JP2001210613A - Ｃｍｐ用パッドコンディショナー - Google Patents
Ｃｍｐ用パッドコンディショナーInfo
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- JP2001210613A JP2001210613A JP2000059596A JP2000059596A JP2001210613A JP 2001210613 A JP2001210613 A JP 2001210613A JP 2000059596 A JP2000059596 A JP 2000059596A JP 2000059596 A JP2000059596 A JP 2000059596A JP 2001210613 A JP2001210613 A JP 2001210613A
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- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体基板加工に用いるＣＭＰ装置のパッドコ
ンディショナーにおいて、ダイヤモンド砥粒の脱落がな
いだけでなく、結合材及び台金の溶出によるシリコンウ
エハの汚染がないものを提供する。 【解決手段】金属製台金の表面に、平均粒径が３０μｍ
〜１０００μｍのダイヤモンド砥粒がニッケルめっき又
はロウ材を主成分とする結合材により、単層固着された
ＣＭＰ用パッドコンディショナーの結合材表面、又は結
合材表面と金属製台金表面の両方をセラミックス被膜に
より被覆する。セラミックス被膜の材質は、ＣｒＮ、Ｔ
ｉＮ、ＳｉＣ、ＴｉＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、
ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）か
ら一種類又は二種類以上を選択する。
ンディショナーにおいて、ダイヤモンド砥粒の脱落がな
いだけでなく、結合材及び台金の溶出によるシリコンウ
エハの汚染がないものを提供する。 【解決手段】金属製台金の表面に、平均粒径が３０μｍ
〜１０００μｍのダイヤモンド砥粒がニッケルめっき又
はロウ材を主成分とする結合材により、単層固着された
ＣＭＰ用パッドコンディショナーの結合材表面、又は結
合材表面と金属製台金表面の両方をセラミックス被膜に
より被覆する。セラミックス被膜の材質は、ＣｒＮ、Ｔ
ｉＮ、ＳｉＣ、ＴｉＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、
ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）か
ら一種類又は二種類以上を選択する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板加工に
用いるＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａ
ｌ Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）装置のパッドコンデ
ィショナーに関するものである。
用いるＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａ
ｌ Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）装置のパッドコンデ
ィショナーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＭＰは、シリコンウエハ及びウエハ上
の多層配線部を加工変質層なしで平坦化する方法であ
る。ＣＭＰでは、酸性ないしアルカリ性水溶液にシリカ
等微粒子を混濁させたスラリーを用い、研磨パッドは発
泡ポリウレタン、ポリエステル不織布等が用いられてい
る。研磨が進行するに当たり、研磨パッドが目づまりを
生じ、あるいは、平面度が劣化するため、常時あるいは
定期的に研磨パッドをドレッシングして、平面度の精度
保持と目づまりの解消をする必要がでてくる。ここに使
われるドレッシング工具は、円板状あるいはリング状の
金属製台金の表面にダイヤモンド砥粒が単層固着された
ものでパッドコンディショナーと呼ばれている。
の多層配線部を加工変質層なしで平坦化する方法であ
る。ＣＭＰでは、酸性ないしアルカリ性水溶液にシリカ
等微粒子を混濁させたスラリーを用い、研磨パッドは発
泡ポリウレタン、ポリエステル不織布等が用いられてい
る。研磨が進行するに当たり、研磨パッドが目づまりを
生じ、あるいは、平面度が劣化するため、常時あるいは
定期的に研磨パッドをドレッシングして、平面度の精度
保持と目づまりの解消をする必要がでてくる。ここに使
われるドレッシング工具は、円板状あるいはリング状の
