JP2001203938A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JP2001203938A JP2001203938A JP2000015077A JP2000015077A JP2001203938A JP 2001203938 A JP2001203938 A JP 2001203938A JP 2000015077 A JP2000015077 A JP 2000015077A JP 2000015077 A JP2000015077 A JP 2000015077A JP 2001203938 A JP2001203938 A JP 2001203938A
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- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 カラー化を実現するために固体撮像素子の解
像度を下げた場合等の各カラー画像信号をより早く計算
できる固体撮像素子を得ること。 【解決手段】 (X,Y)=(i,j)(i=2〜2
m、j=2〜2n)の位置にある画素セル104をA
(i,j)と表記したときに、ロウデコーダ102のシ
フトレジスタおよび1ビットデコーダとカラムアンドマ
ルチプレクサ回路103の1ビットデコーダとによっ
て、A(i−1,j−1)、A(i−1,j)、A
(i,j−1)およびA(i,j)の位置にある4つの
画素セル104から任意の順番で、保持されている電気
信号を読み出す。
像度を下げた場合等の各カラー画像信号をより早く計算
できる固体撮像素子を得ること。 【解決手段】 (X,Y)=(i,j)(i=2〜2
m、j=2〜2n)の位置にある画素セル104をA
(i,j)と表記したときに、ロウデコーダ102のシ
フトレジスタおよび1ビットデコーダとカラムアンドマ
ルチプレクサ回路103の1ビットデコーダとによっ
て、A(i−1,j−1)、A(i−1,j)、A
(i,j−1)およびA(i,j)の位置にある4つの
画素セル104から任意の順番で、保持されている電気
信号を読み出す。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、アレイ状に並べ
て構成されたフォトダイオード等の受光素子を通じて画
像データを取得することにより、撮像を実現する固体撮
像素子に関するものである。
て構成されたフォトダイオード等の受光素子を通じて画
像データを取得することにより、撮像を実現する固体撮
像素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】以下に、モトローラ社製のCMOS型イ
メージセンサMCM2007のデータシートから抜粋し
た従来の固体撮像素子の構成および動作について説明す
る。図8は、上記した従来の固体撮像素子の概略構成を
示したブロック図である。
メージセンサMCM2007のデータシートから抜粋し
た従来の固体撮像素子の構成および動作について説明す
る。図8は、上記した従来の固体撮像素子の概略構成を
示したブロック図である。
【0003】図8に示すように、従来の固体撮像素子
は、画素セル204がX方向およびY方向にそれぞれ3
84個および304個アレイ状に配置された画素アレイ
201と、アレイ状に配置された複数の画素セル204
のうち、Y方向(行方向)の位置を特定するためのロウ
デコーダ202と、X方向(列方向)の位置の特定と出
力すべき画像信号の増幅とをおこなうためのカラムアン
ドマルチプレクサ回路203等から構成されている。
は、画素セル204がX方向およびY方向にそれぞれ3
84個および304個アレイ状に配置された画素アレイ
201と、アレイ状に配置された複数の画素セル204
のうち、Y方向(行方向)の位置を特定するためのロウ
デコーダ202と、X方向(列方向)の位置の特定と出
力すべき画像信号の増幅とをおこなうためのカラムアン
ドマルチプレクサ回路203等から構成されている。
【0004】図9は、画素セル204とロウデコーダ2
02およびカラムアンドマルチプレクサ回路203との
接続構成と画素セル204の内部回路とを示す図であ
る。図9に示すように、画素セル204は、Nチャネル
型のMOSトランジスタ(以下、NMOSトランジスタ
と称する)205〜208と、受光した光量に比例した
電荷を光電変換により生成して蓄積するフォトダイオー
ド209と、フォトダイオード209により蓄積された
電荷を保持するコンデンサC0と、から構成されてい
る。
02およびカラムアンドマルチプレクサ回路203との
接続構成と画素セル204の内部回路とを示す図であ
る。図9に示すように、画素セル204は、Nチャネル
型のMOSトランジスタ(以下、NMOSトランジスタ
と称する)205〜208と、受光した光量に比例した
電荷を光電変換により生成して蓄積するフォトダイオー
ド209と、フォトダイオード209により蓄積された
電荷を保持するコンデンサC0と、から構成されてい
る。
【0005】図9においては、ドレインが高位電圧電源
VDDに接続されたNMOSトランジスタ205のソー
スに、NMOSトランジスタ206のドレインが接続さ
れ、NMOSトランジスタ206のソースと低位電圧電
源(接地電位)との間に上記したフォトダイオード20
9が接続されている。一方、ドレインが高位電圧電源V
DDに接続されたNMOSトランジスタ207のソース
には、NMOSトランジスタ208のドレインが接続さ
れ、NMOSトランジスタ207のゲートには、NMO
Sトランジスタ205のソースと、一端が低位電圧電源
に接続されたコンデンサC0の他端と、が接続されてい
る。
VDDに接続されたNMOSトランジスタ205のソー
スに、NMOSトランジスタ206のドレインが接続さ
れ、NMOSトランジスタ206のソースと低位電圧電
源(接地電位)との間に上記したフォトダイオード20
9が接続されている。一方、ドレインが高位電圧電源V
DDに接続されたNMOSトランジスタ207のソース
には、NMOSトランジスタ208のドレインが接続さ
れ、NMOSトランジスタ207のゲートには、NMO
Sトランジスタ205のソースと、一端が低位電圧電源
に接続されたコンデンサC0の他端と、が接続されてい
る。
【0006】また、各画素セル204は、X方向(図中
横方向)において、各NMOSトランジスタ205のゲ
ートにリセット信号を入力するための配線と、各NMO
Sトランジスタ206のゲートに画像書き込み信号を入
力するための配線と、各NMOSトランジスタ208の
ゲートに画像読み出し信号を入力するための配線と、に
分類される三つの共通線路によって互いに接続されてい
る。
横方向)において、各NMOSトランジスタ205のゲ
ートにリセット信号を入力するための配線と、各NMO
Sトランジスタ206のゲートに画像書き込み信号を入
力するための配線と、各NMOSトランジスタ208の
ゲートに画像読み出し信号を入力するための配線と、に
分類される三つの共通線路によって互いに接続されてい
る。
【0007】特に、図9においては、上記したリセット
信号、画像書き込み信号、画像読み出し信号のそれぞれ
について、最上の行から順に、リセット信号RG0〜R
G303、画像書き込み信号TG0〜TG303、画像
読み出し信号RS0〜RS303として表されている。
なお、これらリセット信号RG0〜RG303、画像書
き込み信号TG0〜TG303、画像読み出し信号RS
0〜RS303はすべてロウデコーダ202によって生
成される。
信号、画像書き込み信号、画像読み出し信号のそれぞれ
について、最上の行から順に、リセット信号RG0〜R
G303、画像書き込み信号TG0〜TG303、画像
読み出し信号RS0〜RS303として表されている。
なお、これらリセット信号RG0〜RG303、画像書
き込み信号TG0〜TG303、画像読み出し信号RS
0〜RS303はすべてロウデコーダ202によって生
成される。
【0008】また、各画素セル204のNMOSトラン
ジスタ208のソースは、Y方向(図中縦方向)におい
て、画像信号を取り出すための共通線路によって互いに
接続されており、この共通線路は、図9において左の列
から順に、ColumnBus0〜383として表され
ている。なお、これらColumnBus0〜383
は、すべてカラムアンドマルチプレクサ回路203に接
続されている。
ジスタ208のソースは、Y方向(図中縦方向)におい
て、画像信号を取り出すための共通線路によって互いに
接続されており、この共通線路は、図9において左の列
から順に、ColumnBus0〜383として表され
ている。なお、これらColumnBus0〜383
は、すべてカラムアンドマルチプレクサ回路203に接
続されている。
【0009】図10は、カラムアンドマルチプレクサ回
路203の内部構成を示す図である。図10に示すよう
に、カラムアンドマルチプレクサ回路203は、増幅回
路210とマルチプレクサ回路211から構成されてい
る。増幅回路210は、上記したColumnBus0
〜383のそれぞれに一対一に対応して設けられてお
り、画像信号の入出力制御をおこなうためのNMOSト
ランジスタ212〜215と、画素アレイ201から出
力される画素信号を保持するためのコンデンサ216お
よび217と、画像信号を増幅するためのアンプ218
〜220と、から構成されている。
路203の内部構成を示す図である。図10に示すよう
に、カラムアンドマルチプレクサ回路203は、増幅回
路210とマルチプレクサ回路211から構成されてい
る。増幅回路210は、上記したColumnBus0
〜383のそれぞれに一対一に対応して設けられてお
り、画像信号の入出力制御をおこなうためのNMOSト
ランジスタ212〜215と、画素アレイ201から出
力される画素信号を保持するためのコンデンサ216お
よび217と、画像信号を増幅するためのアンプ218
〜220と、から構成されている。
【0010】図10においては、ドレインがColum
nBus0〜383の一つに接続されたNMOSトラン
ジスタ212のソースにアンプ218の入力端子とコン
デンサ216の一端とが接続され、ドレインがアンプ2
18の出力端子に接続されたNMOSトランジスタ21
4のソースに、アンプ220の入力端子が接続されてい
る。一方、これら構成と対照に、ドレインがNMOSト
ランジスタ212のドレインに接続されたNMOSトラ
ンジスタ213のソースにアンプ219の入力端子とコ
ンデンサ217の一端とが接続され、ドレインがアンプ
219の出力端子に接続されたNMOSトランジスタ2
15のソースに、アンプ220の入力端子が接続されて
いる。そして、コンデンサ216および217のそれぞ
れの他端は、互いに低位電源電圧(接地電位)に接続さ
れている。
nBus0〜383の一つに接続されたNMOSトラン
ジスタ212のソースにアンプ218の入力端子とコン
デンサ216の一端とが接続され、ドレインがアンプ2
18の出力端子に接続されたNMOSトランジスタ21
4のソースに、アンプ220の入力端子が接続されてい
る。一方、これら構成と対照に、ドレインがNMOSト
ランジスタ212のドレインに接続されたNMOSトラ
ンジスタ213のソースにアンプ219の入力端子とコ
ンデンサ217の一端とが接続され、ドレインがアンプ
219の出力端子に接続されたNMOSトランジスタ2
15のソースに、アンプ220の入力端子が接続されて
いる。そして、コンデンサ216および217のそれぞ
れの他端は、互いに低位電源電圧(接地電位)に接続さ
れている。
【0011】また、各増幅回路210は、X方向(図中
横方向)において、後述する制御信号SHRをNMOS
トランジスタ213のゲートに入力するための配線と、
後述する制御信号SHSを各NMOSトランジスタ21
2のゲートに入力するための配線と、後述する制御信号
