JP2001187346A

JP2001187346A - 光触媒被覆材及びその製造方法、並びに該光触媒被覆材を使用する汚染物質含有物浄化方法及び汚染物質含有物浄化装置

Info

Publication number: JP2001187346A
Application number: JP2000305917A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Yasunaga; 龍哉安永; Toshiki Sato; 俊樹佐藤
Original assignee: Kobe Steel Ltd
Current assignee: Kobe Steel Ltd
Priority date: 1999-10-21
Filing date: 2000-10-05
Publication date: 2001-07-10
Anticipated expiration: 2020-10-05
Also published as: JP4689809B2

Abstract

(57)【要約】【課題】光触媒性と耐久性との両者に優れた光触媒被
覆材、及びその製造方法を提供すること。また、前記光
触媒被覆材を使用して、光触媒膜の剥離を生じることが
なく耐久性の点において実用に適するとともに、汚染物
質を効果的に分解・除去することができる、光触媒によ
る汚染物質含有物浄化方法及び光触媒による汚染物質含
有物浄化装置を提供すること。【解決手段】チタン基合金基材上に、アナターゼ型及
び／又はルチル型の酸化チタン結晶を９０体積％以上含
有する光触媒膜が形成されてなる光触媒被覆材であっ
て、前記チタン基合金基材のチタン含有量が７０質量％
以上であり、前記光触媒膜の厚みが０．１μｍ以上であ
り、前記チタン基合金基材と前記光触媒膜の間に存在
し、酸化チタン結晶、チタン基合金結晶とも異なる不可
避的薄膜の厚みが０．０５μｍ以下であることを特徴と
する光触媒被覆材。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光触媒性と耐久性
に優れた光触媒被覆材、及びその製造方法、並びに該光
触媒被覆材を使用する汚染物質含有物浄化方法及び汚染
物質含有物浄化装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術、及び発明が解決しようとする課題】光触
媒の代表である酸化チタン（ＴｉＯ₂）は、半導体であ
りその表面に紫外線を照射することにより光触媒性を発
現し、正孔による酸化力により有機物などを分解できる
ことが知られている。このような光触媒反応により、酸
化チタンはホルムアルデヒドなどの揮発性の有機化合物
の分解、トイレの悪臭物質の分解、院内感染防止のため
の殺菌などに有効であり、これらへの利用が進められて
いる。酸化チタンは一般に粉末の形態で供給されるが、
この場合、製品として供される光触媒被覆材の製作にあ
たっては、酸化チタン粉末を基材上に保持して固定化す
る必要がある。

【０００３】基材上に酸化チタン粉末を固定化するには
光触媒反応で分解されないバインダーを用いる必要があ
り、現状ではフッ素樹脂系バインダーやシリコン系バイ
ンダーが多く用いられている。しかし、基材上にバイン
ダーにて酸化チタン粉末を保持してなる光触媒被覆材で
は、酸化チタン粒子が表面に現れ難くなるため、得られ
る光触媒被覆材の光触媒性（光触媒作用）が低い（弱
い）という欠点があった。

【０００４】一方、基材上に、酸化チタン粉末ではな
く、Ｔｉ原子を含有するアルコキシド，アセチルアセト
ナート等の液体の有機チタン化合物を塗布し、これを４
００℃程度以上の高温で焼成して酸化チタンの薄膜を形
成することにより、光触媒被覆材を得るようにした方法
が知られている。このような液体有機チタン化合物を塗
布し高温焼成を行う方法では、前記したバインダーにて
酸化チタン粉末を固定化したものと違って、最表面が全
面的に酸化チタン膜で被覆された光触媒被覆材を得るこ
とができる。

【０００５】ところが、前述した液体有機チタン化合物
の塗布・焼成による方法においては、４００℃程度以上
の高温で焼成を行うので、焼成時に基材の構成元素が表
面方向へ拡散し、形成されている酸化チタン膜中に侵入
することから、基材の組成によっては、基材からの非Ｔ
ｉ成分が前記酸化チタン膜中に不純物として侵入してし
まうことになる。このような不純物が多量に酸化チタン
膜中に侵入した場合は、正常な酸化チタンの結晶成長を
阻害してしまい、酸化チタン結晶膜が形成されなくなっ
てしまう。また、不純物の混入量が酸化チタンの結晶成
長を阻害するほどではない場合でも、半導体である酸化
チタンの光触媒作用をおこすバンドギャップ間に不純物
に起因する準位が形成されてしまい、この準位が電子と
正孔の再結合サイトとなって多量の電子と正孔が再結合
して消滅し光触媒反応効率が著しく低下してしまう。

【０００６】そこで本発明の目的は、基材上に光触媒膜
として酸化チタン結晶の薄膜を形成してなる光触媒被覆
材において、光触媒性と耐久性との両者に優れた光触媒
被覆材、及びその製造方法を提供することにある。ま
た、本発明の他の目的は、光触媒性と耐久性との両者に
優れた前記光触媒被覆材を使用して、光触媒膜の剥離を
生じることがなく耐久性の点において実用に適するとと
もに、汚染物質を効果的に分解・除去することができ
る、光触媒による汚染物質含有物浄化方法及び光触媒に
よる汚染物質含有物浄化装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本願請求項１の発明は、
チタン基合金基材上に、アナターゼ型及び／又はルチル
型の酸化チタン結晶を９０体積％以上含有する光触媒膜
が形成されてなる光触媒被覆材であって、前記チタン基
合金基材のチタン含有量が７０質量％以上であり、前記
光触媒膜の厚みが０．１μｍ以上であり、前記チタン基
合金基材と前記光触媒膜の間に存在し、酸化チタン結
晶、チタン基合金結晶とも異なる不可避的薄膜の厚みが
０．０５μｍ以下である光触媒被覆材である。

【０００８】請求項２の発明は、前記請求項１記載の光
触媒被覆材において、前記光触媒膜中の全酸化チタン結
晶に対するアナターゼ型酸化チタン結晶の体積比が８０
％以上であることを特徴とするものである。

【０００９】請求項３の発明は、チタン含有量が７０質
量％以上であるチタン基合金からなる基材をその表面酸
化膜を除去すべく酸洗処理し、しかる後、該チタン基合
金基材表面に形成される不可避的薄膜であって、酸化チ
タン結晶、チタン基合金結晶とも異なる該不可避的薄膜
の膜厚が０．０５μｍ以下において、前記酸洗処理され
たチタン基合金基材にチタン化合物を塗布し、このもの
を酸素含有雰囲気下で温度４００℃以上で焼成し、この
塗布・焼成を１回、あるいは２回以上繰り返し行うこと
により、前記酸洗処理されたチタン基合金基材上に酸化
チタン結晶を９０体積％以上含有し厚みが０．１μｍ以
上の光触媒膜を形成する光触媒被覆材の製造方法であ
る。

【００１０】請求項４の発明は、請求項１又は２記載の
光触媒被覆材の表面に、紫外線を照射するとともに汚染
物質を含有する気体又は液体を接触させることにより、
前記汚染物質を分解・除去することを特徴とする光触媒
による汚染物質含有物浄化方法である。

【００１１】請求項５の発明は、請求項１又は２記載の
光触媒被覆材を用いて構成された光触媒部と、該光触媒
部を構成する前記光触媒被覆材の表面に紫外線を照射す
る紫外線照射部と、汚染物質を含有する気体又は液体を
前記光触媒部に導き、前記紫外線が照射されている前記
光触媒被覆材の表面に接触させるための汚染物質含有物
導入手段とを備えていることを特徴とする光触媒による
汚染物質含有物浄化装置である。