金属製台金の表面にダイヤモンド砥粒が単層固着された
ものでパッドコンディショナーと呼ばれている。
【０００３】パッドコンディショナーはドレッシング
時、酸性あるいはアルカリ性のスラリーに接触するた
め、パッドコンディショナーのダイヤモンド砥粒を保持
している結合材が溶解し、ダイヤモンド砥粒が脱落を生
じるおそれがある。脱落したダイヤモンド砥粒が研磨パ
ッドに固着し、研磨時シリコンウエハにスクラッチ傷を
生じること問題があった。また、パッドコンディショナ
ーの結合材あるいは台金部が溶解するとシリコンウエハ
が汚染され、半導体ディバイスとして不良となる問題が
あった。
時、酸性あるいはアルカリ性のスラリーに接触するた
め、パッドコンディショナーのダイヤモンド砥粒を保持
している結合材が溶解し、ダイヤモンド砥粒が脱落を生
じるおそれがある。脱落したダイヤモンド砥粒が研磨パ
ッドに固着し、研磨時シリコンウエハにスクラッチ傷を
生じること問題があった。また、パッドコンディショナ
ーの結合材あるいは台金部が溶解するとシリコンウエハ
が汚染され、半導体ディバイスとして不良となる問題が
あった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決するためになされたものである。すなわち、半
導体基板加工に用いるＣＭＰ装置のパッドコンディショ
ナーにおいて、ダイヤモンド砥粒の脱落がなく、かつ結
合材、台金の溶解によるシリコンウエハの汚染がないも
のを提供することにある。
点を解決するためになされたものである。すなわち、半
導体基板加工に用いるＣＭＰ装置のパッドコンディショ
ナーにおいて、ダイヤモンド砥粒の脱落がなく、かつ結
合材、台金の溶解によるシリコンウエハの汚染がないも
のを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属製台金の
表面に平均粒径が３０μｍ〜１０００μｍのダイヤモン
ド砥粒がニッケルめっき又はロウ材を主成分とする結合
材により単層固着されたＣＭＰ用パッドコンディショナ
ーであって、セラミックス被膜により、該結合材表面が
被覆されていることを特徴とするものである。
表面に平均粒径が３０μｍ〜１０００μｍのダイヤモン
ド砥粒がニッケルめっき又はロウ材を主成分とする結合
材により単層固着されたＣＭＰ用パッドコンディショナ
ーであって、セラミックス被膜により、該結合材表面が
被覆されていることを特徴とするものである。
【０００６】ここでダイヤモンド砥粒の平均粒径を３０
μｍ〜１０００μｍとしているのはパッドコンディショ
ナーに適用可能な平均粒径を限定したもので、一般的に
は、およそ５０μｍ〜５００μｍのものが用いられてい
る。また、ダイヤモンド砥粒を金属製台金に固着するに
は、ニッケルめっきによって台金の表面に固着するポジ
めっきタイプと反転型材にダイヤモンド砥粒を仮付け
し、接着剤で固定した後台金に固着する反転めっきタイ
プがある。
μｍ〜１０００μｍとしているのはパッドコンディショ
ナーに適用可能な平均粒径を限定したもので、一般的に
は、およそ５０μｍ〜５００μｍのものが用いられてい
る。また、ダイヤモンド砥粒を金属製台金に固着するに
は、ニッケルめっきによって台金の表面に固着するポジ
めっきタイプと反転型材にダイヤモンド砥粒を仮付け
し、接着剤で固定した後台金に固着する反転めっきタイ
プがある。
【０００７】結合材は、ニッケルめっきの他、ロウ材を
用いることができる。ロウ材はロウ付け温度が低く、流
動性の高いものが良好で、台金として用いられる鋼だけ
でなく、特に、ダイヤモンドとの濡れ性に優れ、高い固
着力が得られるＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系活性化ロウ材が最適
である。他に、Ｎｉ−Ｃｒ系ロウ材またはＣｏ−Ｎｉ−
Ｃｒ系ロウ材も適用可能である。ロウ材を用いて製作す
るには、ペースト状のロウ材を用いるのがよい。ここ
で、ペースト状ロウ材は、一般にロウ材の粉末をバイン
ダーで練ったものであり、適度の粘性を有するため、ダ
イヤモンド砥粒をセッティングすることも容易である。
台金の作用面にペースト状のロウ材を塗布し、その上に
ダイヤモンド砥粒をハンドセットまたは機械により配列
し、ロウ材が乾燥してダイヤモンド砥粒がずれないよう
になった時点で炉に入れて加熱し、ロウ材を溶融後、冷
却してダイヤモンド砥粒を単層固着するものである。
用いることができる。ロウ材はロウ付け温度が低く、流
動性の高いものが良好で、台金として用いられる鋼だけ
でなく、特に、ダイヤモンドとの濡れ性に優れ、高い固
着力が得られるＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系活性化ロウ材が最適
である。他に、Ｎｉ−Ｃｒ系ロウ材またはＣｏ−Ｎｉ−
Ｃｒ系ロウ材も適用可能である。ロウ材を用いて製作す
るには、ペースト状のロウ材を用いるのがよい。ここ
