JP2001203328A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路の大型化を伴うことなく、クロックパル
スの立ち上がり部分のスキューを低減できる半導体集積
回路を提供する。
【解決手段】 複数のバッファ11〜13が先端から末
端に亘り樹形状に配置接続されている。先端のバッファ
11の入力はインバータ14の出力に接続されており、
一方、末端のバッファ13の出力はインバータ15の入
力に接続されている。各バッファ11〜13は、入力さ
れたパルスを反転せずに出力する。インバータ14の入
力にはクロック信号が供給されており、一方、インバー
タ15の出力はD型フリップフロップ16のクロック端
子CLKに接続されている。インバータ14、15は、
入力されたパルスを反転して出力する。
(57) [Problem] To provide a semiconductor integrated circuit capable of reducing the skew of a rising portion of a clock pulse without increasing the size of the circuit. SOLUTION: A plurality of buffers 11 to 13 are arranged and connected in a tree shape from the front end to the end. The input of the buffer 11 at the tip is connected to the output of the inverter 14,
On the other hand, the output of the terminal buffer 13 is connected to the input of the inverter 15. Each of the buffers 11 to 13 outputs the input pulse without inverting it. The clock signal is supplied to the input of the inverter 14, while the output of the inverter 15 is connected to the clock terminal CLK of the D-type flip-flop 16. The inverters 14 and 15 are
Inverts the input pulse and outputs it.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、入力されるクロッ
ク信号を複数のクロック信号に分岐して出力するため
の、いわゆるクロックツリー回路を含む半導体集積回路
に関する。特には、回路の大型化を伴うことなく、クロ
ックツリー回路から出力する各パルスの立ち上がり部分
のスキューを低減できる半導体集積回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit including a so-called clock tree circuit for branching an input clock signal into a plurality of clock signals for output. In particular, the present invention relates to a semiconductor integrated circuit that can reduce the skew at the rising edge of each pulse output from the clock tree circuit without increasing the size of the circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般的に、半導体集積回路において、ク
ロック入力と複数個のフリップフロップとの間に、入力
されるクロック信号を複数のクロック信号に分岐して出
力するためのクロックツリー回路が介在して接続される
ことがある。この種の回路として、従来は、図2又は図
3に示すような回路が用いられていた。2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor integrated circuit, a clock tree circuit is provided between a clock input and a plurality of flip-flops for branching an input clock signal into a plurality of clock signals and outputting the resulting signal. May be connected. Conventionally, a circuit as shown in FIG. 2 or 3 has been used as this type of circuit.
【0003】図2においては、複数個のバッファセル1
01〜104が先端から末端に亘り樹形状に配置接続さ
れている。各バッファセルは、入力される信号を反転せ
ずに出力する。先端のバッファセル101の入力には、
クロック信号が供給される。一方、末端のバッファセル
104の出力はD型フリップフロップ105のクロック
端子CLKに接続されている。In FIG. 2, a plurality of buffer cells 1
01 to 104 are arranged and connected in a tree shape from the front end to the end. Each buffer cell outputs an input signal without inverting it. For the input of the buffer cell 101 at the tip,
A clock signal is provided. On the other hand, the output of the terminal buffer cell 104 is connected to the clock terminal CLK of the D-type flip-flop 105.
【0004】先端のバッファセル101は、入力された
クロック信号を反転せずに出力して、同バッファセル1
01に接続された次のバッファセル102に供給する。
以下、バッファセル102〜104も、入力されたクロ
ック信号を反転せずに出力する。そして、末端のバッフ
ァセル104から出力されたクロック信号が、D型フリ
ップフロップ105のクロック端子CLKに入力され
る。The leading buffer cell 101 outputs the input clock signal without inverting it, and
The signal is supplied to the next buffer cell 102 connected to 01.
Hereinafter, the buffer cells 102 to 104 also output the input clock signal without inverting it. Then, the clock signal output from the terminal buffer cell 104 is input to the clock terminal CLK of the D-type flip-flop 105.
【0005】D型フリップフロップ105は、クロック
端子CLKの他に、入力端子Dや出力端子Qを有する。
D型フリップフロップ105は、クロック端子CLKに
入力されるクロックパルスの立ち上がり部分で、入力端
子Dに入力されているデータを保持し、これを出力端子
Qから出力する。即ち、D型フリップフロップ105の
クロック端子CLKに入力されるクロックパルスの立ち
上がり時に入力端子Dに入力されているデータを読み込
んだ後、クロックパルスをローレベルに保つことによ
り、入力端子Dに入力されたデータを記憶(ラッチ)す
ることができる。従って、クロックパルスの立ち上がり
のタイミングが非常に重要である。The D flip-flop 105 has an input terminal D and an output terminal Q in addition to the clock terminal CLK.