【００１２】請求項６の発明は、請求項５記載の光触媒
による汚染物質含有物浄化装置において、前記汚染物質
が悪臭物質であり、生ゴミ処理に用いられるものである
ことを特徴とするものである。

【００１３】請求項７の発明は、請求項５記載の光触媒
による汚染物質含有物浄化装置において、前記汚染物質
が有機性ガスであり、クリーンルーム又はクリーンルー
ム内の局所空間の気体浄化に用いられるものであること
を特徴とするものである。

【００１４】請求項８の発明は、請求項５記載の光触媒
による汚染物質含有物浄化装置において、前記汚染物質
が揮発性汚染物質であり、前記汚染物質含有物導入手段
が、液体中に含まれる揮発性汚染物質を気体中に移行さ
せ、この移行させた揮発性汚染物質を含む気体を前記紫
外線が照射されている前記光触媒被覆材の表面に導き接
触させるように構成されてなることを特徴とするもので
ある。

【００１５】前記特徴を有する本発明に係る光触媒被覆
材、及びその製造方法について説明する。本発明におい
ては、チタン基合金基材を酸洗処理して該基材の表面酸
化膜を除去し、しかる後、該チタン基合金基材表面に不
可避的に形成される自然酸化膜など、酸化チタン結晶、
チタン基合金結晶とも異なる不可避的薄膜の膜厚が０．
０５μｍ以下（ゼロを含む）において、前記酸洗処理さ
れたチタン基合金基材に液体有機チタン化合物などのチ
タン化合物を塗布して酸素含有雰囲気下で焼成を行うこ
とによって、前記酸洗処理されたチタン基合金基材上
に、チタン基合金基材中のＴｉ原子と塗膜中のＴｉ原子
とを界面間で相互拡散させながら、かつ大気中からのＯ
原子（酸素原子）を塗膜から基材へ侵入させながら、そ
の過程で光触媒膜として酸化チタン結晶の薄膜が形成さ
れる。

【００１６】前述のように焼成することによって、チタ
ン基合金基材中のＴｉ原子と塗膜中のＴｉ原子とを界面
間で相互拡散させながら、かつ大気中からのＯ原子を塗
膜から基材へ侵入させながらチタン基合金基材上に光触
媒膜が形成されるため、チタン基合金基材のＴｉ原子と
光触媒膜のＴｉ原子とが連続的につながった界面構造と
なり、チタン基合金基材に対して密着性の良い光触媒膜
を形成することができ、耐久性に優れた光触媒被覆材が
得られる。

【００１７】このような密着性の良い光触媒膜を得るた
めには、チタン基合金基材と光触媒膜の間に存在する不
可避的薄膜の厚みが０．０５μｍ以下である必要があ
る。一般に、空気中に数日間置かれたチタン基材表面に
は厚み０．０５μｍ程度の自然酸化膜が形成される。こ
の自然酸化膜はアナターゼ型あるいはルチル型酸化チタ
ン結晶ではなく非晶質構造である。また、不可避的汚れ
による薄膜が形成されることもある。そして、このよう
な自然酸化膜などの不可避的薄膜の厚みが０．０５μｍ
より大きいものでは、焼成時における前述したＴｉ原子
の界面間での相互拡散、及びＯ原子の基材への侵入が阻
害されて、光触媒膜の密着性が悪い。したがって前記不
可避的薄膜は、厚み０．０５μｍ以下である必要があ
り、光触媒膜の密着性を高める点から、好ましくは厚み
０．０３μｍ以下、特に好ましくは厚み０．０１μｍ以
下である。なお、このような不可避的薄膜の厚みについ
ては、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による該薄膜の断面
観察により測定することができる。また当然ながら、こ
の不可避的薄膜は無いことが最も好ましく、チタン基合
金基材を酸洗処理してその表面酸化膜を除去した後、直
ちに前記の塗布・焼成を行うようにすることがよい。

【００１８】本発明においては、高い光触媒性を得るに
は、形成される光触媒膜中の非酸化チタン結晶成分が少
ないことがよく、光触媒膜中の酸化チタン結晶含有率
（体積％）を９０体積％以上にする必要がある。よって
光触媒膜の酸化チタン結晶含有率（体積％）は、９０体
積％以上であり、光触媒性を高める点から、好ましくは
９５体積％以上、特に好ましくは９９体積％以上であ
る。なお、光触媒膜中の酸化チタン結晶は、結晶構造が
アナターゼ型の酸化チタン結晶若しくは結晶構造がルチ
ル型の酸化チタン結晶、又はこれら両者の混合相よりな
っている。

【００１９】ここで前記した光触媒膜中の酸化チタン結
晶含有率については、ＴＥＭ断面観察により求めること
ができる。すなわち、光触媒膜中のアナターゼ型とルチ
ル型の酸化チタン結晶の電子回折の反射によって結像し
た暗視野像では、酸化チタン結晶部分は明るく、一方、
非晶質部分などの非酸化チタン結晶部分は前記酸化チタ
ン結晶部分よりも暗くなる。このような暗視野像を解析
することによって幾何学的に光触媒膜中の酸化チタン結
晶含有率を計算により求めることができる。

【００２０】本発明においては、光触媒膜の厚みについ
ては、該厚みが薄すぎると、焼成時においてチタン基合
金基材からの非Ｔｉ成分が不純物として該光触媒膜表面
まで容易に達し、該膜中の非酸化チタン結晶成分が１０
体積％を上回ってしまい光触媒性が低下することにな
る。したがって、光触媒膜の厚みは、０．１μｍ以上で
ある必要があり、光触媒膜中不純物低減の点から、好ま
しくは０．２μｍ以上、特に好ましくは０．３μｍ以上
である。光触媒膜の厚みは、ＴＥＭによる該膜の断面観
察により測定することができる。

【００２１】また本発明においては、焼成温度は、酸化
チタン結晶を生成させるために４００℃以上とする必要
がある。また焼成温度は、前述したＴｉ原子の界面間で
の相互拡散とＯ原子の基材への侵入とを促進させて光触
媒膜の密着性を向上させる点から、４５０℃以上が好ま
しく、特に好ましくは５００℃以上がよい。

【００２２】一方、焼成温度が高すぎると、アナターゼ
型酸化チタン結晶がこれに比べて光触媒性が比較的低い
ルチル型酸化チタン結晶に転化し、該ルチル型酸化チタ
ン結晶の増加にともなって光触媒性がしだいに低下する
（ルチル型酸化チタン結晶の光触媒性がなぜ低いかにつ
いての機構は明確に解明されていない）。よって焼成温
度の上限側については、７００℃以下にて光触媒膜の全
酸化チタン結晶中のアナターゼ型酸化チタン結晶体積比
を８０％以上とすることがよく、好ましくは６５０℃以
下にてアナターゼ型酸化チタン結晶体積比を９０％以上
とすることがよく、特に好ましくは６００℃以下にてア
ナターゼ型酸化チタン結晶体積比を９５％以上とするこ
とがよい。

【００２３】ここで前記アナターゼ型酸化チタン結晶体
積比は、光触媒膜中の全酸化チタン結晶に対するアナタ
ーゼ型酸化チタン結晶の占める割合（体積％）であり、
アナターゼ型酸化チタン結晶体積／〔アナターゼ型酸化
チタン結晶体積＋ルチル型酸化チタン結晶体積〕という
値の百分率である。この体積比の値は、ＴＥＭ断面観察
において、アナターゼ型酸化チタン結晶の電子回折の反
射による暗視野像ではアナターゼ型酸化チタン結晶部が
明るくなり、ルチル型酸化チタン結晶の電子回折の反射
による暗視野像ではルチル型酸化チタン結晶部が明るく
なるので、両者の比から幾何学的に求めることができ
る。

