JP2001168278A - パワー半導体モジュール及び電力変換装置 - Google Patents
パワー半導体モジュール及び電力変換装置Info
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- JP2001168278A JP2001168278A JP35000299A JP35000299A JP2001168278A JP 2001168278 A JP2001168278 A JP 2001168278A JP 35000299 A JP35000299 A JP 35000299A JP 35000299 A JP35000299 A JP 35000299A JP 2001168278 A JP2001168278 A JP 2001168278A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 モジュールの交換作業を容易にし、主回路の
インダクタンスを低減し、導体の温度上昇を抑制し得る
パワー半導体モジュールの提供。 【解決手段】 本発明は、べース７と絶縁パッケージ３
とで外囲器を構成し、その外囲器の中に半導体チップを
収納し、パッケージ３上に複数の主端子、例えばコレク
タ端子４又はカソード端子と、エミッタ端子又はアノー
ド５とを設けたパワー半導体モジュールに関する。両主
端子４，５をそれぞれべース７に平行に配置した状態で
パッケージ３の外部に突出させ、各主端子に形成した導
体取付ボルト１２用の貫通穴４ｈ，５ｈが外囲器の外部
に位置するように構成する。
インダクタンスを低減し、導体の温度上昇を抑制し得る
パワー半導体モジュールの提供。 【解決手段】 本発明は、べース７と絶縁パッケージ３
とで外囲器を構成し、その外囲器の中に半導体チップを
収納し、パッケージ３上に複数の主端子、例えばコレク
タ端子４又はカソード端子と、エミッタ端子又はアノー
ド５とを設けたパワー半導体モジュールに関する。両主
端子４，５をそれぞれべース７に平行に配置した状態で
パッケージ３の外部に突出させ、各主端子に形成した導
体取付ボルト１２用の貫通穴４ｈ，５ｈが外囲器の外部
に位置するように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁ゲート型バイ
ポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）などのスイッチング素
子やダイオード素子などを絶縁パッケージ内に収納した
パワー半導体モジュールと、それらを用いて構成される
電力変換装置に関する。
ポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）などのスイッチング素
子やダイオード素子などを絶縁パッケージ内に収納した
パワー半導体モジュールと、それらを用いて構成される
電力変換装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高性能かつ高効率に電力を変換する電力
変換装置には、高速スイッチングの可能なＩＧＢＴなど
のスイッチング素子をパッケージ内に収納したパワー半
導体モジュールが使用されている。これらの電力変換装
置には、大容量化・高性能化と同時に、小形化・信頼性
向上のニーズがある。そのため、様々なモジュール構
成、回路構成及び変換装置構成が用いられている。従来
のパワー半導体モジュールと変換装置の構成について、
図１１ないし図１６を参照して説明する。
変換装置には、高速スイッチングの可能なＩＧＢＴなど
のスイッチング素子をパッケージ内に収納したパワー半
導体モジュールが使用されている。これらの電力変換装
置には、大容量化・高性能化と同時に、小形化・信頼性
向上のニーズがある。そのため、様々なモジュール構
成、回路構成及び変換装置構成が用いられている。従来
のパワー半導体モジュールと変換装置の構成について、
図１１ないし図１６を参照して説明する。
【０００３】図１１は、中性点クランプ方式３レベルイ
ンバータ回路の１相分を示したものである。このインバ
ータ回路は、主回路を構成する４個のＩＧＢＴモジュー
ル１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄと、中性点クランプ用の２個
のダイオードモジュール２ａ，２ｂを用いて構成されて
いる。ＩＧＢＴモジュールは通常、複数のＩＧＢＴチッ
プを内蔵し、それらのＩＧＢＴチップを内部で並列接続
し、大電流化を図っている。同時に複数の還流用ダイオ
ードチップを内蔵して、各ＩＧＢＴチップに対し逆並列
に接続している。同様に、ダイオードモジュールも複数
のダイオードチップからなり、内部で並列接統されてい
る。
ンバータ回路の１相分を示したものである。このインバ
ータ回路は、主回路を構成する４個のＩＧＢＴモジュー
ル１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄと、中性点クランプ用の２個
のダイオードモジュール２ａ，２ｂを用いて構成されて
いる。ＩＧＢＴモジュールは通常、複数のＩＧＢＴチッ
プを内蔵し、それらのＩＧＢＴチップを内部で並列接続
し、大電流化を図っている。同時に複数の還流用ダイオ
ードチップを内蔵して、各ＩＧＢＴチップに対し逆並列
に接続している。同様に、ダイオードモジュールも複数
のダイオードチップからなり、内部で並列接統されてい
る。
【０００４】ＩＧＢＴチップ及びダイオードチップは、
１チップあたりの電圧や電流の定格に制限があり、大容
量の装置を構成するために、多数のチップを並列接続し
て電流定格の大きいモジュールを構成したり、チップを
高耐圧化して電圧定格の大きいモジュールを構成したり
している。
１チップあたりの電圧や電流の定格に制限があり、大容
量の装置を構成するために、多数のチップを並列接続し
て電流定格の大きいモジュールを構成したり、チップを
高耐圧化して電圧定格の大きいモジュールを構成したり
している。
【０００５】図１２は、ＩＧＢＴモジュールの外観を示
した図である。べ一ス７と絶縁パッケージ３によって外
囲器を構成し、その中にＩＧＢＴチップ及びダイオード
チップが収納される。このＩＧＢＴモジュールはベース
７を取付穴８に通した取付ボルトにより図示していない
絶縁基板に取り付けた状態で実装される。各チップの絶
縁基板は熱伝導率の大きい材料を用いて製作され、ＩＧ
ＢＴチップ及びダイオードチップから発生する熱をベー
ス７に伝導する。パッケージ３には、コレクタ端子４、
エミッタ端子５、及びゲート端子６が設けられており、
回路構成上必要な配線部材を接続することができるよう
にしている。なお、ここではコレクタ端子４とエミッタ
端子５を各々２個ずつ設けている。
した図である。べ一ス７と絶縁パッケージ３によって外
囲器を構成し、その中にＩＧＢＴチップ及びダイオード
チップが収納される。このＩＧＢＴモジュールはベース
７を取付穴８に通した取付ボルトにより図示していない