The D-type flip-flop 105 holds the data input to the input terminal D at the rising edge of the clock pulse input to the clock terminal CLK, and outputs the data from the output terminal Q. That is, after the data input to the input terminal D is read at the rise of the clock pulse input to the clock terminal CLK of the D-type flip-flop 105, the clock pulse is kept at a low level, so that the data input to the input terminal D is maintained. Data can be stored (latched). Therefore, the timing of the rise of the clock pulse is very important.
【0006】一方、図3においては、偶数個のインバー
タセル201〜204が先端から末端に亘り樹形状に配
置接続されている。各インバータセルは、入力される信
号を反転して出力する。先端のインバータセル201の
入力には、クロック信号が供給される。一方、末端のイ
ンバータセル204の出力は、D型フリップフロップ1
05のクロック端子CLKに接続されている。On the other hand, in FIG. 3, an even number of inverter cells 201 to 204 are arranged and connected in a tree shape from the front end to the end. Each inverter cell inverts and outputs an input signal. A clock signal is supplied to an input of the leading inverter cell 201. On the other hand, the output of the terminal inverter cell 204 is a D-type flip-flop 1
05 is connected to the clock terminal CLK.
【0007】先端のインバータセル201は、入力され
たクロック信号を反転して出力して、同インバータセル
201に接続された次のインバータセル202に供給す
る。以下、インバータセル202〜204も、入力され
たクロック信号を反転して出力し、末端のインバータセ
ル204からは、先端のインバータセル201に入力さ
れたクロック信号と同相のクロック信号が出力される。
そして、末端のインバータセル204から出力されたク
ロック信号が、D型フリップフロップ105のクロック
端子CLKに入力される。The leading inverter cell 201 inverts and outputs the input clock signal and supplies the inverted clock signal to the next inverter cell 202 connected to the inverter cell 201. Hereinafter, the inverter cells 202 to 204 also invert and output the input clock signal, and the terminal inverter cell 204 outputs a clock signal having the same phase as the clock signal input to the front inverter cell 201.
Then, the clock signal output from the terminal inverter cell 204 is input to the clock terminal CLK of the D-type flip-flop 105.
【0008】バッファセル101〜104やインバータ
セル201〜204は、通常、コンプリメンタリMOS
(以下、CMOSと略称する)のセルにより構成され
る。CMOSのインバータセルの回路は、図4に示すよ
うに、コンプリメンタリペアとなるPチャネルトランジ
スタとNチャネルトランジスタとが相補的に接続されて
構成される。図4はCMOSのインバータセルの回路構
成図である。The buffer cells 101 to 104 and the inverter cells 201 to 204 are usually composed of complementary MOS.
(Hereinafter abbreviated as CMOS). As shown in FIG. 4, a circuit of a CMOS inverter cell is configured by complementarily connecting a P-channel transistor and an N-channel transistor which form a complementary pair. FIG. 4 is a circuit configuration diagram of a CMOS inverter cell.
【0009】このインバータ回路において、Pチャネル
トランジスタとNチャネルトランジスタのゲート電極は
共通接続されて入力電圧VINが印加され、ドレイン電極
は共通接続されて出力電圧VOUTが取り出される。Pチ
ャネルトランジスタのソースは高電位側の電源電圧VDD
に接続される。一方、Nチャネルトランジスタのソース
は低電位側の電源電圧VSSに接続される。尚、電源電圧
VDDとVSSの一方をアース電位としてもよい。また、C
MOSのバッファセルは、通常、インバータ回路を2段
直列に接続して構成される。In this inverter circuit, the gate electrodes of the P-channel transistor and the N-channel transistor are commonly connected to apply an input voltage V IN , and the drain electrodes are commonly connected to extract an output voltage V OUT . The source of the P-channel transistor is the power supply voltage V DD on the high potential side.