【００２４】本発明においては、このような４００℃以
上の高い温度による焼成によって、前述したように塗膜
中のＴｉ原子と基材中のＴｉ原子とを界面間で相互拡散
させながら光触媒膜を形成するには、基材がチタン基合
金よりなるものである必要がある。また、界面間でＴｉ
原子を相互拡散させるとともに、形成される光触媒膜中
の非酸化チタン結晶成分を１０体積％以下に抑えて、酸
化チタン結晶含有率を９０体積％以上にするためには、
チタン基合金基材は、そのＴｉ含有率が７０質量％であ
る必要がある。このチタン基合金基材のＴｉ含有率は、
光触媒膜へ拡散する非Ｔｉ成分を減らして光触媒性を高
める点から、好ましくは光触媒膜中の酸化チタン結晶含
有率を９５体積％以上とするためには８０質量％以上、
特に好ましくは酸化チタン結晶含有率を９９体積％以上
とするためには９０質量％以上がよい。

【００２５】またチタン基合金基材の形状（形態）につ
いては、平板状、パイプ状、網状、線状など種々の形状
のものが適用できるが、光触媒性をより向上させるため
に有効表面積をなるべく大きくすることがよく、網状を
なすものや、表面に微細な凸凹を有するものがよい。

【００２６】本発明においては、酸洗処理されたチタン
基合金基材の表面に塗布されるチタン化合物としては、
チタンにアルコールを結合させたアルコキシドやアセチ
ルアセトナートなどの液体有機チタン化合物が望まし
い。なお、チタン基合金基材上に、固体粉末状、固体フ
ィルム状、板状などをなす有機チタン化合物、あるいは
無機チタン化合物をのせて焼成を行うようにしても光触
媒膜の形成を行うことができる。

【００２７】ところで、酸化チタン光触媒に接するよう
に金属の粒子、あるいは酸化チタンと成分が異なる酸化
物などの粒子を分散・担持させると、該粒子部分で光触
媒によるカソード反応が下地よりも起こりやすくなり、
光触媒のアノード反応とカソード反応のサイトが分離さ
れ、両反応の相殺による損失が最小限となるため光触媒
性（光触媒特性）がさらに向上することが知られてい
る。本発明においてもこのような技術と組み合わせるこ
とにより、さらに高い光触媒性を得ることができる。

【００２８】次に、本発明に係る光触媒による汚染物質
含有物浄化方法、及び光触媒による汚染物質含有物浄化
装置によれば、本発明に係る前記光触媒被覆材を使用
し、この光触媒被覆材の表面に、つまり光触媒膜表面に
紫外線を照射するとともに汚染物質を含有する気体又は
液体を接触させることにより、前記光触媒被覆材の持つ
優れた機械的耐久性と優れた光触媒性（光触媒活性）と
が発揮されて、光触媒膜の剥離を生じることがなく耐久
性の点において実用に適し、汚染物質を効果的に分解・
除去することができる。

【００２９】ここで、気体中（大気中）の汚染物質とし
ては、メチルメルカプタン（家庭ゴミなどで発生する）
や硫化水素などの悪臭物質、空中浮遊菌、ＮＯ_X（窒素
酸化物）やＳＯ_X（硫黄酸化物）などの大気汚染物質、
などが挙げられる。また、液体中（水中）の汚染物質と
しては、藻類などの微生物、プランクトンの死骸、アン
モニア、ダイオキシンなどが挙げられる。また、揮発性
汚染物質という観点からは、トリクロロエチレンやテト
ロクロロエチレンなどの高揮発性有機溶剤が挙げられ
る。

【００３０】

【実施例】以下、本発明に係る光触媒被覆材とその製造
方法について、その実施例を比較例とともに説明する。

【００３１】〔実施例１〜２４及び比較例１〜１６〕：
光触媒膜の酸化チタン結晶含有率が光触媒性に及ぼす影
響、光触媒膜の膜厚が光触媒性に及ぼす影響、及びチタ
ン基合金基材のＴｉ含有率が前記酸化チタン結晶含有率
に及ぼす影響について説明する。

【００３２】Ｔｉ含有率が６５〜９５質量％のＴｉ−Ｆ
ｅ二元合金を溶製し、これを厚み１ｍｍ×幅５０ｍｍ×
長さ５０ｍｍの寸法に板加工してチタン基合金からなる
基材を所要個数用意する一方、同寸法に板加工した普通
鋼Ｓ５０Ｃ（ＪＩＳＧ３３１１）からなる基材を所
要個数用意した。そして、各基材についてフッ酸水溶液
で酸洗いして基材表面の自然酸化膜を完全に除去した
後、直ちに液体有機チタン化合物の１種であるアセチル
アセトンチタンを周知のディップ方式で塗布し、このも
のを大気雰囲気下で温度４００℃で３０分間焼成した。
この塗布・焼成を２〜６回繰り返して基材表面に所要厚
みの光触媒膜を被覆形成してなる光触媒被覆材とした。

【００３３】このようにして得られた各々の光触媒被覆
材について、その光触媒膜の酸化チタン結晶含有率（体
積％）を先に説明したように透過型電子顕微鏡（ＴＥ
Ｍ）による断面観察像から幾何学的に計算し求めた。ま
た光触媒性を評価するために、ヨウ化カリウム水溶液
（濃度：０．１ｍｏｌ／Ｌ、１５０ｍＬ）に光触媒被覆
材をその酸化チタン膜の面が受光面（受光面積：２５ｃ
ｍ²）となるように浸漬し、強度２．６ｍＷ／ｃｍ²の
紫外線を３０分間照射したときに生成するヨウ素の量を
吸光度分析により求めた。結果を表１に示す。

【００３４】

【表１】

【００３５】表１に示すように、基材が普通鋼Ｓ５０Ｃ
よりなる比較例１〜５では、本発明で規定する「Ｔｉ含
有率が７０質量％以上のチタン基合金基材」という要件
を欠くため、膜中の酸化チタン結晶含有率が５０体積％
未満と低くなっており、焼成時に基材から非Ｔｉ金属原
子であるＦｅ原子が多量に表面方向に拡散して酸化チタ
ン結晶の生成を阻害したと考えられる。そのため、光触
媒性の指標であるヨウ素生成量は１×１０^-5〜３×１０
^-5ｍｏｌ程度と少なく、光触媒性が著しく低いものとな
っている。また同様に、比較例６〜１０では、チタン基
合金基材ではあるものの「Ｔｉ含有率が７０質量％以
上」という本発明で規定する要件を欠き、光触媒膜中の
酸化チタン結晶含有率が９０体積％未満と低いため光触
媒性が著しく低くなっている。

【００３６】これに対して、チタン基合金基材としてＴ
ｉ含有率が７０質量％（本発明で規定する下限値）以上
のＴｉ−Ｆｅ二元合金基材を用いた実施例１〜２４で
は、光触媒膜中の酸化チタン結晶含有率が９０体積％
（本発明で規定する下限値）以上になっており、ヨウ素
生成量も２０×１０^-5ｍｏｌ以上と多く、高い光触媒性
が得られている。Ｔｉ−Ｆｅ二元合金基材のＴｉ含有率
に着目すると、Ｔｉ含有率が大きくなるにしたがって光
触媒膜中の酸化チタン結晶含有率が高くなり、これにつ
れてヨウ素生成量も多くなっている。

【００３７】ただし、基材のＴｉ含有率が７０質量％以
上と高くなっても光触媒膜の膜厚が０．０５μｍである
比較例１１〜１６では、該膜の酸化チタン結晶含有率が
９０体積％に達せず、そのためにヨウ素生成量が少なく
光触媒性が著しく低い。一方、光触媒膜の膜厚が０．１
μｍ（本発明で規定する下限値）以上のものは、基材の
Ｔｉ含有率が７０質量％以上において該膜中の酸化チタ
ン結晶含有率が９０体積％以上となり、光触媒膜の膜厚
が０．２μｍ、０．３μｍと厚くなるほど、該膜中の酸
化チタン結晶含有率が増加しヨウ素生成量が増えて光触
媒性が向上する傾向が見られる。

