の形態につ
いて説明する。
【００２５】第２の実施の形態は第１の実施の形態をさ
らに改良したもので基本的には図１等で示した第１の実
施の形態で示した半導体装置３０の製造方法とほぼ同様
である。
らに改良したもので基本的には図１等で示した第１の実
施の形態で示した半導体装置３０の製造方法とほぼ同様
である。
【００２６】したがって第２の実施の形態の本発明導体
装置４０を第１の実施の形態の半導体装置３０と同一の
部分は同一符号を付して説明する。
装置４０を第１の実施の形態の半導体装置３０と同一の
部分は同一符号を付して説明する。
【００２７】この半導体装置４０には図８で示すように
Si等の基板１１が備えられ、その上面に酸化膜１８を介
して下部電極３２を形成するようにしている。この下部
電極３２を含む酸化膜３１の上面には図９に示すように
タンタルをターゲットとしこれをアルゴンと窒素との雰
囲気中でスパッタリングすることにより第１の抵抗体膜
となるタンタル窒化物４１を形成するようになってい
る。
Si等の基板１１が備えられ、その上面に酸化膜１８を介
して下部電極３２を形成するようにしている。この下部
電極３２を含む酸化膜３１の上面には図９に示すように
タンタルをターゲットとしこれをアルゴンと窒素との雰
囲気中でスパッタリングすることにより第１の抵抗体膜
となるタンタル窒化物４１を形成するようになってい
る。
【００２８】このタンタル窒化物４１の上面にはタンタ
ルをそのままターゲットにしこれをアルゴンと酸素との
雰囲気中でスパッタリングすることによりタンタル酸化
物４２を形成するようになっている。
ルをそのままターゲットにしこれをアルゴンと酸素との
雰囲気中でスパッタリングすることによりタンタル酸化
物４２を形成するようになっている。
【００２９】この誘電体膜４２の上面にはさらにタンタ
ルをそのままターゲットとしこれをアルゴンと窒素との
雰囲気中でスパッタリングすることにより第２の抵抗体
膜となるタンタル窒化物４３を形成するようになってい
る。
ルをそのままターゲットとしこれをアルゴンと窒素との
雰囲気中でスパッタリングすることにより第２の抵抗体
膜となるタンタル窒化物４３を形成するようになってい
る。
【００３０】これらタンタル窒化物４１、タンタル酸化
物４２、タンタル窒化物４３を図１０に示すようにパタ
ーニングする。このように形成したタンタル窒化物４３
の上面には図１１に示すように金属部材を積層し上部電
極３５を形成しこれらにより容量素子４６を構成するよ
うになっている。
物４２、タンタル窒化物４３を図１０に示すようにパタ
ーニングする。このように形成したタンタル窒化物４３
の上面には図１１に示すように金属部材を積層し上部電
極３５を形成しこれらにより容量素子４６を構成するよ
うになっている。
【００３１】この半導体素子１２、タンタル窒化物４
１、タンタル酸化物４２およびタンタル窒化物４３等の
上部には図１２に示すようにこれらを電気的機械的に保
護するため、電極３２、３５等に対応する開口３８が開
けられた絶縁膜３７が形成され、これにアルミニューム
等よりなる電極配線３９a、３９b、３９c、４４a、４４
bおよび４５a、４５bを形成し相互に接続して図７に示
すように半導体装置４０を構成するようになっている。
１、タンタル酸化物４２およびタンタル窒化物４３等の
上部には図１２に示すようにこれらを電気的機械的に保
護するため、電極３２、３５等に対応する開口３８が開
けられた絶縁膜３７が形成され、これにアルミニューム
等よりなる電極配線３９a、３９b、３９c、４４a、４４
bおよび４５a、４５bを形成し相互に接続して図７に示
すように半導体装置４０を構成するようになっている。
【００３２】このようにして製造した半導体装置装置４
０は第１の実施の形態と同様にほぼ同一の材料によりほ
ぼ同一の工程により製造できるから製造が極めて簡単に
なる。
０は第１の実施の形態と同様にほぼ同一の材料によりほ
ぼ同一の工程により製造できるから製造が極めて簡単に
なる。
【００３３】それにくわえ、容量素子４６のタンタル酸
化物４２が上下のタンタル窒化物４１と４３により包ま
れるからこれがバリア層として働きタンタル酸化物４２
の酸素を半導体素子１２等に拡散するのをほぼ完全に防
止する。
化物４２が上下のタンタル窒化物４１と４３により包ま
れるからこれがバリア層として働きタンタル酸化物４２
の酸素を半導体素子１２等に拡散するのをほぼ完全に防
止する。
【００３４】そのため、半導体素子１２を酸素により劣
