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JP2001196644A - 光半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

光半導体装置及びその製造方法

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Publication number
JP2001196644A
JP2001196644A JP2000006021A JP2000006021A JP2001196644A JP 2001196644 A JP2001196644 A JP 2001196644A JP 2000006021 A JP2000006021 A JP 2000006021A JP 2000006021 A JP2000006021 A JP 2000006021A JP 2001196644 A JP2001196644 A JP 2001196644A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical semiconductor
semiconductor device
resin
package
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000006021A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Tamemoto
広昭 為本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2000006021A priority Critical patent/JP2001196644A/ja
Publication of JP2001196644A publication Critical patent/JP2001196644A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光半導体装置に係り、特に信頼性が高く、光
学特性に優れた凸形状の透光性封止部を有する光半導体
装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 パッケージ凹部内に配された光半導体素
子３と、該光半導体素子３を外部と電気的に接続させる
リード電極２と、前記光半導体素子を封止する透光性樹
脂６と、前記パッケージの発光観測面側表面の少なくと
も一部に設けられた前記透光性樹脂の濡れ性を低減させ
るコート層５とを有する光半導体装置であって、前記透
光性樹脂６は、光半導体素子上に設けられた凸レンズ形
状部６１と、前記コート層５と接しコート層に沿って濡
れ広がった周縁部６２からなる光半導体装置。また、そ
の製造方法は前記パッケージの発光観測面側表面の少な
くとも一部にコート層５を形成する工程と、前記コート
層５にプラズマ照射または紫外線照射による表面処理を
行う工程と、前記パッケージ凹部内に透光性樹脂を注入
して、凸レンズ形状部６１およびコート層に沿って濡れ
広がった周縁部６２を形成させた後、硬化させる工程と
を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パッケージ内に配
置した光半導体素子を樹脂で封止してなる光半導体装置
に係り、特に、高性能で信頼性の高い光半導体装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】今日、低消費電力で高輝度に発光し、小
型、且つ軽量な発光素子や受光素子として、種々の分野
で光半導体素子を利用した光半導体装置が利用されてい
る。このような光半導体装置の一例として、表面実装型
ＬＥＤについて説明する。表面実装型ＬＥＤでは、発光
素子を配置するための凹部を有する液晶ポリマー等から
なるパッケージが用いられる。そのパッケージには発光
素子の電極と接続するためのリード電極が設けられてお
り、リード電極はパッケージ凹部の底面で露出され、パ
ッケージ内に配置された発光素子の電極と金線によるワ
イヤボンディングや銀ペーストなどの電気的接合部材を
用いて電気的に接続されている。また、発光素子、リー
ド電極や金線などを外部から保護する目的で、パッケー
ジ凹部内に配置された発光素子は透光性樹脂により封止
されている。
【０００３】光半導体素子を配置したパッケージ凹部を
透光性樹脂で封止する際において、凹部内に注入した透
光性樹脂が硬化時に収縮して表面が凹状にへこんだ形状
となり発光輝度が低下するという問題を解決するため、
該透光性樹脂をはじくコート層をパッケージ上面に設け
ることにより、透光性樹脂注入時に熱硬化時の収縮分を
見込んで余分に透光性樹脂を注入しても、透光性樹脂が
パッケージ外部に流出するのを防止する方法が考えられ
る。
【０００４】また、前記パッケージ凹部の側面を発光観
測面側に向かって開口するように傾斜した光反射面と
し、更に透光性樹脂の外表面を凸形状に形成することに
より、透光性樹脂表面は凸レンズ効果を発現して、光の
集光性を高め、すなわち発光素子では光取り出し効率の
向上、受光素子では受光効率の向上を実現できることは
公知である。
【０００５】従って、上記両者の技術を組み合わせれ
ば、透光性樹脂を凹部容積以上に供給することにより、
キャスティングケース（型）等を使用せずに表面が凸レ
ンズ形状の透光性樹脂を有する光学特性の優れた光半導
体装置を簡単に作製することが出来る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記両
者の技術を組み合わせて作製された光半導体装置には次
のような問題がある。図４に作製された光半導体装置
（表面実装型ＬＥＤ）の断面図を示す。このように、コ
ート層内周は凹部開口部外周と略同一であり、透光性樹
脂はコート層内周端面にもはじかれているため、透光性
樹脂が硬化収縮すると、透光性樹脂とコート層内周端面
との間に切り欠き溝状部ができる。図５はこの切り欠き
溝状部、すなわち図４中Ｂ部を拡大して示した図であ
る。この切り欠き溝状部１０７の底部には透光性樹脂１
０６とパッケージ１０１の接触部がある。すると、透光
性樹脂１０６に熱応力が加わった場合、該切り欠き溝状
部底部は応力が集中し易い形状になっており、この切り
欠き溝状部底部を起点に透光性樹脂が割れる、或いは透
光性樹脂１０６とパッケージ凹部側面が剥離するという
信頼性の問題があった。
【０００７】従って、本願発明はこれら問題点を解決す
るために成されたものであり、その目的は、信頼性が高
く、光学特性に優れた凸形状の透光性封止部を有する光
半導体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明に係る
光半導体装置は、パッケージ凹部内に配された光半導体
素子３と、該光半導体素子３を外部と電気的に接続させ
るリード電極２と、前記光半導体素子を封止する透光性
樹脂６と、前記パッケージの発光観測面側表面の少なく
とも一部に設けられた前記透光性樹脂の濡れ性を低減さ
せるコート層５とを有する光半導体装置であって、前記
透光性樹脂６は、光半導体素子上に設けられた凸レンズ
形状部６１と、前記コート層５と接しコート層に沿って
濡れ広がった周縁部６２からなる。このように構成する
ことにより、本発明に係る光半導体装置は、パッケージ
凹部に透光性樹脂を充填する際に、透光性樹脂はパッケ
ージ上面に設けられたコート層によって濡れ性が低減し
