JP2001160486A

JP2001160486A - 有機ｅｌディスプレイの製造方法及び有機ｅｌディスプレイ

Info

Publication number: JP2001160486A
Application number: JP34412499A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Hirano; 貴之平野; Naoki Sano; 直樹佐野; Tatsuya Sasaoka; 龍哉笹岡; Shin Asano; 慎浅野
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-12-03
Filing date: 1999-12-03
Publication date: 2001-06-12

Abstract

(57)【要約】【課題】製造コストの削減が可能でかつ歩留まりと
信頼性の向上を達成することが可能な有機ＥＬディスプ
レイの製造方法及び有機Ｅｌディスプレイを提供する。【解決手段】ＴＦＴ２に接続された配線４を基板１上
に形成し、この配線４を覆う状態でスピンコート法によ
って感光性ポリイミドからなる平化絶縁膜５を形成す
る。次いで、この平坦化絶縁膜５に、リソグラフィー法
によって接続孔６を形成する。その後、この接続孔６を
介して配線４に接続される有機ＥＬ素子を、平坦化絶縁
膜５上に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬディスプ
レイの製造方法及び有機ＥＬディスプレイに関し、特に
は、配線を覆う平坦化絶縁上に有機ＥＬ素子を形成する
有機ＥＬディスプレイの製造方法及びこれによって形成
される有機ＥＬディスプレイに関する。

【０００２】

【従来の技術】有機材料のエレクトロルミネッセンス(e
lectroluminescence：以下ＥＬと記す）を利用した有機
ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、有機正孔輸送層や有
機発光層を積層させた有機層を設けてなり、低電圧直流
駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目され
ている。

【０００３】このような有機ＥＬ素子を用いた表示装置
のうち、各画素に有機ＥＬ素子を駆動するための薄膜ト
ランジスタ（thin film transistor：以下ＴＦＴと記
す）を設けてなるアクティブマトリックス型の表示装置
を製造するには、先ず、基板上にＴＦＴを形成した後、
これを覆う状態で基板上に平坦化絶縁膜を形成する。次
に、この平坦化絶縁膜に接続孔を形成した後、この接続
孔を介してＴＦＴに接続させる状態で有機ＥＬ素子を形
成する。

【０００４】平坦化絶縁膜としては、例えば特開平 10-
189252に開示されるように、ポリイミドのような樹脂材
料をスピンコート法によって塗布したものや、酸化シリ
コン系材料膜や窒化シリコン系材料膜をＣＶＤ(chemica
l vapor deposition）法によって成膜した後にエッチバ
ックしたものが用いられている。また、このような平坦
化絶縁膜に接続孔を形成するには、リソグラフィー法に
よって形成したレジストパターンをマスクに用いて平坦
化絶縁膜をエッチングしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
有機ＥＬディスプレイの製造方法及びこのようにして得
られた有機ＥＬディスプレイは、単なる樹脂材料や、酸
化シリコン系材料または窒化シリコン系材料を用いて平
坦化絶縁膜が形成されている。このため、この平坦化絶
縁膜に接続孔を形成する場合には、上述したようにリソ
グラフィー法によって平坦化絶縁膜上にエッチングの際
にマスクとなるレジストパターンを形成し、このレジス
トパターンをマスクに用いて平坦化絶縁膜をエッチング
し、さらにエッチングが終了した後には平坦化絶縁膜上
からレジストパターンを除去するといった、多段階の工
程を経なければならない。

【０００６】これは、有機ＥＬディスプレイの製造工程
を複雑にし製造コストを増加させる要因になると共に、
有機ＥＬディスプレイの歩留まりを低下させ、かつ信頼
性を低下させる要因になっている。

【０００７】そこで本発明は、製造工程数の削減を図る
ことで、製造コストの削減が可能でかつ歩留まりと信頼
性の向上を達成することが可能な有機ＥＬディスプレイ
の製造方法及び有機ＥＬディスプレイを提供することを
目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために成された本発明の有機ＥＬディスプレイの製造
方法は、次のように行うことを特徴としている。先ず、
配線が形成された基板上に感光性組成物からなる平化絶
縁膜を形成し、次いでこの平坦化絶縁膜にリソグラフィ
ー法によって接続孔を形成する。その後、この接続孔を
介して配線に接続される有機ＥＬ素子を基板の上方に形
成する。

