JP2001147777A - タッチパネル用反射防止フィルム、その製造方法及びタッチパネル - Google Patents
タッチパネル用反射防止フィルム、その製造方法及びタッチパネルInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 45
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 231
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 claims description 105
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 35
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 34
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 19
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- SOGFHWHHBILCSX-UHFFFAOYSA-J prop-2-enoate silicon(4+) Chemical compound [Si+4].[O-]C(=O)C=C.[O-]C(=O)C=C.[O-]C(=O)C=C.[O-]C(=O)C=C SOGFHWHHBILCSX-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 199
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 99
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 43
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 30
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 28
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 23
- -1 Polypropylene Polymers 0.000 description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 15
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 15
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 14
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 12
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 12
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 10
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 10
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 10
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 10
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 9
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 7
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- SJBBXFLOLUTGCW-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C(F)(F)F)=C1 SJBBXFLOLUTGCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 239000002519 antifouling agent Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 5
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- 229910020711 Co—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010052128 Glare Diseases 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical compound ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 2
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 2
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 2
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JNELGWHKGNBSMD-UHFFFAOYSA-N xanthone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3OC2=C1 JNELGWHKGNBSMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- FCWAPKABWOXRPN-UHFFFAOYSA-N (4-aminophenyl)-(4-amino-2,3,5,6-tetramethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=C(N)C(C)=C(C)C(C(=O)C=2C=CC(N)=CC=2)=C1C FCWAPKABWOXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEQKKZICTDFVMG-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,6-pentaoxepane-5,7-dione Chemical compound O=C1OOOOC(=O)O1 BEQKKZICTDFVMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVBFMUAFNIIQAL-UHFFFAOYSA-N 1,4-diisocyanatobutane Chemical compound O=C=NCCCCN=C=O OVBFMUAFNIIQAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 1,5-Naphthalene diisocyanate Chemical compound C1=CC=C2C(N=C=O)=CC=CC2=C1N=C=O SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZXPHDGHQXLXJC-UHFFFAOYSA-N 1,6-diisocyanato-5,6-dimethylheptane Chemical compound O=C=NC(C)(C)C(C)CCCCN=C=O VZXPHDGHQXLXJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPXVRLXJHPTCPW-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-(4-propan-2-ylphenyl)propan-1-one Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C(=O)C(C)(C)O)C=C1 QPXVRLXJHPTCPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(O)COC(=O)C=C GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical class C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGVRJVHOJNYEHR-UHFFFAOYSA-N 4-chlorobenzophenone Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 UGVRJVHOJNYEHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFWQYQSHUOSSCV-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OCC(COC1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC=2C(C3=CC=CC=C3C(C1=2)=O)=O)O Chemical compound C(C=C)(=O)OCC(COC1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC=2C(C3=CC=CC=C3C(C1=2)=O)=O)O SFWQYQSHUOSSCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N Glycidol Chemical compound OCC1CO1 CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 101000777301 Homo sapiens Uteroglobin Proteins 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004356 Ti Raw Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100031083 Uteroglobin Human genes 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATWUFVPHHKZOCP-UHFFFAOYSA-N [2-hydroxy-3-[4-[1-[4-(2-hydroxy-3-prop-2-enoyloxypropoxy)phenyl]cyclohexyl]phenoxy]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C1=CC(OCC(COC(=O)C=C)O)=CC=C1C1(C=2C=CC(OCC(O)COC(=O)C=C)=CC=2)CCCCC1 ATWUFVPHHKZOCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZTQQYMRXDUHDO-UHFFFAOYSA-N [2-hydroxy-3-[4-[2-[4-(2-hydroxy-3-prop-2-enoyloxypropoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=1C=C(OCC(O)COC(=O)C=C)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OCC(O)COC(=O)C=C)C=C1 VZTQQYMRXDUHDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNWASGDRPCPHNP-UHFFFAOYSA-N [2-hydroxy-3-[4-[4-(2-hydroxy-3-prop-2-enoyloxypropoxy)phenoxy]phenoxy]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C1=CC(OCC(COC(=O)C=C)O)=CC=C1OC1=CC=C(OCC(O)COC(=O)C=C)C=C1 WNWASGDRPCPHNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPAYYCZOQIGDCM-UHFFFAOYSA-N [2-hydroxy-3-[4-[4-(2-hydroxy-3-prop-2-enoyloxypropoxy)phenyl]sulfonylphenoxy]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C1=CC(OCC(COC(=O)C=C)O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(OCC(O)COC(=O)C=C)C=C1 RPAYYCZOQIGDCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUGKXJFTPZXBTJ-UHFFFAOYSA-N [2-hydroxy-3-[4-[9-[4-(2-hydroxy-3-prop-2-enoyloxypropoxy)phenyl]fluoren-9-yl]phenoxy]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C1=CC(OCC(COC(=O)C=C)O)=CC=C1C1(C=2C=CC(OCC(O)COC(=O)C=C)=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VUGKXJFTPZXBTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAIGCMUJWUZYRJ-UHFFFAOYSA-N [2-hydroxy-3-[4-[[4-(2-hydroxy-3-prop-2-enoyloxypropoxy)phenyl]methyl]phenoxy]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C1=CC(OCC(COC(=O)C=C)O)=CC=C1CC1=CC=C(OCC(O)COC(=O)C=C)C=C1 VAIGCMUJWUZYRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- RFVHVYKVRGKLNK-UHFFFAOYSA-N bis(4-methoxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(OC)C=C1 RFVHVYKVRGKLNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical class C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 150000004697 chelate complex Chemical class 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229920005994 diacetyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000012933 diacyl peroxide Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N dimethylsilane Chemical compound C[SiH2]C UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000982 direct dye Substances 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N ethanol;titanium Chemical compound [Ti].CCO.CCO.CCO.CCO XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002483 hydrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- FSPSELPMWGWDRY-UHFFFAOYSA-N m-Methylacetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC(C)=C1 FSPSELPMWGWDRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004627 regenerated cellulose Substances 0.000 description 1
- RFBSXFWTSAJAEJ-UHFFFAOYSA-N silane dihydrochloride Chemical compound [SiH4].Cl.Cl RFBSXFWTSAJAEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNUXACPGWONUNM-UHFFFAOYSA-N silane trihydrochloride Chemical compound [SiH4].Cl.Cl.Cl XNUXACPGWONUNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Position Input By Displaying (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基材と反射防止層とがハードコート層を介し
て高い密着性を有し、さらに、落下等の衝撃から表示部
が保護できる表面高度に優れたタッチパネル用反射防止
フィルム、その製造方法及びタッチパネルを提供する。 【解決手段】 基材フィルム（１）の片面に、ハードコ
ート層を介して、反射防止層が積層され、該基材フィル
ム（１）のもう一方の片面に透明導電層が形成されてい
るタッチパネル用反射防止フィルム、上記ハードコート
層の放電処理された面または基材フィルム（１）に、大
気圧近傍の圧力下、金属化合物を含むガス雰囲気中で、
対向電極間に放電電流密度が０．２〜３００ｍＡ／ｃｍ
2 となるように電界を印加することにより、放電プラズ
マを発生させ、透明導電層、又は、反射防止層を積層す
るタッチパネル用反射防止フィルムの製造方法及び、上
記反射防止フィルムを用いたタッチパネル。
て高い密着性を有し、さらに、落下等の衝撃から表示部
が保護できる表面高度に優れたタッチパネル用反射防止
フィルム、その製造方法及びタッチパネルを提供する。 【解決手段】 基材フィルム（１）の片面に、ハードコ
ート層を介して、反射防止層が積層され、該基材フィル
ム（１）のもう一方の片面に透明導電層が形成されてい
るタッチパネル用反射防止フィルム、上記ハードコート
層の放電処理された面または基材フィルム（１）に、大
気圧近傍の圧力下、金属化合物を含むガス雰囲気中で、
対向電極間に放電電流密度が０．２〜３００ｍＡ／ｃｍ
2 となるように電界を印加することにより、放電プラズ
マを発生させ、透明導電層、又は、反射防止層を積層す
るタッチパネル用反射防止フィルムの製造方法及び、上
記反射防止フィルムを用いたタッチパネル。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、タッチパネル等に
好適に用いられ、さらに詳細には、手書き入力タブレッ
トに適した反射防止フィルム、その製造方法及びタッチ
パネルに関する。
好適に用いられ、さらに詳細には、手書き入力タブレッ
トに適した反射防止フィルム、その製造方法及びタッチ
パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、タッチパネルや、その中でも抵
抗膜方式タッチパネルと反射型液晶パネルよりなる手書
き入力タブレットは、室内環境や屋外環境において、使
用環境に伴う光の取り入れ方向・角度により表示部の光
が反射して視認性が低下するという問題があった。特
に、表示部と保護フィルムとの間に隙間があると、装置
内で光の反射が起こるため、著しく視認性が低下する問
題があった。
抗膜方式タッチパネルと反射型液晶パネルよりなる手書
き入力タブレットは、室内環境や屋外環境において、使
用環境に伴う光の取り入れ方向・角度により表示部の光
が反射して視認性が低下するという問題があった。特
に、表示部と保護フィルムとの間に隙間があると、装置
内で光の反射が起こるため、著しく視認性が低下する問
題があった。
【０００３】このような問題に対し、表面をエッチング
することで反射防止することが行われているが、品質に
ばらつきがあるだけでなく、透過画質を悪化させるとい
う欠点があった。
することで反射防止することが行われているが、品質に
ばらつきがあるだけでなく、透過画質を悪化させるとい
う欠点があった。
【０００４】さらに、特開平５−１７３７０７号公報で
は、表示部上記偏光膜を取り除いた反射型液晶パネルの
上に、表面にノングレア処理をした偏光膜を用いたタッ
チパネルを一体化させた手書き入力タブレットが開示さ
れており、ノングレア処理の場合、反射光を抑えること
ができるが、透過率とヘイズ値が悪くなるという問題が
あった。
は、表示部上記偏光膜を取り除いた反射型液晶パネルの
上に、表面にノングレア処理をした偏光膜を用いたタッ
チパネルを一体化させた手書き入力タブレットが開示さ
れており、ノングレア処理の場合、反射光を抑えること
ができるが、透過率とヘイズ値が悪くなるという問題が
あった。
【０００５】そこで、反射防止性能を改良するために、
塗工、蒸着、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等の方法
で低屈折率層、高屈折率層の組み合わせによる反射防止
膜を形成する方法が提案された。上記方法のうち、従来
の蒸着、スパッタリング、プラズマＣＶＤ法等のドライ
プロセスによるものは、高性能な反射防止膜を提供する
ことができるが、低圧力環境が必須であり、連続的に大
面積に処理するためには大規模な設備を必要とする。さ
らに、上記反射防止膜中の低屈折率層、及び高屈折率層
の材料は、主に酸化金属材料が利用されており、透過率
を維持しつつ、反射防止機能を付与するために、通常、
０．１μｍ程度の金属含有薄膜を単層及び複数層積層す
るものである。
塗工、蒸着、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等の方法
で低屈折率層、高屈折率層の組み合わせによる反射防止
膜を形成する方法が提案された。上記方法のうち、従来
の蒸着、スパッタリング、プラズマＣＶＤ法等のドライ
プロセスによるものは、高性能な反射防止膜を提供する
ことができるが、低圧力環境が必須であり、連続的に大
面積に処理するためには大規模な設備を必要とする。さ
らに、上記反射防止膜中の低屈折率層、及び高屈折率層
の材料は、主に酸化金属材料が利用されており、透過率
を維持しつつ、反射防止機能を付与するために、通常、
０．１μｍ程度の金属含有薄膜を単層及び複数層積層す
るものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、反射防止膜
は、基材との密着性及び耐擦傷性が悪く、表面硬度も低
いという問題があった。そのため、基材上にハードコー
ト層（硬化被膜層）としてアクリレート系の官能基を有
する層を設けて、表面硬度を向上させる技術が汎用され
ている。しかし、有機材料であるハードコート層と無機
材料である金属含有薄膜との密着性に問題が残り、金属
含有薄膜の表面が剥離する等の問題が残った。金属含有
薄膜とハードコート層の密着性を上げる方法として、例
えばアクリル系ハードコート表面をコロナ放電処理する
方法が知られているが、密着性の向上効果は十分ではな
かった。また処理時間を延ばした場合、基材表面の劣化
が激しくなり、逆に密着性が低下する。またアクリル系
ハードコート塗料に無定型シリカ粒子を混合し、金属含
有薄膜との密着性を向上させる方法（特開平５−１６２
２６１号公報）や、オルガノポリシロキサンを用いて接
着特性を向上させる方法が提案されており、これらの方
法によれば、確かに表面硬度は向上するが、密着性に関
して効果が不十分であった。
は、基材との密着性及び耐擦傷性が悪く、表面硬度も低
いという問題があった。そのため、基材上にハードコー