Connected to. On the other hand, the source of the N-channel transistor is connected to the lower potential power supply voltage V SS . Note that one of the power supply voltages V DD and V SS may be the ground potential. Also, C
A MOS buffer cell is usually configured by connecting two stages of inverter circuits in series.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のトランジスタのゲートとドレイン間、及び、ゲートと
ソース間には、寄生容量(回路部品として回路図に現れ
ない容量)がそれぞれ存在し、各セルの入力容量とな
る。セルの並列接続数が多い程、入力容量の影響は大き
くなる。また、セルとセルとの間の配線とアース間等に
は、浮遊容量が存在する。従って、パルスの立ち上がり
又は立ち下がり部分が各セルに入力された場合に、これ
らの容量の充放電により、各セルから出力されるパルス
の立ち上がり及び立ち下がり部分にスキュー(波形歪)
が生じてしまう。ここで、CMOS回路におけるNチャ
ネルトランジスタはPチャネルトランジスタよりもドラ
イブ能力が高い(例えば2〜3倍)ので、各セルから出
力されるパルスのスキューは、立ち上がり部分が立ち下
がり部分よりも大きくなる。However, a parasitic capacitance (capacitance that does not appear as a circuit component in the circuit diagram) exists between the gate and the drain and between the gate and the source of each of these transistors. Input capacity. The greater the number of cells connected in parallel, the greater the effect of the input capacitance. In addition, a stray capacitance exists between a wiring between cells and the ground, and the like. Therefore, when the rising or falling portion of the pulse is input to each cell, skew (waveform distortion) occurs at the rising and falling portions of the pulse output from each cell due to charging and discharging of these capacitors.
Will occur. Here, since the N-channel transistor in the CMOS circuit has a higher driving capability (for example, two to three times) than the P-channel transistor, the skew of the pulse output from each cell is larger at the rising part than at the falling part.
【0011】実際に、図2や図3のクロックツリー回路
においては、バッファセル101〜104やインバータ
セル201〜204からクロックパルスの立ち上がり部
分が出力される毎に、大きなスキューが付加される。従
って、図2に示す末端のバッファセル104から出力さ
れるクロックパルスの立ち上がり部分に、大きなスキュ
ーが発生する。また、図3に示す末端のインバータセル
204から出力されるクロックパルスにおいては、立ち
上がり部分と立ち下がり部分に同程度のスキューが発生
する。Actually, in the clock tree circuits shown in FIGS. 2 and 3, a large skew is added every time the rising portion of the clock pulse is output from the buffer cells 101 to 104 and the inverter cells 201 to 204. Therefore, a large skew occurs at the rising portion of the clock pulse output from the terminal buffer cell 104 shown in FIG. Also, in the clock pulse output from the terminal inverter cell 204 shown in FIG. 3, the same skew occurs in the rising part and the falling part.
【0012】一方、末端のバッファセル104やインバ
ータセル204から出力されるクロックパルスのスキュ
ーを低減するために、CMOSを構成するPチャネルト
ランジスタの面積を増やして、Pチャネルトランジスタ
のドライブ能力を高める対策も考えられる。しかしなが
ら、この対策では、回路の大型化を伴う欠点があった。On the other hand, in order to reduce the skew of the clock pulse output from the terminal buffer cell 104 or the inverter cell 204, measures are taken to increase the area of the P-channel transistor constituting the CMOS and increase the drive capability of the P-channel transistor. Is also conceivable. However, this countermeasure has a disadvantage that the circuit is enlarged.
【0013】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、回路の大型化を伴うことなく、クロックパルスの
立ち上がり部分のスキューを低減できる半導体集積回路
を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit capable of reducing the skew of a rising portion of a clock pulse without increasing the size of the circuit.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の半導体集積回路は、インバータセル及びバ
ッファセルが、PチャネルトランジスタのドレインとN
チャネルトランジスタのドレインとから相補的な出力を
得るように構成された半導体集積回路であって、入力さ
れるクロック信号を反転して出力する第1のインバータ
セルと、入力されるクロック信号を同相で出力するバッ
ファセルの組合せ回路であって、第1のインバータセル
から出力されるクロック信号を入力し、該クロック信号
を複数のクロック信号に分岐して出力する組合せ回路
と、組合せ回路から出力される少なくとも1つのクロッ
ク信号を入力し、該クロック信号を反転して出力する少
なくとも1つの第2のインバータセルと、を具備するこ
とを特徴とする。In order to solve the above problems, in a semiconductor integrated circuit according to the present invention, an inverter cell and a buffer cell include a drain of a P-channel transistor and an N-channel transistor.