で、ペースト状ロウ材は、一般にロウ材の粉末をバイン
ダーで練ったものであり、適度の粘性を有するため、ダ
イヤモンド砥粒をセッティングすることも容易である。
台金の作用面にペースト状のロウ材を塗布し、その上に
ダイヤモンド砥粒をハンドセットまたは機械により配列
し、ロウ材が乾燥してダイヤモンド砥粒がずれないよう
になった時点で炉に入れて加熱し、ロウ材を溶融後、冷
却してダイヤモンド砥粒を単層固着するものである。
【０００８】本発明のポイントは、パッドコンディショ
ナーのスラリーに接触する結合材表面を、スラリーに溶
解しないセラミックス被膜により被覆して、結合材の溶
解によるダイヤモンド砥粒の脱落防止および結合材の溶
解によるシリコンウエハの汚染防止をするものである。
スラリーの特性により、結合材表面だけでなく、金属製
台金の表面全体の両方を被覆することが好ましい。
ナーのスラリーに接触する結合材表面を、スラリーに溶
解しないセラミックス被膜により被覆して、結合材の溶
解によるダイヤモンド砥粒の脱落防止および結合材の溶
解によるシリコンウエハの汚染防止をするものである。
スラリーの特性により、結合材表面だけでなく、金属製
台金の表面全体の両方を被覆することが好ましい。
【０００９】セラミックス被膜は、通常は単層とする
が、材質の異なった二種類以上の被膜によって、二層以
上の被膜としても良い。
が、材質の異なった二種類以上の被膜によって、二層以
上の被膜としても良い。
【００１０】そして、セラミックス被膜の材質は、Ｃｒ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＣ、ＴｉＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２
Ｏ３及びＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂ
ｏｎ）から選ばれた一種類又は二種類以上からものから
なることを特徴とするものである。これらのセラミック
ス被膜は、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、イオンプレーティ
ング、イオン注入蒸着等の気相コーティング技術を用い
て密着性の優れた被覆処理が可能である。
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＣ、ＴｉＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２
Ｏ３及びＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂ
ｏｎ）から選ばれた一種類又は二種類以上からものから
なることを特徴とするものである。これらのセラミック
ス被膜は、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、イオンプレーティ
ング、イオン注入蒸着等の気相コーティング技術を用い
て密着性の優れた被覆処理が可能である。
【００１０】特に、耐酸化性及び耐食性を必要とすると
きは、ＣｒＮ、ＴｉＡｌＮ被覆が好ましい。ＣｒＮ被覆
は、最近ＴｉＮ被覆に替わる次世代の硬質被膜として注
目を集めているもので、硬度がＨｖ１５００〜２５００
と高硬度で、耐磨耗性、耐酸化性に優れている。特に、
摩擦係数がＴｉＮ被覆に比べて約１０％以上低く、高周
速度で、工作物や切り粉と接触する基板表面に施す被膜
としては極めて優れた特性を有するものである。
きは、ＣｒＮ、ＴｉＡｌＮ被覆が好ましい。ＣｒＮ被覆
は、最近ＴｉＮ被覆に替わる次世代の硬質被膜として注
目を集めているもので、硬度がＨｖ１５００〜２５００
と高硬度で、耐磨耗性、耐酸化性に優れている。特に、
摩擦係数がＴｉＮ被覆に比べて約１０％以上低く、高周
速度で、工作物や切り粉と接触する基板表面に施す被膜
としては極めて優れた特性を有するものである。
【００１１】また、ＴｉＮを形成するには、Ｔｉを蒸発
源として窒素ガス中にてイオンプレーティング法等によ
る。ＴｉＮ被覆は硬度がＨｖで約２０００と硬く、耐磨
耗性に優れている。上記被膜と同様に、切断加工時の発
熱を低減し、工作物との接触や切り粉から基板を保護す
る被膜としては、適当なもののひとつと考えられる。
源として窒素ガス中にてイオンプレーティング法等によ
る。ＴｉＮ被覆は硬度がＨｖで約２０００と硬く、耐磨
耗性に優れている。上記被膜と同様に、切断加工時の発
熱を低減し、工作物との接触や切り粉から基板を保護す
る被膜としては、適当なもののひとつと考えられる。
【００１２】また、ＤＬＣを形成するには、炭化水素ガ
スをプラズマで分解して製膜するプラズマＣＶＤ法、炭
素又は炭化水素イオンを用いるイオンビーム蒸着法、等
の気相合成法が用いられる。ＤＬＣはヌープ硬度が２０
００〜１００００と非常に高く、表面平滑性・耐磨耗性