ト層（硬化被膜層）としてアクリレート系の官能基を有
する層を設けて、表面硬度を向上させる技術が汎用され
ている。しかし、有機材料であるハードコート層と無機
材料である金属含有薄膜との密着性に問題が残り、金属
含有薄膜の表面が剥離する等の問題が残った。金属含有
薄膜とハードコート層の密着性を上げる方法として、例
えばアクリル系ハードコート表面をコロナ放電処理する
方法が知られているが、密着性の向上効果は十分ではな
かった。また処理時間を延ばした場合、基材表面の劣化
が激しくなり、逆に密着性が低下する。またアクリル系
ハードコート塗料に無定型シリカ粒子を混合し、金属含
有薄膜との密着性を向上させる方法（特開平５−１６２
２６１号公報）や、オルガノポリシロキサンを用いて接
着特性を向上させる方法が提案されており、これらの方
法によれば、確かに表面硬度は向上するが、密着性に関
して効果が不十分であった。
【０００７】本発明は、上記の課題を解決し、基材と反
射防止層とがハードコート層を介して高い密着性を有
し、さらに、落下等の衝撃から表示部が保護できる表面
高度に優れたタッチパネル用反射防止フィルム、その製
造方法及びタッチパネルを提供することを目的とする。
射防止層とがハードコート層を介して高い密着性を有
し、さらに、落下等の衝撃から表示部が保護できる表面
高度に優れたタッチパネル用反射防止フィルム、その製
造方法及びタッチパネルを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の本発明（以下、「本発明１」という）
では、基材フィルム（１）の片面に、ハードコート層を
介して、反射防止層が積層され、該基材フィルム（１）
のもう一方の片面に透明導電層が形成されていることを
特徴とするタッチパネル用反射防止フィルムを提供す
る。また、請求項２記載の本発明（以下、「本発明２」
という）では、基材フィルム（１）の片面に、粘着剤
層、偏光子、ハードコート層、反射防止層がこの順に積
層され、該基材フィルム（１）のもう一方の片面に透明
導電層が形成されていることを特徴とするタッチパネル
用反射防止フィルムを提供する。
に請求項１記載の本発明（以下、「本発明１」という）
では、基材フィルム（１）の片面に、ハードコート層を
介して、反射防止層が積層され、該基材フィルム（１）
のもう一方の片面に透明導電層が形成されていることを
特徴とするタッチパネル用反射防止フィルムを提供す
る。また、請求項２記載の本発明（以下、「本発明２」
という）では、基材フィルム（１）の片面に、粘着剤
層、偏光子、ハードコート層、反射防止層がこの順に積
層され、該基材フィルム（１）のもう一方の片面に透明
導電層が形成されていることを特徴とするタッチパネル
用反射防止フィルムを提供する。
【０００９】また、請求項３記載の本発明（以下、「本
発明３」という）では、基材フィルム（１）の片面に、
粘着剤層、基材フィルム（２）、ハードコート層、反射
防止層がこの順に積層され、該基材フィルム（１）のも
う一方の片面に透明導電層が形成されていることを特徴
とするタッチパネル用反射防止フィルムを提供する。ま
た、請求項４記載の本発明（以下、「本発明４」とい
う）では、ハードコート層が、多官能アクリレート
（Ａ）１００重量部と、有機物により表面処理コートさ
れたシリカ粒子、オルガノポリシロキサン、及びシリコ
ンアクリレートよりなる群から選ばれた少なくとも１種
のシリコン系化合物（Ｂ）１〜４０重量部からなる組成
物を硬化させたものであり、上記ハードコート層の表面
の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及びＯ
の合計量に対して２〜３５原子％であることを特徴とす
る請求項１〜３いずれか一項に記載のタッチパネル用反
射防止フィルムを提供する。
発明３」という）では、基材フィルム（１）の片面に、
粘着剤層、基材フィルム（２）、ハードコート層、反射
防止層がこの順に積層され、該基材フィルム（１）のも
う一方の片面に透明導電層が形成されていることを特徴
とするタッチパネル用反射防止フィルムを提供する。ま
た、請求項４記載の本発明（以下、「本発明４」とい
う）では、ハードコート層が、多官能アクリレート
（Ａ）１００重量部と、有機物により表面処理コートさ
れたシリカ粒子、オルガノポリシロキサン、及びシリコ
ンアクリレートよりなる群から選ばれた少なくとも１種
のシリコン系化合物（Ｂ）１〜４０重量部からなる組成
物を硬化させたものであり、上記ハードコート層の表面
の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及びＯ
の合計量に対して２〜３５原子％であることを特徴とす
る請求項１〜３いずれか一項に記載のタッチパネル用反
射防止フィルムを提供する。
【００１０】また、請求項５記載の本発明（以下、「本
発明５」という）では、ハードコート層が、多官能アク
リレート（Ａ）１００重量部と、有機物により表面処理
コートされたシリカ粒子、オルガノポリシロキサン、及
びシリコンアクリレートよりなる群から選ばれた少なく
とも１種のシリコン系化合物（Ｂ）１〜７０重量部とウ
レタンアクリレート（Ｃ）５〜１００重量部とからなる
組成物を硬化させたものであり、上記ハードコート層の
表面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及
びＯの合計量に対して２〜３５原子％であることを特徴
とする請求項４記載のタッチパネル用反射防止フィルム
を提供する。また、請求項６記載の本発明（以下、「本
発明６」という）では、ハードコート層の表面の元素組
成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量
に対して２〜３５原子％となるように放電処理が施され
たハードコート層を有することを特徴とする請求項１〜
５いずれか一項に記載のタッチパネル用反射防止フィル
ムを提供する。
発明５」という）では、ハードコート層が、多官能アク
リレート（Ａ）１００重量部と、有機物により表面処理
コートされたシリカ粒子、オルガノポリシロキサン、及
びシリコンアクリレートよりなる群から選ばれた少なく
とも１種のシリコン系化合物（Ｂ）１〜７０重量部とウ
レタンアクリレート（Ｃ）５〜１００重量部とからなる
組成物を硬化させたものであり、上記ハードコート層の
表面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及
びＯの合計量に対して２〜３５原子％であることを特徴
とする請求項４記載のタッチパネル用反射防止フィルム
を提供する。また、請求項６記載の本発明（以下、「本
発明６」という）では、ハードコート層の表面の元素組
成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量
に対して２〜３５原子％となるように放電処理が施され
たハードコート層を有することを特徴とする請求項１〜
５いずれか一項に記載のタッチパネル用反射防止フィル
ムを提供する。
【００１１】また、請求項７記載の本発明（以下、「本
発明７」という）では、タッチパネル用反射防止フィル
ムを製造する方法において、 上記ハードコート層の表
面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及び
Ｏの合計量に対して２〜３５原子％となるように放電処
理を施し、更に上記放電処理された面、又は、基材フィ
ルム（１）に、大気圧近傍の圧力下、金属化合物を含む
ガス雰囲気中で、対向電極間に放電電流密度が０．２〜
３００ｍＡ／ｃｍ2 となるように電界を印加することに
より、放電プラズマを発生させ、透明導電層、又は、反
射防止層を積層することを特徴とするタッチパネル用反
射防止フィルムの製造方法を提供する。また、請求項８
記載の本発明（以下、「本発明８」という）では、上記
一対の対向電極間にパルス化された電界を印加すること
を特徴とする請求項７記載のタッチパネル用反射防止フ
ィルム製造方法を提供する。
発明７」という）では、タッチパネル用反射防止フィル
ムを製造する方法において、 上記ハードコート層の表
面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及び
Ｏの合計量に対して２〜３５原子％となるように放電処
理を施し、更に上記放電処理された面、又は、基材フィ
ルム（１）に、大気圧近傍の圧力下、金属化合物を含む
ガス雰囲気中で、対向電極間に放電電流密度が０．２〜
３００ｍＡ／ｃｍ2 となるように電界を印加することに
より、放電プラズマを発生させ、透明導電層、又は、反
射防止層を積層することを特徴とするタッチパネル用反
射防止フィルムの製造方法を提供する。また、請求項８
記載の本発明（以下、「本発明８」という）では、上記
一対の対向電極間にパルス化された電界を印加すること
を特徴とする請求項７記載のタッチパネル用反射防止フ
ィルム製造方法を提供する。
【００１２】また、請求項９記載の本発明（以下、「本
発明９」という）では、上記パルス化された電界の印加
における電圧立ち上がり時間が１００μｓ以下で、且
つ、パルス電界の強さが１〜１００ｋＶ／ｃｍの範囲で
あることを特徴とする請求項８記載のタッチパネル用反
射防止フィルム製造方法を提供する。また、請求項１０
記載の本発明（以下、「本発明１０」という）では、上
記パルス化された電界の周波数が０．５〜１００ｋＨｚ
であり、且つ、その１つのパルス継続時間が１〜１００
０μｓであることを特徴とする請求項８又は９記載のタ
ッチパネル用反射防止フィルム製造方法を提供する。ま
た、請求項１１記載の本発明（以下、「本発明１１」と
いう）では、基材フィルム（１）と透明導電層とからな
るフィルムを上部電極とする請求項１〜６記載のタッチ
パネル用反射防止フィルムが、積層されてなるタッチパ
ネルを提供する。
発明９」という）では、上記パルス化された電界の印加
における電圧立ち上がり時間が１００μｓ以下で、且
つ、パルス電界の強さが１〜１００ｋＶ／ｃｍの範囲で
あることを特徴とする請求項８記載のタッチパネル用反
射防止フィルム製造方法を提供する。また、請求項１０
記載の本発明（以下、「本発明１０」という）では、上
記パルス化された電界の周波数が０．５〜１００ｋＨｚ
であり、且つ、その１つのパルス継続時間が１〜１００
０μｓであることを特徴とする請求項８又は９記載のタ
ッチパネル用反射防止フィルム製造方法を提供する。ま
た、請求項１１記載の本発明（以下、「本発明１１」と
いう）では、基材フィルム（１）と透明導電層とからな
るフィルムを上部電極とする請求項１〜６記載のタッチ
パネル用反射防止フィルムが、積層されてなるタッチパ
ネルを提供する。
【００１３】＜基材フィルム＞本発明において使用され
る基材フィルム（１）及び（２）（以下、基材フィルム
と略記する場合がある）の材質は、特に限定されず、例
えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、
再生セルロース、ジアセチルセルロース、トリアセチル
セルロース、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リビニルアルコール、ポリスチレン、ポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポ
リイミド、ナイロン、等が挙げられる。好ましくは、透
明性のある樹脂基材であり、これらは特に限定されずト
リアセチルセルロース、ポリエチレンテレフタレート、
ポリカーボネート等が挙げられる。また、上記基材フィ
ルム（１）及び（２）のフィルムは、上記樹脂基材のう
ち、これらは同種の物を用いてもよく、また、２種類以
上併用されてもよい。
る基材フィルム（１）及び（２）（以下、基材フィルム
と略記する場合がある）の材質は、特に限定されず、例
えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、
再生セルロース、ジアセチルセルロース、トリアセチル
セルロース、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リビニルアルコール、ポリスチレン、ポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポ
リイミド、ナイロン、等が挙げられる。好ましくは、透
明性のある樹脂基材であり、これらは特に限定されずト
リアセチルセルロース、ポリエチレンテレフタレート、
ポリカーボネート等が挙げられる。また、上記基材フィ
ルム（１）及び（２）のフィルムは、上記樹脂基材のう
ち、これらは同種の物を用いてもよく、また、２種類以
上併用されてもよい。
【００１４】＜ハードコート層＞本発明において使用さ
れる多官能アクリレート（Ａ）としては、例えば、ペン
タエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペン
タエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ペンタ
エリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタ
エリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ペンタエ
リスリトール（メタ）テトラアクリレート、ジペンタエ
リスリトール（メタ）テトラアクリレート、ペンタエリ
スリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリス
リトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリト
ールグリシジル（メタ）アクリレート、トリメチロール
プロパントリ（メタ）アクリレート、及びこれらの誘導
体、変性品等が挙げられる。これらは、単独で使用され
てもよいし、２種類以上併用されてもよい。また、上記
ハードコート層は、基材フィルム（１）、（２）または
偏光子上に形成することができる。
れる多官能アクリレート（Ａ）としては、例えば、ペン
タエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペン
タエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ペンタ
エリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタ
エリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ペンタエ
リスリトール（メタ）テトラアクリレート、ジペンタエ
リスリトール（メタ）テトラアクリレート、ペンタエリ
スリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリス
リトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリト
ールグリシジル（メタ）アクリレート、トリメチロール
プロパントリ（メタ）アクリレート、及びこれらの誘導
体、変性品等が挙げられる。これらは、単独で使用され
てもよいし、２種類以上併用されてもよい。また、上記
ハードコート層は、基材フィルム（１）、（２）または
偏光子上に形成することができる。
【００１５】本発明において使用されるシリコン系化合
物（Ｂ）は、有機物により表面処理コートされたシリカ
粒子、オルガノポリシロキサン及びシリコンアクリレー
トよりなる群から選ばれた少なくとも１種のシリコン系
化合物からなる。上記有機物により表面処理コートされ
たシリカ粒子としては、例えば、図１、２に示したもの
が例示される。ここでＣｏ−Ｓｉとはコロイダルシリカ
を示し、図２においてＲ1 、Ｒ2 はそれぞれアルキル基
を示す。なお、Ｒ1 とＲ2 は、それぞれ異なっていても
よいし、同一のものであってもよい。上記有機物により
表面処理コートされたシリカ粒子としては、東芝シリコ
ーン社製；品番「ＵＶＨＣ−１１０３」、「ＵＶＨＣ−
１１０５」等があげられる。
物（Ｂ）は、有機物により表面処理コートされたシリカ
粒子、オルガノポリシロキサン及びシリコンアクリレー
トよりなる群から選ばれた少なくとも１種のシリコン系
化合物からなる。上記有機物により表面処理コートされ
たシリカ粒子としては、例えば、図１、２に示したもの
が例示される。ここでＣｏ−Ｓｉとはコロイダルシリカ
を示し、図２においてＲ1 、Ｒ2 はそれぞれアルキル基
を示す。なお、Ｒ1 とＲ2 は、それぞれ異なっていても
よいし、同一のものであってもよい。上記有機物により
表面処理コートされたシリカ粒子としては、東芝シリコ
ーン社製；品番「ＵＶＨＣ−１１０３」、「ＵＶＨＣ−
１１０５」等があげられる。
【００１６】上記有機物により表面処理コートされたシ
リカ粒子の粒径は、小さすぎると、ハードコート塗料の
粘度が高くなるので塗工が困難になり、大きすぎると塗
工後のヘイズ値が下がり、透明性が落ちるため、０．１
〜３μｍが好ましく、より好ましくは、０．２〜０．７
μｍが好ましい。
リカ粒子の粒径は、小さすぎると、ハードコート塗料の
粘度が高くなるので塗工が困難になり、大きすぎると塗
工後のヘイズ値が下がり、透明性が落ちるため、０．１
〜３μｍが好ましく、より好ましくは、０．２〜０．７
μｍが好ましい。
【００１７】上記オルガノシロキサン樹脂としては、以
下の構造のものが利用できる。
下の構造のものが利用できる。
【００１８】
【化１】
【００１９】
【化２】
【００２０】
【化３】
【００２１】ここで、ｍ，ｎは０以上の整数であり、ｍ
≧０、ｎ≧０、１０≦ｍ＋ｎ≦１００が好ましく、より
好ましくは１５≦ｍ＋ｎ≦５０である。ｍ＋ｎ＜１０の
場合は硬度が低くなり、ハードコート性能が劣る。ま
た、ｍ＋ｎ＞１００の場合は、塗料が高粘度化するた
め、塗工に問題が生じる。
≧０、ｎ≧０、１０≦ｍ＋ｎ≦１００が好ましく、より
好ましくは１５≦ｍ＋ｎ≦５０である。ｍ＋ｎ＜１０の
場合は硬度が低くなり、ハードコート性能が劣る。ま
た、ｍ＋ｎ＞１００の場合は、塗料が高粘度化するた
め、塗工に問題が生じる。
【００２２】上記シリコンアクリレートは、一般式（Ｃ
Ｈ3 Ｏ）3 ＳｉＲ3 Ｏ−ＣＯ−ＣＲ 4 ＝ＣＨ2 で示され
るものであり、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれアルキル基を示
す。なお、Ｒ3 とＲ4 は、それぞれ異なっていてもよい
し、同一のものであってもよい。
Ｈ3 Ｏ）3 ＳｉＲ3 Ｏ−ＣＯ−ＣＲ 4 ＝ＣＨ2 で示され
るものであり、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれアルキル基を示
す。なお、Ｒ3 とＲ4 は、それぞれ異なっていてもよい
し、同一のものであってもよい。
【００２３】上記シリコン系化合物（Ｂ）の量は、少な
すぎると、得られるハードコート層の表面硬度が低くな
り、多すぎると、硬化後のハードコートにクラックが発
生し、密着性が低下する。このため、本発明４では、多
官能アクリレート（Ａ）１００重量部に対して１〜４０
重量部が好ましく、さらに好ましくは３〜２０重量部で
ある。１重量部より少ないと、表面高度が低く密着性が
向上しない。また、４０重量部より多い場合は、硬化後
のハードコート内にクラックが発生し、密着性が低下す
る。また、本発明５では多官能アクリレート（Ａ）１０
０重量部、ウレタンアクリレート５〜１００重量部に対
して１〜７０重量部が好ましく、さらに好ましくは１０
〜６０重量部である。１重量部より少ないと、表面高度
が低く密着性が向上しない。また、７０重量部より多い
場合は、硬化後のハードコート内にクラックが発生し、
密着性が低下する。
すぎると、得られるハードコート層の表面硬度が低くな
り、多すぎると、硬化後のハードコートにクラックが発
生し、密着性が低下する。このため、本発明４では、多
官能アクリレート（Ａ）１００重量部に対して１〜４０
重量部が好ましく、さらに好ましくは３〜２０重量部で
ある。１重量部より少ないと、表面高度が低く密着性が
向上しない。また、４０重量部より多い場合は、硬化後
のハードコート内にクラックが発生し、密着性が低下す
る。また、本発明５では多官能アクリレート（Ａ）１０
０重量部、ウレタンアクリレート５〜１００重量部に対
して１〜７０重量部が好ましく、さらに好ましくは１０
〜６０重量部である。１重量部より少ないと、表面高度
が低く密着性が向上しない。また、７０重量部より多い
場合は、硬化後のハードコート内にクラックが発生し、
密着性が低下する。
【００２４】上記ハードコート塗料の粘度を調整するた
めに、希釈溶媒を用いても良い。これらは、非重合性の
ものであれば特に限定されず、例えば、トルエン、キシ
レン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルセルソルブ、エ
チルセルソルブ、エチルセルソルブアセテート、イソプ
ロピルアルコール、メチルエチルケトン等が挙げられ
る。これらの希釈溶媒は、これらは、単独で使用されて
もよいし、２種類以上併用されてもよい。
めに、希釈溶媒を用いても良い。これらは、非重合性の
ものであれば特に限定されず、例えば、トルエン、キシ
レン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルセルソルブ、エ
チルセルソルブ、エチルセルソルブアセテート、イソプ
ロピルアルコール、メチルエチルケトン等が挙げられ
る。これらの希釈溶媒は、これらは、単独で使用されて
もよいし、２種類以上併用されてもよい。
【００２５】本発明において使用されるウレタンアクリ
レート（Ｃ）は、１種または２種以上を併用したポリオ
ール、ジイソシアネート、ヒドロキシ（メタ）アクリレ
ートを使用し、公知の方法で作られる。
レート（Ｃ）は、１種または２種以上を併用したポリオ
ール、ジイソシアネート、ヒドロキシ（メタ）アクリレ
ートを使用し、公知の方法で作られる。
【００２６】上記ポリオールとしては、例えば、スピロ
グリコール、エトキシ化ビスフェノールＡ、エトキシ化
ビスフェノールＳ、ポリテトラメチレンオキサイドジオ
ール、ポリテトラメチレンオキサイドトリオール、ポリ
プロピレンオキサイドジオール、ポリプロピレンオキサ
イドトリオール等が挙げられる。
グリコール、エトキシ化ビスフェノールＡ、エトキシ化
ビスフェノールＳ、ポリテトラメチレンオキサイドジオ
ール、ポリテトラメチレンオキサイドトリオール、ポリ
プロピレンオキサイドジオール、ポリプロピレンオキサ
イドトリオール等が挙げられる。
【００２７】上記ジイソシアネートとしては、例えば、
テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイ
ソシアネート、イソホロンジイソシアネート、２, ４−
トリレンジイソシアネート、４, ４' −ジフェニルジイ
ソシアネート、１, ５−ナフタレンジイソシアネート、
３, ３' −ジメチル−４, ４−ジフェニルジイソシアネ
ート、キシレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメ
チレンジイソシアネート、４, ４−ジフェニルメタンジ
イソシアネート、トリレンジイソシアネート等が挙げら
れる。
テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイ
ソシアネート、イソホロンジイソシアネート、２, ４−
トリレンジイソシアネート、４, ４' −ジフェニルジイ
ソシアネート、１, ５−ナフタレンジイソシアネート、
３, ３' −ジメチル−４, ４−ジフェニルジイソシアネ
ート、キシレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメ
チレンジイソシアネート、４, ４−ジフェニルメタンジ
イソシアネート、トリレンジイソシアネート等が挙げら
れる。
【００２８】上記ヒドロキシ（メタ）アクリレートとし
ては、例えば、２、２−ビス〔４−（３−アクリロキシ
−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕プロパン、ビ
ス〔４−（３−アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキ
シ）フェニル〕メタン、ビス〔４−（３−アクリロキシ
−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕スルホン、ビ
ス〔４−（３−アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキ
シ）フェニル〕エーテル、４, ４−ビス〔４−（３−ア
クリロキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕シ
クロヘキサン、９, ９−ビス〔４−（３−アクリロキシ
−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕フルオレン、
９, ９−ビス〔４−（３−アクリロキシ−２−ヒドロキ
シプロポキシ）フェニル〕アントラキノン、２−ヒドロ
キシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロ
ピルアクリレート、グリシドールジメタクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート等が挙げられる。
ては、例えば、２、２−ビス〔４−（３−アクリロキシ
−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕プロパン、ビ
ス〔４−（３−アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキ
シ）フェニル〕メタン、ビス〔４−（３−アクリロキシ
−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕スルホン、ビ
ス〔４−（３−アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキ
シ）フェニル〕エーテル、４, ４−ビス〔４−（３−ア
クリロキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕シ
クロヘキサン、９, ９−ビス〔４−（３−アクリロキシ
−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕フルオレン、
９, ９−ビス〔４−（３−アクリロキシ−２−ヒドロキ
シプロポキシ）フェニル〕アントラキノン、２−ヒドロ
キシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロ
ピルアクリレート、グリシドールジメタクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート等が挙げられる。
【００２９】上記ウレタンアクリレート（Ｃ）として
は、大日精化社製；品番「ＥＸＳ−０７」などが挙げら
れる。
は、大日精化社製；品番「ＥＸＳ−０７」などが挙げら
れる。
【００３０】上記ウレタンアクリレート（Ｃ）添加量
は、少なすぎると、得られるハードコート層の柔軟性や
密着性が低くなり、多すぎると、硬化後のハードコート
性能がこのため、多官能アクリレート（Ａ）１００重量
部及びシリコン系化合物（Ｂ）１〜７０重量部に対し
て、ウレタンアクリレート（Ｃ）５〜１００重量部が好
ましく、さらに好ましくは７〜４０重量部である。５重
量部より少ないと、柔軟性や密着性が向上しない。ま
た、１００重量部より多い場合は、ハードコート性能が
低下する。ハードコート層のより好ましい組成として
は、、多官能アクリレート（Ａ）１００重量部、シリコ
ン系化合物（Ｂ）１０〜６０重量部及びウレタンアクリ
レート（Ｃ）７〜４０重量部とからなる組成が挙げられ
る。
は、少なすぎると、得られるハードコート層の柔軟性や
密着性が低くなり、多すぎると、硬化後のハードコート
性能がこのため、多官能アクリレート（Ａ）１００重量
部及びシリコン系化合物（Ｂ）１〜７０重量部に対し
て、ウレタンアクリレート（Ｃ）５〜１００重量部が好
ましく、さらに好ましくは７〜４０重量部である。５重
量部より少ないと、柔軟性や密着性が向上しない。ま
た、１００重量部より多い場合は、ハードコート性能が
低下する。ハードコート層のより好ましい組成として
は、、多官能アクリレート（Ａ）１００重量部、シリコ
ン系化合物（Ｂ）１０〜６０重量部及びウレタンアクリ
レート（Ｃ）７〜４０重量部とからなる組成が挙げられ
る。
【００３１】本発明においてハードコート層を形成する
には、多官能アクリレート（Ａ）、シリコン系化合物
（Ｂ）及び、ウレタンアクリレート（Ｃ）からなる組成
物を、透明性基材上に塗布し、乾燥、硬化する。上記組
成物を透明性基材上に塗布する方法としては、公知のス
プレーコート、グラビアコート、ロールコート、バーコ
ート等の塗工法を用いることが出来る。塗布量は、必要
とされる物性を考慮し、所望の厚さとなるように調整さ
れる。
には、多官能アクリレート（Ａ）、シリコン系化合物
（Ｂ）及び、ウレタンアクリレート（Ｃ）からなる組成
物を、透明性基材上に塗布し、乾燥、硬化する。上記組
成物を透明性基材上に塗布する方法としては、公知のス
プレーコート、グラビアコート、ロールコート、バーコ
ート等の塗工法を用いることが出来る。塗布量は、必要
とされる物性を考慮し、所望の厚さとなるように調整さ
れる。
【００３２】上記のようにして透明性基材上に塗布さ
れ、乾燥されたハードコート用組成物を硬化する方法と
しては、アクリロイル基の重合反応を開始し促進するも
のであれば、特に限定されず、公知の方法で行うことが
出来る。
れ、乾燥されたハードコート用組成物を硬化する方法と
しては、アクリロイル基の重合反応を開始し促進するも
のであれば、特に限定されず、公知の方法で行うことが
出来る。
【００３３】紫外線照射により硬化させる場合は、従来
公知の光重合開始剤を用いることができ、例えば２，２
−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、アセトフ
ェノン、ベンゾフェノン、キサントン、３−メチルアセ
トフェノン、４−クロロベンゾフェノン、４，４’−ジ
メトキシベンゾフェノン、ベンゾインプロピルエーテ
ル、ベンジルジメチルケタール、N,N,N',N'-テトラメチ
ル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、１−（４−イ
ソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプ
ロパン−１−オン、その他チオキサント系化合物等が挙
げられる。
公知の光重合開始剤を用いることができ、例えば２，２
−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、アセトフ
ェノン、ベンゾフェノン、キサントン、３−メチルアセ
トフェノン、４−クロロベンゾフェノン、４，４’−ジ
メトキシベンゾフェノン、ベンゾインプロピルエーテ
ル、ベンジルジメチルケタール、N,N,N',N'-テトラメチ
ル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、１−（４−イ
ソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプ
ロパン−１−オン、その他チオキサント系化合物等が挙
げられる。
【００３４】上記の硬化に用いられるエネルギー線源と
しては、例えば、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キ
セノンランプ、窒素レーザー、電子線加速装置、放射性
元素などの線源が使用される。エネルギー線源の照射量
は、紫外線波長３６５ｎｍでの積算露光量として、５０
〜５０００ｍＪ／ｃｍ2 が好ましい。照射量が、５０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 未満の場合は、硬化が不十分となるため、導
電層の耐摩耗性や硬度が低下する。また、５０００ｍＪ
／ｃｍ2 を超えると、導電層が着色して透明性が低下す
る。
しては、例えば、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キ
セノンランプ、窒素レーザー、電子線加速装置、放射性
元素などの線源が使用される。エネルギー線源の照射量
は、紫外線波長３６５ｎｍでの積算露光量として、５０
〜５０００ｍＪ／ｃｍ2 が好ましい。照射量が、５０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 未満の場合は、硬化が不十分となるため、導
電層の耐摩耗性や硬度が低下する。また、５０００ｍＪ
／ｃｍ2 を超えると、導電層が着色して透明性が低下す
る。
【００３５】また加熱による硬化を行う場合、開始剤と
して、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタ
ール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサ
イド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネ
ート等が挙げられる。これら開始剤は単独で使用されて
もよいし、２種類以上併用されてもよい。
して、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタ
ール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサ
イド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネ
ート等が挙げられる。これら開始剤は単独で使用されて
もよいし、２種類以上併用されてもよい。
【００３６】上記ハードコート用組成物には、必要に応
じて、性能を損なわない範囲で、顔料、充填剤、界面活
性剤、分散剤、可塑剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤等が
使用されてもよい。これらは単独で使用されてもよい
し、２種類以上併用されてもよい。
じて、性能を損なわない範囲で、顔料、充填剤、界面活
性剤、分散剤、可塑剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤等が
使用されてもよい。これらは単独で使用されてもよい
し、２種類以上併用されてもよい。
【００３７】上記ハードコート層の厚みは、１〜１５μ
ｍが好ましく、より好ましくは２〜８μｍである。膜厚
が、１μｍより薄すぎると硬度が下がり、１５μｍより
厚すぎるとハードコート層自体にクラックが発生し、反
射防止層との密着性が低下するためである。
ｍが好ましく、より好ましくは２〜８μｍである。膜厚
が、１μｍより薄すぎると硬度が下がり、１５μｍより
厚すぎるとハードコート層自体にクラックが発生し、反
射防止層との密着性が低下するためである。
【００３８】本発明においては、基材上のハードコート
層の表面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、
Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原子％となるよう
に上記組成物の設計・塗工・硬化等を施す。上記表面の
Ｓｉの比率はＥＳＣＡによって分析され、Ｓｉ量／（Ｓ
ｉ量＋Ｃ量＋Ｏ量）で算出される。
層の表面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、
Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原子％となるよう
に上記組成物の設計・塗工・硬化等を施す。上記表面の
Ｓｉの比率はＥＳＣＡによって分析され、Ｓｉ量／（Ｓ
ｉ量＋Ｃ量＋Ｏ量）で算出される。
【００３９】＜表面処理＞本発明におけるハードコート
層は、表面のＳｉ元素量を調整するために、導電性ハー
ドコート塗工後、表面処理を施しても良い。放電処理に
より表面処理を行う場合は、ハードコート層表面をエッ
チングし、−ＳｉＯ−結合を露出させる効果のあるもの
であれば特に限定されず、コロナ放電、プラズマ放電、
エキシマレーザーによる処理等、また、有機溶剤によっ
てハードコート層表面を浸食し、Ｓｉ元素量を制御する
化学処理等が挙げられる。その中でも、コロナ処理、プ
ラズマ処理による方法が好ましい。上記方法により表面
処理される深さは、基材へのダメージがなければ特に限
定されず、０．５〜１５ｎｍ程度であることが好まし
く、さらに好ましくは１〜８ｎｍである。０．５ｎｍよ
り浅い場合は、−ＳｉＯ−結合生成が少なく十分な密着
性が得られない場合がある。また、１５ｎｍを越えると
基材へのダメージが大きく導電性ハードコートと基材と
の間で界面はく離が発生する場合がある。
層は、表面のＳｉ元素量を調整するために、導電性ハー
ドコート塗工後、表面処理を施しても良い。放電処理に
より表面処理を行う場合は、ハードコート層表面をエッ
チングし、−ＳｉＯ−結合を露出させる効果のあるもの
であれば特に限定されず、コロナ放電、プラズマ放電、
エキシマレーザーによる処理等、また、有機溶剤によっ
てハードコート層表面を浸食し、Ｓｉ元素量を制御する
化学処理等が挙げられる。その中でも、コロナ処理、プ
ラズマ処理による方法が好ましい。上記方法により表面
処理される深さは、基材へのダメージがなければ特に限
定されず、０．５〜１５ｎｍ程度であることが好まし
く、さらに好ましくは１〜８ｎｍである。０．５ｎｍよ
り浅い場合は、−ＳｉＯ−結合生成が少なく十分な密着
性が得られない場合がある。また、１５ｎｍを越えると
基材へのダメージが大きく導電性ハードコートと基材と
の間で界面はく離が発生する場合がある。
【００４０】上記表面における元素組成中に占めるＳｉ
の比率は、少なすぎると、表面に露出される−ＳｉＯ−
の割合が低下するため、その上に成される反射防止層と
の密着性が向上されず、多すぎるとハードコート基材に
クラックが入り、反射防止層との密着性が低下するた
め、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原子％
となるようにする必要があり、好ましくは４〜３０％で
ある。
の比率は、少なすぎると、表面に露出される−ＳｉＯ−
の割合が低下するため、その上に成される反射防止層と
の密着性が向上されず、多すぎるとハードコート基材に
クラックが入り、反射防止層との密着性が低下するた
め、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原子％
となるようにする必要があり、好ましくは４〜３０％で
ある。
【００４１】＜透明導電層＞本発明における透明導電層
としては、酸化錫（ＳｎＯ2 等）、酸化インジウム、酸
化アンチモン、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化カドミウム、
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の金属酸化物、また、
金、銀、銅、アルミニウム、錫、ニッケル等の金属膜が
挙げられる。その中でも、金属酸化膜は、成長が速く、
中でもＺｎＯ、ＳｎＯ2 等の単一金属からなる酸化物が
化学量論比による制御が容易で高性能な薄膜が得られる
点で好ましい。上記透明導電層の積層方法は特に限定さ
れず、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーテ
ィング法、低圧プラズマ、塗工法、及び常圧プラズマＣ
ＶＤ法等が挙げられる。上記導電層の厚みは、表面抵抗
が発現し、透明性が保たれる厚みであることが好まし
く、赤外線及び電磁波の低減性能が発現し、可視光透過
率が６０％以上であるためには、膜厚は３０〜２００ｎ
ｍであることが好ましい。
としては、酸化錫（ＳｎＯ2 等）、酸化インジウム、酸
化アンチモン、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化カドミウム、
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の金属酸化物、また、
金、銀、銅、アルミニウム、錫、ニッケル等の金属膜が
挙げられる。その中でも、金属酸化膜は、成長が速く、
中でもＺｎＯ、ＳｎＯ2 等の単一金属からなる酸化物が
化学量論比による制御が容易で高性能な薄膜が得られる
点で好ましい。上記透明導電層の積層方法は特に限定さ
れず、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーテ
ィング法、低圧プラズマ、塗工法、及び常圧プラズマＣ
ＶＤ法等が挙げられる。上記導電層の厚みは、表面抵抗
が発現し、透明性が保たれる厚みであることが好まし
く、赤外線及び電磁波の低減性能が発現し、可視光透過
率が６０％以上であるためには、膜厚は３０〜２００ｎ
ｍであることが好ましい。
【００４２】＜反射防止層＞本発明における反射防止層
としては、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ等が
用いられるが、高性能な反射防止機能を付与するには、
ＴｉＯ2 層上とＳｉＯ2 層との積層体を用いることが好
ましい。上記積層体は、ハードコート層上に屈折率の高
いＴｉＯ2 層（屈折率：約１．８〜２．１）が形成さ
れ、該ＴｉＯ2層上に屈折率の低いＳｉＯ2 層（屈折
率：約１．４〜１．５）が形成された２層積層体；さら
に、この２層積層体上に、ＴｉＯ2 層上及びＳｉＯ2 層
がこの順序で形成された４層積層体が好ましい。このよ
うな２層積層体又は４層積層体の反射防止層を設けるこ
とにより、特定波長の光の反射率を低くすることができ
る。上記反射防止層の厚みは、反射防止の性能が発現さ
れる厚みであれば特に限定されず、透明素材の場合は、
透過率の点から膜厚は薄い方が好ましい。通常は、１０
〜３００ｎｍで使用される。
としては、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ等が
用いられるが、高性能な反射防止機能を付与するには、
ＴｉＯ2 層上とＳｉＯ2 層との積層体を用いることが好
ましい。上記積層体は、ハードコート層上に屈折率の高
いＴｉＯ2 層（屈折率：約１．８〜２．１）が形成さ
れ、該ＴｉＯ2層上に屈折率の低いＳｉＯ2 層（屈折
率：約１．４〜１．５）が形成された２層積層体；さら
に、この２層積層体上に、ＴｉＯ2 層上及びＳｉＯ2 層
がこの順序で形成された４層積層体が好ましい。このよ
うな２層積層体又は４層積層体の反射防止層を設けるこ
とにより、特定波長の光の反射率を低くすることができ
る。上記反射防止層の厚みは、反射防止の性能が発現さ
れる厚みであれば特に限定されず、透明素材の場合は、
透過率の点から膜厚は薄い方が好ましい。通常は、１０
〜３００ｎｍで使用される。
【００４３】上記反射防止層の膜厚をｄ、屈折率をｎ、
入射光の波長をλとすると、反射防止層の膜厚とその屈
折率との間でｎｄ＝λ／４なる関係式が成立する。反射
防止層の屈折率が基材の屈折率より小さい場合は、上記
関係式が成立する条件では反射率が最小となる。従っ
て、得られる反射防止層の屈折率ｎが分かっていれば、
膜厚ｄは反射防止層の製造における成膜速度とその処理
時間で決定でき、特定の入射光の波長λ（単色光）に対
して反射率を最小にすることができる。
入射光の波長をλとすると、反射防止層の膜厚とその屈
折率との間でｎｄ＝λ／４なる関係式が成立する。反射
防止層の屈折率が基材の屈折率より小さい場合は、上記
関係式が成立する条件では反射率が最小となる。従っ
て、得られる反射防止層の屈折率ｎが分かっていれば、
膜厚ｄは反射防止層の製造における成膜速度とその処理
時間で決定でき、特定の入射光の波長λ（単色光）に対
して反射率を最小にすることができる。
【００４４】上記反射防止層が、例えばＳｉＯ2 層から
形成され、屈折率が１．４２である場合は、可視光線中
の５５０ｎｍの波長の入射光に対して、反射率を最小に
する反射防止層の膜厚は９７ｎｍとなる。
形成され、屈折率が１．４２である場合は、可視光線中
の５５０ｎｍの波長の入射光に対して、反射率を最小に
する反射防止層の膜厚は９７ｎｍとなる。
【００４５】反射防止効果を期待する可視光線の波長領
域は、３８０〜７８０ｎｍであり、特に視感度の高い４
５０〜６５０ｎｍの範囲にあるので、反射防止層の膜厚
が波長５５０ｎｍに対応できる膜厚を中心に±３０％の
範囲に設定されれば、可視光線に対する反射防止効果が
十分に期待される。
域は、３８０〜７８０ｎｍであり、特に視感度の高い４
５０〜６５０ｎｍの範囲にあるので、反射防止層の膜厚
が波長５５０ｎｍに対応できる膜厚を中心に±３０％の
範囲に設定されれば、可視光線に対する反射防止効果が
十分に期待される。
【００４６】２層以上の薄膜で反射防止層を形成する場
合は、最上層（表面層）を低屈折率材料のλ／４膜近辺
となるようにし、基材上から高屈折率材料と低屈折率が
交互に配置されることが好ましい。ここで、表面から２
層目以降の膜厚は、波長４５０〜６５０ｎｍでの反射率
が小さくなるように設定され、屈折率との兼ね合いにな
るが、一般にλ／２膜以下の厚さとなる。これにより、
単層の反射防止層よりも低反射の波長領域を広げること
ができる。
合は、最上層（表面層）を低屈折率材料のλ／４膜近辺
となるようにし、基材上から高屈折率材料と低屈折率が
交互に配置されることが好ましい。ここで、表面から２
層目以降の膜厚は、波長４５０〜６５０ｎｍでの反射率
が小さくなるように設定され、屈折率との兼ね合いにな
るが、一般にλ／２膜以下の厚さとなる。これにより、
単層の反射防止層よりも低反射の波長領域を広げること
ができる。
【００４７】上記反射防止層の積層方法は特に限定され
ず、スパッタリング、蒸着、低圧プラズマＣＶＤ、塗工
等が挙げられる。好ましくは、常圧プラズマＣＶＤ法に
よって成膜されるものである。
ず、スパッタリング、蒸着、低圧プラズマＣＶＤ、塗工
等が挙げられる。好ましくは、常圧プラズマＣＶＤ法に
よって成膜されるものである。
【００４８】上記ＴｉＯ2 層は、Ｔｉ原料を気化させ、
キャリアガス（Ａｒ単独ガス又はＯ 2 ガスとの混合ガ
ス）と混合した後、常圧プラズマＣＶＤ法により導電性
ハードコート層上又はすでに積層されたＳｉＯ2 層上に
成膜することによって形成される。上記ＳｉＯ2 層は、
Ｓｉ原料を気化させ、キャリアガス（ＡｒもしくはＮ2
の単独ガス又はこれらの混合ガス；これらのガスとＯ2
ガスとの混合ガス）と混合した後、常圧プラズマＣＶＤ
法によりすでに積層されたＴｉＯ2 層上に成膜すること
によって形成される。
キャリアガス（Ａｒ単独ガス又はＯ 2 ガスとの混合ガ
ス）と混合した後、常圧プラズマＣＶＤ法により導電性
ハードコート層上又はすでに積層されたＳｉＯ2 層上に
成膜することによって形成される。上記ＳｉＯ2 層は、
Ｓｉ原料を気化させ、キャリアガス（ＡｒもしくはＮ2
の単独ガス又はこれらの混合ガス；これらのガスとＯ2
ガスとの混合ガス）と混合した後、常圧プラズマＣＶＤ
法によりすでに積層されたＴｉＯ2 層上に成膜すること
によって形成される。
【００４９】本発明において、放電処理が施されたハー
ドコート層の表面に反射防止層を製造する方法及び、基
材フィルムのもう一方の片面に透明導電層を製造する方
法は、大気圧近傍の圧力下、金属化合物を含むガス雰囲
気中で、対向電極間に放電電流密度が０．２〜３００ｍ
Ａ／ｃｍ2 となるように電界を印加することにより、放
電プラズマを発生させ、反射防止層を形成することを特
徴とする。以下に、常圧プラズマＣＶＤ法による反射防
止層または透明導電層について詳述する。下記条件で反
射防止層又はを成膜した時、スパッタリング同等の膜質
が得られるのに加え、塗工法同等の連続成膜が可能にな
るため、生産性も非常に高い。
ドコート層の表面に反射防止層を製造する方法及び、基
材フィルムのもう一方の片面に透明導電層を製造する方
法は、大気圧近傍の圧力下、金属化合物を含むガス雰囲
気中で、対向電極間に放電電流密度が０．２〜３００ｍ
Ａ／ｃｍ2 となるように電界を印加することにより、放
電プラズマを発生させ、反射防止層を形成することを特
徴とする。以下に、常圧プラズマＣＶＤ法による反射防
止層または透明導電層について詳述する。下記条件で反
射防止層又はを成膜した時、スパッタリング同等の膜質
が得られるのに加え、塗工法同等の連続成膜が可能にな
るため、生産性も非常に高い。
【００５０】上記透明導電層または反射防止層の形成方
法において、大気圧近傍の圧力とは、１００〜８００Ｔ
ｏｒｒの圧力をいい、中でも、圧力調整が容易で装置構
成が容易となる７００〜７８０Ｔｏｒｒの圧力範囲とす
ることが好ましい。
法において、大気圧近傍の圧力とは、１００〜８００Ｔ
ｏｒｒの圧力をいい、中でも、圧力調整が容易で装置構
成が容易となる７００〜７８０Ｔｏｒｒの圧力範囲とす
ることが好ましい。
【００５１】又、本発明における電極間の放電電流密度
とは、放電により電極間に流れる電流値を、放電空間に
おける電流の流れ方向と直交する方向の面積で除した値