【００３８】このように実施例１〜２４では高い光触媒
性を有する光触媒被覆材が得られた。そして、Ｔｉ含有
率８０質量％のＴｉ−Ｆｅ二元合金基材を用いた実施例
９〜１２では酸化チタン結晶含有率が９５〜９９体積％
という光触媒膜が得られ、さらにＴｉ含有率９０質量％
の基材を用いた実施例１７〜２０では酸化チタン結晶含
有率が９９体積％という光触媒膜が得られており、特に
光触媒性に優れた光触媒被覆材が得られている。

【００３９】〔実施例２５〜６９及び比較例１７〜６
１〕：焼成温度が光触媒膜の密着性に及ぼす影響、酸化
膜（自然酸化膜，陽極酸化膜）が密着性に及ぼす影響、
及び光触媒膜のアナターゼ型酸化チタン結晶体積比が光
触媒性に及ぼす影響について説明する。

【００４０】Ｔｉ含有率が９５質量％のＴｉ−Ｆｅ二元
合金を溶製し、これを厚み１ｍｍ×幅５０ｍｍ×長さ５
０ｍｍの寸法に板加工してチタン基合金からなる基材を
所要個数用意した。そして、後述のように基材表面の状
態を変化させた各基材について、液体有機チタン化合物
であるアセチルアセトンチタンをディップ方式で塗布
し、大気雰囲気下で３５０〜９００℃での各種温度（表
２〜表４参照）にて３０分間焼成を行った。各基材につ
いてこの塗布・焼成を５回繰り返して基材上に厚み０．
５μｍの光触媒膜を被覆形成して、光触媒被覆材とし
た。

【００４１】前記の基材表面の処理について説明する
と、用意した所要個数の基材のうち、その一部について
はフッ酸水溶液で酸洗いして基材表面の自然酸化膜を完
全に除去した後、直ちに前記の塗布・焼成を行った。ま
た、一部については大気中に放置することにより、０．
００５〜０．０５μｍ（表２〜表４参照）の自然酸化膜
を生成させてから前記の塗布・焼成を行った。さらに、
残りの基材については、濃度１ｖｏｌ％のリン酸水溶液
中で印加電圧５０〜１００Ｖにて陽極酸化処理を行い、
厚み０．０８〜０．２μｍ（表２〜表４参照）の陽極酸
化膜を形成させてから前記の塗布・焼成を行った。

【００４２】なお、前記自然酸化膜と陽極酸化膜とは、
それらの電子線回折像によると酸化チタン結晶をわずか
に部分的に含有するものの、大部分は非晶質（アモルフ
ァス）構造であることを確認している。

【００４３】このようにしてつくられた各光触媒被覆材
について、スクラッチ試験により光触媒膜が剥離すると
きの臨界荷重を測定することにより、密着性を評価し
た。スクラッチ試験は、直径２００μｍの半球状ダイヤ
モンド圧子を用い、荷重負荷速度：１００Ｎ／ｍｉｎ、
試料移動速度：１０ｍｍ／ｍｉｎにて垂直荷重を連続的
に負荷して、前記臨界荷重を測定する試験である。ま
た、先の実施例１〜２４の場合と同様なヨウ素生成試験
により光触媒性を評価した。また各処理温度毎の代表例
として、酸洗いして自然酸化膜を除去した基材上に各温
度による焼成で形成された光触媒膜について、先に説明
したように透過型電子顕微鏡による断面観察像からアナ
ターゼ型酸化チタン結晶体積比を幾何学的に計算により
求めた（実施例２５，３０，３５，４０，４５，５０，
５５，６０，６５）。これらの試験結果を表２〜表４に
示す。

【００４４】

【表２】

【００４５】

【表３】

【００４６】

【表４】

【００４７】表２から分かるように、比較例１７〜２５
では、本発明で規定する「温度４００℃以上で焼成」と
いう要件を欠き、焼成温度が３５０℃と低いため塗布さ
れた有機チタンが酸化チタン結晶に転化しておらず、そ
のためヨウ素生成量は２×１０^-5ｍｏｌ以下と少なく、
光触媒性が著しく弱いものとなっている。

【００４８】一方、実施例では、焼成温度が４００℃
（実施例２５〜２９），４５０℃（実施例３０〜３
４），５００℃（実施例３５〜３９），５５０℃（実施
例４０〜４４），６００℃（実施例４５〜４９）のもの
では、塗布された有機チタンはアナターゼ型酸化チタン
結晶体積比が９５％以上よりなる酸化チタン結晶に転化
するためにヨウ素生成量が５０×１０^-5ｍｏｌ前後の値
にまでなっており、高い光触媒性が得られている。

【００４９】そして、焼成温度が６５０℃（実施例５０
〜５４），７００℃（実施例５５〜５９）のものでは、
アナターゼ型酸化チタン結晶の一部がルチル型酸化チタ
ン結晶に転化し、アナターゼ型酸化チタン結晶体積比が
９０〜８０％に低下し、これによって光触媒性の若干の
低下が見られる。また、焼成温度７５０℃（実施例６０
〜６４）のものでは、アナターゼ型酸化チタン結晶体積
比が６０％になり、焼成温度９００℃（実施例６５〜６
９）のものでは、すべてがルチル型酸化チタン結晶より
なる光触媒膜となってヨウ素生成量が２０×１０^-5ｍｏ
ｌ程度まで低くなっている。これら焼成温度７５０℃，
９００℃のものは「アナターゼ型酸化チタン結晶体積
比：８０％以上」という本発明の推奨条件から外れるも
のの、ヨウ素生成量が２０×１０^-5ｍｏｌ以上であり光
触媒性はある程度良い。

【００５０】このように表２，表３に示される光触媒性
の低下傾向から、焼成温度の上限側については、７００
℃以下にて全酸化チタン結晶中のアナターゼ型酸化チタ
ン結晶体積比を８０％以上とし、好ましくは６５０℃以
下にて同体積比を９０％以上とし、特に好ましくは６０
０℃以下にて同体積比を９５％以上にすることがよいと
いう結果が得られた。

【００５１】また焼成温度の下限側については、表２に
示されるように、焼成温度が４００℃，４５０℃，５０
０℃と高くなるにしたがって界面間におけるＴｉ原子の
相互拡散が促進されるので、光触媒膜の密着性を表す剥
離臨界荷重が増加することから、４００℃以上、好まし
く４５０℃以上、特に好ましくは５００℃以上にするこ
とがよいという結果が得られている。

【００５２】一方、基材と光触媒膜の間にある酸化膜に
ついては、自然酸化膜や陽極酸化膜などの非晶質膜が存
在すると光触媒膜の剥離臨界荷重が低下するものの、実
施例２５〜６９ではいずれも剥離臨界荷重３０Ｎ以上と
いう密着性の良いものが得られている。この酸化膜の膜
厚については、厚み０．０５μｍ以下、光触媒膜の密着
性を高める点から、好ましくは厚み０．０３μｍ以下、
特に好ましくは厚み０．０１μｍ以下という結果が得ら
れている。

