JP2001143985A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト塗布処理ユニットおよび現像処理ユ
ニットに供給する空気の温度や湿度を調整するための装
置の小型化および消費電力等のランニングコストの低減
を図ることができる基板処理装置を提供すること。 【解決手段】 外部から受け入れた外気を冷却器６１で
所定で冷却し、冷却器６１で冷却された空気を熱交換器
６２の低温側流路に通流させ、一方、熱交換器６２の高
温側流路に外気を通流させ、冷却された空気と外気との
間で熱交換を行わせる。この熱交換器６２の低温側流路
を通流し、高温側流路を通流する外気により温められた
空気を加温器６３および加湿器６４により加温・加湿し
て所定の温度および湿度の空気をレジスト塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）に供給する。また、熱交換器６２の高温
側流路を通流し、低温側流路を通流する空気により冷や
された外気を加温器６６によって加温して所定温度の空
気を現像処理ユニット（ＤＥＶ）に供給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
基板に塗布・現像処理を施して半導体等を製造する基板
処理装置に関し、詳しくは、レジスト塗布処理ユニット
と現像処理ユニットに供給する空気の温度や湿度を制御
可能な基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、被処理基板である半導体ウエハにフォトレジ
スト液を塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路
パターン等を縮小してフォトレジスト膜を露光し、これ
を現像処理する一連の処理工程がある。この処理工程
は、半導体デバイスの高集積化には極めて重要なプロセ
スである。

【０００３】このような処理工程においては、洗浄処理
された半導体ウエハに対して、まずアドヒージョン処理
ユニットにて疎水化処理を施し、冷却処理ユニットにて
冷却した後、レジスト塗布処理ユニットにてフォトレジ
スト膜を塗布形成する。このフォトレジスト膜が形成さ
れた半導体ウエハに対し、ホットプレートユニットにて
プリベーク処理を施した後、冷却処理ユニットにて冷却
し、露光装置にて所定のパターンを露光する。引き続
き、露光後の半導体ウエハに対してポストエクスポージ
ャーベーク処理を施した後、冷却処理ユニットにて冷却
し、現像処理ユニットにて現像液を塗布して露光パター
ンを現像する。そして、最後に、ホットプレートユニッ
トにてポストベーク処理を施す。

【０００４】このような一連の処理工程のうち、露光処
理を除く工程は、これらの処理ユニットを一体的に集約
したレジスト塗布・現像処理システムによって行われて
いる。

【０００５】ところで、上述したレジスト塗布処理ユニ
ットでは、レジスト液を塗布した後に形成されるレジス
ト膜の膜厚精度等に及ぼす温度や湿度の影響が大きいた
め、この塗布処理ユニットのカップ内の空気の温度およ
び湿度を高精度に管理する必要がある。

【０００６】また、現像処理ユニットでは、線幅の精度
は現像液の温度に大きく影響を受けるため、現像処理ユ
ニットのカップ内の空気の温度を高精度に管理する必要
がある。

【０００７】このようなことから、従来、レジスト塗布
処理ユニットおよび現像処理ユニットのカップ内には、
温度および湿度を所定の値に厳密に管理した空気を供給
して、これらの温度および湿度の管理を一体的に行って
いる。

【０００８】この際に用いられる温度・湿度制御装置
は、図１４に示すように構成されている。すなわち、レ
ジスト塗布・現像処理システム外の外気（例えば、温度
２３℃、相対湿度４５％）が冷却器１０１に取り入れら
れて、露点温度以下（例えば、７℃、９５〜１００％）
に冷却され、次いで、加温器１０２により、所定温度
（例えば、２３℃）に温められ、その後、加湿器１０３
により加湿されて所定温度・湿度（例えば、２３℃、４
０〜５０％）に調整される。その後、このように調整さ
れた空気がそれぞれレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）１０４および現像処理ユニット（ＤＥＶ）１０５に
供給される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このように、外気が一
旦冷却器１０１により冷却された後、加温器１０２で温
められ、加湿器１０３により加湿されて、温度および湿
度が調整されるのは、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）１０４に供給する空気の温度および湿度を調整する
必要があるからである。

【００１０】すなわち、冷却器１０１により外気を一旦
露点温度以下に冷却することにより、空気の相対湿度は
ほぼ１００％になるが、結露させることにより空気中に
含まれる水分を除去（除湿）して、空気の単位体積中に
含まれる水分の絶対量を低減し、その後、加温器１０２
により空気を所定の温度に温めて、加湿器１０３により
所定の湿度に加湿する。

【００１１】したがって、取り入れた空気を全部一旦冷
却した後に加熱しなければならず、冷却や加温のための
装置の大型化を招くとともに、消費電力等のランニング
コストの高騰をも招いている。

【００１２】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、処理ユニットに供給する空気の温度や湿度を
調整するための装置の小型化および消費電力等のランニ
ングコストの低減を図ることができる基板処理装置を提
供することを目的とする。

【００１３】

【発明が解決するための手段】上述した従来の温度・湿
度制御装置は、取り入れた外気の湿度を調整するために
全量を一旦冷却器により冷却しているが、現像処理ユニ
ットは必ずしも湿度コントロールが必要ではない。この
ことを前提に本発明者らが検討を重ねた結果、温度およ
び湿度をコントロールすることが必要な第１の処理ユニ
ット、例えばレジスト塗布処理ユニットに供給する空気
と、温度のみをコントロールすることが必要な第２の処
理ユニット、例えば現像処理ユニットに供給する空気を
最初から分離し、第１の処理ユニットに供給する空気の
み冷却装置で冷却し、かつ冷却器を経た後の空気は第２
の処理ユニットに供給される外気により加温すれば、装
置の小型化および消費電力等のランニングコストの低減
を図ることができることを見出した。

【００１４】すなわち、本発明は、基板を処理する第１
および第２の処理ユニットと、外部から受け入れた外気
を所定温度に冷却する冷却部と、前記冷却部で冷却され
た空気を通流させる低温側流路および外気を通流させる
高温側流路を有し、冷却された空気と外気との間で熱交
換を行わせる熱交換器と、前記熱交換器の低温側流路を
通流し、高温側流路を通流する外気により温められた空
気を加温・加湿して所定の温度および湿度の空気を前記
第１の処理ユニットに供給する加温・加湿部と、前記熱
交換器の高温側流路を通流し、低温側流路を通流する空
気により冷やされた外気を加温して所定の温度の空気を
前記第２の処理ユニットに供給する加温部とを具備する
ことを特徴とする基板処理装置を提供する。