SRを各NMOSトランジスタ215のゲートに入力す
るための配線と、後述する制御信号ZSRを各NMOS
トランジスタ214のゲートに入力するための配線と、
に分類される4つの共通線路によって互いに接続されて
いる。
横方向)において、後述する制御信号SHRをNMOS
トランジスタ213のゲートに入力するための配線と、
後述する制御信号SHSを各NMOSトランジスタ21
2のゲートに入力するための配線と、後述する制御信号
SRを各NMOSトランジスタ215のゲートに入力す
るための配線と、後述する制御信号ZSRを各NMOS
トランジスタ214のゲートに入力するための配線と、
に分類される4つの共通線路によって互いに接続されて
いる。
【0012】一方、マルチプレクサ回路211は、マル
チプレクサ212および213から構成され、各マルチ
プレクサは、トライステート型のアナログアンプを備え
ている。ここで、図10においては、ColumnBu
s0〜383を、ColumnBus0〜63と、Co
lumnBus64〜127と、ColumnBus1
28〜191と、ColumnBus192〜255
と、ColumnBus256〜319と、Colum
nBus320〜383との6つのグループに分け、上
記したマルチプレクサ212は、これらグループ毎に設
けられている。
チプレクサ212および213から構成され、各マルチ
プレクサは、トライステート型のアナログアンプを備え
ている。ここで、図10においては、ColumnBu
s0〜383を、ColumnBus0〜63と、Co
lumnBus64〜127と、ColumnBus1
28〜191と、ColumnBus192〜255
と、ColumnBus256〜319と、Colum
nBus320〜383との6つのグループに分け、上
記したマルチプレクサ212は、これらグループ毎に設
けられている。
【0013】よって、マルチプレクサ212は、上記し
た増幅回路210毎にアナログアンプを割り当ててお
り、マルチプレクサ213は、これらマルチプレクサ2
12毎にアナログアンプを配置している。すなわち、マ
ルチプレクサ212は、64個のアナログアンプを備
え、マルチプレクサ213は、6個のアナログアンプを
備えている。
た増幅回路210毎にアナログアンプを割り当ててお
り、マルチプレクサ213は、これらマルチプレクサ2
12毎にアナログアンプを配置している。すなわち、マ
ルチプレクサ212は、64個のアナログアンプを備
え、マルチプレクサ213は、6個のアナログアンプを
備えている。
【0014】また、マルチプレクサ212は、各アナロ
グアンプに制御信号AMUX[0:63]を入力するこ
とで、任意のアナログアンプの出力制御をおこなうこと
ができる。たとえば、ColumnBus0に対応する
増幅回路210の出力信号TCDS0を増幅するアナロ
グアンプに、“H”レベルのAMUX[0]を入力する
ことで、そのアナログアンプの出力を低インピーダンス
状態にし、他のアナログアンプの出力を高インピーダン
ス状態にすることができる。すなわち、任意の一つのア
ナログアンプの出力のみを活性化することができる。同
様に、マルチプレクサ213についても、各アナログア
ンプに制御信号BMUX[0:5]を入力することで、
任意のアナログアンプの出力制御をおこなうことができ
る。
グアンプに制御信号AMUX[0:63]を入力するこ
とで、任意のアナログアンプの出力制御をおこなうこと
ができる。たとえば、ColumnBus0に対応する
増幅回路210の出力信号TCDS0を増幅するアナロ
グアンプに、“H”レベルのAMUX[0]を入力する
ことで、そのアナログアンプの出力を低インピーダンス
状態にし、他のアナログアンプの出力を高インピーダン
ス状態にすることができる。すなわち、任意の一つのア
ナログアンプの出力のみを活性化することができる。同
様に、マルチプレクサ213についても、各アナログア
ンプに制御信号BMUX[0:5]を入力することで、
任意のアナログアンプの出力制御をおこなうことができ
る。
【0015】つぎに、この従来の固体撮像素子の動作に
ついて説明する。図11および図12はともに、従来の
固体撮像素子において、画像信号を読み出すためのタイ
ミングチャートを示す図であり、特に、図11は、それ
ぞれ一つの画素セル204から画像信号を取り出す場合
を示し、図12は、すべての画素セル204から画像信
号を取り出す場合を示している。
ついて説明する。図11および図12はともに、従来の
固体撮像素子において、画像信号を読み出すためのタイ
ミングチャートを示す図であり、特に、図11は、それ
ぞれ一つの画素セル204から画像信号を取り出す場合
を示し、図12は、すべての画素セル204から画像信
号を取り出す場合を示している。
【0016】まず、一つの画素セル204からの画像信
号の読み出し動作について説明する。固体撮像素子の画
素セル204では、画像信号を読み出すために三つの動
作モード、すなわち画像信号の蓄積がおこなわれる画像
蓄積モード、黒レベル信号が出力されるリセットモー
ド、および画像信号が出力される画像読み出しモードに
順次遷移される。
号の読み出し動作について説明する。固体撮像素子の画
素セル204では、画像信号を読み出すために三つの動
作モード、すなわち画像信号の蓄積がおこなわれる画像
蓄積モード、黒レベル信号が出力されるリセットモー
ド、および画像信号が出力される画像読み出しモードに
順次遷移される。
【0017】画像蓄積モードは、図11において、画像
書き込み信号TG0が“H”レベルになるまでの間の状
態であり、この間、画素セル204ではフォトダイオー
ド209により、受光した光量に応じて発生する電荷が
蓄積される。
書き込み信号TG0が“H”レベルになるまでの間の状
態であり、この間、画素セル204ではフォトダイオー
ド209により、受光した光量に応じて発生する電荷が
蓄積される。
【0018】これは、図9において、NMOSトランジ
スタ206が、そのゲートに“L”レベルの画像書き込
み信号TG0が入力されることでオフ状態になることを
示し、これにより、フォトダイオード209は、そのカ
ソードがNMOSトランジスタ206のソースに接続さ
れていることから、電荷の蓄積を維持することができ
る。
スタ206が、そのゲートに“L”レベルの画像書き込
み信号TG0が入力されることでオフ状態になることを
示し、これにより、フォトダイオード209は、そのカ
ソードがNMOSトランジスタ206のソースに接続さ
れていることから、電荷の蓄積を維持することができ
る。
【0019】つぎに、この状態において、リセット信号
RG0が“H”レベルになることでリセットモードとな
る。すなわち、図9では、NMOSトランジスタ205
が、そのゲートに“H”レベルのリセット信号RG0が
入力されることでオン状態になり、これにより、コンデ
ンサC0は、その一端(図202中、FD端子)がNM
OSトランジスタ205のソースに接続されていること
から、高位電源電圧VDDの電位レベルにリセットされ
る。
RG0が“H”レベルになることでリセットモードとな
る。すなわち、図9では、NMOSトランジスタ205
が、そのゲートに“H”レベルのリセット信号RG0が
入力されることでオン状態になり、これにより、コンデ
ンサC0は、その一端(図202中、FD端子)がNM
OSトランジスタ205のソースに接続されていること
から、高位電源電圧VDDの電位レベルにリセットされ
る。
【0020】この状態は、NMOSトランジスタ207
のゲートの電位もまた、高位電源電圧VDDに一致する
ことを示し、さらに画像読み出し信号RS0が“H”レ
ベルであるとすると、NMOSトランジスタ207およ
び208はともにオン状態となる。よって、その後、制
御信号SHRが“H”レベルになった際には、カラムア
ンドマルチプレクサ回路203の増幅回路210内のN
MOSトランジスタ213がオン状態となり、画素セル
204のNMOSトランジスタ207および208を通
じてColumnBus0に電流が供給され、増幅回路
210のコンデンサ217が充電される。なお、この状
態においては、リセット信号RG0は“L”レベルであ
る。
のゲートの電位もまた、高位電源電圧VDDに一致する
ことを示し、さらに画像読み出し信号RS0が“H”レ
ベルであるとすると、NMOSトランジスタ207およ
び208はともにオン状態となる。よって、その後、制
御信号SHRが“H”レベルになった際には、カラムア
ンドマルチプレクサ回路203の増幅回路210内のN
MOSトランジスタ213がオン状態となり、画素セル
204のNMOSトランジスタ207および208を通
じてColumnBus0に電流が供給され、増幅回路
210のコンデンサ217が充電される。なお、この状
態においては、リセット信号RG0は“L”レベルであ
る。
【0021】この充電によりコンデンサ217の両端に
は、画像信号が何もない状態、すなわち黒レベルの状態
における電圧値(以下、黒レベル電圧と称する)が記憶
されることになる。つづいて、画像書き込み信号TG0
が“H”レベルになることで読み出しモードになる。す
なわち、図9では、NMOSトランジスタ206が、そ
のゲートに“H”レベルのリセット信号TG0が入力さ
れることでオン状態になり、フォトダイオード209の
カソードとコンデンサC0の一端とが導通し、フォトダ
イオード209に電荷として蓄積された画像信号がFD
端子のコンデンサC0に転送される。
は、画像信号が何もない状態、すなわち黒レベルの状態
における電圧値(以下、黒レベル電圧と称する)が記憶
されることになる。つづいて、画像書き込み信号TG0
が“H”レベルになることで読み出しモードになる。す
なわち、図9では、NMOSトランジスタ206が、そ
のゲートに“H”レベルのリセット信号TG0が入力さ
れることでオン状態になり、フォトダイオード209の
カソードとコンデンサC0の一端とが導通し、フォトダ
イオード209に電荷として蓄積された画像信号がFD
端子のコンデンサC0に転送される。
【0022】これにより、FD端子は、転送された電荷
量に応じた電圧値に変化する。そして、この変化後の電
圧値に応じた電流が上記したリセットモード時と同様の
手順でColumnBus0に出力される。その後、制
御信号SHSが“H”レベルになることで、NMOSト
ランジスタ212がオン状態となる。これにより、コン
デンサ216の充電がおこなわれ、コンデンサ216の
両端に電位差が生ずる。この電位差(以下、信号レベル
電圧と称する)は画素セル204に蓄積された画像信号
に比例した値として記憶される。
量に応じた電圧値に変化する。そして、この変化後の電
圧値に応じた電流が上記したリセットモード時と同様の
手順でColumnBus0に出力される。その後、制
御信号SHSが“H”レベルになることで、NMOSト
ランジスタ212がオン状態となる。これにより、コン
デンサ216の充電がおこなわれ、コンデンサ216の
両端に電位差が生ずる。この電位差(以下、信号レベル
電圧と称する)は画素セル204に蓄積された画像信号
に比例した値として記憶される。
【0023】このようにしてカラムアンドマルチプレク
サ回路203の増幅回路210内のコンデンサ216お
よび217のそれぞれに蓄積された電荷、すなわち信号
レベル電圧および黒レベル電圧は、それぞれアンプ21
8および219により増幅され、制御信号SRおよびZ
SRが“H”レベルになったときに、アンプ220の出
力信号TCDS0として出力される。そして、アンプ2
20から出力された出力信号TCDS0は、図10に示
すように、マルチプレクサ回路211内の各アナログア
ンプを通じて再び増幅され、マルチプレクサ211の出
力端子MUXOUTから外部に出力される。
サ回路203の増幅回路210内のコンデンサ216お
よび217のそれぞれに蓄積された電荷、すなわち信号
レベル電圧および黒レベル電圧は、それぞれアンプ21