【００５３】ところが比較例２２〜６１では、本発明で
規定する「厚み０．０５μｍ以下」という要件を欠き、
焼成時における塗膜のＴｉ原子と基材のＴｉ原子との界
面間での相互拡散、及びＯ原子の基材への侵入が妨げら
れるため、剥離臨界荷重値が実施例の「１／１０」程度
と大幅に小さくなっており、光触媒膜の密着性が極めて
悪い。例えば比較例３７では、基材と酸化チタン膜の間
に、印加電圧１００Ｖにて形成された厚み０．２０μｍ
の陽極酸化膜（非晶質膜）が存在している。このため、
焼成時に前記陽極酸化膜の存在によって基材からの不純
物が光触媒膜に入ることはないので、光触媒性は十分に
良く、４９×１０^-5ｍｏｌのヨウ素生成量が得られてい
るものの、焼成時における界面間でのＴｉ原子の相互拡
散が抑制されて基材と光触媒膜とが一体となった構造が
得られず、剥離臨界荷重値は３Ｎという低い値であっ
た。

【００５４】次に、実施例に基づいて、本発明に係る光
触媒による汚染物質含有物浄化方法と光触媒による汚染
物質含有物浄化装置について説明する。

【００５５】〔実施例７０〕：ここでは、悪臭物質であ
るアンモニアの分解・除去性能と殺菌性能（滅菌性能）
について調べた。図１は本発明の一実施形態による消臭
装置の構成を示す説明図である。図１において、１７は
断面矩形で角形形状をなし、生ゴミをバクテリアにより
減量して堆肥化するため生ゴミ処理槽（コンポスタ
ー）、１１は断面矩形で角形形状をなし、生ゴミ処理槽
１７の上方に配設された消臭槽、１５は生ゴミ処理槽１
７と消臭槽１１とを連通する処理気体導入管、１６は消
臭槽１１と生ゴミ処理槽１７とを連通する処理気体排出
管、１４は処理気体導入管内に設けられた吸引ファンで
ある。消臭槽１１の内周面には光触媒被覆材１２が全周
にわたって貼り付けられている。また、消臭槽１１の内
部には消臭槽中心軸線に沿って延びる蛍光灯型の紫外線
ランプ１３（波長２５０ｎｍの殺菌灯を使用した）が配
置されている。

【００５６】光触媒による汚染物質含有物浄化装置とし
ての消臭装置１０は、光触媒被覆材１２を用いて構成さ
れた光触媒部としての消臭槽１１と、消臭槽１１を構成
する光触媒被覆材１２の表面に紫外線を照射する紫外線
照射部としての紫外線ランプ１３と、汚染物質である悪
臭物質を含有する気体を消臭槽１１に導き、紫外線が照
射されている光触媒被覆材１２の表面に接触させるため
の汚染物質含有物導入手段としての吸引ファン１４、処
理気体導入管１５及び処理気体排出管１６と、により構
成されている。

【００５７】このように構成された消臭装置１０を備え
た生ゴミ処理槽１７において、生ゴミ処理槽１７内に残
飯、野菜くず及び肉などからなる生ゴミと、バクテリア
による発酵を促すための酵母菌とを投入し、生ゴミを発
酵させることにより、生ゴミ処理槽１７内に悪臭物質と
細菌とを含有する温度約４５℃の気体を発生させた。前
記細菌は生ゴミの堆肥化に伴う好熱性細菌などの細菌で
ある。この悪臭物質と細菌とを含有する気体を、生ゴミ
処理槽１７内から処理気体導入管１５を介して消臭槽１
１内に導き、消臭槽１１内を通過させながら、紫外線ラ
ンプ１３にて強度１０ｍＷ／ｃｍ²の紫外線が照射され
ている光触媒被覆材１２の表面に接触させるようにし
た。この消臭槽１１内を通過した気体は、処理気体排出
管１６を介して生ゴミ処理槽１７内に戻るようになって
いる。本実験では、生ゴミ処理槽１７からの気体を５時
間連続循環させた。なお、消臭槽１１内に図示しない冷
却コイルをこれが光触媒被覆材１２に接触するように設
け、該冷却コイル内に冷却媒体を流すことにより、光触
媒被覆材１２をその温度が５℃程度になるように冷却し
た。これは、気体中の水分が光触媒被覆材１２に触れて
結露するため、悪臭物質や細菌を光触媒被覆材１２表面
に接触させる点で有利なためである。

【００５８】本実験では、表５に示すように、消臭槽１
１に用いる光触媒被覆材１２として、比較のために実験
Ｎｏ．１では光触媒膜を被覆しないＴｉ含有率９５質量
％のチタン合金材を使用し、比較のために実験Ｎｏ．２
では普通鋼Ｓ５０Ｃよりなる基材に厚み０．４μｍの光
触媒膜を被覆したもの（表１の比較例５）を使用し、比
較のために実験Ｎｏ．３ではＴｉ含有率６５質量％のチ
タン合金基材に厚み０．４μｍの光触媒膜を被覆したも
の（表１の比較例１０）を使用した。また、実験Ｎｏ．
４ではＴｉ含有率９０質量％のチタン合金基材に厚み
０．４μｍの光触媒膜を被覆したもの（表１の実施例２
０）を使用し、実験Ｎｏ．５ではＴｉ含有率９５質量％
のチタン合金基材に厚み０．４μｍの光触媒膜を被覆し
たもの（表１の実施例２４）を使用した。

【００５９】そして、本実験においては、悪臭物質であ
るアンモニア（ＮＨ₄）の濃度を測定した。すなわち、
消臭槽１１の光触媒被覆材１２に触れて結露した水分を
消臭槽１１の外部に排出させて採取した。この採取され
た水１００ｍＬを１リットル容器に入れて３０分放置し
てから、該容器中の悪臭物質であるアンモニアの濃度を
測定した。また、前記採取された水１ｇ当たりの全菌数
を平板希釈法により計測した。結果を表５に示す。

【００６０】なお、消臭槽１１として、Ｔｉ含有率９５
質量％のチタン合金基材に厚み０．１０μｍの陽極酸化
膜と厚み０．５μｍの光触媒膜とをこの順で被覆してな
る光触媒被覆材（表２の比較例２７）を使用したもの、
及び、Ｔｉ含有率９５質量％のチタン合金基材に厚み
０．２０μｍの陽極酸化膜と厚み０．５μｍの光触媒膜
とをこの順で被覆してなる光触媒被覆材（表２の比較例
２９）を使用したものとについても、実験を行った。し
かしながら、これら両方の消臭槽ともに、実験中にその
光触媒膜が前記陽極酸化膜の存在によって剥離してしま
い、耐久性の点で実用に適するものでなかった。

【００６１】

【表５】

【００６２】表５に示すように、アンモニア濃度につい
ては、実験Ｎｏ．２と実験Ｎｏ．３の各比較例では、光
触媒膜の無い場合（実験Ｎｏ．１の比較例）に比較して
約６０％に低下しているものの、１５〜１６ｐｐｍ程度
残留していた。これに対して、実験Ｎｏ．４と実験Ｎ
ｏ．５の各発明例では、１ｐｐｍ以下にまで減らすこと
ができた。一方、細菌については、光触媒膜の無い場合
（実験Ｎｏ．１の比較例）では、紫外線照射にてある程
度殺菌されるものの、数として１０⁵〔ＣＦＵ／ｇ〕台
の菌が残っていた。また、実験Ｎｏ．２と実験Ｎｏ．３
の各比較例では、菌数が１０⁴〔ＣＦＵ／ｇ〕台まで減
少したものの、殺菌効果は十分ではなかった。これに対
して、実験Ｎｏ．４と実験Ｎｏ．５の各発明例では、菌
数が１０²〔ＣＦＵ／ｇ〕台まで減少し、優れた殺菌効
果が得られた。

【００６３】なお、さらに優れた消臭効果を得るため、
消臭槽１１に用いる光触媒被覆材として、光触媒膜の表
面に、活性炭やゼオライトなどの悪臭吸着機能を持つ吸
着剤の粒子を分散させた構造とし、これにより光触媒と
吸着剤を複合させたものを用いるようにしてもよい。

