JP2001201754A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画質を損なうことなく、かつ消費電力を抑え
ながら横電解方式（ＩＰＳ）を実現することができる液
晶表示装置を提供する。 【解決手段】 液晶分子が捻れ回転可能な液晶組成物層
と、液晶組成物層を挟持する第１の基板及び第２の基板
と、第１の基板面と液晶組成物層の面との間にマトリッ
クス状に形成される複数の画素と、画素ごとに形成され
ている薄膜トランジスタとを含み、画素ごとに映像信号
が印加される画素電極と対向電圧が印加される対向電極
とが備えられ、画素電極と対向電極の間に発生する第１
の基板面と平行な成分を含む電界によって液晶分子の捻
れ量を制御する液晶表示装置であって、対向電極が薄膜
トランジスタのソース・ドレイン領域を含む半導体層と
同一の透光性材料で形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＡＶ・ＯＡ機器な
どの平面ディスプレイとして用いることのできる液晶表
示装置に関する。特に、薄膜トランジスタを用いたアク
ティブマトリックス型液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：以下、「ＬＣＤ」とい
う。）に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在ＬＣＤは、ビデオカメラのビューフ
ァインダやポケットテレビ、さらには高精細投写型テレ
ビや、パソコン、ワープロ等の情報表示端末等、種々の
分野において積極的に採用されるようになってきてお
り、開発及び商品化が活発に行われている。

【０００３】特に、スイッチング素子として薄膜トラン
ジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：
以下、「ＴＦＴ」という。）を用いたアクティブマトリ
ックス型方式のＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉ
ｃ）型ＬＣＤの開発においては、近年、半導体材料とし
て多結晶シリコン薄膜（Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎ
ｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ：以下、「ｐ−Ｓｉ」という。）を
用いることにより、画素のドライバ回路を同一基盤上に
内蔵する方式が良く採用されるようになってきている。

【０００４】その中でも特に、ｐ−Ｓｉを成膜する際の
加熱温度を４５０℃以下と比較的低温に抑えることによ
り大面積かつ低質なガラス基板についても使用を可能と
した低温プロセスのｐ−Ｓｉ・ＴＦＴ−ＬＣＤ技術の開
発が活発に行われており、既に実用化もなされている。

【０００５】一般に、ｐ−Ｓｉ・ＴＦＴは非晶質シリコ
ン（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ：以下、「ａ
−Ｓｉ」という。）・ＴＦＴよりもキャリア移動度が大
きく、また、ソース・ドレイン領域をゲート電極と自己
整合的に形成することで、微細化やゲート・ドレイン間
の寄生容量の縮小化を図れるため、高速ドライバ回路の
形成が可能である。そのため、画素とドライバ回路を一
体形成することができ、ＬＣＤの低コスト化及び高精細
化を同時に実現することができる。

【０００６】一方、現在市場に普及しているアクティブ
マトリックス型ＬＣＤにおいて用いられている表示方式
には、２つの方式がある。１つは、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅ
ｄＮｅｍａｔｉｃ）方式のＮＷ（Ｎｏｒｍａｌｌｙ Ｗ
ｈｉｔｅ）モードである。

【０００７】この方式は、液晶組成層を狭持する２枚の
基板の各々に形成された電極（一方の電極は透明電極）
間で発生させる基板面に垂直な電界により液晶を動作さ
せ、電極を透過し液晶に入射した光を変調して表示する
方式である。ＮＷモードでは、電圧無印加又はしきい値
電圧以下の電圧においては白表示であり、それより高い
電圧を印加していくと徐々に光透過率が低下して黒表示
となる。かかる表示特性は、ＬＣＤに電圧を印加するこ
とで液晶分子が捻れ構造を解消しながら電界の向きに配
列しようとする性質を利用したものである。したがっ
て、当該液晶分子の配列状態の変化に応じてＬＣＤを透
過してくる光の偏向状態が変わり、光の透過率が変調さ
れる。

【０００８】しかし、同じ分子配列状態でも、ＬＣＤに
入射してくる光の入射方向によって透過光の偏向状態は
変化するので、入射方向によって光の透過率は異なって
くる。すなわち、ＬＣＤの特性は強い視角依存性を有し
ていることになる。

【０００９】かかる視覚特性を有するため、主視角方向
（液晶の中間層における液晶分子の長軸方向）に対して
視点を斜めに傾けると、視点によっては輝度の逆転現象
を引き起こす。すなわち、当該表示方式においては、所
定の電圧時における表示輝度が、それより低い電圧時の
表示輝度より明るくなるという現象が生ずる場合があ
り、特に黒表示のため高電圧を印加したときにかかる輝
度逆転現象が生じることは、ＬＣＤの画質を著しく損な
うことから、画質を保持する上で重要な課題となってい
る。