に優れており、基板を工作物との接触および切り粉から
保護する被膜として、これもまた適当である。
スをプラズマで分解して製膜するプラズマＣＶＤ法、炭
素又は炭化水素イオンを用いるイオンビーム蒸着法、等
の気相合成法が用いられる。ＤＬＣはヌープ硬度が２０
００〜１００００と非常に高く、表面平滑性・耐磨耗性
に優れており、基板を工作物との接触および切り粉から
保護する被膜として、これもまた適当である。
【００１３】ただし、ダイヤモンド砥粒の先端部は、こ
れらのセラミックス被膜で被覆後、シリカ等の研磨材の
固定砥粒または遊離砥粒によって被覆を除去することが
好ましい。そして、ダイヤモンド砥粒のセラミックス被
膜からの突出し高さは、ダイヤモンド砥粒の平均粒径の
１％〜５０％の範囲とし、より好ましくは、１０％〜４
０％の範囲に設定する。
れらのセラミックス被膜で被覆後、シリカ等の研磨材の
固定砥粒または遊離砥粒によって被覆を除去することが
好ましい。そして、ダイヤモンド砥粒のセラミックス被
膜からの突出し高さは、ダイヤモンド砥粒の平均粒径の
１％〜５０％の範囲とし、より好ましくは、１０％〜４
０％の範囲に設定する。
【００１４】そして、セラミックス被膜の厚みは、０．
１〜５０μｍであることを特徴とするものである。通常
の用途では、１〜１０μｍの厚みがあれば十分に目的を
達成できるが、浸食され易い場合は５０μｍまで厚くす
る。
１〜５０μｍであることを特徴とするものである。通常
の用途では、１〜１０μｍの厚みがあれば十分に目的を
達成できるが、浸食され易い場合は５０μｍまで厚くす
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】発明実施の形態については、実施
例の項で説明する。
例の項で説明する。
【００１６】
【実施例】（実施例１）１２０Ｄ−１０Ｗ−２０Ｔの台
金をステンレス鋼で製作し、ダイヤモンド砥粒層以外の
部分を絶縁テープ及び絶縁塗料でマスキングした。次
に、水酸化ナトリウム５０ｇ／リットル、炭酸ナトリウ
ム５０ｇ／リットルの脱脂液で液温８０℃とし、１０Ａ
／ｄｍ２で陰極電解脱脂及び陽極電解脱脂を行った。そ
の後純水で洗浄後、塩酸に３分間侵漬し、再度純水で洗
浄後、ストライクめっきを５分間行った。次にニッケル
めっき浴中で電流密度１Ａ／ｄｍ２、１０分間の下地め
っき完了後、ダイヤモンド砥粒＃８０／＃１００（平均
粒径１８０μｍ）を台金の上へ乗せ、電流密度０．１Ａ
／ｄｍ２で６時間めっきした。この時台金に接している
ダイヤモンド砥粒のみが台金に固着され、台金に接して
いないダイヤモンド砥粒は、めっき浴中で１回／秒のサ
イクルで５分間台金を揺動すると脱落した。その後続け
て４８時間めっきした。
金をステンレス鋼で製作し、ダイヤモンド砥粒層以外の
部分を絶縁テープ及び絶縁塗料でマスキングした。次
に、水酸化ナトリウム５０ｇ／リットル、炭酸ナトリウ
ム５０ｇ／リットルの脱脂液で液温８０℃とし、１０Ａ
／ｄｍ２で陰極電解脱脂及び陽極電解脱脂を行った。そ
の後純水で洗浄後、塩酸に３分間侵漬し、再度純水で洗
浄後、ストライクめっきを５分間行った。次にニッケル
めっき浴中で電流密度１Ａ／ｄｍ２、１０分間の下地め
っき完了後、ダイヤモンド砥粒＃８０／＃１００（平均
粒径１８０μｍ）を台金の上へ乗せ、電流密度０．１Ａ
／ｄｍ２で６時間めっきした。この時台金に接している
ダイヤモンド砥粒のみが台金に固着され、台金に接して
いないダイヤモンド砥粒は、めっき浴中で１回／秒のサ
イクルで５分間台金を揺動すると脱落した。その後続け
て４８時間めっきした。
【００１７】さらにそのダイヤモンド層表面及び台金表
面に、ＣｒＮ被膜により被覆を施した。ダイヤモンド砥
粒表面の被膜を除去して、約３０μｍのダイヤモンド砥
粒の突出し高さを得て、本発明のパッドコンディショナ
ーを完成させた。そして本発明の効果を確認するため
に、研磨パッドをドレッシングして、従来例のパッドコ
ンディショナーと比較検討した。なお従来例としては、
めっき完了後のもの（ＣｒＮ被膜無し）を用いた。
面に、ＣｒＮ被膜により被覆を施した。ダイヤモンド砥
粒表面の被膜を除去して、約３０μｍのダイヤモンド砥
粒の突出し高さを得て、本発明のパッドコンディショナ
ーを完成させた。そして本発明の効果を確認するため
に、研磨パッドをドレッシングして、従来例のパッドコ
ンディショナーと比較検討した。なお従来例としては、
めっき完了後のもの（ＣｒＮ被膜無し）を用いた。
【００１８】研磨パッドのドレッシング試験の結果、本
発明品は従来例に比較し、寿命が５〜１０倍に伸び、し
かも研磨パッドのドレス屑及びスラリーの微粒子がダイ
ヤモンド層に付着することが極めて少なく、長期間に渡
って安定したドレッシングを行うことができた。従来例
は、結合材の溶解による砥粒の脱落が多く、スクラッチ
傷不良が発生しただけでなく、短寿命であった。
発明品は従来例に比較し、寿命が５〜１０倍に伸び、し