をいい、電極として平行平板型のものを用いた場合に
は、その対向面積で上記電流値を除した値に相当する。
とは、放電により電極間に流れる電流値を、放電空間に
おける電流の流れ方向と直交する方向の面積で除した値
をいい、電極として平行平板型のものを用いた場合に
は、その対向面積で上記電流値を除した値に相当する。
【００５２】又、電極間にパルス電界を形成する場合に
は、パルス化された電流が流れるが、この場合にはその
パルス電流の最大値、つまりピーク−ピーク値を、上記
の面積で除した値をいう。
は、パルス化された電流が流れるが、この場合にはその
パルス電流の最大値、つまりピーク−ピーク値を、上記
の面積で除した値をいう。
【００５３】本発明における上記透明導電層または反射
防止層の形成方法（以下、適宜薄膜形成方法という場合
がある）においては、上記対向電極の少なくともいずれ
か一方の対向面に固体誘電体を設置し、一方の電極の対
向面に設置された固体誘電体と他方の電極との間、又
は、対向電極の双方の対向面に設置された固体誘電体の
間に、基材を配置して処理を行うようにすることが好ま
しい。
防止層の形成方法（以下、適宜薄膜形成方法という場合
がある）においては、上記対向電極の少なくともいずれ
か一方の対向面に固体誘電体を設置し、一方の電極の対
向面に設置された固体誘電体と他方の電極との間、又
は、対向電極の双方の対向面に設置された固体誘電体の
間に、基材を配置して処理を行うようにすることが好ま
しい。
【００５４】大気圧近傍の圧力下でのグロー放電では、
下記の理由により、放電電流密度がプラズマ密度を反映
する。金属化合物を含むガス雰囲気の大気圧近傍の圧力
下においては、電極間の放電電流密度を前記した０．２
〜３００ｍＡ／ｃｍ2 の範囲とすることにより、金属化
合物をプラズマ励起させ、且つ、そのプラズマをグロー
放電状態に保ち、透明導電層及び反射防止層の形成に至
らせることが可能となる。
下記の理由により、放電電流密度がプラズマ密度を反映
する。金属化合物を含むガス雰囲気の大気圧近傍の圧力
下においては、電極間の放電電流密度を前記した０．２
〜３００ｍＡ／ｃｍ2 の範囲とすることにより、金属化
合物をプラズマ励起させ、且つ、そのプラズマをグロー
放電状態に保ち、透明導電層及び反射防止層の形成に至
らせることが可能となる。
【００５５】一般にプラズマ中の電子密度、所謂、プラ
ズマ密度は、プローブ法や電磁波法によって測定され
る。
ズマ密度は、プローブ法や電磁波法によって測定され
る。
【００５６】しかし、大気圧近傍の圧力では、電極間の
放電は、元来、アーク放電に移行し易いので、探針をプ
ラズマ中に挿入するプローブ法では、探針にアーク電流
が流れてしまい、正確な測定はできない。
放電は、元来、アーク放電に移行し易いので、探針をプ
ラズマ中に挿入するプローブ法では、探針にアーク電流
が流れてしまい、正確な測定はできない。
【００５７】又、発光分光分析やレーザ吸光分析などに
よる電磁波法は、ガスの種類によって得られる情報が異
なるので分析が困難である。
よる電磁波法は、ガスの種類によって得られる情報が異
なるので分析が困難である。
【００５８】一方、大気圧近傍の圧力下におけるグロー
放電においては、低ガス圧放電に比して、ガス分子密度
が大きいので、電離後、再結合までの寿命が短く、電子
の平均自由行程も短い。そのため、グロー放電空間が電
極に挟まれた空間に限定されるという特徴がある。
放電においては、低ガス圧放電に比して、ガス分子密度
が大きいので、電離後、再結合までの寿命が短く、電子
の平均自由行程も短い。そのため、グロー放電空間が電
極に挟まれた空間に限定されるという特徴がある。
【００５９】それ故に、プラズマ中の電子はそのまま電
極を通して電流値に変換され、電子密度（プラズマ密
度）は放電電流密度を反映した値であると考えられ、本
発明者等の実験によると、この放電電流密度により、薄
膜形成制御が可能であることが判明している。
極を通して電流値に変換され、電子密度（プラズマ密
度）は放電電流密度を反映した値であると考えられ、本
発明者等の実験によると、この放電電流密度により、薄
膜形成制御が可能であることが判明している。
【００６０】図３に、本発明者らが用いた放電プラズマ
発生装置と、その放電電圧および放電電流の測定に用い
た測定回路図を示す。
発生装置と、その放電電圧および放電電流の測定に用い
た測定回路図を示す。
【００６１】この放電プラズマ発生装置においては、平
行平板型の一対の電極１、２間にパルス電源３からｋＶ
オーダーのパルス化された電界を印加することにより、
電極１、２間にパルス電界を形成するとともに、その一
方の電極２の対向面には固体誘電体４を設置した。
行平板型の一対の電極１、２間にパルス電源３からｋＶ
オーダーのパルス化された電界を印加することにより、
電極１、２間にパルス電界を形成するとともに、その一
方の電極２の対向面には固体誘電体４を設置した。
【００６２】そして、一方の電極２とアース電位間に抵
抗５を直列接続し、その抵抗５の両端をＢＮＣ端子６を
介してオシロスコープ７に接続することにより、抵抗５
の両端の電圧値を測定して、その抵抗５の抵抗値を用い
て放電電流に換算した。
抗５を直列接続し、その抵抗５の両端をＢＮＣ端子６を
介してオシロスコープ７に接続することにより、抵抗５
の両端の電圧値を測定して、その抵抗５の抵抗値を用い
て放電電流に換算した。
【００６３】又、放電電圧は、電極１の電位を高圧プロ
ーブ８により１／１０００に減衰させた上で、ＢＮＣ端
子９〜オシロスコープ７によってアース電位との電位差
を計測することによって測定した。
ーブ８により１／１０００に減衰させた上で、ＢＮＣ端
子９〜オシロスコープ７によってアース電位との電位差
を計測することによって測定した。
【００６４】この測定回路においては、パルス電界によ
る放電電流が高速に通電・遮断を繰り返しているので、
測定に供したオシロスコープ７は、そのパルスの立ち上
がり速度に対応したナノ秒オーダーの測定が可能な高周
波オシロスコープ、具体的には、岩崎通信社製オシロス
コープＤＳ−９１２２とした。
る放電電流が高速に通電・遮断を繰り返しているので、
測定に供したオシロスコープ７は、そのパルスの立ち上
がり速度に対応したナノ秒オーダーの測定が可能な高周
波オシロスコープ、具体的には、岩崎通信社製オシロス
コープＤＳ−９１２２とした。
【００６５】又、放電電圧の減衰に用いた高圧プローブ
８は、岩崎通信社製高圧プローブＳＫ−３０１ＨＶとし
た。
８は、岩崎通信社製高圧プローブＳＫ−３０１ＨＶとし
た。
【００６６】測定結果を図４に例示する。図４において
波形１が放電電圧であり、波形２が放電電流を表す波形
である。パルス電界の形成による放電電流密度は、この
波形２のピーク−ピーク値の電流換算値を電極対向面の
面積で除した値である。
波形１が放電電圧であり、波形２が放電電流を表す波形
である。パルス電界の形成による放電電流密度は、この
波形２のピーク−ピーク値の電流換算値を電極対向面の
面積で除した値である。
【００６７】さて、本発明における薄膜形成方法におい
て、金属化合物を含むガス雰囲気中で、且つ、大気圧近
傍の圧力下で、電極間における放電電流密度が、０．２
〜３００ｍＡ／ｃｍ2 である範囲を比較的に容易に実現
するには、対向電極間にパルス化された電界を印加する
方法を挙げることができる。
て、金属化合物を含むガス雰囲気中で、且つ、大気圧近
傍の圧力下で、電極間における放電電流密度が、０．２
〜３００ｍＡ／ｃｍ2 である範囲を比較的に容易に実現
するには、対向電極間にパルス化された電界を印加する
方法を挙げることができる。
【００６８】大気圧近傍の圧力下においては、通常の交
流電界を印加する方法では、上記放電電流密度が０．１
ｍＡ／ｃｍ2 以下の低い範囲しか達成されず、金属元素
含有薄膜が形成されるような金属化合物のプラズマを維
持することは難しい。実際に大気圧近傍の圧力下では、
ヘリウム、ケトン等の特定のガス以外のガスでは、安定
してグロー放電状態が継続されず、瞬時にアーク放電に
移行してしまうことが知られている。
流電界を印加する方法では、上記放電電流密度が０．１
ｍＡ／ｃｍ2 以下の低い範囲しか達成されず、金属元素
含有薄膜が形成されるような金属化合物のプラズマを維
持することは難しい。実際に大気圧近傍の圧力下では、
ヘリウム、ケトン等の特定のガス以外のガスでは、安定
してグロー放電状態が継続されず、瞬時にアーク放電に
移行してしまうことが知られている。
【００６９】そこで、本発明においては、電極間にパル
ス化された電圧を印加することにより、電極間の放電を
グロー放電からアーク放電に移行する前に停止させる。
電極間にこのような周期的なパルス電界を形成すること
により、微視的にパルス的なグロー放電が繰り返し発生
し、結果としてグロー放電状態が継続することになる。
ス化された電圧を印加することにより、電極間の放電を
グロー放電からアーク放電に移行する前に停止させる。
電極間にこのような周期的なパルス電界を形成すること
により、微視的にパルス的なグロー放電が繰り返し発生
し、結果としてグロー放電状態が継続することになる。
【００７０】以上のように、大気圧近傍の圧力下で、し
かも、金属化合物を含有する雰囲気中では、電極間にパ
ルス化した電界を印加することにより、安定したグロー
放電状態で放電電流密度が０．２〜３００ｍＡ／ｃｍ2
である放電プラズマを長期に渡って発生させ、反射防止
層または透明導電層の形成に至らせることができるので
ある。
かも、金属化合物を含有する雰囲気中では、電極間にパ
ルス化した電界を印加することにより、安定したグロー
放電状態で放電電流密度が０．２〜３００ｍＡ／ｃｍ2
である放電プラズマを長期に渡って発生させ、反射防止
層または透明導電層の形成に至らせることができるので
ある。
【００７１】本発明において、反射防止層に使用される
金属化合物は、特に限定されないが、グロー放電におい
て、電子密度を大きくして、効率的にガスを分解させ、
薄膜形成能力を高めるという観点から、ジメチルシラ
ン；Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｈ2 、テトラメチルシラン；Ｓｉ
（ＣＨ3 ）4 、テトラジメチルアミノチタン；Ｔｉ〔Ｎ
（ＣＨ3 ）2 〕4 などの有機金属化合物、モノシラン；
ＳｉＨ4 、ジシラン；Ｓｉ2 Ｈ6 などの金属水素化合
物、二塩化シラン；ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、三塩化シラン；Ｓ
ｉＨＣｌ3 、塩化チタン；ＴｉＣｌ4 などの金属ハロゲ
ン化合物、テトラメトキシシラン；Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）4 、テトラエトキシシラン；Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5）
4 、テトラエトキシチタン；Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、テ
トライソプロポキシチタン；Ｔｉ（ＯＣ3 Ｈ7 ）4 など
の金属アルコキシドなどを用いることが好ましい。安全
性を考慮すると、これらの中でも、金属水素化合物、金
属アルコキシドが、常温、大気中で、発火、爆発の危険
性がないことから好ましく、腐食性、有害ガスの発生が
ないことから、金属アルコキシドが更に好ましい。
金属化合物は、特に限定されないが、グロー放電におい
て、電子密度を大きくして、効率的にガスを分解させ、
薄膜形成能力を高めるという観点から、ジメチルシラ
ン；Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｈ2 、テトラメチルシラン；Ｓｉ
（ＣＨ3 ）4 、テトラジメチルアミノチタン；Ｔｉ〔Ｎ
（ＣＨ3 ）2 〕4 などの有機金属化合物、モノシラン；
ＳｉＨ4 、ジシラン；Ｓｉ2 Ｈ6 などの金属水素化合
物、二塩化シラン；ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、三塩化シラン；Ｓ
ｉＨＣｌ3 、塩化チタン；ＴｉＣｌ4 などの金属ハロゲ
ン化合物、テトラメトキシシラン；Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）4 、テトラエトキシシラン；Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5）
4 、テトラエトキシチタン；Ｔｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、テ
トライソプロポキシチタン；Ｔｉ（ＯＣ3 Ｈ7 ）4 など
の金属アルコキシドなどを用いることが好ましい。安全
性を考慮すると、これらの中でも、金属水素化合物、金
属アルコキシドが、常温、大気中で、発火、爆発の危険
性がないことから好ましく、腐食性、有害ガスの発生が
ないことから、金属アルコキシドが更に好ましい。
【００７２】上記金属化合物を選択する上で、アルコキ
シド系の液体原料が高粘度であったり、或いは高沸点で
あって、気化が困難な場合は、昇華性の金属錯体キレー
ト錯体を用いることができる。ここで、昇華性を有する
金属キレート錯体としては、例えば、アセチルアセトナ
ート亜鉛Ｚｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 、アセチルアセトナー
ト- インジウムＩｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）3 、アセチルアセ
トナート銅Ｃｕ（Ｃ5Ｈ7 Ｏ2 ）2 等のβジケトン型の
金属錯体が挙げられる。
シド系の液体原料が高粘度であったり、或いは高沸点で
あって、気化が困難な場合は、昇華性の金属錯体キレー
ト錯体を用いることができる。ここで、昇華性を有する
金属キレート錯体としては、例えば、アセチルアセトナ
ート亜鉛Ｚｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 、アセチルアセトナー
ト- インジウムＩｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）3 、アセチルアセ
トナート銅Ｃｕ（Ｃ5Ｈ7 Ｏ2 ）2 等のβジケトン型の
金属錯体が挙げられる。
【００７３】また、昇華性の固体原料の場合、加熱容器
内に該固体原料を配置し、容器に接続した導入ガス管か
ら、アルゴン、窒素などの希釈ガスを導入して容器内部
の昇華ガスと混合した後、もう一方の混合ガス管から吹
出し口に接続して装置内に導入する。
内に該固体原料を配置し、容器に接続した導入ガス管か
ら、アルゴン、窒素などの希釈ガスを導入して容器内部
の昇華ガスと混合した後、もう一方の混合ガス管から吹
出し口に接続して装置内に導入する。
【００７４】金属化合物を放電空間へ導入するには、金
属化合物は、常温常圧で、気体、液体、固体いずれの状
態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空
間に導入できるが、液体、固体の場合は、加熱、減圧等
の手段により気化させて使用される。
属化合物は、常温常圧で、気体、液体、固体いずれの状
態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空
間に導入できるが、液体、固体の場合は、加熱、減圧等
の手段により気化させて使用される。
【００７５】金属化合物を加熱により気化して用いる場
合、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシチタ
ンなどの常温で液体で、沸点が２００℃以下である金属
アルコキシドが本発明における薄膜形成方法に好適であ
る。上記金属アルコキシドは、溶媒によって希釈して使
用されても良く、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ
−ヘキサンなどの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用
されても構わない。上記の希釈溶媒は、グロー放電にお
いて、分子状、原子状に分解されるため、形成される薄
膜に対する影響は無視できる。
合、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシチタ
ンなどの常温で液体で、沸点が２００℃以下である金属
アルコキシドが本発明における薄膜形成方法に好適であ
る。上記金属アルコキシドは、溶媒によって希釈して使
用されても良く、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ
−ヘキサンなどの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用
されても構わない。上記の希釈溶媒は、グロー放電にお
いて、分子状、原子状に分解されるため、形成される薄
膜に対する影響は無視できる。
【００７６】上述のように、本発明の金属化合物として
は金属アルコキシドを用いることが好ましい。
は金属アルコキシドを用いることが好ましい。
【００７７】上述のように、「金属化合物を含むガス雰
囲気」とは、金属化合物がプラズマ放電するガス雰囲気
に濃度の如何を問わず、一つの成分として含まれている
ことを意味し、ガス雰囲気が金属化合物単独で占有され
ていても構わない。
囲気」とは、金属化合物がプラズマ放電するガス雰囲気
に濃度の如何を問わず、一つの成分として含まれている
ことを意味し、ガス雰囲気が金属化合物単独で占有され
ていても構わない。
【００７８】しかし、経済性、安全性の観点から、上述
の金属化合物は、単独雰囲気ではなく、以下に例示され
るような希釈ガスによって希釈されていることが好まし
い。
の金属化合物は、単独雰囲気ではなく、以下に例示され
るような希釈ガスによって希釈されていることが好まし
い。
【００７９】上記希釈ガスとしては、ヘリウム、ネオ
ン、アルゴン、キセノン、窒素などが挙げられ、これら
の少なくとも１種の混合物が使用される。
ン、アルゴン、キセノン、窒素などが挙げられ、これら
の少なくとも１種の混合物が使用される。
【００８０】更に、高密度プラズマを得るには、多くの
電子を有する化合物（分子量の大きい化合物）の存在下
で、ガスを分解することが有効であり、それは、上記希
釈ガスにも適用できる。
電子を有する化合物（分子量の大きい化合物）の存在下
で、ガスを分解することが有効であり、それは、上記希
釈ガスにも適用できる。
【００８１】従って、本発明に使用する希釈ガスは、分
子量が１０以上であることが好ましい。分子量が１０未
満であるヘリウムのような気体を希釈剤として使用した
場合は、グロー放電が継続しても、電子密度の低い放電
状態しか達成できず、薄膜の形成には至らないか又は、
形成速度が遅すぎて不経済な結果となる。
子量が１０以上であることが好ましい。分子量が１０未
満であるヘリウムのような気体を希釈剤として使用した
場合は、グロー放電が継続しても、電子密度の低い放電
状態しか達成できず、薄膜の形成には至らないか又は、
形成速度が遅すぎて不経済な結果となる。
【００８２】よって、プラズマ放電を行う雰囲気ガスの
組成は、金属化合物０．００５〜１０体積％とアルゴン
及び／又は窒素９９．９９５〜９０体積％からなる混合
ガスであることが好ましい。金属化合物が０．００５体
積％未満の場合は、高密度プラズマが得られ難く、薄膜
形成効率が悪くなり、１０体積％を超えても、薄膜形成
速度に著しい向上が現れる訳ではなく、経済的に不利に
なるからである。
組成は、金属化合物０．００５〜１０体積％とアルゴン
及び／又は窒素９９．９９５〜９０体積％からなる混合
ガスであることが好ましい。金属化合物が０．００５体
積％未満の場合は、高密度プラズマが得られ難く、薄膜
形成効率が悪くなり、１０体積％を超えても、薄膜形成
速度に著しい向上が現れる訳ではなく、経済的に不利に
なるからである。
【００８３】上記薄膜形成方法において、放電プラズマ
を発生させるために使用する電極の材質としては、銅、
アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合
金、あるいは金属間化合物等を挙げることができる。
を発生させるために使用する電極の材質としては、銅、
アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合
金、あるいは金属間化合物等を挙げることができる。
【００８４】又、上記電極は電界集中によるアーク放電
の発生を避けるために、電極間の距離がほぼ一定となる
構造であることが好ましく、この条件を満たす電極構造
としては、平行平板型、円筒対向平板型、球対向平板
型、双曲面対向平板型、同軸円筒型構造等を挙げること
ができる。
の発生を避けるために、電極間の距離がほぼ一定となる
構造であることが好ましく、この条件を満たす電極構造
としては、平行平板型、円筒対向平板型、球対向平板
型、双曲面対向平板型、同軸円筒型構造等を挙げること
ができる。
【００８５】又、本発明においては、上記電極の対向面
の一方または双方に固体誘電体を設置することが好まし
い。又、固定誘電体によって覆われずに電極どうしが直
接対向する部位があると、そこからアーク放電が生じや
すくなるため、固体誘電体はこれを設置する側の電極に
密着し、且つ、接する電極の対向面を完全に覆うように
する。
の一方または双方に固体誘電体を設置することが好まし
い。又、固定誘電体によって覆われずに電極どうしが直
接対向する部位があると、そこからアーク放電が生じや
すくなるため、固体誘電体はこれを設置する側の電極に
密着し、且つ、接する電極の対向面を完全に覆うように
する。
【００８６】上記固体誘電体の形状は、シート状でもフ
ィルム状でもよいが、厚みが０．５〜５ｍｍ程度である
ことが好ましく、厚すぎると放電プラズマを発生するの
に高電圧を要し、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起
こりアーク放電が発生する。
ィルム状でもよいが、厚みが０．５〜５ｍｍ程度である
ことが好ましく、厚すぎると放電プラズマを発生するの
に高電圧を要し、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起
こりアーク放電が発生する。
【００８７】この固体誘電体の材質は、ポリテトラフル
オロエチレンやポリエチレンテレフタレート等のプラス
チック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸
化ジルコニウム、二酸化チタニウム等の金属酸化物、チ
タン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。
オロエチレンやポリエチレンテレフタレート等のプラス
チック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸
化ジルコニウム、二酸化チタニウム等の金属酸化物、チ
タン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。
【００８８】ただし、上記固体誘電体は、比誘電率が２
以上（２５℃環境下、以下同）であることが好ましい。
このような誘電体としては、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ガラス、金属酸化膜等を挙げることができる。
以上（２５℃環境下、以下同）であることが好ましい。
このような誘電体としては、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ガラス、金属酸化膜等を挙げることができる。
【００８９】又、放電電流密度が０．２〜３００ｍＡで
ある放電プラズマを安定して発生させるためには、比誘
電率が１０以上の固定誘電体を用いると有利である。
ある放電プラズマを安定して発生させるためには、比誘
電率が１０以上の固定誘電体を用いると有利である。
【００９０】比誘電率の上限は特に限定されるものでは
ないが、現実の材料では１８，５００程度のものが知ら
れている。比誘電率が１０以上の固体誘電体としては、
酸化チタニウム５〜５０重量％、酸化アルミニウム５０
〜９５重量％で混合された金属酸化物被膜、又は、酸化
ジルコニウムを含有する金属酸化物被膜からなり、その
被膜の厚みが１０〜１０００μｍであるものを用いるこ
とが好ましい。
ないが、現実の材料では１８，５００程度のものが知ら
れている。比誘電率が１０以上の固体誘電体としては、
酸化チタニウム５〜５０重量％、酸化アルミニウム５０
〜９５重量％で混合された金属酸化物被膜、又は、酸化
ジルコニウムを含有する金属酸化物被膜からなり、その