【００１０】かかる課題を解決するために、ＴＮ型液晶
表示方式のように基板垂直方向に電界を印加するのでは
なく、同一基板上に形成した２つの電極間で発生させる
基板面にほぼ平行な電界により液晶を動作させ、２つの
電極の隙間から液晶に入射した光を変調して表示する方
式（横電界方式又はＩｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉ
ｎｇ：以下、「ＩＰＳ」という。）が案出されており、
横電界方式は視野角が著しく広いという特徴を有してい
る。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】このように、ＴＮ型液
晶表示方式のように基板垂直方向に電界を印加するので
はなく、液晶に印加する方向を基板に対してほぼ平行な
方向とする横電界方式とすることによって、視野角特性
を向上することが可能である。しかしながら、図１に示
すように、画素領域に非透光性材料の画素電極と対向電
極及び対向電極配線を形成する構造となるため、開口率
（１画素に対する有効表示面積の占める割合）が従来の
ＴＮ型液晶表示方式と比べて小さくなることが避けられ
ない。したがって、明るい画像を得ることが困難であ
り、表示画質を高める上での大きな問題点となってい
る。

【００１２】かかる問題点を解消すべく、実際には配線
自体を細くすることで開口率を上げたり、バックライト
の輝度を高くする等の方法を用いて対処している。しか
しながら、配線を細くすると、配線抵抗を低くするため
に対向電極の膜厚を厚くする必要が生じ、対向電極と同
時に形成しているゲート電極又はソース・ドレイン電極
等の側壁でのエッチング残りや、ステップカバレッジの
不良等が発生するおそれが高くなる。また、バックライ
トの輝度を高くすると、消費電力が大幅に大きくなると
いう新たな問題点も生じてくる。

【００１３】本発明は、上記問題点を解消すべく、画質
を損なうことなく、かつ消費電力を抑えながら横電解方
式を実現することができる液晶表示装置を提供すること
を目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明にかかる液晶表示装置は、液晶分子が捻れ回転
可能な液晶組成物層と、液晶組成物層を挟持する第１の
基板及び第２の基板と、第１の基板面と液晶組成物層の
面との間にマトリックス状に形成される複数の画素と、
画素ごとに形成されている薄膜トランジスタとを含み、
画素ごとに映像信号が印加される画素電極と対向電圧が
印加される対向電極とが備えられ、画素電極と対向電極
の間に発生する第１の基板面と平行な成分を含む電界に
よって液晶分子の捻れ量を制御する液晶表示装置であっ
て、対向電極が薄膜トランジスタのソース・ドレイン領
域を含む半導体層と同一の透光性材料で形成されている
ことを特徴とする。

【００１５】かかる構成により、従来は非透光性材料で
形成していた対向電極を透光性材料で形成できるため、
画素領域が非透光性材料によって遮蔽される割合が減
り、開口率を全く低下させることなく横電界方式を採用
することが可能となる。また、従来は、各画素へ対向電
圧を十分に供給するため等の理由で対向電極の抵抗を低
抵抗化しなければならなかったが、この場合に線幅を太
くする方法で対処したのでは開口率が下がるため、膜厚
を厚くする方法で対処するしかなく、ゲート電極やソー
ス・ドレイン電極側壁でのエッチング残りや、ステップ
カバレッジの不良等が発生していた。しかし、本発明で
は線幅を太くすることも可能であり、歩留まりが大幅に
向上する。また、対向電極（透光性材料）は、薄膜トラ
ンジスタのソース・ドレイン領域を含む半導体層と同時
に形成できるため、従来の透過型の透明電極（ＩＴＯ
等）を使う必要がなく、透光性材料にしたことによって
工程数が増加することもない。

【００１６】また、本発明にかかる液晶表示装置は、ソ
ース・ドレイン領域を含む半導体層には、イオンドーピ
ング法により不純物イオンが注入されていることが好ま
しい。ソース・ドレイン領域を含む半導体層と同時に形
成する対向電極の抵抗値を、イオンドーピング時の不純
物イオンの注入量や加速電圧等で所望の値に設定するこ
とができるからである。