【００１５】このような構成によれば、供給する空気の
湿度および温度を調整する必要がある第１の処理ユニッ
トには、冷却器により一旦冷却され、熱交換器により温
められ、その後、加温・加湿器により温度と湿度が調整
された空気が供給される。一方、空気の温度の調整のみ
が必要で湿度の調整は不要である第２の処理ユニットに
は、冷却部により一旦冷却されることなく、熱交換器に
より若干温度が低下された後、加温部により温度が調整
された空気が供給される。したがって、冷却部により冷
却されるのは、第１の処理ユニットに供給される空気の
みであり、第２の処理ユニットに供給される空気は冷却
されないため、冷却すべき空気の量を従来よりも少なく
することができる。例えば第１の処理ユニットおよび第
２の処理ユニットが同数の場合には冷却すべき空気の量
を従来の半分にすることができる。したがって、冷却す
るための機構の小型化および消費電力等の低減を図るこ
とができる。

【００１６】本発明は、また、基板にレジスト液を塗布
する塗布処理ユニットと、塗布されたレジスト膜を露光
した後の基板に現像処理を施す現像処理ユニットと、外
部から受け入れた外気を所定温度に冷却する冷却部と、
冷却部で冷却された空気を通流させる低温側流路および
外気を通流させる高温側流路を有し、冷却された空気と
外気との間で熱交換を行わせる熱交換器と、この熱交換
器の低温側流路を通流し、高温側流路を通流する外気に
より温められた空気を加温・加湿して所定の温度および
湿度の空気を前記塗布処理ユニットに供給する加温・加
湿部と、前記熱交換器の高温側流路を通流し、低温側流
路を通流する空気により冷やされた外気を加温して所定
の温度の空気を前記現像処理ユニットに供給する加温部
とを具備することを特徴とする基板処理装置を提供す
る。

【００１７】このような構成によれば、供給する空気の
温度および湿度を調整する必要がある塗布処理ユニット
には、冷却部により一旦冷却され、熱交換器により温め
られ、その後、加温・加湿部により温度と湿度が調整さ
れた空気が供給される。一方、空気の温度の調整のみが
必要で湿度の調整は不要である現像処理ユニットには、
冷却部により一旦冷却されることなく、熱交換器により
若干温度が低下された後、加温部により温度が調整され
た空気が供給される。

【００１８】したがって、冷却部により冷却されるの
は、レジスト液を塗布する塗布処理ユニットに供給され
る空気のみであり、現像処理ユニットに供給される空気
は冷却されないため、冷却すべき空気の量を従来よりも
少なくすることができる。例えば塗布処理ユニットおよ
び現像処理ユニットが同数の場合には冷却すべき空気の
量を従来の半分にすることができる。

【００１９】また、レジスト液を塗布する塗布処理ユニ
ットに供給される空気は、熱交換器において、現像処理
ユニットに供給される空気の熱を奪うことにより予備加
熱されているため、後に加温する際の加温容量を少なく
することができる。

【００２０】さらに、熱交換器から現像処理ユニット側
に流出される空気は、レジスト液を塗布する塗布処理ユ
ニットに供給される空気により若干温度が低下された程
度であるので、現像処理ユニットに供給する際に僅かに
加温する程度でよい。

【００２１】以上から、冷却や加温のための機構の小容
量化および小型化を図ることができ、消費電力等のラン
ニングコストを低減することができる。例えば、レジス
ト液を塗布する塗布処理ユニットおよび現像処理ユニッ
トの台数がほぼ同じ場合には、冷却および加温のための
熱的な容量は、従来に比べて、ほぼ半分にすることがで
き、消費電力等のランニングコストをほぼ半分にするこ
とができる。

【００２２】本発明は、さらに、基板を処理する第１お
よび第２の処理ユニットと、前記第１の処理ユニットか
ら排気された空気を所定温度に冷却する冷却部と、前記
冷却された空気を通流させる低温側流路および前記第２
の処理ユニットからの排気を通流させる高温側流路を有
し、前記冷却された空気と前記第２の処理ユニットから
の排気との間で熱交換を行わせる熱交換器と、前記熱交
換器の低温側流路を通流し、高温側流路を通流する前記
第２の処理ユニットからの排気により温められた前記冷
却された空気を加温・加湿して所定の温度および湿度の
空気を前記第１の処理ユニットに供給する加温・加湿部
と、前記熱交換器の高温側流路を通流し、低温側流路を
通流する前記冷却された空気により冷やされた前記第２
の処理ユニットからの排気を加熱して所定の温度の空気
を前記第２の処理ユニットに供給する加温部とを具備す
ることを特徴とする基板処理装置を提供する。

【００２３】このような構成によれば、第１の処理ユニ
ットから排気された空気は冷却部により一旦冷却され、
熱交換器により温められた後、加温・加湿部により温度
と湿度が調整されて再度第１の処理ユニットに供給され
る。一方、第２の処理ユニットから排気された空気は熱
交換器により若干温度が低下された後、加温部により温
度が調整されて再度第２の処理ユニットに供給される。
このように、それぞれの処理ユニットから排気された空
気の温度や湿度を調整するため、空気の温度や湿度を調
整する機構の構成を簡単な構造とすることができ、これ
に伴い消費電力等を低減することができる。

【００２４】一方、第１の処理ユニットおよび第２の処
理ユニットがともに温度および湿度をコントロールする
場合であっても、第１の処理ユニットに供給する空気と
第２の処理ユニットに供給する空気とを分離し、第１の
処理ユニットに供給する空気を冷却器で冷却した後に、
第２の処理ユニットに供給する外気と熱交換することに
より、ランニングコストを低減できることも見い出し
た。

【００２５】すなわち、本発明の他の観点においては、
基板を処理する第１および第２の処理ユニットと、外部
から受け入れた外気を所定温度に冷却する第１の冷却部
と、前記第１の冷却部で冷却された空気を通流させる低
温側流路および外気を通流させる高温側流路を有し、前
記第１の冷却部で冷却された空気と外気との間で熱交換
を行わせる熱交換器と、前記熱交換器の低温側流路を通
流し、高温側流路を通流する外気により温められた空気
を加温・加湿して所定の温度および湿度の空気を前記第
１の処理ユニットに供給する第１の加温・加湿部と、前
記熱交換器の高温側流路を通流し、低温側流路を通流す
る空気により冷やされた外気を所定温度に冷却する第２
の冷却部と、前記第２の冷却部で冷却された空気を加温
・加湿して所定の温度および湿度の空気を前記第２の処
理ユニットに供給する第２の加温・加湿部とを具備する
ことを特徴とする基板処理装置を提供する。

【００２６】このような構成によれば、熱交換器で第１
の冷却部で冷却した後の空気と外気との間で熱交換する
ことにより、第１の冷却部で冷却された空気は熱交換器
で温められた後に第１の加温・加湿部で加温・加湿され
るので、第１の加温・加湿部における加温容量を減らす
ことができ、また、第２の冷却部は熱交換器で冷やされ
た外気を冷却するので、第２の冷却部の冷却容量を減ら
すことができる。したがって、第１の加温・加湿部およ
び第２の冷却器を小容量・小型化することができ、これ
により消費電力等のランニングコストを低減することが
できる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明
の実施に用いるレジスト塗布・現像処理システムを示す
概略平面図、図２はその正面図、図３はその背面図であ
る。