【０００９】このような有機ＥＬディスプレイの製造方
法では、感光性組成物からなる平坦化絶縁膜に、リソグ
ラフィー法によって接続孔を形成する構成にしたこと
で、平坦化絶縁膜上へのレジストパターンの形成工程
や、このレジストパターンをマスクに用いた平坦化絶縁
膜のエッチング工程を行うことなく、平坦化絶縁膜に対
して直接的に接続孔がパターン形成されることになる。
このため、平坦化絶縁膜への接続孔の形成工程を簡略化
することができる。

【００１０】また、本発明の有機ＥＬディスプレイは、
基板上に形成された配線と、この配線を覆う状態で基板
上に形成された平坦化絶縁膜と、この平坦化絶縁膜に形
成された接続孔を介して配線に接続された有機ＥＬ素子
とを備えており、特に、平坦化絶縁膜が、感光性組成物
からなる平坦化絶縁膜にリソグラフィー処理によって接
続孔を形成してなることを特徴としている。

【００１１】このような構成の有機ＥＬディスプレイ
は、接続孔を形成するための平坦化絶縁膜上へのレジス
トパターンの形成工程や、このレジストパターンをマス
クに用いた平坦化絶縁膜のエッチング工程を行うことな
く、感光性組成物からなる平坦化絶縁膜に対してリソグ
ラフィー処理によって接続孔が形成されたものとなる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の有機ＥＬディスプ
レイの製造方法及び有機ＥＬディスプレイの詳細を図面
に基づいて説明する。図１及び図２は、本発明をアクテ
ィブマトリックス型の有機ＥＬディスプレイに適用した
場合の製造方法の一例を示す断面工程図であり、以下に
この図を用いて本発明の各実施の形態を製造方法から順
に説明する。

【００１３】（第１実施形態）先ず、図１(１)に示すよ
うに、透明ガラスからなる基板１上に、ＴＦＴ２を形成
し、このＴＦＴ２を覆う状態で層間絶縁膜３を形成す
る。次に、この層間絶縁膜３にここでは図示を省略した
接続孔を形成した後、この接続孔を介してＴＦＴ２に接
続される配線４を層間絶縁膜３上に形成する。この配線
４は、ＴＦＴ２間または、ＴＦＴ２と後の工程で形成さ
れる有機ＥＬ素子とを接続するためのものであり、例え
ば１．０μｍ程度の高さのアルミニウム配線として形成
される。この配線４の形成が、基板１の上部における凹
凸の最大の要因になる。

【００１４】次に、図１(２)に示すように、配線４の形
成による凹凸を平坦化するために、上部に配線４が形成
された層間絶縁膜３上に、配線４を覆う状態で平坦化絶
縁膜５を形成する。この平坦化絶縁膜５は、ポジ型の感
光性ポリイミドからなる。また、層間絶縁膜３上への平
坦化絶縁膜５の形成は、この感光性ポリイミドを回転数
3200rpmでスピンコート法によって塗布することで行わ
れる。また、塗布後、直ちにホットプレート上にて９０
℃，１０分のプリベークを行う。そして、プリベーク後
における平坦化絶縁膜５の塗布膜厚を２．４μｍ程度と
し、この平坦化絶縁膜５によって配線４を覆うこととす
る。

【００１５】以上の後、露光装置を用いて平坦化絶縁膜
５に対してパターン露光を行い、露光部分を現像液に対
して可溶にする。このパターン露光においては、例えば
近接（プロキシミティ）露光装置を用い、露光量を５０
０ｍJとする。

【００１６】次に、パターン露光後の平坦化絶縁膜５に
対して回転式スプレー現像装置を用いて現像処理を行
い、露光部を現像液に溶解させて除去する。この際、現
像液として、ＴＭＡＨ（tetramethylammonium hydroxid
e）２．３８％水溶液（例えば東京応化製ＭＮＤ−３）
を用い、現像時間を３分程度にする。