【００１７】次に、上記目的を達成するために本発明に
かかる液晶表示装置は、液晶分子が捻れ回転可能な液晶
組成物層と、液晶組成物層を挟持する第１の基板及び第
２の基板と、第１の基板面と液晶組成物層の面との間に
マトリックス状に形成される複数の画素と、画素ごとに
形成されている薄膜トランジスタとを含み、画素ごとに
映像信号が印加される画素電極と対向電圧が印加される
対向電極とが備えられ、画素電極と対向電極の間に発生
する前記第１の基板面と平行な成分を含む電界によって
液晶分子の捻れ量を制御する液晶表示装置であって、対
向電極が薄膜トランジスタのゲート電極と同一の透光性
材料で形成されていることを特徴とする。

【００１８】かかる構成により、対向電極が薄膜トラン
ジスタのソース・ドレイン領域を含む半導体層と同一の
透光性材料で形成される場合と同様に、画素領域が非透
光性材料で遮蔽される割合が減り、開口率を全く低下さ
せることなく横電界方式を実現できる。また、線幅を太
くすることで対向電極の配線抵抗を下げることが可能に
なるので、ゲート電極やソース・ドレイン電極側壁での
エッチング残りや、ステップカバレッジの不良等が抑制
でき、歩留まりが大幅に向上することも期待できる。さ
らに、対向電極は透光性材料である薄膜トランジスタの
ゲート電極と同時に形成できるため、従来の透過型の透
明電極（ＩＴＯ等）を使う必要がなく、透光性材料にし
たことによって工程数が増加することもない。

【００１９】また、本発明にかかる液晶表示装置は、ゲ
ート電極には、イオンドーピング法により不純物イオン
が注入されていることが好ましい。ゲート電極と同時に
形成する対向電極の抵抗値を、イオンドーピング時の不
純物イオンの注入量や加速電圧等で所望の値に設定する
ことができるからである。

【００２０】また、本発明にかかる液晶表示装置は、同
一の透光性材料が多結晶シリコン薄膜であることが好ま
しい。薄膜トランジスタのキャリア移動度が飛躍的に向
上し、高性能な液晶表示装置を得ることができるからで
ある。

【００２１】また、本発明にかかる液晶表示装置は、画
素電極と対向電極の間に、少なくとも１つの絶縁膜を介
して蓄積容量が形成されていることが好ましい。画素電
極と対向電極の重畳領域を利用して、容易に蓄積容量を
形成することができるからである。

【００２２】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明の
実施の形態１にかかる液晶表示装置について、図面を参
照しながら説明する。図１は本発明にかかるスイッチン
グ素子であるＴＦＴを含むアクティブマトリックス型Ｌ
ＣＤの一画素とその周辺を示す平面構造図である。ま
た、図２はＡ−Ａ’切断線における画素の断面構造図で
あり、図３はＢ−Ｂ’切断線におけるＴＦＴの断面構造
図であり、図４はＣ−Ｃ’切断線における蓄積容量部の
断面構造図である。

【００２３】図１から図４において、１０１は歪み点５
９０℃のコーニング社製＃７０５９ガラス基板（厚さ
１．１ｍｍ）であって、上記ガラス基板１０１上にはＳ
ｉＯ₂からなる下地絶縁膜層１０２が堆積されている。

【００２４】上記下地絶縁膜１０２上には、透光性材料
である膜厚５０ｎｍのｐ−Ｓｉ薄膜からなる半導体層１
０３と櫛形状をした対向電極１０４ａ及び対向電圧信号
線１０４ｂが所定の形状にパターニングされている。こ
のｐ−Ｓｉ半導体層１０３と対向電極１０４ａ及び対向
電圧信号線１０４ｂはレーザ結晶化により形成される。

【００２５】また、ｐ−Ｓｉ半導体層１０３には、チャ
ネル領域１０３ａを挟んでその両側にソース領域１０３
ｂ及びドレイン領域１０３ｃが形成されている。このｐ
−Ｓｉ１０３と対向電極１０４ａ及び対向電圧信号線１
０４ｂ中には、イオンド−ピング法により注入されたリ
ン、ボロンなどの不純物イオンが含まれており、対向電
極１０４ａ及び対向電圧信号線１０４ｂの抵抗を所望の
値に設定したい場合、イオンドーピング時の不純物イオ
ンの注入量や加速電圧等で制御することが可能になって
いる。