被膜の厚みが１０〜１０００μｍであるものを用いるこ
とが好ましい。
【００９１】本発明における一対の電極間の距離は、固
体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマの利用目
的等を考慮して決定されるが、１〜５０ｍｍとすること
が好ましい。１ｍｍ未満ではその間に発生するプラズマ
を表面処理等に利用する際の基材の配置のための空隙を
設けるのに不充分であり、５０ｍｍを越えると均一な放
電プラズマを発生することが困難となる。
体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマの利用目
的等を考慮して決定されるが、１〜５０ｍｍとすること
が好ましい。１ｍｍ未満ではその間に発生するプラズマ
を表面処理等に利用する際の基材の配置のための空隙を
設けるのに不充分であり、５０ｍｍを越えると均一な放
電プラズマを発生することが困難となる。
【００９２】本発明において、電極間にパルス電圧を印
加する場合、そのパルス波形は特に限定されるものでは
ないが、図５（Ａ），（Ｂ）に例示するようなインパル
ス型や、（Ｃ）に例示するような方形波型、（Ｄ）に例
示するような変調型等を用いることができる。この図５
には印加電圧が正負の繰り返しであるものを例示した
が、正、又は、負のいずれかの極性のみのパルス電圧、
所謂、片波状のパルス電圧を印加してもよい。
加する場合、そのパルス波形は特に限定されるものでは
ないが、図５（Ａ），（Ｂ）に例示するようなインパル
ス型や、（Ｃ）に例示するような方形波型、（Ｄ）に例
示するような変調型等を用いることができる。この図５
には印加電圧が正負の繰り返しであるものを例示した
が、正、又は、負のいずれかの極性のみのパルス電圧、
所謂、片波状のパルス電圧を印加してもよい。
【００９３】本発明において、電極間に印加するパルス
電圧は、そのパルスの立ち上がり時間及び立ち下がり時
間が短い程、プラズマ発生の際のガスの電離が、効率よ
く行われる。
電圧は、そのパルスの立ち上がり時間及び立ち下がり時
間が短い程、プラズマ発生の際のガスの電離が、効率よ
く行われる。
【００９４】特に、電極間に印加するパルス電圧の立ち
上がりは、１００μｓ以下とすることが好ましい。１０
０μｓをこえると、放電状態がアーク放電に移行し易
く、不安定なものとなる。また、このような高速立上が
り時間のパルス電界によって電子密度の高い放電状態を
実現する効果がある。
上がりは、１００μｓ以下とすることが好ましい。１０
０μｓをこえると、放電状態がアーク放電に移行し易
く、不安定なものとなる。また、このような高速立上が
り時間のパルス電界によって電子密度の高い放電状態を
実現する効果がある。
【００９５】パルス電圧の立ち下がり時間は特に規定さ
れないが、立ち上がり時間と同程度に高速であることが
好ましく、より好ましくは１００μｓ以下である。
れないが、立ち上がり時間と同程度に高速であることが
好ましく、より好ましくは１００μｓ以下である。
【００９６】また、立ち上がり／立ち下がり時間の上限
は特に限定しないが、電源装置等を勘案すると４０μｓ
以上が現実的である。
は特に限定しないが、電源装置等を勘案すると４０μｓ
以上が現実的である。
【００９７】尚、ここでいう立ち上がり時間とは、電圧
変化の向きが連続して正である時間をいい、立ち下がり
時間とは、電圧変化の向きが連続して負である時間を指
すものとする。
変化の向きが連続して正である時間をいい、立ち下がり
時間とは、電圧変化の向きが連続して負である時間を指
すものとする。
【００９８】又、電極間に形成するパルス電界は、その
パルス波形、立ち上がり及び立ち下がり時間、及び、周
波数を適宜に変調されていてもよい。
パルス波形、立ち上がり及び立ち下がり時間、及び、周
波数を適宜に変調されていてもよい。
【００９９】尚、パルス電界は、周波数が高く、パルス
幅が短い方が、高速連続薄膜形成には適している。
幅が短い方が、高速連続薄膜形成には適している。
【０１００】本発明において電極間に印加するパルス電
界の周波数は、０．５ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの範囲とす
ることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であると、薄膜形
成速度が遅すぎて現実的ではなく、１００ｋＨｚを超え
ると、アーク放電が発生し易くなる。パルス電界の周波
数は、より好ましくは１ｋＨｚである。
界の周波数は、０．５ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの範囲とす
ることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であると、薄膜形
成速度が遅すぎて現実的ではなく、１００ｋＨｚを超え
ると、アーク放電が発生し易くなる。パルス電界の周波
数は、より好ましくは１ｋＨｚである。
【０１０１】又、パルス電界におけるパルス継続時間
は、１μｓ〜１０００μｓであることが好ましく、より
好ましくは３μｓ〜２００μｓである。１μｓ未満であ
ると放電が不安定なものとなり、１０００μｓを越える
とアーク放電に移行し易くなる。
は、１μｓ〜１０００μｓであることが好ましく、より
好ましくは３μｓ〜２００μｓである。１μｓ未満であ
ると放電が不安定なものとなり、１０００μｓを越える
とアーク放電に移行し易くなる。
【０１０２】ここで、パルス継続時間とは、図６に例示
するように、ＯＮ・ＯＦＦが繰り返されるパルス電界に
おける、１つのパルス波形の連続持続時間を言い、図６
（ａ）の波形ではパルス継続時間＝パルスデューティ時
間であるが、図６（ｂ）の波形では複数のパルスを含ん
だ、オンが継続する時間を言う。
するように、ＯＮ・ＯＦＦが繰り返されるパルス電界に
おける、１つのパルス波形の連続持続時間を言い、図６
（ａ）の波形ではパルス継続時間＝パルスデューティ時
間であるが、図６（ｂ）の波形では複数のパルスを含ん
だ、オンが継続する時間を言う。
【０１０３】更に、本発明において、パルス電界の強さ
は、放電プラズマの利用目的等によって適宜に選択され
るが、１〜１００ｋＶ／ｃｍとすることが望ましい。
は、放電プラズマの利用目的等によって適宜に選択され
るが、１〜１００ｋＶ／ｃｍとすることが望ましい。
【０１０４】１ｋＶ／ｃｍ未満であると、薄膜形成速度
が遅くなり、１００ｋＶを超えると、アーク放電が発生
するために好ましくない。
が遅くなり、１００ｋＶを超えると、アーク放電が発生
するために好ましくない。
【０１０５】以上のような各条件を満足するパルス電界
を形成するための電源回路の構成例を、図７にブロック
図で示し、又、図８にはその動作の原理を等価的な回路
図によって示す。図８においてＳＷ１〜４は、図７にお
けるスイッチングインバータ回路内でスイッチとして機
能する半導体素子であり、これらの各素子として、５０
０ｎｓ以下のターンオン時間及びターンオフ時間を有す
る半導体素子を用いることにより、電界強度１〜１００
ｋＶ／ｃｍ、且つ、パルスの立ち上がり及び立ち下がり
時間がともに４０ｎｓ〜１００μｓの高電圧、且つ、高
速のパルス電界の形成を実現することができる。
を形成するための電源回路の構成例を、図７にブロック
図で示し、又、図８にはその動作の原理を等価的な回路
図によって示す。図８においてＳＷ１〜４は、図７にお
けるスイッチングインバータ回路内でスイッチとして機
能する半導体素子であり、これらの各素子として、５０
０ｎｓ以下のターンオン時間及びターンオフ時間を有す
る半導体素子を用いることにより、電界強度１〜１００
ｋＶ／ｃｍ、且つ、パルスの立ち上がり及び立ち下がり
時間がともに４０ｎｓ〜１００μｓの高電圧、且つ、高
速のパルス電界の形成を実現することができる。
【０１０６】次に、図８を参照しつつその動作原理を簡
単に説明する。＋Ｅは正極性の直流電圧供給部、−Ｅは
負極性の直流電圧供給部である。ＳＷ１〜４は、上記し
た高速半導体素子からなるスイッチング素子である。Ｄ
１〜４はダイオードであり、Ｉ1 〜Ｉ4 は電荷の移動方
向を示している。
単に説明する。＋Ｅは正極性の直流電圧供給部、−Ｅは
負極性の直流電圧供給部である。ＳＷ１〜４は、上記し
た高速半導体素子からなるスイッチング素子である。Ｄ
１〜４はダイオードであり、Ｉ1 〜Ｉ4 は電荷の移動方
向を示している。
【０１０７】まず、ＳＷ１をＯＮにすると、電荷がＩ1
で示す方向に移動して、放電空間の両端に置かれた一対
の電極の一方側（正極性の負荷）を充電する。
で示す方向に移動して、放電空間の両端に置かれた一対
の電極の一方側（正極性の負荷）を充電する。
【０１０８】次に、ＳＷ１をＯＦＦにしてから、ＳＷ２
を瞬時にＯＮにすることにより、正極性の負荷に充電さ
れた電荷がＳＷ２とＤ４を通ってＩ3 の方向に移動す
る。
を瞬時にＯＮにすることにより、正極性の負荷に充電さ
れた電荷がＳＷ２とＤ４を通ってＩ3 の方向に移動す
る。
【０１０９】次いで、ＳＷ２をＯＦＦにした後、ＳＷ３
を瞬時にＯＮにすると、電荷がＩ2の方向に移動して他
方側の電極（負極性の負荷）を充電する。
を瞬時にＯＮにすると、電荷がＩ2の方向に移動して他
方側の電極（負極性の負荷）を充電する。
【０１１０】更に、ＳＷ３をＯＦＦにしてから、ＳＷ４
を瞬時にＯＮにすることにより、負極性の負荷に充電さ
れた電荷がＳＷ４とＤ２を通ってＩ4 の方向に移動す
る。
を瞬時にＯＮにすることにより、負極性の負荷に充電さ
れた電荷がＳＷ４とＤ２を通ってＩ4 の方向に移動す
る。
【０１１１】以上の動作を繰り返すことにより、図９に
示した波形の出力パルスを得ることができる。〔表１〕
にこの動作表を示す。この〔表１〕に示した数値は、図
９の波形に付した数値と対応させてある。
示した波形の出力パルスを得ることができる。〔表１〕
にこの動作表を示す。この〔表１〕に示した数値は、図
９の波形に付した数値と対応させてある。
【０１１２】
【表１】
【０１１３】以上の回路の利点は、負荷のインピーダン
スが高い場合であっても、充電されている電荷を、ＳＷ
２とＤ４、又は、ＳＷ４とＤ２の動作により確実に放電
することができる点、及び、高速ターンオンのスイッチ
ング素子であるＳＷ１，ＳＷ３を使って高速に充電を行
うことができる点にあり、これにより、図６に示したよ
うな立ち上がり時間及び立ち下がり時間の極めて短いパ
ルス化された電界を、負荷に対して、つまり一対の電極
間に印加することが可能となる。
スが高い場合であっても、充電されている電荷を、ＳＷ
２とＤ４、又は、ＳＷ４とＤ２の動作により確実に放電
することができる点、及び、高速ターンオンのスイッチ
ング素子であるＳＷ１，ＳＷ３を使って高速に充電を行
うことができる点にあり、これにより、図６に示したよ
うな立ち上がり時間及び立ち下がり時間の極めて短いパ
ルス化された電界を、負荷に対して、つまり一対の電極
間に印加することが可能となる。
【０１１４】尚、本発明における薄膜形成方法において
用いられるパルス電界は、直流電界を重畳することを妨
げない。
用いられるパルス電界は、直流電界を重畳することを妨
げない。
【０１１５】本発明における薄膜形成方法は、以上説明
した本発明に固有の放電プラズマの発生方法により対向
電極間に発生させたプラズマを利用するものであり、対
向電極間、又は、一方の電極の対向面に固体誘電体を設
置する場合には、その固体誘電体と他方の電極の間、も
しくは双方の電極の対向面に固体誘電体を設置する場合
には、その固体誘電体の間に、処理すべき基材を配置す
る。
した本発明に固有の放電プラズマの発生方法により対向
電極間に発生させたプラズマを利用するものであり、対
向電極間、又は、一方の電極の対向面に固体誘電体を設
置する場合には、その固体誘電体と他方の電極の間、も
しくは双方の電極の対向面に固体誘電体を設置する場合
には、その固体誘電体の間に、処理すべき基材を配置す
る。
【０１１６】本発明の方法においては、薄膜形成処理す
べき基材を加熱したり冷却してもよいが、室温でも充分
に処理できる。
べき基材を加熱したり冷却してもよいが、室温でも充分
に処理できる。
【０１１７】＜粘着剤層＞本発明のタッチパネル用反射
防止フィルムは、適宜、基材フィルム等に貼付したもの
でもよい。上記のように貼付して使用する場合は，透明
導電層が設けられている側の基材フィルムのもう一方の
面に粘着剤層が設けられることが好ましい。上記粘着剤
としては、基材や偏光板等の光学部品を強固に接着で
き、しかも高温、高湿の条件下におかれても発泡しない
ものが好ましく、例えば、アクリル系粘着剤が好適に用
いられる。
防止フィルムは、適宜、基材フィルム等に貼付したもの
でもよい。上記のように貼付して使用する場合は，透明
導電層が設けられている側の基材フィルムのもう一方の
面に粘着剤層が設けられることが好ましい。上記粘着剤
としては、基材や偏光板等の光学部品を強固に接着で
き、しかも高温、高湿の条件下におかれても発泡しない
ものが好ましく、例えば、アクリル系粘着剤が好適に用
いられる。
【０１１８】上記アクリル系粘着剤としては、例えば、
アクリル（メタ）アクリレートを主成分とする、重量平
均分子量（Ｍｗ）５０万以下、 Ｍｗ／Ｍｎ（数平均分
子量）＝４以下であるアクリル系ポリマー１００重量
部、ジメチルシリコーンオイル又は側鎖の一部を他の有
機基に置換した変性シリコーンオイルからなる消泡剤
０．０１〜５重量部、メチルハイドロジェンシリコーン
オイルからなる再剥離剤０．０１〜５重量部、及び、架
橋剤０．００１〜５重量部からなるものが好ましい。ま
た、アクリル系粘着剤の市販品としては、例えば綜研化
学社製「ＳＫダイン１３５８」が使用可能である。
アクリル（メタ）アクリレートを主成分とする、重量平
均分子量（Ｍｗ）５０万以下、 Ｍｗ／Ｍｎ（数平均分
子量）＝４以下であるアクリル系ポリマー１００重量
部、ジメチルシリコーンオイル又は側鎖の一部を他の有
機基に置換した変性シリコーンオイルからなる消泡剤
０．０１〜５重量部、メチルハイドロジェンシリコーン
オイルからなる再剥離剤０．０１〜５重量部、及び、架
橋剤０．００１〜５重量部からなるものが好ましい。ま
た、アクリル系粘着剤の市販品としては、例えば綜研化
学社製「ＳＫダイン１３５８」が使用可能である。
【０１１９】上記粘着剤層は、例えば、上記アクリル系
粘着剤を基材に直接塗工して形成してもよく、予め粘着
剤層を離型紙上に設けた後、ラミネータ等によって基材
に積層して形成してもよい。
粘着剤を基材に直接塗工して形成してもよく、予め粘着
剤層を離型紙上に設けた後、ラミネータ等によって基材
に積層して形成してもよい。
【０１２０】＜偏光子＞本発明における、偏光子とは、
偏光機能を有するＰＶＡ製フィルムまたはシートを意味
し、一般的な液晶表示素子に使用される物が用いられ
る。例えば、一軸延伸したＰＶＡにヨウ素または染料を
吸着した後、セルロース系フィルムで挟んだもの、ＰＶ
Ａフィルムにはヨウ素を吸着させた後、ホウ酸浴中で一
軸延伸したＰＶＡ・ヨウ素系偏光子、ＰＶＡフィルムに
二色性の高い直接染料を拡散吸着させた後、一軸延伸し
たＰＶＡ・染料系偏光子、ＰＶＡフィルムにヨウ素を吸
着させ延伸してポリビニレン構造としたＰＶＡ・ポリビ
ニレン系偏光子などが挙げられる。但し、本発明のタッ
チパネルに用いられる偏光子と該タッチパネルと組み合
わせられる反射型液晶パネルの偏光子とは、光軸が９０
゜ずれている必要がある。
偏光機能を有するＰＶＡ製フィルムまたはシートを意味
し、一般的な液晶表示素子に使用される物が用いられ
る。例えば、一軸延伸したＰＶＡにヨウ素または染料を
吸着した後、セルロース系フィルムで挟んだもの、ＰＶ
Ａフィルムにはヨウ素を吸着させた後、ホウ酸浴中で一
軸延伸したＰＶＡ・ヨウ素系偏光子、ＰＶＡフィルムに
二色性の高い直接染料を拡散吸着させた後、一軸延伸し
たＰＶＡ・染料系偏光子、ＰＶＡフィルムにヨウ素を吸
着させ延伸してポリビニレン構造としたＰＶＡ・ポリビ
ニレン系偏光子などが挙げられる。但し、本発明のタッ
チパネルに用いられる偏光子と該タッチパネルと組み合
わせられる反射型液晶パネルの偏光子とは、光軸が９０
゜ずれている必要がある。
【０１２１】偏光子と基材フィルム等との貼り合わせに
は、上記粘着剤が用いられる。また、貼り合わせる前処
理として、粘着剤層との粘着性を確保するため表面改質
処理を行っても良い。表面改質の手段としては通常の方
法が利用でき、化学処理方法として、接着剤分子と反応
しうるような官能基をもつモノマーあるいはポリマーを
表面に付ける表面グラフト化手法、表面に別のポリマー
もしくはモノマーをコーティングする方法、カップリン
グ剤処理、酸化力の強い薬品による処理、表面層を除去
する薬品処理、表面層を強化するＣＡＳＩＮＧ処理、表
面粗化手法としての薬品処理、物理的処理方法として、
紫外線照射処理、グロー放電処理、コロナ放電処理、プ
ラズマジェット処理、表面粗化手法としてのエスパッタ
処理等が挙げられる。
は、上記粘着剤が用いられる。また、貼り合わせる前処
理として、粘着剤層との粘着性を確保するため表面改質
処理を行っても良い。表面改質の手段としては通常の方
法が利用でき、化学処理方法として、接着剤分子と反応
しうるような官能基をもつモノマーあるいはポリマーを
表面に付ける表面グラフト化手法、表面に別のポリマー
もしくはモノマーをコーティングする方法、カップリン
グ剤処理、酸化力の強い薬品による処理、表面層を除去
する薬品処理、表面層を強化するＣＡＳＩＮＧ処理、表
面粗化手法としての薬品処理、物理的処理方法として、
紫外線照射処理、グロー放電処理、コロナ放電処理、プ
ラズマジェット処理、表面粗化手法としてのエスパッタ
処理等が挙げられる。
【０１２２】本発明のタッチパネル用反射防止フィルム
には、上記反射防止層の表面に更に防汚層を形成するこ
とができる。上記防汚層としては、特に指紋汚れなどの
人体からの油汚れに対する拭き取り性に優れたものとし
て、撥水性、撥油性を持つものがよく撥水性としては、
接触角が８０度以上、また、撥油性としては、接触角が
５０度以上のものが適している。このような性能を持つ
ものとしては、例えば、フッ素系シランカップリング剤
や長鎖アルキル系シランカップリング剤等が挙げられ
る。
には、上記反射防止層の表面に更に防汚層を形成するこ
とができる。上記防汚層としては、特に指紋汚れなどの
人体からの油汚れに対する拭き取り性に優れたものとし
て、撥水性、撥油性を持つものがよく撥水性としては、
接触角が８０度以上、また、撥油性としては、接触角が
５０度以上のものが適している。このような性能を持つ
ものとしては、例えば、フッ素系シランカップリング剤
や長鎖アルキル系シランカップリング剤等が挙げられ
る。
【０１２３】上記フッ素系シランカップリング剤の市販
品としては、例えば、信越化学社製コート剤「ＫＰ−８
０１Ｍ」〔CF3(CF2)n C2H4Si(NH2)3〕、東芝シリコン社
製〔CF3(CF2)7C2H4Si(OCH3)3の１００％溶液〕等が挙げ
られる。上記コート剤「ＫＰ−８０１Ｍ」は溶剤ＴＦＢ
〔成分：１，３−ビス（トリフロロメチル）ベンゼン、
セントラル硝子社製〕で希釈して使用される。
品としては、例えば、信越化学社製コート剤「ＫＰ−８
０１Ｍ」〔CF3(CF2)n C2H4Si(NH2)3〕、東芝シリコン社
製〔CF3(CF2)7C2H4Si(OCH3)3の１００％溶液〕等が挙げ
られる。上記コート剤「ＫＰ−８０１Ｍ」は溶剤ＴＦＢ
〔成分：１，３−ビス（トリフロロメチル）ベンゼン、
セントラル硝子社製〕で希釈して使用される。
【０１２４】上記防汚層は、例えば、防汚剤を溶剤によ
って希釈したものを、スピンコーター、ディッピング装
置、マイクログラビアコーター等によって塗工すること
に形成することができる。上記スピンコーター、ディッ
ピング装置を使用する場合は、連続処理ができずバッチ
処理となる。
って希釈したものを、スピンコーター、ディッピング装
置、マイクログラビアコーター等によって塗工すること
に形成することができる。上記スピンコーター、ディッ
ピング装置を使用する場合は、連続処理ができずバッチ
処理となる。
【０１２５】上記防汚層の厚みは、１〜３０ｎｍが好ま
しく、より好ましくは５〜２０ｎｍである。膜厚が、１
ｎｍより薄すぎると防汚性能が十分でなく、３０ｎｍよ
り厚すぎると反射防止膜に光学的影響が発現して反射防
止性能が低下する。
しく、より好ましくは５〜２０ｎｍである。膜厚が、１
ｎｍより薄すぎると防汚性能が十分でなく、３０ｎｍよ
り厚すぎると反射防止膜に光学的影響が発現して反射防
止性能が低下する。
【０１２６】
【実施例】以下、実施例を掲げて、本発明のを更に詳し
く説明するが、本発明は、これらの実施例のみに限定さ
れるものではない。
く説明するが、本発明は、これらの実施例のみに限定さ
れるものではない。
【０１２７】（実施例１） １．タッチパネル用反射防止フィルム ＜透明導電層を有するフィルム（上部電極）＞基材フィ
ルムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム（東
洋紡社製、Ｏ−ＰＥＴ、７５μｍ）の表面にスパッタリ
ングで２０ｎｍのＩＴＯ層を形成させたシートを上部電
極として得た。該上部電極の表面固有抵抗は３００Ω／
ｃｍ2であった。 ＜ハードコート層の塗工＞ハードコート剤として、多官
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部とコロイダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨ
Ｃ−１１０５）１０重量部との混合溶液を、トルエンで
上記混合溶液分が４０％になるように希釈し調整した。
次に、上記上部電極の透明導電層を有しない側に、バー
コーターによって、上記ハードコート剤を塗工し、加熱
乾燥した後、３００ＭＪ／ｃｍ2 で紫外線ランプを照射
し、厚さ５μｍのハードコート層を作成した。 ＜表面処理＞上記ハードコートフィルムの表面を０．６
ｋＷ、３ｍ／分で、４回コロナ放電処理を施した。上記
コロナ放電処理されたハードコート層表面をＥＳＣＡで
表面分析し、Ｓｉ量／（Ｓｉ量＋Ｃ量＋Ｏ量）を求めた
ところ、コロナ放電処理前が９原子％であるのに対し、
コロナ放電処理後は１７原子％であった。
ルムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム（東
洋紡社製、Ｏ−ＰＥＴ、７５μｍ）の表面にスパッタリ
ングで２０ｎｍのＩＴＯ層を形成させたシートを上部電
極として得た。該上部電極の表面固有抵抗は３００Ω／
ｃｍ2であった。 ＜ハードコート層の塗工＞ハードコート剤として、多官
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部とコロイダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨ
Ｃ−１１０５）１０重量部との混合溶液を、トルエンで
上記混合溶液分が４０％になるように希釈し調整した。
次に、上記上部電極の透明導電層を有しない側に、バー
コーターによって、上記ハードコート剤を塗工し、加熱
乾燥した後、３００ＭＪ／ｃｍ2 で紫外線ランプを照射
し、厚さ５μｍのハードコート層を作成した。 ＜表面処理＞上記ハードコートフィルムの表面を０．６
ｋＷ、３ｍ／分で、４回コロナ放電処理を施した。上記
コロナ放電処理されたハードコート層表面をＥＳＣＡで
表面分析し、Ｓｉ量／（Ｓｉ量＋Ｃ量＋Ｏ量）を求めた
ところ、コロナ放電処理前が９原子％であるのに対し、
コロナ放電処理後は１７原子％であった。
【０１２８】＜反射防止層の形成＞ （１）処理装置 使用した放電プラズマ処理装置は、図１０に示されるよ
うに、容量１０リッターのステンレス製の容器８２から
なり、直流電源８１−１、交流電源８１−２、上部電源
８４、下部電源８５、固体誘電体８６（上部電極にも装
着してあるが、図１０には記載されていない）、基材８
７、ガス導入管８８、希釈ガス導入管、ガス排気口８１
０、排気口８１１から構成されている。 （２）ＴｉＯ2 層上とＳｉＯ2 層の形成 上記処理装置において、下部電極８５は直径１４０ｍｍ
で、表面を比誘電率１６の二酸化ジルコニウム（以下、
ＺｒＯ2 と記す）誘電体８６で被覆し、その上に処理す
る基材８７として、上記ハードコートフィルムを配置し
た。
うに、容量１０リッターのステンレス製の容器８２から
なり、直流電源８１−１、交流電源８１−２、上部電源
８４、下部電源８５、固体誘電体８６（上部電極にも装
着してあるが、図１０には記載されていない）、基材８
７、ガス導入管８８、希釈ガス導入管、ガス排気口８１
０、排気口８１１から構成されている。 （２）ＴｉＯ2 層上とＳｉＯ2 層の形成 上記処理装置において、下部電極８５は直径１４０ｍｍ
で、表面を比誘電率１６の二酸化ジルコニウム（以下、