絶縁基板に取り付けた状態で実装される。各チップの絶
縁基板は熱伝導率の大きい材料を用いて製作され、ＩＧ
ＢＴチップ及びダイオードチップから発生する熱をベー
ス７に伝導する。パッケージ３には、コレクタ端子４、
エミッタ端子５、及びゲート端子６が設けられており、
回路構成上必要な配線部材を接続することができるよう
にしている。なお、ここではコレクタ端子４とエミッタ
端子５を各々２個ずつ設けている。
【０００６】なお、ダイオードモジュールは図示してい
ないが、ＩＧＢＴモジュールとほぼ同等の構成を持って
おり、ＩＧＢＴチップのコレクタ端子４の部分をカソー
ド端子とし、エミッタ端子５の部分をアノード端子とし
たものに相当する。ただし、ゲート端子６の部分は存在
しない。
ないが、ＩＧＢＴモジュールとほぼ同等の構成を持って
おり、ＩＧＢＴチップのコレクタ端子４の部分をカソー
ド端子とし、エミッタ端子５の部分をアノード端子とし
たものに相当する。ただし、ゲート端子６の部分は存在
しない。
【０００７】図１３は、図１２に示したＩＧＢＴモジュ
ール及び図示していないダイオードモジュールを用いた
３レベルインバータ回路一相分の構造例を示すものであ
る。ＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ及びダ
イオードモジュール２ａ，２ｂが冷却器９上に搭載され
ている。ＩＧＢＴモジュール１ｄの部分に例示したよう
に、ベース７に設けられた取付穴８に通したモジュール
取付ボルト１１により各モジュールを冷却器９に固定し
ている。なお、冷却器９には所定数のネジ穴を形成して
いるが、図示は省略している。
ール及び図示していないダイオードモジュールを用いた
３レベルインバータ回路一相分の構造例を示すものであ
る。ＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ及びダ
イオードモジュール２ａ，２ｂが冷却器９上に搭載され
ている。ＩＧＢＴモジュール１ｄの部分に例示したよう
に、ベース７に設けられた取付穴８に通したモジュール
取付ボルト１１により各モジュールを冷却器９に固定し
ている。なお、冷却器９には所定数のネジ穴を形成して
いるが、図示は省略している。
【０００８】ＩＧＢＴモジュールのコレクタ端子及びエ
ミッタ端子、並びにダイオードモジュールのカソード端
子及びアノード端子には、３レベルインバータ回路を構
成するのに必要な導体１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０
ｄ，１０ｅ及び１０ｆが接続される。同様にＩＧＢＴモ
ジュール１ｄの部分に例示したように、各導体は導体取
付ボルト１２により各端子に機械的に固定され電気的に
接続される。なお、各モジュールの端子部分にもネジ穴
を形成している。ＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１
ｃ，１ｄのゲート端子には、図示していないゲート回路
基板が被覆電線などの配線材を介して接続され、それに
よりゲート駆動用の信号が供給される。
ミッタ端子、並びにダイオードモジュールのカソード端
子及びアノード端子には、３レベルインバータ回路を構
成するのに必要な導体１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０
ｄ，１０ｅ及び１０ｆが接続される。同様にＩＧＢＴモ
ジュール１ｄの部分に例示したように、各導体は導体取
付ボルト１２により各端子に機械的に固定され電気的に
接続される。なお、各モジュールの端子部分にもネジ穴
を形成している。ＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１
ｃ，１ｄのゲート端子には、図示していないゲート回路
基板が被覆電線などの配線材を介して接続され、それに
よりゲート駆動用の信号が供給される。
【０００９】図１４は、６個のＩＧＢＴモジュール１
ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆを用いて構成された
三相インバータ回路を示したものである。図１５は、４
個のＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１ｄ，１ｅを用い
て構成された単相インバータ回路を示したものである。
また、図１６は、図１４に示した三相インバータ回路、
又は図１５に示した単相インバータ回路の１相分を示し
たものである。ここに示したインバータ回路の１相分
は、正側アーム及び負側アームにおいてそれぞれ各々３
個のＩＧＢＴモジュール１ａ、１ｂ，１ｃないし１ｄ，
１ｅ，１ｆをそれぞれ並列に接続したものである。いず
れの場合も、最終的には図１１の中性点クランプ方式３
レベルインバータ回路の場合と同様な回路構成にして用
いられる。
ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆを用いて構成された
三相インバータ回路を示したものである。図１５は、４
個のＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１ｄ，１ｅを用い
て構成された単相インバータ回路を示したものである。
また、図１６は、図１４に示した三相インバータ回路、
又は図１５に示した単相インバータ回路の１相分を示し
たものである。ここに示したインバータ回路の１相分
は、正側アーム及び負側アームにおいてそれぞれ各々３
個のＩＧＢＴモジュール１ａ、１ｂ，１ｃないし１ｄ，
１ｅ，１ｆをそれぞれ並列に接続したものである。いず
れの場合も、最終的には図１１の中性点クランプ方式３
レベルインバータ回路の場合と同様な回路構成にして用
いられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来のパワー半導体モ
ジュールと電力変換装置の構造を図１２及び図１３を参
照して検討する。
ジュールと電力変換装置の構造を図１２及び図１３を参
照して検討する。
【００１１】（１） 図１３において、ＩＧＢＴモジュ
ール１ａ〜１ｄ及びダイオードモジュール２ａ，２ｂを
相互接続する導体は、パッケージ３（図１２）を部分的
に覆うような形で配置される。そのため、故障などによ
りモジュールを交換する必要が生じた場合、まずモジュ
ール上に覆い被さっている導体を取り外すことが必要に
なる。たとえば、ＩＧＢＴｌｄを交換する場合、導体１
０ｄ，１０ｅを取り外す必要がある。モジュールの交換
後は、逆に導体１０ｄ，１０ｅを取付ける作業を必要と
する。そのため、モジュールの交換作業には相当の時間
がかかり、短時間に保守作業を行うことは難しい。
ール１ａ〜１ｄ及びダイオードモジュール２ａ，２ｂを
相互接続する導体は、パッケージ３（図１２）を部分的
に覆うような形で配置される。そのため、故障などによ
りモジュールを交換する必要が生じた場合、まずモジュ