かも研磨パッドのドレス屑及びスラリーの微粒子がダイ
ヤモンド層に付着することが極めて少なく、長期間に渡
って安定したドレッシングを行うことができた。従来例
は、結合材の溶解による砥粒の脱落が多く、スクラッチ
傷不良が発生しただけでなく、短寿命であった。
【００１９】（実施例２）１２０Ｄ−１０Ｗ−２０Ｔの
台金をステンレス鋼で製作し、ダイヤモンド砥粒層以外
の部分を絶縁テープ及び絶縁塗料でマスキングした。次
に、水酸化ナトリウム５０ｇ／リットル、炭酸ナトリウ
ム５０ｇ／リットルの脱脂液で液温８０℃とし、１０Ａ
／ｄｍ２で陰極電解脱脂及び陽極電解脱脂を行った。そ
の後純水で洗浄後、塩酸に３分間侵漬し、再度純水で洗
浄後、ストライクめっきを５分間行った。次にニッケル
めっき浴中で電流密度１Ａ／ｄｍ２、１０分間の下地め
っき完了後、ダイヤモンド砥粒＃１７０／＃２００（平
均粒径９０μｍ）を台金の上へ乗せ、電流密度０．１Ａ
／ｄｍ２で３時間めっきした。この時台金に接している
ダイヤモンド砥粒のみが台金に固着され、台金に接して
いないダイヤモンド砥粒は、めっき浴中で１回／秒のサ
イクルで５分間台金を揺動すると脱落した。その後続け
て２４時間めっきした。
台金をステンレス鋼で製作し、ダイヤモンド砥粒層以外
の部分を絶縁テープ及び絶縁塗料でマスキングした。次
に、水酸化ナトリウム５０ｇ／リットル、炭酸ナトリウ
ム５０ｇ／リットルの脱脂液で液温８０℃とし、１０Ａ
／ｄｍ２で陰極電解脱脂及び陽極電解脱脂を行った。そ
の後純水で洗浄後、塩酸に３分間侵漬し、再度純水で洗
浄後、ストライクめっきを５分間行った。次にニッケル
めっき浴中で電流密度１Ａ／ｄｍ２、１０分間の下地め
っき完了後、ダイヤモンド砥粒＃１７０／＃２００（平
均粒径９０μｍ）を台金の上へ乗せ、電流密度０．１Ａ
／ｄｍ２で３時間めっきした。この時台金に接している
ダイヤモンド砥粒のみが台金に固着され、台金に接して
いないダイヤモンド砥粒は、めっき浴中で１回／秒のサ
イクルで５分間台金を揺動すると脱落した。その後続け
て２４時間めっきした。
【００２０】さらにそのダイヤモンド層表面及び台金表
面に、ＴｉＡｌＮ被膜により被覆を施した。その後ダイ
ヤモンド砥粒先端部を覆っている樹脂被膜を除去して、
約１５μｍのダイヤモンド砥粒の突出し高さを得て、本
発明のパッドコンディショナーを完成させた。そして本
発明の効果を確認するために、研磨パッドをドレッシン
グして、従来例のパッドコンディショナーと比較検討し
た。なお従来例としては、めっき完了後のもの（ＴｉＡ
ｌＮ被膜無し）を用いた。
面に、ＴｉＡｌＮ被膜により被覆を施した。その後ダイ
ヤモンド砥粒先端部を覆っている樹脂被膜を除去して、
約１５μｍのダイヤモンド砥粒の突出し高さを得て、本
発明のパッドコンディショナーを完成させた。そして本
発明の効果を確認するために、研磨パッドをドレッシン
グして、従来例のパッドコンディショナーと比較検討し
た。なお従来例としては、めっき完了後のもの（ＴｉＡ
ｌＮ被膜無し）を用いた。
【００２１】研磨パッドのドレッシング試験の結果、本
発明品は従来例に比較し、寿命が５〜８倍に伸び、しか
も研磨パッドのドレス屑及びスラリーの微粒子がダイヤ
モンド層に付着することが極めて少なく、長期間に渡っ
て安定したドレッシングを行うことができた。
発明品は従来例に比較し、寿命が５〜８倍に伸び、しか
も研磨パッドのドレス屑及びスラリーの微粒子がダイヤ
モンド層に付着することが極めて少なく、長期間に渡っ
て安定したドレッシングを行うことができた。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、パッドコンディシ
ョナーのダイヤモンド砥粒層の結合材の溶解が少なくな
る事により、ダイヤモンド砥粒の脱落が極めて少なくな
り、ＣＭＰ加工時にシリコンウエハにスクラッチ傷の発
生が延期され、寿命を大幅に伸ばすことができる。特
に、酸性スラリーを使用する場合のパッドコンディショ
ナーの寿命は極端に短く、本発明品は従来品と比べ寿命
を５〜１０倍に伸ばすことができる。また、研磨パッド
のドレス屑及びスラリーの微粒子がパッドコンディショ
ナーの結合材に付着することが少なくなり、ドレッシン
グの安定性を著しく向上させることができる。
ョナーのダイヤモンド砥粒層の結合材の溶解が少なくな
る事により、ダイヤモンド砥粒の脱落が極めて少なくな
り、ＣＭＰ加工時にシリコンウエハにスクラッチ傷の発
生が延期され、寿命を大幅に伸ばすことができる。特
に、酸性スラリーを使用する場合のパッドコンディショ
ナーの寿命は極端に短く、本発明品は従来品と比べ寿命
を５〜１０倍に伸ばすことができる。また、研磨パッド
のドレス屑及びスラリーの微粒子がパッドコンディショ
ナーの結合材に付着することが少なくなり、ドレッシン
グの安定性を著しく向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例の斜視図