【００２８】このレジスト塗布・現像処理システム１
は、搬送ステーションであるカセットステーション１０
と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション１１
と、処理ステーション１１と隣接して設けられる露光装
置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡すためのイン
ターフェイス部１２とを具備している。

【００２９】上記カセットステーション１０は、被処理
体としての半導体ウエハＷ（以下、単にウエハＷと記
す）を複数枚例えば２５枚単位でウエハカセットＣＲに
搭載された状態で他のシステムからこのシステムへ搬入
またはこのシステムから他のシステムへ搬出したり、ウ
エハカセットＣＲと処理ステーション１１との間でウエ
ハＷの搬送を行うためのものである。

【００３０】このカセットステーション１０において
は、図１に示すように、載置台２０上に図中Ｘ方向に沿
って複数（図では４個）の位置決め突起２０ａが形成さ
れており、この位置決め突起２０ａの位置にウエハカセ
ットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション
１１側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカ
セットＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に
配列されている。また、カセットステーション１０は、
載置台２０と処理ステーション１１との間に位置するウ
エハ搬送機構２１を有している。このウエハ搬送機構２
１は、カセット配列方向（Ｘ方向）およびその中のウエ
ハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬
送用アーム２１ａを有しており、このウエハ搬送用アー
ム２１ａによりいずれかのウエハカセットＣＲに対して
選択的にアクセス可能となっている。また、ウエハ搬送
用アーム２１ａは、θ方向に回転可能に構成されてお
り、後述する処理ステーション１１側の第３の処理部Ｇ
_３に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエ
クステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできる
ようになっている。

【００３１】上記処理ステーション１１は、ウエハＷへ
対して塗布・現像を行う際の一連の工程を実施するため
の複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段
に配置されており、これらによりウエハＷが一枚ずつ処
理される。この処理ステーション１１は、図１に示すよ
うに、中心部に搬送路２２ａを有し、この中に主ウエハ
搬送機構２２が設けられ、ウエハ搬送路２２ａの周りに
全ての処理ユニットが配置されている。これら複数の処
理ユニットは、複数の処理部に分かれており、各処理部
は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って多段に配置さ
れている。

【００３２】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置４
６も一体的に回転可能となっている。

【００３３】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しを実現している。

【００３４】また、図１に示すように、この実施の形態
においては、４個の処理部Ｇ_１，Ｇ _２，Ｇ_３，Ｇ_４がウ
エハ搬送路２２ａの周囲に実際に配置されており、処理
部Ｇ _５は必要に応じて配置可能となっている。

【００３５】これらのうち、第１および第２の処理部Ｇ
_１，Ｇ_２はシステム正面（図１において手前）側に並列
に配置され、第３の処理部Ｇ_３はカセットステーション
１０に隣接して配置され、第４の処理部Ｇ_４はインター
フェイス部１２に隣接して配置されている。また、第５
の処理部Ｇ_５は背面部に配置可能となっている。

【００３６】この場合、図２に示すように、第１の処理
部Ｇ_１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャック
（図示せず）に載置して所定の処理を行う２台のスピナ
型処理ユニットが上下２段に配置されており、この実施
形態においては、ウエハＷにレジストを塗布するレジス
ト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）およびレジストのパター
ンを現像する現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に
２段に重ねられている。第２の処理部Ｇ_２も同様に、２
台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）および現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下
から順に２段に重ねられている。

【００３７】このようにレジスト塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）等を下段側に配置する理由は、レジスト液の廃液
が機構的にもメンテナンスの上でも現像液の廃液よりも
本質的に複雑であり、このようにレジスト塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）等を下段に配置することによりその複雑
さが緩和されるからである。しかし、必要に応じてレジ
スト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）等を上段に配置するこ
とも可能である。

【００３８】第３の処理部Ｇ_３においては、図３に示す
ように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。
すなわち冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化
処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わ
せを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷ
の搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、
露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハ
Ｗに対して加熱処理を行う４つの加熱処理ユニット（Ｈ
Ｐ）が下から順に８段に重ねられている。なお、アライ
メントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニット（ＣＯＬ）
にアライメント機能を持たせてもよい。

【００３９】第４の処理部Ｇ_４も、オーブン型の処理ユ
ニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリング
ユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備えたウエ
ハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および４つの加
熱処理ユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられて
いる。

【００４０】上述したように、主ウエハ搬送機構２２の
背部側に第５の処理部Ｇ_５を設けることができるが、第
５の処理部Ｇ_５を設ける場合には、案内レール２５に沿
って主ウエハ搬送機構２２から見て側方へ移動できるよ
うになっている。したがって、第５の処理部Ｇ_５を設け
た場合でも、これを案内レール２５に沿ってスライドす
ることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機
構２２に対して背後からメンテナンス作業を容易に行う
ことができる。この場合に、このような直線状の移動に
限らず、回動させるようにしても同様にスペースの確保
を図ることができる。なお、この第５の処理部Ｇ_５とし
ては、基本的に第３および第４の処理部Ｇ_３，Ｇ_４と同
様、オーブン型の処理ユニットが多段に積層された構造
を有しているものを用いることができる。

【００４１】上記インターフェイス部１２は、奥行方向
（Ｘ方向）については、処理ステーション１１と同じ長
さを有している。図１、図２に示すように、このインタ
ーフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップ
カセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に
配置され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中
央部には、ウエハ搬送機構２４が配設されている。この
ウエハ搬送機構２４は、ウエハ搬送用アーム２４ａを有
しており、このウエハ搬送用アーム２４ａは、Ｘ方向、
Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺露光
装置２３にアクセス可能となっている。また、このウエ
ハ搬送用アーム２４ａは、θ方向に回転可能であり、処
理ステーション１１の第４の処理部Ｇ_４に属するエクス
テンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露
光装置側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセス
可能となっている。

【００４２】このようなレジスト塗布・現像処理システ
ム１においては、まず、カセットステーション１０にお
いて、ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送用アーム２１ａ
が載置台２０上の未処理のウエハＷを収容しているウエ
ハカセットＣＲにアクセスして、そのウエハカセットＣ
Ｒから一枚のウエハＷを取り出し、第３の処理部Ｇ_３の
エクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送する。

【００４３】ウエハＷは、このエクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送
装置４６により、処理ステーション１１に搬入される。
そして、第３の処理部Ｇ_３のアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）によりアライメントされた後、アドヒージョン
処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジストの定
着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施さ
れる。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハＷは、
ウエハ搬送装置４６により、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）に搬送されて冷却される。