ール上に覆い被さっている導体を取り外すことが必要に
なる。たとえば、ＩＧＢＴｌｄを交換する場合、導体１
０ｄ，１０ｅを取り外す必要がある。モジュールの交換
後は、逆に導体１０ｄ，１０ｅを取付ける作業を必要と
する。そのため、モジュールの交換作業には相当の時間
がかかり、短時間に保守作業を行うことは難しい。
【００１２】（２） 一部の導体はモジュール取付ボル
ト１１を覆うような位置に配置されるので、導体接続後
はモジュール取付ボルト１１の締め直しをすることが困
難である。このため、モジュール取付ボルト１１の増し
締めを行うような場合、一部の導体を取り外す必要が生
じ、同様に短時間の保守作業が困難となる。
ト１１を覆うような位置に配置されるので、導体接続後
はモジュール取付ボルト１１の締め直しをすることが困
難である。このため、モジュール取付ボルト１１の増し
締めを行うような場合、一部の導体を取り外す必要が生
じ、同様に短時間の保守作業が困難となる。
【００１３】（３） 各導体はモジュールの端子部分で
保持されるため、各導体の自重や外部から受ける振動に
より端子に外力が加わり、端子自体やモジュール内部の
接合部に応力が加わる。これによりモジュールの信頼性
上、好ましくない影響が生じる。
保持されるため、各導体の自重や外部から受ける振動に
より端子に外力が加わり、端子自体やモジュール内部の
接合部に応力が加わる。これによりモジュールの信頼性
上、好ましくない影響が生じる。
【００１４】（４） 各導体から発生する熱により温度
が上昇し、モジュールの絶縁パッケージ３や、モジュー
ルの直近に配置されている図示していないスナバ回路用
コンデンサなどの温度を上昇させる。その結果、各部材
の長期信頼性上、好ましくない影響が生じる。
が上昇し、モジュールの絶縁パッケージ３や、モジュー
ルの直近に配置されている図示していないスナバ回路用
コンデンサなどの温度を上昇させる。その結果、各部材
の長期信頼性上、好ましくない影響が生じる。
【００１５】（５） 複数のモジュールを相互接続する
関係上、各導体の長さが長くなり、それに応じて主回路
の配線インダクタンスが大きくなる。その結果、インダ
クタンスに応じて発生するサージ電圧が大きくなり、サ
ージ電圧分をディレーティングして通電する必要が生じ
る。逆に、所定容量の装置を構成する場合、モジュール
定格を大きくする必要が生じるので、装置が大形化す
る。
関係上、各導体の長さが長くなり、それに応じて主回路
の配線インダクタンスが大きくなる。その結果、インダ
クタンスに応じて発生するサージ電圧が大きくなり、サ
ージ電圧分をディレーティングして通電する必要が生じ
る。逆に、所定容量の装置を構成する場合、モジュール
定格を大きくする必要が生じるので、装置が大形化す
る。
【００１６】（６） 各モジュールは導体がパッケージ
を部分的に覆うような位置に配置されるので、ゲート信
号供給用の基板を各モジュールの直近に配置することが
できない。そのため、各モジュールから離れた位置にゲ
ート回路基板を配置し、被覆電線などの配線材を介して
ゲート端子６（図１２）に接続することになる。その結
果、ゲート回路の配線インピーダンスが大きくなり、高
速のスイッチングが困難になる。
を部分的に覆うような位置に配置されるので、ゲート信
号供給用の基板を各モジュールの直近に配置することが
できない。そのため、各モジュールから離れた位置にゲ
ート回路基板を配置し、被覆電線などの配線材を介して
ゲート端子６（図１２）に接続することになる。その結
果、ゲート回路の配線インピーダンスが大きくなり、高
速のスイッチングが困難になる。
【００１７】従って、本発明の目的は、モジュールの交
換作業を容易にし、主回路のインダクタンスを低減し、
導体の温度上昇を抑制し、ゲート配線のインピーダンス
を小さくすることであり、それにより、装置の保守性向
上、小形化、高性能化、及び信頼性の向上を実現するこ
とである。
換作業を容易にし、主回路のインダクタンスを低減し、
導体の温度上昇を抑制し、ゲート配線のインピーダンス
を小さくすることであり、それにより、装置の保守性向
上、小形化、高性能化、及び信頼性の向上を実現するこ
とである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る発明は、べースとその上に配置され
た絶縁パッケージとで構成された外囲器の中に半導体チ
ップを収納し、パッケージ上に複数の主端子を配設した
パワー半導体モジュールにおいて、複数の主端子をそれ
ぞれべースに平行に配置した状態でパッケージの外部に
突出させ、各主端子に形成した導体取付ボルト用の貫通
穴をボルトの軸心方向から見てパッケージの外部に位置
させたことを特徴とする。
め、請求項１に係る発明は、べースとその上に配置され
た絶縁パッケージとで構成された外囲器の中に半導体チ
ップを収納し、パッケージ上に複数の主端子を配設した
パワー半導体モジュールにおいて、複数の主端子をそれ
ぞれべースに平行に配置した状態でパッケージの外部に
突出させ、各主端子に形成した導体取付ボルト用の貫通
穴をボルトの軸心方向から見てパッケージの外部に位置
させたことを特徴とする。
【００１９】請求項２に係る発明は、請求項１に記載の
パワー半導体モジュールにおいて、パッケージ上に制御
端子基板を配置したことを特徴とする。
パワー半導体モジュールにおいて、パッケージ上に制御
端子基板を配置したことを特徴とする。
【００２０】請求項３に係る発明は、請求項１に記載の
パワー半導体モジュールにおいて、各主端子を相互に絶
縁した上、積層構造にして導出したことを特徴とする。
パワー半導体モジュールにおいて、各主端子を相互に絶
縁した上、積層構造にして導出したことを特徴とする。
【００２１】請求項４に係る発明は、請求項１に記載の
パワー半導体モジュールにおいて、パッケージにモジュ
ール取付ボルトを組込んだことを特徴とする。
パワー半導体モジュールにおいて、パッケージにモジュ
ール取付ボルトを組込んだことを特徴とする。
【００２２】請求項５に係る発明は、請求項１に記載の
パワー半導体モジュールにおいて、各端子にそれぞれ導
体取付ボルトを組込んだことを特徴とする。
パワー半導体モジュールにおいて、各端子にそれぞれ導
体取付ボルトを組込んだことを特徴とする。
【００２３】請求項６に係る発明は、複数のスイッチン
グモジュールと複数のダイオードモジュールにより中性
点クランプ方式３レベルインバータ回路を構成した電力
変換装置において、各スイッチングモジュール及び各ダ
イオードモジュールをそれぞれべースとその上に配置さ
れた絶縁パッケージとで構成した外囲器の中に個々に収
納し、パッケージ上に配設した複数の主端子をそれぞれ
べースに平行に配置した状態でパッケージの外部に突出
させ、各端子に形成した導体取付ボルト用の貫通穴をボ
ルトの軸心方向から見てパッケージの外部に位置させ、
各スイッチングモジュール及び各ダイオードモジュール
を共通の冷却器上に配置し、各モジュールの端子を、絶