【００２６】上記ｐ−Ｓｉ１０３と対向電極１０４ａ及
び対向電圧信号線１０４ｂ上には、膜厚１００ｎｍのＳ
ｉＯ₂からなる絶縁膜（ゲ−ト絶縁膜）１０５が堆積さ
れ、さらにその上には、膜厚３００ｎｍのＡｌからなる
ゲ−ト電極１０６ａ及び走査信号線１０６ｂが所定の形
状にパタ−ニングされている。

【００２７】上記ゲ−ト電極１０６ａ及び走査信号線１
０６ｂ上には、膜厚４００ｎｍのＳｉＯ₂からなる層間
絶縁膜１０７が堆積され、この層間絶縁膜１０７で前記
ゲ−ト電極１０６ａ及び走査信号線１０６ｂを覆ってい
る。

【００２８】ゲ−ト絶縁膜１０５及び層間絶縁膜１０７
には、コンタクトホ−ル１０８がｐ−Ｓｉ１０３のソ−
ス領域１０３ｂ及びドレイン領域１０３ｃに達するよう
にそれぞれ形成されている。層間絶縁膜１０７上には、
膜厚１００ｎｍ及び７００ｎｍのＴｉ膜及びＡｌ膜が所
定の形状にパタ−ニングされ、このＴｉ膜及びＡｌ膜で
上記コンタクトホ−ル１０８を埋めることにより、ソ−
ス領域１０３ｂ及びドレイン領域１０３ｃとコンタクト
を取るためのソ−ス電極１０９ａ、ドレイン電極１０９
ｂが形成され、さらに同一材料で映像信号線１０９ｄ及
び櫛形状をした画素電極１１０が形成されている。

【００２９】画素電極１１０は、同じく櫛形状をした対
向電極１０４ａと咬合して設けられており、画素電極１
１０と対向電極１０４ａの間に発生される基板面と平行
な成分を含む電界によって液晶分子の捻れ量が制御され
ている。

【００３０】また、対向電極１０４ａと画素電極１１０
の重畳部分を利用して、蓄積容量１１１が形成されてい
る。電界を基板面と平行に印加する横電界方式では、電
界を基板面に垂直に印加する方式と異なり、画素電極と
対向電極で形成される液晶容量がほとんどないため、こ
の蓄積容量１１１は必須の構成要素である。ソ−ス電極
１０９ａ、ドレイン電極１０９ｂ、映像信号線１０９ｄ
及び画素電極１１０上には、ＳｉＮｘからなるパッシベ
イション保護膜が形成されている。上述の構成により一
画素が構成されている。

【００３１】次に、図５は上述の画素をマトリックス状
に配置したアクティブマトリックス型ＬＣＤの例示図で
ある。図５に示すように、アクティブマトリックス型Ｌ
ＣＤにおいては、一対のガラス基板１０１、４０１を互
いに対向配置させ、その隙間に液晶組成物層４０２を封
入した構成になっている。一対のガラス基板１０１、４
０１のそれぞれの内側（液晶組成層４０２側）には、液
晶の初期配向を制御する配向膜４０３ａ、４０３ｂが設
けられており、一対のガラス基板１０１、４０１のそれ
ぞれの外側の表面には、偏向軸が直交して配置された偏
向板４０４ａ、４０４ｂが設けられている。

【００３２】ＴＦＴアレイ基板となるガラス基板１０１
上には、マトリックス状に配置された走査信号線１０６
ｂや、映像信号線１０９ｂや、対向電極１０４ａに電圧
を印加するための対向電圧信号線１０４ｂ及び走査信号
線１０６ｂと映像信号線１０９ｂの交点に配置されたＴ
ＦＴ４０５と、周辺駆動回路である走査線駆動回路４０
６及び信号線駆動回路４０７が形成されている。

【００３３】ＴＦＴ４０５は、画素電極１１０を接続し
て、画素信号を画素電極１１０に書き込むためのスイッ
チング素子の働きをしている。また、周辺駆動回路であ
る走査線駆動回路４０６及び信号線駆動回路４０７は、
ＴＦＴを組み合わせることで形成したＣＭＯＳインバー
タ等で構成され、ドライバ回路として同一基板上に内蔵
されている。

【００３４】一方、カラーフィルタ基板となるガラス基
板４０１上には、液晶組成物層４０２側にカラーフィル
タ４０８及び遮光膜（ブラックマトリックス）パターン
４０９が形成されている。カラーフィルタ４０８は各画
素電極１０８ｄに対応した赤（Ｒ）と、緑（Ｇ）及び青
（Ｂ）のセグメントに分割されている。上記構成のアク
ティブマトリックス型ＬＣＤを２枚の偏光板４０４ａ、
４０４ｂで挟み、光を入射させると所望の画像表示が得
られる。