【００１７】以上の一連のリソグラフィー処理によっ
て、平坦化絶縁膜５を所定形状にパターニングし、配線
４に達する接続孔６を形成する。

【００１８】その後、平坦化絶縁膜５を構成する感光性
ポリイミドのイミド化（環化）を進めるための本焼成を
クリーンベーク炉にて行う。この際、窒素雰囲気中にて
１７０℃で６０分の焼成後、３５０℃で３０分の焼成を
行う。これによって、平坦化絶縁膜５を、例えば、図３
の化学式に示す構成のポリイミドを主体としたものにす
る。尚、本焼成後における平坦化絶縁膜５の膜厚は２.
０μｍ程度となり、この平坦化絶縁膜５によって配線４
が覆われる。この際、平坦化絶縁膜５表面の平坦性（凸
部と凹部の最大高低差）は、約０．３μｍになる。

【００１９】以上のようにして、平坦化絶縁膜５に接続
孔６を形成した後、以下のようにして、この平坦化絶縁
膜５上に有機ＥＬ素子を形成する。尚、ここでは、一例
として上面発光型の有機ＥＬ素子を形成する場合を説明
するが、本発明はこれに限定されることはなく、基板１
側から光を取り出す下面発光型を形成する場合にも適用
される。

【００２０】先ず、図１（３）に示すように、平坦化絶
縁膜５上に、金属（例えばＣｒ）からなる下部電極７
を、接続孔６を介して配線４に接続させる状態で形成す
る。この下部電極７は、有機ＥＬ素子の陽極として用い
られることとする。

【００２１】この下部電極７を形成するには、先ず、Ｄ
Ｃスパッタ法によって、膜厚２００ｎｍのクロム（Ｃ
ｒ）膜を成膜する。この際、例えば、スパッタガスとし
てアルゴン（Ａｒ）用い、スパッタ雰囲気内圧力を０．
２Ｐａ、ＤＣ出力を３００Ｗに設定して成膜を行う。次
に、通常のリソグラフィー技術を用いて形成したレジス
トパターンをマスクに用いてクロム膜をエッチングし、
これによって所定形状にパターニングされたクロムから
なる下部電極７を得る。

【００２２】クロム膜のエッチングには、硝酸第二セリ
ウムアンモニウムと過塩素酸との混合水溶液系のエッチ
ング液、例えばＥＴＣＨ−１〔三洋化成工業（株）製商
品名〕を用いたウェットエッチングを行うことで、高精
度にかつ再現性良いエッチング加工を行うこととする。
ただし、さらに加工精度が要求される場合には、ドライ
エッチングを行うこととする。クロム膜のドライエッチ
ングを行う場合には、例えばエッチングガスとして塩素
(Ｃｌ₂）と酸素（Ｏ₂）の混合ガスを用いる。この際特
に、ＲＩＥ（reactive ion etching）を行うことで、高
精度の加工が可能になると共に、エッチング側壁の形状
を制御することが可能になる。例えば、所定のエッチン
グ条件でエッチングすることによって、エッチング側壁
をテーパ形状にすることができるため、この下部電極７
と以降の工程で形成する上部電極との間のショートを低
減できる。

【００２３】次に、図１(４)に示すように、下部電極７
上に開口部８ａを有し、かつ下部電極７の周縁を覆おう
形状の絶縁層８を形成する。この絶縁層８を構成する材
料に特に限定はないが、ここでは例えば酸化シリコン
（ＳｉＯ₂）を用いることとする。

【００２４】この絶縁層８を形成するには、先ず、例え
ばスパッタリングによって膜厚２００ｎｍの酸化シリコ
ン膜を形成し、次に通常のリソグラフィー技術を用いて
この酸化シリコン膜上にレジストパターンを形成する。
その後、このレジストパターンをマスクに用いて酸化シ
リコン膜をエッチングすることで、下部電極７上に開口
部８ａを有し、かつその周縁を覆う形状の絶縁層８を得
る。この際のエッチングとしては、例えばフッ酸とフッ
化アンモニウムとの混合水溶液を用いたウェットエッチ
ング、またはドライエッチングを行うことができる。
尚、この絶縁層８は、必要に応じて形成されれば良く、
この絶縁層８を設けることによって、下部電極７と以降
の工程で形成する上部電極との間のショートを防止する
ことが可能になる。また、この絶縁層８を設けた場合に
は、絶縁層８の開口部８ａが有機ＥＬ素子の発光部分と
なる。