縁シートを介して積層した複数の導体を介して冷却器の
側方に導出したことを特徴とする。
グモジュールと複数のダイオードモジュールにより中性
点クランプ方式３レベルインバータ回路を構成した電力
変換装置において、各スイッチングモジュール及び各ダ
イオードモジュールをそれぞれべースとその上に配置さ
れた絶縁パッケージとで構成した外囲器の中に個々に収
納し、パッケージ上に配設した複数の主端子をそれぞれ
べースに平行に配置した状態でパッケージの外部に突出
させ、各端子に形成した導体取付ボルト用の貫通穴をボ
ルトの軸心方向から見てパッケージの外部に位置させ、
各スイッチングモジュール及び各ダイオードモジュール
を共通の冷却器上に配置し、各モジュールの端子を、絶
縁シートを介して積層した複数の導体を介して冷却器の
側方に導出したことを特徴とする。
【００２４】請求項７に係る発明は、複数のスイッチン
グモジュールによりインバータ回路を構成した電力変換
装置において、各スイッチングモジュールをそれぞれべ
ースとその上に配置された絶縁パッケージとで構成した
外囲器の中に個々に収納し、パッケージ上に配設した複
数の主端子をそれぞれべースに平行に配置した状態でパ
ッケージの外部に突出させ、各主端子に形成した導体取
付ボルト用の貫通穴をボルトの軸心方向から見てパッケ
ージの外部に位置させ、複数のスイッチングモジュール
を共通の冷却器上に配置し、各モジュールの端子を、絶
縁シートを介して積層した複数の導体を介して冷却器の
側方に導出したことを特徴とする。
グモジュールによりインバータ回路を構成した電力変換
装置において、各スイッチングモジュールをそれぞれべ
ースとその上に配置された絶縁パッケージとで構成した
外囲器の中に個々に収納し、パッケージ上に配設した複
数の主端子をそれぞれべースに平行に配置した状態でパ
ッケージの外部に突出させ、各主端子に形成した導体取
付ボルト用の貫通穴をボルトの軸心方向から見てパッケ
ージの外部に位置させ、複数のスイッチングモジュール
を共通の冷却器上に配置し、各モジュールの端子を、絶
縁シートを介して積層した複数の導体を介して冷却器の
側方に導出したことを特徴とする。
【００２５】請求項８に係る発明は、請求項７に記載の
電力変換装置において、インバータ回路の１相分を構成
するスイッチングモジュールごとに共通の冷却器上に配
置したことを特徴とする。
電力変換装置において、インバータ回路の１相分を構成
するスイッチングモジュールごとに共通の冷却器上に配
置したことを特徴とする。
【００２６】請求項９に係る発明は、請求項６又は７に
記載の電力変換装置において、絶縁シートを熱伝導性絶
縁シートによって構成したことを特徴とする。
記載の電力変換装置において、絶縁シートを熱伝導性絶
縁シートによって構成したことを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】＜実施の形態１＞本発明の第１の
実施の形態について図１を用いて説明する。図１に示す
パワー半導体モジュールにおいては、べース７とその上
に配置された絶縁パッケージ３とで構成された外囲器の
中に半導体チップを収納し、パッケージ３上に複数の主
端子、すなわちコレクタ端子４とエミッタ端子５を、そ
れぞれベース７に対して平行にした状態でパッケージ３
の外部に突出させ、各主端子４，５に形成した導体取付
ボルト用の貫通穴４ｈ，５ｈをボルトの軸心方向から見
てパッケージ３の外部に位置させている。各主端子４，
５は、ベース７に設けた取付穴８と干渉しないように位
置決めされている。パッケージ３上には、主端子４，５
とは反対側に制御端子すなわちゲート端子６も配設され
ている。
実施の形態について図１を用いて説明する。図１に示す
パワー半導体モジュールにおいては、べース７とその上
に配置された絶縁パッケージ３とで構成された外囲器の
中に半導体チップを収納し、パッケージ３上に複数の主
端子、すなわちコレクタ端子４とエミッタ端子５を、そ
れぞれベース７に対して平行にした状態でパッケージ３
の外部に突出させ、各主端子４，５に形成した導体取付
ボルト用の貫通穴４ｈ，５ｈをボルトの軸心方向から見
てパッケージ３の外部に位置させている。各主端子４，
５は、ベース７に設けた取付穴８と干渉しないように位
置決めされている。パッケージ３上には、主端子４，５
とは反対側に制御端子すなわちゲート端子６も配設され
ている。
【００２８】この実施の形態によれば、このモジュール
を用いて構成された電力変換装置のモジュールを交換す
る場合、後述のごとく導体を取り外すことなしに交換す
ることができるので、作業に要する時間を短縮すること
ができ、保守性を向上させることができる。
を用いて構成された電力変換装置のモジュールを交換す
る場合、後述のごとく導体を取り外すことなしに交換す
ることができるので、作業に要する時間を短縮すること
ができ、保守性を向上させることができる。
【００２９】＜実施の形態２＞次に本発明の第２の実施
の形態について図２を参照して説明する。図２は、図１
１に示した回路構成の中性点クランプ式３レベルインバ
ータにおける１相分を構成する４個のＩＧＢＴモジュー
ル１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ及び２個のダイオードモジュ
ール２ａ，２ｂを共通の冷却器９上に配設した例を示す
ものである。各ＩＧＢＴモジュールは図１に示した構造
のものを用いる。ダイオード２ａ，２ｂは、外形的には
図１のＩＧＢＴと同様であるが、それから制御端子すな
わちゲート端子を省略した形のものが用いられる。各Ｉ
ＧＢＴモジュール及びダイオードは、インバータの直流
電源側から見て正側モジュール１ａ，１ｂ，２ａの主端
子４，５と負側モジュール１ｃ，１ｄ，２ｂの主端子
４，５とが対向するように配置される。冷却器９上に
は、各主端子が位置する正側モジュールと負側モジュー
ルとの対向部に、外部端子用の６枚の端子導出導体１０
ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆをそれぞ
れ図示していない絶縁板を介して積層状態で固定し、各
導体の端末部が露出するように最上層の導体は短く、最
下層の導体は長く階段状に形成している。これらの導体
を用いて各モジュール相互間の相互結線も行われる。図
示の場合、最下層の導体１０ｃはモジュール１ｂ，１ｃ
の相互接続と交流端子ＡＣの導出用として用いられ、以
下同様に、導体１０ｄはモジュール１ａ，１ｂ，２ａの
相互接続と必要に応じて外部端子用として用いられ、導
体１０ｂはモジュール１ｃ，１ｄ，２ｂの相互接続と必
要に応じて外部端子用として用いられ、導体１０ｅはモ
ジュール１ｄから導出された直流負端子Ｎ用として用い
られ、導体１０ａはモジュール１ａから導出された直流
正端子Ｐ用として用いられ、最後に導体１０ｆはモジュ
ール２ａ，２ｂの相互接続と中性点端子Ｃ用として用い
られる。
の形態について図２を参照して説明する。図２は、図１