8および219により増幅され、制御信号SRおよびZ
SRが“H”レベルになったときに、アンプ220の出
力信号TCDS0として出力される。そして、アンプ2
20から出力された出力信号TCDS0は、図10に示
すように、マルチプレクサ回路211内の各アナログア
ンプを通じて再び増幅され、マルチプレクサ211の出
力端子MUXOUTから外部に出力される。
【0024】つぎに、固体撮像素子の全体動作、すなわ
ち画素アレイ201内のすべての画素セル204からの
画像信号の読み出し方法について説明する。画素アレイ
201内のすべての画素セル204から画像信号を読み
出すためには、図9において画素セル204に入力され
るリセット信号RG0〜RG303、画像書き込み信号
TG0〜TG303および画像読み出し信号RS0〜R
S303と、カラムアンドマルチプレクス回路203の
増幅回路210に入力される制御信号SHS、SHR、
SRおよびZSRと、マルチプレクサ221および22
2に入力される制御信号AMUX[0:63]およびB
MUX[0:5]とを、図12に示すタイミングチャー
トに従い、時分割で順次与えてやればよい。
ち画素アレイ201内のすべての画素セル204からの
画像信号の読み出し方法について説明する。画素アレイ
201内のすべての画素セル204から画像信号を読み
出すためには、図9において画素セル204に入力され
るリセット信号RG0〜RG303、画像書き込み信号
TG0〜TG303および画像読み出し信号RS0〜R
S303と、カラムアンドマルチプレクス回路203の
増幅回路210に入力される制御信号SHS、SHR、
SRおよびZSRと、マルチプレクサ221および22
2に入力される制御信号AMUX[0:63]およびB
MUX[0:5]とを、図12に示すタイミングチャー
トに従い、時分割で順次与えてやればよい。
【0025】図12において、まず、サイクル0では、
リセット信号RG0、画像書き込み信号TG0および画
像読み出し信号RS0がロウデコーダ202により生成
される。画素アレイ201内では、リセット信号RG
0、画像書き込み信号TG0および画像読み出し信号R
S0にはX方向に配置された384個の画素セルが接続
されており、これらの画素セル204のそれぞれにおい
て上述した画像蓄積モード、リセットモードおよび画像
読み出しモードの三つの動作モードが実行される。
リセット信号RG0、画像書き込み信号TG0および画
像読み出し信号RS0がロウデコーダ202により生成
される。画素アレイ201内では、リセット信号RG
0、画像書き込み信号TG0および画像読み出し信号R
S0にはX方向に配置された384個の画素セルが接続
されており、これらの画素セル204のそれぞれにおい
て上述した画像蓄積モード、リセットモードおよび画像
読み出しモードの三つの動作モードが実行される。
【0026】この結果、384個の画素セル204の信
号レベル電圧と黒レベル電圧が、図9の増幅回路210
に保持される。そしてつぎのサイクル1〜384では、
制御信号AMUX[0:63]およびBMUX[0:
5]が生成される。64本の制御信号AMUX[0:6
3]は、ビット0から順番に1サイクルに1本だけ
“H”レベルとなる信号で64サイクルの周期で生成さ
れる。また、6本の制御信号BMUX[0:5]も、ビ
ット0から順番に64サイクル毎に1本だけ“H”レベ
ルとなる。したがって、図10の増幅回路210に保持
された信号レベル電圧は、図中左から順番にマルチプレ
クサ211の出力端子MUXOUTから読み出される。
号レベル電圧と黒レベル電圧が、図9の増幅回路210
に保持される。そしてつぎのサイクル1〜384では、
制御信号AMUX[0:63]およびBMUX[0:
5]が生成される。64本の制御信号AMUX[0:6
3]は、ビット0から順番に1サイクルに1本だけ
“H”レベルとなる信号で64サイクルの周期で生成さ
れる。また、6本の制御信号BMUX[0:5]も、ビ
ット0から順番に64サイクル毎に1本だけ“H”レベ
ルとなる。したがって、図10の増幅回路210に保持
された信号レベル電圧は、図中左から順番にマルチプレ
クサ211の出力端子MUXOUTから読み出される。
【0027】このようにして、サイクル0〜384では
画素アレイ201の最上の行に配置された384個の画
素セル204の画像信号を読み出すことができる。画素
アレイ201の二番目の行に配置された画素セル204
の画像信号を読み出すためには、二番目の行の画素セル
204に接続されたリセット信号RG1、画像書き込み
信号TG1および画像読み出し信号RS1を、図12に
示すサイクル385のように生成すればよい。
画素アレイ201の最上の行に配置された384個の画
素セル204の画像信号を読み出すことができる。画素
アレイ201の二番目の行に配置された画素セル204
の画像信号を読み出すためには、二番目の行の画素セル
204に接続されたリセット信号RG1、画像書き込み
信号TG1および画像読み出し信号RS1を、図12に
示すサイクル385のように生成すればよい。
【0028】なお、サイクル385で生成されたリセッ
ト信号RG1、画像書き込み信号TG1および画像読み
出し信号RS1の各パルス発生タイミングは、サイクル
0で生成されたリセット信号RG0、画像書き込み信号
TG0および画像読み出し信号RS0のタイミングと同
じである。
ト信号RG1、画像書き込み信号TG1および画像読み
出し信号RS1の各パルス発生タイミングは、サイクル
0で生成されたリセット信号RG0、画像書き込み信号
TG0および画像読み出し信号RS0のタイミングと同
じである。
【0029】つづいて、サイクル386〜769で制御
信号AMUX[0:63]およびBMUX[0:5]が
生成されることにより、画像信号は出力端子MUXOU
Tから読み出される。以下、同様にして、画素アレイ2
01の三番目以降の行に配置された画素セル204の画
像信号を読み出すには、三番目以降の行の画素セル20
4に接続されたリセット信号RG2〜RG303、画像
書き込み信号TG2〜TG303および画像読み出し信
号RS2〜RS303を385サイクル毎に生成すれば
よい。
信号AMUX[0:63]およびBMUX[0:5]が
生成されることにより、画像信号は出力端子MUXOU
Tから読み出される。以下、同様にして、画素アレイ2
01の三番目以降の行に配置された画素セル204の画
像信号を読み出すには、三番目以降の行の画素セル20
4に接続されたリセット信号RG2〜RG303、画像
書き込み信号TG2〜TG303および画像読み出し信
号RS2〜RS303を385サイクル毎に生成すれば
よい。
【0030】そして、この固体撮像素子をカラー化する
ためには、画素セル204のフォトダイオード209の
受光面に赤(R)、緑(G)、青(B)に代表される3
原色のカラーフィルタとよばれる樹脂を覆うことで実現
することができる。図13は、従来のカラー用の高解像
度固体撮像素子において、カラーフィルタの配置を説明
するための説明図である。図13に示すように、特に、
高解像度の固体撮像素子では、各色のカラーフィルタを
市松模様に配置するのが一般的である。
ためには、画素セル204のフォトダイオード209の
受光面に赤(R)、緑(G)、青(B)に代表される3
原色のカラーフィルタとよばれる樹脂を覆うことで実現
することができる。図13は、従来のカラー用の高解像
度固体撮像素子において、カラーフィルタの配置を説明
するための説明図である。図13に示すように、特に、
高解像度の固体撮像素子では、各色のカラーフィルタを
市松模様に配置するのが一般的である。
【0031】よって、384×304の解像度でカラー
画像を表示するにはすべての画素について赤(R)、緑
(G)、青(B)に関する三つの画像信号が必要になる
が、固体撮像素子でカラーフィルタを市松模様に配置し
た場合、一つの画素セル204からは1色分のみの画像
信号しか読み出すことができない。この場合には、固体
撮像素子の外部において、その画素セルの近傍に位置し
かつ他の2色のカラーフィルタが覆われている他の画素
セル204の画像信号から不足分の画像信号を計算する
補間処理と呼ばれる操作が必要となる。
画像を表示するにはすべての画素について赤(R)、緑
(G)、青(B)に関する三つの画像信号が必要になる
が、固体撮像素子でカラーフィルタを市松模様に配置し
た場合、一つの画素セル204からは1色分のみの画像
信号しか読み出すことができない。この場合には、固体
撮像素子の外部において、その画素セルの近傍に位置し
かつ他の2色のカラーフィルタが覆われている他の画素
セル204の画像信号から不足分の画像信号を計算する
補間処理と呼ばれる操作が必要となる。
【0032】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
固体撮像素子によれば、ロウデコーダ202によって、
リセット信号RG0〜RG303、画像書き込み信号T
G0〜TG303および画像読み出し信号RS0〜RS
303を385サイクル毎にビット0からビット303
までシーケンシャルに生成し、かつマルチプレクサ21
1の制御信号AMUX[0:63]、BMUX[0:
5]もそれぞれ1サイクル毎、64サイクル毎にビット
0から最後のビット位置までシーケンシャルに生成して
おり、これにより画素アレイ201中のすべての画素セ
ル204から画像信号を読み出す方法を採用していた。
固体撮像素子によれば、ロウデコーダ202によって、
リセット信号RG0〜RG303、画像書き込み信号T
G0〜TG303および画像読み出し信号RS0〜RS
303を385サイクル毎にビット0からビット303
までシーケンシャルに生成し、かつマルチプレクサ21
1の制御信号AMUX[0:63]、BMUX[0:
5]もそれぞれ1サイクル毎、64サイクル毎にビット
0から最後のビット位置までシーケンシャルに生成して
おり、これにより画素アレイ201中のすべての画素セ
ル204から画像信号を読み出す方法を採用していた。
【0033】そして、カラー用の高解像度固体撮像素子
では固体撮像素子の外部で補間処理をおこなうことによ
り、解像度を維持したままで画像のカラー化を実現する
ことを可能としていた。
では固体撮像素子の外部で補間処理をおこなうことによ
り、解像度を維持したままで画像のカラー化を実現する
ことを可能としていた。
【0034】しかしながら、従来の固体撮像素子では、
画素アレイ201内のすべての画素セル204から画像
信号を読み出すために、X方向のアドレスを1づつイン
クリメントしながらXアドレスを走査して画像信号を読
み出し、Y方向のアドレスについてはXアドレスについ
ての走査が終了した後にアドレスを1づつインクリメン
トして走査していたので、(X,Y)=(i,j)(i
=2〜2m,j=2〜2n)の位置にある画素セルA
(i,j)の画像信号が読み出された後のつぎのサイク
ルでは、必ずA(i+1,j)の画像信号が読み出され
ることになる。このため、画素セルA(i,j)の画素
信号が読み出された後のつぎのサイクルにおいて、隣接
した行にある画素セルA(i,j−1)または画素セル
A(i,j+1)の位置にある画像信号を読み出すこと
ができないという問題があった。
画素アレイ201内のすべての画素セル204から画像
信号を読み出すために、X方向のアドレスを1づつイン
クリメントしながらXアドレスを走査して画像信号を読
み出し、Y方向のアドレスについてはXアドレスについ
ての走査が終了した後にアドレスを1づつインクリメン
トして走査していたので、(X,Y)=(i,j)(i
=2〜2m,j=2〜2n)の位置にある画素セルA
(i,j)の画像信号が読み出された後のつぎのサイク
ルでは、必ずA(i+1,j)の画像信号が読み出され
ることになる。このため、画素セルA(i,j)の画素
信号が読み出された後のつぎのサイクルにおいて、隣接