広がりを規制されるため、透光性樹脂の表面張力により
外表面を凸形状にできる。さらに、このコート層は透光
性樹脂の濡れ性を低減させるが、完全に弾くわけではな
いので、透光性樹脂はコート層と接しコート層に沿って
濡れ広がった周縁部を形成した状態で硬化させることが
できる。すなわち、本発明に係る光半導体装置では、封
止樹脂の外表面を凸形状とすることで、集光レンズ作用
が付与され、且つ封止樹脂の表面を凸形状とするのに型
を使わないため優れた生産性を有する。さらに透光性樹
脂が濡れ広がった周縁部を有するため、問題となってい
た切り欠き部の発生を防止することができ、熱応力によ
る切り欠き部を起点とした封止樹脂の割れおよび剥離の
ない高信頼性な光半導体装置が得られる。
【０００９】また、本発明に係る光半導体装置では、前
記周縁部６２とコート層５の接触角θが４５°以下であ
ることが好ましい。このような接触角θが４５°以下の
濡れ広がった周縁部を形成することで、確実に前記切り
欠き部の発生を防止することができる。
【００１０】また、本発明に係る光半導体装置では、前
記コート層の膜厚を５０〜１０００ｎｍにすることで、
容易にコート層の透光性樹脂に対する濡れ低減作用を制
御することができ、信頼性の高い光半導体装置を得るこ
とができる。
【００１１】また、本発明に係る光半導体装置では、前
記コート層を、フッ素系樹脂またはシリコーン系樹脂を
用いて形成することができる。
【００１２】また、本発明に係る光半導体装置は、前記
パッケージ凹部の側面が発光観測面側に向かって広がる
ように傾斜され、且つ光反射性を有した面であることが
好ましい。このようにすると、発光装置では発光素子か
らの光を効率よく集光して外部に放出し、受光装置では
外部からの光を効率よく集光して受光素子に供給するよ
う働くので、更に光学特性を向上させることができる。
【００１３】また、本発明に係る光半導体装置は、前記
発光素子がフリップチップ実装されていることが好まし
い。このようにすると、凹部にワイヤーを張るためのス
ペースが不要となり、小型かつ薄型で、高性能かつ高信
頼性の光半導体素子が得られる。また、ワイヤーがない
分封止樹脂を充填する際封止樹脂を供給、吐出するノズ
ルを凹部底深くまで下げて、封止樹脂を充填することが
出来、充填時吐出圧で封止樹脂がパッケージ凹部外に勢
いよく過剰にあふれ出る現象も発生しにくくなる。
【００１４】また、本発明に係る光半導体装置では、前
記透光性樹脂を、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性
アクリル樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂からなる群よ
り選択される１つを用いて形成することができる。
【００１５】また、本発明に係る光半導体装置では、前
記パッケージを、液晶ポリマー樹脂、ＰＢＴ（ポリブチ
レンテレフタレート）樹脂、セラミックス及びガラス−
エポキシ積層板からなる群より選択される１つを用いて
形成することができる。
【００１６】本発明に係る光半導体装置の製造方法は、
パッケージ凹部内に配された光半導体素子３と、該光半
導体素子３を外部と電気的に接続させるリード電極２
と、前記光半導体素子を封止する透光性樹脂６と、前記
パッケージの発光観測面側表面の少なくとも一部に設け
られた前記透光性樹脂の濡れ性を低減させるコート層５
とを有する光半導体装置を製造する方法であって、前記
パッケージの発光観測面側表面の少なくとも一部にコー
ト層５を形成する工程と、前記コート層５にプラズマ照
射または紫外線照射による表面処理を行う工程と、前記
パッケージ凹部内に透光性樹脂を注入して、凸レンズ形
状部６１およびコート層５に沿って濡れ広がった周縁部
６２を形成させた後、硬化させる工程とを具備するもの
である。コート層に前記表面処理を行うことにより、容
易にコート層の透光性樹脂に対する濡れ低減作用を制御
することができ、信頼性の高い光半導体装置を製造する
ことができる。
【００１７】また、本発明に係る光半導体装置の製造方
法は、前記周縁部６２と前記コート層５の接触角θが４
５度以下となるように前記表面処理を行うことが好まし
い。
【００１８】また、本発明に係る光半導体装置の製造方
法は、前記コート層をフッ素系樹脂またはシリコーン系
樹脂からなる材料で形成することが好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る実施の形態の光半導体装置（表面実装型ＬＥＤ）につ
いて説明する。本実施の形態の光半導体装置は、図１及
び図２に示すように、リード電極が施されたパッケージ
の発光部を除く発光観測面側上面には、透光性樹脂６の
濡れ性を低減させるコート層が形成されている。このコ
ート層の作用により、パッケージ凹部に充填された透光
性樹脂６は、凸レンズ形状部６１と、前記コート層５と
接しコート層に沿って濡れ広がった周縁部６２を形成し
た状態で硬化させることができる。これによって、本実
施の形態の光半導体装置は、光学特性、および信頼性の
向上を実現できる。
【００２０】以下、図１、図２を用いて本実施の形態の
光半導体装置（表面実装型ＬＥＤ）について詳細に説明
する。尚、図１は本実施の形態の表面実装型ＬＥＤの断
面図であり、図２は図１中Ａ部を拡大して示した図であ
る。
【００２１】（パッケージ１）パッケージ１は、発光素
子３を凹部内に固定保護するとともに外部との電気的接
続が可能なリード電極２を有するものである。したがっ
て、光半導体素子の数や大きさに合わせて複数の開口部
を持ったパッケージとすることもできる。パッケージ１
は発光素子３と外部とを電気的に遮断させるために絶縁
性を有することが望まれる。さらに、パッケージ１は、
発光素子３などからの熱の影響をうけた場合、透光性樹
脂６との密着性を考慮して熱膨張率の小さいものが好ま
しい。パッケージの材料として具体的には、液晶ポリマ
ー樹脂、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）樹脂、
セラミックス、ガラス−エポキシ積層板等の絶縁性部材
が好ましく用いられる。
【００２２】また、パッケージ凹部の側面は、発光観測
面側に向かって広がるように傾斜させた。このようにし
て形成された凹部の側面は、発光素子３からの光を効率
よく集光して外部に放出し、或いは外部からの光を効率
よく集光して受光素子に供給するよう働く。さらに、パ
ッケージ表面、特にパッケージ凹部の表面を白色或いは
銀白色に着色することにより、光の反射率を向上させる
ことが好ましい。また、パッケージ１にはリード電極２
が一体的に係止され、リード電極２はパッケージ凹部内
の少なくとも一部に露出するように形成される。リード
電極２は銅、リン青銅等の延性に優れた電気良導体金属
板を用いて構成することができる。また、光の反射率を
向上させるために、リード電極の表面に銀、銀−パラジ
ウム、金等の光反射率の高いメッキ処理を施すことが好
ましい。このように、パッケージ凹部の側面を発光観測
面側に向かって広がるように傾斜させ、且つリード電極
２の表面にメッキ処理を施したり、パッケージ１を着色
することで、更に効果的に光半導体装置の光学特性を向
上させることができる。
【００２３】（光半導体素子３）光半導体素子３として
は発光素子、受光素子のみならず種々の半導体素子を用
いることができ、液相成長法やＭＯＣＶＤ法等により基
板上にＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、Ｓ
ｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｌＮ、
ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導
体を発光層として形成させたものが好適に用いられる。
半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ
接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテ
ロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶
度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択す
ることができる。さらに、量子効果を持たせるため発光
層を単一量子井戸構造、多重量子井戸構造とさせても良
い。こうしてできた半導体に真空蒸着法や熱、光、放電
エネルギーなどを利用した各種ＣＶＤ法などを用いて所
望の電極が形成される。発光素子の電極は、半導体の一
方の側に設けてもよいし、両面側にそれぞれ設けてもよ
いが、本発明の実施の形態においては、図に示すように
光半導体素子は一方の面に正電極４１と負電極４２が形
成されており、それぞれの電極はパッケージ１に一体的
に係止されたリード電極２に対向させた、いわゆるフリ
ップチップ実装形態にて搭載され、半田等の導電性部材
を用いて接続されるとともに、パッケージに固定されて
いる。
【００２４】（コート層５）コート層５は、凸形状の外
表面を有する透光性樹脂６を容易に形成するために、パ
ッケージ１の上面に設けられる。コート層５は、透光性
封止樹脂の濡れ性を低減させる作用を有するものでなけ
ればならない。
【００２５】液体が固体に濡れていく濡れ性は、液体に
相接する３つの相（液層、気相、固相）の表面もしくは
界面張力が関係しており、その平衡状態は次の式で表す
ことができる。 γSV＝γSL＋γLVCOSθ ここで、γSV、γSL、γLVはそれぞれ気体−固体、固体
−液体、液体−気体界面における表面もしくは界面張力
である。接触角θは、図３に示すように、液体の表面と
固体表面との交点Ｐにおいて液体の接線と固体表面との
なす角である。この接触角θによって、濡れ性を定義す
ることができる。すなわち、接触角θが小さいほど濡れ
性が良く、θ＝０°では固体が液体と一体となるが如く
完全に濡れ、θが０°〜９０°では部分的に濡れ、θが
９０°よりも大きい場合は濡れにくいという。
【００２６】本発明において、透光性樹脂の濡れ性を低
減させる作用とは、透光性樹脂６を完全にはじくもので
なく、透光性樹脂６がコート層５に沿って濡れ広がった
周縁部６２を形成可能な程度に濡れ性を低減させるもの
である。この周縁部６２は、透光性樹脂とコート層の接
触角θが４５°以下となるように調整することで、確実
に形成することができる。
【００２７】本発明の実施の形態（図１、図２）では、
透光性樹脂との接触角θが１５°であるコート層が形成
されている。このコート層の作用と透光性樹脂の表面張
力により、パッケージ凹部に充填された透光性樹脂６
は、凸レンズ形状部６１と、前記コート層５と接しコー
ト層に沿って濡れ広がった周縁部６２を形成した状態で
硬化させることができる。図２において、凸レンズ形状
部６１と周縁部６２のなす角度をθ２、周縁部６２とコ
ート層のなす角度をθ１で表した時、コート層と透光性
樹脂の接触角θが４５°以下では、θ２＜θ１となり目
的とする周縁部が形成され、切り欠き溝状部の発生を確
実に防止できる。しかし、接触角θが４５°より大きい
場合は、透光性樹脂の表面張力が過大であるため、切り
欠き溝状部の発生を防止できるような濡れ広がった周縁
部を形成することができない。
【００２８】この際、(1)コート層の膜厚を５０ｎｍ〜
１０００ｎｍ程度の薄膜状にする、(2)コーティング剤
に溶媒を混入して、溶媒乾燥後にコート層が粗い網目状
構造となるように調整する、等の方法により、使用する
透光性樹脂の濡れ性に応じて、コート層の濡れ性低減作
用を調整することができる。
【００２９】前記コート層５は、パッケージ上面にマス
ク等でコーティングをする部分だけを露出させ、コーテ
ィングしない部分は被覆した、いわゆるマスキング状態
にて、コーティング剤を塗布、噴霧、スピンコートある
いはＣＶＤ蒸着を行うことで形成できる。このようにし
て、容易に所望の形状のコート層を形成することができ
る。コーティング剤として、具体的には、フッ素系樹
脂、シリコーン系樹脂等を使用することができる。
【００３０】また、本発明の光半導体装置の製造方法に
おいて、コート層形成後、該コート層にプラズマ照射ま
たは紫外線照射による表面処理を行い、コート層を弱く
分解することで、コート層の濡れ性低減作用を調整する
こともできる。
【００３１】前記プラズマ照射は、アルゴン、空気、酸
素、窒素、一酸化炭素、二酸化炭素などやこれらの混合
ガスなどの雰囲気下で行うことが好ましい。例えば、真
空度１０Ｐａ、ＲＦ入力電力１００Ｗとし、ガスとして
アルゴンガスを用いた場合、そのガスの流量は１０リッ
トル／minで行う。照射時間はコート層の材料や使用す
る透光性樹脂によって異なるが、１〜３分程度が好まし
い。なぜならば、あまり長時間プラズマ照射を行うと、
コート層の部分的な消失やパッケージ材表面の劣化（マ
イクロクラック発生や変色等）が起こるからである。こ
こで、プラズマ照射の条件はこれだけに限定されるもの
ではない。
【００３２】前記紫外線照射には、公知の紫外線照射装
置を使用することができ、紫外線の光源としては、高圧
水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、
クセノンランプなどを使用することができる。例えば、
低圧水銀ランプ（波長２５４ｎｍ）を光源とした場合、
２０ｍＷ／cm2の放射強度で行う。照射時間は、コート
層の材料や使用する透光性樹脂によって異なるが、あま
り長時間紫外線照射を行うと上記プラズマ照射同様、コ
ート層の部分的な消失やパッケージ材表面の劣化が起こ
るため、２〜５分程度が好ましい。ここで、紫外線照射
の条件はこれだけに限定されるものではない。
【００３３】（透光性樹脂６）透光性樹脂６は、発光素
子３を外部力、塵芥や水分などから保護するとともに、
封止部の外表面を凸レンズ形状とすることで、集光性を
高め外部への出力効率を向上させる機能を有する。尚、
発光素子の電極とリード電極とをワイヤーを用いて電気
的に接続する構造においては、ワイヤーを保護する機能
も有する。透光性樹脂６は、絶縁性且つ透光性の各種樹
脂を用いて形成され、具体的にはエポキシ、シリコー
ン、変性アクリル、不飽和ポリエステル等の透光性樹脂
が好適に用いられる。外表面が凸レンズ形状を有する透
光性樹脂６は、前述したコート層５をパッケージ上面に
形成することで以下のようにして容易に作製できる。ま
ず、上述したように、使用する透光性樹脂との濡れ性を
調整したコート層５をパッケージ上面に形成する。次
に、パッケージ凹部に粘度を所定の値に設定した透光性
樹脂を、透光性樹脂の一部がパッケージ上面にはみ出す
ように所定量注入する。この透光性樹脂の量、粘度、表
面張力の大きさにより凸形状の制御が可能である。する
と、透光性樹脂はコート層５により広がりを制御され、
透光性樹脂の表面張力により凸レンズ形状の外表面が形
成される。さらにこの時、透光性樹脂は硬化に至るまで
に濡れ性が向上するため、コート層に沿って濡れ広がっ
た周縁部も形成され、このような形状で加熱あるいは紫