【００６４】また、前記実施の形態では悪臭物質である
アンモニアの分解・除去について述べたが、本発明は、
他の悪臭物質であるメチルメルカプタンや硫化水素、さ
らに大気汚染物質であるＮＯ_XやＳＯ_Xの分解・除去に
も有効である。

【００６５】〔実施例７１〕：ここでは、クリーンルー
ム内の局所空間における有機性ガス汚染防止性能につい
て調べた。図２は本発明の一実施形態による空気浄化装
置の構成を示す説明図である。図２において、２５は内
部に多数のシリコンウエハ２６を収納するウエハ収納箱
である。ウエハ収納箱２５は、本例ではクラス１０００
００のクリーンルーム内に設置されており、クリーンル
ーム内の局所空間を形成している。ウエハ収納箱２５の
背面には紫外線を通す石英ガラス窓２４が設けられてお
り、このウエハ収納箱２５内における石英ガラス窓２４
に近接した位置に光触媒パネル２１が配置されている。
光触媒パネル２１は、本例では矩形をなすパネル基板上
に光触媒被覆材２２を貼り付けてなるものである。ま
た、石英ガラス窓２４を間にしてウエハ収納箱２５の外
側には蛍光灯型の紫外線ランプ２３（波長２５０ｎｍの
殺菌灯を使用した）が配置されている。ウエハ収納箱２
５の内部には、光触媒パネル２１を間にして石英ガラス
窓２４とは反対側に位置に試料台２７が配置されてお
り、この試料台２７上にシリコンウエハ２６が載置され
ている。前記紫外線ランプ２３は、石英ガラス窓２４を
通して光触媒被覆材２２の表面に紫外線を照射する一
方、ランプ熱に起因する温度差によりウエハ収納箱２５
内の空気を流動化させるものである。図２における矢印
で示すように、紫外線ランプ２３によりウエハ収納箱２
５内の空気を光触媒被覆材２２表面に接触させるように
循環させることができる。

【００６６】光触媒による汚染物質含有物浄化装置とし
ての空気浄化装置２０は、光触媒被覆材２２を用いて構
成された光触媒部としての光触媒パネル２１と、光触媒
パネル２１を構成する光触媒被覆材２２の表面に紫外線
を照射する紫外線照射部としての紫外線ランプ２３及び
石英ガラス窓２４と、により構成されている。ここで、
紫外線ランプ２３は、汚染物質である有機性ガスを含有
する気体を光触媒パネル２１に導き、紫外線が照射され
ている光触媒被覆材２２の表面に接触させるための汚染
物質含有物導入手段をも構成している。

【００６７】さて、クリーンルーム内に設置されたウエ
ハ収納箱２５内には、シリコンウエハ２６の搬入、搬出
により、汚染物質を含むクリーンルーム空気が侵入する
ことになる。前記のように構成された空気浄化装置２０
を備えたウエハ収納箱２５において、ウエハ収納箱２５
内に置かれたシリコンウエハ２６表面の有機性ガスによ
る汚染度を調べた。ここで、有機性ガスとは例えば、フ
タル酸エステル、脂肪族エステル、トルエン、エチルベ
ンゼンである。これらの有機性ガスがシリコンウエハ２
６表面に付着すると、シリコンウエハ２６表面は疎水性
になり、該表面に成膜される膜の付着力が弱くなるとい
う不具合がある。

【００６８】本実験では、表６に示すように、光触媒パ
ネル２１に用いる光触媒被覆材２２として、比較のため
に実験Ｎｏ．６では光触媒膜を被覆しないＴｉ含有率９
５質量％のチタン合金材を使用し、比較のために実験Ｎ
ｏ．７では普通鋼Ｓ５０Ｃよりなる基材に厚み０．４μ
ｍの光触媒膜を被覆したもの（表１の比較例５）を使用
し、比較のために実験Ｎｏ．８ではＴｉ含有率６５質量
％のチタン合金基材に厚み０．４μｍの光触媒膜を被覆
したもの（表１の比較例１０）を使用した。また、実験
Ｎｏ．９ではＴｉ含有率９０質量％のチタン合金基材に
厚み０．４μｍの光触媒膜を被覆したもの（表１の実施
例２０）を使用し、実験Ｎｏ．１０ではＴｉ含有率９５
質量％のチタン合金基材に厚み０．４μｍの光触媒膜を
被覆したもの（表１の実施例２４）を使用した。

【００６９】そして、本実験では、シリコンウエハ表面
の有機性ガスによる汚染度は、水によるぬれの接触角を
測定する水滴接触角法により評価した。有機性ガスがシ
リコンウエハ表面に付着すると、前述したようにシリコ
ンウエハ表面は疎水性になり、水をはじいてぬれにくく
なる。よって、有機性ガスの汚染度が高いほど接触角が
大きく、逆に汚染度が低いほど接触角が小さい。実験
は、ウエハ収納箱２５内に洗浄された清浄なシリコンウ
エハを置き、光触媒被覆材２２の表面に紫外線を照射
し、所定収納時間後にウエハ収納箱２５から取り出され
た所定数のシリコンウエハについて接触角を測定するこ
とにより行った。紫外線ランプ２３による光触媒被覆材
２２の照射量は５０ｍＷ／ｃｍ²である。結果を表６に
示す。

【００７０】なお、光触媒パネル２１として、前記表２
の比較例２７の光触媒被覆材を使用したもの、及び前記
表２の比較例２９の光触媒被覆材を使用したものとにつ
いても、実験を行った。しかしながら、これら両方の光
触媒パネルともに、実験中にその光触媒膜が剥離してし
まい、耐久性の点で実用に適するものでなかった。

【００７１】

【表６】

【００７２】表６に示すように、光触媒膜の無い場合
（実験Ｎｏ．６の比較例）は、収納時間が長くなるに従
って有機性ガスによる汚染が進行するため接触角が大き
くなり、収納時間が３０時間を超えると接触角が２４°
程度に落ちつく傾向が見られた。実験Ｎｏ．７と実験Ｎ
ｏ．８の各比較例では、収納時間が５０時間でも接触角
が２０°以下となっているものの、シリコンウエハに対
する有機性ガス汚染防止効果は十分でなかった。これに
対して、実験Ｎｏ．９と実験Ｎｏ．１０の各発明例で
は、接触角が初期値５°のままで全く増大せず、優れた
有機性ガス汚染防止効果が得られた。

【００７３】なお、前記実施の形態ではクリーンルーム
内の局所空間の気体浄化について述べたが、本発明はク
リーンルームの気体浄化にも適用可能である。

【００７４】〔実施例７２〕：ここでは、飼育水中に溶
存するアンモニアの分解・除去性能について調べた。図
３は本発明の一実施形態による水浄化装置の構成を示す
説明図である。図３において、３７は上面が開口した箱
形の鑑賞魚飼育水槽である。この鑑賞魚飼育水槽３７の
上に、上面が開口した箱形の光触媒フィルタ槽３１が図
示しない支持板を介して配置されている。光触媒フィル
タ槽３１内には後述する網目構造の光触媒被覆材３２が
収納されている。３５は処理水導入管、３４は処理水導
入管３５の途中に設けられた送水ポンプであり、送水ポ
ンプ３４に吸入された鑑賞魚飼育水槽３７内の飼育水
は、処理水導入管３５を通って光触媒フィルタ槽３１中
に導入される。光触媒フィルタ槽３１に導入された飼育
水は、後述する網目構造の光触媒被覆材３２に接触しな
がら網目の隙間を通り、次いで処理水排出管３６を通っ
て鑑賞魚飼育水槽３７へ戻されるようになっている。光
触媒フィルタ槽３１上方には、蛍光灯型の紫外線ランプ
３３（波長２５０ｎｍの殺菌灯を使用した）が配置され
ている。