【００２５】次に、図２(１)に示すように、必要に応じ
て絶縁層８が形成された基板１を真空蒸着装置（図示省
略）内に搬入し、マスクＡ上からの真空蒸着によって、
各下部電極７上をそれぞれ独立した状態で覆う形状の有
機層９を形成する。この際、絶縁層８の縁部分も有機層
９で覆われるようにマスクＡを設計することで、下部電
極７が有機層９で完全に覆われるようにする。また、こ
の有機層９は、ここでの図示を省略した有機正孔注入
層、有機正孔輸送層、電子輸送層を兼ねた有機発光層を
下層から順に積層してなる。

【００２６】このような構成の有機層９の一例として
は、有機正孔注入層としてＭＴＤＡＴＡ〔4,4',4"-トリ
ス（3-メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルア
ミン〕を３０ｎｍの膜厚に形成し、有機正孔輸送層とし
てα−ＮＰＤ〔ビス（N-ナフチル）-N-フェニルベンジ
ジン〕を２０ｎｍの膜厚に形成し、有機発光層としてＡ
ｌｑ３（８−キノリノールアルミニウム錯体）を５０ｎ
ｍの膜厚５０ｎｍに形成して用いる。

【００２７】また、有機層９の真空蒸着においては、そ
れぞれの材料０．２ｇを抵抗加熱用の各ボートに充填し
て真空蒸着装置の所定の電極に取り付け、蒸着雰囲気内
を１．０×１０^-4Ｐａにまで減圧した後、各ボートに電
圧を印加することで、各ボート内の材料を順次蒸着させ
る。また、マスクＡには、金属マスクを用いることとす
る。

【００２８】次に、図２（２）に示すように、マスクを
取り除いた真空蒸着によって、基板１の上方の全面に、
有機層９及び絶縁層８を覆う上部電極１０を形成する。
この上部電極１０は、有機ＥＬ素子の陰極として用いら
れるもので、例えばマグネシウムと銀との合金（Ｍｇ：
Ａｇ）で構成される。この上部電極１０の膜厚は、例え
ば１０ｎｍであることとする。尚、この上部電極１０の
真空蒸着は、有機層９の真空蒸着を行った真空蒸着装置
内にて連続して行われる。

【００２９】このような上部電極１０の真空蒸着におい
ては、マグネシウム０．１ｇ、銀０．４ｇを各ボートに
充填して真空蒸着装置の所定の電極に取り付け、蒸着雰
囲気内を１．０×１０^-4Ｐａにまで減圧した後、各ボー
トに電圧を印加することで、ボート内のマグネシウム及
び銀を共蒸着させる。この際、マグネシウムと銀の成膜
速度の比が、９：１程度になるようにする。

【００３０】次に、図２（３）に示すように、上部電極
１０上に、透明電極膜１１を成膜する。ここでは、この
透明電極膜１１として、室温成膜で良好な導電性を示す
インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）系の透明導電
性材料を用いることとする。このような材料からなる透
明電極膜１１の成膜は、例えばＤＣスパッタ法によって
行うこととする。この際の成膜条件の一例としては、ス
パッタガスにアルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ₂）との混合
ガス（体積比Ａｒ：Ｏ₂＝１０００：５）を用い、スパ
ッタ雰囲気内圧力を０．３Ｐａ、ＤＣ出力を４０Ｗに設
定し、膜厚２００ｎｍの透明電極膜１１を成膜する。

【００３１】以上のようにして、下部電極（陽極）７、
有機層９、上部電極（陰極）１０及び透明電極膜１１を
順次積層してなる複数の有機ＥＬ素子１２を形成する。
これらの有機ＥＬ素子１２は、平坦化絶縁膜５に形成さ
れた接続孔６及び配線４を介して各ＴＦＴ２に接続され
たものとなる。