１に示した回路構成の中性点クランプ式３レベルインバ
ータにおける１相分を構成する４個のＩＧＢＴモジュー
ル１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ及び２個のダイオードモジュ
ール２ａ，２ｂを共通の冷却器９上に配設した例を示す
ものである。各ＩＧＢＴモジュールは図１に示した構造
のものを用いる。ダイオード２ａ，２ｂは、外形的には
図１のＩＧＢＴと同様であるが、それから制御端子すな
わちゲート端子を省略した形のものが用いられる。各Ｉ
ＧＢＴモジュール及びダイオードは、インバータの直流
電源側から見て正側モジュール１ａ，１ｂ，２ａの主端
子４，５と負側モジュール１ｃ，１ｄ，２ｂの主端子
４，５とが対向するように配置される。冷却器９上に
は、各主端子が位置する正側モジュールと負側モジュー
ルとの対向部に、外部端子用の６枚の端子導出導体１０
ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆをそれぞ
れ図示していない絶縁板を介して積層状態で固定し、各
導体の端末部が露出するように最上層の導体は短く、最
下層の導体は長く階段状に形成している。これらの導体
を用いて各モジュール相互間の相互結線も行われる。図
示の場合、最下層の導体１０ｃはモジュール１ｂ，１ｃ
の相互接続と交流端子ＡＣの導出用として用いられ、以
下同様に、導体１０ｄはモジュール１ａ，１ｂ，２ａの
相互接続と必要に応じて外部端子用として用いられ、導
体１０ｂはモジュール１ｃ，１ｄ，２ｂの相互接続と必
要に応じて外部端子用として用いられ、導体１０ｅはモ
ジュール１ｄから導出された直流負端子Ｎ用として用い
られ、導体１０ａはモジュール１ａから導出された直流
正端子Ｐ用として用いられ、最後に導体１０ｆはモジュ
ール２ａ，２ｂの相互接続と中性点端子Ｃ用として用い
られる。
【００３０】ダイオードモジュール２ｂの部分に例示し
たように、各モジュールはそれぞれのベース７に形成し
た取付穴８を通して取付ボルト１１により冷却器９に固
定し、モジュールの各端子は導体取付ボルト１２により
図示していないネジ穴を形成した各導体のネジ穴にねじ
込むことにより機械的に固定すると共に電気的にも接続
する。ここでは、導体取付ボルト１２はダイオードモジ
ュール２ｂのアノード端子５と導体１０ｄとを接続する
様子を示している。
たように、各モジュールはそれぞれのベース７に形成し
た取付穴８を通して取付ボルト１１により冷却器９に固
定し、モジュールの各端子は導体取付ボルト１２により
図示していないネジ穴を形成した各導体のネジ穴にねじ
込むことにより機械的に固定すると共に電気的にも接続
する。ここでは、導体取付ボルト１２はダイオードモジ
ュール２ｂのアノード端子５と導体１０ｄとを接続する
様子を示している。
【００３１】このような構成によれば、各モジュールと
各導体とは互いに干渉しないような位置関係となり、導
体は冷却器９に固定されるので、各モジュールを交換す
る場合、導体を取り外すことなしに交換することがで
き、交換作業に要する時間を短縮し、保守性を向上させ
ることができる。各導体はモジュール取付ボルト１１の
位置と重ならないように設置しているので、導体取付後
もモジュール取付ボルト１１の増し締めをすることが容
易であり、同様に保守性が向上する。
各導体とは互いに干渉しないような位置関係となり、導
体は冷却器９に固定されるので、各モジュールを交換す
る場合、導体を取り外すことなしに交換することがで
き、交換作業に要する時間を短縮し、保守性を向上させ
ることができる。各導体はモジュール取付ボルト１１の
位置と重ならないように設置しているので、導体取付後
もモジュール取付ボルト１１の増し締めをすることが容
易であり、同様に保守性が向上する。
【００３２】また、各導体は冷却器９に固定されている
ので、導体の自重により各端子に外力が加わることがな
く、また、振動による影響も小さくなるので端子自体や
モジュール内の接合部への影響が小さくなり、装置の信
頼性が向上する。
ので、導体の自重により各端子に外力が加わることがな
く、また、振動による影響も小さくなるので端子自体や
モジュール内の接合部への影響が小さくなり、装置の信
頼性が向上する。
【００３３】さらに、各導体の配線長を短くし、絶縁板
を介して積層するため各導体を近接して配置することが
できるので、導体部分の配線インダクタンスを小さくす
ることができる。その結果、インダクタンスに比例して
発生するサージ電圧が小さくなり、所定容量の装置を構
成する場合、モジュール定格を低減し、装置を小形化す
ることができる。
を介して積層するため各導体を近接して配置することが
できるので、導体部分の配線インダクタンスを小さくす
ることができる。その結果、インダクタンスに比例して
発生するサージ電圧が小さくなり、所定容量の装置を構
成する場合、モジュール定格を低減し、装置を小形化す
ることができる。
【００３４】＜実施の形態３＞次に本発明の第３の実施
の形態について図３を参照して説明する。図３は、図１
に示した形態の６個のＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，
１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆを用いて図１４に示されている
三相インバータ回路を冷却器９上に構成したものであ
る。このインバータ回路では、図１４からも分かるよう
に、計５個の端子導体、すなわち２個の直流端子Ｐ，Ｎ
及び３個の交流端子Ｕ，Ｖ，Ｗがそれぞれ導体１０ａ〜
１０ｅによって導出されている。モジュール１ａ，１
ｂ，１ｃのコレクタを共通接続する導体１０ｃによって
直流正端子Ｐが導出され、モジュール１ｄ，１ｅ，１ｆ
のエミッタを共通接続する導体１０ｅによって直流負端
子Ｎが導出され、モジュール１ａ，１ｄを共通接続する
導体１０ｂによって交流端子Ｕが導出され、モジュール
１ｂ，１ｅを共通接続する導体１０ａによって交流端子
Ｖが導出され、モジュール１ｃ，１ｆを共通接続する導
体１０ｄによって交流端子Ｗが導出される。このような
構成においても、図２に示した実施の形態と同様の効果
を奏することができる。
の形態について図３を参照して説明する。図３は、図１
に示した形態の６個のＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，
１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆを用いて図１４に示されている
三相インバータ回路を冷却器９上に構成したものであ
る。このインバータ回路では、図１４からも分かるよう
に、計５個の端子導体、すなわち２個の直流端子Ｐ，Ｎ
及び３個の交流端子Ｕ，Ｖ，Ｗがそれぞれ導体１０ａ〜
１０ｅによって導出されている。モジュール１ａ，１
ｂ，１ｃのコレクタを共通接続する導体１０ｃによって