【００４４】アドヒージョン処理が終了し、クーリング
ユニット（ＣＯＬ）で冷却さたウエハＷは、引き続き、
ウエハ搬送装置４６によりレジスト塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）に搬送され、そこで塗布膜が形成される。塗
布処理終了後、ウエハＷは処理部Ｇ_３，Ｇ_４のいずれか
の加熱処理ユニット（ＨＰ）内でプリベーク処理され、
その後いずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷
却される。

【００４５】冷却されたウエハＷは、第３の処理部Ｇ_３
のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され、そこ
でアライメントされた後、第４の処理部群Ｇ_４のエクス
テンションユニット（ＥＸＴ）を介してインターフェイ
ス部１２に搬送される。

【００４６】インターフェイス部１２では、周辺露光装
置２３により周辺露光されて余分なレジストが除去され
た後、インターフェイス部１２に隣接して設けられた露
光装置（図示せず）により所定のパターンに従ってウエ
ハＷのレジスト膜に露光処理が施される。

【００４７】露光後のウエハＷは、再びインターフェイ
ス部１２に戻され、ウエハ搬送機構２４により、第４の
処理部Ｇ_４に属するエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ搬送装
置４６により、いずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）に
搬送されてポストエクスポージャーベーク処理が施さ
れ、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却
される。

【００４８】その後、ウエハＷは現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われ
る。現像終了後、ウエハＷはいずれかの加熱処理ユニッ
ト（ＨＰ）に搬送されてポストベーク処理が施され、次
いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却され
る。このような一連の処理が終了した後、第３処理ユニ
ット群Ｇ_３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介
してカセットステーション１０に戻され、いずれかのウ
エハカセットＣＲに収容される。

【００４９】次に、本実施形態におけるレジスト塗布処
理ユニット（ＣＯＴ）と現像処理ユニット（ＤＥＶ）の
温度・湿度制御について説明する。図４は、レジスト塗
布処理ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）と温度・湿度制御装置との配置関係を示す模式図
である。

【００５０】温度・湿度制御装置５０は、レジスト塗布
処理ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）に供給する空気の温度や湿度を制御するためのもの
であり、レジスト塗布・現像処理システム１とは別個に
配置されている。後述するように、レジスト塗布処理ユ
ニット（ＣＯＴ）と現像処理ユニット（ＤＥＶ）には、
それぞれ別々の空気が供給されるため、この温度・湿度
制御装置５０からレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
に空気を供給するための供給管路５１と、温度・湿度制
御装置５０から現像処理ユニット（ＤＥＶ）に空気を供
給するための供給管路５２とがそれぞれ別々に設けられ
ている。

【００５１】各レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の
上部には、ウエハＷを内部に包持するカップ（ＣＰ）内
に温調・湿調された空気を吹き出すための吹き出し口５
３が設けられており、各現像処理ユニット（ＤＥＶ）の
上部には、ウエハＷを内部に包持するカップ（ＣＰ）内
に温調された空気を吹き出すための吹き出し口５４が設
けられている。

【００５２】図５は、上記温度・湿度制御装置５０の構
成の一例を示す図である。温度・湿度制御装置５０は、
シェル・アンド・チューブ型の熱交換器６２を有してお
り、この熱交換器６２は筐体６２ａと、その中に設けら
れた複数ターンに屈曲したチューブ６２ｂと、筐体６２
ａ内に空気を流入させる流入口６２ｃと、筐体６２ａか
ら空気を流出させる流出口６２ｄとを有している。そし
て、流入口６２ｃから筐体６２ａに流入した空気が流出
口６２ｄから流出する低温側流路が形成されるととも
に、チューブ６２ｂは高温側流路として機能する。

【００５３】熱交換器６２の流入口６２ｃ側には冷却器
６１が設けられており、流出口６２ｄ側には加温器６
３、加湿器６４、ブロワー６５およびレジスト塗布処理
ユニット（ＣＯＴ）７１がこの順に設けられている。そ
して、ブロワー６５により、冷却器６１で冷却された空
気が熱交換器６２を経て、加温器６３で所定温度に加温
され、加湿器６４で所定湿度に加湿されてレジスト塗布
処理ユニット（ＣＯＴ）７１に至る。

【００５４】また、熱交換器６２のチューブ６２ｂの一
方側からは外気が取り入られるようになっており、他方
側には加温器６６、ブロワー６７および現像処理ユニッ
ト（ＤＥＶ）７２がこの順に接続されている。そして、
ブロワー６７により、チューブ６２ｂの一方側から熱交
換器６２に取り入れられた外気が加温器６６で所定温度
に加温されて現像処理ユニット（ＤＥＶ）７２に至る。
なお、このようにして熱交換された空気は、処理ステー
ション１１のユニット上部に設けられたフィルターユニ
ット（図示せず）に送ることもできる。

【００５５】このように構成される温度・湿度制御装置
５０においては、冷却器６１において外気（例えば、２
３℃、４５％）が取り入れられ、露点温度以下（例え
ば、７℃、９５〜１００％）に冷却され、結露させるこ
とにより、空気中に含まれる水分を除去（除湿）して、
空気の絶対湿度を低下させる。

【００５６】熱交換器６２では、上記露点温度以下（例
えば、７℃、９５〜１００％）の空気が流入口６２ｃを
介して筐体６２ａ内に取り入れられる一方、外気（例え
ば、２３℃、４５％）がチューブ６２ｂに取り入れら
れ、両者の間で熱交換が行われる。すなわち、高温側流
路であるチューブ６２ｂを通流している外気の温度が低
下し、低温側流路を通流する空気の温度が上昇する。

【００５７】その結果、レジスト塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）７１に供給される空気は、現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）７２に供給される空気の熱を奪うことにより、例
えば７℃から１５℃に温められて予備加熱される一方、
現像処理ユニット（ＤＥＶ）７２に供給される空気は、
上記のように熱が奪われて、例えば２３℃から２０℃に
温度が低下される。

【００５８】この熱交換器６２の低温側流路で予備加熱
された１５℃の空気は、加温器６３により所定温度に温
められ、加湿器６４により所定湿度に加湿され、例え
ば、２３℃、４０〜５０％に調整される。このように温
度および湿度が調整された空気が、図４に示すように、
供給管路５１および吹き出し口５３を介してレジスト塗
布処理ユニット（ＣＯＴ）７１に供給される。

【００５９】一方、熱交換器６２のチューブ６２ｂを通
流することにより温度が２０℃に低下された空気は、加
温器６６により温められて、所定温度（例えば、２３
℃）に調整され、供給管路５２および吹き出し口５４を
介して、現像処理ユニット（ＤＥＶ）７２に供給され
る。

【００６０】このように、本実施の形態によれば、空気
の温度を調整しながら、湿度をも調整しなければならな
いレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）７１には、冷却
器６１により一旦冷却され、熱交換器６２により温めら
れ、その後、加温器６３・加湿器６４により温度と湿度
が調整された空気が供給される。一方、空気の温度の調
整のみが必要で湿度の調整は不要である現像処理ユニッ
ト（ＤＥＶ）７２には、冷却器６１により一旦冷却され
ることなく、熱交換器６２により若干温度が低下された
後、加温器６６により温度が調整された空気が供給され
る。