ＺｒＯ2 と記す）誘電体８６で被覆し、その上に処理す
る基材８７として、上記ハードコートフィルムを配置し
た。
【０１２９】上部電極８４は、直径８０ｍｍで、直径１
ｍｍの穴が５ｍｍ間隔で配設されており、表面は比誘電
率１６のＺｒＯ2 誘電体８６が被覆してあり、ハードコ
ートフィルム表面から２ｍｍ上方にを配置した。
ｍｍの穴が５ｍｍ間隔で配設されており、表面は比誘電
率１６のＺｒＯ2 誘電体８６が被覆してあり、ハードコ
ートフィルム表面から２ｍｍ上方にを配置した。
【０１３０】油回転ポンプ（図１０に記載されていな
い）で、容器内が０．１Ｔｏｒｒになるまで、ガス排出
口８１１から排気した後、希釈ガス導入管８９を通じて
アルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、容器の圧力を７６０Ｔ
ｏｒｒとした。
い）で、容器内が０．１Ｔｏｒｒになるまで、ガス排出
口８１１から排気した後、希釈ガス導入管８９を通じて
アルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、容器の圧力を７６０Ｔ
ｏｒｒとした。
【０１３１】しかる後に、上部電極８４に接続した（反
応）ガス導入管８８から気化したテトライソプロポキシ
チタン、アルゴンの混合気体を導入し、該混合気体導入
後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトライソプロ
ポキシチタン：アルゴン＝０．５：９５．５となるよう
に調整した。
応）ガス導入管８８から気化したテトライソプロポキシ
チタン、アルゴンの混合気体を導入し、該混合気体導入
後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトライソプロ
ポキシチタン：アルゴン＝０．５：９５．５となるよう
に調整した。
【０１３２】上記混合気体を１分間導入した後に、上部
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値４ｋＶ、放電電
流密度４１ｍＡ／ｃｍ2 、周波数６ｋＨｚのパルス電界
を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電して
二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）薄膜１８０Åをハードコート
表面に形成した。
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値４ｋＶ、放電電
流密度４１ｍＡ／ｃｍ2 、周波数６ｋＨｚのパルス電界
を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電して
二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）薄膜１８０Åをハードコート
表面に形成した。
【０１３３】引き続いて、上記上部電極８４に接続した
（反応）ガス導入管８８から気化したテトラメトキシシ
ラン、アルゴン、酸素の混合気体を導入し、該混合気体
導入後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトラメト
キシシラン：酸素：アルゴン：窒素＝０．２：１６：６
７．８：１６となるように調整した。
（反応）ガス導入管８８から気化したテトラメトキシシ
ラン、アルゴン、酸素の混合気体を導入し、該混合気体
導入後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトラメト
キシシラン：酸素：アルゴン：窒素＝０．２：１６：６
７．８：１６となるように調整した。
【０１３４】上記混合気体を１分間導入した後に、上部
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値１３ｋＶ、放電
電流密度１５０ｍＡ／ｃｍ2 、周波数４ｋＨｚのパルス
電界を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電
して二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）薄膜２６０Åを上記ＴｉＯ
2 薄膜表面に積層した。
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値１３ｋＶ、放電
電流密度１５０ｍＡ／ｃｍ2 、周波数４ｋＨｚのパルス
電界を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電
して二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）薄膜２６０Åを上記ＴｉＯ
2 薄膜表面に積層した。
【０１３５】更に、上記同様の方法にて、ＴｉＯ2 薄膜
１４１０Å（放電時間２０秒）を積層し、さらにＳｉＯ
2 薄膜８８０Å（放電時間１０秒）を積層し、４層の反
射防止フィルムを得た。
１４１０Å（放電時間２０秒）を積層し、さらにＳｉＯ
2 薄膜８８０Å（放電時間１０秒）を積層し、４層の反
射防止フィルムを得た。
【０１３６】上記反射防止層の上に、防汚剤（信越化学
社製、コート剤「ＫＰ−８０１Ｍ」）を溶剤１，３−ビ
ストリフロロメチルベンゼン（以下、ＴＦＢと略記す
る）で０．１重量％固形分濃度としたものをマイクログ
ラビアコートにて塗工し約１５０Åの防汚層を形成し
た。
社製、コート剤「ＫＰ−８０１Ｍ」）を溶剤１，３−ビ
ストリフロロメチルベンゼン（以下、ＴＦＢと略記す
る）で０．１重量％固形分濃度としたものをマイクログ
ラビアコートにて塗工し約１５０Åの防汚層を形成し
た。
【０１３７】＜評価方法＞ （１）表面Ｓｉ元素量 表面処理後のハードコート層のＳｉ元素量の比率はＥＳ
ＣＡによって分析し、Ｓｉ量／（Ｓｉ量＋Ｃ量＋Ｏ量）
で算出した。 （２）鉛筆硬度 上記反射防止フィルムの鉛筆硬度をＪＩＳ−Ｋ６８９４
に準じて評価した。 （３）耐擦傷性 上記反射防止フィルムをスチールウール（＃００００）
の２００ｇ／ｃｍ2 加圧下で３０回擦った後、傷の無い
ものには○、傷が有るものには×を記した。 （４）テープ剥離試験 上記反射防止フィルム６０℃、９５％ＲＨの条件で１０
００時間後のフィルム表面にカッターナイフで１ｍｍ×
１ｍｍの立ばん目を１００ブロック作成し、ＪＩＳ Ｄ
０２０２に準じてテープ剥離試験を行った。剥離試験
後、剥離せずに残った数を示した。（テープ剥離試験に
より、反射防止層が剥がれず密着性が良好な場合を１０
０／１００） （５）防汚性 上記反射防止フィルムに指紋を付け、布で５回拭き取り
黙視観察した。 （６）平均反射率 上記反射防止フィルムを、分光光度計（日立製作所社
製、「ＵＶ−４０００」）にて、４００〜７００ｎｍ域
での平均反射率を測定した。以上の評価結果を、表２に
示した。
ＣＡによって分析し、Ｓｉ量／（Ｓｉ量＋Ｃ量＋Ｏ量）
で算出した。 （２）鉛筆硬度 上記反射防止フィルムの鉛筆硬度をＪＩＳ−Ｋ６８９４
に準じて評価した。 （３）耐擦傷性 上記反射防止フィルムをスチールウール（＃００００）
の２００ｇ／ｃｍ2 加圧下で３０回擦った後、傷の無い
ものには○、傷が有るものには×を記した。 （４）テープ剥離試験 上記反射防止フィルム６０℃、９５％ＲＨの条件で１０
００時間後のフィルム表面にカッターナイフで１ｍｍ×
１ｍｍの立ばん目を１００ブロック作成し、ＪＩＳ Ｄ
０２０２に準じてテープ剥離試験を行った。剥離試験
後、剥離せずに残った数を示した。（テープ剥離試験に
より、反射防止層が剥がれず密着性が良好な場合を１０
０／１００） （５）防汚性 上記反射防止フィルムに指紋を付け、布で５回拭き取り
黙視観察した。 （６）平均反射率 上記反射防止フィルムを、分光光度計（日立製作所社
製、「ＵＶ−４０００」）にて、４００〜７００ｎｍ域
での平均反射率を測定した。以上の評価結果を、表２に
示した。
【０１３８】２．タッチパネル 上記方法で得られたタッチパネル用反射防止フィルムを
上部の電極とし、ＩＴＯ層が形成されているガラス板を
下部の電極として、抵抗膜方式タッチパネルを作成し
た。さらに、上記タッチパネルの屋外での視認性を観察
したところ、明らかに外光の写り込みが低減され、画面
が見やすくなった。
上部の電極とし、ＩＴＯ層が形成されているガラス板を
下部の電極として、抵抗膜方式タッチパネルを作成し
た。さらに、上記タッチパネルの屋外での視認性を観察
したところ、明らかに外光の写り込みが低減され、画面
が見やすくなった。
【０１３９】
【表２】
【０１４０】（実施例２） １．タッチパネル用反射防止フィルム ＜透明導電層を有するフィルム（上部電極）＞基材フィ
ルムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム（東
洋紡社製、Ｏ−ＰＥＴ、７５μｍ）の表面にスパッタリ
ングで２０ｎｍのＩＴＯ層を形成させたシートを上部電
極として得た。該上部電極の表面固有抵抗は２８０Ω／
ｃｍ2であった。 ＜ハードコート層の塗工＞ハードコート剤として、多官
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部とコロイダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨ
Ｃ−１１０３）１０重量部との混合溶液を、トルエンで
上記混合溶液分が４０％になるように希釈し調整した。
次に、上記上部電極の透明導電層を有しない側に、バー
コーターによって、上記ハードコート剤を塗工し、加熱
乾燥した後、３００ＭＪ／ｃｍ2 で紫外線ランプを照射
し、厚さ５μｍのハードコート層を作成した。 ＜表面処理＞上記ハードコートフィルムの表面を０．６
ｋＷ、３ｍ／分で、４回コロナ放電処理を施した。上記
コロナ放電処理されたハードコート層表面をＥＳＣＡで
表面分析し、Ｓｉ量／（Ｓｉ量＋Ｃ量＋Ｏ量）を求めた
ところ、コロナ放電処理前が９原子％であるのに対し、
コロナ放電処理後は１７原子％であった。
ルムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム（東
洋紡社製、Ｏ−ＰＥＴ、７５μｍ）の表面にスパッタリ
ングで２０ｎｍのＩＴＯ層を形成させたシートを上部電
極として得た。該上部電極の表面固有抵抗は２８０Ω／
ｃｍ2であった。 ＜ハードコート層の塗工＞ハードコート剤として、多官
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部とコロイダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨ
Ｃ−１１０３）１０重量部との混合溶液を、トルエンで
上記混合溶液分が４０％になるように希釈し調整した。
次に、上記上部電極の透明導電層を有しない側に、バー
コーターによって、上記ハードコート剤を塗工し、加熱
乾燥した後、３００ＭＪ／ｃｍ2 で紫外線ランプを照射
し、厚さ５μｍのハードコート層を作成した。 ＜表面処理＞上記ハードコートフィルムの表面を０．６
ｋＷ、３ｍ／分で、４回コロナ放電処理を施した。上記
コロナ放電処理されたハードコート層表面をＥＳＣＡで
表面分析し、Ｓｉ量／（Ｓｉ量＋Ｃ量＋Ｏ量）を求めた
ところ、コロナ放電処理前が９原子％であるのに対し、
コロナ放電処理後は１７原子％であった。
【０１４１】＜反射防止層の形成＞ （１）処理装置 使用した放電プラズマ処理装置は、図１０に示されるよ
うに、容量１０リッターのステンレス製の容器８２から
なり、直流電源８１−１、交流電源８１−２、上部電源
８４、下部電源８５、固体誘電体８６（上部電極にも装
着してあるが、図１０には記載されていない）、基材８
７、ガス導入管８８、希釈ガス導入管、ガス排気口８１
０、排気口８１１から構成されている。 （２）ＴｉＯ2 層上とＳｉＯ2 層の形成 上記処理装置において、下部電極８５は直径１４０ｍｍ
で、表面を比誘電率１６の二酸化ジルコニウム（以下、
ＺｒＯ2 と記す）誘電体８６で被覆し、その上に処理す
る基材８７として、上記ハードコートフィルムを配置し
た。
うに、容量１０リッターのステンレス製の容器８２から
なり、直流電源８１−１、交流電源８１−２、上部電源
８４、下部電源８５、固体誘電体８６（上部電極にも装
着してあるが、図１０には記載されていない）、基材８
７、ガス導入管８８、希釈ガス導入管、ガス排気口８１
０、排気口８１１から構成されている。 （２）ＴｉＯ2 層上とＳｉＯ2 層の形成 上記処理装置において、下部電極８５は直径１４０ｍｍ
で、表面を比誘電率１６の二酸化ジルコニウム（以下、
ＺｒＯ2 と記す）誘電体８６で被覆し、その上に処理す
る基材８７として、上記ハードコートフィルムを配置し
た。
【０１４２】上部電極８４は、直径８０ｍｍで、直径１
ｍｍの穴が５ｍｍ間隔で配設されており、表面は比誘電
率１６のＺｒＯ2 誘電体８６が被覆してあり、ハードコ
ートフィルム表面から２ｍｍ上方にを配置した。
ｍｍの穴が５ｍｍ間隔で配設されており、表面は比誘電
率１６のＺｒＯ2 誘電体８６が被覆してあり、ハードコ
ートフィルム表面から２ｍｍ上方にを配置した。
【０１４３】油回転ポンプ（図１０に記載されていな
い）で、容器内が０．１Ｔｏｒｒになるまで、ガス排出
口８１１から排気した後、希釈ガス導入管８９を通じて
アルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、容器の圧力を７６０Ｔ
ｏｒｒとした。
い）で、容器内が０．１Ｔｏｒｒになるまで、ガス排出
口８１１から排気した後、希釈ガス導入管８９を通じて
アルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、容器の圧力を７６０Ｔ
ｏｒｒとした。
【０１４４】しかる後に、上部電極８４に接続した（反
応）ガス導入管８８から気化したテトライソプロポキシ
チタン、アルゴンの混合気体を導入し、該混合気体導入
後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトライソプロ
ポキシチタン：アルゴン＝０．５：９５．５となるよう
に調整した。
応）ガス導入管８８から気化したテトライソプロポキシ
チタン、アルゴンの混合気体を導入し、該混合気体導入
後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトライソプロ
ポキシチタン：アルゴン＝０．５：９５．５となるよう
に調整した。
【０１４５】上記混合気体を１分間導入した後に、上部
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値４ｋＶ、放電電
流密度４１ｍＡ／ｃｍ2 、周波数６ｋＨｚのパルス電界
を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電して
二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）薄膜１８０Åをハードコート
表面に形成した。
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値４ｋＶ、放電電
流密度４１ｍＡ／ｃｍ2 、周波数６ｋＨｚのパルス電界
を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電して
二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）薄膜１８０Åをハードコート
表面に形成した。
【０１４６】引き続いて、上記上部電極８４に接続した
（反応）ガス導入管８８から気化したテトラメトキシシ
ラン、アルゴン、酸素の混合気体を導入し、該混合気体
導入後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトラメト
キシシラン：酸素：アルゴン：窒素＝０．２：１６：６
７．８：１６となるように調整した。
（反応）ガス導入管８８から気化したテトラメトキシシ
ラン、アルゴン、酸素の混合気体を導入し、該混合気体
導入後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトラメト
キシシラン：酸素：アルゴン：窒素＝０．２：１６：６
７．８：１６となるように調整した。
【０１４７】上記混合気体を１分間導入した後に、上部
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値１３ｋＶ、放電
電流密度１５０ｍＡ／ｃｍ2 、周波数４ｋＨｚのパルス
電界を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電
して二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）薄膜２６０Åを上記ＴｉＯ
2 薄膜表面に積層した。
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値１３ｋＶ、放電
電流密度１５０ｍＡ／ｃｍ2 、周波数４ｋＨｚのパルス
電界を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電
して二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）薄膜２６０Åを上記ＴｉＯ
2 薄膜表面に積層した。
【０１４８】更に、上記同様の方法にて、ＴｉＯ2 薄膜
１４１０Å（放電時間２０秒）を積層し、さらにＳｉＯ
2 薄膜８８０Å（放電時間１０秒）を積層し、４層の反
射防止フィルムを得た。
１４１０Å（放電時間２０秒）を積層し、さらにＳｉＯ
2 薄膜８８０Å（放電時間１０秒）を積層し、４層の反
射防止フィルムを得た。
【０１４９】上記反射防止層の上に、防汚剤（信越化学
社製、コート剤「ＫＰ−８０１Ｍ」）を溶剤１，３−ビ
ストリフロロメチルベンゼン（以下、ＴＦＢと略記す
る）で０．１重量％固形分濃度としたものをマイクログ
ラビアコートにて塗工し約１５０Åの防汚層を形成し
た。上記タッチパネル用反射防止フィルムは、実施例１
と同様に評価し、その結果を表２に記載した。
社製、コート剤「ＫＰ−８０１Ｍ」）を溶剤１，３−ビ
ストリフロロメチルベンゼン（以下、ＴＦＢと略記す
る）で０．１重量％固形分濃度としたものをマイクログ
ラビアコートにて塗工し約１５０Åの防汚層を形成し
た。上記タッチパネル用反射防止フィルムは、実施例１
と同様に評価し、その結果を表２に記載した。
【０１５０】２．タッチパネル 実施例１と同様に、上記フィルムを用いたタッチパネル
を作成し、屋外での視認性を観察したところ、明らかに
外光の写り込みが低減され、画面が見やすくなった。
を作成し、屋外での視認性を観察したところ、明らかに
外光の写り込みが低減され、画面が見やすくなった。
【０１５１】（実施例３） １．タッチパネル用反射防止フィルム ＜透明導電層を有するシート（上部電極）＞基材フィル
ムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋
紡社製、Ｏ−ＰＥＴ、７５μｍ）の表面にスパッタリン
グで２０ｎｍのＩＴＯ層を形成させたシートを上部電極
として得た。該上部電極の表面固有抵抗は２９０Ω／ｃ
ｍ2であった。 ＜ハードコート層の塗工＞ハードコート剤として、多官
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部、コロイダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨ
Ｃ−１１０３）３５重量部及びウレタンアクリレート
（大日精化社製、Ｕ０２）１０重量部との混合溶液を、
トルエンで上記混合溶液分が４０％になるように希釈し
調整した。次に、上記上部電極の透明導電層を有しない
側に、バーコーターによって、上記ハードコート剤を塗
工し、加熱乾燥した後、３００ＭＪ／ｃｍ2 で紫外線ラ
ンプを照射し、厚さ５μｍのハードコート層を作成し
た。
ムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋
紡社製、Ｏ−ＰＥＴ、７５μｍ）の表面にスパッタリン
グで２０ｎｍのＩＴＯ層を形成させたシートを上部電極
として得た。該上部電極の表面固有抵抗は２９０Ω／ｃ
ｍ2であった。 ＜ハードコート層の塗工＞ハードコート剤として、多官
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部、コロイダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨ
Ｃ−１１０３）３５重量部及びウレタンアクリレート
（大日精化社製、Ｕ０２）１０重量部との混合溶液を、
トルエンで上記混合溶液分が４０％になるように希釈し
調整した。次に、上記上部電極の透明導電層を有しない
側に、バーコーターによって、上記ハードコート剤を塗
工し、加熱乾燥した後、３００ＭＪ／ｃｍ2 で紫外線ラ
ンプを照射し、厚さ５μｍのハードコート層を作成し
た。
【０１５２】上記上部電極及びハードコート層を使用し
たこと以外は、実施例１と同様な処理を行いタッチパネ
ル用反射防止フィルムを得た。上記タッチパネル用反射
防止フィルムは、実施例１と同様に評価し、その結果を
表２に記載した。
たこと以外は、実施例１と同様な処理を行いタッチパネ
ル用反射防止フィルムを得た。上記タッチパネル用反射
防止フィルムは、実施例１と同様に評価し、その結果を
表２に記載した。
【０１５３】２．タッチパネル 実施例１と同様に、上記フィルムを用いたタッチパネル
を作成し、屋外での視認性を観察したところ、明らかに
外光の写り込みが低減され、画面が見やすくなった。
を作成し、屋外での視認性を観察したところ、明らかに
外光の写り込みが低減され、画面が見やすくなった。
【０１５４】（比較例１）反射防止層を形成しないこと
以外は、実施例１と同様な処理を行いタッチパネル用反
射防止フィルムを得た。さらに、実施例１と同様に、上
記フィルムを用いたタッチパネルを作成し、屋外での視
認性を観察したところ、外光の写り込みが大きく、視認
性は良好ではなかった。上記タッチパネル用反射防止フ
ィルムは、実施例１と同様に評価し、その結果を表２に
記載した。
以外は、実施例１と同様な処理を行いタッチパネル用反
射防止フィルムを得た。さらに、実施例１と同様に、上
記フィルムを用いたタッチパネルを作成し、屋外での視
認性を観察したところ、外光の写り込みが大きく、視認
性は良好ではなかった。上記タッチパネル用反射防止フ
ィルムは、実施例１と同様に評価し、その結果を表２に
記載した。
【０１５５】（比較例２）ハードコート剤として、多官
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部とコロイダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨ
Ｃ−１１０５）８０重量部との混合溶液を用いたこと以
外は、実施例１と同様にしてタッチパネル用反射防止フ
ィルムを得た。しかし、ハードコート層と反射防止層と
の界面で剥離が観察された。上記タッチパネル用反射防
止フィルムは、実施例１と同様に評価し、その結果を表
２に記載した。
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部とコロイダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨ
Ｃ−１１０５）８０重量部との混合溶液を用いたこと以
外は、実施例１と同様にしてタッチパネル用反射防止フ
ィルムを得た。しかし、ハードコート層と反射防止層と
の界面で剥離が観察された。上記タッチパネル用反射防
止フィルムは、実施例１と同様に評価し、その結果を表
２に記載した。
【０１５６】（実施例４） １．タッチパネル用反射防止フィルム （フィルムＡ） ＜ハードコート層の塗工＞ハードコート剤として、多官
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部とコロイダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨ
Ｃ−１１０５）１０重量部との混合溶液を、トルエンで
上記混合溶液分が４０％になるように希釈し調整した。
次に、偏光子（サンリッツ社製、ＨＣ２−１１１８）
に、バーコーターによって、上記ハードコート剤を塗工
し、加熱乾燥した後、３００ＭＪ／ｃｍ2 で紫外線ラン
プを照射し、厚さ５μｍのハードコート層を作成した。 ＜表面処理＞上記ハードコートフィルムの表面を０．６
ｋＷ、３ｍ／分で、４回コロナ放電処理を施した。上記
コロナ放電処理されたハードコート層表面をＥＳＣＡで