した行にある画素セルA(i,j−1)または画素セル
A(i,j+1)の位置にある画像信号を読み出すこと
ができないという問題があった。
【0035】また、カラー用の高解像度固体撮像素子に
おいて、その解像度を半分に下げて、図13の破線で囲
んだ領域を1画素セルとみなした場合には、破線内の一
つの画素セルの中からは赤(R)、緑(G)、青(B)
に関する三つの画像信号を取り出すことができるにも関
わらず、従来の高解像度固体撮像素子では外部で補間処
理をおこなうことにより画像信号を計算するため、カラ
ー画像表示のためにはこの補間処理の時間が常に必要で
あり時間がかかるという問題も生じていた。
おいて、その解像度を半分に下げて、図13の破線で囲
んだ領域を1画素セルとみなした場合には、破線内の一
つの画素セルの中からは赤(R)、緑(G)、青(B)
に関する三つの画像信号を取り出すことができるにも関
わらず、従来の高解像度固体撮像素子では外部で補間処
理をおこなうことにより画像信号を計算するため、カラ
ー画像表示のためにはこの補間処理の時間が常に必要で
あり時間がかかるという問題も生じていた。
【0036】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたもので、特に、カラー化を実現するために固体
撮像素子の解像度を下げた場合等に、赤(R)、緑
(G)、青(B)に関する三つの画像信号をより早く計
算できる固体撮像素子を得ることを目的とする。
なされたもので、特に、カラー化を実現するために固体
撮像素子の解像度を下げた場合等に、赤(R)、緑
(G)、青(B)に関する三つの画像信号をより早く計
算できる固体撮像素子を得ることを目的とする。
【0037】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決し、
目的を達成するため、この発明にかかる固体撮像素子に
あっては、受光により生成された電荷を蓄積する受光手
段と、前記受光手段に蓄積された電荷を放電するための
トランジスタと、前記受光手段に蓄積された電荷に比例
した電気信号を読み出すための第2のトランジスタと、
からなる画素セルを、X方向およびY方向にそれぞれ2
m個および2n個(m、nは自然数)づつアレイ状に並
べられて構成された画素アレイと、前記画素アレイ内の
特定の画素セルの前記第1のトランジスタおよび前記第
2のトランジスタを動作させるための第1のアドレッシ
ング手段および第2のアドレッシング手段と、を具備し
た固体撮像素子において、(X,Y)=(i,j)(i
=2〜2m、j=2〜2n)の位置にある画素セルをA
(i,j)と表記したときに、A(i−1,j−1)、
A(i−1,j)、A(i,j−1)およびA(i,
j)の位置にある4つの画素セルから任意の順番で前記
電気信号を読み出す手段を備えたことを特徴とする。
目的を達成するため、この発明にかかる固体撮像素子に
あっては、受光により生成された電荷を蓄積する受光手
段と、前記受光手段に蓄積された電荷を放電するための
トランジスタと、前記受光手段に蓄積された電荷に比例
した電気信号を読み出すための第2のトランジスタと、
からなる画素セルを、X方向およびY方向にそれぞれ2
m個および2n個(m、nは自然数)づつアレイ状に並
べられて構成された画素アレイと、前記画素アレイ内の
特定の画素セルの前記第1のトランジスタおよび前記第
2のトランジスタを動作させるための第1のアドレッシ
ング手段および第2のアドレッシング手段と、を具備し
た固体撮像素子において、(X,Y)=(i,j)(i
=2〜2m、j=2〜2n)の位置にある画素セルをA
(i,j)と表記したときに、A(i−1,j−1)、
A(i−1,j)、A(i,j−1)およびA(i,
j)の位置にある4つの画素セルから任意の順番で前記
電気信号を読み出す手段を備えたことを特徴とする。
【0038】この発明によれば、X方向に2αセル、Y
方向に2βセル(α=1〜m,β=1〜n)の画素セル
が配置された画素アレイにおいて、第1および第2のア
ドレッシング手段によって、X方向は2α−1、2αの
いずれかを、Y方向は2β−1、2βを、それぞれアド
レッシングできるので、4つの画素セルA(2α−1,
2β−1)、A(2α,2β−1)、A(2α−1,2
β)およびA(2α,2β)(α=1〜m,β=1〜
n)の画像信号を任意の順番で読み出すことができる。
方向に2βセル(α=1〜m,β=1〜n)の画素セル
が配置された画素アレイにおいて、第1および第2のア
ドレッシング手段によって、X方向は2α−1、2αの
いずれかを、Y方向は2β−1、2βを、それぞれアド
レッシングできるので、4つの画素セルA(2α−1,
2β−1)、A(2α,2β−1)、A(2α−1,2
β)およびA(2α,2β)(α=1〜m,β=1〜
n)の画像信号を任意の順番で読み出すことができる。
【0039】つぎの発明にかかる固体撮像素子にあって
は、上記の発明において、前記第1のアドレッシング手
段は、mビットのシフトレジスタとm個の1ビットデコ
ーダから構成され、前記第2のアドレッシング手段は、
nビットのシフトレジスタとn個の1ビットデコーダか
ら構成されることを特徴とする。
は、上記の発明において、前記第1のアドレッシング手
段は、mビットのシフトレジスタとm個の1ビットデコ
ーダから構成され、前記第2のアドレッシング手段は、
nビットのシフトレジスタとn個の1ビットデコーダか
ら構成されることを特徴とする。
【0040】この発明によれば、X方向に2αセル、Y
方向に2βセル(α=1〜m,β=1〜n)の画素セル
が配置された画素アレイにおいて、第1のアドレッシン
グ手段の1ビットデコーダによってX方向について2α
−1、2αのいずれかをアドレッシングし、第2のアド
レッシング手段のシフトレジスタによって、Y方向につ
いて2β−1、2βのいずれかをアドレッシングするこ
とができる。
方向に2βセル(α=1〜m,β=1〜n)の画素セル
が配置された画素アレイにおいて、第1のアドレッシン
グ手段の1ビットデコーダによってX方向について2α
−1、2αのいずれかをアドレッシングし、第2のアド
レッシング手段のシフトレジスタによって、Y方向につ
いて2β−1、2βのいずれかをアドレッシングするこ
とができる。
【0041】つぎの発明にかかる固体撮像素子にあって
は、上記の発明において、前記画素セル上に赤(R)、
緑(G)、青(B)のカラーフィルタのいずれかが前記
画素アレイ上で市松模様状となるように配置され、A
(2α−1,2β−1)、A(2α,2β−1)、A
(2α−1,2β)およびA(2α,2β)(α=1〜
m、β=1〜n)の4つの画素セルからの出力信号を
(X,Y)=(α,β)の位置にある画素セルからのカ
ラー信号として取得する手段を備えたことを特徴とす
る。
は、上記の発明において、前記画素セル上に赤(R)、
緑(G)、青(B)のカラーフィルタのいずれかが前記
画素アレイ上で市松模様状となるように配置され、A
(2α−1,2β−1)、A(2α,2β−1)、A
(2α−1,2β)およびA(2α,2β)(α=1〜
m、β=1〜n)の4つの画素セルからの出力信号を
(X,Y)=(α,β)の位置にある画素セルからのカ
ラー信号として取得する手段を備えたことを特徴とす
る。
【0042】この発明によれば、4つの画素セルA(2
α−1,2β−1)、A(2α,2β−1)、A(2α
−1,2β)、A(2α,2β)(α=1〜m,β=1
〜n)からの出力信号を(X,Y)=(α,β)の位置
にある画素からのカラー信号としてあつかうことができ
る。
α−1,2β−1)、A(2α,2β−1)、A(2α
−1,2β)、A(2α,2β)(α=1〜m,β=1
〜n)からの出力信号を(X,Y)=(α,β)の位置
にある画素からのカラー信号としてあつかうことができ
る。
【0043】
【発明の実施の形態】以下に、この発明にかかる固体撮
像素子の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
なお、この実施の形態により本発明が限定されるもので
はない。
像素子の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
なお、この実施の形態により本発明が限定されるもので
はない。
【0044】図1は、実施の形態にかかる固体撮像素子
において、画素セル204とロウデコーダ202および
カラムアンドマルチプレクサ回路203との接続構成と
画素セル204の内部回路とを示す図である。図1に示
すように、実施の形態にかかる固体撮像素子は、画素セ
ル104がX方向およびY方向にそれぞれ384個およ
び304個アレイ状に配置された画素アレイ101と、
アレイ状に配置された複数の画素セル104のうち、Y
方向(行)の位置を特定するためのロウデコーダ102
と、X方向(列)の位置の特定と出力すべき画像信号の
増幅とをおこなうためのカラムアンドマルチプレクサ回
路103を備えて構成されている。
において、画素セル204とロウデコーダ202および
カラムアンドマルチプレクサ回路203との接続構成と
画素セル204の内部回路とを示す図である。図1に示
すように、実施の形態にかかる固体撮像素子は、画素セ
ル104がX方向およびY方向にそれぞれ384個およ
び304個アレイ状に配置された画素アレイ101と、
アレイ状に配置された複数の画素セル104のうち、Y
方向(行)の位置を特定するためのロウデコーダ102
と、X方向(列)の位置の特定と出力すべき画像信号の
増幅とをおこなうためのカラムアンドマルチプレクサ回
路103を備えて構成されている。
【0045】また、図1において、画素セル104は、
NMOSトランジスタ105〜109と、受光した光量
に比例した電荷を光電変換により生成して蓄積するフォ
トダイオード110と、フォトダイオード110により
蓄積された電荷を保持するコンデンサC1と、から構成
されている。
NMOSトランジスタ105〜109と、受光した光量
に比例した電荷を光電変換により生成して蓄積するフォ
トダイオード110と、フォトダイオード110により
蓄積された電荷を保持するコンデンサC1と、から構成
されている。
【0046】図1においては、ドレインが高位電圧電源
VDDに接続されたNMOSトランジスタ105のソー
スに、NMOSトランジスタ106のドレインが接続さ
れ、さらに、NMOSトランジスタ106のソースに、
NMOSトランジスタ109のドレインが接続されてい
る。そして、NMOSトランジスタ109のソースと低
位電圧電源(接地電位)との間に上記したフォトダイオ
ード110が接続されている。一方、ドレインが高位電
圧電源VDDに接続されたNMOSトランジスタ107
のソースには、NMOSトランジスタ108のドレイン
が接続され、NMOSトランジスタ107のゲートに
は、NMOSトランジスタ105のソースと、一端が低
位電圧電源に接続されたコンデンサC1の他端と、が接
続されている。
VDDに接続されたNMOSトランジスタ105のソー
スに、NMOSトランジスタ106のドレインが接続さ
れ、さらに、NMOSトランジスタ106のソースに、
NMOSトランジスタ109のドレインが接続されてい
る。そして、NMOSトランジスタ109のソースと低
位電圧電源(接地電位)との間に上記したフォトダイオ
ード110が接続されている。一方、ドレインが高位電
圧電源VDDに接続されたNMOSトランジスタ107
のソースには、NMOSトランジスタ108のドレイン
が接続され、NMOSトランジスタ107のゲートに
は、NMOSトランジスタ105のソースと、一端が低
位電圧電源に接続されたコンデンサC1の他端と、が接
続されている。
【0047】また、各画素セル104は、X方向(図中
横方向)において、各NMOSトランジスタ105のゲ
ートにリセット信号を入力するための配線と、各NMO
Sトランジスタ106のゲートに画像書き込み信号を入