【００６１】したがって、冷却器６１により冷却される
のは、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）７１に供給
される空気のみであり、現像処理ユニット（ＤＥＶ）７
２に供給される空気は冷却されないため、冷却すべき空
気の量を従来よりも少なくすることができ、冷却器６１
の小型化を図ることができるとともに、消費電力等を低
減することができる。

【００６２】また、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）７１に供給される空気は、熱交換器６２において、
現像処理ユニット（ＤＥＶ）７２に供給される空気の熱
を奪うことにより、温められて予備加熱されているた
め、加温器６３により温める加温容量を少なくすること
ができ、加温器６３の小型化を図り、消費電力等を低減
することができる。

【００６３】さらに、現像処理ユニット（ＤＥＶ）７２
側の加温器６６は、熱交換器６２により若干温度が低下
されて予備冷却された外気を僅かに加温する程度でよい
ため、この加温器６６も大きい能力が不要であり、小型
化を図ることができ、消費電力等を低減することができ
る。

【００６４】以上から、冷却や加温、加湿のための機構
を全体的に小容量化および小型化することができ、消費
電力等のランニングコストを低減することができる。例
えば、図４に示すように、レジスト塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）７１と現像処理ユニット（ＤＥＶ）７２の台
数が同じ場合には、冷却や加熱、加湿のための機構の容
量を従来に比べて半分にすることができ、消費電力等の
ランニングコストを著しく低減することができる。

【００６５】以上は、温度・湿度制御装置５０に、シェ
ル・アンド・チューブ型の熱交換器６２を用いた例を示
したが、図６に示すような直交流型の熱交換器８２を用
いることもできる。この直交流型の熱交換器８２は、一
の方向にガスを通流させる第１のガス通流部８３と、一
の方向と直交する方向にガスを通流させる第２のガス通
流部８４とが積層されて構成されている。これらガス通
流部８３，８４の内部にはフィン８５が設けられてお
り、有効に熱交換が行われるようになっている。第１の
ガス通流部８３には、ガス導入部８３ａおよびガス排出
部８３ｂが形成され、第２のガス通流部８４には、ガス
導入部８４ａおよびガス排出部８４ｂが形成されてお
り、例えば、ガス導入部８３ａから冷却器６１からの空
気を導入し、ガス導入部８４ａから外気を導入すること
により、これらの間で熱交換を生じさせることができ、
図５と同様の配管構成を実現することができる。

【００６６】また、図７に示すようなヒートパイプ型の
熱交換器９２を用いることもできる。この熱交換器９２
は２つに分離された筐体９３ａ，９３ｂを有し、筐体９
３ａには冷却器６１からの空気を導入する導入口９６が
設けられ、筐体９３ｂには外気を導入するための導入口
９７が設けられている。また、筐体９３ａ内には、冷却
器６１からの空気および外気の導入方向と平行に複数の
フィン９５ａが設けられており、筐体９５ｂ内には、外
気の導入方向と平行に複数のフィン９５ｂが設けられて
いる。筐体９３ａ内のフィン９５ａと、筐体９３ｂ内の
フィン９５ｂとは、それぞれに直交するように設けられ
た複数本のヒートパイプ９４により接続されている。そ
して、筐体９３ａの導入口９６と反対側の位置には排出
口９８が設けられ、筐体９３ｂの導入口９７と反対側の
位置には排出口９９が設けられている。

【００６７】このような熱交換器９２では、ブロワー６
５により冷却器６１で冷却された空気が導入口９６から
筐体９３ａ内へ導入され、フィン９５ａに沿って排出口
９８に導かれる。一方、ブロワー６７により導入口９７
から外気が筐体９３ｂ内に導入され、フィン９５ｂに沿
って排出口９９に導かれる。この場合に、ヒートパイプ
９４の一方の端部は冷却器６１で冷却された空気に接触
しており、他方の端部は外気に接触しているから、この
温度差を解消する方向に熱が移動し、熱交換が行われ
る。したがって、排出口９８からは冷却器６１で例えば
７℃に冷却した後に熱交換により例えば１５℃まで加温
された空気が排出され、この空気が加温器６３で加温さ
れた後、加湿器６４で加湿され、例えば２３℃、４０〜
５０％の空気がレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に導か
れる。また、排出口９９からは例えば２３℃の外気が熱
交換により例えば２０℃まで冷却された空気が排出さ
れ、この空気が加温器６６で加温され、２３℃の空気が
現像処理ユニット（ＤＥＶ）に導かれる。

【００６８】温度・湿度制御装置には、さらに処理ユニ
ット内の空気の温度および／または湿度を検出するセン
サーを設け、その検出値に基づいて温度・湿度制御装置
の動作を制御するようにしてもよい。図８は、この場合
における温度・湿度制御装置の構成を示す図である。こ
の温度・湿度制御装置１５０は、図５に示した例と同様
の構成に加えて、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
７１内に配置された温度・湿度測定部１４０と、この温
度・湿度測定部１４０に接続された第１の制御部１４１
と、現像処理ユニット（ＤＥＶ）７２内に配置された温
度測定部１４２と、この温度測定部１４２に接続された
第２の制御部１４３とを有している。第１の制御部１４
１は、予めレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）７１で
処理されるのに最適な温度および湿度が比較値として入
力されており、温度・湿度測定部１４０にて測定された
測定値と予め入力された比較値とを比較して補正データ
を算出し、この算出された補正データに基づいて加湿器
６４および加温器６３を制御する。また、第２の制御部
１４３は、予め現像処理ユニット（ＤＥＶ）７２で処理
されるのに最適な温度が比較値として入力されており、
温度測定部１４２にて測定された測定値と予め入力され
た比較値とを比較して補正データを算出し、この算出さ
れた補正データに基づいて加温器６６を制御する。この
ようにすることで、より適正な条件下で塗布処理および
現像処理を行うことが可能となる。

【００６９】さらに、図９に示すように、レジスト塗布
処理ユニット（ＣＯＴ）の吹き出し口５３の近傍に、供
給された空気の温度を最終的に微調整する加温ユニット
１４８を設けるようにしてもよい。このような構成とし
て、加温器６３での温調温度をレジスト塗布処理ユニッ
ト（ＣＯＴ）で処理されるのに最適な温度よりも若干低
めにし、加温ユニット１４８で最終的に最適な温度に加
温するように設定することで、加温器６３を出てからレ
ジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に至るまでの間に空
気の温度が変動しても、最適な温度の空気をレジスト塗
布処理ユニット（ＣＯＴ）に供給することができる。ま
た、この場合には加温器６３の加温する温度はより低く
てよいことから、加温器６３を小型化・小容量化するこ
とも可能である。