【図２】（ａ）、（ｂ）および（ｃ）他の実施例の斜視
図
図
【図３】ダイヤモンド層の部分断面模式図
１ ダイヤモンド層 ２ 台金 ３ ダイヤモンド砥粒 ４ セラミックス被膜 ５ 結合材
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年４月７日（２０００．４．７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２４Ｄ 3/00 ３１０ Ｂ２４Ｄ 3/00 ３１０Ｚ ３２０ ３２０Ｂ 3/06 3/06 Ｂ Ｃ Ｆターム(参考） 3C047 EE18 3C058 AA09 AA19 CB02 DA12 DA17 3C063 AA10 AB01 BA37 BB02 BB07 BC02 BG01 BG24 CC13 EE10 EE26 FF22 FF23
Claims (5)
- 【請求項１】金属製台金の表面に平均粒径が３０μｍ〜
１０００μｍのダイヤモンド砥粒がニッケルめっき又は
ロウ材を主成分とする結合材により単層固着されたＣＭ
Ｐ用パッドコンディショナーであって、 セラミックス被膜により、上記の結合材表面が被覆され
ていることを特徴とするＣＭＰ用パッドコンディショナ
ー。 - 【請求項２】セラミックス被膜により、上記の金属製台
金の表面全体又は一部が被覆されていることを特徴とす
る請求項１記載のＣＭＰ用パッドコンディショナー。 - 【請求項３】上記のセラミックス被膜は、単層又は二層
以上の被膜から形成されていることを特長とする請求項
１又は２記載のＣＭＰ用パッドコンディショナー。 - 【請求項４】上記のセラミックス被膜の材質は、Ｃｒ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＣ、ＴｉＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２
Ｏ３及びＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ ＬｉｋｅＣａｒｂｏ
ｎ）から選ばれた一種類又は二種類以上からなることを
特徴とする請求項１、２又は３記載のＣＭＰ用パッドコ
ンディショナー。 - 【請求項５】上記のセラミックス被膜の厚みは、０．１
〜５０μｍであることを特徴とする請求項１、２、３又
は４記載のＣＭＰ用パッドコンディショナー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000059596A JP2001210613A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | Ｃｍｐ用パッドコンディショナー |
Applications Claiming Priority (1)
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005288685A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-10-20 | Read Co Ltd | 研磨布用ドレッサー及びその製造方法 |
| JP2007109767A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Mitsubishi Materials Corp | Ｃｍｐコンディショナおよびその製造方法 |
| JP2007260886A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Mitsubishi Materials Corp | Ｃｍｐコンディショナおよびその製造方法 |
| WO2008038583A1 (fr) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Mitsubishi Materials Corp. | Conditionneur cmp et son processus de production |
| JP2008272860A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Toshiba Plant Systems & Services Corp | 単層ダイヤモンドホイールおよびその使用方法 |
| JP2009184058A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Mitsubishi Materials Corp | 薄刃ブレードおよびその製造方法 |
| JP2009190170A (ja) * | 2004-03-10 | 2009-08-27 | Read Co Ltd | 研磨布用ドレッサー及びその製造方法 |