力するための配線と、各NMOSトランジスタ108の
ゲートに画像読み出し信号を入力するための配線と、に
分類される三つの共通線路によって互いに接続されてい
る。
横方向)において、各NMOSトランジスタ105のゲ
ートにリセット信号を入力するための配線と、各NMO
Sトランジスタ106のゲートに画像書き込み信号を入
力するための配線と、各NMOSトランジスタ108の
ゲートに画像読み出し信号を入力するための配線と、に
分類される三つの共通線路によって互いに接続されてい
る。
【0048】特に、図1においては、上記したリセット
信号、画像書き込み信号、画像読み出し信号のそれぞれ
について、最上の行から順に、リセット信号RG0〜R
G303、画像書き込み信号TG0〜TG303、画像
読み出し信号RS0〜RS303として表されている。
なお、これらリセット信号RG0〜RG303、画像書
き込み信号TG0〜TG303、画像読み出し信号RS
0〜RS303はすべてロウデコーダ102によって生
成される。
信号、画像書き込み信号、画像読み出し信号のそれぞれ
について、最上の行から順に、リセット信号RG0〜R
G303、画像書き込み信号TG0〜TG303、画像
読み出し信号RS0〜RS303として表されている。
なお、これらリセット信号RG0〜RG303、画像書
き込み信号TG0〜TG303、画像読み出し信号RS
0〜RS303はすべてロウデコーダ102によって生
成される。
【0049】また、各画素セル104は、Y方向(図中
縦方向)において、NMOSトランジスタ108のソー
スに、画像信号を取り出すための共通線路によって互い
に接続されており、この共通線路は、図1において左の
列から順に、ColumnBus0〜383として表さ
れている。なお、これらColumnBus0〜383
は、すべてカラムアンドマルチプレクサ回路103に接
続されている。
縦方向)において、NMOSトランジスタ108のソー
スに、画像信号を取り出すための共通線路によって互い
に接続されており、この共通線路は、図1において左の
列から順に、ColumnBus0〜383として表さ
れている。なお、これらColumnBus0〜383
は、すべてカラムアンドマルチプレクサ回路103に接
続されている。
【0050】さらに、この実施の形態にかかる固体撮像
素子では、各画素セル104のNMOSトランジスタ1
09のゲートが、Y方向(図中縦方向)において、列読
み出し信号を取り出すための共通線路によって互いに接
続されており、この列読み出し信号は、図1中において
左の列から順に、列読み出し信号CL0〜383として
表されている。なお、これら列読み出し信号CL0〜3
83は、すべてカラムアンドマルチプレクサ回路103
によって生成される。
素子では、各画素セル104のNMOSトランジスタ1
09のゲートが、Y方向(図中縦方向)において、列読
み出し信号を取り出すための共通線路によって互いに接
続されており、この列読み出し信号は、図1中において
左の列から順に、列読み出し信号CL0〜383として
表されている。なお、これら列読み出し信号CL0〜3
83は、すべてカラムアンドマルチプレクサ回路103
によって生成される。
【0051】図2は、ロウデコーダ102の内部構成を
示す回路図である。図2において、ロウデコーダ102
は、リセット信号発生回路111と、画像書き込み信号
発生回路112と、画像読み出し信号発生回路113
と、から構成される。リセット信号発生回路111、画
像書き込み信号発生回路112および画像読み出し信号
発生回路113の内部は、それぞれDフリップフロップ
(D−F/F)F1〜F152で構成された152ビッ
トのシフトレジスタ114と、インバータIV1、IV
2およびANDゲートG0〜G303で構成された1ビ
ットデコーダ115と、で構成されている。
示す回路図である。図2において、ロウデコーダ102
は、リセット信号発生回路111と、画像書き込み信号
発生回路112と、画像読み出し信号発生回路113
と、から構成される。リセット信号発生回路111、画
像書き込み信号発生回路112および画像読み出し信号
発生回路113の内部は、それぞれDフリップフロップ
(D−F/F)F1〜F152で構成された152ビッ
トのシフトレジスタ114と、インバータIV1、IV
2およびANDゲートG0〜G303で構成された1ビ
ットデコーダ115と、で構成されている。
【0052】また、リセット信号発生回路111には、
シフトクロックRGCKと、シフト信号RGINと、デ
コードクロックRGCKX2と、最下位アドレス信号R
GAD0と、が入力される。同様に、画像書き込み信号
発生回路112には、シフトクロックTGCKと、シフ
ト信号TGINと、デコードクロックTGCKX2と、
最下位アドレス信号TGAD0と、が入力され、画像読
み出し信号発生回路113には、シフトクロックRSC
Kと、シフト信号RSINと、デコードクロックRSC
KX2と、最下位アドレス信号RSAD0と、が入力さ
れる。
シフトクロックRGCKと、シフト信号RGINと、デ
コードクロックRGCKX2と、最下位アドレス信号R
GAD0と、が入力される。同様に、画像書き込み信号
発生回路112には、シフトクロックTGCKと、シフ
ト信号TGINと、デコードクロックTGCKX2と、
最下位アドレス信号TGAD0と、が入力され、画像読
み出し信号発生回路113には、シフトクロックRSC
Kと、シフト信号RSINと、デコードクロックRSC
KX2と、最下位アドレス信号RSAD0と、が入力さ
れる。
【0053】シフトレジスタ114は、リセット信号発
生回路111において、リセット信号RG0〜RG30
3を、順に二つずつの組に分け、図2に示すように、各
組に一つずつ上記したDフリップフロップが割り当てら
れている。そして、これらDフリップフロップF1〜F
152は、リセット信号RG0およびRG1の組に対応
する第1段目のDフリップフロップF1のD入力として
シフト信号RGINを入力し、以降の下段につづくDフ
リップフロップF2〜F152は、それぞれ上段のQ出
力をD入力としている。さらに、各Dフリップフロップ
F1〜F152のQ出力は、1ビットデコーダ115に
入力される。
生回路111において、リセット信号RG0〜RG30
3を、順に二つずつの組に分け、図2に示すように、各
組に一つずつ上記したDフリップフロップが割り当てら
れている。そして、これらDフリップフロップF1〜F
152は、リセット信号RG0およびRG1の組に対応
する第1段目のDフリップフロップF1のD入力として
シフト信号RGINを入力し、以降の下段につづくDフ
リップフロップF2〜F152は、それぞれ上段のQ出
力をD入力としている。さらに、各Dフリップフロップ
F1〜F152のQ出力は、1ビットデコーダ115に
入力される。
【0054】一方、1ビットデコーダ115は、上記し
た各組毎に二つの3入力ANDゲートを割り当て、それ
ぞれのANDゲートの出力をリセット信号としており、
一方のANDゲートには、インバータIV1により最下
位アドレス信号RGAD0が反転された信号と、デコー
ドクロックTGCKX2と、上記したDフリップフロッ
プのQ出力と、が入力されている。そして、他方のAN
Dゲートには、インバータIV2によりさらにインバー
タIV1の出力信号を反転されることで得られた最下位
アドレス信号RGAD0と、デコードクロックTGCK
X2と、上記したDフリップフロップのQ出力と、が入
力されている。
た各組毎に二つの3入力ANDゲートを割り当て、それ
ぞれのANDゲートの出力をリセット信号としており、
一方のANDゲートには、インバータIV1により最下
位アドレス信号RGAD0が反転された信号と、デコー
ドクロックTGCKX2と、上記したDフリップフロッ
プのQ出力と、が入力されている。そして、他方のAN
Dゲートには、インバータIV2によりさらにインバー
タIV1の出力信号を反転されることで得られた最下位
アドレス信号RGAD0と、デコードクロックTGCK
X2と、上記したDフリップフロップのQ出力と、が入
力されている。
【0055】たとえば、図2において、ANDゲートG
0は、インバータIV1により最下位アドレス信号RG
AD0が反転された信号と、デコードクロックTGCK
X2と、DフリップフロップF1のQ出力と、を入力
し、リセット信号RG0を出力する。また、ANDゲー
トG1は、インバータIV2によりさらにインバータI
V1の出力信号を反転されることで得られた最下位アド
レス信号RGAD0と、デコードクロックTGCKX2
と、DフリップフロップF1のQ出力と、を入力し、リ
セット信号RG1を出力する。
0は、インバータIV1により最下位アドレス信号RG
AD0が反転された信号と、デコードクロックTGCK
X2と、DフリップフロップF1のQ出力と、を入力
し、リセット信号RG0を出力する。また、ANDゲー
トG1は、インバータIV2によりさらにインバータI
V1の出力信号を反転されることで得られた最下位アド
レス信号RGAD0と、デコードクロックTGCKX2
と、DフリップフロップF1のQ出力と、を入力し、リ
セット信号RG1を出力する。
【0056】図3は、カラムアンドマルチプレクサ回路
103の内部構成を示す回路図である。図3において、
カラムアンドマルチプレクサ回路103は、増幅回路1
16と、マルチプレクサ117と、列デコーダ118
と、から構成される。
103の内部構成を示す回路図である。図3において、
カラムアンドマルチプレクサ回路103は、増幅回路1
16と、マルチプレクサ117と、列デコーダ118
と、から構成される。
【0057】増幅回路116は、上記したColumn
Bus0〜383のそれぞれに一対一に対応して設けら
れており、画像信号の入出力制御をおこなうためのNM
OSトランジスタ119〜122と、画素アレイ101
から出力される画素信号を保持するためのコンデンサ1
23および124と、画像信号を増幅するためのアンプ
125〜127と、から構成されている。
Bus0〜383のそれぞれに一対一に対応して設けら
れており、画像信号の入出力制御をおこなうためのNM
OSトランジスタ119〜122と、画素アレイ101
から出力される画素信号を保持するためのコンデンサ1
23および124と、画像信号を増幅するためのアンプ
125〜127と、から構成されている。
【0058】図2においては、ドレインがColumn
Bus0〜383の一つに接続されたNMOSトランジ
スタ119のソースにアンプ125の入力端子とコンデ
ンサ123の一端とが接続され、ドレインがアンプ12
5の出力端子に接続されたNMOSトランジスタ121
のソースに、アンプ127の入力端子が接続されてい
る。一方、これら構成と対照に、ドレインがNMOSト
ランジスタ119のドレインに接続されたNMOSトラ
ンジスタ120のソースにアンプ126の入力端子とコ
ンデンサ124の一端とが接続され、ドレインがアンプ
126の出力端子に接続されたNMOSトランジスタ1
22のソースに、アンプ127の入力端子が接続されて
いる。そして、コンデンサ123および124のそれぞ
れの他端は、互いに低位電源電圧(接地電位)に接続さ
れている。
Bus0〜383の一つに接続されたNMOSトランジ
スタ119のソースにアンプ125の入力端子とコンデ
ンサ123の一端とが接続され、ドレインがアンプ12
5の出力端子に接続されたNMOSトランジスタ121
のソースに、アンプ127の入力端子が接続されてい
る。一方、これら構成と対照に、ドレインがNMOSト
ランジスタ119のドレインに接続されたNMOSトラ
ンジスタ120のソースにアンプ126の入力端子とコ
ンデンサ124の一端とが接続され、ドレインがアンプ
126の出力端子に接続されたNMOSトランジスタ1
22のソースに、アンプ127の入力端子が接続されて
いる。そして、コンデンサ123および124のそれぞ