【００７０】次に、本発明の他の実施形態について説明
する。図１０は、本実施形態におけるレジスト塗布処理
ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニット（ＤＥＶ）
と温度・湿度制御装置との配置関係を示す模式図であ
る。図１０に示すように、本実施形態における第１の処
理ユニット群Ｇ_１では２台のレジスト塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）が上下２段に配置され、第２の処理ユニット
群Ｇ_２では２つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）が上下２
段に配置されている。温度・湿度制御装置２５０は、レ
ジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニ
ット（ＤＥＶ）に供給する空気の温度や湿度を制御する
ためのものであり、レジスト塗布・現像処理システム１
とは別個に配置されている。後述するように、レジスト
塗布処理ユニット（ＣＯＴ）と現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）には、それぞれ別々の空気が供給されるため、この
温度・湿度制御装置２５０からレジスト塗布処理ユニッ
ト（ＣＯＴ）に空気を供給するための供給管路１５１
と、温度・湿度制御装置２５０から現像処理ユニット
（ＤＥＶ）に空気を供給するための供給管路１５２とが
それぞれ別々に設けられている。さらに、レジスト塗布
処理ユニット（ＣＯＴ）内から排気された空気を温度・
湿度制御装置２５０へ供給するための供給管路２５１
と、現像処理ユニット（ＤＥＶ）内から排気された空気
を温度・湿度制御装置２５０へ供給するための供給管路
２５２とが設けられている。

【００７１】各レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の
上部には、ウエハＷを内部に包持するカップ（ＣＰ）内
に温調・湿調された空気を吹き出すための吹き出し口５
３が設けられており、各現像処理ユニット（ＤＥＶ）の
上部には、ウエハＷを内部に包持するカップ（ＣＰ）内
に温調された空気を吹き出すための吹き出し口５４が設
けられている。

【００７２】図１１は、本実施形態におけるレジスト塗
布処理ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）に供給される空気の温度・湿度制御装置の一例を
示す模式図である。上述した実施形態では外気を取り込
んで温度・湿度制御していたのに対して、本実施形態に
おける温度・湿度制御装置ではそれぞれの処理ユニット
から排気された空気を再利用するようにしている。

【００７３】温度・湿度制御装置２５０は、シェル・ア
ンド・チューブ型の熱交換器６２を有しており、この熱
交換器６２は筐体６２ａと、その中に設けられた複数タ
ーンに屈曲したチューブ６２ｂと、筐体６２ａ内に空気
を流入させる流入口６２ｃと、筐体６２ａから空気を流
出させる流出口６２ｄとを有している。そして、流入口
６２ｃから筐体６２ａに流入した空気が流出口６２ｄか
ら流出する低温側流路が形成されるとともに、チューブ
６２ｂは高温側流路として機能する。

【００７４】熱交換器６２の流入口６２ｃ側には冷却器
６１が設けられており、流出口６２ｄ側には加温器６
３、加湿器６４、ブロワー６５およびレジスト塗布処理
ユニット（ＣＯＴ）７１がこの順に設けられている。そ
して、冷却器６１にはレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）７１から排出された空気が、供給管路２５１を介し
て取り入られるようになっており、この冷却器６１で冷
却された空気は熱交換器６２を経て、加温器６３で所定
温度に加温され、加湿器６４で所定湿度に加湿され、ブ
ロワー６５によりレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
７１に供給される。

【００７５】また、熱交換器６２のチューブ６２ｂの一
方側には現像処理ユニット（ＤＥＶ）７２から排出され
た空気が供給管路２５２を介して取り入られるようにな
っており、他方側には加温器６６、ブロワー６７および
現像処理ユニット（ＤＥＶ）７２がこの順に接続されて
いる。また、供給管路２５２の途中には空気からアンモ
ニアを除去するフィルタ２５３が設けられている。そし
て、ブロワー６７により、チューブ６２ｂの一方側から
熱交換器６２に取り入れられた現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）７２から排出された空気が、加温器６６で所定温度
に加温されて現像処理ユニット（ＤＥＶ）７２に至る。
なお、このようにして熱交換された空気は、処理ステー
ション１１のユニット上部に設けられたフィルターユニ
ット（図示せず）に送ることもできる。

【００７６】このように構成される温度・湿度制御装置
２５０においては、冷却器６１において、レジスト塗布
処理ユニット（ＣＯＴ）７１から排気された空気（例え
ば、２３℃、４５％）が供給管路２５１を介して取り入
れられ、露点温度以下（例えば、７℃、９５〜１００
％）に冷却され、結露させることにより、空気中に含ま
れる水分を除去（除湿）して、空気の絶対湿度を低下さ
せる。

【００７７】熱交換器６２では、上記露点温度以下（例
えば、７℃、９５〜１００％）の空気が流入口６２ｃを
介して筐体６２ａ内に取り入れられる一方、現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）７２から排出された空気（例えば、２
３℃、４５％）が供給管路２５２およびを介してチュー
ブ６２ｂに取り入れられ、両者の間で熱交換が行われ
る。すなわち、高温側流路であるチューブ６２ｂを通流
している空気の温度が低下し、低温側流路を通流する空
気の温度が上昇する。

【００７８】その結果、レジスト塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）７１に供給される空気は、現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）７２に供給される空気の熱を奪うことにより、例
えば７℃から１５℃に温められて予備加熱される一方、
現像処理ユニット（ＤＥＶ）７２に供給される空気は、
上記のように熱が奪われて、例えば２３℃から２０℃に
温度が低下される。

【００７９】この熱交換器６２の低温側流路で予備加熱
された１５℃の空気は、加温器６３により所定温度に温
められ、加湿器６４により所定湿度に加湿され、例え
ば、２３℃、４０〜５０％に調整される。このように温
度および湿度が調整された空気が、図４に示すように、
供給管路１５１および吹き出し口５３を介してレジスト
塗布処理ユニット（ＣＯＴ）７１に供給される。

【００８０】一方、熱交換器６２のチューブ６２ｂを通
流することにより温度が２０℃に低下された空気は、加
温器６６により温められて、所定温度（例えば、２３
℃）に調整され、供給管路１５２および吹き出し口５４
を介して、現像処理ユニット（ＤＥＶ）７２に供給され
る。

【００８１】以上のように、本実施形態においては、レ
ジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）７１から排気された
空気を温度・湿度制御装置２５０の冷却器６１に導き、
冷却器６１、熱交換器６２、加温器６３および加湿器６
４により温度および湿度を調整した後、再度レジスト塗
布処理ユニット（ＣＯＴ）７１に供給する。また、現像
処理ユニット（ＤＥＶ）７２から排気された空気を温度
・湿度制御装置２５０の熱交換器６２のチューブ６２ｂ
に導き、熱交換器６２および加温器６６により温度を調
整した後、再度現像処理装置（ＤＥＶ）７２に供給す
る。このように温度・湿度制御装置２５０に各処理ユニ
ットから排気された空気を供給する場合、このような空
気は温度・湿度の変動が外気よりも少ないため、温度・
湿度制御装置２５０をより簡単な構造とすることがで
き、これに伴い消費電力等のランニングコストを著しく
低減することができる。