【００３５】以上のような本実施の形態１によれば、従
来は非透光性材料で形成していた対向電極を透光性材料
で形成しているため、画素領域が非透光性材料で遮蔽さ
れる割合が大幅に減少する。従って、同一基板上に形成
した２つの電極間で発生させる基板面にほぼ平行な電界
により液晶を動作させる横電界方式を、開口率を全く低
下させることなく実現できる。

【００３６】また、対向電極の抵抗を低抵抗化しなけれ
ばならない場合でも、対向電極が透光性材料で形成され
ているので、線幅を太くする方法で低抵抗化することが
可能であり、膜厚を厚くすることで低抵抗化することに
より発生していたゲート電極やソース・ドレイン電極側
壁でのエッチング残りや、ステップカバレッジ不良等を
抑制することができ、歩留まりが大幅に向上する。

【００３７】また、対向電極は透光性材料である薄膜ト
ランジスタのソース・ドレイン領域を含む半導体層と同
時に形成できるため、透光性材料にしたことによる工程
数の増加も全くない。

【００３８】また、従来に比べて開口率が低下すること
はないので、バックライトの輝度を高くする必要もな
く、消費電力も従来のＴＮ型液晶表示方式並に抑えるこ
とができる。

【００３９】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２にかかる液晶表示装置について、図面を参照しなが
ら説明する。図６は、本発明にかかるスイッチング素子
であるＴＦＴを含むアクティブマトリックス型ＬＣＤの
一画素とその周辺を示す断面構造図である。本実施の形
態２で示されるＴＦＴの構造は、上記実施の形態１で示
されるＴＦＴの構造とほぼ同一であるが、対向電極及び
対向電圧信号線の形成工程が異なる。

【００４０】図６において、１１４ａは対向電極であ
り、例えば透光性材料である膜厚３００ｎｍのｐ−Ｓｉ
からなるゲ−ト電極１１３を所定の形状にパタ−ニング
するときに同時に作り込んでいる。

【００４１】また、図中には示されていないが、対向電
圧信号線及び走査信号線についても、対向電極１１４ａ
及びゲート電極１１３ａと同時に作り込んでいる。この
ゲ−ト電極１１３ａと走査信号線及び対向電極１１４ａ
と対向電圧信号線中には、イオンド−ピング法により注
入されたリン、ボロンなどの不純物イオンが含まれてお
り、ゲ−ト電極１１３ａと走査信号線及び対向電極１１
４ａと対向電圧信号線の抵抗を、イオンドーピング時の
不純物イオンの注入量や加速電圧等で制御することによ
って所望の値に設定することができる。

【００４２】本実施の形態２によれば、実施の形態１と
同様に、従来は非透光性材料で形成していた対向電極を
透光性材料で形成できるため、画素領域が非透光性材料
で遮蔽される割合が大幅に減少する。従って、同一基板
上に形成した２つの電極間で発生させる基板面にほぼ平
行な電界により液晶を動作させる横電界方式を、開口率
を全く低下させることなく実現できる。

【００４３】また、実施の形態１と同様に、対向電極の
抵抗を低抵抗化しなければならない場合でも、線幅を太
くする方法で低抵抗化することが可能であり、ゲート電
極やソース・ドレイン電極側壁でのエッチング残りや、
ステップカバレッジ不良等が抑制でき、歩留まりが大幅
に向上する。

【００４４】また、対向電極は透光性材料である薄膜ト
ランジスタのゲート電極と同時に形成できるため、透光
性材料にしたことによる工程数の増加も全くない。

【００４５】なお、本実施の形態においては、例えばア
クティブ素子にｐ−Ｓｉ・ＴＦＴを用いているが、特に
これに限定されるものではなく、ａ−Ｓｉ・ＴＦＴやＳ
ｉウェハー上のＭＯＳ型ＴＦＴ、又はＭＩＭダイオード
等にも適用可能である。

【００４６】

【発明の効果】以上のように本発明にかかる液晶表示装
置によれば、従来は非透光性材料で形成していた対向電
極を透光性材料で形成できるため、画素領域が非透光性
材料で遮蔽される割合が大幅に減少し、同一基板上に形
成した２つの電極間で発生させる基板面にほぼ平行な電
界により液晶を動作させる横電界方式を、開口率を全く
低下させることなく実現できる。