A semiconductor integrated circuit configured to obtain a complementary output from a drain of a channel transistor, comprising: a first inverter cell that inverts and outputs an input clock signal; A combination circuit of a buffer cell to be output, which receives a clock signal output from a first inverter cell, branches the clock signal into a plurality of clock signals, and outputs the plurality of clock signals. And at least one second inverter cell that receives at least one clock signal, inverts the clock signal, and outputs the inverted signal.
【0015】ここで、少なくとも1つの第2のインバー
タセルから出力されるクロック信号に含まれるパルスの
立ち上がりに同期して動作する少なくとも1つのフリッ
プフロップをさらに含んでもよい。また、組合せ回路
が、配線層により直列に接続された複数のバッファセル
を含んでもよい。Here, the semiconductor device may further include at least one flip-flop that operates in synchronization with a rising edge of a pulse included in the clock signal output from the at least one second inverter cell. Further, the combination circuit may include a plurality of buffer cells connected in series by a wiring layer.
【0016】上述の半導体集積回路においては、第1の
インバータセルが、入力されるクロック信号を反転して
出力する。第1のインバータセルから出力された信号
は、バッファセルが複数個接続されて構成された組合せ
回路を反転されずに伝送されて出力される。そして、組
合せ回路から出力された信号は、第2のインバータセル
に供給された後、反転されて出力される。In the above-described semiconductor integrated circuit, the first inverter cell inverts and outputs an input clock signal. The signal output from the first inverter cell is transmitted and output without inversion through a combinational circuit configured by connecting a plurality of buffer cells. Then, the signal output from the combination circuit is supplied to the second inverter cell, and then inverted and output.
【0017】ここで、バッファセルを構成するCMOS
のNチャネルトランジスタはPチャネルトランジスタよ
りもドライブ能力が高い。従って、第2のインバータセ
ルから出力されるクロックパルスの立ち上がり部分のス
キューを低減できる。また、ドライブ能力を高めるため
にPチャネルトランジスタの面積を増やす必要がないの
で、回路の大型化を伴わない。さらに、第2のインバー
タセルから出力されるパルスの立ち上がり部分のスキュ
ーが従来と同程度で良いならば、FF直前の第2のイン
バータ回路セルの数を減らすることができ、クロックツ
リー回路の段数を従来に比べて減らすことができる。Here, the CMOS constituting the buffer cell
The N-channel transistor has higher driving capability than the P-channel transistor. Therefore, the skew at the rising portion of the clock pulse output from the second inverter cell can be reduced. In addition, since it is not necessary to increase the area of the P-channel transistor in order to increase the driving capability, the circuit does not increase in size. Furthermore, if the skew of the rising portion of the pulse output from the second inverter cell is the same as the conventional case, the number of the second inverter circuit cells immediately before the FF can be reduced, and the number of stages of the clock tree circuit can be reduced. Can be reduced as compared with the related art.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0019】図1は、本発明の一実施形態に係る半導体
集積回路の一部を示す回路図である。図1に示す半導体
集積回路は、入力端子に入力されるクロック信号を複数
のクロック信号に分岐して出力するクロックツリー回路
を含む。この回路においては、例えば、複数個のD型フ
リップフロップをドライブするために、複数個のバッフ
ァセル11〜13が組み合わされて回路網を構成してい
る。FIG. 1 is a circuit diagram showing a part of a semiconductor integrated circuit according to one embodiment of the present invention. The semiconductor integrated circuit shown in FIG. 1 includes a clock tree circuit that branches a clock signal input to an input terminal into a plurality of clock signals and outputs the plurality of clock signals. In this circuit, for example, in order to drive a plurality of D-type flip-flops, a plurality of buffer cells 11 to 13 are combined to form a circuit network.
【0020】バッファセル11〜13は、CMOSによ
り構成されている。バッファセル11の入力はインバー
タセル14の出力に接続されており、一方、バッファセ
ル13の出力はインバータセル15の入力に接続されて
いる。バッファセル11〜13は、入力される信号を反
転せずに出力する。The buffer cells 11 to 13 are constituted by CMOS. The input of buffer cell 11 is connected to the output of inverter cell 14, while the output of buffer cell 13 is connected to the input of inverter cell 15. The buffer cells 11 to 13 output the input signals without inverting them.