外線照射等その樹脂に適した状態にて硬化される。硬化
にともない透光性樹脂は収縮するが、透光性樹脂６の周
縁部６２はコート層５の表面と密着しているため、切り
欠き溝状部は発生せず、その周縁部の厚みが若干硬化収
縮に相応した量分減少するのみである。
【００３４】以上のように、本実施の形態では、パッケ
ージ上面に透光性樹脂の濡れ性を低減させるコート層５
が形成されているため、型を使うことなく外表面が凸形
状を有する透光性樹脂６を形成することができる。ま
た、コート層５は透光性樹脂の濡れ性を低減させるが、
完全に弾くわけではないので、透光性樹脂は周縁部６２
が前記コート層５の表面に密着した状態で硬化し、問題
となっていた切り欠き溝状部の発生を防止することがで
きる。
【００３５】また、本実施の形態では、光半導体素子の
実装形態をフリップチップ実装した例を示したが、本発
明において光半導体素子の実装はフリップチップ実装に
限られるものでなく、ワイヤーボンディングで光半導体
素子とリード電極を接続する実装方法を用いても、同様
に信頼性の高く、光学特性の優れた光半導体装置が得ら
れるという同様の効果を有することは言うまでもない。
【００３６】またさらに、実施の形態では、パッケージ
１個に対して１個の光半導体素子を搭載するものとした
が、本発明は複数個の光半導体素子をパッケージ凹部に
搭載したものにも適用することができ、このようにして
も、実施の形態と同様の効果が得られる。
【００３７】
【実施例】以下、本発明に係る実施例の光半導体装置及
びその製造方法について説明する。 ［実施例１］実施例１は、第１の実施の形態（図１、図
２）と同様の構成を持った光半導体装置の例である。予
め、パッケージ１に配置されるリード電極２を打ち抜き
加工により形成する。次に、液晶ポリマー樹脂を射出成
型器ホッパに入れ加熱溶融させながら、形成されたリー
ド電極２を配置させた金型内に注入し、射出成形を利用
してパッケージ１を形成する。形成されたパッケージ１
の凹部を除く発光観測面側表面に、シリコーン系樹脂よ
りなるコーティング剤を塗布し、膜厚１００ｎｍのコー
ト層５を形成する。この時、コーティング剤は、シリコ
ーン系樹脂：溶剤の重量比が５：１００となるように混
合し調整する。
【００３８】次に、前記構成のパッケージ凹部のリード
電極２上にはんだを用いて発光素子３をフリップチップ
実装する。続いて、パッケージ凹部内に透光性エポキシ
樹脂を注入し、熱硬化させる。すると透光性樹脂は、図
のように凸レンズ形状部６１とコート層に沿って濡れ広
がった周縁部６２とを有していた。
【００３９】［比較例１］比較例１は、従来例（図４）
と同様の構成を持った光半導体装置の例である。実施例
１と同様にして形成されたパッケージ１０１の凹部を除
く発光観測面側表面に、フッ素系樹脂よりなるコーティ
ング剤を塗布し、膜厚２μｍのコート層１０５を形成す
る。この時、コーティング剤は、フッ素系樹脂：溶剤の
重量比が３０：１００となるように混合し調整する。
【００４０】次に、前記構成のパッケージ凹部のリード
電極上にはんだを用いて発光素子１０３をフリップチッ
プ実装する。続いて、パッケージ凹部内に透光性シリコ
ーン樹脂を注入し、熱硬化させ、外表面が凸形状を有す
る透光性樹脂１０６を形成した。形成された透光性樹脂
１０６は、図のように透光性樹脂とコート層内周端面と
の間に切り欠き溝状部１０７を有していた。
【００４１】［実施例２］コート層を形成後、低圧水銀
ランプ（波長：２５４ｎｍ、エネルギー強度 ：２０Ｗ
／cm2 )で２分間紫外線を照射してコート層の表面処理
を行う以外は、比較例１と同様にして光半導体装置を作
製する。すると透光性樹脂は、実施例１と同様に凸レン
ズ形状部６１とコート層に沿って濡れ広がった周縁部６
２とを有していた。
【００４２】［実施例３］コート層を形成後、アルゴン
ガス雰囲気下でプラズマ照射してコート層の表面処理を
行う以外は、比較例１と同様にして光半導体装置を作製
する。この時、照射条件は真空度１０Ｐａ、ＲＦ入力電
力１００Ｗ、アルゴンガス流量１０リットル／minで２
分間行った。すると透光性樹脂は、実施例１と同様に凸
レンズ形状部６１とコート層に沿って濡れ広がった周縁
部６２とを有していた。
【００４３】以上のように実施例１〜３及び比較例１で
作製された光半導体装置各々１００個について、−４０
℃、１５分間放置したものを１００℃、１５分間放置す
ることを１サイクルとする気相熱衝撃試験を３００サイ
クル実施したところ、比較例１で得られた装置では透光
性樹脂とパッケージの剥離が７３個の素子に発生し、１
個の素子に透光性樹脂の割れが観察されたが、本発明に
係る実施例１〜３で得られた装置には、剥離、割れとも
観察されなかった。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光半
導体装置は、パッケージの発光観測面側表面の少なくと
も一部に、前記透光性樹脂の濡れ性を低減させるコート
層が形成されており、透光性樹脂は光半導体素子上に設
けられた凸レンズ形状部と、前記コート層と接しコート
層に沿って濡れ広がった周縁部とを有する。従って、本
発明に係る光半導体装置は、透光性樹脂の外表面を凸形
状とすることで、集光レンズ作用が付与され、且つ透光
性樹脂の表面を凸形状とするのに型を使わないため優れ
た生産性を有する。さらに透光性樹脂が濡れ広がった周
縁部を有するため、問題となっていた切り欠き部の発生
を防止することができ、熱応力による切り欠き部を起点
とした封止樹脂の割れおよび剥離のない高信頼性な光半
導体装置が得られる。
【００４５】また、本発明に係る光半導体装置におい
て、前記パッケージ凹部の側面が発光観測面側に向かっ
て広がるように傾斜され、且つ光反射性を有した面であ
ることが好ましい。これにより、発光装置では発光素子
からの光を効率よく外部に放出し、受光装置では外部か
らの光を効率よく受光素子に供給するよう働き、更に光
学特性を向上させることができる。
【００４６】さらに、本発明に係る光半導体装置は、前
記光半導体素子をフリップチップ実装することにより、
凹部にワイヤーを張るためのスペースが不要となり、小
型かつ薄型で、高性能かつ高信頼性の光半導体素子が得
られる。また、ワイヤーがない分封止樹脂を充填する際
に、透光性樹脂を供給、吐出するノズルを凹部底深くま
で下げて、透光性樹脂を充填することが出来、充填時吐
出圧で透光性樹脂がパッケージ凹部外に勢いよく過剰に
あふれ出る現象も発生しにくくなる。
【００４７】また、本発明に係る光半導体装置の製造方
法によれば、パッケージ上面にコート層を形成後、該コ
ート層をプラズマ照射または紫外線照射による表面処理
を行うことにより、容易にコート層の透光性樹脂に対す
る濡れ性低減作用を制御することができ、信頼性の高い
光半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る実施の形態の光半導体装置の断
面図である。
【図２】 図１におけるＡの部分を拡大して示す断面図
である。
【図３】 濡れ性を説明するための模式図である。
【図４】 従来例の光半導体装置の断面図である。
【図５】 図４におけるＢの部分を拡大して示す断面図
である。
【符号の説明】
１、１０１・・・パッケージ ２、１０２・・・リード電極 ３、１０３・・・光半導体素子 ４１、１４１・・・正電極 ４２、１４２・・・負電極 ５、１０５・・・コート層 ６、１０６・・・透光性樹脂 ６１・・・凸レンズ形状部 ６２・・・周縁部 １０７・・・切り欠き溝状部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｂ 31/0232 Ｄ