直流正端子Ｐが導出され、モジュール１ｄ，１ｅ，１ｆ
のエミッタを共通接続する導体１０ｅによって直流負端
子Ｎが導出され、モジュール１ａ，１ｄを共通接続する
導体１０ｂによって交流端子Ｕが導出され、モジュール
１ｂ，１ｅを共通接続する導体１０ａによって交流端子
Ｖが導出され、モジュール１ｃ，１ｆを共通接続する導
体１０ｄによって交流端子Ｗが導出される。このような
構成においても、図２に示した実施の形態と同様の効果
を奏することができる。
【００３５】＜実施の形態４＞図４は本発明の第４の実
施の形態を示すものである。この実施の形態は、図１に
示した構成の４個のＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１
ｄ，１ｅを用いて図１５に示した単相インバータ回路を
冷却器９上に構成したものである。このインバータ回路
では、図１５からも分かるように、計４個の端子導体、
すなわち２個の直流端子Ｐ，Ｎ及び２個の交流端子Ｕ，
Ｖがそれぞれ導体１０ａ〜１０ｄによって導出される。
モジュール１ａ，１ｂのコレクタを共通接続する導体１
０ａによって直流正端子Ｐが導出され、モジュール１
ｄ，１ｅのエミッタを共通接続する導体１０ｄによって
直流負端子Ｎが導出され、モジュール１ａ，１ｄを共通
接続する導体１０ｂによって交流端子Ｕが導出され、モ
ジュール１ｂ，１ｅを共通接続する導体１０ｃによって
交流端子Ｖが導出される。このような構成においても、
図２に示した実施の形態と同様の効果を奏することがで
きる。
施の形態を示すものである。この実施の形態は、図１に
示した構成の４個のＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１
ｄ，１ｅを用いて図１５に示した単相インバータ回路を
冷却器９上に構成したものである。このインバータ回路
では、図１５からも分かるように、計４個の端子導体、
すなわち２個の直流端子Ｐ，Ｎ及び２個の交流端子Ｕ，
Ｖがそれぞれ導体１０ａ〜１０ｄによって導出される。
モジュール１ａ，１ｂのコレクタを共通接続する導体１
０ａによって直流正端子Ｐが導出され、モジュール１
ｄ，１ｅのエミッタを共通接続する導体１０ｄによって
直流負端子Ｎが導出され、モジュール１ａ，１ｄを共通
接続する導体１０ｂによって交流端子Ｕが導出され、モ
ジュール１ｂ，１ｅを共通接続する導体１０ｃによって
交流端子Ｖが導出される。このような構成においても、
図２に示した実施の形態と同様の効果を奏することがで
きる。
【００３６】＜実施の形態５＞図５は本発明の第５の実
施の形態を示すものである。この実施の形態は、図１に
示した構成の６個のＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１
ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆを用いて図１６に示すような、三
相インバータ回路の一相分又は単相インバータ回路の一
相分を冷却器９の上に構成したものである。並列接続さ
れた３個のモジュール１ａ，１ｂ，１ｃが正側アーム
を、並列接続された３個のモジュール１ｄ，１ｅ，１ｆ
が負側アームを構成している。モジュール１ａ，１ｂ，
１ｃのコレクタを共通接続する導体１０ａによって直流
正端子Ｐが導出され、モジュール１ｄ，１ｅ，１ｆのエ
ミッタを共通接続する導体１０ｃによって直流負端子Ｎ
が導出され、モジュール１ａ，１ｂの共通接続点、モジ
ュール１ｂ，１ｅの共通接続点、及びモジュール１ｃ，
１ｆの共通接続点を接続し、かつ、それらの共通接続点
を相互に接続する導体１０ｂによって交流端子ＡＣが導
出される。このような構成においても、図２に示した実
施の形態と同様の効果を奏することができる。
施の形態を示すものである。この実施の形態は、図１に
示した構成の６個のＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１
ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆを用いて図１６に示すような、三
相インバータ回路の一相分又は単相インバータ回路の一
相分を冷却器９の上に構成したものである。並列接続さ
れた３個のモジュール１ａ，１ｂ，１ｃが正側アーム
を、並列接続された３個のモジュール１ｄ，１ｅ，１ｆ
が負側アームを構成している。モジュール１ａ，１ｂ，
１ｃのコレクタを共通接続する導体１０ａによって直流
正端子Ｐが導出され、モジュール１ｄ，１ｅ，１ｆのエ
ミッタを共通接続する導体１０ｃによって直流負端子Ｎ
が導出され、モジュール１ａ，１ｂの共通接続点、モジ
ュール１ｂ，１ｅの共通接続点、及びモジュール１ｃ，
１ｆの共通接続点を接続し、かつ、それらの共通接続点
を相互に接続する導体１０ｂによって交流端子ＡＣが導
出される。このような構成においても、図２に示した実
施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００３７】＜実施の形態６＞図６は本発明の第６の実
施の形態を示すものである。図６は図２に示した冷却器
９及び導体１０ａ〜１０ｆの部分側面図である。図６に
おいて、冷却器９及び導体１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１
０ｄ，１０ｅ，１０ｆの相互間にそれぞれ熱伝導性絶縁
シート１３を介挿して相間を電気絶縁した様子を示して
いる。この構成によれば、各導体から発生する熱が熱伝
導性絶縁シート１３を介して冷却器９に効率的に伝導さ
れ各モジュールとともに冷却されるので、各導体の温度
上昇を抑制することができる。その結果、モジュールの
絶縁パッケージ３や、モジュールの直近に配置された図
示していないスナバ回路用コンデンサなどの温度上昇も
抑制することができるので、それらの部材の長期にわた
る信頼性を向上させることができる。
施の形態を示すものである。図６は図２に示した冷却器
９及び導体１０ａ〜１０ｆの部分側面図である。図６に
おいて、冷却器９及び導体１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１
０ｄ，１０ｅ，１０ｆの相互間にそれぞれ熱伝導性絶縁
シート１３を介挿して相間を電気絶縁した様子を示して
いる。この構成によれば、各導体から発生する熱が熱伝
導性絶縁シート１３を介して冷却器９に効率的に伝導さ
れ各モジュールとともに冷却されるので、各導体の温度
上昇を抑制することができる。その結果、モジュールの
絶縁パッケージ３や、モジュールの直近に配置された図
示していないスナバ回路用コンデンサなどの温度上昇も
抑制することができるので、それらの部材の長期にわた
る信頼性を向上させることができる。
【００３８】＜実施の形態７＞次に本発明の第７の実施
の形態について図７を用いて説明する。本実施の形態
は、図１に示したパワー半導体モジュールにおいて、パ