れの他端は、互いに低位電源電圧(接地電位)に接続さ
れている。
【0059】また、各増幅回路116は、X方向(図中
横方向)において、後述する制御信号SHRをNMOS
トランジスタ120のゲートに入力するための配線と、
後述する制御信号SHSを各NMOSトランジスタ11
9のゲートに入力するための配線と、後述する制御信号
SRを各NMOSトランジスタ122のゲートに入力す
るための配線と、後述する制御信号ZSRを各NMOS
トランジスタ121のゲートに入力するための配線と、
に分類される4つの共通線路によって互いに接続されて
いる。一方、マルチプレクサ117は、上記した増幅回
路116毎にトライステート型のアナログアンプ130
を割り当てて備えている。すなわち、マルチプレクサ1
17は、384個のアナログアンプを備えている。
横方向)において、後述する制御信号SHRをNMOS
トランジスタ120のゲートに入力するための配線と、
後述する制御信号SHSを各NMOSトランジスタ11
9のゲートに入力するための配線と、後述する制御信号
SRを各NMOSトランジスタ122のゲートに入力す
るための配線と、後述する制御信号ZSRを各NMOS
トランジスタ121のゲートに入力するための配線と、
に分類される4つの共通線路によって互いに接続されて
いる。一方、マルチプレクサ117は、上記した増幅回
路116毎にトライステート型のアナログアンプ130
を割り当てて備えている。すなわち、マルチプレクサ1
17は、384個のアナログアンプを備えている。
【0060】また、マルチプレクサ117は、各アナロ
グアンプ130に制御信号CL0〜CL383を入力す
ることで、任意のアナログアンプの出力制御をおこなう
ことができる。たとえば、ColumnBus0に対応
する増幅回路116の出力信号TCDS0を増幅するア
ナログアンプ130に、“H”レベルのCL0を入力す
ることで、そのアナログアンプの出力を低インピーダン
ス状態にし、他のアナログアンプの出力を高インピーダ
ンス状態にすることができる。すなわち、任意のアナロ
グアンプの出力のみを活性化することができる。
グアンプ130に制御信号CL0〜CL383を入力す
ることで、任意のアナログアンプの出力制御をおこなう
ことができる。たとえば、ColumnBus0に対応
する増幅回路116の出力信号TCDS0を増幅するア
ナログアンプ130に、“H”レベルのCL0を入力す
ることで、そのアナログアンプの出力を低インピーダン
ス状態にし、他のアナログアンプの出力を高インピーダ
ンス状態にすることができる。すなわち、任意のアナロ
グアンプの出力のみを活性化することができる。
【0061】列デコーダ118は、Dフリップフロップ
(D−F/F)で構成された192ビットのシフトレジ
スタ131と、インバータおよびANDゲートで構成さ
れた1ビットデコーダ132と、で構成されている。こ
の列デコーダ118のシフトレジスタ131および1ビ
ットデコーダ132の各内部構成は、それぞれ上記した
シフトレジスタ114および1ビットデコーダ115と
同様であるため、ここではそれらの説明を省略する。
(D−F/F)で構成された192ビットのシフトレジ
スタ131と、インバータおよびANDゲートで構成さ
れた1ビットデコーダ132と、で構成されている。こ
の列デコーダ118のシフトレジスタ131および1ビ
ットデコーダ132の各内部構成は、それぞれ上記した
シフトレジスタ114および1ビットデコーダ115と
同様であるため、ここではそれらの説明を省略する。
【0062】ただし、図3において、シフトクロックC
LCK、シフト信号CLIN、デコードクロックCLC
KX2、最下位アドレス信号CLAD0およびCL0〜
CL383は、図2に示したリセット信号発生回路11
1で言えば、それぞれシフトクロックRGCK、シフト
信号RGIN、デコードクロックRGCKX2、最下位
アドレス信号RGAD0およびRG0〜RG303に相
当する。
LCK、シフト信号CLIN、デコードクロックCLC
KX2、最下位アドレス信号CLAD0およびCL0〜
CL383は、図2に示したリセット信号発生回路11
1で言えば、それぞれシフトクロックRGCK、シフト
信号RGIN、デコードクロックRGCKX2、最下位
アドレス信号RGAD0およびRG0〜RG303に相
当する。
【0063】つぎに、この実施の形態にかかる固体撮像
素子の動作について説明する。図4〜7はいずれも、こ
の固体撮像素子において、画像信号を読み出すためのタ
イミングチャートを示す図である。特に、図4および図
5は、それぞれ一つの画素セル104から画像信号を取
り出す場合のタイミングチャートを示し、図6は、解像
度384×304で画像信号を読み出す場合のタイミン
グチャートを示し、図7は、解像度を半分の197×1
52で画像信号を読み出す場合のタイミングチャートを
示している。
素子の動作について説明する。図4〜7はいずれも、こ
の固体撮像素子において、画像信号を読み出すためのタ
イミングチャートを示す図である。特に、図4および図
5は、それぞれ一つの画素セル104から画像信号を取
り出す場合のタイミングチャートを示し、図6は、解像
度384×304で画像信号を読み出す場合のタイミン
グチャートを示し、図7は、解像度を半分の197×1
52で画像信号を読み出す場合のタイミングチャートを
示している。
【0064】まず、図4のタイミングチャートを用い
て、列が隣り合った二つの画素セル104からの画像信
号の読み出し動作について説明する。固体撮像素子の画
素セル104では、画像信号を読み出すために三つの動
作モード、すなわち画像信号の蓄積がおこなわれる画像
蓄積モード、黒レベル信号が出力されるリセットモー
ド、および画像信号が出力される画像読み出しモードに
順次遷移される。
て、列が隣り合った二つの画素セル104からの画像信
号の読み出し動作について説明する。固体撮像素子の画
素セル104では、画像信号を読み出すために三つの動
作モード、すなわち画像信号の蓄積がおこなわれる画像
蓄積モード、黒レベル信号が出力されるリセットモー
ド、および画像信号が出力される画像読み出しモードに
順次遷移される。
【0065】画像蓄積モードは、図4の示すサイクル0
において、画像書き込み信号TG0が“H”レベルにな
るまでの間の状態であり、この間、画素セル104では
フォトダイオード110により、受光した光量に応じて
発生する電荷が蓄積される。これは、図1において、N
MOSトランジスタ106が、そのゲートに“L”レベ
ルの画像書き込み信号TG0が入力されることでオフ状
態になることを示し、これにより、フォトダイオード1
10は、そのカソードがNMOSトランジスタ106の
ソースに接続されていることから、電荷の蓄積を維持す
ることができる。
において、画像書き込み信号TG0が“H”レベルにな
るまでの間の状態であり、この間、画素セル104では
フォトダイオード110により、受光した光量に応じて
発生する電荷が蓄積される。これは、図1において、N
MOSトランジスタ106が、そのゲートに“L”レベ
ルの画像書き込み信号TG0が入力されることでオフ状
態になることを示し、これにより、フォトダイオード1
10は、そのカソードがNMOSトランジスタ106の
ソースに接続されていることから、電荷の蓄積を維持す
ることができる。
【0066】つぎに、この状態において、リセット信号
RG0が“H”レベルになることでリセットモードとな
る。すなわち、図1では、NMOSトランジスタ105
が、そのゲートに“H”レベルのリセット信号RG0が
入力されることでオン状態になり、これにより、コンデ
ンサC1は、その一端(図1中、FD端子)がNMOS
トランジスタ105のソースに接続されていることか
ら、高位電源電圧VDDの電位レベルにリセットされ
る。
RG0が“H”レベルになることでリセットモードとな
る。すなわち、図1では、NMOSトランジスタ105
が、そのゲートに“H”レベルのリセット信号RG0が
入力されることでオン状態になり、これにより、コンデ
ンサC1は、その一端(図1中、FD端子)がNMOS
トランジスタ105のソースに接続されていることか
ら、高位電源電圧VDDの電位レベルにリセットされ
る。
【0067】この状態は、NMOSトランジスタ107
のゲートの電位もまた、高位電源電圧VDDに一致する
ことを示し、画像読み出し信号RS0が“H”レベルで
ある際に、NMOSトランジスタ107および108は
ともにオン状態となる。よって、その後、制御信号SH
Rが“H”レベルになった際には、カラムアンドマルチ
プレクサ回路103の増幅回路116内のNMOSトラ
ンジスタ120がオン状態となり、NMOSトランジス
タ107および108を通じてColumnBus0に
電流が供給され、増幅回路116のコンデンサ124が
充電される。この充電により、コンデンサ124には黒
レベル電圧が保持される。なお、この状態においては、
リセット信号RG0は“L”レベルである。
のゲートの電位もまた、高位電源電圧VDDに一致する
ことを示し、画像読み出し信号RS0が“H”レベルで
ある際に、NMOSトランジスタ107および108は
ともにオン状態となる。よって、その後、制御信号SH
Rが“H”レベルになった際には、カラムアンドマルチ
プレクサ回路103の増幅回路116内のNMOSトラ
ンジスタ120がオン状態となり、NMOSトランジス
タ107および108を通じてColumnBus0に
電流が供給され、増幅回路116のコンデンサ124が
充電される。この充電により、コンデンサ124には黒
レベル電圧が保持される。なお、この状態においては、
リセット信号RG0は“L”レベルである。
【0068】つづいて、画像書き込み信号TG0が
“H”レベルになることで読み出しモードになる。な
お、この状態では、列読み出し信号CL0は“H”レベ
ルである。すなわち、図1では、NMOSトランジスタ
106が、そのゲートに“H”レベルのリセット信号T
G0が入力されることでオン状態になるとともに、NM
OSトランジスタ109はオン状態であることから、フ
ォトダイオード110のカソードとコンデンサC1の一
端とが導通し、フォトダイオード110に電荷として蓄
積された画像信号がFD端子のコンデンサC1に転送さ
れる。
“H”レベルになることで読み出しモードになる。な
お、この状態では、列読み出し信号CL0は“H”レベ
ルである。すなわち、図1では、NMOSトランジスタ
106が、そのゲートに“H”レベルのリセット信号T
G0が入力されることでオン状態になるとともに、NM
OSトランジスタ109はオン状態であることから、フ
ォトダイオード110のカソードとコンデンサC1の一
端とが導通し、フォトダイオード110に電荷として蓄
積された画像信号がFD端子のコンデンサC1に転送さ
れる。
【0069】これにより、FD端子は、転送された電荷
量に応じた電圧値に変化する。そして、この変化後の電
圧値に応じた電流が上記したリセットモード時と同様の
手順でColumnBus0に出力される。その後、制
御信号SHSが“H”レベルになることで、NMOSト
ランジスタ212がオン状態となる。これにより、コン
デンサ123の充電がおこなわれ、コンデンサ123
は、画素セル104に蓄積された画像信号に比例した値
として、信号レベル電圧を保持する。
量に応じた電圧値に変化する。そして、この変化後の電
圧値に応じた電流が上記したリセットモード時と同様の
手順でColumnBus0に出力される。その後、制
御信号SHSが“H”レベルになることで、NMOSト
ランジスタ212がオン状態となる。これにより、コン
デンサ123の充電がおこなわれ、コンデンサ123
は、画素セル104に蓄積された画像信号に比例した値
として、信号レベル電圧を保持する。
【0070】このようにしてカラムアンドマルチプレク
サ回路103の増幅回路116内のコンデンサ123お
よび124のそれぞれに蓄積された電荷、すなわち信号