表面分析し、Ｓｉ量／（Ｓｉ量＋Ｃ量＋Ｏ量）を求めた
ところ、コロナ放電処理前が９原子％であるのに対し、
コロナ放電処理後は１７原子％であった。
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部とコロイダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨ
Ｃ−１１０５）１０重量部との混合溶液を、トルエンで
上記混合溶液分が４０％になるように希釈し調整した。
次に、偏光子（サンリッツ社製、ＨＣ２−１１１８）
に、バーコーターによって、上記ハードコート剤を塗工
し、加熱乾燥した後、３００ＭＪ／ｃｍ2 で紫外線ラン
プを照射し、厚さ５μｍのハードコート層を作成した。 ＜表面処理＞上記ハードコートフィルムの表面を０．６
ｋＷ、３ｍ／分で、４回コロナ放電処理を施した。上記
コロナ放電処理されたハードコート層表面をＥＳＣＡで
表面分析し、Ｓｉ量／（Ｓｉ量＋Ｃ量＋Ｏ量）を求めた
ところ、コロナ放電処理前が９原子％であるのに対し、
コロナ放電処理後は１７原子％であった。
【０１５７】＜反射防止層の形成＞ （１）処理装置 使用した放電プラズマ処理装置は、図１０に示されるよ
うに、容量１０リッターのステンレス製の容器８２から
なり、直流電源８１−１、交流電源８１−２、上部電源
８４、下部電源８５、固体誘電体８６（上部電極にも装
着してあるが、図１０には記載されていない）、基材８
７、ガス導入管８８、希釈ガス導入管、ガス排気口８１
０、排気口８１１から構成されている。 （２）ＴｉＯ2 層上とＳｉＯ2 層の形成 上記処理装置において、下部電極８５は直径１４０ｍｍ
で、表面を比誘電率１６の二酸化ジルコニウム（以下、
ＺｒＯ2 と記す）誘電体８６で被覆し、その上に処理す
る基材８７として、上記ハードコートフィルムを配置し
た。
うに、容量１０リッターのステンレス製の容器８２から
なり、直流電源８１−１、交流電源８１−２、上部電源
８４、下部電源８５、固体誘電体８６（上部電極にも装
着してあるが、図１０には記載されていない）、基材８
７、ガス導入管８８、希釈ガス導入管、ガス排気口８１
０、排気口８１１から構成されている。 （２）ＴｉＯ2 層上とＳｉＯ2 層の形成 上記処理装置において、下部電極８５は直径１４０ｍｍ
で、表面を比誘電率１６の二酸化ジルコニウム（以下、
ＺｒＯ2 と記す）誘電体８６で被覆し、その上に処理す
る基材８７として、上記ハードコートフィルムを配置し
た。
【０１５８】上部電極８４は、直径８０ｍｍで、直径１
ｍｍの穴が５ｍｍ間隔で配設されており、表面は比誘電
率１６のＺｒＯ2 誘電体８６が被覆してあり、ハードコ
ートフィルム表面から２ｍｍ上方にを配置した。
ｍｍの穴が５ｍｍ間隔で配設されており、表面は比誘電
率１６のＺｒＯ2 誘電体８６が被覆してあり、ハードコ
ートフィルム表面から２ｍｍ上方にを配置した。
【０１５９】油回転ポンプ（図１０に記載されていな
い）で、容器内が０．１Ｔｏｒｒになるまで、ガス排出
口８１１から排気した後、希釈ガス導入管８９を通じて
アルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、容器の圧力を７６０Ｔ
ｏｒｒとした。
い）で、容器内が０．１Ｔｏｒｒになるまで、ガス排出
口８１１から排気した後、希釈ガス導入管８９を通じて
アルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、容器の圧力を７６０Ｔ
ｏｒｒとした。
【０１６０】しかる後に、上部電極８４に接続した（反
応）ガス導入管８８から気化したテトライソプロポキシ
チタン、アルゴンの混合気体を導入し、該混合気体導入
後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトライソプロ
ポキシチタン：アルゴン＝０．５：９５．５となるよう
に調整した。
応）ガス導入管８８から気化したテトライソプロポキシ
チタン、アルゴンの混合気体を導入し、該混合気体導入
後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトライソプロ
ポキシチタン：アルゴン＝０．５：９５．５となるよう
に調整した。
【０１６１】上記混合気体を１分間導入した後に、上部
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値４ｋＶ、放電電
流密度４１ｍＡ／ｃｍ2 、周波数６ｋＨｚのパルス電界
を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電して
二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）薄膜１８０Åをハードコート
表面に形成した。
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値４ｋＶ、放電電
流密度４１ｍＡ／ｃｍ2 、周波数６ｋＨｚのパルス電界
を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電して
二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）薄膜１８０Åをハードコート
表面に形成した。
【０１６２】引き続いて、上記上部電極８４に接続した
（反応）ガス導入管８８から気化したテトラメトキシシ
ラン、アルゴン、酸素の混合気体を導入し、該混合気体
導入後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトラメト
キシシラン：酸素：アルゴン：窒素＝０．２：１６：６
７．８：１６となるように調整した。
（反応）ガス導入管８８から気化したテトラメトキシシ
ラン、アルゴン、酸素の混合気体を導入し、該混合気体
導入後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトラメト
キシシラン：酸素：アルゴン：窒素＝０．２：１６：６
７．８：１６となるように調整した。
【０１６３】上記混合気体を１分間導入した後に、上部
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値１３ｋＶ、放電
電流密度１５０ｍＡ／ｃｍ2 、周波数４ｋＨｚのパルス
電界を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電
して二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）薄膜２６０Åを上記ＴｉＯ
2 薄膜表面に積層した。
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値１３ｋＶ、放電
電流密度１５０ｍＡ／ｃｍ2 、周波数４ｋＨｚのパルス
電界を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電
して二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）薄膜２６０Åを上記ＴｉＯ
2 薄膜表面に積層した。
【０１６４】更に、上記同様の方法にて、ＴｉＯ2 薄膜
１４１０Å（放電時間２０秒）を積層し、さらにＳｉＯ
2 薄膜８８０Å（放電時間１０秒）を積層し、４層の反
射防止フィルムを得た。
１４１０Å（放電時間２０秒）を積層し、さらにＳｉＯ
2 薄膜８８０Å（放電時間１０秒）を積層し、４層の反
射防止フィルムを得た。
【０１６５】上記反射防止層の上に、防汚剤（信越化学
社製、コート剤「ＫＰ−８０１Ｍ」）を溶剤１，３−ビ
ストリフロロメチルベンゼン（以下、ＴＦＢと略記す
る）で０．１重量％固形分濃度としたものをマイクログ
ラビアコートにて塗工し約１５０Åの防汚層を形成しフ
ィルムＡを得た。
社製、コート剤「ＫＰ−８０１Ｍ」）を溶剤１，３−ビ
ストリフロロメチルベンゼン（以下、ＴＦＢと略記す
る）で０．１重量％固形分濃度としたものをマイクログ
ラビアコートにて塗工し約１５０Åの防汚層を形成しフ
ィルムＡを得た。
【０１６６】（フィルムＢ） ＜透明導電層を有するフィルム（上部電極）＞基材フィ
ルムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム（鐘
紡社製、Ｏ−ＰＥＴ、５０μｍ）の表面にスパッタリン
グで２０ｎｍのＩＴＯ層を形成させたシートを上部電極
として得た。該上部電極の表面固有抵抗は３００Ω／ｃ
ｍ2 であった。
ルムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム（鐘
紡社製、Ｏ−ＰＥＴ、５０μｍ）の表面にスパッタリン
グで２０ｎｍのＩＴＯ層を形成させたシートを上部電極
として得た。該上部電極の表面固有抵抗は３００Ω／ｃ
ｍ2 であった。
【０１６７】フィルムＡの反射防止層が形成されていな
い側に、アクリル系粘着剤（総研化学社製、ＳＫダイン
１３５８）をバーコートにて塗布し、厚さ１０μｍの粘
着剤層を形成した。上記フィルムＡの粘着剤塗布面とフ
ィルムＢの透明導電層が形成されていない面を貼り合わ
せて、タッチパネル用反射防止フィルムを得た。
い側に、アクリル系粘着剤（総研化学社製、ＳＫダイン
１３５８）をバーコートにて塗布し、厚さ１０μｍの粘
着剤層を形成した。上記フィルムＡの粘着剤塗布面とフ
ィルムＢの透明導電層が形成されていない面を貼り合わ
せて、タッチパネル用反射防止フィルムを得た。
【０１６８】上記タッチパネル用反射防止フィルムは、
実施例１と同様に評価し、その結果を表３に記載した。
実施例１と同様に評価し、その結果を表３に記載した。
【０１６９】２．タッチパネル 上記方法で得られたタッチパネル用反射防止フィルムを
上部の電極とし、ＩＴＯ層が形成されているガラス板を
下部の電極として、抵抗膜方式タッチパネルを作成し
た。該タッチパネルは、従来の標準的タッチパネル（特
にインナー方式でないもの）に比べ、外光の表面反射が
大幅に改善されていることが確認された。さらに、上記
タッチパネルと、ガラス板、液晶、ガラス板、偏光子、
反射フィルムがこの順番で積層された反射型液晶パネル
とを組み合わせることにより手書き入力タブレットを得
ることができ、該タブレットにおいても、外光の写り込
みが大幅に改善された。
上部の電極とし、ＩＴＯ層が形成されているガラス板を
下部の電極として、抵抗膜方式タッチパネルを作成し
た。該タッチパネルは、従来の標準的タッチパネル（特
にインナー方式でないもの）に比べ、外光の表面反射が
大幅に改善されていることが確認された。さらに、上記
タッチパネルと、ガラス板、液晶、ガラス板、偏光子、
反射フィルムがこの順番で積層された反射型液晶パネル
とを組み合わせることにより手書き入力タブレットを得
ることができ、該タブレットにおいても、外光の写り込
みが大幅に改善された。
【０１７０】
【表３】
【０１７１】（実施例５） １．タッチパネル用反射防止フィルム （フィルムＡ）ハードコート剤として、多官能アクリレ
ート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重量部とコロ
イダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨＣ−１１０
３）１０重量部との混合溶液を、トルエンで上記混合溶
液分が４０％になるように希釈し調整した。次に、偏光
子（サンリッツ社製、ＬＬ８１−１２）に、バーコータ
ーによって、上記ハードコート剤を塗工し、加熱乾燥し
た後、３００ＭＪ／ｃｍ2 で紫外線ランプを照射し、厚
さ５μｍのハードコート層を作成した。上記ハードコー
ト層を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、フィ
ルムＡを得た。
ート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重量部とコロ
イダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨＣ−１１０
３）１０重量部との混合溶液を、トルエンで上記混合溶
液分が４０％になるように希釈し調整した。次に、偏光
子（サンリッツ社製、ＬＬ８１−１２）に、バーコータ
ーによって、上記ハードコート剤を塗工し、加熱乾燥し
た後、３００ＭＪ／ｃｍ2 で紫外線ランプを照射し、厚
さ５μｍのハードコート層を作成した。上記ハードコー
ト層を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、フィ
ルムＡを得た。
【０１７２】（フィルムＢ） ＜透明導電層を有するフィルム（上部電極）＞基材フィ
ルムとして、非晶質ポリオレフィンフィルム（日本ゼオ
ン社製、ＺＥＯＮＥＸ、７５μｍ）の表面にスパッタリ
ングで１５ｎｍのＩＴＯ層を形成させたシートを上部電
極として得た。該上部電極の表面固有抵抗は３９０Ω／
ｃｍ2であった。
ルムとして、非晶質ポリオレフィンフィルム（日本ゼオ
ン社製、ＺＥＯＮＥＸ、７５μｍ）の表面にスパッタリ
ングで１５ｎｍのＩＴＯ層を形成させたシートを上部電
極として得た。該上部電極の表面固有抵抗は３９０Ω／
ｃｍ2であった。
【０１７３】フィルムＡの反射防止層が形成されていな
い側に、アクリル系粘着剤（総研化学社製、ＳＫダイン
１３５８）をバーコートにて塗布し、厚さ１０μｍの粘
着剤層を形成した。上記フィルムＡの粘着剤塗布面とフ
ィルムＢの透明導電層が形成されていない面を貼り合わ
せて、タッチパネル用反射防止フィルムを得た。上記タ
ッチパネル用反射防止フィルムは、実施例１と同様に評
価し、その結果を表３に記載した。 ２．タッチパネル 上記方法で得られたタッチパネル用反射防止フィルムを
上部の電極とし、実施例１と同様にしてタッチパネルを
作成した。該タッチパネルは、従来の標準的タッチパネ
ルに比べ、外光の表面反射が大幅に改善されていること
が確認された。
い側に、アクリル系粘着剤（総研化学社製、ＳＫダイン
１３５８）をバーコートにて塗布し、厚さ１０μｍの粘
着剤層を形成した。上記フィルムＡの粘着剤塗布面とフ
ィルムＢの透明導電層が形成されていない面を貼り合わ
せて、タッチパネル用反射防止フィルムを得た。上記タ
ッチパネル用反射防止フィルムは、実施例１と同様に評
価し、その結果を表３に記載した。 ２．タッチパネル 上記方法で得られたタッチパネル用反射防止フィルムを
上部の電極とし、実施例１と同様にしてタッチパネルを
作成した。該タッチパネルは、従来の標準的タッチパネ
ルに比べ、外光の表面反射が大幅に改善されていること
が確認された。
【０１７４】（実施例６） １．タッチパネル用反射防止フィルム （フィルムＡ）ハードコート剤として、多官能アクリレ
ート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重量部、コロ
イダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨＣ−１１０
５）３５重量部及びウレタンアクリレート（大日精化社
製、Ｕ０２）１０重量部との混合溶液を、トルエンで上
記混合溶液分が４０％になるように希釈し調整した。次
に、偏光子（サンリッツ社製、ＬＬ８１−１２）に、バ
ーコーターによって、上記ハードコート剤を塗工し、加
熱乾燥した後、３００ＭＪ／ｃｍ2 で紫外線ランプを照
射し、厚さ５μｍのハードコート層を作成した。上記ハ
ードコート層を用いたこと以外は、実施例４と同様にし
て、フィルムＡを得た。
ート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重量部、コロ
イダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨＣ−１１０
５）３５重量部及びウレタンアクリレート（大日精化社
製、Ｕ０２）１０重量部との混合溶液を、トルエンで上
記混合溶液分が４０％になるように希釈し調整した。次
に、偏光子（サンリッツ社製、ＬＬ８１−１２）に、バ
ーコーターによって、上記ハードコート剤を塗工し、加
熱乾燥した後、３００ＭＪ／ｃｍ2 で紫外線ランプを照
射し、厚さ５μｍのハードコート層を作成した。上記ハ
ードコート層を用いたこと以外は、実施例４と同様にし
て、フィルムＡを得た。
【０１７５】さらに、上記フィルムＡを用いたこと以外
は、実施例４と同様にして、タッチパネル用反射防止フ
ィルム及びタッチパネルを得た。上記タッチパネル用反
射防止フィルムは、実施例１と同様に評価し、その結果
を表３に記載した。
は、実施例４と同様にして、タッチパネル用反射防止フ
ィルム及びタッチパネルを得た。上記タッチパネル用反
射防止フィルムは、実施例１と同様に評価し、その結果
を表３に記載した。
【０１７６】２．タッチパネル 上記タッチパネルは、従来の標準的タッチパネルに比
べ、外光の表面反射が大幅に改善されていることが確認
された。
べ、外光の表面反射が大幅に改善されていることが確認
された。
【０１７７】（比較例３）反射防止層を形成しないこと
以外は、実施例４と同様な処理を行いタッチパネル用反
射防止フィルムを得た。さらに、実施例４と同様に、上
記フィルムを用いたタッチパネルを作成し、屋外での視
認性を観察したところ、外光の写り込みはある程度改善
されているが十分ではなかった。
以外は、実施例４と同様な処理を行いタッチパネル用反
射防止フィルムを得た。さらに、実施例４と同様に、上
記フィルムを用いたタッチパネルを作成し、屋外での視
認性を観察したところ、外光の写り込みはある程度改善
されているが十分ではなかった。
【０１７８】上記タッチパネル用反射防止フィルムは、
実施例１と同様に評価し、その結果を表３に記載した。
実施例１と同様に評価し、その結果を表３に記載した。
【０１７９】（比較例４）ハードコート剤として、多官
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部とコロイダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨ
Ｃ−１１０５）８０重量部との混合溶液を用いたこと以
外は、実施例４と同様にしてタッチパネル用反射防止フ
ィルムを得た。しかし、ハードコート層と反射防止層と
の界面で剥離が観察された。
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部とコロイダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨ
Ｃ−１１０５）８０重量部との混合溶液を用いたこと以
外は、実施例４と同様にしてタッチパネル用反射防止フ
ィルムを得た。しかし、ハードコート層と反射防止層と
の界面で剥離が観察された。
【０１８０】上記タッチパネル用反射防止フィルムは、
実施例１と同様に評価し、その結果を表３に記載した。
実施例１と同様に評価し、その結果を表３に記載した。
【０１８１】（実施例７） １．タッチパネル用反射防止フィルム （フィルムＡ） ＜ハードコート層の塗工＞ハードコート剤として、多官
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部とコロイダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨ
Ｃ−１１０５）１０重量部との混合溶液を、トルエンで
上記混合溶液分が４０％になるように希釈し調整した。
次に、基材フィルム（２）である押し出し法により作成
した透明なポリカーボネートフィルム（１００μｍ）上
に、バーコーターによって、上記ハードコート剤を塗工
し、加熱乾燥した後、３００ＭＪ／ｃｍ2 で紫外線ラン
プを照射し、厚さ５μｍのハードコート層を作成した。 ＜表面処理＞上記ハードコートフィルムの表面を０．６
ｋＷ、３ｍ／分で、４回コロナ放電処理を施した。上記
コロナ放電処理されたハードコート層表面をＥＳＣＡで
表面分析し、Ｓｉ量／（Ｓｉ量＋Ｃ量＋Ｏ量）を求めた
ところ、コロナ放電処理前が９原子％であるのに対し、
コロナ放電処理後は１７原子％であった。
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部とコロイダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨ
Ｃ−１１０５）１０重量部との混合溶液を、トルエンで
上記混合溶液分が４０％になるように希釈し調整した。
次に、基材フィルム（２）である押し出し法により作成
した透明なポリカーボネートフィルム（１００μｍ）上
に、バーコーターによって、上記ハードコート剤を塗工
し、加熱乾燥した後、３００ＭＪ／ｃｍ2 で紫外線ラン
プを照射し、厚さ５μｍのハードコート層を作成した。 ＜表面処理＞上記ハードコートフィルムの表面を０．６
ｋＷ、３ｍ／分で、４回コロナ放電処理を施した。上記
コロナ放電処理されたハードコート層表面をＥＳＣＡで
表面分析し、Ｓｉ量／（Ｓｉ量＋Ｃ量＋Ｏ量）を求めた
ところ、コロナ放電処理前が９原子％であるのに対し、
コロナ放電処理後は１７原子％であった。
【０１８２】＜反射防止層の形成＞ （１）処理装置 使用した放電プラズマ処理装置は、図１０に示されるよ
うに、容量１０リッターのステンレス製の容器８２から
なり、直流電源８１−１、交流電源８１−２、上部電源
８４、下部電源８５、固体誘電体８６（上部電極にも装
着してあるが、図１０には記載されていない）、基材８
７、ガス導入管８８、希釈ガス導入管、ガス排気口８１
０、排気口８１１から構成されている。 （２）ＴｉＯ2 層上とＳｉＯ2 層の形成 上記処理装置において、下部電極８５は直径１４０ｍｍ
で、表面を比誘電率１６の二酸化ジルコニウム（以下、
ＺｒＯ2 と記す）誘電体８６で被覆し、その上に処理す
る基材８７として、上記ハードコートフィルムを配置し
た。
うに、容量１０リッターのステンレス製の容器８２から
なり、直流電源８１−１、交流電源８１−２、上部電源
８４、下部電源８５、固体誘電体８６（上部電極にも装
着してあるが、図１０には記載されていない）、基材８
７、ガス導入管８８、希釈ガス導入管、ガス排気口８１
０、排気口８１１から構成されている。 （２）ＴｉＯ2 層上とＳｉＯ2 層の形成 上記処理装置において、下部電極８５は直径１４０ｍｍ
で、表面を比誘電率１６の二酸化ジルコニウム（以下、
ＺｒＯ2 と記す）誘電体８６で被覆し、その上に処理す
る基材８７として、上記ハードコートフィルムを配置し
た。
【０１８３】上部電極８４は、直径８０ｍｍで、直径１
ｍｍの穴が５ｍｍ間隔で配設されており、表面は比誘電
率１６のＺｒＯ2 誘電体８６が被覆してあり、ハードコ
ートフィルム表面から２ｍｍ上方にを配置した。
ｍｍの穴が５ｍｍ間隔で配設されており、表面は比誘電
率１６のＺｒＯ2 誘電体８６が被覆してあり、ハードコ
ートフィルム表面から２ｍｍ上方にを配置した。
【０１８４】油回転ポンプ（図１０に記載されていな
い）で、容器内が０．１Ｔｏｒｒになるまで、ガス排出
口８１１から排気した後、希釈ガス導入管８９を通じて
アルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、容器の圧力を７６０Ｔ
ｏｒｒとした。
い）で、容器内が０．１Ｔｏｒｒになるまで、ガス排出
口８１１から排気した後、希釈ガス導入管８９を通じて
アルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、容器の圧力を７６０Ｔ
ｏｒｒとした。
【０１８５】しかる後に、上部電極８４に接続した（反
応）ガス導入管８８から気化したテトライソプロポキシ
チタン、アルゴンの混合気体を導入し、該混合気体導入
後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトライソプロ
ポキシチタン：アルゴン＝０．５：９５．５となるよう
に調整した。
応）ガス導入管８８から気化したテトライソプロポキシ
チタン、アルゴンの混合気体を導入し、該混合気体導入
後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトライソプロ
ポキシチタン：アルゴン＝０．５：９５．５となるよう
に調整した。
【０１８６】上記混合気体を１分間導入した後に、上部
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値４ｋＶ、放電電
流密度４１ｍＡ／ｃｍ2 、周波数６ｋＨｚのパルス電界
を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電して
二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）薄膜１８０Åをハードコート