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パッケージ凹部内に配された光半導体素
    子（３）と、該光半導体素子（３）を外部と電気的に接
    続させるリード電極（２）と、前記光半導体素子を封止
    する透光性樹脂（６）と、前記パッケージの発光観測面
    側表面の少なくとも一部に設けられた前記透光性樹脂の
    濡れ性を低減させるコート層（５）とを有する光半導体
    装置であって、 前記透光性樹脂（６）は、光半導体素子上に設けられた
    凸レンズ形状部（６１）と、前記コート層（５）と接し
    コート層に沿って濡れ広がった周縁部（６２）からなる
    ことを特徴とする光半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記周縁部（６２）とコート層（５）の
    接触角θが４５°以下である請求項１に記載の光半導体
    装置。
  3. 【請求項３】 前記コート層の膜厚が、５０〜１０００
    ｎｍである請求項１または２に記載の光半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記コート層が、フッ素系樹脂またはシ
    リコーン系樹脂からなる請求項１乃至３の何れか一項に
    記載の光半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記パッケージ凹部の側面は発光観測面
    側に向かって広がるように傾斜され、且つ光反射性を有
    した面である請求項１乃至４に記載の光半導体装置。
  6. 【請求項６】 前記発光素子がフリップチップ実装され
    ている請求項１乃至５に記載の光半導体装置。
  7. 【請求項７】 前記透光性樹脂が、シリコーン樹脂、エ
    ポキシ樹脂、変性アクリル樹脂及び不飽和ポリエステル
    樹脂からなる群より選択される１つからなることを特徴
    とする請求項１乃至６のうちの何れか１項に記載の光半
    導体装置。
  8. 【請求項８】 前記パッケージが、液晶ポリマー樹脂、
    ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）樹脂、セラミッ
    クス及びガラス−エポキシ積層板からなる群より選択さ
    れる１つからなることを特徴とする請求項１乃至７のう
    ちの何れか１項に記載の光半導体装置。
  9. 【請求項９】 パッケージ凹部内に配された光半導体素
    子（３）と、該光半導体素子（３）を外部と電気的に接
    続させるリード電極（２）と、前記光半導体素子を封止
    する透光性樹脂（６）と、前記パッケージの発光観測面
    側表面の少なくとも一部に設けられた前記透光性樹脂の
    濡れ性を低減させるコート層（５）とを有する光半導体
    装置を製造する方法であって、 前記パッケージの発光観測面側表面の少なくとも一部に
    コート層（５）を形成する工程と、 前記コート層（５）にプラズマ照射または紫外線照射に
    よる表面処理を行う工程と、 前記パッケージ凹部内に透光性樹脂を注入して、凸レン
    ズ形状部（６１）およびコート層に沿って濡れ広がった
    周縁部（６２）を形成させた後、硬化させる工程とを具
    備することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記周縁部（６２）と前記コート層
    （５）との接触角θが４５度以下になるように前記表面
    処理を行う請求項９に記載の光半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記コート層をフッ素系樹脂またはシ
    リコーン系樹脂からなる材料で形成する請求項１０また
    は１１に記載の光半導体装置の製造方法。
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Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003347597A (ja) * 2002-05-29 2003-12-05 Kyocera Corp 発光素子搭載用基板
JP2005019662A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2005019663A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
KR100625720B1 (ko) 2002-09-05 2006-09-20 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그것을 이용한 광학 장치
EP1564819A4 (en) * 2002-11-05 2006-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd LIGHT-EMITTING DIODE
KR100731677B1 (ko) 2006-04-21 2007-06-22 서울반도체 주식회사 표면처리된 수지 봉지재를 갖는 발광 다이오드 패키지제조방법 및 그것에 의해 제조된 패키지
JP2007531255A (ja) * 2004-03-23 2007-11-01 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 多分割式ケーシング体を備えたオプトエレクトロニクス構成素子
JP2007294988A (ja) * 2007-06-18 2007-11-08 Kyocera Corp 発光素子搭載用基板及び発光装置
US7307250B2 (en) 2003-02-06 2007-12-11 Seiko Epson Corporation Light-receiving element and manufacturing method of the same, optical module and optical transmitting device
US7511313B2 (en) 2006-05-22 2009-03-31 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Ultraviolet ray emitting element package
WO2010021346A1 (ja) * 2008-08-20 2010-02-25 三菱化学株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
WO2010140545A1 (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 アルプス電気株式会社 湿度検出センサパッケージ及びその製造方法
KR101220038B1 (ko) * 2006-09-11 2013-01-18 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
JP2013030572A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 Sharp Corp 発光装置及び発光装置の製造方法