【0021】インバータセル14、15はCMOSによ
り構成されている(図4参照)。インバータセル14の
入力にはクロック信号が供給されており、一方、インバ
ータセル15の出力はD型フリップフロップ16のクロ
ック端子CLKに接続されている。インバータセル1
5、16は、入力される信号を反転して出力する。The inverter cells 14 and 15 are composed of CMOS (see FIG. 4). A clock signal is supplied to the input of the inverter cell 14, while the output of the inverter cell 15 is connected to the clock terminal CLK of the D-type flip-flop 16. Inverter cell 1
5 and 16 invert the input signal and output it.
【0022】インバータセル14は、入力されたクロッ
ク信号を反転して出力し、バッファセル11に供給す
る。バッファセル11は、入力されたクロック信号を反
転せずに出力して、同バッファセル11に接続された次
のバッファセル12に供給する。以下、バッファセル1
2、13も、入力されたクロック信号を反転せずに出力
する。即ち、インバータ14により反転されたクロック
信号は、バッファセル11〜13の間を反転されたまま
で伝送される。The inverter cell 14 inverts and outputs the input clock signal and supplies the inverted clock signal to the buffer cell 11. The buffer cell 11 outputs the input clock signal without inverting the clock signal and supplies the clock signal to the next buffer cell 12 connected to the buffer cell 11. Hereinafter, buffer cell 1
2 and 13 also output the input clock signal without inverting it. That is, the clock signal inverted by the inverter 14 is transmitted while being inverted between the buffer cells 11 to 13.
【0023】バッファセル13から出力されたクロック
信号は、インバータセル15に供給される。インバータ
セル15は、入力されたクロック信号を反転して出力す
る。このインバータセル15により、バッファセル11
〜13間を反転されたままで伝送されたクロック信号を
再度反転して、クロックツリー回路に入力されたクロッ
ク信号と同相に戻す。The clock signal output from the buffer cell 13 is supplied to the inverter cell 15. Inverter cell 15 inverts the input clock signal and outputs the inverted clock signal. The inverter cell 15 allows the buffer cell 11
Then, the clock signal transmitted while the signal between .about.13 is inverted is inverted again to return the same phase as the clock signal input to the clock tree circuit.
【0024】D型フリップフロップ16は、クロック端
子CLKの他に、入力端子Dや出力端子Qを有する。D
型フリップフロップ16は、クロック端子CLKに入力
されるクロックパルスの立ち上がり部分で、入力端子D
に入力されているデータを保持し、これを出力端子Qか
ら出力する。即ち、D型フリップフロップ16のクロッ
ク端子CLKに入力されるクロックパルスの立ち上がり
時に入力端子Dに入力されているデータを読み込んだ
後、クロックパルスをローレベルに保つことにより、入
力端子Dに入力されたデータを記憶(ラッチ)できる。
従って、クロックパルスの立ち上がりのタイミングが非
常に重要である。The D-type flip-flop 16 has an input terminal D and an output terminal Q in addition to the clock terminal CLK. D
The flip-flop 16 has an input terminal D at the rising edge of the clock pulse input to the clock terminal CLK.
, And outputs this from the output terminal Q. That is, at the rising edge of the clock pulse input to the clock terminal CLK of the D-type flip-flop 16, the data input to the input terminal D is read, and then the clock pulse is kept at a low level so that the input to the input terminal D is maintained. Data can be stored (latched).
Therefore, the timing of the rise of the clock pulse is very important.
【0025】本実施形態によれば、クロックツリー回路
に入力されたクロックパルスの立ち上がり部分が、バッ
ファセル11〜13間においては立ち下がり部分として
伝送される。ここで、CMOSを構成するNチャネルト
ランジスタはPチャネルトランジスタよりもドライブ能
力が高い。従って、バッファセル11に入力されたクロ
ックパルスの立ち下がり部分は、バッファセル11〜1
3を伝送される間にスキューが小さくて済むので、イン
バータセル15により反転して出力されるクロックパル
スの立ち上がり部分のスキューを低減できる。また、ド
ライブ能力を高めるためにPチャネルトランジスタの面
積を増やす必要がないので、回路の大型化を伴わない。According to this embodiment, the rising portion of the clock pulse input to the clock tree circuit is transmitted between the buffer cells 11 to 13 as the falling portion. Here, the N-channel transistor constituting the CMOS has higher driving ability than the P-channel transistor. Therefore, the falling portion of the clock pulse input to the buffer cell 11 is
Since the skew can be reduced during the transmission of the clock signal 3, the skew at the rising portion of the clock pulse inverted and output by the inverter cell 15 can be reduced. In addition, since it is not necessary to increase the area of the P-channel transistor in order to increase the driving capability, the circuit does not increase in size.