【００８２】また、図１０には、それぞれの処理ユニッ
トに個別に給排気する例について示したが、２台のレジ
スト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および２台の現像処理
ユニット（ＤＥＶ）のそれぞれの組み合わせを一括して
給排気するようにしてもよい。この場合には、図１２に
示すように、上下のレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）を連通管１５４で連通し、供給管路１５１から供給
される温調・湿調された空気を上側のレジスト塗布処理
ユニット（ＣＯＴ）の上部に設けられた吹き出し口５３
から吹き出させ、下側のレジスト塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）の下部に接続された供給経路２５１から排気する
ようにする。現像処理ユニット（ＤＥＶ）についても同
様に、上下の現像処理ユニット（ＤＥＶ）を連通管１５
３で連通し、供給管路１５２から供給される温調された
空気を上側の現像処理ユニット（ＤＥＶ）の上部に設け
られた吹き出し口５４から吹き出させ、下側の現像処理
ユニット（ＤＥＶ）の下部に接続された供給経路２５２
から排気するようにする。このように上下に同じ種類の
処理ユニットを配置し、上下に配置された処理ユニット
のそれぞれを一括して給排気するダウンフロー構造とす
ることにより、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）お
よび現像処理ユニット（ＤＥＶ）から排気される空気を
より効率よく回収することができる。

【００８３】次に、本発明の別の実施形態について説明
する。上述した実施形態においては、いずれもレジスト
塗布処理ユニット（ＣＯＴ）には温度および湿度を制御
した空気を供給し、現像処理ユニット（ＤＥＶ）には温
度のみを制御した空気を提供する場合について示した
が、本実施形態においては現像処理ユニット（ＤＥＶ）
にも温度および湿度を制御した空気を供給する場合につ
いて述べる。

【００８４】図１３は、本実施形態における温度・湿度
制御装置の構成の一例を示す図である。この温度・湿度
制御装置３５０は、図５に示した温度・湿度制御装置の
例と同様の構成に加えて、チューブ６２ｂと加温器６６
との間に設けられた冷却器３０１と、加温器６６とブロ
ワー６７との間に設けられた加湿器３０２とを有してい
る。このような構成により、チューブ６２ｂ内を通流し
た外気を冷却器３０１で露点温度以下に冷却し、結露さ
せて絶対的な水分量を低減し、次いで加温器６６で所定
温度とし、加湿器３０２で所定湿度として、現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）７２に温度および湿度を制御した空気
を供給することができる。本実施形態においては、現像
処理ユニット（ＤＥＶ）７２側の冷却器３０１には、冷
却器６１で冷却後の空気と熱交換することにより冷やさ
れた外気が供給されるので、冷却器３０１の冷却容量を
少なくすることができ、これにより冷却器３０１を小型
化し、消費電力等を低減することができる。また、上述
した実施形態と同様に、レジスト塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）７１側の加温器６３には、冷却器６１で冷却され
た後、外気と熱交換することにより温められた空気が供
給されるので、加温器６３を小型化し、消費電力等を低
減することもできる。すなわち、本実施形態によれば、
低いランニングコストで、レジスト塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）７１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）７２
に温度および湿度を制御した空気を供給することができ
る。

【００８５】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。上記実施の形態では、半
導体ウエハ用のレジスト塗布・現像処理システムについ
て説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基板、例
えばＬＣＤ基板用の塗布・現像処理システムにも本発明
を適用することができる。また、熱交換器としては、シ
ェル・アンド・チューブ型、直交流型、およびヒートパ
イプ型を図示したが、他のタイプのものであってもよ
い。

【００８６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
供給する空気の温度および湿度を調整する必要がある塗
布処理ユニットには、冷却器により一旦冷却され、熱交
換器により温められ、その後、加温・加湿器により温度
と湿度が調整された空気が供給される一方、空気の温度
の調整のみが必要で湿度の調整は不要である現像処理ユ
ニットには、冷却器により一旦冷却されることなく、熱
交換器により若干温度が低下された後、加温器により温
度が調整された空気が供給される。

【００８７】したがって、冷却や加温のための機構の小
容量化および小型化を図ることができ、消費電力等のラ
ンニングコストを低減することができる。例えば、塗布
処理ユニットと現像処理ユニットの台数がほぼ同じ場合
には、冷却および加温のための熱的な容量は、従来に比
べて、ほぼ半分にすることができ、消費電力等のランニ
ングコストをほぼ半分にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態が適用される半導体ウエハの
レジスト塗布・現像処理システムの全体構成を示す平面
図。

【図２】本発明の実施形態が適用される半導体ウエハの
レジスト塗布・現像処理システムの全体構成を示す正面
図。

【図３】本発明の実施形態が適用される半導体ウエハの
レジスト塗布・現像処理システムの全体構成を示す背面
図。

【図４】本発明の一実施形態におけるレジスト塗布処理
ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニット（ＤＥＶ）
と、これらに供給される空気の温度・湿度制御装置との
位置関係を示す模式図。

【図５】本発明の一実施形態におけるレジスト塗布処理
ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニット（ＤＥＶ）
に供給される空気の温度・湿度制御装置の一例を示す構
成図。

【図６】レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および現
像処理ユニット（ＤＥＶ）に供給される空気の温度・湿
度制御装置に用いられる熱交換器の他の例を示す斜視
図。

【図７】レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および現
像処理ユニット（ＤＥＶ）に供給される空気の温度・湿
度制御装置に用いられる熱交換器のまた他の例を示す斜
視図。

【図８】レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および現
像処理ユニット（ＤＥＶ）に供給される空気の温度・湿
度制御装置の他の例を示す構成図。

【図９】レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および現
像処理ユニット（ＤＥＶ）に供給される空気の温度・湿
度制御装置のまた他の例を示す構成図。

【図１０】本発明の他の実施形態におけるレジスト塗布
処理ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）と、これらに供給される空気の温度・湿度制御装置
との位置関係の一例を示す模式図。

【図１１】本発明の他の実施形態におけるレジスト塗布
処理ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）に供給される空気の温度・湿度制御装置を示す構成
図。

【図１２】本発明の他の実施形態におけるレジスト塗布
処理ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）と、これらに供給される空気の温度・湿度制御装置
との位置関係の他の例を示す模式図。

【図１３】本発明の別の実施形態におけるレジスト塗布
処理ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）に供給される空気の温度・湿度制御装置を示す構成
図。

【図１４】従来のレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
と現像処理ユニット（ＤＥＶ）に供給される空気の温度
・湿度制御装置の構成を示す図。