EP2211394A3 (en) * 2009-01-23 2013-12-25 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package structure
JP2014056856A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置及び照明装置
US9287466B2 (en) 2007-07-25 2016-03-15 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and method of manufacturing the same
JP2017519361A (ja) * 2014-05-30 2017-07-13 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 自動車照明アプリケーションのための光学レンズパッケージ
JP2017152629A (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いた照明装置
EP3279953A1 (en) 2016-08-03 2018-02-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Window member for optical device package, optical device package, making methods of the same
WO2020059468A1 (ja) 2018-09-20 2020-03-26 信越化学工業株式会社 光学素子パッケージ用リッド、光学素子パッケージ及びそれらの製造方法
US20200292796A1 (en) * 2015-10-14 2020-09-17 Novatek Microelectronics Corp. Optical fingerprint sensing module and display device with optical fingerprint detection
JP2020174152A (ja) * 2019-04-12 2020-10-22 日機装株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
WO2021108192A1 (en) * 2019-11-26 2021-06-03 Applied Materials, Inc. Oled display devices with surfaces of different wettability for deposition of light enhancing layer
US11121345B2 (en) 2019-11-26 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Structures and methods of OLED display fabrication suited for deposition of light enhancing layer
US11296296B2 (en) 2019-11-06 2022-04-05 Applied Materials, Inc. Organic light-emtting diode light extraction layer having graded index of refraction
EP4075525A2 (en) 2021-04-16 2022-10-19 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
US11626577B2 (en) 2020-01-22 2023-04-11 Applied Materials, Inc. Organic light-emitting diode (OLED) display devices with mirror and method for making the same

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51144890A (en) * 1975-06-06 1976-12-13 Mitsubishi Atom Power Ind Inc Atomic fuel conglomeration
JPS62185382A (ja) * 1986-02-08 1987-08-13 Copal Co Ltd 発光素子アレイ
JPS6359355U (ja) * 1986-10-03 1988-04-20
JPH0428269A (ja) * 1990-05-23 1992-01-30 Fujikura Ltd Ｌｅｄベアチップの実装構造
JPH0474471A (ja) * 1990-07-16 1992-03-09 Mitsubishi Electric Corp マイクロレンズの作製方法
JPH0529664A (ja) * 1991-07-23 1993-02-05 Sharp Corp 光半導体装置
JPH0529650A (ja) * 1991-07-19 1993-02-05 Sharp Corp 光学装置
JPH06232457A (ja) * 1993-02-01 1994-08-19 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオード表示装置
JPH08272319A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Hamamatsu Photonics Kk 発光装置
JPH09148633A (ja) * 1995-11-28 1997-06-06 Matsushita Electron Corp 発光ダイオード整列光源
JPH10144963A (ja) * 1996-11-05 1998-05-29 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ光源及びその製造方法
JPH1117225A (ja) * 1997-06-23 1999-01-22 Nichia Chem Ind Ltd 光電装置
JPH11251644A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Matsushita Electron Corp 半導体発光装置
JP2000353594A (ja) * 1998-03-17 2000-12-19 Seiko Epson Corp 薄膜パターニング用基板
JP2002372921A (ja) * 1998-03-17 2002-12-26 Seiko Epson Corp 表示装置の製造方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51144890A (en) * 1975-06-06 1976-12-13 Mitsubishi Atom Power Ind Inc Atomic fuel conglomeration
JPS62185382A (ja) * 1986-02-08 1987-08-13 Copal Co Ltd 発光素子アレイ
JPS6359355U (ja) * 1986-10-03 1988-04-20
JPH0428269A (ja) * 1990-05-23 1992-01-30 Fujikura Ltd Ｌｅｄベアチップの実装構造
JPH0474471A (ja) * 1990-07-16 1992-03-09 Mitsubishi Electric Corp マイクロレンズの作製方法