【0026】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
入力されたクロックパルスの立ち上がり部分を第1のイ
ンバータセルにより反転し、次に、複数接続されたバッ
ファセル間をスキューの小さい立ち下がり部分として伝
送し、さらに、第2のインバータにより反転して立ち上
がり部分に戻す。従って、入力されたクロックパルスを
基にして複数生成したクロックパルスの立ち上がり部分
のスキューを低減できる。また、ドライブ能力を高める
ためにPチャネルトランジスタの面積を増やす必要がな
いので、回路の大型化を伴わない。As described above, according to the present invention,
The rising portion of the input clock pulse is inverted by the first inverter cell, and then transmitted between the plurality of connected buffer cells as a falling portion having a small skew, and further inverted by the second inverter to rise. Return to the part. Therefore, it is possible to reduce the skew at the rising portions of a plurality of clock pulses generated based on the input clock pulses. In addition, since it is not necessary to increase the area of the P-channel transistor in order to increase the driving capability, the circuit does not increase in size.
【図1】本発明の一実施形態に係る半導体集積回路の一
部を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a part of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention.
【図2】従来の半導体集積回路の一部を示す回路図であ
る。FIG. 2 is a circuit diagram showing a part of a conventional semiconductor integrated circuit.
【図3】従来の他の半導体集積回路の一部を示す回路図
である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a part of another conventional semiconductor integrated circuit.
【図4】CMOSのインバータセルの回路構成図であ
る。FIG. 4 is a circuit diagram of a CMOS inverter cell.
11〜13 バッファセル 14、15 インバータセル 16 D型フリップフロップ CLK クロック端子 D 入力端子 Q 出力端子 11 to 13 buffer cells 14, 15 inverter cells 16 D-type flip-flop CLK clock terminal D input terminal Q output terminal
Claims (3)
チャネルトランジスタのドレインとNチャネルトランジ
スタのドレインとから相補的な出力を得るように構成さ
れた半導体集積回路であって、 入力されるクロック信号を反転して出力する第1のイン
バータセルと、 入力されるクロック信号を同相で出力するバッファセル
の組合せ回路であって、前記第1のインバータセルから
出力されるクロック信号を入力し、該クロック信号を複
数のクロック信号に分岐して出力する前記組合せ回路
と、 前記組合せ回路から出力される少なくとも1つのクロッ
ク信号を入力し、該クロック信号を反転して出力する少
なくとも1つの第2のインバータセルと、を具備するこ
とを特徴とする前記半導体集積回路。1. An inverter cell and a buffer cell are P
A semiconductor integrated circuit configured to obtain a complementary output from a drain of a channel transistor and a drain of an N-channel transistor, comprising: a first inverter cell for inverting and outputting an input clock signal; Circuit for outputting a clock signal in phase with the clock signal output from the first inverter cell, branching the clock signal into a plurality of clock signals, and outputting the divided clock signal. And at least one second inverter cell that receives at least one clock signal output from the combinational circuit, and inverts and outputs the clock signal.
セルから出力されるクロック信号に含まれるパルスの立
ち上がりに同期して動作する少なくとも1つのフリップ
フロップをさらに含むことを特徴とする請求項1記載の
半導体集積回路。2. The semiconductor device according to claim 1, further comprising at least one flip-flop that operates in synchronization with a rising edge of a pulse included in a clock signal output from said at least one second inverter cell. Semiconductor integrated circuit.
接続された複数のバッファセルを含むことを特徴とする
請求項1又は2記載の半導体集積回路。3. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein said combination circuit includes a plurality of buffer cells connected in series by a wiring layer.
Priority Applications (1)
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JP2000013097A JP2001203328A (en) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
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Family Applications (1)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6724231B2 (en) | 2002-08-22 | 2004-04-20 | Renesas Technology Corp. | Clock signal propagation gate and semiconductor integrated circuit including same |
JP2009187104A (en) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Panasonic Corp | Semiconductor integrated circuit |
-
2000
- 2000-01-21 JP JP2000013097A patent/JP2001203328A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6724231B2 (en) | 2002-08-22 | 2004-04-20 | Renesas Technology Corp. | Clock signal propagation gate and semiconductor integrated circuit including same |
JP2009187104A (en) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Panasonic Corp | Semiconductor integrated circuit |
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