【００３２】また、以上のようにして、各有機ＥＬ素子
１２にこれを駆動するためのＴＦＴ２を接続してなるア
クティブマトリックス型の有機ＥＬディスプレイが得ら
れる。この有機ＥＬディスプレイは、感光性組成物（感
光性ポリイミド）からなる平坦化絶縁膜５に対してリソ
グラフィー処理を施すことによって形成された接続孔６
を有するものになる。

【００３３】以上説明した有機ＥＬディスプレイの製造
方法では、感光性組成物からなる平坦化絶縁膜５に、リ
ソグラフィー法によって接続孔６を形成する構成にした
ことで、平坦化絶縁膜５上へのレジストパターンの形成
工程や、このレジストパターンをマスクに用いた平坦化
絶縁膜５のエッチング工程を行うことなく、平坦化絶縁
膜５に対して直接的に接続孔６を形成することが可能に
なる。このため、平坦化絶縁膜５への接続孔６の形成工
程を削減して簡略化することができる。したがって、有
機ＥＬディスプレイの製造コストの削減が可能になり、
かつ歩留まりと信頼性の向上を達成することが可能にな
る。また、上述のように、レジストパターンの除去工程
が削減できることから、環境に対する負荷を軽減するこ
ともできる。

【００３４】しかも、上述の製造方法においては、ＴＦ
Ｔ２及び配線４の形成によって凹凸が形成された基板１
上に、スピンコート法によって感光性ポリイミドを塗布
している。このことから、比較的平坦性に優れているＣ
ＶＤ法によって成膜された絶縁膜よりも良好な平坦性を
有する平坦化絶縁膜５を形成することが可能になる。そ
して、このような平坦化絶縁膜５の上方に有機ＥＬ素子
１２が形成されることから、有機ＥＬ素子１２を構成す
る下部電極７、有機層９、上部電極１０及び透明電極膜
１１の膜厚を均一化することができる。この結果、下部
電極７、上部電極１０及び透明電極膜１１の段切れを防
止することができる。また、特に有機層９の膜厚が均一
化されることで、発光部における発光強度の均一化を図
ることができる。

【００３５】さらに、平坦化絶縁膜５を形成するために
基板１上に塗布する感光性ポリイミドをポジ型としたこ
とで、リソグラフィーによって平坦化絶縁膜５に形成さ
れる接続孔６の側壁をテーパ形状とすることができる。
このため、接続孔６を介して配線４と有機ＥＬ素子１２
の下部電極７との良好なコンタクトを図ることが可能に
なる。

【００３６】しかも、このようにして得られた有機ＥＬ
ディスプレイは、ポリイミドを主体とした電気的絶縁性
が良好な平坦化絶縁膜５によってＴＦＴ２と有機ＥＬ素
子１２とが分離されていることから、ＴＦＴ２と有機Ｅ
Ｌ素子１２とを接続孔６以外の部分において確実に絶縁
分離することが可能になる。

【００３７】（第２実施形態）次に、本発明の第２実施
形態を説明する。本第２実施形態と上述の第１実施形態
との異なるところは、平坦化絶縁膜５’の構成にあり、
その他の構成要素は同様であることとする。以下に、本
発明の第２実施形態を製造方法から順に説明する。

【００３８】先ず、図１(１)に示すように、第１実施形
態と同様にして、基板１上に、ＴＦＴ２を形成し、この
ＴＦＴ２を覆う状態で層間絶縁膜３を形成し、さらに、
ここでは図示を省略した接続孔を形成した後、この接続
孔を介してＴＦＴ２に接続される配線４を層間絶縁膜３
上に形成する。

【００３９】次に、図１(２)に示すように、配線４の形
成による凹凸を平坦化するために、配線４が形成された
層間絶縁膜３上に、配線４を覆う状態で平坦化絶縁膜
５’形成する。この平坦化絶縁膜５’は、ポジ型の感光
性ポリベンゾオキサゾールからなる。また、層間絶縁膜
３上への平坦化絶縁膜５’の形成は、この感光性ポリベ
ンゾオキサゾールを回転数4000rpmでスピンコート法に
よって塗布することで行われる。また、塗布後、直ちに
ホットプレート上にて１２０℃，４分のプリベークを行
う。そして、プリベーク後における平坦化絶縁膜５’の
塗布膜厚を３．７μｍ程度とし、この平坦化絶縁膜５’
によって配線４を覆うこととする。