JPH0529650A (ja) * 1991-07-19 1993-02-05 Sharp Corp 光学装置
JPH0529664A (ja) * 1991-07-23 1993-02-05 Sharp Corp 光半導体装置
JPH06232457A (ja) * 1993-02-01 1994-08-19 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオード表示装置
JPH08272319A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Hamamatsu Photonics Kk 発光装置
JPH09148633A (ja) * 1995-11-28 1997-06-06 Matsushita Electron Corp 発光ダイオード整列光源
JPH10144963A (ja) * 1996-11-05 1998-05-29 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ光源及びその製造方法
JPH1117225A (ja) * 1997-06-23 1999-01-22 Nichia Chem Ind Ltd 光電装置
JPH11251644A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Matsushita Electron Corp 半導体発光装置
JP2000353594A (ja) * 1998-03-17 2000-12-19 Seiko Epson Corp 薄膜パターニング用基板
JP2002372921A (ja) * 1998-03-17 2002-12-26 Seiko Epson Corp 表示装置の製造方法

Cited By (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003347597A (ja) * 2002-05-29 2003-12-05 Kyocera Corp 発光素子搭載用基板
KR100625720B1 (ko) 2002-09-05 2006-09-20 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그것을 이용한 광학 장치
EP1564819A4 (en) * 2002-11-05 2006-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd LIGHT-EMITTING DIODE
US7347603B2 (en) 2002-11-05 2008-03-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting diode
US7307250B2 (en) 2003-02-06 2007-12-11 Seiko Epson Corporation Light-receiving element and manufacturing method of the same, optical module and optical transmitting device
JP2005019663A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2005019662A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2007531255A (ja) * 2004-03-23 2007-11-01 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 多分割式ケーシング体を備えたオプトエレクトロニクス構成素子
US8735930B2 (en) 2004-03-23 2014-05-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component with multi-part housing body
KR100731677B1 (ko) 2006-04-21 2007-06-22 서울반도체 주식회사 표면처리된 수지 봉지재를 갖는 발광 다이오드 패키지제조방법 및 그것에 의해 제조된 패키지
WO2007123310A1 (en) * 2006-04-21 2007-11-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Method of fabricating light emitting diode package with surface treated resin encapsulant and the package fabricated by the method
US8981399B2 (en) * 2006-04-21 2015-03-17 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Method of fabricating light emitting diode package with surface treated resin encapsulant and the package fabricated by the method
US7511313B2 (en) 2006-05-22 2009-03-31 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Ultraviolet ray emitting element package
KR101220038B1 (ko) * 2006-09-11 2013-01-18 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
JP2007294988A (ja) * 2007-06-18 2007-11-08 Kyocera Corp 発光素子搭載用基板及び発光装置
US9287466B2 (en) 2007-07-25 2016-03-15 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and method of manufacturing the same
WO2010021346A1 (ja) * 2008-08-20 2010-02-25 三菱化学株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
EP2211394A3 (en) * 2009-01-23 2013-12-25 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package structure
JP5269990B2 (ja) * 2009-06-01 2013-08-21 アルプス電気株式会社 湿度検出センサパッケージの製造方法
CN102341698A (zh) * 2009-06-01 2012-02-01 阿尔卑斯电气株式会社 湿度检测传感器封装件及其制造方法
WO2010140545A1 (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 アルプス電気株式会社 湿度検出センサパッケージ及びその製造方法