【００７５】前記網目構造の光触媒被覆材３２は、外形
寸法：幅３２０ｍｍ×長さ１１５ｍｍ×厚み０．１ｍ
ｍ、網目寸法：１ｍｍ×１ｍｍ、という網状に形成され
た網状光触媒被覆材を１０枚積み重ねてなるものであ
る。この網目構造の光触媒被覆材３２を、幅３２０ｍｍ
×長さ１１５ｍｍ×高さ１００ｍｍという外形寸法の光
触媒フィルタ槽３１内に収納してある。

【００７６】光触媒による汚染物質含有物浄化装置とし
ての水浄化装置３０は、網目構造の光触媒被覆材３２を
用いて構成された光触媒部としての光触媒フィルタ槽３
１と、この光触媒フィルタ槽３１を構成する前記網目構
造の光触媒被覆材３２の表面に紫外線を照射する紫外線
照射部としての紫外線ランプ３３と、魚類にとって有害
なアンモニアを含む飼育水を光触媒フィルタ槽３１に導
き、紫外線が照射されている網目構造の光触媒被覆材３
２の表面に接触させるための汚染物質含有物導入手段と
しての送水ポンプ３４、処理水導入管３５及び処理水排
出管３６と、により構成されている。

【００７７】本実験では、表７に示すように、網目構造
の光触媒被覆材３２として、比較のために実験Ｎｏ．１
１では光触媒膜を被覆しないＴｉ含有率９５質量％のチ
タン合金材を網状に形成したものを使用し、比較のため
に実験Ｎｏ．１２では普通鋼Ｓ５０Ｃよりなる基材を網
状に形成し、これに厚み０．４μｍの光触媒膜を被覆し
たもの（表１の比較例５を網状に形成したもの）を使用
し、比較のために実験Ｎｏ．１３ではＴｉ含有率６５質
量％のチタン合金基材を網状に形成し、これに厚み０．
４μｍの光触媒膜を被覆したもの（表１の比較例１０を
網状に形成したもの）を使用した。また、実験Ｎｏ．１
４ではＴｉ含有率９０質量％のチタン合金基材を網状に
形成し、これに厚み０．４μｍの光触媒膜を被覆したも
の（表１の実施例２０を網状に形成したもの）を使用
し、実験Ｎｏ．１５ではＴｉ含有率９５質量％のチタン
合金基材を網状に形成し、これに厚み０．４μｍの光触
媒膜を被覆したもの（表１の実施例２４を網状に形成し
たもの）を使用した。

【００７８】本実験においては、送水ポンプ３４を作動
させたときの光触媒フィルタ槽３１の水面より高さ５０
ｍｍの位置に紫外線ランプ３３を配置し、紫外線ランプ
３３の前記水面における強度が１０ｍＷ／ｃｍ²となる
ようにした。そして、鑑賞魚飼育水槽３７に金魚２０匹
を飼育し、送水ポンプ３４により飼育水を光触媒フィル
タ槽３１を通して循環させながら、金魚の排泄によって
生成する飼育水中のアンモニアの濃度を測定した。その
結果を表７に示す。

【００７９】なお、網目構造の光触媒被覆材３２とし
て、前記表２の比較例２７の光触媒被覆材を網状に形成
し、これを使用したもの、及び、前記表２の比較例２９
の光触媒被覆材を網状に形成し、これを使用したものと
についても、実験を行った。しかしながら、これら両方
の網目構造の光触媒被覆材ともに、実験中にその光触媒
膜が剥離してしまい、耐久性の点で実用に適するもので
なかった。

【００８０】

【表７】

【００８１】表７に示すように、光触媒膜の無い場合
（実験Ｎｏ．１１の比較例）、アンモニア濃度は２週間
までは時間の経過とともに増加し、３週間を超えると徐
々に低下した。この低下の理由は、鑑賞魚飼育水槽３７
において増殖した微生物が飼育水の浄化に寄与するため
と考えられる。実験Ｎｏ．１２と実験Ｎｏ．１３の各比
較例では、アンモニアの分解・除去効果が認められるも
のの、十分でなかった。これに対して、実験Ｎｏ．１４
と実験Ｎｏ．１５の各発明例では、アンモニア濃度が初
期値０ｐｐｍのままで全く増大せず、アンモニアを効果
的に分解・除去することができた。

【００８２】なお、前記実施の形態では水質汚染物質で
あるアンモニアの分解・除去について述べたが、本発明
は、他の水質汚染物質として、藻類などの微生物、プラ
ンクトンの死骸、ダイオキシンについてもその分解・除
去に有効である。

【００８３】〔実施例７３〕：ここでは、揮発性汚染物
質であるトリクロロエチレンの分解・除去性能について
調べた。図４は本発明の一実施形態による揮発性汚染物
質除去装置の構成を示す説明図である。図４において、
４６はストリッピング（Ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ）槽であ
る。ストリッピング槽４６は、該ストリッピング槽４６
の底面近くに接続された処理水供給管４６ｂを通して揮
発性汚染物質であるトリクロロエチレンを含む処理水が
供給される一方、圧縮空気吹込み管４６ａを通して圧縮
空気が前記処理水中に吹き込まれるように構成されてい
る。ストリッピング槽４６は、空気バブリングによる脱
気を行うことにより、処理水に含まれるトリクロロエチ
レンを空気中に移行（抽出）するためのものである。４
１はストリッピング槽４６の外部に設けられたリアクタ
ーである。断面矩形で角形形状をなすリアクター４１の
内周面には光触媒被覆材４２が全周にわたって貼り付け
られている。また、リアクター４１の内部にはリアクタ
ー中心軸線に沿って延びる蛍光灯型の紫外線ランプ４３
（波長２５０ｎｍの殺菌灯を使用した）が配置されてい
る。４５はストリッピング槽４６とリアクター４１とを
連通し、ストリッピング槽４６内からトリクロロエチレ
ンを含む空気をリアクター４１に導くための処理気体導
入管である。この処理気体導入管４５の途中に吸引ファ
ン４４が設けられている。なお、リアクター４１の下流
側の面には次工程につながる配管が接続されている。

【００８４】光触媒による汚染物質含有物浄化装置とし
ての揮発性汚染物質除去装置４０は、光触媒被覆材４２
を用いて構成された光触媒部としてのリアクター４１
と、リアクター４１を構成する光触媒被覆材４２の表面
に紫外線を照射する紫外線照射部としての紫外線ランプ
４３と、揮発性汚染物質であるトリクロロエチレンを含
む空気をリアクター４１に導き、紫外線が照射されてい
る光触媒被覆材４２の表面に接触させるための汚染物質
含有物導入手段としてのストリッピング槽４６、処理気
体導入管４５及び吸引ファン４４と、により構成されて
いる。

【００８５】本実験では、表８に示すように、リアクタ
ー４１に用いる光触媒被覆材４２として、比較のために
実験Ｎｏ．１６では光触媒膜を被覆しないＴｉ含有率９
５質量％のチタン合金材を使用し、比較のために実験Ｎ
ｏ．１７では普通鋼Ｓ５０Ｃよりなる基材に厚み０．４
μｍの光触媒膜を被覆したもの（表１の比較例５）を使
用し、比較のために実験Ｎｏ．１８ではＴｉ含有率６５
質量％のチタン合金基材に厚み０．４μｍの光触媒膜を
被覆したもの（表１の比較例１０）を使用した。また、
実験Ｎｏ．１９ではＴｉ含有率９０質量％のチタン合金
基材に厚み０．４μｍの光触媒膜を被覆したもの（表１
の実施例２０）を使用し、実験Ｎｏ．２０ではＴｉ含有
率９５質量％のチタン合金基材に厚み０．４μｍの光触
媒膜を被覆したもの（表１の実施例２４）を使用した。