化させない半導体装置４０を製造することができる。そ
れゆえ、品質の高い半導体装置４０を共通化した材料に
より単純な工程により製造することができる。
化させない半導体装置４０を製造することができる。そ
れゆえ、品質の高い半導体装置４０を共通化した材料に
より単純な工程により製造することができる。
【００３５】なお、本発明の各実施の形態ではタンタル
をスパッタリングしてタンタル酸化物の誘電体膜、タン
タル窒化物の抵抗体膜を形成したがチタンを用いチタン
酸化物の誘電体膜、チタン窒化物の抵抗体膜を用いても
よい。
をスパッタリングしてタンタル酸化物の誘電体膜、タン
タル窒化物の抵抗体膜を形成したがチタンを用いチタン
酸化物の誘電体膜、チタン窒化物の抵抗体膜を用いても
よい。
【００３６】さらに、本実施の形態では金属窒化物の膜
を形成した後に金属酸化膜を重ねて形成したが金属窒化
物の膜を形成した後に金属窒化物の表面を酸化処理する
ことで上層に金属酸化膜を備えた金属窒化物の膜を得て
もよい。
を形成した後に金属酸化膜を重ねて形成したが金属窒化
物の膜を形成した後に金属窒化物の表面を酸化処理する
ことで上層に金属酸化膜を備えた金属窒化物の膜を得て
もよい。
【００３７】さらに、本実施例の半導体素子としてMOSF
ET型トランジスタを例として説明したがバイポーラトラ
ンジスタや他の半導体素子であってもよい。さらに、本
実施例では半導体素子、容量素子、抵抗素子となる抵抗
膜等を同一の層に形成したが半導体素子より上層に容量
素子、抵抗素子となる抵抗体膜等を形成してもよい。
ET型トランジスタを例として説明したがバイポーラトラ
ンジスタや他の半導体素子であってもよい。さらに、本
実施例では半導体素子、容量素子、抵抗素子となる抵抗
膜等を同一の層に形成したが半導体素子より上層に容量
素子、抵抗素子となる抵抗体膜等を形成してもよい。
【００３８】さらに、本発明の容量素子、抵抗素子とな
る抵抗体膜は上記実施例に限らず要旨を変更しない範囲
で種々の形態の半導体装置に適用してもよい。
る抵抗体膜は上記実施例に限らず要旨を変更しない範囲
で種々の形態の半導体装置に適用してもよい。
【００３９】さらに、本実施例の抵抗体膜の抵抗値が容
量素子の電極として適した低い抵抗値であれば、この抵
抗体膜をそのまま容量素子の電極として用いてもよい。
量素子の電極として適した低い抵抗値であれば、この抵
抗体膜をそのまま容量素子の電極として用いてもよい。
【００４０】さらに、本実施例では抵抗体膜、誘電体膜
を用いて抵抗素子、容量素子を形成する例を示したがこ
れら膜間に付着力改善等のために層間膜を挿入してもよ
い。
を用いて抵抗素子、容量素子を形成する例を示したがこ
れら膜間に付着力改善等のために層間膜を挿入してもよ
い。
【００４１】
【発明の効果】各請求項の発明は半導体素子を有する半
導体基板の上面に誘電体膜、第１の抵抗体膜あるいは第
２の抵抗体膜、誘電体膜、第１の抵抗体膜を順に積層
し、この誘電体膜、第１の抵抗体膜あるいは第２の抵抗
体膜、誘電体膜、第１の抵抗体膜からなる積層膜で容量
素子を形成するとともにこれら積層膜の抵抗体膜を抵抗
素子に形成したことから各膜が共通化できるために製造
方法が共通化できるので半導体製造工程を簡略にするこ
とができる。
導体基板の上面に誘電体膜、第１の抵抗体膜あるいは第
２の抵抗体膜、誘電体膜、第１の抵抗体膜を順に積層
し、この誘電体膜、第１の抵抗体膜あるいは第２の抵抗
体膜、誘電体膜、第１の抵抗体膜からなる積層膜で容量
素子を形成するとともにこれら積層膜の抵抗体膜を抵抗
素子に形成したことから各膜が共通化できるために製造
方法が共通化できるので半導体製造工程を簡略にするこ
とができる。
【図１】本発明半導体装置製造方法および半導体装置の
第１の実施の形態の最終工程を断面で示す説明図。
第１の実施の形態の最終工程を断面で示す説明図。
【図２】本発明半導体装置製造方法および半導体装置の
第１の実施の形態の第１の工程を断面で示す説明図。
第１の実施の形態の第１の工程を断面で示す説明図。
【図３】本発明半導体装置製造方法および半導体装置の
第１の実施の形態の第２の工程を断面で示す説明図。
第１の実施の形態の第２の工程を断面で示す説明図。
【図４】本発明半導体装置製造方法および半導体装置の
第１の実施の形態の第３の工程を断面で示す説明図。
第１の実施の形態の第３の工程を断面で示す説明図。
【図５】本発明半導体装置製造方法および半導体装置の