【００４０】以上の後、露光装置を用いて平坦化絶縁膜
５’に対してパターン露光を行い、露光部分を現像液に
対して可溶にする。このパターン露光においては、例え
ば近接（プロキシミティ）露光装置を用い、露光量を２
００ｍJとする。

【００４１】次に、パターン露光後の平坦化絶縁膜５’
に対して回転式スプレー現像装置にて現像処理を行い、
露光部を現像液に溶解させて除去する。この際、現像液
として、ＴＭＡＨ２．３８％水溶液（例えば東京応化製
ＭＮＤ−３）を用い、現像時間を４０秒程度にする。

【００４２】以上の一連のリソグラフィー処理によっ
て、平坦化絶縁膜５’を所定形状にパターニングし、配
線４に達する接続孔６を形成する。

【００４３】その後、平坦化絶縁膜５’を構成する感光
性ポリベンゾオキサゾールの環化を進めるための本焼成
をクリーンベーク炉にて行う。この際、窒素雰囲気中に
て１５０℃で３０分の焼成後、３２０℃で３０分の焼成
を行う。これによって、平坦化絶縁膜５’を、例えば、
図４の化学式に示す構成のポリベンゾオキサゾールを主
体としたものにする。尚、本焼成後における平坦化絶縁
膜５’の膜厚は２.９μｍ程度となり、この平坦化絶縁
膜５’によって配線４が覆われる。この際、平坦化絶縁
膜５’表面の平坦性（凸部と凹部の最大高低差）は、約
０．２μｍになる。

【００４４】また、以上のようにして平坦化絶縁膜５'
に接続孔６を形成した後、第１実施形態と同様の手順に
て平坦化絶縁膜５’上に有機ＥＬ素子１２を形成する。

【００４５】以上によって、各有機ＥＬ素子１２にこれ
を駆動するためのＴＦＴを接続してなるアクティブマト
リックス型の有機ＥＬディスプレイが得られる。この有
機ＥＬディスプレイは、感光性組成物（感光性ポリベン
ゾオキサゾール）からなる平坦化絶縁膜５’にリソグラ
フィー処理によって形成された接続孔６を有するものに
なる。

【００４６】このような有機ＥＬディスプレイの製造方
法では、感光性組成物からなる平坦化絶縁膜５’に、リ
ソグラフィー法によって接続孔６を形成する構成にした
ことで、第１実施形態の製造方法と同様に、平坦化絶縁
膜５’に対して直接的に接続孔６を形成することが可能
になるため、有機ＥＬディスプレイの製造コストの削減
が可能になり、かつ歩留まりと信頼性の向上を達成する
ことが可能になる。

【００４７】また、ＴＦＴ２及び配線４の形成によって
凹凸が形成された基板１上に、スピンコート法によって
感光性ポリベンゾオキサゾールを塗布していることか
ら、良好な平坦性を有する平坦化絶縁膜５’を形成する
ことが可能になる。そして、第１実施形態と同様に、こ
のように平坦化が良好な平坦化絶縁膜５’の上方に有機
ＥＬ素子１２が形成されることから、下部電極７、上部
電極１０及び透明電極膜１１の段切れの防止、及び発光
部における発光強度の均一化を図ることができる。

【００４８】さらに、平坦化絶縁膜５’を形成するため
に基板１上に塗布する感光性ポリベンゾオキサゾールを
ポジ型としたことで、リソグラフィーによって平坦化絶
縁膜５’に形成される接続孔６の側壁をテーパ形状とす
ることができる。このため、第１実施形態と同様に、接
続孔６を介して配線４と有機ＥＬ素子１２の下部電極７
との良好なコンタクトを図ることが可能になる。

【００４９】しかも、このようにして得られた有機ＥＬ
ディスプレイは、ポリベンゾオキサゾールを主体とした
電気的絶縁性が良好な平坦化絶縁膜５’によって、ＴＦ
Ｔ２と有機ＥＬ素子１２とを接続孔６以外の部分におい
て確実に絶縁分離することが可能になる。