| JP2010089177A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 超砥粒工具 |
| CN101550539B (zh) * | 2009-05-14 | 2011-08-10 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法 |
| US9194189B2 (en) | 2011-09-19 | 2015-11-24 | Baker Hughes Incorporated | Methods of forming a cutting element for an earth-boring tool, a related cutting element, and an earth-boring tool including such a cutting element |
| JP7633774B2 (ja) | 2020-07-17 | 2025-02-20 | 日鐵精工股▲フン▼有限公司 | 研磨布用ドレッサー |
-
2000
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009190170A (ja) * | 2004-03-10 | 2009-08-27 | Read Co Ltd | 研磨布用ドレッサー及びその製造方法 |
| JP2005288685A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-10-20 | Read Co Ltd | 研磨布用ドレッサー及びその製造方法 |
| JP2007109767A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Mitsubishi Materials Corp | Ｃｍｐコンディショナおよびその製造方法 |
| JP2007260886A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Mitsubishi Materials Corp | Ｃｍｐコンディショナおよびその製造方法 |
| WO2008038583A1 (fr) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Mitsubishi Materials Corp. | Conditionneur cmp et son processus de production |
| JP2008073825A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Mitsubishi Materials Corp | Ｃｍｐコンディショナおよびその製造方法 |
| JP2008272860A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Toshiba Plant Systems & Services Corp | 単層ダイヤモンドホイールおよびその使用方法 |
| JP2009184058A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Mitsubishi Materials Corp | 薄刃ブレードおよびその製造方法 |
| JP2010089177A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 超砥粒工具 |
| CN101550539B (zh) * | 2009-05-14 | 2011-08-10 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法 |
| US9194189B2 (en) | 2011-09-19 | 2015-11-24 | Baker Hughes Incorporated | Methods of forming a cutting element for an earth-boring tool, a related cutting element, and an earth-boring tool including such a cutting element |
| US9771497B2 (en) | 2011-09-19 | 2017-09-26 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Methods of forming earth-boring tools |
| JP7633774B2 (ja) | 2020-07-17 | 2025-02-20 | 日鐵精工股▲フン▼有限公司 | 研磨布用ドレッサー |
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