【００８６】本実験では、ストリッピング槽４６内に濃
度１００ｐｐｍのトリクロロエチレンを含む処理水を送
り込み、ストリッピング槽４６内において空気バブリン
グによる脱気を行うことにより、空気中に移行されたト
リクロロエチレンを含む空気を得、このトリクロロエチ
レンを含む空気をリアクター４１に導くようにした。紫
外線ランプ４３による光触媒被覆材４２の照射量は１０
ｍＷ／ｃｍ²である。そして、ストリッピング槽４６内
における空気中のトリクロロエチレン濃度（初期濃度）
とリアクター４１の下流側出口における空気中のトリク
ロロエチレン濃度（処理後の濃度）とを測定した。その
結果を表８に示す。なお、ストリッピング槽４６の排水
管４６ｃからの脱気がなされた処理水のトリクロロエチ
レン濃度は、実験Ｎｏ．１６〜Ｎｏ．２０のいずれの場
合も１０ｐｐｍまで低下していた。

【００８７】なお、前記表２の比較例２７の光触媒被覆
材と同じく表２の比較例２９の光触媒被覆材について
は、両者ともリアクターに貼り付ける段階でその光触媒
膜が剥離してしまい、耐久性の点で実用に適するもので
なかった。

【００８８】

【表８】

【００８９】表８に示すように、光触媒膜の無い場合
（実験Ｎｏ．１６の比較例）は、初期濃度と処理後の濃
度がともに１０ｐｐｍであり、トリクロロエチレンの分
解・除去効果が認められなかった。実験Ｎｏ．１７と実
験Ｎｏ．１８の各比較例では、処理後の濃度が初期濃度
より低下して８〜７ｐｐｍになっており、トリクロロエ
チレンの分解・除去効果が認められるものの、十分でな
かった。これに対して、実験Ｎｏ．１９と実験Ｎｏ．２
０の各発明例では、処理後の濃度が２〜１ｐｐｍまで低
下しており、トリクロロエチレンを効果的に分解・除去
することができた。

【００９０】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、チ
タン基合金基材上に光触媒膜として酸化チタン結晶の薄
膜を形成してなり、光触媒性と耐久性との両者に優れた
光触媒被覆材を提供することができる。また、本発明に
よれば、光触媒膜の剥離を生じることがなく耐久性の点
において実用に適するとともに、汚染物質を効果的に分
解・除去することができる、光触媒による汚染物質含有
物浄化方法、及び光触媒による汚染物質含有物浄化装置
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態による消臭装置の構成を示
す説明図である。

【図２】本発明の一実施形態による空気浄化装置の構成
を示す説明図である。

【図３】本発明の一実施形態による水浄化装置の構成を
示す説明図である。

【図４】本発明の一実施形態による揮発性汚染物質除去
装置の構成を示す説明図である。

【符号の説明】

１０…消臭装置１１…消臭槽１２…光触媒被覆材
１３…紫外線ランプ１４…吸引ファン１５…処理気体導入管１６…処理
気体排出管１７…生ゴミ処理槽２０…空気浄化装置
２１…光触媒パネル２２…光触媒被覆材２３…紫
外線ランプ２４…石英ガラス窓２５…ウエハ収納箱
２６…シリコンウエハ２７…試料台３０…水浄化
装置３１…光触媒フィルタ槽３２…光触媒被覆材
３３…紫外線ランプ３４…送水ポンプ３５…処理水
導入管３６…処理水排出管３７…鑑賞魚飼育水槽
４０…揮発性汚染物質除去装置４１…リアクター４
２…光触媒被覆材４３…紫外線ランプ４４…吸引フ
ァン４５…処理気体導入管４６…ストリッピング槽

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｂ０１Ｊ 23/745 Ｂ０１Ｊ 37/02 ３０１Ｅ 32/00 37/14 37/02 ３０１Ｃ０２Ｆ 1/32 37/14 1/72 １０１Ｂ０９Ｂ 3/00 ＺＡＢＦ２４Ｆ 7/06 ＣＣ０２Ｆ 1/32 Ｂ０１Ｄ 53/36 Ｊ 1/72 １０１ＧＦ２４Ｆ 7/06 Ｂ０１Ｊ 23/74 ３０１ＡＢ０９Ｂ 3/00 ＺＡＢＤ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】チタン基合金基材上に、アナターゼ型及
び／又はルチル型の酸化チタン結晶を９０体積％以上含
有する光触媒膜が形成されてなる光触媒被覆材であっ
て、前記チタン基合金基材のチタン含有量が７０質量％
以上であり、前記光触媒膜の厚みが０．１μｍ以上であ
り、前記チタン基合金基材と前記光触媒膜の間に存在
し、酸化チタン結晶、チタン基合金結晶とも異なる不可
避的薄膜の厚みが０．０５μｍ以下であることを特徴と
する光触媒被覆材。
【請求項２】前記光触媒膜中の全酸化チタン結晶に対
するアナターゼ型酸化チタン結晶の体積比が８０％以上
である請求項１記載の光触媒被覆材。
【請求項３】チタン含有量が７０質量％以上であるチ
タン基合金からなる基材をその表面酸化膜を除去すべく
酸洗処理し、しかる後、該チタン基合金基材表面に形成
される不可避的薄膜であって、酸化チタン結晶、チタン
基合金結晶とも異なる該不可避的薄膜の膜厚が０．０５
μｍ以下において、前記酸洗処理されたチタン基合金基
材にチタン化合物を塗布し、このものを酸素含有雰囲気
下で温度４００℃以上で焼成し、この塗布・焼成を１
回、あるいは２回以上繰り返し行うことにより、前記酸
洗処理されたチタン基合金基材上に酸化チタン結晶を９
０体積％以上含有し厚みが０．１μｍ以上の光触媒膜を
形成することを特徴とする光触媒被覆材の製造方法。
【請求項４】請求項１又は２記載の光触媒被覆材の表
面に、紫外線を照射するとともに汚染物質を含有する気
体又は液体を接触させることにより、前記汚染物質を分
解・除去することを特徴とする光触媒による汚染物質含
有物浄化方法。
【請求項５】請求項１又は２記載の光触媒被覆材を用
いて構成された光触媒部と、該光触媒部を構成する前記
光触媒被覆材の表面に紫外線を照射する紫外線照射部
と、汚染物質を含有する気体又は液体を前記光触媒部に
導き、前記紫外線が照射されている前記光触媒被覆材の
表面に接触させるための汚染物質含有物導入手段とを備
えていることを特徴とする光触媒による汚染物質含有物
浄化装置。
【請求項６】前記汚染物質が悪臭物質であり、生ゴミ
処理に用いられるものであることを特徴とする請求項５
記載の光触媒による汚染物質含有物浄化装置。
【請求項７】前記汚染物質が有機性ガスであり、クリ
ーンルーム又はクリーンルーム内の局所空間の気体浄化
に用いられるものであることを特徴とする請求項５記載
の光触媒による汚染物質含有物浄化装置。
【請求項８】前記汚染物質が揮発性汚染物質であり、
前記汚染物質含有物導入手段が、液体中に含まれる揮発
性汚染物質を気体中に移行させ、この移行させた揮発性
汚染物質を含む気体を前記紫外線が照射されている前記
光触媒被覆材の表面に導き接触させるように構成されて
なることを特徴とする請求項５記載の光触媒による汚染
物質含有物浄化装置。