レベル電圧および黒レベル電圧は、それぞれアンプ12
5および126により増幅され、制御信号SRおよびZ
SRが“H”レベルになったときに、アンプ127の出
力信号TCDS0として出力される。そして、サイクル
1になると、カラムアンドマルチプレクサ回路103に
おいて最下位アドレスCLAD0が“L”から“H”レ
ベルに遷移し、列デコーダ118のシフトクロックCL
CKが“H”レベルになることで、列読み出し信号CL
1が“H”レベルになる。
サ回路103の増幅回路116内のコンデンサ123お
よび124のそれぞれに蓄積された電荷、すなわち信号
レベル電圧および黒レベル電圧は、それぞれアンプ12
5および126により増幅され、制御信号SRおよびZ
SRが“H”レベルになったときに、アンプ127の出
力信号TCDS0として出力される。そして、サイクル
1になると、カラムアンドマルチプレクサ回路103に
おいて最下位アドレスCLAD0が“L”から“H”レ
ベルに遷移し、列デコーダ118のシフトクロックCL
CKが“H”レベルになることで、列読み出し信号CL
1が“H”レベルになる。
【0071】なお、このとき、ロウデコーダ102のリ
セット信号発生回路111、画像書き込み信号発生回路
112および画像読み出し信号発生回路113のシフト
クロックRGCK、TGCKおよびRSCKと、シフト
入力RGIN、TGINおよびRSINと、最下位アド
レス信号RGAD0、TGAD0およびRSAD0等の
制御信号はすべて“L”レベルのままである。
セット信号発生回路111、画像書き込み信号発生回路
112および画像読み出し信号発生回路113のシフト
クロックRGCK、TGCKおよびRSCKと、シフト
入力RGIN、TGINおよびRSINと、最下位アド
レス信号RGAD0、TGAD0およびRSAD0等の
制御信号はすべて“L”レベルのままである。
【0072】したがって、サイクル1においては、サイ
クル0で画像信号を読み出した画素セル104と同じY
アドレスで、かつXアドレスが一つシフトした位置にあ
る画素セル104が動作する。すなわち、サイクル1で
はサイクル0で動作した画素セル104の右隣の画素セ
ル104が動作することになり、信号レベル電圧と黒レ
ベル電圧はColumnBus1を通じて増幅回路11
6のコンデンサ123および124にそれぞれ保持され
てマルチプレクサ117を通じて再び増幅され、マルチ
プレクサ117の出力端子MUXOUTから外部に出力
される。
クル0で画像信号を読み出した画素セル104と同じY
アドレスで、かつXアドレスが一つシフトした位置にあ
る画素セル104が動作する。すなわち、サイクル1で
はサイクル0で動作した画素セル104の右隣の画素セ
ル104が動作することになり、信号レベル電圧と黒レ
ベル電圧はColumnBus1を通じて増幅回路11
6のコンデンサ123および124にそれぞれ保持され
てマルチプレクサ117を通じて再び増幅され、マルチ
プレクサ117の出力端子MUXOUTから外部に出力
される。
【0073】つぎに、図5のタイミングチャートを用い
て、行が隣り合った二つの画素セル104からの画像信
号の読み出し動作について説明する。サイクル0での動
作は図4の動作と同じであり、このときの信号レベル電
圧と黒レベル電圧はColumnBus0を通じて増幅
回路116のコンデンサ123および124に保持され
てマルチプレクサ117を通じて再び増幅され、マルチ
プレクサ117の出力端子MUXOUTから外部に出力
される。
て、行が隣り合った二つの画素セル104からの画像信
号の読み出し動作について説明する。サイクル0での動
作は図4の動作と同じであり、このときの信号レベル電
圧と黒レベル電圧はColumnBus0を通じて増幅
回路116のコンデンサ123および124に保持され
てマルチプレクサ117を通じて再び増幅され、マルチ
プレクサ117の出力端子MUXOUTから外部に出力
される。
【0074】つづいてサイクル1になると、ロウデコー
ダ102のリセット信号発生回路111の最下位アドレ
ス信号RGAD0と、画像書き込み信号発生回路112
の最下位アドレス信号TGAD0と、画像読み出し信号
発生回路113の最下位アドレス信号RSAD0とがそ
ろって“L”から“H”レベルに遷移する。そのため、
リセット信号RG0、画像書き込み信号TG0および画
像読み出し信号RS0はすべて“L”レベルに固定され
る代わりに、リセット信号RG1、画像書き込み信号T
G1および画像読み出し信号RS1が“H”レベルに遷
移する。
ダ102のリセット信号発生回路111の最下位アドレ
ス信号RGAD0と、画像書き込み信号発生回路112
の最下位アドレス信号TGAD0と、画像読み出し信号
発生回路113の最下位アドレス信号RSAD0とがそ
ろって“L”から“H”レベルに遷移する。そのため、
リセット信号RG0、画像書き込み信号TG0および画
像読み出し信号RS0はすべて“L”レベルに固定され
る代わりに、リセット信号RG1、画像書き込み信号T
G1および画像読み出し信号RS1が“H”レベルに遷
移する。
【0075】カラムアンドマルチプレクサ回路103に
おいて最下位アドレス信号CLAD0が“L”から
“H”レベルに遷移するので、列読み出し信号CL0が
“H”レベルになる。したがって、このサイクル1で
は、サイクル0で画像信号を読み出した画素セル104
と同じXアドレスで、かつYアドレスが一つシフトした
位置にある画素セル104が動作する。
おいて最下位アドレス信号CLAD0が“L”から
“H”レベルに遷移するので、列読み出し信号CL0が
“H”レベルになる。したがって、このサイクル1で
は、サイクル0で画像信号を読み出した画素セル104
と同じXアドレスで、かつYアドレスが一つシフトした
位置にある画素セル104が動作する。
【0076】すなわち、サイクル1ではサイクル0で動
作した画素セル104の下の画素セル104が動作する
ことになり、信号レベル電圧と黒レベル電圧はColu
mnBus0を通じて増幅回路116のコンデンサ12
3および124に保持されてマルチプレクサ117を通
じて再び増幅され外部に出力される。これにより、X方
向の走査を完了せずとも、隣接した行の位置にある画素
セル104を動作させることが可能になる。
作した画素セル104の下の画素セル104が動作する
ことになり、信号レベル電圧と黒レベル電圧はColu
mnBus0を通じて増幅回路116のコンデンサ12
3および124に保持されてマルチプレクサ117を通
じて再び増幅され外部に出力される。これにより、X方
向の走査を完了せずとも、隣接した行の位置にある画素
セル104を動作させることが可能になる。
【0077】つぎに、図6と図7の固体撮像素子の全体
動作のタイミングチャートを説明する。図6では、サイ
クル0からサイクル383までは図4に示すタイミング
チャートの走査方法によって画素セル104を動作させ
る。これにより、X方向に配置された画素セル104が
すべて動作する。そして、サイクル384において図5
の走査方法を用いた後、サイクル767までは再び図5
の走査方法を用いる。これを、152回繰り返すことに
より、すべての画素セル104を動作させる。このよう
に動作させることにより、従来の固体撮像素子と同じ動
作を実現させることができる。
動作のタイミングチャートを説明する。図6では、サイ
クル0からサイクル383までは図4に示すタイミング
チャートの走査方法によって画素セル104を動作させ
る。これにより、X方向に配置された画素セル104が
すべて動作する。そして、サイクル384において図5
の走査方法を用いた後、サイクル767までは再び図5
の走査方法を用いる。これを、152回繰り返すことに
より、すべての画素セル104を動作させる。このよう
に動作させることにより、従来の固体撮像素子と同じ動
作を実現させることができる。
【0078】図7では、サイクル0からサイクル767
の中で、偶数サイクルのつぎのサイクルに遷移する場合
に図5に示した走査方法を用いて隣接した行の位置にあ
る画素セルを走査させ、奇数サイクルのつぎのサイクル
に遷移する場合に図4の走査方法を用いて行が同じ位置
にある画素セルを走査させる。これにより、サイクル0
〜2の色信号はR→G→Bとなるが、これはまさに図1
3の破線で囲んだ画素セルの信号に相当する。すなわ
ち、X方向およびY方向の解像度を半分に落とした場合
の画素セルにおけるカラー信号がそのまま読み出された
ことを示している。
の中で、偶数サイクルのつぎのサイクルに遷移する場合
に図5に示した走査方法を用いて隣接した行の位置にあ
る画素セルを走査させ、奇数サイクルのつぎのサイクル
に遷移する場合に図4の走査方法を用いて行が同じ位置
にある画素セルを走査させる。これにより、サイクル0
〜2の色信号はR→G→Bとなるが、これはまさに図1
3の破線で囲んだ画素セルの信号に相当する。すなわ
ち、X方向およびY方向の解像度を半分に落とした場合
の画素セルにおけるカラー信号がそのまま読み出された
ことを示している。
【0079】以上に説明したとおり、実施の形態にかか
る固体撮像素子によれば、X方向に2αセル、Y方向に
2βセル(α=1〜m,β=1〜n)の画素セルが配置
された画素アレイにおいて、ロウデコーダ202のシフ
トレジスタ114によって(X,Y)=(α,β)をア
ドレッシングし、カラムアンドマルチプレクサ回路10
3の列デコーダ118によってX方向の2α−1、2α
のいずれかを選択でき、リセット信号発生回路111、
画像書き込み信号発生回路112および画像読み出し信
号発生回路113の各1ビットデコーダ115によって
Y方向の2β−1、2βを選択できるので、4つの画素
セルA(2α−1,2β−1)、A(2α,2β−
1)、A(2α−1,2β)、A(2α,2β)(α=
1〜m,β=1〜n)の画像信号を任意の順番で読み出
すことができ、一つの画素セルの画像信号を読み出した
つぎのサイクルで、同一行の画素セルの走査が完了せず
とも、隣接した行にある画素セルの画像信号を読み出す
ことができる。
る固体撮像素子によれば、X方向に2αセル、Y方向に
2βセル(α=1〜m,β=1〜n)の画素セルが配置
された画素アレイにおいて、ロウデコーダ202のシフ
トレジスタ114によって(X,Y)=(α,β)をア
ドレッシングし、カラムアンドマルチプレクサ回路10
3の列デコーダ118によってX方向の2α−1、2α
のいずれかを選択でき、リセット信号発生回路111、
画像書き込み信号発生回路112および画像読み出し信
号発生回路113の各1ビットデコーダ115によって
Y方向の2β−1、2βを選択できるので、4つの画素
セルA(2α−1,2β−1)、A(2α,2β−
1)、A(2α−1,2β)、A(2α,2β)(α=
1〜m,β=1〜n)の画像信号を任意の順番で読み出
すことができ、一つの画素セルの画像信号を読み出した
つぎのサイクルで、同一行の画素セルの走査が完了せず
とも、隣接した行にある画素セルの画像信号を読み出す
ことができる。
【0080】また、4つの画素セルA(2α−1,2β
−1)、A(2α,2β−1)、A(2α−1,2
β)、A(2α,2β)(α=1〜m,β=1〜n)か
らの出力信号を(X,Y)=(α,β)の位置にある画
素からのカラー信号としてあつかうことができるので、
解像度を落とした場合には補間処理が不要になり、赤
(R)、緑(G)、青(B)に関する三つの画像信号を
より早く計算することができる。
−1)、A(2α,2β−1)、A(2α−1,2
β)、A(2α,2β)(α=1〜m,β=1〜n)か
らの出力信号を(X,Y)=(α,β)の位置にある画
素からのカラー信号としてあつかうことができるので、
解像度を落とした場合には補間処理が不要になり、赤
(R)、緑(G)、青(B)に関する三つの画像信号を
より早く計算することができる。
【0081】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明によれ