第１の実施の形態の第４の工程を断面で示す説明図。
第１の実施の形態の第４の工程を断面で示す説明図。
【図６】本発明半導体装置製造方法および半導体装置の
第１の実施の形態の第５の工程を断面で示す説明図。
第１の実施の形態の第５の工程を断面で示す説明図。
【図７】本発明半導体装置製造方法および半導体装置の
第２の実施の形態の最終工程を断面で示す説明図。
第２の実施の形態の最終工程を断面で示す説明図。
【図８】本発明半導体装置製造方法および半導体装置の
第２の実施の形態の第１の工程を断面で示す説明図。
第２の実施の形態の第１の工程を断面で示す説明図。
【図９】本発明半導体装置製造方法および半導体装置の
第２の実施の形態の第２の工程を断面で示す説明図。
第２の実施の形態の第２の工程を断面で示す説明図。
【図１０】本発明半導体装置製造方法および半導体装置
の第２の実施の形態の第３の工程を断面で示す説明図。
の第２の実施の形態の第３の工程を断面で示す説明図。
【図１１】本発明半導体装置製造方法および半導体装置
の第２の実施の形態の第４の工程を断面で示す説明図。
の第２の実施の形態の第４の工程を断面で示す説明図。
【図１２】本発明半導体装置製造方法および半導体装置
の第２の実施の形態の第５の工程を断面で示す説明図。
の第２の実施の形態の第５の工程を断面で示す説明図。
【図１３】従来の半導体装置製造方法および半導体装置
の最終工程を断面で示す説明図。
の最終工程を断面で示す説明図。
１０、３０、４０ 半導体装置 １１ 半導体基板 １２ 半導体素子 １９、３４、４１、４３ 抵抗体膜 ２１、３３、４２ 誘電体膜 ３６、４６ 容量素子 ３７ 絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F038 AC07 AC09 AC15 AR06 AR07 AR18 EZ14 EZ20 5F048 AA09 AC10
Claims (10)
- 【請求項１】半導体素子を有する半導体基板の上面に誘
電体膜、第１の抵抗体膜を順に積層し、 この誘電体膜、第１の抵抗体膜からなる積層膜を容量素
子として形成するとともに抵抗体膜を抵抗素子として形
成する、 ことを特徴とする半導体装置製造方法。 - 【請求項２】半導体素子を有する半導体基板の上面に第
２の抵抗体膜、誘電体膜、第１の抵抗体膜を順に積層
し、 この第２の抵抗体膜、誘電体膜、第１の抵抗体膜からな
る積層膜を容量素子として形成するとともに誘電体膜上
に形成された第１の抵抗体膜を抵抗素子として形成す
る、 ことを特徴とする半導体装置製造方法。 - 【請求項３】誘電体膜は金属酸化物により形成し、 第１および第２の抵抗体膜は金属窒化物により形成し、 たことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置
製造方法。 - 【請求項４】金属酸化物、金属窒化物の主要組成はタン
タルまたはチタンであることを特徴とする請求項３記載
の導体装置製造方法。 - 【請求項５】金属酸化物は酸素を導入した反応性スパッ
タリング法により形成され、 金属窒化物は窒素を導入した反応性スパッタリング法に
より形成され、 たことを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置
製造方法。 - 【請求項６】導入するガスの組成を変えることにより金
属酸化物または金属窒化物を形成することを特徴とする
請求項５記載の半導体装置製造方法。 - 【請求項７】半導体素子を有する半導体基板の上面に積
層した誘電体膜と、 この誘電体膜の上面に積層した第１の抵抗体膜と、 これらの誘電体膜、第１の抵抗体膜の積層膜により形成
した容量素子と、 前記抵抗体膜により形成した抵抗素子と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項８】半導体素子を有する半導体基板の上面に積
層した第２の抵抗体膜と、 この抵抗体膜の上面に積層した誘電体膜と、 この誘電体膜の上面に積層した第１の抵抗体膜と、 これら第２の抵抗体膜、誘電体膜、第１の抵抗体膜の積
層膜により形成した容量素子と、 第１の抵抗体膜により形成した抵抗素子と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項９】誘電体膜は金属酸化物により形成し、第１
および第２の抵抗体膜は金属窒化物により形成したこと