表面に形成した。
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値４ｋＶ、放電電
流密度４１ｍＡ／ｃｍ2 、周波数６ｋＨｚのパルス電界
を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電して
二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）薄膜１８０Åをハードコート
表面に形成した。
【０１８７】引き続いて、上記上部電極８４に接続した
（反応）ガス導入管８８から気化したテトラメトキシシ
ラン、アルゴン、酸素の混合気体を導入し、該混合気体
導入後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトラメト
キシシラン：酸素：アルゴン：窒素＝０．２：１６：６
７．８：１６となるように調整した。
（反応）ガス導入管８８から気化したテトラメトキシシ
ラン、アルゴン、酸素の混合気体を導入し、該混合気体
導入後の容器内のガス圧力比（体積比）が、テトラメト
キシシラン：酸素：アルゴン：窒素＝０．２：１６：６
７．８：１６となるように調整した。
【０１８８】上記混合気体を１分間導入した後に、上部
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値１３ｋＶ、放電
電流密度１５０ｍＡ／ｃｍ2 、周波数４ｋＨｚのパルス
電界を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電
して二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）薄膜２６０Åを上記ＴｉＯ
2 薄膜表面に積層した。
電極８４と下部電極８５の間に、電圧立ち上がり時間５
μｓ、パルス継続時間２０μｓ、波高値１３ｋＶ、放電
電流密度１５０ｍＡ／ｃｍ2 、周波数４ｋＨｚのパルス
電界を印加し、放電プラズマ発生空間８３に３秒間放電
して二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）薄膜２６０Åを上記ＴｉＯ
2 薄膜表面に積層した。
【０１８９】更に、上記同様の方法にて、ＴｉＯ2 薄膜
１４１０Å（放電時間２０秒）を積層し、さらにＳｉＯ
2 薄膜８８０Å（放電時間１０秒）を積層し、４層の反
射防止フィルムを得た。
１４１０Å（放電時間２０秒）を積層し、さらにＳｉＯ
2 薄膜８８０Å（放電時間１０秒）を積層し、４層の反
射防止フィルムを得た。
【０１９０】上記反射防止層の上に、防汚剤（信越化学
社製、コート剤「ＫＰ−８０１Ｍ」）を溶剤１，３−ビ
ストリフロロメチルベンゼン（以下、ＴＦＢと略記す
る）で０．１重量％固形分濃度としたものをマイクログ
ラビアコートにて塗工し約１５０Åの防汚層を形成しフ
ィルムＡを得た。
社製、コート剤「ＫＰ−８０１Ｍ」）を溶剤１，３−ビ
ストリフロロメチルベンゼン（以下、ＴＦＢと略記す
る）で０．１重量％固形分濃度としたものをマイクログ
ラビアコートにて塗工し約１５０Åの防汚層を形成しフ
ィルムＡを得た。
【０１９１】（フィルムＢ） ＜透明導電層を有するフィルム（上部電極）＞基材フィ
ルム（１）として、基材フィルム（２）と同じポリカー
ボネートフィルムの表面にスパッタリングで２０ｎｍの
ＩＴＯ層を形成させたシートを上部電極として得た。該
上部電極の表面固有抵抗は５００Ω／ｃｍ2 であった。
ルム（１）として、基材フィルム（２）と同じポリカー
ボネートフィルムの表面にスパッタリングで２０ｎｍの
ＩＴＯ層を形成させたシートを上部電極として得た。該
上部電極の表面固有抵抗は５００Ω／ｃｍ2 であった。
【０１９２】フィルムＡの反射防止層が形成されていな
い側に、アクリル系粘着剤（総研化学社製、ＳＫダイン
１３５８）をバーコートにて塗布し、厚さ１０μｍの粘
着剤層を形成した。上記フィルムＡの粘着剤塗布面とフ
ィルムＢの透明導電層が形成されていない面を貼り合わ
せて、タッチパネル用反射防止フィルムを得た。
い側に、アクリル系粘着剤（総研化学社製、ＳＫダイン
１３５８）をバーコートにて塗布し、厚さ１０μｍの粘
着剤層を形成した。上記フィルムＡの粘着剤塗布面とフ
ィルムＢの透明導電層が形成されていない面を貼り合わ
せて、タッチパネル用反射防止フィルムを得た。
【０１９３】上記タッチパネル用反射防止フィルムは、
実施例４と同様に評価し、その結果を表４に記載した。
実施例４と同様に評価し、その結果を表４に記載した。
【０１９４】２．タッチパネル 上記方法で得られたタッチパネル用反射防止フィルムを
上部の電極とし、ＩＴＯ層が形成されているガラス板を
下部の電極として、抵抗膜方式タッチパネルを作成し
た。該タッチパネルは、従来の標準的タッチパネルに比
べ、外光の表面反射が大幅に改善されていることが確認
された。さらに、上記タッチパネルは、反射型液晶パネ
ル、透過型液晶パネル及びＣＲＴとを組み合わせること
により手書き入力タブレットを得ることができる。
上部の電極とし、ＩＴＯ層が形成されているガラス板を
下部の電極として、抵抗膜方式タッチパネルを作成し
た。該タッチパネルは、従来の標準的タッチパネルに比
べ、外光の表面反射が大幅に改善されていることが確認
された。さらに、上記タッチパネルは、反射型液晶パネ
ル、透過型液晶パネル及びＣＲＴとを組み合わせること
により手書き入力タブレットを得ることができる。
【０１９５】
【表４】
【０１９６】（実施例８） １．タッチパネル用反射防止フィルム （フィルムＡ）ハードコート剤として、多官能アクリレ
ート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重量部とコロ
イダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨＣ−１１０
３）１０重量部との混合溶液を、トルエンで上記混合溶
液分が４０％になるように希釈し調整した。次に、基材
フィルム（２）として非晶質ポリオレフィンフィルム
（日本ゼオン社製、ＺＥＯＮＥＸ、７５μｍ）上に、バ
ーコーターによって、上記ハードコート剤を塗工し、加
熱乾燥した後、３００ＭＪ／ｃｍ2 で紫外線ランプを照
射し、厚さ５μｍのハードコート層を作成した。上記ハ
ードコート層を用いたこと以外は、実施例７と同様にし
て、フィルムＡを得た。
ート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重量部とコロ
イダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨＣ−１１０
３）１０重量部との混合溶液を、トルエンで上記混合溶
液分が４０％になるように希釈し調整した。次に、基材
フィルム（２）として非晶質ポリオレフィンフィルム
（日本ゼオン社製、ＺＥＯＮＥＸ、７５μｍ）上に、バ
ーコーターによって、上記ハードコート剤を塗工し、加
熱乾燥した後、３００ＭＪ／ｃｍ2 で紫外線ランプを照
射し、厚さ５μｍのハードコート層を作成した。上記ハ
ードコート層を用いたこと以外は、実施例７と同様にし
て、フィルムＡを得た。
【０１９７】（フィルムＢ） ＜透明導電層を有するフィルム（上部電極）＞基材フィ
ルムとして、非晶質ポリオレフィンフィルム（日本ゼオ
ン社製、ＺＥＯＮＥＸ、７５μｍ）の表面にスパッタリ
ングで１５ｎｍのＩＴＯ層を形成させたシートを上部電
極として得た。該上部電極の表面固有抵抗は３９０Ω／
ｃｍ2であった。
ルムとして、非晶質ポリオレフィンフィルム（日本ゼオ
ン社製、ＺＥＯＮＥＸ、７５μｍ）の表面にスパッタリ
ングで１５ｎｍのＩＴＯ層を形成させたシートを上部電
極として得た。該上部電極の表面固有抵抗は３９０Ω／
ｃｍ2であった。
【０１９８】フィルムＡの反射防止層が形成されていな
い側に、アクリル系粘着剤（総研化学社製、ＳＫダイン
１３５８）をバーコートにて塗布し、厚さ１０μｍの粘
着剤層を形成した。上記フィルムＡの粘着剤塗布面とフ
ィルムＢの透明導電層が形成されていない面を貼り合わ
せて、タッチパネル用反射防止フィルムを得た。
い側に、アクリル系粘着剤（総研化学社製、ＳＫダイン
１３５８）をバーコートにて塗布し、厚さ１０μｍの粘
着剤層を形成した。上記フィルムＡの粘着剤塗布面とフ
ィルムＢの透明導電層が形成されていない面を貼り合わ
せて、タッチパネル用反射防止フィルムを得た。
【０１９９】上記タッチパネル用反射防止フィルムは、
実施例１と同様に評価し、その結果を表４に記載した。 ２．タッチパネル 上記方法で得られたタッチパネル用反射防止フィルムを
上部の電極とし、実施例１と同様にしてタッチパネルを
作成した。該タッチパネルは、従来の標準的タッチパネ
ルに比べ、外光の表面反射が大幅に改善されていること
が確認された。
実施例１と同様に評価し、その結果を表４に記載した。 ２．タッチパネル 上記方法で得られたタッチパネル用反射防止フィルムを
上部の電極とし、実施例１と同様にしてタッチパネルを
作成した。該タッチパネルは、従来の標準的タッチパネ
ルに比べ、外光の表面反射が大幅に改善されていること
が確認された。
【０２００】（実施例９） １．タッチパネル用反射防止フィルム （フィルムＡ）ハードコート剤として、多官能アクリレ
ート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重量部、コロ
イダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨＣ−１１０
５）３５重量部及びウレタンアクリレート（大日精化社
製、Ｕ０２）１０重量部との混合溶液を、トルエンで上
記混合溶液分が４０％になるように希釈し調整した。上
記ハードコート層を用いたこと以外は、実施例７と同様
にして、フィルムＡを得た。
ート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重量部、コロ
イダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨＣ−１１０
５）３５重量部及びウレタンアクリレート（大日精化社
製、Ｕ０２）１０重量部との混合溶液を、トルエンで上
記混合溶液分が４０％になるように希釈し調整した。上
記ハードコート層を用いたこと以外は、実施例７と同様
にして、フィルムＡを得た。
【０２０１】さらに、上記フィルムＡを用いたこと以外
は、実施例７と同様にして、タッチパネル用反射防止フ
ィルム及びタッチパネルを得た。
は、実施例７と同様にして、タッチパネル用反射防止フ
ィルム及びタッチパネルを得た。
【０２０２】上記タッチパネル用反射防止フィルムは、
実施例１と同様に評価し、その結果を表４に記載した。
実施例１と同様に評価し、その結果を表４に記載した。
【０２０３】２．タッチパネル 上記タッチパネルは、従来の標準的タッチパネルに比
べ、外光の表面反射が大幅に改善されていることが確認
された。
べ、外光の表面反射が大幅に改善されていることが確認
された。
【０２０４】（比較例５）反射防止層を形成しないこと
以外は、実施例７と同様な処理を行いタッチパネル用反
射防止フィルムを得た。さらに、実施例７と同様に、上
記フィルムを用いたタッチパネルを作成し、屋外での視
認性を観察したところ、外光の写り込みはある程度改善
されているが十分ではなかった。
以外は、実施例７と同様な処理を行いタッチパネル用反
射防止フィルムを得た。さらに、実施例７と同様に、上
記フィルムを用いたタッチパネルを作成し、屋外での視
認性を観察したところ、外光の写り込みはある程度改善
されているが十分ではなかった。
【０２０５】上記タッチパネル用反射防止フィルムは、
実施例１と同様に評価し、その結果を表４に記載した。
実施例１と同様に評価し、その結果を表４に記載した。
【０２０６】（比較例６）ハードコート剤として、多官
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部とコロイダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨ
Ｃ−１１０５）８０重量部との混合溶液を用いたこと以
外は、実施例７と同様にしてタッチパネル用反射防止フ
ィルムを得た。しかし、ハードコート層と反射防止層と
の界面で剥離が観察された。
能アクリレート（大日精化社製、ＥＸＦ３７）１００重
量部とコロイダルシリカ（東芝シリコーン社製、ＵＶＨ
Ｃ−１１０５）８０重量部との混合溶液を用いたこと以
外は、実施例７と同様にしてタッチパネル用反射防止フ
ィルムを得た。しかし、ハードコート層と反射防止層と
の界面で剥離が観察された。
【０２０７】上記タッチパネル用反射防止フィルムは、
実施例１と同様に評価し、その結果を表４に記載した。
実施例１と同様に評価し、その結果を表４に記載した。
【０２０８】
【発明の効果】本発明のタッチパネル用反射防止フィル
ムは、上記構成よりなるので、ハードコート層と反射防
止層との密着性及び表面硬度を発揮することができる。
また、本発明は、更にウレタンアクリレートとからなる
組成物が硬化されているため、フィルムの柔軟性の調整
が容易になり、表面のクラックの発生が抑制され、ハー
ドコート層と反射防止層との密着性及び表面硬度を更に
発揮することができる。また、本発明では、ハードコー
ト層の表面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、
Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原子％となるよう
に放電処理が施されたハードコート層を有するため、反
射防止層との密着性及び表面硬度が、更に飛躍的に向上
する。また、本発明のタッチパネル用反射防止フィルム
の製造方法は、ハードコート層に上記放電処理を施すと
ともに、常圧プラズマＣＶＤ法を用いて反射防止層を積
層する上記の構成としているため、ハードコート層と反
射防止層が、更に強固に密着した反射防止フィルムが得
られる。また、従来、低圧力下で行われていた反射防止
層の形成が、大気圧近傍で、短時間にできるようになっ
た。また、本発明のタッチパネルは、落下等の衝撃から
表示部が十分に保護され（耐衝撃性）、耐擦傷性が優
れ、さらに、防汚性及び視認性にも優れている。
ムは、上記構成よりなるので、ハードコート層と反射防
止層との密着性及び表面硬度を発揮することができる。
また、本発明は、更にウレタンアクリレートとからなる
組成物が硬化されているため、フィルムの柔軟性の調整
が容易になり、表面のクラックの発生が抑制され、ハー
ドコート層と反射防止層との密着性及び表面硬度を更に
発揮することができる。また、本発明では、ハードコー
ト層の表面の元素組成中に占めるＳｉの比率が、Ｓｉ、
Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原子％となるよう
に放電処理が施されたハードコート層を有するため、反
射防止層との密着性及び表面硬度が、更に飛躍的に向上
する。また、本発明のタッチパネル用反射防止フィルム
の製造方法は、ハードコート層に上記放電処理を施すと
ともに、常圧プラズマＣＶＤ法を用いて反射防止層を積
層する上記の構成としているため、ハードコート層と反
射防止層が、更に強固に密着した反射防止フィルムが得
られる。また、従来、低圧力下で行われていた反射防止
層の形成が、大気圧近傍で、短時間にできるようになっ
た。また、本発明のタッチパネルは、落下等の衝撃から
表示部が十分に保護され（耐衝撃性）、耐擦傷性が優
れ、さらに、防汚性及び視認性にも優れている。
【０２０９】
【図１】有機物により表面処理コートされたシリカ粒子
の一例を示す説明図である。
の一例を示す説明図である。
【図２】有機物により表面処理コートされたシリカ粒子
の別の例を示す説明図である。
の別の例を示す説明図である。
【図３】本発明に用いた放電プラズマ発生装置とその放
電電圧及び放電電流の測定に用いた測定回路図の一例を
示す説明図である。
電電圧及び放電電流の測定に用いた測定回路図の一例を
示す説明図である。
【図４】図３の装置により得られた放電電圧（波形１）
と放電電流（波形２）の測定結果を示すグラフである。
と放電電流（波形２）の測定結果を示すグラフである。
【図５】本発明において一対の電極間に印加するパルス
電圧の波形の例を示す説明図である。
電圧の波形の例を示す説明図である。
【図６】本発明でいうパルス電界継続時間の説明図であ
る。
る。
【図７】本発明を適用した装置において用いるのに適し
た電源回路の構成例を示すブロック図である。
た電源回路の構成例を示すブロック図である。
【図８】等価的な回路図で示す図７の回路の動作原理の
説明図である。
説明図である。
【図９】図８に示された動作原理により得ることのでき
るパルス電圧波形の説明図である。
るパルス電圧波形の説明図である。
【図１０】本発明の各実施例で用いた放電プラズマ発生
装置の構成を示す模式図である。
装置の構成を示す模式図である。
Ｃｏ−Ｓｉ コロイダルシリカ １、２ 電極 ３ パルス電源 ４ 固体誘電体 ５ 抵抗 ６、９ ＢＮＣ端子 ７ オシロスコープ ８ 高圧プローブ ８１−１ 直流電源 ８１−２ 交流電源（高電圧パルス電源） ８２ ステンレス製容器 ８３ 放電プラズマ発生空間 ８４ 上部電極 ８５ 下部電極 ８６ 固体誘電体 ８７ 基材 ８８ ガス導入管 ８９ 希釈ガス導入管 ８１０ ガス排出口 ８１１ 排気口
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 5/30 Ｇ０９Ｆ 9/00 ３６６Ａ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３１３ Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ ３６６ Ｚ Ｆターム(参考） 2H049 BA02 BA25 BA26 BA47 BB43 BB51 BB65 BB67 BC03 BC14 BC21 2K009 AA03 AA15 BB13 BB24 BB28 CC03 CC06 CC24 CC42 DD02 DD03 DD04 DD05 DD06 DD12 EE03 EE05 FF02 4F100 AA20 AA20B AA21 AA27 AA28 AA33 AK25B AK42 AK52B AR00C AR00D AT00A AT00E BA04 BA05 BA07 BA10C BA10D CB00 CC00B DE01B EH46 EH462 EH66 EH902 EJ54 EJ55 EJ61 EJ612 GB41 JG01D JK06 JK10 JK12 JK12B JK14 JL06 JN01D JN06 JN06C JN10E YY00B 5B087 AA04 AB04 AC09 AE09 CC14 CC16 5G435 AA00 AA01 AA08 AA17 BB12 DD12 FF05 HH02 HH03 HH12 KK07 KK10
Claims (11)
- 【請求項１】 基材フィルム（１）の片面に、ハードコ
ート層を介して、反射防止層が積層され、該基材フィル
ム（１）のもう一方の片面に透明導電層が形成されてい
ることを特徴とするタッチパネル用反射防止フィルム。 - 【請求項２】 基材フィルム（１）の片面に、粘着剤
層、偏光子、ハードコート層、反射防止層がこの順に積
層され、該基材フィルム（１）のもう一方の片面に透明
導電層が形成されていることを特徴とするタッチパネル
用反射防止フィルム。 - 【請求項３】 基材フィルム（１）の片面に、粘着剤
層、基材フィルム（２）、ハードコート層、反射防止層
がこの順に積層され、該基材フィルム（１）のもう一方
の片面に透明導電層が形成されていることを特徴とする
タッチパネル用反射防止フィルム。 - 【請求項４】 ハードコート層が、多官能アクリレート
（Ａ）１００重量部と、有機物により表面処理コートさ
れたシリカ粒子、オルガノポリシロキサン、及びシリコ
ンアクリレートよりなる群から選ばれた少なくとも１種
のシリコン系化合物（Ｂ）１〜４０重量部からなる組成
物を硬化させたものであり、 上記ハードコート層の表面の元素組成中に占めるＳｉの
比率が、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原
子％であることを特徴とする請求項１〜３いずれか一項
に記載のタッチパネル用反射防止フィルム。 - 【請求項５】 ハードコート層が、多官能アクリレート
（Ａ）１００重量部と、有機物により表面処理コートさ
れたシリカ粒子、オルガノポリシロキサン、及びシリコ
ンアクリレートよりなる群から選ばれた少なくとも１種
のシリコン系化合物（Ｂ）１〜７０重量部とウレタンア
クリレート（Ｃ）５〜１００重量部とからなる組成物を
硬化させたものであり、 上記ハードコート層の表面の元素組成中に占めるＳｉの
比率が、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原
子％であることを特徴とする請求項４記載のタッチパネ
ル用反射防止フィルム。 - 【請求項６】 ハードコート層の表面の元素組成中に占
めるＳｉの比率が、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して
２〜３５原子％となるように放電処理が施されたハード
コート層を有することを特徴とする請求項１〜５いずれ
か一項に記載のタッチパネル用反射防止フィルム。 - 【請求項７】 タッチパネル用反射防止フィルムを製造
する方法において、 上記ハードコート層の表面の元素組成中に占めるＳｉの
比率が、Ｓｉ、Ｃ、及びＯの合計量に対して２〜３５原
子％となるように放電処理を施し、更に上記放電処理さ
れた面、又は、基材フィルム（１）に、 大気圧近傍の圧力下、金属化合物を含むガス雰囲気中
で、対向電極間に放電電流密度が０．２〜３００ｍＡ／
ｃｍ2 となるように電界を印加することにより、放電プ
ラズマを発生させ、透明導電層、又は、反射防止層を積
層することを特徴とするタッチパネル用反射防止フィル
ムの製造方法。 - 【請求項８】 上記一対の対向電極間にパルス化された
電界を印加することを特徴とする請求項７記載のタッチ
パネル用反射防止フィルム製造方法。 - 【請求項９】 上記パルス化された電界の印加における
電圧立ち上がり時間が１００μｓ以下で、且つ、パルス
電界の強さが１〜１００ｋＶ／ｃｍの範囲であることを
特徴とする請求項８記載のタッチパネル用反射防止フィ
ルム製造方法。 - 【請求項１０】 上記パルス化された電界の周波数が
０．５〜１００ｋＨｚであり、且つ、その１つのパルス
継続時間が１〜１０００μｓであることを特徴とする請
求項８又は９記載のタッチパネル用反射防止フィルム製
造方法。 - 【請求項１１】 基材フィルム（１）と透明導電層とか
らなるフィルムを上部電極とする請求項１〜６記載のタ
ッチパネル用反射防止フィルムが、積層されてなるタッ
チパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32967299A JP2001147777A (ja) | 1999-11-19 | 1999-11-19 | タッチパネル用反射防止フィルム、その製造方法及びタッチパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32967299A JP2001147777A (ja) | 1999-11-19 | 1999-11-19 | タッチパネル用反射防止フィルム、その製造方法及びタッチパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001147777A true JP2001147777A (ja) | 2001-05-29 |
Family
ID=18223989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32967299A Pending JP2001147777A (ja) | 1999-11-19 | 1999-11-19 | タッチパネル用反射防止フィルム、その製造方法及びタッチパネル |
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| JP (1) | JP2001147777A (ja) |
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1999
- 1999-11-19 JP JP32967299A patent/JP2001147777A/ja active Pending
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