JP2013030572A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 Sharp Corp 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2014056856A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置及び照明装置
JP2017519361A (ja) * 2014-05-30 2017-07-13 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 自動車照明アプリケーションのための光学レンズパッケージ
US20200292796A1 (en) * 2015-10-14 2020-09-17 Novatek Microelectronics Corp. Optical fingerprint sensing module and display device with optical fingerprint detection
US11906713B2 (en) * 2015-10-14 2024-02-20 Novatek Microelectronics Corp. Optical fingerprint sensing module and display device with optical fingerprint detection
JP2017152629A (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いた照明装置
US10680139B2 (en) 2016-08-03 2020-06-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Window member for optical device package, optical device package, making methods, and optical device-mountable package
KR20180015581A (ko) 2016-08-03 2018-02-13 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 광학 소자 패키지용 창재, 광학 소자 패키지, 그들의 제조 방법 및 광학 소자용 패키지
EP3279953A1 (en) 2016-08-03 2018-02-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Window member for optical device package, optical device package, making methods of the same
WO2020059468A1 (ja) 2018-09-20 2020-03-26 信越化学工業株式会社 光学素子パッケージ用リッド、光学素子パッケージ及びそれらの製造方法
KR20210060532A (ko) 2018-09-20 2021-05-26 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 광학 소자 패키지용 리드, 광학 소자 패키지 및 그것들의 제조 방법
JP2020174152A (ja) * 2019-04-12 2020-10-22 日機装株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP2023080122A (ja) * 2019-04-12 2023-06-08 日機装株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP7498331B2 (ja) 2019-04-12 2024-06-11 日機装株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP7252820B2 (ja) 2019-04-12 2023-04-05 日機装株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
US11296296B2 (en) 2019-11-06 2022-04-05 Applied Materials, Inc. Organic light-emtting diode light extraction layer having graded index of refraction
US11355724B2 (en) 2019-11-06 2022-06-07 Applied Materials, Inc. Organic light-emitting diode (OLED) display devices with UV-cured filler
US11963377B2 (en) 2019-11-06 2024-04-16 Applied Materials, Inc. Light-emitting diode light extraction layer having graded index of refraction
CN114930564A (zh) * 2019-11-26 2022-08-19 应用材料公司 具有用于沉积光增强层的不同湿润性表面的oled显示装置
WO2021108192A1 (en) * 2019-11-26 2021-06-03 Applied Materials, Inc. Oled display devices with surfaces of different wettability for deposition of light enhancing layer
US11121345B2 (en) 2019-11-26 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Structures and methods of OLED display fabrication suited for deposition of light enhancing layer
US11626577B2 (en) 2020-01-22 2023-04-11 Applied Materials, Inc. Organic light-emitting diode (OLED) display devices with mirror and method for making the same
US11974457B2 (en) 2020-01-22 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Light-emitting diode display devices with mirror
EP4075525A2 (en) 2021-04-16 2022-10-19 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
US12288836B2 (en) 2021-04-16 2025-04-29 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device including circular ring-shaped metal ring body and regulation holes define bottom of lens, and method for manufacturing same

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