ッケージ３上にゲート信号供給用のゲート回路基板１４
を配置したものである。ゲート回路基板１４に設けた接
続端子１５をモジュールのゲート端子６に被覆電線など
の配線材を介さずに直接接続している。このような構成
によれば、ゲート回路基板１４をパッケージ３の直近に
設置することができ、配線材を介さずに接続するので、
ゲート回路の配線インピーダンスを小さくし、高速スイ
ッチングを可能にすることができる。
の形態について図７を用いて説明する。本実施の形態
は、図１に示したパワー半導体モジュールにおいて、パ
ッケージ３上にゲート信号供給用のゲート回路基板１４
を配置したものである。ゲート回路基板１４に設けた接
続端子１５をモジュールのゲート端子６に被覆電線など
の配線材を介さずに直接接続している。このような構成
によれば、ゲート回路基板１４をパッケージ３の直近に
設置することができ、配線材を介さずに接続するので、
ゲート回路の配線インピーダンスを小さくし、高速スイ
ッチングを可能にすることができる。
【００３９】＜実施の形態８＞図８は本発明の第８の実
施の形態を示すものである。この実施の形態は、図１の
パワー半導体モジュールにおいて、コレクタ端子４とエ
ミッタ端子５を、相互に絶縁した上で積層配置したもの
である。導体取付ボルト１２が貫通する穴４ｈ，５ｈは
ベース７の取付穴８と互いに干渉しないように位置決め
される。このような構成によれば、コレクタ端子４とエ
ミッタ端子５の部分の有するインダクタンスを小さくす
ることができ、装置構成時の回路インダクタンスをさら
に小さくすることができる。
施の形態を示すものである。この実施の形態は、図１の
パワー半導体モジュールにおいて、コレクタ端子４とエ
ミッタ端子５を、相互に絶縁した上で積層配置したもの
である。導体取付ボルト１２が貫通する穴４ｈ，５ｈは
ベース７の取付穴８と互いに干渉しないように位置決め
される。このような構成によれば、コレクタ端子４とエ
ミッタ端子５の部分の有するインダクタンスを小さくす
ることができ、装置構成時の回路インダクタンスをさら
に小さくすることができる。
【００４０】＜実施の形態９＞次に本発明の第９の実施
の形態について図９を用いて説明する。この実施の形態
は、図１のパワー半導体モジュールにおいて、パッケー
ジ３にモジュール取付ボルト１１を予め組込んだもので
ある。この構成によれば、モジュール取付ボルト１１を
緩めた状態ではモジュール取付ボルト１１がパッケージ
３に付属しているので、モジュールとモジュール取付ボ
ルト１１とを一つの部品として取り扱うことができる。
そのため、モジュール交換の作業性が良くなり、保守に
要する作業時間をさらに短縮することができる。
の形態について図９を用いて説明する。この実施の形態
は、図１のパワー半導体モジュールにおいて、パッケー
ジ３にモジュール取付ボルト１１を予め組込んだもので
ある。この構成によれば、モジュール取付ボルト１１を
緩めた状態ではモジュール取付ボルト１１がパッケージ
３に付属しているので、モジュールとモジュール取付ボ
ルト１１とを一つの部品として取り扱うことができる。
そのため、モジュール交換の作業性が良くなり、保守に
要する作業時間をさらに短縮することができる。
【００４１】＜実施の形態１０＞図１０は本発明の第１
０の実施の形態を示すものである。この実施の形態は、
図１のパワー半導体モジュールにおいて、コレクタ端子
４とエミッタ端子５に、それぞれ導体取付ボルト１２を
予め組込んだものである。この構成によれば、導体取付
ボルト１２を緩めた状態でも、導体取付ボルト１２がコ
レクタ端子４及びエミッタ端子５から完全に外れること
がなく、モジュールと導体取付ボルト１２を一つの部品
として取り扱うことができる。そのため、モジュール交
換の作業性が向上し、保守に要する作業時間をさらに短
縮することができる。
０の実施の形態を示すものである。この実施の形態は、
図１のパワー半導体モジュールにおいて、コレクタ端子
４とエミッタ端子５に、それぞれ導体取付ボルト１２を
予め組込んだものである。この構成によれば、導体取付
ボルト１２を緩めた状態でも、導体取付ボルト１２がコ
レクタ端子４及びエミッタ端子５から完全に外れること
がなく、モジュールと導体取付ボルト１２を一つの部品
として取り扱うことができる。そのため、モジュール交
換の作業性が向上し、保守に要する作業時間をさらに短
縮することができる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
モジュールの交換作業を容易にし、主回路のインダクタ
ンスを低減し、導体の温度上昇を抑制することができ、
それにより装置の保守性向上、小形化、高性能化、及び
信頼性の向上を実現することができる。
モジュールの交換作業を容易にし、主回路のインダクタ
ンスを低減し、導体の温度上昇を抑制することができ、
それにより装置の保守性向上、小形化、高性能化、及び
信頼性の向上を実現することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるパワー半導
体モジュールの斜視図。
体モジュールの斜視図。
【図２】本発明の第２の実施の形態における電力変換装
置の分解斜視図。
置の分解斜視図。
【図３】本発明の第３の実施の形態における電力変換装
置の分解斜視図。
置の分解斜視図。
【図４】本発明の第４の実施の形態における電力変換装
置の分解斜視図。
置の分解斜視図。
【図５】本発明の第５の実施の形態における電力変換装
置の分解斜視図。
置の分解斜視図。
【図６】本発明の第６の実施の形態における冷却器及び
端子接続導体の断面図。
端子接続導体の断面図。
【図７】本発明の第７の実施の形態におけるパワー半導
体モジュールの分解斜視図。
体モジュールの分解斜視図。
【図８】本発明の第８の実施の形態におけるパワー半導
体モジュールの斜視図。
体モジュールの斜視図。
【図９】本発明の第９の実施の形態におけるパワー半導
体モジュールの斜視図。
体モジュールの斜視図。
【図１０】本発明の第１０の実施の形態におけるパワー
半導体モジュールの斜視図。
半導体モジュールの斜視図。
【図１１】公知の中性点クランプ方式３レベルインバー
タの回路結線図。
タの回路結線図。
【図１２】従来のＩＧＢＴモジュールの斜視図。
【図１３】従来の３レベルインバータの端子接続導体の
配置状態を説明するための分解斜視図。
配置状態を説明するための分解斜視図。
【図１４】公知の三相インバータ回路の結線図。
【図１５】公知の単相インバータ回路の結線図。
【図１６】公知の三相インバータ回路の１相分を示す結
線図。
線図。
１ａ〜１ｆ ＩＧＢＴモジュール ２ａ，２ｂ ダイオードモジュール ３ パッケージ ４ 主端子（コレクタ端子又はカソード端子） ５ 主端子（エミッタ端子又はアノード端子） ６ 制御端子（ゲート端子） ７ べース ８ 取付穴 ９ 冷却器 １０ａ〜１０ｆ 端子接続導体 １１ モジュール取付ボルト １２ 導体取付ボルト １３ 熱伝導性絶縁シート １４ ゲート回路基板