を特徴とする請求項７または８記載の半導体装置。 - 【請求項１０】金属酸化物、金属窒化物の主要組成はタ
ンタルまたはチタンであることを特徴とする請求項９記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000032063A JP2001223334A (ja) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | 半導体装置製造方法および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000032063A JP2001223334A (ja) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | 半導体装置製造方法および半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001223334A true JP2001223334A (ja) | 2001-08-17 |
Family
ID=18556724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000032063A Abandoned JP2001223334A (ja) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | 半導体装置製造方法および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001223334A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008530820A (ja) * | 2005-02-16 | 2008-08-07 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 電流密度増強層（ｃｄｅｌ）を有する薄膜抵抗器 |
| US8629529B2 (en) | 2006-12-27 | 2014-01-14 | Nec Corporation | Semiconductor device and its manufacturing method |
| JP2022000908A (ja) * | 2014-08-08 | 2022-01-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2024004985A1 (ja) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
-
2000
- 2000-02-09 JP JP2000032063A patent/JP2001223334A/ja not_active Abandoned
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008530820A (ja) * | 2005-02-16 | 2008-08-07 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 電流密度増強層（ｃｄｅｌ）を有する薄膜抵抗器 |
| US8629529B2 (en) | 2006-12-27 | 2014-01-14 | Nec Corporation | Semiconductor device and its manufacturing method |
| JP2022000908A (ja) * | 2014-08-08 | 2022-01-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP7142135B2 (ja) | 2014-08-08 | 2022-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US11817453B2 (en) | 2014-08-08 | 2023-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| WO2024004985A1 (ja) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060711 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20060822 |