ば、X方向に2αセル、Y方向に2βセル(α=1〜
m,β=1〜n)の画素セルが配置された画素アレイに
おいて、第1および第2のアドレッシング手段によっ
て、X方向は2α−1、2αのいずれかを、Y方向は2
β−1、2βを、それぞれアドレッシングできるので、
4つの画素セルA(2α−1,2β−1)、A(2α,
2β−1)、A(2α−1,2β)およびA(2α,2
β)(α=1〜m,β=1〜n)の画像信号を任意の順
番で読み出すことができ、一つの画素セルの画像信号を
読み出したつぎのサイクルで、同一行の画素セルの走査
が完了せずとも、隣接した行にある画素セルの画像信号
を読み出すことができるという効果を奏する。
ば、X方向に2αセル、Y方向に2βセル(α=1〜
m,β=1〜n)の画素セルが配置された画素アレイに
おいて、第1および第2のアドレッシング手段によっ
て、X方向は2α−1、2αのいずれかを、Y方向は2
β−1、2βを、それぞれアドレッシングできるので、
4つの画素セルA(2α−1,2β−1)、A(2α,
2β−1)、A(2α−1,2β)およびA(2α,2
β)(α=1〜m,β=1〜n)の画像信号を任意の順
番で読み出すことができ、一つの画素セルの画像信号を
読み出したつぎのサイクルで、同一行の画素セルの走査
が完了せずとも、隣接した行にある画素セルの画像信号
を読み出すことができるという効果を奏する。
【0082】つぎの発明によれば、X方向に2αセル、
Y方向に2βセル(α=1〜m,β=1〜n)の画素セ
ルが配置された画素アレイにおいて、第1のアドレッシ
ング手段の1ビットデコーダによってX方向について2
α−1、2αのいずれかをアドレッシングし、第2のア
ドレッシング手段のシフトレジスタによって、Y方向に
ついて2β−1、2βのいずれかをアドレッシングする
ことができるので、一つの画素セルの画像信号を読み出
したつぎのサイクルで、同一行の画素セルの走査が完了
せずとも、隣接した行にある画素セルの画像信号を読み
出すことができるという効果を奏する。
Y方向に2βセル(α=1〜m,β=1〜n)の画素セ
ルが配置された画素アレイにおいて、第1のアドレッシ
ング手段の1ビットデコーダによってX方向について2
α−1、2αのいずれかをアドレッシングし、第2のア
ドレッシング手段のシフトレジスタによって、Y方向に
ついて2β−1、2βのいずれかをアドレッシングする
ことができるので、一つの画素セルの画像信号を読み出
したつぎのサイクルで、同一行の画素セルの走査が完了
せずとも、隣接した行にある画素セルの画像信号を読み
出すことができるという効果を奏する。
【0083】つぎの発明によれば、4つの画素セルA
(2α−1,2β−1)、A(2α,2β−1)、A
(2α−1,2β)、A(2α,2β)(α=1〜m,
β=1〜n)からの出力信号を(X,Y)=(α,β)
の位置にある画素からのカラー信号としてあつかうこと
ができるので、解像度を落とした場合にも補間処理が不
要になり、赤(R)、緑(G)、青(B)に関する三つ
の画像信号をより早く計算することができるという効果
を奏する。
(2α−1,2β−1)、A(2α,2β−1)、A
(2α−1,2β)、A(2α,2β)(α=1〜m,
β=1〜n)からの出力信号を(X,Y)=(α,β)
の位置にある画素からのカラー信号としてあつかうこと
ができるので、解像度を落とした場合にも補間処理が不
要になり、赤(R)、緑(G)、青(B)に関する三つ
の画像信号をより早く計算することができるという効果
を奏する。
【図1】 実施の形態にかかる固体撮像素子において、
画素セルとロウデコーダおよびカラムアンドマルチプレ
クサ回路との接続構成と画素セルの内部回路とを示す図
である。
画素セルとロウデコーダおよびカラムアンドマルチプレ
クサ回路との接続構成と画素セルの内部回路とを示す図
である。
【図2】 実施の形態にかかる固体撮像素子において、
ロウデコーダの内部構成を示す回路図である。
ロウデコーダの内部構成を示す回路図である。
【図3】 実施の形態にかかる固体撮像素子において、
カラムアンドマルチプレクサ回路の内部構成を示す回路
図である。
カラムアンドマルチプレクサ回路の内部構成を示す回路
図である。
【図4】 実施の形態にかかる固体撮像素子において、
それぞれ一つの画素セルから画像信号を取り出す場合の
動作を示すタイミングチャートである。
それぞれ一つの画素セルから画像信号を取り出す場合の
動作を示すタイミングチャートである。
【図5】 実施の形態にかかる固体撮像素子において、
それぞれ一つの画素セルから画像信号を取り出す場合の
動作を示すタイミングチャートである。
それぞれ一つの画素セルから画像信号を取り出す場合の
動作を示すタイミングチャートである。
【図6】 実施の形態にかかる固体撮像素子において、
解像度384×304で画像信号を読み出す場合の動作
を示すタイミングチャートである。
解像度384×304で画像信号を読み出す場合の動作
を示すタイミングチャートである。
【図7】 実施の形態にかかる固体撮像素子において、
解像度を半分の197×152で画像信号を読み出す場
合の動作を示すタイミングチャートである。
解像度を半分の197×152で画像信号を読み出す場
合の動作を示すタイミングチャートである。
【図8】 従来の固体撮像素子の概略構成を示したブロ
ック図である。
ック図である。
【図9】 従来の固体撮像素子において、画素セルとロ
ウデコーダおよびカラムアンドマルチプレクサ回路との
接続構成と画素セルの内部回路とを示す図である。
ウデコーダおよびカラムアンドマルチプレクサ回路との
接続構成と画素セルの内部回路とを示す図である。
【図10】 従来の固体撮像素子において、カラムアン
ドマルチプレクサ回路の内部構成を示す図である。
ドマルチプレクサ回路の内部構成を示す図である。
【図11】 従来の固体撮像素子において、それぞれ一
つの画素セルから画像信号を取り出す場合の動作を示す
タイミングチャートである。
つの画素セルから画像信号を取り出す場合の動作を示す
タイミングチャートである。
【図12】 従来の固体撮像素子において、すべての画
素セルから画像信号を取り出す場合の動作を示すタイミ
ングチャートである。
素セルから画像信号を取り出す場合の動作を示すタイミ
ングチャートである。
【図13】 従来のカラー用の高解像度固体撮像素子に
おいて、カラーフィルタの配置を説明するための説明図
である。
おいて、カラーフィルタの配置を説明するための説明図
である。
101 画素アレイ、102 ロウデコーダ、103
カラムアンドマルチプレクサ回路、104 画素セル、
105〜109,119〜122 NMOSトランジス
タ、110 フォトダイオード、111 リセット信号
発生回路、112 画像書き込み信号発生回路、113
画像読み出し信号発生回路、114,131 シフト
レジスタ、115,132 1ビットデコーダ、116
増幅回路、117 マルチプレクサ、118 列デコ
ーダ、123,124,C1 コンデンサ、125〜1
27 アンプ、130 アナログアンプ、F1〜F15
2Dフリップフロップ、G0〜G303 ANDゲー
ト、IV1,IV2 インバータ。
カラムアンドマルチプレクサ回路、104 画素セル、
105〜109,119〜122 NMOSトランジス
タ、110 フォトダイオード、111 リセット信号
発生回路、112 画像書き込み信号発生回路、113
画像読み出し信号発生回路、114,131 シフト
レジスタ、115,132 1ビットデコーダ、116
増幅回路、117 マルチプレクサ、118 列デコ
ーダ、123,124,C1 コンデンサ、125〜1
27 アンプ、130 アナログアンプ、F1〜F15
2Dフリップフロップ、G0〜G303 ANDゲー
ト、IV1,IV2 インバータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原 邦彦 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 下邨 研一 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 4M118 AA10 AB01 BA14 CA02 DB09 DD12 GC08 GC14 5C024 AX01 CY16 CY38 DX01 DX03 GX03 GX16 GY35 GY36 GY37 GZ04 GZ16 HX02 HX17 HX33 HX35 HX40 HX41 HX50 JX09 JX36 5C065 AA01 BB48 CC01 DD15 DD17 EE06 GG10 GG25 GG35 GG36
Claims (3)
- 【請求項1】 受光により生成された電荷を蓄積する受
光手段と、前記受光手段に蓄積された電荷を放電するた
めのトランジスタと、前記受光手段に蓄積された電荷に
比例した電気信号を読み出すための第2のトランジスタ
と、からなる画素セルを、X方向およびY方向にそれぞ
れ2m個および2n個(m、nは自然数)づつアレイ状
に並べられて構成された画素アレイと、前記画素アレイ
内の特定の画素セルの前記第1のトランジスタおよび前
記第2のトランジスタを動作させるための第1のアドレ
ッシング手段および第2のアドレッシング手段と、を具
備した固体撮像素子において、 (X,Y)=(i,j)(i=2〜2m、j=2〜2
n)の位置にある画素セルをA(i,j)と表記したと
きに、A(i−1,j−1)、A(i−1,j)、A
(i,j−1)およびA(i,j)の位置にある4つの
画素セルから任意の順番で前記電気信号を読み出す手段
を備えたことを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項2】 前記第1のアドレッシング手段は、mビ
ットのシフトレジスタとm個の1ビットデコーダから構
成され、 前記第2のアドレッシング手段は、nビットのシフトレ
ジスタとn個の1ビットデコーダから構成されることを
特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。 - 【請求項3】 前記画素セル上に赤(R)、緑(G)、
青(B)のカラーフィルタのいずれかが前記画素アレイ
上で市松模様状となるように配置され、A(2α−1,
2β−1)、A(2α,2β−1)、A(2α−1,2
β)およびA(2α,2β)(α=1〜m、β=1〜
n)の4つの画素セルからの出力信号を(X,Y)=
(α,β)の位置にある画素セルからのカラー信号とし
て取得する手段を備えたことを特徴とする請求項1また
は2に記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000015077A JP2001203938A (ja) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000015077A JP2001203938A (ja) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001203938A true JP2001203938A (ja) | 2001-07-27 |
Family
ID=18542429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000015077A Pending JP2001203938A (ja) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001203938A (ja) |
-
2000
- 2000-01-24 JP JP2000015077A patent/JP2001203938A/ja active Pending
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