【００４７】また、対向電極の抵抗を低抵抗化しなけれ
ばならない場合でも、線幅を太くする方法で低抵抗化す
ることが可能であり、膜厚を厚くすることで低抵抗化す
ることにより発生していたゲート電極やソース・ドレイ
ン電極側壁でのエッチング残りや、ステップカバレッジ
不良等が抑制でき、歩留まりが大幅に向上する。

【００４８】また、対向電極を透光性材料である薄膜ト
ランジスタのソース・ドレイン領域を含む半導体層また
はゲート電極と同時に形成できたため、従来の透過型の
透明電極（ＩＴＯ等）を使う必要がなくなり、透光性材
料にしたことによる工程数の増加を避けることができ
る。

【００４９】また、従来に比べて開口率が低下すること
がないので、バックライトの輝度を高くする必要もな
く、消費電力も従来のＴＮ型液晶表示方式並に抑えるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１にかかる液晶表示装置
におけるアクティブマトリックス型ＬＣＤの一画素とそ
の周辺を示す平面構造図

【図２】 本発明の実施の形態１にかかる液晶表示装置
における画素の断面構造図（Ａ−Ａ’切断線）

【図３】 本発明の実施の形態１にかかる液晶表示装置
におけるＴＦＴの断面構造図（Ｂ−Ｂ’切断線）

【図４】 本発明の実施の形態１にかかる液晶表示装置
における蓄積容量部の断面構造図（Ｃ−Ｃ’切断線）

【図５】 本発明の実施の形態１にかかる液晶表示装置
の例示図

【図６】 本発明の実施の形態２にかかる液晶表示装置
におけるＴＦＴの断面構造図

【符号の説明】

１０１ ガラス基板（ＴＦＴアレイ基板） １０３ 半導体層（ｐ−Ｓｉ） １０３ａ 半導体層（チャネル領域） １０３ｂ 半導体層（ソース領域） １０３ｃ 半導体層（ドレイン領域） １０４ａ 対向電極（ｐ−Ｓｉ） １０４ｂ 対向電圧信号線（ｐ−Ｓｉ） １１０ 画素電極 １１１ 蓄積容量 １１３ａ ゲ−ト電極（ｐ−Ｓｉ） １１４ａ 対向電極（ｐ−Ｓｉ） ４０１ ガラス基板（カラーフィルタ基板） ４０２ 液晶組成物層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大友 哲哉 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H092 GA14 HA03 JA26 JA46 JB16 JB65 KA04 KA10 MA30 NA07 NA26 QA06

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶分子が捻れ回転可能な液晶組成物層
   と、 前記液晶組成物層を挟持する第１の基板及び第２の基板
   と、 前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間にマト
   リックス状に形成される複数の画素と、 前記画素ごとに形成されている薄膜トランジスタとを含
   み、 前記画素ごとに映像信号が印加される画素電極と対向電
   圧が印加される対向電極とが備えられ、前記画素電極と
   前記対向電極の間に発生する前記第１の基板面と平行な
   成分を含む電界によって液晶分子の捻れ量を制御する液
   晶表示装置であって、 前記対向電極が前記薄膜トランジスタのソース・ドレイ
   ン領域を含む半導体層と同一の透光性材料で形成されて
   いることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記ソース・ドレイン領域を含む半導体
   層には、イオンドーピング法により不純物イオンが注入
   されている請求項１記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 液晶分子が捻れ回転可能な液晶組成物層
   と、 前記液晶組成物層を挟持する第１の基板及び第２の基板
   と、 前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間にマト
   リックス状に形成される複数の画素と、 前記画素ごとに形成されている薄膜トランジスタとを含
   み、 前記画素ごとに映像信号が印加される画素電極と対向電
   圧が印加される対向電極とが備えられ、前記画素電極と
   前記対向電極の間に発生する前記第１の基板面と平行な
   成分を含む電界によって液晶分子の捻れ量を制御する液
   晶表示装置であって、 前記対向電極が前記薄膜トランジスタのゲート電極と同
   一の透光性材料で形成されていることを特徴とする液晶
   表示装置。
4. 【請求項４】 前記ゲート電極には、イオンドーピング
   法により不純物イオンが注入されている請求項３記載の
   液晶表示装置。
5. 【請求項５】 前記同一の透光性材料が多結晶シリコン
   薄膜である請求項１から４のいずれか一項に記載の液晶
   表示装置。
6. 【請求項６】 前記画素電極と前記対向電極の間に、少
   なくとも１つの絶縁膜を介して蓄積容量が形成されてい
   る請求項１から５のいずれか一項に記載の液晶表示装
   置。