Claims (9)
- 【請求項１】べースとその上に配置された絶縁パッケー
ジとで構成された外囲器の中に半導体チップを収納し、
前記パッケージ上に複数の主端子を配設したパワー半導
体モジュールにおいて、前記複数の主端子をそれぞれ前
記べースに平行に配置した状態で前記パッケージの外部
に突出させ、各主端子に形成した導体取付ボルト用の貫
通穴をボルトの軸心方向から見て前記パッケージの外部
に位置させたことを特徴とするパワー半導体モジュー
ル。 - 【請求項２】請求項１に記載のパワー半導体モジュール
において、前記パッケージ上に制御端子基板を配置した
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 【請求項３】請求項１に記載のパワー半導体モジュール
において、前記各主端子を相互に絶縁した上、積層構造
にして導出したことを特徴とするパワー半導体モジュー
ル。 - 【請求項４】請求項１に記載のパワー半導体モジュール
において、前記パッケージにモジュール取付ボルトを組
込んだことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 【請求項５】請求項１に記載のパワー半導体モジュール
において、各端子にそれぞれ導体取付ボルトを組込んだ
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 【請求項６】複数のスイッチングモジュールと複数のダ
イオードモジュールにより中性点クランプ方式３レベル
インバータ回路を構成した電力変換装置において、各ス
イッチングモジュール及び各ダイオードモジュールをそ
れぞれべースとその上に配置された絶縁パッケージとで
構成した外囲器の中に個々に収納し、前記パッケージ上
に配設した複数の主端子をそれぞれ前記べースに平行に
配置した状態で前記パッケージの外部に突出させ、各端
子に形成した導体取付ボルト用の貫通穴をボルトの軸心
方向から見て前記パッケージの外部に位置させ、各スイ
ッチングモジュール及び各ダイオードモジュールを共通
の冷却器上に配置し、各モジュールの端子を、絶縁シー
トを介して積層した複数の導体を介して前記冷却器の側
方に導出したことを特徴とする電力変換装置。 - 【請求項７】複数のスイッチングモジュールによりイン
バータ回路を構成した電力変換装置において、各スイッ
チングモジュールをそれぞれべースとその上に配置され
た絶縁パッケージとで構成した外囲器の中に個々に収納
し、前記パッケージ上に配設した複数の主端子をそれぞ
れ前記べースに平行に配置した状態で前記パッケージの
外部に突出させ、各主端子に形成した導体取付ボルト用
の貫通穴をボルトの軸心方向から見て前記パッケージの
外部に位置させ、複数のスイッチングモジュールを共通
の冷却器上に配置し、各モジュールの端子を、絶縁シー
トを介して積層した複数の導体を介して前記冷却器の側
方に導出したことを特徴とする電力変換装置。 - 【請求項８】請求項７に記載の電力変換装置において、
前記インバータ回路の１相分を構成するスイッチングモ
ジュールごとに共通の冷却器上に配置したことを特徴と
する電力変換装置。 - 【請求項９】請求項６又は７に記載の電力変換装置にお
いて、前記絶縁シートを熱伝導性絶縁シートによって構
成したことを特徴とする電力変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35000299A JP3648417B2 (ja) | 1999-12-09 | 1999-12-09 | パワー半導体モジュール及び電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35000299A JP3648417B2 (ja) | 1999-12-09 | 1999-12-09 | パワー半導体モジュール及び電力変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168278A true JP2001168278A (ja) | 2001-06-22 |
| JP3648417B2 JP3648417B2 (ja) | 2005-05-18 |
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ID=18407578
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35000299A Expired - Fee Related JP3648417B2 (ja) | 1999-12-09 | 1999-12-09 | パワー半導体モジュール及び電力変換装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3648417B2 (ja) |
Cited By (16)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2006319095A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Kyosan Electric Mfg Co Ltd | パワーモジュール |
| JP2009100514A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
| WO2010097830A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 半導体スタック、および、それを用いた電力変換装置 |
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| JP2014011339A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Denso Corp | 半導体モジュールの接続構造およびその接続構造が適用された半導体モジュール |
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|---|---|
| JP3648417B2 (ja) | 2005-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20041203 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20050113 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080218 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090218 Year of fee payment: 4 |
|
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