【００５０】また、平坦化絶縁膜５’がポリベンゾオキ
サゾールで構成されることで、平坦化絶縁膜５’の吸水
率を低く抑えることが可能になり、平坦化絶縁膜５’か
らの水分放出による有機層９の劣化を防止することがで
きる。

【００５１】以上説明した第１実施形態及び第２実施形
態においては、本発明をアクティブマトリックス型の有
機ＥＬディスプレイに適用した場合を説明した。しか
し、本発明は、単純マトリックス型の有機ＥＬディスプ
レイにも適用可能である。

【００５２】この場合、例えば、基板上に形成される配
線４は、有機ＥＬ素子の下部電極を兼ねるもの、または
有機ＥＬ素子の下部電極の一部を兼ねるものであっても
良い。すなわち、基板上に、有機ＥＬ素子の下部電極と
して、ある程度の高さを有する配線が基板上に形成され
た場合、この配線によって基板表面に形成された凹凸を
平坦化するために、上述の第１実施形態または第２実施
形態で説明したようにして平坦化絶縁膜５，５’及び接
続孔６を形成する。これによって、第１実施形態または
第二実施形態と同様の効果を得ることができる。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、感
光性組成物からなる平坦化絶縁膜にリソグラフィー法に
よって形成した接続孔を設ける構成にしたことで、平坦
化絶縁膜への接続孔の形成工程が簡略化され、有機ＥＬ
ディスプレイの製造工程数の削減を図ることが可能にな
る。したがって、有機ＥＬディスプレイの製造コストの
削減を図ることが可能になると共に、歩留まりの向上と
信頼性の向上とを達成することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態を説明するための断面工程
図（その１）である。

【図２】本発明の実施の形態を説明するための断面工程
図（その２）である。

【図３】接続孔が形成された平坦化絶縁膜を構成するポ
リイミドの一例を示す化学式である。

【図４】接続孔が形成された平坦化絶縁膜を構成するポ
リベンゾオキサゾールの一例を示す化学式である。

【符号の説明】

１…基板、２…ＴＦＴ、４…配線、５，５’…平坦化絶
縁膜、６…接続孔、７…下部電極、１２…有機ＥＬ素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者笹岡龍哉東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者浅野慎東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内Ｆターム(参考） 3K007 AB05 AB18 BA06 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03 5C094 AA21 AA31 AA42 AA43 AA44 BA03 BA27 CA19 DA09 EA05 FB01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】配線が形成された基板上に感光性組成物
からなる平坦化絶縁膜を形成する工程と、前記平坦化絶縁膜に、リソグラフィー法によって接続孔
を形成する工程と、前記接続孔を介して前記配線に接続される有機ＥＬ素子
を前記基板の上方に形成する工程とを行うことを特徴と
する有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項２】請求項１記載の有機ＥＬディスプレイの
製造方法において、前記平坦化絶縁膜の形成をスピンコート法によって行う
ことを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項３】請求項１記載の有機ＥＬディスプレイに
おいて、前記感光性組成物はポジ型であることを特徴とする有機
ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項４】基板上に形成された配線と、当該配線を
覆う状態で前記基板上に形成された平坦化絶縁膜と、当
該平坦化絶縁膜に形成された接続孔を介して前記配線に
接続された有機ＥＬ素子とを備えた有機ＥＬディスプレ
イにおいて、前記平坦化絶縁膜は、感光性組成物からなる平坦化絶縁
膜にリソグラフィー処理によって前記接続孔を形成して
なることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【請求項５】請求項４記載の有機ＥＬディスプレイに
おいて、前記配線は、前記基板上に形成された薄膜トランジスタ
に接続されていることを特徴とする有機ＥＬディスプレ
イ。
【請求項６】請求項４記載の有機ＥＬディスプレイに
おいて、前記配線は、前記有機ＥＬ素子の下部電極に接続されて
いるか、または当該下部電極を兼ねることを特徴とする
有機ＥＬディスプレイ。
【請求項７】請求項４記載の有機ＥＬディスプレイに
おいて、前記平坦化絶縁膜は、ポリイミドを主体とすることを特
徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【請求項８】請求項４記載の有機ＥＬディスプレイに
おいて、前記平坦化絶縁膜は、ポリベンゾオキサゾールを主体と
することを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。