【符号の説明】

５０；温度・湿度制御装置 ５１，５２；供給管路 ５３，５４；吹き出し口 ６１；冷却器 ６２；熱交換器 ６３；加温器 ６４；加湿器 ６６；加温器 ＣＯＴ；レジスト塗布処理ユニット ＤＥＶ；現像処理ユニット Ｗ；半導体ウエハ（基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金川 耕三 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 (72)発明者 大井 和彦 神奈川県川崎市麻生区五力田２−８−４ 伸和コントロールズ株式会社 Ｆターム(参考） 5F046 CD01 CD05 CD06 JA07 JA22 JA24 KA01 KA07 LA07 LA13 LA18

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を処理する第１および第２の処理ユ
   ニットと、 外部から受け入れた外気を所定温度に冷却する冷却部
   と、 前記冷却部で冷却された空気を通流させる低温側流路お
   よび外気を通流させる高温側流路を有し、冷却された空
   気と外気との間で熱交換を行わせる熱交換器と、 前記熱交換器の低温側流路を通流し、高温側流路を通流
   する外気により温められた空気を加温・加湿して所定の
   温度および湿度の空気を前記第１の処理ユニットに供給
   する加温・加湿部と、 前記熱交換器の高温側流路を通流し、低温側流路を通流
   する空気により冷やされた外気を加温して所定の温度の
   空気を前記第２の処理ユニットに供給する加温部とを具
   備することを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 前記第１の処理ユニットは、レジスト塗
   布処理ユニットであることを特徴とする請求項１に記載
   の基板処理装置。
3. 【請求項３】 前記第２の処理ユニットは、現像処理ユ
   ニットであることを特徴とする請求項１または請求項２
   に記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記熱交換器は、直交流型、ヒートパイ
   プ型、シェル・アンド・チューブ型のいずれかであるこ
   とを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に
   記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 前記熱交換器の低温側流路を通流し、前
   記加温・加湿部により加温・加湿された空気を前記第１
   の処理ユニットに供給する供給管路と、前記熱交換器の
   高温側流路を通流し、前記加温部により加温された空気
   を前記第２の処理ユニットに供給する供給管路とが、そ
   れぞれ、別個に配置されていることを特徴とする請求項
   １から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 【請求項６】 基板にレジスト液を塗布する塗布処理ユ
   ニットと、 塗布されたレジスト膜を露光した後の基板に現像処理を
   施す現像処理ユニットと、 外部から受け入れた外気を所定温度に冷却する冷却部
   と、 冷却部で冷却された空気を通流させる低温側流路および
   外気を通流させる高温側流路を有し、冷却された空気と
   外気との間で熱交換を行わせる熱交換器と、この熱交換
   器の低温側流路を通流し、高温側流路を通流する外気に
   より温められた空気を加温・加湿して所定の温度および
   湿度の空気を前記塗布処理ユニットに供給する加温・加
   湿部と、 前記熱交換器の高温側流路を通流し、低温側流路を通流
   する空気により冷やされた外気を加温して所定の温度の
   空気を前記現像処理ユニットに供給する加温部とを具備
   することを特徴とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 前記熱交換器は、直交流型、ヒートパイ
   プ型、シェル・アンド・チューブ型のいずれかであるこ
   とを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
8. 【請求項８】 前記熱交換器の低温側流路を通流し、前
   記加温・加湿部により加温・加湿された空気を前記塗布
   処理ユニットに供給する供給管路と、前記熱交換器の高
   温側流路を通流し、前記加温部により加温された空気を
   前記現像処理ユニットに供給する供給管路とが、それぞ
   れ、別個に配置されていることを特徴とする請求項６ま
   たは請求項７に記載の基板処理装置。
9. 【請求項９】 基板を処理する第１および第２の処理ユ
   ニットと、 前記第１の処理ユニットから排気された空気を所定温度
   に冷却する冷却部と、 前記冷却された空気を通流させる低温側流路および前記
   第２の処理ユニットからの排気を通流させる高温側流路
   を有し、前記冷却された空気と前記第２の処理ユニット
   からの排気との間で熱交換を行わせる熱交換器と、 前記熱交換器の低温側流路を通流し、高温側流路を通流
   する前記第２の処理ユニットからの排気により温められ
   た前記冷却された空気を加温・加湿して所定の温度およ
   び湿度の空気を前記第１の処理ユニットに供給する加温
   ・加湿部と、 前記熱交換器の高温側流路を通流し、低温側流路を通流
   する前記冷却された空気により冷やされた前記第２の処
   理ユニットからの排気を加熱して所定の温度の空気を前
   記第２の処理ユニットに供給する加温部とを具備するこ
   とを特徴とする基板処理装置。
10. 【請求項１０】 前記第１の処理ユニットは、レジスト
    塗布処理ユニットであることを特徴とする請求項９に記
    載の基板処理装置。
11. 【請求項１１】 前記第２の処理ユニットは、現像処理
    ユニットであることを特徴とする請求項９または請求項
    １０に記載の基板処理装置。
12. 【請求項１２】 前記第２の処理ユニットからの排気に
    含まれるアンモニア成分を除去するフィルタをさらに具
    備することを特徴とする請求項９から請求項１１のいず
    れか１項に記載の基板処理装置。
13. 【請求項１３】 前記熱交換器は、直交流型、ヒートパ
    イプ型、シェル・アンド・チューブ型のいずれかである
    ことを特徴とする請求項９から請求項１２のいずれか１
    項に記載の基板処理装置。
14. 【請求項１４】 前記熱交換器の低温側流路を通流し、
    前記加温・加湿部により加温・加湿された空気を前記第
    １の処理ユニットに供給する供給管路と、前記熱交換器
    の高温側流路を通流し、前記加温部により加温された空
    気を前記第２の処理ユニットに供給する供給管路とが、
    それぞれ、別個に配置されていることを特徴とする請求
    項９から請求項１３のいずれか１項に記載の基板処理装
    置。
15. 【請求項１５】 基板を処理する第１および第２の処理
    ユニットと、 外部から受け入れた外気を所定温度に冷却する第１の冷
    却部と、 前記第１の冷却部で冷却された空気を通流させる低温側
    流路および外気を通流させる高温側流路を有し、前記第
    １の冷却部で冷却された空気と外気との間で熱交換を行
    わせる熱交換器と、 前記熱交換器の低温側流路を通流し、高温側流路を通流
    する外気により温められた空気を加温・加湿して所定の
    温度および湿度の空気を前記第１の処理ユニットに供給
    する第１の加温・加湿部と、 前記熱交換器の高温側流路を通流し、低温側流路を通流
    する空気により冷やされた外気を所定温度に冷却する第
    ２の冷却部と、 前記第２の冷却部で冷却された空気を加温・加湿して所
    定の温度および湿度の空気を前記第２の処理ユニットに
    供給する第２の加温・加湿部とを具備することを特徴と
    する基板処理装置。